Introduo ao Eletromagnetismo: Fundamentos e Simulaes

Claudio Elias da Silva Arnaldo Jos Santiago Alan Freitas Machado Altair Souza de Assis 02/2012

ii

Contedo
1 Dieltricos e Capacitncia 1.1 Propriedades dos Dieltricos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 Cargas Induzidas em uma Esfera . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2 3 3 6 8 11 13 20 21 22 22 24 25

Suscetibilidade, Constante Dieltrica e Permissividade . . . . . . . . . . Polarizao (P ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Lei de Gauss em um meio dieltrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Capacitncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Aplicaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Energia Armazenada no Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7.1 Densidade de energia (E ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.8

Associao de Capacitores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8.1 1.8.2 1.8.3 Associao em paralelo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Associao em srie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Aplicaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

iii

iv

CONTEDO

Lista de Tabelas

vi

LISTA DE TABELAS

Captulo 1 Dieltricos e Capacitncia

J vimos a diferena entre um dieltrico e um condutor. Nos dieltricos (ou isolantes) os eltrons esto presos aos ncleos dos tomos, e ento, ao contrrio dos metais, no existem eltrons livres nessas substncias. Contudo, se um campo eltrico for aplicado a um dieltrico, haver uma tendncia de afastar os eltrons de seus ncleos devido fora externa. A medida que aumentamos o campo eltrico externo, a fora que age em cada eltron vai aumentando na mesma proporo, e, eventualmente, pode-se chegar ao ponto em que a fora externa seja maior do que a fora que liga o eltron a seu ncleo. Quando isto ocorre, os eltrons passam a ser livres, e o dieltrico torna-se condutor! Esse processo pode ocorrer com qualquer isolante, e o campo eltrico aplicado, que o transforma em condutor, vai depender da estrutura de cada material. O valor mnimo do campo que deve ser aplicado a um isolante para tranform-lo em condutor foi denominado rigidez dieltrica, tendo cada material seu valor caracterstico de rigidez dieltrica. Outra importante caracterstica dos dieltricos sua capacidade de armazenar energia eletrosttica. Tal propriedade observada quando um material dieltrico introduzido entre meios condutores, formando um dispositivo que chamamos de capacitor (ou condensador). O capacitor conna o campo eltrico, e desta forma, armazena energia potencial eletrosttica. A capacidade dos sistemas fsicos armazenar energia potencial no nos nova. De fato, quando distendemos uma mola, ela armazena energia potencial elstica, ou quando levantamos um corpo, dizemos que o mesmo possui energia potencial gravitacional, armazenada no campo gravitacional do sistema corpo+Terra. No caso eletrosttico, atravs de um capacitor, podemos armazenar energia potencial em um campo eletrosttico. O capacitor , portanto, um dos principais componentes de um

1. Dieltricos e Capacitncia

circuito eltrico, pois tem a importante capacidade de armazenar energia eltrica no campo criado entre suas placas.

1.1

Propriedades dos Dieltricos

Consideremos inicialmente, o caso de um condutor no - eletrizado, introduzido entre duas placas eletrizadas, sem estabelecer contato, conforme ilustra a Fig.1.1(a). Sob ao do campo, os eltrons livres do condutor se deslocam para a face esquerda, e as cargas positivas para a face direita. Esse movimento de cargas continua at que o campo originado no interior do condutor, seja igual e oposto ao campo externo. As cargas em excesso nas faces do condutor, so denominadas cargas induzidas. Contudo, no condutor como um todo, no h excesso de cargas. Em qualquer ponto no interior do condutor o campo nulo, como indicado na citada gura.

Figura 1.1: Os eltrons livres do condutor descarregado se distribuem sobre a superfcie, anulando o campo (a). J no interior do dieltrico no h cargas livres, e portanto o campo resultante no chega a se anular (b). Consideremos agora um material dieltrico submetido ao do campo eltrico externo, i.e., colocado entre as duas placas, como mostra a Fig.1.1(b). As molculas de um dieltrico podem ser classicadas como polares e no-polares. A polar, sob ao de um campo eltrico, torna-se orientada segundo a direo do campo, o que no ocorre com a no-polar. No interior de um dieltrico no h excesso de cargas, portanto, o interior de um dieltrico polarizado se caracteriza pelo deslocamento relativo de cargas, e no por um excesso de cargas. O campo no dieltrico, oposto ao campo das placas, mas, como no dieltrico as cargas no podem se mover livremente, o deslocamento das mesmas no suciente para que o campo por elas originado possa igualar o campo entre as duas placas (campo externo). Assim,

1.2. Suscetibilidade, Constante . . .

no interior do dieltrico, o campo embora enfraquecido, no nulo. Deste modo, podemos dizer que o campo eltrico entre as placas enfraquecido pelo dieltrico.

1.1.1

Cargas Induzidas em uma Esfera

interessante considerar os efeitos acima, e as cargas induzidas, em ambos, condutor e isolante, cuja geometria esfrica, quando estes se encontram na presena de um campo eltrico uniforme. a) Esfera condutora: Neste caso, as cargas livres se redistribuem sobre a superfcie de maneira a anular o campo no interior da esfera condutora, tornando o campo resultante na superfcie perpendicular mesma. A Fig.1.2 procura ilustrar a situao.

Figura 1.2: Esfera condutora descarregada imersa num campo eltrico externo. As linhas pontilhadas representam as seperfcies equipotenciais. b) Esfera isolante: Neste caso, as cargas induzidas superciais apenas enfraquecem o campo no interior da esfera, sem que este se anule, como mostra a Fig.1.3.

1.2

Suscetibilidade, Permissividade

Constante

Dieltrica

Como j tivemos oportunidade de ver, o campo resultante entre duas placas paralelas vale /0 (voce j deve ser capaz de aplicar a lei de Gauss nesta situao e reproduzir este resultado). Consideremos ento, duas placas (condutoras) carregadas com

1. Dieltricos e Capacitncia

Figura 1.3: Esfera isolante na presena de um campo eltrico uniforme. As linhas pontilhadas representam as superfcies equipotenciais. densidade de cargas de sinais contrrios . Entre estas placas, introduzimos um dieltrico, cujas cargas induzidas representada por i (veja Fig.1.4).

Figura 1.4: Material dieltrico entre placas condutoras. Assim, representa a densidade de cargas nas placas, enquanto que i a densidade de carga induzida no dieltrico. As cargas induzidas neutralizam parcialmente as cargas livres, e no interior do dieltrico, o campo resultante ser dado por: i . 0 0

E=

(1.1)

Como a carga induzida depende tanto do campo E como da natureza do dieltrico, i tambm depender. A relao entre i e a intensidade de campo E resultante, denominada suscetibilidade eltrica do material, sendo representada por e e dada por i . E

e =

(1.2)

1.2. Suscetibilidade, Constante . . . Levando o valor de i de Eq.1.2 at Eq.1.1, temos que e . (1 + )0 0

E=

(1.3)

O termo entre parntesis no denominador, aps Faraday, representa a constante dieltrica do material1 , e denotada por ke . Assim, e 0

ke = 1 + e, ento,

(1.4)

E=

1 . ke 0

(1.5)

O produto ke 0 , denominado permissividade do dieltrico, e representado por . Assim,

= ke 0 . No vcuo, ke = 1, pois no h cargas induzidas, e neste caso, = 0 . Unidades de e e ke no SI: coulomb/metro2 C2 U ( ) = = , U (E ) newton/coulomb N m2 U (e ) C 2 /N m2 = 2 , U (0 ) C /N m2

(1.6)

U (e ) =

U (ke ) =

portanto, U (ke ) =Adimensional, ou seja, ke um nmero abstrato. Exemplo 1 Duas placas paralelas de 1 m2 de rea so carregadas com cargas iguais, mas de sinais opostos com 30 106 C cada uma. O espao entre as duas placas se acha preenchido por uma lmina isolante, cuja permissividade de 15 1012 C 2 /N m2 . Determinar: (a) a intensidade de campo resultante no interior do dieltrico; (b) a densidade supercial de carga induzida nas faces do dieltrico;
1

O termo constante um pouco imprprio, uma vez que e varia com a temperatura e com a

intensidade do campo, porm consagrado pelo uso.

1. Dieltricos e Capacitncia

(c) a componente da intensidade do campo resultante no dieltrico devido s cargas livres; (d) a componente devida s cargas induzidas. Soluo: (a) A densidade supercial das cargas livres : q = = 30 106 C/m2 , A logo, a intensidade de campo resultante : 1 1 E= = kE 0 ento, E = 2 106 N/C, ou 2 106 volts/metro (b) A densidade supercial das cargas induzidas : i = E = ( 0 )E, i = 12, 3 103 C/m2 (c) A componente do campo resultante devido s cargas livres : 1 E0 = , 0 E = 3, 39 106 volts/metro (d) A componente devida s cargas induzidas : 1 Ei = i 0 E = 1, 39 106 volts/metro A componente Ei tem sentido oposto ao de E0 , assim, a intensidade de campo resultante ser: E = E0 Ei E = 2, 00 106 volts/metro, e, naturalmente, este resultado idntico ao do item (a).

1.3

Polarizao (P )

A induo de cargas superciais apenas um dos aspectos da inuncia de um campo eltrico sobre um dieltrico. Tomemos como exemplo uma molcula de um material dieltrico. Sob a ao de um campo eltrico externo, as partculas positivas e negativas

1.3. Polarizao (P )

se deslocaro de suas posies de equilbrio em sentidos opostos, formando um dipolo eletrosttico. Esta tendncia ocorre com todas as molculas do material e o material dito estar polarizado.

Figura 1.5: Dieltrico na ausncia de campo eltrico externo.

Figura 1.6: Dieltrico sob ao de um campo eltrico uniforme. A polarizao eltrica, ou simplesmente polarizao P denida como o momento de dipolo por unidade de volume. P uma quantidade vetorial que, em cada elemento de volume do meio, ter o sentido de p e mdulo |p| pmole qi d qi cula = = = = i V V Ad A

|P| =

P = i .

(1.7)

1. Dieltricos e Capacitncia

Na equao acima, o somatrio sobre todas as molculas contidas no elemento de volume V . A Eq.1.7 mostra que o momento de dipolo por unidade de volume igual densidade supercial de carga induzida, i.e., a polarizao tem dimenso de carga por unidade de rea (C/m2 no S.I.).

1.4

Lei de Gauss em um meio dieltrico

Vimos que a lei de Gauss estabelece que o uxo eltrico atravs de uma superfcie fechada arbitrria proporcional carga total encerrada por esta superfcie. Quando tratamos de um meio dieltrico, ou mais acertadamente, quando aplicamos a lei de Gauss a uma regio que contm cargas imersas em um dieltrico, devemos incluir todas as cargas da superfcie gaussiana, as quais, agora, correspondem s cargas de polarizao alm das que esto imersas no dieltrico. Seja S uma superfcie imaginria fechada localizada no interior de um dieltrico.

Figura 1.7: Supercie fechada em meio dieletrico. Ento, a carga total existente no meio considerado ser q + qp onde q a quantidade de carga livre introduzida,

q = q1 + q2 + ... + qn ,

(1.8)

1.4. Lei de Gauss em um meio dieltrico e, qp a carga de polarizao, dada por

qp =

ndaP .
s

(1.9)

Usando a lei de Gauss para o dieltrico, temos que: 1 (q + qp ) 0 P .nda)

s

dS.E =
s

(1.10)

nda.E =
s

1 (q 0

da0 E.n +

daP .n = q
s

dan.(0 E + P ) = q.

(1.11)

Esta equao estabelece que o uxo de 0 E + P , atravs de uma superfcie fechada, igual a carga lquida introduzida no volume envolvido pela superfcie. D, i.e., Esta quantidade usualmente chamada de deslocamento eltrico, sendo representada por

D = 0 E + P

(1.12)

A Eq.1.12 relaciona os trs campos presentes em um dieltrico, E , P e D. O primeiro, E , criado pelas cargas livres, o segundo, P , pelas cargas de polarizao, e o terceiro, D, o campo resultante da superposio dos dois anteriores, e devido tanto pelas cargas livres quanto pelas cargas de polarizao. Em termos de D a lei de Gauss ca,

dS.D = q,
s

(1.13)

que conhecida como lei de Gauss para o deslocamento eltrico. Para uma distribuio volumtrica de cargas, q =
V

dV , e a Eq.1.13 torna-se,

D.nda =
s V

dV .

10 Aplicando o teorema do divergente (veja apndice A),

1. Dieltricos e Capacitncia

dV .D =
V s

dS.D,

temos,

dV .D =
V V

dV ,

ou ainda,

dV (.D ) = 0.
V

Para uma soluo no trivial, dV = 0, logo, .D = 0, e nalmente,

.D = .

(1.14)

. equao de Eq.1.14 representa a lei de Gauss na forma diferencial, e equivale a 1a

Maxwell. Para nalizar, no caso de materiais dieltricos, isotrpicos e cuja polarizao no seja permanente, verica-se experimentalmente que so vlidas as seguintes relaes lineares entre P , E , e D:

P = e E,

(1.15)

e = ke 0 0 = (ke 1)0 ,

(1.16)

P = (ke 1)0 E.

(1.17)

Nestas equaes, e representa a susceptibilidade eltrica do material e, ke a constante dieltrica do meio. Em todos os dieltricos ke 1 e e 0, a igualdade ocorrendo no vcuo. Nos dieltricos mais comuns, 1 ke 100. Substituindo Eq.1.17 em Eq.1.12, passamos a escrever

1.5. Capacitncia

11

D = 0 E + (ke 1)0 E = (1 + ke 1)0 E, assim,

D = ke 0 E, ou

(1.18)

D = E, onde = ke 0 a permissividade do meio.

(1.19)

No SI as unidades de P e D so: newton coulomb C coulomb2 = = 2 2 2 newton.metro coulomb metro m

U (p) = U (e )U (E ) =

1.5

Capacitncia

Seja um par de superfcies condutoras separadas por um meio no condutor (tal como ar, vcuo, ou plstico). Este conjunto constitui um capacitor, e quando uma bateria conectada a um capacitor, como procura ilustrar a Fig.1.8, a carga rapidamente transferida para as placas, at que a diferena de potencial entre elas seja V (a voltagem da bateria). Nesta condio de equilbrio, a carga Q, que cada placa carrega, diretamente proporcional a voltagem V , e a constante de proporcionalidade entre Q e V , denominada capacitncia C do capacitor, assim,

Q = CV

(1.20)

A capacitncia C uma medida da carga total Q que o capacitor carrega quando a diferena de potencial entre as placas V . Obviamente, a carga total armazenada no capacitor nula, porm, o valor em mdulo da carga de um dos dois condutores o que chamamos de carga Q do capacitor, por conveno.

12

1. Dieltricos e Capacitncia

Figura 1.8: Duas placas separadas por um meio dieltrico e submetidas a uma diferena de potencial V, formam um capacitor. Portanto, podemos dizer que um capacitor retm cargas eltricas (cargas de sinais opostos se acumulam nas placas) e a capacitncia descreve a capacidade do dispositivo em reter essas cargas, para uma dada diferena de potencial V . Para um dado V , uma capacitncia maior corresponde a uma quantidade de carga maior. Unidade da Capacitncia (C ) No SI a capacitncia medida em unidades de coulombs por volt. Esta combinao de unidades chamada de farad, em homenagem ao grande cintista ingls Michael Faraday (1791 - 1867). Portanto,

1 f arad(F ) =

1 coulomb C = . 1 volt V

Na prtica, encontramos capacitores com valores de capacitncia na faixa de 106 F = 1 F (l-se: um micro-farad) a 1012 F = 1 pF (l-se: um pico-farad). Em algumas situaes, quanto maior a capacitncia melhor. Este o caso, por exemplo, de aplicaes nas clulas de memria, onde quanto mais tempo a clula conservar sua carga eltrica, menor ser o nmero de ciclos de refresh necessrios por segundo, fazendo com que o mdulo consuma menos energia, e tenha um melhor desempenho. Por outro lado, existem reas onde uma alta capacitncia um srio problema, como por exemplo, nos transstores que compe a parte lgica do processador. Neste caso, quanto maior a capacitncia, mais tempo o transstor demora para perder sua carga e mudar de estado, o que limita a frequncia de operao do processador.

1.6. Aplicaes

13

1.6

Aplicaes

A capacitncia C de qualquer capacitor uma grandeza que depende das dimenses fsicas do sistema, ou seja, da forma geomtrica das placas e do meio entre elas, como veremos adiante.

Exemplo 2 Seja um capacitor de placas planas e paralelas de rea A, carregado com carga Q, cuja distncia entre as placas seja d e cujo meio tenha permissividade , como mostra a Fig.1.9. Determine o valor da capacitncia C . Soluo: Sendo o meio entre as placas no condutor, este ser caracterizado pelo vetor deslocamento eltrico, e no mais pelo vetor campo eltrico. Tem de ser assim porque ainda que se mantenha xa a distancia entre as placas e a mesma diferena de potencial entre elas, o vetor deslocamento eltrico ter um valor diferente para cada meio ou dieltrico introduzido entre as placas. Considerando ainda que a distribuio de cargas nas placas uniforme, o campo entre as placas tambm ser uniforme (os efeitos de borda so desprezados).

Figura 1.9: Capacitor de placas paralelas. Aplicando a lei de Gauss para o deslocamento eltrico, temos que

ds.D = Q
s

sendo D.ds = D cos ds, e visto que D paralelo a ds, ento cos = 1. Logo,

14

1. Dieltricos e Capacitncia

D.ds = DA = Q.
s

Nesta equao, A representa a rea da superfcie gaussiana (rea tracejada) que, por construo, pode ser tomada como equivalente a rea da placa. Sendo D = E , a expresso acima fornece o campo eltrico como Q . A

E=

E a diferena de potencial pode ser calculada como

0 0

V =
d

dl.E =
d

dl E,

e, ento, obtemos
0

V =
d

dl

Q Q V = d A A

O grco a seguir, mostra como varia a voltagem entre as placas do capacitor.

Figura 1.10: Graco V x entre as placas do capacitor. Como esperado dos clculos acima, pode-se observar que, entre as placas, V cresce linearmente com x (d). E a capacitancia ca

1.6. Aplicaes

15

C= e, nalmente,

Q Q = , V Qd/A

A C= . d No resultado acima, ca evidente que a capacitncia C , para um xo, funo apenas das dimenses fsicas do sistema. Se o meio entre as placas for o vcuo ou mesmo o ar, temos que = 0 , e a capacitncia dada por A C = 0 , d onde 0 = 8, 851012 F/m. Note ainda, que o uso de um dieltrico (ao invs de apenas vcuo) aumenta a capacitncia do capacitor, devido ao valor da permissividade eltrica do meio. Uma aplicao numrica deste resultado pode ser visto pelo clculo da rea das placas de um capacitor de 1 F . Se a distncia entre as placas fosse de 1 mm, e se elas se encontrassem no vcuo, teramos que usar placas cujas reas teriam as seguintes dimenses. Cd 1 103 = 0 8, 85 1012

A= A = 1, 13 108 m2 ,

i.e., seriam necessrias placas de 10.600 metros (ou 10, 6 km) de lado. Este exemplo mostra ainda, que a unidade farad uma unidade extremamente grande, por este motivo costumamos usar seus sub-mltiplos (1 F = 106 F e 1 pF = 1012 F ).

No mdulo de simulao C4 Farad, voce poder simular os clculos acima. Varie os valores da Em particular, permissividade eltrica do meio. possa ter dimenses realistas.

procure o valor de necessrio para que a placa

16

1. Dieltricos e Capacitncia

Exemplo 3 Seja um capacitor coaxial ou cabo coaxial carregado com carga Q, cujo raio interno a, raio externo b, comprimento L e permissividade , como mostra a Fig.1.11. Determine o valor da capacitncia C .

Figura 1.11: A gura esquerda, mostra dois cabos coaxiais ou cilindros coaxiais de comprimento L, separados por um meio dieltrico de permissividade , submetidos a uma diferena de potencial, V . A gura direita mostra um corte da seo reta do mesmo cilindro, sendo o raio interno a, o externo b e, r o raio da superfcie gaussiana. Soluo: Aplicando a lei de Gauss, temos que:

ds.D = Q DA = Q,
s

onde, agora, A representa a rea da superfcie gaussiana do cilindro. Dando sequncia ao clculo

D = E E (2rL) = Q, e, ento, Q . 2Lr

E=

A diferena de potencial Vab = V entre os cilindros de raios a e b, ser dada pela integral de linha,
a b

V =
b

dr.E =
a

dr E.

Substituindo a expresso do campo, obtemos

1.6. Aplicaes

17

V =
a

Q dr Q = [ln r]b a. 2L r 2L

Portanto, o potencial dado pr Q b ln 2L a

V = e a capacitncia ca,

C=

Q C= V

Q , Q b ln 2L a

ou seja, 2L . ln b/a

C=

Mais uma vez, notamos o aparecimento de quantidades relacionadas geometria do capacitor, e constante dieltrica. Exemplo 4 Seja um capacitor esfrico formado por duas calotas esfricas concntricas, carregadas com carga Q, e de raios a e b, com b > a. O meio entre as calotas tem permissividade . Este modelo de capacitor esta ilustrado na Fig.1.12. Determine o valor da capacitncia C , supondo que uma diferena de potencial V aplicada entre aos terminais das duas calotas. Aplicando a lei de Gauss

ds.D = Q DA = Q,
s

com

D = E E (4r2 ) = Q. Assim, Q 4r2

E=

18

1. Dieltricos e Capacitncia

Figura 1.12: A gura a esquerda mostra duas calotas esfricas concntricas, separados por um meio dieltrico de permissividade , submetidos a uma diferena de potencial V . A gura a direita mostra a mesma calota projetada no plano. O raio interno denotado por a, o externo b, e r o raio da superfcie gaussiana traada entre as duas esferas. A diferena de potencial V = Vab dada pela integral de linha
a b

Vab = portanto,

dr.E =
b a

Q dr Q 1b = [ ] , 4 r2 4 r a

Vab = Por outro lado,

Q 1 1 ( ). 4 a b

C=

Q 4 C= 1 1 V a b ab ) ba

C = 4(

interessante observar o que acontece quando b >> a, uma vez que nesta situao podemos obter uma expresso mais simples para a capacitncia, uma vez que podemos desprezar2 o valor de a frente a b no denominador da equao de C , e ento,
2

Sendo um pouco mais rigoroso ao falar, uma regra geral para efetuar aproximaes em fsica,

identicar qual o parmetro que pequeno, e escrever a expresso que pretendemos aproximar em termos desse parmetro. Depois disso, faz-se uma expanso em torno do valor zero para o parmetro. Em geral este parmetro adimensonal, uma vez que, frequentemente, tomado como uma razo entre duas grandezas fsicas.No caso em questo, o parmetro corresponde razo entre os raios, a/b.

1.6. Aplicaes

19

C = 4 a. Este resultado corresponde ao modelo fsico de uma esfera isolada, como podemos conrmar no prximo exemplo. Exemplo 5 Caso da esfera isolada. Considerando uma esfera carregada isolada de raio R, e vamos supor que a outra placa seja uma esfera condutora de raio innito. Ento, temos que
a

Vab =

dr.E =
b R

dr E,

Vab =

Q 1 Q dr = [ ] . 2 4 r 4 r R

Se o meio entre as duas calotas o ar, temos que 0 = . Q 1 1 ( ), 40 R

V =

logo, a diferena de potencial entre as placas ser Q . 40 R

V = Como,

C=

Q C= V

Q , Q 40 R

vemos que a capacitncia de uma esfera isolada

C = 40 R, como esperado. Discutimos os principais modelos de capacitores. Em particular, todos os casos Existem, contudo,

possuiam grande simetria, e pudemos usar a lei de Gauss.

20

1. Dieltricos e Capacitncia

capacitores com as mais variadas formas geomtricas, como por exemplo, capacitor de placas no paralelas, cilindro (ou esfera) excentrico, etc. Na maioria dos casos, os clculos so complexos, e fogem ao que nos propomos. Algumas referencias citadas, discutem estes problemas mais elaborado e, em alguns casos, apresentam solues aproximadas.

1.7

Energia Armazenada no Capacitor

Necessitamos expender energia para carregar um capacitor, porque para aumentar a carga do mesmo, necessitamos realizar trabalho a m de superar a repulso da carga j presente na placa, produzindo, assim, um acrscimo na energia do condutor. Deste modo, um capacitor carregado possui acumulada uma certa energia potencial eltrica UE , que igual ao trabalho W despendido para carreg-lo. O que torna um capacitor extremamente til do ponto de vista de suas aplicaes tecnolgicas, que esta energia tambm pode ser recuperada, permitindo-se a descarga do capacitor. Supondo q a carga transferida ao capacitor, a voltagem entre as placas ser: q . C

V = Mas, dW dq

(1.21)

V =

dW = V dq.

(1.22)

Substituindo o valor de V dado por Eq.1.21 em Eq.1.22, temos q dq. C

dW =

(1.23)

A energia dispendida para carregar o capacitor com uma carga total q ser igual ao trabalho realizado:
q

UE =

dW =
0

dq

q , C
q

1 UE = C

q 0

1 q2 dq q = C 2

,
0

1.7. Energia Armazenada no Capacitor portanto, 1 q2 UE = , 2C ou ainda, 1 C , 2V2

21

(1.24)

UE =

(1.25)

que corresponde a energia potencial eltrica armazenada no capacitor. No caso do condutor esfrico do exemplo anterior, C = 40 R, e a energia armazenada ser, ento: 1 q2 . 2 40 R

UE =

(1.26)

Alm dos capacitores que discutimos, os circuitos podem conter capacitncias parasitas, que esto, no-intencionalmente, presentes, e se devem vrios efeitos. Por exemplo, quando dois os, no perfeitamente isolados, de um circuito esto prximos, exite uma capacitncia parasita entre eles. O mesmo se d nos circuitos transistorizados, em que capacitncias parasitas podem existir entre os diferentes elementos dos transistores. As capacitncias parasitas podem causar srios problemas se no forem, de alguma forma, prevenidas no projeto do circuito.

1.7.1

Densidade de energia (E )

Vimos que o campo eltrico entre placas paralelas uniforme se desprezamos os efeitos nas bordas. Esta uma boa aproximao para capacitores cuja separao entre as placas muito pequena em comparao s dimenses das placas. Assim, nestes capacitores, o campo eltrico tem o mesmo valor em todos os pontos entre as placas, e podemos denir uma densidade de energia do campo eltrico como a distribuio de energia por unidade de volume, UE . volume

E =

(1.27)

O capacitor de placas paralelas, tem C = 0 A/d, e volume = Ad, assim,

22

1. Dieltricos e Capacitncia

E =

1 CV 2 2

volume

1 AV 2 2 0

dAd

1 V = 0 ( )2 , 2 d

mas, V /d = E , logo a densidade de energia dada por: 1 E = 0 E 2 . 2

(1.28)

Vemos ento, que a densidade de energia eltrica proporcional ao quadrado do campo eltrico. Podemos dizer que a energia encontra-se armazenada no prprio campo eltrico. Campo no mero artifcio matemtico para tratar foras, mas uma entidade fsica, real, com energia associada a ele. Embora tenhamos considerado o capacitor de placas paralelas, o resultado geral, e se estende as demais formas geomtricas. Unidade da densidade de energia (E ) joules J = 3 3 metro m

U (E ) =

1.8

Associao de Capacitores

Em geral, os circuitos eltricos e eletrnicos so constitudos de vrios componentes, que so associados de diferentes modos. Esta associao pode ser em paralelo, em srie, ou de forma mista, sendo esta ltima, uma juno das duas primeiras.

1.8.1

Associao em paralelo

Dizemos que um conjunto de capacitores est ligado em paralelo, quando este conjunto est sujeito a mesma diferena de potencial V . A Fig.1.13 procura ilustrar um exemplo deste tipo de associao. Neste caso, a carga total ser:

1.8. Associao de Capacitores

23

Figura 1.13: Dois capacitores ligados em paralelo.

q = q1 + q2 , e, uma vez que

(1.29)

q = CV, temos que

q1 = C1 V (1.30) q2 = C2 V

Substituindo Eq.1.30 em Eq.1.29, temos que

CV = C1 V + C2 V, assim,

C = C1 + C2 .

(1.31)

Logo, a capacitancia equivalente dada pela soma da capacitancia de cada capacitor. Este resultado pode ser generalizado para n capacitores em paralelo. Logo, a capacitncia equivalente Ceq de n capacitores associados em paralelo, dada por

24

1. Dieltricos e Capacitncia

Ceq =
n

Cn .

(1.32)

1.8.2

Associao em srie

Dizemos que um conjunto de capacitores esto ligados em srie, quando a diferena de potncia aplicado ao conjunto, igual a soma das diferena de potencial de cada capacitor. A Fig.1.14 mostra um exemplo deste tipo de associao.

Figura 1.14: Dois capacitores ligados em srie. Neste caso,

V = V1 + V2 , mas, q , C

(1.33)

V = ento,

V1 =

q C1 (1.34)

q V2 = C2

Substituindo Eq.1.34 em Eq.1.33, temos

1.8. Associao de Capacitores

25

q q q + , = C C1 C2 i.e., 1 1 1 + . = C C1 C2 No caso de n capacitores em srie, 1 = Ceq 1 Cn

(1.35)

(1.36)

Observao: Chamamos de capacitncia equivalente, a capacitncia de um nico capacitor, capaz de substituir todo o conjunto, sem que haja mudana na operao do circuito externo.

1.8.3

Aplicaes

Exemplo 6 Entre as placas de um capacitor de placas paralelas, so introduzidos dois materiais de constante k1 e k2 como mostra as Fig.1.15. Mostre que os capacitores esto ligados em paralelo, e que a capacitncia C dada por C= 0 A k1 + k2 ( ). d 2

Soluo: Dizemos que os capacitores da Fig.1.15 encontram-se em paralelo, visto que os mesmos esto ligados sob a mesma diferena de potencial. Desta forma, a capacitncia equivalente dada por

C = C1 + C2 Da lei de Gauss,

(i)

ds.0 E = q,

ou

ds.D = q.
S

26

1. Dieltricos e Capacitncia

Figura 1.15: Dois capacitores de constantes k1 e k2 . Como D//ds, temos que

D
S

ds = q

DA = q,

ou,

D = qA.

(ii)

A diferena de potencial entre as placas ser dada por

d d

V =
0

dr.E =
0

E dr,

onde, novamente, E//dr, e D , k0

E=

(iii)

Podemos, assim, reescrever V fazendo uso de (ii) e (iii), como

d

V =
0

dr

D q = 0 k 0 kA

dr,
0

logo,

1.8. Associao de Capacitores

27

V =

q d. 0 kA

Chamando V1 e V2 a diferena de potencial dos capacitores C1 e C2 , respectivamente, e, visto que cada um deles ocupa a metade da rea entre as placas, temos que 2q1 d q1 , Ad = 0 k1 A 0 k1 2 q2 2q2 d , Ad = 0 k2 A 0 k2 2

V1 = e, V2 = assim como,

C1 = e, C2 =

0 k1 A q1 = V1 2d 0 k2 A q2 = . V2 2d

Podemos nalmente retornar a (i), e escrever a capacitncia equivalente do sistema de capacitores ligados em paralelo como 0 k1 A 0 k2 A + 2d 2d

C= ou ainda,

C=

0 A k1 + k2 ( ) d 2

Exemplo 7 Entre as placas de um capacitor de placas paralelas, so introduzidos dois materiais de constante k1 e k2 , como mostra a Fig.1.16. Mostre que os capacitores esto ligados em srie, e que a capacitncia C dada por: 20 A k1 k2 ( ) d k1 + k2

C=

Soluo: Sendo V = V1 + V2 , conclumos qe o sistema de capacitores encontra-se em srie, assim C1 C2 . (i) C1 + C2

C=

28

1. Dieltricos e Capacitncia

Figura 1.16: Capacitores de constantes K1 e K2. De forma analoga ao problema anterior, temos que q . A

D=

Como cada capacitor ocupa apenas a metade da distancia entre as placas, temos que
d/2

V1 = logo,

dr
0

D q = 0 k 0 kA

d/2

dr,
0

V1 = e, analogamente,

q d 0 k1 A 2

V2 = Como q = q1 = q2 , temos que

q d . 0 k2 A 2

C1 = e tambm,

q 20 k1 A = , V1 d

C2 =

q 20 k2 A = . V1 d

1.8. Associao de Capacitores De (i), temos nalmente que 20 k1 A 20 k2 A d d C= , 20 k1 A 20 k2 A + d d ou, arrumando os termos, chegamos a expresso dos capacitores ligados em srie 20 A k1 k2 ( ). d k1 + k2

29

C=

Exerccios 1. Determine: a) a capacitncia dos capacitores de placas paralelas nas situaes mostradas abaixo, onde k1 , k2 e k3 so constantes dieltricas dos materiais colocados no interior do capacitor, b) Construa um circuito equivalente para cada um dos casos. c) Sabendo que os valores da constante dieltrica do ar, do papel, e da cermica so, respectivamente, 1, 00; 3, 5; e 130, v ao mdulo de simulao C4 e simule as combinaes de materiais que proporcionem ao capacitor, a maior e a menor capacitancia. Falta o desenho que no encontrei. 2. No circuito do item b) da questo anterior, suponha que C1 = 10F ; C2 = 5, 0F ; C3 = 4, 0F e V = 100V . Determine: a) a carga em cada capacitor; b) a diferena de potencial em cada capacitor; c) a energia acumulada em cada capacitor. 3. Considerando a rea da placa igual a A. Determine: a) A capacitncia equivalente do capacitor da Fig.1.17,

30

1. Dieltricos e Capacitncia

Figura 1.17: Associao de capacitores. b) Construa o circuito equivalente ao da gura. 4. Uma chapa de cobre de espessura b = 0, 5cm introduzida exatamente no meio das placas de um capacitor plano, cujas placas esto separadas pela distncia d = 1, 0cm. Considere A = 100cm2 . Qual o valor da capacitncia nos seguintes casos: a) antes da introduo da placa; b) depois da introduo da placa. c) No mdulo de simulao C4, estude o comportamento da capacitncia nas seguintes situaes: - ao alterar os valores da espessura da chapa de cobre, - ao alterar a distancia d entre as placas. 5. Na gura abaixo, a bateria possui uma diferena de potencial de 10V , e os cinco capacitores possuem cada um, uma capacitncia de 10F . Qual a carga: a) sobre o capacitor C1 , b) sobre o capacitor C2 , c) v ao modulo de simulao e verique seus resultados. 6. Na gura abaixo Vab = 100V , calcule: a) a capacitncia equivalente do sistema, sabendo que todos os capacitores tm capacitncia C = 1F ,

1.8. Associao de Capacitores

31

Figura 1.18: Circuito com cinco capacitores.

Figura 1.19: Circuito com nove capacitores associados. b) a energia acumulada no sistema. c) Em C4, realize as simulaes e responda - A capacitncia equivalente se todos os capacitores estivessem em srie seria maior ou menor que a congurao acima - Se todos os capacitores estivessem em paralelo, a capacitncia equivalente seria maior ou menor que a atual. 7. Um condutor de forma arbitrria, contendo carga q , introduzido em um meio dieltrico uniforme de constante dieltrica k . Determine as cargas de polarizao dentro e fora do dieltrico. 8. Dois meios dieltricos, de constantes dieltricas K1 e K2 , esto separados por uma interface plana. No h carga externa sobre a interface. Determine a relao entre 1 e 2 sendo estes, os ngulos formados por uma linha arbitrria de deslocamento normal a interface, 1 do meio 1 e 2 do meio 2. 9. Considere duas esferas condutoras concntricas de raios Ra e Rb (Ra < Rb ), com cargas Q e Q, respectivamente. Calcule a energia armazenada no sistema, sabendo que o meio entre as esferas tem permissividade .

32

1. Dieltricos e Capacitncia

Figura 1.20: Condutor de geometria arbitrria.

Figura 1.21: Esferas concentricas com cargas Q e Q.

1.8. Associao de Capacitores

33

10. Considere uma casca esfrica condutora de raio R, com uma densidade supercial de carga homognea sobre a sua superfcie. Dentro da casca e fora dela existe um meio de permissividade sistema. 11. Pense: Otimizao: No mundo atual a otimizao ganha cada dia mais importncia, quer seja na otimizao do tempo, no uso de materiais, nos custos etc. Por outro lado, quando estudamos capacitor de placas paralelas vimos que um capacitor de 1F teria que ter placas com quilometros de lados. Suponha que voce realmente tenha que construir um capacitor de 100F , sempre o mais otimizado possvel, e, como guia para sua otimizao, sempre justicando com clculos, responda: a) que geometria voce usaria (esferica, cilindrica ou placas planas)?, b) qual o dieltrico que voce usaria? , c) se pudesse usar uma combinao de at tres capacitores para obter os 100F , que associao voce faria (srie, paralelo ou mista)? d) que valor da constante dieltrica teria que ter o material dieltrico, para que esse capacitor tivesse dimenses realistas?
0.

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34

1. Dieltricos e Capacitncia

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