COMPONENTES DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA

COMPONENTES DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA

1. Introduccin 2. Diodos de Potencia 3. El transistor Bipolar de Potencia - BJT 4. El Transistor MOS de Potencia - MOSFET 5. El Tiristor o SCR 6. Otros Semiconductores de Potencia

COMPONENTES DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA

7. Circuitos de Disparo de los Interruptores Electrnicos de Potencia 8. Circuitos de Conmutacin o Bloqueo 9. Consideraciones de Diseo del "Snubber 10. Protecciones de los Componentes Electrnicos de Potencia

1. Introduccin
Los primeros dispositivos para el manejo de la energa elctrica fueron los tubos de vaci. Sin embargo una vez llegados los semiconductores a base de Silicio, se fueron reemplazados a medida que iban apareciendo. El recambio comenz con los diodos en los

1. Introduccin
Durante los aos setenta, los Tiristores (SCRs), los Tiristores Bloqueables por Puerta (GTOs); y los Transistores Bipolares (BJTs) constituan los dispositivos de potencia primordiales, mientras que los Transistores MOSFETs eran todava demasiado recientes para participar en las aplicaciones de potencia. Los SCRs y los BJTs de aquella poca podan conmutar a frecuencias entre 1 y 2KHz .

1. Introduccin
Durante los aos ochenta se consiguieron bastantes avances, tales como reduccin de la resistencia en conmutacin de los transistores MOSFETs, aumento de la tensin y la corriente permitida en los GTOs, desarrollo de los dispositivos hbridos MOS-BIPOLAR tales como los IGBTs, as como el incremento de las prestaciones de los circuitos integrados de potencia y sus aplicaciones.

1. Introduccin
En la dcada de los noventa los SCRs van quedando relegados a un segundo plano, siendo sustituidos por los GTOs. Se incrementa la frecuencia de conmutacin en dispositivos MOSFETs e IGBTs, mientras que los BJTs son gradualmente reemplazados por los dispositivos de potencia anteriores.

1. Introduccin
Tecnolgicamente se ha tendido a fabricar dispositivos con mayores velocidades de conmutacin, con capacidad para bloquear elevadas tensiones, permitiendo el paso de grandes corrientes y que cada vez, tienen un control ms sencillo y econmico en consumo de potencia.

1. Introduccin

Caractersticas frecuencia potencia de los semiconductores

2. Diodos de Potencia
El elemento rectificador de potencia ms comn es el diodo de potencia y esta formado por una sola unin PN. Las caractersticas de los diodos de potencia son, en general, similares a las de los diodos normales, idealmente presenta dos estados bien diferenciados: corte y conduccin. El paso de un estado a otro no se realiza de forma instantnea y en dispositivos en los que el funcionamiento se realiza a elevada frecuencia, es muy importante el tiempo de paso entre estados, puesto que ste acotar las frecuencias de trabajo, siendo necesario el uso de Diodos de Recuperacin Ultra Rapidos o ultra fast recovery diode

2. Diodos de Potencia
En cuanto a mrgenes de funcionamiento, hay diodos que en estado de conduccin pueden llegar a soportar corrientes medias superiores a los 1.500 A llegando hasta tensiones inversas superiores a los 2.000 V. El nico procedimiento de control posible, es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

2. Diodos de Potencia

estructura

smbolo

caracterstica v-i

Caracterstica v-i ideal.

2. Diodos de Potencia
Parmetros en estado de bloqueo.
VRWM Tensin inversa de trabajo mxima. Es la tensin que puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de calentamientos. VRRM Tensin inversa de pico repetitivo. Es la tensin que puede ser soportada en picos de 1 ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

2. Diodos de Potencia
Parmetros en estado de bloqueo.
VRSM Tensin inversa de pico no repetitivo. Es la tensin que puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10 ms. VR Tensin de ruptura. Si es alcanzada, aunque sea por una sola vez con duracin de 10 ms o menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas. IR Intensidad de fugas. Intensidad que circula por el dispositivo de potencia cuando est bloqueado.

2. Diodos de Potencia
Parmetros en estado de conduccin IF (AV) Intensidad en directo media nominal. Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la cpsula mantenida a determinada temperatura. IFRM Intensidad en directo de pico repetitivo. Puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracin del pico de 1 ms a determinada temperatura de la cpsula. IFSM Intensidad en directo de pico no repetitivo. Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10 ms.

2. Diodos de Potencia
Diodo rectificador normal Tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25 s, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no es critico. Margen de funcionamiento: desde < 1A hasta varios miles de A; 50V...5KV Diodo de barrera Schottky Se caracterizan por su alta velocidad de conmutacin, una baja cada de voltaje cuando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios), con un tiempo de recuperacin de menos de 1 ns. Tiene poca capacidad de conduccin de corriente en directo .< Margen de funcionamiento: 1A...300A; Son usados en rectificadores de bajo voltaje para mejorar la eficacia de la rectificacin. Diodo de recuperacin rpida Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que 5 s. Esta caracterstica es especialmente valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta variacin de corriente tan rpida necesitara contactos de proteccin, sobre todo cuando en el contacto exterior encontramos elementos inductivos. Margen de funcionamiento: <1A...300A; 50V...3KV

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3. El transistor Bipolar de Potencia BJT

Su funcionamiento es idntico a los transistores de pequea seal. Son fciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de control consume ms energa que el de otros semiconductores de potencia. Su principal ventaja es la baja cada de tensin en saturacin.

3. El transistor Bipolar de Potencia BJT

smbolo

caracterstica v-i

caracterstica v-i ideal.

3. El transistor Bipolar de Potencia BJT

Los transistores bipolares de alta potencia se utilizan fundamentalmente para trabajar con frecuencias por debajo de 10KHz y en aplicaciones que requieran 1.200 V y 400 A como mximo. A diferencia del transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo ms importante es la lineal, en el transistor de potencia los estados ms importantes de funcionamiento son saturacin y corte.

3. El transistor Bipolar de Potencia BJT

Los BJT tpicos utilizados son de tipo Darlington y triple Darlington, esto por el efecto que tiene esta configuracin de poder controlar mas corriente por el colector.

4. El Transistor MOS de Potencia MOSFET

El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los elementos que lo componen; una fina pelcula metlica (Metal - M); oxido de silicio (xido - O); regin semiconductora (Semiconductor - S). El control del MOSFET se realiza por tensin, teniendo que soportar solamente un pico de corriente para cargar y descargar la capacidad de puerta. Como ventajas destacan su alta impedancia de entrada, velocidad de conmutacin, buena estabilidad trmica y facilidad de colocar mltiples transistores en paralelo.

4. El Transistor MOS de Potencia MOSFET

Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de potencia MOSFET se encuentran en la conmutacin a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar motores, generadores de altas frecuencia para induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y trasmisores de radiofrecuencia.

4. El Transistor MOS de Potencia MOSFET

Smbolo

Caracterstica v-i

Caracterstica v-i ideal.

4. El Transistor MOS de Potencia MOSFET

La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que estos ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequea corriente de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados por corriente aplicada a la base.

5. El Tiristor o SCR
Es un diodo que permite el control mediante una seal de disparo, por lo que se conoce como rectificador controlado de silicio (SCR - Silicon Controlled Rectifier). Dentro de la denominacin general de tiristores se consideran todos aquellos componentes semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentacin regenerativa de una estructura PNPN. Dispone de dos terminales principales, nodo y ctodo, y uno auxiliar de disparo o puerta (gate).

5. El Tiristor o SCR

Estructura

Caracterstica v-i real

Smbolo

Caracterstica v-i ideal

5. El Tiristor o SCR
La corriente principal circula del nodo al ctodo. En su estado de OFF, puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la tensin Vak. El tiristor debe ser disparado a ON aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo instante. La cada de tensin directa en el estado de ON es de pocos voltios (1-3V). Una vez que empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser cortado por pulso de puerta. Solo cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortar el tiristor.

5. El Tiristor o SCR
La corriente principal circula del nodo al ctodo. En su estado de OFF, puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la tensin Vak. La cada de tensin directa en el estado de ON es de pocos voltios (1-3V).

5. El Tiristor o SCR
El tiristor debe ser disparado a ON aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de gate, durante un pequeo instante. Una vez que empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser cortado por pulso de puerta. Solo cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortar el tiristor.

5. SCR - Terminologa
VDRM Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo directo. Expresa el valor mximo de voltaje repetitivo para el cual el fabricante garantiza que no hay conmutacin, con la puerta en circuito abierto. (Repetitive peak off-state voltage). VDSM Tensin de pico no repetitivo en estado de bloqueo directo. Valor mximo de tensin en sentido directo que se puede aplicar durante un determinado periodo de tiempo con la puerta abierta sin provocar el disparo. (Non -repetitive peak off state voltage). VDWM Tensin mxima directa en estado de trabajo. Valor mximo de tensin en condiciones normales de funcionamiento. (Crest working off - state voltage).

5. SCR - Terminologa
VRRM

Tensin inversa de pico repetitivo. (Repetitive peak reverse voltage). Valor mximo de tensin que se puede aplicar durante un cierto periodo de tiempo con el terminal de puerta abierto. Tensin inversa de pico no repetitivo. (Non - repetitive peak reverse voltage). Valor mximo de tensin que se puede aplicar con el terminal de puerta abierto. Tensin inversa mxima de trabajo. (Crest working reverse voltage). Tensin mxima que puede soportar el tiristor con la puerta abierta, de forma continuada, sin peligro de ruptura.

VRSM

VRWM

5. SCR - Terminologa
IT(AV) Corriente elctrica media. (Average on - state current). Valor mximo de la corriente media en el sentido directo, para unas condiciones dadas de temperatura, frecuencia, forma de onda y ngulo de conduccin. IT(RMS) Intensidad directa eficaz. (R.M.S. on state current). ITSM Corriente directa de pico no repetitiva. (Peak one cycle surge on - state current). Corriente mxima que puede soportar el tiristor durante un cierto periodo de tiempo.

5. SCR - Terminologa
VGT

Tensin de disparo de puerta. (Tensin de encendido). (Gate voltage to trigger). Tensin de puerta que asegura el disparo con tensin nodo - ctodo en directo.

5. SCR - Terminologa
IL Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de nodo mnima que hace bascular al tiristor del estado de bloqueo al estado de conduccin. IH Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mnima corriente de nodo que conserva al tiristor en su estado de conduccin. IGT Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de puerta que asegura el disparo con un determinado voltaje de nodo.

5. SCR - Terminologa
I t Valor lmite para proteccin contra sobrecorrientes. (It Limit value). Se define como la capacidad de soportar un exceso de corriente durante un tiempo inferior a medio ciclo. Permite calcular el tipo de proteccin. Se debe elegir un valor de It para el fusible de forma que: It (fusible) < It (tiristor)

IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.

IGBT
Posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo

IGBT

IGBT
El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.

IGBT
Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 volts, llegando en la actualidad hasta 6.600V Trabaja a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz. Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 A.

TRIAC
El TRIAC es un semiconductor de tres terminales, dos principales (E1, E2) y otro de control denominado puerta (G). Este dispositivo tiene la capacidad de controlar el paso de corriente en ambas direcciones, por tanto se puede decir que se trata de un dispositivo bidireccional, por lo que es muy utilizado en la regulacin de corriente alterna.

TRIAC

Smbolo

caracterstica v-i

caracterstica v-i ideal

TRIAC
El TRIAC presenta la ventaja de poder pasar al estado de conduccin, tanto para tensiones negativas como positivas. Una forma simple de describir su comportamiento, es comparndolo con dos tiristores conectados en antiparalelo.

TRIAC
Es ms fcil controlar a un triac que a dos tiristores, pero cuando la potencia que se debe controlar es excesiva para las caractersticas del triac (la potencia mxima que puede disipar es reducida), se puede sustituir por dos tiristores, colocados en antiparalelo.

GTO
El GTO (Gate - Turn - Off), es un dispositivo semiconductor de potencia que combina las caractersticas ms deseables de un tiristor convencional con las caractersticas de un transistor bipolar, presentando la ventaja de poder pasar del estado de conduccin al estado de bloqueo mediante la aplicacin de un impulso negativo a la puerta.

GTO
La caracterstica de funcionamiento del GTO, es similar a la de un tiristor convencional. La tensin nodoctodo, VAK cuando el dispositivo est conduciendo ser aproximadamente de 3 V y la corriente que circula, solo est limitada por la carga exterior colocada en el circuito.