TRANSISTOR

A eletrnica inicia-se praticamente com a descoberta do

diodo de emisso terminica, estudado e desenvolvido por J.
A. Fleming, em 1902. Este componente, tambm muito
conhecido por vlvula de Fleming ou simplesmente vlvula,
o marco inicial de toda a histria da industria eletrnica. A
inveno da vlvula proporcionou o desenvolvimento de
tecnologias importantes como o rdio e a televiso,
somando-se a outras invenes de destaques como o
cinema e o automvel.

A vlvula era uma inveno fantstica, mas tinha alguns
inconvenientes: era grande e pesada demais, o que tornava
os aparelhos uns grandes trambolhos. Alm disso, exigia um
certo tempo para comear a funcionar, consumia muita
energia e tempo decorrido entre um defeito e outro no era
muito longo.

Em busca de uma alternativa aconteceu o inesperado.
Em 1947, comandando um grupo de fsicos, Willian Shockley
inventa o transistor, que pode ser considerado como um
destes acontecimentos que mudam toda a histria da
humanidade. Todos estavam ansiosos na poca e previam
que grandes coisas estavam para acontecer. As previses
mais ousadas, no entanto, no chegaram nem perto do que
realmente iria acontecer. Boa parte dos avanos
tecnolgicos que aconteceram a partir da metade do sculo
XX tem alguma relao, direta ou indireta, com a inveno
do transistor. Cita-se, por exemplo, a industria de
computadores na escala em que vemos hoje, a automao
industrial, os avanos na rea biomdica, viagens espaciais
etc.

IDIAS BSICAS

O transistor fabricado a partir de um cristal de silcio
com trs regies dopadas que podem ser NPN ou PNP. Em
cada regio ligado um terminal condutor, como mostra a
figura a seguir.



O emissor (E) densamente dopado e sua funo
emitir ou injetar eltrons na base. A base (B) levemente
dopada e muito fina. Sua funo permitir que a maior parte
dos eltrons injetados pelo emissor chegue ao coletor. O
coletor (C) possui um nvel de dopagem intermedirio, entre
a densa dopagem do emissor e a fraca dopagem da base. O
coletor assim chamado porque ele coleta os eltrons que
vm da base. O coletor tambm a regio mais extensa das
trs, uma vez que ele deve dissipar mais calor do que o
emissor e a base.

O transistor possui duas junes PN: uma entre o
emissor e a base, chamada de diodo-emissor (DE) e outra
entre o coletor e a base, chamada de diodo-coletor (DC). a
polarizao dos diodos DE e DC que definir a forma como o
transistor ir funcionar. O transistor pode funcionar de trs
formas diferentes, que chamamos de regies de operao.
Estas regies de operao so o corte, a ativa e a
saturao.

POLARIZANDO O TRANSISTOR

A figura a seguir mostra uma das vrias formas de
polarizarmos um transistor, conhecida como polarizao
base-comum. O temo base-comum deve-se ao fato de que o
terminal da base o terminal comum ente as malhas do DE
e do DC.

Observe que o diodo-emissor est polarizado
diretamente e o diodo-coletor polarizado reversamente. A
faixa cinza em torno da juno do DC representa a camada
de depleo expandida devido polarizao reversa.



Como DE est polarizado diretamente ele ir permitir
que os eltrons cruzem a juno e entrem na base. Levando
em conta que o sentido da corrente o eletrnico,
observamos que os eltrons saem do terminal negativo de
Vee, entram na regio do emissor, cruzam a juno DE e
entram na base. Os eltrons que entraram na base vindos
do emissor tm dois caminhos: ou descem pelo terminal da
base ou atravessam a juno do DC e saem pelo terminal do
coletor.

Ocorre que, mesmo a juno DC estando reversamente
polarizada, a maior parte dos eltrons que entraram na base
vindos do emissor vai atravess-la e sair pelo terminal do
coletor, formando Ic. Isto s acontece devido ao fato da base
ser muito fina e estar fracamente dopada.

Como DC est reversamente polarizado a sua camada
de depleo se expande para dentro da base e para dentro
do coletor. A expanso,no entanto, ocorre muito mais para
dentro da base devido ao fato dela possuir um nvel de
dopagem menor que a do coletor.

Quando os eltrons vindos do emissor entram na base
eles se deparam com a camada de depleo expandida na
regio da base. Como a velocidade dos eltrons muito alta,
a maior parte deles entra na camada de depleo expandida
da base e so atrados pelo terminal positivo de Vcc, que
est ligado no terminal do coletor. De uma forma geral, mais
de 95% dos eltrons que entram na base vai para o coletor.
A corrente de base formada pelos eltrons que conseguem
se recombinar com as poucas lacunas existentes na base.
Ao se recombinar, os eltrons descem pela regio da base
como eltrons de valncia e saem pelo terminal da base
para formar Ib. A figura a seguir mostra as correntes Ie, Ib e
Ic que circularam pelo transistor, levando em conta o sentido
eletrnico da corrente.

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Ao observar atentamente a figura acima podemos
deduzir que:

Ie = Ic + Ib

Ie = Intensidade de corrente no emissor
Ic = Intensidade de corrente no coletor
Ib = Intensidade de corrente na base

Como mais de 95% dos eltrons que entram na base
vo para o coletor, podemos dizer que Ic >> Ib. Sendo
assim:
Ie Ic

Esta aproximao importante e ser muito utilizada
ao longo desta obra.

GANHO DE CORRENTE ALFA CC (CC)

O CC, tambm conhecido como ganho de corrente na
configurao base-comum, ser to alto quanto mais
fracamente dopada for a regio da base.

Idealmente, se todos os eltrons que entram na base
vindos do emissor fossem para o coletor, o CC seria igual a
unidade. Muitos transistores tm um CC maior que 0,99 e
praticamente todos tm um maior que 0,95.

CC = Ic / Ie

POLARIZAO EMISSOR-COMUM

Se ao invs da base for o emissor o ponto comum entre
as malhas do DE e do DC, teremos a configurao emissor-
comum. O funcionamento do transistor o mesmo da
configurao base-comum, porque o que importa no a
configurao em si que est sendo utilizada e sim a forma
como os diodos DE e DC esto polarizados. A polarizao
destes diodos que nos interessa no momento a
polarizao direta para DE e a reversa para DC. A figura a
seguir ilustra a idia.


Devido ao fato da configurao emissor-comum ser de
fcil anlise ns daremos nfase a ela, mas independente da
configurao utilizada o transistor funciona da mesma forma,
porque o que importa e a forma como os diodos De e DC
esto polarizados.

GANHO DE CORRENTE BETA CC (CC)

O ganho de corrente CC, tambm conhecido como
ganho de corrente na configurao emissor-comum, informa
quantas vezes Ic maior que a corrente Ib.

CC = Ic / Ib

Para quase todos os transistores menos de 5% dos
eltrons que chegam na base vindos do emissor se
recombinam com as lacunas da base e saem pelo terminal
da base para produzir Ib. Sendo assim, podemos dizer que o
CC sempre maior que 20. Geralmente ele se encontra
entre 50 e 300 e em alguns transistores pode chegar a 1000.

O CC fornecido pelo fabricante do transistor no
datasheet do componente. No datasheet ele normalmente
encontrado com a denominao HFE e seu valor muito
influenciado pela temperatura.

REGIES DE OPERAO DO TRANSISTOR

O transistor pode funcionar de trs formas diferentes,
conhecidas como regies de operao. Estas regies de
operao so:

- Corte
- Ativa
- Saturao

Como j foi dito anteriormente, a regio em que o
transistor est operando depende de como esto polarizados
os diodos DE e DC. A tabela a seguir mostra como se d
esta relao.

corte ativa saturao
diodo-emissor reverso direto direto
diodo-coletor reverso reverso direto

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MODELO EBERS-MOLL

Este o modelo que utilizaremos para representar, em
baixas freqncias, o funcionamento do transistor na regio
ativa. Veja na figura a seguir que entre os terminais base-
emissor vemos um diodo, enquanto que olhando para dentro
do coletor vemos uma fonte de corrente cuja intensidade
depende da intensidade da corrente de base. A figura a
seguir mostra tambm o smbolo utilizados para representar
os transistor NPN.


A figura a seguir mostra o smbolo do transistor PNP.



ANALISANDO UM CIRCUITO
TRANSISTORIZADO
A forma mais recomendada para analisarmos o
funcionamento do transistor montando um circuito simples
na configurao emissor-comum, como mostra a figura a
seguir. Note que adotamos o sentido convencional da
corrente eltrica, na qual os eltrons saem do terminal
positivo e entram no terminal negativo da fonte.




Para simplificar ainda mais a anlise vamos dividir o
circuito em duas partes: malha de entrada(ME) e malha de
sada(MS). A malha de entrada a malha formada por base-
emissor e a malha de sada a malha formada por coletor-
emissor. A figura a seguir ilustra a idia.

Malha de entrada:


Malha de sada:



ANALISANDO A MALHA DE ENTRADA

A primeira coisa a ser observada se o diodo emissor
est conduzindo. No circuito que estamos analisando o DE
est em conduo. Neste caso ,VBE = 0,7V.


Aplicando a primeira lei de Kirchhoff na malha de
entrada podemos deduzir a equao que nos permitir
calcular a intensidade de corrente na base (Ib).

Vbb = VRB + VBE
Como,
VRB = IbxRb
Ento,
Vbb = IbxRb + VBE
Vbb VBE = IbxRb
Ib = (Vbb VBE) / RE
Ib = (5 0,7) / 430K
Ib = 10A

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Como,
Bcc = Ic / Ib
Ento,
Ic = Bcc x Ib = 100 x 10
Ic = 1mA

ANALISANDO A MALHA DE SADA



Vcc = VRC + VCE
Como,
VRC = Ic x Rc
Ento,
Vcc = (Ic x Rc) + VCE
Sendo assim,
VCE = Vcc (Ic x Rc)
VCE = 10 (1m x 5k)
VCE = 5V

A figura a seguir mostra o circuito analisado com os valores
de tenso e corrente em cada ponto do circuito.





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