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ndice
I.-Prologo.. 3
II.-Planos cristalogrficos 4
III.-ndices de Miller.. 5
IV.-Direcciones de celda 6
V.-Notacin de planos 8
VI.-Ley de Schmidt. 9
VII.-Difusin.10
VIII.-Primera ley de Fick 11
IX.-Segunda ley de Fick. 14
X.-Referencias......15
Prlogo
La cristalografa es parte fundamental de la qumica.
Los cristales son solidos homogneos que presentan una estructura
interna y externa los cuales se representan en planos cristalogrficos
para la interpretacin de estos que tenemos los ndices de Miller.
La estructura de los cristales depende de la direccin de celdas las
cuales tambin estn basadas en los ndices las cuales tienen una
interpretacin y una notacin de planos.
La ley de Schmidt se pueden entender las diferencias en el
comportamiento de los metales que tienen diferentes estructuras,
examinando la fuerza requerida para iniciar e l proceso de
deslizamiento y como un metal es un cristal tambin tiene difusin la
cual es un proceso fsico irreversible, en el que partculas materiales
se introducen en un medio que inicialmente estaba ausente.
Normalmente los procesos de difusin estn sujetos a las Leyes de
Fick.
La primera ley de Fick nos dice, que la velocidad de transferencia de
materia de un componente en una mezcla de dos componentes 1 y 2,
estar determinada por la velocidad de difusin del componente 1 y el
comportamiento del componente
Y en la segunda nos dice, la difusin en rgimen no permanente se
aplica a muchos mtodos experimentales en donde se determina el
coeficiente de difusin. Y todo esto es parte de los estudios de los
cristales.
Planos cristalogrficos
Los planos cristalogrficos se denotan por los ndices de Miller. Estos ndices
corresponden a los inversos de los puntos de corte del plano que queremos
caracterizar con cada uno de los ejes de coordenadas, y se representan entre
parntesis sin comas (hkl). Los ndices de Miller pueden representar a un plano o
a toda una familia de planos paralelos que tienen la misma orientacin. Para
calcular los ndices de Miller hemos de hacerlo siempre sobre un plano de la
familia que no pase por el origen.
Como ejemplo encontraremos los ndices del plano XY. Este plano no corta ni el
eje X ni el eje Y, los corta en el infinito, en cambio el eje Z lo corta, por ejemplo en
el 1. Entonces los ndices de Miller para el plano XY son (hkl) = (1/ 1/ 1/1) =
(001)
ndices de Miller
Los tomos en un slido estn empaquetados, con lo que existe un cierto grado
de orden:
- de corto alcance (slidos moleculares, con enlaces fuertes- covalentes- entre
tomos y ms dbiles van der Waals- entre molculas ).
- de largo alcance (slidos cristalinos)
En el interior de un slido cristalino existe una estructura cristalina formada por
una red espacial, en cada punto de la cual se sitan grupos de tomos idnticos
en composicin y orientacin (base).
La geometra de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de
tomos sin dejar huecos, caracterstica que hace que slo existan 14 tipos de
redes posibles (redes de Bravais), caracterizadas por una celda unitaria cada una,
que, a su vez viene definida por una serie de parmetros (a,b,c y , , ).
Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los ndices
de Miller (para planos (hkl), para direcciones [hkl]).
La orientacin de una superficie de un cristal plano se puede definir considerando
como el plano corta a los ejes cristalogrficos principales del slido. La aplicacin
de un conjunto de reglas conduce a la asignacin de los ndices de Miller (hkl); un
conjunto de nmeros que cuantifican los cortes y que slo puede usarse para
identificar un plano o una superficie.
El siguiente procedimiento que permite asignar ndices de Miller est simplificado y
slo sirve para el sistema cbico (con celda unitaria de dimensiones a x a x a ).
Direccin de celda
Celdas Cbicas.
Los ndices de Miller de un plano cristalino estn definidos como los recprocos de
las intersecciones que el plano determina con los ejes x, y, z de los tres lados no
paralelos del cubo unitario. Las aristas de una celda cbica unitaria representan
longitudes unitarias y las intersecciones de los planos de una red se miden en
base a estas longitudes.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller para un plano de un cristal
cbico es el siguiente:
Escoger un plano que no pase por el origen en (0,0,0)
Determinar las intersecciones del plano en base a los ejes x, y, z cristalogrficos
para un cubo unitario. Estas intersecciones pueden ser fraccionarias.
Construir los recprocos de las intersecciones.
Despejar fracciones y determinar el conjunto ms pequeo de nmeros enteros
que estn en la misma razn de las intersecciones. Estos nmeros enteros son los
ndices de Miller de un plano cristalogrfico y se encierran entre parntesis sin
usar comas. La notacin (hkl) se emplea para indicar los ndices de Miller en
sentido general, donde h, k, y l son los ndices de Miller para un plano de un cristal
cbico de ejes x, y, y z respectivamente.
Ejemplos
Las intersecciones del primer plano son 1, 1, y los recprocos de estos nmeros
son 1, 1, 0 no involucran fracciones, siendo los ndices de Miller (1 1 0).
Para la segunda figura, las intersecciones son: 1, , a los ejes x, y, z
respectivamente, por lo tanto los recprocos son: 1, 0, 0. Los ndices de Miller para
este plano son: (1 0 0 ).
Finalmente, el tercer plano, tiene las intersecciones 1, 1, 1 que nos dan un ndice
de Miller (1 1 1).
Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que uno
ms cortes se hacen cero, el plano ha de ser desplazado a una posicin
equivalente en la misma celda unitaria de modo que el plano permanezca paralelo
al original. Esto es posible porque todos los planos paralelos equidistantes son
indicados con los mismos ndices de Miller.
Notacin de planos
Planos en celda unitaria
Las superficies cristalinas en celdillas unidad HPC pueden ser identificadas
comnmente utilizando cuatro ndices en lugar de tres. Los ndices para planos
cristalinos HCP, llamados Miller- bravais, son designados por letras h, k, i, l
encerrados entre parntesis (hkil). Estos ndices hexagonales de 4 ndices estn
basados en un sistema coordenado de 4 ejes.
Existen 3 ejes bsicos, a1, a2, a3, que forman 1200 entre si. El cuarto eje c es el
eje vertical y est localizado en el centro de la celdilla unidad. L a unidad a de
medida a lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los tomos a lo largo
de estos ejes .la unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la
ce l d i l l a u n i d a d . Los recprocos de las intersecciones que un plano cristalino
determina con los ejes, a1, a2, a3, proporciona los ndices h, k e i mientras e l
recproco de la interseccin con el eje c da el ndice
Ley de Schmidt
Se puede entender las diferencias en el comportamiento de los metales que tienen
diferentes estructuras, examinando la fuerza requerida para iniciar el proceso de
deslizamiento .Suponga que se aplica una fuerza unidireccional F a un
cilindro de metal que es un cristal. Simple o mono cristal. Es posible
ubicar el plano de deslizamiento y la direccin del desplazamiento al aplicar
la fuerza, definiendo los ngulos y . es e l ngulo entre la direccin del
desplazamiento y la fuerza aplicada, y e s e l ngulo entre la normal al plano
de desplazamiento y la fuerza aplicada. Para que la dislocacin se mueva en el
sistema de deslizamiento, se necesita que acte una fuerza de cizalladura en la
direccin del desplazamiento, producida por la fuerza aplicada. La resultante de
esta fuerza de cizalladura, Fr, est dada por:
Fr=F Cos
Difusin
La difusin es un proceso fsico irreversible, en el que partculas materiales se
introducen en un medio que inicialmente estaba ausente, aumentando la entropa
del sistema conjunto formado por las partculas difundidas o soluto y el medio
donde se difunden o disolvente.
Cuando en un sistema termodinmico multicomponente hay un gradiente de
concentraciones, se origina un flujo irreversible de materia, desde las altas
concentraciones a las bajas.
La difusin aparece como consecuencia de la no-existencia de equilibrio
qumico; tiende a devolver al sistema a su estado de equilibrio, de concentracin
constante.
Normalmente los procesos de difusin estn sujetos a la Ley de Fick.
La membrana permeable puede permitir el paso de partculas y disolvente
siempre a favor del gradiente de concentracin. La difusin, proceso que no
requiere aporte energtico, es frecuente como forma de intercambio celular.
Difusin por vacancia
Tanto en la auto difusin como en la difusin de tomos sustitucionales, un tomo
puede abandonar un sitio en la red para llenar una vacancia cercana. Pero en el
mismo momento se crea una vacancia en el sitio antes ocupado por el.
Difusin interticial
Si al estructura cristalina esta presente en un tomo o ion pequeo, esta pasara
en un sitio interticial sin necesidad que existan vacancias. Este mecanismo ser
mucho mas rpido que el anterior, ya que el numero de sitios intersticiales es
mayor que el de vacancias.
Por ejemplo
La experiencia nos demuestra que cuando abrimos un frasco de perfume o de
cualquier otro lquido voltil, podemos olerlo rpidamente en un recinto cerrado.
Decimos que las molculas del lquido despus de evaporarse se difunden por el
aire, distribuyndose en todo el espacio circundante. Lo mismo ocurre si
colocamos un terrn de azcar en un vaso de agua, las molculas de sacarosa se
difunden por todo el agua. Estos y otros ejemplos nos muestran que para que
siendo:
J1: velocidad molar de difusin por unidad de rea.
D12: difusividad del componente 1 en el componente 2.
C1: concentracin molar del componente 1.
Z: distancia en la direccin de la difusin.
De la misma manera, la velocidad de difusin en el componente 2 viene dada por:
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Referencias
Paginas web:
http://www.youtube.com/watch?v=qCmt-4dRYfU
http://webdelprofesor.ula.ve/nucleotrujillo/alperez/teoria/cap_03cproyeccion_de_planos/06-notacion_convenida_planos.htm
http://www.unedcervera.com/c3900038/ciencia_materiales/indices_miller.html
http://www.buenastareas.com/ensayos/Leyes-De-Fick/1078541.html
http://books.google.com.mx/books?id=jbNCBpVwE9AC&pg=PA436&dq=brown+qu
imica+cristalografia&hl=es&sa=X&ei=STVBT9q5EeKe2AXhm6SWCA&ved=0CC0
Q6AEwAA#v=onepage&q&f=false
http://www-fen.upc.es/wfib/virtualab/VivasLeon/Conceptos_fisicos.htm
http://www.angelfire.com/me3/mambuscay/Art5.h
SANDS, Donald. Introduccin a la Cristalografa. Ed. Revert S.A
http://www.mailxmail.com/curso-hidrometalurgia-extraccion-disolventes/leyesdifusion-molecular-leyes-fick-160
http://es.scribd.com/doc/15438385/LEY-DE-SCHMID-Y-LIMITES-DE-GRANO
Libros consultados:
Raymond Chang Qumica General 7Th Edicin
FISICOQUMICA (4 Edicin en castellano) Ira N. Levine(1996) McGrawHill.
Manual de mineraloga IV edicin basado en la obra de J. D DANA Editorial reverte s.a.
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