Universidade Federal do ABC

Relatrio Aula Prtica 3 Polarizao do transistor MOS

Disciplina: EN2709 Eletrnica Aplicada

Discentes: Andr Lucas de O. Duarte

11058710

Turma A1 Diurno

Prof. Dr. Carlos Alberto dos Reis Filho

Santo Andr, 2013

Sumrio
1. Materiais Utilizados..........................................................................................................................2 2. Procedimento Experimental.............................................................................................................2 2.1 Primeiro Circuito.......................................................................................................................2 2.2 Segundo Circuito.......................................................................................................................4 2.3 Terceiro Circuito........................................................................................................................8 3. Concluses......................................................................................................................................11 4. Referncias.....................................................................................................................................11

1. Materiais Utilizados
Multmetro de Bancada Multmetro Porttil Osciloscpio Gerador de Funes Fonte de alimentao Cabos banana-jacar Fios de cobre Pontas de prova para osciloscpio Pontas de prova para o multmetro Protoboard Circuito Integrado CD4007 Resistores (1k, 3.3k, 10k e 33k)

2. Procedimento Experimental
2.1 Primeiro Circuito
Inicialmente foi montado o circuito conhecido como espelho de corrente mostrado na figura abaixo:

Figura 1 - Espelho de corrente MOS-P. [1]

Ento, com a tenso Vext fixada em 5.078V, foi colocado 2 resistores de 10k em paralelo, perfazendo-se um Rext de 4.95k. Com esse valor de Rext, foi obtido uma corrente I1 de 610A. Em seguida, variou-se Vext de 0V 5V em incrementos de, aproximadamente, 0.25V. A tabela a seguir mostra os dados coletados:

Tabela 1 - Valores de corrente medidos em funo de Vext.

Vext (V) I1 (uA) I2 (uA) I3 (uA) 0 0 0 0 0.236 0 0 0 0.499 0 0 0 0.752 6 2.8 3.1 1.004 43 21.4 22.4 1.284 80 39.9 41.5 1.511 111 55.1 57.3 1.819 154 76.2 79.0 2.046 185 91.7 95.0 2.254 214 106 109.7 2.528 252 124.9 129.1 2.753 284 140.4 145.2 3.018 321 158.8 164.1 3.245 352 174.5 180.2 3.514 390 193.3 199.5 3.759 425 210.2 217.0 4.014 460 227.9 235.2 4.248 493 244.2 252.0 4.513 530.0 262.6 271.0 4.750 564.0 279.0 287.9 5.078 610 302 311.5 Com os dados da Tabela 1 acima, foi plotado com auxlio do MATLAB, os ganhos I2/I1, I3/I1 e I3/I2 em funo de Vext a partir do momento em que surge corrente no circuito, o que ocorre a partir de Vext = 0.752V. Os ganhos em funo de Vext so mostrados na figura abaixo:

Figura 2 - Ganhos de corrente em funo de Vext.

Nota-se do grfico acima que os ganhos I2/I1 e I3/I1 so praticamente iguais 0.5 e que o ganho I3/I2 praticamente igual a 1, o que implica que I2 deve ser praticamente igual a I3. Esse resultado era esperado pois, pelo fato do circuito ser um espelho de corrente, as correntes I2 e I3 so iguais. Basta notar da Figura 1 que ambos os transistores M2 e M3 tem o mesmo Vgs e o mesmo Vds. Desta forma, se ambos M2 e M3 tivessem os mesmos parmetros Kp, W e L, as correntes I2 e I3 seriam idnticas da o nome espelho de corrente. Porm, os parmetros dos dois transistores no so idnticos e, com isso, as correntes I2 e I3 so ligeiramente diferentes, conforme pode ser observado claramente no grfico mostrado na Figura 2.

2.2 Segundo Circuito

Prosseguindo o experimento, foi montado o circuito mostrado na figura abaixo:

Figura 3 - Obteno de pontos de operao Id, Vds e Vgs de um transistor MOS-N. [1]

E ento, determinou-se com o auxlio dos multmetros porttil e de bancada o ponto de operao do transistor: I D0 = 1.933mA V GS0 = 3.940V V DS0 = 3.172V Em seguida, foi ajustado Ve para uma onda triangular com amplitude de 250mVpp e offset nulo e mediu-se a sada Vo do circuito:

Figura 4 - Sinal de entrada Ve (laranja) e sinal de sada Vo (verde) com o resistor de 1k.

Assim, o ganho incremental do circuito dado por: A = 96mV 281mV A = 0.34

O sinal de menos se deve ao fato de Vo estar invertido em relao ao sinal Ve. Dando prosseguimento, alterou-se a resistncia de 1k conectada ao dreno de M conforme mostrado na Figura 3 para 3.3k e foi novamente medido o ponto de operao do transistor: I D0 = 775A V GS0 = 1.265V V DS0 = 5.125V 5

Ento, mediu-se o sinal Vo com auxlio do osciloscpio. O resultado exibido na tela do osciloscpio est indicado na figura abaixo:

Figura 5 - Sinal de entrada Ve (laranja) e sinal de sada Vo (verde) com o resistor de 3.3k.

Desta forma, o ganho incremental dado por: A = 48mV 277mV A = 0.17

Que menor do que o ganho medido para o resistor de 1k. Isso se deve ao fato de a queda de tenso sobre o resistor de 3.3k ser maior do que sobre o resistor de 1k, fazendo com que o sinal em Vo com o resistor de 3.3k varie menos do que com o resistor de 1k. Consequentemente, o ganho incremental de tenso se torna menor, para um mesmo sinal de entrada de Ve.

2.3 Terceiro Circuito

Por ltimo, montou-se o circuito mostrado na figura abaixo:

Figura 6 - Amplificador de tenso com carga hbrida (ativa e passiva). [1]

O sinal Vo obtido est mostrado em verde na figura abaixo:

Figura 7 - Sinal de entrada Ve (laranja) e sinal de sada Vo (verde) com o resistor de 1k.

O ganho de tenso dado por: A = 101mV 277mV A = 0.36 7

Em seguida, alterou-se o resistor de 1k conectado ao dreno de M para 3.3k. Com a tenso Vb em 5V obteu-se o seguinte resultado:

Figura 8 - Sinal de entrada Ve (laranja) e sinal de sada Vo (verde) com o resistor de 3.3k e Vb = 5V.

Desta maneira, ajustou-se a tenso Vb at se obter uma forma de onda triangular. Isso ocorreu para, aproximadamente, Vb = 0.5V:

Figura 9 - Sinal de entrada Ve (laranja) e sinal de sada Vo (verde) com o resistor de 3.3k e Vb = 0.5V.

O ganho incremental de tenso dado por: A = 80mV 277mV A = 0.29

3. Concluses
Neste experimento foi trabalhado com circuitos espelho de corrente e amplificadores. Foi possvel verificar a forma de onda da sada para entradas triangulares e como a sada varia conforme alteramos o valor da resistncia de dreno.

4. Referncias
[1] Roteiro da Aula Prtica 3, disponvel em http://carlosreis.webs.com/pratica-3.pdf, acessado em 20/08/2013.