ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTOR BIPLAIRE

CHAP II : TTRANSISTOR BIPOLAIREE

I-

Constitution

Le transistor bipolaire est constitu de trois couches de semi-conducteurs extrinsques.

On distingue deux types de transistors bipolaires, le transistor NPN et le transistor PNP.
Le transistor NPN est constitu par :
Une couche N fortement dope constituant lmetteur (E).
Une couche P trs mince et faiblement dope constituant la base (B).
Une couche N faiblement dope constituant le collecteur (C).

Structure

Symbole

Le transistor PNP est constitu par :

Une couche P fortement dope constituant lmetteur (E).
Une couche N trs mince et faiblement dope constituant la base (B).
Une couche P faiblement dope constituant le collecteur (C).

Structure

Symbole

II-

Principe de fonctionnement
II-1-

Cas du transistor NPN

Pour faire fonctionner normalement un transistor NPN, on polarise en direct la jonction metteur-Base (JEB) et en
inverse la jonction Collecteur-Base (JCB), en prenant soin davoir une tension beaucoup plus leve au niveau de la
jonction JCB.
On a donc pour un NPN : VE < VB < VC VE - VE < VB - VE < VC- VE 0 < VBE < VCE
IC

N- - - - - - - - -

V2
IB

P+ + + +
- - - - - - -- - - - - - - N- - - - - --

V1

IE

Les lectrons prsents dans lmetteur sont repousss par la borne (-) de V1. Une fois dans la base,
aprs quelques recombinaisons avec les quelques trous de la base, les lectrons sont davantages
attirs par la borne (+) de V2 que par la borne (+) de V1 car V2 > V2. Ainsi, un grand nombre
dlectrons est attir par V2 et un trs faible nombre par V1. Entre temps, les lectrons dans le
collecteur sont attirs par la borne (+) de V 2 galement.
Comme le dplacement dlectrons entraine le mme dplacement de courant en sens inverse,
alors leffet conjugu du dplacement des lectrons entre les deux jonctions, engendre un
important courant au niveau de lmetteur.
On note alors que dans un transistor NPN, le courant entre par la base (trs faible courant) et par le
collecteur (fort courant) pour ressortir par lmetteur.
Donc IE = IB + IC.

II-2-

Cas du transistor PNP

Pour faire fonctionner normalement un transistor PNP, on polarise en direct la jonction metteur-Base (JEB) et en
inverse la jonction Collecteur-Base (JCB), en prenant soin davoir une tension beaucoup plus leve au niveau de la
jonction JCB.
On a donc pour un NPN : VC < VB < VE VC VE < VB VE < VE VE VCE < VBE < 0 VEC > VEB > 0
IC

P+ + + +
+ + + + +

V2
IB

V1

N- - - ++ +++ ++
++ +++ ++
P+ + + + + + +

IE

Les trous de lmetteur sont repousss puis attirs respectivement par la borne (+) de V1 et la
borne (-) de V2. Toutefois au niveau de la base, aprs quelques recombinaisons avec les quelques
lectrons de la base, trs peu de trous seront attirs par la borne (-) de V1. Ainsi, un grand nombre
de trous est attir par V2 et un trs faible nombre par V1. Entre temps, les trous dans le collecteur
sont attirs par la borne (-) de V2 galement.
Le dplacement de trous entrainant la circulation de courant le mme sens, alors leffet conjugu
du dplacement des trous entre les deux jonctions, engendre un important courant au niveau de
lmetteur.
On note alors que dans un transistor PNP, le courant entre par lmetteur pour ressortir par la base
(trs faible courant) et par le collecteur (fort courant).
Donc IE = IB + IC.

OUATTARA ALI

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II-3-

TRANSISTOR BIPLAIRE

Convention des tentions et courants

Le sens des courants et tensions positifs sur le transistor NPN et PNP sont ci-dessous :

E
IC

IB

VCE

VBE

VEC

IB

IE

IC

IE = I B + I C

IE = IB + I C

Transistor NPN
II-4-

IE

VEB

Transistor PNP

Diffrents tats de fonctionnement dun transistor

a- Montage exprimental

Le montage exprimental est ralis avec un transistor NPN.

b- Relev de mesure
En faisant varier la tension VBB, on relve les valeurs de IB, IC, IE et VCE.
IB (mA)
IC (mA)
IE (mA)
VCE (V)
IC/IB

0
0
0
12

0,01
1,5
1,51
9,75
150

0,02
3
3,02
7,5
150

0,03 0,04
4,5 6
4,53 6,04
5,25 3
150 150
tat
tat

On distingue que le transistor a trois tats de fonctionnement :

0,05
7,5
7,55
0,75
150

0,06 0,07
7,83 7,83
7,89 7,9
0,25 0,25
130,5 111,86
tat

tat :
- Tous les courants sont nuls dans le transistor : IB = IC = IE = 0.
- La tension VCE est maximale : VCE = VCC.
Dans cet tat le transistor est dit bloqu.
Le transistor est donc quivalent un interrupteur ouvert.
tat :
- La tension VCE est comprise entre 0,25V et VCC : 0,25V0 < VCE < VCC.
- Le courant IC est proportionnel au courant IB : IC = IB.
: amplification en courant ou gain du transistor.
Dans cet tat de fonctionnement le transistor est dit passant ou en rgime linaire.
Pour le transistor tudi = 150. Ainsi on conclut qu partir dun faible courant de base on produit un
important courant de collecteur. Cette proprit particulire de tout transistor bipolaire, est appele
effet transistor.

OUATTARA ALI

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TRANSISTOR BIPLAIRE

En rgime linaire on a IC = IB. Or IE = IB + IC ; donc IE = IB(1 + ) = IC(1 + ).

Le gain pour un transistor a une valeur de quelques dizaines quelques centaines.

Ainsi la plupart du temps pour simplifier les calculs on pourra poser ou bien encore .
Dans les ouvrages anglophones, est souvent not h21 ou hfe.
tat :
- La tension VCE atteint une valeur minimale et ne varie plus : VCE = 0,25V 0.
- Le courant IC atteint une valeur maximale et ne suit plus une volution linaire de IB : IC < IB.
Dans cet tat le transistor est dit satur.
Le transistor est donc quivalent un interrupteur ferm.
la saturation la tension VCE = VCEsat 0 , le courant IC = ICsat < IBsat.

En rsum, le transistor est un composant lectronique gr par la relation IC = IB. Cette relation traduit
la possibilit de contrler un courant important (IC) laide dun courant beaucoup plus faible (IB), do
son utilisation grande chelle en amplification.
III-

Rseau de caractristiques du transistor

Cest un rseau de courbes qui dcrit lvolution du courant du collecteur IC en fonction de la tension VCE et ceci pour
diffrentes valeurs du courant de base IB. Aussi lvolution IC=f(IB) et IB = f(VBE).
IC
IB

VBB=5V

VCC

Schma du montage exprimental

IC (mA)

Caractristique de sortie :
IC = f(VCE)IB=cste

Caractristique de transfert en courant :

IC = f(IB)VCE=cste

M1

IB=30A

IB (A)

VCE(V)
0

M0

0,7 V
Caractristique dentre :
VBE = f(IB)VCE=cste

VBE (V)
OUATTARA ALI

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III-1-

TRANSISTOR BIPLAIRE

Observations du rseau de caractristiques :

La fonction IC = f(VCE) est matrise par la valeur du courant de base.

Celle-ci comporte essentiellement deux domaines :
o la partie o IC est peu variable pour une valeur de IB fixe, c'est le rgime linaire.
o la partie coude o IC varie trs vite pour des valeurs de VCE0, le transistor est en rgime
satur.

La fonction VBE = f(IB) est celle d'une jonction PN entre la base et l'metteur (cest comme une diode).

La fonction IC = f(IB) caractrise " l'effet transistor " en rgime linaire. C'est une droite de
pente (gnralement est trs leve).

Remarque :
- Au point M0 le transistor est bloqu. Entre son collecteur et son metteur le transistor est quivalent
un interrupteur ouvert.
- Au point M1 le transistor est satur. Entre son collecteur et son metteur le transistor est quivalent
un interrupteur ferm.
- Par la variation spontane du courant IB de 0 IB6 =60A ou inversement on peut passer de M0 M1 ou
inversement. Dans ce type de fonctionnement tout ou rien on dit que le transistor fonctionne en
commutation.
- En faisant varier IB tout en conservant le transistor en rgime linaire on peut utiliser le transistor en
amplificateur de courant.
III-2-

Puissance dissipe par un transistor - domaine utilisable

Les constructeurs prcisent, pour chaque type de transistor, les valeurs ne pas dpasser sous peine de dtruire le
composant.
Voici un extrait de la documentation constructeur du transistor 2N2222 (valeurs typiques)
VCE max = 30V : tension VCE maximale que le transistor peut supporter
IC max = 800 mA : courant IC maximal que le transistor peut supporter
Ptot max = 0,5 W : puissance totale que peut dissiper le transistor au maximum

La puissance que peut dissiper un transistor est donne par la somme des puissances fournies au transistor par le
circuit dentre (VBE.IB) par le circuit de sortie (VCE.IC) :
Mais en fonctionnement linaire, VBE.IB est ngligeable (quelques W) devant VCE.IC. Ainsi, la puissance dissipe par
le transistor est donne par :
Pd = VCE.IC

IV-

Polarisation du transistor

Pour fonctionner correctement, le transistor doit avoir sa jonction base-metteur polarise en direct ce qui
engendre un courant IB dans la base et un courant IC dans le collecteur.
Ltat du transistor (bloqu, satur ou linaire) est caractris par ce quon appelle le point de fonctionnement,
point de polarisation ou point de repos du transistor. Cet tat est indiqu par les grandeurs IC, IB, IE, VCE et VBE est
imposes par les lments extrieurs au transistor. Cest--dire les rsistances qui lui sont associes.
Au point de fonctionnement, les grandeurs lectriques sont nommes en gnral IC0, IB0, IE0, VCE0 et VBE0.
IV-1-

Droite de charge statique droite dattaque statique

Soit le schma ci-dessous appel montage de polarisation de base

Dans la maille dentre on dtermine VBE = f(IB) ou IB = f(VBE):
On a VBE = EB RBIB : cest la droite dattaque statique (DAS).
Dans la maille dentre on dtermine VCE = f(IC) ou IC = f(VCE):
On a VCE = EC RCIC : cest la droite de charge statique (DCS).
OUATTARA ALI

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EC
RC

TRANSISTOR BIPLAIRE

Suivant les valeurs de IC, IB, VBE, VCE, le transistor va fonctionner

en rgime linaire, bloqu ou satur.

P1

Sur la caractristique IC = f(VCE) du transistor, on trace la droite de

charge statique VCE = EC RCIC comme indique ci-contre.
P0

(DCS)

Le point d'intersection entre la droite de charge statique et les

caractristiques du transistor donne le point de fonctionnement
P0, P1 ou P2 du montage.

P2
EC
Ce sont les lments extrieurs au transistor (les rsistances) qui vont fixer ce point de fonctionnement :
- Si le point de fonctionnement appartient au segment ]P1, P2[ et idalement est en P0 alors le transistor
fonctionne dans la zone linaire.
- Si le point de fonctionnement est en P2 alors le transistor est bloqu.
- Si le point de fonctionnement est en P1 alors le transistor est satur.
Dterminons alors les lments extrieurs qui vont permettre de faire fonctionner le transistor dans l'un de ces trois
tats.
a- Point fonctionnement la saturation (point P1)
Condition de saturation : IC < IB et VCE = VCEsat 0
avec VBEsat 0,7V

On a en entre :

et en sortie :

en supposant EB >> VBEsat

EC
E
E
B R B < R C B .
EC
RC
RB
Si EB = EC alors la condition pour saturer le transistor devient RB < RC.

A la saturation on a

IC < IB

Remarque : Lamplification dun transistor augmente fortement avec la temprature.

Typiquement, pour un transistor au silicium, passe de 55 25C 100 175C.
Toutefois avec lchauffement du transistor en fonctionnement et donc laugmentation de, la condition
de saturation RB < RC est toujours vrifie.
b- Point fonctionnement au blocage (point P2)
Condition de blocage : IB = IC = IE = 0 et VBE < 0,7 V
On a EB VBE = RB*IB = 0 EB = VBE
Comme VBE < 0,7V EB < 0,7V 0V.
Donc la condition pour bloquer le transistor est EB < 0.
c- Point de fonctionnement en rgime linaire (point P0)
En rgime linaire on a : IC=.IB
1
IE = (1+ )IC IC
VBE = 0,7 V
VCE > VCEsat
OUATTARA ALI

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TRANSISTOR BIPLAIRE

En rgime linaire, la plupart du temps EC = EB = VCC ; on a donc :

VCE = VCC RC.IC
VBE = VCC RB.IB
On voit que si varie (changement de transistor ou variation due la temprature), alors le courant IC varie
fortement (IC = .IB), ce qui dplace le point de fonctionnement.
Ce montage "polarisation de base" n'est donc pas trs stable ; il dpend normment de la temprature de
fonctionnement. Il est donc exclure lorsque lon veut travailler dans la zone linaire du transistor.
Par contre le circuit de "polarisation de base" est surtout utilis dans les circuits numriques. Le transistor travaillant
alors en bloqu-satur (cest--dire en commutation).
Pour le fonctionnement rgime linaire, nous allons utiliser dautres montages qui permettront d'obtenir un point
de fonctionnement le plus possible indpendant du du transistor et donc indpendant de la temprature. Dans
ces conditions le point de fonctionnement sera stable.
IV-2-

Polarisation par rsistance de base

-

On dtermine le courant IB en crivant la loi dOhm dans la maille dentr :

VCC = RBIB + VBE + RE(IB + IC)

En remplaant IC par IB , on obtient : VBE = VCC [RB + (1+)RE]IB

Avec 1<<, on dduit VBE = VCC (RB + RE)IB (Droite dattaque statique:DAS)
Cette expression montre que VBE varie en fonction de IB. Toutefois comme cette
variation de VBE reste assez faible pour toute la plage de variation de IB, alors on
prendra en gneral VBE= cste 0,7V pour les transistors au silicium.
-

La tension VCE est obtenue en crivant la loi dOhm dans la maille de sortie :
VCC = RC IC +VCE + RE (IB + IC)
VCE = VCC - (RE + RC)IC - RE IB

VCE = VCC [RC + RE (1 + )]IC

Avec

<<

1, on dduit VCE = VCC (RC + RE)IC (Droite de charge statique : DCS).

tude de la condition de stabilit

Daprs la DCS, IC est indpendant de . Mais au niveau de la DAS, IB dpend de . Donc une variation de IB
entrainerait celle de IC car IC= IB.
V VBE
On a VBE VCC ( RB RE ) I B VBE VCC ( RB RE ) I C I C CC
R

RE B

V VBE
Le courant IC est alors indpendant de si R B << RE. Dans ce cas on a I C CC
.
RE

Application numrique : on donne VCC=12V, =100, RB=820K, RC=3,9K, RE=1K. Calculer le point de
fonctionnement du transistor puis le placer sur le rseau de caractristiques ci-dessous.

.
.
.
.
.
.
.
.
OUATTARA ALI

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTOR BIPLAIRE

.
.
.
.
.

IC (mA)

IB (A)

VCE(V)
0

0,7 V

VBE (V)
IV-3-

Polarisation par raction de collecteur

Cette polarisation est encore nomme polarisation par rsistance entre base et collecteur.
Maille dentre:

VCC = RC(IB + IC) + RBIB + VBE + RE(IB + IC)

VCC = (RC + RE)(1 + )IB + RBIB + VBE
VBE = VCC - [RB + (RC + RE)(1 + )]IB avec 1<<
VBE = VCC - [RB + (RC + RE)] IB (DAS)

Maille de sortie:

VCC = RC(IB + IC) + VCE + RE(IB + IC)

VCC = (RC + RE)(1 + )IC + VCE avec 1 >>

VCE = VCC - (RC + RE) IC

(DCS)

tude de la condition de stabilit

Daprs la DCS, IC est indpendant de . Mais au niveau de la DAS, IB dpend de . Donc une variation de IB
entrainerait celle de IC car IC= IB.
I
VCC VBE
On a VBE VCC RB ( RC RE ) I B VBE VCC RB ( RC RE ) C I C
R

RC RE B

V VBE
Le courant IC est alors indpendant de si R B << RE + RC. Dans ce cas on a I C CC
.
RC RE

OUATTARA ALI

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IV-4-

TRANSISTOR BIPLAIRE

Polarisation par pont de rsistances de base

La base est polarise par un "pont" constitu de deux rsistance RB1

et RB2.
Pour faciliter le calcul, on applique le thorme de Thevenin vu du
transistor et on obtient un schma qui permet de ramener le
problme une polarisation par une rsistance de base.

RB1
IB
RB2

Le schma est quivalent :

Maille dentre:

Veq = ReqIB + VBE + RE(IB + IC)

VBE =Veq - [Req + RE(1 + )] IB avec 1<<
VBE =Veq - (Req + RE)IB (DAS)

IB

Maille de sortie:

VCC = RCIC + VCE + RE(IB + IC)

VCE = VCC [RC + RE(1 + )]IC avec 1 >>

VCE = VCC (RC + RE)IC (DCS)

tude de la condition de stabilit

V VBE
Ltude de la stabilit donne que courant IC est indpendant de si R B << Req. Dans ce cas on a I C CC
.
Req

Cas pratique :
On donne Vcc=12V, =100, VBE=0,7V. Calculer RB1, RB2, RE, et RC pour obtenir le point de fonctionnement :
VCE0 = 5,5V, IC0 = 1mA, VE = 1V (potentiel lmetteur).
Ces donnes ne suffisent pas pour calculer les deux rsistances du pont ; elles
permettent seulement de calculer Req. Pour lever cette indtermination, on se donne
une des deux rsistances et on calcule l'autre.

VB

VE

Une deuxime solution consiste se donner le rapport entre le courant du pont IP et le

courant de base IB
Si on note I1 le courant dans R1 et I2 le courant dans R2, on a I1 = IB + I2.
En prenant I1 >> IB, on peut ngliger IB et on obtient I1 = I2 = IP = courant du pont.
Si on prend par exemple I1 = 30 IB on obtient :

IB

IC

103
105 A 10 A
100

VB VE VBE 1 0,7 1,7V

RB 2

VB
V
1, 7
B
5, 7 K
I 2 30 I B 30 10 106

RB1

VCC VB VCC VB
12 1, 7

34,3K
I1
30 I B
30 10 106

OUATTARA ALI

RE

VE VE
1

3 1K
I E I C 10

RC

VCC VCE VB 12 5,5 1

5,5 K .
IC
103

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTOR BIPLAIRE

EXERCICES
EXERCICE 1 : Calcul du point de polarisation
RB1 = 30 K , RB2 = 5K, RC = 10 K, RE = 2 K, VCC = 10V
Caractristiques du transistor : VBE = 0,6 V = 100
1- Aprs avoir dtermin le schma quivalent de Thevenin vu de la base, calculer le
point de polarisation du montage.
2- Est-ce que ce point de polarisation sera stable ?
3- Calculer lintensit du courant de pont Ip et comparez-la celle de IB. Conclure.
EXERCICE 2 : Calcul des composants pour imposer un point de polarisation
Caractristiques du transistor : VBE = 0,6 V varie de 100 300
VCC = 12 V. On fixe le point de polarisation VCE0 = 6V et IC0 = 5 mA.
On suppose que le courant de pont Ip est trs grand devant le courant de base IB.
1- Dterminer des valeurs de rsistances afin dobtenir le point de fonctionnement
souhait.
2- Placer le point de fonctionnement sur le rseau de caractristiques du transistor.

EXERCICE 3 : Saturation du transistor

Dans le circuit de la figure,
1- Que vaut VCE lorsque lentre vin est mise zro ?
2- Quel courant IB doit-on imposer pour polariser le transistor en saturation
profonde ?
3- Si Vin = 5 V, quelle est la plus grande valeur de RB permettant de maintenir le
transistor en saturation ?
Donnes : = 200 VBE = 0,6 V.
EXERCICE 4 : Polarisation par contre-raction au collecteur
On a VCC = 15 V, VBE = 0,6 V et = 200.
1- Ajuster RB de faon placer le point de repos Q au milieu de la droite de charge.
2- Le transistor du circuit est remplac par un transistor bipolaire de gain trois fois plus
lev. Que devient Q dans ce cas ?

EXERCICE 5 : Polarisation dun transistor PNP par pont diviseur.

1- Dterminer IC, VCE, ainsi que le mode de fonctionnement du transistor.
2- Quobtiendrait-on pour IC et VCE si on ngligeait le courant de base IB ? Expliquez ce
rsultat.
3- En utilisant la mme approximation quau point 2, calculez :
a- la puissance totale dlivre par la source de tension.
b- la puissance dissipe par RE.
c- la puissance dissipe par le transistor.
Donnes : R1 = 22 k, R2 = 10 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k, = 150, VEE = 15 V.
EXERCICE 6 : Effets de la rsistance dmetteur sur la variation de temprature du transistor.
Une lvation de la temprature du transistor de la figure change ses
caractristiques de la faon suivante : le gain passe de 85 100 et la tension
VBE change de 0.7 V 0.6 V.
Dterminer les variations relatives subies par le courant IC et la tension VCE.

OUATTARA ALI

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ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

TRANSISTOR BIPLAIRE

IC (mA)

IB (A)

VCE(V)
0

0,7 V

VBE (V)

IC (mA)

IB (A)

VCE(V)
0

0,7 V

VBE (V)

OUATTARA ALI

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