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Defectos cristalinos y consecuencias en propiedades microscpicas.2:247

DEFECTOS E IMPERFECCIONES CRISTALINAS Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos de imperfecciones y defectos, que afectan a muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas y tambin influyen en algunas propiedades de los materiales a nivel de aplicacin ingenieril tal como la capacidad de formar aleaciones en fro, la conductividad elctrica y la corrosin. Las imperfecciones se clasifican segn su geometra y forma as: Defectos puntuales o de dimensin cero Defectos lineales o de una dimensin llamados tambin dislocaciones Defectos de dos dimensiones Tambin deben incluirse los defectos macroscpicos tales como fisuras, poros y las inclusiones extraas. DEFECTOS PUNTUALES VACANTE Constituye el defecto puntual ms simple. Es un hueco creado por la perdida de un tomo que se encontraba en esa posicin. Puede producirse durante la solidificacin por perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales. Tambin puede producirse por reordenamientos atmicos en el cristal ya formado como consecuencia de la movilidad de los tomos. (Figura 1) DEFECTOS DE LINEA (DISLOCACIONES) Son defectos que dan lugar a una distorsin de la red centrada en torno a una lnea. Se ante la solidificacin de los slidos cristalinos o por deformacin plstica, por condensacin de vacantes. Hay dos tipos de dislocaciones, las de cua y las helicoidales. Tambin puede darse una combinacin de ambas, denominada dislocacin mezcla.

DISLOCACIN DE CUA Se crea por insercin de un semiplano adicional de tomos dentro de la red. Los tomos a lado y lado del semiplano insertado se encuentran distorsionados. Los tomos por encima de la lnea de dislocacin, que se encuentra perpendicular al plano de la pgina, en el punto donde termina el semiplano insertado, se encuentran comprimidos y los que estn por debajo se encuentran apartados. Esto se refleja en la leve curvatura de los planos verticales de los tomos mas cercanos del extra semiplano. La magnitud de esta distorsin decrece con la distancia al semiplano insertado. Figura 8. Dislocacin de cua La distancia de desplazamiento de los tomos en torno a una dislocacin se llama DESLIZAMIENTO o vector de Burgers y es perpendicular a la lnea de dislocacin de cua. DISLOCACIN HELICOIDAL

Esta dislocacin se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal perfectoque ha sido separado por un plano cortante. Figura 9. Figura 9. Dislocacin helicoidal Aqu el vector de Burgers o de desplazamiento es paralelo a la lnea de dislocacin. DISLOCACIONES MIXTAS Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones anteriores. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la lnea de dislocacin, pero mantiene una orientacin fija en el espacio. La estructura atmica local en torno a la dislocacin mixta es difcil de visualizar, pero el vector de Burgers proporciona una descripcin conveniente y sencilla. (Figura 10) Figura 10. Dislocacin mixta SIGNIFICADO DE LAS DISLOCACIONES Aunque los deslizamientos o desplazamientos atmicos pueden ocurrir en cermicos y polmeros, estos procesos son particularmente tiles para entender el comportamiento mecnico de los metales. Primero que todo, el deslizamiento atmico explica por que la resistencia de los metales es mucho mas baja que el valor terico predicho de los enlaces metlicos. Cuando los deslizamientos ocurren, solo una pequea fraccin de todos los enlaces metlicos a lo largo de la interfase necesita ser roto y la fuerza requerida para deformar el metal es pequea. Segundo, los deslizamientos proveen ductilidad en los metales. Si no estuvieran presentes las dislocaciones, una barra de hierro sera frgil y los metales no podran ser moldeados por varios procesos tales como forjado. Tercero, es posible controlar las propiedades mecnicas de un metal o aleacin interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido dentro del cristal evita que una dislocacin se deslice a menos de que se aplique una fuerza muy grande. Es posible encontrar un gran nmero de dislocaciones en los materiales. La densidad de las dislocaciones o longitud total de las dislocaciones por unidad de volumen, se usa generalmente para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Densidades de dislocaciones de 10 m . mm-3 son tpicas de los metales ms suaves, mientras que densidades de dislocaciones superiores a 1000 Km . mm-3 se pueden conseguir deformando el material. DEFECTOS INTERFACIALES O SUPERFICIALES Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que dividen un material en regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina pero diferente orientacin. SUPERFICIE EXTERNA Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la red termina abruptamente. Los tomos de la superficie no estan enlazados al nmero mximo de vecinos que deberan tener y por lo tanto, esos tomos tienen mayor estado energtico que los tomos de las posiciones internas. Los enlaces de esos tomos supericials que no estan satisfechos dan lugar a una energa superficial, expresada en unidades de energa por Unidad de rea (J/m2 o Erg/cm2). Adems la superficie del material puede ser rugosa, puede contener pequeas muescas y puede ser mucho mas reactiva que el resto del

Material. DEFECTOS EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA Hasta ahora se han considerado las estructuras metlicas como redes tridimensionales de tomos inmviles perfectamente ordenados. Sin embargo, esta imagen no es del todo cierta, pues las estructuras metlicas poseen una serie de defectos de distinto tipo, a los que deben sus singulares propiedades fsicas y mecnicas. Estos defectos pueden ser de las siguientes clases: - Defectos trmicos. Los tomos no ocupan una posicin fija y esttica en el espacio, sino que a temperaturas diferentes del cero absoluto se encuentran dotados de un movimiento de vibracin, que ser de tanto mayor amplitud cuanto mayor sea la temperatura. Como consecuencia de este fenmeno se produce la dilatacin trmica de los slidos cristalinos. - Defectos electrnicos. Al aadir a una estructura cristalina tomos de valencia diferente se produce una alteracin en la nube de electrones libre. En este efecto se fundamentan los materiales semiconductores, pilares de la electrnica moderna. Los materiales semiconductores son estructuras cristalinas de silicio o de germanio a las que se aaden: - Impurezas de tipo P (materiales de valencia menor, como por ejemplo boro o galio) con lo que se crean zonas deficitarias de electrones. - Impurezas de tipo N (materiales con una valencia superior, como por ejemplo fsforo o arsnico), originndose zonas ricas en electrones. El dispositivo semiconductor ms sencillo es el diodo, formado por la unin de una zona dopada con impurezas de tipo P y otra de tipo N, y que slo permite el paso de corriente elctrica en un sentido. - Defectos atmicos. Son los ms importantes desde el punto de vista metalrgico y consisten en fallos o alteraciones en la ordenacin espacial de una estructura cristalina. Segn su dimensionalidad, estos defectos pueden ser de tipo puntual, lineal o superficial. http://web.usal.es/~gabi/apuntestema PAG.9 http://www.unalmed.edu.co/cpgarcia/defectos1.pdf