VISOKA KOLA ELEKTROTEHNIKE I RAUNARSTVA STRUKOVNIH

STUDIJA-VIER, BEOGRAD
STUDIJSKI PROGRAM: NOVE ENERGETSKE TEHNOLOGIJE
SPECIALISTIKE STUDIJE
PREDMET: UPRAVLJANJE ELEKTROENERGETSKIM PRETVARAIMA

IGBT - PREKIDA SNAGE

Predmetni profesor:
Dr eljko Despotovi, dipl.el.in

UVOD
Bipolarni tranzistor sa izolovanim gejtom, engl. Insulated Gate
Bipolar Transistor (IGBT) je ustvari hibridni element koji
kombinuje pozitivne osobine MOSFET-a (tranzistora sa efektom
polja i BJT-a (bipolarnog tranzistora).
IGBT tranzistori su u sutini elementi sa manjinskim nosiocima,
imaju bolju karakteristiku voenja od MOSFET tranzistora, dok
su im konkurentni po ostalim osobinama kao to su:
-jednostavna pobuda,
-iroka oblast sigurnog rada SOA ("Safe Operating Area"),
-velika strujna idrljivost (podnoenje strujnih pikova i trajna
strujna opteretivost).

Generalno govorei, prekidaka brzina IGBT-a je manja u

odnosu snane MOSFET-e.
Ipak prekidake karakteristike novih tipova IGBT-a proizvodnje
MOTOROLA, IRF,.... su veoma sline snanim MOSFET-ima
ali sa mnogo boljom karakteristikom provoenja.

 IGBT, dakle ima sposobnost brzog prekidanja (osobina

MOSFET-a) pri relativno velikim strujama i naponima, tipinim
za BJT.
Osim toga IGBT sa niskim naponima upravljake elektrode
(gejta) imaju sposobnost blokiranja viih napona.
U prvoj aproksimaciji IGBT se moe modelirati kao PNP
tranzistor upravljan od strane MOSFET-a.

Simboli za IGBT

Uproeni model

TANIJI IGBT MODEL JE MALO SLOENIJI

NPN i PNP tranzistori predstavljaju

parazitni TIRISTOR, koji u sebi
sadri regenerativnu povratnu
spregu (tzv. regenerativni
latch-up efekat)
Otpornik RB ima zadatak da oslabi
ovaj efekat, koji je za IGBT
nepoeljan
JFET predstavlja konstrikciju
(suenje) struje izmeu dve osnovne
strukture (na ovaj nain je MOSFET
na niskom naponu te stoga ima
veoma nizak Rds(on)

STRUKTURA IGBT-a PO SLOJEVIMA i SPOJEVIMA

Neki proizvoai prave IGBT-ove bez baferskog sloja N+, tako da u tom sluaju
imamo tzv. NOT PUNCH THROUGH (NPT) IGBT
Neki proizvoai ubacuju ovaj sloj. Ukoliko ovaj sloj N+ postoji, ustvari dobijamo
tzv. PUNCH THROUGH (PT) IGBT
ta se ustvari dobija ovim slojem N+ ??

Poreenje NPT i PT IGBT tranzistora

TA JE SA UPRAVLJAKIM ULAZOM NA GEJTU?

Upravljaki ulaz IGBT je isti kao kod MOSFET-a, odnosno ima

izrazito kapacitivni karakter
Stoga ovi elementi u ovom upravljakom kolu gejta, u odnosu na
BJT imaju mnogo manju potronju energije

Jedna od vanijih osobina IGBTa je

mogunost prekidakog rada na relativno
visokim uestanostima (do 20kHz)
Realtivno mali su gubici snage pri ovom
radu
Unutranja kapacitivnost
(CGE) utie
znaajno na ponaanje tranzistora dok je
uticaj tzv.Miller-ove kapacitivnosti CGC vrlo
mali ili ak zanemariv.

Parazitne kapacitivnosti
IGBT-a
CGC - povratni kapacitet ili
Miller kapacitet
CGE - ulazni kapacitet
CCE-izlazni kapacitet

GRANINE VREDNOSTI (GRANICE MOGUNOSTI)!!!

IGBT prekidai se koriste za prekidanje velikih struja

(do 500A) i relativno visokih napona napona (2kV).
Opseg radnih uestanosti do 25kHz

STATIKE KARAKTERISTIKE IGBT PREKIDAA

Upravljaki
Napon GE

prenosna k-ka
transkonduktansa

inverzni
probojni
napon

direktni
probojni
napon

STRUJNO-NAPONSKA KARAKTERISTIKA
ENERGETSKOG (C)-(E) SPOJA
I - oblast zasienja
II oblast aktivnog reima

STRUJNO -NAPONSKA
KARAKTERISTIKA STRUJE
IGBT-a U FUNKCIJI
UPRAVLJAKOG NAPONA
(G)-(E)

A KAKO IZGLEDAJU PRETHODNO PRIKAZANE KARAKTERISTIKE

ZA REALNE IGBT PREKIDAE??
IZLAZNA
I-V KARAKTERISTIKA
NPT IGBT prekidaa
30A/600V
IXSH 30N60B2D1
Proizvoaa IXYS

ukljuenje
iskljuenje

Kod ukljuenja-iskljuenja
kritian je prolazak kroz
aktivni reim (aktivna oblast)!!

PRENOSNA
KARAKTERISTIKA

NPT IGBT
prekidaa
30A/600V
IXSH 30N60B2D1
Proizvoaa IXYS

ZAVISNOST
TRANSKONDUKTANSE

gfs
OD STRUJE KOLEKTORA

Kada se ukljuuje i iskljuuje preteno induktivno

optereenje tranzistor radi sa poveanim naponskim i
strujnim naprezanjem (u sutini sa poveanim zamorom).
Dakle ima smisla prouavanje vremena ukljuenja i
iskljuenja IGBT pri upravljanju induktivnim optereenjem.
Uostalom, proizvoai obavezno navode sve irelevantne
tehnike podatke (struju, napon, vremena prekidanja,) za
svoje komponente upravo pri ovim uslovima
Kako izgleda jedno test kolo?

PREKIDAKI GUBICI
IGBT prekidako test kolo
Naponski izvor VcL mora biti veeg
napona u odnosu na Vcc

ukljuenje

iskljuenje
TALASNI OBLICI

SEKVENCA UKLJUENJA I UTICAJ OTPORNOSTI U KOLU GEJTA NA

UKLJUENJE
-IGBT radi kao MOSFET tokom
veeg dela intervala uljuenja.
-Kada se pobuuje gejt, napon
IGBT-a raste od nule do VGE (TH)
-Ovaj porast napona se deava
zbog otpornosti (Rgate) i CGE.
-Vreme ukljuenja je u funkciji
izlazne impedanse
Dakle mogue je kontrolisati brzinu ukljuenja
odabirom odgovarajue vrednosti otpora (Rgate)
drugim reima menjanjem otpornosti
gejta
mogue je odrediti vremensku konstantu
parazitnih gubitaka Rgate x (CGE +CCG) odnosno

Ic=CCG x dV/dt.

Stoga vrednost otpornosti gejta snano utie na

gubitke snage budui da njegova varijacija utie
na dV/dt strminu

SEKVENCA ISKLJUENJA

plato

Pri iskljuenju, napon na gejtu se

smanjuje sve dok ne dostigne
konstantnu vrednost (uoiti plato).
Tokom ovog vremena Vce napon se
poveava
i
menja
izlaznu
karakteristiku sa stalnom Ic.
Dalje, dolazi do Miller-ovog efekta
i VGE napon ostaje konstantni
(efekat
platoa) zbog modulacije
kapaciteta kolektor-gejt, ali se napon
Vce brzo poveao na maksimalnu
vrednost.

Pojava strujnog repa IC na prelazu

Iskljuenja izaziva najvei deo sklopnih
gubitaka

Tokom
ovog
vremena
struja
kolektora IC poinje brzo da pada i
nastavlja sa sporim opadanjem zbog
manjinskih nosilaca naelektrisanja
koji su se zateklji u provodnom sloju .

GUBICI U STANJU VOENJA

IGBT je ogranien rasipanjem snage tokom prekidakog rada odnosno brojem
prekidakih ciklusa. Temperatura Tj za vreme normalnog rada zavisi od snage
gubitaka tranzistora i delotvornosti hlaenja.
J engl.junction (spoj)
C-engl.case (kuite)

TJ = TC + Ptot JC

Za odabir hlaenja ,koje treba da odrava temperaturu ispod kritine moe se

koristiti sledea jednaina:
S- engl.sink (hladnjak)
A engl. ambient (okolina)

SA

JC
CS
Ptot
Tc

T
SA =
JC CS
Ptot

-termika otpornost hladnjak-okolina

-termika otpornost spoj-kuite
-termika otpornost kuite-hladnjak
-ukupni gubitak snage
-temperatura kuita (IGBT-a)

Kada se koristi delotvorno hlaenje Tc se moe znaajno smanjiti.

To znai da kod viih temperatura od propisanih dolazi do veih gubitaka snage.
Ptot je najvea trajna snaga disipacije za odreenu temperaturu.

Ptot

TJ TC
=

JC

Glavni faktor za Ptot , IGBT-a je nivo napona Vce koji je zavisan od

temperature spoja, kolektorske struje i napona GE.

Ptot = I CE ( avg ) VCE ( sat )

IZRAUNAVANJE PREKIDAKIH GUBITAKA

Pri ukljuenju ili iskljuenju nivo pobudnog napona VGE i otpornosti Rgate utiu
znaajno na prekidake gubitke.
Izbor napona VGE i otpornosti Rgate je uslovljen smanjenjem vremena kanjenja
pri ukljuenju odnosno iskljuenju, te stoga i na smanjenje prekidakih gubitaka.
Smanjenje vrednosti VGE ili poveanje Rgate rezultuje poveanim prekidakim
gubicima, ali moe uticati na smanjenje elektromagnetne interference (EMI).
Ostali faktori koji utiu na prekidake gubitke ukljuuju antiparalelnu diodu (Free
Wheeling Diode-FWD), induktivno optereenje, radni napon i struju..
Antiparalelna dioda ima ulogu
u operskim i invertorskim mosnim
aplikacijama

UKUPNA ENERGIJA PREKIDAKIH GUBITAKA

Da bi izraunali energije pri ukljuenju (ON) ili iskljuenju (OFF) moramo u tim
intervalima vremena poznavati struju i napon na IGBT-u. Onda raunamo za
Svaki od intervala (ON i OFF) integral oblika:

ODNOSNO:

UKLJUENJE sa VREMENOM PREKLAPANJA

tc

UKLJUENJE BEZ VREMENA PREKLAPANJA

UKLJUENJE sa VREMENOM PREKLAPANJA

IZRAENIM STRUJNIM PIKOM

tc

strujni pik

Posledica ega je strujni pik?

IL=Ic+ID = const

Vremena ukljuenja i iskljuenja su veoma kratka (reda veliine 1us).

U tim kratkim intervalima struja prigunice ne moe naglo da se promeni.
Stoga se moe smatrati da je ona u trenutcima komutacije konstantna.
To drugim reima znai da se grana sa prigunicom moe smatrati kao
STRUJNI PONOR ija je struja IL=const

KRAJNJI REZULTAT JE DA JE
UKLJUEN SAMO IGBT TRANZISTOR

UTICAJ INVERZNOG OPORAVKA DIODE NA STRUJU IGBT-a

(mosne i polumosne aplikacije u invertorima)
Posmatramo jednu vertikalu
Invertorskog mosta i
komutaciju
Izmeu diode i IGBT-a

Inverzni oporavak D2

Komutacija izmeu T1 i D2

A GUBICI??

ISKLJUENJE

Posledica ega je
naponski pik VCE
kod
iskljuenja IGBT-a ??

Ic-tail

OBINO JE
ODNOSNO STRUJNI REP JE DOMINANTAN

UKUPNA DISIPIRANA ENERGIJA USLED PREKIDANJA SE PRIBLINO

MOE PREDSTAVITI KAO:

vreme ukljuenja

SNAGA PREKIDAKIH GUBITAKA

SNAGA DISIPACIJE KOD UKLJUENJA

Vreme iskljuenja

Na snagu disipacije tokom iskljuenja utiu dva faktora:

(I)brzina kojom kolektorski napon dostie maksimalnu vrednost
(II)trajanje strujnog repa

KAKO USTVARI IZGLEDAJU STVARNI TALASNI OBLICI KARAKTERISTINIH

NAPONA PRI UKLJUENJU I ISKLJUENJU IGBT prekidaa?
Vce
Ic

Uge

Posmatraju se naponi na T1: Uge, Vce i struja Ic, kao i talsni oblik energije
gubitaka Esw (I TO PRI UKLJUENJU I PRI ISKLJUENJU!!!)

UKLJUENJE
IGBT-a

UGE [10V/c]
0-

Ic [100A/c]
00-

Mali pad napona VCES tokom porasta struje Ic je posledica

pada napona na parazitnoj induktivnosti IGBT-a

Strujni pik
u struji Ic
je posledica
inv.oporavka
diode u
polumostu

UCE [200V/c]
-0
TIME
[100ns/c]

ISKLJUENJE IGBT-a

Uoava se pojava strujnog repa u struji kolektora

IGBT-a, tokom njenog opadanja

UGE [10V/c]
0-

UCE [160V/c]
0-

UGE < 0
UGE= -10V

Ic [100A/c]
-0

POBUDNO KOLO GEJTA IGBT -a

IGBT su naponski kontrolisani poluprovodniki elementi. Oni zahtevaju (+) napon

na gejtu da bi se uspostavilo provoenje spoja emiter-kolektor.
Zbog relativno velike kapacitivnosti CGE IGBT-a, potreban je napon koji e
inicijalno morati da napuni ovaj kpacitet..
Pozitivan napon na gejtu bi trebao biti takav da obezbedi pouzdano ukljuenje ali
i da ogranii struju kratkog spoja u kolu gejta.
Negativan napon se koristi za poboljanje rada IGBT-a pri iskljuenju odnosno za
smanjenje gubitaka pri iskljuenju.

PRENAPONSKA ZATITA KOLA GEJTA

Tokom iskljuenja IGBT-a napon na njegovom kolektoru veoma brzo raste (sa
velikom strminom dV/dt). Ovaj porast se kroz parazitnu kapacitivnost CGC moe
trenutno preneti na prikljuak gejta i zajedno sa Miller-ovim efektom CGS moe
pojaati delovanje VGE. Naroito je ovo opsano kada se iskljuuje struja kratkog
spoja IGBT-a (poveanjem napona na gejtu, nebi dolo do iskljuenja struje KS
ve bi se ona poveavala. Povezivanjem dve Zener diode u spoju back to back
direktno na spoj GE se spreava oteenje gejta odnosno samog IGBT-a.

EFEKAT dV/dt PRI ISKLJUENJU NA POBUDNO KOLO GEJTA

IZBOR OTPORNOSTI U KOLU GEJTA

Vrednost Rg ima znaajan uticaj na dinamike performanse IGBT-a.
Mala vrednost Rg moe dovesti do oscilacija izmeu IGBT ulazne kapacitivnosti i
parazitne induktivnosti prikljunog provodnika.
Minimalna vrednost strujnog impulsa potrebnog za pobudu IGBT-a je:

Pri odreivanju uslova za prekidaki rad IGBT-a kljuno je prouiti pobudu gejta.
Glavni razlog za posmatranje punjenja je Miller-ov kapacitet (Miller efekat) i
njegov uticaj na kolo gejta.
U emu se ogleda taj uticaj ?

Prvo se puni CGE (CGC se takoe puni

ali je vrednost punjenja vrlo niska i
zanemarljiva.)

VGE (th)

Punjenje CGE se vri do napona

praga punjenja VGE (th)

Tranzistor se nakon impulsa ukljuuje, struja raste do pune vrednosti. Nakon

Postignute pune vrednosti struje , VCE napon naglo pada i napon na gejtu postaje
konstantanzbog punjenja CGC..
Poto je napon kolektora pao na svoju konanu vrednost , CGE i CGC se pune na
vrednost pobudnog anapona gejta
Ukupno naelektrisanje gejta :
Ukupna kapacitivnost gejta:
Punjenje i pranjenje IGBT gejta moe posmatrati kao punjenje i pranjenje kondenzatora!!!.

SNAGA POBUDNOG KOLA GEJTA

prekidaka uestanost

Kolo na slici se koristi za pobudu IGBT-a koji je sa emiterom vezan ka masi.

Ova pobuda se ne moe koristiti ako je spoj CE razapet izmeu VN.
U tom sluaju se koristi optiki izolovano pobudno kolo IGBT-a.

OPTIKI IZOLOVANO POBUDNO KOLO

IGBT-a
Icc

D- koeficijent radnog
reima ( duty-cycle)

potrebna snaga za kolo gejta

potrebna snaga za LED kolo
interno kolo elektronike
Ukupna snaga potrebna za pobudu IGBT-a:

KAKO DIMENZIONISATI OPTIKI IZOLOVANO POBUDNO KOLO??!!!

Vrlo vaan uslov za upravljanje IGBT-a preko gejta je da optika sprega
obezbeuje minimalnu izlaznu struju ili struju gejta (IOL ili I gate) sa to niom
impedansom.

Struja gejta se deli

na dve struje:

DIMENZIONISANJE OTPORA U KOLU GEJTA

Rg mora biti odabran tako da maksimalna vrednost izlazne struje ne prekorai
vrednost izlazne struje optokaplera IOL(pik).

IOL

VOL

Rg

Minimalna vrednost izlaznog napona optokaplera

GND

Pad ispod ove vrednosti moe dovesti do disipativnog (linearnog reima IGBT-a)

ULOGA ZATITNOG EKRANA U OPTO DRAJVERSKOM KOLU IGBT-a

U sutini to je jedan Faradejev ekran (tit) izmeu LED ulaza i drajverskog kola sa
BJT. Zatitni ekran je prikazan isprekidanom crvenom linijom. Postojanje ovog
ekrana dodatno skree parazitne kapacitivne struje dalje od osetljivih sklopova u
samom drajveru, to dovodi do poboljanja dinamikog odziva CMTR (tzv. common
mode transient response). Ipak on ne moe eliminisati kapacitivnu spregu LED-a i
pinova napajanja Vcc i VEE.
Ova parazitna kapacitivna sprega prouzrokuje poremeaj u LED struji tokom
common mod reima rada i postaje glavni izvor CMTR kvarova za optokopler.

TIPINO POBUDNO KOLO

SA OPTOIZOLACIJOM

Kada je BJT Q1 ukljuen, napon VAC je jednak priblino nuli LED ne svetli
tako da nema prenosa upravljakog signala ka drajveru. Q2 je iskljuen a Q3 je
ukljuen , te dolazi do pranjenja kapacitivnosti CGS kroz Rg, odnosno do iskljuenja
IGBT-a. Obrnuto kada je BJT Q1 iskljuen dolazi do ukljuenja Q2, odnosno do
ukljuenja IGBT-a.

Veoma je bitno da prethodno opisano pobudno kolo funkcionie za vreme izraenih

tranzijenata koji se Imaju pri komutacijama (ukljuenju i iskljuenju energetskog
IGBT-a). U velikoj meri Rad pobudnog kola u ovim reimima je uslovljen ulaznom
LED.
LED= Light Emiting Diode
Sledee metode se mogu koristiti kako bi se osiguralo da stanje ulazne LED
-zahtevano stanje (ukljuenosti i iskljuenosti)
LED (on state) stabilno ukljuen (CMH)
CMTR LED pobudno kolo mora drati ukljuenu ulaznu LED tokom common
mode tranzijenata .To se postie malo veom pobudnom strujom LED ija
vrednost mora biti vea od ulaznog praga, za vreme tranzijenata.
LED (off-state) stabilno iskljuen (CML)
CMTR LED pobudno kolo treba da zadri LED u iskljuenom stanju tokom
common mode tranzijenata. Dokle god je nizak napon na logikom gejtu poobuda
LED je manja od VF (OFF), tako da e LED biti iskljuena.Ovaj sklop se preporuuje
za visoke performanse CMTR.

APLIKACIJA OPTO POBUDNIH KOLA U TROFAZNOM

ELEKTRO-MOTORNOM POGONU

APLIKACIJA OPTO POBUDNOG KOLA SA PLIVAJUIM POZITIVNIM

NAPAJANJEM Vcc i PLIVAJUIM NEGATIVNIM NAPAJANJEM
U TROFAZNOM ELEKTRO-MOTORNOM POGONU

APLIKACIJA OPTO POBUDNIH KOLA U

IZVORIMA NAPAJANJA (NAPONSKIM PRETVARAIMA)

PODIZA NAPONA
step-up ili
boost konvertor

POBUDNA IGBT KOLA BEZ GALVANSKE IZOLACIJE

U ovom delu predavanja e biti rei o kolima za pobudu IGBT-a, koja nemaju
galvansku izolaciju.
Prednost ovih kola su to ne zahtevaju galvanski izolovane plivajue izvore
napajanja za pobudno kolo, jednostavna su i jeftinija u odnosu na optika
pobudna kola sa galvanskom izolacijom.
Najvea mana im je to su jako osetljiva na tranzijente napona dV/dt
International Rectifier je razvio integrisani gejt drajver IR2213 visokih
performansi u kome je integrisano vie funkcija koje su neophodne za pobudu
snanih
prekidaa (MOSFET i IGBT) koji se nalaze kako na visokonaponskoj strani
(prema +Vbus) tako i prema masi energetike(prema -Vbus).
Dodatkom nekoliko komponenti IR2213 obezbeuje veoma brz prekidaki rad i
nisku disipaciju.
Kolo radi na principu "bootstrap" odnosno poetnog punjenja ali sa plivajuim
izvorom napajanja bez galvanske izolacije.
U "bootstrap" modu IR2213 drajver radi u veini aplikacija pri frekvencijama
od 10Hz do stotinak KHz.

INTEGRISANI DRAJVER IR2213

Kolo se sastoji se od jednog drajverskog kola referisanog prema masi energetskog

tranzistora i drugog drajverskog kola koje slui za pobudu gornjeg tranzistora i koji
sadri translator nivoa. Pored ova dva pobudna stepena kolo sadri odgovarajuu
ulaznu logiku.
Funkcija shutdown je realizovana interno sa signalom logike "1" i ostvaruje
iskljuenje oba kanala. Prva ulazna komanda nakon odstranjivanja SD signala brie
latch i aktivira te kanale.

ULAZNA LOGIKA DRAJVERA IR2213

Ulaznu logiku ine dva kanala sa dva ulaza HIN i LIN i jedan za blokadu rada
drajvera SD- shutdown , koji su kontrolisani sa TTL/CMOS kompatibilnim ulazima
sa konverzijom pragova koji zavise od napajanja logike VDD(3-20V) i baferskim
kolima sa Schmitt triger komparatorima, koja imaju histerezis od 10%VDD, a
prhvatanje ulaznih signala, potrebnog vremena porasta. Svaki kanal je nezavisno
kontrolisan. Pobudni impuls na gejtu prekidakog tranzistora sledi ulazni kontrolni
logiki impuls ali sa ogranienim vremenom propagacije

PROBLEMI PRI POBUDI IGBT-a KOJI RADE U MOSTU ILI POLIMOSTU

U invertorskim aplikacijama gde
se zahteva mrtvo vreme tzv.
dead-time
za
eliminaciju
preklapanja voenja tranzistora
u vertikali
ulazna komanda
mora obezbediti taj mrtvi
vremenski interval u kontrolnoj
logici. Za tu funkciju je potrebno
dodati nekoliko komponenti.
Propagaciono kanjenje izmeu
ulaznih komandi i pobude gejta
je priblino isto za oba kanala u
IR2213 i iznosi oko 120ns pri
ukljuenju i 95ns pri iskljuenju.
Ova vremena su zavisna od
temperature i te zavisnosti se
daju u katalokim podacima.

REALIZACIJA FUNKCIJE MRTVOG VREMENA - Engl. DEAD TIME

Iskljuenje T+ pre ukljuenja

T- dovodi do preklapanja
njihovih
voenja
to
predstavlja kratak spoj za
jednosmerni izvor Vd
OVO PREDSTAVLJA
VELIKI PROBLEM
U MOSNIM I POLUMOSNIM
APLOKACIJAMA!!!!
Treba razlikovati
DEAD TIME od
BLANKING TIME!!!!

IZLAZNI STEPEN ZA POBUDU IGBT-a

Izlazni stepen za donji nivo je

implementiran sa dva Nkanalna MOSFET-a u "totempol
konfiguraciji
(source
follower
kao strujni izvor i
zajedniki izvor za strujni
ponor) pobuivan
ulaznim
kolom.
Stoga je ovaj deo sposoban da
generie ili da sinkuje struju
gejta od oko 2A.
Sa
ovom
totem-pole
konfiguracijom vreme porasta
pobudnog talasa na gejtu je
manje od vremena pada.
Ova osobina je naroito bitna i
predstavlja prednost za brojne
aplikacije
u
kolima
sa
energetskim pretvaraima.

Kanal na visokonaponskoj strani je

oformljen u obliku izolacionog korita
tzv. isolation tub koje je sposobno
da pliva od -5V do +1200V u odnosu
na energetsku masu (COM-Pin2).
Korito pliva na potencijalu pina 5-(Vs)
koji je dobijen od napona primenjenog
na pinu 6- Vb.
Ovaj pin 5 je prikljuen prema
snanom prekidakom elementu na
gornjoj strani i to ka njegovom sorsu
(Sl.117) i razapet je izmeu dve
sabirnice +Vbus i -Vbus.

PLIVAJUE DRAJVERSKO
KOLO GORNJEG
TRANZISTORA U POLUMOSTU

Ako je izolovani izvor prikljuen

izmeu pina 5 i pina 6-(Vs) kanal na
gornjoj strani e prekidati izlaz na pinu
7 -(HO) izmeu pozitivnog pola
napajanja ovog izvora i njegove
lebdee floating mase u skladu sa
ulaznom komandom.

PRINCIP IFTOVANJA NIVOA i FILTRIRANJE SMETNJI

Princip iftovanja nivoa i prenos

ON/OFF komandi u obliku uskih impulsa
pri rastuim i opadajuim ivicama ulazne
komande.

Ove su leovane
set/reset
flip
flopom, koji je referisan prema plivajuem
potencijalu. Korienje uskih impulsa
znaajno redukuje disipaciju snage
prilikom translacije (pomeranja) nivoa.

Impulsni diskriminator diferencira

set/reset impulse kroz impulsni ureaj
gde je brzi dv/dt tranzijent primenjen na
Vs prikljuak, poto brzina porasta od
50V/ns na snanom elementu jo uvek
nee uticati negativno na rad IR2213.

Ovaj kanal ima podnaponsku zatitu

(UVLO) koja blokra pobudu gejta ako je
napon izmeu plivajue take Vs(pin5) i
Vb(pin6) ispod njegovih limita (8.7/8.3V).

UTICAJ RASIPNIH INDUKTIVNOSTI NA POBUDU IGBT-a

USLED EGA USTVARI POTIE INDUKTIVNOST RASIPANJA?

Induktivnost rasipanja je
ustvari induktivnost petlje u
kolu gejta koju ine drajver
i vodovi koji ga povezuju sa
priljucima G i E od IGBT-a
(rafirane povrina)
Ig

Ova induktivnost potie od

rasipnog fluksa koji proima
celu konturu, a on je posledica
struje gejta

PARAZITNE OSCILACIJE U KOLU GEJTA USLED RASIPNIH INDUKTIVNOSTI

Kako reiti problem parazitnih oscilacija

struje gejta ?

Induktivnost L2 se
eliminie izvoenjem
dvostrukog prikljuka
emitera
IGBT-a.
Ustvari jedan emiter
E1 je energetski a
drugi je E2 kontrolni.
Oba su u galvanskoj
vezi
Induktivnost L1 se
eliminie korienjem
irmovanih i upredenih
provodnika
za
prikljuenje pobudnog
kola sa kontrolnim
prikljucima IGBT-a.
Ova mera se pogotovu
primenjuje
ako
je
rastojanje vee 10-tak
centimetara.

PREKOSTRUJNA ZATITA IGBT-a U TROFAZNOM INVERTORU

U komparatorskom kolu se poredi stvarna vrednost struje DC meukola (u datom

trenutku to je struja pripadajueg IGBT-a) sa podeenim pragom zatite. Kada je
razlika >0 aktivira se LATCH kolo koje blokira pobudne impulse. Reset zatite se
ostvaruje brisanjem sadraja LATCH kola.

LOGIKI DIJAGRAM PREKOSTRUJNE ZATITE

PRAG ZATITE

ZATIT A IGBT-a OD IZLASKA IZ ZASIENJA

Usled struje kratkog spoja dolazi do porasta napona zasienja IGBT-a.

Odnosno Vce(sat) i kada on postane vei od Vref, aktivira se izlaz
komparatora na logiku 1. Uz uslov da postoji pobuda na gejtu preko
logikog i kola se aktivira LATCH kolo greke koje blokra rad drajvera
odnosno ostvaruje njegov DISABLE.

IGBT MODULI?
IZ PRETHODNO NAVEDENIH RAZLOGA, MORA SE DOSTA PANJE POSVETITI
SMANJENJU PARAZITNIH UTICAJA.
SMANJENJE PARAZITNIH INDUKTIVNOSTI, ALI I KAPACITIVNOSTI VRI SE
INTEGRACIJAOM VIE POJEDINANIH IGBT STRUKTURA U KOMPAKTNIJE
JEDINICE.
PROIZVOAI IGBT TRANZISTORA INTEGRIU OVE POLUPROVODNIKE
KOMPONENTE U TZV. IGBT MODULE.
OBINO SE MODULI IZVODE U OBLIKU POLUMOSTA I TROFAZNOG MOSTA.
RETKO SE NA TRITU MOGU NAI JEDNOSTRUKI SNANI IGBT.
VARIJANTA TROFAZNOG MOSTA SE NEKADA INTEGRIE U INTELIGENTNE
TZV. SMART MODULE U OKVIRU KOJIH JE IZVEDENO I POBUDNO KOLO.
ULAZI U OVE MODULE SU CMOS/TTL I DIREKTNO SE VEZUJU NA
MIKROPROCESOR ILI MIKROKONTROLER.

JEDNOSTRUKI IGBT ENERGETSKI MODULI

KOMBINACIJE

GA

GAX

GAL

GAY

GAR

POPRENI PRESEK JEDNOG TIPINOG

JEDNOSTUKOG IGBT MODULA (single module)

DVOSTRUKI IGBT ENERGETSKI MODULI

KOMBINACIJE

GB
PULUMOSNE I MOSNE PRIMENE

PRIMENE
U REZONATNI M
PRETVARAI

GBD

TIPIAN IZGLED JEDNOG DVOSTRUKOG IGBT MODULA

IGBT2

DIODA2

DIODA1

IGBT1

KUITE

TROSTRUKI IGBT MODULI

GT

ZGODNI U PRIMENAMA SA VELIKIM STRUJAMA

KADA IH TREBA VEZIVATI U PARALELI

SIMETRIAN H-MOST i ASIMETRIAN H-POLUMOST

GH

GAH

IGBT MODULI ZA
TROFAZNE APLIKACIJE
(ELEKTROMOTORNI
POGONI)

GD

BLOK
ZA UKLJUENJE
OTPORNIKA ZA
KOENJE
U DC MEUKOLU
GDL

INTELIGENTNI IGBT MODULI

OBJEDINJAVAJU ENERGETSKI IZLAZNI DEO I POBUDNA (DRAJVERSKA KOLA)

ENERGETSKI PRIKLJUCI

KONTROLNI PRILJUCI

IPM- Inetlligent Power Module

ARHITEKTURA IPM-a
Svaki drajver (predriver) ima
prikljuke
-za nuapajanje +Vcc i GND
-ulazni kontrolni prikljuak
Sam modul ima termiki senzor
i kolo koje predstavlja termiku
zatitu (zatita od pregrevanja)
modula
Prikljuci P i N su ustvari krajevi
Na koje se dovodi napon DC
meu kola P(+) i N(-)
Prikljuak B je za koioni otpornik
Energetski prikljuci za motor
su U,V,W

IPM sa integrisanim trofaznim diodnim ispravljaem

7MBR25SA120B Fuji
6x 25A/1200V

Kada su u pitanju moduli manjih snaga pored invertorskog mosta, kola za koenje ,
integrisan je i ulazni diodni modul (trofazni mosni ispravlja) tj. trofazni diodni most,
Kao i sva potrebna zatitna kola (zatita od KS, prekostruje, podnaponska i sl...).

PS11034

PERSPEKTIVE DALJEG RAZVOJA IGBT-a

Silicijumski energetski elementi i kontinualni trendovi razvoja bazirani na

tehnolokoj platformi

Soft-Punch-Through SPT

EVOLUCIJA IGBT TEHNOLOGIJE

Trend u razvoju novih IGBT modula

U modernim aplikacijama dioda u IGBT-u predstavlja ozbiljno ogranienje.
Naroito se to odnosi na performanse gubitaka i strujne udarne preopteretivosti.
Tipian odnos povrine u foot-printu modula je 2:1 za IGBT.
Ovo ogranienje u pogledu strujne opteretivosti je u osnovi uspostavljeno
nakon uvoenja modernog dizajna IGBT-a baziranog na malim gubicima snage.
Zahtevi za poveanjem gustine snage su doveli do reenja RC-IGBT odnosno
inverzno provodnog IGBT-a tj. Reverse Conducting IGBT.
Razvojni napori koji su se odnosili na reavanje brojnih problema RC-IGBT (pre
svih gubitaka snage i iroke oblasti RBSOA i FBRSOA doveli su do hibridnog
reenja tzv. Bi-mode Insulated Gate Transistor (BIGT).
Ovo reenje kombinuje dobre osobine RC-IGBT i IGBT u
jednostukom modulu.

Popreni presek BIGT

3.3kV BIGT modul

ISKLJUENJE
Eoff=2.8J

INVERZNI OPORAVAK
Eon=2.2J
Erec=2.3J

HVALA NA PANJI !!!!!

NOVEMBAR 2013