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VicerrectoradodeInvestigacin
ElectrnicaAnalgicaI
TINSBsicos
FacultaddeIngenieraElectrnicayMecatrnica
TEXTOSDEINSTRUCCINBSICOS(TINS)/UTP
LimaPer
ElectrnicaAnalgicaI
DesarrolloyEdicin:VicerrectoradodeInvestigacin
ElaboracindelTINS:Ing.MoissLeureyrosPrez
Ing.JosAndresSandovalValencia
DiseoyDiagramacin:JuliaSaldaaBalandra
Soporteacadmico:InstitutodeInvestigacin
Produccin:ImprentaGrupoIDAT
Quedaprohibidacualquierformadereproduccin,venta,comunicacinpblicaytransformacinde
estaobra.
stematerialesdeusoexclusivodelosalumnosydocentesdelaUniversidad
Tecnolgica del Per, preparado para fines didcticos en aplicacin del
Artculo 41 inc. C y el Art. 43 inc. A., del Decreto Legislativo 822, Ley sobre
DerechosdeAutor.
4
5
Presentacin
El presentetextoelaboradoen el marcodedesarrollodelaIngeniera,esunmaterial de
ayuda instruccional, en las carreras de Ingeniera Electrnica y Mecatrnica para la
Asignatura de Electrnica Analgica I correspondiente al sexto y quinto ciclo de estudios
respectivamente.
Plasmalainiciativainstitucionaldeinnovacindelaprendizajeeducativouniversitarioque
en acelerada continuidad promueve la produccin de materiales educativos, actualizados
enconcordanciaalasexigenciasdeestostiempos.
Laconformacindeltextohasidoposiblegraciasalesfuerzoydedicacinacadmicadelos
Profesores:Ing.MoissLeureyrosPrezyJosAndrsSandovalValencia;ellosbasadosen
su reconocida labor profesional acadmica han hecho posible la presente estructura
capitular:
Enelsegundocaptulo:Filtros;estudialosfiltrospasivos,losdiferentestiposdefiltrosy
familiasdetalmaneraqueseentiendasuaplicacin.
6
En el sptimo captulo: Respuesta en frecuencia; se estudia la respuesta en estado
estacionario(rgimenpermanente)deunamplificadoranteunaentradasinusoidal.Parael
estudio del amplificador, se vara la frecuencia de la sinusoide de entrada dentro de un
determinadorangodefrecuenciasyseobtienelarespuestaresultante.
Ing.LucioH.HuamnUreta
VicerrectoradodeInvestigacin
7
ndice
UnidadTemticaNo.I
Diodosemiconductor ........................................................................................................ 11
Diodoconpolarizacininversa ......................................................................................... 12
Caractersticatensincorriente........................................................................................ 12
Dependenciaconlatemperatura ..................................................................................... 13
Resistenciadeldiodo......................................................................................................... 14
Modeloscircuitalesdeldiodo ........................................................................................... 15
Capacidadesinternaseneldiodosemiconductor ............................................................ 16
Diodosespeciales .............................................................................................................. 22
Especificacionesdelosdiodos .......................................................................................... 24
Circuitosenclavadoresdefijacin..................................................................................... 38
UnidadTemticaNo.2
Filtros ............................................................................................................................. 43
Tiposdefiltros................................................................................................................... 43
UnidadTemticaNo.3
Eltransistorbipolar(BJT) .................................................................................................. 59
Representacindeltransistorbipolar............................................................................... 60
Regionesdetrabajoeneltransistorbipolar..................................................................... 61
Tcnicasdecompensacin................................................................................................ 70
ParmetrosK..................................................................................................................... 83
Parmetrosadmitancia ..................................................................................................... 85
Modelosdeparmetroshibridos.................................................................................. 93
Tecnologadeltransitor .................................................................................................... 94
Formasdeconstruccindeltransitor ............................................................................... 95
UnidadTemticaNo.4
Eltransistorunipolar(FET)................................................................................................. 99
Principiodefuncionamiento............................................................................................. 99
UnidadTemticaNo.5
Gananciasdelamplificador ............................................................................................... 127
Configuracionesdetransistores........................................................................................ 134
UnidadTemticaNo.6
Reguladores....................................................................................................................... 189
Tiposdereguladores ......................................................................................................... 191
Ejemplosdereguladoreslineales...................................................................................... 193
8
Reguladoresconcircuitosintegrados ............................................................................... 198
UnidadTemticaNo.7
Respuestaenfrecuencia ................................................................................................... 217
Respuestaenfrecuenciadelosamplificadores................................................................ 218
Puntosdemediapotenciayanchodebanda................................................................... 219
Respuestaenfrecuenciadeltransistor............................................................................. 221
Mtodosderespuestaenfrecuencia ............................................................................... 223
Respuestaenbajafrecuencia ........................................................................................... 233
CalculodelarespuestaenfrecuenciausandoMATLAB................................................... 241
Diseodefiltrosactivosmedianteamplificadoresoperacionales ................................... 242
Acoplocontransformadoresenbandaancha.................................................................. 246
Redeslinealesdesegundoorden ..................................................................................... 250
Seriesdeproblemas .......................................................................................................... 256
9
DistribucinTemtica
Clase
N
Tema Semana Horas
1
Circuitos con diodos. Estabilidad trmica. Circuitos de
conmutacin,limitadores,enclavadores.
1 2
2
Circuitos equivalentes, curvas VI. Diodos especiales.
Amplificaciones.
2 2
3
Circuitos de rectificacin con diodos Rectificacin de
media onda y onda completa. Factor de rizado.
Aplicaciones.
3 2
4
FILTROS Y REGULADORES. Filtro a condensador. Filtro a
inductancia.FiltroLC.
4 2
5
Filtro de varias etapas. Reguladores con Zener y C.I.
Aplicaciones
5 2
6
El transistor Bipolar. Mtodos de polarizacin. Comparaci
losdiferentesmtodos.
6 2
7
Factores de estabilidad. Rectas de carga en contnua y
alternaaplicaciones.
7 2
8
El transistor de efecto de campo. Curvas, caractersticas
delFET.Zonaomisayactiva.
8 2
9
MtodosdePolarizacinyestabilidad.Aplicaciones
9 2
10 EXAMENPARCIAL 10 2
11
Anlisis en pequeas seales del amplificador de audio
frecuencia. Modelo de parmetros hbridos. Clculo de
ganancia.
11 2
12
FormadeAcoplodelosAmplificadores.
12 2
13
Amplificador Multietapas y configuraciones notables. El
amplificadorcascodeyamplificadordarlington.
13 2
14
El Amplificador Diferencial. Amplificador Operacional.
Aplicaciones.
14 2
15
Respuesta en frecuencia de amplificadores de una o ms
etapas. Funciones de transferencias. Ceros y Polos
diagramadeBode.
15 2
16
Frecuenciasdecorteinferiorysuperior.
16 2
10
Clase
N
Tema Semana Horas
17
Respuesta en frecuencia del transistor bipolar BJT.
Aplicaciones.
17 2
18
Respuestaenfrecuenciadeltransistordeefectodecampo
FET.Aplicaciones.
18 2
19 EXAMENFINAL 19 2
20 EXAMENSUSTITUTORIO 20 2
ElectrnicaAnalgicaI
11
UNIDADTEMTICA
No.1
DIODOSEMICONDUCTOR:
Es un dispositivo formado por una capa de semiconductor tipo P junto a otra de
tipoN.
Conducecorrienteenunsolosentido,segnlapolaridaddesusterminales.Enlas
siguientesgrficasse muestranlasconcentracionesdecargasdentro desuscapas
sinpolarizacin,conpolarizacindirectayconpolarizacininversa:
Diodosinpolarizacin
Aqu vemos que las concentraciones de cargas se mantienen constantes en el
cuerpodelmaterial.
-
Nno
+
-
- +
Npo
-
+
-
+
+ -
+
-
- Ppo
N
+
-
+
+
P +
-
-
-
+
+
- +
- +
Pno +
Donde:
PPO=Concentracindecargaspositivaslibres(mayoritarias)enlazonaP.
NPO=Concentracindecargasnegativaslibres(minoritarias)enlazonaP.
NNO=Concentracindecargasnegativaslibres(mayoritarias)enlazonaN.
PNO=Concentracindecargaspositivaslibres(minoritarias)enlazonaN.
Diodoconpolarizacindirecta
Aqu vemos que las concentraciones de cargas de los portadores minoritarios han
aumentadoaloscostadosdelaregindetransicin.Estoquieredecirquehayun
excesodecargasaambosladosdelazonadetransicin.
ElectrnicaAnalgicaI
12
N1
p
-
N1
Npo
+ -
Pno
(Vo - V)
N
Nno
P1
Ppo
+
V > 0
V
Diodoconpolarizacininversa
Aqu vemos que las concentraciones de cargas de los portadores minoritarios han
disminuidoaloscostadosdelaregindetransicin.Estoquieredecirquehayuna
escasezdecargasminoritariasaambosladosdelazonadetransicin.
Enestasituacin,eldispositivonoconducecorriente.
ObsrvesequelafuenteVtienesupolonegativoenlareginPyelpositivoenla
reginN.
PNO
PPO NNO
NPO
-
P
+
V
N
Acontinuacinsemuestraelsmboloqueseusapararepresentarlo:
CARACTERSTICATENSINCORRIENTE:
Laecuacindeldiodosemiconductores:
I
D
=Io(
V/VT
1)
ElectrnicaAnalgicaI
13
Donde:
V=tensineneldiodo
I
D
=corrientedeldiodo
Io=corrienteinversadesaturacin
V
T
=kT/e=Tensintrmica(25.8mVT=300K)
=Coeficientedeemisin(1paraelgermanioy12paraelsilicio)
k=ConstantedeBoltzman=8.62x10
5
eV/K)
e=Magnituddelacargadelelectrn=1.602x10
19
C
T=TemperaturaabsolutaenK
Eldiodoempiezaaconducirconpolarizacindirectasilatensinsuperaladecodo
oumbral,V.Estatensinvale:0.10.2Vparaelgermanioy0.6Vparaelsilicio.
Esposiblesimplificarlaecuacindeldiodositenemosencuentaque,porejemplo,
undiododesilicioprcticamentenoconducesisutensindirectaesdelordende
0.5V.
Enestecaso,con=2:
I
D
=Io(
V/VT
1)=Io(
0.5/2x0.0258
1)=
9.69
1=16,1541
DEPENDENCIACONLATEMPERATURA:
Losdispositivossemiconductoresdependenmuchodelatemperatura.Lacorriente
inversadesaturacindeldiodoesdadaporlaecuacin:
Io=KT
m
e
VGO/VT
Donde:
TeslatemperaturaabsolutaenK.
Kesunaconstante
V
GO
=E
GO
/e:Eselequivalenteentensindelanchodelabandaprohibida0K
V
T
=kT/e:Eslatensintrmica.
Sedemuestraque:
Ioseduplicaporcadaaumentodelatemperaturaen10C
RESISTENCIADELDIODO:
Si un diodo tiene aplicada una tensin V y conduce una corriente I
D
, se presentan
dostiposdeefectosresistivos:
RESISTENCIAESTTICA:
En el grfico siguiente vemos la curva del diodo y las coordenadas del punto de
trabajo,Q,son:(V
Q
,I
DQ
)
Laresistenciaestticaesdefinidacomo: R
E
=V
Q
/I
DQ
VQ
IDQ Q
ID
V
Esteconceptoesaplicablecuandoeldiodoestsometidoatensionesycorrientes
constantes.
RESISTENCIADINMICA:
Esta resistencia se emplea cuando el diodo es sometido a corrientes y tensiones
quevaranconeltiempo.
ElectrnicaAnalgicaI
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VQ
IDQ
IDQ + id
V
Q
+
v
d
Q
IDQ - id
ID
V
V
Q
-
v
d
Enlagrficapuedeversequelasealmontadaenelniveldelpuntodeoperacin
hace variar la tensin y corriente en V (= vd) y I
D
(= id), alrededor del punto de
trabajo, Q. En este caso es ms til el concepto de resistencia dinmica, definida
como:
r
d
=dV
/dI
D
Lacualesevaluadaenelpuntodetrabajo,Q.
Podemosverquelaresistenciadinmicaeslainversadependientedelatangente
en el punto de trabajo, Q, del diodo. Se obtiene la ecuacin de la resistencia
dinmica partiendo de la ecuacin del diodo. Si derivamos I
D
respecto de V,
obtenemosinicialmentelaconductanciadinmica:
g
d
=dI
D
/dV=Io[e
V/VT
]/
V
T
=I
DQ
/V
T
Luegolaresistenciadinmicaes: r
d
=1/g
d
=V
T
/I
DQ
MODELOSCIRCUITALESDELDIODO:
El concepto de resistencia dinmica nos permite hacer un modelo linealizado del
diodoparasimplificarlosclculosyevitarelempleodelaecuacinexponencial:
ElectrnicaAnalgicaI
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1/rd
0
ID
V
V
Elgrficomostradosepuederepresentarporelsiguientecircuito:
V
+ -
DIODO IDEAL
A C
rd
Sedebeindicartambin quesisequierelograrmsprecisin,sepuedenemplear
mssegmentos,yelmodelocircuitalsecomplicarms.
CAPACIDADESINTERNASENELDIODOSEMICONDUCTOR
Otra de las caractersticas notables de la unin PN es que en la regin de
transicinsepresentandostiposdeefectocapacitivo.Uno,predominacuandohay
polarizacininversayelotropredominacuandohaypolarizacindirecta.
Empezaremosestudiandoelcasoconpolarizacininversa
Capacidaddetransicin(C
T
):
Alestablecerselaunin,seproduceunflujoinicialdecargasatravsdeelladebido
a los gradientes de concentracin. Los tomos de impurezas a los costados de la
ElectrnicaAnalgicaI
17
juntura se ionizan, formndose dos regiones con cargas opuestas e inmviles
debido a que los iones estn fijos en la red cristalina. Este comportamiento es
similar al de un condensador de placas planas y paralelas. Sin embargo, la
diferenciaestenqueestasregionespuedenaumentaroreducirsuseparacinen
funcindelvoltajeexternoaplicado,dandoorigenaunefectocapacitivonolineal.
Por ello, y teniendo en cuenta que C
T
debe ser un valor positivo, se define la
capacidad de transicin en funcin de la magnitud de la derivada de la carga
respectoalvoltajeaplicado: C
T
=dQ/dV
Uninabrupta:Esaquellaenlaqueelmaterialtipopcambiabruscamenteatipon
oviceversa.
W=anchototaldelaregindetransicin.
Wp=anchodelaregindetransicinenlazonaP.
Wn=anchodelaregindetransicinenlazonaN.
A=Area(oseccin)transversaldeldiodo.
Elprimerpasoeshallarladistribucindecargaspartiendodeladensidaddecarga:
Si la concentracin de impurezas es uniforme, en estado de equilibrio, las cargas
negativasaunladodelaunin,debenserigualesalaspositivasalotrolado.Osea:
AWpeNd=AWneNa
Dedonde: WpNd=WnNa
-
-
-
C
W p
+
+
+ -
x
-
+
- N
W
+
+ -
-
- V o - V
-
+ P
-
- -
+
+
+
+
W p
-
- V +
+
+ -
-
- +
+
+
W n
-
A +
0
W
+
-
Utilizandolaspropiedadesdelasproporciones:
Wp=WN
D
/(N
A
+N
D
)
ElectrnicaAnalgicaI
18
Wn=WN
A
/(N
A
+N
D
)
eN
D
N
A
W
2
VoV=
2(N
A
+N
D
)
Lacapacidaddetransicinseobtieneconlasiguienteecuacin:
A
C
T
=
W
DespejandoWyreemplazando:
A[eN
A
N
D
]
1/2
C
To
C
T
==
[2(N
A
+N
D
)]
1/2
[VoV
D
]
1/2
[1V/Vo]
1/2
Esteresultadoesvlidoparauninabrupta.
Sepuedededucirenformaanlogaparaotrostiposdeuniones.Enestecaso:
C
To
C
T
=
[1V/Vo]
m
C
To
eslacapacidaddetransicincuandonohaypolarizacinexterna.
m es el coeficiente de gradiente de unin y su valor est comprendido entre
0.33y0.5
Capacidaddedifusin(C
D
):
Estecomportamientosepresentaprincipalmentecuandolapolarizacinesdirecta.
Como ya se ha visto, en este caso las concentraciones de portadores minoritarios
aumentanaloscostadosdelazonadetransicin.Elaumentodehuecosenunlado
secorrespondeconlareduccinenelotrolado,generndoseunefectocapacitivo
porhuecos,algoanlogosucedeconloselectrones.Estascapacidadestambinson
nolineales,porloquesedefine:
ElectrnicaAnalgicaI
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C
D
=C
D
p+C
D
n=dQp/dV+dQn/dV
Donde:
Qprepresentaelexcesodecargaspositivas(huecos)
Qnrepresentaelexcesodecargasnegativas(electrones)
Q=Qo
V/VT
Luegoobtenemos:
C
D
=g
p
p
+g
n
Donde:
g
p
eslaconductanciadinmicadehuecosenlazonaP.
g
n
eslaconductanciadinmicadeelectronesenlazonaN.
p
eseltiempodevidamediodeloshuecosenlazonaP.
n
eseltiempodevidamediodeloselectronesenlazonaN.
Enelcasoparticularque:
p
=
n
=
Laecuacinsereducea: C
D
=g
Donde:geslaconductanciadinmicadeldiodo.
SOLUCION:
Laconductanciadinmicadeldiodoestdadapor:
g=ID/VT=1mA/26mV=0.04A/V
Lacapacidaddedifusines:CD=g=40nF
Y=g+jwCD=0.04+j0.025
SOLUCION:
Lacorrientedeldiodoestdadaporlaecuacin:
ID=Io[
V/VT
1]
Entonces: 0.9Io=Io[
V/VT
1]
0.9=
V/VT
1
exp(V/VT)=0.1
Dedonde:V=(26mV)ln(0.1)=59.87mV
Tiemposdeconmutacindeldiodosemiconductor:
Cuando el diodo trabaja en conmutacin ( o sea, pasando de su estado de
conduccin al de no conduccin y viceversa), demora para pasar de un estado al
otro.
Altiempoquedemoraenpasardelestadodeconduccinaldenoconduccinsele
llama:tiempoderecuperacininversa(trr).
Altiempoquedemoraenpasardelestadodenoconduccinaldeconduccinsele
llamatiempoderecuperacindirecta(trd).
Es importante tener cuidado con estos tiempos debido a que durante los
transitorioslosdiodospuedenverseafectadoseinclusodestruirse,especialmente
cuandotrabajanconcorrientesaltas.
Tiempoderecuperacininversa(t
rr
):
Cuando el diodo conduce, hay un exceso de cargas a ambos lados de la regin de
transicin. Al invertirse la polaridad este exceso debe ser eliminado para que el
diodo pase a su estado de no conduccin. Por ese motivo, el diodo conducir en
sentidoinversoduranteunosinstantes,comosemuestraenlasiguientefigura:
ElectrnicaAnalgicaI
21
t - 0.2 IR
0.7
ta
- IR
V
I
ID
t
tb
t
t
a
eseltiempoquepasadesdequelacorrienteescerohastaquellegaasupico
inverso(I
R
)
t
b
eseltiempoquepasadesdequelacorrienteestaensupicoinversohastaque
sereduceal20%desuvalor.
Luego: t
rr
=t
a
+t
b
Delasgrficasvemosquesecumpleaproximadamente:
Q
R
=I
R
t
a
+I
R
t
b
=I
R
t
rr
Luego: I
R
=2Q
R
/t
rr
Alarelacinentretb/taseledaelnombredefactordesuavidad,FS
FS=tb/ta
Tiempoderecuperacindirecta(t
rd
):
Cuandoeldiodonoconduce,hayunaescasezdecargasaambosladosdelaregin
detransicin.Alponersepolarizacindirecta,estaescasezdebepasaraexcesode
cargasydeberlimitarselavelocidaddevariacindelacorriente(dI/dt)porqueel
dispositivo puede daarse, especialmente cuando est trabajando con corrientes
altas.
ElectrnicaAnalgicaI
22
La variacin de la velocidad de la corriente se limita comnmente poniendo una
bobinadepequeovalorenserieconeldiodo.
a) Lacargadealmacenamiento,Q
R
b) Lacorrientepicoinversa,I
R
Solucin:
a) Sabemosque: t
rr
=t
a
+t
b
=t
a
(1+FS)
Luego: t
a
=t
rr
/(1+FS)=5s/(1+0.5)=10/3s
t
b
=t
rr
t
a
=5/3s
Sabemostambinque: I
R
/t
a
=dI/dt
Adems: Q
R
=I
R
t
rr
Reemplazando: Q
R
=(t
a
dI/dt)t
rr
=(5/3*80)5s=(2000/3)C
DIODOSESPECIALES:
La unin PN es muy importante porque presenta una serie de fenmenos tiles
quedeterminanlaconstruccindediodosespeciales:
Smbolo:
Diodo varicap: Diodo usado como capacidad variable con la tensin. Se polariza
inversamente.
Diododeavalancha:Diodousadocomoproteccincontrasobretensiones.Seusa
sureginderuptura.
Fotodiodo:Diodousadoparaconvertirluzenelectricidad.
Diodoemisordeluz:Diodousadoparaemitirluz.
ElectrnicaAnalgicaI
23
Diodotnel:Diodoconaltaconcentracindeimpurezas.Usadocomoosciladorde
altafrecuencia.
TIPOSDEDIODOSDEPOTENCIA:
Sepuedenclasificaren:
Diodosdeusogeneral:Trabajanhasta1KHz,connivelesdetensininversadesde
50Vhasta5KVynivelesdecorrientedesde1Ahastavariosmilesdeamperios.
Diodosderecuperacinrpida:Sutiempoderecuperacininversaesdelordende
5s, con niveles de tensin inversa desde 50V hasta 3KV y niveles de corriente
desde1Ahastavarioscientosdeamperios.
RECTIFICADORESDEPOTENCIA:
La historia de la Electrnica de Potencia comenz en 1900 con un dispositivo
denominado rectificador de arco de mercurio. Fue el precursor de los dispositivos
semiconductores, que dio gran impulso a la ingeniera de convertidores. Consista
en un tubo de acero en el que se haca el vaco, dotado de un nodo de grafito
aislado y de un ctodo de mercurio que emita electrones a travs de un arco
excitador. Entreel nodoyelctodose pona una rejilla. Al aplicar unimpulso de
tensin positivo en la rejilla se iniciaba el arco y la conduccin entre nodo y
ctodo.Entresusventajasestaban:Laelevadaresistenciaalassobretensionesya
las variaciones bruscas de corriente. Posteriormente aparecieron los dispositivos
termoinicosyagas,talescomoelfanotrn,eltiratrnyelignitrn.
PROBLEMA1.4:Losvaloresmedidosenundiodoatemperaturade25Cson:
V=1VconI
D
=50AyV=1.5VconI
D
=600A.Determine:
a) Elcoeficientedeemisin,
b) Lacorrienteinversa,I
o.
SOLUCIN:
Laecuacindeldiodoes: I
D
=Io(
V/VT
1)
Luego: 50=Io(
1/VT
1)=Io
1/VT
Adems: 600=Io(
1.5/VT
1)=Io
1.5/VT
Dividiendo:
600
1.5/VT
==
0.5/VT
50
1/VT
Despejando: 0.5
==7.8
V
T
ln(12)
ESPECIFICACIONESDELOSDIODOS:
Para poder seleccionar un diodo los fabricantes dan un conjunto de
especificaciones:
Tensin directa (V
D
): Es la cada de tensin directa para la corriente promedio
especificada.
Corrientedirectapicorepetitiva(I
Pmax
I
FRM
):Cuandoeldiodoconducecorrientes
quevaranconeltiempo,puedenhaberinstantesquealcancevalorespico.Elvalor
mximoqueeldiodopuedesoportareselespecificado.
Haydostiposbsicosderectificadormonofsico:
- Elrectificadordemediaonda,y
- Elrectificadordeondacompleta.
El rectificador de onda completa puede ser, a su vez, con toma central y tipo
puente.
ElectrnicaAnalgicaI
26
RECTIFICADORDEMEDIAONDA:Enelsiguientegrficosemuestraunrectificador
demediaondaconcargaresistiva:
Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada(Vin),
latensinenlacarga(V
L
)ylacorrienteenlacarga(I
L
):
LasiguienteecuacindalaseriedeFourierdelatensindesalida.
VmVm 2Vm
cos(kwt)
V
L
(t)=+sen(wt)
2
k=2,4,...
(k+1)(k1)
Podemosobservarqueelniveldecontinuaqueentregaelrectificadores:
V
LDC
=Vm/
Yqueelprimerarmnicotienelamismafrecuenciaquelaentrada.
ElectrnicaAnalgicaI
27
Acontinuacinsemuestraunrectificadordemediaondaconcargainductiva:
Seobservaquelainductanciaobligaraldiodoaseguirconduciendoapesarquela
tensindeentradacambiadepolaridad.
RECTIFICADORESDEONDACOMPLETA:
En el siguiente esquema se muestran los dos tipos de rectificadores monofsicos
deondacompletaconcargaresistiva:
ElectrnicaAnalgicaI
28
Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada,(Vin),
lacorrientedeentrada(Iin),latensinenlacarga(V
L
)ylacorrienteenlacarga(I
L
):
LasiguienteecuacindalaseriedeFourierdelatensindesalida.
2Vm 4Vm
cos(kwt)
V
L
(t)=
k=2,4,...
(k+1)(k1)
V
LDC
=2Vm/
Lossiguientesgrficosmuestranlasformasdeondadelatensindeentrada,(Vin),
lacorrientedeentrada(Iin),latensinenlacarga(V
L
)ylacorrienteenlacarga(I
L
):
ESPECIFICACIONESDELOSRECTIFICADORES
Los rectificadores pueden ser descritos mediante un conjunto de parmetros que
permitencompararlosyconloscualespodemosdeterminaralmsadecuadopara
laaplicacinquesedesea.
ElectrnicaAnalgicaI
30
Estosparmetrossonlossiguientes:
1) VOLTAJEPROMEDIOENLACARGA(V
LDC
)
Es el voltaje continuo que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:
= =
2
0 0
) (
2
1
) (
1
d V dt t V
T
V
L
T
L LDC
2) CORRIENTEPROMEDIOENLACARGA(I
LDC
)
Eslacorrientecontinuaquellegaalacarga.Sehallamediantelasiguiente
expresin:
d I dt t I
T
I
L
T
L LDC
= =
2
0 0
) (
2
1
) (
1
3) POTENCIADCPROMEDIOENLACARGA(P
LDC
)
Es la potencia en DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:
4) VOLTAJEEFICAZENLACARGA(V
Lef
)
Es la tensin total que llega a la carga, incluyendo los armnicos. Se halla
mediantelasiguienteexpresin:
= =
2
0
2
0
2
) (
2
1
) (
1
d V dt t V
T
V
L
T
L Lef
5) CORRIENTEEFICAZENLACARGA(I
Lef
)
Incluye la corriente DC y los armnicos que llega a la carga. Se halla
mediantelasiguienteexpresin:
=
T
L Lef
dt t i
T
I
0
2
) (
1
2
0
2
) (
2
1
d i
L
ElectrnicaAnalgicaI
31
6) POTENCIAACPROMEDIOENLACARGA(P
LAC
)
Eslapotenciaenlacargaproducidaportodaslascorrientesytensiones(DC
yarmnicos.Sehallamediantelasiguienteexpresin:
7) EFICIENCIA()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.
LAC
LDC
P
P
=
8) TENSINEFICAZDELRIZADOENLACARGA(V
LR
)
Es la tensin eficaz de todos los armnicos que llegan a la carga. No
incluyenalatensincontinua.Sehallamediantelasiguienteexpresin:
2 2
LDC Lef LR
V V V =
9) FACTORDEFORMA(FF)
EslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinDCenlacarga.
Sehallamediantelasiguienteexpresin:
LDC
Lef
V
V
FF =
10) FACTORDERIZADO(r)
Es la relacin de la tensin eficaz del rizado, sin incluir la DC y la tensin
continuaenlacarga.Sehallamediantelasiguienteexpresin:
1 ) (
2
2 2
=
= = FF
V
V V
V
V
r
LDC
LDC Lef
LDC
LR
11) FACTORDEUTILIZACINDELTRANSFORMADOR(TUF)
Eslarelacindelapotenciacontinuaenlacargaylapotenciadisponibleen
eltransformador.Sehallamediantelasiguienteexpresin:
ElectrnicaAnalgicaI
32
S S
LDC
I V
P
TUF =
V
S
=Tensineficazenelsecundario.
I
S
=Corrienteeficazenelsecundario.
12) DISTORSIONARMONICA(THD):
La distorsin nos relaciona el valor eficaz o (la amplitud) de una armnica
respecto al valor eficaz (o amplitud) de la fundamental, expresada en
porcentaje.
).... 6 cos(
35
2
) 4 cos(
15
2
) 2 cos(
3
2
) (
2
) ( t
V
t
V
t
V
t sen
V V
t V
m m m m m
L
+ =
D
2a
=(4Vm/3)/Vm=4/3=42.44%
Ladistorsindecuartaarmnicareferidaalaarmnicafundamentales:
D
4a
=(4Vm/15)/Vm=4/15=8.49%
Comnmenteseemplealadistorsinarmnicatotal(THD)como:
THD=[V
2m
2
+V
3m
2
+V
4m
2
+....]
1/2
/Vm]x100%
Donde:
Vm=Amplituddelaprimeraarmnica
V
2m
=Amplituddelasegundaarmnica
V
3m
=Amplituddelaterceraarmnica
V
4m
=Amplituddelacuartaarmnica
....
ElectrnicaAnalgicaI
33
PROBLEMA 1.5: Halle los parmetros del rectificador de media onda con carga
resistiva.
220 V , 60Hz
+
-
VLdc
RL
SOLUCIN:
1) Voltajepromedioenlacarga(V
LDC
)
T
V
LDC
=(1/T)V
L
(t)dt=Vm/ Vm=tensinpicodeentrada
0
2) Corrientepromedioenlacarga(I
LDC
)
T
I
LDC
=(1/T)i
L
(t)dt=Vm/(R
L
)
0
3) Potenciadcpromedioenlacarga(P
LDC
)
P
LDC
=V
LDC
I
LDC
P
LDC
=V
2
m/(
2
R
L
)
4) Voltajeeficazenlacarga(V
Lef
)
V
Lef
=(1/T)V
2
L
(t)dt=Vm/2
0
5) Corrienteeficazenlacarga(I
Lef
)
Incluye la corriente DC y los armnicos. Se halla mediante la siguiente
expresin:
T
I
Lef
=[(1/T)i
2
L
(t)dt]
1/2
=Vm/(2R
L
)
0
ElectrnicaAnalgicaI
34
6) PotenciaACpromedioenlacarga(P
LAC
)
P
LAC
=V
Lef
I
Lef
=V
2
m/(4R
L
)
7) Eficiencia()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.
P
LDC
V
2
m/
2
R
L
4
====40.53%
P
LAC
V
2
m/4R
L
8) Tensineficazdelrizadoenlacarga(V
LR
)
V
LR
=V
2
Lef
V
2
LDC
=0.3856Vm
9) Factordeforma(FF)
EslarelacindelatensineficazenlacargaconlatensinDCenlacarga.
Sehallamediantelasiguienteexpresin:
V
Lef
Vm/2
FF====1.57
V
LDC
Vm/2
10) Factorderizado(r)
V
LR
[V
2
Lef
V
2
LDC
]
1/2
r===[(1.57)
2
1]
1/2
=1.21
V
LDC
V
LDC
11) Factordeutilizacindeltransformador(TUF)
P
LDC
V
2
m/
2
R
L
TUF===28.66%
V
S
I
S
(Vm/2)(Vm/2R
L
)
ElectrnicaAnalgicaI
35
PROBLEMA 1.6: Halle los parmetros del rectificador de onda completa con carga
resistiva.
D4
IL
D2
-
D3
+ D1
VL
AC
RL
SOLUCIN:
1) Voltajepromedioenlacarga(V
LDC
)
T
V
LDC
=(1/T)V
L
(t)dt=2Vm/ Vm=tensinpicodeentrada
0
2) Corrientepromedioenlacarga(I
LDC
)
T
I
LDC
=(1/T)i
L
(t)dt=(2Vm)/(R
L
)
0
3) Potenciadcpromedioenlacarga(P
LDC
)
Es la corriente DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:
P
LDC
=V
LDC
I
LDC
P
LDC
=(4V
2
m)/(
2
R
L
)
4) Voltajeeficazenlacarga(V
Lef
)
Es la tensin DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresin:
V
Lef
=(1/T)V
2
L
(t)dt=(Vm)/(2)
0
5) Corrienteeficazenlacarga(I
Lef
)
Incluye la corriente DC y los armnicos. Se halla mediante la siguiente
expresin:
ElectrnicaAnalgicaI
36
I
Lef
=(1/T)i
2
L
(t)dt=Vm/(2R
L
)
0
6) PotenciaACpromedioenlacarga(P
LAC
)
P
LAC
=V
Lef
I
Lef
=(V
2
m)/(2R
L
)
7) Eficiencia()
Es la relacin entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
mximoes100%.
P
LDC
4V
2
m/
2
R
L
8
=== =81.06%
P
LAC
V
2
m/2R
L
8) Tensineficazdelrizadoenlacarga(V
LR
)
V
LR
=[V
2
Lef
V
2
LDC
]
1/2
=[V
2
m/24V
2
m/
2
]
1/2
=0.095Vm
9) Factordeforma(FF)
Esla relacindelatensineficazen lacargacon latensinenlacarga.Se
hallamediantelasiguienteexpresin:
V
Lef
Vm/2
FF====1.11
V
LDC
2Vm/22
10) Factorderizado(r)
[V
2
Lef
V
2
LDC
]
1/2
r=V
LR
/V
LDC
==[(1.11)
2
1]
1/2
=0.234
V
LDC
11) Factordeutilizacindeltransformador(TUF)
P
LDC
4V
2
m/
2
R
L
8
TUF====81.06%
V
S
I
S
(Vm/2)(Vm/2R
L
)
2
ElectrnicaAnalgicaI
37
CURVADEREGULACIN:
Cuando la resistencia de carga es menor, la tensin DC disminuye debido a la
resistenciaquetieneneldevanadodeltransformadorylosdiodosrectificadores.Si
se hace un grfico de la tensin DC en la carga vs. la corriente DC en la carga,
tendrlaformasiguiente:
0
VLDC
ILmax
IL
Paraunrectificadordeondacompleta,laecuacindelacurvaderegulacin:
2Vm
V
LDC
=I
LDC
Rf
a) Lasespecificacionesdelosdiodos
b) Lasespecificacionesdeltransformador
SOLUCIN:
a) La tensin pico del secundario del transformador la hallamos con la
ecuacindelatensinpromedioparaelrectificadordeondacompleta:
ElectrnicaAnalgicaI
38
2Vm
V
LDC
= =400
Luego: Vm=400/2=628.32V
Como en el rectificador de onda completa cada pareja de diodos conduce
enforma alternadaconlosotros dos,cada parejaentregarlamitaddela
corrienteDCalacarga.
Luego: I
DC
=20A
Especificacindelosdiodos:
Tensininversadepicorepetitivo>628.32V
Corrientepromedio>20A
Corrientedirectadepicorepetitivo>628.32/10=62.8A
b) Podemospartirdelfactordeutilizacindeltransformadorenelrectificador
deondacompleta:
P
LDC
400*40
TUF===0.8106
V
S
I
S
(Vm/2)(Vm/2R
L
)
Luego: Vs*Is=400*40/0.8106=19378,47W
Latensineficazdelsecundarioes: Vs=Vm/2=444.29V
Lacorrienteeficazdelsecundarioes: Is=19378,47/444.29=43.62A
Lapotenciadeltransformadores: Ps=19378,47W
CIRCUITOSENCLAVADORESODEFIJACIN:
Son circuitos cuyo objetivo es desplazar una onda alterna en un nivel positivo o
negativodetensincontinua.
Enlasiguientefigurasemuestraunejemplo:
ElectrnicaAnalgicaI
39
R D1
C1
+
Vo
-
Vg
Duranteelsemiciclonegativodelaentrada,Vg,C
1
secarga,prcticamente,alvalor
picodelaalternadeentrada.
DOBLADORDETENSIN:
Es uncircuitoque recibeuna tensinalterna y entrega unatensincontinuacuyo
voltajeeseldobledelvalorpicodelaalterna.
Estformadoporuncircuitofijadoryundetectordepicos.
Puedenser:
ElectrnicaAnalgicaI
40
+
Vo
-
C1
Vp
C2
D2
Vs
C1
Vs
RL
D1
+
Vo
-
DOBLADOR DE MEDIA ONDA
C2
RL
D1
D2
DOBLADOR DE ONDA COMPLETA
El voltaje de salida no llega instantneamente al doble del valor pico, sino que
subirsuvalorgradualmentey alcanzarel dobledespusde unoscuantosciclos.
Elvoltajedesalidaesunatensincontinua.
Invirtiendoambosdiodosseobtienenvoltajesconpolaridadopuesta.
PROBLEMA1.8:Enelcircuitodelafigura,losdiodossonideales.Halle:
a) LagrficadelaformadeondadeV
L
.
b) ElvoltajepicodelrizadoenV
L
.
c) ElvoltajepromediodeV
L
.
50K
220V 60Hz
40 uF
+
VL
-
40 uF
ElectrnicaAnalgicaI
41
Solucin:
a) LagrficadelaformadeondadeV
L
.
b) ElvoltajepicodelrizadoenV
L
.
Elvoltajemximoenlasalidaes: Vm=2(220)2=622.25
Elperododelaondadeentradaes: T=1/60=16.67ms
V1=622.25
16.67/2000
=617V
Elvoltajepicopicodelrizadoes: Vr=622.25617=5.25V
Elvoltajepicoderizadoes: Vr/2=2.625V
c) ElvoltajepromediodeV
L
.
Elvoltajepromedioenlacargaes:
V
LDC
=622.25Vr/2 V
LDC
=619.6V
LIMITADORES: Son circuitos cuyo objetivo es evitar que una seal sobrepase el
niveldetensindeseado.
Puedelimitarseunpicodelasealoambos.
Enlasiguientefigurasemuestranalgunostiposdelimitadores:
ElectrnicaAnalgicaI
42
VCC
R
D
RL
R
Vi
VCC
RL
LIMITADOR DE PICO POSITIVO
Vi
LIMITADOR DE PICO POSITIVO Y NEGATIVO
D
D
VCC
Las fuentes de tensin DC pueden ser reemplazadas por diodos zener o por
resistencias.
ElectrnicaAnalgicaI
43
UNIDADTEMTICA
No.2
FILTROS:
Los filtros son circuitos que dejan pasar frecuencias dentro de un determinado
rango.Fueradeesterango,atenanlassealesosusarmnicas.
TIPOSDEFILTROS:
Podemos clasificarlos segn el rango de frecuencias que dejan pasar. Entre ellos
tenemos:
Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que estn por debajo de un
determinadovalor(f
L
)
Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que estn por encima de un
determinadovalor(f
H
)
Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangodevalores
(f
L
yf
H
)
Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn entre un
rangodevalores(f
L
yf
H
)
Filtro pasa todo (o desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero producen
desfasaje.Seleempleacomodesfasador.
FAMILIASDEFILTROS:
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:
H(s)=N(s)/D(s)
N(s)yD(s)sonpolinomiosens
Hay muchas familias de filtros. Cada filtro de una familia posee una funcin de
transferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosdelafuncin
detransferenciadefinenporcompletolarespuestadelfiltro.Lamayorpartedelos
requisitos que debe cumplir un filtro se satisfacen eligiendo cualquiera de las
siguientesfamilias:
ElectrnicaAnalgicaI
44
1) Butterworth:Sus polos caen dentro de unacircunferencia deradio1 dentro
del plano complejo. El filtro pasa bajo no tiene ceros. Poseen caractersticas
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
planaysuatenuacinesconpendienterelativamenteacentuada.Sepueden
disearconcomponentesdevaloresprcticoscontoleranciaspococrticas
3) Bessel:Seempleanparalareproduccinfieldelaondadeentrada.Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muytil.
Porestarazn,estasfuentesrequierenfiltrospasabajo.Lafrecuenciadecortede
estosfiltrosdebesermenorqueladelarmnicomsbajo.
FILTROSPASABAJO:
Losfiltrospasabajomsusadosenlasfuentesdealimentacinson:
45
FILTROPORCONDENSADOR
Eselmsusadoparacorrientespequeasomedianasdebidoasusencillezybajo
costo.Sufuncionamientosebasaenqueelcondensadoralmacenaenergacuando
el diodo conduce y luego la entrega a la carga cuando el diodo no conduce. Si la
capacidad es grande, no se descarga demasiado y tiende a mantener la tensin
constanteenlasalida.Unodesusprincipalesinconvenientesesquehaceconducir
corrientes muyintensas alos diodos durante pequeosintervalos de tiempo. Sila
capacidad aumenta o la resistencia de carga disminuye, el diodo conduce una
corrientepicomsalta.Lascorrientesdeentradatipoimpulsoquegenera,pasana
la red AC haciendo aumentar su contenido de armnicos y afectan al factor de
potencia.
Enelcasodeunrectificadordeondacompleta:
+
C
D4 D3
D2
D1
60 Hz
VAC RL RL
EnlasiguientegrficasevelaformadeondadecorrientequeentregalafuenteAC
(de17voltiospico),paraunacapacidadde2200Fyunacargade100:
ElectrnicaAnalgicaI
46
Puede observarse que la corriente de entrada no es sinusoidal y posee un alto
contenidodearmnicas.
Anlisisaproximadodelfiltroporcondensador:
Como el condensador entrega energa a la carga cuando los diodos no conducen,
una forma prctica de hacer que la tensin en la carga sea ms constante y
disminuyaelrizadoeshacer: R
L
C >> T/2 para el rectificador de onda completa
R
L
C>>Tparaelrectificadordemediaonda
Enelgrficoanteriorsemuestralaformadevariacindelrizadoenlacargayseve
quepodemosrepresentarelrizadocomosegmentosdebidoaquelaconstantede
tiempo es grande. El flanco de subida corresponde a los instantes que el
condensador carga y los diodos conducen; el flanco de bajada corresponde a los
instantesenqueelcondensadorsedescargaylosdiodosnoconducen.:
Vm
Vldc
VL
0 t
T1
Vr
T2
Hallaremosinicialmenteelfactorderizadoyluegolacurvaderegulacin:
Comoelcircuitoesunrectificadordeondacompleta,Secumple:
47
T/2=T
1
+T
2
Vreselvoltajepicopicodelrizado.
Vmeselvoltajepicodelatensindeentrada.
LatensinDCenlacargasepuedeexpresarcomo: V
LDC
=VmVr/2
Elvoltajeeficazdelaondatriangulardelrizadoesdadopor:V
L
r=Vr/(23)
DuranteeltiempoT
2
,elcondensadorsedescargaenformaprcticamentelineal:
Usandolaecuacindelcondensador:Q=CV=CVr
Entonces: Q/T
2
=CVr/T
2
=I
LDC
I
LDC
eslacorrientecontinuaenlacarga.
PodemosdespejarVrdeestaecuacin: Vr=I
LDC
T
2
/C
Reemplazandoenelvoltajeeficaz: V
L
r=I
LDC
T
2
/(23)C
Comnmentesecumple: T
2
>>T
1
Entonces: T
2
=T/2
Adems: V
LDC
=I
LDC
R
L
Reemplazando: 1
r=
(43)fCR
L
Podemoshallartambinlaecuacindelacurvaderegulacin:
V
LDC
=VmI
LDC
/(4fC)
Estasecuacionesnossirvenparahacereldiseodelfiltro.
PROBLEMA 2.1: Se quiere disear un rectificador con filtro por capacidad para
alimentar una carga con 12Vdc y 1 A con rizado no mayor del 5%, empleando un
rectificadordeondacompletacontomacentral.Determinelacapacidadnecesaria,
laespecificacindelrectificadorylatensindeentradaAC.
SOLUCIN:
Comonosindicanelrizado: 1
0.05=
(43)fCR
L
ElectrnicaAnalgicaI
48
LafrecuenciaACes60Hz
R
L
=12V/1A=12 1
HallamosC: C==4009F
(43)(0.05)fR
L
Elvalorcomercialmscercanoes4700F.Tambinpodemosponer2capacidades
de2200Fenparalelo.Adoptaremosestaltimasolucin.
DelacurvaderegulacinhallamoslatensinpicoACnecesaria:
V
LDC
=VmI
LDC
/(4fC)
Vm=V
LDC
+I
LDC
/(4fC)=12+(1)/(4)(60)(4400*10
6
)=12.95V
Elvaloreficazdelatensindeentradaes: Vs=12.95/2=9.16V
La capacidad debe soportar una tensin mxima igual al voltaje pico de entrada:
12.95V
Los componentes elegidos debern soportar ms que los valores calculados para
quepuedantenerunmayortiempodevidatil.
FILTROPORINDUCTANCIA
Estetipodefiltroseusamuchoenequiposcargadoresdebaterasparacorrientes
mediasyaltas.
PartimosdelaseriedeFourierdelasalidadelrectificadordeondacompleta:
Lacorrienteenlacargasepuedeexpresarcomo:
Z
(0)
eslaimpedanciadecargadelrectificadorenDC=R
L
Z
(2w)
eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia2w=R
L
+j2wL
Z
(4w)
eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia4w=R
L
+j4wL
Z
(8w)
eslaimpedanciadecargadelrectificadoralafrecuencia6w=R
L
+j6wL
Porello,podemostomarslolosdosprimerostrminosdelaserieydespreciarlos
demsparahacerunanlisisaproximado.
UncriterioprcticoeselegirLdemaneraquecumpla: L>>R
L
/2w
Podemoshallar,acontinuacin,elfactorderizado:
ElectrnicaAnalgicaI
50
RL
L
2Vm/
+
-
D5
(4Vm/3) cos(2wt)
Elvoltajeeficazdelrizadoenlacargasepuedehallarconlaexpresin:
4Vm 2V
LDC
V
L
r==
(32)(1+(2wL/R
L
)
2
) (32)(1+(2wL/R
L
)
2
)
Luego,elfactorderizadoes:
2
r=
(32)(1+(2wL/R
L
)
2
)
Podemoshallartambinlaecuacindelacurvaderegulacin:
2Vm
V
LDC
=I
LDC
Rf
Rfeslaresistenciatotalformadaporlaresistenciadeltransformador,delosdiodos
ydelabobina.
Estasecuacionesnossirvenparahacereldiseodelfiltro.
51
FILTROLC
Es otro filtro muy usado para corrientes medias y altas, especialmente en
reguladores de tensin con SCR. La inductancia evita el paso de los armnicos y
deja pasar la continua. El condensador evita que los armnicos lleguen a la carga,
actuando ante ellos como una reactancia pequea y como circuito abierto para la
continua..
RL
n:1
D2
RD
C Vs
Vs
L
VAC
+
VL
-
D3
D1
AnlisisaproximadodelfiltroLC
AligualqueenelfiltroporinductanciapodemosconsiderarslolaDCyelsegundo
armnico, despreciando los dems. De esta manera, llegamos al siguiente circuito
equivalente:
D3
L
-
(4Vm / 3pi)cos(2wt)
RD + RL C
-
+
2Vm / pi
Uncriterioprcticoparadisearelfiltroeshacer: X
C
<<R
L
//R
D
y X
L
>>X
C
ElectrnicaAnalgicaI
52
LacurvaderegulacinpuedeobtenerseparaDCcomo:
2Vm
V
LDC
=I
LDC
Rf
Rfrepresentalaresistenciadeltransformador(R
T
)mslaresistenciadinmicade
losdiodos(rd)ylaresistenciaDCdelabobina(r
L
): Rf=R
T
+nr
d
+r
L
n=1,paraelrectificadordeondacompletacontomacentral.
n=2,paraelrectificadordeondacompletatipopuente.
Parahallarunaexpresindelfactorderizado,primerohallamoslatensineficaz
delrizadoenlacargayluegolatensinDCenlacarga.
4Vm X
C
(2)V
LDC
X
C
V
L
r==
(32)(X
L
+X
C
) 3X
L
Luego:
2
r=
(3)(2wL)(2wC)
Para:f=60Hz
0.83x10
6
r=
LC LenHenrys y CenFaradios
Inductanciacrtica(L
C
)
Sinohayinductancia,elfiltroactacomoporentradaacondensadorylosdiodos
conducirn corrientes pulsantes slo unos instantes y el resto del tiempo no
conducirn.
Luego:
2(R
L
//R
D
)
X
L
Paraelsegundoarmnico:R
L
//R
D
L
C
3w
Para:f=60Hz:
R
L
//R
D
L
C
=
1131
Debemoselegirunainductanciaquecumpla:
R
L
//R
D
L>
1131
Resistenciadedrenaje
Vemos que la inductancia crtica depende del valor de R
L
, de manera que si R
L
PROBLEMA2.2:DiseeunrectificadortipopuenteconfiltroLCparaobteneruna
tensin de 65V
DC
y 10 A, con factor de rizado de 0.1%. Especifique todos los
componentesylatensindeentradaalrectificador.
Culeselvoltajepicoderizadoenlacarga?
Asuma:Rt=0.1,Rb=0.1
ElectrnicaAnalgicaI
54
SOLUCIN:
Esquemadelcircuito:
D3 D4
L
RD
D1
Vs D5
D2
220V +/- 10%
+
65 V
-
C
RL
Hallamoslaresistenciadecarga:R
L
=65V/10A=6.5
ElegimosR
D
=10R
L
=65
Hallamoslainductanciacrtica:Lc=R
D
/1131=57.5mH
Hemosasumidoelpeorcaso,cuandoR
L
esdesconectada.
ElegimosL>Lc L=60mH
HallamosCdelaecuacindelfactorderizado:
0.001=0.83x10
6
/LC
C=0.01=0.83x10
6
/(60mH)(0.001)=13,800F C=13,800F
Tensindeentradaalrectificador:
65=(2Vm/)(10)(0.1+0.1)
DespejandoVm: Vm=(652)()/2=98.96V
Leaumentamoslacadadirectaen2diodos: Vp=100.36V
55
Elvoltajeeficazdelsecundarioser: Vs=Vp/(2)
1/2
=71V Vs=71V
Voltajepicodelrizadoenlacarga:
Reactanciadelabobinaalsegundoarmnico:XL=(2)()(120)(60mH)=45.24
Reactanciadelcondensadoralsegundoarmnico:XC=1/(2)()(120)(0.0138)=
0.1
ElvoltajepicodelsegundoarmnicoalasalidadelrectificadoresV
2
=4Vm/3El
Luego:V
2
=42V
Latensinpicodelrizadoenlacargaes:Luego:V
2L
=42(0.1)/(45.14)=0.09V
V
2L
=0.09V
FILTRODELCDEVARIASSECCIONES
Cuandosequieremejorarmselfiltrado,sepuedenempleardosomssecciones
defiltroLCencascada.Enelsiguientegrficoseveunodedossecciones:
RD D2
L1
Vs
220Vac
RL
T1
D2
Vs C2
L2
C1
D1
Para el anlisis podemos seguir los mismos criterios que para el filtro LC y hallar
unaexpresinaproximadaparaelfactorderizado:
ElectrnicaAnalgicaI
56
2X
C1
X
C2
2
r==
3X
L1
X
L2
3(4w
2
)
2
L
1
C
1
L
2
C
2
ConlasmismasaproximacionesdelfiltroLCsepuedeextenderparaunfiltroden
seccionesiguales:
2
r=
(3)(4w
2
)
n
(LC)
n
ParalainductanciacrticabastasloconsiderarlabobinaL1
FILTRO
Estefiltropermiteobtenerunrizadomuypequeo.Comoempleacondensadorde
entrada, tiene los mismos inconvenientes que el filtro por capacidad. Se usa
cuandosequiere,conelmismotransformador,tenermstensindesalidaquela
quepuedeobtenerseconunfiltroLCydisminuirelrizado.
Acontinuacinsemuestrauncircuito:
C2
D1
Vs
Vac
RL
T1
L1
D3 D4
C1
D2
Vr sen(4wt) sen(6wt)
V
C1
=V
DC
[sen(2wt)+....]
2 3
Adems:
Vr=I
LDC
T
2
/C
1
=I
LDC
/2fC1
Despreciandolosarmnicossuperiores,latensineficazdelsegundoarmnicoes:
Vr
ef
=Vr/(2)=2I
LDC
X
C1
Utilizando los mismos criterios que para el filtro LC podemos hallar el factor de
rizado:
X
C1
X
C2
r=2
R
L
X
L1
ElectrnicaAnalgicaI
59
UNIDADTEMTICA
No.3
ELTRANSISTORBIPOLAR(BJT)
A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados de
semiconductores N y P se les llama genricamente transistores (de: Transfer
Resistor).
Enelaode1956Bardeen,ShockleyyBrattainrecibieronelPremioNobeldeFsica
porelbrillantetrabajoquedesembocenlainvencindeltransistor.
Lostransistorestienenvariasventajassobrelostubosalvaco:
El voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez
conectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que
secalienteelctodo.
Ensegundolugar,larespuestadeltransistorasealesdefrecuenciasmuy
altasesmuyefectiva,locualnoocurreconlostubosalvaco.
ElectrnicaAnalgicaI
60
Como el tamao de un transistor es mucho menor que el de los tubos al
vaco,conlseinicilaminiaturizacindelosaparatoselectrnicos.
Elinventodeltransistorabriunanuevaeraenlacivilizacinmoderna,ya
que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de
aparatos. En las dcadas de 1950 y 1960 se construyeron radios,
computadoraselectrnicas,aparatosdecontrolindustrial,etc.,quegracias
a los transistores adquirieron un tamao relativamente pequeo,
porttiles,connecesidadesdeenergamuyreducidosydelargavida.
Engranmedida,enlasdcadasmencionadaslostransistoressustituyerona
los tubos al vaco. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas
los tubos han tenido ventajas sobre los transistores. As, se emplean para
transmisores de radio de potencia alta y mediana, para amplificadores de
microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se
usan en los televisores, monitores, pantallas de diversos aparatos, en
equiposprofesionalesdeaudio,etctera.
REPRESENTACINDELTRANSISTORBIPOLAR
Lossiguientesesquemasmuestranlarepresentacindeltransistorensuformade
construccin y smbolo circuital. El transistor PNP se puede interpretar como dos
diodos unidos por su ctodo. El transistor NPN se puede interpretar como dos
diodos unidos por su nodo. Estas representaciones permiten idear la forma de
probarelbuenestadodeltransistormidiendolasunionesconunmultmetro.
Susterminalessondenominados:
E=Emisor(ingresalascargasaldispositivo)
C=Colector(recibelascargasqueprovienendelemisor)
B=base(controlaelflujodecargasalcolector)
ElectrnicaAnalgicaI
61
NPN
B
B
C
P
C
B
P
C
E C
N
PNP B
E
C
N
E
E E
P N
E
B
B
C
Esquemasdeltransistorbipolar
REGIONESDETRABAJOENELTRANSISTORBIPOLAR:
ComoelBJTposeedosunionesPNysabemosqueellaspuedenserpolarizadasen
forma directa o inversa, surgen 4 formas posibles de polarizacin, las cuales se
indicanenlasiguientetabla:
Je=Junturadeemisor PD=Polarizacindirecta
Jc=Junturadecolector PI=Polarizacininversa
TRANSISTORPNP
TENSION Je Jc ZONA CARACTERISTICA
V
EB
>0,V
CB
>0
PD PD SATURACIN
Se comporta como
interruptorcerrado
V
EB
<0,V
CB
<0
PI PI CORTE
Se comporta como
interruptorabierto
V
EB
>0,V
CB
<0
PD PI ACTIVA
Se comporta como
amplificador
V
EB
<0,V
CB
>0
PI PD
ACTIVA
INVERSA
Se comporta como
amplificador con muy
bajaganancia
ElectrnicaAnalgicaI
62
TRANSISTORNPN
TENSION Je Jc ZONA CARACTERISTICA
V
BE
>0,V
BC
>0
PD PD SATURACIN
Se comporta como
interruptorcerrado
V
BE
<0,V
BC
<0
PI PI CORTE
Se comporta como
interruptorabierto
V
BE
>0,V
BC
<0
PD PI ACTIVA
Se comporta como
amplificador
V
BE
<0,V
BC
>0
PI PD
ACTIVA
INVERSA
Se comporta como
amplificador con muy
bajaganancia
Modelomatemticodeltransistorbipolar:
UnodelosmodelosmuyusadosenelanlisisdecircuitoseseldeEbersMoll.
ComoeltransistoresformadopordosunionesPN,lasecuacionestienenlaforma
deladeldiodo,tantoparalaunindeemisorcomoladecolector:
IE=[IEBO/(1
N
I
)](
VBE/VT
1)+[
I
ICBO/(1
N
I
)](
VBC/VT
1)
IC=[
N
IEBO/(1
N
I
)](
VBE/VT
1)[ICBO/(1
N
I
)](
VBC/VT
1)
Adems,setienemediantelasleyesdeKirchhoff:
IE=IB+IC VCE=VCB+VBE
EnlazonaactivalasecuacionesdeEbersMollsereducena:
IE=[IEBO/(1
N
I
)]
VBE/VT
[
I
ICBO/(1
N
I
)]
IC=[
N
IEBO/(1
N
I
)]
VBE/VT
+[ICBO/(1
N
I
)]
Definiendo:
=
N
/(1
N
)
ElectrnicaAnalgicaI
63
SellegaalasiguienteecuacinparaIC:
IC=IB+(1+)ICBO
Curvasdeltransistorbipolar:
El transistor posee un conjunto de curvas que representan la relacin entre sus
corrientesytensionesexternas.
Curvadetransferencia:
Se emplea como entrada la juntura baseemisor. Por ello, las curvas de entrada
tendrn mucha similitud con la curva del diodo. En realidad son una familia de
curvas que dependen de la tensin colectoremisor, pero se considera una sola
porquetiendenaestarmuyjuntas.
Enlasiguientegrficaselemuestra:
0 5 10 15 20 25
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
CURVA DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR
VBE / VT
I
E
CURVASDESALIDA:
Las curvas ms usadas son la que relacionan I
C
vs V
CE
usando como parmetro la
corrientedebase(I
B
)
ElectrnicaAnalgicaI
64
Vemosqueposeevariaszonasdeoperacin:
En la zona de saturacin, acta como interruptor cerrado (tensin pequea,
corrientealta)
Enlazonaderupturamanejatensionesycorrientesaltas,conunagrandisipacin
depotencia.Comnmenteseevitatrabajarenestazonaparaevitarladestruccin
deltransistor.
Elpuntodeoperacin:
DadoqueelBJTposeevariaszonasdetrabajo,esnecesariodarleunacoordenada
en base a tensiones y corrientes constantes para ubicarlo en una de ellas. A esta
coordenadaseledenominapuntodeoperacin(Q).
Ennuestrocursoestudiamossuusocomoamplificador.Porello,debemosponerlo
en la zona activa. Sabemos que, en este caso, debe tener su unin baseemisor
polarizadadirectamenteysuuninbasecolectorpolarizadainversamente.
Aesteproceso,dedarleunpuntodeoperacin,selellamapolarizacin.
Mtodosdepolarizacin.Comparacinentrelosdiferentesmtodos:
Acontinuacinveremosdiferentesformasdepolarizaraltransistor.
ElectrnicaAnalgicaI
65
PNP
POLARIZACIN BASICA
NPN
VEB VBE
RC
RC
RB RB
VBC VCB
Losmtodosprcticossonlossiguientes:
Polarizacinfija:
Estemtodoessencillo,fcildedisearyutilizaslounafuente.Suinconveniente
est en que el punto de operacin vara mucho con la temperatura, es decir, no
tiene estabilidad. Esto se debe a la gran sensibilidad de los semiconductores a los
cambiosdetemperatura.
Parapoderhacerbuenosamplificadores,unrequisitoesqueelpuntodeoperacin
tengaestabilidadtrmica.
POLARIZACIN FIJA
VCC
NPN
RC
VCC
RC
PNP
RB RB
PolarizacinColectorBase:
Este mtodo es un poco ms complejo que el anterior, pero posee mejor
estabilidad.Tambinutilizaunasolafuente.
ElectrnicaAnalgicaI
66
POLARIZACIN COLECTOR-BASE
VCC
NPN
RC
VCC
RC
PNP
RB RB
Autopolarizado:
Este mtodo es muy usado porque posee muy buena estabilidad trmica, aunque
sudiseoesmscomplejo.
R2
R1
AUTOPOLARIZADO
VCC
RC
NPN
RE
RC R1
PNP
RE R2
VCC
Polarizacinmediantefuentesdecorriente:
Estos mtodos son muy usados, especialmente en circuitos integrados, porque
permiten economizar espacio, muy buena estabilidad y lograr la mxima
amplificacin.
Estabilizacindelpuntodeoperacin:
Comoyasehamencionado,esnecesarioqueelpuntodeoperacinseaconstante
y no vare por efectos de la temperatura, rizado de la fuente de alimentacin,
cambiodelosparmetrosdeltransistor,etc.
Lastcnicasquepermitenestabilizarelpuntodeoperacinpuedenclasificarseen
doscategoras:
Tcnicasdeestabilizacin:
El punto de operacin de un transistor puede variar por cambios sufridos en la
corriente inversa de la juntura ColectorBase (ICBO), por las variaciones de la
tensin BaseEmisor (VBE), la ganancia (), variaciones de la fuente de
alimentacin,loscomponentesdelcircuito.
IC=S
I
ICBO+S
V
VBE+S
+S
VCC
VCC+SR1R1+....
S
I
= Factordeestabilidaddecorriente.
S
V
= Factordeestabilidaddetensin.
S
= Factordeestabilidaddeganancia.
S
VCC
= Factordeestabilidaddelafuente.
SR1= FactordeestabilidaddelaresistenciaR1.
IC= Variacintotaldelacorrientedecolector.
ICBO=VariacintotaldelacorrienteICBO
VBE=VariacintotaldelatensinBaseEmisor
= Variacintotaldegananciadecorriente
VCC=Variacintotaldefuentedealimentacin.
R1= VariacintotalderesistenciaR1
Cadafactordeestabilidadpuededeterminarseasumiendoquelasdemsvariables
Semantienenconstantes.
ElfactordeestabilidadS
I
seobtieneconlasiguienteecuacin:
S
I
=IC/ICBO, cuando:VBE=0y=0
MientrasmsgrandeesS
I
,elpuntodeoperacinesmsinestable.Elmnimovalor
posibledeSIes1.
LoscircuitosqueestabilizanelpuntodeoperacinrespectoavariacionesdeICBO,
tambinsecomportansatisfactoriamenteantevariacionesdeVBE,,etc.Porello,
bastaobtenerunbuenfactordeestabilidadS
I
.
Laecuacingeneralquegobiernalacorrientedecolectordeltransistores:
IC=IB+(1+)ICBO
ElectrnicaAnalgicaI
69
DerivandorespectoaICobtenemos:
S
I
=(1+)/(1dIB/dIC)
El trmino dIB / dIC se obtiene a partir del circuito que utilicemos. Para el clculo
deS
I
seconsideraqueVBE,,etc.novaran.
NPN
R2
RBB
RC
VBB
NPN
RC
VCC VCC
R1
RE RE
RBB = R1//R2
VBB = VCC R2/(R1 + R2) = VCC RBB/R1
EnlamallaBaseEmisorpodemosplantearlasiguienteecuacin:
VBB=IBRB+VBE+(IC+IB)RE
DerivandoestaecuacinrespectoaIC:
dIB/dIC=(Re/(Re+RBB))
ReemplazandoenlaecuacindeSIobtenemos:
S
I
=(1+RBB/Re)/(1+(RBB/(1+)Re))
Sihacemos:RBB=(1+)Re/10,tendremos:S
I
=(11+)/11
pequeo.
ElectrnicaAnalgicaI
70
Tcnicasdecompensacin:
Paraobtenermejorregulacinycompensacindetemperaturaconlaredresistiva,
se puede conectar un diodo entre las base y referencia de los transistores. Estos
diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la exacta cada de voltaje
necesaria.Pero,siestapolarizacincambiaconlaedaddelequipo,lapolarizacin
tambinsufrircambios.
Enlafigurabesmostradalapolarizacinpor diodo,estostrabajanpolarizadosen
sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondientealdiodobaseemisordeltransistor.
ElectrnicaAnalgicaI
71
NPN
RC
RE
(a)
Q2
R1
VCC
(b)
NPN
t
NPN
R2
D
(c)
RE
R2
R1
VCC VCC
RC
RE
RC R1
EnlafiguraceltransistorQ2seencargadecontrolarenformaprecisaelpuntode
operacin del transistor principal, actuando como regulador. Tambin compensa
automticamentecontravariacionesdetemperatura.
Rectasdecarga:RectadecargaDC.RectadecargaAC.
ParaelestudiodeloscircuitosutilizamoslasleyesdeKirchhoffylaleydeOhm.
Enelsiguientecircuitousadocomoamplificador:
RC
Vg
R1
VCC
CE
C
RE
R2
Enformaanlogaparalatensin: VCE=VCEQ+vce
ElectrnicaAnalgicaI
72
PlanteandolaleydeKirchhoffenlamallacolectoremisor:
VCC+0=ICQRC+VCEQ+IEQRE+icRC+vce
Los3primerostrminosdeladerechasonDCysecumple:
VCC=ICQ(RC+(1+1/)RE)+VCEQ
YrecibeelnombredeRectadecargaesttica(oDC)
Los2trminossiguientesdeladerechasonACysecumple:
0=+icRC+vce
YrecibeelnombredeRectadecargadinmica(oAC)
Estasecuaciones puedensergraficadasenlascurvasdesalidadeltransistoryson
unparderectas.
Configuracionesdeltransistor:Emisorcomn,colectorcomnybasecomn.
El transistor posee 3 terminales y podemos considerarlo como un cuadripolo,
siempre que tomemos un terminal comn a la entrada y a la salida, como se
observaenlassiguientesfiguras.
+
vec
-
ib
C
E B
+
vbe
-
B
E
E
EMISOR COMUN
C
E C
C
B
ic
+
vcb
-
ib
BASE COMUN
+
vce
-
+
vbc
-
+
veb
-
COLECTOR COMUN
ic ie ie
B
Enemisorcomn(EC):
Laentradaeslauninbaseemisorylacorrientedebase.
Lasalidaesentrecolectoremisorylacorrientedecolector.
ElectrnicaAnalgicaI
73
Enbasecomn(BC):
Laentradaeslauninemisorbaseylacorrientedeemisor.
Lasalidaesenlaunincolectorbaseylacorrientedecolector.
Encolectorcomn(CC):
Laentradaeslauninbasecolectorylacorrientedebase.
Lasalidaesentreemisorcolectorylacorrientedeemisor.
Modelosdebajafrecuenciaypequeasealdeltransistor:
Cuando trabaja en la zona activa, con seales pequeas, el transistor puede ser
representado por un modelo de cuadripolo lineal. Esto podemos explicarlo en la
siguienteforma:
IE=[IEBO/(1
N
I
)]
VBE/VT
=IES
VBE/VT
IC=IEs
VBE/VT
Si: V
BE
=V
BEQ
+v
be
V
BEQ
=TensinDCdelpuntodeoperacin
v
be
=Tensindeseal
ReemplazandoenIc: Ic=Iese
(VBEQ+vbe)/VT
=Iese
VBEQ/VT
e
vbe/VT
Siv
be
espequeaseal: Ic=I
EQ
e
vbe/VT
Eldesarrollodelaexponencialenseriesdepotenciaes:
x
=1+x/1!+x
2
/2!+x
3
/3!+.....
Sisecumple: x=vbe/V
T
<<1,laexponencialsepuederepresentarporunarecta
yeltransistortendruncomportamientolineal:
e
vbe/VT
=1+
vbe/V
T
Reemplazando:
Ic=I
EQ
(1+
vbe/V
T
)=I
EQ
+I
EQ
vbe/V
T
=I
CQ
+gmvbe
Donde:gm=transconductanciaparapequeaseal=I
EQ
/V
T
I
CQ
=I
EQ
ElectrnicaAnalgicaI
74
Para tener operacin con pequea seal, debe cumplirse que la amplitud mxima
delasealseamuchomenorqueV
T
: v
be
<<V
T
Atemperaturaambiente: v
be
<<25.8mV
Tomandounarelacinde101: v
be
2.6mV
Cuando trabajemos con seales pico menores o iguales a 2.6 mV, estaremos
trabajandoconsealespequeas.Cuandosepuedaaceptarunniveldedistorsin
mayor, podremos utilizar ms tensin de seal, pero sin sobrepasar los 26 mV a
temperaturaambiente.
MODELOT:
ElmodeloTsecaracterizaporqueestbasadoenlaestructurafsicadeltransistor
ypermiteexpandirsealmodelohbrido(odeGiacoletto).Elmodelosemuestra
acontinuacin,paraelcasodeuntransistorNPN:
C
E
Ib Ib
(C)
C
E
(A)
N
B
B Ib
B
(B)
B
N
re
E
Ib
C
B Ib
P
r
e
=V
T
/I
EQ
Donde: V
T
=Tensintrmica(25.8mVatemperaturaambiente).
I
EQ
=Corrientedeemisorenelpuntodeoperacin.
Modelodeparmetroshbridos:
Estemodeloseusabastanteenbajafrecuencia
Lasvariablesindependientesson:Lacorrientedeentradaylatensindesalida.
Modelodeemisorcomn:
+
vbe
-
ib ic
+
vce
-
vbe=hieib+hrevce
ic=hfeib+hoevce
notacinmatricial:
ib
vce
hie hre
hfe hoe
vbe
ic
ElectrnicaAnalgicaI
76
El determinante de la matriz cuadrada de parmetros hbridos en emisor
comnes:Dhe=hiehoehfehre
Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:
E
1 / hoe
+
hre vce
B
-
hie +
vce
-
hfe ib
ib ic
E
+
vbe
-
C
Modelodebasecomn:
+
veb
-
ie ic
+
vcb
-
veb=hibie+hrbvcb
ic=hfbie+hobvcb
notacinmatricial:
ie
vcb
hib hrb
hfb hob
veb
ic
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ElectrnicaAnalgicaI
77
B
1 / hob
+
hrb vcb
E
-
hib
+
vcb
-
hfb ie
ie ic
B
+
veb
-
C
Modelodecolectorcomn:
+
vbc
-
ib ie
+
vec
-
vbc=hicib+hrcvec
ie=hfcib+hocvec
notacinmatricial:
ib
vec
hic hrc
h
hfc hoc
h
vbc
ie
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
C
1 / hoc
+
hrc vec
B
-
hic +
vec
-
hfc ib
ib ie
C
+
vbc
-
E
ElectrnicaAnalgicaI
78
Puedenhacerseconversionesdeparmetrosdeunaconfiguracinaotra.Comoel
cuadripolo es lineal, sus parmetros no dependen de las variables y podremos
hacerunadelasvariablesceroparacalcularlos.
Problema3.1:HalleLosparmetroshbridosenemisorcomnenfuncindelosde
basecomn.
Modeloenbasecomn:
B
1 / hob
+
hrb vcb
E
-
hib
+
vcb
-
hfb ie
ie ic
B
+
veb
-
C
Lodibujamosenemisorcomn:
hrb vcb
E E
1 / hob
ie
+
hib
+
vce
-
+
vbe
-
hfb ie
ic
B
ib
-
C
Lasecuacionesparaemisorcomnson: vbe=hieib+hrevce
ic=hfeib+hoevce
Haciendovce=0podemoshallar:
hie=vbe/ib y hfe=ic/ib
ElectrnicaAnalgicaI
79
Efectuando:
hrb vcb
E E
1 / hob
ie
+
hib
+
vce = 0
-
+
vbe
-
hfb ie
ic
B
ib
-
C
Adems: vbe=hibie+hrbvcb=hib(ibic)hrbvbe
vbe=hib(ib+ic)+hrbvbe
(1hrb)vbe=hibib+hibic ........(1)
Tambin: ic=hfbie+hobveb=hfb(ibic)hobvbe
(1+hfb)ic=hfbibhobvbe........(2)
Reemplazando2en1:
(1hrb)vbe=hibib+hib[(hfb/(1+hfb))ib(hob/(1+hfb))vbe
[(1hrb)(hibhob/(1+hfb)]vbe=[hib/(1+hfb)]ib
hib hib
hie==
1+hfbhrb+Dh
b
Hb
Donde:
Hb=1+hfbhrb+Dh
b
yDhb=hibhobhrbhfb
Acontinuacin:
De2: vbe=((1+hfb)/hob)ic(hfb/hob)ib................(3)
Reemplazando3en1:
[((1hrb)(1+hfb)/hob]ic(1hrb)hibic=[hfb/hob+hib]ib
ElectrnicaAnalgicaI
80
(hfb+Dh
b
)
hfe=
1+hfbhrb+Dh
b
Haciendoib=0podemoshallar:
hre=vbe/vce y hoe=ic/vce
Efectuando:
C
+
vbe
-
ie
V3
hrb vcb
B
1 / hob
ib = 0
E
+
vce
-
ic
hib
-
E
+
hfb ie
Luego: vbe=ichibhrb(vcevbe)........(4)
(1+hfb)ic=hob(vcevbe)/(1+hfb)..........(5)
Reemplazando5en4:
vbe=hrbvce+hibhob(vcevbe)....................................(6)
De6:
Dhbhrb
hre=
Hb
Finalmente,
De4y6:
ElectrnicaAnalgicaI
81
hob
hoe=
Hb
PROBLEMA3.2:Enelcircuitomostradodetermine:
a)Elvalordehi
b)Elvalordehf
c)Elvalordehr
d)Elvalordeho
V1=hiI1+hrV2
I2=hfI1+hoV2
10K gmV1
100K
I1
100K
+
V1
-
+
V2
-
I2
gm=2mS
Solucin:
a) Elvalordehi:
Modeloparahallarhiyhf:
gmV1
I2
10K
I1
+
V1
-
100K
100K
Planteamosecuaciones:
I1=V1/10K+V1/100K
hi=V1/I1=10K//100K=9.09Khi=9.09K
ElectrnicaAnalgicaI
82
b) Elvalordehf:
Enelcircuitoanterior: I2=gmV1V1/100K=gm(hiI1)(hiI1)/100K
hf=I2/I1=gm(9.09K)(9.09K)/100K=9.09K(2mS)0.091
hf=18.09
c) Elvalordehr:
Modeloparahallarhryho:
gmV1
I2
10K
I1 = 0
+
V2
-
+
V1
-
100K
100K
Planteamosecuaciones:
V1=V2(10K)/(10K+100K)
hr=V1/V2=10K/(10K+100K)=0.091
hr=0.091
d) Elvalordeho:
I2=V2/100K+gmV1+V2/(100K+10K)=V2(1/100K+1/110K)+gmhrV2
ho=I2/V2=1/100K+1/110K+0.091(2mS)
ho=0.20mS
Valorestpicosdelosparmetroshbridos:
Enlasiguientetablasemuestranlasfrmulasdeconversindelosparmetros
hbridos,deunaconfiguracinaotra:
ElectrnicaAnalgicaI
83
BASECOMUN EMISORCOMUN COLECTORCOMUN
hib hie=hib/Hb hic=hib/Hb
hib=hie/He hie hic=hie
hib=hic/Hc hie=hic hic
hrb hre=(Dhbhrb)/Hb hrc=(1+hfb)/Hb
hrb=(Dhehre)/He hre hrc=1hre
hrb=(1+hfc)/Hc hre=1hrc hrc
hfb hfe=(hfb+Dhb)/Hb hfc=(hrb1)/Hb
hfb=(hfe+Dhe)/He hfe hfc=(1+hfe)
hfb=(hrc1)/Hc hfe=(1+hfc) hfc
hob hoe=hob/Hb hoc=hob/Hb
hob=hoe/He hoe hoc=hoe
hob=hoc/Hc hoe=hoc hoc
Dhb=hibhobhrbhfb Dhe=hiehoehrehfe Dhc=hichochrchfc
Hb=1+hfbhrb+Dhb He=1+hfehre+Dhe Hc=1+hfchrc+Dhc
PARAMETROSK:
Estemodelotambinseusapararepresentaraltransistor.Lasvariablessedefinen
en forma opuesta que en parmetros hbridos. Es til cuando la excitacin es con
fuentedecorrienteylasalidaesunaconexinserie.
Lasvariablesindependientesson:Latensindeentradaylacorrientedesalida.
Modelodeemisorcomn:
ib=kievbe+kreic
vce=kfevbe+koeic
notacinmatricial:
vbe
ic
kie kre
kfe koe
ib
vce
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskenemisorcomnes:
ElectrnicaAnalgicaI
84
Dke=kiekoekfekre
Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:
ic
E
+
vce
-
ib
+
B
-
E
kfe vbe
1 / kie
kre ic
C
koe
+
vbe
-
Modelodebasecomn:
ie=kibveb+krbic
vcb=kfbveb+kobic
notacinmatricial:
veb
ic
kib krb
kfb kob
ie
vcb
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskenbasecomnes:
Dkb=kibkobkfbkrb
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ic
B
+
vcb
-
ie
+
E
-
B
kfb veb
1 / kib
krb ic
C
kob
+
veb
-
Modelodecolectorcomn:
ib=kicvbc+krcie
vec=kfcvbc+kocie
ElectrnicaAnalgicaI
85
notacinmatricial:
vbc
ie
kic krc
h
kfc koc
h
ib
vec
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetroskencolectorcomn
es: Dkc=kickockfckrc
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
ie
C
+
vec
-
ib
+
B
-
C
kfc vbc
1 / kic
krc ie
E
koc
+
vbc
-
Puedenhacerseconversionesdeparmetrosdeunaconfiguracinaotra.Comoel
cuadripoloeslineal,susparmetrosnodependendelasvariablesysepuedehacer
unadelasvariablesindependientesceroparacalcularlos.
PARAMETROSADMITANCIA:
Estemodelotambinseusabastanteenaltafrecuencia.
Lasvariablesindependientesson:Latensindeentradaylatensindesalida.
Modelodeemisorcomn:
ib=yievbe+yrevce
ic=yfevbe+yoevce
notacinmatricial:
vbe
vce
yie yre
yfe yoe
ib
ic
ElectrnicaAnalgicaI
86
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaenemisor
comnes:Dye=yieyoeyfeyre
Estasecuacionespuedenserrepresentadasporunmodelodecircuitoqueemplea
fuentesdependientes,comosemuestraacontinuacin:
E
yre vce yfe vbe
+
vbe
-
ib
C
E
B
yoe
ic
yie
+
vce
-
Modelodebasecomn:
ib=yibveb+yrbvcb
ic=yfbveb+yobvcb
notacinmatricial:
veb
vcb
yib yrb
yfb yob
ib
ic
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
B
yrb vcb yfb veb
+
veb
-
ie
C
B
E
yob
ic
yib
+
vcb
-
ElectrnicaAnalgicaI
87
Modelodecolectorcomn:
ib=yicvbc+yrcvec
ie=yfcvbc+yocvec
notacinmatricial:
vbc
vec
yic yrc
h
yfc yoc
h
ib
ie
Eldeterminantedelamatrizcuadradadeparmetrosadmitanciaencolector
comnes: Dyc=yicyocyfcyrc
Larepresentacinconcircuitoeslasiguiente:
C
yrc vec yfc vec
+
vbc
-
ib
E
C
B
yoc
ie
yic
+
vec
-
Talcomoenlosparmetroshbridos,puedenhacerseconversionesdeparmetros
admitancia de una configuracin a otra. Podemos hacer una de las variables
independientesceroparapodercalcularlosparmetros.
Problema3.3:Hallelosparmetrosadmitanciaenbasecomnenfuncindelosde
emisorcomn.
Modeloenemisorcomn:
yoe
yie
yfe Vbe
+
Vbe
-
yre Vce
E E
C
ic B
+
Vce
-
ib
ElectrnicaAnalgicaI
88
Lodibujamosenbasecomn:
yfe Vbe
ib
B
ie
C
E
yoe
yie
yre Vce
B
+
Veb
-
+
Vcb
-
ic
Lasecuacionesparabasecomnson:
ie=yibVeb+yrbVcb
ic=yfbVeb+yobVcb
HaciendoVcb=0podemoshallar:
yib=ie/Veb y yfb=ic/Veb
Efectuando:
yfe Vbe
ib
B
ie
C
E
yoe
yie
yre Vce
B
+
Veb
-
+
Vcb = 0
-
ic
Luego: ib=yieVebyreVeb
Adems: ic=yoeVebyfeVeb
Reemplazando:
ie=ibic=yieVeb+yreVeb+yoeVeb+yfeVeb
ElectrnicaAnalgicaI
89
Dedonde: yib=yie+yre+yoe+yfe
Delaecuacindeic: yfb=(yfe+yoe)
HaciendoVeb=0podemoshallar:
yrb=ie/Vcb y yob=ic/Vcb
Efectuando:
ie
yfe vbe
ic
+
vcb
-
yie
yoe
yre vce
ib
Luego: ie=yoeVcbyreVce
Adems: ic=yoeVcb
Delaecuacindeie: yrb=(yre+yoe)
Delaecuacindeic: yob=(yoe+yfe)
ElectrnicaAnalgicaI
90
BASECOMUN EMISORCOMUN COLECTORCOMUN
yib yie=yb yic=yb
yib=ye yie yic=yie
yib=yoc yie=yic yic
yrb yre=(yrb+yob) yrc=(yib+yfb)
yrb=(yre+yoe) Yre yrc=(yie+yre)
yrb=(yfc+yoc) yre=(yic+yrc) yrc
yfb yfe=(yfb+yob) yfc=(yib+yrb)
yfb=(yfe+yoe) yfe yfc=(yie+yfe)
yfb=(yrc+yoc) yfe=(yic+yfc) yfc
yob yoe=yob yoc=yib
yob=yoe yoe yoc=ye
yob=yc yoe=yc yoc
Dyb=yibyobyrbyfb Dye=yieyoeyreyfe Dyc=yicyocyrcyfc
yb=yib+yrb+yfb+yob ye=yie+yre+yfe+yoe yc=yic+yrc+yfc+yoc
Matrizdeadmitanciaindefinida:
Parahacerlaconversindeparmetrosadmitanciadeunaconfiguracinaotra,es
convenienteelempleodelamatrizdeadmitanciaindefinida.Estamatrizsedefine
teniendoen cuenta que eltransistor notieneningnterminaldereferenciay que
funcionaconpequeaseal,comosemuestraacontinuacin:
V3
B
C
E
V2
I2
I1
I3
V1
ElectrnicaAnalgicaI
91
Las ecuaciones de parmetros admitancia se pueden resumir con notacin
matricial:
y21
C
y12
V2
V1
y23 E
C
I2
E
y32 y31
y13
I3
y11
y33 V3
I1 B
B
y22
Como:I1+I2+I3=0yvbe+vec+vcb=0
Secumple:y11+y21+y31=0
y12+y22+y32=0
y13+y23+y33=0
y11+y12+y13=0
y21+y22+y23=0
y31+y32+y33=0
Conociendo4deestas9admitanciassepuedenhallarlas5restantes,siempreque
nocaigan3delas4,enlamismacolumnaofila.
yie=(2+j2)*10
3
yre=(2j20)*106
yfe=(20j3)*10
3
yoe=(20+j60)*106
Solucin:
Calculamoslasotrasadmitanciasdelamatriz:
y12=(yie+yre)=(1.998j1.98)*10
3
y32=(yfe+yoe)=(20.02+j2.94)*10
3
y22=(y12+y32)=(22.018j0.96)*10
3
y21=(yie+yfe)=(22+j)*10
3
y23=(yre+yoe)=(18j40)*10
6
Lamatrizresultantees:
(-1.998 - j1.98)ms
(22.018 - j0.96)ms
C (20 - j3)ms
E
(-2 - j20)us (2 + j2)ms
B
(-18 - j40)us
(20 + j60)us (-20.02 + j2.94)ms
(-22 + j)ms
E C
B
Parahallarlosparmetrosadmitanciaenbasecomnseeliminanlafilaycolumna
debaseylosquequedansonlosbuscados:
yib=y22=(22.018j0.96)*10
3
yrb=y23=(18j40)*10
6
yfb=y32=(20.02+j2.94)*10
3
yob=yoe=(20+j60)*106
ElectrnicaAnalgicaI
93
Para hallar los parmetros admitancia en colector comn se eliminan la fila y
columnadecolectorylosquequedansonlosbuscados:
yic=yie=(2+j2)*10
3
yrc=(1.998j1.98)*10
3
yfc=y21=(22+j)*10
3
yoc=y22=(22.018j0.96)*10
3
TABLADECONVERSINENTREMODELOSDEPARMETROS
Z Y H
zi yo/Dy Dh/ho
zr yr/Dy hr/ho
zf yf/Dy hf/ho
zo yi/Dy 1/ho
zo/Dz yi 1/hi
zr/Dz yr hr/hi
zf/Dz yf hf/hi
zi/Dz yo Dh/hi
Dz/zo 1/yi hi
zr/zo yr/yi hr
zf/zo yf/yi hf
1/zo Dy/yi ho
Dzb=zibzobzrbzfb Dyb=yibyobyrbyfb Dhb=hibhobhrbhfb
Dzc=ziczoczrczfc Dyc=yicyocyrcyfc Dhc=hichochrchfc
Dze=ziezoezrezfe Dye=yieyoeyreyfe Dhe=hiehoehrehfe
Elempleodeunmodelouotrodependedelcircuito,suimpedanciadeentrada(Zi),
su impedancia de salida (Zo), la impedancia de salida del generador (R
G
) y de la
impedanciadecarga(R
L
).
MODELODEPARMETROSHIBRIDOS:
Elmodelodeparmetroshbridos(odeGiacoletto)esunaextensindelmodelo
T. Se caracteriza porque sus valores permanecen prcticamente constantes con la
frecuencia.Esunmodelofsicodeltransistorqueincluyelosfenmenoscapacitivos
internosdeltransistorysemuestraacontinuacin:
ElectrnicaAnalgicaI
94
gm V
r C
+
V
-
E E
C
C
rc
rx
B
r
V=Tensindesealdeentrada
r=Resistenciadeentrada=hfeV
T
/I
EQ
C=Capacidaddelaunindeemisor
r=Resistenciaderealimentacininterna
C=Capacidadderealimentacininterna
rc=Resistenciadesalida
gm=Transconductanciadeltransistor=I
EQ
/V
T
TECNOLOGADELTRANSISTOR:
El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, despus que Mendeleiev
predijerasuexistenciaymuchasdesuspropiedadesgraciasalsistemaperidicode
los elementos, en 1869. Mendeleiev le dio el nombre de elkasilicium debido a su
analogaconelsilicio.
Elgermanioprocededelmineralllamadogermanita,enelqueseencuentraenuna
proporcin aproximada de 7%. Tambin se le encuentra en los desperdicios
procedentesdelaextraccindezincydelascenizasdelahulla.
Los semiconductores a emplear deben tener una gran pureza debido a que una
pequea cantidad de impurezas cambia completamente sus propiedades
elctricas.Adems,suestructuracristalinadebesersimtrica(monocristal).
Lasimpurezaspuedenincluirseenelsemiconductordediferentesformas:
ElectrnicaAnalgicaI
95
b) Por aleacin: Consiste en poner una gota de impureza a cada lado de un
disco fino de semiconductor y luego calentarlo para que los tomos de
impurezapenetrenenelsemiconductor,cambindoloatipoPoN
c) Pordifusin:Elsemiconductorsecolocaenunrecipientedondelasustancia
queactuardeimpurezasehallaenestadogaseosoyaaltatemperatura.Los
tomosdeimpurezasedifundenenelsemiconductorformandounadelgada
capadematerialtipoPoN.
FORMASDECONSTRUCCINDELTRANSISTOR:
Transistordepuntasdecontacto:ConstandeunaplaquitadematerialbasetipoN
oPsobrelaqueestnaplicadasdospuntasmetlicas.Elmaterialdelcolectorydel
emisorseobtienealsoldarlaspuntasconelmaterialbasemedianteunimpulsode
corriente,haciendo queseintroduzcanimpurezas detipoopuestoaladelabase.
Estemtodofueunodelosprimerosenrealizarseyactualmenteestendesuso.
ElectrnicaAnalgicaI
96
Transistor homotaxial o de difusin nica: Se fabrica a partir de una placa de
material tipo P y, al contrario del planar, no se forma capa de oxido. La impureza
penetra, durante el proceso de difusin, por ambos lados de la placa formando el
colector y el emisor. El material tipo P constituye la base. Estos transistores son
muyrobustosyadecuadosparatrabajarconaltascorrientes,porlosqueselesusa
muchoenetapasdepotenciadebajafrecuencia.Debidoalespesordelabase,su
frecuenciadetransicinnoesmuyelevada(1MHz)yadmitentensionesdelorden
de100V.SlosefabricandetipoNPN.
Transistormesa:Esfabricadoconelprocesoepitaxial.Sehacecrecerunadelgada
capa de silicio poco dopado (que constituir la base) sobre un sustrato de silicio
fuertementedopado(queconstituirelcolector).Labasesecubreconunacapade
xidodesilicioyluegosepracticaunaventanadondesedifundeelemisor.Debido
a que el proceso de formacin de la base es muy lento, puede controlarse su
espesor con mucha exactitud, por lo que se pueden lograr espesores muy
reducidos, permitiendo su empleo en frecuencias altas. Pueden trabajar con
corrientes altas y tensiones del orden de 200 V. Se fabrican en versiones PNP y
NPN.
Nomenclaturadelostransistoresparabajafrecuencia:
Nomenclaturaamericana:Lostransistores,seacualseasuaplicacin,sedesignan
conelprefijo2N(dosuniones)seguidoporunnmerodadoporelfabricante.
Nomenclaturaeuropeaantigua:Seutilizaban23letrasseguidasdeunnmero.
LaprimeraletraesunaO,queindicaqueesunsemiconductor.Lasegundaletraes
unaAparalostransistores.
Laprimeraletrapuedeser:
A paralosdispositivosdegermanio
B paralosdispositivosdesilicio
Lasegundaletrapuedeser:
C paralostransistoresdebajafrecuenciaybajapotencia
D paralostransistoresdebajafrecuenciaypotencia
ElectrnicaAnalgicaI
99
UNIDADTEMTICA
No.4
ELTRANSISTORUNIPOLAR(FET)
Son transistores que funcionan controlando la corriente que circula por el cuerpo
delsemiconductor,medianteuncampoelctricodistribuidoentodasuextensin.
La magnitud del campo elctrico es determinada por el voltaje externo de control
aplicadoaldispositivo.
Lacorrientequeconducenesfundamentalmentedeunsolotipodecarga,porlo
queselesconocecomodispositivosunipolares
PRINCIPIODEFUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar (BJT) y un transistor unipolar (FET) es el
modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar se debe
inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que
enelFETelcontrolsehacemediantelaaplicacindeunatensinentrecompuerta
y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos,quesonsustancialmentedistintas.
Enresumen,destacamostrescosasfundamentales:
EnuntransistorbipolarI
B
controlalamagnituddelacorrienteI
C
.
EnunFET,latensinV
GS
controlalamagnituddelacorrienteI
D
.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante
mayor.
TIPOSDEFET
Porsuformadeconstruccin,existen:
FETdejuntura(JFET):PuedensercanalNP
FETmetaloxidosemiconductor(MOSFET):PuedensercanalNP
ElectrnicaAnalgicaI
100
Estosasuvezsedividenen:
MOSFETdeacumulacin(oenriquecimientooincremental)
MOSFETdereduccin(odeestrangulamiento)
FETmetalsemiconductor(MESFET):PuedensercanalNP
MOSFET
Esuntransistordeefectodecampodemetalxidosemiconductor.
MOSFETDEACUMULACIN:
Eseltipomssencillodetodosy,enlaactualidad,elmsusado.
Acontinuacinsemuestrasuesquemadeconstruccin(paraunMOSFETcanalN):
W=Anchodelcanal
L=Longituddelcanal
t
ox
=Espesordelacapadexido
D=Drenador(oDrainosumidero)
S=Fuente(oSourceosurtidor)
G=Compuerta(oGate)
B=Sustrato(oBulk)
N+ N+
S
W
B
tox
L
D
G
P
x
ElectrnicaAnalgicaI
101
En los dispositivos discretos, la fuente (S) est comnmente unida con el sustrato
(B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (V
SB
) tambin
afectaalfuncionamientodeldispositivo.
ACUMULACIN:Sienelesquemamostradoaplicamosunatensinnegativaentre
la compuerta y sustrato (V
GS
), se atraern ms cargas positivas a las regiones
cercanas a la superficie de unin con la capa de xido. Por ello, la densidad de
cargasuperficialaumentarenestazonaenunacantidadquepodemosindicarcon
Q
A
.
N
AS
=N
A
x
d
N
A
eslaconcentracindetomosaceptadoresenelsustrato
Si,mediantelaaproximacinindicada,consideramosqueestdistribuidade
manerauniformeenlazonadedeplexin,entonces,elcampoelctricoenesta
reginpodemosexpresarlopor: Eo=eN
AS
/
ox
=eN
A
x
d
/
ox
ElectrnicaAnalgicaI
102
INVERSIN: Si en el esquema mostrado hacemos que la tensin positiva respecto
alsustratoseamsalta,aparecertambinunadensidadsuperficialdeelectrones
libres, n
s
, que formar un canal de unin entre las regiones n+ del drenador y la
fuente. Para ello se necesitar que la tensin V
GS
alcance un valor umbral (V
TH
). El
campoelctricoproducidoatravsdelxidoserahora:
Eo=e(N
AS
+n
s
)/
ox
Despejandon
s
:n
s
=(
ox
Eo/e)N
AS
ECUACIONESDELMOSFET
Paraelloconsideraremostrescasos:
1. Cuandoelvoltajedrenadorfuente(V
DS
)espequeocomparadocon(V
GS
V
TH
).
En este caso, las cargas libres estarn distribuidas uniformemente en todo
elcanalypodemoshablardeunadensidaddecorrientelinealalolargodel
canal,dadaporlaexpresin: Js=I
D
/W
Enestaregin,lacorrientededrenadortienelasiguienteecuacin:
I
D
=2K1[V
GS
V
TH
]V
DS
Sedefinen:
Tensinumbral:
V
TH
=eN
AS
t
ox
/
ox
=eN
AS
/C
ox
K=(W/L)(
ox
/t
ox
)(
n
/2)
Bajoestascondiciones,sedicequeelMOSFETactaenlareginhmicay
selepuedeusarcomoresistenciacontroladaporvoltaje.Laresistenciadel
canalesdadapor:
Rds=V
DS
/I
D
=1/[2K(V
GS
V
TH
)]
Estaecuacinesvlidaparavaloresde:V
DS
<(V
GS
V
TH
)
ObservamosqueyanohaydependencialinealconV
DS
3. Cuandoelvoltajedrenadorfuente(V
DS
)esmayorque(V
GS
V
TH
)
En este caso aparece en el canal una zona de agotamiento, de longitud ,
quereduceellargodelcanal,yhacequeI
D
sehagaindependientedeV
DS
Estecomportamientosecumpleapartirde: V
DS
=V
GS
V
TH
ReemplazandoestaecuacinenlaanteriordeI
D
,llegamosa:
I
D
=[W/(L)](
n
/2)(
ox
/t
ox
)](V
GS
V
TH
)
2
AquvemosqueI
D
sehaceindependientedeV
DS
EnlasgeometrasusadasparaelMOSFET,generalmentesecumpleque:
<<L,porloquesepuedehacerlasiguienteaproximacin:
I
D
=K(V
GS
V
T
)
2
=I
DSS
(1V
GS
/V
TH
)
2
SmbolosdelosMosfetdeacumulacin:
En las figuras son mostrados los modelos de los Mosfet de acumulacin canal N y
canal P. Tambin se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulacindecorriente.
ElectrnicaAnalgicaI
104
ID
ID
ID
-
VGS
+
ID
+
VDS
-
+
VGS
-
CANAL N CANAL P
-
VDS
+
PROBLEMA 4.1. Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensin para valores pequeos de V
DS
. Suponga: V
T
= 1V, t
ox
= 500,
ox
=
3.5x10
13
F/cm,
n
= 1500 cm
2
/Vs. Qu valor de W/L dar un transistor NMOS
cuyaresistenciadecanalcambiade1K200para:3VV
GS
11V.
Solucin:
Enlazonahmicasecumple:
Rds=V
DS
/I
D
=1/[2K(V
GS
V
TH
)]
K=(W/L)(
ox
/t
ox
)(
n
/2)
Para: Rds=1K=1/[(W/L)(3.5x10
13
/500x10
8
)(1500)(31)]
Despejando: W/L=100/21=4.762
VerificandoparaRds=200
200=1/[(W/L)(3.5x10
13
/500x10
8
)(1500)(111)]
Despejando: W/L=100/21=4.762
ConlocualseverificaquelarelacinW/Lhalladasatisfacelascondicionesdadas
CurvascaractersticasdelMosfetdeacumulacin.
LascurvasmsimportantesquedescribenenfuncionamientodelFETsonlasde
transferenciaylasdesalida.
ElectrnicaAnalgicaI
105
Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de
salida(ID)conlatensindeentrada(VGS).Enlasfigurassiguientesseobservapara
lostransistoresdecanalNyPrespectivamente.
- VTH
- VGS
- ID
VTH
CANAL N
ID
VGS
CANAL P
Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe superar la de la tensin umbral (VTH). En caso contrario, no habr corriente
desalida.
Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.
Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).
Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.
MOSFETDEREDUCCIN:
Este Mosfet tiene una construccin parecida a la del de acumulacin, con la
diferenciaqueelcanalyahasidohechoduranteelprocesodefabricacin.
Acontinuacinsemuestrasuesquemadeconstruccin(paraunMOSFETcanalN):
L
W
tox
S
G
N+
D
x
P
N
N+
0
B
x
ElectrnicaAnalgicaI
107
W=Anchodelcanal
L=Longituddelcanal
t
ox
=Espesordelacapadexido
D=Drenador(oDrainosumidero)
S=Fuente(oSourceosurtidor)
G=Compuerta(oGate)
B=Sustrato(oBulk)
En los dispositivos discretos, la fuente (S) est comnmente unida con el sustrato
(B). Cuando no hay esta unin, el voltaje entre fuente y sustrato (V
SB
) tambin
afectaalfuncionamientodeldispositivo.
Elcontroldelacorrienteentredrenadoryfuentesehaceahorahaciendoreducirel
canal ya existente. Para ello, se aplica una tensin entre compuerta y fuente que
induzca cargas de signo opuesto a las que abundan en el canal. Estas, al
recombinarse con las inducidas, hacen disminuir las cargas netas libres y en
consecuencia,tambinalacorriente.
Las ecuaciones del MOSFET de reduccin son las mismas que las del JFET, que se
estudiamsadelante.
SmbolosdelosMosfetdereduccin:
En las figuras son mostrados los modelos de los Mosfet de reduccin canal N y
canal P. Tambin se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulacindecorriente.
ElectrnicaAnalgicaI
108
ID
ID
ID
CANAL N
-
VGS
+
-
VDS
+
CANAL P
+
VGS
-
+
VDS
-
ID
CurvascaractersticasdelMosfetdereduccin.
LascurvasmsimportantesquedescribenenfuncionamientodelFETsonlasde
transferenciaylasdesalida.
-ID
VGS
IDSS
VP
CANAL N
VP
ID
IDSS
VGS
CANAL P
Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe ser menor que la tensin de contraccin (VP). En caso contrario, no habr
corrientedesalida.
ElectrnicaAnalgicaI
109
Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.
IDSSeslacorrientededrenadorcuandoVGS=0
VPeslatensinVGSquehacecerrarelcanaly,portanto,lacorrientededrenador
sehacecero.
Estosdosparmetroslosdaelfabricanteenlahojatcnicadeldispositivo.
Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).
Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.
VGS3
VGS4
VGS1
VDS = VGS - VP
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
ID
VDS
VGS2
OHMICA
CORTE
JFET
Este tipo de FET se construye mediante un material semiconductor tipo P N y a
sus lados se forman uniones con material opuesto y de mucho mayor dopaje que
enelcuerpo.EnelsiguientegrficosemuestraunJFETconcanalN.
ElectrnicaAnalgicaI
110
Vemos que el cuerpo es tipo N y a los costados hay 2 regiones tipo P con dopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transicin
seanmayoresenelmaterialtipoN
Elprincipiodefuncionamientosebasaenhaceraumentarodisminuirlasregiones
de transicin para controlar el flujo de corriente entre drenador y fuente (I
D
). Las
regiones de transicin (indicadas con lneas punteadas) se controlan mediante la
tensinV
GS.
;paraello,esnecesarioquepolarizarinversamentelasunionesPN.
G
a
b
S
P+
P+
D Id
- VDS +
+
VGS
-
Vemos que el cuerpo es tipo N y a los costados hay 2 regiones tipo P con dopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transicin
seanmayoresenelmaterialtipoN
ECUACIONESDELJFET
AligualqueenelMOSFETdeacumulacin,seconsiderarnloscasos
1. Cuandoelvoltajedrenadorfuente(V
DS
)espequeocomparadoconV
GS
:
Como V
DS
es pequeo, podemos aproximar y decir que la regin de
transicin tendr una distribucin constante a lo largo del canal. Con el
siguienteesquemamostramosestecaso:
G
a
b
S
P+
P+
D Id
- VDS +
+
VGS
-
ElectrnicaAnalgicaI
111
En este caso, las cargas libres estarn distribuidas uniformemente en todo
elcanalypodremosdecir:
Jn=en
n
E
DS
Sisecumpleenelmaterialtipon:N
D
>>2ni,entoncessepuedeaproximar:
n=N
D
SielanchodelFETesA,entonceslaseccintransversaldelcuerpoes2bAy
podemoshallarlaexpresindelacorrientededrenador:
I
D
=2bAeN
D
n
E
DS
ComoV
DS
espequeo,podemoshacerlasiguienteaproximacin:
E
DS
=V
DS
/L
Donde:L=longituddelcanal.
Entonces: I
D
=2bAeN
D
n
V
DS
/L
EnlauninPNabrupta,elpotencialenlajunturaesdadopor:
VoV
GS
=[eN
D
N
A
/(2(N
A
+N
D
)]W
2
ComoN
A
>>N
D
, entonces: VoV
GS
=[eN
D
/2]W
2
DespejandoW: W=[2/eN
D
]
1/2
(VoV
GS
)
1/2
ReemplazandoydespejandoVoV
GS
:
VoV
GS
=[ea
2
A
N
D
/2](1b/a)
2
Sisecumple: V
GS
>>Vo, Entonces:
V
GS
=[ea
2
A
N
D
/2](1b/a)
2
CuandoV
GS
sehacetannegativoqueelcanalsecierra:b=0
ElectrnicaAnalgicaI
112
Enestecaso,lamximatensinV
GS
quecierraelcanales:
Vp=[ea
2
A
N
D
/2]
Acontinuacin:V
GS
=Vp(1b/a)
2
Despejandob: b=a[1(V
GS
/Vp)
1/2
]
ReemplazandoenlaecuacindeI
D
:
I
D
=[2AaeN
D
n
/L][1(V
GS
/Vp)
1/2
]V
DS
R
DS
=V
DS
/I
D
=1/[2AaeN
D
n
/L][1(V
GS
/Vp)
1/2
]
Definimos: r
on
=1/[2AaeN
D
n
/L]
EstaresistenciaeslamnimaqueofreceelcanalcuandoV
GS
=0
Entonces: R
DS
=r
on
/[1(V
GS
/Vp)
1/2
]
Esta es una resistencia cuyo valor puede ser controlado con la tensin V
GS
(tambinllamadaVDR).Estacaractersticaestilparacontrolarlaganancia
delosamplificadores.
2. Cuandoelvoltajedrenadorfuente(V
DS
)esmayorque(V
GS
Vp):
Cuando:V
DS
=V
GS
Vp setiene: ID=KpV
DS
2
Laecuacin: V
DS
=V
GS
Vpcorrespondealareginumbralentrelazona
hmicaydesaturacin.
Para valores V
DS
> V
GS
Vp, el JFET llega a la zona de saturacin y se hace
prcticamenteindependientedeV
DS.
Entonces:
ID=Kp[(V
GS
Vp)
2
ElectrnicaAnalgicaI
113
FactorizandoVp: ID=I
DSS
[(1V
GS
/Vp)
2
QueeslaecuacintpicadelJFETenlaregindesaturacin.
SmbolosdelosJfet:
EnlasfigurassonmostradoslosmodelosdelosjfetcanalNycanalP.Tambinse
indicanlaspolaridadesdelosvoltajesylossentidosdecirculacindecorriente.
ID
ID
ID
CANAL N
-
VGS
+
-
VDS
+
CANAL P
+
VGS
-
+
VDS
-
ID
Curvascaractersticasdeljfet:
Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del FET son las de
transferenciaylasdesalida.SonanlogasalasdelMosfetdereduccin.
-ID
VGS
IDSS
VP
CANAL N
VP
ID
IDSS
VGS
CANAL P
ElectrnicaAnalgicaI
114
Observamosqueparaquehayacorriente,lamagnituddelvoltajedeentrada(VGS)
debe ser menor que la tensin de contraccin (VP). En caso contrario, no habr
corrientedesalida.
Comolaecuacinescuadrtica,habrndosresultadosparaID.Estacurvatambin
estilparasaberculdelasdossolucioneseslacorrecta.
IDSSeslacorrientededrenadorcuandoVGS=0
VPeslatensinVGSquehacecerrarelcanaly,portanto,lacorrientededrenador
sehacecero.
Estosdosparmetroslosdaelfabricanteenlahojatcnicadeldispositivo.
Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionanlacorrientedesalida(ID)yversuslatensindesalida(VDS).
Sontilesparaverlaszonasdeoperacindeldispositivoydefinirlosconceptosde
puntodeoperacinyrectasdecargaestticaydinmica.
Regionesdeoperacindeltransistor:
Enlascurvasdesalidaseobservanlasregionescomunesdeoperacin:
Zona hmica: En esta zona el transistor acta como interruptor cerrado. Aqu
tambin,enlaszonascercanasalorigen(VDSpequea)eldispositivosecomporta
ElectrnicaAnalgicaI
115
como resistencia lineal controlada por la tensin VGS. Esta zona es muy til para
hacer controles automticos de ganancia e interruptores analgicos pues acepta
voltajesVDSdelasdospolaridades.
Zonadecorte:Enestaregineldispositivoactacomointerruptorabierto.
Junto con la zona hmica permiten hacer circuitos digitales y tambin ser usado
comointerruptorparacircuitosdepotencia.
Polarizacin:
ParaqueelFETamplifiqueesnecesarioubicarsupuntodeoperacinenlazonade
corriente constate. Para ello, necesitamos establecer una tensin y corriente
constantequeloubiquendichazona.
AcontinuacinsonmostradaslasformastpicasdepolarizaralFET:
ElectrnicaAnalgicaI
116
JFET:
RG
CANAL P CANAL N
R2
RD
R2
RD
VDD VDD - VDD
RD RD
RS
R1
RS
CANAL P
RG
RS
RD
RF
RD
RG
RF
CANAL N
VDD
RS
CANAL N
- VDD
RS
CANAL P
RG
RS
- VDD
R1
MOSFETDEREDUCCIN:
RG
CANAL P CANAL N
R2
RD
R2
RD
VDD VDD - VDD
RD RD
RS
R1
RS
CANAL P
RG
RS
RD
RF
RD
RG
RF
CANAL N
VDD
RS
CANAL N
- VDD
RS
CANAL P
RG RS
- VDD
R1
ElectrnicaAnalgicaI
117
MOSFETDEACUMULACIN:
R2 R2
- VDD
CANAL N CANAL P
RD
RS
VDD
RG
- VDD
RF
RS
RF
RD
RS
CANAL N
RS
RD
VDD
R1
RD
R1
RG
CANAL P
Rectasdecarga:RectadecargaDC.RectadecargaAC.
ParaelestudiodeloscircuitosutilizamoslasleyesdeKirchhoffylaleydeOhm.
Enelsiguientecircuitousadocomoamplificador:
+
vg
-
RD
CS
VDD
R2
RL
C2 R1
RS
C1
ElectrnicaAnalgicaI
118
Lacorrientededrenadorestformadaporlacorrientedelpuntodeoperacinyla
corrientedeseal: ID=IDQ+id
Enformaanlogaparalatensin: VDS=VDSQ+vds
PlanteandolaleydeKirchhoffenlamalladrenadorfuente:
VDD+0=IDQRD+VDSQ+IDQRS+id(RD//RL)+vds
Aqusehanconsideradomuypequeaslasreactanciasdeloscondensadoresala
frecuenciadelaseal.
Los3primerostrminosdeladerechasonDCysecumple:
VDD=IDQ(RD+RS)+VDSQ
YrecibeelnombredeRectadecargaesttica(oDC)
Los2trminossiguientesdeladerechasonACysecumple:
0=+id(RD//RL)+vds
YrecibeelnombredeRectadecargadinmica(oAC)
Estasecuaciones puedensergraficadasenlascurvasdesalidadeltransistoryson
unparderectas.
PROBLEMA4.2.HallelosvaloresdeR
D
,R
S
,R
1
,R
2
yR
3
parapolarizarunMOSFETde
acumulacinconV
TH
=1V,enelpuntodeoperacin:
V
DSQ
=15V,I
DQ
=4.5mA,V
GSQ
=2V.Adems:Zi=10M.
Asumaque: Rs=(V
GSQ
+V
TH
)/I
DQ
Paraminimizarlasvariacionesportemperatura.
ElectrnicaAnalgicaI
119
C1
+
vg
-
CS
0.1 mA
RD
R3
R1
RS R2
+ 24 V
Solucin:
RectaDC: 24=ID(RD+RS)+VDS
Reemplazandovalores: 24=(4.5)(RD+RS)+15
Obtenemos: (RD+RS)=2K
Enlareddepolarizacindecompuerta: 24=(0.1mA)(R1+R2)
Obtenemos: (R1+R2)=240K
HallamosRS: Rs=(V
GSQ
+V
TH
)/I
DQ
ElvoltajeenR2es: VR2=VGSQ+IDQRs
Reemplazandovalores: VR2=2+(4.5mA)(667)=5V
Laimpedanciadeentradaparasealqueofreceelamplificadores:
Zi=R3+R1//R2=1M
DespejandoR3: R3=1MR1//R2=1M39.58K=960.42K
R3=960.42K
ConfiguracionesdelosFET:
Cuando trabaja con seales pequeas, el Fet puede ser considerado como un
cuadripolo. Como el dispositivo tiene slo 3 terminales, deber considerarse uno
comnalaentradaysalida,comosemuestraacontinuacinparaelJfet.
Fuentecomn:
Esta configuracin usa el terminal de fuente comn a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar tensin y corriente. La seal de salida est desfasada
180respectoalaentrada.
Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:
S
G
ig = 0
D
FUENTE COMUN
+
vgs
-
S
+
vds
-
id
Drenadorcomn:
Esta configuracin usa el terminal de drenador comn a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar corriente. La seal de salida est en fase con respecto a
laentrada.
ElectrnicaAnalgicaI
121
Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:
DRENADOR COMUN
is
+
vgd
-
D
G
S
D
+
vsd
-
ig = 0
Compuertacomn.
Estaconfiguracinusaelterminaldecompuertacomnalaentradaysalida.Se
caracterizaporamplificartensin.Lasealdesalidaestenfaseconrespectoala
entrada.
Elsiguienteesquemamuestraestaconfiguracin:
+
vsg
-
G
+
vdg
-
Is
S
id
COMPUERTA COMUN
G
D
ModelosdebajafrecuenciaypequeasealdelFET:
El FET presenta efectos capacitivos internos, los cuales deben ser considerados
cuando trabaja con frecuencias altas. Cuando las frecuencias son bajas estas
capacidades tienen reactancias muy elevadas y se les puede considerar circuitos
abiertos.
ElectrnicaAnalgicaI
122
Hay dos modelos tpicos que se usan para todos los FET: El modelo Norton y el
modeloThevenin.Elusodecadaunodeellosdependerdeltipodecircuitousado.
Seempleaelquefacilitemselanlisis.
AmbosmodelosseempleanparacualquierconfiguracinycualquiertipodeFET.
ModelotipoNortonparapequeasealyaltafrecuencia:
Un modelo muy empleado para pequea seal en todos los FETs es el siguiente,
expresandoelcircuitodesalidaporunequivalenteNorton:
S
Cgs
+
Vgs
-
S
gm Vgs
D
Cgd
Cds
rds
G
Cgs,CgdyCdsseempleanslocuandosetrabajaconfrecuenciasaltas
Cgseslacapacidaddeentrada,entrecompuertayfuente
Cgdeslacapacidadderealimentacin,entredrenadoryfuente
Cdseslacapacidaddesalida,entredrenadoryfuente
gm=transconductanciadelFETparapequeaseal.
rds=Resistenciadelcanalparapequeaseal.
ModelotipoNortonparabajafrecuencia:
Enestecaso,noseconsideranlascapacidadesylaentradadelFETesuncircuito
abierto.Aqu:
ElFETsecomportacomofuentedecorrientecontroladaportensin.
ig = 0
S
D
id
+
vgs
- gm vgs
G
rds
+
vds
-
S
ElectrnicaAnalgicaI
123
ModelotipoTheveninparapequeasealyaltafrecuencia:
OtromodelomuyempleadoparapequeasealentodoslosFETseselexpresando
consucircuitodesalidaporunequivalenteThevenin:
-
u vgs
+
ig
Cds
S
D
id
Cgd
+
vgs
-
Cgs
G
rds
+
vds
-
S
Modelo tipo Thevenin para pequea seal y baja frecuencia: En este caso, no se
consideranlascapacidadesylaentradadelfetesuncircuitoabierto.Aqu:
=Factordeamplificacindelfetparapequeaseal=gmrds
rds=Resistenciadelcanalparapequeaseal.
-
u vgs
+
ig = 0
S
D
id
+
vgs
-
G
rds
+
vds
-
S
PROBLEMA4.3.EnelsiguientecircuitoconMOSFET,hallelagananciadetensin,
laimpedanciadeentradaylaimpedanciadesalida.
Datos: gm=2mS,rds=15K
ElectrnicaAnalgicaI
124
5K
C
Zo
C es muy grande
C
RL
10K
+
Vo
-
VDD
+
-
100K
Vi
+
-
Zi
Solucin:
Hacemoselmodeloparapequeasealybajafrecuencia:
RL = 10K
+
vgs
-
+
vi
-
ig
+
vo
-
gm vgs
100K
5K
15K
Gananciadetensin: Av=Vo/Vi
Usndolemtododenodos: (VgsVi)/5K=(VgsVo)/100K
NudoVgs: (ViVgs)/5K=(VgsVo)/100K
DespejandoVgs: Vgs(1/5K+1/100K)=Vi/5K+Vo/100K
Vgs=(20/21)Vi+Vo/21
NudoVo: (VoVi)/105K+Vo/10K+Vo/15K+gmVgs=0
ElectrnicaAnalgicaI
125
Ordenando: Vo(1/105K+1/10K+1/15K)Vi/105K+gmVgs=0
ReemplazandoVgs:
Vo(1/21+1/2+1/3+10/21)=Vi[1/21200/21]
DespejandoAv:
Vo(1/21+1/2+1/3+10/21)=Vi[1/21200/21]
Av=(1/21200/21)/[1/21+1/2+1/3+10/21]=1.905/1.357
Impedanciadeentrada(sinincluirlos5K):Zi=Vgs/Ig
Sabemosque:Ig=(VgsVo)/100K
Adems: Vgs=(20/21)Vi+Vo/21=Vi(20/21+Av/21)=0.15Vi
DividiendoporIg: Zi=0.62(5K+Zi)
DespejandoZi:Zi=0.62(5K)/(10.62)=8.16K Zi=8.16K
ElectrnicaAnalgicaI
127
UNIDADTEMTICA
No.5
GANANCIASDELAMPLIFICADOR:
Tiposdeamplificadores
Antesdeiniciarelanlisisdecircuitos,indicaremoslostiposycaractersticasdelos
amplificadores.
Zi >> Rg
+
Zo
+
VL
-
Zo << RL
-
Zi
RL
-
Rg
Vg
+
Av Vi
+
Vi
-
Av=VL/Vi=Gananciadetensin.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.
Ai=IL/Ii=Gananciadecorriente.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.
Zi >> Rg
+
Zo >> RL
IL
Zi
RL
-
Rg
Gm Vi
Zo
Vg
+
Vi
-
ElectrnicaAnalgicaI
129
Gm=IL/Vi=Transconductanciaotransadmitancia.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.
Zo
Zi << Rg
+
Zo << RL
Zi
RL
Ig Rg
Ii
-
Rm Ii
+
VL
-
Rm=VL/Ii=Transrresistenciaotransimpedancia.
Zi=Impedanciadeentrada.
Zo=Impedanciadesalida.
ElectrnicaAnalgicaI
130
Impedanciadeentrada,Zi:
Eslaimpedanciaqueofreceelamplificadorensuentrada.Esimportanteconocerla
parapoderacoplarlasealdeentradaeimpedirquedisminuyalaamplificacin.
Delgrficovemosquesepuedehallarcomo:Zi=Vg/Ig
Ig
+
-
Vg RL
Impedanciadesalida,Zo:
Eslaimpedanciaqueofreceelamplificador,ensusalida,alacarga.Esimportante
conocerla para poder acoplar la carga al amplificador e impedir que disminuya la
amplificacin.
LasalidasepuedemodelarcomouncircuitoTheveninouncircuitoNorton,como
semuestraenelgrfico:
+
Av Vg
-
+
Vg
-
Ig
+
VL
-
Zo
Zi
RL
UnaformadehallarZoes,viendoelgrfico:
1)HacerVg=0
2)Sacarlacargay,ensulugar,ponerunafuenteV
3)Seobtiene: Zo=V/I
ElectrnicaAnalgicaI
131
+
-
Ig = 0
V
I
Zo
Zi
OtraformadehallarZoes,viendoelgrfico:
1) Sacarlacargaymedirlatensindesalidaenvaco:VL1=AvVg.
+
Vg
-
Ig
+
VL1 = Av Vg
-
Zo
Zi
+
Av Vg
-
2) Ponerlacargaymedirnuevamenteelvoltajedesalida:
IL
+
Vg
-
RL
Ig
+
VL2 = IL RL
-
Zo
Zi
+
Av Vg
-
ElectrnicaAnalgicaI
132
3) Seobtiene: Zo=(VL1VL2)/IL=(VL1/VL21)RL
Anlisisdeunamplificadorusandoparmetroshbridos:
Haremos el anlisis, mediante un problema, representando al transistor
consumodelo:
Problema5.1:Enelsiguienteesquemasimplificadodeunamplificadordepequea
seal,conparmetroshbridos,hallelasexpresionesde:
a)Lagananciadetensin(Av)
b)Laimpedanciadeentrada(Zi)
c)Laimpedanciadesalida(Zo)
Rg
+
1 / ho
-
VL
hf i
-
RL
hi
i
+
Vg
-
hr VL
+
Solucin:
a) Obtencindelagananciadetensin:Av=V
L
/Vg
Delcircuitodeentrada: VghrV
L
i=
Rg+hi
Delcircuitodesalida:
V
L
=hfi(R
L
//(1/ho))
Reemplazando:
VghrV
L
V
L
=hf()(R
L
//(1/ho))
Rg+hi
Simplificando: V
L
hfR
L
Av==
Vg Rg(1+hoR
L
)+hi+R
L
(Dh)
Donde:Dh=hihohfhr
ElectrnicaAnalgicaI
133
b) Obtencindelaimpedanciadeentrada:Zi=Vg/i
Delcircuitodeentrada: VghrV
L
i=
Rg+hi
Luego:
i(Rg+hi)=VghrV
L
ReemplazandoV
L
:
i(Rg+hi)=Vghr(hfi(R
L
//(1/ho))
Finalmente:
Vg hi+Rg(1+hoR
L
)+R
L
Dh
Zi==Rg+hihrhf(R
L
//(1/ho)=
I 1+hoR
L
hi+Rg(1+hoR
L
)+R
L
Dh
Zi=
1+hoR
L
c) Obtencindelaimpedanciadesalida:Zo=V/IcuandoVg=0
EsquemaparahallarZo:
Rg
+
1 / ho
hf i
hi I
i
-
+
-
hr V
V
Tenemos: I=hoV+hfi
Adems,enlaentrada:
hrV
i=
Rg+hi
Reemplazandoi:
hrV
I=hoV+hf()
Rg+hi
ElectrnicaAnalgicaI
134
1 hrhf hoRg+Dh
Yo==ho=
Zo hi+Rg hi+Rg
hi+Rg
Zo=
hoRg+Dh
Estasexpresionessonvlidasparacualquierconfiguracindeltransistor.
Configuracionesdetransistores:
Hay ocasiones en las que es necesario hacer combinaciones de transistores para
modificarlaganancia,lacapacidaddecorriente,detensin,etc.
Acontinuacinsemuestranlasmscomunes:
Darlington:
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q1
DARLINGTON
CON 2 TRANSISTORES
DARLINGTON CON
TRES TRANSISTORES
Q2 Q2
Q3
Q1
Puede observarse que los colectores estn unidos y el emisor de uno va a la base
delsiguiente.
Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesmselevada.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayor inestabilidad trmica, por lo que debe tenerse cuidado de estabilizarlo.
Estaempeoracuandoconstademsdedostransistores.
ElectrnicaAnalgicaI
135
Darlington con modificaciones
para mejorar la estabilidad trmica.
Q2
R2
Q1
R1
R3
PNPsimulado:
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q2
NPN
IC
IB
IE
Q1
PNP
Observamos que hay dos corrientes que salen y una que ingresa, lo que es tpico
deltransistorPNP.
Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciaequivalentedeentradaesalta.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayor inestabilidad trmica, por lo que debe tenerse cuidado de
estabilizarlo.
5) Muy usado en amplificadores de potencia de audio porque evita el empleo
detransistoresPNPdealtapotenciaenlaetapadesalida.
NPNsimulado.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
ElectrnicaAnalgicaI
136
Q1
NPN
IB
IC
IE
Q2
PNP
Observamos que hay dos corrientes que ingresan y una que sale, lo que es tpico
deltransistorNPN.
Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesmuyelevada.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesalta.
3) Lacorrientedeentradaesreducida(ofrecemenorcarga).
4) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.
Transistoresenparalelo.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q1
PARALELO CON
3 TRANSISTORES
Q1
PARALELO CON
2 TRANSISTORES
Q2 Q2 Q3
Caractersticas:
1) Lagananciadeltransistorequivalenteesigualaladeunsolotransistor.
2) Laresistenciadeentradaequivalenteesbaja.
3) Lacorrientetotaldesalidaeselevada(ofrecemenorcarga).
4) Lacorrientetotaldeentradaesmsalta(ofrecemayorcarga).
5) Mayorinestabilidadtrmica,porloquedebetenersecuidadodeestabilizarlo.
6) Debeasegurarsequeserepartanlacorrienteequitativamente.
7) Respuestaenfrecuenciamenorqueladeunsolotransistor.
ElectrnicaAnalgicaI
137
R2
Modificaciones para igualar las
corrientes y las resistencias de entrada.
R2
R1
Q1
R1 Q2
Transistoresenserie.
Enlasiguientefiguraesmostradalaformadeconexin.
Q2
Q1
Caractersticas:
1) Muyusadaparaconstruirelamplificadorcascode.
2) La ganancia de corriente del transistor equivalente es igual a la de un solo
transistor.
3) Laresistenciadeentradaequivalenteesrelativamentebaja.
4) Lacorrientetotaldesalidaeslamismaquedeunsolotransistor.
5) Serepartenelvoltajedelafuente.
6) Debetenersecuidadoconlareddepolarizacin.
7) Debeasegurarsequeserepartanlatensinequitativamente.
8) Mejorrespuestaenfrecuencia.
Formasdeacoplodelosamplificadores:
Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores
transistorizados en montaje de emisor comn, que es el ms utilizado, son del
orden de 1 K 20 K, respectivamente, el acoplamiento directo de dos etapas
ElectrnicaAnalgicaI
138
amplificadoras produce prdidas considerables de potencia. Para evitarlo,
debemosadaptarlasimpedancias.
Acoploportransformador:
Semuestraenelsiguienteesquema.Eselqueofrecemayorgananciadepotencia,
peronoesmuyutilizadoporquesurespuestaenfrecuencianoesmuyamplia.
R1
C2
R2
Q2
TR
1 5
4 8
C1
Q1
VCC
Acoploportransformador
n=(20000/1000)
0.5
=4.47
Acoploporautotransformador:
Emplea un autotransformador en lugar de transformador. A continuacin se
muestrandosformasdeusodeestemtodo:
C4
R1
C3
R4
C1
Q2
VCC
T
R3
C2
Q1
R2
ElectrnicaAnalgicaI
139
C4
R1
C3
R4
C1
VCC
T
C2
Q2
R3
Q1
R2
Acoploporautotransformador
Acoploporresistenciacapacidad(RC):
Este es uno de los ms usados y, aunque no permite acoplar perfectamente las
impedanciasylagananciaesmenor,suprecioyespacioocupadoesmsreducido.
Permite tambin una buena respuesta en frecuencia si C1 es lo suficientemente
elevado.
Q1
R1
Q2
C1
VCC R2
Acoploporresistenciacapacidad(RC)
Acoplodirecto:
Este es tambin muy usado, especialmente en circuitos integrados. Debe tenerse
cuidadoconlaestabilidaddelospuntosdeoperacindebidoaqueinfluyendeuna
etapaaotra.Permiteunabuenarespuestaenbajafrecuencia(desdeDC).
Q1
R1
C1
R2
R4
Q2
VCC
R3
R5
ElectrnicaAnalgicaI
140
R2
Q1
R1
C1
R4
R6
Q2
VCC
R3
R5
R7
Acoplodirecto
Acoplodirectocomplementario:
Estaesotraformadeacoplomuydifundidaquepermitemuybuenarespuestaen
bajafrecuencia(desdeDC)ysecaracterizaporempleartransistoresNPNyPNP.
Cuandoseempleaacoplodirectoconunsolotipodetransistor,latensincontinua
desalidatiendea acercarse alvalordelafuente de alimentacin,restringiendoel
nivelmximodeamplificacin.Esteproblemaseevitaempleandolosdostiposde
transistor para que la tensin DC en la salida no se eleve demasiado, como se
muestraacontinuacin:
R2
Q1
R1
Q2
C1
R4
R6
VCC
R3
R5
R7
Acoplodirectocomplementario
ElectrnicaAnalgicaI
141
Controlesdevolumenydetono
El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potencimetro
queregulaelvolumensonoroproporcionadoporelamplificadordesdecerohasta
sumximapotencia.
Debesercolocadoenunaposicintalquenoafectelascorrientesdepolarizacin
nilasimpedanciasdecargadelostransistores.Tampocodebensercausaderuido,
lo cual puede suceder cuando es colocado a la entrada, porque el ruido ser
amplificado y se deteriorar la relacin seal / ruido. Si se le coloca en una etapa
intermedia puede ser que no ajuste la salida a un nivel suficientemente bajo. Por
ello, su ubicacin deber elegirse con cuidado para evitar estos efectos
desfavorables. Estos controles son hechos mediante potencimetros logartmicos
debidoalascaractersticasdefuncionamientodelodohumano.
Configuracionesdeamplificadorescontransistoresy/oFET.
VeremosaqulaformadeanlisisdelasconfiguracionesdeamplificadoresconBJT
yFET.
Amplificadorenemisorcomn:
Estaconfiguracinsecaracterizaporamplificartensinycorriente.Enfrecuencias
mediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes180.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
RL
1kHz
Vg
+
C1
+
C2
+
CE
VCC
R2
RE
RC
R1
R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.
ElectrnicaAnalgicaI
142
C1 y C2 son condensadores de acoplo. Evitan que vare el punto de operacin al
conectar la seal de entrada y la carga, respectivamente. Adems, sus reactancias
deben ser pequeas de manera que puedan considerarse como cortocircuitos en
lasfrecuenciasdeoperacin.
Problema5.2:EnelcircuitomostradoconBJT,calcule:
a) Elpuntodeoperacindeltransistor.
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=Io/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
Zi
1K
Q
150K
C2
7K
Ii
C3
+
Vi
-
100K
C4
Zo
C1
+
Vo
-
+ 25 V
5K
Transistor:Silicio,V
BE
=0.6V,=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0
Solucin:
a) Puntodeoperacindeltransistor:
ElectrnicaAnalgicaI
143
25 V
Q
250K
7K
1K
RectaDC: 25=8KI
E
+V
CE
=8KI
C
+V
CE
>>1
Adems: V
CE
=250KI
EB
+V
BE
=2.5KI
C
+0.6
Resolviendo: I
CQ
=2.32mA V
CEQ
=6.4V
b) Gananciadecorrienteparapequeaseal:
Modeloparaseal:Usamoselmodelosimplificadoenemisorcomn.
Io
150 ib
150K
Ii
7K
ib
100K
5K
1K
Vi
Delcircuitodeentrada: ib=Ii(100K)/(100K+1K)
Delcircuitodesalida: Io=150ib(150K//7K)/[5K+(150K//7K)]
Reemplazandoyefectuando: A
I
=85.04
ElectrnicaAnalgicaI
144
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=100K//1K Zi=0.99K
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
Delcircuitodesalidaobtenemos: Zo=150K//7K Zo=6.7K
Amplificadorencolectorcomn(oseguidordeemisor):
Esta configuracin se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensin. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
RL
1kHz
Vg
+
C1
+
CE
VCC
R2
RE
R1
R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.
Enelesquemanohayresistenciaenelcolector,aunquehaycasosenquetambin
existe.
ElectrnicaAnalgicaI
145
Problema5.3:Enelcircuitomostrado,halle:
a) Lagananciadetensin,AV=VL/Vi
b) Lagananciadecorriente,A
I
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
d) Laimpedanciadesalida,Zo
1K
B
Vg
+
-
15K
10uF
100K
2N3904
2N2222
91K
Zi
12V
+
-
+
VL
-
Zo
RL
100
C
100uF
E +
Vin
-
Solucin:
a) Lagananciadetensin,AV=VL/Vi
Modeloparaseal:
120 ib
1K
+
Vi
-
+
Vg
-
100K
+
VL
-
+
Vi
-
ib
12.88K
3.5K
+
VL
-
100
100K
1K 100
12.88K
Delosdatosdelahojatcnicadel2N3904tenemos:
hfe=120,hoe=9uS,hre=1.3x10
4
,hie=3.5K
Despreciamoslosparmetroshreyhoeporserpequeos.
Aplicandoreflexindeimpedanciasysustitucin:
ElectrnicaAnalgicaI
146
+
Vi
-
+
VL
-
ib
3.5K
(121)100 (121)1K
12.88K
Luego: VL=121(1K//100)Vi/[3.5K+121(1K//100)]=0.76Vi
Dedonde: AV=0.76
b) Lagananciadecorriente,AI=iL/ig
iL
+
Vi
-
+
VL
-
ib
121 ib
3.5K
100
ig
1K
12.88K
Delgrfico:iL=121ib(1K)/(1K+0.1K)=110ib
Adems: ib=ig(12.88K)/[12.88K+3.5K+121(1K//0.1K)]
Reemplazandoenlaecuacinanterioryefectuando:
iL=47.04ig
Dedonde: AI=47.04
c) Laimpedanciadeentrada, Zi=Vi/ig
Delgrficovemos: Zi=12.88K//[3.5K+121(1K//0.1K)]
Efectuando: Zi=6.82K
d) Laimpedanciadesalida,Zo
CircuitoequivalenteparahallarZo:
ElectrnicaAnalgicaI
147
100K
+
V
-
ib
120 ib
3.5K
1K
I
12.88K
Aplicandoelmtododenodos:
Iib120ib+V/1K=0
Adems: ib=V/[100K//12.88K+3.5K]
Reemplazando: I=121V[1/1K+1/14.91K]
Dedonde: Zo=7.75
Problema5.4:Enelcircuitomostrado,halle:
a) Lagananciadetensin,A
V
b) Lagananciadecorriente,A
I
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
d) Laimpedanciadesalida,Zo
+
VL
-
+
IL
12K
Ig
2K
-
220K
C
C
Vg
+ 15V
2K
ElectrnicaAnalgicaI
148
Transistor:Silicio,V
BE
=0.6V,=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0
Asumaquetodosloscondensadoressonmuygrandes.
Solucin:
a) Lagananciadetensin,A
V
:Modeloparaseal
2K
Ig
-
2K
ib
150 ib
220K 12K
Vg
IL
+
VL
-
1K
+
Aplicandovoltajedenudosenelemisor:
VL/2K+VL/2K+(VL+Vg)/(12K//220K)+ib=ib+hfeib=151ib
Adems: ib=Vg/1K
Reemplazando:
VL[1/2K+1/2K+1/11.38K]=Vg[150/1K1/11.38K]
Deestaecuacinhallamoslagananciadetensin:
Av=137.8
b) Gananciadecorriente,A
I
A
I
=A
V
Z
I
/R
L
=137.8(Zi)/2K
Ig=ib+(VL+Vg)/(12K//220K)=Vg/1K+Vg(Av+1)/(12K//220K)
Zi=Vg/Ig=0.076K
A
I
=5.22
ElectrnicaAnalgicaI
149
c) Laimpedanciadeentrada,Zi
Ig=ib+(VL+Vg)/(12K//220K)=Vg/1K+Vg(Av+1)/(12K//220K)
Zi=Vg/Ig=0.076K
Zi=76
d) Laimpedanciadesalida,Zo
ModeloparahallarZo.
12K
ib
V
+
1K
2K
220K
I
-
150 ib
Amplificadorenbasecomn:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin, pero no corriente. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
ElectrnicaAnalgicaI
150
RL
1kHz
Vg
+
C1
+
C2
+
CE
VCC
R2
RE
RC
R1
R1,R2,RCyREfijanelpuntodeoperacinenlazonaactivadirecta.
Problema5.5:EnelcircuitomostradoconBJT,calcule:
a) Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vi)
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(AI=IL/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ii).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
15K
RL
10K
+
Vin
-
5.6K 100uF
1K Vg
+
-
10uF
2N3904
2N2222
1K
C
+
VL
-
B
12V
+ -
91K
10uF
E
ElectrnicaAnalgicaI
151
Solucin:
a) Gananciadetensin,AV=VL/Vi
Modeloparaseal:
5.6K
+
Vi
-
ig
ie
+
Vg
-
10K
+
Vg
-
ig
hfb ib
1K
+
VL
-
1K
10K
1K
+
VL
-
1K
5.6K hib
Delosdatosdelahojatcnicadel2N3904tenemos:
hfe=120,hoe=9uS,hre=1.3x10
4
,hie=3.5K
Delatabladeconversindeparmetros:
hib=hie/He,hrb=(Dhehre)/He,hfb=(hfe+Dhe)/He,hob=hoe/He
Efectuando: Dhe=31.5x10
3
15.6x10
3
=15.9x10
3
He=1+1201.3x10
4
+15.9x10
3
=121
Luego:hib=hie/He=29 hrb=(Dhehre)/He=1.58x10
4
hfb=(hfe+Dhe)/He=0.99 hob=hoe/He=0.074uS
Despreciamoslosparmetroshrbyhobporserpequeos.
Entonces: VL=hfb(5.6K//10K)ie=3.55Kie
Adems: ie=Vi/(hib)=Vi/29
Reemplazando: VL=3.55K(Vi/29)=122.4Vi
Dedonde: AV=122.4
b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delgrfico: iL=hfbie(5.6K)/(5.6K+10K)=0.355ie
Adems: ie=ig(1K)/(1K+hib)=0.97ig
Reemplazando: iL=(0.355)(0.97ig)=0.345ig
Dedonde: AI=0.345
ElectrnicaAnalgicaI
152
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vi/Ig).
Delgrfico: Zi=1K//hib=28.2
Zi=28.2
d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
hib
hfb ib
ie
5.6K
ig I
1K
1K
+
V
-
CaractersticasdelasconfiguracionesdelBJT:
Configuracin Desfasaje Av Ai Zi Zo
BaseComn 0 Alta Cerca1 Baja Alta
EmisorComn 180 Alta Alta Mediana Alta
Colector
Comn
0 Cerca1 Alta Alta Baja
EmpleodelFETcomoresistorcontroladoporvoltaje.
Esta es una aplicacin del Fet que permite su uso en controles automticos de
gananciayeninterruptoresanalgicos.
PROBLEMA 5.6. Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensin para valores pequeos de V
DS
. Suponga: V
T
= 1V, t
ox
= 500,
ox
=
3.5x10
13
F/cm,
n
= 1500 cm
2
/Vs. Qu valor de W/L dar un transistor NMOS
cuyaresistenciadecanalcambiade1K200para:3VV
GS
11V.
Solucin:
Enlazonahmicasecumple:
ElectrnicaAnalgicaI
153
Rds=V
DS
/I
D
=1/[2K(V
GS
V
TH
)]
K=(W/L)(
ox
/t
ox
)(
n
/2)
Para: Rds=1K=1/[(W/L)(3.5x10
13
/500x10
8
)(1500)(31)]
Despejando: W/L=100/21=4.762
VerificandoparaRds=200
200=1/[(W/L)(3.5x10
13
/500x10
8
)(1500)(111)]
Despejando: W/L=100/21=4.762
ConlocualseverificaquelarelacinW/Lhalladasatisfacelascondicionesdadas
Amplificadorenfuentecomn:
Estaconfiguracinsecaracterizaporamplificartensinycorriente.Enfrecuencias
mediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes180.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
C
+
VL
-
Rg
C
C
iL
Rs
RD
RL +
-
Vg
ig
VDD
ElectrnicaAnalgicaI
154
Problema5.7:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a) Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c) Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
10K
C
500K
C
+
-
Vg
ig
+
VL
-
C
iL
24 V
1K
8K
Transistor:Silicio,gm=5mS,rds=10K
Solucin:
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
Modeloparaseal:UsamoselmodeloNorton.
8K
10K
+
Vgs
-
+
VL
- 500K
+
-
Vg
+
VL
-
10K
gm Vgs
iL
+
-
Vg
ig iL
8K 500K
ig
10K
Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Delcircuitodesalida: VL=gmVgs(10K//8K//10K)
Reemplazandoyefectuando: A
V
=15.38
b) Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Vgs=500Kig
Delcircuitodesalida: iL=gmVgs(10K//8K)/(8K//10K+10K)
Reemplazandoyefectuando: A
I
=769.2
ElectrnicaAnalgicaI
155
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=500K
d) Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
Delcircuitodesalidaobtenemos:
Zo=4.44K
Amplificadorendrenadorcomn(oseguidordefuente):
Esta configuracin se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensin. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
RL Rs
iL
+
-
Vg C
+
VL
-
ig
Rg
C
VDD
Problema5.8:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a)Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b)Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c)Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d)Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
2K 2K
iL
+
-
Vg C
+
VL
-
ig
500K
C
24 V
ElectrnicaAnalgicaI
156
Transistor:Silicio,=50,rds=10K
Solucin:
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
Modeloparaseal:UsamoselmodeloThevenin.
+-
50 Vgs
ig
2K 2K
ig
iL
+
-
Vg
+
-
Vg
+
VL
-
iL
2K
500K
S
G
+V
g
s
-
2K
500K
+
VL
-
10K
Delcircuitodesalida: VL=50Vgs(2K//2K)/(2K//2K+10K)=4.545Vgs
Reemplazandoyefectuando: VL=4.545(VgVL)
A
V
=0.82
b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Ig=Vg/500K iL=VL/2K
Dividiendo: (Ai=IL/Ig)=(VL/2K)/(Vg/500K)=A
V
(500K/2K)
Luego: Ai=(0.82)(500K/2K)=204.92
Ai=204.92
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentradaobtenemos: Zi=500K
d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
I
+V
g
s
-
+-
50 Vgs
10K
S
500K
G
+
-
V
ig
2K
ElectrnicaAnalgicaI
157
Delcircuitodeentradaobtenemos: Vgs=V
Delcircuitodesalidaobtenemos: I=V/2K+(V+50V)/10K
Despejandoyefectuando:
Zo=178.6
Amplificadorencompuertacomn:
Esta configuracin se caracteriza por amplificar tensin, pero no corriente. En
frecuenciasmediaseldesfasajeenlasalidarespectoalaentradaes0.
Enelsiguienteesquemaseobservaestaconfiguracin:
RS
RL
-
+
VL
-
Vg
VDD
RG
RD
C1
IL
Ig
+
C2
Ce
Problema5.9:EnelcircuitomostradoconFET,calcule:
a)Lagananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
b)Lagananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
c)Laimpedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
d)Laimpedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVi=0)
10K
C
C
500K
C
+
VL
- +
-
Vg
iL
ig
24 V
2K
8K
Transistor:Silicio,=50,rds=10K
Solucin:
ElectrnicaAnalgicaI
158
a) Gananciadetensinparapequeaseal.(AV=VL/Vg)
Modeloparaseal:UsamoselmodeloThevenin.
+
VL
-
ig iL
ig
+-
50 Vgs
-
Vgs
+
G
8K 500K
10K
10K
2K
+
-
Vg
iL
+
VL
- 8K
S
10K
2K
+
-
Vg
Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Delcircuitodesalida:
VL=(Vgs+50Vgs)(8K//10K)/(10K+8K//10K)
Reemplazandoyefectuando:
VL=(51Vg)(8K//10K)/(10K+8K//10K)=15.7Vg
A
V
=15.7
b) Gananciadecorrienteparapequeaseal.(Ai=IL/Ig)
Delcircuitodeentrada: Vgs=Vg
Ig=Vg/2K51Vgs/(10K+8K//10K)
ReemplazandoVgs: Ig=Vg/2K+51Vg/14.44K=Vg/248.1
Delcircuitodesalidaobtenemos:
iL=(51Vg/14.44K)(8K)/(10K+8K)=(22.67)Vg/14.44K
ReemplazandoVg: iL=(22.67)(0.2481K)ig/14.44K
Dedonde: AI=0.39
c) Impedanciadeentrada,(Zi=Vg/Ig).
Delcircuitodeentrada: Ig=Vg/2K51Vgs/(10K+8K//10K)
Vgs=Vg
Reemplazando: Ig=Vg/2K+51Vg/14.44K=V
g
/4.03K
Luego: Zi=4.03K
ElectrnicaAnalgicaI
159
d) Impedanciadesalida,(Zo=V/IcuandoVg=0)
I
8K
2K
+
-
V
S
+-
50 Vgs
-
Vgs
+
G
10K
CaractersticasdelasconfiguracionesdelFET:
Configuracin Desfasaje Av Ai Zi Zo
Compuerta
Comn
0 Alta Menorque1 Baja Alta
FuenteComn 180 Alta Alta Alta Alta
DrenadorComn 0 Menorque1 Alta Alta Baja
Amplificadoresencascada.
Cuandolaamplificacindeunasolaetapanoessuficiente,sepuedenconectardos
omsetapas,unadespusdelaotra.
AestadisposicinseleconocecomoAmplificadoresencascada.Laformadeacolo
puedesercualquieradelasqueyahemosvisto.
EnlafigurasiguientesemuestrauncasoconetapasconacoploRC:
ElectrnicaAnalgicaI
160
R2
R1
C6
R5 RD
Ig
+
C1
C5
-
R7
Ce
R3
+
VL
-
Q1
RL
R9
C2
VDD
RG
C3
R8 RS
R4 C4
Vg
Q3
Q2
R6
Problema5.10:Enelsiguienteamplificadorencascada,halle:
a)Av b)AI c)AP d)Zi e)Zo
C3
Ig
C1
2K
Vg
1.8K
+
VL
-
2.2K
IL
Q1
Q2
200
1.3K
C2
-
600
+
+ 9V
Solucin:
ElectrnicaAnalgicaI
161
a)Av=VL/Vg
ModeloenAC:
Ig Q2
2K
Q1
-
+
VL
-
600
IL
+ 1.3K
Vg 1.8K
200
2.2K
Reemplazandolostransistoresporsumodelodecuadripolo:
200
1K
100 ib2
ib2
+
1.3K
1.8K
+
VL
-
2K
Vg 600
IL
2.2K
Ig
2K
-
ib1
100 ib1
Delcircuitodesalida: VL=100ib2(1.3K//2K)
Delcircuitocentral: ib2=100ib1(2.2K/(2.2K+2K))
Delcircuitodeentrada: ib1=Ig(0.6K//1.8K)/(0.6K//1.8K+1K))
Ig=Vg/(0.2K+0.6K//1.8K//1K)
Finalmenteobtenemos:
Av=(VL/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)(Ig/Vg)
Reemplazando:
Av=[78.79K][52.38][0.273)][1/0.51K]=2209.17
Av=2209.17
b)AI=IL/Ig
Delcircuitodeentrada: ib1=Ig(0.6K//1.8K)/(0.6K//1.8K+1K))=0.273Ig
Delcircuitocentral: ib2=100ib1(2.2K/(2.2K+2K))=52.38ib1
Delcircuitodesalida: IL=100ib2(1.3K/(1.3K+2K)=39.4ib2
ElectrnicaAnalgicaI
162
Finalmenteobtenemos:
AI=(IL/ib2)(ib2/ib1)(ib1/Ig)=(39.4)(52.38)(0.273)=563.4
AI=563.4
c) AP=PL/Pg=(VLIL)/(VgIg)=AVAI=(2209.17)(563.4)=1244646.38
AP=1244646.38
d) Zi
Delcircuitodeentrada: Zi=Vg/Ig=0.2K+0.6K//1.8K//1K=510
Zi=510
e) Zo
Delcircuitodesalida: Zo=1.3K
AmplficadorDarlington.
Cuando la amplificacin de una sola etapa no es suficiente, se pueden conectar
tambin una configuracin Darlington para aumentar la ganancia y elevar la
impedanciadeentrada.Estosamplificadorestienenelinconvenientedeteneruna
respuestaenfrecuenciamsreducidaypuedenoscilar,porloquedebentomarse
las precauciones adecuadas. En la figura siguiente se muestra uno de estos
circuitosenlaconfiguracindeemisorcomn.
Ig
+
VL
-
C1
-
Q2
RL
Vg
RE
+ VCC
IL
RC
C2
+
Q1
R3
C3
R1
R2
ElectrnicaAnalgicaI
163
Problema5.11:EnelsiguienteamplificadorDarlington,halle:
a)Av b)AI c)Zi d)Zo
Q1:hie1=3K,1=hfe1=50,hre1=0,hoe1=0.
Q2:hie2=1K,2=hfe2=100,hre2=0,hoe2=0.
18K
+
Vg
10K 0.3K
Q2
C3
-
10K
+
VL
-
+ 30V
10K
C1
Ig
Q1
282K
C2
IL
Solucin:
a) Av:
Modeloparaseal:
10K
-
282K Vg
+
VL
-
Ig
Q1
IL
18K
10K
10K
+
Q2
ElectrnicaAnalgicaI
164
Reemplazandocadatransistorporsucuadripolo:
10K
IL
3K
10K
ib1
Ig
18K
100 ib2
Vg 282K +
VL
-
50 ib1
ib2
10K
+
1K
-
Enelcircuitodesalida:
VL=(50ib1+100ib2)5K
ib2=(51ib1)(10K)/(10K+1K)=(510/11)ib1
Reemplazando: VL=50(1+1020/11)(ib1)5K
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3Kib1+51ib1(10K//1K)=[3K+51(10K//1K)]ib1
Deestasdosecuacionesobtenemoslagananciadetensin:
Av=[50(5)(1+1020/11)]/[3+51(10//1)]=474.7
Av=474.7
b) AI:
Enelcircuitodesalida:
IL=(50ib1+100ib2)(10K/(10K+10K))=25(ib1+2ib2)
ib2=(51ib1)(10K)/(10K+1K)=(510/11)ib1
Reemplazando: IL=25(1+1020/11)(ib1)
Enelcircuitodeentrada:
Ib1=Ig(18K//282K)/[18K//282K+3K+51(10K//1K)]
Ib1=0.2553Ig
Deestasdosecuacionesobtenemoslagananciadecorriente:
AI=25(1+1020/11)(0.2553)=598.2
AI=598.2
c) Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Vg=3Kib1+51ib1(10K//1K)=49.364Kib1
ElectrnicaAnalgicaI
165
Ig=Vg/18K+Vg/282K+ib1
Reemplazandoib1:
Ig=Vg(1/18K+1/282K+1/49.364K)
Zi=18K//282K//49.364K=12.6K
Zi=12.6K
d) Zo:
ModeloparahallarZo:
100 ib2
10K
ib1
ib2
10K 1K
I
V
282K
3K
50 ib1
18K
Aplicandoreflexindeimpedancias:
100 ib2
10K
ib1
ib2/51
(51)10K (51)1K
I
V
282K
3K
50 ib1
18K
Observamos: ib1=ib2=0
Entonces: Zo=10K
Amplificadorcascode.
Estetipodeamplificadoresmuyusada,inclusoencircuitosintegrados.
Estbasadoenlaconexindetransistoresenserie.
Problema5.12:EnelsiguienteamplificadorCascode:
Q1=Q2:hfe=150,hie=3.5K,hre=0,hoe=0.Halle:
12K
12V
100uF
C
100uF
10K
2.4K
100uF 1K
Q2
Vg
8K
3K
+
VL
-
100uF
Q1
+
VL
-
hib 8K
ib
10K
ie
2.4K
150 ib
3K
IL
- 0.99 ie
3.5K
Ig
Vg
Enelcircuitodesalida: VL=0.99ie(3K//10K)
Enelcircuitocentral: ie=150ib
Enelcircuitodeentrada: Vg=3.5Kib
Deestastresecuaciones: Av=[0.99(3K//10K)][150][1/3.5K]
Av=97.9
b) AI:
Enelcircuitodesalida: IL=0.99ie(3K)/(3K+10K)
Enelcircuitocentral: ie=150ib
Enelcircuitodeentrada: ib=Ig(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]
Deestastresecuaciones: AI = [0.99 (3) / 13][
150][(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]]
AI=11.83
c) Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Zi=8K//2.4K//3.5K=1.21K
Zi=1.21K
d) Zo:
ModeloparahallarZo:
ElectrnicaAnalgicaI
168
150 ib - 0.99 ie
+
V
-
ie
hib
I
3.5K 3K
Ig
8K 2.4K
ib
Podemosobservar:
Ig=0,ib=0,150ib=0,ie=0,0.99ie=0
Entonces: Zo=3K
Amplficadorbootstrap:
Esteamplificadoractaenformasimilaralseguidoremisivo,conladiferenciaque
evita reducir la impedancia de entrada debido a la red de polarizacin. Puede
lograrseconl,unaimpedanciadeentradamuyelevada
+ VCC
+
VL
-
R3
Ig
-
RE
Vg C2
+
R1
C1
R2
ElectrnicaAnalgicaI
169
Problema5.13:EnelsiguienteamplificadorBootstrap,halle:
a)Av b)Zi
Transistor:hie=2K,hfe=100,hre=0,hoe=0.
4K
C2
C1
+
VL
-
+ 12V
10K
4K
+
Vg
-
Ig
2K
Solucin:
a) Av:
Modeloparaseal:
10K
-
+
2K
10K 2K
Vg
4K
Vg
2K 2K
+
ib
-
Ig
100 ib
Ig
+
VL
-
4K
+
VL
-
Enelnudodesalidaaplicamoslaleydecorrientes:
VL/2K+VL/2K=101ib+(VgVL)/10K
ElectrnicaAnalgicaI
170
Adems:ib=(VgVL)/2K
Reemplazando: VL/2K+VL/2K=101(VgVL)/2K+(VgVL)/10K
Separandotrminos:
VL[1/2K+1/2K+101/2K+1/10K]=Vg[101/2K+1/10K]
Deestaecuacinhallamoslagananciadetensin:
Av=0.98
b) Zi:
Enelcircuitodeentrada:
Ig=(VgVL)/10K+ib=(VgVL)/10K+(VgVL)/2K
Ig=(VgVL)[1/10K+1/2K]=Vg(1Av)[1/10K+1/2K]
DespejandoZi=Vg/Ig:
Zi=83.33K
Amplificadordiferencial.
Uno de los amplificadores ms importantes en Electrnica es el amplificador
diferencial.
EspartefundamentaldelAmplificadorOperacional.
Acontinuacinsemuestraunesquemabsicoempleandotransistoresbipolares:
ElectrnicaAnalgicaI
171
Vs1
C
V2
Rc
Io
VCC
Rb V1
Q2
Vs2
Q1.
C
Rb
Rc
Ioesunafuentedecorrienteconstantequedebeofrecerunaaltaimpedanciaala
seal.
Salidabalanceadaysalidadesbalanceada.
Si la salida se toma en Vs1 Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.
SilasalidasetomaentreVs1yVs2,sedicequelasalidaesbalanceada.
V
1
yV
2
sonlassealesdeentrada.
Lasalidadebeserproporcionalaladiferenciadelassealesdeentrada,esdecir:
Vs=Ad(V
1
V
2
)
Adeslagananciaenmododiferencial
La ecuacin anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los
A.D.realespresentanunasalidadadaporlaecuacinsiguiente:
Vs=Ad(V
1
V
2
)+Ac(V
1
+V
2
)/2
Mododiferencialymodocomn.AdeslagananciaenmododiferencialYAcesla
gananciaenmodocomn.
ElectrnicaAnalgicaI
172
GeneralmentesebuscaqueAcsealomspequeaposible.Idealmentedeberaser
cero.
Sedefine:
Mododiferencial=Vd=V
1
V
2
Modocomn=Vc=(V
1
+V
2
)/2
Debeindicarsequeelmodocomnnoestformadosolamenteporelpromediode
las seales de entrada, sino tambin por cualquier seal no deseada (ruido,
interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el
amplificadortenderaeliminarlasdesusalida.
Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a eliminar las
sealesnodeseadasquesepresentenensusentradas.
Paraefectuarelanlisisdelcircuitoseexpresanlassealesdeentradamedianteel
modocomnyelmododiferencial.
V
1
=Vc+Vd/2
V
2
=VcVd/2
Cuando se analiza con pequea seal podemos utilizar los modelos de cuadripolo
linealdeltransistor.
Cuando se analiza con gran seal, debemos utilizar la caracterstica no lineal del
transistor(porejemplo,lasecuacionesdeEbersMoll).
FactordeRechazoalModoComn(CMRR):
EsteesunparmetromuytilparasaberlacalidaddelA.D.Seledefinecomo:
CMRR=|Ad|/|Ac|
Tambinseacostumbraexpresarloendecibeles:
CMRRdb=20log(|Ad|/|Ac|)
IdealmenteelCMRResinfinito.
EnunA.D.realconvienequesealomsaltoposible.
ElectrnicaAnalgicaI
173
La fuente de corriente constante tiene mucha importancia para conseguir una
ganancia en modo comn muy pequea y, por tanto, un alto factor de rechazo al
modocomn.
Problema5.14:Enelcircuitomostrado,determine:
a)Lospuntosdeoperacin.
b)Lagananciaenmododiferencial.
c)Lagananciaenmodocomn.
d)ElCMRR.
C
+
VL
-
4K
50K
Q2
50K
C
4mA
V1
Q1
C
2K
+ 15V
V2
12K
Q1=Q2:=100,hie=1K,hfe=150,hre=0,hoe=0,VBE=0.7V,Z=2M
SOLUCION:
a) Lospuntosdeoperacin.
Comolostransistoressonigualesysusredesdepolarizacintambin,elA.D.
estbalanceadoysecumple: IEQ1=IEQ2=2mA
Comoesgrandesecumple:ICQ1=ICQ2=2mA
ElvoltajeDCenlosemisoreses: VE=0.750K(2mA/100)=1.7V
Acontinuacin:
VCE1=15(2mA)(2K)VE=15(2mA)(2K)(1.7)=12.7V
VCE2=15(2mA)(4K)VE=15(2mA)(4K)(1.7)=8.7V
VCE1=12.7V VCE2=8.7V
b) Lagananciaenmododiferencial.
Modeloequivalenteparaseal:
ElectrnicaAnalgicaI
174
50K
150 ib2
50K
1K
V2
4K
302M
ib1 ib2
V1
1K
+
VL
-
12K
RepresentamosV1yV2enfuncindelmododiferencialyelmodocomn:
V1=Vc+Vd/2 V2=VcVd/2
Mododiferencial:Hacemos Vc=0
Entonces:
Enlaentradayaplicandosimetra: Ib2=Vd/2K
Enlasalida: VL=150ib2(4K//12K)
Reemplazandoib2: VL=150(Vd/2K)(4K//12K)
Finalmente: Avd=VL/Vd=150(1/2K)(4K//12K)=150(1/2K)(3K)
Avd=225
c) Lagananciaenmodocomn.
Modocomn:Hacemos Vd=0
Entonces:
Enlaentradayaplicandosimetra: Ib2=Vc/(1K+604M)
Enlasalida: VL=150ib2(4K//12K)
Reemplazandoib2: VL=150Vc/(1K+604M)(4K//12K)
Finalmente:
Avc=VL/Vc=150(1/(1K+604000K))(4K//12K)=150(1/604001K)(3K)
Avc=0.0007
d) ElCMRR.
CMRR=Ad/Ac=225/0.0007=321428.6
Endb: CMRRdb=20log[321428.6]=110.1db
ElectrnicaAnalgicaI
175
Amplificadoroperacional(OPAMP).
La designacin OPAMP originalmente fue adoptada para una serie de
amplificadores de gran rendimiento usados en computadoras analgicas. Estos
amplificadores fueron diseados para realizar operaciones matemticas aplicables
acomputacinanalgica(sumatoria,escalamiento,sustraccin,integracin,etc.)
SIMBOLODEUNOPAMP
Elsmboloaceptadoparaunopampesuntringuloylasalida,Vo,estrelacionada
conlasentradasV
+
yV
comosemuestraenlafigurasiguiente
V-
-
+
+ SATURACION
- SATURACION
V+ Voffset
Vo
V+ - V-
Vo
V
+
seaplicaalaentradanoinversorayV
alaentradainversora.
EJEMPLODELOPAMPLM741
-
Entrada inversora
A = 1000 A = 200 A = 1
Entrada no inversora
Salida
+
de polarizacin
Fuentes de corriente
ElectrnicaAnalgicaI
176
Como se puede ver, un ICOPAMP usa varias etapas en cascada, generalmente
amplificadores diferenciales, para suministrar un alto rechazo al modo comn y
granganancia.
Amplificadorinversor:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradainversora.
-
+
Av
ideal
Vs
R3
V+
R2
Ve
+
R1
-
I1
If
+
V-
-
Tenemos: I1=(VeV
)/R1 If=(V
Vs)/R2
Adems: Vs=Av(V
+
V
Entonces: Vs=AvV
Dedonde: V
=Vs/Av
Comolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:Av
Sededuce: V
Ylaentradainversorasecomportaenestecasocomotierravirtual.
Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:
Entonces: (Ve)/R1=(Vs)/R2
Finalmente: Avf=R2/R1
ElectrnicaAnalgicaI
177
Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=Ve/I1=R1
NOTA:ElresultadoanteriorpuedesergeneralizadositomamosencuentaqueR1y
R2puedenserreemplazadasporcualquierimpedancia(Z1yZ2respectivamente):
Avf=Z2/Z1
Zinf=Z1
Problema5.15:Enelsiguientecircuito,halle:
a)ElvoltajeV.
b)Elvoltajedesalida.
+
-
4K
V
6K 8K
2K
1V
+
VL
-
SOLUCION:
a) ElvoltajeV.
Comoestrealimentadonegativamente,elamplificadoractalinealmente
Ysecumple:V
+
=V
Lacorrientequeentregaelgeneradores: I=Vg/2K=0.5mA
Estacorrientecirculaporlaresistenciade4Kysecumple:
V=4KI=4K(0.5mA)=2V
V=2V
b) Elvoltajedesalida.
AplicandolaleydecorrientesenelnudoV:
0.5mA=V/6K+(VVL)/8K
ElectrnicaAnalgicaI
178
ReemplazandoVydespejandoVL:
12V=4(2V)+3(2VL)
VL=(26/3)V=8.67V
Amplificadornoinversor:
Enestecasolasealdeentradaseaplicaporlaentradanoinversora.
-
+
Av
ideal
Vs
R3
V+
Ve
R2
+
R1
-
I1
+
V-
-
If
Tenemos: I1=(V
)/R1 If=(VsV
)/R2
Adems: Ve=V
+
y Vs=Av(V
+
V
)
Dedonde: V+V
=Vs/Av
Perocomolagananciadeunamplificadoroperaconalidealesmuyalta:
Av
Sededuce: V
+
V
0
Ysecumple: V
+
=V
Laentradadiferencialsecomportaenestecasocomocortocircuitovirtual.
Acontinuacinpodemosobtenerlagananciaconrealimentacin:
Adicionalmentepodemosobtenerlaimpedanciadeentradadelcircuito:
Zinf=R3
ElectrnicaAnalgicaI
179
Problema5.16:EnelcircuitoconOPAMPmostrado,halleelvoltajedesalida,V
L
,si;
V
1
=0.2V,V
2
=0.1VyV
3
=0.15V.AsumaqueelOPAMPesideal.
3K
1K +
VL
-
+
-
V2
100
6K
1K
V1
1K
V3
SOLUCION:
Latensindeentradaingresaporeltertminalnoinversoryladenominamos:V
+
HallamosV
+
enfuncindelastensionesdeentrada,aplivcandosuperposicin:
V
+
=[V
1
(1K//1K//0.1K)+V
2
(1K//1K//0.1K)+V
3
(1K//1K//0.1K)]/(1K+1K//1K//0.1K)
V
+
=[V
1
+V
2
+V
3
]]1K//1K//0.1K]/(1K+1K//1K//0.1K)
Reemplazandovalores:
V
+
=[0.2+0.10.15][1K//1K//0.1K]/(1K+1K//1K//0.1K)
V
+
=[0.15][83.3]/(1083.3)=11.5mV
V
L
=(1+6K/3K)V
+
=3V
+
=34.6mV
V
L
=34.6mV
Anlisiscongransealconlaecuacindetransferenciadeltransistor.
CuandoelBJTestenlazonaactiva,sucorrientedecolectorpuedeexpresarsecon
laecuacin:
T
BE
V
V
ES t C
I I =
) (
Sienlaentradadeltransistoraplicamoslatensin:
be BEQ BE
V V V + =
Reemplazando:
ElectrnicaAnalgicaI
180
T
be
T
BEQ
V
V
V
V
ES t C
I I =
) (
Si: ( ) t w V V
o m be
cos = y
T
m
V
V
x =
Desarrollandolaexponencial,conseal,enseriedeFourier:
( )
( )
( ) ( ) ( ) t nw x I x I
o n o
t w x V
t w V
V
V
o T
o m
T
be
cos 2
1
cos
cos
+ = = =
Estasfuncionespuedenhallarse,paracadavalorden,resolviendolaintegral:
( )
( )
( )
d n x I
z
n
= cos
2
1
cos
ReemplazandoenIc(t):
( ) ( ) ( ) ( )
1
0
cos 2 t nw x I x I I t I
o n
V
V
ES c
T
BEQ
Secumple:
=
T
BEQ
V
V
ES CQ
I I
Reemplazando:
( ) ( ) ( ) ( )
+ =
1
0
cos 2 t nw x I x I I t I
o n CQ c
FactorizandoIo(x):
( ) ( )
( )
( )
( )
+ =
1 0
0
cos 2 1 t nw
x I
x I
x I I t I
o
n
CQ c
Llamando: ( ) x I I I
CQ DC 0
=
ElectrnicaAnalgicaI
181
ICQ=Corrientedebias(polarizacin)deltransistor.
Desarrollandoic(t):
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( ) K + + + + = t w
x I
x I
I t w
x I
x I
I t w
x I
x I
I I t I
o DC o DC o DC DC C
3 cos 2 2 cos 2 cos 2
0
3
0
2
0
1
Acontinuacinsemuestrantablasconvaloresdelasfuncionesdebessel:
Silacarga(RL)estenelcolector,latensindesalidaser:
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( ) ( ) K + + + + = = t w
x I
x I
I t w
x I
x I
I t w
x I
x I
R I R I R t I t V
o DC o DC o L DC L DC L c L
3 cos 2 2 cos 2 cos 2
0
2
0
2
0
1
Laarmnicafundamentalser:
( ) ( )
( )
( )
( ) t w
x I
x I
R I R t I t V
o L DC L c L
cos 2
0
1
1 1
= =
Definimoslatransconductanciaparagransealcomo:
( )
( )
( )
= =
x I V
x I
I
V
I
x G
m
DC
m
pico c
m
0
1
1
2
DividiendonumeradorydenominadorporVTobtenemos:
( ) ( )
( )
=
x xI
x I
g
x G
m
m
0
1
2
TablaconvaloresdeGm(x)/gm:
x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G
ElectrnicaAnalgicaI
183
x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G
x
( )
m
m
g
x G
5.0 0.3573 6.0 0.3041 7.0 0.2644 8.0 0.2338 9.0 0.2095
5.1 0.3512 6.1 0.2996 7.1 0.2610 8.1 0.2311 9.1 0.2073
5.2 0.3453 6.2 0.2952 7.2 0.2577 8.2 0.2285 9.2 0.2052
5.3 0.3395 6.3 0.2910 7.3 0.2544 8.3 0.2259 9.3 0.2031
5.4 0.3340 6.4 0.2869 7.4 0.2513 8.4 0.2234 9.4 0.2011
5.5 0.3286 6.5 0.2829 7.5 0.2482 8.5 0.2210 9.5 0.1991
5.6 0.3286 6.6 0.2790 7.6 0.2451 8.6 0.2186 9.6 0.1971
5.7 0.3183 6.7 0.2752 7.7 0.2422 8.7 0.2162 9.7 0.1952
5.8 0.3134 6.8 0.2715 7.8 0.2393 8.8 0.2139 9.8 0.1934
5.9 0.3087 6.9 0.2679 7.9 0.2365 8.9 0.2117 9.9 0.1915
SOLUCION:
La distorsin de segundo armnico se define como el valor eficaz del segundo
armnico dividido por el valor eficaz de la armnica fundamental. Esta divisin se
expresaenporcentaje:
D2=[2IDC[I2(x)/Io(x)]/2]/2IDC[I1(x)/Io(x)]/2]=[I2(x)]/[I1(x)]
Reemplazandovaloresyefectuandoparax=26mV/26mV=1:
D2=I2(1)/I1(1)=0.13575/0.56516=0.24=24%
D2=24%
Estosignificaquelaamplituddelasegundaarmnicaesel24%delaamplituddela
fundamental
TeoremadeMiller.
Este teorema es til para simplificar circuitos y en clculos de respuesta en alta
frecuencia.
SeaelcasodeunaimpedanciaZcolocadaentrelosnudosAyBdeunared:
LacorrientequesaledelnudoAhaciaBes:
IA=(VAVB)/Z=VA(1K)/Z
ElectrnicaAnalgicaI
184
Donde:K=VB/VA
Enformasimilar,lacorrientequesaledelnudoBhaciaAes:
IB=(VBVA)/Z=VB(11/K)/Z
Donde:K=VB/VA
Z K / ( K - 1 )
B
A
Z
Z / ( 1 - K )
B
R E D
A
ParapoderusarelTeoremadeMillerdebemosconocerpreviamentelarelacinde
tensiones entre los nudos B y A. Este teorema es til para determinar el polo
dominanteencircuitosconrealimentacincapacitiva.
Problema5.18:Enelcircuitomostrado,halleelcircuitoequivalenteMiller
+
VL
-
+ +
Vb
-
0.5K
1pF
-
2K
ib
40K
4K
Vg
150 ib
ElectrnicaAnalgicaI
185
SOLUCION:
Si se cumple que la reactancia de 1pF es mucho mayor que: 40K // 4K, podemos
hallarfcilmenteK: K=VL/Vb
VL=150ib(40K//4K) ib=Vb/2K
Luego: VL=150(Vb/2K)(40K//4K)=75Vb(40//4)
Finalmente: K=VL/Vb=272.7
Entonces: ZA=Z/(1K)=1/jwC(273.7)=1/jw(273.7pF)
ZB=ZK/(K1)=1/jw(1pF)
ModeloequivalentedeMiller:
2K
273.7pF
150 ib
Vg
+
VL
-
+
-
1pF
4K
40K
0.5K
+
Vb
-
ib
Teoremadesustitucin.
Este teorema es muy til para hacer modelos simplificados de los circuitos
electrnicos.Esteteoremaestablecelosiguiente:
Problema5.19:Enelcircuitomostrado:
a) Calculelastensionesycorrientesencadacomponente
b) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedetensinidealconlatensinV3y
calculelastensionesycorrientesencadacomponente
c) Reemplace la resistencia R3 por una fuente de corriente ideal con la corriente
I3ycalculelastensionesycorrientesencadacomponente
ElectrnicaAnalgicaI
186
R1 = 2K
12V
I3
R3 = 3K
R2 = 6K
+
V2
-
+ V1 -
I1
I2
+
V3
-
a) Tensionesycorrientesencadacomponente
HallamosI1: I1=12V/(2K+6K//3K)=3mA
Luego: V1=(3mA)(2K)=6V
Entonces: V2=V3=12V6V=6V
Finalmente: I2=V2/6K=1mA I3=V3/3K=2mA
b) ReemplacelaresistenciaR3porunafuentedetensinidealconlatensinV3y
calculelastensionesycorrientesencadacomponente
R1 = 2K
12V
I3
R2 = 6K
+
V2
-
+ V1 -
I1
I2
+
V3=6V
-
HallamosI1: I1=(12V6V)/2K=3mA
Delcircuito: V2=V3=6V
Finalmente: I2=V2/6K=1mA I3=I1I2=2mA
Vemos que ninguna tensin ni corriente ha variado al sustituir V3 por una
fuentedetensinideal.
ElectrnicaAnalgicaI
187
c) Reemplace la resistencia R3 por una fuente de corriente ideal con la
corrienteI3ycalculelastensionesycorrientesencadacomponente
R1 = 2K
12V
I3
R2 = 6K
+
V2
-
+ V1 -
I1
I2
I3=2mA
+
V3
-
Empleandoelmtododenodos:
(12V2)2K=V2/6K+2mA
Resolviendo: V2=6V=V3
Luego: V1=12V6V=6V
Finalmente: I1=6V/2K=3mA I2=6V/6K=1mA
I3=2mA
Vemos que ninguna tensin ni corriente ha variado al sustituir I3 por una
fuentedecorrienteideal.
ElectrnicaAnalgicaI
189
UNIDADTEMTICA
No.6
REGULADORES
REFERENCIASDEVOLTAJE:Hay2tiposdereferenciadevoltajecomnmenteusada
enlosreguladores.
1) La referencia bandgap o V
BE
: Este mtodo consiste en el hecho que dos
transistorestrabajandoadosdensidadesdecorrientediferentes,desarrollan
una diferencia de voltaje base. emisor predecible. Es usado en los
reguladoresintegradosdemayorcorriente(0.5A3A).
Uncircuitobsicosemuestraacontinuacin:
R3
Q2
Q3
Q1
+
V2
-
I2
I
+
VBE
-
I1
+ Vref
+
R2
R1
+
V1
-
Sedemuestraque: V
1
=V
BE
=V
T
ln(I
1
/I
2
)
ElectrnicaAnalgicaI
190
Adems:
V
2
=(R
2
/R
1
)V
BE
Luego:
Vref=V
BE3
+(R
2
/R
1
)V
BE
Ventajas:
Bajoruido
Mejorestabilidadalargoplazo.
Desventajas:
Dificultadparacontrolarlatoleranciainicialdevoltajedebidoaqueelvoltaje
baseemisorvaraconelanchodelabase.
Mayorderivatrmica
Losefectosdelosgradientestrmicossonmsseveros.
Ventajas:
Pocoscomponentes.
Buencontroldevoltajeinicial.
Desventajas:
Malaestabilidadalargoplazo.
Altoruido.
Puede ser mejorado si se hace un implante inico de una regin altamente
contaminadapordebajodelasuperficie.
REGULADORESDETENSIN.
Soncircuitosqueseconectanentrelafuenteprimariaylacarga.Debeadaptarsea
lascaractersticasdelafuenteprimariayalacarga.
ElectrnicaAnalgicaI
191
TIPOSDEREGULADORESDETENSIN:
Podemosclasificarlos,porsuformadeoperacin,en:
1. Reguladoreslineales.
2. Reguladoresnolinealesodeconmutacin.
REGULADORESLINEALES:
Operansiempreconunniveldetensindeentradasuperioraldesalida.Equivalen
a una resistencia cuyo valor se ajusta automticamente para que la salida se
mantengaconstante.
Disipanenergaynotienenmuybuenaeficiencia.
ProducenmenosruidoenlacargayenlaredAC.
Asuvez,sepuedenclasificarcomo:
1. Reguladorparalelo:Cuandoeldispositivoderegulacinestenparalelocon
la carga. Un ejemplo de ello es el regulador con diodo zener. Es el menos
eficiente y comnmente se le emplea para corrientes bajas o como circuito
dereferenciadetensin.
VCC
Reg.
R
RL
Problema6.1:Enelcircuitomostradosetiene:
20mAILDC200mAy20VVCC30V
Halle:
ElectrnicaAnalgicaI
192
a) ElvalormsadecuadoylapotenciamximadeR.
R
15V
Izk = 5mA
ILDC
+
VDC
-
VCC RL
b) Lapotenciamximaquedisiparelzener.
Solucin:
a) ValormsadecuadoylapotenciamximadeR:
R=(VCC15)/(5+ILDC)
R=(2015)/(5+200)=24.39 R=24.39
Lapotenciaser,mximaenRcuandoVCCseamxima:
Pmx=(3015)
2
/(24.39)=9.23W Pmx=9.23W
b) Potenciamximaquedisiparelzener:
El zener disipar mxima potencia cuando la tensin de entrada sea
mximaylacorrienteenlacarga,mnima:.
Pzmx=(15V)[(15/24.39)20mA]=8.93W Pzmx=8.93W
Tiposdereguladoresserie:
Hay diversos tipos de reguladores serie y que pueden tener protecciones
paraevitarexcesodecorrientey/otensinenlacargaodedisipacinde
potencia de los dispositivos de regulacin. Un diagramas de bloque tpico
eselsiguiente:
Dispositivo
Regulador
Salida
RL
Idc
I
FUENTE NO REGULADA
Comparador Referencia
de Voltaje
EJEMPLOSDEREGULADORESLINEALES:
Acontinuacinsonmostradosalgunosejemplosdereguladoresdiscretos.
Fuentereguladaconproteccincontracortocircuito:
Este regulador incluye proteccin contra cortocircuito. Q2 hace el papel de
comparador. Vz produce la tensin de referencia. El potencimetro sirve para
ajustarelvoltajedesalida.R1sirveparadarelarranqueinicialalafuente.
ElectrnicaAnalgicaI
194
R2
VZ
R4
Q2
Salida
Q1
R3
RL
R1
POT
FUENTE NO REGULADA
FuentereguladaconBJT:
En este regulador la fuente de corriente es representada por Q1. Q2 es el
dispositivo regulador. Obsrvese que est en la configuracin de seguidor emisivo
para reducir la impedancia de salida. Vz1 produce la tensin de referencia. El
potencimetrosirveparaajustarelvoltajedesalida.
VCC
R4
VZ1
R3
VZ2
RL
Q2
SALIDA
R2
POT.
Q3
R5
R1
Q1
REGULADORESNOLINEALESODECONMUTACIN(SWITCHING).
Sufuncionamientoescompletamentediferentealreguladorlineal,conelobjetivo
denodesperdiciarenergaenformadecalor.
Debidoaqueevitaneldesperdiciodeenerga,sueficienciapuedesercercanaala
unidad.
ElectrnicaAnalgicaI
195
Asuvez,sepuedenclasificarcomo:
1. Reguladorconmutadoafrecuenciadelared:Empleainterruptoresquese
bloquean cuando la tensin de la red AC cambia de polaridad.
ComnmentelosinterruptoressonrealizadosmedianteSCR.Requierenun
circuitodecontrolquedetectelospasosporcerodelatensinAC.
RD
D1 T2
D1
L
CONTROL
D1
T1
SALIDA
C RL
220Vac
RL
CONTROL
D1
C VCC
Q1
RD
L
SALIDA
ElectrnicaAnalgicaI
196
Diseodeunreguladordiscreto:
Acontinuacin,semuestraeldiseodeunreguladortpicoenelqueseempleaun
transistorcomocomprador.Ensulugartambinsepuedeemplearunamplificador
diferencialounoperacional.
Problema 6.2: Disee el siguiente regulador discreto para obtener una tensin de
salidade12Vdcy1A.
VCC
R4
VZ1
R3
VZ2
RL
Q2
SALIDA
R2
POT.
Q3
R5
R1
Q1
Solucin:
ElegimosuntransistorQ2conganancia=50
Paraqueeldiodozener,Z2,estensuzonaderupturalopolarizaremoscon10mA.
Por la red de muestreo del voltaje de salida, haremos pasar una corriente mucho
mayorqueladebasedeQ2.Elegimos:IR4=5mA
LacorrientedeemisordeQ2ser: IE2=1A+10mA+5mA=1.015A
LacorrientedebasedeQ2ser: IB2=1.015A/51=19.9mA
La corriente de colector de Q1 debe ser mayor que IB2 para que Q3 se mantenga
enlazonaactiva.Lafijamosen: IC1=25mA
Para lograr estabilidad trmica, elegimos Z1 y Z2 de 6.2V. esto nos permite hallar
R2
R2=(6.20.7)/25mA=220
R2=220 Z1=Z2=Zenerde6.2V
ElectrnicaAnalgicaI
197
Luego: R3=(126.2)/10mA=560
R3=560
Adems: R4+Pot+R5=12V/5mA=2.4K
Tambindebecumplirse: (5mA)R5<6.2V+0.7V=6.9V
R5<6.9V/5mA=1.38K R5=1K
Entonces: R4+Pot=1.4K
Finalmente, R4=2.4K1K0.5K=0.9K
R4=910
Para que Q2 siempre est en la zona activa, haremos que el voltaje colector
emisordeQ2noseamenorque12V.EstoaseguraqueQ1tambinestenlazona
activa.
Entonces,latensindeentradadeberser:
VCC=12V+12V=24V VCC=24V
HaremosquelacorrienteenZ1sea10mA
Deaqu: R1=(246.2)/10mA=1.78K
R1=1.8K
Acontinuacinsemuestraelcircuitoconsusvalores:
+
VCC
24V
Pot
500 86%
Z2
6V2
Z1
6V2
Q1
2N2905
Q3
2N2222
Q2
2N3055
RL
12
R1
1.8k
R5
1k
R4
910
R3
560
R2
220
ElectrnicaAnalgicaI
198
Tensindesalidaenvaco=12.07V
Tensinaplenacarga=11.84V
Regulacin=1.9%
REGULADORESCONCIRCUITOSINTEGRADOS:
Acontinuacinveremoslosreguladoresmscomunesascomosuscaractersticas
yaplicaciones:
ReguladorparaleloprogramableTL431:
Actaenformasimilaraundiodozener,conladiferenciaquesuvoltajepuedeser
ajustadoenunrangode2.5V36V.Puederecibircorrientesentre1y100mA.Su
resistenciadinmicaesde0.2.
Enlagrficasiguientesemuestransustiposdeencapsuladosyterminales.
Topview=VistasuperiorBottomview=VistainferiorFrontview=Vistafrontal
Cathode=Ctodo Anode=Anodo REF=Referencia
Diagramadebloquesysmbolo:
ANODO
2.5 Vref.
REF.
ANODO
REF. CATODO
CATODO
ElectrnicaAnalgicaI
199
CIRCUITOEQUIVALENTEDELTL431:
ANODO
20pF
800
CATODO
150
1K
2.4K
3.28K
20pF
10K
900
4K
REF.
7.2K
800
Caractersticasdeoperacinrecomendadas:
ElectrnicaAnalgicaI
200
Aplicaciones:
1. Reguladorparalelo:
R2
R
+
Vref
-
VCC
R1
+
Vz = Vref(1+ R1/R2)
-
LaresistenciaRdefinelamximacorrientedelregulador.
LacorrientequecirculaporR2es: I=Vref/R2
LatensinenR1esprcticamente: V=IR2=Vref(R1/R2)
Finalmente: Vz=V+Vref=Vref(1+R1/R2)
2. Reguladorparalelodealtacorriente:
R
VCC
+
Vz = Vref(1+ R1/R2)
-
R3
+
Vref
-
R2
R1
LaresistenciaR3definelamximacorrienteporeltransistor.
ElectrnicaAnalgicaI
201
Problema6.3:Enelreguladormostradosequiereobtener:VL=15VIL=0.5A.
a) CalculelosvaloresdeR1yR2.
b) CalculeelvalordeRsiVCC=30V.
c) Qucorrientemanejaeltransistorcuando:IL=0.5A?
d) QuvalordebetenerR3?
VCC
+
Vref
-
+
Vz = Vref(1+ R1/R2)
-
R
R1
R2
R3
RL
TL 431
Datos:
TL431:Vz=2.5(1+R1/R2) corrientemnima:Izmn=2mA
Asuma:IR1=1mA
Transistor:VEB=0.7V,=50Icmn=10mA
SOLUCION:
a) ValoresdeR1yR2.
Elvoltajeenlacargaes15V.Entonces:15=2.5(1+R1/R2)
Dedonde: R1/R2=(15/2.5)1=5
Elegimos: R2=1.5K luego: R1=7.5K
R2=1.5KR1=7.5K
b) ValordeRsiVCC=30V.
Considerandolamximacorrienteenlacarga:
30=R(500mA+30V/(7.5K+1.5K)+2mA+10mA/50+10mA)+15
DespejandoR: R=15/(515.53mA)=29.1
R=29.1
ElectrnicaAnalgicaI
202
c) Qucorrientemanejaeltransistorcuando:IL=0.5A?
Segndatos,debemanejarIcmn=10mA
Icmn=10mA
d) QuvalordebetenerR3?
ParaasegurarIzmn=2mAenelregulador: R3=0.7V/2mA=350
R3=350
ReguladorvariableLM317:
Es un circuito cuyo voltaje puede ser variado entre 1.2V y 37V, con corriente
mxima de 1.5 Amperios. Posee tambin limitacin de corriente y proteccin
trmica.
AcontinuacinsemuestraelencapsuladoTO220delLM417yterminales:
2 1
LM317T
3
ElectrnicaAnalgicaI
203
Diagramadebloques:
2 = Out
1 = Adj.
1.25 Vref.
Circuito de
Proteccin
3 = Input
R lim.
+
-
CIRCUITOEQUIVALENTEDELLM338:
3 Vin
R20
13K
R22
160
Q6
Q13
Q27
R4
82
D2
6.3V
R24
160
R8
12.4K
R16
6.7K
Q14
Q9
R18
130
R6
200K
R14
12K
Q21
R3
190
Q2
2 Vout
Q20
Q16
R15
2.4K
R11
5.8K
R27
50
Q3
Q18
Q7
Q1
D4
6V
R17
12K
R13
5.1K
Q19
R7
130
R10
4.1K
C2
30pF
Q22
C3 5pF
R12
72
R27
47K
Q8
Q17
Q23
Q5
1 Adj
R2
330
R1
330
R7
130
C1
30pF
Q11
Q4 Q26
R25
3
R21
400
Q24
D3
6.3V
R19
370 Q10
R26
0.03
Q25
R23
18K
Q12
D1
6.3V
R5
5.6K
Q15
Caractersticasdeoperacin:
ElectrnicaAnalgicaI
204
Aplicaciones:
1. Reguladorvariable:
R2
0.1uF
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
Entrada
1uF
R1
Salida
Vsalida=1.25V(1+R2/R1)
2. Reguladorvariableconproteccincontradescargacapacitiva:
R2
R1
D1
1N4002
C > 25uF
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
Salida
D2
1N4002
0.1uF
1uF
Entrada
ElectrnicaAnalgicaI
205
3. Reguladorvariableconsalidade030V:
R2
R1
D1
1N4002
C > 25uF
-12 a -18V
470
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
Salida
D2
1N4002
10uF
0.1uF
LM329C
1uF
Entrada
ElectrnicaAnalgicaI
206
4. Cargadordebaterade12VconLM317:
15
1K
15K
0.1uF
12V
BATERIA
Vin > 18V
LED
3K
500
Salida
0.5
1uF
+
-
U9
LM741
3
2
6
7
4
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
230
2N2905
1N4148
ReguladorvariableLM723:
Es un circuito muy verstil, con el cual se pueden hacer reguladores fijos y
variables,positivosonegativoseinclusodealtovoltajeyaltacorriente.
ElectrnicaAnalgicaI
207
Pin1:NC=Noconectado Pin8:NC=Noconectado
Pin2:CL=Lmitedecorriente Pin9:Vz=Zener
Pin3:CS=Sensadodecorriente Pin10:Vout=Salida
Pin4:IN=Entradainversora Pin11:Vc=Tensindecontrol
Pin5:IN+=Entradanoinversora Pin12:V+=Tensindealimentacin
Pin6:Vref=Tensindereferencia Pin13:FC=Compensacindefrecuencia
Pin7:V=Tierra Pin14NC=Noconectado
Diagramadebloques:
11
V+
CL - 2
Vref
FC
Vc
+
-
5
4
13
7
4
6
7
13
V-
VZ2
12
CS - 3
Vout-10
VZ - 9
ElectrnicaAnalgicaI
208
REGULADORDE35V20ACONLM723:
- VDC
Q4
2N3055
Q1
2N3055
Q2
2N3055
R24
1K
R10
47
R23 470
D2
1N4004
R16
0.47 / 5W
R30
3K3
R1
470
+ 35 VDC
Q7
TIP31C
R15
0.47 / 5W
+VDC
R20
5.6K
D6
1N4148
D5
1N4004
R4
470
REGULADOR DE 35 V / 20 A
D3
1N4004
17 VAC
R21
470
C1
0.1uF
R14
0.47 / 5W
R19
100
R2
470
D7
1N4148 C5
10uF / 63V
P2
100K
C3
680pF
R9
47
R13
0.47 / 5W
R28
100K
R7
47
R8
47
R29
100K
P1
100K
C4
100uF / 16V
Z1
3V 9
C2
2200uF / 25V
R12
47
R26
3K3
D1
6A / 600V
Q6
2N3055
Q5
2N3055
R17
0.47 / 5W
R18
0.47 / 5W
R3
470
R25
3K3
Q3
2N3055
R5
470
D4
1N4004
R11
47
R6
470
R27
680
R22
3K3
GND
U1
LM723
68 9
1
4
1
9
3
4
1
6
1
8
1
0
I
N
-
I
N
+
V
R
E
F
O
U
T
F
C
CL
CS
V
C
V
C
C
+
V
C
C
-
ElectrnicaAnalgicaI
209
REGULADORDE5V/1.5A
+ 5 VDC / 1.5A
100uF/25V
0.1uF/50V
1N4005
121
LM317
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
1000uF/50V
1N4005
365
100uF/50V -
+
REGULADORDE20V/5A
121
0.1uF/50V
0.1uF/50V
100uF/50V
22uF/50V
1N4005
22000uF/50V
1.82K
100uF/25V
+ 20 VDC / 5A
-
+
0.1uF/50V
LM338K
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
REGULADORDE20V/1.5A
1N4005
LM337
1 3
2
VIN VOUT
A
D
J
+
0.1uF/50V
1.82K
- - 20 VDC / 1.5A
1N4005
100uF/50V
1000uF/50V
121
100uF/25V
ElectrnicaAnalgicaI
210
REGULADORDE25V/6A
220
1nF
1K
50pF
MJ3000
560
27V
1nF
2.2/10W
LM723
456
1
0
1
3
23
1
1
9 1
2
7
I
N
-
I
N
+
V
R
E
F
O
U
T
F
R
Q
C
O
M
P
C
L
C
S
V
C
V
Z
V
C
C
+
G
N
D
390pF
0.1uF
-
+ 20V
+
5K
-
1N4148 390pF
33K
+
1K
0.2/5W 0.1uF
1K
47K
VARISTOR
100
1K
390pF
3.3V 3.3V
Q3
SCR
8A
5.1K
0.2/5W
10K
30V
0.2/5W
1uF/50V
0.2/5W
47K
10
MJ3000
Limitacindecorriente:
Unaproteccinmuycomnenlosreguladoresesellmitedecorriente.
EneldiagramadebloquesdelLM723setieneesetipodeproteccin:
ElectrnicaAnalgicaI
211
11
V+
CL - 2
Vref
FC
Vc
+
-
5
4
13
7
4
6
7
13
V-
VZ2
12
CS - 3
Vout-10
VZ - 9
LosterminalesCLyCSpermitenactivarestaproteccinenelregulador.Cuandoel
voltaje VCLCS es igual a 0.6V, el transistor comienza a conducir y quita corriente
de base al transistor de salida, impidiendo que su corriente exceda un lmite
prefijado.EntreCLyCSseponeunaresistenciashuntdebajovalor,lacualdetecta
lacorrientedecarga.
Acontinuacinesmostradalagrficaderespuestatpicaenunregulador:
IL
Icc
VL
ILmx
ElectrnicaAnalgicaI
212
Icceslacorrientedecortocirciuito(conRL=0).
Vemosquealactivarselaproteccin,latensindesalidaempiezaareducirsepara
evitarquelacorrientesubaexcesivamente.
Eltransistorreguladordebedisearseparasoportarlapotenciaquedisiparconla
corrienteIcc.
Limitacintipofoldback:
Esta proteccin es una versin mejorada del lmite de corriente. Hace que la
corriente de cortocircuito sea menor que ILmx. Esto permite que ante un
cortocircuitoeltransistorreguladornodisipeunapotenciamuyelevada.
Acontinuacinesmostradalagrficaderespuestatpicadeunreguladorconeste
tipodeproteccin:
IL
Icc
VL
ILmx
Proteccincontracortocircuito:
Esotrotipodeproteccinenlosreguladoresqueimpidelacirculacindecorriente
cuandosepresentauncortocircuitoenlasalida.
ElectrnicaAnalgicaI
213
Unejemploeselsiguiente:
R2
VZ
R4
Q2
Salida
Q1
R3
RL
R1
POT
FUENTE NO REGULADA
EltransistorQ2entregacorrientealtransistorreguladorQ1.Anteuncortocircuito
enlasalida,Q2pasaalazonadecorteydejadedarlecorrienteaQ1,conloquel
tambinpasaalazonadecorteyyanohaycorrientedesalida.
Limitacindepotencia:
Esta proteccin consiste en detectar tanto la tensin como la corriente del
transistor de potencia y conectarlas a un circuito multiplicador para obtener una
seal proporcional a la potencia que disipa. Esta se compara con el nivel de
referenciaqueestablecelamximapotenciaquedebedisipar.Cuandoseproduce
unexceso,elcontrolloobligaradisminuirsuconsumodepotencia.
Esunaproteccincostosaporquerequiereelusodecomponentesespecialespara
laproteccin.
Proteccincrowbar:
Estetipodeproteccinesusadoparaevitarqueseprduzcaunasobretensinenla
salida que pueda daar la carga. Esto puede producirse cuando se cruzan los
transistoresdepotenciadesalida.
Unejemploeselsiguiente:Reguladorde25V/6A
ElectrnicaAnalgicaI
214
220
1nF
1K
50pF
MJ3000
560
27V
1nF
2.2/10W
LM723
456
1
0
1
3
23
1
1
9 1
2
7
I
N
-
I
N
+
V
R
E
F
O
U
T
F
R
Q
C
O
M
P
C
L
C
S
V
C
V
Z
V
C
C
+
G
N
D
390pF
0.1uF
-
+ 20V
+
5K
-
1N4148 390pF
33K
+
1K
0.2/5W 0.1uF
1K
47K
VARISTOR
100
1K
390pF
3.3V 3.3V
Q3
SCR
8A
5.1K
0.2/5W
10K
30V
0.2/5W
1uF/50V
0.2/5W
47K
10
MJ3000
AnteunafalladelostransistoresMJ3000,aparecerunatensinmayorde25Ven
lasalida.Alsuperarlos30V,elzenerde30VconduciryhardispararalSCRQ3,el
cualharuncortocircuitoalaentradaobligandoaquemarseelfusiblede8A,con
ocuallafuentequedardesconectada.LaresistenciaenserieconelSCRseemplea
paraevitarqueestedispositivoconduzcademasiadacorrienteysedestruya.
Reguladoresfijosconcircuitointegrado:
Sonreguladoreslinealescuyasalidanopuedevariarse.Sonmuypopularesporque
facilitanmuchoeldiseodefuentesdealimentacin.
Haymodelosqueentregantensinpositivayotrosqueentregantensinnegativa.
Setienen2familiasmuyconocidas:
Lasiguientefiguramuestraunencapsuladotpicoconsudisposicindepines:
ElectrnicaAnalgicaI
215
LaserieLM79xxesunafamiliadereguladoresnegativos.Igualmente,elnmeroxx
indicalatensin.Ejemplo:LM7905=Reguladornegativode12voltios.
Lasiguientefiguramuestraunencapsuladotpicoconsudisposicindepines:
En este caso vemos que los terminales se numeran empezando del pin marcado
con el crculo, el cual indica al terminal 1. El encapsulado mostrado corresponde
tambin al cdigo TO220. El terminal 1 (Ground) es el de referencia (Tierra). El
terminal 2 (Input) es la entrada proveniente de la tensin rectificada y filtrada. El
terminal 3 (Output) es la salida del voltaje regulado, respecto al de referencia. El
terminal 2 est tambin conectado a la lmina metlica, la cual se emplea para
montajeenundisipador.
ElectrnicaAnalgicaI
217
UNIDADTEMTICA
No.7
RESPUESTAENFRECUENCIA
Hasta ahora hemos considerado que los parmetros de los transistores son
constantes. Sin embargo, en la prctica, esto no es cierto. Dichos parmetros
dependendelospuntosdeoperacin,delatemperatura,delafrecuencia,etc.
MATLABesunprogramadeclculo,muypopular,basadoenmatrices,queadems
permiteefectuarprogramacionesycuentaconpaquetesespecializados.
Losprogramasdesimulacinsonmuytilesparaanalizarelcomportamientodeun
circuitoypermitentenerunlaboratoriovirtualconelcualpodemoshacerrpidos
ajusteshastalograrlarespuestadeseada,paraluegopasaralapruebadelcircuito
enellaboratorio.Tambinnossirvencomoherramientadeestudiopuespodemos
verificar nuestros clculos tericos y explorar lo que podra suceder sI se varan
determinadosparmetros.
ElectrnicaAnalgicaI
218
Unodelosmtodos msutilizados para estudiarla respuestaenfrecuencia deun
amplificadorsonlosDiagramasdeBode(diagramaslogartmicosdelagananciayla
faseenfuncindelafrecuencia).Lafrecuenciaserepresentaenescalalogartmica
ylafaseygananciaenescaladecimal(engradosydecibeles,respectivamente).
Unapendientede20db/dcadaesprcticamenteequivalenteaunapendientede
6db/octava.
5.1. RESPUESTAENFRECUENCIADELOSAMPLIFICADORES:
Larespuestaenfrecuenciaserefierealcomportamientodelosdispositivos
yamplificadoresalcambiarlafrecuencia.
2) RESPUESTAENFRECUENCIASMEDIAS:Enestareginelamplificador
actaconsumximagananciaysusparmetrospuedenconsiderarse
comonmerosreales.Aquseutilizanlosmodelosdebajafrecuencia
del transistor. Las reactancias externas pequeas pueden ser
ElectrnicaAnalgicaI
219
consideradas como cortocircuitos y las reactancias grandes como
circuitosabiertos.
PUNTOSDEMEDIAPOTENCIAYANCHODEBANDA:
Comnmente las frecuencias fL ( wL) y fH ( wH), anteriormente
mencionadas,sedeterminanenlospuntosenquelasealdesalidaposee
la mitad de la potencia que tiene en frecuencias medias. Cuando la
ganancia se expresa en decibeles, los puntos de media potencia se
determinanrestando3dbalagananciaenfrecuenciasmedias.
Elanchodebandadeunamplificadorsedefinecomoladiferenciaentrelas
frecuenciasdecortesuperiorydecorteinferior:
BW=fHfL(usandolafrecuenciacclica)
BW(rad/s)=wHwL(usandolafrecuenciaangular)
Haycasosenloscualeselanchodebandasedefinecondiferentecriterio,
como es el caso de los amplificadores de vdeo, donde se determina
restandoslo1dbalagananciaenlaregindefrecuenciasmediasdebido
a que la vista puede detectar variaciones ms pequeas en los niveles de
iluminacin
Actividad.Pasividad.
Un transistor es pasivo cuando la potencia promedio total en pequea
seal que ingresa por todos sus puertos es cero o positiva. (Si es cero, el
circuitonotieneprdidas.Siespositivo,elcircuitotieneprdidas).
Enelcasocontrario,eltransistoresactivo.
ElectrnicaAnalgicaI
220
Modelodeparmetroshbridosdeltransistor
Estemodelodealtafrecuenciaypequeasealdeltransistoresmuyusado
porque sus parmetros se mantienen casi constantes con la frecuencia.
Puedenserusadoshastalafrecuenciadecortealfa(f)deltransistor.
Acontinuacinsemuestraelmodelo:
E
+
vce
-
ib
gm V
r
+
vbe
-
+
V
-
B
C
C
ic
ro
E
C
rx
r
rx=resistenciadedispersindebase
r=resistenciadeentrada
r=resistenciaderealimentacin
ro=resistenciadesalida
C=capacidaddecentrada
C=capacidadderealimentacin
Estemodelopuedesersimplificadosegnlafrecuenciadeoperacin,
teniendoencuentalasredesenparalelo:rCyrC
rylareactanciadeCsonigualesalafrecuencia:
C r
f
2
1
1
=
Afrecuenciasmuchomenoresquef
1
sepuededespreciarCysloqueda
r
Afrecuenciasmuchomayoresquef
1
sepuededespreciarrysloqueda
C
rylareactanciadeCsonigualesalafrecuencia:
C r
f
2
1
2
=
ElectrnicaAnalgicaI
221
Afrecuenciasmuchomenoresquef
2
sepuededespreciarCysloqueda
r
Afrecuenciasmuchomayoresquef
2
sepuededespreciarrysloqueda
C
Comnmentesecumpleque:C>>Cyr>>r>>rx
Segnlosvaloresdeestosparmetros,podremossimplificarmsalcircuito
equivalente.
Afrecuenciasdeaudio,elmodelopuedereducirsea:
E
+
V
-
C
r
gm V
B
E
C C r
gm
f
x
4 2
1
max
=
RESPUESTAENFRECUENCIADELTRANSISTOR.
Losparmetrosdeltransistortambinvaranconlafrecuencia.
Respuestaenfrecuenciaenemisorcomn:Aqugraficamoslamagnitudasinttica
delaganancia,hfe,endbvsfrecuencia:
ElectrnicaAnalgicaI
222
fT
hfe
db
0
hfeo
f
f
f=Frecuenciadecorte.Eslafrecuenciadelpuntodemediapotenciadehfe.
Productogananciaanchodebanda.
Lafrecuenciadetransicin(f
T
)esdadapor:
C
g
f
m
T
2
=
Estafrecuenciatambinrecibeelnombredeproductogananciaanchodebanda
Lagananciadecorrienteenbajafrecuenciaes:
r g h
m fe
=
Frecuenciasdecorte.
Lafrecuenciadecorte(f
)esdadapor:
C r h
f
f
fe
T
2
1
= =
d b
0
o
f
f
ElectrnicaAnalgicaI
223
f = Frecuencia de corte . Es la frecuencia del punto de media potencia de . Su
valoresmuycercanoafT.
METODOSDERESPUESTAENFRECUENCIA
Haytresmtodosderepresentacindefuncionesdetransferenciasinusoidales,los
cualesson:
DiagramasdeBode(diagramaslogartmicos)
DiagramapolarodeNyquist
Diagramadellogaritmodelaamplitudenfuncindelafase.
DIAGRAMASDEBODE:
Son diagramas logartmicos que representan la funcin de transferencia en el
estado estacionario con excitacin sinusoidal. Debido a que la funcin de
transferenciaeneldominiodelafrecuenciayenestadoestacionarioconpequea
seal, es un nmero complejo, tendr magnitud y fase, por lo general, ambas
dependientesdelafrecuencia.
La magnitud se expresa en decibeles (db, que es la dcima parte del Bel, una
unidaddepotenciasonora),lafaseengradossexagesimales;ambassegraficanen
escala decimal y la frecuencia se representa en un eje logartmico. El uso de los
decibeles para la ganancia facilita la obtencin de los diagramas de sistemas ms
complejos debido a que los productos se convierten en sumas y las divisiones en
restas. Esto a su vez permite tener la representacin de magnitud y fase de
factores elementales para, en base a ellos, obtener las grficas de sistemas ms
complejos.
Por ese motivo estudiaremos primero los cuatro factores bsicos que pueden
intervenirenlafuncindetransferencia:
Lamagnitudendbes: Ao(db)=20log(Ao)
Sitienesignopositivo,lafaseser0y,siesnegativo,lafaseser180.
Tantolamagnitudcomolafasesonconstantesconlafrecuencia.
ElectrnicaAnalgicaI
224
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
f ( H z )
A
o
(
d
b
)
F a c t o r G a n a n c i a
Factoresintegralesyderivativos:Sondelaforma:G(jw)=1/jwG(jw)=jw
1) Paraelfactorintegral:
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=20log(1/w)=20log(w)
Lafaseesconstante: (jw)=90
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 4 0
- 3 0
- 2 0
- 1 0
0
1 0
2 0
F a c t o r I n t e g r a l
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
p e n d i e n t e = - 2 0 d b / d e c
ElectrnicaAnalgicaI
225
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 9 1
- 9 0 . 8
- 9 0 . 6
- 9 0 . 4
- 9 0 . 2
- 9 0
- 8 9 . 8
- 8 9 . 6
- 8 9 . 4
- 8 9 . 2
- 8 9
F a s e d e l F a c t o r I n t e g r a l
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
F a s e c o n s t a n t e = - 9 0 g r a d o s
2) Paraelfactorderivativo:
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=20log(w)=20log(w)
Lafaseesconstante: (jw)=90
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 2 0
- 1 0
0
1 0
2 0
3 0
4 0
F a c t o r D e r i v a t i v o
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
p e n d i e n t e = + 2 0 d b / d e c
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
8 9
8 9 . 2
8 9 . 4
8 9 . 6
8 9 . 8
9 0
9 0 . 2
9 0 . 4
9 0 . 6
9 0 . 8
9 1
F a s e d e l F a c t o r D e r i va t i vo
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
F
a
s
e F a s e c o n s t a n t e = 9 0 g r a d o s
ElectrnicaAnalgicaI
226
Factoresdeprimerorden:Sondelaforma:
G(jw).=(1+jwT)G(jw)=1/(1+jwT)
1) Cerodeprimerorden:G(jw)=1+jwT
Lamagnitudendbes: |G(jw)|db=10log(1+(wT)
2
)
Lafasees: (jw)=arctan(wT)
Estas grficas se representan muchas veces por sus asntotas, las que la
describen en forma bastante aproximada, pudindose llegar con bastante
precisin a la grfica real haciendo algunas correcciones. Estas asntotas se
obtienenparawT<<1yparawT>>1:
Para:wT>>1,lamagnitudseaproximaa20log(wT);porlotanto,lasegunda
asntota ser una recta con pendiente = 20 db/dec (similar al factor
derivativo).
Elmximoerrorentrelarepresentacinrealylaasintticasepresentaen
wT=1.Enestecasoelerroresde:3.03db.
Estepuntoequivalealpuntodemediapotencia.
Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db
ElectrnicaAnalgicaI
227
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
0
5
1 0
1 5
2 0
2 5
3 0
3 5
4 0
4 5
C e r o d e P r i m e r O r d e n
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
jw
)
|d
b
p e n d i e n t e = + 2 0 d b / d e c
C u r v a r e a l
G r a f i c a a s i n t o t i c a
2) Polodeprimerorden:G(jw)=1/(1+jwT)
Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log(1+(wT)
2
)
Lafasees: (jw)=arctan(wT)
Estasgrficastambinserepresentansusasntotas.
EstasasntotasseobtienenparawT<<1yparawT>>1:
Unaoctavaantes,elerrores:0.97db
Unaoctavadespuselerrortambines:0.97db
Unadcadaantes,elerrores:0.0432db
Unadcadadespuselerrortambines:0.0432db
1 0
- 2
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 4 0
- 3 5
- 3 0
- 2 5
- 2 0
- 1 5
- 1 0
- 5
0
P o l o d e P r i m e r O r d e n
w ( f r e c u e n c i a a n g u l a r )
|
G
(
j
w
)
|
d
b
C u r v a r e a l
G r f i c a a s i n t t i c a
ElectrnicaAnalgicaI
229
Acontinuacindamoslatablaconlosfactoresdecorreccinparamagnitudyfase:
wT 0.1 0.5 1 2 10
|G(jw)|db +/0.0432 +/0.97 +/3.03 +/0.97 +/0.0432
Fase +/5.7 +/26.6 +/45 +/63.4 +/84.3
Factorescuadrticos:
Sondelaforma:
G(jw).=[1+2(jw/wn)+(jw/wn)
2
]G(jw)=1/[1+2(jw/wn)+(jw/wn)
2
]
wnrecibeelnombredefrecuencianatural
recibeelnombredefactordeamortiguamiento
Estosfactorestienen3tiposderespuesta:
Cuando>1,larespuestaessobreamortiguadaylasracessonreales.
Cuando 0 < > 1, la respuesta es sub amortiguada y las races son complejas y
conjugadas.
La respuesta con que acte depende de los valores de y wn; stos a su vez
dependendelosvaloresdeloscomponentesdelamplificador.
1) Cerosdesegundoorden:G(jw)=[1+2(jw/wn)+(jw/wn)
2
]
Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log{[1(w/wn)
2
]
2
+(2w/wn)
2
)}
Lafasees: (jw)=arctan{(2w/wn)/[1(w/wn)
2
]}
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
it
u
d
e
(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 2 0
0
2 0
4 0
M a g n i t u d
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
F a c t o r d e a m o r t i g u a c i n = 0 . 1
F a c t o r d e a m o r t i g u a c i n = 0 . 1
P e n d i e n t e = 4 0 d b / d e c
ElectrnicaAnalgicaI
230
F requenc y (rad/ s ec )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
B ode Di agram s
0
10
20
30
40
50
Magnitud
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
F
a
s
e
P endi ent e= 40db/ dec
F ac t or de at enuac i n= 1
F ac t or de at enuac i n= 1
F requenc y (rad/ s ec )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
B ode Di agram s
0
2 0
4 0
6 0
8 0
1 0 0
Ma g n itu d
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
10
-2
1 0
-1
1 0
0
10
1
1 0
2
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
w/ wn (frec uenc i a angul ar norm al i z ada)
F
a
s
e
P endi ent e= 40db/ dec
F ac t or de at enuac i n = 5
F ac t or de at enuac i n = 5
Observandolasgrficasdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenelcualla
ganancia disminuye, la pendiente en esa regin es ms pronunciada (ms
selectiva),llegandoaunapendientede40db/dcadaparafrecuenciasaltas.
ElectrnicaAnalgicaI
231
Cuando el sistema es crticamente amortiguado, ya no hay pico de resonancia, la
pendiente en esa regin es menos pronunciada, llegando a una pendiente de
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.
2) Para:G(jw)=1/[1+2(jw/wn)+(jw/wn)
2
]
Lamagnitudendbes:|G(jw)|db=10log{[1(w/wn)
2
]
2
+(2w/wn)
2
)}
Lafasees: (jw)=arctan{(2w/wn)/[1(w/wn)
2
]}
Observandolasgrficassiguientesdecadacaso,podemosdecirque:
Cuandoelsistemaessubamortiguado,apareceunpicoderesonanciaenel
cuallagananciaaumenta,lapendienteenesareginesmsinclinada(ms
selectiva), llegando a una pendiente de 40db/dcada para frecuencias
altas.
Podemosobservarquerexistesloparavaloresde:0<<0.707
Elvalordelpicoderesonanciaesdadopor:
2
1 2
1
=
r
M
vlidoparavaloresdelarelacindeamortiguacin():0<<0.707
Paravaloresde:>0.707entonces:Mr=1
Paravaloresdequeseacercanacero:Mr=tiendeainfinito
ElectrnicaAnalgicaI
232
Cuandoelsistemaessobreamortiguado,tampocohaypicoderesonancia,
la pendiente inicial es la ms baja (la menos selectiva), cayendo a
40db/dcadaparafrecuenciasaltas.
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 4 0
- 2 0
0
2 0
P o l o s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
F a c t o r d e a t e e n u a c i n = 0 . 1
F a c t o r d e a t e e n u a c i n = 0 . 1
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 4 0
- 3 0
- 2 0
- 1 0
0
P o l o s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
- 1
1 0
0
1 0
1
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( f r e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 1
ElectrnicaAnalgicaI
233
F r e q u e n c y ( r a d / s e c )
P
h
a
s
e
(
d
e
g
)
;
M
a
g
n
i
t
u
d
e
(
d
B
)
B o d e D i a g r a m s
- 1 0 0
- 8 0
- 6 0
- 4 0
- 2 0
0
Po lo s d e S e g u n d o O r d e n
w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
2
- 2 0 0
- 1 5 0
- 1 0 0
- 5 0
0
w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F
a
s
e
P e n d i e n t e = - 4 0 d b / d e c
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5
F a c t o r d e a t e n u a c i n = 5
RESPUESTAENBAJAFRECUENCIA
Estudiaremos el caso de un amplificador en emisor comn como el mostrado a
continuacin:
RL
CE
Vg
Q
RC
+VCC
+
Vo
-
C2
R1
R2 RE
C1
Acontinuacinrepresentamosalcircuitoconsumodeloparaseal:
ElectrnicaAnalgicaI
234
C1
CE
Rb
Q
Vg
RC
RE
C2
RL
+
Vo
-
Rb=R
1
//R
2
RC
hie
RE
RL
C2
CE
Vg
C1
+
Vo
-
hfe ib
Rb
ib
PlanteamoslasecuacionesdeKirchoffparaobtenerlafuncindetransferencia:
Enelcircuitodesalida:
( )( )
( ) s C R R
i s C R R h
V
L C
b L C fe
o
2
2
1 + +
=
Enelcircuitodeentrada:
( )( )
( )( ) ( )( ) ( )
b E E ie b E E b E fe
E E b
g
b
R s C R h s C R s C R s C R R h
s C R s C R
V
i
+ + + + + + +
+
=
1 1 1 1 1
1
1 1
1
ElectrnicaAnalgicaI
235
Finalmente:
( )
( )
( )
( )( )
( ) [ ]
( )
+ + +
+
+
+ + + + + +
+
= =
2 1 1 1
2
2 2
1 1
1 1 1
1
1
C C R R h
R h h R
C h
h
C R C h C R
s s s R R
s C R s
C R h
C R R h
s V
s V
s A
E b ie
E fe ie b
E ie
fe
b ie E E
C L
E E
E E ie
L C fe
g
o
v
Observamosqueestafuncindetransferenciatiene3ceros:
Dosenelorigen:s=0 y
Unoen:s=1/RECE
- Unoen:s=1/(RC+RL)C2
Enestecasopodemosdecirqueelpolodesalidaseobtieneconlaresistenciaque
``veC2cuandolosdemscondensadoressecomportancomocortocircuitosyno
haysealdeentrada.
ElectrnicaAnalgicaI
236
Segnesto,laresistenciaque``veC
1
es:Rb//hie
Luego,elpoloaproximadoproducidoporC1es:
( )
ie b
h R C
s
//
1
1
Segnesto,laresistenciaque``veCEes:
ib E
fe
ie
E
h R
h
h
R //
1
// =
Luego,elpoloaproximadoproducidoporCEes:
+
=
fe
ie
E E
h
h
R C
s
1
//
1
Dondehibeslaresistenciadeentradadeltransistorenbasecomn.
Supongamosahoraquealafuncindetransferenciaanteriorpodemosfactorizarla
yexpresarlaenlaformasiguiente:
( )
( )
( )
( )
+
= =
2 1
2
1 1 1
1
p
s
p
s
p
s
z
s
s A
s V
s V
s A
E
E
o
i
o
v
Multiplicandoelnumeradoryeldenominadorpor:
3
2 1
s
p p p
E
ydesarrollando
Obtenemosenelestadoestacionario:
( )
( )
( )
( ) ( )
E E E E
E
E
o
i
o
v
p p p
jw
p p p p p p
jw
p p p
jw
p p p
z jw
A
s V
s V
s A
2 1
3
2 1 2 1
2
2 1
2 1
1 1 1
1
1 1
+ + +
+ + +
+
= =
E L
p p p + + =
2 1
RL
CE
Vg
Q
RC
+VCC
+
Vo
-
C2
R1
R2 RE
C1
Elmodeloparaseal,conlascondicionesdadas,eselsiguiente
hie
Vg
RC
+
Vo
-
hfe ib
ib
Rb
C1
RL
( )
b L C fe o
i R R h V // =
( )( )
( ) ( ) s C h R h
V h R s C
i
ie b ie
g ie b
b
1
1
// 1
//
+
=
Finalmente:
( )
( )
( )
( )( )( )( )
( ) ( ) s C h R h
s C h R R R h
s V
s V
s A
ie b ie
ie b L C fe
g
o
v
1
1
// 1
// //
+
= =
ElectrnicaAnalgicaI
238
Podemosverqueapareceunceroenelorigenyunpoloen:
( )
1
//
1
C h R
s
ie b
Rb//hieesjustamentelaresistenciaque``veC1cuandolosdemscondensadores
secomportancomocortocircuitoynohaysealdeentrada.
PROBLEMA7.2:Repitaelproblemaanteriorhallandoelpoloyelcerointroducido
porCEcuandoC1yC2secomportancomocortocircuito
Elmodeloparasealenestecasoeselmostradoenelsiguientegrfico.
Igualmente:
( )
b L C fe o
i R R h V // =
Adems:
( )
( )
( ) s C R h R h h
V s C R
s C
R h h
V
i
E E ie E fe ie
g E E
E
E fe ie
g
b
+ + +
+
=
+ +
=
1
1
1
// 1
Finalmente:
hie
Vg
RC
+
Vo
-
hfe ib
CE
ib
RE
Rb RL
( )
( )
( )
( )( )( )
( ) s C R h R h h
s C R R R h
s V
s V
s A
E E ie E fe ie
E E L C fe
g
o
v
+ + +
+
= =
1
1 //
Vemosquehayunceroen:
E E
C R
s
1
=
Yunpoloen:
( ) ( )
( )
E E ib E E ie
E fe ie
C R h C R h
R h h
s
//
1
1
=
+ +
=
ElectrnicaAnalgicaI
239
Igualmente,podemosdecirqueelpoloseobtienepormediodelaresistenciaque
``ve CE cuando los dems condensadores se comportan como cortocircuito y no
hay seal de entrada. Podemos darnos cuenta fcilmente de ello si usamos el
modelodebasecomnparaeltransistor.
Lo anterior tambin nos da un mtodo de diseo para obtener los valores de los
condensadoresdeacoploybypass.
12Vdc
R1
10K
CE
C1
Rg
1K
RL
10K
Q
2N2222
Vg
RC
2K
C2
RE
820
R2
3k
Bajoestascondiciones,cuandoactanC
1
yC
2
,C
E
annoactaypodemoshacerel
siguientemodeloparapequeaseal:
ElectrnicaAnalgicaI
240
Vg
C2
RC
2K
C1
Q
2N2222
RL
10K
Rg
1K
Rb
2.3k
RE
820
Reemplazandovalores: RC1=2.22K
Entonces:C1=1/2(10)(2.22K)=7.15uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C1=10uF
Entonces:C2=1/2(10)(12K)=1.33uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:C2=2.2uF
AlafrecuenciaqueactaC
E
,C
1
yC
2
yahanactuadoypodemosconsiderarquese
comportan como cortocircuitos. Bajo estas condiciones, podemos hacer el
siguientemodeloparapequeaseal:
ElectrnicaAnalgicaI
241
Vg
CE
RC
2K
Q
2N2222
RL
10K
Rg
1K
Rb
2.3k
RE
820
LaresistenciaqueveCEes: RCE= R
E
//[hib+(Rb//Rg)/(1+hfe)]
Reemplazandovaloresyefectuando:RCE= 820//[49.3]=46.5
Entonces:CE=1/2(100)(46.5)=34.2uF
Podemoselegirelvalorcomercialsuperiormsprximo:CE=39uF
Conestosvalorespodemoshacerunasimulacindelarespuestaenfrecuencia:
CALCULODELARESPUESTAENFRECUENCIAUSANDOMATLAB:
Usaremoscomoejemploelcasodeunfiltroactivopasabajocomoelsiguiente:
Vi
C
0.1uF
R1
5.6K C
0.1uF
R1
5.6K
+ 12 V
R
10K
+
Vs
-
-
+
LM741
3
2
6
4
7
R
10K
- 12 V
ElectrnicaAnalgicaI
242
La funcin de transferencia, obtenida considerando caractersticas ideales del
OPAMPparasimplificarlaexpresineslasiguiente:
AV(s)=[2(1+2R1Cs)]/[1+R1Cs+R1Cs
2
]
Reemplazandolosvaloresdeloscomponentesobtenemos:
AV(s)=[2+0.00224s)]/[1+0.00056s+0.0000003136s
2
]
Conlafuncindetransferenciayadeterminada,ingresamosalprogramaMATLAB
Cuandoapareceelprompt(>>)deMATLABescribimos:
>>num=[00.002242] <enter>
>>den=[0.00000031360.000561] <enter>
>>bode(num,den) <enter>
>>title(RespuestaenFrecuenciadelFiltroActivoPasabajo) <enter>
Larespuestaenfrecuenciaempleandounsimuladornosdalagrficasiguiente:
DISEODEFILTROSACTIVOSMEDIANTEAMPLIFICADORESOPERACIONALES
Entrelostiposdefiltrostenemos:
- Filtropasabajo:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnpordebajodeun
determinadovalor(f
L
)
- Filtropasaalto:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnporencimadeun
determinadovalor(f
H
)
- Filtropasabanda:Dejanpasarlasfrecuenciasqueestnentreunrangode
valores(f
L
yf
H
)
- Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estn
entreunrangodevalores(f
L
yf
H
)
ElectrnicaAnalgicaI
243
- Filtro pasa todo (desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producendesfasaje.Selesempleacomodesfasador.
Lafuncindetransferenciadeunfiltropasabajotienelaformasiguiente:
H(s)=N(s)/D(s)
N(s)yD(s)sonpolinomiosens
Hay muchas familias de filtros pasa bajos. Cada filtro de una familia posee una
funcindetransferencianica.Lalocalizacinycomplejidaddelospolosycerosde
la funcin de transferencia definen por completo la respuesta del filtro. La mayor
partedelosrequisitosquedebecumplirunfiltrosesatisfaceneligiendocualquiera
delassiguientesfamilias:
Parafacilitareldiseoseempleanfiltrosnormalizados.
Porejemplo,paraunfiltronormalizadoButterworthdesegundoorden(n=2)es:
H(s)=1/[s
2
+1.414s+1]
ElectrnicaAnalgicaI
244
Lospolosson: s
1
=0.707+j(0.707) y s
2
=0.707j(0.707)
Para el diseo se tienen grficos y tablas normalizados para cada familia, las que
permitencalcularloscomponentesparalatopologaseleccionada
PROBLEMA7.4:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaunitariayfrecuenciadecortede100Hz.
+
Vi
-
R
+
VL
-
-
+
C2
R
V1
C1
Solucin:
Planteamos las ecuaciones de nudo mediante la transformada de La place
considerandoeloperacionalideal:
(ViV
1
)/R=(V
1
V
L
)C
1
s+(V
1
V
L
)/R
Luego: Vi=V
1
(2+RC
1
s)(1+RC
1
s)V
L
Adems: (V
L
V
1
)/R+V
L
C
2
s=0
Luego: V
L
(1+RC
2
s)=V
1
Medianteestasecuacioneshallamoslafuncindetransferencia:
ElectrnicaAnalgicaI
245
1
H(s)=
R
2
C
1
C
2
s
2
+2RC
2
s+1
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:
Polos: 1.1030j0.6368
Lascapacidadesnormalizadasson: C
1
=0.9060 C
2
=0.68
Lafrecuenciaangulardecortees: wc=2fc=628rad/s
ElegimosunvalorarbitrariodeR: R=43K
HallamoslosvaloresrealesdeC1yC2,demaneraqueseaproximenavalores
comerciales:
0.9060 0.68
C1==33.55nFC2==25.18nF
(628)(43K) (628)(43K)
Laatenuacina500Hzser20.4db
PROBLEMA7.5:Diseeunfiltroactivopasabajodesegundoorden,tipoBessel,
congananciaiguala2yfrecuenciadecortede100Hz.
R
+
Vi
-
+
VL
-
-
+
C
R2
R
R1
V1
C
Solucin:
DelastablasparadiseodefiltrostipoBesseldesegundoorden,normalizados,
obtenemos:
ElectrnicaAnalgicaI
246
Polos: j=1.1030j0.6368
Elegimosunvalorarbitrariodelacapacidad,devalorcomercial: C=27nF
Lafrecuenciadecortees: fc=100Hz
Luego: 1
R
1
==26.67K R
2
==80.16K
4fcC fcC(
2
+
2
)
ACOPLOCONTRANSFORMADORESENBANDAANCHA:
En el siguiente grfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamoslatransformadadeLaPlaceobtenemoslasecuacionesquedescribensu
funcionamiento.Enellasestamosdespreciandolasresistenciasdelosdevanados.
2 1 2
2 1 1
I sL sMI V
sMI I sL V
s
p
+ =
+ =
Enconsecuencia,todocircuitoquetengalasmismasecuacionesdeltransformador
podrserreemplazadoporl,sinquevarenlastensionesnicorrientes.
Ademssecumpleque:
s p
L L k M =
k=Factordeacoplo
Unodesusmodelosmsutilizadossemuestraenlafigurasiguiente:
ElectrnicaAnalgicaI
247
Ldp
n:1
IDEAL
rp rs
Lm
rp = resistencia del primario
rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersin del primario
Lm = Inductancia de magnetizacin
n = relacin de transformacin
Puedeexpresarse:
Ldp=(1k
2
)Lp ; Lm=k
2
Lp y n=k(Lp/Ls)
1/2
Cuandoelfactordeacoploseacercaalaunidad,sepuedehacerlasiguiente
aproximacin:
n=(Lp/Ls)
1/2
rs
+
Vo
- RL
n:1
ideal
Rg
Lm
Ldp
Vg
rp
Rg=resistenciadelafuentedesealdeentrada
R
L
=resistenciadecarga
ElectrnicaAnalgicaI
248
Podemosobtenerlafuncindetransferencia:
( )
( )
( )
m dp
s p
dp
s
m
s
dp
p
dp
L
i
o
L L
R R
L
R
L
R
L
R
s s
s
L
nR
s V
s V
s H
+
+ + +
= =
2
Observamosque:
Enlaregindefrecuenciasmedias,lafuncindetransferenciaseconvierteen:
( )
( )
( )
( )
( )
s L p g
L p g
i
o
r R n r R
nR r R
s V
s V
s H
+ + +
+
= =
2
DerivandoH(s)respectoden,eigualandoacero,podemosobtenerelvalorden
quehacemximaaH(s):
s L
p g
m
r R
r R
n
+
+
=
ReemplazandoenH(s)obtenemos:
( )( )
s L p g
L
m
r R r R
R
H
+ +
=
2
Loanteriorquieredecirquesiqueremosquelatensindesalidaseamximaenla
carga, debemos hacer que la relacin de transformacin sea dada por la ecuacin
denm.
ElectrnicaAnalgicaI
249
Las resistencias rp y rs de los devanados disminuyen la eficiencia del
transformador. El caso ideal se tiene cuando rp y rs valen cero y podemos definir
unaeficienciadeltransformador(
T
)comparndoloconelcasoideal:
Lideal
L
T
P
P
=
Donde:
y
( )( )
g
g
Lideal
s L p g
L
L
g
L
R
V
P
r R r R
R
R
V
P
8
4 2
2
2
2
=
+ +
Reemplazando:
+
= =
s L
L
p g
g
Lideal
L
T
r R
R
r R
R
P
P
Delaexpresinanteriorconcluimosque:
Paraelevarlaeficienciadebecumplirse:Rg>>rp y R
L
>>rs
LaecuacindeH(s)nosmuestraquehayunceroenelorigenydospolos.
Dependiendodelosvaloresdelosparmetros,estospolospuedenserrealeso
complejos:
p
1
=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]+0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)
2
4
RpRs/LdpLm]
1/2
p
2
=(0.5)[Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp]0.5[(Rp/Ldp+Rs/Lm+Rs/Ldp)
2
4
RpRs/LdpLm]
1/2
Sinembargo,enlostransformadoresdebandaanchasecumple:Lm>>Ldp
ElectrnicaAnalgicaI
250
Debidoaello,lospolosestarnmuyalejadosunodelotroypodremosobtener
expresionesaproximadasparaellos:
( )
( )
m
s p
dp
s p
L
R R
p
L
R R
p
//
2
1
=
+
=
Entonceslosvaloresaproximadosdelospolostienenunerrordentrodel5%
SisecumpleLm>100Ldp,elerrorbajaal1%paracualquierrelacinentreRpyRs
REDESLINEALESDESEGUNDOORDEN
Este tipo de redes poseen dos elementos reactivos y responden a la siguiente
ecuacindiferencial:
d
2
y/dt
2
+2dy/dt+
o
2
y=f(t)
Lasolucinparat>0esdelaforma:
y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
+yss(t)
Los trminos: A
1
e
p1t
+ A
2
e
p2t
constituyen la solucin homognea, llamada
tambin respuesta natural o estado transitorio. Si los coeficientes p
1
y p
2
de los
exponentes (denominados polos) son negativos, las exponenciales sern
decrecientesydespusdeuntiempohabrndesaparecido,quedandosloyss(t).
Todo sistema estable debe tener un estado transitorio que desaparezca con el
tiempo. En caso contrario, si p
1
y p
2
son positivos, el estado transitorio nunca
desaparecersino queseincrementar permanentementeconel paso deltiempo
yelsistemaserinestable
Sedenomina: =factordeamortiguacin
o
=frecuencianatural
Sedefinen:
Q=factordecalidad=
o
/2
=relacindeamortiguacin=/
o
BW=anchodebanda=2
Adems: p
1
=+(
2
o
2
)
p
2
=(
2
o
2
)
Cuando:
1. >
o
setieneestadotransitoriosobreamortiguado
En este caso, si la red slo tiene energa almacenada y f(t) = 0, la solucin
tomalaforma: y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=A
1
e
p1t
+A
2
e
p2t
+B
2. =
o
setieneestadotransitoriocrticamenteamortiguado
En este caso, si la red slo tiene energa almacenada y f(t) = 0, la solucin
tomalaforma: y(t)=e
t
(A
1
+A
2
t)
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=e
t
(A
1
+A
2
t)+B
3. <
o
setieneestadotransitoriosubamortiguado
En este caso, si la red slo tiene energa almacenada y f(t) = 0, la solucin
tomalaforma: y(t)=Ae
t
cos(
d
t+)
Donde:
d
=(
o
2
2
)
d
eslafrecuenciaamortiguada
Enelcasoquef(t)seacontinua:f(t)=B,lasolucintomalaforma:
y(t)=Ae
t
cos(
d
t+)+B
ElectrnicaAnalgicaI
252
CIRCUITORLCPARALELO
Este circuito se muestra en la figura 5.29 y podemos aplicar los conceptos
anterioresparaentenderelcircuito:
I(t)
R
+
Vo
-
C L
d
2
Vo/dt
2
+(1/RC)dVo/dt+(1/LC)Vo=(1/C)dI/dt
=1/2RC
o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
RC=R(C/L)
1/2
Lospolosresultanteseneldominiodelafrecuenciaresultanser:
p1=+[
2
2
o
]
1/2
=+j[4Q
2
1]
1/2
p2=[
2
2
o
]
1/2
=j[4Q
2
1]
1/2
PodemosverqueparaunvalordeQde5ms,lospolossepuedenaproximar
conlasexpresiones:
p1=+j
o
p2=j
o
CIRCUITOLCYBOBINACONPERDIDAS
Estecircuitosemuestraenlafigura5.30.Lasprdidasdelabobinaserepresentan
medianteunaresistencia,r,enserieconella:
ElectrnicaAnalgicaI
253
+
Vo
-
I(t)
r
C
L
Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtodo de tensiones denodo podemoshallarlaecuacin diferencial
paraelvoltajeVo:
d
2
Vo/dt
2
(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt
Estaecuacinsecomparaconlacorrespondientealossistemaslinealesde
segundoordenyobtenemos:
=r/2L
o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
L/r=(1/r)(L/C)
1/2
es:
Z
L
=r+j
o
L
Suadmitanciaser: Y
L
=1/(r+j
o
L)=r/(r
2
+(
o
L)
2
)j
o
L/(r
2
+(
o
L)
2
)
Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r
2
+(
o
L)
2
)/r=(1+Q
2
)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q
2
r
Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:
ElectrnicaAnalgicaI
254
+
Vo
-
I(t)
r
+
Vo
-
C
Req
I(t) C L L
CIRCUITOLCYCONDENSADORCONPERDIDAS
Este circuito se muestra en la figura siguiente. Las prdidas de la bobina se
representanmedianteunaresistencia,rc,enserieconella:
+
Vo
-
I(t)
r
C
L
Obteniendolaecuacindiferencial:
Aplicandoelmtodo de tensiones denodo podemoshallarlaecuacin diferencial
paraelvoltajeVo:
d
2
Vo/dt
2
(r/L)dVo/dt+(1/LC)Vo=(r/LC)I+(1/C)dI/dt
=r/2L
o
=(1/LC)
1/2
Q=
o
L/r=(1/r)(L/C)
1/2
ElectrnicaAnalgicaI
255
La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en
paralelo si tomamos en cuenta que la impedancia de la bobina a la frecuencia
o
es:
Z
L
=r+j
o
L
Suadmitanciaser: Y
L
=1/(r+j
o
L)=r/(r
2
+(
o
L)
2
)j
o
L/(r
2
+(
o
L)
2
)
Laparterealcorrespondeaunaresistenciaequivalenteenparalelocuyovalores:
Req=(r
2
+(
o
L)
2
)/r=(1+Q
2
)r
Para: Q>10sepuedeaproximar: Req=Q
2
r
Ypodemosusaruncircuitoequivalente,comosemuestraenlafigura5.31:
+
Vo
-
I(t)
r
+
Vo
-
C
Req
I(t) C L L
CONTROLDEGRAVESYAGUDOS
Acontinuacinsemuestrauncircuitodecontroldetonosparaaudio.Estecontrol
detonostienedospotencimetrosquepermitenajustarlapresenciadegravesy
agudosenunasealdeaudio.
10uF / 16v / NP
1K5
22K
50K
2K2
10K
10nF
56nF 100K
10K
22K
4K7
10K
20K
100K
56nF
2K2
+
-
NE5532
5
6
7
2K2
10nF
100pF
+
-
NE5532
3
2
1
+
2.2uF
10K
ElectrnicaAnalgicaI
256
Seutilizauncircuitointegradodealtasprestacionesparaaudioquecontieneensu
pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con +/ 15V. El potencimetro de 50K a la entrada establece el nivel de entrada o
sensibilidad del sistema. El preset de 20K primeramente debe situarse al centro de
su cursor. Si se presentasen distorsin o deformaciones en el audio disminuir ste
hasta lograr una reproduccin fiel. El potencimetro de 100K ajusta la cantidad de
graves,mientrasqueelde10Khacelomismoconlosagudos.
Comolaalimentacinessimtricaporelterminal4delintegrado(MarcadoGNDen
laimagendearriba)debeira15Vmientrasqueelterminal8(MarcadocomoVcc)
debe ir a +15V. La masa debe cablearse a 0V, que en integrado no se conecta mas
quealaentradanoinversoradelsegundooperacional(terminal5).
SERIEDEPROBLEMAS
PROBLEMA1:UncircuitoparaleloRLC,comoelmostrado,seusacomofiltro
pasabanda.
C R L
1
2
Z(jw)
ElectrnicaAnalgicaI
257
a) Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
b) Si: R = 10k, C = 10nf y L = 100h, determine su impedancia a las frecuencias
de:50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250KHz
c) Haga los diagramas de la magnitud de la impedancia y de la fase en funcin
delafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.
PROBLEMA2:UncircuitoserieRLC,comoelmostrado,seusacomofiltropasa
banda.
L
1
2
C R
Z(jw)
a) Hallelaexpresindesuimpedanciaenfuncindelafrecuencia.
b) Si R = 10k, C = 10nf y L = 100h, determine su impedancia a las frecuencias
de:50KHz,100KHz,160KHz,200KHzy250khz
c) Hagalosdiagramasdelamagnituddelaimpedanciaydelafaseenfuncin
delafrecuenciaydeterminesuanchodebanda.
PROBLEMA3:Eneltransformadormostradoenlafigura5.28,halle:
a) El valor de Ls necesario para acoplar una carga de 8 a una cuente con
3200enelrangodefrecuenciasmedias...
b) Determine
L
y
H
paraestecaso
c) Laeficienciadeltransformador
PROBLEMA5:Enelcircuitodelproblema4,halleelvoltajetotaldesalidaenel
drenadordelFET
Asuma:L=4H,C=2500pF,R=2K,o=10**(7)ym=10**(5)
LosparmetrosdelFETsonlosmismos.
ElectrnicaAnalgicaI
258
PROBLEMA6:Unamplificadortienelasiguientegananciadevoltaje:
Av(s)=(100s)/[(1+s/100)(1+s/1000)]
a) TracelasgrficasdeBodedemagnitudyfaseenfuncindelafrecuencia.
b) Determineelmargendeganancia,elmargendefaseylafrecuenciade
transicincuandolagananciasehaceiguala1.
PROBLEMA7:Enelcircuitomostrado,hallelacorrientetotaldedrenador.
Elcircuitotanqueestsintonizadoalafrecuenciawo.
Cualdebeserlafrecuenciawmparaqueeltanqueslodejepasarelrangode
frecuenciaswo+/wm?
+10V
+
cos(wo t)
+
cos(wm t)
L
2uH
1
2
C2
10 uF
Idss = 4 mA
Vp = -4V
2V
Q1
JF1033B
1M
C
2.5nF
R
2K
PROBLEMA8:Enelsiguientecircuito,,medianteelanlisiseneldominiodela
frecuencia,determine:
a) Lafrecuenciadecorteinferior(fL)
b) Lafrecuenciadecortesuperior(fH)
c) Elanchodebanda
d) Lagananciaenfrecuenciasmedias
C1
20 pF
Ci
20 pF
gm Vi Co
10 pF Vs
+
Vo
-
+
Vi
-
Rs
1K
Ri
25K
+
gm = 15 mA/V
Ro
10K
RL
10 K
-
ElectrnicaAnalgicaI
259
PROBLEMA 9: Determine los Diagramas de Bode de la ganancia de bucle de un
amplificadorrealimentado,siesdadapor:
T(jw)=2/(1+jw)
3
Determinetambinelmargendefaseyelmargendeganancia.
( )
+
=
200000
1
2500
1
25
1
10
s s s
s H
Frecuenciadecorteinferior:fL1KHz
C2
RE2
RC
CE
C1
R2
R1
Rs
Q
2N2222
Vs RE1
+
Vo
-
RL
2K
VCC
Utiliceeltransistor2N2222(silicio,=100,VT=26mV,ICQ=2mA,VCEQ=5V)
VCC=12Vdc
ElectrnicaAnalgicaI
260
PROBLEMA12:Diseeunamplificadordedrenajecomn,comoelmostrado,para
obtener una impedancia de entrada en frecuencias medias: Zi 1 M, una
frecuenciadecorteinferior:fL1KHzyunafrecuenciadecortesuperior:fH=50
KHz
DatosdelMOSFET:Cds=1pF,Cgs=10pF,Cgd=10pF,ro=50K,gm=20mA/V,
Paraelpuntodeoperacin:IDQ=2mA,VGSQ=6VyVDSQ=10V
C4
CAP NP
RL
1K Vg
R2
Q
Rs
R1
15 V
C2
Rg
1K
PROBLEMA13:Determinelarespuestaenfrecuenciadelsiguientecircuito.Asuma
queelOPAMPsecomportaenformaideal
R2
56.44K
RL
100K C3
CAP NP
Vs
1 Vpico
C1
47 nF
C2
47 nF
R3
28.22K
U7
uA741
3
2
7
4
6
1
5
+
-
V
+
V
-
OUT
OS1
OS2
R1
56.44 K
+ 15V
- 15 V
ElectrnicaAnalgicaI
261
PROBLEMA 14: En el circuito mostrado halle las frecuencias de corte superior e
inferior.
+
Vi
-
gm = 0.002 s
rds = 50K
Cgs = 2 pF
Cds = 2 pF
Cgd = 0
+
Vo
-
1k
10K
VCC
1uF
100uF
1M
RL
10K
1uF
3 K
+
Vi
-
rds = 100K
Co
gm = 0.002 s
+ 12 V
1 M
C3
Q1
10 M
5 M
Cgs = 2 pF
Cgd = 3 pF
10 K
Cs 1 K
+
Vo
-
ElectrnicaAnalgicaI
262
PROBLEMA 16: Un cristal, empleado en un oscilador sinusoidal tiene un circuito
equivalentetalcomosemuestraacontinuacin:
2 MHz
CRISTAL
B
Cs
Rs
A
Co
A
Ls
B
a) HallelaimpedanciaqueofreceentrelosterminalesAyB,emplendola
transformadadeLaplace
b) HallelagrficaasintticadeamplituddeBode.
c) Quanchodebandatieneelcristal?.
ElectrnicaAnalgicaI
263
BIBLIOGRAFIA