UNIVERSIDAD POLITÉCNICA “SALESIANA”

FACULTAD DE INGENIERÍAS

SEDE QUITO-CAMPUS SUR

CARRERA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

AMPLIFICADORES DE POTENCIA

SANTIAGO MALDONADO
GONZALO CHIMBO
RODRIGO IBARRA
JIMMY ANDRADE

5º ELECTRÓNICA “1”

Quito, 09 de marzo del 2010

Objetivos:
1. Que el estudiante se familiarice y aprendan sobre los
AMPLIFICADORES DE POTENCIA.
2. Conocer la clasificación de los amplificadores de potencia
y sus diferentes características y propiedades.
 AMPLIFICADORES DE POTENCIA
El requerimiento en potencia de
corriente directa de un amplificador de
audio debe ser lo más pequeño posible,
de manera que la eficiencia del
amplificador sea muy grande. El
aumento en la eficiencia del
amplificador disminuye la cantidad de
potencia entregada por la fuente de
alimentación de cd, así como la
potencia disipada por los transistores, lo
que a su vez permite reducir el costo
de la fuente de alimentación y
prolongar la vida útil de las baterías
utilizadas en los sistemas de
amplificación portátiles.
Los objetivos de aprendizaje de este capítulo son los
siguientes :
. Examinar los tipos de amplificador de
potencia y sus características de
transferencia, así como su eficiencia en
potencia.
. Aprender a polarizar la etapa de salida
utilizando una fuente activa de corriente
Además un requerimiento bajo en
potencia de cd ayuda a mantener la
temperatura interna de las uniones de los
transistores por debajo del valor máximo
permisible (en el rango 150 °C a 200 C
para dispositivos de silicio). Como
resultado, un requerimiento bajo de
potencia de cd minimiza el tamaño de
los disipadores de calor y puede eliminar
la necesidad de ventiladores. Por
consiguiente, la etapa de salida debe
entregar a la carga la cantidad requerida
de potencia, de una manera eficiente.
Estudiar métodos para eliminar la distorsión de
cruce y reducir los desvíos y las no linealidades
en la etapa de salida
.Comprender la estructura interna de los
amplificadores operacionales de potencia para
circuitos integrados.
 CLASIFICACION DE LOS AMPLIFICADORES DE POTENCIA

La clasificación se basa en la forma de la onda de la

corriente del colector producida por una señal de
entrada senoidal.

Generalmente, los amplificadores de potencia se

clasifican en cuatro tipos:

clase A. clase B.

En un amplificador clase A la corriente de En un amplificador de clase B, el transistor

polarización de cd del colector
 de un está polarizado con una corriente de cd igual a
transistor es mayor que la amplitud pico de la cero y conduce mediante solo medio ciclo de la
corriente de salida de ca
 .Por tanto, el señal de entrada, con un ángulo de conducción
transistor de un amplificador clase A conduce   180° . Esto es,  
   La forma
durante todo el ciclo de la señal de entrada, y
de onda de la corriente del colector para un
el ángulo de conducción es    360°
amplificador clase B aparece en la figura. Las
Esto es, la corriente del colector de un
mitades negativas de la onda senoidal son
transistor está dada por  

  ,
aportadas por otro transistor, que también
con
 
 .
 es el valor pico de la
funciona en modo clase B, y que conduce
componente senoidal de la corriente del
durante los semiciclos alternos.
colector: no se debe confundir con el
símbolo
 que representa la corriente de
drenaje de un MOSFET de canal p. La
forma de onda de una corriente de colector
para la operación clase A, se muestra en la
figura .
 clase C. clase AB.

En un amplificador de clase AB, el En un amplificador clase C, el transistor conduce

transistor está polarizado con una corriente durante un intervalo menor que un semiciclo. El
de cd distinta de cero , mucho menor que ángulo de conducción del transistor es menor que
la amplitud pico de la corriente de salida
de ca.. El transistor conduce durante un
poco más de la mitad de un ciclo de la
señal de entrada. El ángulo de conducción
es mayor que 180° , pero mucho menor
que 360° ; esto es,
180°; esto es,  180° e  
  . Las
mitades negativas de la corriente del colector es
de tipo pulsátil, y tiene una distorsión mucho
mayor que la corriente generada por otras clases
de amplificador. La distorsión no lineal puede
ser filtrada haciendo pasar esta salida a través de
180°    360° Por tanto,  

un circuito resonante LC en paralelo. El circuito

   con
 
 . La forma de onda resonante está sintonizado a la frecuencia de la
de la corriente del colector para un señal de entrada, y actúa como un filtro
amplificador clase AB aparece en la figura pasabanda, dando un voltaje de salida
. las mitades negativas de la onda senoidal proporcional a la amplitud de la componente
son apprtadas por otro transistor que fundamental de la forma de onda de la corriente.
también funciona en modo clase AB, y que Los amplificadores de clase C normalmente se
conduce durante un intervalo ligeramente utilizan en aplicaciones de radiofrecuencia.
superior al semiciclo negativo. Las
corrientes de ambos transistores se
combinan para formar la corriente de
carga, por lo que conducen durante un
intervalo cercano al cruce por cero de la
señal de entrada.
 SEGUIDORES DE EMISOR

Un seguidor de emisor es un
amplificador clase A; su diagrama CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA
de circuito aparece en la figura (a).
Las características de un seguidor de
emisor : una impedancia de salida
muy baja, una impedancia de entrada SI se supone que la caída de voltaje en el diodo es
muy grande y una ganancia en , la caída de voltaje baseemisor de un
voltaje casi unitaria con un valor transmisor es y la ganancia en corriente
grande de la resistencia de carga. La del transistor, , Se puede aproximar la corriente
ganancia en voltaje y la corriente de de referencia . Aplicando la LKV, a la fuente
cd del transistor Q1 se ven afectadas de corriente se obtiene
por los valores de la resistencia de
carga. la excursión del voltaje pico a
pio es menor que Vcc. Si la Donde la corriente de referencia es
resistencia del emisor de la
figura (a) puede reemplazarse por
una fuente de corriente, como se
indica en la figura (b), la excursión
de voltaje pico a pico aumenta a un
valor mayor que Vcc. Es posible
mantener la ganancia en voltaje
prácticamente en la unidad, incluso
con una resistencia de carga pequeña,
del orden de los 100

El voltaje de salida está dado por

lo que da como resultado la característica de

transferencia mostrada en la figura (c).
 Cuando V1=0 (esto es, ), la
característica tiene un voltaje de offset.
Por tanto, para estará
activado, y el valor pico positivo del
voltaje de salida es

Q1 está desactivado cuando . El

voltaje de salida también se puede escribir como:

Si el valor de es menor que R1, el valor pico negativo del voltaje de salida
será menor que el valor pico negativo de y la salida no será
simétrica. Esto causa distorsión (o recorte de crestas). Por tanto, la condición
que evita la distorsión y hace que la excursión del voltaje de salida sea máxima
está dada por

Con lo que la excursión máxima de voltaje (pico a pico) , sin recorte es,

FORMAS DE LA SEÑAL

Supóngase que la entrada es un voltaje senoidal. Si se desprecia el voltaje de saturación el voltaje

de salida Vo puede variar desde – Vcc hasta Vcc, siendo el valor de polarización igual a cero, como se
muestra en la figura (a). El voltaje colector-emisor se convertirá en , lo cual se observa en
la figura (b). Suponiendo que se selecciona para obtener la excursión máxima de voltaje de salida,
entonces la corriente de colector es la que se muestra en la figura (c). La disipación instantánea de
potencia en Q1, mostrada en la figura (d), está dada por

y tiene un valor promedio .

 POTENCIA DE SALIDA Y EFICIENCIA

La eficiencia en potencia de la etapa de Suponiendo que el

salida de un seguidor de emisor está voltaje de salida es
definida por senoidal, con un valor
pico Vp, la potencia
promedio de la carga es :

La corriente promedio por el transistor Q1 es ; por tanto, la potencia promedio

extraída de la fuente de alimentación positiva es . Dado que la corriente del
transistor Q2 se mantiene constante en , la potencia extraída de la fuente de
alimentación negativa también es si se desprecia la potencia disipada por la
fuente de corriente, formada por el diodo D1 y el resistor R1. Por tanto, la potencia total
promedio de la fuente de alimentación es :

De las ecuaciones , se obtiene la eficiencia en potencia

como

Donde la eficiencia máxima se obtiene

cuando

Esto es, lo que e s bastante bajo. En realidad el voltaje de salida pico está limitado a menos de
Vcc, con el fin de evitar la saturación de los transistores y la distorsión no lineal asociada. Por tanto, la eficiencia
estará en el rango de 10 % a 20 %. Los seguidores de emisor generalmente se utilizan como etapas de salida en
amplificadores de alta frecuencia ( ) y baja potencia ( ).
 AMPLIFICADORES CLASE A

El tipo de amplificador más Supóngase que la no linealidad

sencillo , es el que se introducida por el transistor es
muestra en la figura (a). despreciable, de manera que las
Esta configuración carece señales de salida serán
de estabilidad en su senoidales cuando las señales de
polarización ( es decir, la entrada sean senoidales . estas
resistencia de emisor suposiciones simplificarán los
)y no es adecuada para diferentes cálculos de potencia.
amplificadores de potencia. Las formas de onda de la
No obstante, se utiliza este corriente y los voltajes del
circuito para deducir de él colector se ilustran en la
la eficiencia en potencia de figura.(b).
los amplificadores clase A

CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA.

El voltaje de entrada esta relacionado con la corriente de

colector mediante.
 Utilizando de la ecuación anterior el voltaje de salida es

Por tanto, la característica de transferencia que se muestra en

la figura es no lineal.

Potencia de salida y eficiencia: La potencia promedio de cd requerida de la fuente de

alimentación esta dada por.

Donde son los valores pico del voltaje y la corriente de salida ca, respectivamente. Utilizando los valores
minimo y máximo de las señales de salida, se pueden expresar como:

Donde , de manera ideal, se extiende en todo su

rango, la ecuación se expresa como:
Queda la potencia máxima de carga
La eficiencia de conversión, definida como la
relación de potencia de la carga respecto a la
potencia de la fuente de alimentación de cd se
expresa como:
cuando

Por tanto, la ecuación da como

 Sustituyendo las ecuaciones se obtiene la eficiencia
máxima como

Es por esto que bajo condiciones ideales, la eficiencia máxima de un

amplificador de clase A es de 25%. A pesar de que en la practica la
eficiencia real es inferior a 25%, este porcentaje se usa como guía
para determinar los requerimientos de polarización

Con frecuencia, la calidad de un amplificador se mide utilizando la cifra

de merito ,misma que se define como:

La disipación máxima del colector esta dada por.

ç

Amplificadores de emisor común

Debido a su elevada ganancia en voltaje, las

etapas de emisor común se usan como
excitadores de la etapa de salida en el diseño
de circuitos integrados. En la figura 14.8(a) se
muestra una etapa de emisor común.

FIGURA 14.8
Amplificador de emisor
común clase A y su
característica de
 Amplificador con carga acoplada por
transformador.

La eficiencia de un amplificador se puede mejorar con una carga

acoplada por transformador. En la figura 14.9(a) se muestra un
amplificador clase A, con una carga acoplada por transformador.
La eliminación de la resistencia de colector Rc, utilizada para la
polarización de cd en la figura 14.6(a), es responsable del
incremento en la eficiencia. El transformador de la etapa de salida
proporciona un acoplamiento de impedancia con el fin de transferir
la potencia máxima a la carga. Una carga, como la impedancia de
un altavoz, por lo general es muy pequeña, normalmente de 4 a
16 Ω.

FIGURA 14.9
Amplificador clase A con
carga acoplada por

transformador
 14.5 Amplificadores dase B en contrafase

En un amplificador clase B en contrafase se emplean

dos transistores complementarios (un transistor npn y
un transistor pnp) para llevar a cabo la operación de
contrafase. En esta sección se analizan dos tipos de
amplificadores clase B.

En la figura 14.10(a) se muestra un

amplificador complementario en contrafase.
Amplificadores Para Vj > O, el transistor QP se mantiene
complementarios en desactivado y el transistor QN opera como
contrafase seguidor de emisor. Para un valor
suficientemente grande de v,, QN se satura y
el voltaje de salida máximo positivo es
V = v
CE(máx) CC - V CEl(sat)
 Minimización de la zona muerta La zona muerta puede reducirse
prácticamente a cero mediante retroalimentación con un amplificador operacional, como
se observa en la figura 14.13(a). El amplificador operacional se conecta en modo de
ganancia unitaria, con una retroalimentación en serie-paralelo. Con esta configuración,
QP o QN estarán activados si v, y vo difieren en ± VBE/A, donde A es la ganancia de lazo
abierto del amplificador operacional. Por tanto, para A = 105 y VBE = 0.7 V, la zona
muerta se reduce a menos que ±(0.7/105) = ±7 uV. La característica de transferencia
se muestra en la figura 14.13(b). La resistencia R} limita la corriente extraída por los
transistores de la salida del amplificador operacional. Ésta también proporciona la

Minimización o eliminación
de la zona muerta mediante
retroalimentación
 Amplificador en contrafase con carga acoplada por
transformador.

La eficiencia en potencia de un amplificador se puede mejorar de manera

considerable utilizando una configuración de clase B en contrafase
acoplada por transformador, como se muestra en la figura 14.16(a). El
amplificador tiene tres etapas: el transformador.de entrada TX], la etapa
de ganancia de los transistores Q, y Q2, y el transformador de salida TX2.
Para proporcionar el voltaje de polarización VBE de cd para los transistores
se emplean una resistencia y una batería. Para llevar a cabo la operación
en contrafase se utilizan dos transistores. Para v¡ > O, la base del
transistor Q, es positiva y, debido a la acción del transformador, la de Q2

El transistor npn Q2 se mantiene desactivado y el transistor npn Q,

funciona como amplificador. Para vl < O, la base del transistor Q2 es po-
sitiva y, debido a la acción del transformador, la de Q¡ se vuelve
negativa. El transistor Q, se mantiene desactivado y el transistor Q2
funciona como amplificador. El transformador de entrada TXj de la
etapa de entrada suministra una señal virtualmente libre de distorsión, y
hace coincidir la impedancia de salida de la etapa excitadora con la
impedancia de entrada de la etapa de salida.
 Amplificadores Clase AB complementarios en
contrafase

La distorsión por cruce de un amplificador clase B complementario en contrafase se minimiza

es eliminada con un amplificador clase AB en los cuales los transistores funcionan en la región activa
cuando el voltaje de entrada V1 es pequeño (V1≈0,1).Los transistores se polarizan de tal forma que
cada uno de ellos conduce para una pequeña corriente de polarización IQ cuando V1=0.

Eliminación de la zona muerta en un amplificador clase AB

Se ilustra un circuito de polarización se aplica un voltaje

VBB entre las b ases QN y QP.para que V1=0 aparece el
voltaje VBB/2 a través de la unión base emisor de cada
transistor QN y QP. Escogiendo VBB/2=VBEN=VEBP se
asegura que ambos transistores queden al borde de la
conducción Vo=0 para Vi=0 Un pequeño voltaje entra
positivo Vi hará que QN conduzca de manera similar un
pequeño voltaje de entrada negativo hará que QP
conduzca.

La característica de transferencia ilustra para un Vo positivo

fluye una corriente io=por RL esto es

iN=iP+io

Cualquier incremento en iN causa un incremento

correspondiente en VBEN, por encima del valor de
polarización de VBB/2 Dado que VBB debe
conservarse constante, el incremento en VBEN causa
un decremento igual en VEBP y por tanto en iP por
consiguiente

VBB=VBEN+VEBP

Lo que puede ser expresado en función de la corriente de

saturación Is como;
 simplificando
2VT*IN* VT*In( )+VT*In()
=

Las relaciones de potencia en los amplificadores clase AB son

idénticas en los cuales B,excepto en el circuito de clase AB disipa una
potencia de polarización IQ*VCC por cada transistor por tanto con
Potencia de salida y eficiencia esta ecuación se puede determinar la potencia promedio
suministrada por la fuente cd como;

Los diodos deben colocarse cerca de los transistores de salida de

manera que su temperatura aumente en la misma cantidad que
la de QN y Qp.por tanto en los circuitos discretos los diodos se
montaran sobre la parte metalica de QN y Qp dado que las
resistencias R1 y R2 proporcionan la corriente de polirizacion IQ
para los transistores y también aseguran que los diodos
conduzcan entonces para garantizar la corriente de polarización
de base QN cuando la corriente de carga se hace máxima se debe

Donde IQ =Is*exp(VBB/2*VT) e ID(min)es la corriente minima

necesaria para asegurar la conducción de los diodos.Dado que IQ
es por lo general mas pequeña que Io(max )se puede depreciar IQ
al determinar los valores de R1 Y R2
 POLARIZACIÓN CON UN
MULTIPLICADOR VBE

El circuito multiplicador de VBE es aquel

que ajusta automáticamente el voltaje
de polarización V

El circuito está formado por La fuente de corriente IR Dado que el voltaje a través
un transistor Q1 con un alimenta al circuito de R1 es VBE1, la corriente
resistor R1 conectado entre multiplicador y proporciona por R1 es:
su base y su emisor, y un la corriente de base para


 


El voltaje de polarización es:

 
   


   

  1



 ASPECTOS
PRINCIPAL

El amplificador clase AB
complementario es la etapa de
salida de uso más común. El fun-
cionamiento de su circuito es
similar al de un amplificador clase

El voltaje base-emisor de cd de cada

transistor se ajusta a
aproximadamente VBE, que es el
voltaje requerido para obtener la
corriente de polarización deseada.
Comúnmente, el amplificador se

Los amplificadores clase AB exhiben

un voltaje de salida de desvío
cuando el voltaje de entrada es
cero. Sin embargo, se puede
 AMPLIFICADORES CLASE AB CUASICOMPLEMENTARIOS EN
CONTRAFASE

Los transistores pnp tienen una capacidad limitada de corriente, la etapa de salida
complementaria sólo es adecuada para entregar una potencia de carga de unos cuantos
cientos de miliwatts o menos.

Si se requiere una potencia de salida de varios watts o más, deberán utilizarse transistores
npn.

Partiendo de un transistor pnp QP y de un transistor npn de alta potencia QN], se puede fabricar
un transistor pnp compuesto.

La corriente del colector de

QP está dada por La corriente compuesta del colector 7C es la
corriente del emisor de QNI. Esto es,
7cp =exp EBP
/c = V EBP

exp
 AMPLIFICADORES CLASE AB EN CONTRAFASE
ACOPLADOS POR TRANSFORMADOR

El circuito del amplificador clase AB se La etapa de salida normalmente está

polariza ligeramente hacia la protegida contra cortocircuito y contra una
conducción, de manera que por Q, y Q2 elevación excesiva de la temperatura.
fluya una corriente de polarización /Q.

Esta corriente se obtiene haciendo que La ganancia total en voltaje Af depende

VBB sea un poco mayor que VBE = VBE1 (= en gran parte de la red de
VBE2 ~ 0.7 V). retroalimentación, por lo que RE/(R

La retroalimentación en serie-paralelo le da
al amplificador las características deseables
Se pueden seleccionar los resistores R¡ y
de una baja impedancia de salida y una
R2 para obtener el valor deseado de VBB.
elevada impedancia de entrada.

El amplificador tiene tres etapas: una etapa de

emisor común para ganancia en voltaje, un
seguidor de emisor para acoplamiento de
impedancia y una etapa de salida para una
salida de alta potencia.
 PROTECCIÓN CONTRA
CORTOCIRCUITO Y PROTECCIÓN
TÉRMICA

Protección contra cortocircuito Protección térmica

El circuito utilizado para protección contra El circuito utilizado para la protección térmica está formado
cortocircuito está formado por el transistor Q[ y el por dos transistores (Q2 y Q3), tres resistores (R\, R2 y #3) y

Si ocurre un cortocircuito en la carga mientras QN Si la temperatura aumenta, VBE3 disminuye debido al

está conduciendo, fluirá una corriente grande por coeficiente negativo de temperatura de Q3, y el
REl, desarrollando un voltaje VRE) proporcional a la voltaje zener Vz aumenta, por el coeficiente positivo
corriente de cortocircuito a través de /?E1.

Como resultado, el voltaje en el emisor de Q3 se

Cuando el voltaje VRE! llega a ser lo suficientemente
grande, el transistor Q, se activa y lleva la mayor
parte de la corriente de polarización 7R1. Por tanto,
la corriente de base de QN es reducida a un nivel
seguro.
eleva y el voltaje de la base de Q2 también
aumenta. Si la elevación de temperatura es
adecuada, Q2 se activa y desvía la corriente de
referencia 7R del amplificador, desconectándolo.

Las caídas de voltaje a través de los resistores de La elevación máxima permisible de temperatura AT se
emisor disminuirán el voltaje de salida en la misma puede calcular a partir de
cantidad, por tanto, los valores de RE{ y £E2 deben M / M?

ser tan bajos como sea posible (del orden de los

mil). = V B E 2 =V T ln(^
 AMPLIFICADORES OPERADO-
NALES DE POTENCIA

• Ana ganancia de lazo abierto muy • La etapa formada por Q5 y Q6

grande (>105). alimenta la corriente adicional de
• Una impedancia de entrada muy carga y actúa como elevador de
alta (hasta de 109 fl). corriente.
• Para estabilizar la polarización, se

• La potencia de salida de ca de los amplificadores

operacionales por lo general es baja.
• Se puede obtener una potencia grande de un
amplificador de potencia formado por un
amplificador operacional seguido por un separador
clase AB.
• La estructura general de un amplificador ope-
racional de potencia aparece en la figura 14.30.
• La etapa de separación consiste de los transistores
Q,, Q2, Q3 y Q4. /?[ y R2 polarizan a los transistores
 Consideraciones Térmicas.

Los transistores de potencia

La corriente nominal de los Disipan grandes cantidades de Los transistores de potencia

transistores de potencia potencia en forma de calor, que deben estar protegidos
puede llegar hasta los 500A, provoca el aumento de temperatura de contra un aumento excesivo
con una disipación de la unión del colector. de la temperatura.
potencia de hasta 200W.

La temperatura de la unión !" debe mantenerse dentro de

un máximo especificado !"#$% a fin de evitar daños al
transistor. En el caso de los transistores de
silicio, !"#$% está en el rango de 150° a 200° C.

La resistencia térmica &( es una medida de la transferencia de calor, desde la

unión hasta el ambiente, está dada por:
!" ) !(
&( 
*+
!" = temperatura de la unión, en °C.
!( = temperatura ambiente, en °C.

Con el fin de mantener la temperatura de la unión por debajo de !"#$% , normalmente el transistor se monta sobre un
disipador de calor que facilita la eliminación del calor del dispositivo hacia el aire circundante. El calor se transfiere del
dispositivo al aire mediante uno de tres métodos:

1. Conducción desde la 2. Convección desde el

unión hasta el 3. Radiación desde
encapsulado hasta el
encapsulado a través de aletas de
ambiente a través de una
resistencia térmica ( , y del
una resistencia térmica enfriamiento hasta
& , y del encapsulado al
el aire. La
disipador de calor al
transferencia de
disipador de calor a través ambiente a través de una
resistencia térmica '( .Los
calor dependerá de
de una resistencia térmica
valores de ( y '(
la capacidad de
' . Los valores de & y
emisión de la
' dependen de la depende del estado de la
superficie y del
sección transversal, de la superficie, del tipo de fluido
área, así como de la
longitud y de la diferencia de convección, de la
diferencia de
de temperatura a velocidad y características
temperatura entre
través del medio del fluido y de la diferencia
las aletas radiantes
conductor. de temperatura entre la
y el aire.
superficie y el fluido.
 El circuito térmico equivalente de un transistor montado sobre un disipador de
calor se muestra en la figura. La disipación de potencia esta relacionada con la
temperatura de la unión y con la temperatura ambiente :

=resistencia térmica de la unión al encapsulado, en °C.

=resistencia térmica del encapsulado al disipador, en °C.
=resistencia térmica del disipador al ambiente, en °C.

El fabricante del transistor normalmente especifica la

Los valores de y La temperatura ambiente
aparecen
especificados en la hoja
de datos del fabricante.
El valor de se
determina a partir de la
ecuación pasada.
temperatura máxima de la unión , la disipación
y la temperatura en
máxima de potencia a una temperatura
el encapsulado están
especifica del en capsulado (por lo general 25°C) y
relacionados con la
disipación de potencia la resistencia térmica .La disipación de potencia, a
mediante: una temperatura del encapsulado , se puede
determinar a partir de:
.
 Diseño de amplificadores de potencia.

Dado que los amplificadores clase B y clase AB eliminan la

zona muerta, generalmente se utilizan como las etapas de salida
de los amplificadores reales. Por tanto, el diseño de un
amplificador de potencia consiste principalmente en el diseño
de la etapa de salida, que involucra los pasos siguientes:

Paso 1. Identificar las especificaciones de Paso 2. Seleccionar el tipo de

la etapa de salida ( por ejemplo, la potencia operación de salida; por lo general,
de salida *, , la resistencia de carga , y operación clase B o Clase AB .
los voltajes de alimentación de CD,  ,
VEE) .

Paso 3. Determinar los valores nominales de voltaje
y de corrientes de todos los transistores.
Paso 4. Determine los valores nominales y la
potencia de todos los resistores. También, si se
trata de una carga acoplada por transformador,
determinar la relación de vueltas de los
transformadores.

Paso 6. Seleccionar los transistores de potencia que

Paso 5. Seleccionar el tipo de circuito de
cumplan con los requerimientos de voltaje, corriente y
polarización de Dc . Determinar las
potencia. Determinar su temperatura máxima de
especificaciones de los componentes activos y
unión Tj(máx.) y las resistencias térmicas.
pasivos.

Paso 7. Determinar la disipación de potencia de Paso 8. Utilizar PSpice/SPICE para

los transistores y la resistencia térmica deseada simular y verificar el diseño, utilizando
del disipador de calor. los valores estándar de los
componentes junto con sus tolerancias.
Conclusiones.

Como una conclusión fehaciente es que un amplificador recibe una señal de algún
transductor de captación y proporciona una versión más grande de la señal para
algún dispositivo de salida.

También podemos decir que en los amplificadores de pequeña señal los

principales factores son la linealidad de la amplificación y la magnitud de la
ganancia.

Dentro de este capítulo podemos acotar también que las principales características
de un amplificador de gran señal son la eficiencia de potencia del circuito y la
cantidad máxima de potencia que es capaz de manejar el circuito y el acoplamiento
de impedancias con el dispositivo de salida.

BIBLIOGRAFÍA

Muhammad H. Rashid.- “Circuitos micro electrónicos: Análisis y diseño”.- Quinta edición.-

Editorial Thompson, pag 723 - 763