Semiconductors and Diodes

Instructor: Chao-
Chao-Ching Ho
National Yunlin University of Science and Technology

Robotic Embedded System Lab

復習─克希荷夫定律

KVL
 對於電路中的任何一個迴路，沿途提升該迴路的電
位差總和恆等於拉降該迴路的電位差總和。換句話
說，在一個電路中任意繞一個迴路回到原點，總電
位差恆等於0。

KCL
 對於電路中的任何一個節點，流出該節點的電流總
和恆等於流入該節點的電流總和。
復習

開路、短路

功率 P =VI =I2R
串聯

REQ = R1 + R2 + K + RN

Rk
Vk = Vs
R1 + R2 + K + Rk + K + RN
並聯

1
REQ =
1 / R1 + 1 / R2 + K + 1 / RN

1 / Rk
Ik = Is
1 / R1 + 1 / R2 + K + 1 / Rk + K + 1 / RN
戴維寧定理

戴維寧定理，每個由電壓源、電流源、與電阻
所組成的(兩輸出端)電路都可簡化為一個(理想)
電壓源與電阻的串聯。
何謂半導體？
何謂半導體？

顧名思義，半導體就是其導電能力介於「導體」
與「非導體」之間的材料。最常用的半導體材料
是「矽」的結晶。我們很少使用純的半導體材料，
而通常經過摻雜(doping)的過程，將其轉化成以
下兩型半導體。
 N型半導體：自由電子(-)較多，注意整體電性仍為中性
 P型半導體：電洞(+)較多，注意整體電性仍為中性
Reference

教科書：Rizzoni : 5th Edition, Chap 9

參考書：應用電子學講義(吳尚德), Chap 2
Bohr model of an atom

As seen in this model,

electrons circle the
nucleus. Atomic
structure of a material
determines its ability
to conduct or insulate.
原子是由電子、質子及中子

• 絕緣體 ─ 不能導電
在外加能量的影響下，
在外加能量的影響下，進入傳導帶成為自由電子
•半導體 ─在外加能量的影響下
• 導體 ─有大量的自由電子產生而導電
有大量的自由電子產生而導電
Covalent Bonding (共價鍵 )
Covalent bonding is a bonding of two or more atoms by
the interaction of their valence electrons.
The process of creating N- and P-type materials is
called doping.
Other atoms with 3 electrons
Other atoms with 5 such as Boron (硼 硼) are added
electrons such as Antimony to Silicon to create a
銻) are added to Silicon to
(銻 deficiency of electrons or
increase the free electrons. hole charges.
N-type P-type

產生一個自由電子 產生一個電洞
Electric field in a pn junction

電場在帶電粒子上的作用力進而產生位移所造成的漂移

空乏區

Wiley/Razavi/Fundamentals of Microelectronics
半導體

將以上兩型半導體接合，在接合面附近，N型半導體的自
由電子會跑過去填滿P型半導體的電洞。這使得在接合面
附近，N型半導體帶正電(失去電子)，P型半導體帶負電
(失去電洞)，有一個小電場(空乏區)(Fig 9.5)因此形成。

P-N接面：「空乏區」沒有自由載子，造成電流流過的
「能障」，空乏區越大，電流流過越為困難。

從高濃度區流向低
濃度區的擴散趨勢
飄移及擴散電流

在半導體中有兩種基本過
程導致電子及電洞的移動，
它們是
 飄移(drift) ─Is，由電場造成
之移動;
 擴散(diffusion) ─Id ，由濃
度差異(即濃度梯度)所造成
之流動。
 p-n Junction & Diode
Fig. 9.5

Offset voltage: Vγ
The Depletion Region (空乏區)

250C，二極體的障壁電壓約為 0.6V 空乏區兩側的正負電荷形成一電

場，並造成電位差會阻止空乏區
外多數載子的擴散越過，因此又
稱之為障壁電壓 (barrier potential)
Depletion zone to insulating state

At the junction, free electrons

from the N-type material fill
holes from the P-type material.
This creates an insulating
layer in the middle of the
diode called the depletion
zone.
How To get rid of the depletion zone?
When the negative end of the
circuit is hooked up to the N-
type layer and the positive
end is hooked up to P-type
layer, electrons and holes
start moving and the
depletion zone disappears.
順向偏壓
When the positive end of the
circuit is hooked up to the N-
type layer and the negative
end is hooked up to the P-
type layer, free electrons
collect on one end of the
diode and holes collect on the
other. The depletion zone gets
bigger. 逆向偏壓
何謂二極體？
何謂二極體？

二極體就是上述由P型與N型半導體所接合而成的元件，
其最有名的用途是用來「限制電流的流向」。為什麼二極
體可以限制電流的流向？

逆向偏壓：電池+接N型使其幾乎全部正離子化， - 接P型
半導體使其幾乎全部負離子化，空乏區大到電子無法越過，
電流無法流通。

順向偏壓：電池+接P型，- 接N型半導體，空乏區很小，
電流順暢無阻。
二極體

整流二極體(rectifier diode)只能讓電流單向導
通，相當於液壓系統中的單向閥或是止回閥，
在電路中的主要功用是控制電流的流動方向，
並且具有限制電壓、保護電子元件的功能

二極體可視為一個具方向性的開關

Wiley/Razavi/Fundamentals of Microelectronics
二極體的符號 Fig. 9.9
Forward & Reverse biased diode equation
Fig. 9.7, Eqn 9.6

二極體的基本設計概念：順向偏壓時為短路，
逆向偏壓時為開路 id = I d − I 0 = I 0 (e qv / kT − 1)D

Dominant current: “drift” Dominant current: “diffusion”

PN junction under reverse and forward
bias.

空乏區加大

順向偏壓

逆向偏壓

Wiley/Razavi/Fundamentals of Microelectronics
Overall i-v characteristic of a diode
Fig. 9.10

稽納二極體
(Zener Diode) Open
(只有幾個nA電流)
Constant-voltage diode model.

Reverse breakdown characteristic

Wiley/Razavi/Fundamentals of Microelectronics
逆向崩潰

二極體的順向偏移電壓

二極體的逆向崩潰
 當逆向電壓超過某特定值時，二極體將逆向導通，稱為
崩潰(breakdown)。一般二極體一旦崩潰壽命即告終止，
此設計時需注意到二極體在電路中可能要承受的最大逆
向電壓值是否超過其額定的崩潰電壓。
 二極體的選擇

選擇二極體時要考慮兩個主要參數，「順向偏
壓時能承受的最高電流」以及「逆向偏壓時能
承受的最高電壓」。以下列出常見的二極體型
號與規格：

1A二極體 (額定順向電流皆為1A)
1N4003 1N4005 1N4005 1N4005 1N4005 1N4006 1N4007

逆向崩潰 50 100 200 400 600 800 1000

電壓(V)
 二極體的選擇

3A二極體 (額定順向電流皆為3A)

1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5407 1N5408

逆向崩潰 50 100 200 400 600 800 1000

電壓(V)
理想二極體模型(Ideal Diode Model)
Fig. 9.11
二極體的電路模型

最簡單之模型，順向偏壓時為短路，逆向偏壓
時為開路，如Fig 9.12-14。

假設VD≥0 假設VD<0
如何決定一個理想二極體是否導通(是
順偏或逆偏)？
1. 先假設此二極體的導通狀態(ON或OFF)
2. 解電路求得電壓與電流
3. 若求得的解與假設「一致」，則假設正確，
否則假設錯誤。所謂的「一致」就是解出的
電壓符合「順偏時短路，逆偏時開路」之條
件。
範例9.1 (決定理想二極體之導通狀態)

Fig. 9.15

Fig. 9.16
範例9.1

Fig. 9.17
範例9.2 (決定理想二極體之導通狀態)

Fig. 9.18
Fig. 9.19
偏移二極體模型(Offset Diode Model)

這是較為精確之模型，等於理想二極體模型串
聯一個約=0.6V的固定DC電源(Fig 9.23)。這
也是實務上最為常用的模型。

VD≥0.6 則二極體等同於「0.6V電源」

VD<0.6 則二極體等同於「開路」
範例9.4 (使用偏移二極體模型)
特性曲線的電阻
∂vD
rD =
∂iD Q
小信號二極體模型(Small-Signal Diode Model)

這是最精確之模型，我們以解聯立方程或圖解
方法，嘗試求得「負載線方程式」，以及「二
極體特徵曲線方程式」之交點，此交點就是所
謂的「工作點」，如 Fig 9.30 所示。其中：

負載線方程式：把二極體看作「負載」，其他
電路化成戴維寧或諾頓等效電路，負載「兩端
之電壓」與「流過之電流」的關係即是。

二極體特徵曲線方程式：從元件datasheet得
到。但是由於計算繁複，此模型在實務上較為
少用。
 Fig. 9.30 Load line analysis & equivalent
circuit of a diode

vT = iD RT + vD
1 1
∴ iD = − vD + vT ( i.e., y = ax + b )
RT RT
Exercise
若二極體電路的VDD =2V，R=100Ω ，二極體特性曲線的導通電
壓0.7V，導通電阻4 Ω 。試求二極體工作點？
片斷線性二極體模型(Piecewise Linear
Diode Model)

由最精確的小信號二極體模型，我們發現到，
其實在工作點附近，二極體特徵曲線是有斜率
的，這個斜率很大，其值是我們在電工學講到
的「電導」(Conductance)：

1 ∂i D
=
rD ∂v D Q

還記得嗎？電導是電阻的倒數，也就是說：

二極體因順向偏壓而導通時，除了「0.6V電源」
以外，應該還串聯了一個「很小的內部電阻」。
「片斷線性二極體模型」就是「偏移二極體模
型」再串聯上此一內部電阻，其實，這個內電
阻也是二極體會發熱的主要原因。

因此，片斷線性二極體模型的精確度，介於
「偏移二極體模型」，以及「小信號二極體模
型」之間。
二極點電路及工作點求法
範例9.6 (計算片斷線性二極體模型之
內部電阻)

1 ∂iD ∂ q qVQ / kT
= = I 0 (e qvD / kT − 1) = I0 e
rD ∂vD ( I Q ,VQ )
∂vD (I
kT
Q ,VQ )

qvQ / kT
Q iD = I 0 e qvD / kT ∴ I Q = I 0 e
kT IQ
→ vQ = log e = 0.731V
q I0
1 10−14 0.731/0.025
= e = 2 S ∴ rD = 0.5Ω
rD 0.025
範例9.7 (使用片斷線性二極體模型)
範例9.7
Diode Data Sheets: pp. 506-507
 電源供應器(整流電路)
電源供應器
DC電源供應器

二極體電路最常見之應用為「提供穩定的DC
電壓」。將AC電源轉換成DC電源，主要經過
以下步驟(Fig 9.45)：

變壓 → 整流 → 濾波 → 穩壓

其中，整流與穩壓最常使用二極體電路。

(A) (B) (C) (D)

二極體整流電路

半波整流器(Half-Wave Rectifier)
 一顆二極體本身就是一個半波整流器，如範例9.7
所示。半波整流器的效率很差，因為有一半的AC
波型被截掉而沒有利用到。其DC平均值只有峰值
1/π的倍。
 半波整流器的輸出頻率與電源頻率相等。
1 T /2 vP T / 2 2π 1
v DC = ⋅ ∫ v P sin(ωt )dt = ⋅ ∫ sin( t )dt = ⋅ v P
T 0 T 0 T π
二極體整流電路

全波整流器(Full-Wave Rectifier)
 全波整流器的效率好多了，
全波整流器的效率好多了，其電路見Fig
其電路見 。
9.39。

Fig 9.39

Center-tap type Bridge type

The Full-Wave Bridge Rectifier
全波整流器(Full-Wave Rectifier)

最簡單的降壓方法就是利用變壓器。

注意，這個電路：
 升/降壓2N倍，為什麼要2N倍呢？N代表什麼？
 變壓器還有與主電源「隔離」(Isolation)的作用，
因為主電源端的DC電流無法通過，而且變壓器的
電磁飽和現象也限制了最大感應電流，可減少使
用者端觸電造成的傷害。

全波整流器的輸出頻率是電源頻率的兩倍。
橋式整流器(Bridge Rectifier)

橋式整流器使用四顆二極體，是最常用的整流
器，市面上可以輕易買到現成的IC (Fig 9.41-
9.42)。它做的事與全波整流器類似，差別在
於，它可以在沒有升壓變壓器的狀況下，忠實
地呈現AC輸入電源的振幅(Fig 9.43)。其DC平
均值為峰值的2/π倍。

2 T /2 2v P T / 2 2π 2
v DC = ⋅ ∫ v P sin(ωt )dt = ⋅ ∫ sin( t )dt = ⋅ v P
T 0 T 0 T π
全波整流器─Fig. 9.41
全波整流器操作─ Fig. 9.42

時，
Vs>0時
D1與D3順向偏壓

時，
Vs<0時
D2與D4順向偏壓
Fig. 9.43

未整流 理想整流 實際整流

變壓器

變壓器在電路中扮演的角色相當是機構中的齒
輪組：將電壓看成扭力，電流看成轉速，則變
壓器與齒輪組有同樣的輸出輸入關係：使用齒
輪組降低扭力時，輸出端的轉速會大於輸入端
的轉速；而利用變壓器降壓時，輸出端(二次
迴路)的電流會大於輸入端(一次迴路)的電流。
範例9.8 (半波整流器)
Find
1. Peak current ipeak= ?
2. Average current iaverage= ?

20V(rms)

50Ω
 範例9.9 (橋式整流器)
Find
1. Load resistance RL= ?
2. RMS source voltage Vrms= ? 50V
5A
 範例9.9E
Prove 2 Nv peak
1. DC output VL= π
2. Peak voltage Vpeak= ?

Fig 9.39
二極體穩壓電路(稽納二極體
二極體穩壓電路 稽納二極體)
稽納二極體

整流後的波型雖然平均值不為零，但離DC波
型仍然差遠了，這些漣波(ripple voltage)必須
被過濾掉。我們通常會經過RC濾波處理(Fig
9.44)。

低通濾波器
稽納二極體

我們發現，濾波後之波型仍然保有一點點漣波，
而且更重要的是，當「負載」一接上，供應電
壓可能受到影響而有所波動(fluctuation)，為了
避免電壓可能的波動，較高品質的電源供應電
路常須要做「穩壓 穩壓」，此時稽納二極體(Zener
穩壓
Diode)為其中的重要元件。
Average & RMS values Fig. 4.19

1 T 1 T
∫ ∫
' '
< x(t ) >= x(t )dt xrms = x 2 (t ' )dt '
T 0 T 0
稽納二極體

一般二極體工作在「順向偏壓」或「逆向偏壓」
狀態下，「逆向崩潰」是我們在電路設計上極
力避免的情形。但「稽納二極體」則正好相反，
我們故意要使它工作在逆向崩潰、或稱為「稽
稽
納崩潰」的狀態，原因是我們發現當進入稽納
納崩潰
崩潰的狀態時，二極體之兩端會維持在一個穩
定的電壓差，我們稱之為「稽納電壓」。因此
稽納二極體有穩壓
穩壓的作用。
穩壓
稽納二極體(Zener Diode)的符號
稽納二極體
稽納二極體

假設有一個稽納二極體其
vγ = 0.6V

vZ = −5V

VD ≥ 0.6V 則二極體等同於「0.6V電源」

-5V<VD<0.6V 則二極體等同於「開路」

VD ≤0.6V 則二極體等同於「-5V電源」
如何分析稽納二極體電路(一)

首先必須判斷二極體是否在「稽納崩潰
稽納崩潰」狀態。
稽納崩潰
你可以先將稽納二極體拿開，解電路得到電壓，
若電壓會造成逆向偏壓且其值超過，則稽納二
極體放回後必定在「稽納崩潰
稽納崩潰」狀態，其兩端
稽納崩潰
電壓差會維持在。若不在稽納崩潰狀態，稽納
二極體的行為和一般二極體沒有兩樣。
如何分析稽納二極體電路(二)

是什麼神奇的力量讓電路中的稽納二極體維持
電壓的？其實，你可以這樣來理解它：把稽納
二極體想像成有能力「排掉多餘電流的旁路元
件」(current sink)，就好像水桶滿了再加水就
會流出一樣，與稽納二極體並聯的元件之兩端
會保持稽納電壓(就好像滿了的水桶)，更多的
電流無法再流過元件增加電壓，只能從稽納二
極體排掉。
如何分析稽納二極體電路(三)

因為稽納二極體在工作時(穩壓時)會排掉多餘
電流，這個電流若太大可能燒掉稽納二極體，
因此，設計電路時考慮其額定功率
額定功率是非常重要
額定功率
的。
範例9.10 (決定稽納二極體的最小額定
功率) Find
1. 最小額定功率?
最小額定功率
2. 最大消耗功率?
最大消耗功率

50Ω

24V
12V
250Ω

1. 最小額定功率→
最小額定功率 iz=is - iL
2. 最大消耗功率→
最大消耗功率 iz=is
範例9.11 (稽納二極體已知，決定允許
的負載電阻範圍) Find RL,min 與 RL,max ?

•RL,min就是IL要最大
= 50 V IL •RL,max就是IL要最小

VZ = 14 V , PZ = 5 W

VZ 14
Rmin = = = 11.7 Ω
Is − IZ I Z =0
(50 − 14) / 30

VZ 14
Rmax = = = 16.6 Ω
I s − PZ / VZ PZ =5[W ]
(50 − 14) / 30 − 5 / 14
稽納二極體

負載電阻太小 → 無法建立稽納電壓，稽納二
極體失去穩壓功能

負載電阻太大 → 太多電流從稽納二極體排掉，
二極體會燒毀
 範例9.12 (存在稽納二極體的內電阻，找
出漣波 vripple在負載 RL的影響比例)
50Ω

8V 150Ω
14V+100mV

10Ω

從前面三個例題我們發現，稽納二極體有兩個
主要問題，第一個問題是功率十分有限，第二
個問題是內電阻會造成穩壓效果不佳。因此，
我們很少把稽納二極體直接拿來製作電源供應
器電路，而較常用來在小電流電路中，取得一
個準確的參考電壓。
Zener Limiting
Zener diodes can used for limiting just as normal
diodes. Recall in previous chapter studies about
limiters. The difference to consider for a zener limiter
is its zener breakdown characteristics.
電源用穩壓IC (Voltage Regulator)

References: Chap 12.3

電源用穩壓電路除了稽納二極體以外，還需要搭配電
晶體，以及一些保護電路(詳見Chap 12.3)，今天，這
些電路都被封裝成一種常見的「三端子穩壓 三端子穩壓IC」
三端子穩壓
(three-terminal voltage regulator)。這種IC最常見的
是78xx系列，xx數字代表輸出之穩定電壓值，輸入電
壓必須比輸出電壓至少多出2V，但也不能太高，否則
IC會過熱燒毀，例如7805輸入電壓範圍為7V-35V，
輸出電壓為5V(±0.2V)，十分準確。我們會在實驗課
中讓大家親身體驗這種易學易用的元件。
7805的優缺點

優點：
1. ３支腳，安裝使用容易。
2. 輸入直流電壓範圍廣，輸出電壓穩，汽車電
瓶、9V方型電池等，都可拿來當輸入電壓。
3. 價格便宜，大約10元台幣。

缺點：
1. 能量轉換效率差。用12V來轉換其效率為
5/12=42%，用24V來轉換其效率為5/24=21%
，大部份的能量都變成熱能浪廢掉了。
2. 輸入電壓要大於輸出電壓。
3. 輸出電流最大只有1Amp。
電源用穩壓IC
二極體的其他應用

二極體截波器(The Diode Clipper)

 二極體截波器(Fig 9.54)可以用來限制電壓輸出
限制電壓輸出，以
限制電壓輸出
保護負載
負載不受高電壓的危害。使用理想二極體模型
負載
分析電路，目標是可得到輸出電壓的限制範圍：

− Vmax ≤ v L (t ) ≤ Vmax
二極體截波器

當兩個二極體皆不導
通時(逆向偏壓)，輸
出與輸入的關係為
分壓定律)：
分壓定律
(依據分壓定律
RL
v L (t ) = v S (t )
rS + RL

截波之後的波型如右
Fig 9.58所示
二極體截波器
二極體截波器

其實，實際上的截波結果應為如Fig 9.60所示，
這是我們使用更精確的片斷線性二極體模型來
分析得到的。
二極體箝位器(The Diode Clamp)

我們也可以利用二極體來「調整波型準位」，也就是
將電壓波型整個往上，或整個往下移動。二極體箝位
器的基本電路如Fig 9.61上圖所示，利用二極體單向
導通的特性，使一個電容器經由二極體充電，但卻無
法由二極體放電，很快地電容器會被充飽，達到輸入
電壓的峯值，並維持在峯值。
+ -
Diode Clampers
A diode clamper adds a DC level to an AC voltage. The
capacitor charges to the peak of the supply minus the diode
drop. Once charged, the capacitor acts like a battery in series
with the input voltage. The AC voltage will “ride” along with
the DC voltage. The polarity arrangement of the diode
determines whether the DC voltage is negative or positive.
選擇─反應慢、容量高的電容器

此電容器必須選擇「反應慢、容量高」的元件，
也就是大電容值，才能保證在接了負載以後，
電容器不會隨著輸入電壓下降而快速放電，而
成功維持在峯值。原則上：

RC >> T
箝位後的波型

箝位後的波型(Fig 9.62)被「下壓」成為全部
負值，可用下式表示：
v out (t ) = v S (t ) − V peak

此時如果想要「上拉」一點點，只要如Fig
9.61下圖所示接上一個DC電源來調整即可(電
容器此時會充到)，此電路稱為偏壓二極體箝
位器： v (t ) = v (t ) − (V −V )
out S peak DC

我們也可以將波型「上拉」成為全部正 正值，只
要把「二極體反接」，我們可得到：
v out (t ) = v S (t ) + V peak

此時如果想要「下壓」一點點，只要如Fig
9.63所示接上一個DC電源來調整即可：
vout (t ) = vS (t ) + (V peak − VDC )
- +
範例9.13 (偏壓二極體箝位器)
向上偏移vS 的DC直流電壓3 V

vout (t ) = vS (t ) + V peak − VDC

= vS (t ) + (5V − 2V )
其他常見的特殊二極體

發光二極體(Light Emitting Diode, or LED)
 電流轉換成光
發光二極體(light-emitting diode, LED)將電流
電流 光。
 發光二極體的發光原理不同於燈泡以高溫發光，而是利用
電子的能階變化，因此省電許多，現在幾乎所有的電子產
品都用到發光二極體。發光二極體和一般二極體運作原理
類似，只有以下差別：
1. 順向偏壓，電流流過時會發光，一般二極體只會發熱。
2. 順向偏壓，電流流過時壓降較大，約2V，一般二極體只有0.6V。
3. 逆向崩潰電壓很小，電路設計時要避免逆向偏壓，以免燒毀。
How Light Emitting Diodes Work
photons

For an electron to jump from a lower orbital to a higher

orbital, something has to boost its energy level.
Conversely, an electron releases energy when it drops
from a higher orbital to a lower one. This energy is
released in the form of a photon.
LED Advantages

last much longer

Efficiency
much higher percentage of
the electrical power is going
directly to generating light
發光二極體電路

所有LEDs的正極皆接至5 V，輸入由邏輯匣控
制
 暗：高輸入，二極體不通。
 亮：低輸入，二極體導通。
 範例9.14 (發光二極體電路分析，如何
選定限流電阻) Find
1. PLED=?
2. RS=?
40mA 3. Ps=?

5V 1.7V
光二極體(Photo Diode)

光二極體常與發光二極體並用，不同於發光二極體的是，
光二極體不會發光，而且常作用在逆向偏壓 逆向偏壓之下。光二極
逆向偏壓
體在不受光時，若加上逆向偏壓，有如一般二極體會呈現
開路狀態，但若此時受光，在逆向偏壓下也會有小電流 小電流流
小電流
過。因此，我們可以將此小電流放大，用以偵測發光二極
體所傳遞出來的數位信號。

光二極體(photodiode)
光二極體 ，當能量大於材料屏障的光子照
射到二極體的空乏區時，所產生之電子電洞對由於受到的
電力相反，致使電子電洞分開，個別進入n 型及p 型中性
區形成光電流，外界再接一個電流放大器即可準確的測量
光電流，光電流得大小和吸收的光子數目成正比。
光二極體偵測器的原理示意圖與太陽能電池
光二極體 太陽能電池

當光二極體面積很大時，照光後產生之光電流也很大，可
以當作電源使用，稱為太陽能電池(solar cell)。太陽能電
池的發電能力和他的面積成正比，但一般利用半導體晶片
製作的大面積元件成本過高，只有在特殊場合，例如在人
造衛星上，才使用得到。而日常所用的太陽能電池，則是
以玻璃做基板，先鍍上一層透明的導電膜（通常是氧化銦
類的材料），再成長非晶態的矽薄膜，並形成pn 接面，
雖然非晶矽太陽電池的發電效率與使用期限較以晶體材料
製作的差，但成本卻低的很多，適合一般發電使用。
Optical Diodes
The photodiode is used to vary current by the amount of
light that strikes it. It is placed in the circuit in reverse
bias. As with most diodes when in reverse bias, no current
flows when in reverse bias, but when light strikes the
exposed junction through a tiny window, reverse current
increases proportional to light intensity.
How Solar Cells Work

General schematic
of a residential PV
system with battery
storage
I<0
v>0
LED Vr=2V
光耦合器(Opto-Coupler)

光耦合器是一對「發光二極體+光二極體」之封裝，又稱之為光隔
離器(opto-isolator)。如上所述，這種元件可以用來傳遞高速數位
信號，但是，為什麼要傳遞信號不直接串聯導線，而要花錢接一
個光耦合器呢？而且使用光耦合器不可避免地，會有信號傳遞的
延遲。主要原因是，在某些應用上，我們希望將兩個電路做到真
正的「電氣隔離」(galvanized isolation)，光耦合器所隔離的兩個
電路，不但訊號線分開，連地線都是分開的。許多微電腦控制的
設備都包括與使用者親近的「控制電路」以及驅動馬達的高功率
的「電力電子電路」，它們之間的通信若使用光耦合器，可以在
電力電子電路燒毀時(很可能會發生!)，有效地保護控制電路正常
運作，並且減少使用者觸電的危險。因此，許多的馬達驅動器
(Motor Driver)都會使用到光耦合器。
光隔離器Opto-isolators
•2009/02/17 v1.0
•2009/02/20 v1.1
•2009/03/10 v1.2
•2010/02/28 v1.3