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ELECTRONI CA I MODULO I V
Tema 4: Teora y Caractersticas de los Diodos

Contenidos acadmicos

El diodo ideal. Simbologa del diodo. El diodo real. Simbologa del
diodo. Curva de caracterstica volt-amper del diodo de unin.
Parmetros caractersticos del diodo. Tensin umbral del diodo.
Resistencia interna del diodo Clculo de la resistencia interna.
Corriente mxima con polarizacin directa. Tensin inversa de
ruptura. Resistencia para limitacin de corriente. Disipacin mxima
de potencia. Aproximaciones: primera, segunda y tercera. Seleccin
de una aproximacin. Deteccin de fallas. La hoja de caractersticas.
Principales parmetros para un 1N4001: tensin de ruptura, mxima
corriente con polarizacin directa, cada de tensin con polarizacin
directa y mxima corriente con polarizacin inversa.

Actividades para el Alumno

Este mdulo acadmico presenta las siguientes actividades para el
alumno:

Actividades de Repaso: Cuestionario con preguntas claves al
final del mdulo.
Las preguntas claves orientan el estudio y dirigen el aprendizaje
hacia los contenidos ms relevantes y significativos de la
materia.

Actividades de Integracin: Ejercitacin en resolucin de
problemas numricos y grficos (al final del mdulo), con
integracin de contenidos en Trabajos Prcticos de Laboratorio
(en Carpeta de Laboratorios).
La ejercitacin propuesta est directamente relacionada con el
objetivo general de la materia: que el alumno se haga
poseedor de conocimientos tericos y prcticos bsicos sobre
teora y aplicaciones de componentes electrnicos
semiconductores (diodos y transistores).

Bibliografa y lecturas recomendadas

El material acadmico de esta materia utiliza distintas fuentes
bibliogrficas, siendo el principal texto Principios de
Electrnica, de Albert Paul Malvino; McGraw Hill (1994).
Otras fuentes bibliogrficas de referencia se mencionan al final del
mdulo.

Nota: Este material contiene ecuaciones editadas.


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El diodo ideal

Algunos dispositivos electrnicos, como una resistencia por ejemplo,
son lineales; es decir, en ellos la intensidad de la corriente es
directamente proporcional a la diferencia de potencial o tensin
elctrica y la representacin grfica de esta caracterstica es una
recta.

El diodo ideal es un elemento no lineal de dos terminales que se
emplea para representar las propiedades no lineales de los circuitos
electrnicos.
Los circuitos electrnicos que contienen diodos son por tanto no
lineales y, por esta razn, pueden efectuar operaciones que no son
posibles con circuitos que contengan solamente elementos lineales R,
L y C.

Un diodo ideal se comporta como un conductor perfecto (resistencia
cero) cuando tiene polarizacin directa, y como un aislante perfecto
(resistencia infinita) cuando tiene polarizacin inversa.


Fig. 1: El diodo ideal

En otras palabras, un diodo ideal acta como un interruptor que se
cierra (dejando pasar la corriente elctrica) al tener polarizacin
directa y se abre (interrumpiendo la corriente) con polarizacin
inversa.

Simbologa del diodo

El smbolo del diodo es una flecha que apunta del lado P al lado N, es
decir, del nodo al ctodo. Por ello, la flecha del diodo recuerda que
la corriente convencional
1
circula con facilidad del lado P al lado N.


Fig. 2: Simbologa del diodo


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Los electrones fluyen en sentido contrario a la flecha del diodo.


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En la punta de la flecha se traza una lnea recta que nos recuerda la
polaridad, ya que hay circulacin de corriente en sentido de la flecha
y hay una barrera para tal circulacin en sentido contrario al de la
flecha.

Generalmente se encierran flecha y barrera en un crculo y se asigna
la letra D para completar la simbologa.

En el transcurso de la materia utilizaremos ambas simbologas: flecha
y barrera con o sin crculo, pero en todos los casos identificaremos el
componente diodo con la letra D.

El diodo real

Aunque es lo deseable, es imposible construir un componente
electrnico con las caractersticas del diodo ideal, ya que existen
imperfecciones y limitaciones en tcnicas y materiales.


Fig. 3 y 4: Fotografas de diodos rectificadores y leds

El diodo real, a diferencia del diodo ideal, presenta las siguientes
caractersticas:
una barrera de potencial en su zona de deplexin que obliga a
un gasto de energa para vencerla.
una resistencia interna cuyo valor depende de las
caractersticas de los materiales con los cuales se construye el
diodo.
dicha resistencia interna es la suma de las resistencias internas
de cada zona, pero en ningn caso es nula para la polarizacin
directa ni infinita para la indirecta.
una potencia de disipacin definida que limita un corriente
mxima de circulacin.
un lmite para el voltaje aplicado en polarizacin inversa.

Curva de caracterstica volt-amper del diodo de unin

Segn al anlisis anteriormente realizado (en el captulo o unidad
acadmica anterior) del comportamiento del diodo de unin en
polarizacin directa e inversa, y graficando intensidad de corriente a


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travs del diodo en funcin de la diferencia de potencial aplicada en
sus extremos, obtenemos la siguiente curva de caracterstica:


Fig. 5: Curva de caracterstica del diodo de unin de Ge

En este comportamiento no lineal encontramos dos zonas de trabajo
del diodo: la zona 1 corresponde a la polarizacin directa, donde una
pequea diferencia de potencial aplicada al diodo provocar la
circulacin de corriente elctrica a travs de la unin; y la zona 2 que
corresponde a la polarizacin inversa (y se ha realizado un cambio de
escala), donde no existe circulacin de corriente a travs de la unin
hasta cierto valor de potencial crtico o potencial de ruptura
(aproximadamente -50 V).

Parmetros caractersticos del diodo

A continuacin analizaremos algunos de los parmetros
caractersticos del diodo de unin, en general con datos para diodos
rectificadores de silicio (Si).

Tensin umbral del diodo

La figura 3 nos indica que en la zona 1 la corriente es pequea para
las primeras dcimas de voltio en virtud de la barrera de potencial de
la zona de unin. A medida que nos acercamos a 0,3 V en un diodo
de germanio (Ge) o a 0,7 V en un diodo de silicio (Si), los electrones
libres comienzan a cruzar la unin en grandes cantidades. Para
tensiones mayores a dichos valores, cualquier pequeo incremento de
tensin produce un gran aumento en la corriente.

Definimos entonces la tensin umbral del diodo como la tensin
para la cual la corriente empieza a aumentar rpidamente.

Resistencia interna del diodo

Como mencionamos anteriormente, el diodo de unin se construye
con dos piezas semiconductoras de caractersticas diferentes y bien
definidas. Cada zona (N o P) ofrece una resistencia al paso de una


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corriente elctrica, cuyo valor depende del nivel de dopado y del
tamao de las zona P y N.

La suma de ambas resistencias constituye la llamada resistencia
interna del diodo:
R
D
= R
P
+ R
N

Esta resistencia, generalmente menor a 1 ! en diodos rectificadores,
se aprecia en la zona de trabajo 1 (figura 3). Luego de superar la
tensin umbral, la corriente del diodo aumenta rpidamente pero no
lo hace en forma totalmente vertical. La causa de la pequea
inclinacin es la oposicin de la resistencia interna.

Clculo de la resistencia interna

Para analizar con precisin un circuito con diodos se necesita conocer
la resistencia interna del diodo, parmetro que generalmente no
aparece en las hojas de caractersticas, aunque stas incluyen la
informacin suficiente para calcularla.

Utilizando la ley de Ohm, podemos formular la siguiente expresin
para el clculo de la resistencia interna:
1 2
1 2
I I
V V
R
D

=


donde V
1
, I
1
, V
2
e I
2
son las tensiones y las corrientes en dos puntos
diferentes 1 y 2 sobre la curva de caracterstica del diodo, en las
proximidades de la tensin umbral.

Por ejemplo, un diodo 1N4001 tiene una tensin con polarizacin
directa de 0,93 V para una corriente de 1 A. Como se trata de un
diodo de silicio, tiene una tensin umbral 0,7 V y una corriente igual a
cero, aproximadamente. Sustituyendo estos valores en la ecuacin
anterior se obtiene una resistencia interna de:
= =

= 23 , 0
1
23 , 0
0 1
7 , 0 93 , 0
1 2
1 2
A
V
A A
V V
I I
V V
R
D


Corriente mxima con polarizacin directa

Si la corriente de un diodo es demasiado grande, el calor excesivo
destruir el diodo. Basta acercarse al valor del calor mximo, aun
cuando no se alcance, para acortar la vida del diodo y degradar otras


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propiedades. Por esta razn, la hoja de caractersticas que
proporcionan los fabricante especifica la corriente mxima que un
diodo puede soportar sin peligro de acortar su vida o degradar sus
propiedades.
La corriente mxima con polarizacin directa es una de las
limitaciones dadas en una hoja de caractersticas. Esta corriente
puede aparecer como I
F(max)
o I
0
, dependiendo del fabricante.
Por ejemplo, un 1N456 tiene una corriente mxima de 135 mA. Esto
indica que dicho diodo puede conducir con seguridad una corriente
continua con polarizacin directa igual a 135 mA.

Tensin inversa de ruptura

Cuando un diodo se polariza en inverso, fluye una pequea corriente
de fugas. sta puede despreciarse o bien considerar que por el diodo
circula una corriente muy pequea para todas las tensiones inversas
menores que la tensin de ruptura.
En el lmite de ruptura, en el diodo se produce la avalancha, con la
que sbitamente aparece una cantidad enorme de portadores en la
zona de deplexin y la corriente aumenta rpidamente con pequeos
incrementos de tensin.

Resistencia para limitacin de corriente

Para mantener un trabajo seguro dentro de los parmetros normales
de funcionamiento del diodo, suele recurrirse a la conexin de una
resistencia en serie con el diodo, resistencia que se conoce como
resistencia limitadora de corriente.
Cuanto mayor sea la resistencia limitadora, menor ser la corriente
en el diodo, pero tambin el voltaje ya que habr una cada de
tensin sobre la resistencia.
Como mnimo, la resistencia de limitacin de corriente tiene que
mantener la corriente del diodo menor que la corriente mxima
I
F(max)
.
Tomando lo anterior como parmetro de seleccin, el valor adecuado
de R ser el que permita lograr que:
R
V V
D F
I

=
sea menor que I
F(max)




Es decir, se ha aplicado la Ley de Ohm a la resistencia limitadora de
corriente R, sometida a una diferencia de potencial igual a la
diferencia entre la tensin de la fuente V
F
y la tensin en el diodo
V
D
.


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Despejando R de la expresin anterior y recordando que su funcin es
la de limitar:
(max) F
D F
I
V V
R

Tomaremos entonces valores siempre mayores y no iguales.

Como este es un circuito en serie, la corriente del diodo tiene el
mismo valor que la corriente en la resistencia.



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Disipacin mxima de potencia

La disipacin mxima de potencia es el parmetro que indica cunta
potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su vida ni
degradar sus propiedades y est relacionado con la mxima corriente
continua con polarizacin directa.

Cuando la corriente es continua, el producto de la tensin en el diodo
y la corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por ste:
D D D
I V P . =


Con diodos rectificadores, normalmente no se emplea la limitacin
mxima de potencia, ya que toda la informacin acerca de la
destruccin (por calor) del diodo ya est contenida en el lmite
mximo de corriente.

Por ejemplo, la hoja de caractersticas de un 1N4001 indica una
corriente mxima con polarizacin directa de 1 A. Siempre que la
corriente mxima con polarizacin directa sea menor que 1 A, el
diodo no se quemar.

Aproximaciones

Segn sea el problema y el grado de precisin que se desea alcanzar
en la resolucin del mismo, se presentan tres opciones para trabajar
con el diodo.

Llamaremos aproximaciones a esas opciones o consideraciones a
cerca del comportamiento no lineal del diodo:


Fig. 6: Aproximaciones del diodo

La primera aproximacin considera al diodo como ideal, es decir
como un interruptor cerrado en polarizacin directa y abierto en
polarizacin inversa.
En polarizacin directa, la tensin en el diodo es cero y en la
carga es igual a la tensin de la fuente:


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0 =
D
V
y
F L
V V =


La segunda aproximacin considera al diodo como un
interruptor cerrado conectado en serie con una pila o batera de
0,7 V (para el diodo de silicio) en oposicin en polarizacin
directa e interruptor abierto en polarizacin inversa.
En polarizacin directa, la tensin en el diodo es 0,7 V y en la
carga es igual a la tensin de la fuente menos 0,7 V:
V V
D
7 , 0 =
y
V V V
F L
7 , 0 =


La tercera aproximacin considera al diodo como un interruptor
cerrado conectado en serie con una resistencia R
D
(la
resistencia interna del diodo) y una pila o batera de 0,7 V (para
el diodo de silicio) en oposicin en polarizacin directa e
interruptor abierto en polarizacin inversa.
En polarizacin directa, la tensin en el diodo es 0,7 V mas la
corriente que circula por l multiplicada por la resistencia
interna y en la carga es igual a la tensin de la fuente menos la
tensin en el diodo:
D D D
R I V V . 7 , 0 + = y
D D F L
R I V V V . 7 , 0 =


Seleccin de una aproximacin

Las aproximaciones que se emplean en cada situacin dependen de lo
que se quiera hacer. Si se estn detectando averas o si se est
haciendo un anlisis preliminar, la aproximacin ideal es usualmente
adecuada ya que a menudo son aceptables errores grandes. Cuando
se va a disear un circuito, puede ser necesaria mayor precisin y
habr que trabajar con la tercera aproximacin. La mayor parte de
las veces, la segunda aproximacin es el mejor compromiso entre la
simplicidad y a precisin.

La ecuacin gua que indica qu aproximacin se debe utilizar, es la
que proporciona la aplicacin de la ley de Ohm para el clculo de la
intensidad de la corriente:
D L
F
R R
V V
I
+

=
7 , 0

El numerador es tensin neta en el circuito: la diferencia entre la
tensin de la fuente (V
F
) y la barrera de potencial. Esta tensin neta
aparece en la resistencia en serie total. El denominador es la
resistencia en serie total: la suma de la resistencia de carga (R
L
) y la
resistencia interna del diodo (R
D
). La ecuacin dice que la corriente


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con polarizacin directa es igual a la tensin neta dividida entre la
resistencia total.

Luego se debe analizar cul ser el error permitido (la tolerancia) y
de ah en adelante se selecciona la aproximacin del diodo a
considerar.

Por ejemplo, si analizamos desde el valor de la tensin proporcionada
por la fuente, si ignoramos el valor de la cada de tensin en el diodo
(1 aproximacin):

Tensin de fuente Error del diodo ideal
3,5 V 20 %
7 V 10 %
14 V 5 %
28 V 2,5 %
70 V 1 %

Esto significa que si la tensin de la fuente es de 14 V, la seleccin de
la 1 aproximacin (diodo ideal) me conduce a un 5 % de error.

Por otro lado, si analizamos desde el valor de la resistencia de carga
(R
L
) comparado con el valor de la resistencia interna (R
D
) y omitimos
dicha resistencia interna:

R
L
/ R
D
Error en 1 y 2 aprox.
5 20 %
10 10 %
20 5 %
40 2,5 %
10 1 %

La mayor parte de los diodos rectificadores tienen resistencias
internas menores que 1 !, lo que significa que la 2 aproximacin
produce un error menor al 5 % con resistencias de carga mayores
que 20 !. Esto incluye prcticamente todos los circuitos que uno
pueda encontrar. Por eso la segunda aproximacin representa un
excelente compromiso siempre que haya dudas sobre la aproximacin
a emplear.

Deteccin de fallas

El estado de un diodo se puede averiguar fcilmente con un hmetro.
Se mide la resistencia en continua del diodo en ambas direcciones de
polarizacin y se comparan los resultados. Lo que hay que buscar
principalmente es una diferencia de resistencia inversa a directa muy
alta. Para los diodos de silicio comnmente empleados en la
electrnica la razn debe ser mayor que 1.000:1.


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ELECTRONI CA I MODULO I V

El empleo de un hmetro para probar diodos es un ejemplo de
pruebas si/no. Realmente no importa el valor exacto de la resistencia
en continua del diodo; lo nico que se desea saber es si el diodo tiene
una resistencia pequea con polarizacin directa y grande con
polarizacin inversa.

Los siguientes ejemplos son indicativos de problemas en el diodo:

Prueba Falla en diodo
resistencia muy pequea en ambas direcciones cortocircuito
resistencia muy elevada en ambas direcciones circuito abierto
resistencia algo pequea en direccin inversa con fugas




La hoja de caractersticas

Las empresas fabricantes de los diodos, como de otros dispositivos
semiconductores, ofrecen cierta informacin sobre el elemento en
cuestin y su comportamiento elctrico, lo que se presenta en forma
de planilla y se denomina hoja de caractersticas.



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Fig. 7: Hoja de caractersticas para diodos 1N4001 al 1N4007
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2
Malvino, Principios de Electrnica, Sexta edicin, Pgina 1016 (Apndice).


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La figura 5 reproduce una hoja de caractersticas para la serie de diodos
rectificadores del 1N4001 al 1N4007; diodos empleados en fuentes de
alimentacin (circuitos que convierten una tensin alterna en una tensin
continua) que tiene las mismas caractersticas con polarizacin directa, pero
que difieren en sus caractersticas con polarizacin inversa.

Destacamos algunos parmetros importantes de las mismas a continuacin
para el caso del 1N4001: tensin de ruptura, mxima corriente con polarizacin
directa , cada de tensin con polarizacin directa y mxima corriente con
polarizacin inversa.

1. Tensin inversa de ruptura para un 1N4001

En la hoja de caractersticas para un 1N4001, en Limitaciones
mximas encontramos la siguiente informacin:

Parmetro Smbolo 1N4001
Tensin inversa repetitiva de pico V
RRM
50 V
Tensin inversa de pico de funcionamiento V
RWM
50 V
Tensin de bloqueo en CC V
R
50V

Estos tres smbolos especifican la ruptura en ciertas condiciones de
funcionamiento. Lo nico que hay que saber es que la tensin de
ruptura para este diodo es de 50 V, independientemente de cmo
se use el diodo.
Para un diodo rectificador como el 1N4001, la ruptura es
normalmente destructiva por lo que una tensin inversa de 50 V
supone la destruccin del mismo.
Para evitar esto, un diseador de circuitos incluye un factor de
seguridad. No existe una regla absoluta acerca del valor que
debe darse al factor de seguridad, ya que ste depende de muchos
factores de diseo. Un diseo conservador empleara un factor de
2, lo que significa que no se permite que, en ninguna
circunstancia, haya una tensin inversa mayor que 25 V aplicada
al diodo. Un diseo cauteloso podra permitir hasta 40 V.

2. Corriente mxima con polarizacin directa para un 1N4001

Otro dato de inters es la corriente media con polarizacin directa,
que aparece as en la hoja de caractersticas:

Parmetro Smbolo 1N4001
Corriente rectificada media con polarizacin
directa (monofsica, carga resistiva, 60 Hz, T
A
=
75 C)
I
0
1 A



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ELECTRONI CA I MODULO I V
Esto nos indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A con
polarizacin directa cuando se la emplea como rectificador. Es
decir que 1 A es el nivel de corriente con polarizacin directa para
el cual el diodo se quema debido a una disipacin excesiva de
potencia.
Para un diseo confiable 1 A para el 1N4001 es un nivel de
corriente con polarizacin directa al que nunca deber llegarse. Por
ello, debe incluirse un factor de seguridad, posiblemente un factor
de 2. En otras palabras, un diseo fiable debe garantizar que la
corriente con polarizacin directa sea menor de 0,5 A en cualquier
condicin de funcionamiento.
Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la
vida de stos es tanto ms corta cuanto ms cerca trabajen de las
limitaciones mximas. Por esta razn, algunos diseadores
emplean factores de seguridad mayores. Un diseo conservador
mantendra la corriente mxima con polarizacin directa, para un
1N4001, en 0,1 A o menos.

3. Cada de tensin con polarizacin directa para un 1N4001

En las Caractersticas elctricas se puede leer:

Parmetro Smbo
lo
Valor
tpico
Valor
mximo
Cada de tensin mxima
instantnea con polarizacin
directa (i
f
= 1 A, T
J
= 25 C)
v
F
0,93 V 1,1 V

Estas mediciones se hacen con una seal alterna, y por ello
aparece la palabra instantneo en la especificacin. El 1N4001
tiene una cada de tensin tpica con polarizacin directa de 0,93 V
cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unin
3
es de
25 C. Si se prueban miles de diodos, se hallarn pocos con una
cada tan alta como 1,1 V, para 1 A.

3
Temperatura de unin o de juntura del diodo.


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ELECTRONI CA I MODULO I V

4. Corriente inversa mxima para un 1N4001

Otro parmetro de la hoja de caracterstica que vale la pena
analizar es la corriente con polarizacin inversa a la tensin
continua indicada (50 V para un 1N4001):

Parmetro Smbo
lo
Valor
tpico
Valor
mximo
Corriente inversa mxima (T
J

= 25 C)
I
R
0,05 A 10 A
Corriente inversa mxima (T
J

= 100 C)
I
R
1 A 50 A

A 25 C, el diodo tiene una corriente inversa de 0,05 A; pero sta
aumenta a 1 A a 100 C. En el peor de los casos, la corriente
inversa es de 10 A a 25 C, y de 50 A a 100 C.
Como la corriente inversa incluye la corriente producida
trmicamente y la corriente de fugas superficial, estos valores nos
indican la importancia de la temperatura y, por tanto, su
implicancia a la hora del diseo de un circuito.