MEMORIASYBUSES

Las memorias son dispositivos de almacenamiento de informacin, en la cual los bits se graban en
celdas.
ESTRUCTURA. (Ejemplo de una memoria de 8 x 8)
A
2
A
1
A
0
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
Direcciones Informacin Datos
D
7
D
6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
Palabra 0
Palabra 1
Palabra 2
Palabra 3
Palabra 4
Palabra 5
Palabra 6
Palabra 7
Cadapalabraesde8bits
Lacapacidaddelamemoriaesde:
8x8=64bits
Acadadireccinlecorrespondeunapalabra
(informacin,datos,instrucciones,...)
TIPOS DE MEMORIA: Existen dos tipos de memoria
RAM , memorias de lectura y escritura (voltiles si Vcc = 0V se pierde el dato)
ROM, memorias de lectura solamente (no voltiles)
MEMORIARAM
RAM ESTATICA SRAM
CeldasdememoriasonFF,porloqueeldato
permanence indefinidamentesiemprequeeste
alimentada.
Potenciadisipada>DRAM
Capacidad(densidad):Celdaspormm
2
Costoporcelda
Velocidad(Tiempodeacceso)
RAM DINAMICA DRAM
Celdasdememoriasoncapacitores,porloqueel
datosepierdegradualmente,porlotantoes
necesariorefrescarpermanentementeelmismo
cada2,4o8mseg.
Potenciadisipada:menorSRAM(6veces)
Capacidad:4veceslaSRAM
Costo:menorqueSRAM(5veces)
Velocidad:menorqueSRAM
CELDADEMEMORIADEUNADRAM
SW1
SW2
SW3
+
_
Vref
SW4
Datosde
Entrada
Operacindeescritura
SW1ySW2cerradas
SW3ySW4abiertas
PosteriormenteseabrenSW1ySW2,
conloqueelcapacitor queda
desconectadodelcircuito
Operacindelectura
SW2,SW3ySW4cerradas
SW1abierta
MEMORIARAM/ROM/PROM/EPROM/EEPROM
Deestemodoseconectaelvoltajequehayenelcapacitor alamplificadorelcual
comparaesatensinconunareferenciaycolocaalasalidauncero oununo ,
produciendounasalidadecerovoltsode5volts.
Estasalidadedatostambinestaconectadaalcapacitor yasi seregeneraelvoltajedel
capacitor cargndoloodescargndolosegnseaelcaso.Enotraspalabras,elbit de
datosdeunaceldaseregeneracadavezqueesleido.
MEMORIAROM
ROM: Laprogramaelfabricante
PROM: ROMprogramableporelusuario,seprogramaunasolavez
EPROM: ROMprogramableyborrable(conluzUV)porelusuario
Enelprocesodeborradoseborrantodaslasceldas
Chipscomerciales27C64:8Kx8;27C512:64Kx8
EEPROM ROMprogramableyborrable(elctricamente)porel
usuario Sepuedenborraryrescribirbytesindividualmente.
Duranteunaoperacindeescrituralacircuiteria internaborra
lasceldasdeesadireccinantesdeescribirlosnuevosdatos
Tienemenoscapacidad(bits/mm
2
)queunaEPROM,porlo
tantoesmascara.
MEMORIAFLASH
FLASH (Memoria instantnea)
EstetipodememoriasuperalasdesventajasdelaEEPROMrespecto de
laEPROM (capacidadycosto)
SedenominanFLASHdebidoasustiemposrapidos deborradoy escritura.La
mayoria deestoschipsusanunaoperacinde borradomasivo.LasmemoriastipoFLASH
masmodernas ofrecenunmododeborradoporsector
TiempodeescrituramemoriaFLASH:10seg
TiempodeescrituramemoriaEEPROM:5mseg
EEPROM
FLASH
EPROM
ROM PROM
Densidad
Complejidad
y
Costo
EnelsiguienteesquemaMostramosuncuadrocomparativo
MEMRISTOR
En teora de circuitos elctricos, el memristor es un elemento de circuito pasivo.
Ha sido descrito como el cuarto elemento de los circuitos pasivos, Junto con los
tres mejor conocidos: el condensador, la resistencia y el inductor. El nombre es
una palabra compuesta de memory resistor (resistencia-memoria).
Un memristor efectivamente almacena informacin porque el nivel de su
resistencia elctrica cambia cuando es aplicada la corriente. Donde una
resistencia tpica proporciona un nivel estable de resistencia, un memristor puede
tener un alto nivel de resistencia que puede ser interpretado en una computadora
en trminos de datos como un " 1" , y un bajo nivel que puede ser interpretado
como un " 0" . As, controlando la corriente, los datos pueden ser guardados y
reescritos. En un sentido, un memristor es una resistencia variable que, con su
resistencia, refleja su propia historia.
El memristor fue predicho y descrito en 1971 por Leon Chua, de la Universidad de
California, Berkeley,
El inters en el memristor revivi en 2007 cuando Stanley Williams de Hewlett
Packard inform de una versin experimental de estado slido. No se pudo
construir un dispositivo de estado slido hasta que lo hizo posible el
comportamiento inusual de los materiales de nanoescala. HP ha hecho un
prototipo de una memoria crossbar latch usando dispositivos en donde pueden
caber 100 gigabits en un centmetro cuadrado. Por comparacin, las memorias
flash de ms alta densidad almacenan 16 Gbit en la misma rea.
CARACTERSTICAS
Tipo Fabricante Designacion Capacidad Tecnolo
gia
t
acc
Icc Iccs Vcc
ROM NEC PD23C6400 8Mx8= 64Mbit CMOS 100ns 40mA 30A 3V
FLASH NEC PD29F032202 4Mx8= 32Mbit CMOS 85ns 6mA 5A 3V
FLASH CATALYST CAT28F020 256Kx8=2Mbit CMOS 90ns 30mA 100A 5V
SRAM NEC PD442000A 256Kx8=2Mbit CMOS 55ns 30mA 1A 3V
SRAM SAMSUNG KGT0808CID 32KX8=256K CMOS 30ns 5mA 30A 5V
EEPROM CATALYST CATLV256 32Kx8=256Kb CMOS 200ns 15mA 150A 3V
MEMORIAROM
DIAGRAMADELECTURA
t
0
t
1
t
2
t
3
Tiempo
1
0
__
CS
Entradasde
Direcciones
Salidasde
Datosvalidos
Direccin
anterior
Nuevadireccion valida
HiZ
t
acc
t
OE
Salidade datos
1
0
0
Operacin de lectura ROM
ICCs: Corriente de Standby
MEMORIA ALU
Contenido de una fila de la Memoria
1 1 0 0 0 1 0 1
b0 b1 b2 b3 b4 b5 b6 b7 A3
Organizacin de una memoria de 16x8
E : Entrada de
habilitacion
R/W : Control de
lectura / escritura
ALU
Ai Bi
Si
Fi
F = A 1 1 1 1
F = A + B 1 1 1 0
F = A + /B 1 1 0 1
F =1 1 1 0 0
F = A.B 1 0 1 1
F = B 1 0 1 0
F = /(A*B) Exc. Neg 1 0 0 1
F = /A + B 1 0 0 0
F = A./B 0 1 1 1
F = A * B EXCLUSIVA 0 1 1 0
F = /B 0 1 0 1
F = /(A.B) NAND 0 1 0 0
F = 0 0 0 1 1
F = /A.B 0 0 1 0
F = /(A+B) NOR 0 0 0 1
F = /A NOT A 0 0 0 0
S
3
S
2
S
1
S
0
FUNCION LOGICA SELECCION
APLICACIONES ALU/MEMORIA
Supongamos que deseamos realizar en forma secuencial una serie de
operaciones (PROGRAMA) lgicas, como ser:
1 A * B Exclusiva
2 A.B AND
3- /A + B NOT A OR B
4 - /A+B) NOR
5 OTRA OPERACION
- 1 1 1 1
- 1 1 1 0
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- 0 1 1 0
- 0 1 0 1
x x x x 0 1 0 0
0 0 0 1 0 0 1 1
1 0 0 0 0 0 1 0
1 0 1 1 0 0 0 1
0 1 1 0 0 0 0 0
DATA ADDRESS
CONTADOR
CI = 0000
Ck
DATA
El contador inicia en 0000, por lo que el primer dato que saca es el 0110 que
corresponde a la funcion A exclusiva B y asi sucesivamente. Cuando el
contador esta en el estado 0100 se ejecuta otra operacin que forma parte del
programa
Ai Bi
Si
Fi
BUS UNIDIRECCIONAL
BUS BIDIRECCIONAL
EJEMPLO
A
2
A
1
A
0
R/W
DATA
CS
MEMORIA
DECODIFICADOR
CS
0
CS
1
CS
2
CS
3
CE
I/O
3
74LS645
S/R
CE
I/O
2
74LS645
S/R
CE
I/O
1
74LS645
S/R
CE
I/O
0
74LS645
S/R
ADC2 ADC1 DAC2 DAC1
Vin1 Vin2 Vo1 Vo2
P