Caractersticas Bsicas del Diodo Semiconductor

(Silicio Y Germanio)




I. OBJETIVOS:

Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.



II. INTRODUCCION TEORCA:

DIODO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una
nica direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V)
consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta
como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito
cerrado con muy pequea resistencia elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.
DIODO PN UNIN PN:
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p
y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar
que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en
cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos
decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p.

Formacin de la zona de carga espacial
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga
espacial, de agotamiento, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V
0
) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito,
tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice
que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por
la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C.


A (p)

C (n)
Representacin simblica del diodo pn
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el
diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
POLARIZACIN DIRECTA:


En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas
condiciones podemos observar que:
- El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
- El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
- Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

- Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.
POLARIZACIN INVERSA:


En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:
- El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los
cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y
tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.
- El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes
de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de
valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces
Covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen
dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad
(8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1,
convirtindose as en iones negativos.
- Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a
ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A)
denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una
denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica,
conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie,
los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los
cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los
tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos
en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs
de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente
superficial de fugas es despreciable.

CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO:



- Tensin umbral, de codo o de partida (V

).
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de
potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa
supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que
para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de
la intensidad.

- Corriente mxima (I
max
).
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin
fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.
- Corriente inversa de saturacin (I
s
).
Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo
por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
- Corriente superficial de fugas.
Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver
polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al
diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de
fugas.
- Tensin de ruptura (V
r
).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el
efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente
inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:
- Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se
generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de
saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran
incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones
de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos
electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin,
chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente
grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a
6 V.
- Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material,
menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E
puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d;
cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo
elctrico ser grande, del orden de 310
5
V/cm. En estas condiciones, el
propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V
o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como
los Zener, se puede producir por ambos efectos.
MODELOS MATEMTICOS:
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la

mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la
diferencia de potencial es:
|
|
.
|

\
|
= 1
/ nKT
qV
S
e I I

Donde:
- I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y V
D
la diferencia
de tensin entre sus extremos.
- I
S
es la corriente de saturacin
- q es la carga del electrn
- T es la temperatura absoluta de la unin
- k es la constante de Boltzmann
- n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin
del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del
orden de 2 (para el silicio).
- El trmino V
T
= kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura,
del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).


OTROS TIPOS DE DIODOS SEMICONDUCTORES:

- Diodo avalancha
- Fotodiodo
- Diodo Gunn
- Diodo lser
- Diodo LED
- Diodo p-i-n
- Diodo Schottky
- Diodo Shockley (diodo de cuatro capas)
- Diodo tnel
- Diodo Varactor
- Diodo Zener













III. MATERIAL Y EQUIPO:

1. Un Multmetro digital.

Los multmetros digitales se identifican principalmente por un panel numrico
para leer los valores medidos, la ausencia de la escala que es comn en los
analgicos.
Lo que si tienen es un selector de funcin y un selector de escala (algunos no
tienen selector de escala pues el VOM la determina automticamente).

Algunos tienen en un solo selector central.
El selector de funciones sirve para escoger el tipo de medida que se realizar.



Multmetro Digital:
Marca: Fluke
N de serie: 64680428

2. Un Miliampermetro y un Micro ampermetro




3. Una Fuente de Corriente Continua Variable





4. Un Voltmetro de c.c.







5. Cables y conectores.














6. Resistencia de 100 .


Se denomina resistencia elctrica, R, a una serie de elementos, que
comienzan de una sustancia, a la oposicin que encuentra la corriente elctrica
para recorrerla. Su valor viene dado en ohmios, se designa con la letra griega
omega mayscula (), y se mide con el hmetro.








7. Un Diodo Semiconductor de SI y uno de GE







Diodo de silicio. Diodo de germanio
IV. PROCEDIMIENTO:


1. Usando el Ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo.
Registrar los datos en la tabla 1.


2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el
voltaje directo del diodo, registrar sus datos en la tabla 2.

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,
proceder como en a), registrando los datos en al tabla 3.




TABLA 1(Si)

R directa() R inversa()
0.542K > 30M






TABLA 2:

Vcc(V.) 0.5 0.54 0.6 0.7 0.88 1.08 1.59 2.14 2.54 2.82 3.4 4.3
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.413 0.498 0.534 0.566 0.6 0.624 0.658 0.680 0.692 0.698 0.707 0.720



TABLA 3:

Vcc(V.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(V.) 0.15 1.99 3.93 5.83 7.82 9.86 11.77 14.57 19.59
Id( A.) 0 0 0 0 0 0 0 0 0





3. Usando el ohmmetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de
Germanio. Registrar los datos en la tabla 4.

TABLA 4 (Ge)

R directa () R inversa()
0.217k 0.114M


4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de Germanio, de manera similar al
paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6.



TABLA 5:

Vcc(V.) 0.16 0.21 0.26 0.36 0.55 0.73 1.24 1.82 2.25 2.5 3.19 4.2
Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.153 0.181 0.204 0.231 0.264 0.284 0.321 0.348 0.365 0.373 0.389 0.408





TABLA 6:

Vcc(V.) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(V.) 0 1.048 1.989 3.88 5.84 7.85 9.87 11.73 14.65 17.55 19.33
Id( A.) 0.013 1.0 1.0 1.35 1.5 1.9 2.4 3.05 5.5 16.8 40.15