IE 012 1

Sensores Integrados em Silício

IE012

SensoresTérmicos I
Professor Fabiano Fruett

UNICAMP – FEEC - DSIF

Sala 207

www.dsif.fee.unicamp.br/~fabiano

IE 012 2

Temperatura é a variável mais

medida

Energia térmica: Energia de vibração das moléculas

1
IE 012 3

Escalas de temperatura
T ( K ) − 273,15 T ( F ) − 32 T ( C )
D D

= =
5 9 5

Pontos de calibração Temperatura

K °F °C
Energia térmica zero 0 -459,6 -273,15
Água sólido/liquido 273,15 32 0
Água líquido/gás 373,15 212 100

IE 012 4

De um modo geral os sensores de

temperatura podem ser divididos em:

• Passivos (Auto-suficientes)
– Termopares (efeito termoelétrico)

• Ativos (Modulantes)
– “Termo”resistores,
– “Termo”diodos e
– “Termo”transistores

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IE 012 5

Termopares – Efeito Seebeck

∆V = α AB ∆T

sendo que αAB o coeficiente de Seebeck

relativo entre os materiais A e B, expresso
em V/K.

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Alguns efeitos relacionados ao

gradiente de temperatura em uma barra
de metal ou material semicondutor
• Mudança no bandgap
• Mudança na concentração dos portadores
de carga
• Mudança no nível de Fermi
• Mudança no coeficiente de difusão
(mobilidade)
• Termo difusão
• Acúmulo de cargas

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Magnitude do efeito Seebeck

∆V de alguns materiais combinados com platina,
T1=0 °C e T2=100 °C

Fonte: D.E. Gray (ed.), American Institute of Physics Handbook, McGraw-Hill, New York, 1982, 4.7-4.9

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Termopares padrão
Tipo Material positivo Material negativo
E Cromel Cosntantan
J Ferro Cosntantan
K Cromel Alumel
S Platina 10% Ródio Platina
T Cobre Cosntantan

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Não linearidade

∆T = a0 + a1∆V + a2 ∆V 2 + ... + an ∆V n

Fonte: National semiconductors

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Efeito Seebeck em materiais diferentes

α é o coeficiente de Seebeck
k é a condutividade elétrica
kT é a condutividade térmica
N é a densidade de portadores

Fonte: W.R. Beam, Electronics of solids, Kogakusha Co Ltd, Tokyo, 1965

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IE 012 11

Coeficiente de Seebeck no Si a
temperatura ambiente

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Efeito Seebeck em circuitos integrados

A tensão termodinâmica
devido as junções Si-Al,
depende do nível de dopagem
do silício, podendo chegar a
1.4 mV/K.

Fonte: G.C.M. Meijer, Ph.D. Thesis, TU Delft 1982

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IE 012 13

Termopilhas

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Sensores modulantes resistivos

• RTD (Detector de Temperatura Resistivo)

– Fabricados em platina, níquel ou níquel-cobre
– Tecnologia de deposição de filmes em substrato
de alumina ou cerâmico

• Termistor (Resistor Térmicamente Sensível)

– Material semicondutor

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IE 012 15

RTD (Resistance-temperature detector)

O exemplo mais comum é o tipo PT 100,
que tem uma resistência de 100 Ω a
0°C.

Rt = R0[1 + At + Bt2 +C(t-100) t3]

Sendo que R0=100 Ω (para t0=100°C)
A = 3.9083 E-3
B = -5.775 E-7
C = (abaixo de 0°C) -4.183 E -12
(Acima de 0°C) zero

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RTD (Resistance-temperature detector)

Efeito dos fios de ligação:

RTD OHMMETER High Impedance

RTD Voltmeter

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IE 012 17

Sensores modulantes integrados

- Variação da resistência em semicondutores
(termistor)
- Variação da tensão de polarização direta em
diodos
- Variação da tensão base-emissor em
transistores bipolares

IE 012 18

Efeito térmico no semicondutor

Para um semicondutor intrínseco, a resistividade

pode ser expressa pela seguinte equação:

= ni q (µ n + µ p )
1
ρ
sendo que:
ni é a concentração de portadores intrínsecos
µn e µp são as mobilidades dos elétrons e lacunas
respectivamente.
ni(T), µn(T) e µp(T)

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IE 012 19

Silício extrínseco tipo n

Efeitos
dominantes: N D+ (T ) µn(T) ni(T)

Faixa de
interesse

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Resistor integrado

Processo Bipolar Rt = R0[1 + A(t-t0)+ B (t-t0)2]

Sendo que:
R0 é a resistência a 0°C
A e B são variáveis medidas
empiricamente

Difusão ou implantação p+

Contato (n+) do resistor

Epitaxia tipo n

Substrato tipo p
Isolação Camada enterrada

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IE 012 21

Limitações tecnológicas

• Valores absolutos apresentam precisão de ±20%,

mas a razão de casamento entre duas resistências é
±0.1%. Dessa forma os resistores são empregados
em forma de ponte.
• Devem ser polarizados convenientemente,
mantendo as junções p-n reversamente
polarizadas.
• A variação térmica de um resistor semicondutor é
fortemente dependente da queda de tensão, e do
estresse mecânico

IE 012 22

Alguns exemplos de resistores

integrados

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IE 012 23

TCR versus resistividade de um processo bipolar

10000 0,008
0,007
1000 0,006

TCR[K-1]
0,005 Ω/
W/sqr
Ω /sqr

100 0,004
0,003 TCR
10 0,002
0,001
1 0
LN

se
N+

P+

ba
+B

P-
ub
Nt
ll+
we
N-

IE 012 24

Resistividade em função da temperatura para níveis

de dopagens diferentes

102
1014

10 1015

1016
1

1017
10-1
1018
10-2
1019

10-3

12
IE 012 25

Outras opções de resistores

integrados
• Polisilício

• Filmes finos

Possuem melhor isolação devido a ausência da

junção p-n.

Necessitam de uma camada extra de deposição.

IE 012 26

Polisilício
• Estrutura formada por pequenos cristais
com distribuição aleatória, podendo ter um
certo número de orientações dominantes.
• Suas características (resistividade, TCR e
piezo constantes) são fortemente
dependentes do processo de deposição e
dopagem.

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IE 012 27

Parâmetros de um processo
industrial CMOS 1.2 um
Difusão n+ Difusão p+ Poly High res. Poly Metal
Resistência [Ω/sqr] 25 44 27 2700 0.070
TCR [×10-3 K-1] 1.9 1.9 0.7 -3.3 2.8

IE 012 28

Diodos

Comportamento quase linear a partir de 20 K

14
IE 012 29

Componentes da corrente para

um diodo em polarização direta:
• Corrente de difusão
• Corrente de leakage de superfície causada pela
recombinação de portadores na superfície
• Componente devido a recombinação na região
de depleção, (corrente de geração-
recombinação)
As duas últimas, dependem fortemente do
processo de fabricação e da geometria do diodo.

IE 012 30

Transistores

A corrente de emissor de um transistor também é

composta pelas componentes de difusão, leakage de
superfície e recombinação.

A corrente de coletor é principalmente constituída pela

componente de difusão. Devido a base estreita, as duas
outras componentes da corrente de emissor são drenadas
para fora pela corrente de base.

Dessa forma, o uso do transistor como sensor de

temperatura é normalmente baseado na sua bem definida
característica IC vs. VBE.

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IE 012 31

Característica IC vs.VBE de um
transistor bipolar
 VVBE  VBE

I C = I S  e T − 1 ≅ I S e VT
 
 
IC é a corrente de coletor
VT a tensão termodinâmica = kBT/q
kB é a constante de Boltzmann, kB=1,38062 × 10-23 [J/K]
T a temperatura em Kelvin
q a carga do elétron 1.60 × 10-19 [C]
portanto VT @ temperatura ambiente = 25 mV
IS corrente de saturação reversa
Fonte; Sedra & Smith, Microelectronics

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Corrente de saturação reversa IS

Simplificando:
2 2 2
q n A DB WB
IS = i E
QB 0 ≅ qAE ∫ N A ( x )dx
QB
0

k BT WB
Dn = µn ∫ N (x )dx = N WB
q 0
A A

XC
qAE ni2 Dn
QB = qAE ∫ p(x )d
XE
x IS =
N AWB

Fonte; Sedra & Smith, Microelectronics

16
IE 012 33

Efeito da temperatura em IS

ni2 ∝ T 3 exp ( −qVg / kBT ) Dn = ( k BT / q ) µ n

V g = V g 0 − αT µ n ∝ T −n

O problema situa-se em modelar a dependência

de IS com a temperatura

IE 012 34

Método sugerido por Meijer:

Dependência da temperatura em IC(VBE)
q (VBE − Vg 0 )
I C = CT η exp
k BT
sendo que:
Vg0 é a tensão de bandgap extrapolada a 0 K
C é uma constante dependente do processo
η é uma constante relacionada a dependência da mobilidade dos
portadores minoritários com a temperatura na região de base

Valores empíricos obtidos por Meijer são:

Vg0=1166 mV e η=3.72

Ref: G.C.M.Meijer and K. Vingerling, IEEE JSSC, vol. Sc15, n2, April 1980

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IE 012 35

Aplicando o resultado anterior e considerando uma

temperatura arbitrária T e uma temperatura de referência
especifica Tr, tem-se:

 T T k T T k T  I (T ) 
VBE (T ) = Vg 0 1 −  + VBE (Tr ) − η B ln + B ln  C 
 Tr  Tr q Tr q  I C (Tr ) 
Normalmente IC é proporcional a temperatura.:

IC ∝ T m
Fazendo m=1 (diretamente proporcional), tem-se:

 T T kT T
VBE (T ) = Vg 0 1 −  + VBE (Tr ) − (η − m ) B ln
 Tr  Tr q Tr

Ref: G.C.M.Meijer and K. Vingerling, IEEE JSSC, vol. Sc15, n2, April 1980

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VBE versus temperatura

 kT  k  T
VBE (T ) = Vg 0 + (η − m ) B r  − λT + (η − m ) B  T − Tr − T ln 
 q  q  Tr 
VBE [V]
k BTr
Vg0 Vg 0 + (η − m ) − VBE (Tr )
q
λ=
Tr

Tr
T [K]

Ref: G.C.M.Meijer and K. Vingerling, IEEE JSSC, vol. Sc15, n2, April 1980

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IE 012 37

Exemplo considerando:
Vg 0 = 1166 mV η = 3.72 Tr = 323 K VBE (Tr ) = 630 mV m=0

Termo não linear

0

-0.5

-1
[mV]

-1.5

-2
V BE,NL (T )

η-m=3.72
-2.5
T r=50oC=323 K
-3
η -m B =3
-3.5

-4
-50 0 50 100 150
o
Temperature [ C]

IE 012 38

Sistema sensor de temperatura usando um

único transistor como elemento sensor

Ic

A/D Micro - Display

Vbe Converter Processor
Vref

19
IE 012 39

Comparação
Propriedade Resistor PT Termistor Termopar Transistor
Formato da Resistência Resistência Tensão Tensão
Saída
Faixa de Grande Média Muito grande Média
Operação -260 a -80 a +180 -270 a +3500 -50 a +180
(ºC) +1000
Sensibilidade Média 0,4% Alta 5% / K Baixa 0,05 a Alta ~2mV /
/K 1mV / K K
Linearidade Muito Boa < Muito Não- Boa ±1K Boa ± 1K
±0,1K Linear
Exatidão:
- Absoluta Alta em Alta em Não é Média
ampla faixa estreita faixa possível
- Diferencial Média Média Alta Média
Custo para Médio - Não Baixo - Não Média Muito Baixo
Adequação é um é um Sim Sim, muito
em CI processo processo facilmente
padrão padrão

20