PROYECTO FINAL AMPLIFICADOR DE POTENCIA A 10 W

EQUIPO N 7

CARLOS ARTURO JAIMES BELTRAN GINETH CONTRERAS BORJA

20101005113 20101005110

CRISTIAN FERNANDO SILVA TIBADUIZA 20102005015

LABORATORIO ELECTRONICA II GRUPO 2

FACULTAD DE INGENIERA INGENIERA ELECTRNICA

BOGOT D.C. 28 DE JUNIO DE 2012

PROYECTO FINAL AMPLIFICADOR DE POTENCIA

NDICE Pg. 1. INTRODUCCION Y ABSTRCT 2. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA 3. OBJETIVO GENERAL 4. OBJETIVOS ESPECIFICOS 5. ELEMENTOS Y EQUIPOS PARA EL CIRCUITO 6. PROCEDIMIENTO 7. CONCLUSIONES 8. BIBLIOGRAFA 9. APENDICE 3 3 4 4 5 6 12 12 13

1. INTRODUCCIN Y ABSTRACT
Teniendo en cuenta la importancia que en la actualidad tienen los amplificadores de potencia, en especial en aplicaciones de audio, en el presente informe se describen los fundamentos bsicos de los amplificadores de potencia para estos. Conceptos que se aplicaran en el diseo y construccin de un amplificador de potencia de 10W para un parlante con resistencia de 8. Empleando elementos como transistores de potencia.

Given the importance that currently have the power amplifiers, especially in audio applications, this report describes the basics of power amplifiers for these. Concepts applied in the design and construction of a power amplifier with 10W for resistance 8 speaker. Using elements such as power transistors.

2. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA

Realizar el diseo de un amplificador de potencian de audio de 10W, para un parlante de 8 , usando nicamente transistores, realizando medidas en su seal de salida y estabilidad durante un tiempo de 10 minutos aproximadamente.

3. OBJETIVO GENERAL Realizar un amplificador de potencia a 10W para una RL de 8 ohmios, que presente una pequea distorsin, y se mantenga estable en un rango de tiempo, realizando el montaje con solo transistores.

4. OBJETIVOS ESPECIFICOS

Realizar el diseo de un amplificador AB a una potencia de 10W.

Verificar la seal de salida, la distorsin y la respuesta en frecuencia del amplificador en forma prctica.

Concluir acerca de los parmetros como voltaje, corrientes y potencia que deben encontrarse en ciertos puntos del amplificador.

5. MATERIALES

Fuente de poder dual variable 0 a +/- 30 V Multmetro digital (Tester digital o VOM). Transistores TIP 31, 2N2222, 2N2907 Resistencias Condensadores Protoboard Diodos Generador de funciones Disipadores de calor

6. PROCEDIMIENTO
Para el montaje de el amplificador de potencia, se realizara un circuito AB; este tipo de amplificadores funcionan bsicamente como los amplificadores en clase B, excepto en el que se inyecta una pequea corriente de polarizacin para que ya estn conduciendo previamente a la llegada de la seal. No se disean en clase A. Se disean casi en corte, pero sin llegar a estar en ese estado. De esta forma se consigue eliminar la distorsin de cruce; De igual forma se realizara con doble fuente por lo cual la carga RL no incluye condensador de acople. Para conseguir que los transistores de potencia puedan ser del mismo tipo, se recurre a la configuracin con simetra complementaria y Darlington. Entonces el circuito propuesto para el amplificador de potencia es el siguiente:

Para determinar el voltaje

PL teniendo en cuenta la eficiencia del 78% Como no se est tomando en cuenta el voltaje que cae en las resistencias de 0.47, se aumenta gradualmente a 20 V para que de la potencia requerida. La corriente que debe suministrar cada fuente es

Los transistores de potencia TIP 31 deben cumplir que:

Para las resistencias de estabilidad (emisores de TIPs), es decir las de 0.47

Las resistencias deben tener una capacidad de disipacin mayor a esta potencia. Q4 es un transistor NPN en configuracin Darlington junto con Q2. Q5 es un transistor PNP en configuracin Darlington complementario junto con Q3. Se elige el 2N2222 por su respuesta, as mismo el 2N2907, que tienen de aproximadamente 140. Para el clculo de RP, se necesita saber la corriente y la diferencia de potencial en extremos. La tensin de . Despreciando la ciada de voltaje en las resistencias de 0.47, la tensin de base en q4 es 1.4V, el valor mximo de la corriente seria:

Se toma un corriente ligeramente mayor para garantizar que los diodos y el transistor siempre estn conduciendo, por ejemplo I= 5 mA

Para el clculo del condensador paralelo a los diodos se tiene:

Donde

Entonces

Los diodos se eligen arbitariamente, com ocircula corriente pequea por ellos sirve cualquier diodo se seales.

Para R2 debe calcularse de forma que permita el correcto funcionamiento del transistor Q1 (driver) para cualquier variacin de la seal de entrada. Se elige una cada de tensin Vcc /10

Para R3 se elige una corriente superior a la de base DE Q1:

Se toma la corriente de 1mA. De esta forma se puede despreciar la de base.

Para R4 la corriente es de 1mA, la diferencia de potencial en extremos es:

Ahora para el DRIVER Se elige una corriente de colector de 10 mA, un punto de funcionamiento en clase A y una tensin de emisor de 1.5 V. A partir de estos datos se disean las resistencias

En el colector de Q6 se tiene la siguiente tension:

Finalmente para el calculo de R9 y R10, la corriente de base de Q6 es Ib1= Ic/100= 0.1 mA Se toma una corriente por R9 diez veces superiior para poder hacer aproximaciones Io= 1 mA La tension en la base de Q6 es:

Para el calculo de R9

Simulaciones:

Montaje practico:

7. CONCLUSIONES
En la prctica estos amplificadores usualmente no salen ni entregan la potencia calculada y vista en las simulaciones porque es necesario que los transistores sean pareados, por lo que es difcil conseguirlos y esto hace que sus caractersticas internas sean diferentes, cosa que no hace simtrico todo. A veces, por no decir casi siempre, es necesario conectar un filtro a la salida del amplificador para dar mayor nitidez al sonido del amplificador de potencia No se puede alcanzar la potencia deseada debido tambin a las limitaciones impuestas por las resistencias conectadas a los emisores de los TIP puesto que estas resistencias disipan potencia que no se tuvo en cuenta para los clculos de este amplificador No se puede alcanzar la potencia deseada debido tambin a las limitaciones impuestas por R7 y R8 que afectan el funcionamiento de Q2 y debido tambin a que se han despreciado las prdidas en las resistencias de 0.47.

8. BIBLIOGRAFIA SEDRA, Adel. SMITH, Kenneth. Circuitos. Cuarta edicin. Apndice G. Determinacin de los parmetros del modelo hbrido BJT Pgs 13091312. SAVANT Jr. CJ. RODEN, Martin S. CARPENTER, Gordon. Diseo Electrnico. Caractersticas de la respuesta en frecuencia. Pgs 434-514. RASHID, M. Circuitos Microelectrnicos, Anlisis y Diseo. Thomson, 2002 9. ANEXOS

5. 6.