interao feixe de eltrons-amostra [3]

Propriedades do eltron:

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interao feixe de eltrons-amostra

Comprimento de onda do feixe de eltrons ():
V [kV]

[pm]

38,7

17,3

10

12,2

15

9,9

20

8,6

25

7,6

30

6,9

120

3,3

200

2,5

h2
2
2

V
2 e V me +

1,5

(V + 10

[nm]

c = 2,998.108 m.s-1
e = 1,602.10-19 C
h = 6,62.10-39 J.s
me = 9,109.10-31 kg
V = voltagem
2>

interao feixe de eltrons-amostra

Interao eltron-amostra

choques elsticos/inelsticos

3>

interao feixe de eltrons-amostra

Volume de interao:

4>

interao feixe de eltrons-amostra

Eltrons Auger:
gerado inelasticamente quando
um eltron removido de um tomo
e um outro eltron de um nvel mais
energtico passa a ocupar este
orbital. Para isto necessria a
liberao de energia (fton), que
tambm ser transferida para um
outro eltron que pode ento ser
ejetado do tomo. Este segundo
eltron ejetado chamado
eltron Auger.
A espectroscopia Auger uma
tcnica importante na caracterizao
de camadas atmicas superficiais.

5>

interao feixe de eltrons-amostra

Catodoluminescncia (CL):

Catodoluminescncia (CL) um termo que

descreve o processo da emisso de
radiao eletromagntica nas regies:
visveis, ultravioletas e infravermelhas do
espectro quando certos materiais so
bombardeados com eltrons enrgicos.
Estes materiais emissores de luz, que
geralmente so isolantes ou
semicondutores, tm preenchidas as
bandas de valncia e de conduo vazia
com "gaps" de banda especficos do
prprio material.

6>

interao feixe de eltrons-amostra

Eltrons secundrios (SE):

O espalhamento inelstico de um
eltron enrgico com eltrons de
valncia mais externos permite a
emisso de eltrons secundrios
que so caracterizados por terem
uma energia cintica menor que
50eV.
A emisso de eltrons secundrios
um dos sinais mais comuns usados
para produzir imagens topogrficas
no MEV, uma vez que a maioria do
sinal est confinado a uma regio da
superfcie prxima do feixe incidente.

7>

interao feixe de eltrons-amostra

Eltrons retroespalhados (BSE):

Um nmero significativo dos eltrons

incidentes re-emitido atravs da
superfcie do material. Estes eltrons,
conhecidos como eltrons retroespalhados, sofreram eventos de
espalhamento elstico no material.
Tais eventos de espalhamento fazem
com que eles se aproximem da
superfcie com energia cintica. A
intensidade do espalhamento est
relacionada ao nmero atmico do
tomo: quanto maior o nmero atmico,
maior ser o retroespalhamento.

8>

interao feixe de eltrons-amostra

Raios-X caractersticos:

A interao de um eltron de alta energia com um

tomo, pode resultar na ejeo de um eltron de
uma camada atmica interna. Isto deixa o tomo
em estado ionizado ou excitado, com uma lacuna
nesta camada. A restaurao do estado fundamental
pode acontecer quando um eltron de uma camada
mais externa que venha a preencher esta lacuna, mas
para isto ter que emitir um quanta (fton) de
energia. Este fton possui uma quantidade de
energia que nica para cada elemento qumico.

9>

interao feixe de eltrons-amostra

Raios-X caractersticos:

K
K

10>

interao feixe de eltrons-amostra

Raios-X caractersticos:

L
L

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interao feixe de eltrons-amostra

Volume de interao: efeito do Nmero Atmico, Energia do Feixe e Inclinao
C (Z=6)
5 kV

Fe (Z=26)

Au (Z=79)

BSE yield @ 5kV: 0,07/0,28/0,48

Tilt = 0o
10 kV

20 kV

BSE yield @ 10kV: 0,07/0,29/0,48

BSE yield @ 20kV: 0,04/0,30/0,47

Monte Carlo simulation
http://web.utk.edu/~srcutk/htm/simulati.htm

(em escala)

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interao feixe de eltrons-amostra

Volume de interao: efeito do Nmero Atmico, Energia do Feixe e Inclinao
C (Z=6)
5 kV

Fe (Z=26)

Au (Z=79)

BSE yield @ 5kV: 0,36/0,59/0,67

Tilt = 70o
10 kV

20 kV

BSE yield @ 10kV: 0,32/0,58/0,68

BSE yield @ 20kV: 0,30/0,57/0,69

Monte Carlo simulation
http://web.utk.edu/~srcutk/htm/simulati.htm

(em escala)

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interao feixe de eltrons-amostra

Volume de interao:

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interao feixe de eltrons-amostra

Bibliografia:
Reed, S. J. B. Electron Microprobe Analysis and Scanning Electron
Microscopy in Geology. Cambridge University Press, New York, 2005,
pp. 7-20.
Stokes, D. J. Principles and Practice of Variable Pressure Environmental
Scanning Electron Microscopy (VP-ESEM). John Wiley & Sons Ltd, West
Sussex, 2008, pp. 17-62.
Egerton, R. F. Physical Principles of Electron Microscopy: An Introduction
to TEM, SEM and AEM. Springer Science+Business Media, Inc., New York,
2005, pp. 93-176.
Goodhew, P. J.; Humphreys, J.; Beanland, R. Electron Microscopy and
Analysis. Taylor & Francis Inc.,New York, 2001, pp. 2-39.
Jorge Jr, A. M.; Botta, W. J. Notas de classe Escola de Microscopia.
Laboratrio de Caracterizao Estrural, DEMa/UFSCar.
http://www.lce.dema.ufscar.br/cursos/escola.html

Notas de aula preparadas pelo Prof. Juno Gallego para a disciplina Microscopia Eletrnica de Varredura.
2013. Permitida a impresso e divulgao. http://www.dem.feis.unesp.br/maprotec/educ/mev.shtml

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