Universidade Federal de Pernambuco

Departamento de Engenharia Eltrica Equipamentos Eltricos

Relatrio da Prtica 8 - Tenso transitria de Restabelecimento.
Aluno: Hugo Queiroz de Santana Data: 18/08/2013

1. Introduo Quando ocorre uma falta no sistema eltrico, os disjuntores atuam no sentido de eliminar a falta, como muitas vezes as cargas so indutivas e o indutor no permite que a corrente que a corrente varie bruscamente, ele impe tenses altas para que a corrente no seja interrompida. Essas tenses que ocorrem na abertura do disjuntor denominam-se Tenses Transitrias de Reestabelecimento (TRT). E sero o objeto de estudo nesta prtica. 2. Procedimentos e Resultados A figura 1 mostra o diagrama de circuito usado na simulao de TRTs, esta prtica ser realizada nos seguintes passos. 1. Colocaremos um elemento RLC trifsico nos terminais do circuito ( n CURTO), com uma resistncia de 0.001 , aterrando-o na outra extremidade. Calcularemos a TRT na chave para o curto trifsico. 2. Usando um Splitter colocaremos um resistor de 0.001 na fase "a" dos terminais do circuito (n CURTO), aterrando-o na outra extremidade. Calcule a TRT na chave para o curto monofsico. 3. Usando um Splitter colocaremos um resistor de 0.001 na fase "b" e outro na fase "c" dos terminais do circuito (n CURTO), aterrando-os na outra extremidade. Calcule a TRT na chave para o curto bifsico com terra. 4. Compararemos os resultados obtidos nos itens anteriores e explicaremos as diferenas. 5. Repetiremos os itens anteriores alterando o valor da resistncia de curto-circuito para 100. Analisaremos os resultados e as diferenas.

Figura 1. Circuito usado na simulao de TRTs.

Passo 1 Adicionar um elemento RLC e simular um curto trifsico.

1.00 [MV]

0.62

0.24

-0.14

-0.52

-0.90 0.00
(file Pratica8.pl4; x-var t)

0.04
v:LT50A -CURTOA

0.08
v:LT50B -CURTOB v:LT50C -CURTOC

0.12

0.16

[s]

0.20

Figura 2. Tenses na chave submetida a um curto trifsico. Vemos da figura 2 que o pico de tenso ocorre na fase a e sua amplitude de 915kV. Passo 2 Usando um Splitter, adicionaremos um resistor de 0.001 na fase a e simularemos um curto monofsico, o resultado mostrado na figura 3. Vemos que o pico de tenso atinge 698.5kV.
700 [kV ] 525 350 175 0 -175 -350 -525 -700 0.00

0.04

0.08

0.12

0.16

[s ]

0.20

(f ile P ratic a8.pl4; x -v ar t)

v :LT50A -C U R TOA

Figura 3. Tenses num curto monofsico. Passo 3. Adicionaremos resistores nas fases b e c e simularemos um curto bifsico. Feito isso, obtemos os grficos das tenses mostrados na figura 4. Vemos que os picos de tenses das fases a, b e c valem 698,5kV, 897,2 kV e 679,3kV respectivamente. Note que o curto bifsico induz tenses harmnicas na fase s.
900 [kV] 700

500

300

100

-100

-300

-500

-700 0.00
(file Pratica8.pl4; x-var t)

0.04
v:LT50A -CURTOA

0.08
v:LT50B -CURTOB v:LT50C -CURTOC

0.12

0.16

[s]

0.20

Figura 4. Tenses no curto bifsico.

Passo 4. Anlise dos resultados anteriores. Analisando os resultados anteriores vemos que os valores mais altos de pico ocorrem no curto trifsico, visto que mais corrente flui para a terra e assim aumenta as tenses induzidas nas outras fases devido ao enlace de fluxo nas linhas de transmisso. Um raciocnio anlogo explica o fato os picos de tenses no curto-bifsico serem um pouco menores, neste caso as fases em curto induzem tenses na fase s, mesmo a tenso na fase s ficando menor do que no curto trifsico. Por fim, no curto monofsico temos o menor pico de tenso dos casos anteriores, como era de se esperar. Passo 5. Repetiremos os itens anteriores alterando o valor da resistncia de curto-circuito para 100. Analisaremos os resultados e as diferenas. Repetindo o procedimento anterior obtivemos os resultados mostrados nas figuras 5, 6 e 7 estas figuras correspondem aos procedimentos dos passos 1, 2 e 3, respectivamente.
800 [kV ] 600 400 200 0 -200 -400 -600 -800 0.00

0.04

0.08

0.12

0.16
v :LT50C -C U R TOC

[s ]

0.20

(f ile P ratic a8.pl4; x -v ar t)

v :LT50A -C U R TOA

v :LT50B -C U R TOB

Figura 5. Tenses no curto-circuito trifsico com novo valor da resistncia de aterramento.

800 [kV ] 500

200

-100

-400

-700 0.00

0.04

0.08

0.12

0.16
v :LT50C -C U R TOC

[s ]

0.20

(f ile P ratic a8.pl4; x -v ar t)

v :LT50A -C U R TOA

v :LT50B -C U R TOB

Figura 6. Tenses de curto-circuito monofsico com novo valor da resistncia de aterramento.

800 [kV] 600

400

200

-200

-400

-600

-800 0.00
(file Pratica8.pl4; x-var t)

0.04
v:LT50A -CURTOA

0.08
v:LT50B -CURTOB v:LT50C -CURTOC

0.12

0.16

[s]

0.20

Figura 7. Tenses de curto-circuito bifsico com novo valor da resistncia de aterramento.

Anlise dos resultados: Dos grficos temos que, para o curto trifsico o pico de tenso diminuiu de 915kV para 718,6kV na fase a, no curto bifsico o pico de tenso diminuiu de 897,2 para 727,2 na fase b, por fim no curto monofsico o pico de tenso diminuiu de 698.5 para 531.1kV na fase a. De modo que o aumento da resistncia de aterramento diminuiu o pico da TRT. Vimos tambm que a distoro harmnica diminuiu bruscamente.

3. Concluses Nesta prtica estudamos as tenses transitrias de reestabelecimento, que so de grande importncia visto que quase sempre o sistema submetido a estas tenses. Vimos que as TRTs dependem do tipo de falta(bifsica, monofsica, trifsica) bem como da resistncia de aterramento do sistema. Outros estudos devem levar em conta a localizao da falta bem como o contedo harmnico da mesma. Um fato de critica importncia o dimensionamento dos para-raios para que eles suportem as TRTs sem sofrerem danos.