1

Tema 8: Amplificacin.
Contenidos
8.1 Objetivos
8.2 Conceptos Previos
8.3 Modelos H de un transistor bipolar
8.4 Modelo o de Giacoletto
8.5 Conceptos sobre amplificadores
8.6 Caractersticas de las configuraciones del transitor
bipolar
8.7 Modelos de Pequea Seal FET
8.8 Caractersticas de las configuraciones del transistor
MOS
8.9 Anlisis de Amplificadores con realimentacin


2
8.1 Objetivos
Una vez aprendidos los elementos bsicos de la electrnica
(transistores y diodos) y los circuitos bsicos de polarizacin
El objetivo de este tema es aprender a analizar y disear
estructuras para amplificar seales tanto de tensin como de
intensidad, ya sean simples o diferenciales

Aprenderemos cuales son las mejores caractersticas que
deben reunir estos amplificadores

3
8.2 Conceptos Previos. Notacin.
3
V
A
,I
A
v
a
,i
a
v
A
,i
A
Pequea Seal

Gran Seal

Cualquier Seal = Gran Seal + Pequea Seal

4
8.2.2 Conceptos previos. Cuadripolos
para pequea seal
4
Es conveniente disponer de una representacin sencilla de los circuitos y
componentes lineales que nos permita describir fcilmente su comportamiento
de cara al exterior cuando operamos con pequeas seales

Los cuadripolos representan estas caractersticas elctricas sin necesidad de
preocuparnos por la topologa y los componentes de un circuito concreto.

Por ejemplo, el funcionamiento de un amplificador puede describirse por unos
parmetros de ganancia, impedancia de entrada y de salida, sin necesidad de
conocer el circuito y los componentes que lo integran.
Un cuadripolo es un circuito
con 4 nudos (polos)
accesibles desde el exterior
agrupados en 2 puertos
Definicin
5
8.2.2 Conceptos Previos. Cuadripolos.
5
Dependiendo de qu variables consideremos dependientes o independientes,
podemos tener distintos tipos de cuadripolos para un mismo circuito

Usaremos los cuadripolos H que consideran variables independientes la i1 y v2,
siendo dependientes de estas v1 e i2, para describir, transistores, diodos o circuitos
complejos

2 1 2
2 1 1
v h i h i
v h i h v
o f
r i
+ =
+ =
i
h
2
v h
r
2
i h
f
o
h
0
2
2
0
1
2
0
2
1
0
1
1
1 2
1 2
= =
= =
= =
= =
i
o
v
f
i
r
v
i
v
i
h
i
i
h
v
v
h
i
v
h
6
8.3 Modelos H de un transistor Bipolar.
6
Un problema que tenemos a la hora de hallar el cuadripolo H de un transistor es que
este tiene 3 terminales mientras que, un cuadripolo tiene 4.

Compartiremos un terminal como polo tanto de entrada como de salida

Dependiendo de qu terminal compartamos hablamos de 3 configuraciones del
transistor

Configuracin EC
(Emisor Comn)

Configuracin BC
(Base Comn)

Configuracin CC
(Colector Comn)

7
8.3.2 Modelo H de una configuracin EC.
7
Configuracin EC
(Emisor Comn)

2 1 2
2 1 1
v h i h i
v h i h v
o f
r i
+ =
+ =
Nuestro
objetivo

Partimos de las Ecuaciones de Ebers-Moll y de
las leyes de Kirchoff que permiten expresar
cualquiera 2 variables del transistor en funcin
de otras dos:

( ) ( )
( ) ( )
2 1 2
2 1 1
, ,
, ,
v i g v i i i i
v i f v i v v v
CE B C C
CE B BE BE
= = =
= = =
Pero estas ecuaciones son en general exponenciales de forma ms o
menos complicada.

Sin embargo, desarrollndolas en serie en torno a un punto (Punto de
Operacin de continua) vamos a ver que tienen la misma forma que las
expresiones de un cuadripolo H

8
8.3.2 Modelo H de una configuracin EC.
8
El punto en torno al cual vamos a desarrollar las funciones vBE e
iC, es el punto de polarizacin dado por IB y VCE.

El desarrollo lo haremos mediante un polinomio de Taylor de
primer orden.
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
CE CE
CE
C
B B
B
C
I
CE B C CE B C C
CE CE
CE
BE
B B
B
BE
V
CE B BE CE B BE BE
V v
v
i
I i
i
i
V I i v i i i
V v
v
v
I i
i
v
V I v v i v v
C
BE

c
c
+
c
c
+ ~ =

c
c
+
c
c
+ ~ =


, ,
, ,
ce
CE
C
b
B
C
c
ce
CE
BE
b
B
BE
be
v
v
i
i
i
i
i
v
v
v
i
i
v
v

c
c
+
c
c
~

c
c
+
c
c
~
ce oe b fe c
ce re b ie be
v h i h i
v h i h v
+ ~
+ ~
Modelo H de pequea seal
de un EC
9
8.3.2 Modelo H de una configuracin EC.
9
Las dems configuraciones del transistor admiten el mismo
tratamiento, llegando a circuitos iguales cambiando el subndice e
por c CC o b BC
ce oe b fe c
ce re b ie be
v h i h i
v h i h v
+ ~
+ ~
Configuracin EC
(Emisor Comn)

Vlido tanto para
NPN como para PNP

En cualquier
configuracin el
transistor se puede
sustituir por este
modelo

10
8.3.2 Modelo H de una configuracin EC.
10
Los parmetros H de un transistor Bipolar pueden extraerse del
modelo Ebers-Moll del transistor, pero obviamente tienen valores
distintos para cada punto de operacin y los clculos no son
sencillos

Por esto la mayora de fabricantes los proporcionan para
distintos puntos de operacin. De forma que, conocido el punto
de operacin del transistor, podemos mediante tablas encontrar el
valor de los parmetros H
Bsqueda Tabulada
Unicamente hfe es conocido de una forma sencilla, ya que los
transistores bipolares operan en Z. Activa cuando se utilizan
para amplificacin:
| ~
c
c
~
B
C
fe
i
i
h
11
8.3.2 Modelo H simplificado
11
Para un gran nmero de casos nos encontramos con que los
parmetros hre ~ 0 y hoe

Modelo de parmetros H
simplificado
Este modelo ha sido derivado para una configuracin de EC, sin
embargo, cualquier transistor sea cual sea su configuracin
se puede sustitur por el modelo de parmetros H de EC.

Vlido tanto para
NPN como para PNP

12
8.4 Modelo o de Giacoletto
12
Para evitar el problema de la tabulacin y poder encontrar los
parmetros de un modelo de pequea seal de una forma
sencilla, Giacoletto desarroll un modelo basndose en el
funcionamiento del transistor.

Este modelo permite tener en cuenta los efectos de la frecuencia

Modelo de parmetros
13
8.4.2 Modelos simplificados
13
Si no tenemos que tener en cuenta los efectos de la frecuencia,
el modelo se puede simplificar eliminando los condensadores y
segn la aplicacin las resistencias rbb, r e incluso ro

El modelo ms simple sera:

Modelo de parmetros
simplificado
Vlido tanto para
NPN como para PNP

Modelo vlido
para cualquier
configuracin

14
8.4.2 Modelos simplificados
14
Los principales valores del modelo los podemos calcular
analticamente de los datos del punto de operacin (En el modelo
simplificado: todos)

El resto sern suministrados por el fabricante
C
A
o
m
TE
B
TE
C
m
I
V
r
g
V
I
r
g
V
I
g
=
= =
=
|
t
t
1
|
t
=
g
g
m
15
8.5 Conceptos sobre Amplificadores
15
Salida(t)=K*Entrada(t-t0)
K=>Ganancia del Amplificador (K>1)
(Potencia)
( )
( ) fase de Distorsin
amplitud de Distorsin
0
=
=
cte t
cte K
Salida Entrada
Tensin Corriente
Qu es un amplificador?
16
8.5.2 Tipos de Amplificadores.
Amplificador de Tensin
16
Av
V
V
Z Z Z
Z Z Z
Av
Z Z
Z
Z Z
Z
V
V
~

<<
>>

+
=
S
O
O L O
i S i
L O
L
i S
i
S
O
0 ;
;
L O
L O
i S
i
S
eA
Z Z
Z
V Av
V
Z Z
Z
V
V
eA
+
=

+
=
17
8.5.3 Tipos de Amplificadores.
Amplificador de Intensidad
17
I
I
A
I
I
Z Z Z
Z Z Z
A
Z Z
Z
Z Z
Z
I
I
~

>>
<<

+
=
S
O
O L O
i S i
L O
O
i S
S
S
O
;
0 ;
L O
O O
i S
S
S
eA
Z Z
Z
I A
I
Z Z
Z
I
I
eA I
+
=

+
=
18
8.5.4 RTh y Ganancias
18
s
o
i
o
i
o
v
v
A
v
v
A
i
i
A
vs
v
I

Cualquier tipo de
amplificador
( ) ( )
s i
L
I
s i
L
vs
i
L
I
i
L
v
R R
R
A
R R i
R i
v
v
A
R
R
A
R i
R i
v
v
A
+
=
+

=
=

= =
i
o
s
o
i
o
i
o
19
8.5.5 Anlisis General de un Circuito de
Amplificacin a frecuencias medias
19
+

C
Z
Pasivacin de
fuentes
independientes
de Continua
20
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin EC con parmetros H. Ai, Av, Ri
ie
L
fe
ie
L
v
fe
fe
I
h
R
h
h i
R i
v
v
A
h
i
i h
i
i
A
=

= =
=

= =
b
o
i
o
b
b
i
o
ie i
h
i
v
R = =
i
i
Ri
21
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin EC con parmetros H. Ro, Ro
Ro
Ro
Test
Test
I
V
=
Ro
= = = = =
Test
Test
Test b fe b
I
V
I i h i 0 0 0
Ro
L
ib hfe
Test
Test
R
I
V
= =
= 0
Ro
22
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin CC con parmetros H. Ai, Av, Ri
( )
( )
i
ie
L fe ie
L fe
L ie
L
v
fe
fe
I
R
h
R i h h i
R i h
R i h i
R i
v
v
A
h
i
i h i
i
i
A
=
+ +
+
=
+

= =
+ =
+
= =
1
1
1
1
b b
b
o b
o
i
o
b
b b
i
o
( )
( )
L fe ie
b
L b fe ie b
i
R h h
i
R i h h i
i
v
R + + =
+ +
= = 1
1
i
i
Ri
23
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin CC con parmetros H. Ro, Ro
L O O
R R R = '
( ) ( )
fe
ie
b fe
ie b
o
h
h
i h
h i
I
V
R
+
=
+

= =
1 1
Test
Test
Ro
Ro Ro
Test
Test
I
V
=
Si hubiese una etapa previa
con resistencia de salida
Ro,prev:
( )
fe
ie prev O
O
h
h R
R
+
+
==
1
,
24
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin BC con parmetros H. Ai, Av, Ri
( )
ie
L fe
ie
L fe
ie
L
v
fe
fe
fe
fe
I
h
R h
h i
R i h
h i
R i
v
v
A
h
h
i h
i h
i
i
A

=


=


= =
+
=
+

= =
b
b
b
o
i
o
b
b
i
o
1 1
( )
fe
ie
b fe
ie b
i
h
h
i h
h i
i
v
R
+
=
+

= =
1 1
i
i
Ri
25
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin BC con parmetros H. Ro, Ro
Ro
Ro
Test
Test
I
V
= Ro
= = = = =
Test
Test
Test b fe b
I
V
I i h i 0 0 0
Ro
L
ib hfe
Test
Test
R
I
V
= =
= 0
Ro
26
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin EC con RE con parmetros H. Ai, Av, Ri
( )
i
L fe
i
L fe
E fe ie
L
v
fe
fe
I
R
R h
R i
R i h
R i h h i
R i
v
v
A
h
i
i h
i
i
A

=

=
+ +

= =
=

= =
b
b
b b
o
i
o
b
b
i
o
1
( )
( )
E fe ie
b
E b fe ie b
i
R h h
i
R i h h i
i
v
R + + =
+ +
= = 1
1
i
i
Ri
27
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin EC con RE con parmetros H. Ro, Ro
Ro
Ro
Test
Test
I
V
=
Ro
( ) = = = = = + +
Test
Test
Test b b fe ie b
I
V
I i i h h i 0 0 0 1
Ro
L
ib hfe
Test
Test
R
I
V
= =
= 0
Ro
28
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin CC con parmetros . Ai, Av, Ri
( )
( )
t t t
t
t
|
g g
r
R r
R
R r i g i r i
R r i g i
v
v
A
i
v g i
i
i
A
m
e
L e
L
L m
L m
v
m
I
+

+
=
+ +
+
= =
+ =
+
= =
1
;
1
b b b
b b
i
o
b
b
i
o
( ) ( )
( )
L
b
L b m b b
b
L m b b
i
R r
i
R r i g i r i
i
R v g i r i
i
v
R + + =
+ +
=
+ +
= = |
t
t t t t
1
i
i
Ri
t t
r i v
b
=
29
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin CC con parmetros . Ro, Ro
L O O
R R R = '
( ) ( ) |
t
t
t
+
=
+

= =
1 1
Test
Test
r
i r g
r i
I
V
R
b m
b
o
Ro
Ro Ro
Test
Test
I
V
=
Si hubiese una etapa previa
con resistencia de salida
Ro,prev:
( ) |
t
+
+
==
1
,
r R
R
prev O
O
30
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin CC con RC
Se puede comprobar (realizar
como ejercicio) que las
caractersticas de esta etapa son
exactamente las mismas que las
de CC

Por lo que no tiene un estudio
propio y se suele denominar
tambin configuracin CC
31
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin BC con parmetros . Ai, Av, Ri
Ri
Transformacin de Fuente de Corriente:
32
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Configuracin BC con parmetros . Ai, Av, Ri
Ri
e
m m
i
r
g g g
r
i
v
R
+
= = =
t
t
1 1
i
i
( )
L m
L i m
v
m
m
e
m
I
R g
v
R v g
v
v
A
g g
g
r
v
v g
i
i
A
=

= =
+
=
+
=

= =
i i
o
i
o
1 |
|
t
t
t
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Tabla Resumen (ro, 1/hoe)
EC ECRE CC BC EC ECRE CC BC
AI
Ri
AV
Ro
Ro
fe
h
fe
h
fe
h + 1
fe
fe
h
h
+ 1
| |
| + 1
|
|
+ 1
ie
h
E fe
ie
R h
h
) 1 ( +
+
L fe
ie
R h
h
) 1 ( +
+
fe
ie
h
h
+ 1
t
r
E
R
r
) 1 ( |
t
+
+
L
R
r
) 1 ( |
t
+
+
t
g g
r
m
e
+
=
1
ie
L
fe
h
R
h
i
L
fe
R
R
h
i
ie
R
h
1
ie
L
fe
h
R
h
L m
R g
L m
R g
i
L
R
R
|
e L
L
r R
R
+
fe
ie prev o
h
h R
+
+
1
,
|
t
+
+
1
,
r R
prev o
L
R
L
R
L
R
L O
R R
L
R
L
R
L
R
L O
R R
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Tabla Resumen
EC ECRE CC BC EC ECRE CC BC
AI
Ri
AV
Ro
Ro
fe
h
fe
h
fe
h + 1
fe
fe
h
h
+ 1
| |
| + 1
|
|
+ 1
ie
h
E fe
ie
R h
h
) 1 ( +
+
L fe
ie
R h
h
) 1 ( +
+
fe
ie
h
h
+ 1
t
r
E
R
r
) 1 ( |
t
+
+
L
R
r
) 1 ( |
t
+
+
t
g g
r
m
e
+
=
1
ie
L
fe
h
R
h
i
L
fe
R
R
h
i
ie
R
h
1
ie
L
fe
h
R
h
L m
R g
L m
R g
i
L
R
R
|
e L
L
r R
R
+
fe
ie prev o
h
h R
+
+
1
,
|
t
+
+
1
,
r R
prev o
L
R
L
R
L
R
L O
R R
L
R
L
R
L
R
L O
R R
1
1
8.6 Caractersticas de las configuraciones
del transistor Bipolar
Resistencia de Salida si ro o 1/hoe <
EC ECRE CC BC EC ECRE CC BC
Ro ro
Ro
) (
E
R f
( )( )
E o m o E
R r r g r R g
t
+ + = 1 ) (
oe
h
1
L O
R R
L O
R R
Aunque se modifican ms casillas, slo lo tendremos
en cuenta para las resistencias de salida
( )
E ie
ie oe
fe
oe
E
R h
h h
h
h
R f
|
|
.
|

\
|

+ + = 1
1
) (
oe fe
ie prev o
h h
h R
1
1
,
+
+
) (
E
R g
) (
, prev o
R f
o
prev o
r
r R
|
t
+
+
1
,
) (
, prev o
R g
36
8.7 Modelos de pequea seal FET.
Transistor MOS.
36
Se procede de igual forma que en el caso de transistores bipolares:
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
sb
SB
D
ds
DS
D
gs
GS
D
d
SB SB
SB
D
DS DS
DS
D
GS GS
GS
D
I
SB DS GS D SB DS GS D D
v
v
i
v
v
i
v
v
i
i
V v
v
i
V v
v
i
V v
v
i
V V V i v v v i i
D

c
c
+
c
c
+
c
c
=

c
c
+
c
c
+
c
c
+ ~ =

, , , ,
SB
D
mb
DS
D
O
O
GS
D
m
v
i
g
v
i
r
g
v
i
g
c
c

c
c
=
c
c
;
1
;
sb mb ds O gs m d
v g v g v g i + + =
Modelo de pequea seal de
un transistor NMOS o PMOS
37
8.7 Modelos de pequea seal FET.
Transistor MOS.
37
Los transistores MOS operan en zona de saturacin cuando se
utilizan como amplificadores:
( ) ( )
DS T GS
n
D
v V v i + =
|
1
2
2
Modelo de pequea seal de
un transistor NMOS o PMOS
A
D
D
DS
D
O
O
SB F
m
SB
T
T
D
SB
D
mb
D
GS
D
m
V
I
I
v
i
r
g
V
g
v
V
V
i
v
i
g
I
v
i
g
= ~
c
c
=
+
=
c
c

c
c
=
c
c

~
c
c

|
1
2 2
2
sb mb ds O gs m d
v g v g v g i + + =
( )
F SB F TO T
V V V | | 2 2 + +
38
8.7 Modelos de pequea seal FET.
Transistor MOS.
38
Generalmente gm >> gmb por lo que podemos simplificar el modelo:
Modelo de pequea seal
simplificado (NMOS o
PMOS) (versin Norton)
O m
r g
Modelo de pequea seal
simplificado (NMOS o
PMOS) (versin Thevenin)
39
8.7.2 Modelos de pequea seal FET.
Transistor JFET.
39
Los modelos de pequea seal de un transistor JFET son idnticos a
los de un transistor MOS ya que sus ecuaciones en zona de saturacin
son similares
Modelo de pequea seal
simplificado (nFET o pFET)
La nica diferencia est en el valor de los parmetros:
A
D
D
DS
D
O
O
D
GS
D
m
V
I
I
v
i
r
g
I
v
i
g
= ~
c
c
=
~
c
c

|
1
2
40
8.7.3 Modelos de pequea seal con efectos
capacitivos de transistores MOS y JFET.
40
Para tener en cuenta los efectos de los condensadores en un transistor
MOS o JFET, simplemente basta considerar los condensadores que
aparecen en la estructura entre G - D, y entre G - S
41
8.8 Caractersticas de las configuraciones
del transistor MOS
Configuracin SC. Ai, Av, Ri
( )
L O m
ro gm
L O
L
v
I
R r g
R r
R
v
v
A
i
i
A

+

= =
= =
=

i
o
i
o
= =
i
i
i
v
R
i
Ri
( )
i
L O
L
O
v
R r
R
v
+
=
42
8.8 Caractersticas de las configuraciones
del transistor MOS
Configuracin SC. Ro, Ro
L O O
R r R = '
O o
r
I
V
R = =
Test
Test
Ro
Ro
43
8.8 Caractersticas de las configuraciones
del transistor MOS
Configuracin DC. Ai, Av, Ri
( )
O L
L
v
I
r R
R
v
v
A
i
i
A
+ +

= =
= =
1
i
o
i
o

= =
i
i
i
v
R
i
Ri
( )
O i
L O
L
O
v v
R r
R
v
+
=
44
8.8 Caractersticas de las configuraciones
del transistor MOS
Otras Configuraciones
Configuracin GC
Configuracin SC con RS
Configuracin DC con RD
45
8.8 Caractersticas de las configuraciones
del transistor MOS
Tabla Resumen
SC SCRS DC DCRD GC
AV
Ro
Ro
( )
L O
L
L O m
R r
R
R r g
+

=

O
r
( )
O L S
L
r R R
R
+ + +

1
( )
O S
r R + + 1
( )
O L
L
r R
R
+ +

1
( ) + 1
O
r
( )
O D L
L
r R R
R
+ + +

1
( ) +
+
1
D O
R r
( )
L O
L
L O m
R r
R
R r g
+

( )
prev O
O
R
r
,
1 +
+
L O
R R
46
8.8 Caractersticas de las configuraciones
del transistor MOS
Tabla Resumen
SC SCRS DC DCRD GC
AV
Ro
Ro
( )
L O
L
L O m
R r
R
R r g
+

=

O
r
( )
O L S
L
r R R
R
+ + +

1
( )
O S
r R + + 1
( )
O L
L
r R
R
+ +

1
( ) + 1
O
r
( )
O D L
L
r R R
R
+ + +

1
( ) +
+
1
D O
R r
( )
L O
L
L O m
R r
R
R r g
+

( )
prev O
O
R
r
,
1 +
+
L O
R R
1
1
47
8.9 Anlisis de Amplificadores con
Realimentacin
Teorema de Miller
=
K
Z
Z

=
1
1
1
2

=
K
K Z
Z
Demostracin
( )
2
2
2
1 2
2
1
1 1 2 1
1
1
1
1
Z
V
Z
K
V
Z
V V
I
Z
V
Z
K V
Z
V V
I
=
|
.
|

\
|

=

=
=

=
1
2
V
V
K =
48
8.9 Anlisis de Amplificadores con
Realimentacin
Realimentacin CB
1
v
v
K
O
=
K 1
200
1
200

K
K
O =
=
k h
h
ie
fe
1 . 1
50
Entre otras cosas,
mejora las estabilidades del circuito
49
8.9 Anlisis de Amplificadores con
Realimentacin
1 . 1
/ 1 1
200
10
50
K
h
R
h K
ie
L
fe

= =
K 1
200
K / 1 1
200

Configuracin EC
entre vo y v1
K=vo/v1= -432.85
Realimentacin CB
Este valor de K es vlido para calcular
Av, Ai, y Ri, pero NO para Ro !!
50
8.9 Anlisis de Amplificadores con
Realimentacin
O k
46 , 0
O k
46 , 200
6 , 13
1 , 1 46 , 0 10
1 , 1 46 , 0
85 , 432
1
1
=
+
= = =
vi
v
v
v
vi
v
A
O O
v
74 , 14
10 46 , 200
32 , 10
6 , 13 = = = =
L
i
v
i
o
I
R
R
A
i
i
A
Ri
O = + = k R
i
32 , 10 1 . 1 46 , 0 10
Realimentacin CB
51
8.9 Anlisis de Amplificadores con
Realimentacin
Realimentacin EB
Evita la disminucin en la Ri
debida a la red de polarizacin
Circuito de
Continua
Circuito de
Pequea seal
52
8.9 Anlisis de Amplificadores con
Realimentacin
Realimentacin EB
Configuracin CC
entre vo y v1
1
v
v
K A
O
v
= =
2 1
3
/ 1 1
B B
R R
K
R

K
R
1
3
E B B L
m L
L
R R R
K
R
R
g g R
R
K
2 1
3
/ 1 1
;
) /( 1

=
+ +
=
t
53
8.9 Anlisis de Amplificadores con
Realimentacin
Condensador de Emisor
RE Mejora las estabilidades del circuito
de polarizacin

Disminuye la ganancia del Circuito

Para mantener elevada la ganancia y
las estabilidades, introducimos CE