ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

CHAP VI : TTRANSISTORS A EFFET DE CHAMPP

I-

Prsentation

Les transistors tudis prcdemment sont appels bipolaires car les lectrons circulent dans des zones de
conductibilit diffrentes (une zone N et une zone P). Cependant les transistors effet de champ (ou TEC) sont des
transistors unipolaires car les lectrons circulent dans une zone de conductivit uniquement appel canal. Il existe
deux grandes familles de transistors effet de champ :
- Les transistors effet de champ jonction ou JFET (Jonction Field Effect Transistor)
- Les transistors effet de champs grille isol ou MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor).
II-

tude des JFET

II-1-

Structures et symboles
a- Le JFET canal N
-

Structure

Symbole

Drain (D)
D

Grille (G)

VDS

P
VGS

Source (S)

b- Le JFET canal P
-

Structure

Drain (D)

Symbole
D

G
Grille (G)

VDS

N
VGS

Source (S)

OUATTARA ALI

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

II-1-

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

Principe de fonctionnement

Pour obtenir le fonctionnement normal d'un JFET, la jonction Grille-Source doit tre polarise en inverse.
a- Cas du JFET canal N
On raccorde les deux extrmits Drain-Source du canal une tension positive VDS et les deux autres extrmits
Grille-Source une tension ngative VGS.
Si la tension VGS = 0, le canal est sa largeur totale. Les lectrons dans le canal peuvent circuler sur toute la
largeur du canal, de la Source vers le Drain. Ce qui donne naissance un courant ID circulant du Drain vers la Source.
Ainsi pour VGS = 0, le canal est moins rsistant au passage du courant : le courant ID est donc maximun.
Largeur total du canal

Lorsque la tension VGS devient ngative, la tension de grille ngative repousse les lectrons du canal vers le
centre. Cette pression tant exerce de part et dautre du canal, a pour effet de rtrcir le canal, donc d'en
augmenter la rsistance. Ce qui finalement va diminuer le courant ID.

Canal rtrci

Si la tension ngative VGS devient plus importante, on va avoir le pincement total du canal et le courant ID devient
nul.
Pincement total du canal

On conclut donc que cest l'effet du champ lectrique de la tension de grille que le courant de drain va tre rgl,
par augmentation de la rsistance du canal.
Remarque :
Ce type de transistor s'appelle JFET (Junction FET), transistor effet de champ jonction car il existe une
jonction formant une diode entre la grille et le canal.
La jonction Grille - Canal constitue une diode qui est polarise en inverse par la tension ngative GrilleSource (VGS). Le courant de Grille est donc nul (ou tout au plus un courant de fuite de quelques pA).
Dans le cas d'un JFET canal N, une tension positive sur la Grille cre un courant Grille - Source non dsir et
dangereux pour le transistor. Cette situation est donc viter.
OUATTARA ALI

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

b- Cas du JFET canal N

On raccorde les deux extrmits Source-Drain du canal une tension ngative VDS et les deux autres extrmits
Grille-Source une tension positive VGS.
Si la tension VGS = 0, le canal est sa largeur totale. Les trous dans le canal peuvent circuler sur toute la
largeur du canal, de la Source vers le Drain. Ce qui donne naissance un courant ID circulant du Drain vers la Source.
Ainsi pour VGS = 0, le canal est moins rsistant au passage du courant : le courant ID est donc maximun.
Largeur total du canal

Lorsque la tension VGS devient positive, la tension de grille positive repousse les trous du canal vers le centre.
Cette pression tant exerce de part et dautre du canal, a pour effet de rtrcir le canal, donc d'en augmenter la
rsistance. Ce qui finalement va diminuer le courant ID.

Canal rtrci

Si la tension positive VGS devient plus importante, on va avoir le pincement total du canal et le courant ID devient nul.
II-2-

Rseau de carctristiques
Caractristique de sortie ID = f(VDS) VGS = cste

Caractristique de transfert
ID =f(VGS) VDS = cste

(VGS< 0)

OUATTARA ALI

VGSOFF

IDSS

VP

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

IDSS : Valeur maxi du courant de drain. Il est obtenu pour VGS = 0 (court-circuit Grille-Source)
VP : Tension de pincement; c'est la tension VDS partir de laquelle le courant ID atteint IDSS et reste
constante. C'est aussi la tension VDS partir de laquelle la saturation commence.
VP = - VGSOFF et est obtenu pour VGS = 0

VGSOFF : C'est la tension de blocage. En faisant varier VGS trs ngativement, cest la valeur pour laquelle il y a
pincement total ou tranglement du canal ; ce qui donne le courant ID=0.
La caractristique de transfert obi la relation suivante :

V
ID = IDSS 1 + GS
VP

Comme VP = -VGSOFF , alors on galement

V
ID = IDSS 1 - GS
VGSOFF

On appelle pente du transistor note gm , la drive ponctuelle de ID par rapport VGS.

g m D I DSS
VGS
VGS

On note

VGS
I DSS
VGS
I DSS
VGS
1
1 +
ou bien gm = -2
1
gm = 2
VGSOFF VGSOFF
VP
VP
VP

gm0 = gm max = 2

I DSS
I
2 DSS
VP
VGSOFF

Il ressort alors que g m = g m0 1 +

III-

: pente maximale du transistor.

VGS
VGS

g m0 1 VP
VGSOFF

tude des JFET en rgime statique

Il sagit dtudier les montages de polarisation du transistor JFET.
III-1-

Polarisation automatique ou naturelle

Expression de la droite de transfert statique(DTS) : ID= f(VGS) ou VGS =f(ID)

RG IG VGS RS I D avec IG = 0 VGS = -R S I D

Expression de la droite de charge statique(DCS) : ID= f(VGS) ou VGS =f(ID)

VDS = VDD - R D + RS I D
Application numrique : on donne VDD=12V, RG=1M, RD=1K, RS=220. On donne que la tension entre la
source et la masse vaut 1,1V. Calculer le point de fonctionnement du transistor puis le placer sur le rseau de
caractristiques ci-dessous.

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

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IDSS

VGSOFF
III-2-

VP

Polarisation par pont de rsistance de grille

Par application du thorme de thevenin, le montage est quivalent :

R2
0
R1 R2
RR
R1 R2 1 2
R1 R2

avec ETH VSS

et

Expression de la droite de transfert statique(DTS) :

RTH

VGS = ETH - R S I D

Expression de la droite de charge statique(DCS) : VDS = VDD - R D + RS I D

OUATTARA ALI

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

IV-

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

tude des JFET en rgime dynamique

IV-1-

Schma quivalent en dynamique

Le JFET est command par la tension vgs, avec un courant dentre presque inexistant. Son modle dentre
est donc un circuit ouvet entre grille et source.
Le rseau de caractristiques de sortie du JFET est sensiblement identique au rseau de sortie du transistor
bipolaire. Il apparat logique que le modle petits signaux dun JFET soit le mme , ct sortie : source de courant
commande par vgs et rsistance dynamique de sortie trs elve.

La rsistance dynamique drain source est trs grande. On peut poser alors . Dans ce cas le schma quivalent
en dynamique devient :

IV-2-

Montage source commune

a- Schma quivalent en dynamique du montage

b- Analyse du montage

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

IV-3-

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

Montage drain commun

a- Schma quivalent en dynamique du montage

b- Analyse du montage
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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

IV-4-

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

Montage grille commune

c- Schma quivalent en dynamique du montage

d- Analyse du montage
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TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

EXERCICES
EXERCICE 1 :

EXERCICE 2 :

EXERCICE 3 :

EXERCICE 4 : Polarisation par source de courant

On considre IC IE et VBE = 0.6 V pour le transistor bipolaire.
Calculer le courant du JFET ainsi que sa tension de drain par rapport la masse.
RG = 10M , RD = 3,3K , RE = 4,7K , R = 15K

OUATTARA ALI

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