Lenin Martins Ferreira Morais

Universidade Federal de Minas Gerais Programa de P os-Gradua c ao em Engenharia El etrica
Estudo, an alise e implementa c ao de formas de onda de tens ao sintetizadas atrav es de P W M , com est agio de igni c ao e de corre c ao de fator de pot encia para reatores eletr onicos para l ampadas HP S
Lenin Martins Ferreira Morais
Texto de tese submetido ` a banca examinadora designada pelo Colegiado do Programa de P os-Gradua c ao em Engenharia El etrica da Universidade Federal de Minas Gerais, como parte dos requisitos necess arios ` a obten c ao do grau de Doutor em Engenharia El etrica.
Orientador: Prof. Dr. Pedro Francisco Donoso Garcia Co-Orientador: Prof. Dr. Seleme Isaac Seleme Junior Belo Horizonte, 10 de maio de 2007
Dedicat oria
Este trabalho e dedicado ao meu grande amigo e pai, Ant onio Morais. A minha m ae Marly, minha irm a Christie por sempre acreditarem em mim. E a minha fam lia.
Agradecimentos
Agrade co acima de tudo a Deus, por tudo que realizou em minha vida... Agrade co o meu pai que foi e continua sendo um exemplo para mim de homem, pai e prossional e que nunca me deixou desistir dos meus objetivos; ` a minha m ae por seu esfor co e amor; ` a minha irm a e grande amiga Christie. ` Daniela Arag A ao pelo seu carinho, companheirismo, alegria, amizade, ` a Silene Ferreira pelos incentivos, momentos de aprendizado como pessoa e prossional, amizade e ` a Marta Maia por toda conan ca, apoio, carinho, paci encia e tudo mais que representa para mim. Ao meu orientador Pedro Donoso pela amizade, conan ca e conselhos que foram fundamentais na conquista deste objetivo. Aos professores Paulo Seixas, Marcos Severo e principalmente ao Porf rio Cortizo pelo interesse, amizade e important ssimas orienta c oes no decorrer deste per odo. Ao professor Seleme Isaac Seleme Jr. pelas importantes contribui c oes e incentivos ao decorrer deste trabalho. Aos professores Jo ao Batista Vieira Jr., Jos e Luiz F. Vieira e Alessandro Fernandes Moreira pela composi c ao da banca examinadora e contribui c oes para a naliza c ao deste trabalho. E ao Jos e Luiz Silvino pelas contribui c oes dadas no exame de qualica c ao. Ao Bruno Andrade pela amizade e aux lio no desenvolvimento das rotinas implementadas no DSP . Ao corpo docente do PPGEE, principalmente ao prof. Benjamim Menezes pela paci encia, est mulos desde a gradua c ao e pela orienta c ao durante ao est agio em doc encia. E aos professores do departamento de engenharia eletr onica, em especial, J ulio C esar de Melo, Gustavo ii
Parma e Leonardo Torres. Aos amigos Felipe Evangelista, Bernardo Cougo, Rubens M. Santos Filho, Fabiano Rocha, Caio Wheden, Wanderson Ferreira e Fl avio Nakamura, por tudo que passamos e aprendemos juntos. E aos meus amigos de Marli eria, em especial, Edr e Moreira pela conviv encia, amizade e ajuda m utua nesses longos anos. E a L ecia Nidia Ferreira Taques pelas important ssimas revis oes de ingl es nos artigos. ` CAPES e FAPEMIG, pelo apoio nanceiro. A
iii
Resumo
Este trabalho apresenta o estudo e a implementa c ao de um m etodo para aplica c ao de formas de onda de tens ao com caracter sticas especiais, para alimenta c ao de l ampada de vapor de s odio de alta press ao (HPS - High-Pressure Sodium ) para evitar a resson ancia ac ustica. A resson ancia ac ustica e o principal problema encontrado quando se trabalha com inversores em alta freq u encia para o acionamento de l ampadas AID (Alta Intensidade de Descarga). Foram realizados estudos sobre as l ampadas HP S , tendo como enfase a resson ancia ac ustica, al em da an alise de reatores passivos e eletr onicos, operando em altas e em baixas freq u encias. O m etodo para alimentar as l ampadas AID com formas de onda de tens ao e proposto atrav es da s ntese das mesmas via a modula c ao P W M (Pulse Width Modulation ), utilizando um inversor em ponte completa e um ltro LC projetado especicamente para esse prop osito. Para o m etodo s ao propostas duas t ecnicas: formas de onda de tens ao com a inje c ao de harm onicas ` a componente fundamental e sinais modulados com satura c ao. Este estudo visa determinar as caracter sticas mais relevantes para que essas formas de onda evitem o aparecimento da resson ancia ac ustica. S ao apresentados os resultados experimentais do ignitor integrado ao ltro LC possibilitando a igni c ao da l ampada e o aumento da vida u til. Tamb em e apresentado o est agio de corre c ao do fator de pot encia para este reator, utilizando o iv
controlador repetitivo. S ao apresentadas metodologias de projeto, resultados de simula c ao al em dos resultados experimentais mostrando a ec acia do m etodo.
Abstract
This work presents the study of a method for synthesize of voltage waveforms with special characteristics, with the purpose of feeding High-Pressure Sodium (HP S ) lamps in order to avoid acoustic resonance. Acoustic resonance is the main problem found when it works with high frequency inverters to the operation of High Intensity of Discharges (HID) lamps. Studies on HP S lamps have been done, emphasizing the acoustic resonance problem, plus the analysis of the passive ballasts and the electronic ones, operating at high and low frequencies. The proposed study of the voltage waveforms is made by their synthesis via P W M , using a full bridge inverter and an LC lter specically designed for this purpose. For this method, two techniques are proposed: voltage waveforms with injection of harmonics to the fundamental one; and modulated signals with saturation. Experimental results of the ignitor integrated to the LC lter are presented, allowing the lamp ignition and increasing its lifetime. The power factor correction (P F C ) stage of such converter is also presented, by means of a repetitive controller. Simulation results and design methodologies are presented, as well as experimental results, showing the ecacy of the method.
vi
Sum ario
Resumo
iv
Abstract
vi
Lista de Figuras
xii
Lista de Tabelas
xxi
Nomenclatura
xxiii
1 Proposta de Tese de Doutorado 1.1 1.2 Contextualiza c ao do trabalho e motiva c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Objetivos da Tese de Doutorado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1 1.2.2 1.3 Objetivos Gerais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Objetivos Espec cos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1 1 4 4 5 6
Estrutura do texto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2 Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S 2.1 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . vii
8 8
SUMARIO 2.2 Caracteriza c ao das l ampadas de descarga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1 2.2.2 2.3 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Justicativas para a utiliza c ao das l ampadas de descarga . . . . . . . . . . . . . 9 9 10 12 12 14 17 27 35 36 36 38 43
Caracteriza c ao da l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4
Aspectos construtivos da l ampada HP S . . . . . . . . . . . . . . . . . Caracter sticas luminosas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Acionamento da l ampada HP S . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resson ancia ac ustica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.4
Conclus oes do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3 Estudo dos reatores para l ampada HP S 3.1 3.2 3.3 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Reatores passivos - capacitivo e indutivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Reatores eletr onicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Topologias e caracter sticas de reatores operando em alta freq u encia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.2 Topologias e caracter sticas de reatores operando em baixa freq u encia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4 Conclus oes do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
47
54 62
4 Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 4.1 4.2 Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Inje c ao de harm onicas na tens ao aplicada ` a l ampada HP S . . . . . . . . . . . viii 64 64 65
SUMARIO 4.3 4.4 Inje c ao de harm onicas atrav es de ltros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Inje c ao de harm onicas via P W M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4.1 4.5 4.6 M etodos de modula c ao por largura de pulso - P W M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 70 71 82 87 89 91 93
Projeto do ltro LC
Formas de onda analisadas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.6.1 4.6.2 Forma de onda f13 a1.3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Forma de onda f135 a1.5.25 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.7 4.8 4.9
Sinais modulados de tens ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Estudo dos par ametros vsat e fP W M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 Conclus oes do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102 104
5 Estudo sobre ignitores para l ampadas AID 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7
Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 Estudo realizado sobre os ignitores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106 Ignitor proposto para l ampadas AID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 Modelo anal tico do circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114 Projeto do circuito de igni c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116 Resultados de simula c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117 Conclus oes do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121 122
6 Est agio de corre c ao de pot encia para o reator eletr onico 6.1 6.2
Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122 Pr e-regulador de fator de pot encia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123 6.2.1 Modo de condu c ao cont nua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126 ix
SUMARIO 6.2.2 6.2.3 6.3 6.4 6.5 Modo de condu c ao descont nua . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 C alculo da indut ancia do conversor boost (pr e-regulador) . . . . . . . . 132
Controle Repetitivo: Revis ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134 An alise do controle repetitivo para CF P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138 Resultados de simula c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142 6.5.1 Compara c ao entre as t ecnicas de controle apresentadas . . . . . . . . . 145
6.6
Conclus oes do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
7 Resultados experimentais 7.1 7.2
154
Introdu c ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154 Ensaios experimentais realizados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156 7.2.1 7.2.2 Ensaio 1 - Regi ao sem ocorr encia da resson ancia ac ustica . . . . . . . . 156 Ensaio 2 - Regi ao com ocorr encia da resson ancia ac ustica . . . . . . . . 161
7.3 7.4 7.5 7.6 7.7
Inu encia da amplitude da terceira harm onica . . . . . . . . . . . . . . . . . . 166 Ensaios com sinais modulados de tens ao alimentando l ampadas HP S de 150W 169 Ensaios do ignitor proposto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174 Ensaio do est agio de Corre c ao do Fator de Pot encia baseado no conversor boost 177 Conclus oes do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
8 Conclus oes nais e propostas de continuidade 8.1 8.2 8.3
190
Conclus oes nais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190 Produ c ao cient ca . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193 Propostas para a continuidade do trabalho . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194 x
SUMARIO Refer encias Bibiogr acas Ap endice A 196 210
A.1 Inje c ao de harm onicas utilizando ltro sintonizado . . . . . . . . . . . . . . . . 210 A.2 Projeto do Filtro Sintonizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212 A.3 Sensibilidade param etrica do ltro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218
xi
Lista de Figuras
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8
Diagrama descritivo da l ampada HPS do tipo SON-T [1]. . . . . . . . . . . . . . . Espectro luminoso de l ampadas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva caracter stica tens ao-corrente da l ampada HP S [1].
12 14 18 20 22 24 25
. . . . . . . . . . . . .
Curva caracter stica da tens ao aplicada a l ampada HP S em fun ca o do tempo[1]. . . Curva de tens ao em fun ca o da temperatura na l ampada HPS[1].
. . . . . . . . . .
Curva caracter stica da l ampada[1]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diagrama quadril atero de uma l ampada HP S -400W . . . . . . . . . . . . . . . . . Fotograa do arco de uma l ampada AID, (a) - com resson ancia ac ustica e (b) sem resson ancia ac ustica [2]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
28
2.9
Faixas de ocorr encia da resson ancia ac ustica em uma l ampada M V 70W fabricantes diferentes, GE e P HILIP S , respectivamente [2]. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29 30 31 38
2.10 Faixas de ocorr encia da resson ancia ac ustica em l ampadas HP S da P HILIP S [1]. . 2.11 Fotograas do arco na l ampada para diferentes freq u encias. . . . . . . . . . . . . . 3.1 3.2
Fotograa de um reator passivo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Formas de ondas para os reatores indutivo e capacitivo: (Vm ) tens ao na rede, (Vla ) tens ao na l ampada e (Ila ) corrente na l ampada [1].
. . . . . . . . . . . . . . . . .
39
xii
LISTA DE FIGURAS 3.3

Formas de onda de tens ao e corrente em uma l ampada HP S 150W , para diferentes freq u encias de acionamento. [3]
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44 46 48
3.4 3.5 3.6
Diagrama b asico de um reator eletr onico convencional. . . . . . . . . . . . . . . . Tipos de circuitos ressonantes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Varia ca o da tens ao de sa da em rela ca o a tens ao de entrada para os circuitos ressonantes, Q : 1.0 5.0. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
49 50 50 52 53
3.7 3.8 3.9
Tipos de inversores utilizados em reatores a)Meia-Ponte e b)Ponte Completa. . . . . Outros conversores utilizados em reatores eletr onicos: a)Tipo D e b)Tipo E. . . . . Diagrama b asico de um reator eletr onico com CF P . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.10 Estruturas de reatores eletr onicos com CF P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.11 Diagrama de blocos de um sistema eletr onico para acionamento de l ampadas AID
em baixa freq u encia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55 56 57 58 59
3.12 Circuito simplicado do reator utilizando o conversor BIBRED. . . . . . . . . . . 3.13 Formas de onda do conversor BIBRED. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.14 Circuito simplicado do reator utilizando conversor Buck em ponte completa. . . .
3.15 Formas de onda do conversor Buck em ponte completa . . . . . . . . . . . . . . . 3.16 Circuito simplicado do reator utilizando o conversor BIBRED com dupla alimenta ca o em ponte completa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60 61 66
3.17 Formas de onda de tens ao e corrente em conversor BIBRED ponte completa [4] . . 4.1 4.2
Diagrama do circuito utilizado pela t ecnica proposta por J.Alonso [5, 6]
. . . . . .
Comandos para o inversor com a t ecnica de inje ca o de harm onicas e as formas de tens ao na l ampada e em cada bra co do inversor [5, 6] . . . . . . . . . . . . . . . .
66
xiii
LISTA DE FIGURAS 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9

Diagrama do circuito utilizado para realizar a inje ca o de harm onica via ltro . . . . Resposta em freq u encia do ltro projetado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Forma de onda de tens ao e corrente aplicadas ` a Rlamp . . . . . . . . . . . . . . . . Espectro harm onico da corrente aplicado ` a l ampada.
67 68 68 69 69 70 71 72 73 74 74 76
. . . . . . . . . . . . . . . .
Forma de onda da pot encia aplicada ` a l ampada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Forma de onda de refer encia para o P W M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diagrama do circuito que utiliza a t ecnica de inje ca o de harm onicas. . . . . . . . .
4.10 Implementa ca o de P W M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.11 P W M 2 N veis - Meia Ponte. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.12 P W M 2 N veis - Ponte Completa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.13 P W M 3 N veis. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.14 Inu encia do tipo da Modula ca o P W M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.15 Forma de onda de pot encia aplicada ` a l ampada variando-se a quantidade de harm onicas. 78 4.16 Desvio padr ao da pot encia aplicada ` a l ampada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.17 Varia ca o da amplitude da 3a harm onica, T HD e ST D em fun ca o da freq u encia fP W M . 79 4.18 Inu encia da fP W M na tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada. . . . . . . . . . . . . 81
4.19 a) Ganho e b) fase do ltro LC em fun ca o da freq u encia para diferentes valores de Q. 82 4.20 Ganho e fase do ltro em fun ca o da freq u encia para diferentes valores de . . . . . 84
4.21 Ganho e fase do ltro em fun ca o da freq u encia para diferentes valores de Q, para
= 6.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
84 85 86 88
4.22 Resposta em freq u encia do ltro LC projetado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.23 Varia ca o da indut ancia e capacit ancia do ltro LC em fun ca o da ff und . . . . . . . . 4.24 Forma de onda de tens ao na l ampada HP S , para f = 50Hz e f = 2kHz . . . . . . . xiv
LISTA DE FIGURAS 4.25 Formas de onda de corrente, tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada, f13 a1.3 . . . . . . 4.26 Espectro da tens ao aplicada ` a l ampada, f13 a1.3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.27 Formas de onda de corrente, tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada, f135 a1.5.25 . . . . 4.28 Espectro da tens ao aplicada ` a l ampada, f135 a1.5.25 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.29 Diagramas do circuitos utilizado para aplica ca o dos sinais modulados. . . . . . . . 89 90 91 92 93 94 94 95 95 97 97 98
4.30 Formas de onda de corrente e tens ao utilizado topologia apresentada em [7]. . . . . 4.31 Formas de onda de corrente e tens ao utilizando a topologia apresentada em [8]. . . . 4.32 Diagrama do circuito utilizado para aplica ca o dos sinais modulados [9]. . . . . . . . 4.33 Formas de onda de corrente e tens ao utilizando topologia apresentada em [9]. . . . . 4.34 Formas de onda de corrente e tens ao, carga resistiva, fmod = 300Hz . . . . . . . . . 4.35 Espectro da forma de onda de corrente fmod = 300Hz . . . . . . . . . . . . . . . . 4.36 Formas de onda de pot encia aplicada ` a l ampada, fmod = 300Hz . . . . . . . . . . . 4.37 Espectro da forma de onda de pot encia aplicada ` a l ampada, fmod = 300Hz e ff und =
12kHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
98 99
4.38 Formas de onda de tens ao na sa da do inversor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
4.39 Formas de onda de tens ao na sa da do inversor, com e sem controle do fator de crista . 99 4.40 Varia ca o do FC em fun ca o da vsat , para diferentes fP W M . . . . . . . . . . . . . . . 100 4.41 Varia ca o do F C e Vcc em fun ca o da vsat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 5.1 5.2 5.3 5.4
Circuitos de igni ca o: a) ignitor externo, b) circuito ressonante. . . . . . . . . . . . 106 Ignitores e suas formas de onda de tens ao de igni ca o. . . . . . . . . . . . . . . . . 111 Diagrama do ltro de sa da e o circuito auxiliar para a igni ca o da l ampada AID. . . 112 Resposta em freq u encia do circuito ressonante paralelo LCign . . . . . . . . . . . . . 117
xv
LISTA DE FIGURAS 5.5 5.6 5.7 5.8

Forma de tens ao modulada e modulante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118 Tens ao de igni ca o com batimento e na freq u encia de resson ancia. . . . . . . . . . . 118 Tens ao de igni ca o obtida por simula ca o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119 Varia ca o do ganho do ltro LCign e do fator de qualidade Q em fun ca o da resist encia da l ampada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
5.9 6.1 6.2 6.3 6.4 6.5
Varia ca o da indut ancia do ltro LCign , fign em fun ca o da ff und . . . . . . . . . . . 120
Etapas de opera ca o do conversor boost no modo cont nuo.
. . . . . . . . . . . . . 126
Formas de onda do conversor boost operando em modo cont nuo. . . . . . . . . . . 127 Etapas de opera ca o do conversor boost no modo descont nuo . . . . . . . . . . . . 129 Formas de onda do conversor boost operando em modo descont nuo . . . . . . . . . 130 Diagrama de blocos do controlador repetitivo Kg , adicionado ao controle realimentado Ks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
6.6 6.7 6.8 6.9
Diagrama de blocos de um gerador de sinais peri odicos. . . . . . . . . . . . . . . . 135 Diagrama de blocos do controle repetitivo discretizado. . . . . . . . . . . . . . . . 136 Diagrama do controlador repetitivo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137 Varia ca o da T HD em fun ca o de Q (= qr .) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
6.10 Varia ca o da T HD em fun ca o da varia ca o de Cr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140 6.11 Amplitude da 3a harm onica em fun ca o de Q. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140 6.12 Varia ca o da T HD em fun ca o da varia ca o de Cr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141 6.13 Amplitude da 3a harm onica em fun ca o de Cr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141 6.14 Diagrama do reator eletr onico e suas malhas de controle. . . . . . . . . . . . . . . 142 6.15 Formas de onda da tens ao no barramento, variando-se qr - Resposta ao Degrau. . . 143 xvi
LISTA DE FIGURAS 6.16 Formas de onda de tens ao e corrente na entrada variando-se qr . . . . . . . . . . . . 143 6.17 Formas de onda corrente na entrada e no indutor do boost. . . . . . . . . . . . . . 144 6.18 Diagrama dos controladores implementados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145 6.19 Formas de onda da tens ao no barramento para cada t ecnica implementada - Resposta
ao Degrau. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
6.20 Formas de onda da corrente na entrada para cada t ecnica implementada. . . . . . . 147 6.21 Comparativo das amplitudes das harm onicas (%) e a THD obtida para cada t ecnica
implementada. Congura ca o 1.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
6.22 Inu encia da varia ca o do Lboost na T HD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149 6.23 Inu encia da varia ca o da capacit ancia do conversor boost na T HD da corrente de
entrada do reator eletr onico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
6.24 Inu encia da varia ca o da capacit ancia e indut ancia do conversor boost na amplitude
da 3a harm onica da corrente de entrada do reator eletr onico. . . . . . . . . . . . . 151
7.1 7.2
Gera ca o do pulso de comando no modo assim etrico . . . . . . . . . . . . . . . . . 155 Formas de onda de tens ao e corrente na l ampada e sua caracter stica V xI . ff und = 3kHz .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158
7.3 7.4 7.5 7.6
Fotograa do arco el etrico da l ampada. ff und = 3kHz . . . . . . . . . . . . . . . . 159 Forma de onda de tens ao (100V /div ) na sa da do inversor. ff und = 3kHz . . . . . . 159 Espectro da tens ao e corrente na l ampada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160 Formas de onda de tens ao e corrente na l ampada e sua caracter stica V xI . ff und = 3, 5kHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
7.7
Fotograa do arco el etrico da l ampada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
xvii
LISTA DE FIGURAS 7.8 7.9

Forma de onda de tens ao (100V /div ) na sa da do inversor. ff und = 3, 5kHz . . . . . 163 Espectro da tens ao e corrente na l ampada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
7.10 Fotograa do arco el etrico apresentando resson ancia ac ustica. . . . . . . . . . . . . 165 7.11 Regi oes determinadas pela amplitude da terceira harm onica, para a faixa 1. . . . . 166 7.12 Espectro harm onico da tens ao, fP W M = 32.768Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167 7.13 Espectro harm onico da corrente, fP W M = 32.768Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . 167 7.14 Formas de onda de tens ao variando-se a vsat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169 7.15 Detalhe das formas de onda de tens ao variando vsat . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170 7.16 Formas de onda de tens ao (200V /div ) e corrente (2A/div ) medidas na carga resistiva.
Escala de tempo: 500s/div . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
7.17 Formas de onda de tens ao (200V /div ) e corrente (5A/div ) aplicadas ` a l ampada HP S ,
em aquecimento. Escala de tempo: 1ms/div . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
7.18 Formas de onda de tens ao (200V /div ) e corrente (5A/div ) aplicadas ` a l ampada
HP S 150W , em regime permanente, ff und = 6kHz e fmod = 300Hz . Escala de tempo: 1ms/div . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
7.19 Formas de onda de tens ao (200V /div ) e corrente (5A/div ) aplicadas ` a l ampada
HP S 150W , em regime permanente, ff und = 12kHz e fmod = 300Hz . Escala de tempo: 500s/div .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 173
7.20 Forma de onda da tens ao de igni ca o (500V /div ) aplicada ` a l ampada HP S 150W .
Escala de tempo: 50s/div . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
7.21 Forma de onda da tens ao de igni ca o (1kV /div ) aplicada ` a l ampada HP S 150W ,
para diferentes fabricantes. Escala de tempo: 50s/div . . . . . . . . . . . . . . . . 175
xviii
LISTA DE FIGURAS 7.22 Forma de onda da tens ao (1kV /div ) aplicada ` a uma carga resistiva 1M , (circuito
aberto). Escala de tempo: 50s/div . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
7.23 Forma de onda de tens ao (50V /div ) e corrente (1A/div ) na rede el etrica em regime
permanente. Escala de tempo: 10ms/div . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
7.24 Formas de onda de tens ao de sa da do conversor boost, para Cboost = 1500F .

Controlador Cl assico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
7.25 Formas de onda de tens ao (50V /div ) e corrente (1A/div ) de entrada na rede el etrica,
para Cboost = 22F Controlador Repetitivo. Escala de tempo: 5ms/div . . . . 181
7.26 Formas de onda de tens ao (50V /div ) e corrente (1A/div ) de entrada da rede el etrica,
para Cboost = 22F Controlador Cl assico. Escala de tempo: 5ms/div . . . . . . 181
7.27 Forma de onda de tens ao de sa da (50V /div ) do conversor boost, para Cboost = 22F
Controlador Repetitivo. Escala de tempo: 10ms/div . . . . . . . . . . . . . . . . 182
7.28 Forma de onda da tens ao na sa da do conversor boost . . . . . . . . . . . . . . . . 183 7.29 Forma de onda da corrente de entrada, com e sem o resistor de partida. . . . . . . 184
7.30 Forma de onda da tens ao aplicada a l ampada HP S , variando o ndice de modula ca o. 185 7.31 Espectro da forma de onda de tens ao aplicada a l ampada HP S , para indices de
modula ca o diferentes.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
A.1 Diagramas do ltro sintonizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 211 A.2 Resposta em freq u encia dos ltros analisados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 214 A.3 Formas de onda de tens ao sobre os indutores L1 e L2 . . . . . . . . . . . . . . . . . 215 A.4 Formas de onda de corrente e tens ao durante a igni ca o, ltro 1, Tabela A.1 . . . . . 216 xix
LISTA DE FIGURAS A.5 Forma de onda de corrente e tens ao aplicada ` a l ampada atrav es do ltro sintonizado,
ltro 1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
A.6 Espectro da tens ao aplicada ` a l ampada utilizando o ltro sintonizado. . . . . . . . 217 A.7 Inu encia da varia ca o dos indutores e capacitores na resposta em freq u encia do ltro. 222 A.8 Fluxograma utilizado pelo algoritmo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 223 A.9 Inu encia da varia ca o de L1 na resposta do ltro sintonizado. . . . . . . . . . . . . 224 A.10 Inu encia da varia ca o de L1 na resposta do ltro sintonizado analisando o ganho da
3a harm onica natural. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
A.11 Inu encia da varia ca o dos componentes na amplitude da 3a harm onica. . . . . . . . 226
xx
Lista de Tabelas
2.1 2.2 2.3
Compara ca o da eci encia luminosa entre os tipos de l ampadas [1, 10, 11, 12, 13]. . . Compara ca o da vida u til m edia entre os tipos de l ampadas [1, 10, 11, 12, 13]. . . . . Compara ca o do IRC entre os tipos de l ampadas [1] . . . . . . . . . . . . . . . . .
10 11 16
3.1 3.2
Perdas em reatores comerciais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuitos ressonantes e suas equa co es caracter sticas. . . . . . . . . . . . . . . . .
40 48
4.1 4.2
Equa c oes para os tipos de P W M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Nomenclatura utilizada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
73 87
5.1
Caracter sticas dos ignitores segundo a ABNT, para l ampadas HP S . . . . . . 113
6.1 6.2 6.3
Norma IEC-61000-3-2 para equipamentos classe C . . . . . . . . . . . . . . . . . 123 Valores dos ganhos Kp e Ki dos P I . Congura ca o 1. . . . . . . . . . . . . . . . . 146 Valores dos ganhos Kp e Ki dos P I . Congura ca o 2. . . . . . . . . . . . . . . . . 146
7.1
Compara c ao entre a norma IEC-61000-3-2 e os resultados obtidos para o controlador repetitivo e cl assico para a capacit ancia do boost Cboost = 1500F . . . 179 xxi
LISTA DE TABELAS 7.2 Compara c ao entre a norma IEC-61000-3-2 e os resultados obtidos para o controlador repetitivo e cl assico para a capacit ancia do boost, Cboost = 22F . . . . 180 7.3 Valores de fign , G e tign para diferentes valores de Vcc . . . . . . . . . . . . . . . 186
A.1 Tabela contendo os valores dos componentes para os ltros analisados. . . . . . 214
xxii
Nomenclatura
AID - l ampadas de alta intensidade de descarga a - rela c ao entre freq u encia da modulante e a freq u encia fundamental do sinal - rela c ao c clica de tens ao de entrada do circuito ressonante C - capacitor C 1, C 2, C 3, C 4, C 5, C 6 - comandos para as chaves utilizadas C1 , C2 , C3 , C4 - Capacitores utilizados no ltro sintonizado Ceq - capacit ancia equivalente cos - cosseno do angulo entre a fundamental de tens ao e corrente Cp - capacitor paralelo Cign - capacitor utilizado no circuito ignitor Cs - capacitor s erie D - rela c ao c clica Css - capacitor utilizado para inje c ao de harm onicas em regime d - rela c ao c clica da chave boost (T3b) D - rela c ao c clica complementar (D= 1-D) D1 , D2 , D3 e D4 - diodos anti-paralelos com os interruptores do inversor ponte completa Db - diodo do conversor boost xxiii
Nomenclatura E - tens ao de alimenta c ao CC fa - freq u encia de amostragem fmod - freq u encia da seno de modulante ff und - freq u encia da sen oide fundamental F P - fator de pot encia fs - freq u encia de chaveamento fP W M - freq u encia de chaveamento do inversor Ginv - ganho do inversor HID - High-Intensity Discharge lamps HP S - l ampada do tipo vapor de s odio de alta press ao - High Pressure Sodium iC (t) - corrente instant anea no capacitor Ig - corrente da fonte / entrada Ilamp - corrente instant anea aplicada na l ampada ILb - corrente no indutor do conversor boost ILR - corrente no indutor do conversor ressonante K - fator que determina o modo de condu c ao do conversor Kg o gerador de comando de refer encia para rastrear um sinal repetitivo Ki - ganho integral do controlador P I Ks - controlador estabilizante Kp - ganho proporcional do controlador P I L - indutor Lboost - indutor do conversor boost Lbuck - indutor do conversor buck xxiv
Nomenclatura M (D) - fun c ao de transfer encia do conversor em fun c ao da rela c ao c clica N - intervalos amostrais que constituem um per odo do sinal de refer encia Plamp - pot encia instant anea aplicada na l ampada P - planta a ser controlada P W M - Pulse Width Modulation Q - fator de qualidade Qp - fator de qualidade paralelo Qs - fator de qualidade s erie Rlamp - carga resistiva utilizada como modelo da l ampada sref - sinal de refer encia para o modulador P W M S1 ,S2 ,S3 ,S4 - chaves gen ericas Sign - chave de inser c ao do capacitor Css na igni c ao da l ampada T , T1 , T 2, T 3b,T3 , T 4 - Interruptores do inversor em ponte completa T HD - taxa de distor c ao harm onica tof f - per odo de bloqueio da chave ton - per odo de condu c ao da chave tign - per odo do pulso de igni c ao tp - per odo de ocorr encia do pico de corrente Ts - per odo de chaveamento - per odo de chaveamento em rela c ao ao per odo T V - tens ao de sa da do conversor V (t) - tens ao instant anea de sa da VAB - tens ao de sa da do inversor xxv
Nomenclatura VCC - tens ao cont nua / barramento cont nuo V g - tens ao da fonte / entrada |V g |- tens ao da rede reticada Vi (jw) - tens ao de entrada no dom nio da frequ encia Vin - tens ao de entrada do ltro sintonizado Vign - tens ao m axima de igni c ao V1 - tens ao fundamental aplicada ao circuito ressonante VL (t) - tens ao instant anea no indutor Vlamp - tens ao instant anea aplicada na l ampada Vsat - tens ao de satura c ao V m - tens ao de pico Vo (jw) - tens ao de sa da no dom nio da frequ encia Vrede - tens ao de alimenta c ao / rede el etrica - 127V / 60Hz - freq u encia de opera c ao ign - freq u encia de igni c ao o - freq u encia de resson ancia p - freq u encia de resson ancia paralela r - freq u encia de resson ancia r(of f ) - freq u encia de resson ancia para circuito sem carga rede - freq u encia da rede el etrica s - freq u encia de resson ancia s erie ZOH - Zero Order Holder
xxvi
Cap tulo 1 Proposta de Tese de Doutorado
1.1
Contextualiza c ao do trabalho e motiva c ao
Atualmente, o consumo e a qualidade da energia el etrica s ao fatores de preocupa c ao mundial. Especicamente, a ilumina c ao articial representa 17% de toda energia consumida no Brasil e cerca de 30% no mundo. Parcela signicativa do consumo de energia referida ` a ilumina c ao articial e devido ` a ilumina c ao p ublica [14]. A ilumina c ao p ublica no Brasil corresponde a aproximadamente 7% da demanda nacional e a 3, 3% do consumo total de energia el etrica do pa s. O equivalente a uma demanda de 2, 3GW e a um consumo de 10, 2 bilh oes de kW h/ano [14]. A ilumina c ao p ublica e essencial ` a qualidade de vida nos centros urbanos, atuando como instrumento de cidadania, permitindo aos habitantes desfrutar, plenamente, dos espa cos p ublicos no per odo noturno. Al em de estar diretamente ligada ` a seguran ca p ublica no tr afego, a ilumina c ao p ublica previne a criminalidade, embeleza as areas urbanas, destaca e valoriza monumentos, pr edios e paisagens, facilita a hierarquia vi aria, orienta percursos e aproveita
1 - Proposta de Tese de Doutorado
melhor as areas de lazer. A melhoria da qualidade dos sistemas de ilumina c ao p ublica traduzse em melhor imagem da cidade, favorecendo o turismo, o com ercio e o lazer noturno. Por este motivo muitas pesquisas v em se desenvolvendo com o objetivo de tornar as fontes de ilumina c ao mais ecientes que as l ampadas incandescentes. As l ampadas de alta intensidade de descarga - AID (High-Intensity Discharge (HID) ) necessitam de dispositivos para seu acionamento que limitem a passagem de corrente para evitar danos (devido ` a caracter stica corrente-tens ao negativa da l ampada) e que forne cam nesse contexto que se enquadra o reator para l altas tens oes para a igni c ao. E ampadas AID. Os reatores podem ser classicados em dois tipos: os eletromagn eticos, ditos convencionais ou passivos, e os eletr onicos. Ambos os tipos apresentam caracter stica pr oprias, tendo vantagens e desvantagens em sua utiliza c ao. A utiliza c ao de reatores eletr onicos com est agio inversor em alta freq u encia pode proporcionar uma solu c ao para o acionamento, uma vez que nestas condi c oes as l ampadas se comportam como uma resist encia. Entretanto, pode ocorrer o aparecimento da resson ancia ac ustica, que perturba o caminho de descarga, causando utua c oes do uxo luminoso, provoca mudan ca na caracter stica da cor da luz e at e podendo chegar ` a extin c ao do arco. Este fen omeno e dependente da geometria e das dimens oes do tubo, da composi c ao e das condi c oes termodin amicas do g as. Considerando os v arios fabricantes, as toler ancias nos processos de fabrica c ao e as mudan cas nas condi c oes termodin amicas da l ampada ao longo de sua opera c ao, a determina c ao das faixas de freq u encia em que o fen omeno ocorre torna-se mais complexo. V arias solu c oes foram propostas na literatura para resolver o problema do fen omeno de resson ancia ac ustica, dentre elas se destacam:
i) operar em altas freq u encias (20 a 200)kHz , nas faixas estreitas em que n ao ocorre a resson ancia [3, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28]; ii) operar acima da faixa em que ocorre a resson ancia ac ustica, normalmente em freq u encia superiores a 500kHz [29, 30, 31, 32, 33]; iii) operar em baixas freq u encias (50 a 500Hz ), acionando a l ampada com corrente retangular [4, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40]; iv) utilizar uma estrat egia de modula c ao que altere a freq u encia do inversor antes que a resson ancia ac ustica evolua, atrav es de um circuito de controle program avel [2, 41, 42, 43, 44, 45]; v) inje c ao de harm onicas ` a componente fundamental de alta freq u encia com o objetivo de se aproximar da onda quadrada e mais recentemente [5, 6, 46, 47, 48], a forma de onda de justamente neste item que ser tens ao modulada em 120Hz [7, 9, 8, 49]. E ao focados os estudos dessa tese de doutorado. Dentre as vantagens de utilizar os reatores eletr onicos as mais importantes s ao: i) manter a pot encia e o uxo luminoso da l ampada constantes, mesmo com o aumento da tens ao, o que ocorre ao longo da vida u til; ii) regula c ao de pot encia frente ` as varia c oes e utua co es da tens ao da rede; iii) controle de uxo luminoso; iv) eliminar o efeito estrobosc opico;
v) aumentar o uxo luminoso, melhorar o rendimento e a qualidade da luz. Elevar o fator de pot encia e reduzir o conte udo harm onico da corrente de entrada; vi) reduzir os tempos de aquecimento e re-acendimento a quente das l ampadas; vii) incorporar tecnologia ao sistema de ilumina c ao, como por exemplo: o controle do uxo luminoso em fun c ao do n vel de ilumina c ao ambiente; viii) controle ` a dist ancia do estado ou do n vel de pot encia das l ampadas; ix) detec c ao e diagn ostico de falhas nos reatores e l ampadas.
1.2
1.2.1
Objetivos da Tese de Doutorado

Objetivos Gerais
Esta tese de doutorado tem por objetivos: a an alise, o projeto, a simula c ao e implementa c ao de um reator eletr onico microcontrolado para uma l ampada de descarga com as seguintes caracter sticas: i) opera c ao livre da resson ancia ac ustica, baseada na imposi c ao de formas de onda de tens ao, que alimenta a l ampada, com caracter sticas adequadas. Nesta tese s ao estudados sinais com harm onicas e sinais modulados; ii) corre c ao de fator de pot encia, utilizando o conversor boost, comparando t ecnicas de controle, dentre elas, a t ecnica por controle repetitivo; iii) alto rendimento, atendendo as normas vigentes;
1 - Proposta de Tese de Doutorado iv) igni c ao suave, atendendo as normas vigentes; v) faixa de pot encia de trabalho [70W a 150W ], independente do fabricante da l ampada;
vi) varia c ao da tens ao aplicada ` a l ampada durante sua vida u til, visando o maior aproveitamento da sua produ c ao de luz; vii) sistema de prote c ao, visando ` a seguran ca do usu ario.
1.2.2
Objetivos Espec cos
1. Estudo das l ampadas de descarga e suas caracter sticas; 2. Estudo e projeto de fam lias de conversores est aticos aplicados aos reatores eletr onicos para l ampada de alta intensidade de descarga - AID; 3. Estudo de t ecnicas de comando; 4. Estudo de formas de onda de tens ao adequadas para se evitar a resson ancia ac ustica; 5. M etodos de igni c ao (partida) da l ampada AID; 6. Estudo do conversor para corre c ao do fator de pot encia e as t ecnicas de controle adequadas ` a utiliza c ao no reator eletr onico; 7. Simula c ao do sistema completo; 8. Implementa c ao do algoritmo de controle em DSP ; 9. Projeto de Hardware (CP U , DSP e montagens); 10. Implementa c ao de prot otipo.
1.3
Estrutura do texto
Esta tese de doutorado est a organizada da seguinte forma: O Cap tulo 1 apresenta a revis ao bibliogr aca, o contexto no qual est a inserido este trabalho e a motiva c ao para a realiza c ao do mesmo. O Cap tulo 2 apresenta o estudo sobre as l ampadas de descarga enfatizando a l ampada de vapor de s odio de alta press ao-(HPS - High pressure sodium), abordando as caracter sticas construtivas e luminosas, a igni c ao, a estabiliza c ao do arco e a resson ancia ac ustica. No Cap tulo 3 e realizado um estudo de reatores convencionais eletromagn eticos e de reatores eletr onicos, operando em alta ou baixa freq u encias. No Cap tulo 4 e apresentado o estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S . As formas de onda de tens ao s ao sintetizadas via Modula c ao por Largura de Pulsos - (PWM- Pulse Width Modulation) atrav es de inversor em ponte completa e um ltro LC projetado pra esse prop osito. O Cap tulo 5 apresenta os ignitores apresentados na literatura, comparando-os, mostrando suas vantagens e desvantagens. Al em disso, e feito o estudo, an alise, projeto e implementa c ao de um ignitor que funciona baseado no batimento de tens ao, visando prolongar a vida u til da l ampada. O Cap tulo 6 apresenta o estudo realizado sobre o est agio de corre c ao do fator de pot encia, comparando as t ecnicas de controle aplicadas ao reator eletr onico: a cl assica, uma segunda t ecnica que consiste na amostragem da tens ao a cada 120Hz e uma terceira, que utiliza o controle repetitivo. Para o controle repetitivo s ao feitas uma breve revis ao e an alise para sua
utilizando no conversor boost CF P - (Corretor do Fator de Pot encia), o qual far a parte do circuito do reator eletr onico. No Cap tulo 7 s ao apresentados os resultados experimentais para a t ecnica de inje c ao de harm onicas e dos sinais modulados via P W M , para o circuito ignitor e para o conversor boost CF P . No nal da presente tese ser ao apresentadas as conclus oes nais e as propostas para continuidade do trabalho de pesquisa nesse tema.
Cap tulo 2 Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S
2.1
Introdu c ao
Neste cap tulo ser a apresentado um estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao(HPS - High Pressure Sodium), um tipo de l ampada de descarga que apresenta uma eci encia luminosa e uma vida u til muito superior que as l ampadas incandescentes. Entretanto, os reatores utilizados para o acionamento desta l ampada apresentam s erios inconvenientes ` a rede el etrica como ser a apresentado posteriormente. A l ampada de vapor de s odio de alta press ao apresenta caracter sticas luminosas que justicam o seu grande uso em ilumina c ao p ublica [14]. Por em, poucos trabalhos existem sobre os reatores eletr onicos para este tipo de l ampada, o que consideramos pertinente apresentar topologias e solucionar alguns problemas em rela c ao aos reatores convencionais. O estudo sobre a l ampada de vapor de s odio foi dividido em tr es partes, nos quais ser ao
2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S
descritas as caracter sticas construtivas, el etricas e o funcionamento da l ampada HP S . Na parte referente ao funcionamento, s ao descritos os processos de igni c ao, de estabiliza c ao, a alimenta c ao em alta freq u encia e a re-igni c ao da l ampada, al em de apresentar caracter sticas particulares, como a resson ancia ac ustica.
2.2
Caracteriza c ao das l ampadas de descarga
2.2.1
Introdu c ao
As primeiras l ampadas de descarga que surgiram foram denominadas de arco volt aico. Nestas l ampadas a descarga el etrica se d a atrav es do ar, onde grande parte do uxo luminoso e produzido pela incandesc encia entre seus eletrodos de carv ao. Este tipo de l ampada foi muito utilizado em ilumina c ao p ublica no in cio do s eculo passado. Hoje s ao utilizadas em aparelhos de proje c ao, tanto cinematogr aca quanto de grande pot encia para aplica c oes especiais, como teatro, artilharia, efeitos c enicos e outros. As l ampadas do tipo descarga eletr onica em gases a alta ou baixa press ao surgiram gra cas ao estudo sobre descargas el etricas em atmosferas gasosas que tornaram poss vel a utiliza c ao da descarga el etrica sobre gases como uma fonte de luz de aplica c ao pr atica. As l ampadas de descarga mais comuns s ao: as de vapor de s odio de alta press ao (HP S ) e de baixa press ao (LP S -Low Pressure Sodium), as de vapor de merc urio (HP M V -High Pressure Mercury Vapor) as l ampadas mistas e as uorescentes.
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2.2.2
Justicativas para a utiliza c ao das l ampadas de descarga
Pode-se citar algumas caracter sticas que justicam o uso das l ampadas de descarga ao inv es das l ampadas incandescentes. a) Alta eci encia: a maior parte da energia el etrica fornecida e convertida em luz, levando a uma redu c ao no consumo de energia. A Tabela 2.1 apresenta o tipo de l ampada e sua eci encia luminosa. Tabela 2.1: Compara ca o da eci encia luminosa entre os tipos de l ampadas [1, 10, 11, 12, 13].
Tipo de L ampada Incandescente LED Mista Vapor de Merc urio Fluorescente Vapor de S odio Multivapor Vapor de S odio, alta press ao Eci encia em l umens/Watt 10 a 20 20 a 100 17 a 25 44 a 63 43 a 84 75 a 105 69 a 115 68 a 140
b) Vida u til: a vida u til e o tempo na qual a l ampada opera em condi c oes nominais. Entre os fatores que afetam o tempo de vida u til est ao a pot encia de opera c ao da l ampada, a temperatura de opera c ao, caracter sticas do reator, a tens ao da fonte e as horas de opera c ao. A Tabela 2.2 apresenta o tipo de l ampada e sua vida u til em horas.
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Tabela 2.2: Compara ca o da vida u til m edia entre os tipos de l ampadas [1, 10, 11, 12, 13].
Tipo de L ampada Incandescente Mista Vapor de Merc urio Fluorescente Vapor de S odio Multivapor Vapor de S odio, alta press ao LED Vida Util (horas) 750 a 2850 6000 a 8000 10000 a 15000 3000 a 20000 10000 a 20000 12000 a 24000 20000 a 40000 100000
c) Opera c ao em temperaturas mais baixas: Outra caracter stica da luz e a sua temperatura, entretanto este termo n ao representa o calor f sico da l ampada e sim o tom de cor que ela d a ao ambiente. Nas l ampadas, esta temperatura de cor e medida em graus Kelvin (o K ) e quanto maior for o valor, mais fria e a cor da l ampada. Na percep c ao pr atica, a luz mais quente oferece maior aconchego e relaxamento e a luz mais fria maior atividade. O calor total produzido pela l ampada de descarga e bem menor que a l ampada incandescente, para um mesmo uxo luminoso.
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2.3
Caracteriza c ao da l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S
As l ampadas de vapor de s odio podem ser divididas em dois grupos: as de baixa press ao (LP S ) e as de alta press ao (HP S ). Nesta se c ao ser a apresentado um estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao utilizada na presente tese. Os aspectos construtivos, as caracter sticas e o seu acionamento s ao discutidos visando-se um conhecimento sobre o tipo de l ampada de descarga, fundamento b asico para an alise e projeto do reator.
2.3.1
Aspectos construtivos da l ampada HP S
A Figura 2.1 apresenta o diagrama de uma l ampada HP S com suas principais partes.
Figura 2.1: Diagrama descritivo da l ampada HPS do tipo SON-T [1].
Estas partes s ao: 1 - Mola de suporte; 2 - Fio curvo de suporte/entrada para melhorar as caracter sticas opticas; 3 - Bulbo externo lacrado para isolar as inu encias do ar e da atmosfera;
2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S 4 - Tubo de descarga transl ucido;
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5 - Mecanismo de expans ao para eliminar o estresse de temperatura provocado pelo tubo descarga; 6 - Fio entrada/suporte; 7 - Absorvedor de gases para assegurar o v acuo; 8 - Base de rosca; 9 - Disco de porcelana para isolamento. O formato do tubo de descarga e comprido, estreito e constitu do de oxido de alum nio sinterizado transl ucido onde est ao os gases xen onio, respons avel pela igni c ao da l ampada, merc urio utilizado para corrigir a cor e s odio em alta press ao. Possui em cada uma de suas extremidades um eletrodo principal feito de ni obio. O tubo de descarga est a localizado dentro do bulbo externo, onde e produzido o v acuo entre eles para que se possa diminuir as perdas por calor externo, al em de aumentar a press ao sobre o tubo de descarga e a eci encia luminosa.
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2.3.2
Caracter sticas luminosas
A l ampada de vapor de s odio de alta press ao possui uma propriedade de cor agrad avel possibilitando sua utiliza c ao em vias p ublicas, ferrovias, areas de estacionamento, praticamente em todo tipo de ilumina c ao externa e tamb em em ilumina ca o da parte interna de ind ustrias.
(a) Espectro luminoso de l ampadas.
(b) Espectro luminoso da l ampada HP S .
Figura 2.2: Espectro luminoso de l ampadas.
A Figura 2.2(a) apresenta o diagrama de cores onde s ao apresentados pontos que representam o espectro luminoso de v arios tipos de l ampadas. As l ampadas indicadas no gr aco s ao: 1 - Incandescente (GLS 100W ) 2 - Hal ogena de tungst enio (1000W )
2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S 3 - Fluorescente branca padr ao (TLD 36W/33) 4 - Fluorescente tree band (TLD 36W/84) 5 - Merc urio de alta press ao (HPL de luxe 400W ) 6 - Hal ogena met alica (HPI/T 400W ) 7 - Vapor de s odio de baixa press ao (SOX-E131)
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- Vapor de s odio de alta press ao (SON 400W ) e a seta indica o efeito do aumento da press ao de vapor de s odio [1]. Nesta gura s ao mostradas as retas com as equivalentes temperaturas da radia c ao de corpo negro para cada comprimento de onda. A Figura 2.2(b) mostra o espectro luminoso para a l ampada HP S SON 400W . Nota-se a curva pontilhada indicando o espectro vis vel em fun c ao do comprimento de onda. Uma forma de quanticar esta distribui c ao espectral e qualicar uma fonte de luz quanto ` a capacidade de reproduzir as cores e dada atrav es do ndice de reprodu c ao de cores IRC . A luz solar possui um IRC igual a 100, o que signica que mais elmente reproduz as cores dos objetos quando iluminadas por esta fonte, j a que o que se enxerga e o reexo da luz emitida aos objetos. A l ampada HP S possui o ndice de reprodu c ao de cores, IRC , denido pela CIE-1974, em torno de 25. O valor m aximo para o IRC e de 100. Atualmente, existem l ampadas HP S com melhores ndices de reprodu c ao de cores, em torno de 85, por em possuem menor vida u til e menor eci encia luminosa. Esta melhora na reprodu ca o de cores e devida ao aumento da press ao [10].
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A Tabela 2.3 apresenta alguns tipos de l ampadas e seus respectivos ndices de reprodu c ao de cores. Tabela 2.3: Compara ca o do IRC entre os tipos de l ampadas [1]
Tipo de L ampada HPS - SON/T HPMV - HPL de Luxe Fluorescente tubular (T5) HPS * LPM - TLD/84 Hal ogena Incandescente LED (cor branca) IRC 25 47 80 85 86 70-90 100 85-100
* - Com melhoria na reprodu c ao de cores
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2.3.3
Acionamento da l ampada HP S
Nesta se c ao ser ao apresentadas as duas principais caracter sticas do acionamento da l ampada HP S , que s ao a igni c ao da l ampada e a estabiliza c ao do arco. A igni c ao da l ampada de descarga corresponde ` a convers ao do g as existente no bulbo de um estado n ao-condutor a estado condutor. A primeira fase no processo de igni c ao da l ampada s o pode ser alcan cada se o circuito el etrico proporcionar uma tens ao com amplitude e tempo sucientes para provocar a ioniza c ao do g as produzindo o arco el etrico entre os dois eletrodos. A estabiliza c ao do arco se desenvolve limitando a corrente que ui por ele, pois, como o arco apresenta uma caracter stica tens ao-corrente negativa, a corrente aumentaria indenidamente at e a l ampada ser destru da. Dessa forma, a l ampada deve ser operada por um circuito limitador de corrente. A corrente na l ampada pode ser ajustada ao valor desejado colocandose um reator passivo ou um reator eletr onico entre a l ampada e a fonte. Para atingir a igni c ao formal e estabiliza c ao do arco, certas exig encias devem ser satisfeitas pela l ampada de descarga e pelo circuito el etrico no qual a l ampada e conectada. Essas exig encias ser ao discutidas a seguir.
2.3.3.1
Igni c ao da l ampada HP S
Uma tens ao de igni c ao elevada e necess aria para iniciar a descarga no tubo. Em seguida, as colis oes eletr onicas aumentam, elevando gradativamente a temperatura do arco, vaporizando o metal e, conseq uentemente, aumentando a press ao. Ao nal desta fase, que leva alguns minutos, a temperatura e a press ao do arco, bem como o brilho da l ampada, atingem o
2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S regime permanente.
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importante ressaltar que a tens E ao nal de opera c ao da l ampada cresce ao longo de sua vida u til devido ` a eleva c ao de sua temperatura de trabalho, este problema e particularmente maior nas l ampadas de vapor de s odio. O processo de igni c ao e apresentado na Figura 2.3, que descreve a caracter stica tens aocorrente da l ampada HP S . O fen omeno do arco pode ser simplicado por uma descarga entre as placas planas e paralelas.
Figura 2.3: Curva caracter stica tens ao-corrente da l ampada HP S [1].
Uma corrente muito pequena ui atrav es do gap quando uma baixa tens ao e aplicada. Para aumentar o valor m edio da corrente, deve-se elevar a tens ao, caracterizando assim a regi ao (I), conhecida com regi ao de Geiger [1]. Observa-se que h a uma eleva c ao da tens ao aplicada para valores pr oximos a 1, 3kV . Na regi ao (II) denominada de regi ao Townsend, a corrente ainda e muito pequena, mas o seu valor aumenta fortemente para um pequeno aumento de tens ao. O ponto de ruptura da corrente, onde a descarga se torna auto-sustentanda, ocorre na regi ao (III). A tens ao diminui ligeiramente, ap os esta etapa, a corrente cresce e atinge o ponto
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onde ocorre a tens ao de ruptura. Na regi ao de descarga de brilho subnominal (IV), ocorre uma diminui c ao signicativa de tens ao. Na regi ao (V) a tens ao e quase constante. Entretanto com o aumento da corrente, o brilho normal se desenvolve fazendo com que a tens ao aumente mais uma vez, caracterizando a regi ao (VI). E nalmente na regi ao (VII) tem-se a descarga do arco propriamente dito [1]. O processo de ruptura e estudado aplicando-se uma alimenta c ao ` a l ampada HP S desligada com uma tens ao constante cuja amplitude pode ser escolhida. O fen omeno de ruptura e observado quando ocorre uma varia c ao s ubita de tens ao [1]. Para se obter as medidas da tens ao de ruptura; as l ampadas HP S devem ser operadas primeiro pelo menos durante dez minutos com uma corrente estabilizada, seguido por um per odo desligado de mesma dura c ao. Um per odo preliminar de aquecimento e resfriamento inadequado inuenciar a nos resultados das medidas. Para tempos pequenos, a tens ao de ruptura ca muito maior por causa da alta press ao do vapor de merc urio e s odio presentes na HP S . Um m nimo na tens ao de ruptura e encontrado para um tempo de resfriamento entre um e dois minutos. Este m nimo pode ser explicado pela poss vel presen ca de uma mistura de xen onio e s odio na l ampada depois de tal per odo para esfriamento. Para per odos maiores que aproximadamente cinco minutos, a tens ao de break-down e principalmente determinada pela presen ca do g as de igni c ao, xen onio. Essas caracter sticas podem ser observadas na Figura 2.4.
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Figura 2.4: Curva caracter stica da tens ao aplicada a l ampada HP S em fun ca o do tempo[1].
Para amplitudes da tens ao maiores que o m nimo requerido para ruptura, o tempo para ruptura depender a em grande parte da sobretens ao (diferen ca entre a tens ao aplicada e o m nimo requerido para ruptura). A largura do pulso de igni c ao aplicado ` a l ampada tamb em inuencia no tempo de igni c ao. Estes pulsos de igni c ao t em que satisfazer certas exig encias m nimas com rela c ao ` a amplitude, a largura e o tempo de subida do pulso. Outra caracter stica e que quanto maior for a tens ao de alimenta c ao, menor ser a o tempo de igni c ao. A press ao de xen onio tamb em tem uma inu encia no tempo de igni c ao da l ampada, que pode ser explicada pelo fato de que, para uma descarga de brilho, a densidade de corrente aumenta com o quadrado da press ao a uma queda constante no c atodo [1]. Muitas l ampadas HP S que empregam xen onio, como um g as de igni c ao, s ao operadas junto com um dispositivo de igni c ao que, em combina c ao com o reator indutivo ou um trans-
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formador de pulso, produz a tens ao necess aria para a igni c ao na forma de pulsos sobrepostos na tens ao de alimenta c ao. Mais detalhes sobre o pulso de igni c ao ser ao apresentados no Cap tulo 5. A temperatura e a press ao do g as no interior do tubo de descarga denem a tens ao de igni c ao necess aria para in cio de uma descarga. Se o arco por algum motivo for extinto, ap os a l ampada estar em equil brio, para um reacendimento imediato seria necess aria uma tens ao muito elevada, j a que nem a press ao, nem a temperatura retornariam ` as condi c oes iniciais imediatamente. A l ampada deve esfriar para um novo acendimento, este tempo e conhecido por tempo de resfriamento e pode levar normalmente alguns minutos. A impossibilidade de re-igni c ao imediata a quente, com as mesmas tens oes de partida a frio, e considerado um inconveniente das l ampadas de descarga a alta press ao.
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Na Figura 2.5 e mostrada a tens ao cont nua de break-down para uma l ampada HP S de 70W em fun c ao da temperatura do tubo de descarga. Observa-se que para uma temperatura de cerca de 1273o C (1000o K ) e necess ario um pulso de igni c ao com amplitude acima 10kV .
Figura 2.5: Curva de tens ao em fun ca o da temperatura na l ampada HPS[1].
2.3.3.2
Estabiliza c ao do arco
A fun c ao mais importante do reator e controlar a corrente de alimenta c ao na l ampada. Os reatores s ao como uma interface entre a l ampada de descarga e a rede el etrica e t em que satisfazer tanto as exig encias da l ampada de descarga quanto da rede el etrica. Com rela c ao ` a l ampada de descarga, o reator tem que assegurar: i) que durante sua vida u til, a pot encia na l ampada seja mantida constante no valor nominal
2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S apesar das utua c oes na tens ao de alimenta c ao; ii) a re-igni c ao;
23
Com rela c ao ` a rede el etrica, o reator tem que assegurar:
i) que a distor c ao na corrente da rede seja mantida dentro dos limites especicados por norma; ii) que no caso de fontes trif asicas, a corrente de terceiro harm onico no neutro seja eliminada; iii) que a corrente da rede esteja, sempre que poss vel, em fase com a tens ao; iv) que a interfer encia de r adio freq u encia, causada, por exemplo, durante a igni c ao e a re-igni c ao da l ampada, seja suprimida adequadamente; v) que o reator n ao perturbe sinais de controle remoto; vi) que os n veis de eci encia el etrica e luminosa sejam satisfat orios.
2.3.3.3
Curvas caracter sticas da l ampada HP S
Como j a mencionado, uma das fun c oes principais do reator e assegurar que, mesmo havendo utua c oes na tens ao da rede, a pot encia fornecida ` a l ampada seja constante. O modo como a pot encia da l ampada varia em fun c ao da tens ao para um determinado circuito el etrico, e mostrado pelas curvas do reator na Figura 2.6 . A inu encia da tens ao da l ampada sobre a pot encia pode ser ilustrada atrav es das curvas da l ampada da Figura 2.6. Note que o ponto operacional da l ampada HP S e determinado pelo ponto de interse c ao do reator e da l ampada.
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Na Figura 2.6 s ao apresentadas as retas que descrevem a caracter stica pot encia-tens ao de uma l ampada HP S e a curva caracter stica de um reator. As linhas pontilhadas indicam as curvas caracter sticas da l ampada sendo deslocada ao longo de sua vida u til.
Figura 2.6: Curva caracter stica da l ampada[1].
As curvas da l ampada para um determinado reator podem ser medidas variando-se a tens ao de alimenta c ao bem como sua pot encia. A curva da l ampada mostra que a tens ao aplicada se torna mais alta para l ampadas mais velhas, como pode se vericar na Figura 2.6.
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2.3.3.4
Diagrama quadril atero
O reator e os fabricantes de l ampada imp oem certas limita c oes nos seus produtos para assegurar que eles operem dentro das especica c oes. Os limites operacionais da l ampada podem ser especicados convenientemente por meio de um quadril atero ou diagrama trapezoidal mostrados na Figura 2.7 [1].
Figura 2.7: Diagrama quadril atero de uma l ampada HP S -400W .
Os limites, superior e inferior, de pot encia da l ampada s ao determinados pela norma IEC . Dentro desses limites se assegura um uxo luminoso aceit avel e com tempo de aquecimento satisfat orio. Os limites laterais s ao determinados pela curva caracter stica da l ampada. O ponto de funcionamento do reator deve estar dentro desse quadril atero. No projeto do reator dever a ser considerada as utua c oes na tens ao de alimenta c ao para
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que a curva do reator n ao ultrapasse os limites, inferior e superior, do diagrama quadril atero. O diagrama quadril atero apresenta a regi ao na qual a l ampada opera em condi c oes nominais de tens ao e corrente, garantidas pelo reator. Contudo, com o passar do tempo, ao longo de sua vida u til, a imped ancia equivalente da l ampada varia, aumentando a tens ao nal sobre a mesma. Este problema n ao ocorre nas l ampadas de vapor de merc urio, e moderado nas l ampadas de vapor met alico, e nas l ampadas de vapor de s odio e particularmente maior, onde a tens ao alcan ca valores at e 70% maior do que o nominal [10]. A tens ao de opera c ao da l ampada est a intimamente ligada a ` temperatura do am algama. Com o passar do tempo, o material dos eletrodos gradualmente se vaporiza e se deposita nos terminais do tubo de descarga, na forma de um lme escuro. Tal lme absorve o calor da descarga provocando um acr escimo na temperatura. Al em disso, a alta reatividade do s odio aquecido faz com que o mesmo se combine com outros ingredientes do tubo de descarga, tornando o am algama mais rico em merc urio, elevando a tens ao do arco [1]. Tais mudan cas podem ser causadas por [1]: uma remo c ao total de s odio durante a vida da l ampada (que e a raz ao para o excesso de am algama em l ampadas HP S ); a am algama ca mais rica em merc urio e produz uma press ao de merc urio mais alta e uma press ao de s odio mais baixa ` a mesma temperatura da am algama; uma mudan ca na temperatura da mancha mais fria durante a vida da l ampada que podem ser provocados por v arios fatores: escurecimento do m do tubo de descarga; mudan ca no uxo de pot encia pelo eletrodo.
2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S Tamb em, a tens ao da l ampada inicial mostra um aumento devido: ` as toler ancias de fabrica c ao da l ampada de descarga; ` as toler ancias de fabrica c ao do reator; ` a inu encia da lumin aria no qual a l ampada e operada; ` a inu encia nas utua c oes de tens ao de alimenta c ao.
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2.3.4
Resson ancia ac ustica
A Resson ancia Ac ustica (RA) que ocorre nas l ampadas de alta intensidade de descarga (AID) se caracteriza por utua c oes de press ao do g as no interior do tubo de descarga, quando elas s ao alimentadas por fontes de pot encia de altas freq u encias (de poucos a centenas de kHz ) [1]. Quando a freq u encia da utua c ao de press ao est a pr oxima da freq u encia natural de oscila c ao do tubo (determinada pela sua forma, temperatura interna e tipo de g as contido), ondas de press ao permanentes se estabelecem no tubo, produzindo a resson ancia ac ustica [50]. Essas ondas de press ao causam a vibra c ao do arco, bem como a sua deforma c ao que, de forma pr atica, se traduz nos seguintes efeitos [2]: movimento e utua c ao da luz, tamb em conhecido por icker, observado principalmente quando a luz e utilizada para proje c oes e focaliza c oes; extin c ao do arco, devido ao seu alongamento, o que torna a tens ao da fonte insuciente para mant e-lo; quebra do tubo de descarga, o que pode ocorrer quando o caminho do arco se desloca
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em dire c ao ` as paredes do tubo provocando sobre-aquecimento (somente para l ampadas de vapor de s odio); varia c ao da temperatura e do ndice de reprodu c ao de cor da luz. A Figura 2.8 mostra duas fotograas do arco voltaico em uma l ampada AID acionada por reator eletr onico em alta freq u encia: (a) apresentando o fen omeno da resson ancia ac ustica e (b) operando em condi c oes normais.
Figura 2.8: Fotograa do arco de uma l ampada AID, (a) - com resson ancia ac ustica e (b) sem
resson ancia ac ustica [2].
Em cada tipo de l ampada AID, a resson ancia ac ustica ocorre em faixas de freq u encia diferentes, ocorrendo intervalos livres da resson ancia. Os fatores que inuenciam este espectro de freq u encia s ao: dimens oes e geometria do tubo de descarga e do eletrodo;
2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S condi c oes termodin amicas do g as (temperatura, press ao e densidade); composi c ao do g as.
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A Figura 2.9 mostra a distribui c ao das freq u encias em que ocorre o fen omeno da resson ancia ac ustica para l ampadas de vapor met alico de 70W dos fabricantes GE e P HILIP S respectivamente. As Figuras 2.10(a) e 2.10(b) apresentam as faixas de ocorr encia da resson ancia ac ustica para l ampadas HP S SON 150W e SON S 150W (respectivamente baixa e alta press ao do g as xen onio) e para a l ampada HP S 250W , respectivamente. Em ambas, as areas claras representam as zonas livres de resson ancia. Pode-se observar que em l ampadas de mesma especica c ao e de fabricantes distintos existem diferen cas nas faixas de freq u encia em que a resson ancia ac ustica ocorre e at e do mesmo fabricante, variando a press ao do g as xen onio.
Figura 2.9: Faixas de ocorr encia da resson ancia ac ustica em uma l ampada M V 70W fabricantes
diferentes, GE e P HILIP S , respectivamente [2].
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(a) L ampada HP S 250W
(b) L ampada HP S 150W
Figura 2.10: Faixas de ocorr encia da resson ancia ac ustica em l ampadas HP S da P HILIP S [1].
importante ressaltar que nas l E ampadas AID de baixas pot encias, em especial nas de vapor met alico, o espectro de resson ancia e muito amplo e as zonas livres da resson ancia ac ustica s ao bastante estreitas. Considerando ainda as diferen cas existentes entre as l ampadas produzidas por um mesmo fabricante, a presen ca de v arios fabricantes no mercado, as toler ancias geradas no processo de fabrica c ao das l ampadas e as varia c oes das condi c oes termodin amicas ao longo do tempo de uso de uma l ampada, torna-se muito dif cil predizer as faixas de freq u encia em que ir ao ocorrer a resson ancia ac ustica nesses tipos de l ampada. As Figuras 2.11(a) a 2.11(f) apresentam fotograas do arco para diferentes freq u encias. A Figura 2.11(f) apresenta o arco est avel operando numa freq u encia acima da qual a resson ancia
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ocorre (714kHz ). A Figura 2.11(b) apresenta o arco para uma freq u encia dentro de uma janela livre de resson ancia (45kHz ). As Figuras 2.11(a) a 2.11(e) mostram as fotograas de arcos que apresentam a presen ca da resson ancia ac ustica [51].
(a) 38 kHz
(b) 45 kHz
(c) 49 kHz
(d) 53 kHz
(e) 67 kHz
(f) 714 kHz
Figura 2.11: Fotograas do arco na l ampada para diferentes freq u encias.
32
Podem ser correlacionadas as freq u encias ` as quais as distor c oes de arco acontecem ` as freq u encias de resson ancia de ondas de press ao ac usticas. Tal fen omeno de resson ancia tamb em pode acontecer em uma cavidade que tenha as mesmas dimens oes do tubo de descarga. No tubo de descarga, estas oscila c oes se sobrep oem ` a press ao m edia do g as, produzindo assim modula c oes na pot encia aplicada ` a l ampada. Isto provoca ondas de press ao viajantes a certas freq u encias, que reetidas na parede do tubo de descarga, produzem distor c oes vis veis do arco. O aumento da freq u encia proporciona aproxima c oes das faixas de ocorr encia da resson ancia ac ustica, enquanto a baixas freq u encias, as regi oes s ao mais espa cadas. As freq u encias ressonantes s ao determinadas pelas dimens oes internas do tubo de descarga e pela velocidade do som. O comprimento do tubo de descarga e relevante pois a onda ac ustica e mais reetida contra as extremidades do tubo do que contra as extremidades dos eletrodos, a menos que os eletrodos ocupem uma grande parte do tubo de descarga. A velocidade do som e determinada pelo peso m edio molecular do g as. Em l ampadas padr oes HP S , o peso m edio molecular depende das press oes parciais de s odio, merc urio e xen onio. As diferentes velocidades do som para diferentes modos de resson ancia sugerem que diferentes temperaturas efetivas est ao envolvidas [1]. poss E vel efetuar os c alculos das freq u encias em que ocorre a resson ancia ac ustica [1, 34]. Entretanto n ao cabe aqui a apresenta c ao destes complexos equacionamentos. Devido ` as l ampadas de vapor de s odio possu rem tubos de descarga longos e estreitos, aparecem amplas faixas de freq u encia livres da resson ancia ac ustica. Isto torna um pouco mais f acil obter um reator eletr onico operando em altas freq u encias para este tipo de l ampada [4]. Para tentar evitar os efeitos da resson ancia ac ustica, operando com inversores em alta freq u encia, v arias
2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S pesquisas foram propostas na literatura e est ao resumidas a seguir:
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i) escolher um freq u encia xa entre 20kHz e 200kHz , utilizando uma faixa de freq u encia em que n ao ocorre a resson ancia ac ustica [3, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 52]. Apesar de ser mais simples, esta solu c ao n ao e segura, j a que as faixas livres da resson ancia podem se alterar ao longo da vida u til da l ampada e diferem entre l ampadas dos diversos fabricantes e at e do mesmo fabricante. Esta solu c ao pode ser usada quando se deseja investigar outros aspectos dos inversores que acionam as l ampadas, tais como estrat egias de controle do uxo de pot encia ou estudos das comuta c oes;
ii) escolher uma freq u encia acima da faixa em que ocorre a resson ancia ac ustica, normalmente superior a 500kHz [29, 30, 31, 32, 33]. Neste caso elevam-se muito as perdas de comuta c ao dos interruptores do reator eletr onico, al em da necessidade de se levar em considera c ao, no projeto do reator eletr onico, as indut ancias e capacit ancias parasitas, assim como as imped ancias de trilhas e cabos;
iii) utilizar alguma estrat egia de modula c ao, de forma a alterar a freq u encia do inversor antes que a resson ancia ac ustica evolua. Isto e poss vel, pois a constante de tempo da instabilidade do arco e elevada ( de 0, 1 a 1s ). Desta forma, mesmo quando as condi c oes para ocorrer a resson ancia ac ustica s ao satisfeitas, e as ondas de press ao se formam, o arco pode permanecer est avel se as condi c oes de gera c ao da resson ancia s ao retiradas [2, 41, 43, 44, 53]. Estudos recentes mostram a limita c ao desta t ecnica quando aplicada a l ampadas de vapor met alico de baixa pot encia [36];
iv) utilizar uma forma de onda quadrada de corrente em alta freq u encia na l ampada, tal
34
que a pot encia na l ampada que cont nua [54, 55]. Esta solu c ao gera altos n veis de interfer encia eletromagn etica (EM I ), em especial a radiofreq u encia emitida pela pr opria descarga. Uma forma de reduzir estes n veis de interfer encia consiste em sobrepor algumas harm onicas (terceira e quinta) a uma forma de onda senoidal de alta freq u encia de modo a aproxim a-la de uma onda quadrada [5, 6, 46, 47, 48], esta t ecnica, entretanto, ainda e muito pouco investigada. Vale ressaltar que, quando a l ampada HP S e acionada por um reator eletr onico que opera em baixa freq u encia o fen omeno da resson ancia ac ustica n ao ocorre. Dessa forma, as t ecnicas que utilizam deste principio n ao ser ao apresentadas aqui.
35
2.4
Conclus oes do cap tulo
Neste cap tulo foi mostrado o estudo realizado para a l ampada HP S , destacando seus aspectos construtivos, caracter stica luminosa, a resson ancia ac ustica, principalmente, sua igni c ao e a estabiliza c ao do arco. As justicativas referente ao uso das l ampadas de descarga mostram a preocupa c ao com a quest ao do uso mais eciente da energia el etrica. O estudo da igni c ao da l ampada apresentou caracter sticas importantes das l ampadas HP S como as altas tens oes necess arias para a forma c ao do arco, a rela c ao entre o tempo e o valor da tens ao para a re-igni c ao. O reator deve fornecer a pot encia nominal ` a l ampada com pequenas utua c oes e permitir a re-igni c ao, n ao perturbar a rede el etrica, principalmente com respeito ` a corrente, que deve ter a distor c ao harm onica total dentro dos limites especicados e um alto fator de pot encia. O aumento da tens ao aplicada ` a l ampada durante a sua vida u til permite avaliar a varia c ao da pot encia nesse per odo e a import ancia do diagrama quadril atero para o projeto do reator para o acionamento da l ampada. A escolha da freq u encia de opera c ao do reator eletr onico est a diretamente relacionada com as faixas de ocorr encia das resson ancias ac usticas, que devem ser evitadas para preservar a l ampada e manter sua opera c ao.
Cap tulo 3 Estudo dos reatores para l ampada HP S
3.1
Introdu c ao
Este cap tulo apresenta um estudo sobre os reatores para o acionamento das l ampadas de descarga do tipo vapor de s odio de alta press ao, mostrando suas vantagens e limita c oes. Para a implementa c ao adequada de um reator eletr onico, visando o n ao aparecimento de perturba c oes que impe cam o acionamento ou funcionamento de uma l ampada de vapor de s odio de alta press ao (HP S ), deve-se levar em considera c ao os seguintes tens: entender o comportamento das l ampadas, quando funcionando em baixas e altas freq u encias; estudar o fen omeno da resson ancia ac ustica e saber evit a-lo; analisar as solu c oes existentes para o controle do uxo luminoso e as suas inu encias
3 - Estudo dos reatores para l ampada HP S sobre o desempenho da l ampada.
37
Como as l ampadas de descarga apresentam caracter stica de imped ancia negativa, e necess ario dispositivos que limitem a passagem de corrente para evitar danos nos lamentos. Al em disso, necessita-se de altas tens oes para a igni c ao. As caracter sticas de funcionamento destas l ampadas t em sido supridas por meio dos reatores eletromagn eticos, ditos convencionais: capacitivos ou indutivos. Entretanto, mesmo sendo de baixo custo esses reatores apresentam algumas desvantagens como: baixo fator de pot encia, baixa eci encia, grande peso e volume. Entretanto, eles t em como vantagens: alta durabilidade, resistentes aos transit orios da rede el etrica, alta conabilidade e elevado valor de MTBF(Mean Time Between Fail) [56]. Os reatores eletr onicos podem apresentar caracter sticas superiores aos dos reatores convencionais. Apesar de um custo maior, estes reatores t em se tornados competitivos em rela c ao aos passivos, porque aumentam a vida u til das l ampadas, proporcionam economia de energia, aumentam a ec acia luminosa (rendimento luminoso: l umens/W), n ao apresentam ru do aud vel e s ao menos sens veis ` as utua c oes da rede el etrica. Existem reatores eletr onicos tanto com quanto sem corre c ao de fator de pot encia. Outros reatores eletr onicos ainda apresentam dimeriza c ao que permite o controle da luminosidade e tamb em economia de energia el etrica. Algumas desvantagens dos reatores eletr onicos s ao sua baixa resist encia aos transit orios da rede el etrica, menor tempo de vida u til e menor MTBF, devido ao maior n umero de componentes. Neste estudo procura-se descrever as caracter sticas dos reatores passivos e dos reatores eletr onicos. S ao inclu dos dados experimentais de um reator convencional indutivo acionando
3 - Estudo dos reatores para l ampada HP S
38
uma l ampada HPS-150W . Na Figura 3.1 e mostrado um reator convencional eletromagn etico.
Figura 3.1: Fotograa de um reator passivo.
3.2
Reatores passivos - capacitivo e indutivo
Os reatores convencionais s ao do tipo capacitivo ou indutivo. No reator capacitivo ou indutivo puro, alimentado por uma tens ao senoidal, a pot encia na l ampada e determinada pelo produto da componente fundamental da tens ao com a componente fundamental da corrente da l ampada e o cosseno do angulo de fase entre estas duas componentes.
Plamp = V Icos Observa c oes sobre os tipos de reatores:
(3.1)
com respeito ` as varia c oes de tens ao na l ampada, os reatores indutivos mostram uma regula c ao de pot encia melhor que o capacitivo, especialmente para uma tens ao na l ampada de cerca da metade da tens ao de alimenta c ao; para uma tens ao constante na l ampada de aproximadamente metade da tens ao de alimenta c ao, o reator capacitivo regula a pot encia na l ampada contra utua c oes de tens ao de alimenta c ao um pouco melhor que o do tipo indutivo;
39
quanto mais alta for a tens ao na l ampada, maiores as mudan cas de pot encia na l ampada devido as utua c oes de tens ao de alimenta c ao. Estas mudan cas na pot encia da l ampada podem ser reduzidas diminuindo-se a tens ao na l ampada em rela c ao ` a tens ao de alimenta c ao [1]. A Figura 3.2(a) apresenta formas de ondas de tens ao na rede e na l ampada e tamb em tens ao e corrente na l ampada para o reator convencional do tipo indutivo. J a a Figura 3.2(b) apresentada forma de ondas de tens ao na rede e na l ampada e tamb em tens ao e corrente na l ampada para o reator convencional do tipo capacitivo.
(a) Formas de onda para o reator indutivo.
(b) Formas de onda para o reator capacitivo.
Figura 3.2: Formas de ondas para os reatores indutivo e capacitivo: (Vm ) tens ao na rede, (Vla )
tens ao na l ampada e (Ila ) corrente na l ampada [1].
40
Tanto no circuito capacitivo quanto no indutivo h a um defasamento entre a tens ao de alimenta c ao e corrente na l ampada, como mostrado nas Figuras 3.2(a) e 3.2(b). O elemento puramente capacitivo produz uma distor c ao muito elevada na corrente de alimenta c ao, pois o capacitor apresenta um curto-circuito virtual aos harm onicos de mais alta freq u encia da corrente. Um modo para evitar tal distor c ao seria empregar-se um reator capacitivo que inclu sse uma combina c ao de capacitor e indutor. Por em, este circuito pode ser melhor utilizado junto ` as l ampadas de descarga cuja tens ao e quase independente da pot encia da mesma, por exemplo, como a l ampada HP M V (L ampada de Merc urio). O reator capacitivo age como uma fonte de corrente constante para a l ampada [1]. O reator indutivo proporciona uma estabiliza c ao melhor que o capacitivo no que diz respeito ` as mudan cas de tens ao na l ampada. Para a freq u encia de 60Hz , o indutor e relativamente pesado e em alguns casos, um transformador tem que ser utilizado para manter as perdas no ferro e cobre dentro de limites aceit aveis. A Tabela 3.1 apresenta determinadas perdas dos reatores comercialmente dispon veis para v arias pot encias de l ampadas HP S [1].
Tabela 3.1: Perdas em reatores comerciais

Tipo de l ampada HP S 70W 100W 150W 250W 400W Perdas no reator (W ) 11 11 20 30 35
41
Uma vantagem do reator indutivo e que um circuito de igni c ao pode ser incorporado facilmente ao reator para produzir as pulsa c oes de igni ca o necess arias para as l ampadas HP S . J a a desvantagem do reator indutivo est a relacionada ` as grandes utua c oes da tens ao de alimenta c ao. Essa desvantagem pode ser evitada usando-se outro tipo de reator, o denominado regulador de pot encia constante. Neste dispositivo, um transformador regulador de tens ao e adicionado ao indutor. Tal transformador d a uma tens ao estabilizada ao secund ario. Os principais problemas que apresenta um sistema tradicional de acionamento de l ampadas AID, s ao:
i) o elevado tamanho e peso dos sistemas de alimenta c ao sempre foram fatores limitantes nos projetos e desenhos de lumin arias e reetores.
ii) a baixa regula c ao de pot encia, estes sistemas operam adequadamente se a varia c ao da tens ao de alimenta c ao da l ampada n ao for maior que 5%. A opera c ao com valores acima deste limite pode comprometer a vida u til das l ampadas, uma vez que elas operam com pot encias mais elevadas. Operando com valores inferiores ao limite pode provocar at e a extin c ao do arco da l ampada.
iii) os sistemas tradicionais s ao projetados para manter a pot encia das l ampadas dentro de limites que evitem a sua deteriora c ao. Entretanto, pela pr opria concep c ao, n ao garantem pot encia constante ao longo da vida u til da l ampada.
iv) os circuitos ignitores convencionais utilizam pulsos de alta tens ao sobrepostos ` a tens ao da rede. Estes pulsos s ao aplicados durante apenas os 45o em que a tens ao da rede passa pelos valores m aximos. Qualquer falha no ignitor pode comprometer a igni c ao da
42
l ampada. Um desligamento da l ampada quer por idade avan cada, quer por varia c oes na rede de alimenta c ao, faz com que o circuito tradicional de igni c ao tente continuamente o re-acendimento da mesma. Tais tentativas n ao s ao bem sucedidas, pois h aa necessidade de esperar o tempo de resfriamento. Enquanto isso, os pulsos de igni c ao reduzem a vida u til do isolamento do reator e podem provocar riscos de choque el etrico, ru do e interfer encias eletromagn eticas transmitidas pelos cabos de alimenta c ao a outros equipamentos sens veis. v) associado ` as varia c oes do uxo luminoso na freq u encia de 120Hz , pode existir o efeito estrobosc opico em uma instala c ao. O uso de sistemas em altas freq u encias ou com formas de onda retangulares de corrente podem eliminar tais efeitos. vi) o fator de pot encia de um reator eletromagn etico apresenta valores aproximados a 0, 4. Tais valores aumentam para 0, 9 com a inclus ao de um capacitor em paralelo com a rede. Entretanto o uso deste capacitor aumenta ainda mais o volume do conjunto. Outro problema do reator eletromagn etico est a relacionado com o conte udo de harm onicos mpares na corrente de entrada do reator, os quais surgem devido a: harm onicos de corrente que circulam pelo capacitor de corre c ao de fator de pot encia devido ` as distor c oes j a presentes na rede de alimenta c ao; forma de onda quase quadrada da tens ao na l ampada, produzindo harm onicos de corrente que s ao fortemente atenuados pela imped ancia do reator.
43
3.3
Reatores eletr onicos
O interesse nos reatores eletr onicos para l ampadas HP S e devido ao fato de serem menores e mais leves que os reatores convencionais. Al em disso, o reator eletr onico permite a opera c ao em alta freq u encia, em baixa freq u encia ou opera c ao com corrente pulsada entre outras caracter sticas [1]. A inu encia da freq u encia da fonte de alimenta c ao sobre as caracter sticas da l ampada de descarga est a relacionada diretamente com o tempo necess ario para in cio do resfriamento do mistura gasosa (tempo de relaxa c ao). Se o per odo de uma corrente quase senoidal na l ampada for um pouco maior que este tempo, haver a o resfriamento do plasma a cada ciclo e a temperatura car a modulada. Se o per odo da corrente for menor do que este tempo, o plasma permanece com a temperatura praticamente constante, e a l ampada opera como se estivesse com corrente cont nua [4, 5]. As formas de onda de tens ao e corrente mostradas na Figura 3.3(a) e a caracter stica V xI , mostrada na Figura 3.3(b), retratam muito bem uma caracter stica marcante das l ampadas AID quando acionadas por reator eletromagn etico em fonte senoidal de baixa freq u encia. Esta caracter stica e o re-acendimento da l ampada a cada semiper odo da rede que e marcada por picos de tens ao enquanto a l ampada est a temporariamente apagada.
44
(a) Tens ao (50V /div ) e corrente (2A/div ) na l ampada, acionada a 60Hz .
(b) Caracter stica Tens ao-Corrente da l ampada, acionada a 60Hz .
(c) Tens ao (50V /div ) e corrente (2A/div ) na l ampada, acionada a 47kHz .
(d) Caracter stica Tens ao-Corrente da l ampada, acionada a 47kHz .
Figura 3.3: Formas de onda de tens ao e corrente em uma l ampada HP S 150W , para diferentes
freq u encias de acionamento. [3]
Uma forma de se operar em baixas freq u encias, evitando os problemas das varia c oes no uxo luminoso e das distor c oes na forma de onda de tens ao na l ampada, e utilizar a forma de onda retangular de corrente que alimenta a l ampada [1, 4, 10, 57]. Neste caso, as transi c oes
3 - Estudo dos reatores para l ampada HP S de corrente s ao muito mais r apidas, n ao havendo resfriamento do plasma.
45
Em altas freq u encias n ao h a tempo para o resfriamento do plasma, signicando que o fen omeno do re-acendimento a cada semiciclo n ao ocorre. Neste caso, o circuito equivalente da l ampada pode ser representado por uma resist encia, resultando no comportamento mostrado nas Figuras 3.3(c) e 3.3(d). A grande limita c ao em trabalhar com altas freq u encias na l ampada consiste no efeito da resson ancia ac ustica, que ser a abordado a seguir. Segundo estudos realizados em [44], n ao e garantido que haja aumento do uxo luminoso com opera c ao em altas freq u encias, podendo inclusive haver redu c ao, conforme alguns de seus experimentos. J a estudos apresentados por Alvarez [4], mostram o crescimento do uxo luminoso. O controle do uxo luminoso das l ampadas e de extrema utilidade quando se deseja economizar energia, reduzir os picos de demanda de pot encia e aumentar a exibilidade de sistemas de ilumina c ao [4]. Ao controle do uxo luminoso da l ampada atribui-se o termo dimmerizac ao, amplamente discutido na literatura [21, 23, 28, 38, 58, 59, 60, 61]. Por em, para se realizar este controle requer uma aten c ao especial, pois al em da diculdade de se implementar o controle, existem recomenda c oes na opera c ao das l ampadas com pot encias reduzidas que devem ser respeitadas, para garantir a longevidade do sistema de ilumina c ao. Os principais problemas ao se implementar o dimmer s ao [4]:
redu c ao da eci encia: Quando a l ampada AID tem sua pot encia de sa da diminu da, a redu c ao no uxo luminoso e maior do que a redu c ao na pot encia de entrada do sistema. Isto reduz a eci encia da l ampada.
altera c ao da reprodu c ao de cores: A reprodu c ao de cores e mais afetada nas l ampadas
46
de vapor met alico, pois com a redu c ao na temperatura do tubo de descarga alguns elementos podem n ao mais ionizar, deixando de contribuir para a forma c ao do espectro luminoso da mesma. Nas l ampadas de vapor de s odio as altera c oes na temperatura e no IRC s ao menores e nas l ampadas de vapor de merc urio n ao chegam a ser signicativas. redu c ao na vida u til: Estudos de controle do uxo luminoso em sistemas de dois n veis n ao encontraram redu c ao signicativa na vida u til da l ampada [28]. Entretanto os fabricantes das l ampadas normalmente advertem que a opera c ao cont nua em baixas pot encias reduz a vida u til da l ampada. A NEMA (National Electric Manufaturers Association), em um guia para controle de ilumina c ao de l ampadas AID, sugere que todos os tipos de l ampadas AID devem funcionar com brilho m aximo por no m nimo 15 minutos, antes de ter sua pot encia reduzida [11]; o percentual m aximo de redu c ao na pot encia da l ampada n ao deve ser superior a 50% da pot encia nominal [28]. A Figura 3.4 mostra um diagrama em blocos dos circuitos que comp oem um reator eletr onico e suas respectivas fun c oes.
+
Vrede Filtro de Entrada
Inversor ressonante
Lmpada
Figura 3.4: Diagrama b asico de um reator eletr onico convencional.
O ltro de entrada tem como fun c ao corrigir a distor c ao da corrente na rede, suprimir interfer encia de r adio freq u encia (r) e remover spikes na alimenta c ao.
47
O reticador, combinado com o ltro capacitivo, converte a tens ao de alimenta c ao alternada em uma tens ao cont nua. O inversor ressonante converte a tens ao cont nua em uma tens ao de alta freq u encia e proporciona a igni c ao da l ampada, al em de eliminar o efeito estrobosc opio de baixa freq u encia e o f licker.
3.3.1
Topologias e caracter sticas de reatores operando em alta frequ encia
Os reatores eletr onicos s ao implementados utilizando o princ pio dos conversores ressonantes, que trabalham em alta freq u encia e com comuta c ao n ao-dissipativa dos interruptores. O fato de possibilitarem o fornecimento de altas tens oes devido suas propriedades, os conversores ressonantes permitem a realiza c ao da igni c ao da l ampada e a estabiliza c ao do arco. O controle da pot encia entregue ` a l ampada pode ser realizado das seguintes formas: atrav es da varia c ao da freq u encia de opera c ao do inversor [20, 25]; operando com freq u encia constante e controlando o deslocamento de fase dos sinais de comando dos interruptores do inversor [6, 43, 51]. Os reatores eletr onicos podem ser classicados segundo o tipo de circuito ressonante e de acordo com a topologia do inversor. Assim, segundo o circuito ressonante, podem ser: s erie, paralelo ou s erie-paralelo (LCs Cp ). A Figura 3.5 apresenta esses circuitos ressonantes.
48
Vi
Vo
Vi
Vo
(a) Circuito s erie ressonante.
(b) Circuito paralelo ressonante.
Cs
Vi
Cp
Vo
(c) Circuito s erie-paralelo ressonante.
Figura 3.5: Tipos de circuitos ressonantes.
A Tabela 3.2 apresenta as equa c oes que descrevem o comportamento dos circuitos ressonantes. Atrav es dessas equa c oes pode-se obter os gr acos da Figura 3.6. Essas informa c oes s ao importantes para escolha do circuito ignitor e fornecedor da tens ao de alimenta c ao de alimenta c ao da l ampada. Onde
V o(jw) , V i(jw)
Q e 0 s ao o ganho, fator de qualidade e a freq u encia
de resson ancia do circuito, respectivamente.
Tabela 3.2: Circuitos ressonantes e suas equa co es caracter sticas. S erie

V o(j ) V i(j ) 1 0 2 1+Q2 ( )
0
Paralelo
1 2 2 ) ) +( Q )2 (1(
0 0
S erie-paralelo
1
C 2 2 s )2 (1+ Cp ( ) ) +Q2 ( Q s p s
Q 0
0 L R 1 LC
R 0 L 1 LC
s L R
s =
1 , LCs
p = 1
LCp
49
0.9 5 0.8
0.7
0.6
vo/vi
vo/vi
0.5 Q 0.4
3 Q
2 0.3
0.2
0.1 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
1.8
w/w0
w/w0
(a) Circuito s erie ressonante.
(b) Circuito paralelo ressonante.
4.5 4 3.5 Cs=3Cp 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 Q Cs=Cp
vo/vi
0.2
0.4
0.6
0.8
1 /
1.2
1.4
1.6
1.8
(c) Circuito s erie-paralelo ressonante.
Figura 3.6: Varia ca o da tens ao de sa da em rela ca o a tens ao de entrada para os circuitos ressonantes,
Q : 1.0 5.0.
Observar-se que o ganho de tens ao para o circuito s erie ressonante, Figura 3.6(a), e no m aximo um, quando a freq u encia = 0 . Para o circuito paralelo ressonante, Figura 3.6(b), obt em-se elevados ganhos de tens ao para Q elevados. Para o circuito ressonante paralelo, antes da igni c ao, o Q , pois R , como observado na Tabela (3.2). J a o circuito
50
s erie-paralelo possibilita a rela c ao maior que um na rela c ao tens ao de sa datens ao de entrada, pois o Q 0, pois R , como pode-se observar na Tabela (3.2)[62]. De acordo com a topologia do inversor pode-se classicar os reatores eletr onicos como: em ponte completa [6, 8, 17, 41, 48, 62, 63] ou meia-ponte [7, 64]. A Figura 3.7 apresenta as topologias citadas.
T1 Vcc T2 a) Circuito Ressonante + Carga
C1 Vcc C2
T1 Circuito Ressonante + Carga T3 b)
T2
T4
Figura 3.7: Tipos de inversores utilizados em reatores a)Meia-Ponte e b)Ponte Completa.
Al em destas topologias, existe a dos conversores ressonantes para a convers ao CC -CA. Os inversores tipo D [15, 18, 65, 66] e E [33], mostrados na Figura 3.8, que s ao utilizados como parte de reatores eletr onicos.
Cs Vcc
Lf
Cs
T1 Vcc T2 a)
Cp
T1
Cp
b)
Figura 3.8: Outros conversores utilizados em reatores eletr onicos: a)Tipo D e b)Tipo E.
A estrutura do reator eletr onico apresentado na Figura 3.4 pode apresentar baixo fator de pot encia (F P ), devido a grande taxa de distor c ao harm onica, T HD, da corrente de entrada,
51
em torno de 120%, devido ` a presen ca da ponte reticadora e o capacitor de ltragem do est agio CA-CC do reator[67, 68]. Pode-se citar como desvantagens do baixo F P e elevada distor c ao harm onica da corrente de entrada que os reatores apresentam: a m axima pot encia ativa utiliz avel da rede el etrica e fortemente limitada pelo F P ; os harm onicos de corrente exigem um sobre dimensionamento da instala c ao el etrica e dos transformadores, al em de aumentar as perdas por efeito pelicular; a componente de terceiro (3o ) harm onico da corrente em sistema trif asico com neutro, pode ser muito maior que a corrente da fase; os componentes harm onicos podem excitar resson ancias no sistema de pot encia, gerando picos de tens ao e de corrente, podendo assim danicar dispositivos conectados ` a linha. Podem ser adotadas algumas solu c oes passivas para a corre c ao do F P , pois estas oferecem caracter sticas como: robustez, alta conabilidade, menor sensibilidade a surtos, opera c ao silenciosa [69]. No entanto, existem algumas desvantagens, tais como: s ao pesados e volumosos (em compara c ao com solu c oes ativas); afetam as formas de onda na freq u encia fundamental; alguns circuitos n ao podem operar numa larga faixa da tens ao de entrada (90V a 240V ); n ao possibilitam regula c ao da tens ao; a resposta din amica e lenta.
52
A utiliza c ao de um ltro indutivo na sa da do reticador (sem capacitor) produz uma melhoria signicativa do F P , uma vez que e absorvida uma corrente quadrada da rede, o que leva a um F P de 0, 90. Como grandes indutores s ao indesej aveis, um ltro LC pode permitir ainda o mesmo F P , mas com elementos signicativamente menores [68]. Outras alternativas que n ao provocam a redu c ao da componente fundamental da tens ao empregam ltros LC paralelo sintonizados (na 3a harm onica) na entrada do reticador. Os reatores eletr onicos que apresentam corre c ao ativa do fator de pot encia possuem um circuito denominado de Corretor de Fator de Pot encia - CF P . Os conversores mais utilizados que realizam esta fun c ao s ao: o boost [3, 26, 41, 53, 70, 71], o buck-boost [52, 71] e o yback [71], entre outros, o buck em condu c ao descont nua [17, 25, 72, 73, 74]. A Figura 3.9 mostra em diagrama de blocos estes reatores.
+
Vrede Filtro de Entrada Circuito Corretor de Fator de Potencia
Inversor ressonante
Lmpada
Figura 3.9: Diagrama b asico de um reator eletr onico com CF P .
O conversor tipo boost e colocado como est agio intermedi ario entre o reticador e o inversor ressonante. Este est agio intermedi ario tem como objetivo apresentar para a rede el etrica uma carga resistiva e para a carga uma tens ao de sa da maior que a de entrada. O circuito de CF P apresenta para a rede formas de corrente e tens ao senoidais e em fase, ou seja, cos igual a 1, (onde eo angulo da defasagem entre a tens ao e a corrente) proporcionando assim um alto fator de pot encia. Na Figura 3.10(a), pode-se ver o diagrama do reator eletr onico
53
com o CF P boost. No caso de altas pot encias, utiliza-se o inversor em ponte completa e para uma op c ao mais econ omica para baixas pot encias, utiliza-se o inversor em meia ponte.
L D
Vrede
Filtro
Inversor Ressonante
Lmpada
(a) Estrutura do reator eletr onico com CF P boost.

T D
Vrede
Filtro
Inversor Ressonante
Lmpada
(b) Estrutura do reator eletr onico com CF P buck-boost.

D N1 Vrede Filtro T N2 C Inversor Ressonante Lmpada
(c) Estrutura do reator eletr onico com CF P yback.
Figura 3.10: Estruturas de reatores eletr onicos com CF P .
O reator eletr onico com o conversor buck-boost, assim como o boost, tem como a principal vantagem a implementa c ao do CF P de forma natural no modo de condu c ao descont nua, por em apresenta a desvantagem de possuir um valor de corrente m edia menor que do boost, devido ao indutor ser de maior valor. Este conversor e mostrado na Figura 3.10(b), e o reator eletr onico da Figura 3.10(c), e constitu do por um conversor yback e um inversor, e apresenta a vantagem do isolamento galv anico proporcionado pelo transformador.
54
3.3.2
Topologias e caracter sticas de reatores operando em baixa frequ encia
A garantia de que a resson ancia ac ustica n ao ir a ocorrer est a associada a amplitude da ondula c ao de pot encia de alta freq u encia na l ampada. Por isso, operar em baixas freq u encias (50 a 500)Hz [34, 36, 37, 38, 55, 57, 71, 75, 76, 77], com forma de onda quadrada de corrente e ondula c ao de pot encia de alta freq u encia menor do que 5%, e considerada uma solu c ao muito segura para se evitar a resson ancia ac ustica [4, 5, 6]. A onda quadrada evita ainda o re-acendimento a cada semi-ciclo [37, 38, 57]. Acionar a l ampada em corrente cont nua tamb em evita a resson ancia. Entretanto esta solu c ao leva a uma redu c ao signicativa da vida u til da l ampada, sendo aplic avel apenas para l ampadas especiais [6, 78]. A redu c ao da vida u til da l ampada deve-se ao fato que a corrente cont nua proporciona cataforese, ou seja, uxo de ons em apenas um sentido [78]. O diagrama de blocos da Figura 3.11 mostra uma congura c ao t pica do sistema eletr onico, para acionamento de l ampadas AID, operando com inversor em baixa freq u encia. Neste caso, a l ampada deve estar ligada diretamente ao inversor, o qual opera em malha aberta. O controle de corrente se d a sobre a raz ao c clica do conversor CC -CC intermedi ario, o qual opera em alta freq u encia e com condu c ao cont nua de corrente na sa da. Esta solu c ao apresenta um n umero elevado de componentes, que aumenta o custo e reduz o rendimento e a conabilidade do sistema. Alguns trabalhos realizam simplica c oes nesta estrutura, atrav es da integra c ao dos dois u ltimos est agios de convers ao [35, 39, 76]. Em fun c ao da simplicidade e de maior conabilidade, a op c ao de operar em baixa freq u encia e com forma de onda retangular de corrente e
55
mais vantajosa, principalmente pelo fato das l ampadas de vapor met alico de baixas pot encias apresentarem as condi c oes mais severas para evitar a resson ancia ac ustica.
Figura 3.11: Diagrama de blocos de um sistema eletr onico para acionamento de l ampadas AID em
baixa freq u encia.
Os conversores CC -CC CU K com elevada capacit ancia s ao denominados BIBRED (Boost Integrated with Buck Rectier / Energy Storage / DC -DC converter), ou seja, operam como conversores boost para a entrada e como conversores buck para a sa da. Este conversor pode ser utilizado para unir os dois primeiros est agios da topologia apresentada na Figura 3.11. As alternativas para se obter um reator eletr onico que opere com forma de onda retangular de corrente em baixa freq u encia na l ampada, e apresente um reduzido n umero de est agios de convers ao s ao obtidas da seguinte forma: unindo os est agios CF P e Buck, utilizando o conversor BIBRED unindo os est agios Buck e inversor, utilizando o conversor buck em ponte completa; unir os est agios CF P , Buck e inversor, utilizando o conversor BIBRED com dupla
3 - Estudo dos reatores para l ampada HP S alimenta c ao em ponte completa.
56
A Figura 3.12 mostra o circuito de pot encia simplicado para esta nova alternativa de reator eletr onico, que consiste no conversor BIBRED ligado ` a ponte inversora. Estes conversores s ao consolidados na literatura, entretanto, ainda n ao havia sido apresentados como solu c ao para reatores eletr onicos de l ampadas AID [4, 37, 38].
Figura 3.12: Circuito simplicado do reator utilizando o conversor BIBRED.
O conversor BIBRED deve operar em condu c ao descont nua de corrente na entrada e condu c ao cont nua na sa da. Neste modo de opera c ao ele apresenta tr es etapas de opera c ao, como mostrado pelas formas de onda da Figura 3.13.

TB
57
corrente t a)
tenso
VLboost i Lboost Vrede t b)
Vrede VLbuck i Lbuck
Vo
Vo VLamp t Etapa 1 VLamp c)
Etapa 2
Etapa 3
Figura 3.13: Formas de onda do conversor BIBRED.
A raz ao c clica deve garantir condu c ao descont nua de corrente na entrada do conversor (como em um conversor boost, funcionando em condu c ao descont nua). O conversor BIBRED possui apenas um interruptor para realizar o controle destas vari aveis. Operando com freq u encia xa e atuando sobre a raz ao c clica do regulador P W M que comanda o interruptor Tb , pode-se controlar o uxo de pot encia para a l ampada. Entretanto, desta forma n ao e poss vel garantir que a tens ao V0 no barramento CC seja constante. Supondo constantes a freq u encia de chaveamento e a pot encia da l ampada, e poss vel estabelecer o comportamento da tens ao V0 , em fun c ao das varia c oes na tens ao da l ampada parametrizada pela tens ao da rede. Este fato indica a necessidade de se prover um controle desta tens ao. O controle da tens ao V0 pode ser realizado atrav es da varia c ao da freq u encia de chaveamento do conversor. poss E vel integrar um conversor buck operando no modo P W M com um inversor em
58
baixa freq u encia utilizando para isto o conversor em ponte completa. Neste caso, os interruptores da parte superior da ponte devem operar em alta freq u encia, no modo P W M , e os interruptores da parte inferior em baixa freq u encia [4]. O mesmo resultado pode ser obtido com os interruptores da parte superior da ponte em baixa freq u encia, e os interruptores da poss parte inferior em alta freq u encia, no modo P W M . E vel ainda, alternar as duas op c oes citadas acima, de modo a reduzir o aquecimento nos interruptores. A Figura 3.14 mostra o circuito simplicado do reator utilizando esta topologia. Na transi c ao entre os ciclos positivo e negativo descritos anteriormente, dois fatores s ao importantes:
tempo morto (tm), para se evitar curto-circuito de bra co do inversor; dimensionamento do indutor Lbuck para que a transi c ao ocorra de forma r apida.
Figura 3.14: Circuito simplicado do reator utilizando conversor Buck em ponte completa.
A utiliza c ao de um capacitor Cf em paralelo com a l ampada e o secund ario do transformador de igni c ao, possibilita que se utilize um valor reduzido para Lbuck . Desta forma, a ondula c ao de corrente no indutor ser a ltrada por Cf e n ao afetar a a corrente da l ampada.
59
Para o dimensionamento desses elementos pode ser adotada uma ondula c ao em Lbuck entre 50% e 100%, permanecendo abaixo dos 5% na l ampada. A Figura 3.15 mostra as formas de onda de tens ao nas chaves (T1 , T2 , T3 e T4 ) e de corrente no indutor do buck (ILbuck ) (com ripple maior) e na l ampada (ILamp ) (com ripple menor ).
T1 tm t t t t
T2 T3 T4
iLbuck iamp
Figura 3.15: Formas de onda do conversor Buck em ponte completa
Para se obter um reator eletr onico com um u nico est agio de processamento de pot encia, e que mantenha as caracter sticas do reator operando em baixa freq u encia, pode se utilizar o conversor BIBRED com dupla alimenta c ao em ponte completa, como mostra a Figura 3.16.
60
Figura 3.16: Circuito simplicado do reator utilizando o conversor BIBRED com dupla alimenta ca o em ponte completa
A topologia obtida pode ser entendida como uma jun c ao das duas topologias apresentadas nas Figuras 3.14 e 3.15. Neste caso, o comando dos interruptores da ponte deve ser realizado como no conversor buck em ponte completa, e o controle como no conversor BIBRED. O uxo de pot encia controlado pela raz ao c clica dos interruptores T2 e T4 , e a tens ao V0 controlada pela freq u encia de chaveamento do regulador P W M [4]. A Figura 3.17(a) mostra as formas de onda de tens ao nas chaves (T1 , T2 , T3 e T4 ) e de corrente no indutor do buck (ILbuck ) (com ripple maior) e na l ampada (ILamp ) (com menor ripple ). J a a Figura 3.17(b) mostra as formas de onda de corrente no indutor do boost (ILboost ), nos diodos Db1 e Db2 e na chave (IT4 ) [4].
61
T 1
tm t t t t iLamp t
T 2 T 3 T 4
iLbuck
(a) Tens ao nas chaves e corrente do indutor do boost e na l ampada
iLboost t
iDb1
iDb2
iT4
t
(b) Corrente no indutor do boost, nos diodos e na chave T4
Figura 3.17: Formas de onda de tens ao e corrente em conversor BIBRED ponte completa [4]
62
3.4
Este cap tulo analisou os reatores convencionais eletromagn eticos e os reatores eletr onicos. As vantagens dos reatores eletr onicos, em rela c ao aos convencionais, s ao manter a pot encia e o uxo luminoso da l ampada constantes, mesmo com o aumento da tens ao, regula c ao de pot encia frente ` as varia c oes e utua c oes da tens ao da rede, reduzir peso e volume do sistema, eliminar o efeito estrobosc opico, melhorar o rendimento e a qualidade da luz (IRC), elevar o fator de pot encia e reduzir o conte udo harm onico da corrente de entrada, reduzir os tempos de aquecimento e re-acendimento a quente das l ampadas, al em de incorporar tecnologia ao sistema de ilumina c ao. Entretanto, os reatores convencionais s ao mais resistentes aos transit orios da rede el etrica e dur aveis. O fator que limita utiliza c ao de reatores eletr onicos ea resson ancia ac ustica, fen omeno caracter stico que ocorre quando as l ampadas s ao acionadas por fontes de pot encias em alta freq u encia. Os conversores est aticos (inversores em ponte completa, meia-ponte, classe D e E ) operando em alta freq u encia utilizando um circuito ressonante caracterizam os reatores eletr onicos operando em alta freq u encia. Estes permitem a comuta c ao n ao-dissipativa dos interruptores. Al em de aplicar altas tens oes que permitem a realiza c ao da igni c ao da l ampada e a estabiliza c ao do arco. Por em, essa opera c ao em alta freq u encia possibilita o aparecimento da resson ancia ac ustica. Os modos de se evitar o seu aparecimento, operando em alta freq u encia, e um dos objetivos desta tese. Foram apresentadas as caracter sticas do reator eletr onico operando em alta freq u encia, dando enfase aos ltros ressonantes e ao circuito de corre c ao do fator de pot encia.
63
Devido a garantia de n ao aparecimento da resson ancia ac ustica quando se opera em baixas freq u encias, com forma de onda quadrada de corrente, o reator eletr onico com essa caracter stica, se apresenta como uma forma segura de acionamento para as l ampadas HP S . Foram apresentadas tr es topologias alternativas para a obten c ao de um reator eletr onico operando em baixa freq u encia com as seguintes caracter sticas: forma de onda retangular de corrente em baixa freq u encia na l ampada, corre c ao do fator de pot encia na entrada e controle de corrente e de pot encia na l ampada. Estas topologias consistem da uni ao das tr es etapas que comp oem o reator eletr onico aos pares ou em um u nico est agio de pot encia.
Cap tulo 4 Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica
4.1
Introdu c ao
Neste capitulo ser a realizada a investiga c ao sobre as formas de onda de tens ao para se evitar a Resson ancia Ac ustica (RA) nas l ampadas HP S (AID). Essa investiga c ao ser a centrada na t ecnica de inje c ao de harm onicas ` a tens ao aplicada a ` l ampada [5, 6] e tamb em na t ecnica de modula c ao da tens ao aplicada ` a l ampada [7, 8, 9]. Recentemente foram apresentadas na literatura alguns trabalhos objetivando a elimina c ao da RA em l ampadas AID atrav es da inje c ao de harm onica de tens ao e modula c ao da tens ao, que motivaram o presente trabalho de doutorado. O estudo das formas de ondas de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S , foi baseado no sinal
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 65 de refer encia do P W M (Pulse Width Modulation ) para a s ntese da tens ao aplicada ao ltro ressonante. Dessa forma, a tens ao de sa da do ltro ressonante proporcionar a a tens ao de regime ` a l ampada. Nas se c oes deste cap tulo ser ao apresentados os tipos de formas de onda, o tipo de modula c ao P W M que gera a tens ao de alimenta c ao da l ampada com conte udo harm onico denido e o projeto do ltro.
4.2
Inje c ao de harm onicas na tens ao aplicada ` a l ampada HP S
Um dos objetivos desta tese consiste na investiga c ao de uma nova t ecnica de inje c ao de harm onicas a tens ao fundamental de alimenta c ao da l ampada e ainda operar em uma faixa de freq u encia pouco utilizada para o acionamento das l ampadas HP S (AID). A t ecnica que vem sendo adotada, divulgada na literatura, para se injetar harm onicas est a baseada no projeto de ltros passivos e no comando dos bra cos do inversor [5, 6]. A Figura 4.1 apresenta o conversor que utiliza esta t ecnica [5, 6]. Pode se observar a presen ca dos ltros passivos e os comandos para bra cos do inversor. As formas de onda dos comandos para as chaves do inversor e mostrada na Figura 4.2(a), enquanto a Figura 4.2(b) mostra as formas de onda das tens oes de sa da de cada ltro passivo (VLA1 e VLA3 ) e a forma de onda da tens ao aplicada ` a l ampada, VLA . As desvantagens deste m etodo s ao: a necessidade de um ltro passivo para cada harm onica injetada, aumentando dessa forma a quantidade de componentes, o custo, peso e a quantidade de bra cos no caso de injetar-se harm onicas acima da 3a , tornando mais complexo os comandos
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 66 do inversor e conseq uentemente menos con avel o reator.
S1 V Vdc
dc
S2 Lf1 Lf3 Cf3 S4

Gate drive 3f,f
Gate Drive f
Cf1 S3 Cf
Lamp
Ignitor (3kV)
Figura 4.1: Diagrama do circuito utilizado pela t ecnica proposta por J.Alonso [5, 6]
(a) Formas de onda dos comandos dos bra cos.
(b) Formas de onda das tens oes em cada bra co e aplicada ` a l ampada.
Figura 4.2: Comandos para o inversor com a t ecnica de inje ca o de harm onicas e as formas de tens ao
na l ampada e em cada bra co do inversor [5, 6]
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 67
4.3
Inje c ao de harm onicas atrav es de ltros
A Figura 4.3 apresenta o diagrama do circuito utilizado para simular a alimenta c ao da l ampada atrav es de uma tens ao com harm onicas injetada via um ltro LC de segunda ordem.
Figura 4.3: Diagrama do circuito utilizado para realizar a inje ca o de harm onica via ltro
A Equa c ao 4.1 apresenta a fun c ao de transfer encia do ltro LC de segunda ordem e da l ampada modelada por uma resist encia, Rlamp .
Vlamp (jw) =
1 (jw)2 LC +
jwL Rlamp
+1
(4.1)
Para que uma onda quadrada de 1kHz possa alimentar o ltro LC , injetando a 3a harm onica, e necess ario projet a-lo para que permita a passagem da fundamental e da 3a harm onica. Dessa forma, a partir da Equa c ao 4.1 obt em-se: L = 1mH e Cp = 4, 7F . Utilizando Rlamp = 67, pode-se observar na Figura 4.4, a resposta em freq u encia do ltro obtido. A Figura 4.5 apresenta as formas de onda de tens ao e corrente aplicadas ` a Rlamp atrav es da inje c ao da harm onica via ltro. A corrente possui um fator de crista maior que 1, 9, de certa forma inviabilizando a utiliza c ao desta t ecnica, devido ao n ao atendimento das normas American National Standard ANSI C78.42 e a European Standard EN60662.
Bode Diagram 20
0 Magnitude (dB) Phase (deg)
20
40
60
80 0
45
90
135
180 2 10
10
10 Frequency (Hz)
10
Figura 4.4: Resposta em freq u encia do ltro projetado.
Tenso (V) Corrente x30 (A) 150
100
50 Amplitude
50
100
150
0.012
0.0125
0.013
0.0135
0.014 0.0145 Tempo (seg)
0.015
0.0155
0.016
Figura 4.5: Forma de onda de tens ao e corrente aplicadas ` a Rlamp .
A Figura 4.6 mostra o espectro da corrente aplicada ` a Rlamp , onde observa-se a predomin ancia da fundamental e da 3a harm onica.
2 1.8 1.6 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0.5 1 1.5 Frequncia (Hz) 2 2.5 x 10
4
Figura 4.6: Espectro harm onico da corrente aplicado ` a l ampada. A Figura 4.7 apresenta a forma de onda da pot encia aplicada ` a l ampada para a tens ao quadrada ltrada. Pode-se observar que a pot encia m axima aplicada ` a Rlamp ultrapassa 500W .
Amplitude Potncia (W)
500 450 400 350
300 250 200
150 100 50 0 0.013
0.0135
0.014
0.0145 Tempo (seg)
0.015
0.0155
Figura 4.7: Forma de onda da pot encia aplicada ` a l ampada. Dessa forma, a t ecnica apresentada causa estresse sobre a l ampada, sendo necess ario apre-
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 70 sentar uma outra solu c ao. A primeira solu c ao, considerada mais direta consiste na utiliza c ao de ltros sintonizados, mas esta solu c ao foi descartada pelos motivos apresentados no ap endice A.1.
4.4
Inje c ao de harm onicas via P W M
A t ecnica proposta nesta tese consiste na inje c ao de harm onicas atrav es da soma das harm onicas desejadas ao sinal senoidal de refer encia do P W M (Pulse Width Modulation) para a s ntese da tens ao aplicada ao ltro LC . Dessa forma, o projeto do ltro LC e a metodologia utilizada para a escolha do modulador P W M ser ao realizadas e apresentadas. A Figura 4.8 apresenta as formas de onda para a fundamental e para a 3a harm onica e a resultante que ser a a refer encia para o P W M . A tens ao sintentizada pelo conjunto inversor mais ltro, ser a a tens ao aplicada ` a l ampada HP S .
1.5 Resultante Fundamental 3Harmonica 1
0.5
Amplitude
0.5
1.5 0
0.5
1.5
2.5 Tempo (seg)
3.5
4.5 x 10
5
3
Figura 4.8: Forma de onda de refer encia para o P W M .
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 71 As vantagens apresentadas de imediato s ao o projeto de apenas um u nico ltro LC de sa da do inversor e a simplicidade da gera c ao do sinal de refer encia, sem a necessidade do c alculo do angulo de condu c ao dos comandos dos bra cos do inversor. A Figura 4.9 apresenta o diagrama do inversor ponte completa e o ltro LC na qual a t ecnica foi implementada.
Figura 4.9: Diagrama do circuito que utiliza a t ecnica de inje ca o de harm onicas.
4.4.1
M etodos de modula c ao por largura de pulso - P W M
A opera c ao do Modulador por Largura de Pulso (P W M ) pode ser dividida em dois modos: Modo Linear - o pico do sinal modulante e menor ou igual ao pico da portadora. Modo N ao Linear - Quando o pico do sinal modulante e maior que o pico da portadora, neste caso, ocorre a sobre-modula c ao. H a duas implementa c oes b asicas de P W M : Sim etrica, em que a freq u encia de amostragem e igual ` a freq u encia de chaveamento;
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 72 Assim etrica, em que a freq u encia de amostragem e o dobro da freq u encia de chaveamento. No P W M Sim etrico, a largura de pulso e sim etrica em rela c ao ao per odo de chaveamento. A Figura 4.10(a) mostra a gera c ao do P W M sim etrico. No P W M Assim etrico, s ao gerados dois pulsos independentes com dura c oes distintas (1 e 2 ) os quais n ao mant em simetria com rela c ao ao per odo. Esses dois modos de implementa c ao de P W M s ao mostrados na Figura 4.10.
(a) P W M Sim etrica.
(b) P W M Assim etrica.
Figura 4.10: Implementa ca o de P W M .
Enquanto que na Modula c ao por Largura de Pulso (P W M ) Dois N veis (P W M 2N ) h a somente um comando para as chaves diagonais S1 e S4 de cada bra co do inversor e complementarmente para as chaves diagonais S2 e S3 , na Modula c ao por Largura de Pulso (P W M ) Tr es N veis (P W M 3N ) h a dois comandos distintos, como apresentado na Figura 4.11. Assim, S1 com S4 e, complementarmente S2 com S3 , s ao acionadas independentemente. Portanto, s ao gerados dois pulsos de comando distintos, sendo que nessa t ecnica, a freq u encia da tens ao
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 73 de sa da e o dobro da freq u encia de chaveamento. A Tabela 4.1 apresenta o equacionamento para modula c ao P W M aplicada aos inversores de meia-ponte-2N , ponte completa-2N e ponte completa-3N , em fun c ao da tens ao de alimenta c ao cont nua (E ), do per odo de chaveamento (T ) e da tens ao de refer encia (vref ).
Tabela 4.1: Equa c oes para os tipos de P W M . PWM VAB (t) VAB (k ) 1 (k ) 2 (k ) M P 2N
E [2C (t) 2 E (k)) [2 T 2 T 2
2N E [2C (t) 1]
k)) E [2 (T 1] T 2
3N VAN VBN
E [ (k ) T 1 T 2
1] 1]
+ 2 (k )]
T +E vref (k )
T v (k ) 2E ref
T u (k) 2E ref
T 1 (k )
A seguir ser ao apresentados os P W M 2 n veis, para o inversor meia ponte e ponte completa e o 3 n veis para o inversor atrav es das Figuras 4.11, 4.12, 4.13 e seus respectivos equacionamentos.
(a) Conversor Meia-Ponte.
(b) Pulso de comando.
(c) Tens ao de sa da.
Figura 4.11: P W M 2 N veis - Meia Ponte.
(a) Conversor Ponte Completa.
(b) Pulso de comando.
(c) Tens ao de sa da.
Figura 4.12: P W M 2 N veis - Ponte Completa.
(a) Conversor Ponte Completa.
(b) Pulso de comando e tens ao de sa da.
Figura 4.13: P W M 3 N veis.
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 75 Denida a modula c ao P W M para sintetizar a forma de onda de corrente aplicada ` a l ampada, o passo seguinte foi determinar o tipo de modula c ao que proporcionasse os melhores resultados. As condi c oes nas quais foram realizadas as simula c oes s ao: 1. Modula c ao P W M Monof asica Sim etrica 2 N veis (PWM-S2N) e modula c ao P W M Monof asica Sim etrica 3 N veis (PWM-S3N), (freq u encia da modula c ao P W M ) fP W M constante. 2. Modula c ao P W M Monof asica Sim etrica 3 N veis (PWM-S3N) e modula c ao P W M Monof asica Assim etrica 3 N veis (PWM-AS3N), (freq u encia da modula c ao P W M ) fP W M constante. 3. Modula c ao P W M Monof asica Sim etrica 3 N veis (PWM-S3N) e modula c ao P W M Monof asica Assim etrica 3 N veis (PWM-AS3N),variando a (freq u encia da modula c ao P W M ) fP W M . 4. Modula c ao P W M Monof asica Sim etrica 2 N veis (PWM-S2N) e Modula c ao P W M Monof asica Assim etrica 3 N veis (PWM-AS3N), (freq u encia da modula c ao P W M ) fP W M constante. A freq u encia de amostragem do sinal (fa ) est a relacionada com a freq u encia de chaveamento do inversor. Por este motivo optou-se P W M assim etrico 3 n veis, que apresenta uma freq u encia de amostragem duas vezes maior que a do P W M sim etrico e quatro vezes maior que a do P W M 2 n veis sim etrico. Desta forma, pode se obter uma melhor reprodu c ao da forma de onda que alimenta a l ampada. Atrav es da an alise da Figura 4.14 pode-se constatar este fato.
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 76 A partir da escolha do tipo de modula c ao P W M , determina-se qual a freq u encia que atende a exig encia do projeto, de forma a eliminar a resson ancia ac ustica. A Figura 4.14 apresenta as formas de onda variando-se a freq u encia de chaveamento, fP W M para alguns tipos de modula c ao P W M , com o objetivo de se determinar o tipo mais apropriado para a elimina c ao da resson ancia ac ustica .
150 pwmS2Nf=25kHz pwmS3Nf=25kHz 100
150 pwmS3Nf=25kHz pwmAS3Nf=25kHz 100
50
50
Tenso (V)
Tenso (V) 0.5 1 1.5 2 2.5 Tempo (seg) 3 3.5 4 4.5 x 10 5

3
50
50
100
100
150 0
150 0
0.5
1.5
2.5 Tempo (seg)
3.5
4.5 x 10
5
3
(a) Tens ao aplicada ` a l ampada para condi ca o 1.
(b) Tens ao aplicada ` a l ampada para condi ca o 2.
150 pwmAS3Nf=25kHz pwmS3Nf=50kHz 100
150 pwmS2Nf=25kHz pwmAS3Nf=25kHz 100
50
50
Tenso (V)
Tenso (V) 0.5 1 1.5 2 2.5

Tempo (seg)
50
50
100
100
150 0
3.5
4.5 x 10
5
3
150 0
0.5
1.5
2.5 Tempo (seg)
3.5
4.5 x 10
5
3
(c) Tens ao aplicada ` a l ampada para condi ca o 3.
(d) Tens ao aplicada ` a l ampada para condi ca o 4.
Figura 4.14: Inu encia do tipo da Modula ca o P W M .
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 77 A Figura 4.14(a) mostra uma forma de onda obtida pela utiliza c ao da modula c ao P W M S3N com taxa de distor c ao harm onica menor que quando comparada a uma forma de onda obtida pelo P W M -S2N. Dessa forma, apenas com uma mudan ca na quantidade de n veis diminui-se a T HD, para uma mesma fP W M . A Figura 4.14(b) apresenta uma forma de onda, a qual mantendo a quantidade de n veis e aumentando a freq u encia de amostragem do sinal de refer encia obt em-se a diminui c ao da T HD da tens ao. Agora mantendo a freq u encia de chaveamento, fP W M = 25kHz , e mudando o tipo de modula c ao P W M (P W M S 2N para P W M AS 3N ), obt em-se uma tens ao com T HD menor, como pode ser observado na Figura 4.14(d). A Figura 4.14(c) mostra que para obten c ao de uma tens ao com uma T HD igual ao obtido pelo P W M AS 3N e necess ario dobrar a freq u encia de chaveamento (fpwm ) em rela c ao a modula c ao P W M S 3N . Estes resultados j a eram esperados devido ` as caracter sticas apresentadas de cada tipo de modula c ao P W M . Para se avaliar a freq u encia de amostragem necess aria para sintetizar a forma de onda evitando a resson ancia, duas m etricas foram utilizadas:
i - O desvio padr ao (ST D) da pot encia aplicada ` a l ampada com rela c ao ao seu valor obtido analiticamente. O ST D e denido por: 1 n1
n
1 2
s=
i=1
(xi x )
(4.2)
onde x = 1 n
n
(xi )
i=1
n e o n umero de elementos da amostra e x e o vetor de dados.
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 78 ii - A distor c ao harm onica total (T HD) da corrente aplicada ` a l ampada. A T HD e denida como: T HD = onde IH = IH IF (4.3)
I2 2 + I3 2 + ... + In 2 , In e o valor ecaz (RM S ) da distor c ao da corrente
para nth harm onicas n e IF e o valor ecaz (RM S ) da fundamental da corrente.
Atrav es da Figura 4.15 pode-se observar que ao aumentar a quantidade de harm onicas acrescentadas ` a fundamental obt em-se uma menor varia c ao em torno do valor m edio da pot encia el etrica fornecida ` a l ampada. Esta informa c ao pode ser comprovada pela an alise da Figura 4.16. Observa-se que, quando e aumentada a quantidade de harm onicas, o desvio padr ao diminui. Dessa forma, pode-se diminuir a tens ao do barramento CC com o aumento da quantidade de harm onicas aplicada a forma de onda.
350 1,3,5 e 7 h 1,3 e 5 h 1 e 3 h 1 h
300
250
Potncia (W)
200
150
100
50
0 0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6 Tempo (seg)
0.7
0.8
0.9 x 10
1
3
Figura 4.15: Forma de onda de pot encia aplicada ` a l ampada variando-se a quantidade de harm onicas.
110 100 90 80 70 Desvio Padro 60 50 40 30 20 10 0 0 1,3,5 e 7h 1,3 e 5h 1 e 3h 1h 0.5 1 x 10 1.5

3
Figura 4.16: Desvio padr ao da pot encia aplicada ` a l ampada.
40 35 3h (%) 30 25 20 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 PWM S2N PWM AS3N
70 THD (%) 60 50 40 30 0 120 Desvio 100 80 60 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
10
20
30
40 50 60 70 Frequncia de chaveamento (kHz)
80
90
100
Figura 4.17: Varia ca o da amplitude da 3a harm onica, T HD e ST D em fun ca o da freq u encia fP W M .
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 80 Utilizado como par ametro, o desvio padr ao da pot encia, a T HD e a amplitude da 3a harm onica injetada, a freq u encia de chaveamento foi variada com objetivo de se determinar a freq u encia adequada de trabalho. Atrav es da an alise da Figura 4.17 optou-se pela freq u encia de chaveamento de 25kHz . Pois, para esse valor de freq u encia de chaveamento tem-se todos os par ametros convergindo para os especicados. Pode-se dividir os gr acos mostrados na Figura 4.17, para uma melhor an alise, em tr es faixas de freq u encias. Para freq u encias de chaveamento menores que 25kHz observa-se
grandes diferen cas entre os resultados obtidos quando compara-se o P W M AS 3N como o P W M S 2N para os par ametros analisados, amplitude da 3a harm onica, T HD e ST D, al em da varia c ao maior em fun c ao da freq u encia. Para freq u encias de chaveamento 25kHz < fP W M < 50kHz , observa-se principalmente varia c oes na T HD entre os modos de modula c ao P W M e uma menor varia c ao em fun c ao da freq u encia de chaveamento. Para freq u encias maiores que 50kHz praticamente n ao se observam diferen cas entre as grandezas estudadas, mesmo variando-se a freq u encia. O aumento da fP W M faz com que a T HD da forma de onda de tens ao aproxime da T HD desejada. Pode-se observar tamb em que o valor da amplitude da terceira harm onica injetada praticamente n ao varia em rela c ao ao valor desejado (1/3 da fundamental), enquanto que a T HD e o desvio padr ao a medida que se diminui a freq u encia de chaveamento, passa-se a ter inu encia da mesma, dessa forma afastando as grandezas do valor desejado. A Figura 4.18 mostra a varia c ao da forma de onda de tens ao e pot encia aplicadas ` a l ampada em fun c ao da freq u encia de chaveamento. Observar-se na Figura 4.18 a inu encia da fP W M na tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada, para o mesmo tipo de P W M , ou seja, que ao diminuir o valor da fP W M a T HD tanto da forma de onda de tens ao e da pot encia
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 81 afastam do valor desejado.
150 fpwm=16kHz fpwm=25kHz fpwm=50kHz 100
50
Tensao (V)
50
100
150 0
0.5
1.5
2.5 Tempo (seg)
3.5
4.5 x 10
5
3
(a) Tens ao aplicada ` a l ampada variando-se a fP W M , PWM-AS-3N.
300 fpwm=16kHz fpwm=25kHz fpwm=50kHz 250
200 Potncia (W)
150
100
50
0 0
0.5
1 Tempo (seg)
1.5
2 x 10
2.5
3
(b) Pot encia aplicada ` a l ampada variando-se a fP W M , PWM-AS-3N.
Figura 4.18: Inu encia da fP W M na tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada.
4.5
Projeto do ltro LC
A inje c ao de harm onicas atrav es da modula c ao P W M utilizando um inversor em ponte completa necessita de um ltro LC espec co. O projeto do ltro LC e baseado no princ pio que a fundamental e 3a harm onica sejam: i ) injetadas sem atenua c oes; ii ) com o m nimo de defasagem poss vel. Fazendo o igual a freq u encia da harm onica, 3h , deve-se escolher adequadamente a freq u encia de corte do ltro [47]. Para isto utiliza-se as curvas mostradas nas Figuras 4.19(a) que apresenta o ganho e 4.19(b) que mostra a fase. Na qual, varia-se o fator de qualidade (Q) do ltro LC .
||G||db
w/wo
w/wo
(a) Ganho.
(b) Fase.
Figura 4.19: a) Ganho e b) fase do ltro LC em fun ca o da freq u encia para diferentes valores de Q.
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 83 A fun c ao de transfer encia, de segunda ordem, do ltro LC e dada por: 1 s + 0 +1 Q
G(s) =
s 2 ( ) 0
(4.4)
onde a resposta em freq u encia, amplitude e fase, do ltro s ao mostrada nas Figuras 4.19(a) e 4.19(b). A condi c ao i) e garantida por:
0 G 1 onde 0 e a freq u encia de corte do ltro LC .
(4.5)
A freq u encia de corte e denida como uma fun c ao da freq u encia da terceira harm onica 3h de acordo com a seguinte express ao:
0 = 3h
(4.6)
onde e um fator de escala determinado para se atender as especica c oes do projeto do ltro. Note que, para freq u encias que atendam a Equa c ao 4.6, garante-se que n ao h a atenua c ao, ou seja, ca satisfeita a condi c ao i). As Figuras 4.19 e 4.21 mostram a inu encia do fator de qualidade, Q, no projeto do ltro LC . Por n ao apresentar amplica c ao do sinal (overshoot ) de nenhuma freq u encia, e atender as condi c oes i) e ii), foi escolhido Q = 0, 7. A Figura 4.20 apresenta a resposta em freq u encia do ltro para diferentes valores de , usando Q = 0, 7. Pode se observar que para valores de < 4 ocorre uma atenua c ao da 3a harm onica e uma defasagem entre a fundamental. Por outro lado, para valores de > 8, o ltro LC n ao atenua as harm onicas acima da terceira. Por esta raz ao, o valor de = 6 foi escolhido.
Magnitude (dB)
Phase (deg)
a=1 a=4 a=6 a=8 a = 10
ffund.
f3harm.
Frequency (rad/s)
Figura 4.20: Ganho e fase do ltro em fun ca o da freq u encia para diferentes valores de .
20
Bode Diagram
Magnitude (dB)
20
40
60
80 0
45
Phase (deg)
90
Q = 0.2 Q = 0.5 Q = 0.7 Q=1 Q=2 Q=3
135
180 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
Figura 4.21: Ganho e fase do ltro em fun ca o da freq u encia para diferentes valores de Q, para
= 6.
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 85 O fator de qualidade, Q, do circuito paralelo ressonante LC e dado por Q = forma, o valor da indut ancia do ltro e dada por: L = Rlamp 0 Q (4.7)
R . 0 L
Dessa
Atrav es do valor da freq u encia natural do circuito paralelo ressonante LC dado por 0 =
1 . LC
O valor da capacit ancia do ltro e obtida atrav es de: C = LQ2 Rlamp 2 (4.8)
Finalmente, os valores obtidos, para se atender as especica c oes do ltro, foram L = 833H , C = 92nF para Rlamp = 66, 6. O valor de Rlamp e obtido atrav es da pot encia (150W ) e tens ao (100Vrms ) nominais da l ampada. A Figura 4.22 apresenta a resposta em freq u encia do ltro LC projetado para atender as especica c oes requeridas.
0 20
Magnitude (dB) Phase (deg)
40 60 80 100 120 0
45
90
135
180 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/s)
Figura 4.22: Resposta em freq u encia do ltro LC projetado.
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 86 Ao se analisar a Figura 4.22 constata-se que para a freq u encia da terceira harm onica (3kHz -> 18, 85krad/s) praticamente n ao h a atenua c ao do sinal e nem um deslocamento consider avel de fase em rela c ao a freq u encia fundamental. A Figura 4.23 apresenta a inu encia do aumento da freq u encia fundamental aplicada ` a l ampada nos valores da indut ancia e capacit ancia do ltro LC . A conclus ao direta e que pode-se diminuir o tamanho do componente com o aumento da freq u encia, proporcionando uma redu c ao do volume e peso do ltro.
x 10
3
x 10 1
0.8
0.8
Indutncia (H)
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0 1000
1500
2000
2500
3000 Frequncia (Hz)
3500
4000
4500
0 5000
Figura 4.23: Varia ca o da indut ancia e capacit ancia do ltro LC em fun ca o da ff und .
Capacitncia (F)
4.6
Formas de onda analisadas
Com a utiliza c ao da t ecnica de inje c ao de harm onicas pode-se avaliar quais s ao os valores realmente signicativos das amplitudes das harm onicas, Ah na equa c ao 4.9, injetadas para se evitar a resson ancia ac ustica. A equa c ao 4.9 dene o sinal de refer encia, sref , utilizado pelo modulador P W M .
sref =
a=1
Ah sen(2aff und t)
(4.9)
onde: ff und e a freq u encia fundamental da corrente injetada; Uma outra forma de onda analisada, com o objetivo de se evitar a resson ancia ac ustica, e apresenta na Figura 4.27. Esta forma de onda apresenta a fundamental, terceira e quinta harm onicas injetadas, com amplitudes diferentes da onda quadrada. A nomenclatura utilizada nesta tese, para as formas de onda durante o texto ter ao a seguinte representa c ao: fh ah . Onde a amplitude da respectiva harm onica e dada por Ah = 1/ah , separada por ponto. Tabela 4.2: Nomenclatura utilizada. h correspond encia 1 2 3 5 fundamental 2a harm onica 3a harm onica 5a harm onica
Por exemplo, a forma de onda f1357 a1.3.5.7 temos a somadas a fundamental as 3a , 5a e 7a
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 88 harm onicas com as amplitude de 1/3 ,1/5 e 1/7 da fundamental, respectivamente. Para as simula c oes realizadas foi utilizado o P W M 3 n veis assim etrico (AS 3N ), com a freq u encia de P W M igual a 25kHz . Nas simula c oes assumiu-se que pelo fato de apresentar componentes al em da fundamental, como a 3a e 5a , o comportamento da l ampada HP S nessa faixa de freq u encia fosse resistivo. Entretanto, o comportamento da l ampada acionada por uma sen oide de tens ao com a fundamental de 2kHz e apresentado na Figura 4.24 [1].
Figura 4.24: Forma de onda de tens ao na l ampada HP S , para f = 50Hz e f = 2kHz .
4.6.1
Forma de onda f13 a1.3
A primeira forma de onda de tens ao a ser estudada e a padr ao, a qual apresenta as amplitudes da composi c ao da onda quadrada. Dessa maneira a 3a harm onica apresentar a a amplitude de 1/3 da fundamental, e no caso de se acrescentar mais harm onicas utiliza-se a equa c ao 4.10:
sref =
a=1
1 sen(2aff und t) a
(4.10)
onde ff und e a freq u encia fundamental da onda. A Figura 4.25 apresenta as formas de onda de corrente, tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada HP S , para a forma de onda f13 a1.3 , obtidos atrav es de simula c oes digitais.
250 Tenso (V) Corrente (A)(30x) Potncia (W)
200
150
100 Amplitude
50
50
100
150 0
0.5
1.5 Tempo (seg)
2.5
3 x 10
3
Figura 4.25: Formas de onda de corrente, tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada, f13 a1.3 .
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 90 Atrav es do gr aco do espectro da tens ao mostrado na Figura 4.26 pode-se vericar que os valores obtidos para a amplitude da terceira harm onica (3kHz ) e praticamente o valor desejado (33, 3%) da fundamental. Observa-se o espalhamento espectral promovido pelo P W M AS 3N , ou seja, com freq u encia de P W M = 25kHz , a freq u encia harm onica est a em 50kHz .
150
100
Ampliutde 50 0 0
4 Frequncia (Hz)
7 x 10
8
4
Figura 4.26: Espectro da tens ao aplicada ` a l ampada, f13 a1.3 .
4.6.2
Forma de onda f135 a1.5.25
Essa forma de onda vem avaliar a inu encia da diminui c ao das amplitudes da 3a e 5a harm onicas na elimina c ao da resson ancia ac ustica. A diminui c ao das amplitudes torna a forma de onda de corrente mais plana no topo. As amplitudes das 3a e 5a harm onicas s ao 1/5 e 1/25 da fundamental, respectivamente. A Figura 4.27 apresenta as formas de onda de corrente, tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada HP S , para a forma de onda f135 a1.5.25 , obtidos atrav es de simula c oes digitais.
250 Tenso (V) Corrente (A)(30x) Potncia (W)
200
150
100 Amplitude
50
50
100
150 0
0.5
1.5 Tempo (seg)
2.5
3 x 10
3
Figura 4.27: Formas de onda de corrente, tens ao e pot encia aplicada ` a l ampada, f135 a1.5.25 .
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 92 Atrav es do gr aco do espectro da tens ao mostrado na Figura 4.28 pode-se vericar que os valores obtidos para a amplitude da terceira harm onica (3kHz ) e quinta harm onica (5kHz ) s ao praticamente os valores desejados 20% e 4% da fundamental, respectivamente. Observa-se o espalhamento espectral promovido pelo P W M AS 3N , ou seja, harm onicas em torno de 2 vezes a freq u encia de P W M (fP W M = 25kHz ).
140
120
100
Amplitude
80
60
40
20
0 0
3 4 Frequncia (Hz)
6 x 10
4
Figura 4.28: Espectro da tens ao aplicada ` a l ampada, f135 a1.5.25 .
4.7
Sinais modulados de tens ao
Devido ` a necessidade de tornar o pre co do reator mais atraente s ao propostas na literatura reatores eletr onicos apresentando um circuito para a corre c ao do fator de pot encia sem a utiliza c ao de um est agio adicional. Esta proposta est a baseada nos conversores CA-CA [7, 8, 9]. Al em disso, estes circuitos t em como ponto comum evitar a resson ancia ac ustica na l ampada. A estrat egia para estes reatores consiste na modula c ao da corrente aplicada ` a l ampada, ou seja, a l ampada tem a corrente de alta freq u encia modulada por uma onda de baixa freq u encia. Dessa forma, trabalhando com alta e baixa freq u encia simultaneamente, evita-se o aparecimento do fen omeno da resson ancia ac ustica [7, 8, 9]. O reator eletr onico proposto apresenta alto fator de pot encia e baixo custo. Para minimizar a interfer encia eletromagn etica gerada pelo reator eletr onico, a estrutura proposta de um u nico est agio para l ampadas HP S , incorpora junto ao reticador de entrada um ltro LC . Esta topologia pode ser implementada em meia ponte e ponte completa. A Figura 4.29 apresenta o diagrama do circuito utilizado para implementar a modula c ao em 120Hz .
(a) Diagrama do circuito utilizado em [8].
(b) Diagrama do circuito utilizado em [7].
Figura 4.29: Diagramas do circuitos utilizado para aplica ca o dos sinais modulados.
A formas de onda de corrente e tens ao e seu detalhe obtidas em [7] e [8] s ao apresentadas
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 94 nas Figuras 4.30 e 4.31, respectivamente.
(a) Tens ao e corrente aplicados ` a l ampada.
(b) Detalhe da tens ao e corrente.
Figura 4.30: Formas de onda de corrente e tens ao utilizado topologia apresentada em [7].
Figura 4.31: Formas de onda de corrente e tens ao utilizando a topologia apresentada em [8].
Observa-se que o fator de pot encia e comprometido a medida que a capacit ancia Cf aumenta. Al em disso, o fator de crista na l ampada e maior que 1, 7. Outra topologia de conversor que pode operar com a tens ao modulada aplicada ` a l ampada
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 95 HP S e o conversor CA CA mostrado na Figura 4.32 [9]. O reator eletr onico que utiliza esta topologia apresenta um alto fator de pot encia e supre a corrente CA em alta freq u encia ` a l ampada HP S . Como na estrutura apresentada em [8], esta possui menor n umero de componentes e compacta c ao quanto comparado os reatores eletr onicos convencionais. A Figura 4.33 apresenta as forma de onda de tens ao e corrente aplicada ` a l ampada utilizando o conversor CA-CA [9].
Figura 4.32: Diagrama do circuito utilizado para aplica ca o dos sinais modulados [9].
Figura 4.33: Formas de onda de corrente e tens ao utilizando topologia apresentada em [9].
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 96 Pode-se observar que, em ambos casos, o fator de crista da corrente aplicada ` a l ampada e superior a 1, 9. Para l ampadas uorescentes padr ao o m aximo valor permitido para o fator de crista de 1, 8, mesmo valor utilizado para as l ampadas HP S [79]. Note que a utiliza c ao de altos valores de fator de crista podem resultar na redu c ao dos lumens fornecidos e da vida u til [79]. Entretanto, recentes pesquisas mostram que um fator de crista maior que 1, 7 n ao e um problema para a l ampada HP S operando em alta freq u encia [80]. As normas vigentes que se referem ao fator de crista s ao: American National Standard ANSI C78.42, Part IV relevant lamp data sheets, na qual o m aximo para o fator de crista e 1, 8 e a European Standard counterpart EN60662, esta sendo mais rigorosa e tendo como valor m aximo 1, 7. Devido ao problema do fator de crista e altas freq u encias de chaveamento e proposta uma t ecnica a qual utiliza sinais modulados de tens ao de forma evitar o aparecimento da resson ancia ac ustica. Baseada na t ecnica de inje c ao de harm onicas na forma de onda de corrente aplicada ` a l ampada, foi modicada a refer encia para a gera c ao da modula c ao P W M . A nova refer encia e um sinal modulado, ou seja, uma senoide com uma freq u encia (fundamental) multiplicada por outra (modulante). A Equa c ao 4.11 dene esta modula c ao. sref = sen(2ff und t) sen(2fmod t). Esta equa c ao deve atender as condi c oes: s >v
ref
(4.11)
sat ,
sref = 0,5;
(4.12)
onde vsat e determinado de forma que sejam atendidas as normas referentes ao fator de crista. O ltro LC utilizado na sa da do inversor deve eliminar as freq u encia de chaveamento e
sref < vsat , sref = -0,5,
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 97 proporcionar a igni c ao da l ampada. Para que o inversor opere com a freq u encia de chaveamento, fP W M , de 32kHz , a freq u encia da fundamental, ff und , ser a de 12kHz , da modulante, fmod , de 300Hz e tens ao de igni c ao m axima de 3, 2kV , pode-se utilizar o mesmo ltro projetado para a inje c ao de harm onicas. A Figura 4.34 mostram as formas de onda de corrente e tens ao aplicadas a uma resist encia, Rlamp , de 66, 6, que emula uma l ampada HP S de 150W .
vsat = 0,2 8 Corrente (A) Tenso/25 (V)
2 Amplitude
0.0984
0.0986
0.0988
0.099
0.0992 tempo (seg)
0.0994
0.0996
0.0998
0.1
Figura 4.34: Formas de onda de corrente e tens ao, carga resistiva, fmod = 300Hz .
vsat = 0,2 1.6
1.4
1.2
1 Amplitude
0.8
0.6
0.4
0.2
3 4 Frequncia (Hz)
6 x 10
4
Figura 4.35: Espectro da forma de onda de corrente fmod = 300Hz .
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 98 A Figura 4.35 apresenta o espectro harm onico da corrente aplicada ` a carga resistiva, para as freq u encias citadas acima. As Figuras 4.36 e 4.37 mostram a pot encia e o seu espectro harm onico aplicadas ` a carga resistiva.
v 600
sat
= 0,2
500
400 Potncia (W)
300
200
100
0 0.0984 0.0986 0.0988 0.099 0.0992 tempo (seg) 0.0994 0.0996 0.0998 0.1
Figura 4.36: Formas de onda de pot encia aplicada ` a l ampada, fmod = 300Hz .
v 180
sat
= 0,2
160
140
120 Amplitude
100
80
60
40
20
0 0 1 2 3 4 Frequncia (Hz) 5 6 7 8 x 10
4
Figura 4.37: Espectro da forma de onda de pot encia aplicada ` a l ampada, fmod = 300Hz e ff und =
12kHz .
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 99 A Figura 4.38 mostra a tens ao de sa da do inversor e a tens ao aplicada ` a carga resistiva.
v 200
sat
= 0,2
150
100
50 Tenso (V)
50
100
150
200 0.0984 0.0986 0.0988 0.099 0.0992 tempo (seg) 0.0994 0.0996 0.0998 0.1
Figura 4.38: Formas de onda de tens ao na sa da do inversor.
Devido ao elevado valor do fator de crista aplicado ` a l ampada nas propostas anteriores e feita uma satura c ao da tens ao de refer encia para que este valor n ao ultrapasse 1, 7. A Figura 4.39 apresenta um comparativo das formas de onda da tens ao de sa da do inversor, com o controle do fator de crista (CF C ) e sem (SCF ).
200
SFC > vsat = 0,5 CFC > v

sat
= 0,0625
150
100
50 Tenso (V)
50
100
150
200 0.0984 0.0986 0.0988 0.099 0.0992 tempo (seg) 0.0994 0.0996 0.0998 0.1
Figura 4.39: Formas de onda de tens ao na sa da do inversor, com e sem controle do fator de crista .
4.8
Estudo dos par ametros vsat e fP W M
Para o estudo dos sinais modulados de tens ao, que alimentam as l ampadas HP S s ao feitas an alises sobre os fatores que inuenciam o fator de crista, de forma a atender as especica c oes do projeto. Estes fatores s ao a freq u encia de chaveamento (fP W M ), a freq u encia fundamental (ff und ), a freq u encia modulante e a tens ao de satura c ao (vsat ). A Figura 4.40 apresenta a varia c ao do fator de crista (F C ) em fun c ao da tens ao de satura c ao (vsat ) para v arias freq u encias de chaveamento (fP W M ).
2.2
2.1
1.9
FC
1.8
American National Standard ANSI C78.42
1.7
European Standard counterpart EN60662
F 1.6
PWM
= 60kHz
FPWM = 40kHz FPWM = 30kHz
1.5 0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
vsat
Figura 4.40: Varia ca o do FC em fun ca o da vsat , para diferentes fP W M .
Pode-se observar que quanto maior a freq u encia de chaveamento, para a mesma vsat , obt em-se um menor fator de crista. A varia c ao do valor ecaz (rms) da tens ao aplicada ` a l ampada, com rela c ao ao barramento
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 101 CC , e o fator de crista em fun c ao de tens ao de satura c ao pode ser visto na Figura 4.41. A freq u encia de chaveamento e igual a 60kHz .
0.65
2.2
2.1
0.6
1.9
% Vcc FC
American National Standard ANSI C78.42
0.55
European Standard counterpart EN60662
1.8
1.7
0.5
1.6
1.5
0.45 0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25 vsat
0.3
0.35
0.4
0.45
1.4 0.5
Figura 4.41: Varia ca o do F C e Vcc em fun ca o da vsat .
4.9
Atrav es dos estudos realizados sobre as l ampadas de vapor de s odio e dos reatores utilizados no seu acionamento percebe-se a necessidade de um estudo aprofundado no que se refere ` as formas de onda de tens ao que evitem o aparecimento da resson ancia ac ustica. As formas de ondas apresentadas na literatura, que s ao objeto do presente trabalho s ao as que apresentam a inje c ao de harm onicas ` a fundamental de tens ao [6] e as com modula c ao [7, 8, 9]. Nesse capitulo foi proposta uma t ecnica de s ntese de formas de onda de tens ao. O tipo de modula c ao P W M 3 n veis assim etrico foi escolhido visando a s ntese da forma de onda com uma freq u encia de chaveamento menor que a P W M 2 n veis sim etrico. As simula c oes mostram a rela c ao da freq u encia de chaveamento (fP W M ) com os valores da amplitude da 3a harm onica sintetizada, bem como a T HD e o desvio padr ao da pot encia. proposto um ltro LC que permite a inje E c ao das harm onicas ` a fundamental de forma a n ao atenuar a componente de 3a harm onica e nem provocar um defasamento da mesma em rela c ao ` a fundamental. A inje c ao de harm onicas (principalmente a 3a ) com amplitudes que comp oem a onda quadrada (1/n, onde n e a ordem da harm onica) atrav es de simula c oes digitais proporcionaram a escolha da faixa de freq u encias utilizadas para sua sintetiza c ao e valida c ao do ltro LC . S ao propostas outras formas de ondas de tens ao que s ao formadas pela inje c ao de harm onicas, por em com amplitudes diferentes das que comp oem a onda quadrada. Outra t ecnica proposta e a utiliza c ao da modula c ao da tens ao aplicada ` a l ampada. Para essa t ecnica, que tem como princ pio que a modula c ao em baixa freq u encia para impedir o aparecimento da resson ancia ac ustica, devem-se analisar dois par ametros para se atender
4 - Estudo de formas de onda de tens ao aplicadas ` a l ampada HP S para evitar a resson ancia ac ustica 103 as normas referentes ao fator de crista. Esses par ametros s ao a rela c ao entre a freq u encia modulante e a freq u encia fundamental e a tens ao de satura c ao, vsat . Nas simula c oes digitais caracterizou-se a l ampada como uma resist encia mesmo que trabalhando numa faixa de freq u encia na qual ela apresenta uma caracter stica n ao linear [1]. Os resultados experimentais apresentados no Cap tulo 7 mostram que pode-se utilizar esse modelo quando se injeta harm onicas ` a fundamental de tens ao aplicada ` a l ampada. Mas a l ampada operando com sinais modulados essa armativa n ao e verdadeira. Dessa forma, utilizar um modelo mais apropriado para as simula c oes digitais.
Cap tulo 5 Estudo sobre ignitores para l ampadas AID
5.1
Introdu c ao
A igni c ao da l ampada de descarga se d a pela convers ao do g as existente no bulbo de uma l ampada do estado de n ao-condu c ao para o estado de condu c ao [1]. A primeira fase no processo de igni c ao da l ampada s o pode ser alcan cada se o circuito el etrico proporcionar uma tens ao com amplitude e tempo sucientes para provocar a ioniza c ao do g as produzindo o arco el etrico entre os dois eletrodos. Antes da igni c ao, o comportamento da l ampada e caracterizado por um circuito aberto. Uma tens ao de igni c ao elevada e necess aria para iniciar a descarga no tubo. Ap os esta etapa, as colis oes eletr onicas aumentam, elevando gradativamente a temperatura do arco, vaporizando o metal e conseq uentemente aumentando a press ao. Ao nal desta fase, que tem a dura c ao de alguns minutos, a temperatura e a press ao do arco, bem como o brilho da
5 - Estudo sobre ignitores para l ampadas AID l ampada, atingem o estado de equil brio.
105
A temperatura e a press ao do g as no interior do tubo de descarga denem a tens ao de igni c ao necess aria para in cio de uma descarga. Se o arco, por algum motivo, for extinto ap os a l ampada estar em equil brio, para um reacendimento imediato, seria necess aria uma tens ao muito mais elevada, j a que nem a press ao, nem a temperatura retornariam ` as condi c oes iniciais imediatamente. A l ampada deve esfriar para um novo acendimento, este tempo e conhecido por tempo de resfriamento e pode levar, normalmente, alguns minutos. A impossibilidade de re-igni c ao imediata a quente, para valores nominais da tens ao de igni c ao, e considerada um inconveniente das l ampadas de descarga a alta press ao. A tens ao de igni c ao para l ampadas AID (alta intensidade de descarga ) e obtida, em geral, de duas formas: por um circuito ignitor externo que gera pulsos de alta tens ao atrav es de um transformador ou por um circuito ressonante operando em alta freq u encia como mostra a Figura 5.1. O m etodo de igni c ao depender a das caracter sticas do reator que est a sendo utilizado. Para o acionamento das l ampadas por inversores em altas freq u encias, o circuito ressonante e a solu c ao normalmente empregada [3, 19]. Para acionamento das l ampadas em baixas freq u encias, por reatores convencionais ou eletr onicos, um circuito ignitor externo que prov e pulsos de alta tens ao e mais interessante, pois caso a op c ao fosse pelo circuito ressonante seria necess ario operar nos dois modos de freq u encia, ou seja, alta freq u encia para a igni c ao e baixa freq u encia para o funcionamento normal do reator eletr onico [4].
5 - Estudo sobre ignitores para l ampadas AID
106
Figura 5.1: Circuitos de igni ca o: a) ignitor externo, b) circuito ressonante.
5.2
Estudo realizado sobre os ignitores
Quando um ignitor opera em alta freq u encia a sua imped ancia n ao pode ser desprezada durante a opera c ao em regime permanente da l ampada. O projeto do circuito ignitor n ao pode ser feito em separado do projeto do reator eletr onico. O pulso de igni c ao, bem como o tipo de resson ancia utilizado durante o processo, se comportam como um elemento indutivo durante a opera c ao da l ampada, podendo acarretar problemas em alta freq u encia. Pode se vericar na literatura que, estender a igni c ao de resson ancia at e a igni c ao de resson ancia do transformador leva a problemas ainda mais severos com respeito ` a opera c ao em alta freq u encia [81]. Apenas ignitores CC se beneciam do aumento da freq u encia de opera c ao. A Figura 5.2 mostra um grupo de ignitores que ser ao analisados neste estudo. O circuito ignitor mostrado na Figura 5.2(a) trata-se do Ignitor com spark gap. Seu funcionamento consiste em: quando o circuito est a ligado, a l ampada est a desligada e sua imped ancia e
107
muito alta. Desta forma, toda a tens ao gerada pelo inversor e aplicada no spark gap. Esta tens ao reticada por D1 e alterada por C2 e R2 . Ent ao a tens ao sobre C2 , mostrada na Figura 5.2(b) alcan ca o tens ao de ruptura do spark gap, e a energia armazenada em C2 e aplicada ao transformador, gerando uma alta tens ao atrav es de L1 . Quando ocorre a igni c ao da l ampada, a tens ao nela e muito menor que antes, impedindo que a tens ao em C2 alcance a tens ao de ruptura do spark gap outra vez. Se a l ampada n ao passar pela igni c ao por alguma raz ao, o capacitor C2 e recarregado e o processo e repetido at e que o conversor tenha sido desligado ou quando a l ampada passar pela igni c ao com sucesso [19]. O segundo tipo e o ignitor com SIDAC. Este circuito est a mostrado na Figura 5.2(c) e seu funcionamento e semelhante ao anterior. Assim, quando a tens ao sobre C3 alcan ca a tens ao de ruptura do SIDACs, C3 descarrega no enrolamento auxiliar de L1 . O aumento de tens ao atrav es da rela c ao de L1 fornece o pulso inicial para a l ampada. Mais uma vez, depois que a l ampada sofrer a igni c ao, existe uma carga insuciente no capacitor C3 para alavancar tens ao de ruptura do SIDAC e assim n ao h a mais pulsos de igni c ao aplicados ` a l ampada [19]. Uma compara c ao entre estes dois circuitos que usam a mesma t ecnica pode ser feita como se segue [19]: 1. o ignitor utilizando o spark gap e facilmente operado devido a circula c ao da corrente sobre o circuito de igni c ao usando um circuito auxiliar simples; 2. O circuito usando SIDAC precisa de mais componentes no circuito auxiliar, mas o SIDAC e de menor custo que o spark gap ; 3. A necessidade de usar um enrolamento separado n ao parece ser uma vantagem no segundo circuito.
108
O circuito ignitor que utiliza um capacitor auxiliar e mostrado na Figura 5.2(e). Este capacitor de pequeno valor e conectado ao tap do indutor principal para dar igni c ao ` a l ampada. Quando a l ampada est a desligada, o indutor age como um auto transformador e produz a tens ao de igni c ao necess aria. A Figura 5.2(f) apresenta a forma de onda de tens ao para este tipo de ignitor [19]. Esta t ecnica, quando comparada com a primeira, mostra que o circuito e o mais simples a ser utilizado, mas e necess ario estar ciente de que indut ancias e capacit ancias parasitas podem absorver os pulsos de tens ao. Dependendo da freq u encia de chaveamento adotada pode ser necess ario usar um n ucleo toroidal, geralmente de maior custo que os do tipo E usados no primeiro caso. O ltro LCC pode ser usado como um ignitor e est a mostrado na Figura 5.2(g), ele poder fornecer uma alta tens ao de sa da, como mostrado na se c ao 3.3.1. Este circuito pode ser tamb em utilizado para a igni c ao de l ampada uorescentes. Desta forma, ele pode realizar duas fun c oes: ltrar a corrente da l ampada e fornecer uma alta tens ao necess aria para dar igni c ao na l ampada. A forma de onda da tens ao de igni c ao da l ampada e mostrada na Figura 5.2(h). Como pode ser notado, o n vel de tens ao necess ario para fornecer igni c ao foi menor que nos outros tr es casos. Provavelmente isto ocorre devido a freq u encia dos pulsos de tens ao ser mais elevada bem como pela caracter stica de sa da do ltro. As principais desvantagens deste circuito, citadas em [19], s ao: o valor da capacit ancia usada em paralelo com a l ampada e sua tens ao criada, pois e necess ario uma quantidade razo avel de capacitores associados e como a alta tens ao e obtida atrav es do fen omeno da resson ancia, existe um grande valor de corrente circulando atrav es das chaves principais durante a igni c ao. Por em, nem sempre a arma c ao sobre a quantidade de capacitores em paralelo
5 - Estudo sobre ignitores para l ampadas AID e verdadeira.
109
O circuito ignitor, mostrado na Figura 5.2(i), e composto por Rig , Cig , Dig , Tyig , Tig e pelo circuito de comando de gate do tiristor. O tiristor Tyig recebe um pulso de comando, ent ao, ocorre a descarga de Cig de forma ressonante pelo caminho Cig -Dig -Tyig -Tig . Quando a corrente deste circuito se anula, o diodo ultra-r apido Dig e bloqueiado, impedindo a circula c ao de corrente. Com isso, Cig volta a se carregar por Rig . Utilizando uma rela c ao de transforma c ao adequada em Tig , pode-se impor, durante o tempo de condu c ao de Tyig , um pulso de alta tens ao sobre a l ampada. A tens ao de igni c ao do circuito ignitor s ao mostradas na Figura 5.2(j). O funcionamento do ignitor mostrado na Figura 5.2(k), est a baseado na mudan ca da freq u encia de resson ancia do ltro LCC , por meio do acionamento da chaves S1 e S2 [82]. Dessa forma, mant em-se constante a freq u encia de opera c ao do inversor. A forma de onda de tens ao obtida atrav es desse ignitor n ao foi apresentada no estudo. A id eia por tr as da igni c ao com transformador ressonante e de combinar as vantagens da igni c ao ressonante e da igni c ao de pulso [55]. Uma alta tens ao e facilmente obtida por uma igni c ao ressonante a qual e amplicada por um transformador [81]. Um transformador piezoel etrico associado a uma fonte CC de alta tens ao foi proposta para a diminui c ao do tamanho do circuito ignitor [83].
110
S1 C1
R1
D1 R2
S2 L1
Lamp
Spark
C2
(a) Ignitor com spark gap.
(b) Tens ao (CH 2) de igni ca o do ign.-s.gap.
S1
C1
R1
R3 C2 C3 Sidac
S2
L1
Lamp
R2
(c) Iginitor com SIDAC.
(d) Tens ao (CH 1) de igni ca o do ign.-SIDAC.
S1
L1
S2 C 2
C1
Lamp
(e) Ignitor com capacitor auxiliar.
(f) Tens ao de igni ca o do ign.- cap. auxiliar.
111
S1 L 1 S2
C1 C2 Lamp
(g) Ignitor utilizando ltro LCC.
(h) Tens ao de igni ca o do ign. ltro LCC.
Vo Rig S1 Lamp S3 Cig 1:N Dig Lig1 Tyig Tig Lig2 S4 S2
(i) Ignitor utilizado em [4].

1:N Cs Ls
(j) Tens ao de igni ca o do ign. [4].

Lo Co S1 S2 Cp Lamp
(k) Ignitor utilizando em [82].
Figura 5.2: Ignitores e suas formas de onda de tens ao de igni ca o.
112
5.3
Ignitor proposto para l ampadas AID
O ignitor proposto, baseado em um circuito ressonante paralelo, como mostrado na Figura 5.3, utilizado para igni c ao da l ampada, consiste em um inversor operando em alta freq u encia. Atrav es da oscila c ao for cada da tens ao, denominada de batimento, e que se gera alta tens ao e conseq uentemente a igni c ao da l ampada. A tens ao de igni c ao apresenta uma forma lobular ao longo do tempo. Esta t ecnica se caracteriza pela inser c ao de um capacitor de capacit ancia maior em paralelo com o do ignitor, de forma a estabelecer a capacit ancia do ltro, para o regime nominal. Esta associa c ao e feita atrav es de uma de uma chave para alta tens ao e ocorre ap os a igni c ao da l ampada. Dessa forma, n ao e necess ario especicar um capacitor paralelo de capacit ancia maior que suporte toda a tens ao de igni c ao. Neste caso, o capacitor de igni c ao possui a seguinte capacit ancia, Cign = 5nF/3, 2kV e o capacitor Css = 100nF /680V . Ap os um per odo de tempo necess ario ` a igni c ao e feita a comuta c ao para a freq u encia de funcionamento normal do reator e neste instante e inserido o capacitor de regime (Css ) atrav es da chave Sign . A dura c ao do pulso de igni c ao (tign ) e determinada pelo per odo em que se obt em o valor m aximo da tens ao [48, 62, 85].
Figura 5.3: Diagrama do ltro de sa da e o circuito auxiliar para a igni ca o da l ampada AID.
113
A Tabela 5.1 apresenta informa c oes obtidas das normas NBR 13593 e NBR 14305 [4], as quais podem ser utilizadas no projeto de circuitos ignitores. Tabela 5.1: Caracter sticas dos ignitores segundo a ABNT, para l ampadas HP S Pot encia da l ampada (W ) Valor m ax. do pico de tens ao (kV ) Valor min. do pico de tens ao (kV ) No . min. de pulsos por ciclo de rede (60Hz ) Largura min. do pulso (s) 50 70 150 250 400 4,5 2,8 1 1 4,5 2,8 1 1 4,5 2,8 1 1
2,3 2,3 1,8 1,8 2 2 2 2
Os circuitos capazes de fornecerem tens oes para a igni c ao da l ampada AID s ao o paralelo, Figura 3.5(b), e s erie-paralelo, Figura 3.5(c), devido a sua caracter stica de fornecerem tens oes elevadas em rela c ao a entrada quando est ao em resson ancia. Essas caracter sticas podem ser vistas nas Figuras 3.6(b) e 3.6(c), que s ao obtidas atrav es das equa c oes da Tabela 3.2. Observar-se que o ganho de tens ao e unit ario (1) para o circuito s erie ressonante na freq u encia 0 . Este circuito est a mostrado na Figura 3.5(a). Para o circuito paralelo ressonante, mostrado na Figura 3.5(b), obt em-se elevados ganhos de tens ao para Q elevados. Para o circuito ressonante paralelo, antes da igni c ao, o Q , pois R , como pode ser observado na Figura 3.6(b). J a o circuito s erie-paralelo possibilita a rela c ao maior que um na rela c ao tens ao de sa datens ao de entrada, pois o Q 0, pois R , como pode-se observar na Figura 3.6(c).
114
5.4
Modelo anal tico do circuito
O circuito paralelo ressonante LC foi escolhido como estrutura b asica do ignitor proposto para l ampadas AID. Uma onda quadrada peri odica (tens ao de entrada) e gerada pelo inversor e aplicada ao circuito paralelo ressonante LC com amplitude Vinv , com a freq u encia, ign . Esta freq u encia denida como freq u encia de igni c ao e muito pr oxima do valor da freq u encia de resson ancia do circuito, 0 . Para a an alise da forma de onda de sa da do circuito, ou seja, tens ao aplicada ` a l ampada, pode ser aproximada ` a uma tens ao senoidal com freq u encia ign , pois, as harm onicas da onda quadrada, m ultiplas da freq u encia fundamental, ign , s ao fortemente atenuadas pelo ltro ressonante. Vale ressaltar que para uma excita c ao peri odica com freq u encia 0 , ocorre o fen omeno da resson ancia e dessa forma, a tens ao de sa da ca ilimitada (caso ideal). Entretanto, sabe-se que esta tens ao ca limitada pelas resist encias parasitas do indutor e capacitor. Antes da igni c ao, a l ampada se comporta como circuito aberto, ou seja, apresenta uma resist encia muito elevada, dessa forma, o circuito ressonante e n ao-dissipativo, isto e, pode ser considerado como sendo formado por um indutor e um capacitor. Ap os essas considera c oes, a tens ao senoidal aplicada pelo circuito paralelo ressonante LC ` a l ampada vign e dada por:
vign (t) = onde 0 =

1 . LC
Ginv Vinv (cos(ign t) cos(o t)). LC (o 2 ign 2 )
(5.1)
O ganho Ginv depende da topologia do inversor utilizado, dessa forma:
Para ponte completa: Ginv = 4
5 - Estudo sobre ignitores para l ampadas AID Para meia-ponte: Ginv = 2

(o + )t 2
115
Atrav es da identidade matem atica: cos(A B ) e com A = pode-se ser reescrita como: vign (t) = Vign sen(At)sen(Bt) smod = Vign sen(Bt) sendo: 0 - Freq u encia natural (ou de resson ancia) do circuito; ign - Freq u encia de igni c ao.
eB =
(o )t , 2
(5.1)
(5.2) (5.3)
A Equa c ao 5.4 descreve a amplitude m axima da tens ao de igni c ao (Vign ) que apresenta o batimento e a Equa c ao 5.3 descreve a fun c ao modulante (smod ) do sinal de tens ao. O valor da amplitude da tens ao de igni c ao em fun c ao do ganho do inversor (Ginv ), da tens ao de alimenta c ao (VCC ) e do ganho de tens ao desejado para se obter a tens ao de igni c ao (Gign ), e dado por: Vign = Ginv Gign VCC Gmod O ganho Gmod e igual a 0,5 devido a modula c ao em amplitude dos sinais. (5.4)
116
5.5
Projeto do circuito de igni c ao
A partir dos valores de indut ancia e capacit ancia obtidos para o ltro L(Css //Cign ) que fornecer a a tens ao de alimenta c ao em regime, especica-se o capacitor de igni c ao, Cign , para suportar a tens ao de igni c ao m axima. Vale ressaltar que o ltro do ignitor e dado pelo ltro LCign . O valor da capacit ancia do capacitor de igni c ao, Cign foi obtido atrav es da associa c ao s erie de dois capacitores de 10nF/1, 6kV . Dessa forma, obt em-se Cign = 5nF/3, 2kV . O valor obtido para a indut ancia e 833H .
1. Escolhe-se a amplitude m axima da tens ao de igni c ao (Vign ), e calcula-se o ganho em dB , Gign , necess ario para obt e-la, segundo a equa c ao: Gign (jing ) = 20 log Vign Gmod VCC Ginv (5.5)
2. Atrav es da resposta em freq u encia do inversor paralelo LC dada pela equa c ao: Gign (s) = 1 s + 0 +1 Q (5.6)
s 2 ( ) 0
onde Q e 0 s ao obtidos pela coluna 2 da Tabela 3.2. Determina-se a freq u encia de igni c ao (ign ), que e a freq u encia com a qual o inversor dever a operar at e a abertura do arco, cujo ganho e obtido a partir de (5.5), como:
Gign (jign ) =
1 (1
wign 2 2 ( w )) 0
+ ( wign )2 0Q
(5.7)
A Figura 5.4 apresenta a resposta em freq u encia do circuito ressonante paralelo LCign .
117
80 70 60 50 40 30 20 10 0 5
Ganho (dB)
5.5
6.5 Frequncia (Hz)
7.5 x 10
8
4
Figura 5.4: Resposta em freq u encia do circuito ressonante paralelo LCign .
5.6
Resultados de simula c ao
Utilizando-se o algoritmo proposto para a tens ao de alimenta c ao do inversor VCC = 120V e a tens ao de igni c ao Vign = 2.900V , atendendo a Norma ABNT NBR 13593, obt em-se:
Ginv db = 19, 55dB ; Freq u encia de igni c ao, fign = 73.770Hz ; Tempo de igni c ao, tign = 122s. A Figura 5.5 apresenta as formas de onda do batimento de tens ao geradas pelo circuito de igni c ao e a tens ao modulante, obtidas atrav es das equa c oes (5.2) e (5.3).
118
4000 Tenso de ignio 3000 2000 1000 Tenso (V) 0 1000 2000 3000 4000 0 Tenso modulante Tempo do pulso de ignio
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 0.6 Tempo (seg)
0.7
0.8
0.9 x 10
1
3
Figura 5.5: Forma de tens ao modulada e modulante.
A Figura 5.6 mostra, com maior detalhe, as formas de onda de tens ao de igni c ao com batimento e a com freq u encia de chaveamento na freq u encia resson ancia do circuito LCign , obtidas por simula c ao.
8000 Tenso de ignio (batimento) Tenso de ignio (ressonncia) 6000
4000
2000 Tenso (V)
2000
4000
6000
8000 0
1 tempo (seg)
2 x 10
4
Figura 5.6: Tens ao de igni ca o com batimento e na freq u encia de resson ancia.
119
A Figura 5.7 apresenta resultados de simula c ao da forma de onda de tens ao de igni c ao, onde a amplitude m axima e 2.900V . Ap os a igni c ao, a freq u encia de opera c ao do inversor e comutada para a de opera c ao em regime, desta forma garantindo a alimenta c ao da l ampada em condi c oes nominais. Uma vantagem em se utilizar um ignitor que trabalha com batimento de tens ao est a na limita c ao da corrente e tens ao sobre os componentes do reator e da l ampada HP S , diminuindo sobre eles o estresse. Essa limita c ao de corrente e tens ao e ainda mais importante quando n ao ocorre a igni c ao.
3000
2000
1000
Tenso (V)
1000
2000
3000 0
0.5
1.5
2.5 Tempo (seg)
3.5
4.5 x 10
5
4
Figura 5.7: Tens ao de igni ca o obtida por simula ca o
A Figura 5.8 apresenta o ganho (V o/V i) do ltro LC e o fator de qualidade, Q, com a varia c ao da resist encia da l ampada, Rlamp . Pode-se observar a satura c ao do valor do ganho do ltro a partir de Rlamp = 10k . Dessa forma, pode-se armar que esse valor pode ser utilizado nas simula c oes de circuito aberto para observar o batimento e calcular o ganho do circuito LCign .
120
10.4
2500
10.2
2000
10 Vo/Vi
1500 Q
9.8
1000
9.6
500
9.4 0
5 6 Resistncia ()
0 10 x 10
5
Figura 5.8: Varia ca o do ganho do ltro LCign e do fator de qualidade Q em fun ca o da resist encia
da l ampada.
A Figura 5.9 apresenta a inu encia do aumento da freq u encia fundamental aplicada ` a l ampada nos valores da indut ancia do ltro LCign e nos valores da freq u encia de igni c ao para faixas de capacit ancias de igni c ao.
1 0.9 0.8 9 0.7 Indutncia (H) 0.6 0.5 0.4 0.3 7 0.2 0.1 0 1000 6.5 8.5 Fign (Hz) x 10
3
x 10 10
Cign = 10nF Cign = 20nF
Cign = 5nF
9.5
7.5
1500
2000
2500
3000 3500 Frequncia (Hz)
4000
4500
6 5000
Figura 5.9: Varia ca o da indut ancia do ltro LCign , fign em fun ca o da ff und .
121
5.7
Neste cap tulo foram apresentados e analisados v arios tipos de ignitores. Para o ignitor proposto foram feitos a sua an alise, projeto, simula c ao. A sua implementa c ao ser a apresentada no Cap tulo 7. A caracter stica interessante desse ignitor e que ele proporciona a tens ao necess aria ` a l ampada para sua igni c ao de forma mais natural, ou seja, se e necess ario apenas 1.750V para realizar a igni c ao, a mesma ocorrer a. Essa ser a a tens ao aplicada, mas caso seja necess ario um valor maior, o ignitor ir a fornecer at e a tens ao de 3, 2kV . Dessa forma, estressando menos a l ampada e os componentes do circuito ignitor. O ignitor proposto permite atrav es do tign determinar a quantidade de l obulos que, conseq uentemente, determina a quantidade de vezes que o usu ario deseja tentar a igni c ao da l ampada. A forma lobular permite, no caso de n ao ocorrer a igni c ao, que a tens ao diminua at e que se reinicie uma nova tentativa. Pode-se diminuir o tamanho dos componentes com o aumento da freq u encia, proporcionando uma redu c ao do volume e peso do ltro. E tamb em eliminar a chave est atica utilizada para a inser c ao do capacitor em paralelo, de forma a atuar em regime, pois, o capacitor de regime e igni c ao ser ao o mesmo. Dessa forma, proporcionando uma simplica c ao do circuito e conseq uentemente a redu c ao de custos.
Cap tulo 6 Est agio de corre c ao de pot encia para o reator eletr onico
6.1
Introdu c ao
Este cap tulo apresenta o estudo e realiza c ao de um controlador para o est agio de corre c ao de fator de pot encia para o reator eletr onico proposto, utilizando um conversor boost, alimentando uma l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HPS (High Pressure Sodium). A norma editada pela International Electrotechnical Commission Standard, IEC-61000-32, estabelece os limites para a emiss ao de harm onicas de corrente em equipamentos (agrupados em classes) com corrente ecaz inferior a 16A (por fase). Esta norma aplica-se a equipamentos conectados ` a rede p ublica de baixa tens ao de 50Hz ou 60Hz , com tens ao de fase-neutro entre 220V at e 240V . Para tens oes inferiores a estes, apesar dos limites n ao estarem estabelecidos por esta norma, pode-se encontrar novos limites para os harm onicos de corrente de uma tens ao Vx , multiplicando os limites existentes na norma pela rela c ao (230/Vx ). Atualmente,
6 - Est agio de corre c ao de pot encia para o reator eletr onico
123
somente para os reatores eletr onicos para ilumina c ao uorescente, acima de 60W , uma norma se encontra regularizada no pa s [86]. O reator eletr onico para a l ampada HP S , utilizado no estudo desse controlador, se enquadra na classe de equipamentos tipo C , que s ao representados por equipamentos para ilumina c ao dos tipos: incandescente, a descarga, LEDs e dimmers (exceto para incandescentes). Para equipamentos de pot encia ativa de entrada acima de 25W , os limites estabelecidos pela norma s ao listados na Tabela 6.1. Tabela 6.1: Norma IEC-61000-3-2 para equipamentos classe C Harm onico (n) Norma (% da fundamental) 2 3 5 7 9 11 n 39 2 30*FP 10 7 5 3
obs.: F P 1.
6.2
Pr e-regulador de fator de pot encia
Pode-se citar como desvantagens de um sistema com baixo F P e elevada distor c ao da corrente: i) a m axima pot encia ativa absorv vel da rede e fortemente limitada pelo F P ; ii) as harm onicas de corrente exigem um sobre-dimensionamento da instala c ao el etrica e dos
124
transformadores, al em de aumentar as perdas (efeito pelicular); a componente de 3a harm onica da corrente, em sistema trif asico com neutro, pode ser muito maior do que o normal; o achatamento da onda de tens ao, devido ao pico da corrente, al em da distor c ao da forma de onda, pode causar mau funcionamento de outros equipamentos conectados ` a mesma rede; as componentes harm onicas podem excitar resson ancias no sistema de pot encia, levando a picos de tens ao e de corrente, podendo danicar dispositivos conectados ` a linha [68].
Para solucionar os problemas citados anteriormente pode-se adotar solu c oes passivas ou ativas. As solu c oes passivas para a corre c ao do F P oferecem vantagens como robustez, alta conabilidade, insensibilidade a surtos, opera c ao silenciosa. No entanto, existem diversas desvantagens, tais como: os elementos podem ser pesados e volumosos (em compara c ao com solu c oes ativas); afetam as formas de onda na freq u encia fundamental; alguns circuitos n ao podem operar em uma larga faixa da tens ao de entrada (90 a 240V ); n ao possibilitam regula c ao da tens ao; a resposta din amica e mais lenta e o dimensionamento e complexo[68]. As solu c oes ativas geralmente s ao implementadas por circuitos pr e-reguladores que empregam interruptores controlados associados a elementos passivos. Algumas topologias operam o interruptor na freq u encia da rede (reticada), o que implica no uso de indutores e capacitores dimensionados para baixa freq u encia. O emprego de um chaveamento em alta freq u encia, no entanto, e mais utilizado, uma vez que leva a uma dr astica redu c ao nos valores dos elementos passivos (indutores e capacitores) utilizados. O conversor elevador de tens ao, tipo Boost, operando como corretor do fator de pot encia (CF P ), tem sido bastante utilizado devido as vantagens estruturais que apresenta, tais como:
125
a presen ca do indutor na entrada absorve varia c oes bruscas na tens ao de rede (spikes), de modo a n ao afetar o restante do circuito, al em de facilitar a obten c ao da forma desejada da corrente (senoidal); a energia e armazenada no capacitor de sa da, o qual opera em alta tens ao (Vo > E ), permitindo valores relativamente menores de capacit ancia; o controle da forma de onda e mantido para todo valor instant aneo da tens ao de entrada, inclusive pr oximo de zero; como a corrente de entrada n ao e interrompida (no modo de condu c ao cont nuo) exig encias de ltros de interfer encias eletromagn eticas - IEM s ao minimizadas; O transistor deve suportar uma tens ao igual ` a tens ao de sa da e seu acionamento se torna simples. Como desvantagens desta topologia podem ser citadas: o conversor alimentado por este est agio de CF P , deve administrar uma tens ao de alimenta c ao relativamente elevada; o transistor principal nesta topologia, n ao permite proteger a carga contra curto-circuito ou sobrecorrente. n ao e poss vel o isolamento galv anico entre a entrada e sa da do conversor. O corretor de fator de pot encia baseado no conversor boost, no modo de funcionamento cont nuo, tem sido bastante utilizado devido as vantagens mencionadas anteriormente e, especialmente, pela reduzida ondula c ao da corrente de entrada. Al em disso os componentes cam
126
sujeitos a menores valores de corrente. Por outro lado, exige, al em da realimenta c ao da tens ao de sa da (vari avel a ser controlada), uma medida do valor instant aneo da tens ao de entrada, a m de permitir o adequado controle da corrente absorvida da rede el etrica. Problemas de estabilidade tamb em s ao caracter sticos, devido ` a n ao-linearidade do sistema. Para a obten c ao um modelo para o conversor boost, e necess ario conhecer cada etapa de funcionamento, bem como as formas de onda de corrente e tens ao no circuito. A seguir apresenta-se uma an alise do conversor e a obten c ao de modelos tanto para o modo de condu c ao cont nua quanto para descont nua [87].
6.2.1
Modo de condu c ao cont nua
No modo de condu c ao cont nua, o funcionamento do conversor se divide em duas etapas; a primeira onde o transistor est a conduzindo e outra em que apenas o diodo est a conduzindo. A Figura 6.1 apresenta as etapas de opera c ao do conversor boost no modo cont nuo.
ig
L + VL(t) -
Db iC T C R + Vo -
Etapa 1 Vg
ig
L + VL(t) -
Db iC T C R + Vo -
Etapa 2 Vg
Figura 6.1: Etapas de opera ca o do conversor boost no modo cont nuo.

VL(t) V g DT s DT s t V g -V o iC(t) DTs I-Vo /R DT s t -Vo/R
127
Figura 6.2: Formas de onda do conversor boost operando em modo cont nuo.
De acordo com as Figuras 6.1 e 6.2, na primeira etapa de funcionamento, em que o transistor T conduz e o diodo Db est a bloqueado, tem-se:
vL (t) = Vg ic (t) = Aproximando vo (t) Vo , tem-se: vL (t) = Vg ic (t) = Vo R vo (t) R
(6.1) (6.2)
(6.3) (6.4)
Na segunda etapa de funcionamento, o transistor T est a bloqueado e o diodo Db conduz, ent ao:
vL (t) = Vg vo (t) ic (t) = ig (t) vo (t) R
(6.5) (6.6)
6 - Est agio de corre c ao de pot encia para o reator eletr onico Aproximando vo (t) Vo e ig (t) I , tem-se: vL (t) = Vg Vo ic (t) = I Determina c ao da raz ao de convers ao: Vo R
128
(6.7) (6.8)
Atrav es do valor m edio da tens ao no indutor num per odo de chaveamento pode-se obter M (D) (raz ao de convers ao da sa da pela entrada em fun c ao da rela c ao c clica(D)). Equa c ao da tens ao no indutor para um per odo de chaveamento e:
Ts 0
vL (t)dt = (V g )DTs + (Vg Vo )D Ts
(6.9)
onde D =1D
(6.10)
Considerando o valor m edio da tens ao no indutor num per odo igual a zero e agrupando os termos, obt em-se: V g (D + D ) Vo D = 0

(6.11)
Resolvendo a equa c ao para Vo e substituindo (D + D ) = 1, obt em-se a seguinte express ao para a tens ao de sa da: Vo = Vg D (6.12)
Logo, a raz ao de convers ao M (D) e denida por: M (D) = Vo 1 1 = = Vg D 1D (6.13)
Analisando a corrente m edia no capacitor, tem-se a seguinte equa c ao:

Ts
ic (t)dt =
0
Vo Vo DTs + (I )D Ts R R
(6.14)
129
Considerando o valor m edio da corrente no capacitor num per odo igual a zero e agrupando os termos, tem-se: Vo (D + D ) + ID = 0 R (6.15)
Resolvendo para Vo e substituindo (D + D ) = 1, obt em-se a seguinte express ao para a corrente de sa da: I= Vo D R (6.16)
6.2.2
Modo de condu c ao descont nua
No modo de condu c ao descont nua, o funcionamento do conversor para um per odo de chaveamento, se divide em tr es etapas; uma em que apenas o transistor esta conduzindo, outra em que apenas o diodo est a conduzindo e uma nal onde nenhum dos dois dispositivos conduz. A Figura 6.3 apresenta a etapas de opera c ao do conversor boost no modo descont nuo.
Figura 6.3: Etapas de opera ca o do conversor boost no modo descont nuo

VL(t) V g D1 Ts D2 Ts D3Ts T s V g -V o iC(t) D1 Ts I-Vo /R D2 Ts D3Ts T s -Vo/R t t
130
Figura 6.4: Formas de onda do conversor boost operando em modo descont nuo
Na primeira etapa de funcionamento (0 < t < D1 Ts ) o transistor T conduz e o diodo Db est a bloqueado; assim tem-se:
vL (t) = Vg ic (t) = Aproximando vo (t) Vo , tem-se: vL (t) = Vg ic (t) = Vo R vo (t) R
(6.17) (6.18)
(6.19) (6.20)
Na segunda etapa de funcionamento (D1 Ts < t < (D1 + D2 )Ts ), o transistor T est a bloqueado e o diodo Db conduz:
vL (t) = Vg vo (t) ic (t) = ig (t) vo (t) R
(6.21) (6.22)
6 - Est agio de corre c ao de pot encia para o reator eletr onico Aproximando vo (t) Vo e ig (t) I , tem-se: vL (t) = Vg Vo ic (t) = I Vo R
131
(6.23) (6.24)
Na terceira etapa de funcionamento ((D1 + D2 )Ts < t < Ts ), o transistor e o diodo est ao bloqueados: vL (t) = 0 ic (t) = Determina c ao da raz ao de convers ao: Atrav es do valor m edio da tens ao no indutor num per odo de chaveamento pode-se obter M (D1 , K ) (raz ao de convers ao da sa da pela entrada em fun c ao da rela c ao c clica (D1 ) e K (fator que determina o modo de condu c ao)). A equa c ao da tens ao no indutor para um per odo de chaveamento e:
Ts 0
(6.25) Vo R (6.26)
vL (t)dt = (V g )D1 Ts + (Vg Vo )D2 Ts + 0D3 Ts
(6.27)
Como o valor m edio da tens ao no indutor, em regime permanente, para um per odo e zero, assim, agrupando os termos em fun c ao de D1 e D2 tem-se: D1 Vg + D2 (Vg Vo ) + D3 (0) = 0 Resolvendo para Vo , obt em-se a seguinte express ao para a tens ao de sa da: Vo = D1 + D 2 Vg D2
2L , RTs
(6.28)
(6.29) e [87]:
2 4D1 K
Logo, a raz ao de convers ao M (D1 , K ), onde K = M (D1 , K ) = 1+
1+ 2
(6.30)
132
6.2.3
C alculo da indut ancia do conversor boost (pr e-regulador)
Analisando a forma de onda da corrente no indutor, pode-se obter a express ao para a ondula c ao (ripple ) de corrente no indutor do boost em condi c ao cont nua. A corrente no indutor do boost quando transistor est a conduzindo e dada por: iL (t1 ) = iL (t0 ) + Et1 , L (6.31)
enquanto que, para quando o diodo est a conduzindo e:
iL (t2 ) = iL (t1 ) +
(E Vo )t2 . L
(6.32)
Dessa forma, a varia c ao da corrente no indutor do boost e dada pela Equa c ao 6.33:
i L =
Et1 (E Vo )t2 = . L L
(6.33)
Como a freq u encia de chaveamento, fs , e denida por: fs = 1 , t1 + t2 (6.34)
logo, a equa c ao que dene a ondula c ao (ripple ) de corrente no indutor do boost e denida por: i L = (Vo E )E . fs LVo (6.35)
Para se determinar a ondula c ao (ripple ) de corrente no indutor do boost, em fun c ao da pot encia e tens ao de entrada, utiliza-se a Equa c ao 6.36. P 2 . IL = Vrede
(6.36)
133
Para a Equa c ao 6.35, assumindo a tens ao E da forma V cos(wt) e sabendo-se que o ponto em que se tem a m axima ondula c ao (ripple ) de corrente corresponde E = a indut ancia do boost em fun c ao da ondula c ao m axima de corrente e: L= Vo , 4fs iLmax (6.37)
Vo , 2
a equa c ao para
onde : fs e a freq u encia de chaveamento do conversor boost, e o rendimento do conversor e iLmax e a varia c ao m axima permitida para a corrente m edia, IL . Para as condi c oes de projeto: iLmax = 40% de IL ; Vo = 400V ; fs = 24kHz ; P = 150W ; = 90%; V rede = 127V . O valor obtido para a indut ancia do boost-CF P e 5, 6mH .
134
6.3
Controle Repetitivo: Revis ao
O controle repetitivo e utilizado para fazer o rastreamento de sinais peri odicos em presen ca de perturba c oes. Este controle est a baseado no princ pio do modelo interno e na decomposi c ao dos sinais de perturba c ao e controle em s eries de Fourier. De acordo com o princ pio do modelo interno proposto por Francis e Wonham [88], para o erro de rastreamento ir a zero em regime permanente e necess ario e suciente que o gerador para o comando de refer encia seja inclu do na malha fechada est avel. Por gerador de comando de refer encia entende-se o sistema linear (um compensador) que, para certa condi c ao inicial e entrada nula, gera o comando de refer encia como sa da. Baseado no princ pio do modelo interno, um compensador que possa gerar todos estes sinais peri odicos deve ser incorporado na malha fechada do controle para o rastreamento de sinais peri odicos com per odo conhecido T , em regime permanente. Se est avel, o controlador repetitivo garante erro zero de rastreamento sem o conhecimento exato da planta. O sistema em malha fechada desse controlador tem din amica de ordem elevada e e sens vel a ru do de alta freq u encia e din amica n ao modelada. O controlador e do tipo plug-in e e usado em combina c ao com controladores convencionais de realimenta c ao de estados, tais como controle adaptativo, deadbeat, etc. A Figura 6.5 apresenta o diagrama de um controlador gen erico e a estrutura adicional de controle repetitivo em tempo cont nuo. Neste diagrama, P representa a planta a ser controlada, Ks o controlador estabilizante e Kg o gerador de comando de refer encia para rastrear um sinal repetitivo . A vari avel de sa da y e realimentada e comparada com a
6 - Est agio de corre c ao de pot encia para o reator eletr onico refer encia, gerando o erro z .
135
Figura 6.5: Diagrama de blocos do controlador repetitivo Kg , adicionado ao controle realimentado

Ks .
Um gerador de sinal peri odico de per odo T , com espectro innito de freq u encias e um atrasador puro do tipo eT s em realimenta c ao, conforme o diagrama da Figura 6.6.
Figura 6.6: Diagrama de blocos de um gerador de sinais peri odicos.
No entanto, para este tipo de gerador de sinal peri odico Kg n ao existe controlador admiss vel Ks para plantas P estritamente pr oprias [89]. Para que se possa estabilizar sistemas descritos pelo diagrama da Figura 6.5, para plantas estritamente pr oprias (que constituem sistemas f sicos tais como um conversor boost em estudo) e necess ario que o gerador de sinais peri odicos sofra alguma limita c ao no seu espectro de freq u encia, ou seja, um atrasador puro que cont em um espectro innito n ao e estabiliz avel. Note que um atrasador puro, visto como fun c ao de transfer encia, apresenta um innito n umero de p olos, todos no eixo imagin ario: kg (s) = 1 1 e T s (6.38)
136
Uma solu c ao de compromisso neste caso e a utiliza c ao de um ltro passa-baixas acoplado ao atrasador puro, kgmod (s), conforme a Equa c ao 6.39:
kgmod (s) =
1 1 q (s)eT s
(6.39)
Esta t ecnica costuma ser denominada de Controle Repetitivo Modicado. O que se faz nela e remover os p olos de alta freq u encia do gerador e com isto tornar a planta estabiliz avel. H a diversas varia c oes de controladores repetitivos que utilizam este mesmo princ pio. A Figura 6.7 apresenta um exemplo de aplica c ao do controle repetitivo.
Figura 6.7: Diagrama de blocos do controle repetitivo discretizado.
O bloco Ks (z ) corresponde ao controlador estabilizante a ser denido, em tempo discreto. O bloco do controle repetitivo Kg (z ), conforme proposto em [90] e descrito em tempo discreto com detalhes na Figura 6.8.
137
erro de referncia er Q(z )

-1 -N
sinal de controle repetitivo urp
z z
-N
cr
C(z )
-1
Figura 6.8: Diagrama do controlador repetitivo
Note que o bloco z N atrasa o sinal de entrada (o erro r y ) de N intervalos amostrais que constituem um per odo do sinal de refer encia. O mesmo bloco de atraso z N e pr einserido ao ltro C (z 1 ) para torn a-lo causal. Nesta estrutura, ainda, os blocos Q(z 1 ) e C (z 1 ) s ao ltros passa-baixas que tem por objetivo, segundo a id eia do Controle Repetitivo Modicado, garantir margem de estabilidade do sistema realimentado pela limita c ao da banda de freq u encias de sinais que o controle repetitivo e capaz de rastrear. Desta forma, Q(z 1 ) pode ser substitu da por uma constante menor do que um: Q(z 1 ) = qr < 1 (6.40)
ou ser um ltro passa-baixas, que tem a vantagem de atenuar apenas as altas freq u encias, com uma estrutura do tipo:
z + 0 + 1 z 1 Q(z ) = 21 z + 0
1
(6.41)
J a o ltro C (z 1 ) e introduzido para garantir ganho unit ario e defasagem zero entre os sinais peri odicos na entrada e na sa da do controlador, ou seja, C (z 1 )Gm (z 1 ) = 10o onde Gm (z 1 ) =
y (z 1 ) . r (z 1 )
Existem pelo menos duas possibilidades para C (z 1 ), , uma delas e mais
complexa e expressada pela Equa c ao 6.42.
138
C (z 1 ) =
1 Gm (z 1 )
(6.42)
Outra mais simples e apresentada pela Equa c ao 6.43.
C (z 1 ) = z d
(6.43)
A determina c ao de d na equa c ao 6.43 visa garantir ganho unit ario e defasagem zero para a faixa de freq u encia de interesse do controlador. Finalmente, o ganho cr < 1, e um valor constante que garante a estabilidade do sistema realimentado. A sua escolha e um compromisso entre o desempenho do controlador repetitivo (tempo, em n umero de ciclos, que leva para rejeitar perturba c oes peri odicas) e a estabilidade do sistema. Existem outras formula c oes que usam basicamente os mesmos princ pios e s ao bastante semelhantes ` a apresentada [91, 92, 93].
6.4
An alise do controle repetitivo para CF P
O controle repetitivo vem sendo empregado em inversores de sistemas de energia ininterrupto - SEI (U P S - Uninterruptable Power Supply ) visando rejeitar perturba c oes peri odicas advindas de cargas n ao lineares constitu das, por exemplo, por reticadores com ltro capacitivo alimentando cargas resistivas. Existem aplica c oes de controle repetitivo ao controle de conversores CA CC via P W M [94, 95]. A diferen ca essencial entre estas aplica c oes e a do presente trabalho e que a corre c ao do fator de pot encia nos trabalhos citados se faz no controle do reticador (trif asico) enquanto
139
nesse trabalho isto e feito no controle do conversor boost. Por esse motivo a rejei c ao da perturba c ao causada pela oscila c ao de baixa freq u encia no barramento CC , provocada pelo reticador n ao controlado, tem que ser feita no conversor boost. Foi realizado um estudo do efeito dos par ametros do controlador repetitivo (qr e Cr ) na taxa de distor c ao harm onica total. Mantendo-se Cr xo (igual a 0,1) e variando-se qr , nota-se que quanto menor o valor de qr utilizado, menor a distor c ao harm onica total gerada pelo sistema. Para valores maiores que 0, 8 a distor c ao harm onica aumenta quase exponencialmente, como pode-se observar no gr aco da Figura 6.9.
Variao da THD x Q Cr = 0,1 55
50
45
40
35 THD (%)
30
25
20
15
10
5 0.1
0.2
0.3
0.4
0.5 Q
0.6
0.7
0.8
0.9
Figura 6.9: Varia ca o da T HD em fun ca o de Q (= qr .)
A Figura 6.10 apresenta a varia c ao da distor c ao harm onica total em fun c ao de Cr , para tr es valores diferentes de Q. Como dito anteriormente, para valores de Q menores que 0, 8, a distor c ao harm onica n ao apresenta grande varia c ao, mesmo variando o valor de Cr , como mostrado no gr aco da Figura 6.9. Para valores maiores que 0, 8, a distor c ao harm onica total aumenta consideravelmente com o aumento de Cr .
140
A curva da amplitude da terceira harm onica com rela c ao ` a varia c ao de Q e bastante semelhante ` a varia c ao da distor c ao harm onica total versus Q, como era de se esperar, como pode ser vericado na Figura 6.11.
Variao da THD x Cr 70 Q=0.15 Q=0.6 Q=0.99
60
50
THD (%)
40
30
20
10
0 0.1
0.15
0.2 Cr
0.25
0.3
0.35
Figura 6.10: Varia ca o da T HD em fun ca o da varia ca o de Cr .
Variao da Amplitude da 3 harmnica x Cr 1.4 Q=0.15 Q=0.6 Q=0.99
1.2 Amplitude da 3 harmnica
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.1
0.15
0.2 Cr
0.25
0.3
0.35
Figura 6.11: Amplitude da 3a harm onica em fun ca o de Q.
As Figuras 6.12 e 6.13 apresentam as varia c oes da T HD e da amplitude da 3a harm onica
141
variando Cr entre 0, 9 e 0, 3, respectivamente. A escolha de valores negativos para Cr e devido ao fato de que o conversor boost apresentar fase n ao-m nima. Pode-se observar que para valores negativos, os valores da T HD e da amplitude da 3a harm onica s ao menores que para os valores positivos.
40 35 30 25 THD (%) 20 15 10 5 0 1
Cboost = 2200(F) Cboost = 220(F) 0.8 0.6 0.4 Cr 0.2 0 0.2 0.4
Figura 6.12: Varia ca o da T HD em fun ca o da varia ca o de Cr .
70
60 Amplitude da 3 harmnica (%)
50
40
30
20
10
Cboost = 2200(F) Cboost = 220(F) 0.8 0.6 0.4 Cr 0.2 0 0.2 0.4
0 1
Figura 6.13: Amplitude da 3a harm onica em fun ca o de Cr.
142
6.5
Resultados de simula c ao
O diagrama do reator eletr onico implementado com as malhas de controle estudadas e apresentado na Figura 6.14. As caracter sticas do reator eletr onico que ser a simulado s ao: pot encia de sa da de 150W , tens ao de sa da do boost Vo e de 400V , a freq u encia de chaveamento (fs ) e de 24kHz , a tens ao da rede (E ) e de 127Vrms /60Hz . O valor da indut ancia do boost utilizada e de 5, 6mH , para iLmax de 40% do valor de IL e o rendimento e de 90%.
irede iLboost Lf Cf Vrede
Vret CM_boost Lboost Dboost
Inversor + Lmpada HPS Cboost
Vo
ZOH
Vret iLboost
Vo Vref
PI
REPETITIVO
PI
PWM
CM_boost
MALHA DE TENSO
MALHA DE CORRENTE
Figura 6.14: Diagrama do reator eletr onico e suas malhas de controle.
Para todas as simula c oes do controle repetitivo, o valor de intervalos amostrais, N , e igual a 200. A partir de estudos realizados foram tra cadas as curvas mostradas pela Figura 6.15, que apresenta a tens ao no barramento CC no tempo para diferentes valores de qr . Pode-se vericar que para pequenos valores de qr , menor ser a o tempo de estabiliza c ao da tens ao cont nua e menor a sobretens ao na igni c ao. ) e corrente A Figura 6.16 apresenta as formas de onda de tens ao atenuada de 90 vezes ( Vrede 90 na entrada do circuito. Estas curvas permitem concluir que se pode conseguir diminuir a dis-
143
tor c ao da corrente utilizando-se valores pequenos de qr . O ganho Cr utilizado nas simula c oes foi de 0, 1.
450
q
r
400
350
Tenso (V)
300
250 q =0,1
r r
q =0,6 200 qr=0,8 qr=0,9 qr=0,95 150 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 tempo (seg) 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Figura 6.15: Formas de onda da tens ao no barramento, variando-se qr - Resposta ao Degrau.
qr
Vrede/90 qr = 0,95 qr = 0,9 qr = 0,8 qr = 0,6 qr = 0,1
1.5
0.5 Corrente (A)
0.5
1.5
2 1.982 1.984 1.986 1.988 1.99 1.992 tempo (seg) 1.994 1.996 1.998 2
Figura 6.16: Formas de onda de tens ao e corrente na entrada variando-se qr .
144
A Figura 6.17 apresenta as formas de onda de corrente no indutor do conversor boost CF P e na entrada do reator eletr onico, onde pode-se observar umas das especica c oes de projeto, o ripple da corrente no indutor do boost e de 40%.
3 2.5 2 1.5 Corrente (A) 1 0.5 0 0.5 1 1.5 2 1.95 1.955 1.96 1.965 1.97 1.975 1.98 tempo (seg) 1.985 1.99 1.995 2 ILboost Irede
Figura 6.17: Formas de onda corrente na entrada e no indutor do boost.
145
6.5.1
Compara c ao entre as t ecnicas de controle apresentadas
Para avaliar as t ecnicas de controle utilizadas no reator eletr onico, fez-se um estudo comparativos entre o controle repetitivo e outras duas: (1) a primeira t ecnica consiste na utiliza c ao de dois P I s (tens ao e corrente) com a amostragem da tens ao da sa da na mesma freq u encia da corrente do indutor, chamada de uma t ecnica de controle linear cl assico. (2) A segunda t ecnica e semelhante a anterior, isto e, utiliza os mesmos P I s da t ecnica cl assico, por em, a amostragem da tens ao e realizada em 120Hz , implementada atrav es de um ZOH - (Zero Order Holder). A segunda t ecnica, utilizando o ZOH, assim como o controle repetitivo, visa eliminar o efeito da ondula c ao de 120Hz (tens ao de ripple ) presente no barramento CC [47]. A vantagem do controle repetitivo sobre o ZOH e a maior simplicidade de implementa c ao. A Figura 6.18 apresenta as tr es t ecnicas de controle estudadas. Onde a t ecnica cl assica curto-circuita o bloco ZOH .
ZOH
Vret iLboost
Vo Vref
PI
REPETITIVO
PI
PWM
CM_boost
MALHA DE TENSO
MALHA DE CORRENTE
Figura 6.18: Diagrama dos controladores implementados.
As Tabelas 6.2 e 6.3 apresentam os ganhos Kp e Ki utilizados nos P I s de tens ao e corrente para a congura c ao 1 e 2, respectivamente. Para a congura c ao 1 o P I de tens ao e mais lento que o da congura c ao 2 e al em disso, o P I de tens ao do controlador repetitivo e ainda mais
6 - Est agio de corre c ao de pot encia para o reator eletr onico lento que os outros. Note que as tr es t ecnicas usam P I como controlador principal.
146
Tabela 6.2: Valores dos ganhos Kp e Ki dos P I . Congura ca o 1. Tipo Tens ao Kp Cl assico ZOH 1 1 Ki 50 50 Corrente Kp Ki
0,5 1.000 0,5 1.000
Repetitivo 0,5 0,5 0,5 1.000
Tabela 6.3: Valores dos ganhos Kp e Ki dos P I . Congura ca o 2. Tipo Tens ao Kp Cl assico ZOH 1,5 1,5 Ki 75 75 75 Corrente Kp Ki
0,5 1.000 0,5 1.000 0,5 1.000
Repetitivo 1,5
A equa c ao do controlador P I implementada pelo bloco da Figura 6.18 e dada por:
G(s) =
Ki + Kp s
(6.44)
As Figuras 6.19, 6.20 e 6.21 apresentam as formas de onda de tens ao no barramento, tens ao na ) e corrente na rede e da THD para cada t ecnica implementada. rede atenuada 45 vezes ( Vrede 45
147
450 ZOH Tradicional Repetitivo
400 Tenso (V) 350 300 0
0.1
0.2
0.3
0.4 tempo (seg)
0.5
0.6
0.7
0.8
Figura 6.19: Formas de onda da tens ao no barramento para cada t ecnica implementada - Resposta
ao Degrau.
Vrede/45 ZOH Tradicional Repetitivo
1 Corrente (A)
4 1.984 1.986 1.988 1.99 1.992 tempo (seg) 1.994 1.996 1.998
Figura 6.20: Formas de onda da corrente na entrada para cada t ecnica implementada.
148
0.16 0.14 0.12 Amplitude da harmnica 0.1 0.08 0.06 0.04 0.02 0 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51 N da harmnica Tradicional THD = 9,92% Repetitivo THD = 7,14% ZOH THD = 4,13%
Figura 6.21: Comparativo das amplitudes das harm onicas (%) e a THD obtida para cada t ecnica
implementada. Congura ca o 1.
Visando demonstrar a robustez as varia c oes param etricas do Lboost e Cboost , inserida ao sistema pelo controlador repetitivo, foram realizados alguns testes. O primeiro teste realizado consiste na varia c ao do valor da indut ancia do boost, Lboost , a m de analisar a sua inu encia na T HD da corrente de entrada do reator eletr onico. A Figura 6.22 apresenta os resultados desses testes. A Figura 6.22(a) apresenta a varia c ao a T HD para o P I 1 e a Figura 6.22(b) apresenta os resultados para o P I 2. Para esses testes o valor utilizado para Cr e de 0, 9, por esse valor de Cr apresentar menor erro de aprendizado. As Figuras 6.23(a) e 6.23(b) apresentam a inu encia da varia c ao da capacit ancia do conversor boost na T HD da corrente de entrada do reator eletr onico para o P I 1 e P I 2, respectivamente. A an alise desse gr aco permite armar que se pode diminuir o valor da
149
capacit ancia, conseq uentemente diminuir o volume, peso e pre co nal do reator eletr onico, sem comprometer o atendimento a norma.
13 Control. Repetitivo Control. Clssico 12
11
THD (%)
10
6 1
5 Lboost (mH)
(a) Lboost X T HD -P I 1.
12 Control. Clssico Control. Repetitivo 11
10
9 THD (%)
4 1
4 Lboost (mH)
(b) Lboost X T HD - P I 2
Figura 6.22: Inu encia da varia ca o do Lboost na T HD.
150
25
THD (%)
20
15
10
5 0
500
1000
1500 2000 Cboost(F)
2500
3000
3500
(a) Cboost X T HD -P I 1.
24
22
20
18
16 THD (%)
14
12
10
Control. Clssico Control. Repetitivo 400 600 800 1000 1200 Cboost (F) 1400 1600 1800 2000 2200
4 200
(b) Cboost X T HD -P I 2.
Figura 6.23: Inu encia da varia ca o da capacit ancia do conversor boost na T HD da corrente de
entrada do reator eletr onico.
As Figuras 6.24(a) e 6.24(b) apresentam a inu encia da varia c ao da capacit ancia e in-
151
dut ancia do conversor boost na amplitude da 3a harm onica da corrente de entrada do reator eletr onico, respectivamente. O controlador P I utilizado e o P I 2, para o Cr igual a 0, 9, qr igual a 0, 1.
40 39 36 33 30 Amplitude da 3 harmnica (% da fundamental) 27 24 21 18 15 12 9 6 3 0 200 400 600 800 1000 C 1200 (F) 1400 1600 Control. Clssico Control. Repetitivo 1800 2000 2200
boost
(a) Cboost X amplitude da 3a harm onica.
14 Amplitude da 3 harmnica (% da fundamental)
12
10
2 1
3 L
boost
4 (mH)
(b) Lboost X amplitude da 3a harm onica.
Figura 6.24: Inu encia da varia ca o da capacit ancia e indut ancia do conversor boost na amplitude
da 3a harm onica da corrente de entrada do reator eletr onico.
152
6.6
Neste cap tulo foi estudado o est agio de corre c ao de pot encia para o reator eletr onico para l ampadas HP S . Ressaltando as normas vigentes sobre quantidade de harm onica injetadas na rede el etrica e conseq uente, necessidade de que os reatores, de forma geral, apresentem fator de pot encia pr oximo de um. Para o est agio de corre c ao do fator de pot encia foi estudado o conversor boost. Estudou-se os seus modos de opera c ao e o projeto do seu indutor visando a sua utiliza c ao para o reator eletr onico para a l ampada HP S -150W . Ap os a escolha do conversor boost como est agio de corre c ao do fator de pot encia, passouse para o estudo das t ecnicas de controle mais apropriadas para se atender a norma vigente, nesse caso, proporcionar uma baixa T HD na corrente de entrada. Para isso foram realizadas simula c oes para tr es t ecnicas (cl assica, ZOH e repetitiva) e feita a compara c ao entre elas. proposta nessa tese a utiliza E c ao do controle repetitivo para atenuar a inu encia da ondula c ao de 120Hz presente no barramento CC devido ` a ponte reticadora e o capacitor de sa da do reticador. Essa ondula c ao e determinante na amplitude da terceira harm onica da corrente de entrada do reator eletr onico. Para a implementa c ao do controle repetitivo foi feita uma breve revis ao, a an alise de seus ganhos na aplica ca o no controle do conversor boost CF P , na qual, o sinal a ser rejeitado e de baixa freq u encia, diferentemente das aplica c oes mais usuais desse controlador, como por exemplo, U P S . O controlador composto por dois P I s (corrente e tens ao), amostrando a tens ao de sa da na mesma freq u encia da corrente no indutor apresentou uma THD de 9, 92%, atendendo a norma
153
vigente. Por em, o ajuste do PI de tens ao e trabalhoso devido a ` sensibilidade do controlador ` a representa c ao do valor do ganho em ponto xo. Ao implementar o controlador com o ZOH, a THD obtida foi de 4, 13%. Dessa forma, obtendo um resultado melhor que o anterior. O inconveniente da implementa c ao do ZOH e a determina c ao do instante de amostragem, pois, a aquisi c ao do valor correto e de suma import ancia para a regula c ao da tens ao de sa da do conversor. Uma aquisi c ao feita em um instante errado de amostragem insere um erro est atico na tens ao de sa da.
Cap tulo 7 Resultados experimentais
7.1
Introdu c ao
Com o objetivo de validar os estudos te oricos e de simula c ao realizados nos cap tulos anteriores, foi implementado um prot otipo de um inversor para realiza c ao dos ensaios. A gera c ao dos pulsos de comandos, tanto para a igni c ao da l ampada quanto a opera c ao em regime, foi feita por rotinas implementadas no DSP T M S 320F 2812 da Texas Instruments. Nos DSPs da Texas os sinais de P W M s ao gerados pelo perif erico gerenciador de eventos (event manager ), que na fam lia TMS320F28x s ao em n umero de dois (EV A e EV B ). Os blocos, deste perif erico que est ao diretamente relacionados com a gera c ao dos sinais de P W M , s ao: os contadores de uso geral (GP timer ), as unidades de compara c ao (full-compare units ) e a unidade de tempo morto (deadband unit ). Cada bloco gerenciador de eventos possui dois contadores que podem ser programados para contar independentemente ou sincronizados entre si. Al em disso, cada contador possui quatro modos diferentes de contagem; o modo stop/hold, modo crescente (up ), modo cres-
7 - Resultados experimentais
155
cente/decrescente direcional (up/down ) e modo crescente/decrescente (up/down ) cont nuo. No bloco full-compare units existem tr es registros de comparadores. O valor de cada um destes registros e constantemente comparado com o valor da contagem do GP timer 1. Quando estes valores se igualam ocorre uma transi c ao na sa da de P W M correspondente. O bloco deadband unit e respons avel pela introdu c ao dos tempos mortos nos sinais de P W M das chaves. Os valores destes tempos podem ser programados entre 0 e 24s. Na implementa c ao proposta usando DSPs da fam lia TMS320F28x, o gerenciador de eventos EVA gera os sinais Cx (t). Para isto, os contadores GP timer 1 e o GP timer 3 s ao programados para contar no modo crescente/decrescente cont nuo e s ao defasados de 1800 , como mostrado na Figura 7.1. Al em disso, os registros comparadores das full-compare units s ao recarregados sempre que a contagem dos GP timers atingir zero ou o per odo da contagem, atualizando as larguras de pulso.
Figura 7.1: Gera ca o do pulso de comando no modo assim etrico
Toda a programa c ao e feita na linguagem C/C++. O processo de igni c ao implementado foi discutido no Cap tulo 5. As chaves semicondutoras utilizadas para implementar o reator eletr onico foram IGBTs
156
(IRGB 20B 60P D1), com corrente de coletor de 13A, tens ao Vce de 600V e freq u encia de chaveamento de 150kHz . Para o comando destes IGBTs foram utilizados os circuitos driver M C 33153P da OnSemi . O indutor foi implementado utilizando um n ucleo de ferrite da T hornton Icotron . o E 42 e o capacitor foi de polipropileno de 100nF com tens ao de 500V da
7.2
Ensaios experimentais realizados
Nesta se c ao, s ao apresentados os resultados experimentais do inversor para o acionamento da l ampada HP S sem a ocorr encia da resson ancia ac ustica. As formas de onda apresentadas foram obtidas atrav es de um oscilosc opio digital Tektronix-720 e visualizada atrav es do software Wavestar. As l ampadas utilizadas para os ensaios realizados foram a Lucalox LU150/100/D/40,GE , VIALOX NAV-E 4Y, OSRAM SILV AN IA e a SON PRO -150, P HILIP S , ambas de pot encia nominal de 150W e tens ao de alimenta c ao de 100Vrms .
7.2.1
Ensaio 1 - Regi ao sem ocorr encia da resson ancia ac ustica
O primeiro ensaio realizado consistiu na inje c ao da 3a harm onica com amplitude a3 = 1/3 da fundamental, numa regi ao onde n ao se observa a resson ancia ac ustica. Esse ensaio tem como objetivo mostrar que a t ecnica proposta de inje c ao de harm onica via P W M n ao excita a resson ancia ac ustica. Para esse ensaio utilizou-se a freq u encia fundamental de 3kHz , logo a da 3a harm onica de 9kHz e a freq u encia de P W M de 32.768Hz . A freq u encia de igni c ao foi de 73.770Hz . A Figura 7.2(a) mostra as formas de onda de tens ao e corrente aplicadas ` a l ampada HP S ,
157
em regime. A Figura 7.2(b) apresenta a caracter stica V xI da l ampada operando nestas condi c oes. Note-se a caracter stica linear da l ampada diferentemente quando se observa apenas a aplica c ao da uma sen oide de mesma freq u encia fundamental, como observado na Figura 4.24 [1].
158
(a) Tens ao (100V/div) e corrente (2A/div) aplicada ` a l ampada. Escala de tempo: 100s/div .
(b) Caracter stica V xI da l ampada.
Figura 7.2: Formas de onda de tens ao e corrente na l ampada e sua caracter stica V xI . ff und =
3kHz .
A Figura 7.3 mostra uma fotograa do arco el etrico da l ampada operando nessa condi c oes. Pode-se observar o arco el etrico est avel n ao apresentando a resson ancia ac ustica. Al em da
159
fotograa do arco, a envolt oria da corrente na l ampada que mostra a n ao ocorr encia da resson ancia ac ustica, m etodo tamb em utilizado por Anderson e Perin em [41] determina c ao da ocorr encia da resson ancia ac ustica. A Figura 7.4 mostra a tens ao na sa da do inversor, antes do ltro LC . Pode-se observa a caracter stica do P W M 3 n veis.
Figura 7.3: Fotograa do arco el etrico da l ampada. ff und = 3kHz .
Figura 7.4: Forma de onda de tens ao (100V /div ) na sa da do inversor. ff und = 3kHz .
As Figuras 7.5(a) e 7.5(b) apresentam o espectro em freq u encia da tens ao e corrente aplicados ` a l ampada na qual pode-se observar principalmente o valor da amplitude da 3a
7 - Resultados experimentais harm onica, 30, 7% para tens ao e 29, 2% para corrente.
160
(a) Espectro da tens ao.
(b) Espectro da corrente.
Figura 7.5: Espectro da tens ao e corrente na l ampada.
161
7.2.2
Ensaio 2 - Regi ao com ocorr encia da resson ancia ac ustica
O segundo ensaio realizado consistiu na inje c ao da 3a harm onica com amplitude a3 = 1/3 da fundamental, numa regi ao onde se observa a resson ancia ac ustica, regi ao citada em [41]. Esse ensaio tem como objetivo mostrar que a t ecnica proposta de inje c ao de harm onica via P W M n ao excita a resson ancia ac ustica. Para esse ensaio utilizou-se a freq u encia fundamental de 3, 5kHz , logo a da 3a harm onica de 10, 5kHz e a freq u encia de P W M de 32.768Hz . A freq u encia de igni c ao foi de 73.770Hz . A Figura 7.6(a) mostra as formas de onda de tens ao e corrente aplicadas ` a l ampada HP S , em regime. A Figura 7.6(b) apresenta a caracter stica V xI da l ampada operando nestas condi c oes. Note-se a caracter stica linear da l ampada diferentemente quando se observa apenas a aplica c ao da uma sen oide de mesma freq u encia fundamental, como observado na Figura 4.24 [1]. A Figura 7.7 mostra uma fotograa da l ampada operando nessa condi c oes. Pode-se observar o arco el etrico est avel n ao apresentando a resson ancia ac ustica. Al em da fotograa do arco, a envolt oria da corrente na l ampada mostra que n ao est a ocorrendo a resson ancia ac ustica [41]. A Figura 7.8 mostra a tens ao na sa da do inversor, antes do ltro LC . Pode-se observar a caracter stica do P W M 3 n veis.
162
(a) Tens ao (100V /div ) e corrente (2A/div ) aplicada ` a l ampada. Escala de tempo: 100s/div
(b) Caracter stica V xI da l ampada.
Figura 7.6: Formas de onda de tens ao e corrente na l ampada e sua caracter stica V xI . ff und =
3, 5kHz
163
Figura 7.7: Fotograa do arco el etrico da l ampada.
Figura 7.8: Forma de onda de tens ao (100V /div ) na sa da do inversor. ff und = 3, 5kHz .
As Figuras 7.9(a) e 7.9(b) apresentam o espectro em freq u encia da tens ao e corrente aplicados ` a l ampada na qual pode-se observar principalmente o valor da amplitude da 3a harm onica, 31, 1% para tens ao e 29, 7% para corrente.
164
(a) Espectro da tens ao.
(b) Espectro da corrente.
Figura 7.9: Espectro da tens ao e corrente na l ampada.
165
A Figura 7.10 mostra a fotograa do arco el etrico da l ampada apresentando o fen omeno da resson ancia ac ustica. Pode-se observar uma atenua c ao nas bordas do arco e que provocou o seu desligamento. Para esse ensaio foi sintetizada uma sen oide de freq u encia de 3, 5kHz e utilizando uma freq u encia de chaveamento de 32, 678kHz .
Figura 7.10: Fotograa do arco el etrico apresentando resson ancia ac ustica.
Em ambos ensaios (1 - Regi ao sem ocorr encia da resson ancia ac ustica e 2 - Regi ao com ocorr encia da resson ancia ac ustica) a l ampada entrou em regime nominal de opera c ao, ou seja, 100Vrms e 1, 5Arms , ou seja com a pot encia nominal el etrica de 150W .
166
7.3
Inu encia da amplitude da terceira harm onica
A partir dos testes descritos anteriormente, para a l ampada LUCALOX LU150/100/D/40, da GE. Foram realizados ensaios variando-se a amplitude da 3a harm onica (% da fundamental) entre (5 40)% na faixa onde se observa a RA (faixa 1). Para uma an alise mais completa, a t ecnica de inje c ao de harm onicas via P W M proposta foi empregada na alimenta c ao de mais duas (2) l ampadas de 150W de fabricantes diferentes. Dessa forma, as l ampadas ensaiadas nesta tese foram: GE Lucalox LU150/100/D/40; OSRAM VIALOX NAV-E 4Y e PHILIPS SON PRO. A inu encia da amplitude da terceira harm onica na ocorr encia da RA, para esta faixa e apresentada na Figura 7.11 [46, 48]. Para a faixa 1, a freq u encia fundamental e de 3, 5kHz e a freq u encia de chaveamento e de 32.746Hz .
45 Sem testes 40
35
Sem ocorrncia da RA
30 Amplitude (% da fundamental )
25 Ocorrncia da RA
20
15
10 Limite superior Limite inferior PHILIPS SON PRO Limite inferior GE LUCALOX Limite inferior OSRAM VIALOX NAVE 4Y
Figura 7.11: Regi oes determinadas pela amplitude da terceira harm onica, para a faixa 1.
167
As Figuras 7.12 e 7.13 apresentam o espectro harm onico da tens ao e corrente nas l ampadas ensaiadas, respectivamente. Para esses ensaios a amplitude da 3a harm onica foi 1/3, para a faixa 1.
35 PHILIPS SON PRO GE LUCALOX OSRAM VIALOX NAVE 4Y 30
25 Amplitude (% da fundamental)
20
15
10
0 0
10
15
20
25 30 Harmonico
35
40
45
50
Figura 7.12: Espectro harm onico da tens ao, fP W M = 32.768Hz .
35 PHILIPS SON PRO GE LUCALOX OSRAM VIALOX NAVE 4Y 30
25 Amplitude (% da fundamental)
20
15
10
0 0
12
15
18
21
24 27 30 Harmonico
33
36
39
42
45
48
51
Figura 7.13: Espectro harm onico da corrente, fP W M = 32.768Hz .
168
Observando-se a Figura 7.11 pode-se determinar duas regi oes delimitadas por a3 (amplitude da terceira harm onica conforme a Equa c ao 4.9), com e sem aparecimento da RA. A regi ao sem ocorr encia de RA esta situada entre 27% < a3 < 40% da amplitude da fundamental. Observa-se ainda, que ao aumentar a3 acima o valor de 40% da fundamental, n ao se pode sintetizar a tens ao aplicada ` a l ampada. Dessa forma entra-se na regi ao de sobre-modula c ao, uma vez que ao somar a fundamental e a terceira harm onica a tens ao de refer encia ca maior importante ressaltar que ao aumentar a amplitude da tens que 1. E ao do barramento diminuise e o ru do aud vel. Quando se diminui o valor de a3 , abaixo de 27% da fundamental, n ao se consegue evitar a RA. Nessa situa c ao, a forma de onda de tens ao de alimenta c ao da l ampada tende a uma forma de onda sen oidal, ou seja, apenas com a freq u encia fundamental e como essa freq u encia est a na faixa 1, o fen omeno da RA ocorre.
169
7.4
Ensaios com sinais modulados de tens ao alimentando l ampadas HP S de 150W
Utilizando o mesmo prot otipo descrito anteriormente, foi implementada a t ecnica de modula c ao de tens ao com satura c ao para a comprova c ao da eci encia da mesma. A freq u encia de P W M foi igual a 32.678Hz , a freq u encia da fundamental foi de 12kHz e a freq u encia modulante foi de 300Hz . A partir das Figuras 7.14 e 7.15 pode-se vericar a inu encia da varia c ao da vsat na forma de onda de tens ao aplicada a carga resistiva (80). Tal fato se reete no fator de crista e no valor ecaz (rms) entregue ` a carga e tamb em no valor do barramento CC .
250 Vsat = 0,5 200 150 100 Tenso (V) 50 0 50 100 150 200 250 0 Vsat = 0,1875 Vsat = 0,0625
100
200
300
400 k
500
600
700
800
900
Figura 7.14: Formas de onda de tens ao variando-se a vsat .
170
200 150 100 50 0 50 100 150 200 0
Vsat = 0,5 Vsat = 0,1875 V

sat
= 0,0625
Tenso (V)
20
40
60
80
100 k
120
140
160
180
200
Figura 7.15: Detalhe das formas de onda de tens ao variando vsat .
Figura 7.16: Formas de onda de tens ao (200V /div ) e corrente (2A/div ) medidas na carga resistiva.
Escala de tempo: 500s/div .
171
A Figura 7.16 apresenta as formas de onda de tens ao e corrente aplicadas ` a carga resistiva de 80, com ff und = 12kHz e fmod = 300Hz . A freq u encia de chaveamento, fP W M e de 32, 678kHz e vsat = 0, 1875. A Figura 7.17 apresenta as formas de onda de tens ao e de corrente aplicadas ` a l ampada no processo de aquecimento (entrada em regime), para ff und = 6kHz , fmod = 300Hz e vsat = 0, 1875. A principal caracter stica e a baixa pot encia devido ao grande deslocamento entre os m aximos de tens ao e corrente.
Figura 7.17: Formas de onda de tens ao (200V /div ) e corrente (5A/div ) aplicadas ` a l ampada HP S ,
em aquecimento. Escala de tempo: 1ms/div .
A Figura 7.18 apresenta as formas de onda de tens ao e de corrente aplicadas ` a l ampada em regime permanente, para ff und = 6kHz , fmod = 300Hz e vsat = 0, 1875. Ao se comparar com a Figura 7.19, na qual a ff und = 12kHz , pode-se observar a melhoria no fator de crista
7 - Resultados experimentais e o melhor aproveitamento do barramento CC .
172
Figura 7.18: Formas de onda de tens ao (200V /div ) e corrente (5A/div ) aplicadas ` a l ampada HP S
150W , em regime permanente, ff und = 6kHz e fmod = 300Hz . Escala de tempo: 1ms/div .
A Figura 7.19 apresenta as formas de onda de tens ao e corrente aplicadas ` a l ampada HP S 150W , em regime permanente com pot encia nominal, para ff und = 12kHz e fmod = 300Hz . Pode-se observar a modula c ao em amplitude, ou seja, uma modulante de baixa freq u encia modulando uma onda de alta freq u encia. A caracter stica n ao-linear da l ampada ca bem caracterizada, como apresentado na Figura 4.24 [1].
173
Figura 7.19: Formas de onda de tens ao (200V /div ) e corrente (5A/div ) aplicadas ` a l ampada HP S
150W , em regime permanente, ff und = 12kHz e fmod = 300Hz . Escala de tempo: 500s/div .
Outra observa c ao importante feita obtida a partir da Figura 7.19 e que o valor m aximo da corrente aplicada ` a l ampada e 3, 0A, e o seu valor ecaz e 1, 72A, para vsat = 0,1875. Dessa forma, o fator de crista e de 1, 754, atendendo a norma ANSI C78.42, Parte IV. A verica c ao da ocorr encia ou n ao, da resson ancia ac ustica foi feita visualmente e atrav es importante ressaltar que para a t da an alise da corrente CC [43]. E ecnica de inje c ao de sinais modulados de tens ao n ao foram observados f licker ou ru do aud vel na lumin aria.
174
7.5
Ensaios do ignitor proposto
A Figura 7.20 apresenta a forma de onda da tens ao de igni c ao obtida atrav es do ignitor proposto. Ap os o tempo de igni c ao determinado, e feita a comuta c ao da freq u encia de igni c ao para a freq u encia de P W M e a inser c ao do capacitor de regime, Css , garantindo o valor da capacit ancia do ltro LC . Dessa forma, garantindo a aplica c ao de sinais tanto com harm onicas quanto sinais modulados de tens ao ` a l ampada HP S . Pode-se observar o fen omeno de batimento na tens ao aplicada ` a l ampada e que seu valor m aximo e 1.900V . A freq u encia de igni c ao utilizada foi 73.770Hz [62]. O rel e utilizado, para implementar Sign , foi o JX 2RC 2 da M etaltex
Figura 7.20: Forma de onda da tens ao de igni ca o (500V /div ) aplicada ` a l ampada HP S 150W .
Escala de tempo: 50s/div .
175
A Figura 7.21 apresenta as formas de onda de tens ao de igni c ao aplicadas ` as l ampadas GE Lucalox and PHILIPS SON PRO. Note que, o valor de pico da tens ao de igni c ao e 1.900V . A forma de onda da tens ao de igni c ao da l ampada OSRAM VIALOX NAV-E 4Y foi omitida por ser muito semelhante a forma de onda da l ampada PHILIPS SON PRO.
Figura 7.21: Forma de onda da tens ao de igni ca o (1kV /div ) aplicada ` a l ampada HP S 150W ,
para diferentes fabricantes. Escala de tempo: 50s/div .
176
Para vericar a gera c ao de uma tens ao de valor m aximo de 2.900V utilizou-se uma carga resistiva de 1M , simulando o circuito aberto. A Figura 7.22 mostra a forma de onda de tens ao aplicada a uma carga resistiva. Pode-se observar o valor da tens ao de igni c ao de 2.900V , para uma freq u encia de chaveamento de 73.770Hz .
Figura 7.22: Forma de onda da tens ao (1kV /div ) aplicada ` a uma carga resistiva 1M , (circuito
aberto). Escala de tempo: 50s/div .
177
7.6
Ensaio do est agio de Corre c ao do Fator de Pot encia baseado no conversor boost
Visando a implementa c ao do reator eletr onico com alto rendimento, foi utilizado um conversor boost como est agio de corre c ao do fator de pot encia. Neste trabalho foram implementadas duas t ecnicas para o controle do conversor boost: a cl assica (a tens ao sendo amostrada na mesma freq u encia da corrente) e a que utiliza o controlador repetitivo. Para esses ensaios a refer encia para a tens ao de sa da foi de 250V . Dessa forma, diminui-se o valor de tens ao aplicada na chave semicondutora, reduz-se o valor da indut ancia do boost para 3mH . Para alimenta c ao da l ampada formam utilizados ndices de modula c ao maiores, o que diminui a T HD da tens ao aplicada ` a l ampada. A Figura 7.23 apresenta a forma de onda de corrente e tens ao na entrada do reator eletr onico implementado, para o controle cl assico.
Figura 7.23: Forma de onda de tens ao (50V /div ) e corrente (1A/div ) na rede el etrica em regime
permanente. Escala de tempo: 10ms/div .
178
Com o objetivo de comprovar o funcionamento da malha de tens ao e apresentada, na Figura 7.24(a), a forma de onda de tens ao na sa da do conversor boost, a qual e a tens ao de entrada do inversor. A Figura 7.24(b) mostra a ondula c ao da tens ao de sa da do conversor boost para Cboost = 1500F .
(a) Tens ao (100V /div ) de sa da do conversor boost. Escala de tempo: 10ms/div .
(b) Ondula ca o da tens ao de sa da. Escala de tens ao: 2V /div e escala de tempo: 2ms/div .
Figura 7.24: Formas de onda de tens ao de sa da do conversor boost, para Cboost = 1500F . Controlador Cl assico.
Pode-se observar que a corrente e a tens ao est ao em fase e a corrente apresenta baixo conte udo harm onico, como comprovado pela T HD apresentada na Tabela 7.1. Para os ensaios realizados como o objetivo de avaliar as t ecnicas de controle descritas (cl assica e repetitivo), variou-se a tens ao de entrada de 127V 15% e o valor da capacit ancia de sa da do conversor boost, Cboost . A varia c ao da tens ao de entrada tem como objetivo de avaliar a regula c ao do conversor. J a a varia c ao da capacit ancia Cboost visa demonstrar o efeito do aumento da ondula c ao da tens ao de sa da do conversor sobre a T HD da corrente de entrada. O controle repetitivo e inserido na malha de tens ao visando diminuir tal efeito.
179
Em ambos os ensaios foram utilizados os mesmos ganhos para os controles PI (tens ao e corrente), para avaliar a opera c ao do controlador repetitivo. As Tabelas 7.1 e 7.2 apresentam as THDs, as amplitudes de cada harm onico para cada ensaio, o fator de pot encia, al em da tens ao e pot encia de sa da.
Tabela 7.1: Compara c ao entre a norma IEC-61000-3-2 e os resultados obtidos para o controlador repetitivo e cl assico para a capacit ancia do boost Cboost = 1500F .
Cl assico Vent (V) Harm onico n 2 3 5 7 9 11 19 Norma IEC % 2 30*FP 10 7 5 3 3 100 % 0,7 4 5,9 0,5 0,55 1,2 0,7 127 % 1,2 3,8 5,8 1 0,7 1 1,7 147 % 1,7 4,5 6,1 1,3 0,8 1,3 2,5 Repetitivo Vent (V) 100 % 0,27 4 6 0,7 0,87 1,1 1,05 127 % 0,41 3,78 5,8 0,89 1,04 1,53 1,61
THD (%) FP
7,65 0,992
8,01 0,993
9,22 0,979
7,7 0,997
7,81 1
As Figuras 7.25 e 7.26 apresentam as formas de onda de tens ao e corrente resultantes dos ensaios realizados utilizando os controles repetitivo e cl assico, respectivamente.
180
Tabela 7.2: Compara c ao entre a norma IEC-61000-3-2 e os resultados obtidos para o controlador repetitivo e cl assico para a capacit ancia do boost, Cboost = 22F .
Cl assico Vent (V) Harm onico n 2 3 5 7 9 11 19 Norma IEC % 2 30*FP 10 7 5 3 3 104 % 1,61 2,16 5,4 0,4 0,84 1,02 0,84 147 % 0,3 20,6 8,37 1,47 1,27 1,29 1,85 Repetitivo Vent (V) 104 % 0,27 4,41 6,19 1,26 0,82 1,08 0,92 147 % 0,32 4,25 6,32 1,41 0,86 1,51 2,21
Vsaida (V) THD (%) FP Psaida (W)
250,5 6,5 0,997 152
262 22,64 0,92 167
250 8,06 0,997 152
250,1 8,91 0,987 148
181
(a) Vent = 146V .
(b) Vent = 104V .
Figura 7.25: Formas de onda de tens ao (50V /div ) e corrente (1A/div ) de entrada na rede el etrica,
para Cboost = 22F Controlador Repetitivo. Escala de tempo: 5ms/div .
(a) Vent = 146V .
(b) Vent = 104V .
Figura 7.26: Formas de onda de tens ao (50V /div ) e corrente (1A/div ) de entrada da rede el etrica,
para Cboost = 22F Controlador Cl assico. Escala de tempo: 5ms/div .
Ao analisar a Tabela 7.2, pode-se observar que para o ensaio com a tens ao de entrada de
182
147V , o controlador repetitivo apresenta T HD de 8, 91%, valor esse menor que a do controlador cl assico que foi de 22, 64%, isso foi devido a amplitude da 3a harm onica de 20, 6%. Dessa forma, pode-se concluir que o aumento da ondula c ao da tens ao de sa da interfere na corrente de entrada quando se utiliza o controlador cl assico. Entretanto esse efeito e minimizado pelo controlador repetitivo. A Figura 7.27 mostra a forma de onda de tens ao na sa da do conversor boost, utilizando a capacit ancia do boost de 22F , que ser a a tens ao de entrada para o inversor. Pode-se observar a ondula c ao da tens ao de sa da do conversor, em torno dos 100V pico-a-pico, para Vent = 147V .
Figura 7.27: Forma de onda de tens ao de sa da (50V /div ) do conversor boost, para Cboost = 22F
Controlador Repetitivo. Escala de tempo: 10ms/div .
Para o controle repetitivo, a varia c ao da tens ao de entrada n ao interferiu no funcionamento do conversor, ou seja, manteve-se a pot encia de sa da constante e a T HD da corrente de entrada foi menor que 9%. J a para o controle cl assico, o aumento da tens ao de entrada provocou um aumento consider avel da T HD da corrente de entrada, conseq uentemente re-
183
duzindo o fator de pot encia e al em disso, o conversor praticamente n ao manteve a regula c ao. A Figura 7.28 apresenta a forma de onda da tens ao de sa da do conversor boost CF P , para a t ecnica de inje c ao de harm onicas. Pode-se observar, que at e 0, 5s, o comportamento da tens ao e determinado pelo Rpart Cboost do circuito, estabilizando em 181V . A partir de 1s, o sistema de controle entra em a c ao e passa a impor uma rampa de refer encia para a tens ao de sa da do conversor. Essa refer encia em rampa e feita para a estabiliza c ao do arco para a inje c ao de harm onicas. Vale ressaltar, que para a inje c ao de sinais modulados essa inclina c ao pode ser mais r apida, devido a estabiliza c ao do arco ser mais r apida para essa t ecnica.
450 400 350 300 Tenso (V) 250 200 150 100 50 0 0
0.5
1.5 2 tempo (seg)
2.5
3.5
Figura 7.28: Forma de onda da tens ao na sa da do conversor boost
Como o objetivo de se realizar um projeto coerente dos componentes do circuito reticador e para uma melhor especica c ao do fus vel de entrada foi utilizado um sistema que insere um resistor (rpart ) para que n ao haja um pico de corrente de valor muito elevando, no momento em que o reator eletr onico e ligado. A Figura 7.29 apresenta as formas de onda de corrente para o reator eletr onico, com ou sem o rpart . Pode-se observa que o pico de corrente foi reduzido
7 - Resultados experimentais de 80A para 6A. O valor de resistor de partida (rpart ) utilizado foi de 30.
184
80 Sem r 70 60 50 Corente (A) 40 30 20 10 0 10 20 0.5 0 0.5 1 1.5 tempo (seg) 2 2.5 3 3.5
part part
Com r
Figura 7.29: Forma de onda da corrente de entrada, com e sem o resistor de partida.
Visando eliminar o transformador de sa da, geralmente, utilizados em reatores eletr onicos que possuem o conversor boost, como est agio de corre c ao de pot encia, foi utilizada uma propriedade importante do modulador P W M . Essa propriedade e o controle da tens ao de sa da atrav es do ndice de modula c ao. Adotou-se a seguinte nomenclatura, mx para indicar o ndice de modula c ao e o x representa a harm onica correspondente. A Figura 7.30 apresenta a forma de tens ao para o reator eletr onico com e sem transformador de sa da. Para situa c ao com transformador, os ndices s ao: m1 = 1 e m3 = 0, 33, j a que a tens ao de sa da do barramento e 400V e o transformador possui a rela c ao de 1 : 0, 36 (400 : 144). Para o ensaio sem o transformador de sa da, os ndices s ao: m1 = 0, 36 e m3 = 0, 12, para a tens ao de sa da de 400V . A Figura 7.31 apresenta o espectro harm onico da tens ao aplicada ` a l ampada. Cabe ressaltar que a redu c ao do ndice de modula c ao aumenta o conte udo harm onico, por em, n ao
7 - Resultados experimentais de forma signicativa, principalmente para 3a harm onica.

150
185
100
50 Tenso (V) m1 = 0,36 m3 = 0,12 m1 = 1 m3 = 0,33
50
100
150 0.098 0.0982 0.0984 0.0986 0.0988 0.099 0.0992 0.0994 0.0996 0.0998 tempo (seg)
0.1
Figura 7.30: Forma de onda da tens ao aplicada a l ampada HP S , variando o ndice de modula ca o.
150 m = 0,36, m = 0,12

1 1 3
m = 1, m = 0,33
3
100 Amplitude 50 0 0
8 10 12 Frequncia (Hz)
14
16
18
20 x 10
4
Figura 7.31: Espectro da forma de onda de tens ao aplicada a l ampada HP S , para indices de
modula ca o diferentes.
186
A Tabela 7.3 apresenta a inu encia da tens ao de entrada do inversor (Vcc ) na determina c ao da freq u encia de igni c ao, fign , e conseq uentemente no tempo de igni c ao, tign . Atrav es dessa tabela pode-se denir a refer encia de tens ao, determinando corretamente a freq u encia de igni c ao. Tabela 7.3: Valores de fign , G e tign para diferentes valores de Vcc . Vcc (V ) G(dB ) fign (Hz ) tign (s) 120 180 240 300 360 400 9,1630 6,1087 4,7451 3,7961 3,1634 2,8471 73.770 71.320 69.290 66.930 64.500 62.820 108 77,5 57,7 44,8 37,2 31,8
187
7.7
Um prot otipo do inversor em ponte completa com um ltro LC foi implementado no laborat orio com a nalidade de validar os estudos descritos nesse trabalho. Toda a gera c ao de sinais, tanto para igni c ao quanto para opera c ao em regime permanente e realizado atrav es do DSP . Foram realizados dois importantes ensaios para a valida c ao da t ecnica de inje c ao de harm onicas proposta nesse trabalho. O primeiro ensaio consistiu na inje c ao da 3a harm onica em uma regi ao onde n ao se observa a resson ancia ac ustica. Para esse ensaio utilizou-se a freq u encia fundamental de 3kHz e a freq u encia de P W M de 32.768Hz e n ao se observou a resson ancia ac ustica. No segundo ensaio foi utilizado a mesma da t ecnica em uma regi ao onde ocorre a resson ancia ac ustica. Para esse ensaio utilizou-se a freq u encia fundamental de 3, 5kHz e a freq u encia de P W M de 32.768Hz e tamb em n ao observou-se a resson ancia ac ustica. Este fato mostra que a t ecnica proposta atende ao seu objetivo que e o de evitar a resson ancia ac ustica. Com isso, foram realizados novos estudos em rela c ao as formas de ondas de tens ao com a inje c ao de harm onicas, ou seja, variou-se a amplitude da terceira harm onica observando a sua propriedade de evitar a resson ancia ac ustica. Atrav es dos ensaios realizados pode-se determinar as regi oes onde n ao ocorre a RA em fun c ao da amplitude da terceira harm onica para tr es l ampadas de diferentes fabricantes. Para os sinais modulados de tens ao como forma de onda de tens ao de alimenta c ao para a l ampada HP S , foram realizados ensaios para comprovar que a t ecnica evita a resson ancia
188
ac ustica e atende as normas para o fator de crista. Constatou-se que para um sinal modulante de 300Hz , a freq u encia da fundamental deveria ser maior que 12kHz . Al em disso, foi apresentado o comportamento da l ampada, alimentada por sinais modulados, ao longo da sua entrada em regime permanente. Para vericar o atendimento das normas, foram realizados ensaios com a tens ao de satura c ao, vsat , os quais mostraram sua inu encia no fator de crista e no valor da tens ao de entrada do inversor (tens ao de sa da do conversor boost). N ao foi observada a ocorr encia da resson ancia ac ustica nos ensaios realizados com sinais modulados. Cabe ressaltar que para a t ecnica de inje c ao de sinais modulados de tens ao n ao foram observados f licker ou ru do aud vel na lumin aria. Pode-se observar tamb em a coer encia dos resultados de simula c ao, com os obtidos experimentalmente, quando se analisa os tempos de ocorr encias dos pulsos de tens ao. Para o valor de tens ao pr oximo a 2.000V , tanto na simula c ao quanto no resultado experimental obteve-se um tempo aproximado de 50s. Vale ressaltar a grande vantagem desse m etodo de igni c ao onde a tens ao necess aria para igni c ao da l ampada e obtida naturalmente e n ao sendo necess ario a aplica c ao de uma tens ao elevada ` a l ampada. Ao analisar a forma de onda de tens ao aplicada ao resistor de 1M , simulando a l ampada antes da igni c ao, observa-se que, tanto na simula c ao como no resultado experimental o valor m aximo da tens ao de igni c ao e obtido em torno de 120s. A amplitude da tens ao na l ampada no processo de igni c ao e modulada o que proporciona uma igni c ao suave, com a tens ao de ruptura sendo dada exclusivamente pela caracter stica da l ampada nesse momento. Com o envelhecimento das l ampadas h a a necessidade de se aplicar maiores amplitudes de tens ao para sua igni c ao.
189
O controlador repetitivo apresentou uma THD DE 7, 14%, para a simula c ao, usando os controladores na congura c ao 1. A vantagem de sua implementa c ao em software e que a estrutura b asica pode ser modelada como ma regi ao de mem oria tempor aria utilizada para escrita e leitura de dados (buer ); A utiliza c ao da modula c ao por largura de pulsos permite a elimina c ao do transformador de sa da, atrav es da varia c ao do ndice de modula c ao. Um problema inerente as l ampadas HP S e a necessidade de se aumentar a tens ao de alimenta c ao ao longo de sua vida u til. Isso pode ser realizado programando a refer encia de tens ao para que ao longo do tempo seja aumentada, assim, fornecendo a tens ao necess aria para que a l ampada apresente a taxa de lumens/W pr oxima do valor nominal.
Cap tulo 8 Conclus oes nais e propostas de continuidade
8.1
Conclus oes nais
Este trabalho apresentou uma metodologia para se evitar a resson ancia ac ustica em l ampadas de vapor de s odio de alta press ao (HPS - High-Pressure Sodium ) atrav es da alimenta c ao em tens ao, pela inje c ao de harm onicas ou pela modula c ao. Al em disso foram apresentados estudos e propostas para a igni c ao da l ampada HP S , bem como para a corre c ao do fator de pot encia. Os estudos realizados sobre as l ampadas de vapor de s odio e dos reatores utilizados no seu acionamento mostram que o problema da resson ancia ac ustica requer estudos mais aprofundados e espec cos. Uma solu c ao baseada no inversor de tens ao operando em baixas freq u encias apresenta a vantagem da n ao ocorr encia da resson ancia ac ustica, por em requer a necessidade de tr es
8 - Conclus oes nais e propostas de continuidade
191
est agios de pot encia em s erie, resultando em uma menor eci encia, quando comparados aos inversores que operam em altas freq u encias. Mesmo em topologias onde existe a integra c ao dos est agios de pot encia n ao se encontram reatores que apresentem rendimento maior que 89%. Outra diferen ca e que a freq u encia de chaveamento utilizada para os est agios intermedi arios de pot encia, em alguns casos, e superior a 80kHz . As solu c oes apresentadas para se evitar o aparecimento ou a progress ao da resson ancia ac ustica para os inversores que operam em altas freq u encias sempre est ao limitadas ` as faixas da ocorr encia da resson ancia ac ustica, ou seja, os m etodos s ao mais ecazes para l ampadas de maior pot encia que apresentam faixas mais largas de n ao ocorr encia da resson ancia ac ustica. Para as l ampadas de baixa pot encia essas t ecnicas n ao apresentam o mesmo desempenho devido a uma concentra c ao de faixas de freq u encia que favorecem o aparecimento da resson ancia ac ustica. Dessa forma, percebe-se a necessidade de um estudo mais detalhado no que se refere ` as formas de onda de tens ao que evitem o aparecimento da resson ancia ac ustica, tornando assim, a t ecnica mais abrangente e con avel. Este trabalho apresentou o estudo, desenvolvimento e implementa c ao de um reator eletr onico, o qual consiste em um inversor em ponte completa e um ltro LC , visando a inje c ao de harm onicas ` a fundamental de tens ao aplicada ` a l ampada vapor de s odio de alta press ao. Os resultados experimentais obtidos mostram que a t ecnica proposta, de inje c ao de harm onicas via P W M , n ao excitam a resson ancia ac ustica em regi oes onde n ao se observa sua ocorr encia e, como foi proposto, evitou-se o seu aparecimento numa regi ao em que ocorre a resson ancia ac ustica. Para valida c ao da t ecnica foram utilizadas as faixas de freq u encia relatadas em artigos que estudaram este problema, al em de dados de fabricantes e obtidos experimentalmente. Al em da inje c ao das harm onicas com valores de amplitudes variadas podem ser utilizadas
192
formas de onda de tens ao moduladas para alcan car o objetivo de evitar a RA. Para as tens oes moduladas, a t ecnica proposta apresenta um par ametro, vsat , o qual permite que a forma de onda sintetizada proporcione uma corrente na l ampada HP S que atenda as normas vigentes. Um est agio de corre c ao do fator de pot encia com um controlador repetitivo foi incorporado ao reator eletr onico, para eliminar a inu encia da freq u encia de 120Hz da tens ao do barramento CC . Este controle adicionado ao estagio de corre c ao de fator de pot encia apresenta uma melhora em compara c ao como os valores obtidos pelas t ecnicas usuais, sem requerer custo adicional para sua implementa c ao. Esta t ecnica de controle constitui-se em uma contribui c ao na area de reatores eletr onicos para acionamento de l ampadas HP S . O m etodo proposto para a igni c ao da l ampada de vapor de s odio, o qual consiste na mudan ca de freq u encias e comuta c ao de capacitores do ltro LC , proporciona ` a l ampada a tens ao necess aria para sua igni c ao, evitando-se assim um estresse desnecess ario. Esta t ecnica de igni c ao se baseia na gera c ao de uma tens ao pelo batimento em uma freq u encia pr oxima da resson ancia do ltro. Assim, a tens ao necess aria para igni c ao da l ampada at e um determinado limite, e determinada pelas caracter sticas pr oprias da l ampada, tais como: grau de envelhecimento, concentra c ao da am algama, xen onio, s odio entre outros.
193
8.2
Produ c ao cient ca
Este trabalho resultou at e o presente momento nas seguintes artigos publicados em peri odicos e congressos nacionais e internacionais: Acoustic resonance avoidance in high pressure sodium lamps via third harmonic injection in a PWM inverter - based electronic ballast - IEEE Transactions on Power Electronics - maio/2007 [46] Forced oscillation in LC circuit used for the ignition of discharge lamps - IET Electric Power Applications - previsto para agosto/2007 [85] Acoustic resonance rejection via voltage modulation method for HPS lamps - IEEE International Symposium on Industrial Electronics - ISIE - 2007 [49] An alise da amplitude da 3a harm onica para se evitar a resson ancia ac ustica em l ampadas de vapor de s odio de alta press ao - IEEE International Conference On Industrial Applications- INDUSCON - 2006 [48] Batimento de tens ao em um circuito LC utilizado na igni c ao de l ampadas de descarga - IEEE International Conference On Industrial Applications- INDUSCON - 2006 [62] Electronic ballast for high pressure sodium lamps without acoustic resonance via controlled harmonic injection synthesized with PWM - IEEE Power Electronics Specialists Conference- PESC - 2005 [47] Inje c ao controlada de harm onicas via modula c ao PWM para se evitar a resson ancia
194
ac ustica em l ampadas HPS - Semin ario da P os-Gradua c ao em Engenharia El etrica SPGEE - 2005
Al em disso, foram submetidos e aceitos dois artigos para o Congresso Brasileiro de Eletr onica de Pot encia - COBEP 2007, outubro, Blumenau - Brasil.
Application of modulated signals in electronics ballast for HPS lamps ; Repetitive control applied to the power factor correction using boost converter. Pode-se tamb em citar o projeto de inicia c ao cient ca do aluno Fl avio Alves Nakamura Silva - Implementa c ao de T ecnicas de Controle para a Corre c ao do Fator de Pot encia Aplicado a Reatores Eletr onicos para L ampadas AID, que foi apresentado na semana de IC da UFMG e da UFOP em 2006.
8.3
Propostas para a continuidade do trabalho
As propostas para continuidade desse trabalho s ao:
i) para as formas de ondas moduladas: aprofundar os estudos sobre qual a melhor rela c ao entre ff und /fmod para evitar a resson ancia ac ustica e atender as normas para o fator de crista;
ii) realizar estudos sobre o controle da tens ao cont nua do barramento tendo como objetivo manter a pot encia constante na l ampada, considerando o seu envelhecimento, comportamento esse apresentado em 2.3.3.3;
195
iii) estudar a possibilidade da incorpora c ao de um sensor de luminosidade, visando manter a quantidade de lumens fornecidos constante. Atrav es das medi c oes realizadas e estudos acreditasse que essa malha deva ser lenta para se evitar varia c oes bruscas na tens ao aplicada ` a l ampada e conseq uentemente provocar o seu desligamento; iv) implementa c ao do controlador baseado na freq u encia do inversor na entrada do ltro sintonizado. Para esse controlador prop oe-se o estudo sobre t ecnicas de controle adaptativo e de identica c ao on-line visto que o ltro e muito sens vel ` as varia c oes param etricas; v) atribuir ao controle tamb em requisitos com prote c ao ` a falhas e ao usu ario e at e mesmo diagn osticos; vi) avaliar experimentalmente a robustez inserida ao reator eletr onico pela utiliza c ao do controlador repetitivo; vii) vericar o aumento da eci encia luminosa em fun c ao da pot encia el etrica fornecida ao conjunto reator eletr onico - l ampada HP S operando em altas freq u encias; viii) estudar as formas de onda de tens ao aplicadas ` as l ampadas de 70W e 250W , visando o funcionamento sem a resson ancia ac ustica com o atendimento das normas vigentes; ix) estudar os microcontralores visando a implementa c ao do controle do reator com uma melhor rela c ao custo/benef cio; x) implementa c ao de um reator eletr onico com alto fator de pot encia sem a ocorr encia da resson ancia ac ustica, que atende as especica c oes das normas vigentes, e que seja de baixo custo para ser introduzido no mercado de reatores eletr onicos.
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Ap endice A
A.1
Inje c ao de harm onicas utilizando ltro sintonizado
A proposta de se realizar a inje c ao da 3a harm onica, uma vez que esta proporciona o n ao aparecimento da resson ancia ac ustica, atrav es de um ltro sintonizado e motivada pela simplicidade na gera c ao dos sinais de comandos, uma freq u encia de chaveamento menor quando se comparado ` a t ecnica proposta, a possibilidade de se trabalhar com o conversor em meia-ponte e ao menor tamanho dos componentes utilizados, devido a diminui c ao dos seus valores. Os ltros sintonizados s ao amplamente utilizados em sistema de energia para a retirada de harm onicas da tens ao/corrente do sistema. Em audio e telefonia, s ao agrupados de forma a cobrir toda faixa de freq u encias aud veis, com a capacidade de operar amplicando ou atenuando o sinal de entrada, ou seja, funcionando com um equalizador. Neste ap endice, ser a apresentada uma topologia de ltro sintonizado na freq u encia fundamental e terceira harm onica de uma onda quadrada de tens ao, como mostrado na Figura A.1(a). O objetivo e obter uma tens ao para se evitar a resson ancia ac ustica, ou seja, a terceira harm onica com amplitude de 1/3 da fundamental e em fase com a mesma. Depois de ana-
Ap endice A
211
lisar o efeito de cada componente, percebeu-se que a inu encia do indutor L4 era maior nas freq u encias menores que 20kHz , optou-se pela sua exclus ao.Dessa forma, o ltro sintonizado implementado e apresentado na Figura A.1(b).
(a) Diagrama do ltro sintonizado projetado
(b) Diagrama do ltro sintonizado implementado
Figura A.1: Diagramas do ltro sintonizado
Apesar de apresentar uma quantidade relativamente grande de componentes passivos, quando comparados entre a t ecnica apresentada nessa tese e na proposta por J. Alonso [6], os valores obtidos para os componentes s ao menores, como apresentado na Tabela A.1. Analisando o ltro, pode-se obter a fun c ao de transfer encia, apresentada na equa c ao A.1, para a realiza c ao dos estudos. Onde Vin e a tens ao de entrada do ltro e Vo e a tens ao de sa da, ou seja, a tens ao sobre o resistor R.
Ap endice A
212
b1 s 3 + b2 s 2 Vo = Vin a1 s 6 + a2 s 5 + a3 s 4 + a4 s 3 + a5 s 2 + a6 s + a 7 onde :
(A.1)
a1 = (C3 + C4 )RL1 L2 C1 C2 a2 = L1 L2 L3 C1 C2 a3 = C1 C2 RL3 (L1 + L2 ) + (L1 C1 + L2 C2 )(C3 + C4 )RL3 + L1 L2 C1 C2 R a4 = (L1 C1 + L2 C2 )L3 a5 = (C1 + C2 )RL3 + (L1 C1 + L2 C2 )R + (C3 + C4 )RL3 a6 = L 3 a7 = R
(A.2) (A.3) (A.4) (A.5) (A.6) (A.7) (A.8)
b1 = C1 C2 RL3 (L1 + L2 ) b2 = (C1 + C2 )RL3
(A.9) (A.10)
A.2
Projeto do Filtro Sintonizado
Atrav es das equa c oes A.11 e A.12 para a freq u encia natural do ltro s erie e escolhendo as freq u encias fundamental ff und =20kHz e da 3a harm onica f3h =60kHz . E escolhendo L1 = 227H e L2 = 225H , obt em-se:
Ap endice A
213
C1 = C2
1 2 1 ff und 1 = 2 2 4 L2 f3 h 4 2 L
(A.11) (A.12)
Dessa forma, C1 = 31nF e C2 = 280nF . Fazendo com que a imped ancia paralela (Zp ) em rela c ao a imped ancia s erie (Zs ) seja menor n ao permitindo a passagem da 5a harm onica. Para L3 = 180H , tem-se as equa c oes A.14 e A.14;
Ceq = Ceq
1 2 4 2 L3 ff und C3 C4 = C3 + C4
(A.13) (A.14)
Dessa forma, Ceq = 350nF e escolhendo C3 = 1200nF , assim C4 = 500nF . Esse valores s ao mostrados na Tabela A.1, na coluna do meio (Filtro 2); Atrav es de simula c oes pode-se observar elevados n veis de tens ao, principalmente nos indutores L1 e L2 . As formas de onda de tens ao sobre esses indutores s ao mostradas na Figura A.3. Dessa maneira, diminuem-se os valores das indut ancias para se diminuir os n veis de tens ao sobre os mesmos, mas mantendo-se a caracter stica desejada. A Tabela A.1 apresenta tr es ltros utilizados para realizar as an alises, e na Figura A.2 e apresentada a resposta em freq u encia para cada ltro analisado.
Ap endice A
214
Tabela A.1: Tabela contendo os valores dos componentes para os ltros analisados. Filtro 1 L1 L2 L3 C1 C2 C3 C4 59H 61, 25H 180H 120 nF 1l20 nF 700 nF 700 nF Filtro 2 227H 225H 180H 31 nF 280 nF 1200 nF 500 nF Filtro 3 56, 75H 61, 25H 720H 124 nF 1120 nF 350 nF 155 nF
Bode Diagram 50 Filtro 1 Filtro 2 Filtro 3 0 Magnitude (dB) Phase (deg)
50
100
150 180 90 0 90 180 270 360 3 10

4 5 6 7
10
10 Frequency (rad/sec)
10
10
Figura A.2: Resposta em freq u encia dos ltros analisados.
Ap endice A
215
4000 L2 L1 3000
2000
1000
Tenso (V)
1000
2000
3000
4000 0
0.002
0.004
0.006 Tempo (seg)
0.008
0.01
0.012
(a) Tens ao sobre L1 = 227H e L2 = 225H .
1000 L2 L1 800
600
400
200 Tenso (V)
200
400
600
800
1000 0
0.002
0.004
0.006 Tempo (seg)
0.008
0.01
0.012
(b) Tens ao sobre L1 = 59H e L2 = 61, 25H .
Figura A.3: Formas de onda de tens ao sobre os indutores L1 e L2 .
A Figura A.4(a) mostra a forma de onda de tens ao aplicada ` a l ampada durante a igni c ao at e entrada em regime. A igni c ao foi realizada por varia c ao de freq u encia, como discutido na se c ao
Ap endice A
216
5. O elevado valor de tens ao sobre os indutores do ltro e fator limitantes na implementa c ao desse m etodo de igni c ao. A forma de onda de tens ao sobre os indutores durante a igni c ao e mostrada na Figura A.4(b).
3000
2000
1000
Tenso (V)
1000
2000
3000 0
0.5
1.5
2.5 Tempo (seg)
3.5
4.5 x 10
5
3
(a) Formas de onda de corrente e tens ao aplicada ` a l ampada durante a igni ca o.
8000 L2 L1 6000
4000
2000
Tenso (V)
2000
4000
6000
8000 0
0.5
1.5
2.5 Tempo (seg)
3.5
4.5 x 10
5
3
(b) Formas de onda de corrente e tens ao sobre os indutores durante a igni ca o.
Figura A.4: Formas de onda de corrente e tens ao durante a igni ca o, ltro 1, Tabela A.1
Ap endice A
217
A Figura A.5 apresentada as formas de onda de corrente e tens ao aplicadas ` a l ampada em regime nominal. Pode-se observar a inje c ao de harm onicas, no caso, a fundamental mais a 1/3 da terceira harm onica. O espectro da forma de onda de tens ao aplicada ` a l ampada HP S e mostrada na Figura A.6.
Corrente (A)(30x) Tenso (V) 100
50
Amplitude
50
100
2.7
2.72
2.74
2.76
2.78 2.8 2.82 Tempo (seg)
2.84
2.86
2.88
2.9 x 10
3
Figura A.5: Forma de onda de corrente e tens ao aplicada ` a l ampada atrav es do ltro sintonizado,
ltro 1.
Figura A.6: Espectro da tens ao aplicada ` a l ampada utilizando o ltro sintonizado.
Ap endice A
218
A.3
Sensibilidade param etrica do ltro
Apesar das formas de onda obtidas atrav es do ltro sintonizado apresentarem menores distor c oes quando comparadas ` as obtidas atrav es do m etodo utilizando P W M , o ltro apresenta uma sensibilidade param etrica elevada. Para se avaliar a sensibilidade param etrica variou-se 20% para cada componente do ltro. A resposta em freq u encia do ltro para essas varia c oes s ao mostradas nas Figuras A.7(a) at e A.7(g). As an alises param etricas foram realizadas para o ltro 1, Tabela A.1. As Figuras A.7(a), A.7(b)e A.7(c) apresentam a resposta em freq u encia do ltro para as varia c oes das indut ancias L1 , L2 e L3 , respectivamente. As Figuras A.7(d), A.7(e), A.7(f) eA.7(g) s ao referente as resposta em freq u encia do ltro para as varia c oes dos capacit ancias C1 , C2 , C3 e C4 , respectivamente. Observou-se que as varia c oes mais signicativas para as caracter sticas desejadas para o ltro s ao para os componentes L1 , L2 , C1 e C2 .
Ap endice A
219
50
Bode Diagram
0
Magnitude (dB)
50
100
150 180
0
Phase (deg)
180
20% 15% 10% 5% L1 +5% +10% +15% +20%
360 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
(a) Resposta em freq u encia do ltro variando L1 .
50
Bode Diagram
0
Magnitude (dB)
50
100
150 180
0
Phase (deg)
180
20% 15% 10% 5% L2 +5% +10% +15% +20%
360 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
(b) Resposta em freq u encia do ltro variando L2 .
Ap endice A
220
50
Bode Diagram
0
Magnitude (dB)
50
100
150 180
0
Phase (deg)
180
20% 15% 10% 5% L3 +5% +10% +15% +20%
360 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
(c) Resposta em freq u encia do ltro variando L3 .
50
Bode Diagram
0
Magnitude (dB)
50
100
150 180
0
Phase (deg)
180
20% 15% 10% 5% C1 +5% +10% +15% +20%
360 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
(d) Resposta em freq u encia do ltro variando C1 .
Ap endice A
221
50
Bode Diagram
0
Magnitude (dB)
50
100
150 180
0
Phase (deg)
180
20% 15% 10% 5% C2 +5% +10% +15% +20%
360 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
(e) Resposta em freq u encia do ltro variando C2 .
50
Bode Diagram
0
Magnitude (dB)
50
100
150 180
0
Phase (deg)
180
20% 15% 10% 5% C3 +5% +10% +15% +20%
360 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
(f) Resposta em freq u encia do ltro variando C3 .
Ap endice A
222
50
Bode Diagram
0
Magnitude (dB)
50
100
150 180
0
Phase (deg)
180
20% 15% 10% 5% C4 +5% +10% +15% +20%
360 3 10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
(g) Resposta em freq u encia do ltro variando C4 .
Figura A.7: Inu encia da varia ca o dos indutores e capacitores na resposta em freq u encia do ltro.
Atrav es dessa an alise foi proposto um algoritmo, que uma vez ocorrido uma varia c ao param etrica, ele ajusta a freq u encia e o ganho para se obter a resposta desejada. O algoritmo e descrito atrav es do uxograma da Figura A.8. O algoritmo verica o valor obtido da amplitude da 3a harm onica e compara com o desejado (1/3 da fundamental), ent ao e gerando o pulso de comando para o inversor. Caso n ao seja igual, calcula-se a uma nova freq u encia para valor da amplitude da 3a harm onica seja o desejado. Ap os uma nova medi c ao, verica-se se o valor e o desejado e ent ao gera o comando para o inversor.
Ap endice A
223
Figura A.8: Fluxograma utilizado pelo algoritmo
Ap endice A
224
As Figuras A.9(a) e A.9(b) apresentam as caracter sticas observadas para o ganho na freq u encia fundamental e terceira harm onica devido a varia c oes de L1 , respectivamente. As Figuras A.9(c) e A.9(d) apresentam a resposta do algoritmo ` as varia c oes param etricas.
1.42
12
1.41 10 1.4
1.39
Gfund (dB)
G3h (dB) 5 5.5 6 L1 6.5 7 x 10 7.5

5
1.38
1.37
1.36
1.35 2 1.34
1.33 4.5
0 4.5
5.5
6 L1
6.5
7 x 10
7.5
5
(a) Ganho da fundamental harm onica variando L1 .
(b) Ganho da 3a harm onica variando L1 .
2.4 natural ajustado 2.2
2.3
x 10
2.25
2.2 2 Frequencia fundamental ajustada (Hz) 5 5.5 6 L1 6.5 7 x 10 7.5

5
2.15
2.1
Gfund (dB)
1.8
2.05
1.6
1.4
1.95
1.9 1.2 1.85
1 4.5
1.8 4.5
5.5
6 L1
6.5
7 x 10
7.5
5
(c) Ganho da fundamental harm onica variando L1 -Normal e ajustado.
(d) Ganho da 3a harm onica variando L1 ajustado.
Figura A.9: Inu encia da varia ca o de L1 na resposta do ltro sintonizado. Observou-se que utilizando o algoritmo de ajuste as varia c oes param etricas se tornaram lineares permitindo dessa maneira o seu controle de forma mais simples.
Ap endice A
225
2.4
2.2
2 Gfund ajustada (dB)
1.8
1.6
1.4
1.2
1 1.8 1.9 2 2.1 6 L1 5.5 5 4.5
x 10
2.2 Frequencia fundamental ajustada (Hz)
7.5 2.3
6.5
x 10
(a) Ganho da fundamental ajustada e freq u encia fundamental ajustada variando-se L1 .
12
10
8 G3h natural (dB)
0 1.8
1.85
1.9
1.95 2 2.05 2.1 2.15 Frequncia fundamental ajustada (Hz)
2.2
2.25
2.3 x 10
4
(b) Ganho da 3a harm onica natural versus freq u encia fundamental ajustada.
Figura A.10: Inu encia da varia ca o de L1 na resposta do ltro sintonizado analisando o ganho da
3a harm onica natural.
Ap endice A
226
90 L1 L2 C1 C2
80
70
60
3 h (%)
50
40
30
20
10
0 0.2
0.15
0.1
0.05 0 0.05 Variao dos parmetros
0.1
0.15
0.2
Figura A.11: Inu encia da varia ca o dos componentes na amplitude da 3a harm onica.
Ap endice A
227
A inje c ao da 3a harm onica atrav es de um ltro sintonizado e motivada pela simplicidade na gera c ao dos sinais de comandos, uma freq u encia de chaveamento menor quando se comparado ` a t ecnica proposta, a possibilidade de se trabalhar com o conversor em meia-ponte e o menor tamanho dos componentes utilizados, por em apresenta os inconvenientes da sua sensibilidade param etrica. apresentada uma metodologia de projeto do ltro visando n E ao atenuar a componente da 3a harm onica e nem defas a-la e tamb em se levando em conta a tens ao em cada componente. A necessidade de desenvolvimento um ignitor devido ` as elevadas amplitudes da tens ao sobre os componentes do ltro e o tempo para se atingir o valor exigido, utilizando o ignitor apresentado. T ecnicas de controle podem proporcionar a utiliza c ao do ltro sintonizado, uma vez que um algoritmo foi implementado e obteve-se resultados satisfat orios.

Lenin Martins Ferreira Morais

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Universidade Federal de Minas Gerais Programa de P os-Gradua c ao em Engenharia El etrica

Conclus oes do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.7 4.8 4.9

Sinais modulados de tens ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Conclus oes do cap tulo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152

7 Resultados experimentais 7.1 7.2

7.3 7.4 7.5 7.6 7.7

8 Conclus oes nais e propostas de continuidade 8.1 8.2 8.3

SUMARIO Refer encias Bibiogr acas Ap endice A 196 210

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8

LISTA DE FIGURAS 3.3

3.4 3.5 3.6

3.7 3.8 3.9

LISTA DE FIGURAS 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9

4.38 Formas de onda de tens ao na sa da do inversor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

LISTA DE FIGURAS 5.5 5.6 5.7 5.8

5.9 6.1 6.2 6.3 6.4 6.5

Varia ca o da indut ancia do ltro LCign , fign em fun ca o da ff und . . . . . . . . . . . 120

Etapas de opera ca o do conversor boost no modo cont nuo.

6.6 6.7 6.8 6.9

7.3 7.4 7.5 7.6

Fotograa do arco el etrico da l ampada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163

LISTA DE FIGURAS 7.8 7.9

7.24 Formas de onda de tens ao de sa da do conversor boost, para Cboost = 1500F .

2.1 2.2 2.3

Perdas em reatores comerciais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuitos ressonantes e suas equa co es caracter sticas. . . . . . . . . . . . . . . . .

Equa c oes para os tipos de P W M . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Caracter sticas dos ignitores segundo a ABNT, para l ampadas HP S . . . . . . 113

6.1 6.2 6.3

Cap tulo 1 Proposta de Tese de Doutorado

Contextualiza c ao do trabalho e motiva c ao

1 - Proposta de Tese de Doutorado

1 - Proposta de Tese de Doutorado

1 - Proposta de Tese de Doutorado

Objetivos da Tese de Doutorado

Objetivos Espec cos

1 - Proposta de Tese de Doutorado

1 - Proposta de Tese de Doutorado

Cap tulo 2 Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

Caracteriza c ao das l ampadas de descarga

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

Justicativas para a utiliza c ao das l ampadas de descarga

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

Caracteriza c ao da l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

Aspectos construtivos da l ampada HP S

Figura 2.1: Diagrama descritivo da l ampada HPS do tipo SON-T [1].

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

Caracter sticas luminosas

(a) Espectro luminoso de l ampadas.

(b) Espectro luminoso da l ampada HP S .

Figura 2.2: Espectro luminoso de l ampadas.

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

* - Com melhoria na reprodu c ao de cores

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S regime permanente.

Figura 2.3: Curva caracter stica tens ao-corrente da l ampada HP S [1].

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

2 - Estudo sobre a l ampada de vapor de s odio de alta press ao - HP S

Figura 2.5: Curva de tens ao em fun ca o da temperatura na l ampada HPS[1].

Com rela c ao ` a rede el etrica, o reator tem que assegurar: