VLSI概論 Introduction to Very Large Scale Integrated Circuits

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獻給我的內人和孩子們
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簡　介
矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米（deep submicron meter），經歷幾個

階段，0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm，現階段已到達0.10μm、0.07μm。
相關的製程、設備、材料或廠務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到
影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電
容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比
的乾蝕刻製程需要高密度電漿；降低阻容延遲（RC delay）使用低介電常數材料和銅
製程。新製程有雙大馬士革（dual damascene）、電鍍（electroplating）、無電極電鍍
（electroless plating）和／或金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）。奈米元件更製作
出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大為12吋，為的不止是提高良率、提高機器使用
率；也考慮到生產力，節省工廠面積，還要兼顧人工學（ergonomics）和減少化學藥
液以利環保。
本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給
想從事半導體的同學和研究生，或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老
師們一項便捷的參考。
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VLSI 概論
全研究所，1999。
電子材料，五南圖書公司，1999。2008改寫四版。
工程倫理，高立圖書公司，2000。
半導體製程設備，五南圖書公司，2000。2008改寫四版。
工業電子學，五南圖書公司，2001。
電子電機工程英漢對照詞典，五南圖書公司，2007。
物理英漢對照詞典，五南圖書公司，2008。
整譯著作（除＊為高立，其餘均為五南圖書公司出版）
奈米時代，2002。
奈米材料，2002。
智慧材料，2003。
材料物理學概論，2003。
奈米陶瓷，2003。
奈米材料技術，2003。
奈米複合材料，2004。
奈米纖維，2004。
奈米碳管，2004。
奈米建材，2004。
奈米催化技術，2004。
量子力學基礎，2004。
奈米薄膜技術與應用，2005。
自然科學概論，2005。
電路與電子學，2005。
清晰的奈米世界，初探電子顯微鏡，2006。
奈米生醫材料，2006。
＊近代物理（Concepts of Modern Physics, Arthur Beiser原著，McGraw Hill叢書）
家庭：
內人王全靜自中學教師退休。
長子張綱在美國；長女張絢清華大學物理研究所博士，現服務於台積電；次女張
綾於東海大學美術系畢業。
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序
摩爾定律（Moore's law）預測半導體積體電路每18∼24個月，就會提高積集度一
倍，元件的特徵尺寸日趨縮小。矽積體電路很快地進入深次微米（deep submicron）
世代，微影照像（photolithography）製程是首先受到影響的，提高解析度的要件是利
用步進照像（stepper）或步進掃描（step and scan）設備、X射線或電子束為光源，
阻劑材料影像反轉（image reversal）、抗反射層（ARC）等新開發的製程技術。閘極
（gate）結構改變，多晶矽矽化物（polycide）、自行對齊矽化物（salicide）、防止天
線效應（antenna effect）等。
動態隨機存取記憶體（DRAM）由64M、256M到1 G位元，甚或到4G、16G位
元。為保持電容值而有鈦酸鍶鋇（BST）系列的高介電常數（high K）材料。配合多
層金屬導線及降低阻容延遲（RC delay）的低介電常數（low k）材料、銅製程、金屬
擴散阻障層（diffusion barrier）、鎢栓塞（W－plug）、鋁栓塞（Al－plug）等等。
元件結構方面，DRAM有溝渠式電容（trench capacitor）、堆疊式電容（stacked
capacitor），DRAM和邏輯電路做在同一晶片的內嵌式（embeded）結構，快閃記憶
體（flash memory）、鐵電記憶體（FeRAM）。12吋晶圓是為配合元件積集度提高、
降低成本的主要手段，晶圓自動傳輸、潔淨室（clean room），廠務設施也有多處
隨之改變。當矽製程提升到70奈米的極限，奈米元件單電子電晶體（single electron
transistor，SET）更使計算機進入量子時代，功能提升千萬倍。
本書可作為大學、技術學院高年級或研究所教科書。供電子、電機、自控、材
料、化工、機械、物理、化學等相關領域的使用。也可供半導體製造相關的工程師、
教授、老師們參考。工程公司、翻譯社、專利公司、投資顧問公司同仁們也可以此書
為參考。
編著者於1999年推出電子材料，2000年推出半導體製程設備、2001年推出工業電
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VLSI 概論
子學，均獲得各界好評。本人又精心研讀國內著名學術期刊，如電子月刊、毫微米通
訊、真空科技、科儀新知等，整理編著此本VLSI概論。衷心感謝五南圖書公司楊榮川
董事長、穆文娟副總編輯、蔡曉雯編輯等的支持。逢甲電腦打字行的鄧鈴鈴小姐、何
麗玫小姐協助打字、製圖、排版。
編著者才疏學淺，雖已竭盡全力，然而匆忙之中，難免有錯，尚祈前輩先進、好
友、同學們不吝指教。
張　勁　燕
中華民國九十七年冬改寫
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目　錄（Contents）
簡　介
作者簡介
序
第 1 章　微影照像. ...................... 1
1.1　緒　論／2
1.2　ULSI微影技術的延伸與極限／6
1.3　提升光學微影製程的技術／12
1.4　深次微米微影照像／19
1.5　電子束微影技術／30
1.6　光罩和圖規／35
1.7　阻劑和抗反射覆蓋／42
1.8　參考文獻／55
1.9　習　題／58
第 2 章　低介電常數材料及其製程. ....... 59
2.1　緒　論／60
2.2　低介電常數材料用於ULSI／64
2.3　材料種類和演進／69
2.4　金屬前介電質／73
2.5　含二氧化矽的介電質／75
2.5.1　摻氟的二氧化矽（SiOF）　75
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2.5.2　超微孔矽土　79
2.5.3　摻碳的二氧化矽　80
2.6　其他的無機低介電常數材料／80
2.6.1　含氫的矽酸鹽（HSQ）　81
2.6.2　含甲基的矽酸鹽（MSQ）　82
2.6.3　黑鑽石　83
2.6.4　混成有機矽氧烷高分子（HOSP）　84
2.6.5　氮化硼系　84
2.7　有機低介電常數材料／85
2.7.1　芳香族碳氫化合物（SiLK）　85
2.7.2　摻氟的聚對二甲苯醚（FLARE）　87
2.7.3　苯并環丁烯（BCB）　88
2.7.4　氟化的非晶相碳（a-C：F）　88
2.7.5　含氟的聚對二甲苯（parylene－F，AF－4）　91
2.7.6　聚四氟乙烯（PTFE）　92
2.7.7　聚亞醯胺（polyimide）　92
2.7.8　聚芳烯醚（PAE）　94
2.8　特性量測、蝕刻／96
2.9　參考文獻／98
2.10　習　題／100
第 3 章　高介電常數材料製程. .......... 101

3.1　緒　論／102
3.2　順電和鐵電材料／104
3.3　鈦酸鍶鋇和電容結構／107
3.4　鈦鋯酸鉛和鉭酸鉍鍶鐵電材料／113
3.5　薄膜製作／115
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目　錄
3.5.1　氧化鉭薄膜的製作　115
3.5.2　鉭酸鉍鍶薄膜的製作　116
3.5.3　鐵電薄膜製作　117
3.6　鐵電薄膜的可靠度和特性分析／119
3.7　蝕刻製程／121
3.8　參考文獻／122
3.9　習　題／124
第 4 章　閘極工程技術. ................ 125

4.1　緒　論／126
4.2　深次微米製程的閘極／129
4.3　金屬矽化物／131
4.3.1　多晶矽金屬矽化物　132
4.3.2　自行對齊金屬矽化物製程　133
4.3.3　矽化物在VLSI的應用　137
4.4　閘極結構和技術／139
4.4.1　雙多晶矽閘極　139
4.4.2　多晶矽鍺閘極技術　143
4.4.3　金屬閘極製程　144
4.5　閘極介電層／147
4.5.1　高介電常數（high K）材料　148
4.5.2　超薄氧化層　149
4.5.3　閘極介電層的量測　154
4.6　淺溝渠隔離／156
4.7　淺接面和升起式源極／汲極／160
4.8　基板工程／164
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VLSI 概論
4.9　電漿製程損傷／166
4.10　未來展望／168
4.11　參考文獻／170
4.12　習　題／171
第 5 章　金屬連線技術. ................ 173

5.1　緒　論／174
5.2　鋁和阻障金屬／175
5.3　物理氣相沉積／181
5.3.1　蒸鍍　181
5.3.2　濺鍍　181
5.4　先進的物理氣相沉積／183
5.4.1　過濾式的高垂直方向性濺鍍　183
5.4.2　離子化的濺鍍技術　183
5.4.3　提高薄膜遷移率的濺鍍技術　184
5.4.4　活性離子濺鍍　186
5.5　化學氣相沉積／187
5.5.1　低壓化學氣相沉積　188
5.5.2　電子迴旋共振化學氣相沉積　193
5.5.3　金屬有機化學氣相沉積　195
5.6　參考文獻／199
5.7　習　題／200
第 6 章　銅製程. ...................... 201

6.1　緒　論／202
6.2　銅製程的優缺點／204
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目　錄
6.3　銅製程應用於ULSI／208
6.4　擴散阻障層及其製作／216
6.4.1　離子化金屬電漿　219
6.4.2　磁控濺鍍　222
6.5　銅晶種層及其製作／224
6.5.1　離子化金屬電漿　224
6.5.3　無電極電鍍　226
6.6　電鍍銅／231
6.7　其他沉積銅的方法／237
6.7.2　選擇性沉積　239
6.7.3　指向性濺鍍　242
6.7.4　乾式填洞法　245
6.7.5　電子迴旋共振電漿／濺鍍混合法　246
6.7.6　雷射退火回流法　246
6.7.7　銅合金化製程　247
6.8　銅的蝕刻／249
6.8.1　濕式蝕刻　249
6.8.2　乾式蝕刻　249
6.8.3　化學機械研磨　250
6.9　製程難題和化學機械研磨／251
6.10　環保對策／255
6.11　參考文獻／262
6.12　習　題／264
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VLSI 概論
第 7 章　高密度電漿乾蝕刻�� 267
7.1　緒　論／268
7.2　高密度電漿源／269
7.3　電子迴旋共振（ECR）蝕刻／276
7.3.1　物理機制　278
7.3.2　微波系統　281
7.3.3　蝕刻機系統　287
7.4　感應耦合式電漿（ICP）蝕刻／296
7.4.1　蝕刻機系統　298
7.4.2　靜電吸盤　302
7.4.3　電腦模擬和控制　303
7.5　電漿特性檢測／306
7.5.1　蘭牟爾探針　306
7.5.2　毫米波干涉儀　309
7.5.3　離子能量分析儀　309
7.5.4　光譜量測與分析　309
7.5.5　溫度量測　319
7.6　製程監督和終點偵測／310
7.6.1　雷射干涉儀和雷射反射　311
7.6.2　光發射光譜術　311
7.6.3　質譜儀　313
7.7　晶圓電漿洗淨／314
7.8　參考文獻／317
7.9　習　題／319
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目　錄
第 8 章　半導體記憶體元件. ............ 321

8.1　緒　論／322
8.2　製程技術發展的趨勢／324
8.3　DRAM的電容器／328
8.3.1　溝槽電容　333
8.3.2　堆疊電容　336
8.3.3　製程整合　339
8.4　內嵌式DRAM／340
8.5　快閃記憶體／349
8.5.1　記憶胞結構　350
8.5.2　記憶體陣列　361
8.6　鐵電記憶體／369
8.7　參考文獻／376
8.8　習　題／378
第 9 章　十二吋晶圓. .................. 379

9.1　緒　論／380
9.2　晶圓的品質規格／382
9.3　晶圓切片拋光和清洗／383
9.4　晶圓洗淨／384
9.5　晶圓回收／390
9.6　自動化／391
9.7　離子植入／393
9.8　參考文獻／397
9.9　習　題／398
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VLSI 概論
第 10 章　半導體奈米元件. ............. 399

10.1　緒　論／400
10.2　奈米科技在半導體／402
10.3　奈米材料／405
10.4　奈米電子元件的製作和應用／408
10.5　單電子電晶體／411
10.6　掃描探針量測／419
10.7　參考文獻／425
10.8　習　題／426
第 11 章　廠務設施. ................... 427

11.1　緒　論／428
11.2　潔淨室／430
11.3　化學污染及化學空氣過濾器／435
11.4　迷你環境和局部潔淨化／438
11.5　傳輸設備系統／443
11.6　氣　體／445
11.7　質流控制器／447
11.8　超純水／448
11.8.1　高效率逆滲透系統（HERO）　449
11.8.2　電極游離化　450
11.9　地震災害及對策／453
11.10　參考文獻／459
11.11　習　題／460
索　引�� 463
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1
第　　　章
微影照像
1.1.　緒　論
1.2.　ULSI微影技術的延伸與極限
1.3.　提升光學微影製程的技術
1.4.　深次微米微影照像
1.5.　電子束微影技術
1.6.　光罩或圖規
1.7.　阻劑和抗反射覆蓋
1.8.　參考文獻
1.9.　習　題
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VLSI 概論
1.1　緒　論
在矽晶圓上製作超大型積體電路（VLSI, very large scale integrated circuits）每

個晶片（chip）含105到106個電晶體的微影照像有幾種方法，如圖1.1所示。最常用
的方法是用電子束曝光系統製作母光罩（master photomask），再用光學照像設備複
製影像，如圖1.2所示。曝光輻射穿透光罩（photomask）中透明的部分，電路圖案
的不透明部分阻擋部分輻射。阻劑（resist）對輻射敏感，而且對蝕刻有阻抗，塗敷
於晶圓（wafer）表面。光罩在要求的公差之內，在晶圓上對準，然後輻射照在晶圓
之上，阻劑影像顯影（development），阻劑下層被蝕刻掉。
ULSI設計
圖案產生器
直寫幕罩光罩或圖規
光離子電子電子離子 X射線光
ULSI（ultra large scale

晶　圓 integrated circuits）每個
晶片含106個電晶體。
圖1.1　幾種ULSI的微影照像製程
（資料來源：Chang and Sze, ULSI Technology）
註：本書並不強調VLSI或ULSI的區別。
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第1章　微影照像
曝光輻射（紫外光）
石英光罩
鉻（Cr）
負光阻
元件基座多層
顯影
圖1.2　光複製製程
（資料來源：Chang and Sze, ULSI Technology）
曝光時，依光罩和晶圓的放置、遠近和照射方式，又分為接觸（contact）、近
接（proximity）和投影（projection）、掃描（scan）等數種。光罩上的圖案以1：1
成像的稱為mask，縮小後成像的稱為reticle。
微影照像製作圖案的主要步驟為：
1. 烘烤矽基座以除去表面揮發性污染物如水，稱為去水烘烤（dehydration
bake），然後塗底（priming）用六甲基二矽氮烷（hexa methyl
disilazane，HMDS，(CH 3 ) 6 Si 2 NH或Me 6 Si 2 NH），含CH 3 端與阻劑中
的 C 、 H 、 O 原子產生凡得瓦力（ v a n d e r Wa a l s f o r c e ，分子間的微弱
吸引力），可以提升光阻的附著力（adhesion promoter）。矽基座
上可能已成長二氧化矽、多晶矽或金屬，如圖1.3所示。Me為甲基
（ m e t h y l ）即 C H 3。 D H F 為稀釋的氫氟酸（ d i l u t e d H F ）。 B O E 為緩
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VLSI 概論
(a)
六甲基二矽氮烷（HMDS）
(b)
矽晶圓（DHF，BOE，超純水）
矽醇基
（silanol）
圖1.3　底材HMDS作用，(a)去水，(b)提升晶圓與阻劑間附著力
（資料來源：龍文安，積體電路微影製程）
衝氧化物蝕刻（ b u ff e r o x i d e e t c h ），成份為氟化氫＋氟化銨（ H F ＋
NH4F）。反應後生成矽醇基（silanol, SiOH）。
2. 上光阻，旋轉使其均勻，並控制光阻厚度，烘烤除去光阻中的殘餘溶劑，此
步驟稱為軟烘烤（soft bake）。
3. 曝光（exposure）用光罩對準儀（mask aligner）或步進照像機（stepper）。
前者一次曝光一整片晶圓（wafer），後者以步進重覆方式，一次曝光數個晶
片（chip）。更進步的用步進掃描（step and scan）。
4. 曝光後烘烤（post exposure bake, PEB），亦稱硬烘烤（hard bake），以消除
阻劑膜的駐波（standing wave）。在深紫外光（deep ultra-violet）製程，硬烤
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是必須的製程，否則阻劑化學無法工作。
5. 顯影（development），正光阻以氫氧化鉀（KOH）、氫氧化鈉（NaOH）或
四甲基氫氧化銨（tetra methyl ammonium hydroxide，TMAH，(CH3)4NOH）
顯影，曝光的部分被除去。負光阻以二甲苯（xylene，C6H4(CH3)2）顯影，
未曝光的部分被除去。
6. 光阻結構可供離子植入（ion implantation）的幕罩用以植入摻質。或以濕蝕
刻或乾蝕刻除去沒有光阻保護的底層二氧化矽（SiO2）、多晶矽或金屬，以
形成絕緣層、閘極或接線等結構。
以上製程的簡單流程，如圖1.4所示。
(a) HMDS
SiO2
矽基座
(b)
光阻（正型）
HMDS
SiO2
矽基座
(c) UV
光罩
光阻（正型）
HMDS
SiO2
矽基座
顯影液或蝕刻劑
(d)
曝光顯影後
的光阻
SiO2
矽基座
(e) 離子
SiO2
（蝕刻、去除光阻之後）
矽基座
圖1.4　微影顯像複製圖案流程
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VLSI 概論
(a)烘烤、塗底（priming）。
(b)旋塗光阻（此例為正型）、軟烤。
(c)曝光、硬烤。
(d)顯影。蝕刻。
(e)去除阻劑，離子植入（也可以在(d)以光阻做幕罩進行離子植入）。
1.2　ULSI微影技術的延伸與極限
微影技術製程，其資訊傳遞的流程，如圖1.5所示。由設計開始，到晶圓上完成
元件圖案結束。每一步驟都受製程穩定性及外在和內在的影響，情形如下：
寫光罩
設計（電子束或雷射）
光　罩
微影工具解析度
和像差
空間影像
（aerial image）
晶圓反射薄膜效應
真實的影像
光化學
曝光後烘烤擴散
潛在的影像
（latent image）
顯　影
光阻影像
圖案移轉
元件上圖案反應離子蝕刻
離子植入等
圖1.5　微影技術資訊流程
（資料來源：廖明吉，電子月刊）
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1. 光罩製作，受限於各種缺陷，如圖案角落圓化、圖案位移錯誤等。
2. 曝光工具繞射（diffraction）、鏡片色差（achromatic aberration）和其它光學
缺失。
3. 晶圓薄膜會引起反射（reflection）、駐波（standing wave）、干擾等，使圖
形影像變形。
4. 光阻：光酸化學分子擴散使潛在影像（latent image）的靈敏度降低。
5. 顯影：表面張力效應、濕式顯影限制了最後光阻應用的深寬比（aspect ratio）
。
6. 蝕刻：濕式蝕刻會造成底切（undercut），乾式蝕刻也有深寬比限制。
ULSI元件量產用的微影製程技術，必備條件為：
1. 能曝出的解析度（resolution）：
在線寬控制規格範圍內，曝出所想要的圖案的能力。製程窗（process
window）即製程參數允許的變化值要夠大，以包含製程中發生的曝光和焦距
（focus）變動。由前一層所造成在晶圓表面的變化，也能適當曝光下一層圖
案的真實性。
2. 疊對（overlay）能力：
最小可印出的線寬稱為光點（pixel，或稱像素），在0.3光點範圍內將本
層疊對到前一界定層的能力。並補償由製造產生的大小改變。
3. 量產能力（throughput），高度準確圖案，合理的設備成本、設備可靠度、
合理的罩幕（mask或reticle）和阻劑成本。
目前半導體製程製作動態隨機存取記憶體（DRAM），64M位元或256M位元，
需要極小特徵尺寸0.35μm甚或0.25μm，必須使用250奈米（nano meter, nm）或
更短波長的深紫外光（deep UV, DUV）。主要的技術挑戰為低強度光源和高吸收
光阻、高吸收透鏡材料。光阻需要新的樹脂（resin）、新的感光劑（sensitizer），
即化學放大光阻（chemically amplified resist, CAR）。CAR有感光劑，在感光後
轉為酸，作催化劑（catalyst），在曝光和後烘烤，使共聚高分子樹脂溶於顯影劑
（developer），使光阻靈敏度提高。
透鏡材料的石英（quartz）必須用體積大、無缺陷，以避免散射損失（scattering
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VLSI 概論
loss）或輻照傷害（irradiation damage），有高數值孔徑（numerical aperture）、無

色差（chromatic aberration）、光源必須為單色的（monochromatic），頻譜寬只有1
皮米（picometer），因此只有一個選擇－雷射（laser）。
微影技術的解析度（resolution），基本的限制為：
　　　　　　　　　　　　　　　R＝k1λ/NA （1.1）
上式R表示最小線寬（解析度），k1為常數，和製程條件、光阻有關，典型值
大約為0.5。λ為曝光波長，NA為投影鏡片的數值孔徑（numerical aperture），
　　　　　　　　聚焦景深（DOF）＝±k2×λ/(NA)2 （1.2）
k2是另一個常數，可能相依k1。為提高解析度，可以用短波長的光源，但曝光
機器昂貴或無量產型機器。提高數值孔徑則會降低景深，使製程不穩定。提高鏡頭
的數值孔徑的同時更要減少像差。幾個對光學微影技術的重要波長、解析度和聚焦
景深，如表1.1所列。假設NA＝0.7，k1＝0.5，△λ/λ代表從一個波長跳到特定波長
的趨動力。
焦距深度或稱景深（depth of focus, DOF），定義為焦距的範圍，使一已知
特徵的光阻輪廓保持在規格之內，如線寬、側牆角、光阻損失等，在一特定的
曝光範圍。焦距深度是高解析度照像最重要的參數之一，因為圖案薄膜的地形
（topography）和場區不平坦，已經和焦距窗（focus window）差不多了，平坦化
（planarization）製程是必須的，而且可提高產率。解析度（resolution）的定義即為
以一特定的焦距深度，可以印製的最小特徵尺寸。
深紫外光唯一可用的透鏡材料是石英（quartz），需要大體積，做大透鏡，
沒有缺陷以避免在操作時有散射損失或輻射傷害。要有大的數值孔徑使透鏡製
作困難。以單一透鏡材料，在完全折射的透鏡設計，無法做色像修正（chromatic
correction），唯一可行的辦法是「全場區照像」，即一個晶片以一次曝光完成。為
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解決此難題，光源必須是單色光（monochromatic light），其造成的色像誤差是可容
許的，對應於這種透鏡的設計，光學頻譜寬大約一皮米（picometer, 10-12m），光源
的唯一選擇是雷射。
表1.1　各種微影技術之比較
波長 △λ/λ 最小線寬聚焦景深
備　　註
λnm % Rmin，nm （DOF），nm
G-line 436 311 850
I-line 365 19 260 730
KrF 248 47 175 500 鏡片材料，以熔融石英(fused quartz)為主，
雷射以2000赫的重覆率，產生10mJ的脈
衝，掃描曝光。
ArF 193 28 140 400 鏡片材料以熔融石英為主，學習以改善氟
化鈣（CaF 2 ）消色差材質和製造技術、折
射投影光學。
F2雷射 157 23 112 320 鏡片材料：氟化鈣、高穿透力，但大塊
CaF 2 尚未可得，有機材料有大的吸收。開
發雙層光阻或光阻矽化（silyation）製程。
Ar雷射 126 25 90 257 Ar光源對步進機太弱、穩定度不好，鏡片
設備必須是反射性、高難度的曲率表面，
NA可能限制在0.55。
（資料來源：廖明吉，電子月刊）DOF: depth of focus　NA: numerical aperture
透鏡材料要有以下條件：
1. 折射率（refractive index）均勻。
2. 低應力、雙折射（birefringence, double refraction），即物質對光的折射率隨
偏振（polarization）而改變。
3. 能長時間承受輻照、不改變特性、不收縮。
4. 直徑大。
5. 機械化學特性適於加工製作。
6. 尺寸和表面公差（tolerance）嚴謹。
熔合矽石（fused silica）和氟化鈣（CaF2）適於193 nm，氟化鈣是唯一適用於
157 nm的透鏡材料。在193奈米，融合矽石的吸收係數（absorption coefficient）為
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10 VLSI 概論
0.001∼0.004 cm-1，氟化鈣的吸收係數為0.002∼0.0005 cm-1。在157奈米，氟化鈣的

吸收係數大約為0.004 cm-1。透鏡材料只有氟化鈣，色像差（chromatic aberration）
就無法修正了；因此雷射源要用窄線寬（narrow linewidth），或光學系統要全反折
射（catadioptric）或全反射（all reflective）式的。
準分子雷射（excimer laser）有氟化氪（KrF）和氟化氬（ArF）兩種，是驅動
微影製程進入深次微米（deep submicron），使解析度小於0.5微米的曝光光源。一
準分子雷射的曝光系統，如圖1.6所示。
增加解析度的另一個方法是增加數值孔徑（numerical aperture），但聚焦景
深（depth of focus，DOF）因而減少。改進方法有鏡片聚焦平面的偏移，以化學
機械研磨（chemical mechanical polishing, CMP）提升晶圓的平坦度，自動對焦
或自動齊平，以低色像差的鏡片使曝光影像區域加大。數值孔徑的實際限制大
約在0.7∼0.8。當NA＝0.71時，DOF只有二倍的波長。降低k 1也可提高解析度。
指示曝光困難度的k 1 ，其發展趨勢（NA值為0.6）如圖1.7所示。當k 1 ＜0.5時，
必須使用增加解析的技術，如相移式光罩（phase shift mask, PSM）、偏軸式
聚焦透鏡
劑量感測器
分光鏡
（beam splitter）
準分子雷射光罩
（reticle）
在步進機側
投影透鏡
遮罩
在雷射側
面鏡蒼蠅眼
透鏡
傳輸光學
劑量控制
單元移轉單元面鏡
束成形單元晶圓
稜鏡單元
圖1.6　準分子雷射曝光系統
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第1章　微影照像 11
0.35 μm 0.25 μm 0.18 μm 0.15 μm 0.13 μm 0.10 μm
I線
0.6 0.5
365 nm
0.44 0.36
KrF 0.6
248 nm
ArF 0.46 0.40

0.56
193 nm
1997 1999 2001 2003 2006

圖1.7　k1值的發展趨勢
（資料來源：柯富祥，電子月刊）
照射（off axis illumination, OAI）和光學近接校正（optical proximity correction,

OPC）、表面成像技術（top surface imaging, TSI）、雙層光阻技術（bilayer resist,
BL）、化學放大型阻劑（chemically amplified resist, CAR），高數值孔徑透鏡等，
如圖1.8所示。
0.18微米到0.13微米線幅的曝光要用193奈米的氟化氬（ArF）準分子雷射，基於
製程成本的考量，製程多採用不同曝光機臺的混成技術（mix and match）。只有關鍵
層用昂貴的氟化氬曝光機臺，其餘則針對製程需要，用氟化氪（KrF）或 I 線來曝光。
在最後投射鏡頭及晶圓間導入液體（最有可能將水導入193nm中）的技術，
因為偶合媒介質（coupling medium）的折射率大於1，所以讓NA＞1的鏡頭可供使
用。此偶合媒介質也加速改善聚焦深度。相較於乾系統有了完全相同的NA值，沉
浸系統便可將像焦深度加倍。
其他配合的技術如深紫外光光學催化型光阻，以乾蝕刻處理0.5微米以下的光罩
線寬，改進電子束曝光機用阻劑。降低鏡片的輻照傷害，提升穩定性，增強雷射功
率以提升產率。光學微影的極限到底在那裡，一直是大家關心的，1999年加州大學
柏克來分校（UC Berkeley）胡正明教授（Chenming Hu）發表了0.017微米的元件，
有相當好的電性，可見ULSI還有進步的空間。
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12 VLSI 概論
光源短波長
光闌（stop）
偏軸照射（OAI）
準直鏡
光學微影近接修正（OPC）
光罩
相移光罩（PSM）
光瞳（pupil）
投影機高數值孔徑透鏡
聚焦寬容強化照射（FLEX）
晶圓高解像度化學放大型阻劑（CAR）
表層成像（TSI）
低壓高密度電漿蝕刻
圖1.8　光學微影改善品質方法示意圖
1.3　提升光學微影製程的技術
在微影系統的光學設計最佳化，解析度已達系統極限之後，使用特別設計處
理的光罩，可將解析度再提高一些，目前使用最廣的方法為光學近接修正（optical
proximity correction, OPC）和相移光罩（phase shift mask, PSM）。光學近接修正是
針對晶片中細微的線條和間距，在光罩上修正，以減少曝光後的失真。相移光罩是
在光罩中某些地方加上一層相移層（phase shift layer），以提高曝光的明暗對比。
光學近接效用（optical proximity effect, OPE）發生，當圖案的線寬小於曝光光
源的波長，如以248奈米氟化氪（KrF）製作180奈米的線寬時。例如微細的長方型
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圖案中，圖案的四個角落因光線的繞射（diffraction），發生了圓角的現象，如圖
1.9(a)所示。更嚴重的是，有兩個圖案靠近時，因為從左右圖案來的光，其光強度的
二次波峰重疊，光線的強度增加了，使兩個圖案結合起來了，如圖1.9(b)所示。避
免這種情形發生，需要光學近接修正的技術（optical proximity correction, OPC）。
在150 nm世代以下，邏輯電路和記憶體都有很多地方會用到光學近接修正。
設計圖案
光強度分布
光阻劑形狀
(a) (b)
圖1.9　光學近接效用，(a)單一圖案，(b)兩個圖案靠近
（資料來源：金子謙一郎，電子月刊）
在以上第一種情況，可以加入輔助圖案以修正。在第二種情形，可以把圖案的
線條變細來修正。圖案中線寬和間距不同，使修正困難。修正曝光裝置的方法是加
大照明的同源因數（coherent factor, σ），使其頻譜的相位一致性提高，例如由0.75
加大為0.85，附帶著景深也可以加大。改良的方法有以下幾種：
1. 在關鍵尺寸（critical dimension, CD）使用4x（晶圓成像的尺寸為光罩圖案尺
寸的四分之一），248 nm的氟化氪（KrF）掃描機（scanner），其他區域使
用365 nm的5x步進機（stepper）。
2. 以步進機I line 365 nm 5x 和掃描機KrF 248 nm 4x配合使用。
3. 使用二個步進機。
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14 VLSI 概論
近接效應（proximity effect）是電子束微影照像（e-beam lithography）中決定

性的問題之一，原因是入射電子在阻劑中，及電子到達基板後反彈回阻劑層的散射
（scattering）所致，使解析度受到限制，特別是0.5微米以下圖案的描繪。電子散射
（electron scattering）使不同尺寸的孤立圖案有不同的吸收能量，即使這些圖案都是
以相同的劑量曝光。當圖案密度增加時，圖案之間的電子散射將嚴重影響鄰近圖案
的吸收能量。補償近接效應的方法有多層光阻技術、背景劑量（background dose）
等量法、圖形修正法和劑量調整法等。
相移式光罩（phase shift mask, PSM）是在光罩上部分區域加一層相移層（phase
shift layer），當光源曝光經過石英光罩，有／無相移層的光束產生二分之一波長
（π弧度）的相位移，電場振幅的合向量為零，如圖1.10所示。以相移光罩曝光過
程，如圖1.11所示。
電場振幅E1 E2
石英
相移層
振進方向
兩光束產生π（或λ/2）相位移
圖1.10　相移光罩使二光束產生二分之一波長相位移
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(a) 照射光束
光罩構造石英
不透光鉻膜
透光相移層
(b)
光罩上空間影像
0 x
的電場振幅
光瞳
繞射級數 0
(c)
-1 +1
晶圓上空間影像
的電場振幅 0 x
（干涉前）假設此區相位相反
大小相等
假設此區相位相反
大小不等
(d)
（干涉後） 0 x
干涉後
此區電場強度歸零
(e)
光強度皆為正值
晶圓上空間
0 x
影像的光強度
干涉後
此區光強度歸零
圖1.11　相移光罩成像原理
(a)光罩上斜線部分為新增加的透光相移層。
(b)光罩上空間影像（aerial image）的電場振幅 E(x)，有相移層部分差了π弧度
而反相。
(c)干涉前，晶圓上空間影像的電場振幅，有相移層部分以虛線表示，繞射級數
（diffraction order）0，±1均顯示出來。其中繞射級數為±1的，來自有／無
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16 VLSI 概論
相移層的電場大小相等、相位相反。
(d)干涉後的晶圓上空間影像的電場振幅，繞射級數為±1的部分抵消，電場振
幅歸零。
(e)晶圓上的光強度 I(x)，解析度明顯地加強了。
　　　　　　　　　電場強度　（1.3）
　　　　　　　　　光強度　（1.4）
上式x為距離，p為光瞳函數（pupil function），瞳孔對入射光通量的變化。
嵌附式減光型相移光罩加入環形鉻（Cr）膜，製程及流程如圖1.12所示。
(a)側視及俯視圖。
(b)以電子束定義正型阻劑圖案。
(c)正型阻劑顯影，電漿蝕刻鉻膜。
(d)電漿蝕刻，轉移圖案至嵌附層。
(e)除去正型阻劑，旋塗負型阻劑，以電子束定義遮光環圖案。
(f)負型阻劑顯影，電漿蝕刻鉻膜。
(g)清除負型阻劑。
偏軸照射（off axis illumination, OAI）是另一種加強解析度和景深的方法。基
本原理是把照明傾斜一角度，使未繞射的光和一階繞射的光對稱穿透，如圖1.13(a)
所示。一傳統的穿過透鏡（through the lens, TTL）方法，如圖1.13(b)所示，作為比
較。光束穿透偏軸口孔，以一特定的入射角φ照射光罩，fsinφ=x。x 是光軸和孔口
穿透部分的距離，f 是聚焦透鏡的焦距（focus）。光束被光罩圖案繞射，高階繞射
光無法進入投影透鏡，因為圖案的間距小，繞射角（diffraction angle）（sinθ）大
於投影透鏡的數值口孔。結果只有零階（未繞射的）和一階繞射光會在晶圓表面干
涉，且對影像形成有貢獻。此方法可使線和空間解析度達0.27微米，景深2.8微米。
理論上，當同源因數（coherent factor）大於或等於1，解析度，聚焦深度可達無窮
大。
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鉻膜嵌附層 (b) 電子束

正型
阻劑鉻
嵌附層
石英石英
(c)
環形
鉻膜
嵌附層 (d)
(e) 電子束
負型
阻劑
(a)
石英
(f)
嵌附層
正光阻（曝光顯影後）
(g)
負光阻
負光阻（曝光顯影後）
圖1.12　嵌附式減光型相移光罩，(a)側視和俯視圖，(b)～(g)製程及流程
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18 VLSI 概論
照明系統
偏軸口孔傳統口孔
x
聚焦透鏡
Ф
f 光罩
（reticle）
-1階
θ
投影透鏡
0階 +1階 -1階 +1階
0階
晶圓
(a) (b)
圖1.13　(a)偏軸照射式（OAI），(b)傳統照明，穿過透鏡（TTL）式
（資料來源：N. Shiraishi et al., 國際光學工程學會（International Society of Optical Engineering）研討
會論文 (Proc. SPIE), 1674．741、1992）
常用的偏軸照射，光柵開口有環形、狹縫、二孔和四孔等數種，和傳統照射的
比較，如圖1.14所示。
聚焦寬容強化照射（FLEX, focus latitude enhancement exposure）是以計算機模
擬分析影響影像特性的重要參數，如靠近數位聚焦平面距離、照明同源因數。模擬
結果用I-line步進機驗證。結果使景深增加10倍。應用此法需用高對比阻劑製程。
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σ
比傳統差
皆比傳統佳
比傳統佳
傳統
σo
σi
四孔環形
比傳統差比傳統差
比傳統佳比傳統佳
二孔狹縫
圖1.14　幾種偏軸照射和改善方向性示意圖
1.4　深次微米微影照像
微影照像（lithography）的解析度，大致上和曝光光源的波長相依，波長愈
短解析度愈好。汞燈（mercury lamp）用於光罩對準儀和步進照像的 G 線、I 線，
屬於紫外光（ultraviolet, UV）。準分子雷射（excimer laser）的氟化氪（KrF）、
氟化氬（ArF）屬於深紫外光（deep UV，DUV）。更進步的還有深紫外光 F 2 雷
射、極遠紫外光（extremely UV, EUV）、真空紫外光（vacuum UV, VUV）、
X 射線（x-ray）等，如圖1.15所示，nm為奈米（nano meter），1奈米＝10埃
（angstrom），（1 nm＝10Å）。
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20
中紫外光（MUV）
軟X射線（300∼350 nm）
真空紫外光（VUV）深紫外光（DUV）
（soft x-ray）
（10∼180 nm）（100∼300 nm）
（1∼25 nm）
VLSI 概論
硬X射線
極遠紫外光（EUV）近紫外光（NUV）
（hard x-ray）
（10∼100 nm）（350∼450 nm）
（0.01∼1 nm）
可見光
（450∼800 nm）
氟化氪
（KrF）
248 nm
氟化氬
SR x-ray （ArF）
0.8 nm 193 nm
汞一弧燈
SR：雷射激發
G線
的X射線
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synchrotron 汞一弧燈 436 nm
radiation 13 nm
I線
同步加速器 365 nm
UV：ultra-
輻射 violet
氟（F2） V：vacuum
157 nm E：extreme
D：deep
M：middle
N：near
0.01 0.1 1 10 100 200 300 400 500

波長（nm）
圖1.15　光學相關波長範圍分類參考圖，橫軸未按刻度
索　引 463
索　引（Index）
1T1C, one transistor one capacitor　一個電晶 a-C：H, hydrogenated amorphous carbon　含

體，一個電容　371, 373 氫的非晶質碳　88, 89
︵ㄉㄧㄥ︶
︵ㄅㄧ︶
2,2-dipyridyl　聯 ˋ 啶基　227
ˋ
achromatic　消色差　29
2 DEG, 2dimensional electron gas　二維電子 achromatic aberration　色差　7
氣　414 acid catcher　酸捕捉劑　46
2-ethylhexanoic acid　2-乙基己醣酸　116 acrylic　丙烯酸　45, 47
3M, Minnesota Minning and Manufacturing activation　活化　93, 130, 141, 339
Co.　明尼蘇打採礦及製造公司　96, active　活性　282
227 active carbon　活性碳　122
active region　主動區　156
A
additive　添加劑　46, 232, 233
abrupt impurity profile　陡峭的摻質分佈　 adhesion　附著力　3, 69, 87, 95, 187, 218
161 adhesion layer　附著層　218
absorber　吸收劑　40, 41 adhesion promoter　黏著促進層；黏著提升
absorption　吸收　285 劑；附著力提升劑　3, 69, 87, 95
absorption coefficient　吸收係數　9, 154 admittance　導納　281
accelerator　促進劑　230, 231 ADP, atmospheric downstream plasma　大氣
access speed　存取速度　375 下吹電漿　384
accumuluation　累積　33 adsorption　吸附　187
accuracy　精確度　447 aerial image　空間影像　6, 15
acetal ketal　縮醛縮酮　44 aerogel　氣凝膠　71, 79
acetic acid　乙酸、醋酸　114 AES, Auger electron spectroscope　歐傑電子
acetone　丙酮，CH3COCH3　226, 249 光譜儀　121
a-C：F, fluorinated amorphous carbon　含氟 AF 1600　一種鐵氟龍註冊商品名　95
非晶質碳　72, 85, 86, 88, 89, 90, 91, 95 AF-4, parylene-F　含氟的聚對二甲苯　72,
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464 VLSI 概論
85, 91, 92 alpha particle　α粒子，氦　333

AFM, atomic force microscope　原子力顯微 alpha test　阿爾法測試　384
鏡　83, 121, 253, 316, 421, 422, 423, 424 Al-plug　鋁栓塞　184, 186, 198
AFM, atomic force microscopy　原子力顯微 Al-Si-Cu alloy　鋁矽銅合金　202
術　418, 419, 423, 424 alumina　礬土　250, 253
AFM lithography　原子力顯微術的微影照像 aluminum hydride oligomer　鋁氫化物寡聚體
術　424 198
aging (ageing)　熟化，老化，時效劣化　79, ambient area　周圍區　440
107, 113, 120 AMD, Advanced Micro Devices　超微（公
AGV, automatic guided vehicle　軌道引導司）　323
車，自動軌道臺車　392, 430, 441, 443, AMHS, automatic material handling system　
444, 445, 461 自動化材料操縱系統　391, 392, 431,
AHU, air handling unit　空氣處理單元　433, 432
438 amine　胺類，胺基　256, 401
aids　愛滋病　401 amino acid　胺基酸　401
air bridge　空氣橋　73 amino silane　氨基矽烷　414
air conditioner　空調器　434 ammeter　電流計，安培計　419
air conditioning　空調　430 amorphize　非晶化　394
air curtain　空氣簾　440 amorphous　非晶（質）　41, 178, 216, 223,
air gap　空氣隙　71 336
air filter　空氣過濾器　431 amorphous carbon, a-C　非晶相碳　50
air washer　空氣洗滌器　438 amorphous layer　非晶質層　217
Al damascene　鋁大馬士革　176 amorphous Si, a-Si　非晶矽　142, 227
alanes　鋁氫化物寡聚體　198 analog device　類比元件　204
Al-CVD　以化學氣相沉積製鋁　176 analyzer　分析器　54
alicyclic　環狀脂肪族　45, 47 analyzer magnet　分析器磁鐵　395
aliphatic　脂肪族的　45 AND　及　365, 368
alkene　烯類　237 anemometer　風速計　439
all reflective　全反射的　10 angstrom　埃，10-10米　19
alloying　合金化　206 angular frequency　角頻率　278
或來電(02)2705-5066
索　引 465
anion　陰離子　104, 436, 449, 451 arc discharge　電弧放電　395

anion exchange membrane　陰離子交換膜　 argon ion laser　氬離子雷射　54
450 aromatic group　芳香族　46
anisotropic　非等向的　93 aromatic hydrocarbon, SiLK　芳香族碳氫化
anisotropic etching　非等方向蝕刻　268 合物　73
anisotropy　非等向性　62, 304 aromatic ring　芳香環　88
anneal　退火　75, 77, 90, 97, 110, 127, 132, array　陣列　364
144, 161, 178, 216, 223, 236, 336, 394 ashing　灰化　64
anode　陽極　226, 232, 451 ASML　先導（公司名）　23, 24
anodized　陽極氧化　300 aspect ratio　方位比，深寬比　7, 69, 160,
antenna　天線　112, 167 167, 174, 175, 176, 219, 236, 268, 332
antenna effect　天線效應　167, 251 assembly　封裝　443
antenna ratio　天線比值　167 atm cc/sec　大氣壓•立方公分／秒　447
anti-comformal　反保角　235 atmosphere, atm　大氣壓　42
anti-electromagnetic interference　防電磁波干 atom　原子　405
擾　444 atom cluster　原子簇，原子團　306, 400,
anti-electrostatic charge　防靜電　444 419
anti-rust agent　防銹劑　437 atomic level　原子級　405, 419
Anvela　一公司名　275, 277 atomic theory　原子理論　405
APCVD, atmospheric pressure CVD　常壓化 attenuator　衰減器　282
學氣相沉積　77, 339 auto clave test　壓力鍋測試　77
APEC, all perovskite capacitor　全鈣鈦礦電 auto door　自動門　 445
容　110, 112 Auto EL-Ⅲ　一機型　121
APM, NH4OH+H2O2　混合液　387, 388, 390 auto zero　自動歸零　448
applicator　反應室　284, 285, 287, 292 automation　自動化　257, 381, 383, 391, 443
Applied Materials　應用材料（公司）　225, axial　軸狀　294
236, 275, 297 axial fan　軸流風扇　432, 435
aqueous　水柱　438, 439 azimuthal angle　方位角　309
ARC, anti reflection coating　抗反射覆蓋　
49, 50, 179, 211
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466 VLSI 概論
B BEOL, back end of line　後段製程　111, 326,

333, 428
back end process　後端製程　174
BEST, buried strap　埋下條　329, 330, 332,
background dose　背景劑量　14
334, 335
bacteria（單數為bacterium）　細菌　409
beta test　貝達測試　384
ball room　大型潔淨室，大廳　430
BHT, butylated hydroxy toluene　氧化防止
BARC, bottom anti reflection coating　底層抗
劑，2, 6－二第三丁基對甲酚，二丁基
反射覆蓋　50, 51, 52, 53, 54, 80
︵ㄎㄥ︶
羥基甲苯　437
barometer　壓力計　240
bias power supply　偏壓電源　268
barrier　阻障（層）　84, 259
bilayer　雙層　247
barrier layer　阻障層　67, 68, 103, 148, 186,
bilayer resist, BL　雙層光阻　11
332
binding energy　束縛能　96
base-centered orthorohombic　斜方底心　132
BiNOR, bi-directional tunneling NOR　雙向穿
BASF　巴斯夫（公司名）　27, 230
隧反或型三維快閃記憶體　357, 358
batch　批式　388
biology　生物學　410
battery　電池　204
BIOS, basic input-output system　基本輸入－
bay　區域，小間無塵室　392, 430
輸出系統　349, 361, 364
bay area　小潔淨區　441
bio-technology　生物科技　401
BCB, benzo cyclo butene　苯并環丁烯　72,
bird beak　鳥喙（嘴）　156
82, 85, 86, 88
birefringence　雙折射　9
BCB-F, fluorinated benzo cyclo butene　摻氟
bit　位元　325, 418
的苯并環丁烯　72
bit line　位元線　324, 325, 326, 328, 333,
BCC, body center cubic　體心立方　145, 219,
342, 358, 362, 364, 373, 375, 376
223
black diamond　黑鑽石　72, 80, 83, 86
beam expander　束增大器　29
blanket　毯覆式　198
beam splitter　分光鏡　10
blanket CVD (chemical vapor deposition)　氈
bell jar　鐘罩　271
覆式化學氣相沉積　190
Bell Laboratory　貝爾實驗室　103
BOD, biochemical oxygen demand　生化需氧
benzyl alcohol derivative　苯甲基醇衍生物　
量　256, 257
43
BOE, buffer oxide etch　緩衝氧化物蝕刻　3,
或來電(02)2705-5066
索　引 467
4, 315 buffer layer　緩衝層　110, 339

Boltzmann constant　波爾茲曼常數　413 buffer zone　緩衝區　393
bonding pad　銲墊　326 bulk gas　大宗氣體　445, 446
boron　硼，硼素　452 bulky ball　巴基球　401
bow　弓形　383 buried channel　潛通道　126, 129, 139
BOXI, buried oxide isolation　埋入氧化層隔 butyne　丁炔　237
離　157 by product　副產品　133, 260
BPSG, boro-phosphosilicate glass　硼磷矽玻 byte　數元組　364
璃　67, 73, 108
C
BPT, buried plate trench　埋藏式基板深溝　
334 C-49　一種矽化鈦的晶相　132, 134, 135
BP-TEOS (tetra-ethyoxysilane)　硼磷－四乙 C-54　一種矽化鈦的晶相　131, 132, 134,
烷氧矽甲烷　342 135
breakdown electric field　崩潰電場　316 cache　貯藏器　340
breakdown voltage　崩潰電壓　166 calibration　校正　31
bridging　橋接　136 cancer　癌症　401
brightener　光澤劑　233 Cannizzaro　坎尼乍若（人名，化學家）　
brightness　亮度　31 230
brine　鹽水　450 Canon　佳能（公司名）　24
BST, BaSrTiO x　鈦酸鍶鋇　102, 103, 104, capacitance manometer　電容壓力計　152
107, 108, 109, 110, 111, 112, 114, 115, capital investment　資金投資　380
118, 119, 121, 315, 322, 329, 330, 333, CAR, chemically amplified resist　化學放大
336, 337, 343 型光阻　7, 11, 12, 36, 42, 43, 44, 46, 432,
BTO, BaTiO3　鈦酸鋇　107 436
BTS, bias temperature stress　偏壓－溫度－ carbide　碳化物　178
應力　221 carbon nano tube, CNT　奈米碳管　400, 401
︵ㄊㄤ︶︵ㄙㄨㄛ︶
bubbler　氣泡瓶　195 carbonyl　羰基　60, 94, 190

bucky ball　巴基球　401 carboxyl　羧基　114, 401
︵ㄙㄨㄛ︶
buffer　緩衝（劑）　230 carboxylate　羧酸有機鹽　114

buffer area　緩衝區　440 carcinogen　致癌物　227, 256, 260, 445
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468 VLSI 概論
carrier depletion effect　載子空乏效用　130 310

carrier gas　載氣　117 charge retention capability　電荷保持能力　
carrier mobility　載子移動率　128, 165 368
cascade　串級式　315 charge trap　電荷陷住　62
cassette　卡匣　432 charging effect　電荷效應　31
catadioptric　全反折射　10, 23 CHEI, channel hot electron injection　通道熱
catalyst　觸媒，催化劑　7, 43, 406 電子注入　355, 357
catalytic metal　催化金屬　227 chelate　螯合　254
︵ㄠ︶
catalytic surface　催化表面　229 chelating agent　螯 ˊ
合劑　227, 229, 230,
cathode　陰極　226, 232, 451 261
cation　陽離子　104, 436, 449, 451 Chemat　一科技公司　86
cation exchange　陽離子交換　258 chemical contaminant　化學污染物　428
cation exchange membrane　陽離子交換膜　 chemical contamination　化學污染　429
450 chemical filter　化學過濾器　429, 432
cation tower　陽離子塔　449 chip　晶片　2, 4, 25, 178, 380
CDE, chemical downstream etching　化學下 chip alignment mark　晶片對準記號　31
游蝕刻　276 chip array　晶片陣列　25
cell　晶胞　325 chip size　晶片尺寸　322
cell plate, CP　單元電板　108, 109 chloride　氯化物　336
cell projection　胞元投影　31 chloro trimethyl silane, TMS-Cl　氯－三甲基
cell size　胞尺寸　322 矽甲烷　239
cement　水泥　257 chromatic aberration　色像差　8, 10
centrifugal force　離心力　386 chromatic correction　色像修正　8
centrifugal spin　離心力旋乾　315 chuck　吸盤　155
CFC, chloro-fluoro-carbon　氯氟碳　446 circulator　順通器　282, 287, 289
chamber　製程室　284, 285, 287 city water　市水　450
channel effect　通道效應　394 class 1　一級　30, 441, 443
channel stop　通道阻止　74 class 1000　1000級　393
channeling mask　通道式圖罩　37, 38 clean room　潔淨室，無塵室　27, 428, 429
charge coupled device, CCD　電荷耦合元件 clean technology　潔淨技術　428, 432
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索　引 469
clean tunnel　潔淨通道　431 collector　收集層　309

cleaning　潔淨　386, 387 collimator　準直管（柱狀管）　206, 242
cleanness　潔淨度　384, 440 collimator sputtering　準直器濺鍍　183
cleanway　軌道　445 compact　緊湊　290
cluster　團簇，群集，集結　27, 179, 220, compact flash　微小型快閃記憶體　350
224, 336, 390, 400, 405 compass　羅盤　402
cluster chamber　群集反應室　190 compensating circuit　補償電路　306
cluster furnace system　群集式爐管系統　 compensator　補償器　54
152 complex agent　錯合劑　227
cluster tool　群集式工具　183 complex compound　錯合化合物　230
CMOS, complementary metal oxide　 complex ion　錯離子　188
semiconductor　互補金氧半　126, 127, complex salt　錯鹽　188
130, 136, 139, 140, 141, 143, 161, 164, compression ratio　壓縮比　269
168, 209, 332, 346, 354, 369, 371, 374, compressive stress　壓縮應力　41, 91, 96
391, 393, 417, 411 compressor　壓縮機　441
CMP, chemical mechanical polishing　化學機 conduction band　導電帶　139, 364
械研磨　10, 61, 64, 67, 68, 69, 70, 107, conductivity　電導率　255
146, 156, 157, 158, 159, 199, 204, 206, conformal　保角，同形，順應　91, 216,
209, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 236, 217, 219, 235
249, 250, 251, 252, 253, 254, 259, 260, conformal coating　保角（同形）覆蓋　186,
261, 326, 333, 336, 339, 342, 348, 371, 188
380, 383, 386, 406 conformality　保角　197
coaxial cable　同軸電纜　281 constraint stress　壓縮應力　104
COD（1.5 cyclooctadiene）　環八二烯　237 contact　接觸　3, 39, 107, 181, 182, 207, 209,
coercive electric field　矯頑電場　106, 113, 276, 361
120 contact angle　接觸角　97
coercive voltage　矯頑電壓　106 contact hole　接觸洞（孔）　202, 342
coherent factor　同源因數　13, 16 contact region　接觸區　160
cold　wall　冷壁式　119 contact resistance　接觸電阻　130, 131, 133,
collar oxide　項圈氧化層　334 175, 183, 189, 214
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470 VLSI 概論
contact window　接觸窗　190 CPU, central processing unit　中央處理單元

contamination　污染　207, 315 203, 403
continuity equation　連續方程式　303 cracking threshold　破裂臨限　61
︵ㄇㄟ︶
contract rate　收縮率　90 cresol novolac　甲酚 ˊ 酚醛　43
contrast　對比　31 critical dimension, CD　關鍵尺寸　13, 36, 49,
control gate　控制閘　350, 355, 357, 359, 50, 133, 447
360, 362 critical voltage　臨界電壓　107, 413
control grid　控制柵　309 cross linking, cross link　交聯　87, 93, 95
control valve　控制閥　448 cross talk noise　交談噪音　60
Convac　康維克（公司名）　27 crosslinking agent　鍵結劑　43
cooling coil　冷卻管　434, 442 crosstalk　交互干擾　202
COP, crystal originated particle　晶體造成的 crown　皇冠　329, 330
粒子　326, 327 crucible　坩堝　181
copier　複製機　30 cryogenic gas purifier　冷凍氣體淨化器　29
co-polymer　共聚高分子　86 cryptography　密碼學　410
copolymerization　共聚合　94 crystal growth　長晶鑄棒　380, 382
copper alloying　銅合金化　247 crystal phase　晶相　219
copper contaminant　銅污染　253 crystalline　結晶　336
copper formate　蟻酸銅　238 Cu damascene　銅大馬士革，銅鑲嵌　68,
copper halide　銅的鹵化物　249 69, 176
copper seed　銅晶種　259 Cu-CMP　以化學機械研磨法做銅製程　
corrosion　腐蝕　255 254, 255, 256
Coulomb blocking effect　庫倫阻斷效應　 Cu-CVD　以化學氣相沉積法製銅　255, 256
412 Cu-plug　銅栓塞　214
Coulomb charging effect　庫倫電荷效應　 Curie temperature　居里溫度　115
411 curing　固化，熟化　80, 81, 84
Coulomb oscillation　庫倫振盪　417 current meter　電流計　419
Coulomb scattering　庫倫散射　164 custom tailor　客戶特訂　430
coupling　耦合　283 customer　客戶　205
coupling medium　偶合媒介質　11 C-V analyzer　電容－電壓分析器　96
或來電(02)2705-5066
索　引 471
CVD, chemical vapor deposition　化學氣相沉 data retention　資料保存　369

積　50, 60, 61, 66, 69, 70, 71, 72, 75, 76, data retention time　資料保存時間　136
77, 82, 83, 88, 91, 95, 103, 109, 110, 111, DBP, di n butyl phthalate　二正丁基，二酸
116, 119, 126, 132, 142, 145, 146, 147, 丁酯　437
154, 157, 158, 174, 176, 183, 187, 188, DC, direct current　直流　42, 295
189, 190, 197, 199, 206, 211, 221, 223, DC blocking capacitance　直流阻止電容　
226, 231, 238, 239, 240, 241, 245, 250, 300
256, 257, 260, 327, 332, 338, 339, 343, DEACl, diethylaluminum chloride (C2H5)2AlCl
348, 380, 407, 454, 456 氯化二乙烷基鋁　198
CVD-Al　以化學氣相沉積法製鋁　193, 199 Debye shielding　狄拜屏障　269
cyclic aliphatic　環狀脂肪族　45 decaborane, B10H14　十硼烷　162
cyclic olefin　環狀烯　47 deep energy level　深能階　178
cyclohexanone　環己酮　87, 94 deep submicron　深次微米　10, 64, 102, 126,
cyclopentanone　環戊酮　87, 94 129, 400, 428, 445
cyclotoctadine　環八二烯　237 deep trench, DT　深溝　326, 327, 333
cyclotron frequency　回旋頻率　279 degas　除氣　449
cylinder　鋼瓶　446 degas tower　除氣塔　449
Cymer　西盟（公司名）　23 dehydration bake　去水烘烤　3
densify　密化　77
D
density of states　能態密度　403
D. I. water　去離子水，超純水　226, 387, depletion　空乏　136
448 depletion region　空乏區　165
damascene　大馬士革，鑲嵌，鉗入　92, deposition rate　沉積速率　228
199, 204, 206, 211, 276 deprication　折舊　381
damascene gate　鑲嵌閘極　146 DERu, di-ethyl-ruthenium, Ru(C2H5)2　二乙烷
damascene interconnect　嵌入式內連線　252 釕　119
dangling bond　懸鍵　150 design rule　設計規則　49, 322
DAQ, diazon quinone　重　49 DESIRE, dry etching of silylated image resist　
data bank　資料庫　344, 371 矽植入的影像阻劑之乾蝕刻　45
data communication　資料通訊　344 desorption　脫附　187
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472 VLSI 概論
detector　偵測器　54, 155 diffusion barrier　擴散阻障層　66, 68, 69,
︵ㄉㄠ︶
deuterium　重氫；氘　54 136, 174, 178, 190, 203, 206, 208, 210,
developer　顯影劑　7, 417 216
development　顯影　2, 5 diffusivity　擴散率　88, 141, 178, 202, 406
DHBT, double heterostructure BJT　雙異質結 digital camera　數位相機　323, 350
構雙接面電晶體　143 digital computer　數位電腦　418
DHF, diluted HF　稀釋的氫氟酸　3, 4, 315, digital system　數位系統　448
387, 388 digital television　數位電視　323
diagnosis　診斷　304, 310 digitalize　數位化　35
︵ㄊㄨㄥ︶
diamond　鑽石　88, 383 diketonate　二酮 ˊ（化合物）　237, 250
diaphragm　隔膜　448 dilute　稀釋的　450
︵ㄎㄨㄅ︶
︵ㄋㄅ︶
diazo naphthoquinone (DNQ)　重氮 ˋ dimethyl silane　二甲基矽甲烷　80, 82

42 DINOR, divided-bit line NOR　分割位元線反
DIBL, drain induced barrier lowering　汲極引或　365, 367
發能障下降　129 diode　二極體　166
die　晶片，晶粒　178 dip coating　浸塗佈　407
dielectric　介電質　75 diphenyliodonium　二苯基碘　43
dielectric barrier　介電阻障層　69 dipole　雙電極　62
dielectric constant　介電常數　64, 97 dipole moment　偶極矩　60
dielectric dissipation　介電損耗　107 direct material　直接材料　381
dielectric dissipation factor　介電損耗因數　 directional coupler　單向耦合器　287
120 discharge region　放電區　282
dielectric loss　介電損失　112 discharge volume　放電體積　290
dielectric polarization　介電極化　61 dishing　碟形，凹陷　160, 206
differential pressure　壓差　439 dishing effect　凹陷的現象　250
diffraction　繞射　7, 13 dislocation　差排，位錯　203, 332
diffraction angle　繞射角　16 display　顯示器　407
diffraction grating　繞射光柵　29 disproportionation　不對稱反應　230, 238
diffraction order　繞射級數　15 dissipation factor　消耗因數　61
diffusion　擴散　187 dissociate　解離　296
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索　引 473
dissociation　解離　193, 278 DRAM, dynamic random access memory　動

disturb　干擾　365 態隨機存取記憶體　7, 23, 81, 102, 103,
divergent field　發散場　282, 283, 289 104, 106, 107, 108, 110, 112, 114, 136,
DLC, diamond like carbon　類鑽石碳　72, 89 148, 157, 176, 180, 193, 199, 205, 321,
DMAB, dimethyl amine borane　二甲基胺硼 322, 323, 324, 325, 326, 327, 328, 329,
烷　226, 227 330, 332, 333, 334, 335, 336, 337, 338,
DMAH, dimethylaluminum hydride, 339, 340, 341, 342, 343, 344, 345, 346,
(CH3)2AlH　氫化二甲基鋁　198, 199 347, 348, 370, 374, 375, 380, 381, 429,
DMDCS, dimethyl dichlorosilane　二甲基二 430
氯矽　239 drive line　驅動線　375
DMEAA, dimethylethylamine (CH3)2C2H5Al　 driving capability　驅動能力　162
二甲基乙基胺氫化鋁　198, 199 dry air　乾燥空氣　432
DNA, deoxyribo nuclei acid　遺傳因子，去氧 dry etching　乾式蝕刻　166, 249
核糖核酸　408 dry fill　乾式填洞法　245
DOF, depth of focus　聚距深度，景深　8, 9, dry pump　乾式（機械）泵　269, 287
10, 31, 179 dry scroll pump　乾式迴旋機械泵　222
domain pinning　晶域釘住　120 DSP, digital signal processor　數位信號處理
DOP, dioctyl phthalate　鄰苯二甲酸二辛酯器　204
（煙霧塵）　437 dual damascene　雙大馬士革，雙重嵌入　
dopant depletion　摻雜空乏　141 64, 69, 76, 203, 204, 210, 211, 251, 327
dopant source　摻質源　74 dual implantation　雙重植入　357
dose　劑量　393 dual poly　雙多晶　139, 395
double refraction　雙折射　9 ductility　延展性　229
Dow Chemical　陶氏化學（公司）　71 dummy device　空置元件　160
Dow Corning　道康寧（公司名）　81 dummy gate　假閘極　146
down stream　下吹式　142, 271, 277, 287 dummy load　假負載　282, 287
DPM　有機原子團　119 dummy pattern　假圖案　339
DPS, decoupled plasma source　去偶合電漿 dummy structure　假結構　252
源　275, 296 Dupont　杜邦（公司名）　92
drain　汲極　355 Dupont Photomasks Taiwan　中華杜邦光罩
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474 VLSI 概論
（公司）　35 edge exclusion　邊緣失效（浪費）　302,

DUV, deep ultraviolet　深紫外光　4, 7, 19, 381, 384
20, 21, 22, 27, 42, 47, 53 EDI, electrode ionization　電極離子化　449,
DVD, digital video disk　數位語音光碟　334, 450, 451, 452, 453
341 EDTA, ethylene diamine tetra acetate　乙二胺
dynamic pressure　動壓　435 四醋酸　227, 230
dynamic vacuum　動態真空　269 EEPROM, electrically erasable programmable
dyne/cm2　達因／平方公分　177 read only memory　電可擦拭可程式只
讀記憶體　104, 324, 349, 352, 367, 370,
E
374, 448
e-beam co-evaporation　電子束共蒸鍍　407 effective　有效的　325
e-beam direct write, EBDW　電子束直寫　31 EFM, electrostatic force microscopy　靜電力
e-beam evaporation　電子束蒸鍍　219 顯微術　416
e-beam lithography, EBL　電子束微影照像　 EHS, environment health and safety　環境衛
14, 21, 22, 31, 417 生和安全　62, 258, 260
e-beam projection lithogrophy, EBPL　電子束 elastic collision　彈性碰撞　279
投影微影　21, 22, 31 elastic modulus　彈性模數　406
e-beam resist　電子束阻劑　45 electric dipole moment　電偶極矩　104
ecology　生態　384 electric hysteresis　電滯　102, 104, 369, 375
economics　經濟　384 electric hysteresis loop　電滯迴路　120, 375
ecosystem　生態系統　256 electric power company　電力公司　458
ECR, electron cyclotron resonance　電子迴旋 electric wave　電波　236
共振　52, 77, 90, 107, 136, 160, 176, 193, electro chemical polish　電化學拋光　447
194, 246, 269, 271, 275, 276, 277, 278, electro polish　電解拋光　447
279, 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, electrochemical deposition　電化沉積　211
288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295 electrochemical etching　電化學蝕刻　422
ECR-CVD　電子迴旋共振─化學氣相沉積 electrode　電極　115, 226, 395, 450
194, 296 electrodeless lamp　無電極燈泡　47
ECR-PECVD　電子迴旋共振─電漿輔助化 electroless plating　無（電極）電鍍　211,
學氣相沉積　52 226, 246, 260
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索　引 475
electrolyte　電解液　226 electron temperature　電子溫度　306

electrolytic deposition　電解沉積　261 electronegativity　陰電性，電負度　60, 76,
electrolytic plating　電解電鍍　260 189
electromagnetic coil　電磁線圈　284 electron-hole pair　電子電洞對　355
electromagnetic deflection scan　電磁偏折掃 electronic answering machine　電子答錄裝置
描　30 350
electromagnetic interference　電磁干擾　310, electronic game　電子遊戲　341
444 electrooptic　光電性　105
electromagnetic wave　電磁波　62, 194 electroplating　電鍍　203, 206, 211, 215, 224,
electromigration, EM　電致遷移　93, 202, 231, 246, 259, 260
255 electro-rhelogical fluid　電流流變體　406
electromigration resistance　抗電致遷移　76, electrostatic　靜電　253
137, 175, 176, 190, 204, 236 electrostatic chuck, ESC　靜電吸盤　97, 298,
electron　電子　308 300, 302
electron beam, e-beam　電子束　30, 35 electrostatic shield　靜電遮蔽　272
electron beam direct write lithography, EBDWL electrowinning　電採　261
電子束直寫（微影照像）　21, 22 electrowinning unit　電採單元　257
electron drift　電子漂移　182 elevator　電梯　441
electron gas　電子氣　403 Elipda　爾必達（公司）　323
electron gun, e-gun　電子槍　181 ellipsometer　橢圓測試儀　54, 83, 121, 154
electron hopping　電子跳躍　182 elongation　延伸度，延性　229, 406
electron microscope　電子顯微鏡　401 embed, embedded　嵌入，混載　325, 340,
electron pair acceptor　電子對受體　43 342, 369
electron pair donor　電子對施子　250 embedded DRAM　內嵌式DRAM　103, 341,
electron polarization　電子極化　62 348
electron probe x-ray microanalyzer, EPMA　電 embedded IC　內嵌式積體電路　346, 349
子束探測X射線微分析儀　223 embedded technique　混載技術　340
electron scattering　電子散射　14 E-Merick　伊默克（公司名）　27
electron shadowing effect　電子陰影效應　 emission spectroscopy　放射光譜　309
167 enclosure　圍離　431
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476 VLSI 概論
encode　編碼　354, 364 310

endocrine　內分泌　256 etching rate　蝕刻速率　304
energy barrier　能障　412 ether　醚　71
energy conservation　能量守恒　303 ethylene diamine　乙烯二胺　230
energy consumption　能源消耗　435 ethylene glycol　乙烯醇　315
energy distribution function　能量分布函數　 ETOX, EPROM with tunnel oxide　具有穿透
306 氧化層的EPROM　350, 352, 353, 354
engineering test　工程測試　382 eutectic　共晶　178
environmental protection　環境保護　385, eutectic temperature　共晶溫度　137
449 evaluate circuit　求值電路　360
EPROM, electrically programmable read only evaluation　評估　27
memory　電可程式只讀記憶體　324, evaporation　蒸鍍　132, 181, 219, 413
349, 350, 352, 361, 364, 367 evaporation chamber　蒸鍍室　181
erase　擦拭　378 EWS, electronic work station　電子工作站　
erase gate　擦拭（抹除）閘　350, 355, 359, 341
360 excimer laser　準分子雷射　10, 19, 22, 27,
erase rate　抹除速率　360 29, 118, 168, 337
ergonomics　人工學　391, 392 excitation　激化　283
erosion　侵蝕　206 excited state　激發態　309
ESCA, electron spectroscope for chemical exposure　曝光　4
analysis　化學分析用電子光譜儀　121 exposure field　照射景域　25
etch back　回蝕　157, 192, 335 exposure shot　照射射域　25
etch hard mask　蝕刻硬罩　41 extension region　延伸區　160
etch selectivity　蝕刻選擇度　47 extinction coefficient　消光係數　53, 97
etch stop, etching stop　蝕刻終止（層）　66, extraction electrode　萃取電極　395
68, 69, 76, 97, 214 extraction grid　萃取柵　287
etchant　蝕刻劑　69 extremely UV, EUV　極遠紫外光　19, 20, 21,
etcher　蝕刻機　212 22, 37
etching anisotropy　蝕刻異向性　268
etching end point detection　蝕刻終點偵測　
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索　引 477
F Fermi level　費米能階　130
ferrite　亞鐵鹽，肥粒鐵　287
fab layout　工廠佈局　393
ferro fluid　磁性流體　406
face-centered orthorhomic　斜方面心　132
ferroelectric　鐵電的　102, 104
facility　廠房　429
ferroelectric capacitor　鐵電電容　119, 373,
facsimile, FAX　傳真機　361, 364
375
Fairchild Semiconductor　快捷半導體（公
ferro-electric dielectric　鐵電介電質　375
司）　403
ferroelectric memory　鐵電記憶體　369, 374
Fantastic Voyage　聯合縮小軍（電影名）　
ferro-electric phase　鐵電相　107
400
ferromagnetic　鐵磁　406
Faraday's low of electrolysis　法拉第電解定
fF, femo Faraday　飛（10 - 15 ）法拉　102,
律　234
325, 334, 349
fare collect　儲值卡　370
FFU, fan filter unit　風扇－風機濾網機組　
fatique　疲勞　107, 113, 120
434, 435, 441, 442
FATS, fluoro alkoxy silane　氟烷基氧矽甲烷
field emission e-gun　場發射電子槍　30
77
field oxide　場氧化層　357
fatty acid　脂肪酸　437
figure of merit　功能指數　291
fault zone　斷電帶　453
filter　過濾器，濾波器　112, 432
FCC, face center cubic　面心立方體　203
filtration　過濾　386
FD SOI, full depletion silicon on insulator　完
fin　鰭狀　330
全空乏型矽在絕緣體上　139
final rinse　最後清洗　387
feature size　特徵尺寸　326, 408
fine crystal　細晶　216
feedback control　回授控制　309
finesonic　超音波　388
femto　毫微微，飛（10-15）　40, 102, 325
fire door　防火門　445
femto faraday, fF　飛法拉　102, 319, 334
fire protection　防火　390
femto second laser　飛秒雷射　40
fire sensor　火災感測器　446
FEOL, front end of line　前段製程　428
firing　鍛燒　116
FeRAM, ferroelectric RAM　鐵電記憶體　
FLAC, fluorinated amorphous carbon, a-C：F
103, 104, 106, 114, 324, 369, 370, 371,
摻氟的非晶型碳　71, 72
372, 373, 374, 375, 406
FLARE, fluorinated poly arylene ether　摻氟
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478 VLSI 概論
的聚芳烯醚　71, 72, 82, 85, 86, 87, 94, footprint　足跡，底面積　392, 398

97 force fill technique　強迫注入法　185
flash　快閃　324 formaldehyde, HCHO　甲醛　227, 232, 260
flash memory　快閃記憶體　148, 323, 349, formic acid　蟻酸，甲酸　114, 228, 230, 238
358, 370, 374, 448 FOSB, front opening shipping box　前端開口
flash point　閃點　253 運貨盒　393
FLEX, focus latitude enhancement exposure　 fouling　污穢物　450
聚焦寬容度強化照射　12, 18 foundry　代工　204, 205
floating　懸浮　308 FOUP, front opening unified pod　前端開口的
floating gate　懸浮閘，浮動閘　104, 349, 合成莢　392, 393
350, 358, 359, 360, 362 four point probe　四點探針　223
floating grid　漂浮柵　309 FOX, field oxide　場氧化層　127, 157
floating potential　浮置電位　306, 307 FOX, flowable oxide　可流動的氧化物　71, 72
flow pattern　流場　439 FPI, fluorinated polyimide　摻氟的聚亞醯胺
Flowfill　一科技公司　86 60, 72, 93, 94
fluid dynamics　流體動力學　383 free radical　自由基　87, 278
fluoro optic thermometer　氟光溫度計　310 freon　弗利昂　255
fluorinated　摻氟的　93 FSG, fluorinated silicate glass　摻氟的矽玻
fluorinated hydrocarbon　摻氟的碳氫　72 璃，摻氟的二氧化矽　71, 76, 86, 97,
fluorinated SiO2, FSG　摻氟的二氧化矽　60, 205, 209, 210
72 FSI International　一公司名　386, 387
fluoro polymer　氟高分子　72, 94 FTES, fluoro tri ethoxy silane　氟三乙烷基氧
fluoroform　氟仿，三氟甲烷，CHF 3 　52, 矽甲烷　77
176 FTIPS, fluoro tri iso propoxy silane　異－氟化
F-N tunneling, Fowler-Nordheim tunneling　福三丙烷氧基矽甲烷　77
樂－諾漢穿透　167, 352, 353, 356, 365 FTIR, Fourier transform infrared　傅立葉轉換
foams polymer　發泡高分子　94 紅外光　78, 83, 90, 96
focus　焦距　7, 16 FTMS, fluoro tri methloxy silane　氟三甲烷基
focus window　焦距窗　8 氧矽甲烷　77
focused ion beam　聚焦離子束　39 FTNPS, fluoro tri normal propoxy silane　正－
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索　引 479
氟化三丙烷氧基矽甲烷　77 gate control, GC　閘極控制　333

Fujitsu　富士通（公司）　103, 323, 371, gate coupling coefficient　閘極耦合係數　
373, 429, 457 356, 357
Fukuyama　福山（地名）　457 gate valve　閘閥　118, 287
full depletion mode, FD　完全空乏型　139 gated coupling ratio, GCR　閘極偶合比　353
full scale　滿刻度　447 Gauss　高斯（磁場單位）　90, 194, 271,
fullerene　富勒烯　400, 401 275, 277, 278
functional group　官能基　87, 94, 401 gene chip　基因晶片　410
furnace anneal　爐管進火　162 gene computer　基因電腦　410
fuse　熔絲　326 genetic element　遺傳因子　408
fused quartz　熔融石英　9 germanide　鍺金屬矽化物　143
fused silica　融合矽石　9, 29 gettering　吸除，吸氣　136
FWHM, full width at half maximum　半高寬 GHz　十億赫　90, 143, 194, 271, 278, 279,
78 287, 292, 293, 294, 295, 296, 309
glass fiber　玻璃纖維　431, 436
G
glass transition temperature　玻璃移轉溫度　
G bit, Gb, giga bit　十億位元　39, 102, 103, 61, 85, 87
108, 109, 112, 199, 205, 322, 325, 326, G-line　G線　9
327, 328, 330, 332, 336, 337, 342, 369 global alignment mark　區域對準記號　31
GAL, gravity acceleration level　重力加速度 globe warming　地球溫暖化　255, 401, 446
的程度　454, 455 glyoxylic acid, CHOCOOH　乙醛酸　227
gallon　加崙　316 GMR, giant magnetic resistance　巨磁阻　410
game　遊樂器　323 Gore, Al　高爾（人名）　401
gap fill　填溝　93 GPa　十億帕　81
gas cabinet　氣體櫃　446 grain boundary　晶粒邊界　120, 141, 203,
gas cylinder　氣體鋼瓶　287, 446 216, 223
gas electron　氣態電子　414 grain size　晶粒尺寸　236
gas filter　氣體過濾器　446 graphics　繪圖晶片　341
gas phase reaction　氣相中反應　187 graphite　石墨　401
gate　閘極　126, 418 greenhouse effect　溫室效應　445
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480 VLSI 概論
grey room　灰室（次潔淨室）　27 HCM, hollow cathode magnetron　凹狀（中

grid　柵極，柵　39 空）陰極磁電管濺鍍　183, 220
grided energy analyzer, GEA　能量分析元件 HDD, hard disk driver　硬碟驅動器　341
309 HDP, high density plasma　高密度電漿　77,
grinding　輪磨　382, 383, 384 154, 160, 176, 193, 194, 206, 246, 268,
ground state　基態　309 269, 270, 272, 275, 327, 339, 342
GTIR, globe total indication reading　整區域 HDP-CVD, high density plasma-chemical vapor
總顯示讀數　382 deposition　高密度電漿－化學氣相沉積
GUI, graphic user interface　圓形化人機界面 72, 74, 75, 76, 79, 89, 90, 157, 159, 174,
387 212, 302
HDP-nitridation　高密度電漿氮化　153
H
heat dissipation　散熱　61
HAI, hydrogen anneal after implantation　植入 heat exchanger　熱交換器　228
後以氫退火　326, 327 heavy metal impurity　重金屬雜質　431
half pitch　半間距　39, 330 helical resonator　螺旋狀共振器　271, 272,
halide　鹵化物　41, 122 275
halo　環圈　165 helicon　螺線管　269, 271, 275, 276
halocarbon compound　鹵碳化合物　446 helicon wave　螺旋波　160
halogen element　鹵素　122 He-Ne laser　氦氖雷射　54, 312
halogen element gas　鹵素氣體　122 HEPA filter, high efficiency particulate air filter
hard bake　硬烘烤　4, 49 高效率微粒子空氣過濾器　428, 431,
hard disk　硬碟　350, 410 436, 440, 442
hard disk driver　硬碟驅動器（裝置）　341, HERO, high efficiency reverse osmosis　高效
361 率逆滲透　449, 450
hard mask　硬式幕罩　67, 68, 122, 179, 210, hetero-structure epitaxy　異質（結構）磊晶
211, 214 110
hard x-ray　硬X射線　20 hertz　赫　62
hardness　硬度　96, 406 Hewlett Packard, HP　惠普（公司）　121,
hardware　硬體　392 409
haze　薄霧　432, 436 hexa fluoro propylene　六氟丙烯　92
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索　引 481
hexa fluoroarsenate　六氟砷酸鹽　43 hot electron　熱電子　360

hexahedron　六面體　223 hot hole　熱電洞　353, 354
︵ㄒㄧ︶
hfac, hexa fluoro acetyl acetone　六氟乙醯 HPM, HCl+H2O2　混合液　387, 388
丙酮　225, 226, 237, 240, 256 HRe, high density reflected electron　高密度
HFC, hydro fluoro carbon　氫氟碳　255 反射電子　273, 275
Higashi-Hiroshima　東廣島（地名）　457 HSG, hemispherical grain　半球晶粒　103,
high blood pressure　高血壓　401 329, 330, 336, 349, 357
high K, high dielectric constant　高介電常數 HSQ, hydrogen silsesquioxane　氫倍半矽氮
102, 104, 142, 148, 149, 322 烷，含氫的矽酸鹽　60, 72, 76, 80, 81,
high temperature and reflow　高溫再回流　 82, 83, 87, 97, 254
184, 206 HT, high temperature　高溫　67
hillock　小突起，小丘　67, 190 HTO, high temperature oxidation　高溫氧化　
Hiroshima　廣島（地名）　457 353
Hitachi　日立（公司）　223, 275, 277, 293, Hu, Chenming　胡正明（教授）　11
323, 365 human immune system　人類免疫系統　410
HMDS, hexa methyl disilazane　六甲基二矽 HWP, helicon wave plasma　螺旋波電漿　
氮烷，(CH 3 ) 6 Si 2 NH　3, 4, 5, 47, 190, 271
191, 192, 239, 240, 436 hydrophilic　親水的，親水性　87, 91, 437
HMDSO, hexamethyl disiloxane, (Me3Si)2O, hydrophobic　疏水的，疏水性　87, 91, 437
︵ㄎㄥ︶
Me=CH3)　六甲基二矽氧　52 hydroxyl group　羥基，氫氧基　239

home cinema　家庭電影院　323 Hyundai　現代（公司名）　323
horizontal laminar flow, HLF　水平層流　439
I
hornet　馬蜂，黃蜂，胡蜂　402
HOSP, hybrid organsic siloxane polymer　混成 IBM, International Business Machine　國際商
有機矽氧烷高分子　71, 80, 84, 86 務機器　27, 157, 158, 203, 304, 323, 333,
host computer　主電腦　457 334, 403
hot aluminum　熱鋁　183 IBMK, isobutyl methyl ketone　異丁基甲基酮
hot carrier　熱載子　149 81
hot carrier effect　熱載子效用　128, 350 IBS, ion beam sputtering　離子束濺鍍　220
hot cathode　熱陰極　279 ICP, inductively coupled plasma　感應耦合
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482 VLSI 概論
電漿　160, 176, 269, 271, 273, 276, 296, infrared, IR　紅外光　48

297, 298, 299, 300, 304, 305 infrared heater　紅外線加熱器　386
IEDM, International Electron Devices and ingot　鑄棒　383
Material Symposium　國際電子元件及 inner diamter saw, ID saw　內直徑鋸　383
材料研討會　340 inorganic material　無機材料　66
IEEE Trans. on Plasma Science　電機電子工 inorganic polymer　無機高分子　60
程師學會電漿科學會刊　285, 286, 289, input　輸入　282, 285, 349
291, 292 in-situ　同步，在原處　136, 189, 240, 336,
ILD, inter layer dielectric　中間介電層　68, 446
76, 242, 252, 260, 327, 333 in-situ monitoring　在原處監督　432
I-line　I線　9, 18 integrated circuits, IC　積體電路　35, 45, 50,
image field　影像景域　25 64, 96, 178, 209, 231, 340, 346, 347, 349
image processing system　影像處理系統　 integration　整合　62
375 integrator　積分器　155
IMD, inter metal dielectric　金屬間介電層　 integrity　堅固性　83, 316
67, 68, 74, 92, 213 Intel　英特爾（公司）　323, 381, 410
immunology　免疫學　410 interbay　不同區域之間　392, 445
IMP, ionized metal plasma　游離（離子化） interconnect　內連線　60, 64, 174, 178, 202
金屬電漿　176, 183, 188, 206, 210, 211, inter-diffusion　相互擴散　51
219, 220, 221, 224, 225, 236, 243, 244, interface　界面　431
339 interface state density　介面態密度　142
impedance frequency meter　阻抗頻率量測儀 interferometer　干涉儀　33, 300
121 interfloor　樓層間　445
impedance matching network　阻抗匹配網路 interlock　連鎖裝置　257
284 intermetallics　介金屬　216
in situ doping　原位摻雜，內摻雜　126 intermolecular collision frequency　分子間碰
incadescent　白熾　310 撞頻率　187
indirect material　間接材料　381 internet　網際網路　323
inelastic collision　非彈性碰撞　279 interstellar travel　星際旅行　409
information industry　資訊工業　411 intrabay　同一區域之間　445
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索　引 483
intrinsic　本質的　141 ion stream　離子流　277

inverse narrow width effect　逆窄通道效應　 ionization　游離　194, 278, 450
127, 158 ionization rate　游離率　193, 278
inverse short channel effect　逆短通道效應　 ionize　解離，游離　166, 281
127 ionized sputtering　離子化濺鍍　219
inversion layer　反轉層　168 IPA, isopropyl alcohol　異丙醇　226, 256,
ion　離子　308 257, 315, 316, 388
ion beam　離子束　36, 287 irradiation damage　輻照傷害　8
ion beam evaporation　離子束蒸鍍　413 iso　異（分子結構）　77, 117
ion beam projection lithograpby, IBPL　離子 ISO, International Standard Organization　國
束投影微影照像　21, 22 際標準組織　437, 440
ion bombardment　離子轟擊　90, 167 isopropanol　異丙醇　117
ion conductivity　離子電導率　114 isotropic etching　等向性蝕刻　249
ion current density　離子電流密度　306 Itami　伊丹（地名）　457
ion density　離子密度　296 ITRS, International Technology Roadmap of
ion energy　離子能量　296 Semiconductor　國際半導體技術藍圖　
ion energy analyzer　離子能量分析儀　309 128
ion exchange　離子交換　258, 448
J
ion exchange membrane　離子交換膜　450
ion exchange resin　離子交換樹脂　450 J. Appl. Physi., Journal of Applied physics　應
ion exchange resin regeneration　離子交換樹用物理期刊　273, 416, 418
脂再生　449 J. Vacuum Science Technology　真空科技期
ion implantation　離子植入　5, 82, 126, 130, 刊　300, 417
218, 339, 417 JEOL (Japan Electron Optics Laboratory)　日
ion implanter　離子植入機　393 本電子光學實驗室（公司名）　223
ion milling　離子研磨　40, 276 JJAP, Japan Journal of Applied Physics　日本
ion plating　離子電鍍　407 應用物理期刊　294
ion polarization　離子極化　62 junction depth　接面深度　127, 395
ion species　離子物種　393 junction leakage　接面漏電　166
ion sputtering　離子濺鍍　157 junction parasitic capacitance　接面寄生電容
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484 VLSI 概論
136 lapping　研磨　382, 383, 384

junction spike　接面尖峰（突）　202 LAr, liquid argon　液態氬　446
JVD, jet vapor deposition　噴射氣相沉積　 laser　雷射，雷射光　8, 29, 422
143, 151, 153, 154 laser ablation　雷射切除　95
JXA-8800M－機型　223 laser anneal　雷射退火　246
laser beam　雷射束　35, 118
K
laser diode　雷射二極體　54, 422
Kansai　關西（地名）　457 laser evaporation　雷射蒸鍍　407
Kb　千位元　369, 370 laser interferometry　雷射干涉儀　310, 311
Keithley　吉時利（公司）　96 laser reflectance　雷射反射　311
Kelvin　凱氏　423 laser reflow　雷射回流　246
kerf　切口　383 latch up　閂鎖　164
key hole　鎖孔洞　186 latent image　潛在的影像　6, 7, 43
KIT Semicon　一日本公司　457 lateral abruptness　側向陡峭度　127
Kochi　高知（地名）　457 lattice　晶格　104
Kuwana　桑名（地名）　457 lattice constant　晶格常數　143, 203
Kyoto　京都（地名）　457 lattice damage　晶格傷害　394
lattice orientation　晶格取向　121
L
lattice property　晶格特性　225
Lam Research　科林研發（公司名）　275, laughing gas　笑氣，氧化亞氮，N2O　150,
297 394
Lambda Physik　蘭姆達（公司名）　27, 28, layout　佈置　207
29 LC tuner　電感電容調諧器　371
laminar flow　層流　441 LCR: inductance-capacitance-resistance　電
laminar flow air　層流空氣　428 感—電容—電阻　121
LAN, local area network　區域網路　341 LCR meter　電感、電容－電阻錶　121
Landau damping　藍道阻尼　271 LDD, lightly doped drain　淺摻雜汲極　127,
Langmuir probe　藍牟爾探針　293, 300, 306 348
LAP, large angle implanted p pocket　大角度 LDDFET, lightly doped drain field effect
植入p口袋　352, 356 transistor　淺摻雜汲極場效電晶體　
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索　引 485
126, 345, 346 Liverpool University　利物浦大學　408

lead　引線　412 LN2, liquid nitrogen　液態氮　446
lead frame　導線架　178, 247 LO2, liquid oxygen　液態氧　446
leakage current　漏電電流　107, 129 load line　負載線　293
leakage detection　測漏　446 load lock chamber　裝載腔　298
LED, light emitting diode　發光二極體　400 loading effect　負載效用　253, 294
leveling　平滑　237 loading port　裝載埠　392
leveling agent　平滑劑　233, 236 local interconnect　局部內連線　343, 371
Lewis acid　劉易士酸　43 local planarization　局部平坦化　69, 93
Lewis base　路易士鹹（基）　237, 250 LOCOS, local oxidation of silicon　矽局部氧
LFM, lateral force microscopy　側向力顯微術化　74, 126, 127, 129, 156, 158, 276, 334,
423 339, 342
LG Semicon　樂金（一韓國電子公司名）　 logic circuit　邏輯電路　133, 204, 340, 341
323 logic device　邏輯元件　135, 325, 380, 410
life science　生命科學　401 logic IC　邏輯積體電路　346, 347
lifetime　生命期　150 logic state　邏輯狀態　104, 107
lift off　舉離　249, 417 long throw sputter, long throw sputtering, LTS
lifting machine　升降機　441 長間距濺鍍　183, 206, 243
ligand　配位體　238, 240, 241 Lorentz force　羅倫斯力　278
lighting　照明　441 LOSP, low organic siloxane polymer　低有機
lightly doped region　淺摻雜區　126 矽氧烷高分子　86
linear expansion coefficient　線膨脹係數　 low k, low dielectric constant　低介電常數　
217 60, 65, 66, 97, 204, 327, 445
linearity　線性度　447 low k dielectric　低介電常數介電質　205
liner　襯墊層　61, 69, 81, 213 low temperature epitaxy　低溫磊晶技術　143
linewidth　線寬　60 LPCVD, low pressure chemical vapor
liquid phase deposition　液相沉積　75 deposition　低壓化學氣相沉積　115,
liquid source　液態源　119 143, 151, 152, 153, 154, 159, 188, 189,
lithium ion battery　鋰離子電池　406 190, 336, 353, 436
lithography　微影照像　19, 21, 454 Lucas Lab.　盧卡斯研究室　275
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486 VLSI 概論
M 爾—波爾茲曼分布　284
Mb, mega bit　百萬位元　23, 104, 108, 157,
m torr (m: milli)　毫托爾　268, 269, 273, 275,
322, 325, 327, 328, 333, 334, 335, 336,
277, 281, 289
342, 350, 354, 369, 370
macro　巨觀　401, 405
MBE, molecular beam epitaxy　分子束磊晶　
macroscopy　巨觀學　405
290, 407
magnetic beach　磁灘　283, 284
MCC　一種洗淨用藥液　253, 254
magnetic bucket　磁桶　272
MCM, multi chip module　多晶片模組　341
magnetic lens　磁透鏡　395
MCM assembly, multi chip module assembly　
magnetic mioror　磁鏡　295, 296
多晶粒模組組裝　88
magnetic probe　磁探針　299
MCP, magnetically coupled plasma　磁場耦合
magnetron　磁電管　47, 183, 287
電漿　271
magnetron sputtering　磁控濺鍍　117, 182,
MCR, magnetically confined reactor　磁場限
222, 407
制反應器　272
Marangoni dryer　馬爾根尼乾燥機　388
mean free path　平均自由路徑　187, 268
mask　光罩、遮罩、圖罩　3, 7, 32, 35, 36,
megasonic　超音波　314, 388
381
melamine　密胺，三聚氰胺，蛋白精　43
mask aligner　光罩對準儀　4
melamine derivative　密胺衍生物　43
masked ROM　遮（幕）罩式只讀記憶體　
melting point　熔點　178, 255
349, 367
memory　記憶體，儲存器　410
mass spectrometer　質譜儀　313
memory card　記憶卡　350
mass/charge ratio　質量／電量比　313
memory cell　記憶胞　324, 328
master photomask　母光罩　2
MEMS, micro electromechanical system　微機
matching network　匹配網路　287, 300, 318
電系統　249, 400, 423, 448
matrix resin　母體樹脂　43
mercaptan　硫醇　408
Matsuhida　松下（公司）　323, 457
mercury lamp　汞燈　19
Maxwell　馬克斯威爾，馬氏（人名）　423
mercury probe　汞探針　96, 155
Maxwell electromagnetic theory　馬克斯威爾
mercury probe CV map 92A　汞探針測量系
電磁理論　303
統　155
Maxwell-Boltzmann distribution　馬克斯威
MERIE, magnetically enhanced reactive ion
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索　引 487
etch　磁場加強的反應離子蝕刻　122 混成矽酸鹽　84
meso　介觀　405 MHz　百萬赫　295, 296, 298, 300, 302, 306,
mesoporous silica　中間（內消旋）孔矽土　 314
73 Michelson interfeometer　麥可生干涉儀　78
mesoscopy　介觀學　405 Micralign　一機型名　23, 24
metal barrier　金屬阻障層　186 micro　微觀　405
metal clip　金屬夾　302 micro balance　微天平 228
metal contaminant　金屬污染物　316 micro environment　微環境　430, 431
metal gate　金屬閘極　129 micro meter　微米　400
metal hydride battery　金屬氫化物電池　406 micro porous PTFE　微孔質聚四氟乙烯　92
metal organic　金屬有機的　237 Micro Technology　美光科技（公司）　146,
metal organic thermal decomposition　金屬有 323
機熱分解　407 micro-electronic device　微電子元件　411
metal silicide　金屬矽化物　131 micro-electronics　微電子學　411
metallization　金屬化　174 microfiltration　微過濾　258, 448
metallurgical reaction　金相反應　138 microloading　微負載　176
metallurgy　冶金　247 microloading effect　微負載效用　167, 268,
metastable phase　介穩態相　223 339
methyl　甲基　3 microphotonic device　微光電子元件　407
methyl silane　甲基矽烷　80, 82, 83 microprocessor　微處理器　76, 202, 204, 370
methyl siloxane　甲基矽氧烷　81 microroughnes　微粗糙度　383
MeV　百萬電子伏特　49 microscopy　微觀學　405
MFC, mass flow controller　質流控制器　 Microsoft　微軟（公司）　410
92, 152, 222, 239, 240, 287, 288, 289, 446, microwave　微波　47, 193, 194, 271, 277,
447 287
MFM, magnetic force microscopy　磁力顯微 microwave coupling coefficient　微波耦合係
術　423 數　291
MFS, metal ferroelectric semiconductor　金屬 microwave device　微波元件　112
鐵電半導體　114, 115 microwave engineer　微波工程師　281
MHSQ, methyl hybrido silsesquioxane　甲基 microwave oscillator　微波振盪器　281
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488 VLSI 概論
microwave resonant cavity　微波共振腔　151 modulator　調變器　54

mid gap　中間能隙　130 MOL, middle of line　生產線的中點　326,
millimeter wave interferometer　毫米波干涉 327
儀　309 molecular computer　分子電腦　409, 410
MIM, metal-insulator-metal　金屬－絕緣物－ molecular flow　分子流　268, 269
金屬結構　115, 344 molecular logic gate　分子邏輯閘　410
mini environment　迷你環境　438 molecular robot　分子機器人　402
minimum feature size　極小特徵尺寸　129 monitor　監督　382
minority carrier lifetime　少數載子壽命　178 monitor wafer　追蹤晶圓　390
MINT, merged isolation and node trench　合併 monochromatic　單色光的　8
隔離和節點溝渠　329, 330, 334 monochromatic light　單色光　9, 312
Mitsubishi　三菱（公司）　103, 365 monomer　單體　429
Mitsubishi Electric　三菱電機　323, 457 monosilic acid　單矽酸　82
Mitsubishi Semiconductor　三菱半導體（公 Moore, Gordon　莫爾（戈登）（人名）　
司）　151 403
mix and match　混成技術　11 Moore's law　莫爾定律　403
mixed bed　混床　449 MORI　一電漿蝕刻機種　272, 275
mixed bed tower　混床塔　449 MOS, metal oxide semiconductor　金氧半，
mJ　毫焦耳　9 金屬氧化物半導體　67, 126, 133, 139,
MMC, multi media card　多媒體卡　350 221, 339, 371, 372
mobile phone　行動電話，手機　323, 349, MOS capacitor　金氧半電容器　167
350, 361 MOSFET, metal oxide semiconductor field
MOCVD, metal organic chemical vapor effect transistor　金氧半場效電晶體　
deposition　金屬有機化學氣相沉積　 126, 129, 147, 160, 168, 356, 417, 418,
103, 107, 116, 117, 153, 154, 195, 196, 419
197, 198, 199, 206, 223, 225, 237, 238, Motorola　摩托羅拉（公司）　260, 323
407 MPa　百萬帕　41, 74, 78, 81, 91, 185, 217
MOD, metal organic decomposition　金屬有 MRAM, magnetic random access memory　磁
機分解法　114, 116 （永久）隨機存取記憶體　410
modem　數據機　364 MSQ, methyl silsesquioxane　含甲基的矽酸
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索　引 489
鹽　61, 72, 80, 81, 82, 83, 86, 97 nano cluster　奈米團簇　407

MTBF, mean time between failures　平均故障 nano computer　奈米電腦　408
間隔時間　29, 447 nano device　奈米元件　400, 409
multi blanker　多重電子開關器　34 nano dot　奈米點　415
multi column electron beam lithography, MEBL nano electronic device　奈米電子元件　409
多重柱電子束微影照像　34, 35 nano electronics　奈米電子學　411
multi e-beam lithography　多重電子束微影照 nano lithography　奈米微影技術　412
像　34, 35 nano metal wire　奈米金屬線　410
multi layer interconnect　多重金屬內連線　 nano meter, nm　奈米　7, 19, 219, 400
202 nano robot　奈米機器人　409
multi level　多層化　66 nano second laser　奈秒雷射　40
multi-level interconnect　多層金屬內連線　 nano sensor　奈米感測器　400
174, 200 nano technology　奈米科技　402, 409
multi-level memory cell　多階記憶胞　360 nano tube　奈米管　409
multi-level metallization　多層金屬　60, 66, nanofoam　超微孔泡沫，多孔隙化　73, 93
︵ㄒㄧ︶
428 nanofoam polyimide　多孔隙泡沫聚亞醯胺
multi media　多媒體　370 73, 94
multiplicatin　倍（累）增　181 nanoglass　超微孔玻璃　73
multipolar cavity　多極腔　289 nano-indentation system　奈米壓痕機　96
mutagenicity　變異原性　256 nanoporous silica　超微孔矽土　79, 86
MUV, middle ultraviolet　中紫外光　20 narrow linewidth　窄線寬　10
marrow linewidth effect　微細線幅效應　131
N
narrow width effect　窄通道效應　127, 158
nA　奈安培　422 National Technology Roadmap of Semicon-
NA, not available　還沒有　385 ductor, NTRS　國家半導技術藍圖　128
Nagaokakyo　長岡京（地名）　457 native oxide　天生的氧化物　136, 151, 152,
NAND　反及　361, 363, 364, 365, 366 252, 336, 343, 390
nano cable　奈米同軸電纜　409 near field image　近場影像　40
nano ceramics　奈米陶瓷　409 near infrared　近紅外線　418
nano circuit　奈米電路　408 near infrared spectrometer　近紅外線譜儀　
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490 VLSI 概論
389 NOR　反或　354, 361, 362, 364, 365, 367,

NEC　日本電氣，恩益禧（公司）　103, 369
108, 373, 374, 411, 429, 457 normal　正（分子結構）　77, 117
negative pressure　負壓　439 normal propyl alcohol　正丙醇　226
network　網路　448 Northwest University　西北大學　408
neutral stream　中性粒子流　276 notch　刻痕　51
neutralization　中和　47, 257, 258 notching effect　凹缺效應　50
Nikkei Microdevidevice　日經微元件　457 notebook computer　筆記型電腦　204
Nikon　尼康（公司名）　23, 24 novalac　酚醛　49
︵ㄒㄧㄝ︶
Nishiwaki　西（地名）　457
ˊ NovaTube　雷射管　27
nitridation　氮化　150 novolak　酚醛樹脂　42
nitride　氮化物　61, 178, 331 NS, no standard　沒有標準　382
n-k analyzer　n & k分析器，折射率－介電常 NTT, Nippon Telegraph and Telephone　日本
數分析儀　97 電報電話（公司）　293
nMOS　負型金氧半　126, 127, 139, 140, nucleation　成核　198
141, 143, 144, 150, 166, 209, 332, 395, nucleation and growth　成核與成長　187
437 nucleation layer　晶核生成層（成核層）　
︵ㄍㄛ︶
︵ㄅㄧ︶
NMP, n-methyl 2 pyrrolidone　正甲基2 ˋ 咯 ˊ 184, 224, 232

︵ㄉㄧㄥ︶
啶 C5H9NO　85, 93, 315, 436

ˋ
numerical aperture　數值孔徑　8, 9, 10, 11
noble metal　貴金屬　121 NVSM workshop (NSVM: non-volatile
noise immunity　雜訊免疫力　128 semiconductor memory device)　非揮發
NON, nitride-oxide-nitride　氮化矽－氧化半導體記憶體元件研習會　355
矽－氮化矽　214 NUV, near ultraviolet　近紫外光　20
non-stoichiometry　非當量化；非化學量　 n-well　n型井　333, 355
115
O
non-unidirectional flow　亂流　441
non-volatile　非揮發的　104, 374 OAI, off axis illumination　偏軸式照射　11,
non-volatile memory　非揮發記憶體　349 12, 16, 18
non-volatile memory device　非揮發的記憶元 octahedron　八面體　104
件　106, 344 OED, oxidation enhanced diffusion　氧化加速
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索　引 491
擴散　161 organic donor ligand　有機施子團基　240

ohmic I-V characteristic　歐姆的I-V特性　 organic functional group　有機官能基　79
137 organic ligand　有機團基　237
OHSA, Occupational Health and Safety organic material　有機材料　66
Administration　職業衛生和安全署　 organic photoresist　有機光阻　249
260 organic polymer　有機高分子　60, 67
OLED, organic light emitting diode　有機薄膜 organic silane　有機矽甲烷　83
發光二極體　400 organic silicon　有機矽　436
oligomer　寡聚合體　429 organic silsequioxane　有機碳酸鹽　72
oligomeric solution　低聚合物溶液　85 organic solvent　有機溶劑　70
ON (oxynitride)　氧化氮化層　334 organosilicate glass, OSG　有機矽酸鹽玻璃　
︵ㄨㄥ︶
onium salt　鹽　42, 43 72, 80

ONO, oxide nitride oxide　氧化物－氮化物－ orientation polarization　取向極化　62
氧化物　210, 334, 350, 352, 353, 354, O-ring　O型環　448
356 Osaka-Kobe　阪神（地名）　454
on-site　在廠內　446 Otsu　大津（地名）　457
OPC, optical proximity correction　光學近接 outgas　釋氣　429
修正　11, 12, 13, 39, 40 outgassing　釋氣　70, 90
OPC mask, optical proximity correction mask overhang　突懸　186
光學近接修正光罩　22 overhead　經常費　381
OPE, optical proximity effect　光學近接效應 overhead shuttle　高架列車　441, 443
12 overlay　疊對　7
open loop　開迴路　304 oxalic acid　草酸　254
operation amplifier　運算放大器　155 oxidant　氧化劑　69
optical computer　光電腦　406 oxidation　氧化　120
optical electronics　光電子學　411 oxide　氧化物　61, 325
optical emission spectroscopy, OES　光發射光 oxide cap　氧化矽蓋帽層　68
譜儀（術）　311 oxygen ashing　氧乾蝕刻，氧灰化　61
optical spectrometer　光學光譜儀　53 oxygen vacancy　氧空缺　110, 114, 115, 116
organic atom cluster　有機原子團　117 oxynitride, ON　氧氮化物，氮化氧化層　61,
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492 VLSI 概論
150, 179, 327, 331, 353 120, 202

OZ 3000　一機型　277 passivation layer　保護層，鈍化層　218, 247
ozone, O3　臭氧　27 password　密碼　403
ozone layer　臭氧層　255, 445, 446 PC, personal computer　個人電腦　341, 350,
ozone water　臭氧水　387 361, 410, 448
PCB, printed circuit board　印刷電路板　206,
P
229, 231, 448
package　封裝，包裝　443 PDA, personal digital assistant　個人數位助理
packing density　包裝密度　205 340, 341, 350, 361, 370
pad oxide　墊氧化層　156 PEB, post exposure bake　曝光後烘烤　4, 44
PAE, poly arylene ether　聚芳烯醚　72, 85, PECVD, plasma enhanced chemical vapor
86, 94, 95 deposition　電漿加強化學氣相沉積　
paraelectric　順電性　102, 104 67, 68, 72, 76, 77, 80, 83, 84, 89, 95, 189,
para-electric phase　順鐵相　107 212, 407
paramagnetic　順磁　406 PEG, poly ethylene glycol　聚乙二醇　227
parasitic capacitance　寄生電容　128, 164, pellicle　護膜　36
214, 254 pentode　五極管　395
parasitic resistance　寄生電阻　129, 130 PEOTa, Ta(OC 2 H 5 ) 5 　五乙烷氧基鉭　115,
parasitic transistor　寄生電晶體　159, 333 116
parent material　母材料　406 perfluoro carbon, PFC　過氟碳　255, 446
partial pressure　分壓力　113 perfluorocyclobutane　過氟環丁烷　73
partial pressure ratio　分壓比　118 perforated floor　有柵孔高架地板　432
particle　微粒子　383, 428 peripheral circuit　周邊電路　324
particle deposition　粒子沉積　407 permanent dipole moment　永久偶極矩　62
parylene　聚對二甲苯　72, 86, 91 permanent magnet　永久磁鐵　272, 284
parylene-F, AF4, PA-F　摻氟的聚對二甲苯　 permanent polarization　永久極化　106
72, 85, 91, 95 perovskite　鈣鈦礦　102, 104, 330
parylene-N, PA-N　不含氟的聚對二甲苯　 pH value　酸鹹度　228, 253, 260, 450
72, 91, 95 phase　相位　146
passivation　保護，鈍化，保護層　61, 68, phase shift layer　相移層　12, 14
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索　引 493
phase shifter　相移器　112 pinch off　封住　236

phase velocity　相速度　271 pinning　釘扎　120
Philips　飛利浦（公司名）　27 piping　管路　446
phosphate　磷酸脂　431 piranha　食人魚　260, 315
phosphate ester　磷酸酯　437 pitch　間距　60
photo acid generator, PAG　光酸產生劑　43, pixel　光點，像素　7
44, 45 planarization　平坦化　8, 61, 64, 206
photo active compound, PAC　光敏感劑　42, plasma　電漿，等離子　90, 181, 194, 268
44, 47 plasma chamber　電漿（腔）室　194, 271,
photo catalysis　光催化　407 281, 287
photo sensitive　光敏感化　93 plasma damage　電漿損傷　167
photo sensitive polyimide　光敏感聚亞醯胺　 plasma density　電漿密度　293, 306
94 plasma etcher　電漿蝕刻機　48
photo stabilization　光安定　47 plasma etching　電漿蝕刻　166
photo stabilizer　光安定器　47 plasma frequency　電漿頻率　293
photocathode　光電管，光陰極　34, 313 plasma load　電漿負載　281, 287
photodiode　光二極體　310 plasma loss line　電漿損失線　293
photolithography　微影照像　408 plasma nitridation　電漿氮化　142
photomask　光罩　2, 36 plasma potential　電漿電位　306, 307
photomultiplier tube, PMT　光倍增管　312, plasma power supply　電漿電源供應器　268
313 plasma sheath　電漿鞘（層）　269, 307
photon　光子　309, 313, 410 plasma source　電漿源　271
photoresist　光阻　35, 249 plasma torch　電漿氣炬　383, 384
Photronics　一公司　36 plate line　板極線　373, 375, 376
Physical Review Letter　物理回顧簡訊（期 plating　析鍍　229
刊）　416 plating bath　鍍浴　229
picoammeter　皮安培計　121, 312 PLT, PbLaZrTiOx　鉛鑭鈦氧化物　406
picometer　皮米　8, 9, 29 plug　栓塞　190, 208, 235
piezoelectric　壓電　105, 419, 448 PLZT, PbLaZrTiOx　鉛鑭鋯鈦氧化物　406
piezoelectric ceramics　壓電陶瓷　420 pMOS　正型金氧半　126, 127, 129, 139,
或來電(02)2705-5066
494 VLSI 概論
140, 141, 143, 144, 166, 209, 332, 333, poly-plug　多晶（矽）栓塞　333, 336, 344
395, 437 polyquinoline　聚奎林　73
PMT, Plasma Material Technology　電漿材料 poly-Si plug　多晶矽栓塞　109, 162, 348
科技（一公司名）　272, 275 polysilicon　多晶矽　126, 304
PNT-F, poly fluorinated naphthalene　摻氟的 polysiloxane　聚矽氧烷　73, 80
︵ㄋㄞ︶
聚 ˋ 　95 polyvinyl phenol　聚乙烯酚　45

pocket　口袋　165 porosity　孔隙度　83
pod　晶圓盒，盒　429, 431, 443 porous　多孔的　61
point defect　點缺陷　203, 382 porous polyarylene ether　多孔聚芳烯醚　73
point of inflection　反曲點　307 porous polyimide　多孔聚亞醯胺　73
poison, poisoning　毒，中毒，毒化　80, 113, porous silica　多孔矽土　73
203, 210 porous silsesquioxane　多孔矽酸鹽　73
polarizability　極化能力　76 positive pressure　正壓　441
polarization　極化，偏振　9 p o t a s s i u m s o d i u m t a r t r a t e , K 2C 2H 4O 6-
polarizer　偏振器　54 Na2C2H4O6　酒石酸鉀鈉　229
polishing　拋光　382, 383, 384 potential barrier　電位障　403, 414
︵ㄒㄧ︶
polyamic acid　聚醯酸　93 potential well　電位井　310

polyamic ester　聚醯烷酯　93 power dissipation　功率耗損（消耗）　60,
polycarbonate　聚碳酸鹽　422 204
polycide, polysilicon silicide　多晶矽矽化物 POWER PC (Performance Optimization With
68, 129, 131, 132, 133, 136, 138, 144, 209, Enhanced RISC)　處理器名（精簡指令
341, 342 功能最佳化個人電腦）　203
︵ㄎㄥ︶
polyhydroxy stynene, PHS　聚羥苯乙烯　 power transistor　功率電晶體　204

42, 43, 44 ppb, parts per billion　十億（109）分之幾　
︵ㄒㄧ︶
polyimide　聚亞醯胺　41, 72, 85, 92, 303, 438, 452, 459

327 ppm, parts per million　百萬（106）分之幾　
polymer　高分子，聚合物　46, 405 62, 85, 152, 450
︵ㄋㄞ︶
polynaphthalene -F　摻氟的聚 ˋ 　72, 95 ppma, parts per million atom　以原子計算百

polynaphthalene -N　不摻氟的聚　72, 95 萬分之幾　382
polyoxide layer　多晶矽氧化層　356 ppt, parts per tera　太（1012）分之幾　446
或來電(02)2705-5066
索　引 495
ppt, parts per trillion　一兆（1012）分之幾　 process gas　製程氣體　445

383, 386, 435, 436 process integration　製程整合　61, 190, 339
pre-amplifier　前置放大器　420 process load chamber　製程負載室　284
Precision Semiconductor Mask　翔準先進 process tolerance　製程寬容度　40, 136, 330
（公司）　35 process window　製程窗　7, 47, 136, 141,
precursor　前驅物　76, 90, 92, 115, 119, 188, 252, 445
195, 223, 225, 237, 260, 265 processor　處理器　323
preferred orientation　優選取向　216, 217, productivity　生產力，產率　380, 391, 395,
224 396
pre-metal dielectric, PMD　金屬前介電層　 programming　程式化　358, 360
67, 68, 73, 74, 77 production equipment　生產機器　380
pressure cook test, PCT　壓力鍋測試　77 projection　投影　3
pressure gauge　壓力計　92 projection scanning system　掃描投影系統　
primary mirror　主面鏡　24 24
prime　優良的　382 promoter　促進劑　231
prime wafer　最好的晶圓　390 protection site　保護基　44
priming　塗底　3, 6 protocol　（通訊）協定　349
printer　印表機，列表機　341 Prototech Research Inc.　一公司名　274, 275
prism　稜鏡　29, 30 proximity　近接　3, 31, 33, 37, 40
Proc. of the 8th Symposium on Plasma proximity effect　近接效應　14
Processing.　電漿製程第8次研討會論文 PSG, phosphosilicate glass　磷矽玻璃　67,
295 74, 75, 391
Proc. SPIE (International Society of Optical PSG, polycrystalline silicate glass　多晶矽玻
Engineering)　國際光學工程學會研討會璃　327
論文　18 PSM, phase shift mask　相移式光罩　10, 12,
probe　探針，探測　308 14, 22, 39, 40
process area　製程區　440 PST, planar stacked technology　平坦堆疊技
process chamber　製程反應腔，製程腔　術　336, 337
298, 429, 445 PT, PbTiO3　鈦酸鉛　113
process equipment　製程設備　429 PTEOS, plasma enhanced TEOS　電漿加強
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496 VLSI 概論
TEOS　240, 242 quantum dot　量子點　403, 408, 411, 412,

PTFE, poly tetra-fluoro ethylene　聚四氟乙烯 426
71, 72, 85, 86, 88, 89, 92 quantum dot array　量子點陣列　411
pulsed laser　脈衝雷射　39, 246 quantum effect　量子效應　168, 402, 408,
pulse laser sputter deposition　脈衝雷射濺鍍 412
法　118 quantum island　量子島　414
pupil　瞳孔，光瞳　12, 32 quantum mechanics　量子力學　411
pupil function　光瞳函數　16 quantum size effect　量子尺寸效應　403
PURATEX　化學（吸附）過濾器　437 quantum tunneling　量子穿透　148
PVA, polyvinyl alcohol　聚乙烯醇　253 quantum tunneling effect　量子穿隧效應　
PVD, physical vapor deposition　物理氣相 403
沉積　119, 144, 145, 146, 174, 176, 181, quantum well　量子井　403, 408, 412
183, 196, 197, 206, 211, 219, 221, 226, quantum well confinement　量子井限制　168
231, 242, 245, 260, 343, 380, 407 quantum wire　量子線　403, 408, 411, 417
pyrex　耐熱玻璃　37 quartz　石英　7, 8
pyroelectricity　焦電性　105 quartz furnace tube　石英爐管　454
pyrolysis　熱裂解　94 quartz window　石英窗　287, 299
pyrometer　紅外光高溫計　310
R
pyrophoric　自燃的　445
PZ, PbZrO3　鋯酸鉛　113 radar　雷達　402
PZT, PbZrTiO x　鈦鋯酸鉛　102, 103, 113, radial　徑向　309
114, 115, 120, 369, 371, 373, 374 radiation damage　輻射的損傷　278
radical　原子團，自由基　278
Q
raised S/D　升起式的源極／汲極　162
Quadrol　一種鉗合劑　230 RAM, random access memory　隨機存取記憶
quadrupole mass filter　四極質量過濾器　313 體　106, 324, 370, 374
quality factor　品質因數　279 RAP, return air path　回風路徑　432
quantum absorption rate　量子吸收率　44 rare earth　稀土　284, 291
quantum computer　量子計算機　403, 410 rare earth metal　稀土金屬　406
quantum device　量子元件　408, 411 raster scan　陣列掃描　35
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索　引 497
raw water　原水　450 refractive　折射的　23

RBS, Rutherford back scattering spectrometer refractive index　折射率　9, 53, 76, 90, 97,
拉塞福背向散射譜儀　96, 189 154, 311
RC, resistance capacitance　阻容　205, 206 refractory metal　耐火金屬　129, 211, 216,
RC time delay, RC delay　電阻－電容時間延 248
遲　60, 131, 136, 198, 202 refractory metal silicide　耐火金屬矽化物　
RCA, Radio Company of America　美國無線 129, 325, 346
電公司　315, 387, 390 refresh　充電，更新　340, 346
reaction　反應　187 refresh time　更新時間　341, 343
reaction chamber　反應腔，反應室　119, regeneration　再生　450
272, 281, 429 register　暫存器　310
reactive sputter, reactive sputtering　反應性濺 regulator　調壓器　288, 446
鍍　103, 153, 216 relative humidity, RH　相對濕度　85, 438,
read out　讀取　361 439
real time monitor　及時監控　309 relative permeability　相對導磁率　97
receipe　程式，配方　304 relaxation time　鬆弛時間　62
recirculation　再循環　439 reliability　可靠度　62, 175, 255, 344, 356
recombination center　復合中心　178, 202 remanent polarization　殘存偏極化　104,
recovery rate　回收率　449 106, 113, 120
recrystallization　再結晶，晶化　120, 142, replacement gate　取代閘極　146
245 residual gas analyzer　殘餘氣體分析儀　446
reducing agent　還原劑　223, 227, 229 residual thermal stress　殘餘熱應力　96
reduction　還原　120 residue　殘留　339
reduction ratio　縮小倍數　23 resin, Rz　樹脂　7, 258, 451
reflect　反射　282 resist　阻劑　2, 35
reflectance　反射頻譜　53, 97 resistance　電阻，電阻值　188
reflection　反射　7, 285 resistivity　比電阻，電阻率　90, 130, 137,
reflective　反射的　23 175, 448
reflectivity　反射率　50, 311 resolution　解析度　7, 8, 35
reflow　回流　245, 246 resonance　共振　277
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498 VLSI 概論
resonance coupling　共振偶合　278 RTA, rapid thermal anneal　快速熱退火　116,

resonant cavity　共振腔　27, 29 120, 134, 135, 136, 150, 154, 196
resonantor　共振器　69, 112 RTCVD, rapid thermal CVD　快速加熱化學
reticle　光罩　3, 7, 10, 18, 381 氣相沉積　77, 78, 143, 153, 154, 336
retrograde channel profile, RCP　後退通道分 RTN, rapid thermal nitridation　快速熱氮化　
佈　165 107, 196, 437
retrograde well　後退井　339 RTP, rapid thermal processing　快速熱製程　
reuse　再利用　384 154, 354
RF, radio frequency　射頻　42, 89, 193, 197, Rudolph Technologies　魯多夫科技（公司
219, 243, 270, 273, 277, 288, 290, 296, 名）　54, 121
302 rugged poly silicon　皺褶多晶層　336
RF generator　射頻產生器　298 RVD, rapid vapor diffusion　快速蒸氣擴散　
RF power　射頻功率　83 162
RF sputtering　射頻濺鍍　41, 116, 117 RXFS, reflection x-ray fluorescence spectoscopy
RIE, reactive ion etch　反應離子蝕刻　8, 52, 反射x射線螢光光譜儀　316
97, 211, 213, 214, 249, 276, 278, 333 Ryoden　菱電（公司名）　103
right-hand circularly polarized wave　右手圓
S
偏振波　284
rigidity　剛度　94 SAC, self aligned contact　自行對齊接觸　
rinse　清洗　79, 390 129, 339, 342, 345, 346, 347
RISC: Reduced Instruction Set Computer　精 SACVD, sub-atmospheric CVD　次大氣壓化
簡指令集計算機　203 學氣相沉積　67, 68
Ritcher　芮氏　454 Saijou　西條（地名）　457
RMS, root mean square　均方根值　217 salicide, self aligned silicide　自行對齊矽化物
RO, reverse osmosis　逆滲透　448, 449, 451, 128, 129, 132, 133, 138, 144, 160, 164,
452 341, 342, 394
robot　機械手臂　27, 39, 190, 390, 430, 443 Samsung　三星（電子）　103, 336, 337
ROM, read only memory　只讀記憶體　106, Sandisk　新帝（公司）　358, 359, 360
324, 370, 374 SAP, supply air path　送風路徑　432
roughness　粗糙度　83, 154, 175, 316, 388 satellite navigation　衛星導航　350
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索　引 499
saturation　飽和　107, 308 scribe lane　切割巷道　25

saturation polarization　飽和偏極化　106, scrubber　除毒裝置　287, 441, 446, 458
120 secondary battery　二次電池　406
SAUSG, subatmospheric undoped silicate glass secondary electron　二次電子　41, 181
次大氣壓未摻雜的矽酸鹽玻璃　327 secondary sputtering　二次濺鍍　224
SBN, SiBr12NbO9　鈮酸鉍鍶　114 secondary mirror　次級面鏡　24
SBT, SrBiTaO x　鉭酸鍶鉍　102, 113, 114, seed　晶種　159
115, 116, 120, 170, 369, 371, 372 seed layer　種晶層，晶種層　211, 216, 220,
SCl, lst standard cleaning solution　第一種標 224, 231, 239, 260
準清洗溶液　315 seeding　播核種　336
scale factor　縮小因數　324 segregation　偏析　247
SCALPEL, Scattering with Angular Limitation seismic zone　地震帶　453
Projection Electron (beam) Lithography　 seisometer　地震儀　454
有限角度散射投影電子微影　21, 31, 32, select line, SL　選擇線　358
33, 34, 37 selection gate　選擇閘　355, 366
SCAM, scanning capacitance microscopy　掃 selection ratio　選擇比　212
描電容顯微術　423 selection transistor　選擇電晶體　354, 361,
scan　掃描　3 364, 366
scanner　掃描機　13 selective CVD　選擇式化學氣相沉積　191
scatter, scattering　散射　14, 27 selective deposition　選擇性沉積　239
scattering loss　散射損失　7 selective epitaxy growth, SEG　選擇式磊晶成
sccm, standard cubic centimeter per minute　長　162
每分鐘立方公分（流速）　42, 115, 117 selectivity　選擇性　250, 304
schedule　進度　392 self aligned　自動對準的　126, 214
Science Based Industry park　科學工業園區 self alignment　自動對齊　214
453 self anneal　自行退火　236
scorpion　蠍子　402 self annealing　室溫自動退火　231
scotch tape　隱形膠帶　95, 96, 227 self bias　自我偏壓　193, 298, 300
SCR, silicon control rectifier　矽控整流器　 self ionized plasma　自行離子化電漿　225
164 self-limiting reaction　自動限制反應　217
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500 VLSI 概論
self oxidation-reduction　自身氧化還原　230 short channel effect　短通道效應　127, 129,

SEM, scanning electron microscope　掃描電 160, 354
子顯微鏡　96, 118, 121, 223, 237 short effect　短路效用　150
Sematech (Semiconductor Manufacturing shrinkage　收縮率　90
Technology)　半導體製造技術產業聯盟 shutter　快門　54
65 SIA, Semiconductor Industry Association　半
SEMI S2　半導體安全規範S2　258 導體工業協會　21, 22, 37, 39, 179, 180,
Semiconductor Internatinal　半導體國際期 275, 384, 385, 402, 410
刊　48, 65, 70, 81, 82, 89, 179, 261, 295, side reaction　副反應　230
382, 396 side spacer　側牆間隔物　133, 135
sense amplifier　感測放大器　375 Siemen　西門　452
sensitivity　靈敏度，感度　49 Siemens　西門子（公司名）　27, 323
sensitizer　感光劑　7 signal generator　訊號產生器　155
sensor　感測器　325, 410 silane, SiH4　矽甲烷　435, 436
series resistance　串聯電阻　155 silanol　矽醇基；SiOH　4
server　伺服器　341 silica　矽土，矽石　250, 450, 452
SET, single electron transistor　單電子電晶體 silicide　矽化物　129, 130, 133, 135, 160,
400, 407, 411 209, 218, 346
SFM, scanning force microscope　掃描力顯微 silencer　消音器　432
（microscopy）鏡（術）　422, 423 silicon nitride, Si3N4　氮化矽　156
SFQR, site flatness quality requirement　位置 silicon source　矽源　74
平坦度品質要求　382 silicon trench　矽溝槽　276
SG, silicate glass　矽酸鹽玻璃　327 silicon wafer　矽晶圓　429
shallow junction　淺接面　142, 160, 345 SiLK　陶氏化學（Dow Chemical）註冊商品
Sharp　夏普（公司）　323, 371, 372, 457 名，芳香族碳氫化合物　71, 73, 82, 85,
shear stress　剪應力　61 86, 88, 97, 100
sheath　鞘　268, 283, 293, 306 siloxane　矽氧烷　327
sheath potential　鞘電位　293 silsesquioxane　矽酸鹽　72
sheet resistance　片電阻　128, 131, 161, 223, silyation　矽植入，矽化　9, 45, 239
225, 327 SIMS, secondary ion mass spectrometer　二次
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索　引 501
離子質譜儀　121 掃描馬氏應力顯微術　423
Sing Ti Technology　新台科技（公司）　35 SN, storage node　儲存節點　107, 108, 109,
single atom switch　單原子開關　408 111, 112, 332, 343
single crystal　單晶　203 SNOM, scanning near field optical microscopy
single electron effect　單電子效應　412 掃描近場光學微影術　423
single electron tunneling　單電子穿隧　411 SOC, system on chip　完整系統在一晶片之
single pass　單循環　439 上　340
single poly Si gate　單一多晶矽閘極　126 SOD, spin on deposition　旋轉塗佈沉積　69,
sinter, sintering　燒，燒結　112, 116, 137, 72, 73
138, 333, 406 soft bake　軟烘烤　4, 47
sintering temperature　燒結溫度　405 soft error　軟性錯誤　333
SiOC　摻碳的二氧化矽　80 soft x-ray　軟X射線　20
SiOF　摻氟的二氧化矽　75, 76, 77, 78 software　軟體　392, 448
Si-plug　矽栓塞　371 SOI, silicon on insulator　矽在絕緣物上　
size　尺寸　325 139, 140, 143, 145, 326, 417
skin depth　集膚深度　296 solar cell　太陽電池　407
SKPM, scanning Kelvin probe microscopy　掃 solenoidal　螺線形的　294
描凱氏探針顯微術　423 sol-gel　溶膠－凝膠　79, 116, 119, 407
slicing　切片　382, 383 solid particle　固體粒子　187
slot antenna　溝槽天線　290 solid solubility　固體溶解度　161, 395, 396
sludge　污泥　257, 261 solid solution　固體溶液　107, 113, 247, 248
slurry　研磨材料，研漿，研磨液　69, 211, solid state detector　固態偵測器　389
250, 252, 260, 383, 406 Solid State Technology　固態科技（期刊）　
small size effect　小尺寸效應　403 40, 74, 75, 221, 225
smart card　智慧卡　370 solubility　溶解度　42
smart media　聰敏型媒體　350 solute　溶質　247
smartphone　聰敏型電話　350, 370 solvent　溶劑　46
SMIF, standard mechanical interface　標準機 sonar　聲納　402
械介面　30, 431, 440, 441, 443 source　源極　355
SMM, scanning Maxwell stress microscopy　 source line, SL　源極線　361, 362, 363
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502 VLSI 概論
space charge　空間電荷　395 掃描穿透顯微鏡（術）　417, 419, 422,

space charge polarization　空間電荷極化　62 423, 424
spacer　間隔物，邊襯　128, 130, 162, 276, spontaneous polarization　自發偏極化　104
346, 347, 450 spray pyrolysis　噴霧熱分解　407
spare parts　備用零件　381 SPT, substrate plate trench　基座板溝渠　329,
SPC, statistical process control　統計的製程 330, 333, 334
管制　396 sputter clean　濺擊清潔　136, 188
special gas　特殊氣體　445, 446, 447 sputter deposition　濺鍍　202
specific heat　比熱　177, 406 sputter etch　濺擊蝕刻　121
specific resistance　比電阻　333 sputtering　濺鍍　132, 153, 181, 186, 219
specific surface area　比表面積　405 sputtering deposition　濺鍍　133
specification　規格　27, 383 sputtering target　濺鍍靶　381
specimen　樣品　420 sputtering yield　濺擊產出率　182
spectral reflectance　反射光譜法　154 square wave generator　方波產生器　155
spectral reflectrometer　頻譜反射儀　54 SRAM, static random access memory　靜態隨
spectrograph　光譜儀　310 機存取記憶體　176, 202, 204, 205, 323,
spice　物種　132 324, 344
spike　尖突　176 SRO, silicon rich oxide layer　富矽氧化層　
spike annealing　瞬間退火　161 356
spin　自旋　403 SRO, SrRuOx　氧化鍶釕　103, 110, 111, 343,
spin coating　旋轉塗佈，旋覆鍍膜法　50, 371, 372
79, 119, 407 SR-x ray, synchrotron radiation x-ray　同步加
spin on　旋塗　116 速器輻射X射線　20
spin on glass, SOG　旋塗玻璃　159, 327, 348 SSR, smart spray rinse　智慧型噴灑清洗　
spin-on coating　旋塗　60, 66, 75 390
spiral　螺線（旋）　279 ST Microelectronics　意法（公司名）　27,
split bit-line　分割位元線　365 323
split channel　分隔通道　358 stabilizer　安定劑　227, 231
split gate　分割閘極　352 stacked　堆疊式　142, 343, 349
SPM, scanning probe microscope (microscopy) stacked gate memory　堆疊式閘記憶體　349
或來電(02)2705-5066
索　引 503
stainless steel　不鏽鋼　446, 448 STO, SrTiO3　鈦酸鍶　107

standard deviation　標準偏差　39, 74, 189 stocker　倉庫　445
Standford University　史丹福大學　403 stoichiometry　化學計量，化學組成　113,
standing wave　駐波　4, 7, 49 118, 132, 223
static magnetic field　靜磁場　284, 293 stoichiometry ratio　計量比　116, 223
static pressure　靜壓　435 stop　光闌　12
STC, stacked capacitor　堆疊電容　326, 327, stopper　阻絕層　346
328, 329, 330, 331 stopping layer　停止層　251
STEM, scanning tunneling electron microscopy storage　儲存，儲存器　325, 410
掃描穿透電子顯微術　418 strain　應變　104
stencil　圖規　35, 36 stress migration　應力遷移　202, 255
step and scan　步進掃描　4, 23 stress migration resistance　抗應力遷移　76,
step annealing　階段性退火　41 175
︵ㄐㄧㄤ︶
step coverage　梯楷覆蓋　69, 138, 174, 181, S-triazine derivative　S-三 ˇ
衍生物　43
206, 215, 219, 224 stripping　去除（光阻），清除　64, 386
stepper　步進照像機，步進器　4, 13, 23, 24, strong electrolyte　強電解質　452
29, 420, 432, 457 structure coefficient　結構係數　330
stepping motor（或step motor, stepper motor） styrene　苯乙烯，C6H5(C2H3)　46
步進馬達　291 sub-atmospheric CVD　次大氣壓CVD　159
STG, surface tension gradient　表面張力梯度 substrate　基座，基板　166, 284, 292, 356
316 substrate bias　基板偏壓　90
STHM, scanning thermal microscopy　掃描熱 substrate engineering　基板工程　164
顯微術　423 subsurface　次表面　253
STI, shallow trench isolation　淺溝渠隔離　 subthreshold swing　次臨限擺幅　127, 168
129, 130, 133, 139, 140, 156, 159, 168, Sumitomo　住友（公司）　275, 277
209, 210, 276, 327, 330, 332, 334, 335, super clean room　超潔淨室　432
337, 338, 339, 342, 348 super computer　超級電腦　410
STM, scanning transmission microscope super filling　超填充　233, 236
(microscopy)　掃描穿透顯微鏡（術）　 supermagnetic　超磁　406
408, 418, 420, 421, 422, 423 supersonic　超音波　388
或來電(02)2705-5066
504 VLSI 概論
︵ㄊㄤ︶
surface and boundary effect　表面和界面效應氧基羰基氧　44, 45
403
t-butyl ester　叔（第三）丁基酯　44
surface channel　表面通道　126, 130, 139
TCP, transformer coupled plasma　變壓器偶
surface migration　表面遷移　184
合電漿　269, 271, 275, 297, 302
surface modification　表面改質　79
TDDB, time dependent dielectric breakdown　
surface morphology　表面形貌　336
時效介電崩潰　120, 155
surface roughness　表面粗糙度　253
TDEAT, Ti[N(C 2H 5) 2] 4　四二乙烷基胺鈦　
surface tension　表面張力　316
195, 197
surfactant　界面活性劑　227, 232, 233, 236
TDMAT, Ti[N(CH3)2]4　四二甲基胺鈦　195,
SVG, Silicon Valley Group　矽谷群（公司
197
名）　23
TDS, thermal desorption spectrometer　熱脫附
SVGL, Silicon Valley Group Lithography　矽
質譜儀　90, 97
谷群微影照像（公司名）　23
TEAA, tri ethyl amine aluminum　三乙基胺氫
swing effect　擺動效應　50, 52
化鋁　198, 199
switch　交換機　341
TEAl, (C2H5)3Al　三乙烷基鋁　198
Symposium on VLSI Technology　VLSI科技
technology node　技術節點　393
研討會　151
TED, transient enhanced diffusion　暫態加強
synchrotron radiation　x-ray　同步加速器輻
擴散　161, 162, 395
射X射線　20
teflon　鐵弗龍　72, 86, 88, 89, 92, 95
system LSI　系統大型積體電路　430
teflon-AF　摻氟的鐵弗龍　72, 92
T teflon-FEP, tetra fluoro ethylene-hexa fluoro
propylene copolymer　四氟乙烯－六氟
Tafel region　塔伏區　234
丙烯共聚高分子　92
Taiwan Mask　台灣光罩（公司）　35
teflon-PFA, tetra fluoro ethylene-per fluoro
TALK, Taiwan low k　臺灣低介電常數　79
methoxy ethylene copolymer　四氯乙
taper　錐形　121
烯－過氟甲氧乙烯共聚高分子　92
TARC, top anti-reflection coating　頂層抗反
TEFS, tri ethoxy fluoro silane　三乙烷基氧矽
射覆蓋　50, 52
甲烷　76, 77, 78
target　靶　116, 181
Tegal　德高（公司）　273, 275
t-BOC, t-butoxyl carbonyloxy　叔（第三）丁
或來電(02)2705-5066
索　引 505
TEM, transmission electron microscope　穿透 thermal nitridation　熱氮化　142

電子顯微鏡　219 thermal pyrolysis　熱裂解　226
TEMAT, Ti[N(CH3)C2H5]4　四甲基乙烷基胺 thermal resistivity　熱阻率　175
鈦　195 thermal stability　熱穩定性　96
Tenri　天理（地名）　457 thermal stress　熱應力　96, 255
tensile modulus　張力模數　62 thermal velocity　熱速度　271
tensile stress　張力應力，拉伸應力　91, 96, thermocouples　熱電偶　300
250 thermolysis　熱分解　95
︵ㄋㄞ︶
︵ㄈㄨ︶
TEOS, tetra ethoxysilane, Si(OC2H5)4　四乙烷 THF, tetra hydrofuram, C4H8O　四氫喃 ˊ
基氧矽甲烷，四乙烷基矽酸鹽，正矽酸
117, 119
乙酯　76, 77, 79, 159, 348
thickness　厚度　325
TEOS-O 3 　四乙烷基氧矽甲烷－臭氧　77,
thin film thermocouples　薄膜熱電偶　310
78, 327, 339
thiol　硫醇　408
tera　太（1012）　446
threshold voltage　臨限電壓　73, 126, 166,
test wafer　測試晶圓　390
354, 360, 395
tetra methylsilane　四甲基矽烷　80
threshold voltage adjustment　臨限電壓調整
tetraglyme　四甘醇三甲醚　117
126, 169
texture　織構　217
threshold voltage drift　臨限電壓漂移　143,
THD, C11H19O　一種有機物團機　119
437
thermal anneal　熱退火　203
thrombosis　血栓　401
thermal budget　熱預算　83, 127, 141, 168,
throttle valve　調壓器，節流閥　287, 289
330
throughput　產率，量產能力　7, 278
thermal conductivity　熱導率　61, 79, 255
thyratron　閘流管　27
thermal CVD hydrocarbon　熱CVD碳氫　72
TI, Texas Instruments　德州儀器（公司）　
thermal cycle　熱循環　74, 96
146, 157, 203, 323, 336, 337, 457
thermal disproportionation　熱裂解不對稱反
TIBA, triisobutylaluminum, (C4H9)3Al　三異
應　226
丁基鋁　198
thermal energy　熱能　413
time effect　時效　120
thermal expansion coefficient　熱膨脹係數　
TMAA, trimethylamine alane　三甲基胺氫化
41, 85
或來電(02)2705-5066
506 VLSI 概論
鋁　198, 199 toughness　韌性　80, 406

TMAAB, trimethylamine alaminaborane　三甲 TOX, tunnel oxide　穿透氧化層　350
基胺鋁硼　198 toxic by product　有毒的副產物　41
TMAH, tetra methyl ammonium hydroxide, toxic gas detection system　毒氣偵測系統　
(CH3)4NOH　四甲基氫氧化銨　5, 436 446
TMAl, trimethylaluminum, (CH3)3Al　三甲基 trace amount　痕量　445
鋁　198 track　軌道　27
tmhd, tetra methyl hexamethy lene diamine　 tracker　軌道機　381
四甲基六亞甲基二胺（一種有機團基） trade mark　註冊商標　94
117 transconductance　互導　166
TMP, turbo molecular pump　渦輪分子泵　 transducer　轉能器　446
222, 269, 287 transition metal　過渡金屬　178
tmvs, tri methyl vinyl silane　三甲基乙烯基矽 transmission gate, TG　傳送閘　332
甲烷　226, 237, 238, 240, 241, 256 transmission line　傳輸線　281, 287
TOC, transistor over capacitor　電晶體在電容 transmit　穿透　282
器之上　329, 330 transmittance　穿透率　53
tolerance　公差　9 transparent conductor　透明導體　103, 110,
toluene　甲苯，C6H5(CH3)　61, 437 371, 373, 406
Tonami　礪波（地名）　457 transport　傳送　187
topography　地形　8, 45, 50 transverse electric field　橫向電場　293
Toppan Chunghwa Electronics　中華凸版（公 transverse magnetic field　橫向磁場　293
司）　35 TRC, trench capacitor　溝槽電容　326, 328,
torr　托爾　42, 117, 119, 152, 198, 279, 281, 329, 330, 331
283, 288 trench　溝槽　202, 210, 211, 214, 343
torsion fatique strength　扭轉疲勞強度　114 triazine　三聚氰胺，蛋白精，C3H6N6　43
Toshiba　東芝（公司）　103, 110, 146, 157, Trikon　一公司名　272, 275
323, 372, 457 trillion　兆（1012）　410, 435
total engineering system　綜合技術系統　432 trillion bit　兆位元　410
touch fluorescent screen　觸摸式螢光幕　387, trimethyl phosphine, PMe3　三甲基氫化磷　
406 237
或來電(02)2705-5066
索　引 507
trimethyl silane, SiH(CH3)3　三甲基矽烷　80, U

436
UC Berkeley　加州大學柏克來分校　11
triode　三極式　273
UCB Chemical Complay　一公司名　46
Triton X-100　曲拉通（一種界面活性劑）　
UHV, ultra high vacuum　超高真空　336
227
UHV CVD, ultra high vacuum CVD　超高真
TSCA, toxic substance control act　有毒物管
空CVD　143
制條例　258, 260
ULPA f ilter, ultra low penetration air filter　超
TSI, top surface image　頂層成像，表面成像
低穿透空氣過濾器　428, 433, 434, 435,
技術　11, 12, 40, 46
437, 440, 441
T S I A , Ta i w a n S e m i c o n d u c t o r I n d u s t r y
ULSI, ultra large scale integrated circuits　極
Association　台灣半導體工業協會　21
大型積體電路　1, 2, 7, 11, 35, 59, 64, 66,
tsunami　海嘯　454
67, 68, 73, 74, 75, 76, 84, 88, 93, 120, 126,
TTL, through the lens　穿過透鏡　16, 18
129, 131, 132, 166, 174, 175, 176, 178,
tungsten filament　鎢絲　30
179, 180, 181, 182, 186, 198, 202, 205,
tungsten halogen lamp　鎢鹵素燈　354
208, 215, 229, 278, 310, 326, 327, 400,
︵ㄊㄤ︶
tungsten hexacarbonyl　六羰基鎢，W(CO)6

439
190
ultra filtration　限外過濾　258, 448
tungsten lamp　鎢燈　389
ultra pure water　超純水　315, 387, 388, 390,
tunnel junction　穿透性接面　411, 412
448
tunnel oxide, TOX　穿隧氧化層　350
ultra violet, UV　紫外光　19, 42, 54, 437
tunneling current　穿隧電流　419
ultralow energy, ULE　極低能量　395
tunneling effect　隧道效應　403
ultrashallow junction　極淺接面　393, 395,
︵ㄨㄣ︶
turbulence　紊 ˋ 流，亂流　439 398

turbulence flow　亂流　441
ultrasonic　超音波　151, 388
turn table　轉盤　386
Ultratech　精微超科技（公司名）　24
turn-around time　移轉期　390
UMC, United Microelectronic Corp.　聯華電
twin-well　雙井　374
子（公司名）　205
two step anneal　兩階段退火　136
under cut　底切　7, 249, 294
TXRF, total x-ray reflection fluorescence　全
uni-directional flow　層流　441
反射X射線螢光　253
或來電(02)2705-5066
508 VLSI 概論
uniformity　均勻性　304 213, 214, 236, 276, 348

University of California　加州大學　409 via poisoning　介質窗毒化　70
University of Wisconsin　威斯康辛大學　411 virus　病毒　409
uptime　正常操作時間　29 VLSI, very large scale integrated circuits　超
utility　廠務設施　428 大型積體電路　2, 92, 137, 151, 428
utilization　使用率　391 void　空隙，空缺　235, 237
UV index　紫外線指數　255
W
UV irradiation　紫外光照射　350
UV radiation　紫外線輻射　167 wafer　晶圓　2, 4, 25, 380, 393
UV sterilization　紫外殺菌　448 wafer carrier　晶圓載具　392
wafer cassette　晶圓盒　392
V
wafer cleaning　晶圓洗淨　314, 384
vacuum chuck　真空吸盤　302 wafer drying　晶圓乾燥　315
vacuum pump　真空泵　446 wafer reclaim　晶圓回收　260, 386, 390
vacuum pumping system　真空抽氣系統　 wafer stocker　晶圓存放庫　441
181 warp　翹曲　383
vacuum UV, VUV　真空紫外光　19, 20 water polishing　練水　449
valence band　價電帶　139, 364 water supply plant　自來水廠　458
valve　閥　92, 240, 288, 446, 447 wavefront　波前　29
van der Waals force　凡得瓦力　3, 316, 421 waveguide　波導（管）　47, 281, 287
vapor phase cleaning　氣相洗淨　390 weak electrolyte　弱電解質　452
vapor pressure　蒸氣壓　114 well　井　357
VDP, vapor deposition polymerization　蒸氣 West Pacific　西太平洋　453
沉積高分子化　95 wet bench　濕化學站　314
vector scan　向量掃描　35 wet etching　濕式蝕刻　249
velocity　風速　440 wet station　酸洗槽，濕化學槽　439
vertical laminar flow, VLF　垂直層流　430, wetting　潤濕　233
438, 439 wetting layer　潤濕層　183, 226
via　貫穿孔，孔洞　39, 68, 76, 79, 181, 182, whistler wave　嘯聲信號波　271
188, 189, 190, 202, 204, 207, 209, 210, window　視窗　304
或來電(02)2705-5066
索　引 509
WIP, work in process　在製品　153, 392, 393, x-ray photoelectron spectrometer, XPS　X射線

444 光電子譜儀　53, 96, 121
wire saw　線鋸　383 x-ray resist　X射線阻劑　45
W/L, width/length　寬長比　355 XRD, x-ray diffractometer　X射線繞射儀　
word line　字元線　325, 326, 328, 346, 354, 121, 223, 227
358, 362, 363, 373, 375, 376 xylene, C6H5(CH3)2　二甲苯　5, 91
work function　功函數　111, 130, 139, 144
Y
work station　工作站　410
workcell　工作單元　27 Y1　鉭酸鉍鍶，SBT　113
W-plug　鎢栓塞　68, 76, 178, 186, 190, 209, Yamaguchi　山口（地名）　457
212, 343 yellow room　黃光室　212, 214, 381, 447
write in　寫入　361 yellow room process　黃光室製程　212
yield　良品率　76, 381, 391, 392, 428
X
yield strength　屈服強度　406
xerogel　乾凝膠　79 Yokkaichi　四日市（地名）　457
XPS, x-ray photoelectron spectroscope　X射線 Young's modulus　楊氏模數　96, 177, 207
光電子譜儀　121
Z
x-ray　X射線　19, 36
x-ray diffraction　X射線繞射　219, 225 Zeta　剪面，一設備型式　386
x-ray lithograply　X射線微影照像　21, 40 zeta potential　剪面電位　253, 314
x-ray mask　X射線光罩　37 ZTT, ZrSnTiOx　鈦酸錫鋯　103
或來電(02)2705-5066
VLSI概論／張勁燕編著. －－一版.－－臺北
市：五南, 2008.12
　面；　公分
含參考書目及索引
ISBN 978-957-11-5245-5 (平裝)
1.積體電路
448.62 97010412
5DA4
VLSI概論
作　　者 ─ 張勁燕(214.1)
發行人 ─ 楊榮川
總編輯 ─ 龐君豪
主　　編 ─ 穆文娟
責任編輯 ─ 蔡曉雯
封面設計 ─ 簡愷立
出版者 ─ 五南圖書出版股份有限公司
地　　址：106台北市大安區和平東路二段 3 3 9 號 4 樓
電　　話：(02)2705-5066　　傳　　真：(02)2706-6100
網　　址：http://www.wunan.com.tw
電子郵件：wunan＠wunan.com.tw
劃撥帳號：0 1 0 6 8 9 5 3
戶　　名：五南圖書出版股份有限公司
台中市駐區辦公室/台中市中區中山路6號
電　　話：(04)2223-0891　　傳　　真：(04)2223-3549
高雄市駐區辦公室/高雄市新興區中山一路290號
電　　話：(07)2358-702　　傳　　真：(07)2350-236
法律顧問　元貞聯合法律事務所　張澤平律師
出版日期　2 0 0 8 年 1 2 月一版一刷
定　　價　新臺幣 6 5 0 元
※版權所有．欲利用本書內容，必須徵求本公司同意※
或來電(02)2705-5066

VLSI概論 Introduction to Very Large Scale Integrated Circuits

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VLSI概論 Introduction to Very Large Scale Integrated Circuits

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矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米（deep submicron meter），經歷幾個

第 3 章 高介電常數材料製程. .......... 101

第 4 章 閘極工程技術. ................ 125

第 5 章 金屬連線技術. ................ 173

第 6 章 銅製程. ...................... 201

第 8 章 半導體記憶體元件. ............ 321

第 9 章 十二吋晶圓. .................. 379

第 10 章 半導體奈米元件. ............. 399

第 11 章 廠務設施. ................... 427

在矽晶圓上製作超大型積體電路（VLSI, very large scale integrated circuits）每

ULSI（ultra large scale

loss）或輻照傷害（irradiation damage），有高數值孔徑（numerical aperture）、無

0.001∼0.004 cm-1，氟化鈣的吸收係數為0.002∼0.0005 cm-1。在157奈米，氟化鈣的

0.35 μm 0.25 μm 0.18 μm 0.15 μm 0.13 μm 0.10 μm

ArF 0.46 0.40

1997 1999 2001 2003 2006

照射（off axis illumination, OAI）和光學近接校正（optical proximity correction,

近接效應（proximity effect）是電子束微影照像（e-beam lithography）中決定

鉻膜 嵌附層 (b) 電子束

0階 +1階 -1階 +1階

0.01 0.1 1 10 100 200 300 400 500

1T1C, one transistor one capacitor 一個電晶 a-C：H, hydrogenated amorphous carbon 含

85, 91, 92 alpha particle α粒子，氦 333

anion 陰離子 104, 436, 449, 451 arc discharge 電弧放電 395

B BEOL, back end of line 後段製程 111, 326,

4, 315 buffer layer 緩衝層 110, 339

bubbler 氣泡瓶 195 carbonyl 羰 基 60, 94, 190

buffer 緩衝（劑） 230 carboxylate 羧 酸有機鹽 114

carrier depletion effect 載子空乏效用 130 310

clean tunnel 潔淨通道 431 collector 收集層 309

contact window 接觸窗 190 CPU, central processing unit 中央處理單元

CVD, chemical vapor deposition 化學氣相沉 data retention 資料保存 369

detector 偵測器 54, 155 diffusion barrier 擴散阻障層 66, 68, 69,

diazo naphthoquinone (DNQ) 重氮 ˋ dimethyl silane 二甲基矽甲烷 80, 82

dissociation 解離 193, 278 DRAM, dynamic random access memory 動

（公司） 35 edge exclusion 邊緣失效（浪費） 302,

electrolyte 電解液 226 electron temperature 電子溫度 306

encode 編碼 354, 364 310

的聚芳烯醚 71, 72, 82, 85, 86, 87, 94, footprint 足跡，底面積 392, 398

氟化三丙烷氧基矽甲烷 77 gate control, GC 閘極控制 333

grey room 灰室（次潔淨室） 27 HCM, hollow cathode magnetron 凹狀（中

hexa ﬂuoroarsenate 六氟砷酸鹽 43 hot electron 熱電子 360

Me=CH3) 六甲基二矽氧 52 hydroxyl group 羥 基，氫氧基 239

電漿 160, 176, 269, 271, 273, 276, 296, infrared, IR 紅外光 48

intrinsic 本質的 141 ion stream 離子流 277

136 lapping 研磨 382, 383, 384

126, 345, 346 Liverpool University 利物浦大學 408

microwave resonant cavity 微波共振腔 151 modulator 調變器 54

鹽 61, 72, 80, 81, 82, 83, 86, 97 nano cluster 奈米團簇 407

389 NOR 反或 354, 361, 362, 364, 365, 367,

NMP, n-methyl 2 pyrrolidone 正甲基2 ˋ 咯 ˊ 184, 224, 232

啶 C5H9NO 85, 93, 315, 436

擴散 161 organic donor ligand 有機施子團基 240

onium salt 鹽 42, 43 72, 80

150, 179, 327, 331, 353 120, 202

phase shifter 相移器 112 pinch off 封住 236

聚 ˋ 95 polyvinyl phenol 聚乙烯酚 45

polyamic acid 聚醯 酸 93 potential well 電位井 310

polyhydroxy stynene, PHS 聚羥 苯乙烯 power transistor 功率電晶體 204

polyimide 聚亞醯 胺 41, 72, 85, 92, 303, 438, 452, 459

polynaphthalene -F 摻氟的聚 ˋ 72, 95 ppma, parts per million atom 以原子計算百

ppt, parts per trillion 一兆（1012）分之幾 process gas 製程氣體 445

TEOS 240, 242 quantum dot 量子點 403, 408, 411, 412,

第 3 章　高介電常數材料製程. .......... 101

第 4 章　閘極工程技術. ................ 125

第 5 章　金屬連線技術. ................ 173

第 6 章　銅製程. ...................... 201

第 8 章　半導體記憶體元件. ............ 321

第 9 章　十二吋晶圓. .................. 379

第 10 章　半導體奈米元件. ............. 399

第 11 章　廠務設施. ................... 427

鉻膜嵌附層 (b) 電子束

1T1C, one transistor one capacitor　一個電晶 a-C：H, hydrogenated amorphous carbon　含

85, 91, 92 alpha particle　α粒子，氦　333

anion　陰離子　104, 436, 449, 451 arc discharge　電弧放電　395

B BEOL, back end of line　後段製程　111, 326,

4, 315 buffer layer　緩衝層　110, 339

bubbler　氣泡瓶　195 carbonyl　羰基　60, 94, 190

buffer　緩衝（劑）　230 carboxylate　羧酸有機鹽　114

carrier depletion effect　載子空乏效用　130 310

clean tunnel　潔淨通道　431 collector　收集層　309

contact window　接觸窗　190 CPU, central processing unit　中央處理單元

CVD, chemical vapor deposition　化學氣相沉 data retention　資料保存　369

detector　偵測器　54, 155 diffusion barrier　擴散阻障層　66, 68, 69,

diazo naphthoquinone (DNQ)　重氮 ˋ dimethyl silane　二甲基矽甲烷　80, 82

dissociation　解離　193, 278 DRAM, dynamic random access memory　動

（公司）　35 edge exclusion　邊緣失效（浪費）　302,

electrolyte　電解液　226 electron temperature　電子溫度　306

encode　編碼　354, 364 310

的聚芳烯醚　71, 72, 82, 85, 86, 87, 94, footprint　足跡，底面積　392, 398

氟化三丙烷氧基矽甲烷　77 gate control, GC　閘極控制　333

grey room　灰室（次潔淨室）　27 HCM, hollow cathode magnetron　凹狀（中

hexa ﬂuoroarsenate　六氟砷酸鹽　43 hot electron　熱電子　360

Me=CH3)　六甲基二矽氧　52 hydroxyl group　羥基，氫氧基　239

電漿　160, 176, 269, 271, 273, 276, 296, infrared, IR　紅外光　48

intrinsic　本質的　141 ion stream　離子流　277

136 lapping　研磨　382, 383, 384

126, 345, 346 Liverpool University　利物浦大學　408

microwave resonant cavity　微波共振腔　151 modulator　調變器　54

鹽　61, 72, 80, 81, 82, 83, 86, 97 nano cluster　奈米團簇　407

389 NOR　反或　354, 361, 362, 364, 365, 367,

NMP, n-methyl 2 pyrrolidone　正甲基2 ˋ 咯 ˊ 184, 224, 232

啶 C5H9NO　85, 93, 315, 436

擴散　161 organic donor ligand　有機施子團基　240

onium salt　鹽　42, 43 72, 80

phase shifter　相移器　112 pinch off　封住　236

聚 ˋ 　95 polyvinyl phenol　聚乙烯酚　45

polyamic acid　聚醯酸　93 potential well　電位井　310

polyhydroxy stynene, PHS　聚羥苯乙烯　 power transistor　功率電晶體　204

polyimide　聚亞醯胺　41, 72, 85, 92, 303, 438, 452, 459

polynaphthalene -F　摻氟的聚 ˋ 　72, 95 ppma, parts per million atom　以原子計算百

ppt, parts per trillion　一兆（1012）分之幾　 process gas　製程氣體　445

TEOS　240, 242 quantum dot　量子點　403, 408, 411, 412,

raw water　原水　450 refractive　折射的　23

resonance coupling　共振偶合　278 RTA, rapid thermal anneal　快速熱退火　116,

saturation　飽和　107, 308 scribe lane　切割巷道　25

self oxidation-reduction　自身氧化還原　230 short channel effect　短通道效應　127, 129,

space charge　空間電荷　395 掃描穿透顯微鏡（術）　417, 419, 422,

stainless steel　不鏽鋼　446, 448 STO, SrTiO3　鈦酸鍶　107

TEM, transmission electron microscope　穿透 thermal nitridation　熱氮化　142

鋁　198, 199 toughness　韌性　80, 406

trimethyl silane, SiH(CH3)3　三甲基矽烷　80, U

tungsten hexacarbonyl　六羰基鎢，W(CO)6

turbulence　紊 ˋ 流，亂流　439 398

uniformity　均勻性　304 213, 214, 236, 276, 348

WIP, work in process　在製品　153, 392, 393, x-ray photoelectron spectrometer, XPS　X射線