1

G ELEKTRON
Do. Dr. Nurettin ABUT
Kocaeli niversitesi
Mhendislik Fakltesi
Elektrik Mhendislii Blm

G
ELEKTRON
Do. Dr. N. ABUT
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON GENEL KAPSAM
2
BLM-2
YARILETKEN DEVRE ELEMANLARI
2.1.YARILETKEN
Jn=ATe-B/T |A/cm2| (2.1)
A:Katot malzemesine bal bir katsay,
T: Katot yzeyinin mutlak scakl |K|,
B=e.W/K eklinde malzemeye bal bir sl katsay olup
e=1,6x10-19 |C| olarak elektronun yk,
W=16 [eV] deeri arasnda k enerjisi,
K=1,38x10-23 |Joule/K| olarak Boltzmann sabitidir.
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON YARILETKENLER
3
YARILETKEN DEVRE ELEMANLARI
2.1.YARILETKEN
foto elektronik emisyon
Wp=hf=hc/ |Joule| (2.2)
Wp:Bir fotonun tad enerji,
h: 6,62x10-34 |Joule.s| olarak Planc sabiti,
f:Elektro magnetik dalgann frekans |Hz|,
:Dalga boyu |m|,
c: 3x108 |m/s | olarak k hzdr.


Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON YARILETKENLER
4


























Valans
elektronlar

Kovalent
balar

Silisyum
iyonlar
(Si 4+)
ekil 2.1.Bir yariletken
malzemede valans
elektronlar.

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON YARILETKENLER
5
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON YARILETKENLER
























Serbest
elektron
Krlan
kovalent ba
Valans
elektronlar

Kovalent
balar

Silisyum
iyonlar
(Si 4+)
Oyuk
ekil 2.2.
Bir silisyum
kristalinde bozulan
kovalent ba ve
serbest elektron
6
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON YARILETKENLER














ekil 2.3.Bir silisyum kristalinde oyuklarn hareketi
Kovalent ba
bozulmu iyonlar
Kovalent bal
iyonlar
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
(a)
(b)
(c)
(d)
7
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON YARILETKENLER























Kovalent
balar
Antimon
iyonu 5+
Valans
elektronlar

Silisyum
iyonlar
(Si 4+)
Serbest elektron
ekil 2.4.
ine antimon konmu
bir silisyum kristali
8
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT















ekil 2.5. p-n eklem diyotu (a)pn eklemi yaps, (c)iletime.
Negatif (alan) eklem Pozitif (veren)
iyon iyon





uyb



p n
oyuk (a) elektron

V
u
volt
x
x
n

x
p

0
(c)
9
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT












(b)
K
A
K
A
Metal
tabakalar
(d)
I
A

V
p n
(e) I
S

n p
V
ekil 2.5. p-n eklem diyotu
(d)iletime, (d)kesime
kutuplanmas.


10
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT
Yaylm oyuk-akm younluu J
p
;
(2.4)

eklinde tanmlanabilir.
Burada;
Dp:oyuklar (elektronlar iin Dn) iin difzyon sabiti |m2/s| dr. Toplam
oyuk akm veya difzyon akm;
| |
2
/ m A
dt
dp
D e J p p =
11
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT
Toplam oyuk akm veya difzyon akm;
(2.5)

dr. Burada;

p
: oyuk hareket kabiliyeti |cm
2
/Vs|
Genel anlamda bir iyonun hareket kabiliyeti olan ; v,
hz |cm/s| ve c, elektriksel alan |V/cm| olmak zere 1
[V/cm]lik bir elektriksel alanda, bu iyonun
kazanabildii =v/c hzdr.
| |
2
/ m A
dt
dp
D e p e J p
p
p = c
12
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT
Toplam elektron akm ise;

(2.6)

olur. Burada;
n
: elektron hareket kabiliyeti |cm
2
/Vs| dr.
(Silisyum eklemi iin 300 |K| de 1500 |cm
2
/Vs|, germanyum iin
ise yaklak 3900 |cm
2
/Vs| deerindedir). Her zaman,
n
>
p
dr.
Eklem blgesinde, yk aknn ters ynnde, ekil 2.5.(c) de
grld gibi;

(2.7)
ile tanmlanabilen ve uzay yk blgesi potansiyeli de
denen bir gerilim oluur ve bir akm akar.
| |
2
/ m A
dt
dp
D e p e J p
p
p = c
] [ ln
2
V
n
N N
e
T K
V
i
D A J
(

=
u
13

T
1

T
2
T
1

T
2

scaklklardan
T
1
<T
2

Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT

+v
A
| V|
+i
A
| A|
v
A

-v
A

+i
A

0
(a)

(b)
+v
A
| V|
+i
A
| mA|
-i
A
| A|
0
-V
Z

I
s



14
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT























ekil 2.7.eitli diyotlarn fiziksel grnm ve balant u durumlar.
V
RRM

Renk kodu
Katot ular
Katot ular
Katot ular
(a)
(f) (d) (c)
(b)
(e) (g)
15
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT ve soutucu profili
16
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT
Diyot Denklemi; diyot iletime kutuplandnda,
teorik olarak;
(2.10)
eklinde bir akm akar. Burada; I
S,
diyot tkama
doyma akm |A|, V

:Diyotun iletime girmesini

salayacak eik gerilimi |V|, q: Yariletken malzemeye
bal bir sabit (Silisyum iin normal akmda q~2
alnabilir) tir.

( ) ] [ 1
/
A e I I
V V
S A
A
=

q
Diyot I
A
akm, yaklak;
(2.11)

eklinde deiir. V
A
>qV

ise, I
A
> 0 olur.
] [
/
A e I I
V V
S A
A
q
=
17
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT Edeer devresi
















ekil 2.9. (a)Uygulamada bir diyodun zerisi, (b)Diyot iletim
edeer devresi (iletim blgesindeki 1/R
f
eimli doru), (c)uyb kaak
akmlar gz nne alnarak oluturulan kesim edeer devresi
(kesim blgesinde 1/R
r
eimli doru ile ideale yakn diyot olarak lineer edeer zerisi).
+i
A
| mA|
+v
A
| V|
-vZ
-i
A
| A|
0,2 0,4 0,6 0,8
4

2
1 A
1/R
f
eimli
zeri
1/R
r
eimli
zeri
(a)
- 0,2
A

+ I
A
R
f

V
A

- +
(b) V

K -
A +


I
S
R
f



K (c)
18
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT Edeer devresi














ekil 2.10.(a)Diyot devresi, (b)yk dorusu, (c)herhangi bir
devre eleman edeeri.

(a)
V
S

V
A

I
A

R
V
x

V
S
i
x

R
Elektrik
devresi
(c)
(b)
+v
A
| V|
+iA | mA|
0
V
S
/R
Q
V
S

V
AQ

I
AQ

19
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON DYOT Edeer devresi
















ekil 2.11.(a)R sabit V
S
deiken, (b)V
S
sabit R deiken,
konumu iin diyot yk erileri
(b)
Q
1

Q
2

Q
3

Q
4

+v
A
| V|
+i
A
| mA|
0
V
S
/R
1

V
S

V
S
/R
2

V
S
/R
3

V
S
/R
4

R
1
<R
2
<R
3
<R
4

V
S1
/R
V
S3
/R
V
S4
/R
V
S2
/R
(a)
.+v
A
| V|
+i
A
| mA|
0
Q
4
V
S1

Q
3
Q
1
Q
2
V
S2
V
S3
V
S4

20
Dr.N. Abut KOCAEL NVERSTES MHENDSLK FAKLTES
G ELEKTRON GENEL KAPSAM
21
G Elektronii
Teekkrler!!