矽魔術原子團在矽(111)表面上的

遷徙現象
文 何孟書、黃英碩、鄭天佐

摘要

在矽(111)表面上，存在著一種非常奇特的原子團(Si magic cluster)。這種原子團不但有

著固定的結構與動態跳躍模式，我們更發現，在溫度高於 450℃時，它會開始產生遠距離的遷徙。
伴隨著對這些魔術原子團跳躍與遷徙現象的觀察，我們更進一步發現，它在矽(111)表面上，是

質量轉移最基本的單位。這可從表面原子台階的波動或表面成核與磊晶成長的高溫動態機制中
觀測得知。最後我們在矽(111)表面上通以特定方向的電流，藉由觀測矽魔術原子團的擴散作
用，我們觀測到表面電遷徙 (surface electromigration) 的現象。

一 、簡介 一些原子、分子動態行為的研究，像是氫原
隨著科學與科技的的日漸發展，擁有穩定 子、氧分子[5]的跳躍機制與路徑，表面原子

結構的小分子團或奈米粒子，近來已引起極大 台階[6]的波動與成長[7]或者是不規則形狀
的注意！在過去的幾年由於半導體工業的興 結構的衰退與重建，直至今日也依然還被廣泛
盛，人們對小分子團的的注意都停留在金屬與 的研究中。但儘管如此，到底什麼樣的原子種

半導體原子團的特性探討[1-4]，以期能進一 類在進行這些動態過程，一直都沒有一個肯定
步作為改良積體電路設計與為電子元件的基 的答案。單一而個別的矽原子一向被認為是最
礎。近年來更為了減少電晶體的結構，縮小元 自然的候選者，但卻從來沒有實驗可以提出佐

件的尺寸，而更進一步去研究小分子團的自然 證。我們對於矽魔術原子團的發現與觀測正足
特徵與動態行為。獨特的物性與化性使小分子 以為上述的論點，提供解答。
團具有與基底結構完全不同的表面活性與運 在這篇文章中，我們將探討矽魔術原子團

動機制，藉由與不同表面的鍵結，甚至可創造 在矽(111)-7×7 表面上的動態行為，包括它的

出新的原料與材質，使科技邁入新紀元。 跳躍模式與擴散機制，成核、磊晶成長、質量
矽(111)-7×7 的重構表面，過去一直是半 轉移的現象。更進一步，我們將討論探測這些

導體表面科學研究的重點。在這複雜的表面上 矽魔術原子團在表面電遷徙現象中的驅動力

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與效應[8]。 利用可變溫式的掃描穿隧顯微鏡，我們在
二 、實驗 Si(111)-7×7 的表面上可以觀測到一種非常特
所有的實驗均在超高真空下進行。我們所 別的魔術原子團。圖一(a)與(b)顯示一個在室
使用的掃描穿隧顯微鏡是 JEOL 的可變溫式 溫下所呈現的矽魔術原子團 STM 影像: (a)顯
4500 機型。在整個實驗過程中真空都維持在 5 示在其基底偏壓為正的情況下，奇異原子團呈
-11
×10 Torr 左右。所使用的矽(111)晶片在放 現像具有 6 個花瓣的小花，若再仔細觀測，其
入真空後會先加熱到 600℃ 以去除表面氧化 中 3 個花瓣比起其他 3 個顯得更亮更明顯，而
層及不乾淨物質，繼之會再利用快速升溫的方 顯而易見的是，這並不是一個左右對稱的原子

式加熱到 1250℃數秒，然後慢慢的冷卻到室 團。再仔細觀測(b)圖，在負的基底偏壓下這

溫，得到乾淨的 7×7 重構表面，由於要做長距 個原子團只呈現一團巨大的亮點，比起 7×7 的
離的擴散觀測，表面平台的大小，一般均要大 重構表面，大約是高了 1.5 A 左右。若把這

於 2000 A。而表面缺陷也控制在 5 % 之下。 個魔術原子團的位置與 7×7 的模型(圖一(c))

在特別的表面處理之前，也盡量使非 7×7 的區 做一比較，則可發現在(a)圖中所呈現的六個
域降至最小，以減少實驗誤差。在變溫中連續 花瓣，正好坐落在 7×7 的第二層 rest-atoms

追蹤的實驗方式請參閱參考資料[5]，在此不 中，且沿著 [ 1 1 2] 的方向，呈現左右不對稱

做詳細說明。溫度測量均已用熱電偶校正過， 性 。每個 花瓣 與花瓣 之間 的距離 大約 是在

誤差大約在±2 ℃左右，所有的 STM 圖像均取 3.8 A 左右，若與矽原子與矽原子之間的鍵
在穿隧電流 0.1 nA 之下，以減少探針效應。 結( 2.5 A)相較，是大得多了。但因為這個原
子團原子間的鍵結非常緊密，我們估測這個原
三 、結果與討論 子團應不只具有 6 顆的矽原子。實驗的估算大
約在 9 到 15 顆的矽原子，當然正確的數目與
結構，還有待理論學家進一步的証實。但若使
用目前自由空間下的原子團模型，則無一個可
以詮釋它。另外因為在高溫的實驗中，原子所
具備的動能較高，因此較難比較六個花瓣的不
(C)
7.7 o
A
對稱性與差異性，因此在下面的文章中，我們
均以負偏壓所顯現的 STM 圖來做一表示。
112
其實在 Si(111)這個表面上若使用蒸鍍的
方式，隨著蒸鍍量或溫度的不同，是可以得到
Si adatom
數十種不相同的原子團。但它們一般均是屬於
Si rest atom

faulted half unfaulted half 不穩定態，在表面溫度升高至 200 ℃的過程

中會一一解離。但是矽的魔術原子團卻可適存
圖一：矽魔術原子團 STM 影像(a) 顯示在室溫 於任何溫度，甚至到表面溫度達到 900 ℃時，
基底偏壓為正 1.2 V 時所取之影像 (b) 基底
偏 壓 為 負 1.5 V 時 所 取 之 影 像 。 (c) 矽 我們依然可以發現它的身影。它的大小與結構
(111)-7x7 模型。
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不因蒸鍍量或溫度的不同而有所改變，甚至不 躍到邊角的位置(corner site)，很快的他又
蒸鍍矽到此表面上，我們依然可以在矽的表面 跳躍回原先的位置，並再進一步跨過晶格邊界
上觀測到它。這種穩定度高的原子團不因外在 而跳到另外半個(UF) 半單位晶格。在觀測了
的條件而改變它的自然特性，也不會因為任何 上萬個 STM 圖像之後，我們歸納出魔術原子團
偏壓或瞬間電壓造成解離現象，這是為什麼我 隨時間變動的跳躍行為，測出了這個魔術原子
們稱呼它為魔術原子團的主要原因。 團在不同溫度下，不同跳躍形式的跳躍參數，
依據 Arrhenius plot 我們可以決定矽魔術原
子團在每個跳躍過程中的活化能，如圖三所
15.0 15. 2 15.4 15.6 15.8 1 6.0 16 .2 16.4 16. 6
-3. 0 - 3. 0
W ti hin a F aulted H af
-3. 5 - 3. 5
a .0s b .121s c .279s Ea =2.55+0.06 eV
-4. 0 R0 =1015.46+0. 42 H z - 4. 0

-4. 5 - 4. 5
Ln R(Hz)
-5. 0 - 5. 0

-5. 5 - 5. 5
d.287s e.293s f . 331s
-6. 0 - 6. 0
Out o fa Fault ed H al f
-6. 5
Ea =2. 04+0.05 eV - 6. 5
圖二：表示一連串矽魔術原子團在 460 oC 時， Ro=1011. 66+0.37 H z
在矽(111)表面上跳躍的影像。 (a)-(c) 顯示 -7. 0
15.0 15. 2 15.4 15.6
- 7. 0
15.8 1 6.0 16 .2 16.4 16. 6
矽魔術原子團在 F 半個單位晶格中跳躍 (d) 15.0 15.2 15.4
-1
15.6(kB15.8
-1
T) (e16.0
V ) 16.2 16.4 16.6
顯示矽魔術原子團跳躍至角落位置(f) 顯示
Wit hin a n un fa ul ted half
矽魔術原子團跨越晶格邊界跳躍至 UF 半個單 -3. 5
Ea= 2. 64 +_ 0.0 7eV
- 3. 5

位晶格所有的影像均在基底偏壓為負 2V 時所 -4. 0 Ro= 1016 .06 +0.47 Hz - 4. 0

取之影像。
-4. 5 - 4. 5
Ln R(Hz)

-5. 0 - 5. 0
為了進一步研究矽魔術原子團對溫度的
-5. 5 - 5. 5
穩定度、動態行為與擴散機制，我們試著升高 -6. 0 - 6. 0

矽晶片的溫度。起初它並沒有任何反應，直到 -6. 5 Out of an unfaulted hal f - 6. 5

Ea= 1.9 6_+ 0.07eV
+
溫度超過了 400 ℃ 時我們才發現這個原子團 -7. 0 Ro= 1011.04 0.47 Hz - 7. 0

15.0 15.2 15.4 15.6 15.8 16.0 16.2 16.4 16.6

開始在半個單位晶格面積（被 dimer-row(晶
格邊界)所分割成的三角形半單位面積） ＊註一
中產生跳躍，圖二(a) (c)顯示一系列的 STM
影像，呈現一個矽魔術原子團吸附在(F)半單
位晶格的中心位置並移動。但在(d)圖時它跳
( kBT)-1(eV) -1
圖三：矽魔術原子團在半個單晶格中跳躍與跨
越晶格邊界跳躍至前它半個單位晶格之
Arrhenius plots (a) 與 (b) 分別顯示在 F
半個單位晶格中跳躍與在 UF 半個單位晶格中
跳躍。

＊註一
示。
每一個 7×7 的單位晶格是由 dimer-row(晶
格邊界)分成兩個三角形的半單位晶格所組成 在圖三中，我們亦可以發現矽魔術原子
的(請參閱圖 1(c))，這些半單位晶格在 STM 影 團在做跳躍時所需的活化能大約是在 2eV 左
像中較亮者稱為 faulted half-unit cell (F-半單位
右。若考慮原子之間的鍵結( 2eV) ，這個活
晶格)，較暗者稱為 unfaulted half-unit cell (UF-
半單位晶格) 。 化能看起來是非常小的。有可能是因為原子團
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內部強力的鍵結，所以它與表面之間的作用力 離跳躍機制所提出的。近年來 Krylov[11]也
較弱，如此才有機會像一個單位移動結構一樣
用理論預測了對於較大的原子團，因為原子團
在 Si(111) 表面上游走遷徙。當然，從事這
內部強力的鍵結，與基底的作用力較弱，致使
種高溫研究，探針效應的影響是非常重要的。
大原子團在進行擴散時會產生長距離跳躍行
但我們在檢驗了不同的掃描速度與不同的溫
為。我們的矽魔術原子團可以說是非常符合理
度效應觀察，發現在這個實驗中，探針的效應
幾乎可以忽略。 論的預測。在觀測魔術原子團做長距離跳躍的
實驗，唯一的困難點在於在表面上矽魔術原子
200
180 團的數目不可以太多，否則將會很難去判斷，
160
140
哪一顆原子團到底跳到哪些位置上，所以在溫
N of jumps

120
100
80 度高於 550 ℃時，因為矽魔術原子團的數目
60
40 及跳躍速度，我們進行觀測是有困難的。
20
0
0 250 500 750 1000 1250 1500

Thermal diffusion length (A)

圖四： 顯示在 480℃時熱擴散的長度分布。

有趣的是，我們發現矽魔術原子團在跳離
它原先所束縛的半晶格時，往往會移動到很遠
的地方，跳躍距離一般都在幾百個 A 以上，比
圖五： 表示一連串矽魔術原子團在 450 oC
較像是參考資料[9]中所提及的長距離跳躍， 時，在矽(111)表面上表面原子台階波動的影
不像一些單純的的原子分子，一般只在週遭跳 像。

躍。圖四是矽魔術原子團在 480 ℃時跳躍距

離的分佈，可以明顯的看出來，除了在原點之 我們之前也提過了，矽魔術原子團之所以

外，另有一個非常明顯的峰值分布值在 480 A 特殊的原因在於它穩定的結構與對溫度的穩

左右。一般而言，長距離跳躍大抵都是因為原 定性。在我們的實驗中，我們從沒有看到過他

子團與基底之間結構差異的不相容性，所以當 解 離成為 較小 的原子 團或 解離成 單一 矽原

它們之間的鍵結一旦破裂，原子團是很難再附 子，也沒有看到它形成更大的原子團，更有趣

貼在原先的基座上，一旦遠離原先的基座，要 的 是我們 發現 表面原 子台 階在作 高溫 波動

再找到一個與原子團本身結構非常適合的位 時，實際的運作卻是在進行矽魔術原子團的吸

置，相對於小分子、小原子而言，就困難多了。 附與退附的工作。圖五 (a) (c) 顯示一系

所以在諸多嘗試後，當它再一次現身與基底其 列的 STM 圖像，在較低的階梯表面裡，我們可

他部位相結合，就形成了長距離跳躍。長距離 以看到幾個矽魔術原子團寄居在非 7×7 的區

跳躍的機制，一般都把他歸類成「滑動－擴散」 域在圖(b)中，其中的 5×5 單位解離成 2 個矽

的機制，這是 Luedtke 與 Laudamau[10]，在 魔術原子團，隨後在 5 秒鐘後，這兩個矽魔術

探討 Au140 這個原子團，在石墨上運動時的長距 原子團消失了，5×5 的單位結構又再一次出

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現。原子台階的波動通常都包含了 2 個以上矽
魔術原子團的吸附與退附，一般而言，我們在
高溫時所觀測到的矽魔術原子團，大部分都來
自於表面台階的波動。
圖六：表示矽魔術原子團一般較容易被侷限在
表面原子台階旁或區塊邊界，圖在 480 oC 時，
基底偏壓為負 1.5 V 時所取之影像。
一般而言，矽魔術原子團很少出現在乾淨
的 7×7 表面上，他一般都出現在表面台階的邊
緣地帶、或在 7×7 的區域邊界上(圖六)、或吸
附在表面缺陷上。這些比 7×7 不規則的區域一
般而言都擁有像 2×2、C(4×2)、 3× 3 的結
構，矽魔術原子團在這些區域中因有較低的吸
附能，且移動性較高。因此若要尋找這些原子
團，應該尋找較不規則的區域。
圖七：表示一連串 5x5 的矽雙層島在 450 oC
時分解成矽魔術原子團之的影像，影像基底偏
壓為負 1.5 V 時所取之影像。
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在一般 7×7 的磊晶實驗中，在 400℃以
上，矽魔術原子團是除了矽的雙層島(bilayer
island)之外，唯一可以被觀測到的原子團。
我們也發現這些矽的雙層島在高溫時會慢慢
的解離成矽魔術原子團，圖七可看到一個 5×5
的矽雙層島在 450 ℃時慢慢的解離成矽魔術
原子團，然後跳出他的束縛範圍在 7×7 表面漫
遊，這個現象與 Ichimiya[12] 所看到的現象是
一致的。我們同時也可以看到，你可以用針尖
在 7×7 的表面上打個凹洞。在高溫時，凹洞癒
合前你也可以觀測到在表面遊走的矽魔術原
子團，會跳到凹洞的附近，掉到洞中後慢慢的
吸附在凹洞的邊緣，而進一步讓凹洞癒合，如
圖八所示。
圖八：表示在 450 oC 時，一連串矽魔術原子
團掉入表面凹洞，並慢慢鄰聚在洞的邊緣，而
進一步讓洞癒合之的影像，影像基底偏壓為負
2V 時所取之影像。
其實矽的魔術原子團不只在雙層島解離
或凹洞的瘉合中，扮演重要角色，我們發現它
對於矽(111)表面的成核與磊晶成長中一樣是
不可或缺的因子。我們一般都知道表面要成核
前，須具備有下列因素，首先成核粒子的數目
要夠多，並在高溫碰撞的過程中達到一定的活
化能之後，這些成核粒子就會崩解並形成更穩
定的表面結構，繼之與成核粒子的互相吸附就
會慢慢的形成磊晶成長。在我們對於原子團的
高溫觀測中，我們先使用特定的加熱方式把
7×7 的重構表面破壞，繼之把基底從高溫直接
冷卻到低溫在表面上製造出高密度的矽魔術
原子團，然後進行觀測。發現這些魔術原子團 在成核與成長的過程中，我們也注意到缺
在表面階梯旁或區塊(domain)邊界間較易積 陷的出現：像是原子台階、表面區域邊界、或

聚，這是因為在這些區域間具有較多鬆散結 點缺陷……等等，都會增加成核的機率。就如
構，等基底的溫度比 450 ℃更高時，矽魔術 同在前面圖九所提到的，在這些地方，矽魔術
原子團彼此的破壞後就會瞬時間成核成 7×7 原子團的吸附能較低，矽魔術原子團容易在這

的重構區塊，即之伴隨的就是矽魔術原子團與 些區間游走，增加成核後碰撞的機率。
7×7 區塊的吸附與退附動能，而慢慢成長成 7
×7 的巨大區塊。其實成核的過程不只是在表

面台階邊觀測的到，如圖九(a)(b)。在一般表
面平台上一樣可以觀測的到，如圖九(c)，只
不過需要更高的基底溫度，平台成核現象與
Hoshino 等人[13] 所觀得直接蒸鍍成核的效
應是類似的，矽魔術原子團必須先成核成一個
最小單位的(F)半單位晶格，，才會慢慢的長
成 7×7 的區塊，繼之個個小區塊成長後就會慢
慢的形成區塊邊界(domain boundary)如圖九
(c)所示。

如果在具有高密度矽魔術原子團表面上
蒸鍍些矽原子，我們在溫度高於 450 ℃時就
會發現，矽奇異原子團首先會成核成 7×7 的重
構區塊，更多的蒸鍍量會使矽的魔術原子團在
7×7 的重構區塊上積聚形成雙層 7×7 重構島或
5×5、9×9 的重構島，適度的升溫降溫會使重

構島的結構更趨穩定，進一步在完全覆蓋表面
一層後，慢慢的形成磊晶成長，如
Voigtlauder[14]等人所觀測的。唯一在此論

文中我們所持的觀點在於，過去一般人所認為
在成核與磊晶成長的過程中，矽單一原子是最
小的參與單位，但無論是在我們的圖像或其他
人的論文中所呈現的，矽原子易與其它原子形
成較穩定的矽魔術原子團，而以這些原子團為
最基本單位在 Si(111)-7×7 的表面上遊走、遷

徙，甚至於成核、磊晶成長仍是以它為單位進
圖九：顯示矽魔術原子團在矽(111)表面進行
行。 成核現象。

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圖十：表示在 450 oC 時一連串矽魔術原子團朝向電流走向遷徙之影像，影像基底偏壓為負 2 V
時所取之影像。 I 代表電流走向。

v v v
在觀測矽魔術原子團的動態行為後，我們 D =D +D
i iTH iEM
v v v
發現了一個更有趣的現象，我們發現矽魔術原
v ∑ Di ∑ DiTH ∑ DiEM
子團在做長距離跳躍時，有很大的比例會朝向 D= i = i + i
N N N
電流走向遷徙。如圖十所示，在這五個 STM 圖
v v
像中所顯示，在 450 ℃時有兩個矽魔術原子 在此 Di 表示每一次的跳躍位移， DiTH 表示在

團存在觀測表面上，圖十(a)。O 原子團在本 v
特定溫度下所造成的熱擴散位移， DiEM 表示
實驗中不移動，我們把它當作一個地標，在
120 秒後左上角的原子團移動到下方約 600 A 順著電流方向所造成的電遷徙位移，N 表示跳
的位置，並停留再該處十(b)。再經七十秒左 躍次數。
右，另一矽魔術原子團出現在右上角位置，如 若無電流效應下，在估算一定的跳躍次數後，
圖十(c)所示。隨後它跳躍到下方約 400 A 的
v
因為隨機運動(random walks) 的機制， D 應
位置的位置，在 10 秒後，它跳躍至左下方。
v
為 0。但 D 卻有一個非常大的合成位移，這是
在進行了兩次跳躍之後(d)、(e)也消失在觀測 表面電遷徙現象的表徵。
區域中。我們在觀測矽魔術原子團跳躍溫度 v
若LiTH = DiTH ,
450 ℃到 510 ℃的溫度區間中。觀測了成千
LTH 代表在特定溫度下平均熱擴散距離
個跳躍之後發現矽奇異原子團在電流的走向 v
方向，有一個除了熱所造成的遷徙現象外的巨
∑i DiTH
則LTH =
大位移，這就是電位差或電流所造成的電遷徙
N
v v v
DiEM = ( Di − DiTH ) ,
現象(electromigration)，甚至在把加熱方向
v
改變後也得到相同的結果，我們進一步再把每 ∑i DiEM
DEM 代表特定溫度下 =
一次跳躍的位移再做更進一步的簡單計算。 N

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圖十一：表示平均電遷徙跳躍距離(DEM)與平均
熱擴散距離(LTH)隨溫度變化的關係。 Step-up
與 Step-down 代表電流走向， Ｎ-type 與
P-type 分別代表不同載子樣品。
圖十一代表溫度與平均跳躍距離的關
係，並分別把 DEM 與 LTH 隨著溫度變化的關
係表示出來。
o
圖十二：表示一連串矽雙層島在 450 C 時分
解成矽魔術原子團之的影像，島不為各項均等
性解離，而是順著電流走向解離，影像基底偏
壓為負 2 V 時所取之影像。
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圖十三：表示在 480 oC 時，一連串矽魔術原
子團掉入表面凹洞，並慢慢順著電流走向鄰聚
在洞的邊緣，而進一步讓洞癒合之的影像，影
像基底偏壓為負 2 V 時所取之影像。
表面電遷移的現象是第一次在如此低的
溫度範圍中，經由個別的移動粒子觀測得到的
現象。實際上，你也可以在較高溫下(500 700
℃)經由矽雙層島的解離或高溫洞的填補過程
獲得。如圖十二所顯示，雙層島在解離的過程
並不是各向均等的縮小，它是順著電流的走向
在做解離的運動。圖十三顯示高溫洞的填補過
程。矽魔術原子團在接近洞的過程中，它有極
大的機會掉入洞中，隨即受到電流的牽引作用
移至左下角的位置，慢慢與洞的邊緣進行吸附
作用，而順著電流的方向由左下角填滿至右上
角。即使改變電流的流向，類似的過程依然可
觀測得到。
造成電遷徙的現象一般而言驅動力有兩
種：一種是靜電力，一種是載子作用力
(carrier wind force)，在我們的實驗中我們
不但分別比較了 N-type 與 P-type 的基底，更
因 為 在 溫 度 範 圍 (450 ℃ 550 ℃ ) 間 ，
carrier 密度不足以大到造成載子作用力，更
高的溫度的電遷徙現象 (＞900 ℃) 已在
Williams 的論文中談及，請參閱參考資料
[15]。 and L. Mitaš, Phys. Rev. Lett. 74, 1323
四、結論 (1995).
矽魔術原子團的動態觀測已證實：矽魔術 [5] I.-S. Hwang, R.-L. Lo, and T. T. Tsong,
原子團取代了單一矽原子在高溫擴散、表面成 Surf. Sci. 367, L47 (1996); Phys. Rev.
核或磊晶成長，所扮演的角色。獨特而不同於 Lett. 78, 4797 (1997); Surf. Sci. 399,
基底原子或其他矽原子團的結構特性與運動 173 (1998); R.-L. Lo, M.-S. Ho, I.-S
模式，使它更受矚目。在致力發展奈米科技與 Hwang, and T. T. Tsong, Phys.Rev. B 58,
奈米電子元件的今日，矽魔術原子團的發展亦 9867 (1998); R.-L. Lo, I.-S. Hwng,
或可創造出新結構的物質，尤其它在 Si(111) M.-S. Ho, and T. T. Tsong, Phys. Rev.
表面上電遷徙現象的觀測，更有助於解決目前 Lett. 80, 5584 (1998).
半 導 體 電 子 元 件 的 連 接 線 路 [6] H. Tokumoto and M. Iwatsuki, Jpn. J.
(interconnection) 問題。對於未來的奈米半 Appl. Phys. 32, 1368 (1993); S-I
導體電子元件設計更是極需解決的重要課題。 Kitamura, T. Sato & M. Iwatsuki, Letter
to Nature, 31, 215 (1991).
致謝 [7] J. A. Venables, G. D. T. Spiller, and
本篇文章感謝蘇志川同學的謄寫與校稿。 M. Hanbucken, Rep. Prog. Phys. 47, 399
(1984); Th. Micheley, M. Hohage, S.
參考資料： Esch, and G. Comsa, Surf. Sci. 349, L89
[1]Physica nad Chemistry of Small (1996); B. Voigtlander , M. Kastner and
Clutsers, edited by P. Jena, B.K. Rao, P. Šmilauer, Phy. Rev. Lett. 81, (1998),
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物理雙月刊（廿五卷五期）2003 年 10 月
[9]K. Takayanagi, Y. Tanishiro, M. 作者簡介
Takahashi, H. Motoyoshi and K. Yagi, 何孟書，美國賓州州立大學物理博士，現任職
國立中興大學物理系助理教授，研究專長為奈
J.Vac.Sci. Technol. A 3, 1502 (1985);
米科學、奈米材料製作、深次微米表面研究。
K. Takayagi, Y. Tanishiro, S. Email: msho@gate.sinica.edu.tw
Takahashi, and M. Takahashi, Surf. Sci.
164, 367 (1985); E. Ganz, S. K. Thesis, 黃英碩，美國哈佛大學物理博士，現任職中央
L.-S. Hwang, and J. Golovchenko, Phys. 研究院物理研究所研究員，研究專長為表面科
學、半導體物理、掃描探針顯微術、表面原子
Rev. Lett. 68, 1567 (1992).
分子動態學、磊晶成長機制。
[10]W.D. Luedtke and U. Landman, Phys. Rev. Email:ishwang@phys.sinica.edu.tw
Lett. 82, 3835 (1999).
[11]S.Yu. Krylov, Phys. Rev. Lett. 83, 鄭天佐，美國賓州州立大學物理博士，現任職
4602 (1999). 中央研究院物理研究所特聘研究員，研究專長
為表面科學、表面電子與原子動態學、原子顯
[12]A. Ichimiya, Y. Tanaka, and K.
微學、場發射現象。
Ishiyama, Phys. Rev. Lett. 76, 4721
Email:mailto:tsongtt@phys.sinica.edu.tw
(1996); A. Ichimiya, Y. Tanaka, and K.
Hayashi, Surf. Sci. 386, 182 (1997).
[13] Hiroshi Tokumoto and Masashi Iwatuki,

Jpn. J. Appl. Phys. 32, 1368, Part 1,

No.3B (1993); T. Hoshino, K. Kokubun ,
H. Fujiwara, K. Kumamoto, T. Ishimaru
and I. Ohdomari, Phys. Rev. Lett. 75,
(1995).
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Lett. 77, (1996).

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(1997); E.S. Fu, D. J. Liu, M.D.
Johnson, J.D. Weeks and E.D. Williams,
Surf, Sci. 385, 259 (1997).

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物理雙月刊（廿五卷五期）2003 年 10 月