Amplificador de potencia

Una de las funcionalidades ms importantes de un transistor es la de amplificar seales. tambien

podemos hacer cambios de bases electromecanicas , con estos cambios es posible hacer muchos tipos
de seales como tambien negarlas
Los reguladores de potencia ms sencillos son lineales. Existen dos tipos de circuitos integrados (CI)
aptos para esta funcin: los amplificadores lineales y los reguladores de tensin lineales.
Los transistores bipolares de potencia se pueden emplear tanto en aplicaciones lineales como en
conmutacin, aunque son ms lentos y sensibles al fenmeno de la segunda ruptura, el cual es el
resultado de una distribucin no uniforme de la corriente en la unin base-colector (polarizada
inversamente durante conduccin) del transistor de salida, provocando un aumento de la temperatura en
aquella zona que puede destruir el dispositivo; y que es distinto de la ruptura primaria por avalancha.
Como la ganancia de corriente de los BJT es pequea, normalmente se los emplea en configuracin
Darlington.
El montaje ms tpico del transistor bipolar como amplificador de potencia, es el de emisor comn
(EC).

Funcionamiento en Clase A
El funcionamiento en clase A se produce cuando el transistor conduce durante todo el ciclo de seal sin
entrar en saturacin o en corte. El rendimiento del amplificador se define como la potencia de seal en
la carga dividida por la potencia entregada por la fuente de alimentacin, todo multiplicado por 100.
El rendimiento de un amplificador clase A es pequeo, en general muy por debajo del 25%. (visita las
pginas web de transistoresbipolares).

Limitacin de potencia para un transistor

La temperatura en la unin del transistor limita la potencia que un transistor puede disipar sin que se
destruya. La temperatura del encapsulado se halla entre la temperatura de la unin y la temperatura
ambiente. Los disipadores de calor permiten que el calor escape con mayor facilidad de un transistor, lo
que hace que disminuya la temperatura de la unin..

Recta de carga para seal

La recta de carga para seal tiene una mayor pendiente que la recta de carga para continua si la
resistencia de colector para seal es menor que la resistencia de colector para continua.

Lmites para la excursin de seal

Cuando la seal es grande, puede producirse un recorte en uno o en los dos semiciclos. Si el punto Q se
halla en el centro de la recta de carga para continua, se produce primero el recorte de ICQrc. Si el punto

Q se encuentra por encima del centro de la recta de carga para continua, se puede producir primero el
recorte de VCEQ (mxima variacin hacia la izquierda), o bien de ICQrc (mxima variacin hacia la
derecha). Depende de cual de los valores sea menor.
De manera ideal, el voltaje Vce puede llegar a obtener el mismo valor de la fuente que polariza el
circuito. Sin embargo de manera prctica no se consigue este valor, por ello se habla de un porcentaje
para la mxima excursin. As, para un Vcc(Voltaje de fuente de polarizacin) fijo y un porcentaje K de
mxima excursin, el mximo valor Vce que se obtendr ser Vce_mx = k*Vcc.
La mxima excursin de seal se conseguir cuando se logre ubicar el punto de operacin del transistor
en la mitad de la recta de carga AC, permitiendo al punto de operacin moverse en iguales
proporciones durante el ciclo positivo y negativo de la seal de entrada, entre 0 y K*Vcc . Al conseguir
esto, se entiende que al provocarse saturacin en la salida con un de los semiciclos de la seal de
entrada, se generar tambin saturacin en el semiciclo contrario.