MEMORIA RAM DDR Como apoyoyo a la comprensin del tema, te ofrecemos una animacin sobre el

funcionamiento interno de una memoria RAM:

Figura 1. Animacin de funcionamiento interno de una memoria RAM

1) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica alta cundo indica el valor 1. 2) La celda de memoria se carga de una corriente elctrica baja cundo indica el valor 0. 3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la informacin se pierde. 4) Este tipo de celdas tienen un fenmeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente lentas.

Definicin de memoria tipo DDR DDR proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisin doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultnea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cules tienen los chips dememoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Tambin se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores fsicamente independientes por ambas caras como el primer estndar DIMM. Compiti directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory Module"). Estas memorias estn siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double Data Rate - 2").

Figura 2. Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston, modelo KVR266, capacidad 128 MB, bus 266 MHz.

Caractersticas generales de la memoria DDR + Todos las memorias DDR cuentan con 184 terminales. + Cuentan con una muesca en un lugar estratgico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta. + La medida del DDR mide 13.3 cm. de largo X 3.1 cm. de alto y 1 mm. de espesor. + Como sus antecesores (excepto la memoria RIMM), pueden estar no ocupadas todas sus ranuras para memoria.

Partes que componen la memoria DDR Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son bsicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plstica sobre la cul estn soldadas los componentes de lamemoria. 2.-Chips: son mdulos de memoria voltil. 3.- Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial paramemoria DDR. 4.- Muesca: indica la posicin correcta dentro de la ranura de memoria DDR. Partes de la memoria DDR Figura 3. Esquema de partes de la memoria RAM tipo DDR

Conectores - terminales para la ranura Solo hay una versin fsica: Conector Conector de la memori DDR 184 a terminal Ranura es de la tarjeta principal Velocidad de la memoria DDR Figuras

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cul se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Bsicamente se comercializaron las siguientes: Nombre asignado PC-2100 PC-2700 PC-3200 Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus") 266 MHz 333 MHz 400 MHz

Tecnologa DDR ECC La tecnologa ECC en memorias DDR se utiliza bsicamente para servidores que manejan datos sumamente crticos, ya que no es comn su uso en equipos domsticos porque esta tecnologa aumenta en gran medida los costos de la memoria. ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa cdigo para correccin de errores. Se trata de un cdigo que tiene la capacidad de detectar y corregir errores de 1 mas bits, de tal suerte que el usuario no detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad. Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemtico de parte del ECC, el cul se almacena junto con los otros datos, as al ser solicitados estos, se comparar el cdigo almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la no coincidencia exacta de lo anterior el cdigo original se decodificar para determinar la falla y se procede a corregirlo. El tiempo de acceso de la memoria DDR Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM d un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg): Tipo de memoria DDR PC2100 DDR PC2700 DDR PC3200 Latencia de la memoria DDR CL proviene de ("CAS Latency"), lo cul es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definicin es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor est relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar est, tambin aumenta la latencia. Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg) 7.5 nseg 6 nseg, 5 nseg

Tipo de memoria DDR PC2100 DDR PC2700 DDR PC3200

Latencias (CL) 2.5 2.5 2.5 hasta 4

Capacidades de almacenamiento DDR La unidad prctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR es el MegaByte (MB). y el GigaByte (GB). Las capacidades comerciales son las siguientes: Tipo de memoria DDR 184 terminales Capacidad en MegaBytes (MB) / GigaBytes (GB) 128 MB, 256 MB, 512 MB y 1 GB

Usos especficos de la memoria DDR Los DDR de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con microprocesadores de la familia AMD Athlon y por su bajo precio y eficiencia tambin la firma Intel lo adopto para susproductos Pentium 4. La memoria SODDR (Variante de DDR) Significado de SODDR: proviene de ("Small Outline Dual Data Rate"), siendo la variante de memoria DDR para computadoras porttiles. Otro tipo de memorias DDR para computadoras porttiles son las microDRR, utilizadas en ciertos modelos de porttiles de las marcas Toshiba y Sony. Caractersticas de la memoria SODDR: + Todas las memorias SODDR cuentan con 200 terminales, especiales para computadoras porttiles, mientras que las microDDR cuentan con 172 terminales. + Las dems especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR para computadora de escritorio.

Figura 4. Memoria SODDR, 200 terminales, 266/333 MHz.

DDR SDRAM

Mdulo de memoria DDR.

DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en espaol. Son mdulos dememoria RAM compuestos por memorias sncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultneamente en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes). Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4en un principio utiliz nicamente memorias RAMBUS, ms costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permiti competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.

Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3

Se utiliza la nomenclatura PC-XXXX, dnde se indica el ancho de banda del mdulo y pueden transferir un volumen de informacin de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de clculo para PC1600: 100 MHz x 2 datos por ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes por segundo Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:

Single Memory Channel: Todos los mdulos de memoria intercambian

informacin con el bus a travs de un solo canal, para ello slo es necesario introducir todos los mdulos DIMM en el mismo banco de slots.

Dual Memory Channel: Se reparten los mdulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a travs de dos canales simultneos, uno para cada banco.

[editar]Especificaciones [editar]Chips

estndar
Mxima Nomb capacidad re del de mdul transferen o cia PC16 00 PC21 00 PC24 00 PC27 00 PC30 00 PC32 00 PC35 00 PC37 00 PC40 1600 MB/s 2133 MB/s 2400 MB/s 2667 MB/s 2933 MB/s 3200 MB/s 3500 MB/s 3700 MB/s 4000

y Mdulos
Velocid ad del reloj de E/S 100 MHz 133 MHz 150 MHz 166 MHz 183 MHz 200 MHz 216 MHz 233 MHz 250 Datos transferid os por segundo 200 millones 266 millones 300 millones 337,5 millones 366 millones 400 millones 433 millones 466 millones 500

Tiem Velocid po Nombre ad del entre estndar reloj seale s DDR200 (2001) DDR266 (2002) DDR300 (2003) DDR333 (2004) 100 MHz 133 MHz 150 MHz 166 MHz 10 ns

7,5 ns

7 ns

6 ns

DDR183 366(200 MHz 4) DDR400 (2004) DDR433 (2004) DDR466 (2004) DDR200 MHz 216 MHz 233 MHz 250

5,5 ns

5 ns

4,6 ns

4,2 ns 4 ns

500 (2004) DDR533 (2004)

MHz

MHz

millones

00

MB/s

266 MHz

3,7 ns

266 MHz

533 millones

PC43 00

4264 MB/s

No hay diferencia arquitectnica entre los DDR SDRAM diseados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseado para correr a 133 MHz). El nmero simplemente seala la velocidad en la cual el chip est garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj ms bajas para las que fue diseado (underclock) o para velocidades de reloj ms altas para las que fue diseado (overclock). Los DIMMs DDR SDRAM tienen 184 pines (en comparacin con los 168 pines en el SDRAM, o los 240 pines en el DDR2 SDRAM), y pueden ser diferenciados de los DIMMs SDRAM por el nmero de muescas (el DDR SDRAM tiene una, y el SDRAM tiene dos). El DDR SDRAM funciona con un voltaje de 2,5 V, comparado a 3,3 V para el SDRAM. Esto puede reducir perceptiblemente el uso de energa. Nota: algunos DIMMs tiene un voltaje nominal de 2,6 2,7 V.1 Muchos chips nuevos usan estos tipos de memoria en configuraciones Dual Channel, lo que dobla o cuadruplica el ancho de banda efectivo.