LUCRAREA NR.

ANALIZA FUNCŢIONĂRII DIODELOR SEMICON-

DUCTOARE. PARAMETRI. TASAREA CARACTERISTICI-
LOR ŞI IDENTIFICAREA PERFORMANŢELOR

1. Introducere privind caracterizarea dispozitivelor

semiconductoare

Ecuaţiile ce descriu funcţionarea dispozitivelor semiconductoare sunt

aproximative deoarece au la bază modele simplificate. Rezultatele
calculate cu ajutorul lor, prezintă calitativ procesele care au loc stabilind
relaţii de determinare între parametri. Utilizând modele cu un grad
ridicat de complexitate, rezolvabile prin tehnici de prelucrare numerică,
şi având la dispoziţie tehnologii performante, se pot impune anumiţi
parametri pentru dispozitivele care vor fi produse.
Indiferent de modelul utilizat în proiectare, sau de tehnologia folosită
la realizarea unui anumit dispozitiv,acesta trebuie caracterizat prin
măsurători.Firmele producătoare indică principalele date necesare
utilizatorilor.Un minimum de date sunt :

 Descrierea dispozitivului, valori constructive. În cadrul descrierii se

indică materialul semiconductor utilizat, tehnologia de obţinere,
principalele aplicaţii, iar la valori constructive se prezintă tipul de
capsulă folosit, dimensiunile, modul de marcare, conexiunile la
terminale, masa.. Există o mare diversitate de dispozitive
electronice.
 Valori limită absolute Sunt valorile maxime ale parametrilor de
funcţionare care prin depăşire conduc la distrugerea dispozitivului.
Dacă nu se fac precizări suplimentare, valorile indicate ale
curentului, tensiunii şi puterii sunt date în curent continuu la

29
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE

temperatura capsulei de 25°C. La funcţionarea în regim de impuls

se fac precizări asupra duratei acestuia şi a frecvenţei de repetiţie.
 Caracteristicile electrice pot fi:
caracteristici de curent continuu, care indică dependenţa dintre
tensiunile, curenţii şi puterile prin dispozitiv în regim de curent
continuu; aceste caracteristici sunt influenţate de temperatură;
caracteristici de curent alternativ, care dau o descriere a funcţionării
în curent alternativ sau în regim de impuls a dispozitivului; se indică
mărimile semnificative pentru funcţionarea în audiofrecvenţă sau
comutaţie, în condiţii bine precizate de măsură (parametrii h, timpii de
comutaţie, variaţia factorului de calitate cu frecvenţa, ş.a.).
 Caracteristici termice
În acest cadru se indică temperatura de funcţionare a joncţiunii,
temperatura ambiantă de lucru, temperatura de stocare, disipaţia admisă
şi rezistenţa termică.
 Montaje de testare
Pentru a facilita sarcinile utilizatorului, firma producătoare indică
schemele şi aparatele folosite la măsurarea principalilor parametri ai
dispozitivului.
 Aplicaţii principale
Pentru dispozitivele noi, în cadrul foii de catalog, se indică o serie de
aplicaţii, descriindu-se scheme de utilizare şi prezentându-se formulele
de calcul necesare.
În cadrul lucrărilor de laborator ce au ca scop studiul dispozitivelor
electronice vor fi determinate experimental caracteristicile acestora. Se
urmăreşte compararea valorilor obţinute cu datele de catalog. Se
efectuează măsurători şi pentru precizarea unor parametri ce nu sunt
indicaţi de producător.

30
LUCRAREA NR.3 Analiza funcţionării diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor şi identificarea peformanţelor

2. Trasarea caracteristicilor statice la diode.

Mărimi specifice
Pentru orice tip de diodă caracteristica statică reprezintă dependenţa
dintre curentul ce străbate joncţiunea şi tensiunea aplicată acesteia:

I = f(V ) (1)

Cunoaşterea funcţiei (1) permite determinarea domeniului de utilizare

a dispozitivului. Se pot stabili:1- tensiunea de deschidere,VF0,; 2-
tensiunea maximă inversă,VRM ; 3- curentul direct, IF ; 4- curentul
invers,IR 5- puterea disipată, P ; 6- rezistenţa diferenţială a joncţiunii rd.
Dacă se fac înregistrări la diferite temperaturi de funcţionare, se pot
determina aceleaşi mărimi ca funcţii de temperatură, lucru extrem de
important pentru circuitele reale (fig.1).

Fig.1 Caracteristica curent tensiune la dioda semiconductoare

Caracteristica la polarizare directă (I şi II) este definită prin
tensiunea de deschidere VF0 şi rezistenţa diferenţială rd. VF0
reprezintă tensiunea minimă la care dispozitivul conduce la polarizare
directă şi depinde de tipul joncţiunii:

31
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE

Tipul joncţiunii Germaniu Siliciu Schottky

Tensiunea de deschidere (V) (domeniu 0.15-0.3 0.5-0.6 0.1-0.3

de variaţie)

Tensiunea de deschidere (V) (tipică) 0.18 0.55 0.1

Rezistenţa diferenţială a diodei în regim lent variabil de semnal mic

se defineşte conform relaţiei:
dI -1
rd = ( ) | (2)
dV V F = VFQ
Uneori se utilizează mărimea numită conductanţă diferenţială :

-1
gd = ( r d ) (3)

Punctul de coordonate (VQ, IQ) se numeşte punct static de

funcţionare al diodei; rd şi gd sunt funcţii de tensiunea aplicată
depinzând de punctul de funcţionare ales. Caracteristica statică directă
trasată experimental indică o rată de creştere a curentului mai mică
decât prevede teoria. Acest lucru se datorează în special căderilor de
tensiune pe rezistenţele ohmice ale regiunilor p şi n care sunt neglijate
în cadrul teoriei Shockley.
Caracteristica la polarizare inversă este definită printr-o valoare
extrem de scăzută a curentului invers IR(<10 μA) într-un domeniu larg
de tensiune (III) depinzând de tipul diodei. La atingerea unei valori
critice a tensiunii aplicate (VRM sau VZ) curentul prin diodă creşte brusc,
datorită intrării în conducţie a joncţiunii prin efect Zener sau avalanşă
(IV). La diodele redresoare sau de comutaţie obişnuite nu trebuie să se
atingă valoarea VZ. Pentru aceste dispozitive se indică tensiunea VRM
numită tensiune inversă repetitivă maximă. Pentru a avea o indicaţie
asupra performanţelor la polarizare inversă se indică o valoare maximă
a curentului invers IRM, la tensiunea VRM .
În cazul polarizărilor inverse există mai multe cauze care fac ca
valoarea curentului invers măsurat experimental, IR să fie mai mare ca
cea prezisă de teorie, Is. În regiunea de trecere au loc fenomene de

32
LUCRAREA NR.3 Analiza funcţionării diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor şi identificarea peformanţelor

generare a purtătorilor atât pe cale termică, cât şi datorită câmpului

electric, care pot produce străpungerea reversibilă sau ireversibilă a
diodei. Curentul de saturaţie creşte şi datorită existenţei în joncţiune a
unor impurităţi sau defecte în structura semiconductorului.

3.Metoda trasării punct cu punct a caracteristicii voltamperice.

Pentru a aplica această metodă se folosesc montajele prezentate în

fig.2.

mA A

a
+ + anod + catod
S VE D S V D
- - catod - anod
b

(a) (b)

Fig.2 Montaje pentru trasarea caracteristicilor la diode

semiconductoare la : (a) -polarizare directă, (b) -polarizare inversă

Se vor analiza tipuri de diode cu siliciu şi cu germaniu. Pentru fiecare

se determină punctele de pe caracteristica de polarizare directă folosind
montajul din fig.2a unde pentru a se putea regla fin tensiunea în
domeniul 0-1V se utilizează un divizor de tensiune 1:10 inclus în sursa
de tensiune stabilizată S; Curentul este măsurat cu miliampermetrul
mA.
Se determină punctele de pe caracteristica de polarizare inversă
utilizând pentru măsurarea curentului microampermetrul μA.
Citirea tensiunilor se va face în ambele măsurători cu un voltmetru
electronic numeric care să asigure o impedanţă ridicată de intrare şi o
precizie mare pentru valorile preluate. Rezultatele se trec într-un tabel
iar apoi se reprezintă grafic .

33
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE

4. Metoda vizualizării pe trasorul de caracteristici

(Caracteriscop)

Trasorul de caracteristici este un aparat electronic complex utilizat

pentru înregistrarea pe ecranul unui tub catodic a familiilor de
caracteristici atât la diode cât şi la tranzistoare. Tensiunile de polarizare
ale dispozitivelor testate, precum şi curenţii, sunt aplicaţi un timp scurt,
cu o frecvenţă de repetiţie coborâtă, fapt care permite determinarea unor
parametri limită fără distrugerea dispozitivului. Se pot afla curenţii şi
tensiunile maxime de funcţionare. Diodele se măsoară de obicei în
regim de impulsuri cu durata de 80-150 s la un factor de umplere mai
mic sau egal cu 1/100. Se evită astfel încălzirea joncţiunii.
Caracteriscopul permite sortarea rapidă a dispozitivelor electronice. Cu
ajutorul lui se poate stabili abaterea caracteristicilor electrice ale unei
componente faţă de o alta considerată etalon.

5. Mod de lucru în laborator.

În cadrul lucrărilor de laborator se trasează caracteristicile statice la

următoarele tipuri de diode: 1N4001, 1N4148, EFD103.
a) Se identifică componentele. Se iau din catalog valorile de lucru şi
valorile limită ale curentului şi tensiunii pentru fiecare componentă. Se
identifică terminalele.Diodele se montează prin intermediul unor
conectori miniatură pe o planşetă de lucru prevăzută cu borne la care
pot fi conectate ferm sursa şi aparatele de măsură necesare în circuit.
b) Se realizează montajul din figura 2 a. Divizorul rezistiv R1,R2 este
inclus în sursa de alimentare şi se activează printr-un comutator
basculant de pe panoul sursei.
c) Se modifică tensiunea debitată de sursa S şi se măsoară tensiunea pe
diodă şi curentul prin diodă valorile obţinute notându-se într-un tabel de
valori. Se determină tensiunea de deschidere VF0. Tensiunea şi
curentul nu trebuie să depăşească valorile maxime indicate în
catalog pentru dispozitivul testat. Va fi supravegheat cu atenţie
regimul termic al dispozitivului.

34
LUCRAREA NR.3 Analiza funcţionării diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor şi identificarea peformanţelor

Atenţie ! La începerea determinărilor se va roti spre stânga butonul

potenţiometrului de reglaj al tensiunii sursei pentru a se obţine
iniţial tensiunea minimă.

d) Se determină rezistenţa diferenţială a diodei într-un punct dat al

caracteristicii statice directe (IQ, VFQ) cu ajutorul raportului:

Δ VF
rd = ( )| (4)
ΔI VF = VFQ
Se calculează din valorile experimentale rezistenţa diferenţială a
diodei înainte de deschidere şi după deschidere şi se compară valorile
obţinute.
e) Se realizează montajul din fig. 2b, destinat trasării caracteristicii
inverse. Se modifică tensiunea debitată de sursa S, măsurându-se
tensiunea şi curentul prin diodă.Valorile obţinute se notează în tabelul
de date.
g) Se reprezintă grafic caracteristicile celor două diode folosind hîrtie
milimetrică sau un program adecvat pe calculator (ex. ORIGIN)
Cu ajutorul caracteriscopului se trasează automat caracteristicile
diodelor studiate. Se compară aceste caracteristici cu cele obţinute prin
trasarea punct cu punct.
Pentru a face o analiză atentă şi corectă a diodelor trebuie în prealabil
să se delimiteze domeniul parametrilor de lucru analizând fişele de
catalog ale dispozitivelor.

FIŞA TEHNICĂ
Caracteristici la diodele din seria 1N4000





m
m


mmC
at
odma
rc
at

1
N40
01 6,
4mm
m
as
a= 0
,
4 g

35
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE

Caracteristici electrice principale:UR = 50...1000V, I0 = 1A (Tamb = 750C)

Valori limită absolute (Tamb =250C) 1N4001 1N4003 1N4005 1N4007 U.M.
VR (Tamb =250C) 50 200 600 1000 V
VRM (Tamb =250C) 50 200 600 1000 V
I0 (T amb= 750C) 1 1 1 1 A
IF (T amb= 750C) 1,15 1,15 1,15 1,15 A
IFRM ( T amb= 750C) 10 10 10 10 A
IFSM (10ms) 30 30 30 30 A
PD 1 W
Tstg - 65 …+ 150 0
C
Tamb - 55 …+150 0
C
0
Tj +150 C
0
Rthj-amb 60 C/
W

Caracteristici electrice Condiţii de măsură Max. U.M.

VF IF =1A (Tamb =250C) 1,1 V
IR UR = URM (Tamb = 250C) 5 μA
IRM UR = URM , (Tamb =1000C) 50 μA

Fig.3 Caracteristica directă : a-caracteristica tipică,

b-caracteristica maximă

36
LUCRAREA NR.3 Analiza funcţionării diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor şi identificarea peformanţelor

Fig.4 Puterea disipată în conducţie directă PF , în funcţie de

curentul direct mediu IFAV

Fig.5 Curentul direct de vârf de suprasarcină accidentală IFSM

în funcţie de durata impulsului de suprasarcină,tp

37
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE

FIŞA TEHNICĂ
Caracteristici ale diodei 1N4148
Diodă de comutaţie ultrarapidă cu siliciu în structură planar-
epitaxială utilizată în comutare şi detecţie CAPSULA DO-35





m
m


m
mCa
to
dma
rc
at

1
N41
48 3,
9mm
m
as
a= 0
,
14gDO
-
35

Caracteristici electrice principale :UF (10 mA) = 1V, UR =75 V, toff = 4 ns)

Valori limită absolute (la Tamb = 250C)- Valoarea U.M.

VR 75 V
VRM 100 V
I0 75 mA
IFRM 225 mA
IFSM 500 mA
Ptot 250 mW
0
Tstg -65…+200 C
0
Tj 200 C

Caracteristici electrice (Tamb = 250C) Condiţii de măsură Max. U.M.

VF IF = 10mA 1 V
IR VR = 20V 25 nA
VR = 75V 5 μA
VBR IR = 100μA 100 V
Ctot capacitatea totală V=0 4 pF
VFM tensiune directă tranzitorie IF = 50 mA, tp = 0,1 μs 2,5 V
toff timpul de comutare inversă IF = 10 mA, RL = 100Ω 4 ns
η randamentul de detecţie în RL = 5KΩ, CL = 20pF 45 %
tens. VI = 2Veff, f = 100 MHz

38
LUCRAREA NR.3 Analiza funcţionării diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor şi identificarea peformanţelor

Diodele de comutaţie se folosesc în circuitele cu funcţionare în

regim de impuls. Trecerea rapidă a diodei de la regimul de polarizare
directă la cel de polarizare inversă poate avea loc datorită reducerii
timpului de viaţă a purtătorilor mobili de sarcină din semiconductor
prin procese tehnologice de impurificare şi iradiere a
semiconductorului.

Fig.6 Curentul invers IR în funcţie de tensiunea inversă VR

FIŞA TEHNICĂ
Caracteristicile diodei tip EFD 104
Diodă cu germaniu cu contact punctiform în capsulă de sticlă destinată
utilizării în circuitele de detecţie pentru semnale video. Capsula DO-7

39
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE





mm



mmC
at
odm
ar
cat
i
nel
e c
ol
ora
t
e

7
,
1mm
m
a
sa=0
,
2 g

Caracteristici electrice principale : VR = 25V ; I0 = 30mA

Valori limită absolute (Tamb=250C) Notaţia Valoarea U.M.

Tensiunea inversă continuă VR 25 V
Tensiunea inversă de vârf VRM 30 V
Curentul direct continuu IF 40 mA
Curentul direct de vârf IFM 90 mA
Curentul de suprasarcină accidentală (1s) IFSM 500 mA
Curentul mediu redresat I0 40 mA
0
Temperatura de stocare Tstg -55…+85 C

Caracteristici electrice Condiţii de măsurare Valoarea U.M.

Tensiunea directă VF IF = 6 mA 1 V
Curentul invers IR VR =10V, Tamb = 70 C 0
30 μA
VR =24V, Tamb = 700C 50 μA
VR =27V, Tamb = 70 C 0
200 μA
VR = 30V , Tamb = 700C 240 μA
Randament de detecţie η η = V0/Vi x 100 34 %

Vi 33K 330pF V0

Fig.7 Montaj de măsură în radiofrecvenţă (Vi=7Vef ,f=44MHz,

V0 = min 2,4V)

40
LUCRAREA NR.3 Analiza funcţionării diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor şi identificarea peformanţelor

Fig.8 Caracteristica curent-tensiune la dioda EFD104

6. Diode stabilizatoare de tensiune (diode Zener)

Diodele stabilizatoare de tensiune sunt diode cu joncţiuni pn de

construcţie specială care funcţionează la polarizare inversă, în
regiunea de străpungere cînd tensiunea la bornele lor este practic
constantă la variaţii mari ale curentului. Străpungerea controlată a
joncţiunii apare prin efect Zener sau multiplicare în avalanşă a
purtătorilor de sarcină. Diodele Zener actuale sunt cu siliciu şi au
tensiuni de lucru cuprinse între 3V şi 200V. Caracteristica statică la
polarizare directă şi la polarizare inversă până în apropierea zonei de
străpungere este identică cu a unei diode redresoare obişnuite.
Străpungerea electrică apare la tensiunea specificată pe diodă şi
conduce la apariţia unor curenţi importanţi (10-2- 10-1 A). care trebuie
limitaţi astfel încât să nu aibă loc distrugerea termică a joncţiunii.În
fig.9 este prezentată o caracteristică tipică de diodă Zener.

41
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE

Fig.9 Caracteristica tipică a unei diode Zener

Mărimi specifice diodelor Zener

 Tensiunea de stabilizare VZ ,este specificată la un anumit curent

ce depinde de tipul diodei. Puterea disipată de diodă este egală cu
produsul VZIZ . Diodele cu tensiuni de lucru mici vor admite
curenţi mari iar diodele cu tensiune stabilizată ridicată vor
permite trecerea unor curenţi reduşi. Exemplu dioda PL 6V2Z are
VZ = 5,8-6,6V şi IZM = 100 mA, în timp ce dioda PL 180Z are VZ
= 168 – 191V şi IZM = 5 mA ,ambele făcând parte din aceeaşi
serie de diode stabilizatoare cu puterea de 1W în capsula F-126.
Faţă de valoarea marcată pe diodă există dispersia specificată în
fişele de catalog pentru tensiunea de străpungere (ca în exemplele
de mai sus), la temperatura de 250C. Pentru calculul valorii

42
LUCRAREA NR.3 Analiza funcţionării diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor şi identificarea peformanţelor

tensiunii stabilizate în cazul încălzirii diodei la temperatura T se

utilizează coeficientul de temperatură al diodei , αVZ
VZ(T) = VZ(T0) [1 + αVZ(T – T0)] (5)

αVZ are valori negative de ordinul (2..6) 10-4/ 0C pentru diodele cu

tensiuni mai mici de (5,5…6) V şi valori pozitive de ordinul (1…10)
10-4/ 0C pentru tensiuni mai mari de 6V. Schimbarea semnului se
datorează trecerii de la străpungerea prin efect Zener la străpungerea
prin multiplicare în avalanşă.

 Rezistenţa diferenţială Rd, are două componente: rezistenţa

diferenţială a joncţiunii pentru cazul izoterm Rd j , şi rezistenţa
diferenţială de natură termică Rdth :
dU Z  U Z   U Z  dT
R d  R dj  R dth    
(6)
dI Z  I Z  T  T  I dI Z

În cazul variaţiilor rapide de curent componenta Rdth ,poate fi

neglijată. În foile de catalog se indică de obicei mărimea Rd măsurată
la o frecvenţă de 1KHz.

 Curentul maxim de stabilizare IZM.

Valoarea acestui curent este dictată de înscrierea funcţionării

diodei într-un regim de echilibru la care Tj ≤ TjMAX . Aşa cum s-a
specificat anterior cu cât tensiunea stabilizată este mai mare cu atât
curentul maxim admis este mai redus. În regim de impulsuri de scurtă
durată curentul IZM , poate fi depăşit cu condiţia ca puterea medie
disipată în diodă să menţină condiţia Tj ≤ TjMAX (dioda zener este
folosită în acest mod în circuite de protecţie la apariţia unor vârfuri
de tensiune).

43
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE

 Zgomotul diodelor stabilizatoare

Diodele Zener sunt dispozitive “zgomotoase” deoarece au ca
mecanism de funcţionare multiplicarea în avalanşă a
purtătorilor. La creşterea curentului IZ , tensiunea echivalentă de
zgomot prezintă maxime şi minime, străpungerea apărând în mai
multe puncte ale joncţiunii. Pentru reducerea zgomotului propriu
diodei se evită funcţionarea în regiunea de “cot” a caracteristicii
şi se recomandă “şuntarea” acesteia cu un condensator de
calitate având o capacitate de 10…100 nF.

În cadrul lucrării practice se studiază câteva exemplare de

diode Zener tip PL 9V1Z. Se utilizează montajul pentru trasarea
caracteristicilor la diode în regim de polarizare inversă (fig.11)
R mA

+ c a to d
E V DZ
- anod

Fig.10 Montaj pentru trasarea caracteristicii la dioda Zener (se

înseriază cu dioda măsurată un rezistor de 68Ω/2W cu scop de
protecţie prin limitarea curentului).
FIŞA TEHNICĂ
Caracteristici la dioda PL9V1Z
- Diodă stabilizatoare de tensiune cu siliciu difuzat, aliată şi




m
m


mmC
at
odma
rc
at

P
L9
V1Z6,4
mmF -
126
ma
sa=0
,4g

44
LUCRAREA NR.3 Analiza funcţionării diodelor semiconductoare
Trasarea caracteristicilor şi identificarea peformanţelor

dublu difuzată pentru uz profesional în CAPSULA F-126. Răcire prin

convecţie.
Caracteristici electrice (Tamb= 250C) Min. Tip. Max U.M.
VZ Tensiunea stabilizată 8,5 - 9,1 – 9,6 V
IZ Curentul nominal 50 mA
Rd Rezistenţa diferenţială 4 Ω
αVZ Coeficientul de temperatură 5,1 10-4 0 -1
C
IR Curentul invers (UR = 3,5V) 1 μA
IZM Curentul maxim de stabilizare 100 mA
Tj Temperatura maximă a joncţiunii 150 0
C
Tamb Temperatura ambiantă defuncţionare -50…+150 0
C
0
Tstg Temperatura de stocare -50…+150 C

Fig.12 Rezistenţa diferenţială a diodelor zener din seria PL

45
FLORIN MIHAI TUFESCU ELECTRONICA FIZICĂ
LUCRĂRI PRACTICE

în funcţie de tensiunea stabilizată şi de curentul prin diodă

Etape de lucru în cadrul studiului experimental al diodei zener

1. Se vor trasa caracteristicile la polarizare inversă pentru trei

exemplare de diode zener de acelaşi tip PL9V1Z , până la curenţi de
cca.90 mA.
2. Se va determina tensiunea de stabilizare nominală a diodei ca
fiind tensiunea măsurată la curentul de 50 mA prin diodă. Se vor
compara valorile obţinute evidenţiindu-se mărimea dispersiei pentru
tensiunea stabilizată de fiecare din cele trei exemplare.
3. Se vor reprezenta caracteristicile obtinute.
4. Se vor calcula şi compara rezistenţele diferenţiale ale diodelor la
diferiţi curenţi (1 mA, 10 mA, 20 mA, 50 mA, 80 mA) reprezentându-
se grafic dependenţa rezistenţei diferenţiale în funcţie de curentul care
străbate dioda.
5. Se va aduce una din diode intr-un regim de curent invers de
cca.100 mA (care constituie curentul maxim admis de dispozitiv) şi se
va observa calitativ modul în care se modifică tensiunea stabilizată la
creşterea temperaturii datorită disipaţiei termice în dispozitiv.
6. Pentru una din diode, se va trasa caracteristica la polarizare
directă şi se va compara cu caracteristica la polarizare directă a diodei
1N4001.
7. Se va calcula de pe una din caraceristicile la polarizare inversă
variaţia puterii disipate pe diodă în funcţie de curentul care o strabate
şi se va reprezenta grafic această dependenţă.

Notă : Pentru măsurarea tensiunii pe diodele zener se va folosi un

voltmetru numeric de calitate capabil să evidenţieze micile variaţii de
tensiune care apar la modificarea curentului prin dispozitiv.

46