CIRCUITO BSICO DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO

ENG. EDERSON ZANCHET

CIRCUITOS BASICOS COM TBJ

neste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum.

Na Figura 1, o emissor esta comum as duas malhas, a de base e a de coletor,

Alm da montagem em emissor comum, existem a montagem em coletor comum e base comum. O circuito constitudo por duas malhas, uma que contm a tenso VBE e

malha de coletor com a tenso VCE.

Figura 1 Circuito bsico de polarizao do transistor bipolar

Fonte: [3]

RELAO IB vs VBE

De acordo com a forma de polarizao para que o transistor estaja na regio ativa, existe uma relao entre corrente de base(IB) e a tenso entre base e emissor (VBE), ou seja, para cada IB existe uma tenso VBE correspondente (Figura 2). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do diodo.
Figura 2 Curva da corrente de base em relao a tenso base emissor

Fonte: [3]

RELAO IC VERSUS VCE

apresenta corrente de coletor e tenso coletor-emissor, para um IB fixo.
Figura 4 Curva da corrente de Coletor em relao a tenso Coletor-emissor com IB fixo

Considerando VCC e VS possvel obter diversos valores de IC e VCE. A Figura 4

Fonte: [3]

RELAO IC VERSUS VCE

A parte inicial da curva a regio de saturao. toda a curva entre a origem e o joelho. A parte plana chamada de regio ativa, A parte final a regio de ruptura e deve ser evitada.
Figura 5 Curva da corrente de Coletor em relao a tenso Coletor-emissor com IB

Fonte: [4]

RELAO IC VERSUS VCE

Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se o funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia hmica entre o coletor e emissor. Na saturao no possvel manter a elao IC=IBCC. Para sair da regio de

saturao e entrar na regio ativa, necessrio uma polarizao reversa do diodo

coletor. A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quando IB=0 (eqivale ao terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada por ICEO (corrente de coletor para emissor com base aberta). Esta corrente muito pequena, quase zero. Em geral se considera: Se IB=0 CcC=0.

Fonte: [3]

RELAO IC VERSUS VCE

fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos valores de IB.
Figura 6 Curva da corrente de Coletor em relao a tenso Coletor-emissor com varios valores de IB

A Figura 6 apresenta a curva IC x VCE para um dado IB. Usualmnte o grfico

Fonte: [3]

RELAO IC VERSUS VCE

de corrente de base para o transistor BD135A
Figura 7 Curva da corrente de Coletor em relao a tenso Coletor-emissor com varios valores IB do BD135A

O grfico da Figura 7, apresenta a curva IC x VCE para uma sequencia de valores

Fonte: [Autor]

RELAO

Na realidade o CC no constante na regio ativa, ele varia com a temperatura ambiente e mesmo com IC. A variao de CC pode ser da ordem de 3:1 ao longo da regio ativa do transistor. A Figura 8 apresenta um exemplo dessa variao.
Figura 8 Comportamento da relao

Fonte: [3]

RELAO
A Figura 9 apresenta o comportamento do atravs da relao de IC e IB.
Figura 9 Curva de

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Fonte: [Autor]

MODELO DE EBERS-MOLL

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Na anlise ou projeto de um circuito transistorizado, tem-se dificuldade em trabalhar com o transistor a nvel de malhas. Uma opo a de se criar um circuito equivalente para o transistor usando componentes mais simples como fonte ou resistor. O modelo de Ebers-Moll (Figura 10) um circuito equivalente do transistor levando

em considerao que ele esteja operando na regio ativa.

Figura 10 Modelo de Ebers - Moll

Fonte: [5]

MODELO DE EBERS-MOLL
O modelo faz algumas simplificaes:

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1. VBE=0,7V 2. IC=IE 3. IB=IE/ CC

Despreza a diferena de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a resistncia de espalhamento da base .

Fonte: [5]

POLARIZAO DE TRANSISTOR

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Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funes e os transistores para cada funo tem um ponto de funcionamento correto, a polarizao visa estabelecer o ponto de operao, ou ponto quiescente. Existem vrios mtodos de polarizao empregados para fazer com que o

transistor permanea no ponto necessrio.

Para anlise do funcionamento do transistor ser levado em conta os conceitos sobre reta de carga para determinao do ponto de operao.

POLARIZAO TRANSISTOR RETA DE CARGA

ser feito de forma algbrica ou grfica com uso do conceito da reta de carga.
Figura 11 Exemplo de polarizao de transistor

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Para o circuito da Figura 11, deseja-se determinar o ponto de operao, isso pode

Fonte: [3]

POLARIZAO TRANSISTOR RETA DE CARGA

A anlise da malha esquerda fornece a corrente IC:

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Na equao existem duas incgnitas, IC e VCE. Como soluo pode-se utilizar o grfico IC x VCE. Atravs da curva caracterstica basta calcular os extremos para

determinar os pontos da reta de carga.

Condio de Saturao VCE = 0

IC=VCC/RC
Condio de Corte: IC=0 VCE=VCC;

POLARIZAO TRANSISTOR RETA DE CARGA

da reta de carga. Os dois pontos da reta de carga pode-se obter atravs: Ponto de Saturao: VCE= 0 IC= VCC/ RC(15 )/1500 = 10mA Ponto de Corte: IC= 0 VCE= VCC=15V A corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB:

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No circuito da Figura 11 suponha RB=500. Obtenha o ponto de operao atravs

POLARIZAO TRANSISTOR RETA DE CARGA

Figura 12 Reta de carga para o circuito da Figura 11.

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Fonte: [3]

POLARIZAO TRANSISTOR RETA DE CARGA

e VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (Ponto Q).

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Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC=6mA

O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a regio de saturao, e uma reduo de IB leva o transistor regio de corte.
Figura 13 Reta de carga

Fonte: [3]

EXERCCIOS

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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. Vol. I - 4.; Ed. Makron Books: So Paulo, 1995. [2] BOYLESTAD, R. L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos; Ed. Prentice Hall: So Paulo, 2004. [3] BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrnica; UNICAMP, 2000. [4] BARBI, Ivo, Eletrnica de Ptencia 6 edio, Ed. Do autor: Florianpolis, 2005.

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[5] FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, LM78XX/LM78XXA 3-Terminal 1A Positive Voltage Regulator; datasheet, april 2012, disponvel em http://www.fairchildsemi.com/ds/LM/LM7805.pdf acesso em 03 set. 2012. [6] NATIONAL SEMICONDUCTOR, LM117/LM317A/LM317 3-Terminal Adjustable Regulator datasheet, may 1996, disponvel em: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nationalsemiconductor/DS009063.PDF acesso em 03 set. 2012. [7] SANTOS, Roberto Bairros dos. Regulador de tenso usando CI; disponvel em: http://www.bairrospd.kit.net/fonte_aliment/Regulador%20de%20tensao%20com%20CI.pdf acesso em 03 set. 2012.

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EDERSON ZANCHET Mestrando em Engenharia Eltrica e Informtica Industrial - UTFPR Engenheiro de Controle e Automao - FAG Departamento de Engenharia FAG Docente Disciplina de Eletrnica Analgica ederson.zt@gmail.com ezanchet@fag.edu.br www.fag.edu/professores/ederson