Captulo 1 Introduo Eletrnica de Potncia

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1.1. Introduo
A Eletrnica de Potncia pode ser definida como a rea da Tcnica onde os dispositivos semicondutores so usados em: converso, controle, chaveamento e processamento da energia eltrica. Desta maneira, a tarefa da Eletrnica de Potncia oferecer o tratamento adequado ao fluxo de potncia eltrica, atravs da modelagem das fontes de energia eltrica e dos circuitos conversores, usando dispositivos semicondutores de potncia. Basicamente, existem trs reas que interagem nas aplicaes da Eletrnica de Potncia, a saber: Equipamentos de potncia, estticos ou rotativos; Eletrnica, com dispositivos e/ou circuitos; Controle, analgico ou digital (Figura 1-1). Assim, o projeto de circuitos de Eletrnica de Potncia requer o desenvolvimento dos circuitos de potncia e de controle, sendo este ltimo de vital importncia, visto que, alm de definir e monitorar a converso, tambm reduz as tenses e correntes harmnicas geradas pelos conversores de energia.

Figura 1-1 reas que interagem em aplicaes da Eletrnica de Potncia.

O potencial de aplicaes da Eletrnica de Potncia torna-se cada vez mais amplo, medida que so desenvolvidas novas tecnologias, para dispositivos semicondutores de potncia e circuitos integrados. Dispositivos de potncia, para chaveamento rpido, so desenvolvidos com limites de tenso e corrente cada vez maiores. Tais dispositivos, juntamente com a aplicao de microprocessadores modernos, na sintetizao da estratgia de controle, esto permitindo alcanar maiores especificaes de converso. Alm disso, outro fator importante, para essa crescente evoluo, a disponibilidade comercial de um grande nmero destes dispositivos semicondutores de potncia.

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1.2. Evoluo Histrica

Ocorreram grandes avanos nos dispositivos semicondutores de potncia, desde o primeiro tiristor. At 1970, os tiristores convencionais eram usados apenas no controle de potncia de aplicaes industriais. A partir da, vrios tipos de dispositivos semicondutores de potncia foram desenvolvidos e disponibilizados comercialmente. Toda esta evoluo histrica da Eletrnica de Potncia (mostrada cronologicamente na Figura 1-2) teve incio em 1900, com o retificador a arco de mercrio e continuou, gradativamente, com a introduo de vrios outros dispositivos, tais como: o retificador de tanque metlico, o retificador em tubo a vcuo de grade controlada, o ignitron e o tiratron.

Figura 1-2 Evoluo histrica da Eletrnica de Potncia.

Com inveno do transistor de silcio, em 1948, por Bardeen, Brattain e Schockley da Bell Telephone Laboratories, aconteceu a primeira revoluo da Eletrnica. Fato este que deu origem maioria das tecnologias da Eletrnica avanada de hoje. A evoluo da Microeletrnica moderna se deu a partir da destes semicondutores de silcio. Em 1956, foi realizada, tambm pela Bell Telephone Laboratories, a prxima grande descoberta, a inveno do transistor disparvel PNPN, denominado de tiristor ou retificador controlado de silcio (do ingls silicon-controlled rectifier SCR). O desenvolvimento do tiristor comercial, em 1958, pela General Electric Company, deu incio a segunda revoluo da Eletrnica, o que originou diferentes tipos de dispositivos semicondutores de potncia e tcnicas de converso, possibilitando a capacidade de determinar e controlar a forma de enormes quantidades de potncia, de maneira eficaz, revolucionando a Eletrnica de Potncia. Esta evoluo permitiu, tambm, a revoluo da Microinformtica, atravs do desenvolvimento do processamento de informaes, em grandes quantidades e velocidades.

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Neste contexto, houve uma unio entre os ramos da Eletrnica de Potncia e da Microeletrnica, fato que ampliou, de forma significativa, os seus potenciais de aplicaes. Esta tendncia deve continuar, de maneira que, nos prximos anos, a energia eltrica, em algum ponto de sua transmisso, estar sujeita Eletrnica de Potncia.

1.3. Fsica dos Semicondutores

O fluxo de corrente eltrica, em um meio, depende da aplicao de um campo eltrico e da existncia de portadores livres (usualmente, eltrons), neste meio. Nos metais, a densidade de portadores livres alta (da ordem de 1023/cm3), enquanto, nos materiais isolantes, o valor baixo (em torno de 103/cm3). J, nos semicondutores, h densidades intermedirias (na faixa de 108 a 1019/cm3). Tais densidades, nos condutores e isolantes, so propriedades dos materiais, enquanto, nos semicondutores, podem ser variadas pela adio de outros materiais (impurezas), ou, pela aplicao de campos eltricos. Isto ocorre pelo fato dos tomos (Carbono, Silcio, Germnio etc.), ou molculas de mesma propriedade, dos materiais semicondutores possurem quatro eltrons na ltima camada, permitindo o estabelecimento de ligaes muito estveis, atravs do compartilhamento dos eltrons externos, por tomos vizinhos (ligao covalente), criando um arranjo com oito eltrons na camada de valncia (Figura 1-3).

Figura 1-3 Estrutura cristalina de um material semicondutor.

A ionizao trmica destes materiais, isto , a quebra de ligaes, criando eltrons livres, ocorre em temperaturas acima do zero absoluto (273 C). O tomo que perde eltrons se torna positivo. Enquanto isso, eventualmente, eltrons tambm escapam de outras ligaes e, atrados pela carga positiva do tomo, preenchem a ligao covalente. Desta forma, h uma movimentao relativa da carga positiva, denominada de lacuna, devido ao deslocamento dos eltrons de suas ligaes covalentes, para ocupar outras. Assim, a ionizao trmica gera o mesmo nmero de eltrons e lacunas (Figura 1-4).

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Figura 1-4 Movimentao de eltrons e lacunas no semicondutor.

Assim sendo, quando se faz a dopagem, ou seja, adio de tomos de materiais, que possuam trs (Alumnio ou Boro) ou cinco (Fsforo) eltrons na camada de valncia, estrutura dos semicondutores, os tomos vizinhos a estas impurezas tero suas ligaes covalentes com falta ou excesso de eltrons (Figura 1.5). Neste caso, no h mais equilbrio, existindo excesso de eltrons livres, nos materiais dopados com elementos de cinco eltrons, na camada de valncia (semicondutores tipo N), ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos de trs eltrons (semicondutores tipo P). Contudo, o material permanece eletricamente neutro, j que a quantidade total de eltrons e prtons a mesma.

Figura 1-5 Dopagem de semicondutores.

A movimentao de lacunas, no material tipo P, ocorre quando uma destas captura um eltron livre, de modo que as lacunas so denominadas de portadores majoritrios e os eltrons de portadores minoritrios. J, no material tipo N, a movimentao do eltron excedente ioniza o tomo e este, ento, captura outro eltron livre, sendo os eltrons os portadores majoritrios e as lacunas, os minoritrios. A dopagem de impurezas (menor ou igual a 1019/cm3) feita, tipicamente, em nveis muito menores que a densidade de tomos do material semicondutor (1023/cm3), de modo que as propriedades de ionizao trmica no sejam afetadas. Alm disso, a concentrao de impurezas muitas ordens de grandeza superior densidade de portadores gerados por efeito trmico (1010/cm3, para o Si, temperatura ambiente), tornando as densidades de lacunas e eltrons (embora diferentes entre si, neste caso) iguais, respectivamente, s densidades de impurezas aceitadoras e doadoras de eltrons.

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Quando um campo eltrico for aplicado a um material semicondutor, as lacunas se movimentaro no sentido do campo decrescente, enquanto os eltrons seguiro em sentido oposto. Esta corrente funo de um parmetro denominado mobilidade, que depende do material, do tipo de portador e, em geral, diminui com o quadrado do aumento da temperatura. Outro fator determinante da movimentao de portadores a difuso, que ocorre quando h regies adjacentes com diferentes concentraes. O movimento aleatrio dos portadores tende a equalizar essa disperso no meio, atravs da migrao de portadores das regies mais concentradas, para as mais dispersas.

1.4. Dispositivos Semicondutores de Potncia

Os dispositivos semicondutores de potncia tm sofrido grandes evolues tecnolgicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente. Durante a anlise de circuitos, comum considerar estes dispositivos como sendo ideais, isto , atendendo as seguintes condies: a. b. c. d. e. Tm uma queda de tenso nula, no estado de conduo; Suportam tenses infinitas, no estado desligado; Admitem correntes diretas infinitas; Apresentam correntes reversas nulas; Possuem uma velocidade de chaveamento infinita;

A Figura 1-6 mostra a distribuio de valores de tenso de bloqueio, corrente de conduo e freqncia de comutao, para alguns dispositivos semicondutores.

Figura 1-6 Valores de operao de dispositivos semicondutores de potncia.

Em geral, tais dispositivos podem ser divididos em seis tipos: diodos de potncia; tiristores; transistores de juno bipolares (BJTs); MOSFETs de potncia; transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); e, transistores de induo esttica (SITs). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em tiristores de comutao natural (pela rede) ou forada. Os tipos mais comuns de tiristores so: controlado de silcio (SCR); induo esttica (SITH); desligamento pelo

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gatilho (GTO); controlado por MOS (MCT); conduo em ambos os sentidos (TRIAC); controlado de silcio ativado por luz (LASCR); conduo reversa (RCT); e, desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT). O Quadro 1-1 mostra as curvas caractersticas e os smbolos de alguns destes dispositivos, os quais so tratados, de forma sucinta, a seguir, sendo feita uma anlise mais profunda no Capitulo 2 (Dispositivos Semicondutores de Potncia), deste trabalho. DISPOSITIVOS
Diodo

SMBOLOS

CURVAS CARACTERSTICAS

SCR SITH GTO Tiristor MCT TRIAC

LASCR

BJT

MOSFET

IGBT

SIT

Quadro 1-1 Caractersticas e smbolos de alguns dispositivos semicondutores de potncia.

Os diodos de potncia, mostrados na Figura 1-7, tal qual os diodos de circuitos eletrnicos de baixa potncia, possuem dois terminais: um catodo e um anodo. Eles conduzem quando a tenso de anodo for maior que a de catodo, sendo a queda de tenso direta muito baixa (tipicamente de 0,5 a 1,2 V). Se a tenso de anodo for menor que a tenso de catodo, o diodo no conduz, ficando no denominado modo de bloqueio. Os diodos de potncia so divididos em trs tipos:

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Genricos, fornecidos com faixas que podem ir at 5 kV, 5 kA e tempo de recuperao reversa variando entre 0,1 e 5 s; b. Alta velocidade, com faixas chegando at 3 kV, 1 kA e tempo de recuperao reversa de 0,1 a 5 s, sendo essenciais no chaveamento, em alta freqncia, dos conversores de potncia; c. Schottky, com valores nominais limitados a 40 V, 60A e tempo de recuperao bastante pequeno, possuindo uma baixa queda de tenso, em sentido direto, e uma corrente de fuga que aumenta com a faixa de tenso.

a.

Figura 1-7 Configuraes de diodos de potncia.

Os tiristores tm trs terminais: anodo, catodo e gatilho. Estes dispositivos conduzem quando o potencial do anodo superior ao do catodo e uma pequena corrente passa do terminal do gatilho para o do catodo, apresentando uma a queda de tenso direta muito pequena (normalmente de 0,5 e 2 V). Uma vez no modo de conduo, o circuito do gatilho no tem mais controle sobre o tiristor, o qual continua a conduzir. Para desligar o tiristor em conduo, necessrio tornar o potencial do anodo igual ou inferior ao do catodo, sendo o tempo de desligamento definido como o intervalo entre o instante em que a corrente principal (de anodo para catodo) diminuda a zero e o instante em que o tiristor capaz de suportar uma tenso principal especfica, sem ligar novamente. Os tiristores se dividem em dois tipos: a. Tiristores de comutao forada: desligados por um circuito extra, chamado circuito de comutao; b. Tiristores de comutao natural (ou pela rede): desligados devido natureza senoidal da tenso de entrada. Valores nominais fornecidos para os tiristores vo at 5 kV, 5 kA e o tempo de desligamento de tiristores de bloqueio reverso de alta velocidade chega a ser de 10 a 20 s. A Figura 1-8 apresenta vrias configuraes de tiristores.

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Figura 1-8 Configuraes de tiristores.

Os SITHs e os GTOs so tiristores autodesligveis, isto , no necessitam de circuitos de comutao, mas no dependem, exclusivamente, da rede, para serem desligados. Estes componentes so comandados pela aplicao, ao gatilho, de curtos pulsos, positivos, para lig-los, e negativos, para deslig-los. Os SITHs so fornecidos em at 4 kV, 2,2 kA, sendo usados em conversores de alta potncia, com freqncias de dezenas de kHz e bem maiores que a faixa de freqncia dos GTOs, os quais possuem valores nominais de at 4,5 kV, 3 kA, tambm sendo atrativos para a comutao forada de conversores. Os MCTs so ligados por um pequeno pulso de tenso negativa, em relao ao anodo, na porta MOS, e desligados por outro pulso, s que positivo. Possuem um alto ganho de desligamento e esto disponveis em at 600 V, 60 A. Os TRIACs so amplamente utilizados em aplicaes de corrente alternada de baixa potncia, como o controle simples de aquecimento, iluminao, mquinas eltricas e chaves. As caractersticas dos TRIACs so semelhantes aquelas de dois tiristores conectados em antiparalelo, tendo apenas um terminal de gatilho, de maneira que a corrente, que flui atravs do TRIAC, pode ser controlada em ambos os sentidos. Para sistemas de potncia em alta tenso, apropriado o uso de tiristores ativados por luz (LASCRs), encontrados em at 6 kV, 1,5 kA, com velocidades de chaveamento de 200 a 400 s. Alm dos tipos de tiristores citados no Quadro 1-1, tambm merecem destaque os RCTs e os GATTs, por serem amplamente usados no chaveamento, em altas velocidades. Os RCTs so similares a um tiristor e um diodo ligados em antiparalelo, sendo oferecidos em at 2,5 kV, 1 kA, com uma velocidade de chaveamento de 40 s. Os GATTs esto disponveis em at 1,2 kV, 0,4 kA, com um tempo de chaveamento igual a 8 s.

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Normalmente usados em conversores, com freqncias menores que 10 kHz, os transistores bipolares (BJTs) de alta potncia, assim como nos circuitos eletrnicos de baixa potncia, possuem trs terminais: base, emissor e coletor; e sua faixa chega at 630 V, 50 A. Em geral, encontrado operando como uma chave, na configurao emissor comum, onde o transistor NPN permanece ligado (em conduo), enquanto a juno de coletor para emissor estiver adequadamente polarizada e a corrente de base (devido base possuir um potencial maior que o do emissor) for suficiente para manter o transistor na regio de saturao. Caso seja retirada a tenso de excitao da base, o transistor ficar desligado (no conduz). Em conduo, um transistor apresenta uma queda de tenso direta da ordem de 0,5 a 1,5 V. Variadas configuraes de transistores bipolares so mostradas na Figura 1-9.

Figura 1-9 Configuraes de transistores NPN.

Os MOSFETs de potncia so empregados em conversores de potncia de alta velocidade, com valores nominais relativamente baixos, em torno de 500 V, 50 A. Sua faixa de freqncia da ordem de vrias dezenas de kHz, sendo caracterizados por possurem uma velocidade de chaveamento muito rpida. A Figura 1-10 mostra vrias configuraes de MOSFETs.

Figura 1-10 Configuraes de MOSFETs.

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Usados em tenses e correntes elevadas, com freqncias de at 20 kHz, os IGBTs so fornecidos em at 1,2 kV, 0,4 kA. Em geral, so transistores de potncia controlados por tenso, com caractersticas de excitao e chaveamento bastante superiores aquelas dos BJTs comuns, porm menos velozes que os MOSFETs. Algumas configuraes de IGBTs so apresentadas na Figura 1-11.

Figura 1-11 Configuraes de IGBTs.

Os SITs so dispositivos apropriados para aplicaes de alta potncia e alta freqncia (amplificadores de udio, VHF/UHF e microondas); pois, as caractersticas de normalmente ligado e alta queda de tenso, em conduo, limitam o seu uso, em geral. Semelhantes aos JFETs, so considerados a verso, em estado slido, da vlvula triodo a vcuo. Os SITs possuem valores nominais de at 1,2 kV, 0,3 kA e tempos de disparo e desligamento muito curtos. Apresentam pequenos valores de rudo e distoro. Tal qual para os SITs, alguns valores nominais, disponveis comercialmente, dos dispositivos semicondutores de potncia foram mostrados, anteriormente. Tais valores so tratados, de modo mais detalhado, na Tabela 1-1.
Dispositivo Tipo Genricos Alta Velocidade Schottky SCR SITH GTO MCT TRIAC LASCR RCT GATT Darlington Darlington nico nico Darlington Especificao Tenso Corrente (V) (A) 5000 5000 3000 1000 40 60 5000 5000 4000 2200 4500 3000 600 60 1200 300 6000 1500 2500 1000 1200 4000 400 40 630 50 500 50 1200 400 1200 300 Freqncia Superior (kHz) 1 10 20 1 20 10 20 0,4 0,4 5 20 20 25 100 20 100 Tempo de Chaveamento (s) 100 2-5 0,23 200 6,5 15 2,2 200-400 200-400 40 8 6 1,7 0,6 2,3 0,55

Diodo

Tiristor

Transistor MOSFET IGBT SIT

Tabela 1-1 Valores nominais de dispositivos semicondutores de potncia.

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Uma utilizao comum dos dispositivos semicondutores de potncia a sua operao como chave, atravs da aplicao de sinais de controle aos terminais do gatilho (como nos tiristores) ou da base (como nos transistores). Com a variao do tempo de conduo destas chaves, a sada desejada obtida. A Figura 1-12 mostra as tenses de sada e de controle dos dispositivos de chaveamento de potncia mais usados, onde a queda de tenso, em conduo, foi considerada desprezvel.

Figura 1-12 Caractersticas de operao dos dispositivos de chaveamento de potncia.

Tais dispositivos de chaveamento de potncia podem ser classificados com relao a vrios fatores, os quais so relacionados na Tabela 1-2. Fator
Disparo

Classificao
No-controlado Diodo Controlado

Exemplos

SCR, SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT

No-controlado Diodo e SCR Desligamento Controlado Contnuo Sinal no gatilho Pulso Unipolar Tenso Bipolar Unidirecional Corrente Bidirecional TRIAC e RCT SCR e GTO Diodo, SCR, SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT SCR, GTO e MCT GTO, BJT, MOSFET, IGBT e MCT SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT BJT, MOSFET, IGBT e MCT

Tabela 1-2 Fatores de classificao dos dispositivos de chaveamento de potncia.

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Dependendo de sua tipologia, os conversores de potncia podem exigir dois, quatro ou seis dispositivos, de maneira que os dispositivos de potncia esto disponveis comercialmente tanto na forma individual, quanto na forma de mdulos. Estes mdulos consistem em conjuntos de dispositivos, sendo os tipos mais comuns com dois (configuraes meia-ponte ou dual), quatro (pontes completas), ou, seis (circuitos trifsicos) dispositivos. Tais mdulos possuem as seguintes vantagens, em relao aos dispositivos convencionais: a) Menores perdas, em conduo; b) Chaveamento de altas tenses; c) Corrente e velocidade maiores; d) Proteo contra transientes; e) Proteo ao circuito de excitao da porta ou gatilho. Algumas configuraes de mdulos so apresentadas na Figura 1-13.

Figura 1-13 Configuraes de mdulos.

Tambm existem os chamados mdulos inteligentes, cada vez mais usados em Eletrnica de Potncia, que integram o mdulo de potncia a um circuito perifrico, cabendo ao usurio apenas conectar a fonte de alimentao. Tal circuito perifrico consiste em: a) Isolao entre entrada e sada; b) Circuito de excitao; c) Circuito de diagnstico e proteo (contra excesso de tenso e corrente, curto-circuito, carga aberta e superaquecimento); d) Controle da fonte de alimentao; e) Controle por microcomputador.

1.5. Efeitos da Converso de Potncia

A qualidade da energia entregue a cargas sensveis, utilizando a Eletrnica de Potncia na converso, um desafio a ser resolvido. Neste contexto, a qualidade de um conversor de potncia pode ser julgada pelas suas formas de onda de tenso e corrente, na entrada e na sada. Expressando tais formas de onda atravs da srie de Fourier, possvel encontrar seu contedo harmnico e, conseqentemente, determinar os fatores, que medem a performance destes conversores, tais como: a) Distoro harmnica total, do ingls total harmonic distortion (THD); b) Fator de deslocamento, do ingls displacement factor (HF); c) Fator de potncia na entrada, tambm do ingls input power factor (IPF).

Disponvel apenas em alguns modelos de mdulos.

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Estes problemas, na qualidade da energia fornecida pelos conversores de potncia, ocorrem, principalmente, pelo fato de sua operao se basear no chaveamento de dispositivos semicondutores de potncia, o que resulta na introduo de correntes e tenses harmnicas no sistema de alimentao e na sada dos conversores (distoro da tenso de sada), alm de poder causar interferncia nos circuitos de comunicao e sinalizao. Desta forma, necessrio reduzir o nvel harmnico dos sistemas conversores a amplitudes aceitveis, atravs, geralmente, da introduo de filtros na entrada e na sada dos conversores de potncia. Na Figura 1-14, mostrado o diagrama de blocos de um conversor de potncia generalizado.

Figura 1-14 Diagrama de blocos de um sistema conversor de potncia generalizado.

Alm disso, no diagrama de blocos da Figura 1-14, tambm tratado o circuito de controle do chaveamento, componente bsico da estratgia de controle empregada, a qual fundamental na reduo da gerao de harmnicos e da distoro da forma de onda de sada. Tal circuito de controle pode sofrer interferncia, em radiofreqncia, devido radiao eletromagntica dos conversores de potncia, gerando sinais de controle errneos. Esta interferncia corrigida, atravs do uso de blindagens aterradas.

1.6. Tipos de Circuitos

Os conversores estticos realizam as funes de converso de potncia eltrica, necessrias ao controle da energia, atravs das caractersticas de chaveamento dos dispositivos semicondutores, sendo, assim, considerados matrizes de chaveamento. Esta ao de chaveamento pode ser efetuada por mais de um dispositivo semicondutor, de maneira que sua escolha funo das exigncias de tenso, corrente e velocidade da aplicao. Os circuitos utilizados nos conversores de potncia podem ser classificados em seis tipos, a saber: a. Retificadores No-Controlados: Os retificadores no-controlados, ou retificadores com diodo, convertem tenses de corrente alternada (tenses CA), monofsicas ou trifsicas, na entrada, em tenses de corrente contnua (tenses CC) fixas, na sada, conforme mostrado no conversor da Figura 1-15. Pelo fato da tenso CC de sada no ser controlvel, que estes conversores so chamados de no-controlados.

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Figura 1-15 Circuito retificador no-controlado monofsico.

b. Retificadores Controlados: Tambm conhecidos como conversores CA-CC, os retificadores controlados permitem, a partir de uma tenso de entrada monofsica ou trifsica, o controle do valor mdio da tenso de sada, atravs da variao do tempo de conduo dos dispositivos semicondutores de potncia empregados. Na Figura 1-16, ilustrado um exemplo de retificador controlado monofsico com dois tiristores, em comutao natural.

Figura 1-16 Circuito retificador controlado monofsico.

c. Controladores de Tenso CA: Os controladores de tenso CA, tambm chamados de conversores CA-CA, so empregados na obteno de uma tenso de sada CA varivel, a partir de uma fonte CA fixa. Assim como nos conversores CA-CC, o controle do valor da tenso de sada feito pelo tempo de conduo do dispositivo semicondutor usado. Um controlador de tenso CA monofsico com TRIAC mostrado na Figura 1-17.

Figura 1-17 Circuito controlador de tenso CA monofsico.

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d. Choppers: Para uma tenso CC de entrada fixa, os choppers, ou conversores CC-CC, controlam a tenso CC mdia de sada, pela variao do tempo de conduo do dispositivo semicondutor de potncia em uso. A Figura 1-18 contem um chopper com transistor.

Figura 1-18 Circuito chopper.

e. Inversores: Os inversores, ou conversores CC-CA, fornecem tenses CA, na sada, a partir de tenses CC, na entrada, por meio da comutao (chaveamento) adequada dos dispositivos semicondutores de potncia utilizados. A Figura 1-19 mostra um inversor monofsico com MOSFETs.

Figura 1-19 Circuito inversor monofsico.

f. Chaves Estticas: Conforme citado anteriormente e observado em boa parte dos circuitos analisados, os dispositivos semicondutores de potncia so comumente usados como chaves. Tais chaves estticas CA ou CC tm muitas vantagens sobre as chaves e rels eletromecnicos convencionais, pois podem ser interfaceadas a sistemas digitais de controle ou mesmo a computadores. Uma chave CA monofsica ilustrada na Figura 1-20.

Figura 1-20 Circuito de uma chave CA monofsica.

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1.7. Aplicaes
Desde o antigo sistema Ward-Leonard, para obteno de tenses CC variveis, que o controle da energia eltrica uma necessidade, no acionamento de mquinas eltricas, nos controles industriais e na converso de potncia eltrica, em geral. Esta necessidade cada vez maior e, junto com ela, tambm cresce o desenvolvimento tecnolgico na rea da Eletrnica de Potncia. Combinando potncia, eletrnica e controle, a Eletrnica de Potncia vem revolucionando e expandindo os conceitos e a gama de aplicaes existentes, para a converso de energia eltrica, conforme tambm foi citado na seo 1.1. Introduo, deste trabalho (ver Figura 1-1). A potncia trata dos equipamentos estticos e rotativos, empregados na gerao, transmisso e distribuio da energia. Responsvel pelos circuitos e dispositivos de estado slido, a eletrnica realiza o processamento de sinais, de modo a atingir os requisitos de controle desejados. Por fim, o controle cuida das caractersticas dos regimes transitrio e permanente dos sistemas, em malha fechada. Ocupando uma posio importante na tecnologia de ponta, a Eletrnica de Potncia possui uma ampla faixa de aplicaes. Algumas destas aplicaes so mostradas a seguir, deixando claro como a Eletrnica de Potncia utilizada no dia-a-dia: Aceleradores de partculas; Alarmes; Alta tenso CC (HVDC); Amplificadores de udio; Bombas e compressores; Brinquedos; Caldeiras; Carregadores de bateria; Circuitos defletores de televisores; Compensao de potncia reativa; Computadores; Condicionadores de ar; Contatores de estado slido; Controle de aquecimento; Controle de iluminao; Controle de mquinas eltricas; Controle de sinais de trnsito; Dimmers; Eletrodomsticos; Eletroms; Exaustores; Ferramentas manuais; Fontes de alimentao; Fornos; Fotocpias; Gravaes magnticas; Guindastes e elevadores de cargas; Ignio eletrnica; Jogos; Mquinas de lavar; Minerao; Projetores de filmes; Refrigeradores; Reguladores de tenso; Rels estticos; Secadores eltricos; Servomecanismos; Sistemas de segurana; Solda; Trens; Veculos; Ventiladores.

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A Figura 1-21 apresenta uma relao entre as aplicaes e a faixa de freqncia dos dispositivos semicondutores de potncia.

Figura 1-21 Aplicaes e faixas de freqncia dos dispositivos semicondutores de potncia.

1.8. Projetos de Equipamentos

Conforme citado anteriormente, na seo 1.4. Dispositivos Semicondutores de Potncia, estes dispositivos, geralmente, so considerados ideais, para efeito de anlise. Alm disso, o comportamento de fontes, cabos, conectores etc., tambm idealizado, desprezando os efeitos destas impedncias adicionais ao circuito. Desta forma, estes procedimentos sero adotados nas anlises realizadas, em captulos subseqentes, deste trabalho, a menos que seja informado o contrrio. No estgio inicial dos projetos, esta anlise simplificada bastante til, permitindo a compreenso dos circuitos e o desenvolvimento de uma estratgia de controle. Entretanto, na prtica, os dispositivos e circuitos diferem dessas condies ideais, de modo que os projetos tambm devero sofrer diferenas, em suas anlises finais. De um modo geral, os projetos de equipamentos, usados na Eletrnica de Potncia, podem ser divididos nas seguintes etapas: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. Elaborar o projeto dos circuitos de potncia; Determinar a proteo dos dispositivos semicondutores de potncia; Criar uma estratgia de controle; Desenvolver o projeto da lgica e dos circuitos de controle; Investigar os efeitos dos parmetros do circuito e dos dispositivos; Construir um prottipo; Realizar baterias de testes; Estimar, mais precisamente, os parmetros do circuito e dos dispositivos; Verificar a validade do projeto; Modificar o projeto, caso necessrio.

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