UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA - UFBA

ESCOLA POLITCNICA
Departamento de Engenharia Eltrica

Transistor Bipolar de Juno - TBJ

DISCIPLINA: DISPOSITIVOS
ELETRNICOS ENGC41

Manoel Messias Silva Jnior

INTRODUO
No final de 1947, uma das
maiores invenes j realizadas
pelo homem, revolucionaria
completamente a eletrnica; o
transistor bipolar de juno.
Seus inventores, Dr. John
Bardeen, Dr. William Schocley
e Dr. Walter H. Brattain
ganharam por esse trabalho, o
prmio Nobel em 1956.

ESTRUTURA E SIMBOLOGIA
O transistor bipolar de juno um dispositivo
de trs terminais ligados a uma regio interna
formada por um cristal de material
semicondutor extrnseco, dividido em trs
partes, com caractersticas construtivas e
eltricas distintas, sendo duas de mesma
polaridade P ou N e a outra de polaridade
contrria, isto , o transistor bipolar pode ser
do tipo PNP ou NPN.

TBJ

A estrutura de camadas apresentada ao lado. Pode ser

verificado que este semicondutor possui trs camadas
(podendo ser NPN ou PNP) e duas junes (J1 e J2)

TBJ
Os trs terminais de um transistor bipolar recebem o nome de emissor, base e coletor.
A figura a seguir mostra a estrutura do transistor bipolar e seus smbolos.

Terminais (EBC)
Emissor - regio maior nvel de dopagem do transistor. do
emissor de onde partem os portadores de carga, em outras
palavras, o emissor quem define o sentido da corrente, por
isto ele possui uma flecha no seu terminal no smbolo do
transistor.
Base - regio mais estreita e com nvel mdio de dopagem.
Comparada as outras regies, a base se parece como uma
pelcula muito fina. Serve para fazer com que o transistor
comece a funcionar.
Coletor - regio de maior rea e menos dopada do transistor.
O coletor tem a maior rea, pois nessa regio onde h maior
dissipao de energia por efeito Joule. Para transistores de
maior potncia a regio de coletor est ligada a cpsula d
transistor.

ANALOGIA A DOIS DIODOS

Podemos fazer uma analogia do transistor bipolar de juno com dois diodos,
para entendermos alguns aspectos de seu funcionamento, porm no
podemos construir nenhum transistor dessa maneira.
A analogia baseada na estrutura do diodo de juno PN. Do terminal de base
para os terminais de emissor ou coletor vemos um diodo PN. Essa analogia
utilizada para o testes e identificao dos terminais do transistor bipolar de
juno.

TESTE DO TRANSISTOR
Fazendo-se uma analogia com diodos,
podemos testar um transistor bipolar e
identificar seus terminais. Primeiramente
identificamos a polaridade do transistor e o
terminal de base e depois os terminais de
coletor e emissor. A regio de emissor do
transistor mais dopada do que a regio
de coletor. Essa caracterstica utilizada
para a identificao do emissor e do coletor,
pois a tenso de conduo do emissor
levemente superior a tenso de conduo
do coletor. No exemplo a seguir o transistor
BD135 testado com um multmetro digital

TESTE DO TRANSISTOR

Transistores Darlington podem indicar valores errneos

MODOS DE OPERAO DOS

TRANSISTORES BIPOLARES
Para um transistor bipolar operar num circuito
necessrio que seja convenientemente polarizado. A
polarizao consiste na fixao de tenses e
correntes nos terminais do dispositivo, dentro de
seus limites de operao e modo de funcionamento
desejado. Existem quatro combinaes possveis de
polarizao do transistor bipolar de juno, porm
somente trs so utilizadas. Vamos considerar na
anlise um transistor NPN, porem o mesmo
procedimento poderia ser aplicado a um transistor
com polaridade complementar.

Primeira situao de polarizao

Os diodos equivalentes das junes emissor (BE)
e base coletor (BC) so diretamente polarizados.

Primeira situao de polarizao

Como os dois diodos BE e BC esto diretamente polarizados,
ento conduziro muito bem. Considerando os diodos
equivalentes como ideais, o circuito equivalente para essa
situao apresentado abaixo.

Segunda situao de polarizao

Os diodos equivalentes das junes base emissor (BE) e base
coletor(BC) so reversamente polarizados.

Segunda situao de polarizao

A essa situao de polarizao chamamos corte e
dizemos que o transistor est cortado quando a
polarizao entre base e emissor e entre base e coletor
reversa. O transistor cortado, ainda considerando o
exemplo anterior do interruptor utilizado para acender
ou apagar uma lmpada, corresponde a situao de
chave aberta, isto , a lmpada permanecer apagada
se o interruptor se mantiver nesta situao

Segunda situao de polarizao

A primeira e a segunda forma de polarizao
utilizada em circuitos em que o transistor deva
funcionar como uma chave. So chamados de
circuitos de chaveamento. Podemos utilizar
esta topologia para acionar motores,
lmpadas, vlvulas, cilindros e etc. As fontes
chaveadas tambm possuem transistores, ou
componentes similares, funcionando no
regime de corte e saturao.

Terceira situao de polarizao

O diodo BE diretamente polarizado e o diodo
BC reversamente polarizado.

Terceira situao de polarizao

Os circuitos que utilizam transistores operando na
regio ativa so chamados de circuitos lineares. Um
exemplo destes circuitos so os amplificadores de
udio, fontes de alimentao do laboratrio de
eletrnica e a fonte desenvolvida nesta disciplina. O
transistor utilizado para controlar uma determinada
tenso ou corrente de um circuito. O transistor poder
estar ligado em srie ou em paralelo, depende apenas
da topologia do circuito.

CURVA CARACTERSTICA

Caractersticas dos pontos importantes da

curva caracterstica de um transistor

Equaes

O transistor pode ser considerado um n:

IE= IC+IB
O transistor pode ser considerado uma malha:
VCE=VBE+VCB

Define-se:

IC
IE

como sendo o ganho de corrente na configurao

base comum

NotaoIE=2mA
de Tenso
e Corrente
Por exemplo:
e IC=1,98mA
1, 98 mA

contnuas

0 , 99
Grandezas
(correntes
e tenses) sero representadas por letras
2 mA
maisculas e ndices
maisculos, por exemplo, correntes de coletor (IC),
emissor (IE) e de base (IB). Tenso entre dois pontos representada por
ndice com duas letras, a primeira o ponto de maior potencial e a segundo
o ponto de menor potencial, por exemplo, a tenso base emissor (VBE),
a tenso coletor-emissor (VCE) e coletor-base (VCB). Se a tenso for
entre terminal e terra (GND), usa-se somente a letra relativa ao terminal,
VB, tenso da base ao terra.
IB= IE IC=2mA 1,98mA=0,02mA=20uA

Considerando o smbolo

VCB

VCE
VBE

Continuam validas as equaes

IE= IC+IB
VCE=VBE+VCB

O Ganho de Corrente
Para a montagem emissor comum define-se o ganho:

IC
IB

Esse parmetro tambm designado por hFE nos manuais

Por exemplo: IC=2mA e IB=20A

2 mA
20 A

2
0 , 02

100

o valor do beta no constante varia com a temperatura e com o valor da

corrente de coletor.

Os transistores so construdos para aplicaes especificas (udio, vdeo, chave, etc)

ou mesmo uso geral e por isso mesmo tem diferentes tamanhos e caractersticas.

BC548

BD 140

2N3055

Datasheet (folha de dados)

As grandezas que determinam os principais limites em um transistor so a
mxima corrente de coletor, a mxima tenso inversa entre base e emissor,
a mxima tenso inversa entre emissor e coletor e a mxima potencia
dissipada pelo transistor

Curvas Caractersticas de Coletor

So grficos de ICxVCE tendo IB como parmetro

Circuito para obter as curvas

IB

VBB V BE
RBB

Por exemplo: VBB ajustado para IB=10A

VCE variado, variando-se VCC

IC medido,

VCE(V) 0,1

0,2 0,5

IC(mA)
Com esses dados levantado o grfico

Observar a relao entre as duas correntes:

2 mA
2A

100

Se o procedimento for repetido para outros valores de IB sero

obtidas varias curvas chamadas de curvas caractersticas de coletor

As Regies de Operao do Transistor

Regio ativa ou regio de amplificao
A juno base emissor est polarizada diretamente e a juno base coletor
reversamente. Nessa regio o transistor usado como amplificador.

I C .I B
Regio de Saturao
As duas junes esto polarizadas diretamente. Nessa regio o transistor
usado como chave fechada.

I C .I B
Regio de Corte
As duas junes esto polarizadas reversamente. Nessa regio o transistor
usado como chave aberta.

IC IB 0

Referencias Bibliogrficas
Na preparao deste material didtico foram utilizadas
diversas fontes, entre as quais destacam-se:
[1] O material de aulas do Prof. Ademrio Carvalho UFBA;
[2] BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L.; Dispositivos Eletrnicos e
Teoria de Circuitos. 8.Ed. So Paulo: Prentice-Hall, 2007.
[3] MALVINO, A. P.; Eletrnica. 4.ed. So Paulo: Makron Books,
2009. V.1