MEMORIA RAM DINMICA DRAM (Dinamic Random Access Memory): Son memorias en las cuales el estado (0 1) se almacena en un dispositivo

o electrnico cuya forma de funcionamiento podemos compararla con un condensador que tiende a descargarse. Por ello, cada cierto tiempo, entre 1 y 18 millones de veces cada segundo, hay que enviar una seal, que se denomina seal de refresco, que recuerde a la memoria la informacin que posee, ya que sta, se pierde poco despus de haberse introducido. El microprocesador es el que da las rdenes oportunas para que la seal de refresco Llegue a la memoria. La frecuencia de esta seal de refresco tiene que ser suficientemente alta para que no de tiempo a que se pierda la informacin contenida en la memoria. La capacidad de las memorias DRAM va de 64Kbit a 32Mbit (la capacidad de los chips de memoria se suele medir en bits y no en bytes). El tiempo medio de acceso de esta memoria oscila entre 80ns y 50ns. Actualmente no se emplean directamente los chips de memoria, sino que se agrupan varios en una placa, con un conector estndar para poder colocarse mejor; son los llamados SIMM (Single Inline Memory Module) que han existido de dos tipos: de 30 contactos (casi en desuso) y de 72 contactos. Posteriormente aparecieron los llamados DIMM (Dual Inline Memory Module), que tienen 168 contactos y su capacidad vara desde 8Mb hasta 128 MB.

Las figuras siguientes representan los distintos tipos de mdulos de memoria que se han existido y existen, as como los tamaos del bus de datos y direcciones de cada uno, en el caso de las memorias dinmicas la memoria direccionable es el doble del tamao del bus de direcciones, ya que las direcciones se dividen en filas y columnas y se envan consecutivamente ambas por el mismo bus. El tamao del bus de direcciones indica el mximo tamao que puede tener una de dichas memorias, tambin las hay de menor capacidad, en ese caso no se utilizan las lneas de direcciones altas del bus.

Memoria RAM esttica

Es un tipo de memoria basada en semiconductores capaz de mantener los datos (mientras est alimentada) sin necesidad de circuito de refresco Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30

nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos..-Es una memoria esttica que est compaginada con el
procesador para evitar estados de espera y es capaz de soportar velocidades de bus de 100 y 133MHz, alcanzando velocidad de hasta menos de 10ns

A) SRAM PROVIENE DE ("STATIC READ ALEATORY MEMORY"), lo que traducido significa memoria esttica de acceso aleatorio. Se trata de una memoria RAM que tiene la caracterstica de estar construida a base de transistores (a diferencia de la memoria DRAM que la mayora utilizamos en las computadoras, la cul esta fabricada a base de capacitores). La caracterstica mas importante de la memoria SRAM es que por las propiedades electrnicas del transistor, este no necesita estarse cargando constantemente de electricidad (a diferencia del capacitor de la DRAM, el cul necesita constantemente recargndose, porque en caso contrario pierde el dato almacenado); por ello tienden a ser memorias sumamente rpidas y tambin costosas (ya que es mas caro fabricar un transistor que un capacitor). Son memorias fsicamente semejantes a las memorias DRAM convencionales (SIMM, DIMM, RIMM, DDR, etc.), que tienen un conector para ser insertadas en una ranura especial para ellas en latarjeta principal (Motherboard). B) MEMORIA CACH: es sinnimo de SRAM, ya que es el tipo de almacenamiento en que ms se basa su uso, sin embargo tambin es posible crear segmentos de Cach en discos duros yunidades SSD, cumpliendo la funcin de almacenar datos e instrucciones utilizadas frecuentemente, pero sin punto de comparacin con respecto a la velocidad que logra desarrollar la SRAM.

Usos especficos de la memoria SRAM Se utiliza para agilizar la velocidad de acceso a datos en una computadora, evita el acceso del microprocesador a la memoria RAM convencional (en este proceso se pierde mucho tiempo), as que se encarga de almacenar datos e instrucciones frecuentemente utilizados, por lo que el microprocesador primero buscar en ella y es seguro que encuentre el dato de manera rpida; en caso de no hallar el dato entonces proceder a la RAM convencional.

FUNCIONAMIENTO DE UNA MEMORIA SRAM CACH 1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor 1. 2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor 0. 3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se pierde. 4) Este tipo de celdas no se descargan mientras la computadora este encendida, por ello es que son sumamente rpidas ya que no presentan el fenmeno de "refrescar memoria" de las memorias DRAM.

Animacin de funcionamiento interno de una memoria SRAM

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA SRAM Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes: 1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de la memoria. 2.- Chips: son mdulos de memoria voltil SRAM. 3.- Conector (80 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para SRAM. 4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura de memoria.

CARACTERSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA SRAM Son memorias caras y por lo tanto de muy poco uso. Cuentan regularmente con 80 pines que se insertan en una ranura especial. Tienen por lo general muy poca capacidad de almacenamiento, pero son muy veloces. Puede convivir con otro tipo de memorias en la misma tarjeta principal ("Motherboard"). Actualmente se les clasifica en niveles ("Level"), por lo que se les identifica como L1, L2 y L3.

Niveles de Cach (L1, L2 y L3)

Memoria L1: se encuentra integrada dentro de los circuitos del microprocesador y eso la hace ms cara y ms complicado el diseo, pero tambin mucho ms eficiente por su cercana al microprocesador, ya que funciona a la misma velocidad que l. Esta a su vez se subdivide en 2 partes. - L1 DC: "LEVEL 1 DATE CACHE": se encarga de almacenar datos usados frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlos, inmediatamente los utiliza, por lo que se agilizan los procesos. - L1 IC: "LEVEL 1 INSTRUCTION CACHE": se encarga de almacenar instrucciones usadas frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlas, inmediatamente las recupera, por lo que se agilizan los procesos. MEMORIA L2: esta es la que viene en forma de tarjetas de memoria, para ser insertada en una ranura (Slot) especial de la tarjeta principal (Motherboard) y funciona a la velocidad de trabajo de la misma. Actualmente la memoria L2 viene integrada en el microprocesador, se encarga de almacenar datos de uso frecuente y agilizar los procesos; determina por mucho si un microprocesador es la versin completa un modelo austero. MEMORIA L3: esta memoria es un tercer nivel que soportan principalmente los procesadores de la firma AMD. Con este nivel de memoria se agiliza el acceso a datos e instrucciones que no fueron localizadas en L1 L2. Si no se encuentra el dato en ninguna de las 3, entonces se acceder a buscarlo en la memoria RAM

Conclusin Para resumir lo explicado anteriormente, la memoria RAM esttica es rpida y cara, y la memoria RAM dinmica es ms barata pero algo ms lenta. Por ello, la RAM esttica se usa para crear la cach de alta velocidad en la CPU, mientras que la RAM dinmica forma el extendido espacio del sistema RAM.