1)O circuito abaixo um amplificador CMOS, a ser implementado em uma tecnologia que possui os seguintes parmetros: |Vtp| = Vtn

n = 0,6V; Kn = 40 A / V; Kp = 20 A / V; n = p = 0,02 (L= 1,5m). O capacitor de carga CL de 5 pF e IRef uma fonte de corrente de 20A. Considere a operao dos transistores sempre na regio de saturao. a) (1,5) Determine a relao mnima (W/L)2 de M2 para que o circuito tenha uma freqncia de corte (-3dB) superior a 250kHz. A relao de (W/L)3 de M3 2. b) (1,5) Determine a relao (W/L)1 de M1 para um ganho em baixa freqncia (DC) de -50. c) (1,0) Determine as tenses mxima e mnima de sada Vo para operao na regio de saturao. d) (1,0) Determine a mnima e mxima tenso de entrada Vin para operao do circuito na regio de saturao.

+5V M3 Vin M2 VO
IRef

M1

CL

2)O circuito abaixo um amplificador CMOS, a ser implementado em uma tecnologia que possui os -1 seguintes parmetros: |Vtp| = Vtn = 0,6V; Kn = 40 A / V; Kp = 20 A / V; n = p = 0,02V (L= 1,5m). O capacitor de carga CL de 2 pF. Considere a operao dos transistores sempre na regio de saturao. a) (1,0) Determine a corrente mnima de dreno do transistor M2 para que o circuito tenha uma freqncia de corte (-3dB) superior a 500kHz. b) (1,5) Sabendo que (W/L)3 = (W/L)2 = 25, determine a relao (W/L)4 M4 para que seja atendida a condio de operao definida no item a). c) (1,5) Determine a relao (W/L)1 de M1 para um ganho de tenso em baixa freqncia (DC) de -20. d) (0,5) Determine as tenses mxima e mnima de sada Vo para operao na regio de saturao. e) (0,5) Determine a mnima e mxima tenso de entrada Vin para operao do circuito na regio de saturao.
+3,0V M4 M3 Vin M1 VO M2 CL

3)O circuito abaixo um amplificador CMOS, implementado em uma tecnologia que possui os -1 seguintes parmetros: |Vtp| = Vtn = 0,8V; Kn = 40 A / V; Kp = 20 A / V; n = p = 0,02V (L= 1,0m). Considere a operao dos transistores sempre na regio de saturao e responda as questes abaixo. a) (1,0) Determine a corrente IRef. b) (1,0) Determine o ganho ganho de tenso Av = Vo / Vin. c) (1,0) Determine as tenses mxima e mnima de sada Vo para operao na regio de saturao. d) (1,0) Determine a mnima e mxima tenso de entrada Vin para operao do circuito na regio de saturao.

+3V
M3
(W/L)3 = 12,5

M2
(W/L)2 = 25

VO
M4
M4=M5 (W/L)4, 5 = 100

Vin
IRef

M1
(W/L)2 = 200

M5

4)O circuito abaixo utilizado para distribuir corrente de polarizao em um amplificador CMOS. Este circuito deve ser implementado em uma tecnologia que possui os seguintes parmetros: |Vtp| = Vtn = 0,6V; Kn = 100 A / V; Kp = 40 A / V; n = p = 0,02 (L = 1,5m). Sabe-se que o circuito deve operar com IRef = 10A, I4 = 50A, I2 = 10A e I1 = 25A. Considere tambm que o transistor M1 deve operar como fonte de corrente at uma tenso mnima de 0,2V em seu dreno e, M4 at uma tenso mxima de 2,8V em seu dreno. Considere a operao dos transistores sempre na regio de saturao. e) (1,5) Determine a dimenso de M6 e M5. f) (3,0) Determine a relao (W/L) dos outros transistores a fim de atender as especificaes. g) (1,5) Considerando que os transistores M4 e M1 apresentam um resistncia de sada finita, qual o desvio de corrente esperado para cada 1V de alterao em seus drenos em A/V?

+3,0V M5
IRef

M4
I4

M3
I1

M2

M6

M1