Rezistivitatea

Metodele de masurare cu contact constau in realizarea unor contacte metalice cu proba de

studiat, prin care aceasta este conectat la o sursa de curent continuu.
U = F**I, unde ro-rezistivitatea electrica, F o functie care depinde de forma si dimensiunile
probei si a contactelor.
A Metoda celor ! sonde, aceasta metoda se foloseste cand proba semiconductoare are o
forma "eometrica re"ulata, cu aria sectiunii transversale constanta si cunoscuta.
U = l*I*#s $ = U*s#I*l, unde U-diferenta de potential, s-suprafata sectiunii transversale a
probei, l-distanta dintre sonde.
Formula este valabila pt modelul liniar al trecerii curentului prin proba, fapt ce presupune un
"rad ridicat de omo"enitate a proprietatilor fizice si a dimensiunilor probei in lun"ul a%ei
probei. &rice abatere de la omo"enitate duce la deformarea suprafetelor ec'ipotentiale si
deci la aparitia unor erori sistematice. (roare poate fi adusa pana la valoare de ),*+ daca ,
-../b, 0b#!1=d1=b, l1=0-#!, de asemenea este necesar ca sondele sa fie plasate la
distanta de cel putin /b fata de e%tremitatile probei. 2rin aceasta metoda se pot determina
rezestivitati in limitele de 3)4-* si 3)4! 5m. 6ea7unsul acestei metode consta in necesitatea
realizarii unui bun contact o'mic intre electrozii de contact si proba studiata.
Mod de lucru $ de la o sursa de curent continua stabilizata, re"labila se trece un curent
electric de intensitate I constanta prin proba de studiat. Intensitatea curentului aplicat se
ale"e in asa fel incat tensiunea dintre sonde care este relativ mica sa poate fi masurata cu
suficienta precizie. 2e de alta parte intensitatea curentuui prin proba nu tre sa fie prea mare
pt a evita incalzirea probei prin efect 8oule. 2t ca rezistenta de contact a sondelor de
tensiune sa nu influenteze rezulatele masuratorilor, este indicat ca tensiune U sa se
masoare printr-o metode de compensare cu a7utorul unui potentiometru compensator de
precizie, sau un voltmetru electronic cu impendanta de intrare mare.
9 Metoda celor : sonde. Avanta7ele ecestei metode constau in , - nu necesita realizarea
unor conacte o'mice cu proba de studiat, - permite masurarea rezistivitatii unor probe
de forma sau dimensiuni nere"ulate, - perimte masurarea rezistivitatii unor probe
semiconductoare sub forma de straturi subtiri.
;onditia pe care trebuie sa o indeplineasca o proba pt a I se putea masura rezistivitatea prin
aceasta metoda este aceea de a prezenta o suprafata plana de dimensiuni liniare care sa
depaseasca dimensiunile liniare ale sistemului de sonde.
<0r = - inte"rala de la =infinit la r din 0*I#!pi*r4!dr = I#!pi*r,unde !pi*r4!-aria suprafetei
semisferice traversate de curent la distanta r de sonda.
<!=0I3:#!pi03#l3-3#l!>l/ ? </=0I3:#!pi03#l3>l!-3#l/ $ U!/=<!-</, daca distanta dintre sonde
este aceeasi $ = !pi*l*U!/#I3:
@aca sondele sunt in forma de patrat $ = 0!pi*l#!-radical din !*U/:#I3!
@aca probelor sub forma de strat subtire 0d#l1=),: $ = pi*d*U!/#ln!*Intensitate.