Anlisis del Transistor Fet en AC

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Anlisis del Transistor

Fet en AC
10/04/2014

INTEGRANTES:
Reyna Crdova Marco Antonio
Mahr Calle Renzo Arturo Fernando
Cuba Laurente Miguel
Retegui Rolando

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Analisis del Transistor FET en AC

TRANSISTOR FET (JFET).

En este reporte estudiamos aplicaciones del JFET, del MOSFET en modo de empobrecimiento y el
MOSFET en modo de enriquecimiento. Las aplicaciones principales de un JFET son como fuente
seguidora (anloga al emisor seguidor) y conmutador analgico (un circuito que transmite y bloquea
seales de CA). MOSFET en modo de empobrecimiento es muy til como amplificador de muy alta
frecuencia (VHF). El MOSFET en modo de enriquecimiento se usa inicialmente como conmutador digital,
la espina dorsal de las computadoras. En este reporte se estudian algunas de las ideas bsicas que se
requieren para entender como esos dispositivos FET se usan en la mayora de las aplicaciones prcticas.
Consideraciones tericas:
Los transistores de efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de voltaje, adems de
presentar la caracterstica de alta impedancia de entrada. Tambin, se trata de configuraciones de bajo
consumo de potencia con un buen rango de potencia y de tamao y peso mnimos.
Los dispositivos JFET y MOSFET de decremento pueden utilizarse para disear amplificadores que
tengan ganancias similares de voltaje. Sin embargo, el circuito con MOSFET decrementa tiene una
impedancia de entrada mucho mayor que una configuracin JFET similar.
Mientras que un dispositivo BJT controla una gran cantidad de corriente de salida (colector) por medio de
una corriente de entrada (base) relativamente pequea, el dispositivo FET controla una corriente de salida
(drenaje) mediante un pequeo voltaje de entrada (voltaje en la compuerta).
Por lo tanto, el BJT generalmente es un dispositivo controlado por corriente y el FET es un dispositivo
controlado por voltaje, pero en ambos casos se observa que la corriente de salida es la variable
controlada.
Debido a la caracterstica de gran impedancia de entrada de los FET, el modelo equivalente de a. c. es
ms sencillo que el utilizado para el BJT. As que mientras el BJT tuvo un factor de amplificacin (beta), el
FET tiene un factor de transconductancia, gm.
El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un dispositivo digital en los circuitos lgicos.
De hecho, el MOSFET incremental es muy popular en los circuitos digitales, especialmente en los circuitos
CMOS que requieren un consumo muy bajo de potencia. Los dispositivos FET tambin se utilizan en las
aplicaciones de altas frecuencias y e las aplicaciones de acoplamiento (interfases).

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Aunque la configuracin de fuente comn es la ms popular al proporcionar una seal invertida y
amplificada, tambin existen circuitos de drenaje comn (fuente - seguidor), aunque menos utilizados que
proporcionan ganancia unitaria sin inversin, as como circuitos de compuerta comn que proporcionan
ganancia sin inversin. Al igual que con los amplificadores BJT, las caractersticas importantes del circuito
como la ganancia de voltaje, la impedancia de entrada y la impedancia de salida. Debido a la muy alta
impedancia de entrada, la corriente de entrada por lo general se supone de cero y la ganancia de corriente
es una cantidad indefinida. Mientras que la ganancia de voltaje de un amplificador FET es casi siempre
menor que la obtenida al utilizar un amplificador BJT, el amplificador FET proporciona una impedancia de
entrada mucho mayor que la de configuracin de un BJT. Los valores de la impedancia de salida son
comparables tanto para los circuitos BJT como para los FET.
Las redes de amplificadores FET tambin pueden analizarse mediante del empleo de programas de
computadora.
MODELO DE PEQUEA SEAL DE FET.
El anlisis en AC de una configuracin FET requiere que se desarrolle un modelo de pequea seal. Un
componente muy importante del modelo har evidente que un voltaje de AC aplicado a las terminales de
entrada de la compuerta a la fuente controla el nivel de corriente del drenaje a la fuente.
El voltaje de la compuerta a la fuente controla la corriente del drenaje a la fuente (canal) de un FET.
Un voltaje de DC en la compuerta a la fuente controlaba el nivel de corriente de drenaje mediante una
relacin conocida como la ecuacin de Shockley:
ID = IDSS (1-VGS/Vp)2
El cambio en la corriente del colector que se obtendr de un cambio en el voltaje de la compuerta a
la fuente se puede determinar utilizando el factor de transductancia gm de la siguiente manera:
ID = gm VGS
El prefijo trans que se aplica a gm en la terminologa indica que se establece una relacin entre las
cantidades de salida y de entrada. El trmino conductancia es debido a que gm se determina por la
relacin del voltaje a la corriente, similar a la relacin que define la conductancia de una resistor G
= 1/R = I/V.
Al despejar gm de la ecuacin:
gm = ID / VGS
Si ahora examinamos las caractersticas de transferencia de la figura siguiente, se encuentra que gm es
en realidad la pendiente de las caractersticas en el punto de operacin. Esto es:

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gm = m = y/x = ID/VGS
Al seguir la curvatura de las caractersticas de transferencia, resulta bastante claro que la pendiente y por
lo tanto gm, se incrementa cuando se pasa desde Vp a IDSS. O, dicho en otras palabras, cuando VGS se
acerca a cero voltios, se incrementa la magnitud de gm.

Anlisis de pequea seal de FET.

ID
IDSS
gm = ID/VGS
(pendiente en el punto Q)
Vp VGS
Definicin de gm utilizando las caractersticas de transferencia.
La ecuacin de gm indica que gm puede determinarse en cualquier punto Q sobre las caractersticas de
transferencia con solo seleccionar un incremento finito en VGS (o en ID) cercano al punto Q y luego
encontrar el cambio correspondiente en ID (o VGS respectivamente). Los cambios que se obtienen en
cada cantidad se sustituyen despus en la ecuacin de gm para calcularlo.

DEFINICIN MATEMTICA DE gm.

El procedimiento grfico descrito est limitado por la exactitud de la grfica de transferencia y el cuidado
con que pueden determinarse los cambios en cada cantidad. Otro mtodo alternativo establece que, la
derivada de la funcin en un punto es igual a la pendiente de la lnea tangente dibujada en dicho punto.
Si se toma la derivada de ID respecto a VGS (clculo diferencial) utilizando la ecuacin de Shockley, es
posible derivar una ecuacin para gm de la siguiente manera:
gm = ID/VGS|punto Q = dID/dVGS|punto Q = d/dVGS[IDSS(1-VGS/Vp)2]
gm = 2IDSS [1 - VGS/Vp] / |Vp|

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Donde |Vp| denota la magnitud, solo con el objeto de asegurar un valor positivo de gm. Como la pendiente
de la curva de transferencia es un mximo cuando VGS = 0V. Sustituyendo este valor en la ecuacin
anterior, se obtiene lo siguiente:
gm = 2IDSS / |Vp| [1-0/Vp]
gm0 = 2IDSS / |Vp|
Donde el subndice 0 que se aadi recuerda que se trata del valor de gm cuando VGS = 0V. Entonces la
ecuacin se convierte en:
gm = gm0 [1-VGS/Vp]

GRFICA DE gm EN FUNCIN DE VGS.

Debido a que el factor [1-VGS/Vp] de la ecuacin anterior es menor que 1 para cualquier valor de VGS
diferente de cero voltios, la magnitud de gm se reducir mientras VGS se aproxime a Vp y la relacin
VGS/Vp se incrementa en magnitud.
Cuando VGS = Vp, gm = gm0 (1-1) = 0. La ecuacin de arriba define una lnea recta con un valor mnimo
de cero y mximo de gm como se muestra en la siguiente grfica. gm (s)
gm0
gm0/2
Vp Vp/2 0 VGS(V)
Esta figura tambin indica que cuando VGS es igual a la mitad del valor de estrechamiento, gm tendr
nicamente la mitad del valor mximo.
EFECTO DE ID SOBRE gm.
Puede derivarse una expresin matemtica entre gm y la corriente de polarizacin ID al observar que la
ecuacin de Shockley puede escribirse de la siguiente manera:
1 - VGS = ID / IDSS
Al sustituir la ecuacin anterior en la expresin de gm.
gm = gm0 [1-VGS/Vp] = gm0 ID/IDSS

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Al emplear esta ltima ecuacin para determinar gm para algunos valores especficos de ID, los resultados
son:
Si ID = IDSS:
gm = gm0 IDSS/IDSS = gm0
Si ID = IDSS/2:
gm = gm0 IDSS/2 / IDSS = 0.707 gm0
Si ID = IDSS/4:
gm = gm0 IDSS/4 / IDSS = gm0 /2 = 0.5gm0

IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DE FET.

La impedancia de entrada de todos los FET disponibles en el mercado es lo suficientemente grande para
suponer que las terminales de entrada son similares a un circuito abierto. En forma de ecuacin:
As, como para un JFET un valor prctico es de 109 es un valor caracterstico, un valor entre 1012 y 1015
es tpico de los MOSFET.

IMPEDANCIA DE SALIDA Zo DE FET.

La impedancia de salida de los FET es similar en magnitud a la de los BJT convencionales. En las hojas
de especificaciones de los FET la impedancia de salida aparecer normalmente como yos con las
unidades de S. El parmetro yos es un componente de un circuito equivalente de admitancia y el
subndice o significa un parmetro de salida de la red y s la terminal fuente a la cual est asignada en el
modelo. En forma de ecuacin:
Zo (FET) = rd = 1/ yos
Donde:
rd = VDS / ID |VGS = constante.
CIRCUITO EQUIVALENTE EN CA DEL FET.
El control de Id mediante Vgs se encuentra incluido como una fuente de corriente gmVgs conectada desde
el drenaje a la fuente, tal como se muestra en la siguiente figura. La fuente de corriente est dirigida desde
el drenaje hasta la fuente, esto con la finalidad de establecer un cambio de fase de 180 entre los voltajes
de salida y de entrada como sucede en la operacin real.

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Circuito equivalente de CA del FET.
La impedancia de entrada est representada por el circuito abierto en las terminales de entrada y la
impedancia de salida por medio del resistor rd desde el drenaje hacia la fuente. El voltaje de la fuente se
representa por Vgs. La corriente es comn tanto para los circuitos de entrada y salida, mientras que las
terminales de la compuerta y el drenaje solo estn en contacto mediante la fuente de corriente controlada
gmVgs.
Tambin existen situaciones en las que rd se ignora, ya que se supone que es demasiado grande respecto
a los dems elementos, as que se aproxima a un circuito abierto, esto se puede emplear para acoplar
circuitos amplificadores multietapas con transistores en cascada.
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA PARA EL FET.
El mtodo que se sigue para especificar las configuraciones del FET es similar al del BJT, adems de los
parmetros importantes Zi, Zo y Av. para cada configuracin.
La configuracin de polarizacin fija del FET incluye los capacitores de acoplamiento C1 y C2 que tienen
como objetivo eliminar los niveles de CD de la seal, como se muestra en el siguiente circuito.
Una vez calculados los niveles de gm y rd a partir del arreglo de polarizacin de la hoja de
especificaciones, o de las caractersticas, el modelo equivalente en CA se puede sustituir entre las
terminales adecuadas. Ambos capacitores se comportan como corto circuitos debido a la reactancia Xc =
1/(2fC) es muy pequea comparada con los otros niveles de impedancia de la red y las fuentes VGG y
VDD se hacen cero mediante un corto circuito equivalente.
Despus se redibuja como sigue y se observa la polaridad definida mediante Vgs, la cual define la
direccin de gmVgs. Cuando Vgs es negativo, la direccin de la fuente de corriente se invierte. La seal
aplicada se representa mediante Vi y la seal de salida a travs de RD se representa mediante Vo.
Zi: esta figura revela con claridad que:
Zi = RG
Debido a la equivalencia del circuito abierto en las terminales del FET.
Zo: Al hacer Vi = 0 como se requiere debido a la definicin de ZoVgs se har cero volts tambin. El
resultado es gmVgs = 0 mA y la fuente de corriente puede reemplazarse mediante un circuito abierto
equivalente, la impedancia de salida es:
Zo = RD || rd

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Si la resistencia rd es suficientemente grande (por lo menos 10 veces) comparada con RD con frecuencia
se aplica la aproximacin rd || RD " RD.
Av: la ganancia de voltaje se obtiene resolviendo para Vo en la figura anterior, como:
Vo = -gmVgs (rd || RD)
Pero Vgs = Vi
Y adems Vo = -gmVi (rd ||RD)
De manera que:
Av = Vo/Vi = -gm (rd || RD)
El signo negativo indica un cambio de fase de 180 entre los voltajes de entrada y salida.
CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN DEL FET.
La configuracin de polarizacin fija tiene la desventaja de utilizar dos fuentes de voltaje CD. La
configuracin de auto polarizacin de la siguiente figura requiere solo una fuente para establecer el punto
de operacin deseado.
El capacitor Cs a travs de la resistencia de la fuente es un corto equivalente para CD lo cual permite que
Rs defina el punto de operacin. Bajo condiciones de CA el capacitor se comporta como corto en los
efectos de Rs. Si se deja en CA, se reducir la ganancia.
Redibujando la red:
Debido a que la configuracin obtenida es la misma, las relaciones de Zi, Zo y Av son las mismas.
CONFIGURACIN DE DIVISOR DE VOLTAJE PARA EL FET.
La configuracin de divisor de voltaje para los BJT tambin se aplica para el FET:

Configuracin de FET mediante divisor de voltaje:

Al sustituir el modelo equivalente de CA para el FET se obtiene la configuracin de la siguiente figura:
Reemplazando la fuente VDD por un corto circuito equivalente a tierra una terminal de R1 y RD. Debido a
que cada red tiene una tierra comn, R1 queda en paralelo con R2, como se muestra en la siguiente figura
que representa el modelo hbrido para seal dbil del FET.

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Donde:
Zi: R1 y R2 estn en paralelo con el cual se obtiene el equivalente del circuito abierto del FET.
Zi = R1 || R2
Zo: Al hacer Vi = 0 V se fijarn los valores Vgs y gmVgs a cero y:
Zo = rd || RD
Av: Vgs = Vi
Vo = -gmVgs (rd || RD)
Av = Vo/Vi = -gmVgs (rd || RD) / Vgs.
De modo que: Av = Vo/Vi = -gm (rd || RD)
Vale mencionar que las ecuaciones para Zo y Av en este tipo de configuracin son las mismas que las
obtenidas para las configuraciones de polarizacin fija y autopolarizacin. La nica diferencia radica en la
ecuacin para Zi que se volvi el paralelo de R1 y R2 para esta configuracin.

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