Estudo Dos Conversores Buck e Boost Aplicados

ROBERTO FRANCISCO COELHO
ESTUDO DOS CONVERSORES BUCK E BOOST APLICADOS

AO RASTREAMENTO DE MXIMA POTNCIA DE SISTEMAS
SOLARES FOTOVOLTAICOS
FLORIANPOLIS
2008
UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA
ELTRICA
INSTITUTO DE ELETRNICA DE POTNCIA

Dissertao submetida Universidade

Federal de Santa Catarina como parte dos
requisitos para obteno do grau de
Mestre em Engenharia Eltrica.

Florianpolis, dezembro de 2008.
ESTUDO DOS CONVERSORES BUCK E BOOST APLICADOS AO

RASTREAMENTO DE MXIMA POTNCIA DE SISTEMAS
Esta Dissertao foi julgada adequada para obteno do Ttulo de Mestre em Engenharia
Eltrica, rea de Concentrao em Eletrnica de Potncia e Acionamento Eltrico e,
aprovada em sua forma final pelo Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica
da Universidade Federal de Santa Catarina.
iii
A meu pai e minha me.
iv
AGRADECIMENTOS
Inmeras pessoas contriburam para este trabalho fosse desenvolvido em sua forma
completa e, desde j, sinceramente, agradeo a todas.
Agradeo ao professor Denizar Cruz Martins, pela orientao durante os 10 meses
de elaborao deste trabalho.
Estendo o agradecimento aos demais professores do INEP, Arnaldo Jos Perin,
nio Valmor Kassick, Hari Bruno Mohr, Ivo Barbi, Joo Carlos dos Santos Fagundes e
Samir Ahmad Mussa, pelas aulas ministradas durante o primeiro ano de mestrado e pela
disponibilidade sempre que precisei.
A todos os funcionrios do INEP, Antnio Luiz S. Pacheco, Fernando Lopes de
Oliveira, Leonardo Defenti, Luis Marcelius Coelho, Felipe Fontanella e, em especial,
Regina Maura G. Marcusso, pela disposio e auxlio na soluo dos problemas
burocrticos.
Aos colegas de doutorado, Andr L. Fuerback, Alceu A. Badin, Carlos H. Illa Font,
Ccero S. Postiglione, Eli A. Jnior, Gleyson L. Piazza, Kleber C. A. Souza, Mrcio M.
Casaro, Mrcio S. Ortmann, Mateus F. Schonardie, Romeu Hausmann, Teles B. Lazarin e
Hugo R. E. Lario, e tambm aos colegas de mestrado: Bruno S. Dupzak, Eduardo V. de
Souza, Gabriel Tibola, Gierri Waltrich, Glucio R. T. Hax, Gustavo C. Flores, Mateus C.
Maccarini, Rodirgo da Silva, Ronieri H. de Oliveira e Tiago Jappe, pelo convvio e
compartilhamento de idias no decorrer dos estudos.
Em especial, agradeo aos colegas Eduardo V. de Souza, Kleber C. A. Souza,
Mateus F. Schonardie e Rodrigo da Silva, cujo dispndio de tempo na buca de solues
para os problemas encontrados foi muito valoroso.
Agradeo ainda aos bolsistas de iniciao cientfica Lisandra K. Ries, Filipe Concer
pelo empenho e dedicao, sem os quais o trabalho seria muito prejudicado.
A meus pais Manoel Tefilo Coelho e Odete B. dos Santos Coelho, pela educao
proporcionada ao longo de minha vida e, mais que isso, pelo entusiamo e incentivo ao
longo do mestrado.
A meus irmos Edson M. Coelho, Gisele C. Coelho pelo incentivo e, em especial,
a minha irm, Maristela Denise Coelho, que com pacincia e conhecimento leu e releu este
documento buscando e encontrando falhas e sugerindo melhorias.
Aos amigos Dirceu Rafanhin, Maico A. Marcelo e Rafael E. Ferreira, sempre
v
dispostos a discutir e, em especial, a Andr L. Citadin, que contribuiu significativamente

no desenvolvimento do contedo referente ao capitulo 4.
Agradeo a Thayse T. Macedo, que acompanhou o desenvolvimento deste trabalho,
sempre colaborando e compreendendo os momentos de ausncia.
Ainda, estendo os agradecimentos ao LABSOLAR, que atravs do estudante Lucas
Rafael do Nascimento, forneceu o equipamento necessrio que uma parte do trabalho fosse
realizada experimentalmente.
Por fim, agradeo ao INEP por procpiciar o desenvolvimento prtico de meu
trabalho e ao CNPq, pelo auxilio financeiro.
vi
A busca do aperfeioamento exige zelo

permanente, esforo continuado e pacincia
inesgotvel.
Joham Joseph Fux.
vii
Resumo da Dissertao apresentado UFSC como parte dos requisitos necessrios para a
obteno do grau de Mestre em Engenharia Eltrica.

Dezembro/2008
Orientador: Prof. Denizar Cruz Martins, Dr.
rea de Concentrao: Eletrnica de Potncia e Acionamento Eltrico
Palavra Chave: Mdulo Fotovoltaico, Conversor CC-CC, Rastreador de Mxima Potncia.
Nmero de Pginas: 177
RESUMO: Neste trabalho estudado um sistema rastreador de mxima potncia, aplicado

a mdulos fotovoltaicos, capaz de processar at 200W de potncia. A caracterstica de
sada do mdulo fotovoltaico uma curva no linear que apresenta um nico ponto de
mxima potncia (MPP) para cada condio de radiao e temperatura de operao.
Quando uma carga interligada ao mdulo, somente em situaes muito especficas, o
ponto de operao do sistema coincidir com o MPP e, para qualquer outra situao, o
sistema ir operar com potncia aqum da mxima possvel. Os circuitos rastreadores de
mxima potncia tm como funo permitir que a operao dos mdulos fotovoltaicos
sempre se d no MPP, independentemente das condies de radiao e temperatura. Para
alcanar os objetivos propostos, o estudo inicia-se com a modelagem do mdulo
fotovoltaico, de maneira que um modelo acurado, capaz de representar com preciso o
dispositivo real, seja obtido. Na seqncia, so analisados os conversores CC-CC,
culminando no projeto de um conversor tipo Buck e um tipo Boost, ambos destinados ao
rastreamento da mxima potncia. Todo equacionamento, bem como resultados de
simulao e experimentais que comprovam a teoria, so tambm apresentados.
viii
Abstract of Dissertation presented to UFSC as a partial fulfillment of the requirements for

the degree of Master in Electrical Engineering.
STUDY OF THE BUCK AND BOOST CONVERTERS

APPLIED TO THE MAXIMUM POWER POINT TRACKING
OF THE PHOTOVOLTAIC SOLAR SYSTEMS
December/2008
Advisor: Prof. Denizar Cruz Martins, Dr.

Area of Concentration: Power Eletronics and Electrical Drivers
Keywords: Photovoltaic Panel, DC-DC Converter, Maximum Power Point Tracker.
Number of Pages: 177
ABSTRACT: A maximum power point tracker system, applied to photovoltaic modules,

able to process 200W of power, is studied in this work. The output characteristic of the
photovoltaic module is a non-linear curve that presents a singular maximum power point
(MPP), to each different condition of irradiation and temperature operation. When a load is
connected to the module, just in rare situations, the operation point system will coincide to
the MPP and, in any other situations, the system will operate with less power than possible.
The maximum power point trackers (MPPT) have as function to allow the photovoltaic
operations occurs always at the MPP, independently of irradiation and temperature
conditions. To reach the proposed aims, the study starts with the photovoltaic module
modeling, intending to get an accurate model able to represent the real device. In the
sequence, the DC-DC converters are chosen, culminating in a Buck and a Boost
converters, both of them applied to the maximum power point tracking. Finally, all
equations, as well as simulation and experimental results, are also presented.
ix
SUMRIO
Lista de Figuras.............................................................................................................................................. XII
Lista de Tabelas............................................................................................................................................. XVI
Lista de Simbolos.......................................................................................................................................... XVII
Introduo Geral ............................................................................................................................................... 1
1 A Tecnologia Fotovoltaica ............................................................................................................................. 5
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Introduo .............................................................................................................................................. 5
Uma Breve Reviso Histrica................................................................................................................. 5
Materiais Utilizados na Fabricao de Clulas Fotovoltaicas .............................................................. 6
Produtividade versus Custo .................................................................................................................... 9
Concluso ............................................................................................................................................. 11
2 Alguns Conceitos Imprescindveis Modelagem dos Mdulos e Arranjos Fotovoltaicos .......................... 13

2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
Introduo ............................................................................................................................................ 13
O Princpio Fsico da Foto-Gerao: O Efeito Fotovoltaico ............................................................... 13
Radiao Solar (S)................................................................................................................................ 17
Temperatura (T) ................................................................................................................................... 18
Massa de Ar (AM)................................................................................................................................. 18
Condies Padres de Teste (STC)....................................................................................................... 19
Distino entre Clula, Mdulo e Arranjo Fotovoltaico ...................................................................... 19
2.7.1 Clula Fotovoltaica ................................................................................................................... 19
2.7.2 Mdulo Fotovoltaico .................................................................................................................. 20
2.7.3 Arranjo Fotovoltaico ................................................................................................................. 20
2.7.4 Caracterstica de Sada.............................................................................................................. 21
2.8 Concluso ............................................................................................................................................. 23
3 Modelagem dos Mdulos e Arranjos Fotovoltaicos .................................................................................... 25

3.1 Introduo ............................................................................................................................................ 25
3.2 Circuitos Eltricos Equivalentes da Clula, Mdulo e Arranjo Fotovoltaicos .................................... 25
3.2.1 Circuito Eltrico Equivalente da Clula Fotovoltaica............................................................... 26
3.2.2 Circuito Eltrico Equivalente do Mdulo Fotovoltaico ............................................................. 27
3.2.2.1
Mdulo Fotovoltaico Obtido da Conexo de Clulas em Srie ................................... 27
3.2.2.2
Mdulo Fotovoltaico Obtido da Conexo de Clulas em Paralelo ............................. 30
3.2.2.3
Associao Mista de Clulas Fotovoltaicas ................................................................ 33
3.2.3 Circuito Eltrico Equivalente do Arranjo Fotovoltaico............................................................. 35
3.3 Modelagem Matemtica ....................................................................................................................... 36
3.3.1 Modelagem Matemtica do Mdulo Fotovoltaicos.................................................................... 37
3.3.2 Modelagem Matemtica do Arranjo Fotovoltaico ..................................................................... 47
3.4 Concluso ............................................................................................................................................. 49
4 Tcnicas de Rastreamento de Mxima Potncia ......................................................................................... 51
4.1 Introduo ............................................................................................................................................ 51
4.2 Circuitos Rastreadores de Mxima Potncia ....................................................................................... 52
4.3 Tcnica para Execuo do MPPT ........................................................................................................ 61
4.3.1 Mtodo 1: Tenso Constante ..................................................................................................... 62
4.3.2 Mtodo 2: Perturba e Observa (P&O) ..................................................................................... 65
4.3.3 Mtodo 3: Condutncia Incremental (CondInc.) ....................................................................... 69

4.4 Concluso ............................................................................................................................................. 73
5 Circuitos Auxiliares ..................................................................................................................................... 75
5.1 Introduo ............................................................................................................................................ 75
5.1.1 Sensor de Corrente e Circuito de Condicionamento da Corrente ............................................. 76
5.1.2 Sensor de Tenso e Circuito de Condicionamento da Tenso ................................................... 80
5.1.3 Hardware Externo para Acionamento do Microcontrolador PIC ............................................. 82
5.1.4 Circuito de Comando ................................................................................................................. 84
5.1.5 Determinao do Capacitor de Barramento .............................................................................. 87
5.2 Concluso ............................................................................................................................................. 88
6 Conversor Buck Aplicado ao Rastreamento de Mxima Potncia .............................................................. 89
6.1
6.2
6.3
6.4
Introduo ............................................................................................................................................ 89
Projeto do Conversor Buck................................................................................................................... 89
Determinao da Regio de Operao do Conversor Buck ................................................................. 98
Simulaes ............................................................................................................................................ 99
6.4.1 Mtodo Simulado: Tenso Constante ...................................................................................... 100
6.4.2 Mtodo Simulado: P&O........................................................................................................... 103
6.4.3 Mtodo Simulado: CondInc ..................................................................................................... 106
6.5 Resultados Experimentais ................................................................................................................... 108
6.5.1 Mtodo Testado: Tenso Constante ......................................................................................... 108
6.5.2 Mtodo Testado: P&O ............................................................................................................. 111
6.5.3 Mtodo Testado: CondInc........................................................................................................ 113
6.6 Concluso ........................................................................................................................................... 115
7 Conversor Boost Aplicado ao Rastreamento de Mxima Potncia ........................................................... 117

7.1
7.2
7.3
7.4
Introduo .......................................................................................................................................... 117

Projeto do Conversor Boost ............................................................................................................... 117
Determinao da Regio de Operao do Conversor Boost .............................................................. 124
Simulaes .......................................................................................................................................... 125
7.4.1 Mtodo Simulado: Tenso Constante ...................................................................................... 126
7.4.2 Mtodo Simulado: P&O........................................................................................................... 129
7.4.3 Mtodo Simulado: CondInc ..................................................................................................... 130
7.5 Testes Sob Baixa Radiao ................................................................................................................. 132
7.6 Resultados Experimentais ................................................................................................................... 133
7.6.1 Mtodo Testado: Tenso Constante ......................................................................................... 134
7.6.2 Mtodo Testado: P&O ............................................................................................................. 135
7.6.3 Mtodo Testado: CondInc........................................................................................................ 137
7.7 Concluso ........................................................................................................................................... 138
8 Concluso Geral ........................................................................................................................................ 141

9 Referncias Bibliogrficas ......................................................................................................................... 145
I
I.I
I.II
II
III
IV
V
VI
VII
VIII
Apndice A Diagrama de Blocos Do Modelo do Mdulo Fotovoltaico........................................... 149

Modelo Desenvolvido para o Aplicativo SIMULINK ......................................................................... 149
Modelo Desenvolvido para O Programa PSIM.................................................................................. 151
Apndice B Cdigo Fonte: Mtodo da Tenso Constante ............................................................... 155
Apndice C Cdigo Fonte: Mtodo Perturba e Observa ................................................................. 157
Apndice D Cdigo Fonte: Mtodo Condutncia Incremental ....................................................... 159
Apndice E Fonte Auxiliar............................................................................................................... 161
Apndice F Projeto Fsico dos Indutores de Entrada e Sada do Conversor Buck ......................... 163
Apndice G Esquemtico Eltrico Completo e Lista dos Componentes Empregados ..................... 171
Apndice H Projeto Fsico do Indutor de Entrada do Conversor Boost ......................................... 173
xi
LISTA DE FIGURAS
Figura 1-1: Classificao das clulas fotovoltaicas em termos dos materiais utilizados. ................................ 7
Figura 1-2: Eficincia mxima alcanada ao longo dos anos para clulas fotovoltaicas. ............................... 8
Figura 1-3: Energia fotovoltaica nos principais pases produtores. ................................................................ 9
Figura 1-4: Principais empresas fabricantes de mdulos fotovoltaicos. ........................................................ 10
Figura 1-5: Custo associado venda de mdulos fotovoltaicas na Europa e Estados Unidos. ..................... 10
Figura 2-1: Silcio dopado: (a) Dopagem com elemento trivalente (Boro), criando um substrato com falta de
eltrons - tipo p ; (b) Dopagem com elemento pentavalente (Fsforo), criando um substrato com excesso de
eltrons - tipo n . ............................................................................................................................................. 14
Figura 2-2: Juno pn e camada de depleo em uma clula fotovoltaica de Silcio, sob influncia do
campo eltrico E.............................................................................................................................................. 14
Figura 2-3: Espectro eletromagntico. ........................................................................................................... 16
Figura 2-4: Clula fotovoltaica do ponto de vista fsico. ................................................................................ 16
Figura 2-5: Componentes da radiao solar. ................................................................................................. 17
Figura 2-6: Determinao do ndice de Massa de Ar em funo do ngulo zenital entre a Terra e o raio
solar incidente.. ............................................................................................................................................... 18
Figura 2-7: Corte transversal de uma clula fotovoltaica. ............................................................................. 19
Figura 2-8: Clula, mdulo e arranjo fotovoltaico. ........................................................................................ 20
Figura 2-9: Curvas I V para o mdulo KC 200GT : (a) sob radiao constante e diferentes temperaturas;
(b) sob temperatura constante e diferentes radiaes. .................................................................................... 21
Figura 2-10: Alguns pontos fornecidos pelos fabricantes no STC. ................................................................. 21
Figura 2-11: Mdulo fotovoltaico com clulas parcialmente sombreadas. .................................................... 23
Figura 2-12: Mdulo fotovoltaico com clulas totalmente sombreadas. ........................................................ 23
Figura 3-1: Clula fotovoltaica do ponto de vista fsico. ................................................................................ 26
Figura 3-2: Circuito eltrico equivalente idealizado para clulas fotovoltaicas. ........................................... 26
Figura 3-3: Circuito eltrico equivalente para clulas fotovoltaicas contemplando parmetros de perdas. . 27
Figura 3-4: Representao alternativa para a clula fotovoltaica. ................................................................ 27
Figura 3-5: Associao em srie de clulas fotovoltaicas idnticas. .............................................................. 28
Figura 3-6: Reduo gradual do circuito eltrico equivalente composto por clulas fotovoltaicas idnticas
em srie. .......................................................................................................................................................... 28
Figura 3-7: Circuito eltrico equivalente resultante da associao em srie, em sua forma compacta final. 29
Figura 3-8: Caracterstica de sada de clulas fotovoltaicas interligadas em srie. ...................................... 30
Figura 3-9: Associao de clulas fotovoltaicas idnticas em paralelo. ........................................................ 30
Figura 3-10: Associao de clulas fotovoltaicas em paralelo com interligao dos pontos equipotenciais. 31
Figura 3-11: Circuito equivalente de clulas idnticas associadas em paralelo. ........................................... 31
Figura 3-12: Circuito eltrico equivalente resultante da associao em paralelo de clulas fotovoltaicas, na
forma compacta final....................................................................................................................................... 31
Figura 3-13: Caracterstica de sada de clulas fotovoltaicas interligadas em paralelo. .............................. 32
Figura 3-14: Mdulo fotovoltaico obtido da associao mista de clulas fotovoltaicas. ............................... 33
Figura 3-15: Circuito eltrico equivalente oriundo da associao mista de clulas fotovoltaicas, na sua
forma compacta. .............................................................................................................................................. 34
Figura 3-16: Caracterstica de sada de clulas fotovoltaicas interligadas de forma mista. ......................... 34
Figura 3-17: Circuito eltrico equivalente de um arranjo fotovoltaico. ......................................................... 35
Figura 3-18: Circuito eltrico equivalente de um mdulo fotovoltaico. ......................................................... 37
Figura 3-19: Comparao entre resultados de simulao e fornecidos pelo fabricante. ............................... 43
Figura 3-20: Curvas caractersticas traadas para as seguintes condies: (a), (b): S = 1000W / m 2 ,
T = 25 C ; (c), (d): S = 800W / m 2 , T = 47 C . ............................................................................................ 44
Figura 3-21: Mini-KLA. .................................................................................................................................. 45
Figura 3-22: Interface de pr-visualizao das curvas obtidas atravs do Mini-KLA. .................................. 46
xii
Figura 3-23: Comparao entre resultados obtidos via simulao e experimentalmente: (a) curva I V ; (b)
curva P V . .................................................................................................................................................... 46
Figura 3-24: Circuito eltrico equivalente de um arranjo fotovoltaico. ......................................................... 47
Figura 3-25: Curvas caractersticas I V e P V para o arranjo fotovoltaico sob diferentes condies de
radiao e temperatura. .................................................................................................................................. 48
Figura 4-1: Mdulo fotovoltaico conectado diretamente a uma carga........................................................... 52
Figura 4-2: Curvas de gerao fotovoltaica e de carga. ................................................................................ 52
Figura 4-3: Mdulo fotovoltaico interligado carga por meio de um conversor CC-CC. ............................ 53
Figura 4-4: Resistncia efetiva Rei (D, Rcarga ) vista do mdulo fotovoltaico. ................................................. 54
Figura 4-5: Curva de carga referente resistncia equivalente de entrada Rei (D, Rcarga ) ............................ 55
Figura 4-6: Regies de operao estipulada para o conversor Buck operando como MPPT. ....................... 56
Figura 4-7: Regies de operao estipulada para o conversor Boost operando como MPPT. ...................... 58
Figura 4-8: Regio de operao estipulada para os conversores Buck-Boost, Ck, Sepic e Zeta operando
como MPPT. .................................................................................................................................................... 60
Figura 4-9: Caracterstica P V com pontos de mxima potncia conectados, sob temperatura constante. 63
Figura 4-10: Caracterstica P V com pontos de mxima potncia conectados, sob radiao constante. ... 64
Figura 4-11: Fluxograma do algoritmo referente ao MPPT tenso constante. ........................................... 65
Figura 4-12: Comparao entre o rastreamento de mxima potncia para diferentes valores do passo D :
(a) e (b) Passo reduzido; (c) e (d) Passo elevado............................................................................................ 66
Figura 4-13: Possibilidades de rastreamento sob mudanas abruptas da radiao. ..................................... 68
Figura 4-14: Fluxograma da tcnica de rastreamento P&O. ......................................................................... 69
Figura 4-15: Curva da potncia e derivada da potncia em relao tenso para um mdulo fotovoltaico
qualquer. ......................................................................................................................................................... 70
Figura 4-16: Fluxograma da tcnica de rastreamento CondInc..................................................................... 72
Figura 5-1: Conversor Buck e circuitos auxiliares. ........................................................................................ 75
Figura 5-2: Modelo proposto para sensor Hall incluindo parmetros no ideais. ........................................ 77
Figura 5-3: Comparao entre resultados de simulao e experimentais com a curva fornecida pelo
fabricante. ....................................................................................................................................................... 77
Figura 5-4: Circuito proposto para o condicionamento da corrente.............................................................. 78
Figura 5-5: Leitura e condicionamento do sinal de corrente de sada do mdulo fotovoltaico. .................... 79
Figura 5-6: Comparao entre valores simulados e experimentais de VIPIC . ................................................ 79
Figura 5-7: Filtro passa-baixas utilizado no circuito condicionador de corrente. ......................................... 80
Figura 5-8: Circuito proposto para leitura e condicionamento da tenso. .................................................... 81
Figura 5-9: Circuito para leitura e condicionamento do sinal de tenso destinado simulao no software
PSIM. ............................................................................................................................................................... 82
Figura 5-10: Filtro passa-baixas utilizado na sada do circuito condicionador de tenso. ........................... 82
Figura 5-11: Microcontrolador PIC e componentes externos. ....................................................................... 83
Figura 5-12: Circuito proposto para simulao do microcontrolador. .......................................................... 84
Figura 5-13: Circuito de comando do MOSFET. ........................................................................................... 84
Figura 5-14: Principais formas de onda obtidas para ratificao do procedimento de projeto do circuito de
comando (Simulador utilizado: PSPICE)........................................................................................................ 86
Figura 5-15: Representao do mdulo fotovoltaico como fonte de tenso. .................................................. 87
Figura 6-1: Conversor Buck com filtros de entrada e sada. .......................................................................... 90
Figura 6-2: Conversor Buck sem capacitor de sada. ..................................................................................... 90
Figura 6-3: Circuito eltrico equivalente do conversor Buck considerando-se todos os parmetros de perda
associados aos elementos passivos.................................................................................................................. 93
Figura 6-4: Corrente no capacitor CE de entrada do conversor Buck. ......................................................... 93
Figura 6-5: Tenso VD1 e Corrente I D1 no diodo D1 . .................................................................................. 94
Figura 6-6: Tenso VS 1 e Corrente I S 1 no interruptor S1 . ........................................................................... 94
Figura 6-7: Conversor Buck proposto para simulao incluindo todos os parmetros de perda. ................. 95
Figura 6-8: Corrente de entrada ( I E ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ................................ 96
Figura 6-9: Detalhe da corrente de entrada ( I E ): simulao (esquerda) e experimental (direita). .............. 96
Figura 6-10: Tenso de entrada ( VE ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ................................ 96
Figura 6-11: Corrente de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ............................ 97
Figura 6-12: Detalhe da corrente de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ............ 97
xiii
Figura 6-13: Tenso de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).................................. 97

Figura 6-14: Detalhe da tenso de sada ( Vcarga ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ............... 98
Figura 6-15: Determinao da faixa de operao do conversor Buck para os parmetros de projeto.......... 99
Figura 6-16: Circuito completo a ser simulado. ........................................................................................... 100
Figura 6-17: Comportamento da radiao S e temperatura T no decorrer das simulaes. ..................... 101
Figura 6-18: Tenso Vmdulo , corrente I mdulo e potncia Pmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com a
utilizao da tcnica da tenso constante. .................................................................................................... 101
Figura 6-19: Tenso Vmdulo , corrente I mdulo de sada do mdulo fotovoltaico com utilizao da tcnica
P&O. ............................................................................................................................................................. 103
Figura 6-20: Potncia Pmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com utilizao da tcnica P&O................. 104
Figura 6-21: Detalhe da tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico mediante o emprego da tcnica
P&O. ............................................................................................................................................................. 105
Figura 6-22: Comparao entre resposta do mtodo P&O para distintos passos D : (a) D = 0, 006 ; (b)
D = 0, 01 . .................................................................................................................................................... 105
Figura 6-23: Tenso Vmdulo , corrente I mdulo e potncia Pmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com
utilizao da tcnica CondInc. ...................................................................................................................... 106
Figura 6-24: Detalhe da tenso de sada do mdulo fotovoltaico. ............................................................... 107
Figura 6-25: Prottipo do circuito rastreador de mxima potncia. ............................................................ 108
Figura 6-26: Grficos comparativos entre resultados experimentais, de simulao e no ponto de mxima
potncia. ........................................................................................................................................................ 109
Figura 6-27: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com emprego da tcnica da tenso
constante para uma radiao S = 987W / m 2 e temperatura T = 57 C . .................................................... 110
Figura 6-28: Grficos comparativos entre resultados experimentais e de simulao. ................................. 111
Figura 6-29: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego da tcnica P&O para uma
radiao de S = 951W / m 2 e temperatura de T = 36 C . ........................................................................... 112
Figura 6-30: Detalhe da tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico. .............................................. 113
Figura 6-33: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego do conversor Buck
operando sob a tcnica CondInc para S = 980W / m 2 e T = 41 C . ......................................................... 114
Figura 7-1: Conversor Boost. ....................................................................................................................... 117
Figura 7-2: Circuito eltrico do conversor Boost. ........................................................................................ 119
Figura 7-3: Corrente no capacitor CO de sada do conversor Boost........................................................... 119
Figura 7-4: Tenso VD 2 e Corrente I D2 no diodo D2 . ................................................................................ 120
Figura 7-5: Tenso VS 2 no interruptor S 2 . .................................................................................................. 120
Figura 7-6: Corrente I S 2 no interruptor S 2 ................................................................................................. 121
Figura 7-7: Conversor Boost, com parmetros de perda, proposto para simulao.................................... 121
Figura 7-8: Corrente de entrada ( I E ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ............................. 122
Figura 7-9: Detalhe da corrente de entrada ( I E ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ........... 122
Figura 7-10: Tenso de entrada ( VE ): simulao (esquerda) e experimental (direita)............................... 122
Figura 7-11: Corrente de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita). .......................... 123
Figura 7-12: Detalhe da corrente de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ......... 123
Figura 7-13: Tenso de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ............................. 123
Figura 7-14: Detalhe da tenso de sada ( Vcarga ): simulao (esquerda) e experimental (direita). ............. 124
Figura 7-15: Determinao da faixa de operao do conversor Boost para os parmetros de projeto....... 125
Figura 7-16: Circuito completo a ser simulado. ........................................................................................... 126
Figura 7-17: Comportamento da radiao S temperatura T no decorrer das simulaes........................ 127
Figura 7-18: Tenso Vmdulo , corrente I mdulo e potncia Pmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com o
emprego da tcnica da Tenso Constante. .................................................................................................... 127
xiv
Figura 7-19: Tenso Vmdulo , corrente I mdulo e potncia Pmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com o
emprego da tcnica da Perturba e Observa. ................................................................................................. 129
Figura 7-20: Tenso Vmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego da tcnica da Condutncia
Incremental.................................................................................................................................................... 130
Figura 7-21: Corrente I mdulo e potncia Pmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego da tcnica
da Condutncia Incremental. ........................................................................................................................ 131
Figura 7-22: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico sob radiao de S = 200W / m 2 e
temperatura T = 25 C para o conversor Boost operando sob as trs tcnicas de rastreamento estudadas.
....................................................................................................................................................................... 132
Figura 7-23: Prottipo do conversor Boost. ................................................................................................. 133
Figura 7-24: Grficos comparativos entre resultados experimentais, de simulao e no ponto de mxima
potncia. ........................................................................................................................................................ 134
Figura 7-25: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com emprego da tcnica da Tenso
Constante para S = 990W / m 2 e T = 53 C ................................................................................................ 135
Figura 7-27: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego da tcnica P&O, sob
temperatura T = 37 C e radiao S = 930W / m 2 . .................................................................................... 137
Figura 7-29: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego do conversor Boost
operando sob a tcnica CondInc. .................................................................................................................. 138
xv
LISTA DE TABELAS
Tabela 3-1: Parmetros do mdulo fotovoltaico obtido por conexo serial de clulas. ................................. 30
Tabela 3-2: Principais parmetros do mdulo fotovoltaico obtido por conexo paralela de clulas
fotovoltaicas. ................................................................................................................................................... 33
Tabela 3-3: Principais parmetros do mdulo fotovoltaico obtido por conexo mista de clulas fotovoltaicas
idnticas. ......................................................................................................................................................... 35
Tabela 3-4: Parmetros equivalentes de um arranjo obtido a partir de mdulos fotovoltaicos. .................... 36
Tabela 3-5: Especificaes eltricas do mdulo fotovoltaico KC200GT. ....................................................... 43
Tabela 3-6: Comparao entre os resultados no ponto de mxima potncia referente s curvas obtidas via
simulao e fornecidas pelo fabricante. .......................................................................................................... 45
Tabela 3-7: Especificaes do arranjo constitudo de mdulos fotovoltaicos KC200GT. .............................. 48
Tabela 4-1: Principais parmetros dos conversores CC-CC empregados como MPPT. ............................... 60
Tabela 5-1: Especificaes eltricas do sensor Hall LTSR - 15PN . .............................................................. 76
Tabela 6-1: Especificaes para projeto do conversor Buck MCC. ............................................................... 91
Tabela 6-2: Comparao entre resultados no MPP e os obtidos com o emprego da tcnica da Tenso
Constante aplicada ao conversor Buck atravs de simulao. ..................................................................... 102
Tabela 6-3: Comparao entre resultados no MPP e os obtidos com o emprego da tcnica P&O aplicada ao
conversor Buck atravs de simulao. .......................................................................................................... 104
Tabela 6-4: Comparao entre resultados no MPP e os obtidos com o emprego da tcnica CondInc aplicada
ao conversor Buck atravs de simulao. ..................................................................................................... 107
Tabela 7-1: Especificaes para projeto do conversor Boost MCC. ............................................................ 118
Tabela 7-2: Comparao entre resultados no MPP e obtidos com o emprego da tcnica da Tenso Constante
aplicada ao conversor Boost atravs de simulao. ..................................................................................... 128
Tabela 7-3: Comparao entre resultados no MPP e obtidos com o emprego da tcnica P&O aplicada ao
conversor Boost atravs de simulao. ......................................................................................................... 130
Tabela 7-4: Comparao entre resultados no MPP e obtidos com o emprego da tcnica CondInc aplicada ao
conversor Boost atravs de simulao. ......................................................................................................... 131
xvi
SIMBOLOGIA
SMBOLOS UTILIZADOS
SMBOLO
SIGNIFICADO
A
rea
AM
AM 0
AM ref
c
Cbar
Coeficiente de idealidade de um diodo

rea da superfcie de um mdulo fotovoltaico
ndice relacionado massa de ar dentro da atmosfera terrestre
Constante relacionada massa de ar fora da atmosfera terrestre
Constante relacionada massa de ar nas condies de referncia
Velocidade da luz no vcuo
Capacitor de barramento
m/s
F
CE
Capacitor do filtro de entrada
CO
D
D (n)
Capacitor do filtro de sada

Razo cclica
Razo cclica da iterao atual
D(n 1)
Darranjo
Razo cclica da iterao anterior

Diodo que modela juno pn em um arranjo fotovoltaico
Dcel
Diodo que modela juno pn em uma clula fotovoltaica
Dmax
Razo cclica mxima
Dmin
Dmdulo
Razo cclica mnima

Diodo que modela juno pn em um mdulo fotovoltaico
D1
Diodo do conversor Buck
D2
Diodo do conversor Boost
UNIDADE
m2
E
Eabs
Campo Eltrico na juno pn
E fton
Energia de um fton
EG
Energia de banda proibida do semicondutor
e V
E(I )
Erro entre o ponto de operao e o de mxima potncia referente

corrente de sada do mdulo fotovoltaico
potncia de sada do mdulo fotovoltaico
E ( P)
V /m
Erro absoluto
%
%
Erel
Erro relativo
E (V )

tenso de sada do mdulo fotovoltaico
fC
Freqncia de corte do filtro passa-baixas
Hz
f MPPT
Freqncia com que ocorre o rastreamento de mxima potncia
Hz
fS
Freqncia de comutao
Hz
Ganho do sensor de corrente
GV
Caracterstica esttica de tenso de um conversor CC-CC
xvii
GI
Caracterstica esttica de corrente de um conversor CC-CC
Constante de Planck
J s
Sinal de corrente condicionado
I arranjo
Corrente de sada de um arranjo fotovoltaico
I BT (1, 2 )
Corrente de base de transistores T1, 2
I carga
Corrente que circula na carga de um conversor CC-CC
I ccref
Corrente de curto circuito nas condies de referncia
I CT (1, 2 )
Corrente de coletor de transistores T1, 2
I CEef
Corrente eficaz no capacitor de entrada
I CEef max
Corrente eficaz mxima no capacitor de entrada
I COef
Corrente eficaz no capacitor de sada
I COef max
Corrente eficaz mxima no capacitor de sada
I cel
I D1
Corrente de sada de uma clula fotovoltaica

Corrente direta mxima no interruptor MOSFET (especificao do
fabricante)
Corrente no diodo do conversor Buck
I D1med
Corrente mdia no diodo do conversor Buck
I DSS
A
A
I D2
Corrente no diodo do conversor Boost
I D 2med
I Darranjo
Corrente mdia no diodo do conversor Boost

Corrente que circula pelo diodo Darranjo
I Dcel
Corrente que circula pelo diodo Dcel
I Dmdulo
Corrente que circula pelo diodo Dmdulo
IF
Corrente direta mxima em um diodo (especificao do fabricante)
Ig
Corrente de comando do MOSFET
I med
Valor de corrente medida
I mp
Corrente no ponto de mxima potncia
ref
mp
Corrente de mxima potncia nas condies de referncia
I pmax
Mxima corrente de entrada do sensor de corrente
I pmin
Mnima corrente de entrada do sensor de corrente
IN
Corrente nominal do sensor de corrente
I ( n)
Corrente lida na iterao atual
I (n 1)
Corrente lida na iterao anterior
IP
Corrente lida pelo sensor de corrente
I mdulo
Corrente de sada de um mdulo fotovoltaico
I Pharranjo
Corrente gerada por um arranjo fotovoltaico
I phcel
Corrente gerada por uma clula fotovoltaica
I phmdulo
Corrente gerada por um mdulo fotovoltaico
xviii
I RP
Corrente gerada por um mdulo fotovoltaico nas condies de

referncia
Corrente que circula pelo resistor RP
I RP
Corrente que circula pelo resistor RPcel
I RPmdulo
Corrente que circula pelo resistor RPmdulo
I sim
Valor de corrente simulada
IS1
Corrente no interruptor do conversor Buck
I S 1med
Corrente mdia no interruptor do conversor Buck
IS 2
Corrente no interruptor do conversor Boost
I S 2med
k
kinc
Corrente mdia no interruptor do conversor Boost

Corrente reversa do diodo que modela a juno pn de um mdulo
fotovoltaico
Corrente reversa do diodo que modela a juno pn de um mdulo
fotovoltaico nas condies de referncia
Constante de Boltzmann
Ganho empregado na tcnica da condutncia incremental
K IPIC
Tenso de sada do circuito condicionador de corrente
ref
I Ph
mdulo
arranjo
arranjo
I0
I 0ref
arranjo
A
A
A
A
J/K
kTC
Ganho empregado na tcnica da tenso constante
KVPIC
Tenso de sada do circuito condicionador de tenso
LE
Indutor do filtro de entrada
LinP
Indutncia associada ao sensor de corrente
LO
n
nP
Indutor do filtro de sada

Portador de carga negativa
Nmero de clulas em paralelo em um mdulo fotovoltaico
NP
Nmero de mdulos em paralelo em um arranjo fotovoltaico
nS
Nmero de clulas em srie em um mdulo fotovoltaico
NS
Peltrica
Nmero de mdulos em srie em um arranjo fotovoltaico

Nmero de incrementos ou decrementos at que o regime permanente
seja alcanado
Portador de carga positiva
Juno entre portadores de carga de um semicondutor
Potncia eltrica gerada por um mdulo fotovoltaico
Pmed
Valor de potncia medida
Pmp
Mxima potncia
nstep
p
pn
P ( n)
Potncia obtida na iterao atual
P(n 1)
Potncia obtida na iterao anterior
Psim
q
W
C
RParranjo
Valor de potncia simulada

Carga elementar
Resistncia de conduo do interruptor MOSFET
Resistncia efetiva de entrada vista por um mdulo fotovoltaico em
funo da razo cclica
Resistncia efetiva de entrada vista por um mdulo fotovoltaico em
funo da caracterstica esttica de tenso
Resistncia paralela de um arranjo fotovoltaico
RPcel
Resistncia paralela de uma clula fotovoltaica
Rcarga
Resistncia de carga de um conversor CC-CC
RinP
Resistncia associada ao sensor de corrente
RPmdulo
Resistncia paralela de um mdulo fotovoltaico
RDSon
Rei (D, Rcarga )
Rei (GV , Rcarga )
xix
RSarranjo
Resistncia srie de um arranjo fotovoltaico
RScel
RSE
RSmdulo
Resistncia srie de uma clula fotovoltaica

Resistncia srie equivalente de um capacitor
Resistncia srie de um mdulo fotovoltaico
S
S ref
S1
Radiao solar
Radiao solar nas condies de referncia
Interruptor do conversor Buck
W / m2
W / m2
S2
T
T ref
Ta , Tb , Tc
Interruptor do conversor Boost

Temperatura
Temperatura nas condies de referncia
Valores quaisquer de temperatura
tRP
Tempo para alcanar o regime permanente
C
C
C
s
uI
V
Coeficiente de temperatura da corrente nas condies de referncia

Sinal de tenso condicionado
A/ C
V
Varranjo
Tenso de sada de um arranjo fotovoltaico
Vcaref
Tenso de circuito aberto
Vcamdulo
Tenso de circuito aberto de um mdulo fotovoltaico
Vcarga
Tenso aplicada carga de um conversor CC-CC
Vcel
Tenso de sada de uma clula fotovoltaica

Tenso entre coletor e emissor dos transistores T1, 2
VCET (1, 2 )
VDarranjo
Tenso sobre o diodo que modela o arranjo fotovoltaico
VDcel
Tenso sobre o diodo que modela a clula fotovoltaica
VDmdulo
VD1
Tenso sobre o diodo que modela o mdulo fotovoltaico

Mxima tenso direta aplicada ao interruptor MOSFET (especificao
do fabricante)
Tenso sobre o diodo do conversor Buck
VD1max
Tenso mxima sobre o diodo do conversor Buck
VDSS
V
V
VD 2
Tenso sobre o diodo do conversor Boost
VD 2max
Tenso mxima sobre o diodo do conversor Boost
VE
Tenso de entrada do conversor CC-CC
VF
Queda de tenso no diodo em conduo (especificao do fabricante)
Vg
Tenso de comando do MOSFET
Vgramp
Tenso de grampeamento
VHall
Tenso de sada do sensor de corrente
VHallmax
Mxima tenso de sada do sensor de corrente
VHallmin
Mnima tenso de sada do sensor de corrente
VIPIC
VIPICmax
Mxima tenso de sada do circuito condicionador de tenso
VIPICmin
Mnima tenso de sada do circuito condicionador de tenso
VIPIC _ f
Tenso de sada do circuito condicionador de tenso aps filtragem
Vmp
Tenso de mxima potncia
ref
mp
Tenso de mxima potncia nas condies de referncia
Vmed
Valor de tenso medida
V ( n)
Tenso lida na iterao atual
V (n 1)
Tenso lida na iterao anterior
xx
Vcarga
Tenso de sada do conversor CC-CC
Voffset
Nvel mdio da tenso de sada do sensor de corrente
VR
Tenso reversa mxima em um diodo
VS 1
Tenso aplicada ao interruptor do conversor Buck
VS1max
Tenso mxima aplicada ao interruptor do conversor Buck
VS 2
Tenso aplicada ao interruptor do conversor Boost
VS 2max
Tenso mxima aplicada ao interruptor do conversor Boost
Vmdulo
Tenso de sada de um mdulo fotovoltaico
VT
VVPIC
VVPIC _ f
Tenso trmica
V
V
Tenso de sada do circuito condicionador de tenso aps filtragem
ref
T
Tenso trmica nas condies de referncia
X fabricante
D
I mdulo
Valor de qualquer grandeza fornecida pelo fabricante

Valor de qualquer grandeza obtida por simulao
Passo de incremento da razo cclica
Diferena entre as correntes da iterao atual e anterior
I LEmax
Mxima ondulao de corrente no indutor de entrada
I LOmax
Mxima ondulao de corrente no indutor de sada
Vmdulo
Diferena entre as tenses da iterao atual e anterior
VCEmax
Mxima ondulao de tenso no capacitor de entrada
X simulado
VCOmax
Mxima ondulao de tenso no capacitor de sada
t MPPT
Intervalo de tempo entre as atualizaes da razo cclica
mdulo
Rendimento de um mdulo fotovoltaico
Rei (D, Rcarga )
Freqncia de onda
ngulo zenital
ngulo de inclinao da curva de carga em funo da razo cclica
ABREVIATURAS UTILIZADAS
ABREVIAO
SIGNIFICADO
A/D
CA
CC
CondInc
DSP
INEP
LCD
MCC
MPP
MPPT
OMM
P&O
STC
UFSC
Analgico/Digital
Corrente Alternada
Corrente Contnua
Condutncia Incremental
Processador Digital de Sinais
Instituto de Eletrnica de Potncia
Display de Cristal Lquido
Modo de Conduo Contnua
Ponto de Mxima Potncia
Rastreador de mxima potncia
Organizao Mundial de Meteorologia
Perturba e Observa
Condies Padres de Teste
Universidade Federal de Santa Catarina
xxi
A
A
A
V
V
V
s
Hz
grau
grau
PREFIXOS DE UNIDADES (SI)

PREFIXO
SIGNIFICADO
pico ( 10 12 )
nano ( 10 9 )
micro ( 10 6 )
mili ( 10 3 )
kilo ( 10 3 )
mega ( 10 6 )
giga ( 10 9 )
tera( 10 12 )
m
k
M
G
T
UNIDADES DE GRANDEZAS FSICAS

UNIDADE
SIGNIFICADO
A
C
F
H
Hz
J
K
m
Ampre
Coulomb
Farad
Henry
Herttz
Joule
Klvin
metro
Ohm
segundo
Volt
Watt
Grau Clsius
s
V
W
C
xxii
INTRODUO GERAL
A gerao fotovoltaica de energia eltrica tem sido amplamente discutida na
comunidade cientfica, em que inmeros trabalhos vm sendo publicados, exaustando o
tema e dando o embasamento terico para o desenvolvimento de projetos cada vez mais
complexos.
A expanso da tecnologia fotovoltaica, que cresce exponencialmente desde a
dcada de 70, pode ser atribuda a trs aspectos distintos: o primeiro refere-se melhora
significativa dos materiais empregados na fabricao de clulas fotovoltaicas. Atualmente,
alm do Silcio, que o material utilizado em maior escala para a referida finalidade, uma
gama bastante ampla de materiais vem sendo disponibilizada, permitindo o
aperfeioamento, no apenas em termos de eficincia de converso, mas tambm em
flexibilidade, peso e custos.
O segundo aspecto impulsionador da tecnologia refere-se busca incessante por
fontes renovveis de energia que se adqem s legislaes vigentes, principalmente, nos
tempos atuais, em que o apelo ecolgico e as dificuldades na obteno de licenas dos
rgos ambientais para construo de usinas de grande porte se fazem presentes. Este fato
tambm perceptvel na interveno governamental em muitos pases, sobretudo nos
europeus, em que subsdios so fornecidos visando expandir o uso de fontes fotovoltaicas
de energia.
Evidentemente, mesmo com eficincias de converso cada vez maiores e com a
tendncia mundial de utilizao de fontes renovveis de energia, a gerao fotovoltaica
somente alcanou os patamares atuais de gerao, graas ao desenvolvimento paralelo da
eletrnica de potncia, que utilizada como ferramenta para o processamento da energia
fotogerada.
Na maior parte das aplicaes, a eletrnica de potncia utilizada com o objetivo
de processar os nveis de tenso e corrente de entrada, tornando-os adequados para
alimentar uma carga especfica. No caso de cargas em corrente contnua, so utilizados os

conversores CC-CC e, no caso de cargas em corrente alternada, os conversores CC-CA.
Em muitas aplicaes, o conversor utilizado entre o mdulo fotovoltaico e a
carga, no somente para mant-la adequadamente alimentada, mas tambm para permitir
que o mdulo atue sempre no ponto de mxima transferncia de potncia. Este tipo de
aplicao to importante que, na literatura, os conversores utilizados com esta finalidade
so especialmente denominados de rastreadores de mxima potncia.
Neste trabalho, sero apresentados todos os conceitos necessrios para o
desenvolvimento prtico de um conversor CC-CC tipo Buck e outro tipo Boost, destinados
a operar como rastreadores de mxima potncia.
No capitulo 1, ser realizado um breve resumo da histria da tecnologia
fotovoltaica, sendo estabelecidos os principais aspectos concernentes aos materiais
utilizados e sua evoluo, os principais produtores mundiais de clulas fotovoltaicas, alm
da apresentao de alguns dados estatsticos relacionados aos custos e produtividade.
No captulo 2, sero estabelecidos os principais conceitos relacionados fotogerao, sem os quais a compreenso dos captulos posteriores ser dificultada. Sero
definidos conceitos como efeito fotovoltaico, radiao, temperatura, massa de ar, alm da
distino entre clula, mdulo e arranjo fotovoltaico.
No captulo 3, ser abordada a modelagem matemtica dos mdulos fotovoltaicos.
Neste item sero apresentados todos os procedimentos necessrios para que, a partir dos
dados fornecidos pelo fabricante do mdulo fotovoltaico, possa-se obter um modelo
acurado, capaz de representar, com grande preciso, via simulao, o dispositivo real. A
importncia deste captulo notria, uma vez que somente com um modelo preciso dos
mdulos fotovoltaicos, ser possvel obter resultados de simulao condizentes aos
experimentais, quando o sistema completo estiver sendo simulado.
No captulo 4, sero introduzidas as tcnicas que permitem o controle do conversor
CC-CC de modo a se impor aos mdulos fotovoltaicos a operao no ponto de mxima
transferncia de potncia. Inicialmente sero levantadas as principais tcnicas citadas na
literatura e, as mais importantes do ponto de vista do estudo (tcnica da tenso constante,
perturba e observa e condutncia incremental), sero abordadas mais aprofundadamente,
possibilitando sua implementao prtica.
Roberto Francisco Coelho
No captulo 5, de relevncia secundria, sero apresentados os projetos dos

circuitos auxiliares, propostos para implementao prtica do sistema de rastreamento de
mxima potncia.
O captulo 6 ser destinado ao estudo do conversor Buck operando como rastreador
de mxima potncia. Inicialmente ser realizado o projeto dos componentes que o
constituem e, em seguida, o mesmo ser aplicado finalidade proposta. Resultados de
simulao e experimentais, mediante a construo de um prottipo, tambm sero
apresentados.
Por fim, no captulo 7, a nfase ser dada operao do conversor Boost, projetado
para operar, tambm, como rastreador de mxima potncia. Novamente, resultados de
simulao e experimentais comprovaro a teoria apresentada.
CAPTULO 1
1 A TECNOLOGIA FOTOVOLTAICA
1.1 INTRODUO
A consolidao da tecnologia fotovoltaica como uma fonte vivel de gerao de
energia eltrica vem ocorrendo vagarosamente ao longo de quase dois sculos de histria,
sendo marcada pelo surgimento de materiais mais eficientes voltados foto-converso,
reduo dos custos e elevao acentuada da produtividade.
Neste captulo sero abordados alguns aspectos referentes tecnologia fotovoltaica.
Inicialmente ser apresentada uma breve reviso histrica desde o surgimento da primeira
clula at os dias atuais, seguida pela apresentao dos principais materiais empregados na
foto-converso e, por fim, sero entrelaados custo e produtividade no cenrio mundial.
1.2 UMA BREVE REVISO HISTRICA

As clulas fotovoltaicas so constitudas de materiais semicondutores capazes de
converter a energia solar incidente diretamente em energia eltrica. O efeito fotovoltaico,
conforme denominado o fenmeno, foi descoberto em 1839 por Edmond Becquerel que, a
partir da exposio, luz, de placas metlicas mergulhadas em um eletrlito, gerou uma
pequena diferena de potencial sem, no entanto, conseguir explicar as causas [1].
Quatro dcadas mais tarde, dois inventores norte-americanos desenvolveram o
primeiro dispositivo slido para gerao de eletricidade a partir da luz [2], com base nas
propriedades do Selnio. Contudo, a clula rudimentar desenvolvida apresentava baixssima
eficincia, no ultrapassando 0,5%.
Para que o efeito fotovoltaico tomasse carter cientfico, j que at ento somente
haviam sido obtidos resultados empricos, foi necessrio o surgimento da mecnica
quntica ou, mais precisamente, da fsica dos semicondutores e da teoria da dualidade ondapartcula, proposta por Albert Einstein em 1905.
Durante as cinco dcadas decorrentes, as aplicaes envolvendo a nova tecnologia

ficaram confinadas em laboratrios, at que em 1953, nos Laboratrios Bell, o qumico
Calvin Fuller, mediante o processo de dopagem, desenvolveu a primeira clula de Silcio1,
chegando a 6% de eficincia [4]. Perante a possibilidade de reduo de peso e volume, as
novas clulas de Silcio foram imediatamente incorporadas s estaes espaciais em
substituio s baterias qumicas, at ento utilizadas.
Todo esforo empregado para aumentar a eficincia das clulas fotovoltaicas no
decorrer dos anos 60, visando s aplicaes espaciais, deu lugar, na dcada seguinte, s
motivaes causadas pela crise do petrleo, em 1973, culminando pela primeira vez em
clulas fotovoltaicas com eficincias da ordem de 20% e no surgimento da primeira
empresa do setor fotovoltaico, a SOLAREX [4].
No decorrer dos anos 80 e 90, o fator de incentivo continuidade das pesquisas
estava fortemente atrelado ao apelo ecolgico em virtude da percepo das alteraes
climticas causadas pela queima de combustveis fsseis. Destarte, sob interveno
governamental foi construda nos Estados Unidos, em 1982, a primeira usina fotovoltaica
de grande porte (MW) e lanado o programa telhados fotovoltaicos na Alemanha em
1990, bem como no Japo, em 1993.
O novo milnio veio acompanhado pela ultrapassagem do primeiro bilho de clulas
produzidas [4] e, recentemente, a utilizao de multijunes permitiu o desenvolvimento,
em laboratrio, da primeira clula fotovoltaica com eficincia da ordem de 40%.
Futuramente, a tendncia desenvolver materiais sintticos e orgnicos que
aumentem a capacidade de absoro da luz solar por comprimento de onda, permitindo a
reduo dos custos associados [5].
1.3 MATERIAIS UTILIZADOS NA FABRICAO DE CLULAS FOTOVOLTAICAS

O desenvolvimento da tecnologia fotovoltaica se deve em grande parte ao
O Silcio o material semicondutor empregado em maior escala na fabricao de clulas fotovoltaicas, fato
este justificado por ser o segundo elemento mais abundante na superfcie da Terra, perfazendo cerca de 27,7%
de seu peso [3].
Roberto Francisco Coelho, Eng.
aperfeioamento dos materiais utilizados na fabricao das clulas.

De maneira simplificada, uma clula pode ser entendida como um semicondutor no
qual so adicionadas impurezas atravs do processo de dopagem, sendo que diferentes
dopantes causam alteraes nas caractersticas de tenso e corrente de sada, modificando
significativamente a eficincia de converso da mesma [6].
Com o desenvolvimento tecnolgico, uma gama bastante ampla de materiais surgiu
voltada fabricao de clulas fotovoltaicas. A Figura 1-1 classifica as clulas de acordo
com o material utilizado.
Figura 1-1: Classificao das clulas fotovoltaicas em termos dos materiais utilizados.
De acordo com a Figura 1-1, trs classes de clulas fotovoltaicas so produzidas

atualmente, quais sejam: clulas baseadas no Silcio, clulas constitudas de compostos
qumicos e clulas elaboradas de outros materiais, podendo ser distinguidas como sendo de
primeira, segunda ou terceira gerao [7].
A primeira gerao de clulas fotovoltaicas formada pelas clulas oriundas do
Silcio na forma monocristalina (com eficincia comercial em torno de 15%) e
policristalina (com eficincia em torno de 12%) [8].
A segunda gerao est baseada em tecnologias de filmes finos, podendo ser
constitudos de Silcio amorfo (a-Si), Silcio policristalino, camadas intercaladas de Silcio
amorfo e policristalino, Disseleneto de Cobre e ndio (CIS e CIGS) e Telureto de Cdmio

(CdTe). Em termos percentuais, estas clulas apresentam rendimentos da ordem de 7% em
aplicaes comerciais [9].
A terceira gerao de clulas contempla as tecnologias mais recentes, incluindo
clulas multijuno, clulas com corantes (DSC), clulas orgnicas e hbridas.
As clulas multijuno so constitudas, no por apenas um material semicondutor,
mas por dois (2J), trs (3J) ou quatro (4J), caracterizando a dupla, tripla ou qudrupla
juno, respectivamente. A grande vantagem dessas clulas o fato de permitirem a
absoro diferenciada por comprimento de onda da luz incidente, aumentando
significativamente a eficincia de converso que pode chegar a 40% em laboratrio [9].
Na mesma linha de pesquisa, as recentes clulas sensibilizadas por corantes (DyeSensitized Solar Cells), em que corantes so adicionados clula facilitando a absoro da
energia foto-incidente, apresentam previso de eficincia mxima da ordem de 27%,
porm, o custo de produo, devido simplicidade, fica estimado em cerca de 50%,
comparativamente s clulas de Silcio [10].
Evidentemente, todo esforo empregado para desenvolver novos materiais est
entrelaado ao aumento da eficincia de converso fotoeltrica sem elevao substancial
nos custos associados. A Figura 1-2 ilustra a forma como a eficincia das clulas
fotovoltaicas vem aumentando ao longo dos anos [11]. Nota-se que so apresentados os
materiais sob o qual as referidas eficincias de converso foram obtidas.
Figura 1-2: Eficincia mxima alcanada ao longo dos anos para clulas fotovoltaicas.
A partir da Figura 1-2 verifica-se que a evoluo dos materiais empregados

permitiu que a eficincia de converso partisse de aproximadamente 15% para clulas de
Silcio em 1970, para alcanar o patamar de cerca de 40% em 2008, atravs da utilizao de
clulas de quatro junes (4J).

Ressalta-se, por fim, que apesar de todos os avanos at o momento obtidos no que
concerne elevao da eficincia das clulas fotovoltaicas, o Silcio permanece como
material empregado em maior escala no processo de fabricao devido ao fato de ser,
economicamente, o elemento mais vivel para esta finalidade. No prximo item ser feita
uma breve anlise de como a elevao da eficincia de converso das clulas fotovoltaicas
entrelaa-se produtividade e custos destes dispositivos e, como estes dois importantes
parmetros vm se comportando ao longo dos anos.
1.4 PRODUTIVIDADE VERSUS CUSTO

Desde a descoberta do efeito fotovoltaico at os dias atuais, estima-se que j foram
fabricadas mais de um bilho de clulas, conforme outrora descrito. Atrelados elevao
das vendas, destacam-se a reduo substancial dos custos, os incentivos governamentais e o
nmero cada vez maior de empresas fabricantes de clulas fotovoltaicas.
Em termos estatsticos, alguns resultados, quando trazidos sob a forma grfica,
evidenciam o crescimento acentuado da produo mundial de energia fotovoltaica, tal como
ilustra Figura 1-3 [12].
Figura 1-3: Energia fotovoltaica nos principais pases produtores.
A anlise da Figura 1-3 mostra o acelerado crescimento na produo de energia

eltrica atravs de fontes fotovoltaicas. Entre os principais pases produtores h destaque
para Japo, Alemanha (principal gerador do continente Europeu) e China que,
10
recentemente, ultrapassou os Estados Unidos, tornando-se o terceiro maior produtor de

energia solar fotovoltaica do planeta. Em termos de potncia instalada, as informaes
apontam para um total de cerca de 4200 MWP 2, no ano de 2007.
Mediante a potencialidade do mercado fotovoltaico, inmeras empresas vm se
adaptando para fabricao de clulas, muito embora, cerca de 70% da produo mundial
esteja sob domnio de apenas oito produtores, conforme apresenta a Figura 1-4, que aborda
as respectivas porcentagens de produo dos anos de 2003 e 2005 [9].
Figura 1-4: Principais empresas fabricantes de mdulos fotovoltaicos.
Neste contexto, ainda possvel relacionar o aumento da quantidade de clulas

fotovoltaicas ao valor associado produo das mesmas. A Figura 1-5 apresenta os custos
por Watt de pico ao longo dos anos na Europa e Estados Unidos [13].
Figura 1-5: Custo associado venda de mdulos fotovoltaicas na Europa e Estados Unidos.
WP - Watt de pico Unidade referente mxima potncia sob condies padro.

11
A anlise grfica mostra que embora sob algumas oscilaes, entre dezembro de
2001 e setembro de 2008, o preo do Watt de pico decaiu cerca de 12% na Europa e,
aproximadamente, 11% nos Estados Unidos, confirmando a tendncia de reduo dos
preos associados gerao fotovoltaica de energia eltrica.
1.5 CONCLUSO
Neste captulo foram apresentados sumariamente alguns aspectos relacionados
tecnologia fotovoltaica. Verificou-se que em pouco menos de dois sculos, as clulas
fotovoltaicas evoluram significativamente, de modo que o desenvolvimento de novos
materiais permitiu que a eficincia de converso, em laboratrio, passasse de 6% em 1953
para 40% em 2008.
Ainda, constatou-se que o aumento da produo e a reduo dos custos so visveis
e que, na medida em que a potncia fotovoltaica instalada no planeta aumenta, o preo do
Watt gerado decresce.
Por fim, justifica-se a apresentao deste captulo em denotao informativa,
pretendendo contextualizar a tecnologia fotovoltaica.
12
CAPTULO 2
2 ALGUNS CONCEITOS IMPRESCINDVEIS MODELAGEM

DOS MDULOS E ARRANJOS FOTOVOLTAICOS
2.1 INTRODUO
A modelagem matemtica dos mdulos e arranjos fotovoltaicos requer o
conhecimento, de antemo, de algumas informaes que poderiam, sem problemas, ser
apresentadas no decorrer do texto, quando estivessem sendo utilizadas. Contudo, visando
tornar a leitura mais acessvel, optou-se em desenvolver um captulo a parte, contendo todas
as informaes necessrias para que a modelagem dos mdulos e arranjos fotovoltaicos
possa ser, posteriormente, melhor apresentada.
Neste captulo ser abordado o fenmeno fsico que permite a foto-gerao: o efeito
fotovoltaico, alm de conceitos como radiao (S), temperatura (T), massa de ar (AM),
condies padres de teste (STC) e diferenas construtivas entre clula, mdulo e arranjo
fotovoltaicos. Adicionalmente, ser feito o levantamento das principais caractersticas dos
mdulos sob o ponto de vista do catlogo do fabricante, bem como a influncia da
temperatura, radiao e sombreamento na potncia gerada.
2.2 O PRINCPIO FSICO DA FOTO-GERAO: O EFEITO FOTOVOLTAICO

Para que seja possvel desenvolver um modelo preciso que descreva o princpio de
funcionamento de um mdulo fotovoltaico, fundamental que o processo fsico
responsvel pela foto-gerao seja bem compreendido.
O emprego do semicondutor Silcio, na fabricao dos mdulos adquiridos para os
ensaios experimentais, justifica sua utilizao nas exemplificaes que sero apresentadas
no decorrer deste trabalho.
Um cristal de Silcio na sua forma pura chamado Silcio intrnseco. Neste tipo de
semicondutor, o nmero de eltrons e lacunas o mesmo, pois so gerados aos pares
atravs da ionizao trmica para temperaturas acima de zero Kelvin [6].
14
Adicionando certas impurezas3 de forma controlada ao semicondutor, ele deixa de

ser intrnseco e passa a ser extrnseco ou dopado. Mediante o processo de dopagem com
elementos trivalentes (geralmente Boro) e pentavalentes (geralmente Fsforo), possvel
obter substratos de Silcio com falta de eltrons (ou excesso de lacunas) denominado
substrato tipo p (por ser positivo) ou com excesso de eltrons, denominado substrato tipo
n (por ser negativo) [14], conforme ilustra a Figura 2-1.
Figura 2-1: Silcio dopado: (a) Dopagem com elemento trivalente (Boro), criando um substrato
com falta de eltrons - tipo p ; (b) Dopagem com elemento pentavalente (Fsforo), criando um
substrato com excesso de eltrons - tipo n .
Da unio entre os substratos p e n , obtm-se uma juno pn separada por uma

camada de depleo gerada devido recombinao de alguns eltrons do lado n que se
difundem para o lado p e algumas lacunas do lado p que se difundem para o lado n .
Deste modo, s mediaes da juno pn , tem-se o acmulo de cargas positivas do lado n e
negativas do lado p , que do origem a um campo eltrico e, por conseqncia, a uma
diferena de potencial ( V pn ), conforme a Figura 2-2, que ilustra a teoria apresentada.
Figura 2-2: Juno pn e camada de depleo em uma clula fotovoltaica de Silcio, sob influncia
do campo eltrico E.
Uma descrio mais precisa da fsica dos semicondutores pode ser obtida em [14].
15
importante salientar que a diferena de potencial age como uma barreira difuso
dos eltrons para o lado p e lacunas para o lado n e, quanto maior a difuso dos
portadores de carga, maior ser a diferena de potencial, dado o acmulo de cargas na
camada de depleo e o aumento da intensidade do campo eltrico [14].
Uma vez em equilbrio, somente haver passagem de eltrons do lado n para o p
caso estes recebam energia de um meio externo, mais precisamente dos ftons, no caso da
foto-gerao. Assim, para compreenso total do efeito fotovoltaico, necessrio recorrer s
teorias concernentes energia transportada por um fton.
Segundo a teoria da dualidade onda-partcula [15], a luz apresenta comportamento
ora de onda ora de partcula, dependendo do foco da anlise. Quando analisada como onda,
a luz constitui uma radiao eletromagntica que viaja no vcuo velocidade constante de
aproximadamente c = 3 10 8 m / s . Sob o ponto de vista corpuscular, a luz constituda de
pacotes de energia, denominados ftons, que podem ser caracterizados atravs da equao
(2.1), em que h = 4,138 10 15 eV s representa a constante de Planck e a freqncia de
vibrao.
E fton = h
(2.1)
Quando uma clula fotovoltaica exposta luz solar, os ftons chocam-se aos
eltrons da rede cristalina do Silcio extrnseco, fornecendo-lhe energia. Caso a energia do
fton incidente E fton seja igual ou superior a energia de banda proibida EG 4 do
semicondutor, os eltrons conseguiro alcanar a banda de conduo, tornando-se livres e,
na presena de um caminho fechado entre a clula fotovoltaica e uma carga qualquer,
haver circulao de corrente eltrica.
Matematicamente, haver o efeito fotovoltaico se:

E fton EG
(2.2)
Portanto, substituindo (2.1) em (2.2) e isolando-se possvel determinar uma

equao que permite calcular a mnima freqncia necessria para que ocorra o efeito
A energia de banda proibida
EG (Gap Energy) a mnina energia necessria que deve ser fornecida a um
eltron para que deixe a banda de Valncia e passe de Conduo, tornando-se livre.
16
fotovoltaico, em funo da energia de banda proibida EG do material.
E fton
h
EG
h
(2.3)
Para o tomo de Silcio, a energia de banda proibida vale EG = 1,12eV , deste modo,
tem-se:
1,12
= 270,66 10 12 Hz
-15
4,13810
(2.4)
Para que uma anlise possa ser feita a partir do resultado da equao (2.4),
apresenta-se a Figura 2-3, que ilustra o especto eletromagntico desde as ondas de rdio
aos raios gama.
Figura 2-3: Espectro eletromagntico.
Sobrepondo a freqncia = 270,66 1012 Hz ao espectro eletromagntico, verificase que se enquadra no patamar inferior do espectro infravermelho ( 1012 Hz ), ou seja,
qualquer onda eletromagntica com freqncia superior a este patamar, inclusive dentro do
espectro visvel, tem energia suficiente para garantir a ocorrncia do efeito fotovoltaico, em
uma clula de Silcio.
Sumarizando toda a teoria envolvida, recorre-se Figura 2-4, que ser retomada
posteriormente, quando a anlise da clula fotovoltaica, no que concerne ao seu circuito
eltrico equivalente, for realizada.
Figura 2-4: Clula fotovoltaica do ponto de vista fsico.
17
2.3 RADIAO SOLAR (S)

A energia emanada do Sol chega superfcie terrestre atravs de ondas
eletromagnticas que se propagam no vcuo velocidade da luz, constituindo a radiao
solar.
Segundo a OMM (Organizao Mundial de Meteorologia) [16] a parte externa da
atmosfera terrestre est exposta a uma radiao mdia de 1366W / m 2 . Contudo, devido aos
fenmenos de reflexo e absoro na camada atmosfrica, somente cerca de 1000W / m 2
chegam superfcie da Terra sob a forma de radiao direta, quando medido na linha do
Equador ao meio dia. Evidentemente, a radiao solar no constante em todas as partes da
Terra, variando de acordo com latitude, nebulosidade e outros fenmenos meteorolgicos.
A Figura 2-5 apresenta as componentes principais da radiao solar, na forma
difusa, direta e refletida pela camada atmosfrica.
Figura 2-5: Componentes da radiao solar.
De acordo com a Figura 2-5, a radiao total em um corpo situado na superfcie da

Terra dada pela soma das componentes direta e difusa, j que a refletida no chega a
penetrar a atmosfera.
A radiao direta aquela proveniente do Sol, sem sofrer nenhuma mudana de
direo, alm da provocada pela refrao atmosfrica. Por outro lado, a radiao difusa
aquela recebida por um corpo, em virtude da direo dos raios solares terem sido
modificados por reflexo ou espalhamento na atmosfera [11].
A radiao solar um parmetro imprescindvel neste trabalho, j que como ser
visto posteriormente, a foto-corrente gerada por uma clula fotovoltaica tem relao direta
com esta grandeza.
18
2.4 TEMPERATURA (T)

A temperatura uma medida do grau de agitao das molculas. Em virtude de a
formao dos pares eltrons-lacunas no Silcio extrnseco ser fortemente dependente desta
grandeza, torna-se importante atent-la.
2.5 MASSA DE AR (AM)

O ndice AM (Air Mass) corresponde espessura da camada de ar no caminho da
radiao eletromagntica provinda do Sol, normalizada em relao ao menor caminho
possvel a ser percorrido, estando associado composio espectral dos raios solares que
alcanam a superfcie da Terra.
De forma literal, o ndice AM pode ser determinado por:
AM =
1
cos
(2.5)
Na equao (2.5), representa o ngulo zenital entre a Terra e o raio incidente,

conforme mostra a Figura 2-6.
Figura 2-6: Determinao do ndice de Massa de Ar em funo do ngulo zenital entre a Terra e o
raio solar incidente..
Evidencia-se, a partir da anlise da Figura 2-6 e da equao (2.5), que quanto maior
o ngulo , menor ser a componente direta da radiao incidente na superfcie da Terra.
Apenas por mrito exemplificativo, em um dia de cu claro a uma inclinao = 48, 2 (ou
AM = 1,5 ) tem-se S = 1000W / m 2 [17].
Acentua-se que fora da atmosfera terrestre a radiao mdia constante e
representada pelo ndice AM0 [18].
19
2.6 CONDIES PADRES DE TESTE (STC)

As Condies Padres de Teste (ou STC Standard Test Conditions) consistem na
uniformizao, por parte dos fabricantes de clulas e mdulos fotovoltaicos, dos valares de
radiao, temperatura e massa de ar, segundo os quais os ensaios de caracterizao so
realizados. No STC, tem-se: S = 1000W / m 2 , T = 25 C e AM = 1,5 .
Neste trabalho, os valores de radiao, temperatura e massa de ar, quando
especificados nas condies padres de teste sero denominados de valores de referncia e,
sero designados por: S ref = 1000W / m 2 , T ref = 25 C e AM ref = 1,5 .
2.7 DISTINO ENTRE CLULA, MDULO E ARRANJO FOTOVOLTAICO

As clulas, mdulos e arranjos fotovoltaicos so similares do ponto de vista de
funcionamento, contudo, diferem-se no que diz respeito aos nveis de tenso, corrente e
potncia. Em termos construtivos, as clulas fotovoltaicas so os elementos bsicos na
construo dos mdulos e estes, por sua vez, na construo dos arranjos fotovoltaicos.
2.7.1 CLULA FOTOVOLTAICA

As clulas fotovoltaicas so dispositivos semicondutores capazes de converter
diretamente a energia solar incidente em energia eltrica. Tradicionalmente uma clula
fotovoltaica mede entre 100cm 2 e 200cm 2 , sendo capaz de gerar aproximadamente 0, 6V
de tenso para uma potncia entre 1W e 3W .
Estruturalmente, a clula fotovoltaica pode ser dividida em vrias camadas, com
atribuies especficas, conforme apresentado na Figura 2-7.
Figura 2-7: Corte transversal de uma clula fotovoltaica.
20
Na Figura 2-7, os substratos tipo n e p representam o Silcio dopado (juno pn ),

estando ligados a um contato metlico para conexo das cargas e circulao da corrente
eltrica. A parte posterior da clula protegida por um suporte rgido (suporte traseiro)
geralmente constitudo de fibra e, a parte frontal recebe um adesivo anti-reflexivo, um
adesivo transparente e um revestimento de vidro, ambos para proteo [19].
2.7.2 MDULO FOTOVOLTAICO

Os mdulos fotovoltaicos so constitudos da ligao srie e/ou paralela de clulas
fotovoltaicas, com o intuito de elevar a potncia de sada [19]. Evidentemente, como os
mdulos so comercializados de forma fechada, uma vez realizadas as conexes por parte
do fabricante, no h possibilidade de alterao pelo usurio. Em termos de dimenso,
existe relao direta entre o tamanho do mdulo e a potncia de pico que pode ser gerada,
no ultrapassando 160W / m 2 para os mdulos policristalinos comerciais de Silcio.
2.7.3 ARRANJO FOTOVOLTAICO

Por fim, visando alcanar nveis significativos de gerao, os mdulos fotovoltaicos
podem ser associados em srie e/ou paralelo, dando origem aos arranjos fotovoltaicos que
podem gerar desde alguns kW at potncias mais expressivas, da ordem de MW .
Evidentemente, o tipo de ligao entre os mdulos ir ditar o nvel de tenso,
corrente e potncia de sada do arranjo, mantendo-se a direta proporo entre a potncia
gerada e a rea exposta radiao solar.
A Figura 2-8 retrata a diferena entre clula, mdulo e arranjo fotovoltaico.
Figura 2-8: Clula, mdulo e arranjo fotovoltaico.
21
2.7.4 CARACTERSTICA DE SADA

Os fabricantes de mdulos fotovoltaicos, em seus catlogos, fornecem algumas
informaes cujas interpretaes so imprescindveis ao dimensionamento correto dos
sistemas fotovoltaicos.
Na maior parte dos casos, as informaes so trazidas ao usurio sob a forma de
curvas caractersticas, denominadas curvas I V , conforme mostra a Figura 2-9 [20].
Figura 2-9: Curvas I V para o mdulo KC 200GT : (a) sob radiao constante e diferentes
temperaturas; (b) sob temperatura constante e diferentes radiaes.
Existem alguns pontos especficos nas curvas apresentadas, cujos valores fornecidos
pelo fabricante geralmente contemplam o STC (ver item 2.6). A
Figura 2-10 apresenta a
curva caracterstica de sada do mdulo fotovoltaico para S = 1000W / m 2 e T = 25C com

os principais pontos indicados.
Figura 2-10: Alguns pontos fornecidos pelos fabricantes no STC.
22
Na Figura 2-10, o termo representado por I ccref representa a corrente de curto

circuito do mdulo fotovoltaico, ou seja, a corrente que circula pelo mdulo quando seus
terminais so interligados diretamente. Neste ponto, a tenso nula.
O ndice Vcaref indica a tenso de circuito aberto, ou seja, a tenso de sada que
aparece entre os terminais do mdulo quando esto em aberto. Neste ponto a corrente de
sada nula.
ref
ref
Por fim, o par ordenado ( I mp
, Vmp
) indica respectivamente, a tenso e a corrente de
mxima potncia, ou seja, os valores de tenso e corrente que maximizam a potncia de

ref
sada do mdulo fotovoltaico, nesse contexto, denominada Pmp
.
Retomando as curvas da Figura 2-9, possvel verificar que so fortemente

dependentes das condies climticas: Termperatura, radiao e, em menor grau, do
sombreamento [21].
Quando a temperatura da clula sobe, ocorrem dois processos opostos que afetam
diretamente seu desempenho. Um deles decorre do fato de que quando o cristal de Silcio
est quente, a vibrao dos tomos mais intensa e os choques com os ftons levam a
produzir um valor de corrente ligeiramente mais alto, para uma mesma radiao. O outro se
refere ao fato de que, com o aumento da temperatura, os eltrons livres e lacunas possuiro
excesso de energia trmica para que se empurrem contra a juno pn no sentido
contrrio ao imposto pelo campo eltrico E (Figura 2-2), acarretando a diminuio da

tenso de sada da clula, conforme se verifica na Figura 2-9 (a ) .
Em relao radiao solar, quando diminui, a quantidade de ftons por segundo
penetrando na clula tambm decresce, implicando na reduo do nmero de eltrons
livres. Este fato resulta principalmente em uma forte reduo do valor de sada da corrente
do mdulo, enquanto a tenso de sada sofre, apenas, uma leve reduo. Ambos os efeitos
podem ser verificados na Figura 2-9 (b)
O outro efeito importante, que merece nfase, a ocorrncia de sombreamentos
[22], que podem ser suaves ou abruptos. Os sombreamentos suaves so causados por ventos
ou nuvens pouco densas que dispersam os raios solares tornando-os difusos, diminuindo a
potncia gerada. J o sombreamento abrupto ocorre quando os raios solares so
interrompidos, no alcanando a superfcie da clula. Neste caso, existe a possibilidade de
23
sombreamento parcial ou total.

No sombreamento parcial, conforme mostra Figura 2-11, somente parte de uma ou
vrias clulas deixa de ser iluminada, implicando numa reduo, proporcional rea
sombreada, da potncia de sada. Este efeito ocorre devido ao fato de que em um mdulo,
geralmente, as clulas esto conectadas em srie, assim a reduo de gerao de uma delas
causar a reduo das demais.
Figura 2-11: Mdulo fotovoltaico com clulas parcialmente sombreadas.
No caso do sombreamento total, a rea de uma ou vrias clulas totalmente

coberta, dessa forma, a gerao de energia eltrica cai a zero.
Figura 2-12: Mdulo fotovoltaico com clulas totalmente sombreadas.
2.8 CONCLUSO
Este captulo teve por objetivo introduzir os conceitos mais importantes e
imprescindveis abordagem, sob o ponto de vista da modelagem matemtica, da clula,
mdulo e arranjo fotovoltaico.
Foram apresentados os conceitos de radiao, temperatura e massa de ar, j que so
estes os trs parmetros que mais influenciam na corrente, tenso e potncia de sada de
dispositivos fotovoltaicos.
24
Ainda, descreveu-se o efeito fotovoltaico, que permite a direta converso da energia

solar incidente em energia eltrica; fez-se a distino entre clula, mdulo e arranjo
fotovoltaico e estipularam-se as condies padres de teste, amplamente utilizadas nos
ensaios por parte dos fabricantes.
Por fim, a partir das curvas caractersticas determinou-se a influncia causada por
variaes de radiao, temperatura e sombreamento nas clulas que constituem os mdulos
fotovoltaicos.
Todos os conceitos e teorias apresentadas neste captulo so fundamentais para que
a modelagem matemtica dos mdulos e arranjos fotovoltaicos possa ser realizada com
rigor, conforme ser apresentado no captulo seguinte.
CAPTULO 3
3 MODELAGEM DOS MDULOS E ARRANJOS
FOTOVOLTAICOS
3.1 INTRODUO
Em Eletrnica de Potncia, perante a complexidade cada vez maior das estruturas
estudadas, a simulao tornou-se uma ferramenta essencial ao projetista, permitindo
comprovar a teoria desenvolvida e validar os modelos, antes do desenvolvimento prtico.
Referindo-se aos mdulos (ou arranjos) fotovoltaicos, a no existncia de um
modelo acurado, agregado aos principais simuladores utilizados, inviabiliza investigaes
mais profundas, via simulao, a respeito das variaes de radiao e temperatura nas
grandezas de sada: tenso, corrente e potncia.
Prope-se, neste trabalho, o desenvolvimento de um bloco construtivo voltado
simulao que seja capaz de fornecer com preciso as curvas caractersticas de sada I V
dos dispositivos fotovoltaicos, para qualquer condio de radiao e temperatura.
Este captulo esta dividido basicamente em trs partes: na primeira, sero levantados
os circuitos eltricos equivalentes que representam a clula, o mdulo e o arranjo
fotovoltaico. Na segunda, ser realizada a modelagem matemtica de tais circuitos e, por
fim, na terceira parte, sero efetuadas simulaes vislumbrando validar os modelos obtidos.
3.2 CIRCUITOS ELTRICOS EQUIVALENTES DA CLULA, MDULO E ARRANJO

FOTOVOLTAICOS
Objetiva-se, neste item, apresentar os circuitos eltricos equivalentes da clula,
mdulo e arranjo fotovoltaico. Evidentemente, devido aos nveis de potncia associados a
uma clula serem muito pequenos (entre 1W e 3W ), no h interesse em estud-la neste
trabalho, porm, a obteno de seu circuito eltrico equivalente necessria, j que o
bloco construtivo bsico do mdulo fotovoltaico.
26
3.2.1 CIRCUITO ELTRICO EQUIVALENTE DA CLULA FOTOVOLTAICA

Uma clula fotovoltaica, de acordo com o modelo fsico apresentado na Figura 2-4
e repetido na Figura 3-1 por convenincia, pode ser entendida como uma juno pn que ao
ser exposta luz gera uma corrente eltrica.
Figura 3-1: Clula fotovoltaica do ponto de vista fsico.
Desta forma, o circuito eltrico mais simples, capaz de reproduzir as caractersticas

supracitadas apresentado na Figura 3-2.
Figura 3-2: Circuito eltrico equivalente idealizado para clulas fotovoltaicas.
Obviamente, devido ao fato de as representaes (fsica e eltrica) referirem-se ao

mesmo dispositivo (a clula fotovoltaica), existe forte relao entre ambas. A corrente
gerada pela interao fton-eltron na Figura 3-1 representada como uma fonte de
corrente constante I phcel na Figura 3-2. A juno pn , caracterstica do Silcio extrnseco na
representao fsica, modelada como um diodo Dcel de juno pn no circuito eltrico.
As grandezas I cel e Vcel representam, nesta ordem, corrente e tenso de sada da clula
fotovoltaica, enquanto I Dcel e VDcel referem-se corrente e tenso aplicada ao diodo Dcel ,
respectivamente.
visto, contudo, que o circuito eltrico equivalente retratado na Figura 3-2, no
contempla os parmetros de perdas associados clula fotovoltaica real, que quando
inclusos, permitem obter o circuito apresentado na Figura 3-3 [23], [24], [25], [26], [27],
em que a resistncia paralela RPcel representa as perdas internas ou por correntes de fuga,
enquanto a resistncia srie RScel retrata as perdas causadas devido s quedas de tenso nos
27
contatos metlicos [23].
Figura 3-3: Circuito eltrico equivalente para clulas fotovoltaicas contemplando parmetros de
perdas.
Alternativamente, o circuito eltrico da Figura 3-3 pode ser representado conforme

o ilustrado na Figura 3-4. Esta representao, apesar de ser eletricamente semelhante
anterior, facilita a obteno do circuito eltrico equivalente referente ao mdulo
fotovoltaico, e ser retomada posteriormente.
Figura 3-4: Representao alternativa para a clula fotovoltaica.
3.2.2 CIRCUITO ELTRICO EQUIVALENTE DO MDULO FOTOVOLTAICO

Para obteno do circuito eltrico equivalente capaz de representar um mdulo
fotovoltaico, parte-se da unidade bsica que o constitui: a clula fotovoltaica.
Existem trs possibilidades para conexo das clulas, das quais se citam a conexo
srie, a paralela e a mista.
3.2.2.1 Mdulo Fotovoltaico Obtido da Conexo de Clulas em Srie
Para iniciar a anlise, considera-se a Figura 3-5, que apresenta um conjunto de nS
clulas idnticas5 interligadas em srie. Obviamente, o estudo do referido circuito torna-se
demasiadamente complexo caso uma reduo no seja implementada. Propondo facilitar a
Esta condio plausvel, visto quer no processo de fabricao as clulas so produzidas com caractersticas
muito semelhantes [23].
28
anlise, a Figura 3-6 ilustra alguns passos no processo de reduo do circuito equivalente,
tendo como resultado uma forma simplificada, porm, com as mesmas caractersticas
eltricas do circuito original.
Figura 3-5: Associao em srie de clulas fotovoltaicas idnticas.
Figura 3-6: Reduo gradual do circuito eltrico equivalente composto por clulas
fotovoltaicas idnticas em srie.
29
Mediante o estudo da Figura 3-6 (b), verifica-se que os parmetros de perdas de

cada clula individual RPcel e RScel aparecem em srie, podendo ser reunidos em um nico
resistor equivalente. De maneira anloga, podem-se associar as fontes de corrente e os
diodos, de forma a se obter uma representao compacta final, tal como ilustra a Figura
3-7.
Figura 3-7: Circuito eltrico equivalente resultante da associao em srie, em sua forma
compacta final.
A partir da comparao da Figura 3-7 com a Figura 3-6 (b) trs relaes
importantes podem ser obtidas, conforme mostra a equao (3.1).
I Phmdulo = I Phcel
I mdulo = I cel
(3.1)
VDmdulo = nS VDcel
Ainda, aludindo aos parmetros de perdas, possvel estabelecer as seguintes

relaes:
RPmdulo = nS RPcel
(3.2)
RSmdulo = nS RScel
Equacionando-se o circuito da Figura 3-7, encontra-se:

Vmdulo = VDmdulo RSmdulo I mdulo
(3.3)
Substituindo (3.1) e (3.2) em (3.3), facilmente obtm-se:

Vmdulo = nS VDcel nS RScel I cel = nS (VDcel RScel I cel )
(3.4)
Por fim, a partir da anlise da Figura 3-3, tem-se:
Vcel = VDcel RScel I cel
(3.5)
Portanto, substituindo a equao (3.5) em (3.4), finalmente, obtm-se:
Vmdulo = nS Vcel
(3.6)
Sumarizando, a Figura 3-8 retrata a curva caracterstica I V , enquanto a Tabela

3-1 traz os principais parmetros do circuito eltrico equivalente referente conexo srie
30
de clulas fotovoltaicas idnticas.
Figura 3-8: Caracterstica de sada de clulas fotovoltaicas interligadas em srie.

Tabela 3-1: Parmetros do mdulo fotovoltaico obtido por conexo serial de clulas.
Parmetros
Clula Fotovoltaica
Mdulo Fotovoltaico
Nmero de clulas
nS
Resistncia
srie
Resistncia
paralela
Corrente fotogerada
Tenso de
sada
RScel
RSmdulo = nS RScel
RPcel
RPmdulo = nS RPcel
I Phcel
I Phmdulo = I Phcel
Vcel
Vmdulo = nS Vcel
I cel
I mdulo = I cel
Corrente de sada
3.2.2.2 Mdulo Fotovoltaico Obtido da Conexo de Clulas em Paralelo

Para iniciar a anlise, considera-se a Figura 3-9, que apresenta um conjunto de nP
clulas idnticas interligadas em paralelo.
Figura 3-9: Associao de clulas fotovoltaicas idnticas em paralelo.
31
Novamente, considerando que as clulas fotovoltaicas so idnticas, pode-se afirmar

que as tenses estabelecidas nos pontos a, b e c tm mesmo valor, assim, podem ser
interligados sem que o circuito eltrico equivalente seja alterado, conforme apresenta
Figura 3-10.
Figura 3-10: Associao de clulas fotovoltaicas em paralelo com interligao dos pontos
equipotenciais.
A interligao dos pontos a , b e c possibilita verificar que todas as fontes de

corrente I Phcel , todos os diodo Dcel e todas as resistncias RPcel esto em paralelo. Desta
forma, uma representao mais simplificada pode ser obtida, conforme a Figura 3-11.
Figura 3-11: Circuito equivalente de clulas idnticas associadas em paralelo.
Por fim, agrupando-se os termos passveis de simplificao, determina-se o circuito

eltrico compacto final, tal como apresentado na Figura 3-12.
Figura 3-12: Circuito eltrico equivalente resultante da associao em paralelo de clulas

fotovoltaicas, na forma compacta final.
32
A partir da comparao da Figura 3-12 com a Figura 3-11, trs relaes

importantes podem ser obtidas, conforme mostra a equao (3.7).
I Phmdulo = nP I Phcel
I mdulo = nP I cel
(3.7)
VDmdulo = VDcel
Ainda, aludindo aos parmetros de perdas, estabelecem-se as seguintes relaes:
RPmdulo =
RPcel
RSmdulo =
RScel
nP
(3.8)
nP
Equacionando-se o circuito da Figura 3-12, encontra-se:

Vmdulo = VDmdulo RSmdulo I mdulo
(3.9)
Substituindo os resultados das equaes (3.7) e (3.8) na equao (3.9), facilmente

obtm-se:
Vmdulo = VDcel
RScel
nP I cel = VDcel RScel I cel
nP
(3.10)
Portanto, retomando-se o resultado da equao (3.5), tem-se:

Vmdulo = Vcel
(3.11)
A Figura 3-13 retrata a caracterstica de sada referente associao de clulas

fotovoltaicas idnticas em paralelo e, seqencialmente, os parmetros do circuito eltrico
equivalente so resumidos na Tabela 3-2.
Figura 3-13: Caracterstica de sada de clulas fotovoltaicas interligadas em paralelo.
33
Tabela 3-2: Principais parmetros do mdulo fotovoltaico obtido por conexo paralela de clulas
fotovoltaicas.
Parmetros
Clula Fotovoltaica
Mdulo Fotovoltaico
Nmero de Clulas
nP
Resistncia
srie
RScel
RSmdulo =
Resistncia
paralela
RPcel
RPmdulo =
Corrente foto-gerada
I Phcel
I Phmdulo = nP I Phcel
Tenso de
sada
Vcel
Vmdulo = Vcel
Corrente de sada
I cel
I mdulo = n p I cel
RScel
nP
RPcel
nP
3.2.2.3 Associao Mista de Clulas Fotovoltaicas

A associao mista de clulas fotovoltaicas (srie e paralela) empregada para
elevao dos nveis simultneos de tenso e corrente de sada, propiciando uma maior
potncia.
Neste tipo de associao, o circuito eltrico equivalente contempla as caractersticas
tanto da conexo srie quanto paralela e, geralmente, alcanada interligando-se em
paralelo um conjunto de clulas em srie (strings), tal como ilustra a Figura 3-14.
Figura 3-14: Mdulo fotovoltaico obtido da associao mista de clulas fotovoltaicas.
34
Aplicando-se as teorias desenvolvidas nos itens 3.2.2.1 e 3.2.2.2 para reduo do

circuito eltrico apresentado na Figura 3-14, obtm-se a Figura 3-15, que traz o circuito
eltrico equivalente final da associao mista.
Figura 3-15: Circuito eltrico equivalente oriundo da associao mista de clulas fotovoltaicas, na
sua forma compacta.
Na Figura 3-16 so apresentadas as respectivas curvas caractersticas I V de cada

uma das clulas fotovoltaicas e da associao. Verifica-se que a curva caracterstica da
associao obtida pela composio das curvas de cada uma das clulas associadas.
Figura 3-16: Caracterstica de sada de clulas fotovoltaicas interligadas de forma mista.
Os parmetros eltricos do mdulo fotovoltaico oriundo da associao mista de

clulas fotovoltaicas so apresentados na Tabela 3-3.
35
Tabela 3-3: Principais parmetros do mdulo fotovoltaico obtido por conexo mista de clulas
fotovoltaicas idnticas.
Nmero de Clula em
paralelo
Nmero de clulas em
srie
Clula Fotovoltaica
Mdulo Fotovoltaico
nP
nS
n
= S RScel
nP
n
= S RPcel
nP
Resistncia
srie
RScel
RSmdulo
Resistncia
paralela
RPcel
RPmdulo
Corrente foto-gerada
I Phcel
I Phmdulo = nS I Phcel
Tenso de
sada
Corrente de
sada
Vcel
Vmdulo = nS Vcel
I cel
I mdulo = nS I Phcel
3.2.3 CIRCUITO ELTRICO EQUIVALENTE DO ARRANJO FOTOVOLTAICO

Similarmente aos mdulos, que podem ser obtidos da ligao srie, paralela ou
mista entre clulas, os arranjos so constitudos de ligaes (srie, paralela ou mista) de
mdulos fotovoltaicos.
Visto que os circuitos eltricos equivalentes das clulas e dos mdulos fotovoltaicos
so similares (exceto pela ordem de grandeza dos parmetros envolvidos), toda teoria
anteriormente apresentada se aplica tambm ao estudo dos arranjos fotovoltaicos, portanto,
repeti-la, aqui, tornaria o contedo redundante.
A partir do exposto, e tomando o mdulo fotovoltaico como elemento base na
construo dos arranjos, trs possibilidades so possveis: arranjos fotovoltaicos
constitudos de mdulos interligados em srie, paralelo ou de forma mista. O resultado de
qualquer tipo de associao conduz sempre ao circuito eltrico equivalente apresentado na
Figura 3-17.
Figura 3-17: Circuito eltrico equivalente de um arranjo fotovoltaico.
36
Tomando-se os parmetros do mdulo fotovoltaico como referncia ( RSmdulo ,

RPmdulo , I Phmdulo , Vmdulo e I mdulo ) e considerando que o arranjo constitudo de N S
mdulos em srie e N P mdulos em paralelo, possvel expressar os parmetros que

compem um arranjo fotovoltaico, conforme mostra a Tabela 3-4.
Tabela 3-4: Parmetros equivalentes de um arranjo obtido a partir de mdulos fotovoltaicos.
Arranjo Fotovoltaico
Parmetro
Mdulo
Fotovoltaico
Conexo
Srie
Mdulos em
paralelo
Mdulos em
srie
Conexo Paralela
Conexo Mista
NP
NP
NS
RSarranjo = N S RSmdulo
RSarranjo =
RSmdulo
RParranjo =
RPmdulo
RSarranjo
NS
N
= S RSmdulo
NP
Resistncia
srie
RSmdulo
Resistncia
paralela
RPmdulo
Corrente
foto-gerada
I Phmdulo
I Pharranjo = I Phmdulo
I Pharranjo = N P I Phmdulo
Tenso de
sada
Corrente de
sada
Vmdulo
Varranjo = N S Vmdulo
Varranjo = Vmdulo
Varranjo = N S Vmdulo
I mdulo
I arranjo = I mdulo
I arranjo = N P I mdulo
I arranjo = N P I mdulo
RParranjo = N S RPmdulo
NP
NP
RParranjo =
NS
RPmdulo
NP
I Pharranjo = N P I Ph
mdulo
Em fim, com a obteno dos circuitos eltricos equivalentes capazes de representar

os arranjos fotovoltaicos sob distintas formas de conexes, pode-se iniciar o
equacionamento e modelagem matemtica dos mesmos.
Atenta-se ao importante fato de que os circuitos equivalentes foram obtidos
considerando-se que as clulas e mdulos utilizados nas associaes so idnticos, desta
forma, o modelo a ser obtidos reproduzir resultados vlidos se na prtica a condio de
similaridade dos dispositivos fotovoltaicos for conservada.
3.3 MODELAGEM MATEMTICA

A modelagem matemtica a seguir, visa contemplar unicamente os circuitos
eltricos equivalentes do mdulo e arranjo fotovoltaicos. Ressalta-se que o circuito eltrico
da clula fotovoltaica no ser modelado, j que os nveis de potncia de sada deste
37
dispositivo no so significativos, em termos de Eletrnica de Potncia.
3.3.1 MODELAGEM MATEMTICA DO MDULO FOTOVOLTAICOS

Para modelar um mdulo fotovoltaico, considera-se o circuito eltrico equivalente
apresentado na Figura 3-15 e repetido na Figura 3-18 por convenincia.
Figura 3-18: Circuito eltrico equivalente de um mdulo fotovoltaico.
Aplicando somatrio das correntes no n a , facilmente obtm-se:

I mdulo = I Phmdulo I Dmdulo I RPmdulo
(3.12)
A soluo da equao apresentada em (3.12) requer o conhecimento de cada uma

das parcelas que a compe: I Phmdulo , I Dmdulo e I RPmdulo .
A corrente I Ph painel representa a corrente foto-gerada no processo fotovoltaico. De
acordo com [19], [23] e [27] esta corrente pode ser determinada mediante a aplicao da
equao (3.13), em que S representa a radiao de operao, S ref a radiao nas condies
ref
a corrente foto-gerada nas condies de referncia.
de ensaio do fabricante e I Ph
mdulo
I Phmdulo =
S
S
ref
ref
I Ph
mdulo
(3.13)
ref
Verifica-se que, como S ref e I Ph
so grandezas fixas, a corrente foto-gerada
mdulo
uma funo direta da radiao, estando, em parte, de acordo com a teoria apresentada no
item 2.7.4. Diz-se em parte, j que a referida equao no contempla o efeito da
temperatura na corrente foto-gerada. Uma proposta mais precisa para determinao de
I Phmdulo , contemplando os efeitos tanto da radiao quando da temperatura, apresentada
na equao (3.14) [28].

I Phmdulo =
S
S
ref
ref
1 + u I (T Tref ) I Ph
mdulo
(3.14)
38
Na equao (3.14), T representa a temperatura de operao da clula e T ref a

temperatura nas condies de ensaio pelo fabricante, enquanto u I refere-se ao coeficiente
de temperatura da corrente, sendo expresso em A / C (fornecido pelo fabricante).
Estabelecida a equao para determinar I Phmdulo , parte-se determinao de
I Dmdulo . De acordo com [14], a corrente que circula em um diodo de juno pn pode ser
calculada atravs do emprego da equao (3.15).
I Dmdulo
VDmdulo
= I 0 e AVT 1
(3.15)
Em que I 0 alude corrente de saturao reversa do diodo, VDmdulo representa a

tenso aplicada ao diodo, A uma constante emprica, que depende da qualidade do
semicondutor utilizado na fabricao do mdulo e VT , denominada de tenso trmica, pode
ser determinada mediante o emprego da equao (3.16).
VT =
k T
q
(3.16)
Na equao (3.16), k = 1,38 10 23 J / K representa a constante de Boltzmann,
q = 1, 602 1019 C a carga elementar e T a temperatura de operao.

Evidentemente, por estar associada difuso trmica na juno pn , a corrente I 0
fortemente influenciada pela temperatura [14], [23], [27] e pode ser calculada conforme a
equao (3.17).
T
I 0 = I 0ref
Tref
nS EG 1
1
A VT V ref
(3.17)
Na equao I 0ref representa a corrente de saturao reversa quando o mdulo est

exposto s condies de teste (STC), enquanto VTref retrata a tenso trmica nesta mesma
condio, podendo ser expressa por:
VTref =
k T ref
q
(3.18)
Deste modo, substituindo as equaes (3.16) e (3.18) em (3.17) e, por fim, levando
o resultado obtido em (3.15), determina-se:
39
I Dmdulo = I
ref
0
T
ref e
T
nS EG 1
1

Ak ref T
T
q(VDmdulo )
e Ak T 1
(3.19)
Uma vez encontrada a equao que descreve a corrente no diodo Dmdulo , parte-se
determinao da corrente na resistncia paralela: I RPmdulo , que pode ser realizada analisando
o circuito eltrico equivalente da Figura 3-18, de modo a se obter a equao apresentada
em (3.20).
VRPmdulo = VDmdulo = Vmdulo + RS mdulo I mdulo
(3.20)
Mas, como:
I RPmdulo =
VRPmdulo
(3.21)
RPmdulo
Ento, a substituio de (3.21) em (3.20) conduz a (3.22).
I RPmdulo =
Vmdulo + RS mdulo I mdulo
(3.22)
RPmdulo
Finalmente, a corrente I mdulo pode ser representada, em sua forma final, pela
equao (3.23), mediante a substituio de (3.14), (3.19), (3.20) e (3.22) em (3.12).
I mdulo =
S
ref
1 + uI (T Tref ) I Ph
mdulo
S ref
3
ref
0
T
ref e
T
nS EG 1
1

Ak ref T
T
q(Vmdulo + RS mdulo Imdulo )

Ak T
e
1
(3.23)
Vmdulo + RS mdulo I mdulo

RPmdulo
A equao (3.23) expressa a corrente de sada do mdulo fotovoltaico I mdulo como

funo da tenso aplicada a seus terminais de sada Vmdulo . Devido ao fato de ser
transcendental, a referida equao no apresenta soluo algbrica, destarte, mtodos
numricos devem ser empregados para resolv-la. Atenta-se ainda ao fato de os parmetros
ref
RSmdulo , RPmdulo , A , I 0 ref e I Ph
no terem seus valores especificados, visto que no so
mdulo
fornecidos pelo fabricante, o que inviabiliza a soluo da equao.

Para determinar os parmetros citados, recorre-se aos pontos fornecidos pelos
catlogos dos fabricantes: circuito aberto, curto circuito e mxima potncia.
40
Na condio de curto circuito, especificada nas condies de referncia, estabelecese as seguintes relaes:
T = T ref
S = S ref
I mdulo = I
(3.24)
ref
cc
Vmdulo = 0V
Logo, aplicando os resultados da equao (3.24) em (3.23), encontra-se:
ref
I ccref = I Ph
I 0ref
mdulo
q RS mdulo Iccref
RS
I ccref
Ak T
e
1 mdulo
RPmdulo
(3.25)
De acordo com [14] e [29] a corrente de saturao reversa de um diodo de juno

estabelecida no patamar entre A e nA . Este fato reduz o termo exponencial da equao
(3.25), podendo ser desprezado. Em geral, RPmdulo >> RS mdulo I ccref , de modo que o termo
RS mdulo I ccref
tambm pode ser desprezado [26], [29].
RPmdulo
Assim, tem-se:
ref
I Ph
I ccref
mdulo
(3.26)
Na condio de circuito aberto, especificada nas condies de referncia, tem-se:

T = T ref
S = S ref
I mdulo = 0A
(3.27)
Vmdulo = Vcamdulo
Substituindo as equaes (3.26) e (3.27) na equao (3.23), obtm-se (3.28).

0=I
ref
cc
ref
0
qVcamdulo
Vca
e Ak T 1 mdulo
RPmdulo
(3.28)
Assim, isolando-se I 0ref em (3.28), determina-se:
I
I
ref
0
ref
cc
=
e
Vcaref
RPmdulo
ref
q Vca
Ak T
(3.29)
1
41
Por fim, repetindo o procedimento, porm agora com base nas especificaes de
mxima potncia, tem-se:
T = T ref
S = S ref
(3.30)
ref
I mdulo = I mp
ref
Vmdulo = Vmp
Levando os resultados de (3.30) (3.23), encontra-se (3.31).

ref
ref
= I Ph
I 0ref
I mp
mdulo
ref
ref
RS
I
qVmp
ref
ref
mdulo mp
RS mdulo I mp
Vmp
Ak T
e
1
RPmdulo
(3.31)
Subsistindo as equaes (3.26) e (3.29) em (3.31) e considerando que os termos

V ref
ca
exponenciais so muito maiores que a unidade, ou seja, e Ak T >> 1 e e
V ref RS I ref
mp
mp
Ak T
>> 1 ,
possvel encontrar o parmetro A , conforme expresso em (3.32).

ref
ref
Vmp
Vcaref + RSmdulo I mp
A=
VTref
ref
ref
Vmp
+ RSmdulo I mp
ref
ref
I cc I mp
RPmdulo
ln
Vcaref
ref
I cc
RPmdulo
(3.32)
Para que os parmetros I 0ref na equao (3.29) e A na equao (3.32) fiquem

determinados, basta estabelecer as grandezas RPmdulo e RSmdulo . Evidentemente, como o
nmero de incgnitas (cinco) superior ao de equaes linearmente independentes (trs),
no possvel buscar uma soluo analtica.
Experimentalmente, existem alguns mtodos propostos na literatura para
determinao dos parmetros RPmdulo e RS mdulo , entretanto, os procedimentos de teste so
extremamente complexos e ainda necessitam da soluo de equaes no lineares para
obt-los na forma final [23], [30].
Uma proposta mais simples utilizar os parmetros RPmdulo e RS mdulo como fatores
de ajuste: neste caso, ambos os resistores so modificados at que as curvas geradas,
atravs de simulao, se adqem s fornecidas pelo fabricante, permitindo a validao do
42
modelo.
Tipicamente, a resistncia srie de uma clula de Silcio RScel est enquadrada entre
0, 01 e 0,1 , enquanto a resistncia paralela RPcel (tambm de uma clula) se estabelece
no patamar ente 200 e 800 [19], [23], no esquecendo que idealmente RScel 0 e
RPcel .
Alm disso, importante recordar as duas relaes apresentadas na Tabela 3-3,
conforme segue em (3.33).
RS painel =
RPpainel
nS
RScel
nP
n
= S RPcel
nP
(3.33)
Toda teoria apresentada at o momento pode ser sumarizada da seguinte forma:

escolhem-se valores inicias para RScel e RPcel e, a partir da equao (3.33) encontra-se
RSmdulo e RPmdulo . Levando estes valores s equaes (3.29) e (3.32), determinam-se,

respectivamente, os parmetros I 0ref e A . Por fim, de posse dos valores de RSmdulo e
ref
ref
ref
RPmdulo , I 0ref , A e I Ph
(parmetros calculados) e de Vmp
, I mp
, Vcaref , I ccref , S ref , T ref ,
mdulo
nS e u I (fornecidos pelo fabricante), alm das constantes EG , q e k possvel, atravs do
emprego da equao (3.23), obter a curva I V para qualquer condio de radiao ( S ) e

temperatura (T ) requerida. Caso as curvas obtidas no coincidam com as do fabricante, os
parmetros RScel e RPcel devem ser modificados e os procedimentos repetidos, at que as
curvas se adqem.
Para que se possa validar o modelo proposto, os resultados obtidos a partir das
simulaes sero comparados com os fornecidos pelo fabricante, em um primeiro momento
e, posteriormente, sero comparados com as curvas reais do mdulo KC200GT , obtidas
experimentalmente.
De acordo com o fabricante Kyocera [20], os mdulos fotovoltaicos KC200GT ,
utilizados nos experimentos, podem ser caracterizados pelos parmetros apresentados na
Tabela 3-5.
43
Tabela 3-5: Especificaes eltricas do mdulo fotovoltaico KC200GT.

Especificaes a S = 1000W / m 2 , T = 25C e AM = 1,5
Pmp
200,1W
Potncia mxima
Vmp
26,3V
Corrente de mxima potncia
I mp
7,61A
Vca
32,9V
I cc
8,21A
Corrente de curto circuito
Coeficiente de temperatura
uI
3,18 10 -3 A / C
da corrente
Pmp
142,2W
Potncia mxima
Vmp
23,2V
Corrente de mxima potncia
I mp
6,13A
Utilizando os dados da Tabela 3-5 como parmetros de entrada do modelo,

obtiveram-se as famlias de curvas I V , apresentadas na Figura 3-19, lado a lado com os
resultados fornecidos pelo fabricante. O modelo desenvolvido para obteno das curvas via
simulao apresentado no Apndice A.
Figura 3-19: Comparao entre resultados de simulao e fornecidos pelo fabricante.
44
Os resultados apresentados na Figura 3-19 mostram que existe muita similaridade

entre as curvas obtidas por simulao e fornecidas pelo fabricante. Vislumbrando obter
resultados numricos referentes aos erros, apresentam-se na Figura 3-20 as curvas I V e
P V 6 para os mesmos valores de radiao e temperatura especificados pelo fabricante, na
Tabela 3-5.
Figura 3-20: Curvas caractersticas traadas para as seguintes condies: (a), (b): S = 1000W / m 2 ,
T = 25 C ; (c), (d): S = 800W / m 2 , T = 47 C .
A partir da leitura dos pontos em destaque nas curvas da Figura 3-20 (a), (b), (c) e
(d) possvel estabelecer uma comparao numrica entre os resultados simulados e
fornecidos pelo fabricante, tal como apresentada a Tabela 3-6.
Similarmente curva I V , a curva caracterstica P V (potncia versus tenso) caracteriza um mdulo

fotovoltaico. Esta curva tambm pode ser entendida como sendo V I V .
6
45
Tabela 3-6: Comparao entre os resultados no ponto de mxima potncia referente s curvas
obtidas via simulao e fornecidas pelo fabricante.
Grandeza
Fabricante
Modelo
Erro absoluto7
Erro relativo8
Vmp
T = 25 C
S =1000W / m2
[V ]
26,3
26,3
0%
I mp
T = 25 C
S =1000W / m2
[ A]
7, 61
7, 61
0%
Pmp
T = 25 C
S =1000W / m2
[W ]
200,1
200,1
0, 0
0%
I cc
T = 25 C
S =1000W / m 2
[ A]
8, 21
8, 21
0%
Vca
T = 25 C
S =1000W / m2
[V ]
32,9
32,9
0%
Vmp
T = 47C
S = 800W / m2
[V ]
23, 2
23,5
0,3
1, 29%
I mp
T = 47 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6, 059
0, 071
1,16%
Pmp
T = 47 C
S = 800W / m2
[W ]
142, 2
142, 4
0, 2
0,14%
Conforme verifica-se na Tabela 3-6, os erros associados aos valores simulados,

tomando os dados do fabricante como verdadeiros, so insignificantes. Todavia, para
assegurar a validade do modelo proposto, as curvas obtidas atravs de simulao sero
comparadas quelas resultantes de medies prticas.
Para levantamento das curvas I V e P V experimentais, utilizou-se um aparelho
denominado Mini-KLA, apresentado como mera ilustrao na Figura 3-21.
Figura 3-21: Mini-KLA.
Erro absoluto: Eabs = X fabricante X simulado
Erro relativo: Erel =
X fabricante X simulado
X fabricante
46
Para obter as curvas, o mdulo fotovoltaico a ser caracterizado conectado ao MiniKLA para que sua tenso e corrente de sada sejam monitoradas. Ainda, atravs de um
sensor com dupla funo (piranmetro e termmetro) so recolhidas informaes referentes
radiao solar e temperatura na superfcie do mdulo. Os dados armazenados no aparelho
so facilmente transferidos para o computador atravs de uma conexo serial. Apesar de o
fabricante fornecer um software, denominado Mini-Les, para pr-visualizao das curvas,
conforme ilustra a Figura 3-22, as mesmas podem ser podem ser transferidas a programas
difundidos, como Excel e MATLAB .
Figura 3-22: Interface de pr-visualizao das curvas obtidas atravs do Mini-KLA.
A Figura 3-23 retrata os resultados experimentais traados concomitantemente aos

de simulao, sob quatro distintas condies de radiao e temperatura.
Figura 3-23: Comparao entre resultados obtidos via simulao e experimentalmente: (a) curva
I V ; (b) curva P V .
47
Mediante o estudo da Figura 3-23, percebe-se a quase sobreposio das curvas

tericas e experimentais, ratificando o procedimento empregado na modelagem dos
mdulos fotovoltaicos.
3.3.2 MODELAGEM MATEMTICA DO ARRANJO FOTOVOLTAICO

Conforme pode ser verificado na Figura 3-17, repetida na Figura 3-24 por
facilidade didtica, o circuito eltrico de um arranjo fotovoltaico similar ao do mdulo
fotovoltaico.
Figura 3-24: Circuito eltrico equivalente de um arranjo fotovoltaico.
A equao (3.34) descreve o comportamento da corrente do arranjo fotovoltaico, em

funo de sua tenso de sada, levando em conta as relaes apresentadas na Tabela 3-4,
para a associao mista (mais abrangente possvel).
S
ref
1 + uI (T Tref ) N S I Ph
mdulo
S ref
NS
RS
I
N S nS EG 1
1 q Vmdulo +
mdulo mdulo
3
NP

A
k
T
T ref
Ak T
I 0ref ref e
e
1
T
N
Vmdulo + S RS mdulo I mdulo
NP
NS
RPmdulo
NP
I mdulo =
(3.34)
A partir da equao (3.34), possvel desenvolver um modelo, tal qual aquele

realizado para o mdulo fotovoltaico, de modo que as curvas caractersticas I V e P V
possam ser extradas.
Ressalta-se o fato de que, fazendo-se N S = N P = 1 , a equao (3.34) passa a
representar um arranjo constitudo de um mdulo fotovoltaico. Destarte, o modelo obtido
para arranjos fotovoltaicos abrange tambm os mdulos fotovoltaicos, desde que as
48
consideraes concernentes sejam feitas.

Para verificar a validade do modelo proposto, sero apresentados os resultados de
simulao de um arranjo montado a partir de trs strings em paralelo com dezoito mdulos
em srie cada uma.
A Tabela 3-7 traz as especificaes do arranjo fotovoltaico e a Figura 3-25 ilustra
as curvas caractersticas obtidas via simulao.
Tabela 3-7: Especificaes do arranjo constitudo de mdulos fotovoltaicos KC200GT.
Grandeza
Valor
NS
18
NP
Vmp [V]
473,40
I mp [A]
22,83
Pmp [W]
10,81kW
Vca [V]
592,20
I cc [A]
24,63
Figura 3-25: Curvas caractersticas I V e P V para o arranjo fotovoltaico sob diferentes

condies de radiao e temperatura.
49
Comparando os valores das curvas nas condies de S = 1000W / m 2 e T = 25 C

verifica-se que os pontos Vmp , I mp , Pmp , Vca e I cc coincidem com aqueles apresentados na
Tabela 3-7, validando o modelo proposto, mais uma vez.

Logicamente, o modelo para o arranjo fotovoltaico apresentado permite reproduzir
as curvas I V e P V sob quaisquer condies de radiao e temperatura, de modo que o
projetista no fique limitado s informaes catalogadas pelo fabricante. Contudo, para que
simulaes de circuitos eltricos e eletrnicos possam ser realizadas juntamente com o
modelo proposto, necessrio transcrev-lo para um software de simulao de circuitos,
como o PSIM, amplamente adotado no meio acadmico.
O modelo referente ao arranjo (que inclui o mdulo fotovoltaico), em termos de
diagramas de bloco desenvolvido para o software PSIM, apresentado na ntegra no
Apndice A deste trabalho. Outros resultados de simulao, condizentes ao PSIM, so
similares aos at agora ilustrados e no sero apresentados novamente, j que o captulo se
tornaria demasiadamente extenso e repetitivo. Todavia, tal modelo ser amplamente
utilizado em captulos posteriores, quando os circuitos seguidores de mxima potncia
estiverem sendo simulados.
3.4 CONCLUSO
Neste captulo, de relevncia fundamental ao seguimento do trabalho, foi
apresentada toda teoria necessria para que um modelo preciso, capaz de reproduzir com
fidelidade as curvas caractersticas de sada de um mdulo ou arranjo fotovoltaico, fosse
desenvolvido.
Em um primeiro momento foram levantados os circuitos eltricos equivalentes
referentes s clulas, mdulos e arranjos fotovoltaicos. Os circuitos eltricos contemplaram
associaes srie, paralela e mista, considerando clulas idnticas (para obteno dos
mdulos) e mdulos idnticos (na obteno dos arranjos).
Secundariamente, o equacionamento dos circuitos eltricos possibilitou a obteno
de modelos acurados, capazes de prever a influncia da radiao e temperatura na tenso
corrente e potncia de sada dos dispositivos fotovoltaicos.
A comparao entre os resultados de simulao com os fornecidos pelo fabricante e
experimentais, comprovou a preciso do modelo, j que nos trs casos, praticamente houve
50
superposio das curvas.

Ressalta-se que, todo esforo empregado foi justificado, j que, uma vez
desenvolvido o modelo, pode ser aplicado a qualquer sistema em que a simulao de
mdulos fotovoltaicos seja requerida.
Por fim, com a obteno do modelo aplicado ao software PSIM, ser possvel
simular os circuitos seguidores de mxima potncia e verificar se sob variaes de radiao
e temperatura, estes circuitos levam, realmente, o mdulo ou arranjo a operar no ponto de
mxima transferncia de potncia.
O estudo dos circuitos seguidores de mxima potncia ser abordado nos prximos
captulos deste trabalho.
CAPTULO 4
4 TCNICAS DE RASTREAMENTO DE MXIMA POTNCIA
4.1 INTRODUO
Os mdulos fotovoltaicos apresentam, por si s, rendimentos no expressivos, da
ordem de 15%. Matematicamente, a eficincia de converso dada pela razo entre a
potncia eltrica gerada ( Peltrica ) e a radiao solar incidente ( S ) sob a rea do mdulo, ou
seja:
mdulo =
Peltrica
S rea
(4.1)
Para os mdulos Kyocera KC200GT , sob as condies especificadas pelo

fabricante, tem-se:
S = 1000W / m 2 , rea = 1,42m 2
Peltrica = 200W , portanto, a
eficincia de converso dada por:
mdulo =
200
= 14,1%
1000 1,42
(4.2)
Em virtude de o ponto de operao de um mdulo fotovoltaico ser atrelado s

condies climticas e carga em que est conectado, necessrio empregar circuitos
capazes de maximizar a potncia gerada, os chamados Rastreadores de Mxima Potncia
(MPPT Maximum Power Point Tracker), de modo que o rendimento de converso no
seja ainda mais reduzido.
Neste captulo sero abordados os principais conceitos relacionados aos
Rastreadores de Mxima Potncia. Em uma primeira etapa ser verificado como, a partir da
utilizao de conversores CC-CC entre o mdulo fotovoltaico e a carga, possvel
estabelecer a operao no ponto de mxima eficincia. A teoria ser apresentada tomandose como base os conversores Buck e Boost, e expandida, posteriormente, para os
conversores Buck-Boost, Ck, Sepic e Zeta. Ressalta-se, contudo, que no objetivo deste
trabalho estudar e modelar os referidos conversores, mas apenas verificar seu
funcionamento como rastreadores de mxima potncia.
Em um segundo momento, sero estudadas algumas tcnicas para implementao
52
do MPPT, das quais se destacam o mtodo da Tenso Constante, mtodo Perturba e

Observa (P&O) e mtodo da Condutncia Incremental (CondInc).
4.2 CIRCUITOS RASTREADORES DE MXIMA POTNCIA

Experimentalmente, os mdulos fotovoltaicos apresentam grandes variaes na
potncia eltrica gerada em funo das condies meteorolgicas e da carga ao qual esto
interligados.
Para que se possa entender como determinado o ponto de operao de um mdulo
fotovoltaico quando uma carga qualquer conectada aos seus terminais, recorre-se Figura
4-1.
Figura 4-1: Mdulo fotovoltaico conectado diretamente a uma carga.
No exemplo apresentado, a corrente fornecida pelo mdulo fotovoltaico I mdulo

equivale consumida pela carga Rcarga e a tenso em ambos (mdulo e carga) a mesma, a
saber, Vmdulo . Mediante o exposto, o ponto de operao do conjunto fica definido pela
interseco da curva caracterstica de gerao do mdulo com a curva de carga, conforme
retrata a Figura 4-2.
Figura 4-2: Curvas de gerao fotovoltaica e de carga.
53
Atravs da anlise da Figura 4-2 (c), nota-se que cada valor de carga ( Ra , Rb e Rc )
estabelece um ponto distinto de interseco e, somente em casos especficos, onde o ponto
de mxima potncia (MPP Maximum Power Point) e de operao so coincidentes, a
potncia transferida do mdulo carga ser maximizada.
Evidentemente, como a curva de gerao dos mdulos fotovoltaicos (Figura 4-2
(a)) extremamente dependente de fatores climticos aleatrios, sem que seja empregada
uma tcnica para garantir que o sistema atue no MPP, pouco provvel que isso ocorra
naturalmente, de forma que o sistema estar sempre subutilizado, operando com eficincia
aqum da mxima possvel.
Para solucionar este problema, comumente so utilizados circuitos capazes de
modificar o ponto de operao do conjunto mdulo-carga, estabelecendo a mxima
transferncia de potncia sob qualquer condio. Estes circuitos, denominados de
Rastreadores de Mxima Potncia, so obtidos pela interpolao, entre o mdulo
fotovoltaico e a carga, de um conversor CC-CC, conforme se verifica na representao da
Figura 4-3.
Figura 4-3: Mdulo fotovoltaico interligado carga por meio de um conversor CC-CC.
Ressalta-se, de antemo, que a tenso na carga Vcarga expressa pela equao (4.3),
independentemente do conversor CC-CC estudado.
Vcarga = Rcarga I carga
(4.3)
Inicialmente, a anlise do conversor CC-CC atuando como MPPT ser realizada

para o conversor Buck, que de acordo com [31], quando operando no modo de conduo
contnua (MCC), pode ser caracterizado estaticamente conforme as equaes (4.4) e (4.5),
respectivamente.
GV =
Vcarga
Vmdulo
=D
(4.4)
54
GI =
I carga
I mdulo
1
D
(4.5)
Isolando-se o termo Vcarga em (4.4), I carga em (4.5) e substituindo ambos os

resultados na equao (4.3), determina-se:
Vmdulo D = Rcarga
I mdulo
D
(4.6)
Por simples manipulao matemtica, tem-se:

Vmdulo Rcarga
=
I mdulo
D2
(4.7)
Na equao (4.7), o termo
Vmdulo
I mdulo
pode ser interpretado como a resistncia
equivalente total vista dos terminais do mdulo fotovoltaico. Essa resistncia ser
denominada de resistncia efetiva de entrada, e representada por Rei (D, Rcarga ) , permitindo
exprimir a equao (4.7) de acordo com (4.8).
Rei (D, Rcarga ) =
Rcarga
(4.8)
D2
De forma simples, a resistncia efetiva de entrada Rei ( D, Rcarga ) pode ser entendida
como uma resistncia varivel, cujo valor depende da resistncia de carga Rcarga e da razo
cclica D , culminado na representao da Figura 4-4.
Figura 4-4: Resistncia efetiva Rei (D, Rcarga ) vista do mdulo fotovoltaico.
Conforme mencionado no incio do captulo, a interceptao da curva de carga com

a de gerao, determina o ponto de operao do sistema. Deste modo, se a carga efetiva
vista do mdulo Rei ( D, Rcarga ) , o ponto de operao torna-se uma funo da razo cclica
55
D , conforme retrata a Figura 4-5.
Figura 4-5: Curva de carga referente resistncia equivalente de entrada Rei (D, Rcarga ) .
Da anlise da referida figura, percebe-se que o ngulo Rei (D, Rcarga ) representa a
inclinao da curva de carga (coeficiente angular) em relao abscissa, podendo ser
expresso de acordo com a equao (4.9).
1
(4.9)
R (D, R
carga )
ei
Agora, substituindo a equao (4.8) em (4.9), encontra-se uma expresso para
Rei (D, Rcarga )= atan
calcular o ngulo Rei (D, Rcarga ) em funo da razo cclica D do conversor e da resistncia
de carga Rcarga , tal como traz a equao (4.10).
D2
(4.10)
R
carga
Aqui, torna-se evidente como o conversor CC-CC consegue atuar sempre buscando
Rei ( D, Rcarga ) = atan
o MPP: caso a interseco entre a curva de carga e de gerao no se d no ponto de maior

eficincia, possvel, atravs da alterao da razo cclica D , mudar a inclinao da curva
de carga Rei (D, Rcarga ) , at que o MPP seja encontrado.
Todavia, em virtude de a razo cclica ter limites tericos estabelecidos de acordo
com a equao (4.11) [31], o ngulo Rei (D, Rcarga ) tambm ser limitado em um patamar
superior e outro inferior.
0 < D <1
(4.11)
Em um dos extremos, quando a razo cclica nula ( D = 0 ), mediante o emprego
56
da equao (4.10), determina-se:
Rei (0, Rcarga )= 0
(4.12)
Por outro lado, quando a razo cclica unitria ( D = 1 ), o ngulo Rei (D, Rcarga )
torna-se funo exclusiva da resistncia de carga Rcarga , ou seja:
1
R
carga
Rei (1, Rcarga )= atan
(4.13)
Desta forma, os limites tericos do ngulo Rei (D, Rcarga ) so estipulados de acordo
com a equao (4.14).
1
0 < Rei (D, Rcarga ) < atan
R
carga
(4.14)
Pela anlise da equao (4.14), verifica-se que a resistncia de carga um parmetro

fundamental, pois seu valor determina o patamar superior do ngulo Rei (D, Rcarga ) , isto ,
determina um dos limites da regio de operao do conversor, j que o outro dado em
Rei (D, Rcarga ) = 0 . A Figura 4-6 retrata os limites de Rei (D, Rcarga ) e as duas possveis
regies, quais sejam: regio de operao e regio proibida.
Figura 4-6: Regies de operao estipulada para o conversor Buck operando como MPPT.
Torna-se claro que caso o MPP se encontre na regio proibida, jamais ser
alcanado, visto que estar fora dos limites de operao do conversor. Este fato
extremamente importante, pois demonstra que, em alguns casos, nem a utilizao de
rastreadores de mxima potncia suficiente para levar o mdulo fotovoltaico a operar com
mxima eficincia.
Mantendo-se a mesma linha de raciocnio, todavia agora destinada ao conversor
57
Boost operando no MCC, possvel chegar a um resultado semelhante. De acordo com

[31], a caracterstica esttica de tenso GV e corrente GI do conversor Boost conectado ao
mdulo fotovoltaico, podem ser expressas por:

GV =
GI =
Vcarga
Vmdulo
I carga
I mdulo
1
1- D
(4.15)
= 1- D
(4.16)
Assim, isolando Vcarga em (4.15), I carga em (4.16) e substituindo ambos os

resultados obtidos em (4.3), tem-se:
Vmdulo
I
= Rcarga mdulo
1- D
1- D
(4.17)
Conseqentemente:
Rei (D)= (1- D)2 Rcarga
(4.18)
Dando continuidade ao procedimento anteriormente apresentado, o ngulo de

inclinao da curva de carga Rei (D, Rcarga ) , fica determinado atravs da equao (4.19).
1
(1- D)2 R
carga
Rei (D, Rcarga ))= atan
(4.19)
Quando operando com razo cclica nula ( D = 0 ), a equao (4.19) conduz ao

seguinte resultado:
1
R
carga
Rei (0, Rcarga )= atan
(4.20)
Analogamente, quando a razo cclica unitria ( D = 1 ), tem-se:
Rei (1, Rcarga )= 90
(4.21)
Desta forma, Rei (D, Rcarga ) fica estabelecido de acordo com (4.22).
1
atan
R
carga
< Rei (D, Rcarga ) < 90
(4.22)
Logo, distinguem na Figura 4-7 as duas possveis regies de operao para o

conversor Boost.
58
Figura 4-7: Regies de operao estipulada para o conversor Boost operando como MPPT.
Anteriormente caracterizao dos demais conversores (Buck-Boost, Ck, Sepic e

Zeta) como rastreadores de mxima potncia, atenta-se a um fato importante, que
simplificar as posteriores anlises.
Conforme estabelecido para o conversor Buck, so vlidas as seguintes equaes:
GV = D
Rei ( D, Rcarga ) =
(4.23)
Rcarga
(4.24)
D2
D2
R
carga
Rei (D, Rcarga ) = atan
(4.25)
Assim, da substituio da equao (4.23) em (4.24) e (4.25), determinam-se (4.26)

e (4.27).
Rei (GV , Rcarga ) =
Rcarga
(4.26)
GV 2
GV 2
R
carga
Rei (GV , Rcarga ) = atan
(4.27)
Agora, para o conversor Boost, estabeleceu-se que so vlidas as seguintes relaes:

GV =
1
1- D
(4.28)
Rei ( D, Rcarga ) = (1- D)2 Rcarga
1
(1- D)2 R
carga
(4.29)
(4.30)
59
Portanto, substituindo-se a equao (4.28) em (4.29) e (4.30), encontram-se:

Rei (GV , Rcarga ) =
Rcarga
(4.31)
GV 2
GV 2
Rei (GV , Rcarga ) = atan
R
carga
(4.32)
Desta forma, comparando as equaes (4.26) com (4.31) e (4.27) com (4.32),
verifica-se que quando a resistncia efetiva de entrada e o ngulo de inclinao da curva de
carga so expressos em funo da caracterstica esttica de tenso GV , obtm-se equaes
similares tanto para o conversor Buck quanto para o Boost. Este fato leva generalizao
da teoria, ou seja, uma vez conhecida a caracterstica esttica de tenso GV de um
conversor, ambos Rei (GV , Rcarga ) e Rei (GV , Rcarga ) , ficam determinados.
De acordo com [31], os conversores CC-CC Buck-Boost, Ck, Sepic e Zeta
apresentam a mesma caracterstica esttica de tenso, representada de acordo com a
equao (4.33).
GV =
D
1- D
(4.33)
Portanto, mediante o emprego das equaes (4.31) e (4.32), facilmente determinamse as equaes (4.34) e (4.35).
Rei ( D, Rcarga ) =
(1 D) 2 Rcarga
(4.34)
D2
D2
(1- D)2 R
carga
(4.35)
Quando, na equao (4.35), a razo cclica nula ( D = 0 ), tem-se:
Rei (0, Rcarga )= 0
(4.36)
Por outro lado, quando a razo cclica mxima ( D = 1 ), determina-se
Rei (1, Rcarga )= 90
(4.37)
Desta maneira, pode-se escrever:

0 < Rei (D, Rcarga )= 90
(4.38)
Estabelecidos os limites de variao do ngulo Rei ( D, Rcarga ) , possvel encontrar
60
as regies de operao, conforme retrata a Figura 4-8.
Figura 4-8: Regio de operao estipulada para os conversores Buck-Boost, Ck, Sepic e Zeta
operando como MPPT.
Conforme verificado na Figura 4-8, para os conversores Buck-Boost, Ck, Sepic e

Zeta no h regio proibida, ou seja, a caracterstica esttica de tenso GV destes
conversores permite que o ngulo de inclinao da curva de carga varie entre 0 e 90 .
Assim, a utilizao de um destes conversores CC-CC como MPPT permitir a operao do
sistema sempre no ponto de mxima potncia.
Por fim, conjecturando facilitar toda teoria apresentada at o momento, a Tabela 4-1
sumariza os principais conceitos abordados.
Tabela 4-1: Principais parmetros dos conversores CC-CC empregados como MPPT.
Conversor
CC-CC
GV
Rei (GV , Rcarga )
Rcarga
Buck
Boost
1
1 D
Rcarga
Buck-Boost,
Ck, Sepic e
Zeta
D
1 D
Rcarga
GV
GV
GV
R ei (GV , Rcarga )
Limites de R ei (D, Rcarga )
G 2
atan V
R
carga
1
0 < Rei (D, Rcarga ) < atan
R
carga
G 2
atan V
R
carga
1
atan
Rcarga
G 2
atan V
R
carga
< Rei (D, Rcarga ) < 90
0 < Rei (D, Rcarga ) < 90
Estabelecida a maneira como os conversores CC-CC so capazes de atuar, levando

o mdulo fotovoltaico a operar no ponto de mxima potncia, desde que este ponto se
encontre na regio de operao, necessrio apresentar as tcnicas que permitem variar a
razo cclica e detectar quando o MPP foi encontrado. A seguir so apresentados os
principais passos na realizao desta tarefa:
61
Detectar o ponto ao qual o mdulo est operando;
Verificar se este ponto o MPP;
Se no for, verificar se o ponto de operao encontra-se direita ou esquerda

do MPP;
Alterar a razo cclica convenientemente (incremento/decremento) at

encontrar o MPP;
Uma vez encontrado, mant-lo.
Na literatura, muitas tcnicas para implementar as alteraes na razo cclica D em

busca do MPP so apresentadas, diferenciando-se umas das outras nos quesitos velocidade
e preciso de rastreamento. Neste mbito, sero indigitadas as principais tcnicas
empregadas das quais algumas sero estudadas mais aprofundadamente para posterior
aplicao.
4.3 TCNICA PARA EXECUO DO MPPT

Desde o surgimento dos primeiros circuitos para rastreamento de mxima potncia,
em 1968, com a finalidade de melhorar o desempenho de sistemas constitudos por uma
fonte no linear e uma carga arbitrria [32], inmeras tcnicas distintas, almejando o
mesmo objetivo, foram desenvolvidas.
O surgimento dos microcontroladores e, mais recentemente, dos processadores
digitais de sinal (DSP Digital Signal Processor) permitiu o desenvolvimento de tcnicas
cada vez mais complexas, aplicadas a melhora da velocidade e preciso de rastreamento
[33].
Na maior parte das tcnicas voltadas ao rastreamento da mxima potncia, so
utilizados os sinais de tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico, embora em alguns
casos, somente o sinal de tenso seja requerido.
Ainda, as tcnicas podem ser aplicadas analgica ou digitalmente. De forma
analgica, geralmente so utilizados amplificadores operacionais e circuitos lgico-digitais,
alm de alguns circuitos integrados especficos. A desvantagem dos rastreadores de
mxima potncia implementados de forma analgica consiste no fato de que, para alterao
do mtodo de rastreamento, h necessidade da troca de componentes, ou seja, alteraes em
hardware.
62
Em contrapartida, a utilizao de tcnicas digitais permite a mudana rpida do

mtodo utilizado por simples alterao no cdigo fonte, ou seja, via software. Deve-se
atentar, contudo, que problemas inerentes digitalizao, como sensibilidade a rudos,
devem ser considerados.
Dentre os mtodos mais utilizados na literatura, destacam-se:
Baseados na Lgica Fuzzy;
Baseados em Redes Neurais;
Baseados em Fraes da Tenso de Circuito Aberto;
Tenso Constante;
Perturba e Observa;
Condutncia Incremental;
Os dois primeiros mtodos citados, baseados na Lgica Fuzzy (tambm chamada

Lgica Nebulosa) e em Redes Neurais, so, em termos de processamento, os que exigem
maior capacidade. Geralmente, estas tcnicas empregam conceitos de inteligncia artificial
e so relativamente complexas [34].
A tcnica denominada de Frao da Tenso de Circuito Aberto, apesar de ser de
fcil implementao, requer a leitura peridica da tenso de circuito aberto do mdulo ou
arranjo fotovoltaico. Este fato implica na necessidade de desconexo da carga em intervalos
de tempos regulares, acarretando em perda de potncia [35].
As trs ltimas tcnicas listadas, a saber: Tenso Constante, Perturba e Observa e
Condutncia Incremental, devido ao fato de serem amplamente exploradas pela literatura,
sero abordadas mais aprofundadamente neste trabalho.
4.3.1 MTODO 1: TENSO CONSTANTE

O mtodo da Tenso Constante uma tcnica pouco precisa que impe a tenso de
sada do mdulo Vmdulo , mantendo-a fixa. A idia que grampeando Vmdulo no valor que
garanta a mxima transferncia de potncia nas condies de referncia (Vmdulo = Vmpref ) , o
sistema ir operar nas proximidades do ponto de mxima transferncia de potncia para
qualquer outra condio de radiao, conforme mostra a Figura 4-9, em que a linha
tracejada conecta os pontos de mxima potncia, enquanto a linha contnua representa o
63
valor da tenso grampeada.
Figura 4-9: Caracterstica P V com pontos de mxima potncia conectados, sob temperatura
constante.
A falha do mtodo apresentado consiste no fato de que as variaes na temperatura

so omitidas na anlise, ou seja, o mtodo torna-se preciso desde que a temperatura de
operao do mdulo fotovoltaico no desvirtue daquela para a qual a tenso de
grampeamento foi estabelecida ( T = T ref ). Em outras palavras, quando a temperatura de
operao se eleva, h uma significativa mudana na tenso para qual ocorre a mxima
transferncia de potncia e, mantendo-se fixa a tenso Vmdulo , o mdulo no fornecer a
mxima eficincia possvel.
Para compreender melhor o exposto, prope-se a Figura 4-10, de onde se verifica
que quando a temperatura de operao do mdulo coincide com a de referncia T = T ref , o
valor da tenso grampeada e de mxima potncia so as mesmas (Vmdulo = Vmpref ) . Contudo,
quando a temperatura do mdulo muda para T = Ta , sendo Ta > T ref , a tenso para o qual
ocorre a mxima potncia desloca-se para o ponto a , porm, devido ao grampeamento da
tenso imposto, o ponto de operao fica estipulado em b , de forma que a potncia gerada
menor que a mxima permitida para a condio.
Ainda, caso a temperatura de operao mude para o valor T = Tb , em que
Tb > Ta > T ref , o MPP ser deslocado para c e, novamente, devido ao grampeamento
imposto, o ponto de operao ocorrer em d , aumentando ainda mais o erro entre o ponto
de operao e de mxima potncia.
64
Figura 4-10: Caracterstica P V com pontos de mxima potncia conectados, sob radiao
constante.
Desta forma, fica demonstrado que o mtodo da Tenso Constante preciso no

rastreamento de mxima potncia somente nos casos em que a temperatura de operao e a
tida como referncia no destoam significativamente.
Ressalta-se que apesar do erro cometido quando h variaes de temperatura, esta
tcnica bastante citada na literatura [35], [36], [37], devido ao fato de ser implementada
de forma simples (seja analgica ou digitalmente) e pelo fato de requerer a utilizao de um
nico sensor para leitura da tenso de sada do mdulo Vmdulo . Alm disso, empregar uma
tcnica que fixe a tenso do mdulo, mantendo-a nas proximidades do ponto de mxima
potncia, melhor que no a utilizar.
Neste trabalho, o mtodo da Tenso Constante ser elaborado digitalmente, com a
utilizao de um microcontrolador PIC18F1320 . O cdigo fonte, referente ao programa
desenvolvido apresentado no Apndice B, enquanto o respectivo fluxograma retratado
na Figura 4-11.
Para mero esclarecimento, no referido fluxograma a varivel V representa a tenso
de sada do mdulo fotovoltaico Vmdulo devidamente condicionada para ser aplica entrada
analgico-digital do microprocessador utilizado,
Vgramp
representa a tenso de
grampeamento (declarada no programa), D a razo cclica de operao, Dmax e Dmim os

valores mximo e mnimo da razo cclica, D o tamanho do passo (incremento ou
decremento a ser dado na razo cclica) e, por fim, kTC o fator de escalonamento de D .
65
Figura 4-11: Fluxograma do algoritmo referente ao MPPT tenso constante.
4.3.2 MTODO 2: PERTURBA E OBSERVA (P&O)

O mtodo Perturba e Observa (P&O) bastante difundido na literatura, sendo um
dos primeiros a considerar os sinais de tenso V e corrente I para realizar o rastreamento
do ponto de mxima potncia [38].
Neste mtodo, o rastreamento feito considerando duas iteraes. Na primeira,
quando o conversor CC-CC colocado a operar com razo cclica D(n - 1) , so lidos os
valores de tenso V(n - 1) e corrente I(n - 1) de sada do mdulo fotovoltaico,
possibilitando o clculo da potncia P(n - 1)= V(n - 1) I(n - 1) gerada pelo mesmo.
segunda iterao inicia-se quando uma pequena perturbao D causada na razo cclica
sob a forma de incremento ( D (n) = D (n - 1)+ D ) ou decremento ( D (n) = D(n - 1) - D ),
de forma que a tenso, corrente e potncia de sada passam a ser denotados por V (n) , I (n)
e P (n) = V (n) I (n) . Se, aps a perturbao P = P (n) P (n - 1) > 0 , conclui-se que o
sistema caminha na direo mxima potncia e o sentido da perturbao deve ser
66
mantido. Caso ocorra o contrrio, ou seja, P = P(n) - P(n - 1) < 0 , o sistema est na direo
oposta maximizao da potncia, desta maneira, o sentido da perturbao deve ser
alterado.
Evidentemente, determinar o tamanho do passo D exige escolher entre qualidade
da resposta dinmica ou em regime permanente, e nunca ambas. Para entender por que isso
ocorre, recorre-se a anlise da Figura 4-12.
Figura 4-12: Comparao entre o rastreamento de mxima potncia para diferentes valores do
passo D : (a) e (b) Passo reduzido; (c) e (d) Passo elevado.
Pela anlise da Figura 4-12 verifica-se que pequenos valores de D fazem que a
ondulao Vmdulo em torno do ponto de mxima potncia Vmp seja reduzida, enquanto um
maior tempo t RP decorra at que este ponto seja alcanado. Nestas condies, a tcnica
Perturba e Observa apresenta boa resposta em regime permanente e m resposta em regime
67
transitrio, j que apresenta dinmica muito lenta.

Por outro lado, quando o passo D aumenta, a velocidade com que o ponto de
mxima potncia alcanado se eleva, contudo, a amplitude das oscilaes em torno deste
ponto se torna mais evidente. Assim, o aumento de D propicia melhor resposta dinmica
em detrimento resposta em regime permanente.
Na Figura 4-12, ainda se verifica que o tempo t RP pode ser determinado pela
equao (4.39).
t RP =
nstep
(4.39)
f MPPT
Nesta equao nstep representa o nmero de vezes em que a razo cclica deve ser
incrementada ou decrementada at que o ponto de mxima potncia seja encontrado,
enquanto f MPPT representa a freqncia com que os incrementos ou decrementos so
realizados. Teoricamente, quanto maior o valor da freqncia f MPPT mais rpido ser o
rastreamento, contudo, o valor desta grandeza est atrelado dinmica do capacitor de
barramento Cbar , comumente inserido na entrada do conversor CC-CC. Assim, a constante
de tempo do capacitor limita a freqncia f MPPT no patamar superior, j que antes de cada
novo incremento/decremento da razo cclica, preciso garantir que o capacitor Cbar esteja
operando em regime permanente.
importante ressaltar que na anlise apresentada, considerou-se a excurso do
ponto de operao do mdulo fotovoltaico sob a mesma curva caracterstica P V , ou seja,
na ausncia de variaes de radiao e temperatura. Evidentemente, na prtica, radiao e
temperatura variam constantemente, todavia, como a inrcia trmica elevada, as variaes
de temperatura na superfcie do mdulo ocorrem lentamente, de modo que o MPPT
consegue sempre responder adequadamente. Em contrapartida, as variaes de radiao
podem ocorrer abruptamente e, nesse caso, pode haver erro de seguimento, de forma que,
at que a perturbao seja cessada, o sistema opera fora do MPP.
Para ilustrar o exposto, considera-se a Figura 4-13, em que trs situaes de
radiao so propostas. Considerando que o sistema est operando no ponto A , esperado
que sob variaes de radiao ele siga a linha do MPP, mantendo-se sempre no ponto de
mxima potncia. Porm, se imediatamente aps o sistema ter incrementado a razo cclica
68
D , passando a tenso de operao do ponto A para B , ocorrer uma elevao drstica de
radiao (da condio 1 para a condio 2), o MPPT entender que a ao possibilitou a
elevao da potncia de sada e manter o sentido da perturbao na razo cclica,
alterando-a de forma que, na prxima iterao, a tenso fique estabelecida em C . Mais uma
vez, se houver mudana da radiao da condio 2 para a condio 3 , o MPPT manter o
sentido da perturbao, afastando-se progressivamente da linha de mxima potncia, de
forma que a tenso de sada do mdulo fotovoltaico se torne cada vez menor, tendendo ao
curto circuito.
O mesmo efeito pode ocorrer aps o decremento da razo cclica (passagem da
tenso do ponto A ' para B ' e de B ' para C ' ), contudo, neste caso a tenso de sada tornarse- cada vez maior, tendendo ao circuito aberto.
Figura 4-13: Possibilidades de rastreamento sob mudanas abruptas da radiao.
Embora os problemas apresentados (quanto escolha do passo D , da freqncia

f MPPT e ao erro de rastreamento) sejam crticos, eles no invalidam o mtodo, sobretudo
devido ao fato de em dias de cu claro a radiao apresenta comportamento totalmente
favorvel, mantendo-se praticamente constante. Ainda, a realizao de testes prticos
permite o ajuste emprico do tamanho de D bem como da freqncia f MPPT , de modo que
se obtenha a relao tima entre velocidade e preciso de rastreamento.
Em resposta s dificuldades do mtodo P&O, foi desenvolvida uma variao do
mesmo, denominado mtodo da Condutncia Incremental (CondInc). Antes da abordagem
do novo mtodo, prope-se, na Figura 4-14, o fluxograma para implementao do
algoritmo referente ao mtodo P&O, ressaltando-se que o cdigo fonte do programa
69
desenvolvido para o microcontrolador PIC18F1320 apresentado no Apndice C.
Figura 4-14: Fluxograma da tcnica de rastreamento P&O.
4.3.3 MTODO 3: CONDUTNCIA INCREMENTAL (CONDINC.)

O mtodo da Condutncia Incremental apresenta-se como melhor soluo para
rastreamento de mxima potncia, uma vez que alia velocidade de rastreamento baixa
oscilao em regime permanente, todavia, exige maior esforo computacional [38].
Neste mtodo promovem-se tambm variaes no ponto de operao, porm a
deciso a respeito do prximo passo no mais tomada em relao variao de potncia
P , mas sim sobre a razo
P
.
V
Recorrendo-se Figura 4-15, que retrata a curva caracterstica P V e a curva da

derivada da potncia em relao tenso
dP
V percebe-se que h duas regies bem
dV
definidas: a direita do MPP (regio com derivada negativa) e, a esquerda do MPP (regio
70
com derivado positiva).
Figura 4-15: Curva da potncia e derivada da potncia em relao tenso para um mdulo
fotovoltaico qualquer.
Evidentemente, a informao da posio do ponto de operao do mdulo (

esquerda ou direita do MPP) importantssima: quando
dP
> 0 , o mdulo fotovoltaico
dV
est atuando aqum da tenso para qual ocorre a mxima potncia Vmp , desta forma, o
MPPT deve atuar diminuindo a razo cclica D do conversor de forma a elevar a tenso de
sada do mdulo fotovoltaico Vmdulo (no esquecendo que a diminuio de D acarreta na

diminuio do ngulo de inclinao da curva de carga, deslocando o ponto de interseco
com a curva de gerao para a direita).
Por outro lado, quando
dP
< 0 , o ponto de operao fica especificado alm do
dV
MPP, desta forma, o MPPT deve elevar a razo cclica, deslocando o ponto de operao
para a esquerda. A atuao do MPPT deve sempre buscar o ponto em que
dP
= 0 , j que
dV
desta forma, garante-se que o ponto de operao do mdulo e o MPP so coincidentes.

Para obter velocidade de rastreamento e evitar as oscilaes em regime permanente,
pode-se utilizar a prpria curva da derivada da potncia em relao tenso (devidamente
escalonada), como passo D . Isso possvel por que a referida curva apresenta
comportamento singular, ou seja, quando o ponto de operao est distante do MPP, a
derivada apresenta valor elevado, que diminui gradativamente conforme o ponto de
71
operao caminha para o de mxima potncia, e se torna nula, exatamente no MPP.

Desta forma, o sinal da derivada determina a posio do ponto de operao do
mdulo em relao ao MPP (direita ou esquerda) enquanto seu mdulo define o tamanho
do incremento ou decremento a ser dado na razo cclica, garantindo uma excelente
resposta dinmica (velocidade de rastreamento) e evitando as indesejveis oscilaes em
regime permanente.
Obviamente, a realizao digital do mtodo exige grande esforo computacional, j
que h necessidade de determinar a derivada da potncia em relao tenso. Internamente
ao microcontrolador, os clculos so facilitados quando realizados conforme segue:
P =V I
(4.40)
dP
d
dI
I
=
[V I ] = I + V = I + V
dV dV
dV
V
(4.41)
Em que I e V representam os estados atuais da tenso e corrente, e discretamente,

de acordo com a conveno utilizada, podem ser representados por I (n) e V (n) . Por outro
lado, I e V representam a diferena entre o estado atual e anterior da tenso e corrente,
ou seja:
I = I (n) I (n 1)
(4.42)
V = V (n) V (n 1)
Assim, finalmente, o clculo da derivada da potncia em relao tenso pode ser

expresso por:
I (n) I (n 1)
dP
= I ( n) + V ( n)
dV
V (n) V (n 1)
(4.43)
Considerando a condio de mxima potncia, em que
I I (n)
+
=0
V V (n)
dP
= 0 , tem-se:
dV
(4.44)
A equao (4.44) pode ser utilizada como condio que representa a operao do
sistema no MPP.
Adicionalmente, o passo D , conforme outrora mencionado, fica definido pela
equao (4.45).
D = kinc
dP
dV
(4.45)
72
A constante kinc pode ser determinada estipulando-se o mximo passo permitido

Dmax , que ocorrer nas mediaes da tenso de circuito aberto do mdulo fotovoltaico, j
que neste ponto tem-se, em mdulo, a mxima derivada
kinc =
dP
dV
=
max
dP
. Assim:
dV Vca
Dmax
dP
dV V =Vca
(4.46)
O fluxograma para implementao do algoritmo para execuo do mtodo CondInc

apresentado na Figura 4-16, enquanto o cdigo fonte segue no Apndice D.
Figura 4-16: Fluxograma da tcnica de rastreamento CondInc.
73
4.4 CONCLUSO
Perante o estudo apresentado, verificou-se que to importante quanto a escolha
adequada do conversor CC-CC utilizado para rastreamento da mxima potncia, a tcnica
empregada para deteco do MPP. Neste captulo, trs tcnicas distintas foram abordadas,
visando estabelecer as vantagens e desvantagens de uma em relao s outras.
Percebeu-se que o mtodo da Tenso Constante pode ser entendido como uma
tcnica de pseudo-rastreamento, uma vez que no h busca efetiva do ponto de mxima
potncia, mas sim, o grampeamento da tenso de sada do mdulo fotovoltaico nas
proximidades deste ponto.
O mtodo Perturba e Observa apresentou-se como uma alternativa mais eficaz de
rastreamento, visto que o MPP procurado constantemente. Contudo, observaram-se dois
inconvenientes: o primeiro refere-se escolha entre velocidade de rastreamento e
oscilaes em regime permanente e, a segunda, ao fato de o sistema no conseguir realizar
o rastreamento sob mudanas abruptas de radiao, o que implica em reduo da eficincia
de converso em dias parcialmente nublados.
A tcnica da Condutncia Incremental mostrou-se a mais eficiente entre as trs, j
que capaz de detectar o ponto exato de ocorrncia da mxima potncia e a posio do
ponto de operao em relao ao MPP. Ainda, esta tcnica permite com que se obtenha
alta velocidade de rastreamento e muito baixa oscilao em regime permanente.
Sumarizando, neste captulo estudaram-se as tcnicas para empregar o rastreamento
de mxima potncia sob a ptica dos programas desenvolvidos, ou seja, os softwares. Nos
prximos captulos sero estudados os circuitos capazes de operar comandados por tais
programas, possibilitando o rastreamento, isto , ser dada nfase ao hardware necessrio
para desenvolvimento de um MPPT.
74
CAPTULO 5
5 CIRCUITOS AUXILIARES
5.1 INTRODUO
O projeto de um rastreador de mxima potncia vai alm da utilizao de um
conversor CC-CC e um microcontrolador para execuo dos algoritmos de rastreamento, de
forma que alguns dispositivos e circuitos auxiliares se fazem necessrios, dos quais se
citam: sensores, circuitos condicionadores de sinal, hardware do microcontrolador, circuito
de comando e, por fim, capacitor de barramento Cbar , conforme representa a Figura 5-1.
Figura 5-1: Conversor Buck e circuitos auxiliares.
Simplificadamente, a partir da leitura da tenso Vmdulo e corrente I mdulo de sada do

mdulo fotovoltaico, via sensores, o circuito de condicionamento gerar os sinais V e I
que sero aplicados ao microcontrolador para execuo dos programas voltados busca
pelo MPP. A varivel de sada dos referidos programas a razo cclica D que, por sua
vez, ser aplicada ao circuito de comando, possibilitando, posteriormente, o acionamento
do interruptor (MOSFET) do conversor CC-CC.
Neste captulo sero apresentados os procedimentos necessrios para determinao
de cada um dos blocos supracitados, de maneira que, uma vez estabelecidos os circuitos
auxiliares, seja possvel projetar o conversor CC-CC e empreg-lo no rastreamento da
mxima potncia.
76
5.1.1 SENSOR DE CORRENTE E CIRCUITO DE CONDICIONAMENTO DA CORRENTE

Na Figura 5-1, a corrente I uma amostra da corrente I mdulo , obtida mediante o
emprego de um sensor de efeito Hall com sada em tenso. A escolha do sensor deve ser
feita de forma que o mximo valor da corrente lida ( I mdulo ) no ultrapasse a corrente
nominal especificada pelo fabricante. Em virtude de o sensor estar no caminho da corrente
foto-gerada, a mxima corrente lida coincide com a de curto circuito do mdulo
fotovoltaico, ou seja, 8,21A . Desta forma, adotou-se o sensor Hall LTSR - 15PN , com as
seguintes especificaes:
Tabela 5-1: Especificaes eltricas do sensor Hall LTSR - 15PN .
Grandeza
Corrente nominal
Representao
I N [A]
Valor
15A
Tenso de offset
Voffset [V]
2, 5
Tenso de sada analgica
VHall [V]
Voffset 0,625
Ganho
G[V / A]
41, 6 10 3
Resistncia interna do primrio
RinP [ ]
0, 18 10 3
Indutncia interna do primrio
LinP [H]
Tenso de alimentao
VCC
13 10 9
5V
IP
IN
Na Tabela 5-1, I P refere-se corrente de entrada do sensor, sendo igual corrente

gerada pelo mdulo fotovoltaico I mdulo . Esta igualdade permite que a tenso VHall , de sada
do sensor, possa ser expressa de acordo com a equao (5.1).
VHall = 2, 5 + 0, 625
I mdulo
15
(5.1)
A equao mostra que a tenso VHall constituda de duas parcelas: a primeira

compe-se de um valor mdio Voffset = 2, 5V , enquanto a segunda proporcional corrente
gerada pelo mdulo fotovoltaico, isto : 0, 625
I mdulo
.
15
Visando aplicaes em que o nvel mdio no desejado, o fabricante do sensor

disponibiliza Voffset em um pino externo, de modo que possa ser subtrado da tenso VHall .
Ainda, de acordo com o fabricante, existem alguns fatores que se manifestam como no
idealidades, a saber: Rin e Lin , j que surgem no caminho da corrente a ser lida.
77
De posse das informaes apresentadas, possvel modelar o sensor de corrente

utilizado, visando tornar os resultados de simulao o mais prximo possvel dos
experimentais, conforme retrata a Figura 5-2.
Figura 5-2: Modelo proposto para sensor Hall incluindo parmetros no ideais.
Conjeturando comprovar a similaridade entre o modelo proposto e o componente

real, alguns valores de corrente (entre 0 A e 8, 21A ) foram aplicados na entrada do sensor e
verificados os nveis da tenso VHall de sada do mesmo. Este procedimento permitiu com
que fossem comparados resultados de simulao e experimentais com a curva terica
fornecida pelo fabricante, conforme apresenta a Figura 5-3.
Figura 5-3: Comparao entre resultados de simulao e experimentais com a curva fornecida
pelo fabricante.
A anlise da Figura 5-3 mostra excelente conformidade entre as trs curvas

apresentadas, ratificando o ensaio realizado e o modelo proposto simulao. Contudo,
nota-se que enquanto a corrente de entrada do sensor excursiona de seu valor mnimo 0 A
at seu valor mximo 8, 21A , sua tenso de sada estabelece-se em uma faixa muito
restrita, variando entre VHallmin = 2, 5V e VHallmax = 2, 842V . A proximidade entre os valores
mnimo e mximo da tenso de sada do sensor no interessante, j que nestas condies,
a converso analgica/digital (A/D) do microcontrolador que executar os algoritmos para
78
rastreamento de mxima potncia, ter resoluo reduzida.

A forma mais simples de aumentar a faixa de excurso de VHall , primeiramente,
subtrair-lhe
Voffset , de modo que se obtenha
VHallmin = 0V
VHallmax = 0, 342V .
Seqencialmente, com a utilizao de um ganho K IPIC adequado, possvel estabelecer o

limite superior de VHall em 4, 9V , maximizando a resoluo do conversor A/D. A
determinao numrica de K IPIC apresentada na equao (5.2).
K IPIC =
4, 9
= 14, 33
0, 342
(5.2)
O circuito eltrico capaz de realizar simultaneamente ambas as funes (subtrao

da tenso Voffset e multiplicao pelo ganho K IPIC ) obtido com a utilizao de um nico
amplificador operacional, na configurao diferencial ou subtrator [41], conforme ilustra a
Figura 5-4.
Figura 5-4: Circuito proposto para o condicionamento da corrente.
Realizando a anlise matemtica do circuito apresentado, estabelece-se a relao da

equao (5.3).
VIPIC =
R2
(VHall Voffset )
R1
(5.3)
Na equao (5.3), VIPIC representa o sinal a ser aplicado entrada A/D do PIC. O
termo VHall Voffset responsvel pela subtrao da tenso de offset , enquanto a relao
R2 / R1 determina o ganho K IPIC . Assim, pode-se escrever:

K IPIC =
R2
R1
(5.4)
Fazendo R1 = 27k e recuperando-se o resultado da equao (5.2), determina-se:
79
R2 = R1 K IPIC = 27 10 3 14, 32 = 386 , 84k
(5.5)
Em virtude de o valor encontrado para R2 no ser comercial, ser adotado,

experimentalmente, R2 = 390k . Recalculando o ganho, obtm-se K IPIC = 14, 44 , que
implica em uma tenso mxima aplicada entrada A/D do PIC de VIPIC = 4, 94V .
Mais uma vez, para verificar se o circuito proposto executa adequadamente a funo
para o qual foi designado, tanto via simulao quanto experimentalmente, elaborou-se o
prottipo cujo circuito apresentado na Figura 5-5.
Figura 5-5: Leitura e condicionamento do sinal de corrente de sada do mdulo fotovoltaico.
A partir dos resultados experimentais e de simulaes, possvel realizar a

comparao grfica, tal como ilustra a Figura 5-6.
Figura 5-6: Comparao entre valores simulados e experimentais de VIPIC .
Verifica-se que, agora, conforme a corrente I P excursiona de I Pmin = 0 A at

I Pmax = 8, 21A , a tenso de sada do amplificador operacional vai de VIPICmin = 0V at
VIPICmax = 4, 94V , conformando-se dentro de toda faixa permitida de excurso e fazendo
com que o conversor A/D do PIC opere com resoluo mxima.
80
Ainda, para impedir que o rastreamento de mxima potncia seja sensvel s

variaes em alta freqncia que ocorrem na radiao solar, faz-se necessrio utilizar um
filtro passa-baixas com o objetivo de atenuar tais componentes de alta freqncia. Com a
filtragem, o sistema ir rastrear a radiao mdia, que apresenta dinmica lenta, ignorando
as variaes rpidas, comumente causadas pela componente difusa da radiao.
A configurao do filtro utilizado segue apresentado na Figura 5-7.
Figura 5-7: Filtro passa-baixas utilizado no circuito condicionador de corrente.
A equao que permite a determinao do Capacitor C f , em funo da freqncia

de corte f c e do resistor R f apresentada na equao (5.6). Assim, adotando-se f c = 1Hz
e R f = 330k , tem-se:
Cf =
1
1
=
= 482, 5nF
2 f c R f 2 1 330 10 3
(5.6)
Experimentalmente, adotou-se C f = 470nF , deste modo, a freqncia de corte

ficou estipulada em
f c = 1, 03Hz , estabelecendo-se bem abaixo da freqncia de
amostragem f MPPT = 15Hz , cuja justificativa de escolha ser apresentada posteriormente.

Finalizando, ressalta-se que foi utilizado o amplificador operacional LF 411 . A
alimentao desse circuito integrado (feita de forma simtrica em 15V ), bem como a do
microcontrolador PIC (estipulada em 5V ) e do sensor de corrente (tambm em 5V ), ser
feita atravs de uma fonte auxiliar especialmente projetada e apresentada no Apndice E.
5.1.2 SENSOR DE TENSO E CIRCUITO DE CONDICIONAMENTO DA TENSO

O circuito de leitura e condicionamento da tenso Vmdulo tem por objetivo obter uma
amostra adequada da tenso de sada do mdulo fotovoltaico para ser aplicada entrada
A/D do microcontrolador que executar os algoritmos do MPPT.
81
Em virtude de o nvel mximo da tenso que o mdulo pode gerar ser baixo
( Vca = 32, 9V ) e no haver necessidade do emprego de um sensor isolado, ser utilizado,
para a referida finalidade, um divisor resistivo associado a um amplificador operacional
configurado como seguidor de tenso. A representao do circuito eltrico utilizado para
leitura e condicionamento do sinal de tenso de sada do mdulo fotovoltaico apresentado
na Figura 5-8.
Figura 5-8: Circuito proposto para leitura e condicionamento da tenso.
A relao entre as tenses V e Vmdulo determinam o ganho KVPIC , sendo facilmente

determinada mediante o emprego da equao (5.7).
KVPIC =
V
Vmdulo
Rdiv2
Rdiv1 + Rdiv 2
(5.7)
Para garantir, novamente, a mxima resoluo, necessrio que quando

Vmdulo = 32, 9V , a tenso aplicada entrada A/D do PIC seja de aproximadamente
VVPIC = 4, 9V . Assim, impondo-se Rdiv2 = 100k e sabendo-se que devido ao fato de o
amplificador operacional estar configurado como seguidor de tenso, vlida a igualdade

V = VVPIC , obtendo-se:
KVPIC =
4, 9
= 0, 149
32, 9
(5.8)
1 KVPIC
Rdiv1 = Rdiv 2
= 571.4k
KVPIC
(5.9)
Na prtica Rdiv1 ser obtido da associao em srie de um resistor de 560k e um

potencimetro de 50k , permitindo, deste modo, o ajuste fino da tenso VVPIC .
No programa PSIM, o bloco responsvel pela leitura e condicionamento da tenso
representado a Figura 5-9.
82
Figura 5-9: Circuito para leitura e condicionamento do sinal de tenso destinado simulao no
software PSIM.
Novamente, na sada do circuito de condicionamento da tenso utilizado um filtro

passa-baixas com o mesmo propsito anteriormente apresentado; contudo, neste caso, o
sinal de entrada do filtro ser VVPIC , enquanto a sada, sem elevado contedo harmnico de
alta freqncia, ser representada por VVPIC _ f , conforme a Figura 5-10.
Figura 5-10: Filtro passa-baixas utilizado na sada do circuito condicionador de tenso.
Os valores dos parmetros R f e C f permanecero os mesmos anteriormente

apresentados, j que se intenta manter a mesma freqncia de corte. O amplificador
operacional utilizado como seguidor de tenso ser o LF 411 .
5.1.3 HARDWARE EXTERNO PARA ACIONAMENTO DO MICROCONTROLADOR PIC

O microcontrolador PIC18F1320 ser empregado com intuito principal de
executar os algoritmos para rastreamento de mxima potncia; todavia, tambm ser
utilizado de forma que os valores de tenso Vmdulo e corrente I mdulo sejam apresentados em
um Display de Cristal Lquido (LCD Liquid Crystal Display MGD1602B). A
83
representao completa do microcontrolador, LCD e demais componentes necessrios ao

funcionamento, apresentada na Figura 5-11.
Figura 5-11: Microcontrolador PIC e componentes externos.
Na Figura 5-11, os diodos DZ so diodos zener empregados com o objetivo de

proteger as portas de entrada A/D do PIC, no permitindo que seja ultrapassada a tenso
mxima de VZ = 5, 1V . Os capacitores C1 = 100nF e C2 = 10 F / 10V so utilizados
visando manter a tenso de alimentao constante e evitar possveis reinicializaes do
microcontrolador. Os resistores ligados ao pino 4 (master clear) so recomendados pelo
fabricante: R3 1k e R4 < 40k . Os valores adotados ficaram estipulados em R3 = 1k
e R4 = 39k . O interruptor S PB , representa um push botton utilizado para reiniciar o
microcontrolador. Ainda, o cristal denominado por OSC determinada a freqncia de
oscilao externa, sendo especificado em OSC = 20MHz juntamente com os capacitores
C3 = C4 = 15 pF , cujos valores so sugeridos no catlogo da fabricante. Por fim, o
potencimetro POT2 = 10k utilizado para ajustar a intensidade do LCD.

No programa PSIM, torna-se invivel simular a estrutura apresentada na Figura
5-11, porm, utilizando um bloco DLL, pode-se pelo menos emular o algoritmo para
execuo do MPPT. A estrutura desenvolvida no software com este propsito apresentada

na Figura 5-12.
84
Figura 5-12: Circuito proposto para simulao do microcontrolador.
5.1.4 CIRCUITO DE COMANDO

At o momento, com os circuitos apresentados, possvel realizar a leitura da
tenso e corrente do mdulo fotovoltaico, condicion-los e, posteriormente, aplic-los nas
portas A/D do PIC, para que, executando os algoritmos do MPPT, seja calculada a razo
cclica D . Teoricamente, este procedimento garantiria toda a operao, permitindo
controlar o interruptor do conversor CC-CC na busca pelo MPP. Contudo, devido ao fato
de as sadas analgicas do microcontrolador no estarem aptas a suprirem a potncia
necessria para disparo dos interruptores MOSFETS, necessrio o emprego de um circuito
de comando.
Neste trabalho, o circuito de comando utilizado bastante difundido [42] e [43] e
segue apresentado na Figura 5-13.
Figura 5-13: Circuito de comando do MOSFET.
importante ressaltar que a configurao formada por T1 , RB e RC inversora, isto

, o sinal que aparece na base de T2 e T3 sempre complementar ao aplicado na base de
T1 . Portanto, para garantir que seja aplicada a razo cclica D ao MOSFET, o sinal de
entrada da base T1 deve ser seu complementar, ou seja, 1 D (pino 17 do PIC).

A determinao dos resistores Rx e Rg , bem como da corrente I g , ser feita de
acordo com os procedimentos apresentados em [42] e [43], que exige, de antemo, o
85
conhecimento de algumas caractersticas do interruptor MOSFET ( IRFP064 ) que ser

empregado no conversor CC-CC e especificado detalhadamente apenas nos captulos
posteriores.
De acordo com as especificaes (data sheet) do referido interruptor, tem-se:
Ciss = 7400 pF e tr = t f = 190ns , assim:
I g = Ciss
Rg =
V
15
= 7400 10 12
= 444mA
250 10 9
t
(5.10)
190 10 9
= 11, 7
2, 2 7400 10 12
(5.11)
tf
2, 2 Ciss
Rx = 10k
(5.12)
Salienta-se que o valor comercial de Rg ficou estabelecido em Rg = 12 .

A determinao dos resistores RB e RC exige o prvio conhecimento dos
transistores T1 , T2 e T3 . Utilizaram-se transistores 2N 2222 para T1 e T2 (tipo NPN) e
transistor 2N 2907 para T3 (tipo PNP).
Quando o transistor T2 est conduzindo (e T3 bloqueado), sua corrente de coletor
I CT 2 equipara-se corrente I g de disparo do MOSFET, ou seja, I CT 2 = 444mA . Levando o
valor de I CT 2 s curvas do fabricante do transistor 2N 2222 , estipulam-se a corrente de

base I BT 2 = 40mA e a tenso entre coletor e emissor VCET 2 = 0, 2V .
Ainda, possvel verificar que a corrente de base I BT 2 do transistor T2 equivale
corrente de coletor I CT 1 do transistor T1 , ou seja: I CT 1 = 40mA . Mais uma vez, recorrendo
ao catlogo do fabricante, tem-se: I BT 1 = 200 A e VCET 1 = 1V .
As informaes acima apresentadas so suficientes para o clculo de RB e RC .
Quando o transistor T1 est conduzindo, a tenso aplicada em RB ser de 5V (sada do
PIC) e a corrente que circular por este resistor ser I BT 1 = 200 A , assim, considerando
que a queda de tenso entre base e emissor VBET 1 do transistor T1 0, 7V , pode-se escrever:
RB =
5 0, 7
= 21, 5k
200 10 6
(5.13)
Ainda, com T1 em conduo, o resistor RC fica submetido a uma diferena de
86
potencial dada por 15 VCET 1 , enquanto a corrente I CT 1 circula pelo mesmo. Deste modo,
determina-se:
RC =
15 1
= 350
40 10 3
(5.14)
Em virtude de os valores calculados no serem comerciais, adotam-se: RB = 22k

e RC = 390 .
A determinao dos resistores e transistores define completamente o circuito de
comando, porm, cabe neste ponto uma observao importante: no simulador PSIM no h
necessidade do emprego do circuito para disparar o MOSFET, j que os componentes
utilizados so idealizados. Desta forma, este bloco ser omitido da simulao e o comando
ser feito diretamente da sada do bloco DLL . Portanto, para assegurar o funcionamento
prtico do circuito de comando, prope-se a simulao utilizando o software PSPICE, que
possibilita resultados muito precisos quando comparados aos obtidos experimentalmente. A
seguir so apresentadas as principais formas de onda.
Figura 5-14: Principais formas de onda obtidas para ratificao do procedimento de projeto do
circuito de comando (Simulador utilizado: PSPICE).
Percebe-se, mediante a comparao entre os sinais D e Vg na Figura 5-14, que

ambos so semelhantes em forma, se distinguido apenas em amplitude, sendo Vg da ordem
de 15V , adequada ao comando do interruptor. Alm disso, verifica-se que o circuito de
comando consegue suprir o pico da corrente para carga do capacitor Ciss intrnseco do
MOSFET, j que a corrente I g alcana picos de aproximadamente 450mA . Portanto, o
87
circuito proposto, tal como foi projetado, mostra-se adequado em nvel de tenso e corrente
para comandar o interruptor IRFP064 .
5.1.5 DETERMINAO DO CAPACITOR DE BARRAMENTO

O capacitor de barramento Cbar , colocado em paralelo ao mdulo fotovoltaico,
garante que este apresente comportamento de fonte de tenso, conforme ilustra a Figura
5-15.
Figura 5-15: Representao do mdulo fotovoltaico como fonte de tenso.
Esta configurao usual, visto que na maior parte das aplicaes o conjunto
mdulo fotovoltaico-capacitor gera um barramento de tenso constante que suprir um
conversor CC-CA, por exemplo.
Evidentemente, quanto maior a capacitncia de Cbar , maior ser a inrcia da tenso
de sada do mdulo Vmdulo , ou seja, mais prximo ser o comportamento do mdulo
fotovoltaico de uma fonte de tenso. Todavia, nas aplicaes envolvendo rastreamento de
mxima potncia, a tenso Vmdulo deve ser alterada juntamente com as condies climticas
e de carga, de modo que fique sempre estipulada no valor que garanta a operao do
mdulo no MPP. Deste modo, o pr-requisito para determinar o capacitor Cbar a
freqncia que com ser realizado o rastreamento, ou seja, f MPPT .
Neste trabalho, a escolha da freqncia
f MPPT
de rastreamento foi feita
empiricamente, ficando estabelecida em f MPPT = 15Hz , o que equivale a atualizao do

MPP a cada intervalo de tempo tMPPT , cujo valor numrico pode ser determinado a partir
da equao (5.15).
88
t MPPT =
1
f MPPT
1
= 66 , 67ms
15
(5.15)
Desta forma, fica claro que, se a cada intervalo tMPPT a tenso de sada do mdulo
fotovoltaico no estiver estabilizada (regime permanente), o MPP jamais ser encontrado.
Este fato limita a mxima capacitncia a ser empregada no barramento, e cria a condio de
escolha de Cbar , uma vez que este capacitor deve responder a variaes de radiao e
temperatura com relativa velocidade, estabilizando-se em um intervalo de tempo inferior a
tMPPT . Atravs de testes prticos e resultados de simulao, estabeleceu-se o capacitor de

barramento com as seguintes especificaes: Cbar = 680 F / 50V e RSECBar = 0, 1 .
5.2 CONCLUSO
Neste captulo foram apresentados os circuitos auxiliares necessrios para o
desenvolvimento prtico do circuito rastreador de mxima potncia, incluindo desde a
leitura das grandezas de sada dos mdulos fotovoltaicos at a gerao dos pulsos de
comando do interruptor do conversor CC-CC.
O funcionamento adequado dos circuitos auxiliares fundamental ao correto
rastreamento de mxima potncia, uma vez que determina todos os ganhos relacionados s
grandezas tenso e corrente, de forma que, se no forem devidamente ajustados, podem
levar o sistema a operar fora do MPP.
Nos prximos captulos, sero estudados os conversores Buck e Boost, ambos
aplicados ao rastreamento da mxima potncia.
CAPTULO 6
6 CONVERSOR BUCK APLICADO AO RASTREAMENTO DE
MXIMA POTNCIA
6.1 INTRODUO
Toda teoria apresentada nos captulos precedentes teve por objetivo introduzir os
conceitos necessrios ao rastreamento de mxima potncia que somente possibilitado, do
modo como est sendo conduzido este trabalho, com a utilizao de conversores CC-CC.
Neste captulo ser desenvolvido o projeto de um conversor Buck operando no
modo de conduo contnua (MCC), proposto para fazer a interface entre o mdulo
fotovoltaico e a carga, de maneira a possibilitar a operao no MPP.
Simplificadamente, o captulo subdivide-se em quatro partes: na primeira
realizado o projeto dos elementos de potncia, em que os capacitores, indutores, diodos e
interruptores que compem o conversor Buck sero dimensionados. A comprovao dos
resultados em malha aberta apresentada via simulao e comprovada experimentalmente;
na segunda parte ser estabelecida a regio de operao do conversor Buck; na terceira,
alguns resultados de simulao sero apresentados com objetivo de validar o modelo
proposto e, por fim, na quarta parte, apresentar-se- os resultados experimentais obtidos a
partir da construo de um prottipo.
6.2 PROJETO DO CONVERSOR BUCK

O conversor Buck um conversor CC-CC abaixador de tenso, ou seja, sempre sua
tenso de sada Vcarga inferior de entrada VE , ou no limite terico, igual. No se objetiva,
neste trabalho, dissertar a respeito do referido conversor e, sequer, otimizar o projeto do
mesmo, visto que ser utilizado apenas como meio para ratificar os conceitos envolvidos no
rastreamento da mxima potncia em sistemas fotovoltaicos. Ressalta-se, contudo, que a
teoria concernente ao projeto conversor Buck pode ser explorada com maior profundidade
em [31] e [39].
90
Devido ao fato de apresentar caracterstica de fonte de tenso na entrada, a corrente

drenada por um conversor Buck naturalmente pulsada, implicando em alto contedo
harmnico e em sobretenses destrutivas ao interruptor durante sua abertura, causadas
devido s indutncias parasitas. Para corrigir este problema, prope-se a utilizao de um
filtro LE CE de entrada [31]. Alm disso, para que na carga Rcarga haja uma tenso Vcarga
controlada e de baixa ondulao, proposta a utilizao de um filtro LO CO de sada [31],
culminado na representao da Figura 6-1.
Figura 6-1: Conversor Buck com filtros de entrada e sada.
Evidentemente, quando um conversor CC-CC aplicado ao rastreamento de

mxima potncia, o controle da razo cclica D no feito de modo a manter a tenso na
carga constante, mas sim, a permitir a mxima transferncia de potncia para sada. Neste
contexto, as variveis de interesse, do ponto de vista do MPPT, so as de entrada: VE e I E ,
portanto, pode-se abrir mo de uma baixa ondulao de tenso na carga; em outras
palavras, o capacitor do filtro de sada CO pode ser suprimido, sem prejuzo ao
rastreamento. Assim sendo, o circuito eltrico do conversor Buck pode ser reapresentado
conforme a Figura 6-2.
Figura 6-2: Conversor Buck sem capacitor de sada.
Para determinar os parmetros do conversor ( LE , CE , LO e Rcarga ), necessrio

especificar alguns parmetros de projeto. Salienta-se que as especificaes de entrada ( VE ,
91
I E e PE ) so equivalentes aos respectivos valores referentes ao mdulo fotovoltaico

KC200GT operando nas condies de referncia.
As especificaes de projeto so
disponibilizadas na Tabela 6-1.

Tabela 6-1: Especificaes para projeto do conversor Buck MCC.
Grandeza
Potncia de entrada
Representao
PE [W ]
Valor
200
Tenso de entrada
VE [V ]
26 , 3
Corrente de entrada
I E [ A]
7 , 61
Tenso de sada
Vcarga [V]
Rendimento
Freqncia de comutao
12
0, 95
f S [ Hz ]
Mxima ondulao da tenso de entrada
VCEmax [V ]
40 10 3
0, 1 VE
Mxima ondulao da corrente de entrada
I LEmax [ A]
0, 1 I E
Mxima ondulao da corrente de sada
I LOmax [ A]
0, 1 I carga
A determinao dos parmetros pode ser feita conforme apresentado em [31].
Determinao da razo cclica de operao:
D=
VE
12
=
= 0, 456
Vcarga 26 , 3
(6.1)
Determinao da potncia mdia na carga:

Pcarga = PE = 0, 95 200 = 190W
(6.2)
Determinao da corrente mdia na carga:

Pcarga 190
I carga =
=
= 15, 83A
Vcarga
12
(6.3)
Determinao da ondulao mxima da corrente de entrada:

I LEmax = 0, 1 I E = 0, 1 7 , 61 = 0, 761A
(6.4)
Determinao da ondulao mxima da tenso de entrada:

VCEmax = 0, 1 VE = 0, 1 26 , 3 = 2, 63V
(6.5)
Determinao da ondulao mxima da corrente de sada:

I LOmax = 0, 1 I carga = 0, 1 15, 83 = 1, 58 A
(6.6)
Determinao da resistncia de carga:

Vcarga
12
Rcarga =
=
= 0, 758
I carga 15, 83
(6.7)
Determinao do capacitor do filtro de entrada:
92
I carga
15, 83
= 37 , 62 F
4 40 10 3 2, 63
(6.8)
Determinao do indutor do filtro de entrada:

I
1
1
15, 83
LE = 2 carga
=
= 11, 15 H
2
31 f S CE I LEmax 31 ( 40 10 3 ) 37 , 62 10 6 0, 761
(6.9)
CE =
4 f S VCEmax
Determinao do indutor do filtro de sada:

VE
26 , 3
LO =
=
= 104 F
4 f S I LOmax 4 40 10 3 1, 58
(6.10)
Aqui, cabe acentuar que os valores calculados so ideais, principalmente no que se

refere ao capacitor CE , j que o clculo apresentado considera somente a ondulao de
tenso para determinao da capacitncia. Salienta-se, contudo, que grandezas como
corrente eficaz I CEef e resistncia srie equivalente RSE devem ser consideradas para que, a
posteriori, o modelo proposto simulao coincida com o experimental. Ainda, a escolha
de CE foi feita mediante a utilizao dos capacitores disponibilizados no laboratrio, deste

modo, dentre as possibilidades, optou-se por um capacitor eletroltico de baixo perfil e
reduzida RSE .
Embora as especificaes do capacitor indicassem CE = 1000 F / 250V
I CEefmax = 8 A , a realizao de medies resultou nos seguintes valores: CE = 870 F e

RCE = 80m .
Quanto aos indutores dos filtros de entrada LE e sada LO , os respectivos

dimensionamentos fsicos so apresentados no Apndice F, de onde se obteve
LE = 11.15 H , RLE = 73m , LO = 103, 7 H
e RLO = 70m , em que RLE e RLO
representam as resistncia associadas aos enrolamentos.

Em relao carga utilizada, houve razovel dificuldade em obt-la na prtica, visto
a potncia relativamente elevada e a baixa resistncia associada, de maneira que a nica
soluo foi associar resistores de fio at obter-se um valor de resistncia prximo do
procurado. O inconveniente da utilizao de resistores de fio reside no fato de os mesmos
apresentarem uma indutncia LRcarga parasita. Assim, em termos de modelagem da carga, a
mesma fica expressa por: Rcarga = 0, 8 e LRcarga = 7 , 12 H , sendo que tais parmetros
93
foram obtidos via medio.

A partir das informaes supracitadas e utilizando o software PSIM, foi realizado
um primeiro conjunto de simulaes, vislumbrando determinar os esforos nos
semicondutores de potncia e checar se o valor eficaz da corrente no capacitor do filtro de
entrada I CEef no ultrapassaria o valor mximo. O circuito eltrico simulado segue
apresentado na Figura 6-3, de onde se percebe que a posio do interruptor foi trocada em
relao Figura 6-2. Esta alterao no muda o funcionamento do conversor, apenas
facilita a obteno do circuito de comando do interruptor, que no necessita ser isolado.
Figura 6-3: Circuito eltrico equivalente do conversor Buck considerando-se todos os parmetros
de perda associados aos elementos passivos.
Os resultados de simulao so retratados na Figura 6-4, Figura 6-5 e Figura 6-6.
Figura 6-4: Corrente no capacitor CE de entrada do conversor Buck.
De acordo com a Figura 6-4, verifica-se que quando o conversor opera potncia
nominal, a corrente eficaz que circula pelo capacitor do filtro de entrada fica estabelecida
no patamar de I CEefmax = 7 , 52 A . Deste modo, o capacitor adotado, que suporta corrente
eficaz mxima de 8 A , pode ser utilizado sem ser danificado.
A escolha do diodo D1 pode ser feita com base nos resultados apresentados na
Figura 6-5, que traz, simultaneamente, as formas de onda da tenso e corrente aplicadas a
94
este componente.
Figura 6-5: Tenso VD1 e Corrente I D1 no diodo D1 .
O valor VD1max = 25, 3V estabelece a tenso reversa aplicada ao diodo, enquanto

I D1med condiz corrente mdia. Assim, foi selecionado o diodo ultra-rpido MUR1510 ,
com as seguintes especificaes: VR = 100V (tenso reversa mxima), I F = 15 A (corrente
mdia direta mxima) e VF = 1V (queda de tenso em conduo).
Por fim, o interruptor S1 torna-se o ltimo componente a ser definido. Para seu
correto dimensionamento, tomam-se os resultados de simulao, tal como conforma a
Figura 6-6.
Figura 6-6: Tenso VS 1 e Corrente I S 1 no interruptor S1 .
95
Da anlise da Figura 6-6, verifica-se que o interruptor selecionado deve suportar

uma tenso reversa mnima expressa por VS 1max = 26 , 3V , alm de uma corrente mdia de
I S 1med = 7 , 8 A . De acordo com as informaes apresentadas, optou-se pela utilizao do
interruptor IRFP064 , com as seguintes especificaes: VDSS = 60V
mxima),
I D = 70 A (corrente mdia mxima) e
(tenso reversa
RDSon = 12, 6 m 9 (resistncia em
conduo).
A partir da determinao de ambos, diodo D1 e interruptor S1 , possvel retomar o
circuito eltrico apresentado na Figura 6-3 e adicionar os parmetros de perda intrnsecos
aos semicondutores reais de potncia, ou seja, queda de tenso VF no diodo quando em
conduo e resistncia trmica RDSon do interruptor.
Para verificar se os resultados oriundos da simulao coincidem com os
experimentais, foi montado um prottipo e, as principais formas de onda que ratificam o
procedimento de projeto, foram adquiridas. Ressalta-se que como estes ensaios tiveram
apenas o intuito de verificar o funcionamento adequado do conversor CC-CC, foram
realizados consideram-se uma fonte de tenso contnua na entrada, conforme a Figura 6-7.
Figura 6-7: Conversor Buck proposto para simulao incluindo todos os parmetros de perda.
A seguir, so apresentadas as formas de onda que validam o projeto do conversor

Buck em malha aberta. As escalas foram ajustadas para que a comparao entre os
resultados obtidos atravs de simulao e de medies experimentais possa ser feita
visualmente.
Valor corrigido pelas curvas do fabricante para uma temperatura de operao de aproximadamente 100 C .
96
Figura 6-8: Corrente de entrada ( I E ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Figura 6-9: Detalhe da corrente de entrada ( I E ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Figura 6-10: Tenso de entrada ( VE ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
97
Figura 6-11: Corrente de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Figura 6-12: Detalhe da corrente de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Figura 6-13: Tenso de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
98
:
Figura 6-14: Detalhe da tenso de sada ( Vcarga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
A comparao entre resultados de simulao e experimentais mostra total

conformidade. Este fato torna-se importante, uma vez que assegura que, do ponto de vista
do conversor CC-CC empregado, h tendncia de sucesso no rastreamento de mxima
potncia.
6.3 DETERMINAO DA REGIO DE OPERAO DO CONVERSOR BUCK

Neste item, aplicar-se- a teoria desenvolvida nos captulos anteriores vislumbrando
definir a faixa de excurso de radiao e temperatura para a qual o conversor Buck
consegue estabelecer o MPP.
Para verificar as regies de operao e proibida referente ao conversor Buck, partese das curvas de gerao e de carga. Recapitulando a equao (4.10), tem-se:
D2
R
carga
Rei (D,Rcarga ) = atan
(6.11)
Assim, tomando-se os valores de Rcarga = 0, 8 e D = 0, 456 , obtm-se:
0,456 2
0,8
Rei (0,456, 0,8) = atan
= 14, 57
(6.12)
Ainda, analisando os casos extremos, tem-se:
02
= 0
0,8
Rei (0, 0,8) = atan
(6.13)
99
12
= 51,34
0,8
Rei (1, 0,8) = atan
(6.14)
Graficamente, a representao das curvas de carga simultaneamente com as de

gerao pode ser verificada na Figura 6-15.
Figura 6-15: Determinao da faixa de operao do conversor Buck para os parmetros de

projeto.
Verifica-se que mesmo com uma ampla variao da radiao e da temperatura,

conforme ilustra a Figura 6-15 (a) e (b) respectivamente, o ponto de mxima transferncia
de potncia sempre se estabelece dentro da regio de operao do conversor, assim,
conclui-se que o MPP ser sempre encontrado.
Um detalhe importante refere-se ao fato de que na prtica a razo cclica D jamais
alcana os limites tericos, visto que apesar de muito pequenos, os tempos associados
comutao so relevantes, principalmente quando a freqncia de comutao elevada.
Assim se, por exemplo, a razo cclica ficar confinada no intervalo 0, 15 D 0, 85 (esta
condio plausvel) os limites do ngulo R e i (D, Rcarga ) ficam estabelecidos em
0,9 Rei (D,Rcarga ) 42,1 , ou seja, os limites prticos de D restringem ainda mais a
regio de operao.
6.4 SIMULAES
As simulaes que sero apresentadas em seguida tm por objetivo comprovar toda
teoria estudada, antes que qualquer desenvolvimento prtico seja realizado. Ser verificado
100
o comportamento do conversor Buck sob as trs tcnicas de rastreamento apresentadas no

captulo 4, a saber: mtodo da Tenso Constante, P&O e CondInc. A certificao de que o
rastreamento est ocorrendo, ser feita tomando como base os resultados de simulao do
modelo do mdulo fotovoltaico. Nas simulaes, as perturbaes, tanto na radiao quanto
na temperatura, sero aplicadas mediante o uso de degraus. Embora esta no seja a forma
como as variaes ocorrem na prtica, uma resposta adequada do sistema a este tipo de
perturbao garante, tambm, seu funcionamento sob perturbaes mais lentas, como
rampas, por exemplo.
Na Figura 6-16, apresentado o circuito completo que permite a operao do
conversor Buck como rastreador de mxima potncia.
Figura 6-16: Circuito completo a ser simulado.
6.4.1 MTODO SIMULADO: TENSO CONSTANTE

No mtodo da Tenso Constante, a tenso de sada do mdulo fotovoltaico Vmdulo
mantida constante, independentemente das condies climticas e de carga. Os resultados
de simulao condizentes tenso Vmdulo , corrente I mdulo e potncia
Pmdulo so
apresentados a seguir, para distintas condies de radiao S e temperatura T .

101
Figura 6-17: Comportamento da radiao S e temperatura T no decorrer das simulaes.
a utilizao da tcnica da tenso constante.
102
A anlise conjunta da Figura 6-17 e Figura 6-18, permite concluir a respeito do

emprego do mtodo da Tenso Constante no rastreamento de mxima potncia, conforme
resume a Tabela 6-2.
Tabela 6-2: Comparao entre resultados no MPP e os obtidos com o emprego da tcnica da
Tenso Constante aplicada ao conversor Buck atravs de simulao.
Grandeza
MPP
Ponto de
operao
(simulao)
Erro absoluto
Erro relativo
Vmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[V ]
26,3
26,3
0%
I mdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[ A]
7, 61
7, 61
0%
Pmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[W ]
200,1
200,1
0, 0
0%
Vmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[V]
23, 2
26,3
3,1
13,3%
I mdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
4, 55
1,58
25,8%
Pmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[W ]
142, 2
119,8
22, 4
15, 7%
Vmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[V]
26, 2
26, 2
0%
I mdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6,10
0, 03
0,5%
Pmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[W ]
160, 6
159,8
0,8
0,5%
Antes que qualquer interpretao a respeito dos resultados da Tabela 6-2 seja feita,
importante relembrar que a tenso de grampeamento foi estipulada nas condies de
referncia, ou seja, Vgramp = Vmpref = 26 , 3V . Este fato, por si s, explica o erro nulo
encontrado entre o ponto de operao do sistema e o ponto de mxima potncia, quando
S = 1000W / m 2 e T = 25 C , j que nessas condies, a tenso de grampeamento a
mesma que leva o mdulo a operar no MPP.
Pela anlise das simulaes, verifica-se que quando h a perturbao (no instante de
tempo de 5s ), a radiao e a temperatura passam, respectivamente, aos patamares de
S = 800W / m 2 e T = 47 C , havendo uma reduo significativa da potncia gerada, j que,
alm da diminuio natural da potncia devido queda da radiao, a elevao da
temperatura faz com que a tenso de grampeamento no coincida mais com a de mxima
potncia. Em outras palavras, a elevao da temperatura desloca o ponto de mxima
potncia para esquerda, levando a tenso de mxima potncia ao valor de Vmp = 23, 2V .
103
Logo, em virtude de a tenso nos terminais do mdulo estar sendo grampeada, o ponto de
operao no acompanha o deslocamento, causando a reduo da potncia gerada em
aproximadamente 16%.
Quando a temperatura de operao retorna para T = 25 C (no instante de tempo de
10s ), mesmo com a radiao se mantendo em S = 800W / m 2 , verifica-se novamente o
casamento entre a tenso de operao e de mxima potncia, de forma que o mdulo volta a
atuar nas proximidades do MPP (com erro em torno de 0,5%).
Por fim, as simulaes corroboraram a teoria apresentada nos captulos anteriores,
ratificando o fato de que o mtodo da Tenso Constante mostra-se eficaz somente nos caos
em que a temperatura de operao no se afasta demasiadamente daquela que garante a
mxima transferncia de potncia nas condies de referncia.
6.4.2 MTODO SIMULADO: P&O

O mtodo Perturba e Observa, ao contrrio do anteriormente apresentado, ter que
rastrear a mxima potncia independentemente das condies climticas.
Para que uma comparao possa ser feita, as perturbaes na radiao e temperatura
sero as mesmas apresentadas na
Figura 6-17.
Os resultados de simulao seguem
apresentados nas Figura 6-20.
Figura 6-19: Tenso Vmdulo , corrente I mdulo de sada do mdulo fotovoltaico com utilizao da
tcnica P&O.
104
Figura 6-20: Potncia Pmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com utilizao da tcnica P&O.
Novamente, vislumbrando estabelecer uma anlise quantitativa, prope-se a Tabela

6-3, em que os resultados de simulao so apresentados juntamente aos de mxima
potncia para as condies de radiao e temperatura observadas.
Tabela 6-3: Comparao entre resultados no MPP e os obtidos com o emprego da tcnica P&O
aplicada ao conversor Buck atravs de simulao.
Grandeza
MPP
Ponto de
operao
(simulao)
Erro absoluto
Erro relativo
Vmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[V ]
26,3
26,3
0%
I mdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[ A]
7, 61
7, 61
0%
Pmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[W ]
200,1
200,1
0%
Vmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[V]
23, 2
23, 2
0%
I mdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6,10
0, 03
0,5%
Pmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[W ]
142, 2
141,9
0, 03
0, 2%
Vmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[V]
26, 2
26,3
0,1
0, 4%
I mdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6,10
0, 03
0,5%
Pmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[W ]
160, 6
159,8
0,8
0,5%
Conforme pode ser verificado na Tabela 6-3, h total conformidade entre os valores
de tenso, corrente e potncia nos pontos de operao e mxima potncia. Deve-se
salientar, que foi tomado o valor mdio das grandezas no ponto de operao, uma vez que,
conforme explanado nos captulos anteriores, o mtodo P&O apresenta o inconveniente de
manter oscilaes na tenso e corrente de sada do mdulo, ainda que em regime
105
permanente.
Para tornar mais visveis estas oscilaes, ampliou-se a regio em torno do ponto
mdio na Figura 6-19, de forma a se obter a Figura 6-21.
Figura 6-21: Detalhe da tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico mediante o emprego da
tcnica P&O.
A partir da Figura 6-21, verifica-se que a ondulao de tenso fica estabelecida em

aproximadamente Vmdulo = 0, 6V . Esta ondulao foi obtida impondo-se um passo
D = 0, 006 .
Para evidenciar o efeito do passo D na relao entre resposta dinmica e em
regime permanente, apresenta-se, na Figura 6-22, a comparao entre os resultados do
rastreamento utilizando a tcnica P&O com D = 0, 006 (a) e D = 0, 01 (b).
Figura 6-22: Comparao entre resposta do mtodo P&O para distintos passos D : (a)
D = 0, 006 ; (b) D = 0, 01 .
Comparativamente, na Figura 6-22 (a), tem-se D = 0, 006 , t RP = 2, 32s e

Vmdulo = 0, 6V , enquanto na Figura 6-22 (b) estabelecem-se D = 0, 01 , t RP = 1, 79s e
Vmdulo = 1V . Deste modo, confirmam-se as teorias anteriormente apresentadas, isto , o
passo D diretamente proporcional velocidade de rastreamento e s ondulaes em

regime permanente.
106
Ainda, mediante a anlise da Figura 6-21, possvel perceber que a

freqncia de rastreamento se estabeleceu conforme os requisitos de projeto, ou seja,
f MPPT = 15Hz .
6.4.3 MTODO SIMULADO: CONDINC

O mtodo da Condutncia Incremental (CondInc), conforme outrora mencionado,
tende aliar velocidade e preciso de rastreamento. As condies de radiao e temperatura
utilizadas na simulao continuaro sendo as utilizadas nas simulaes anteriores, tal como
representa a Figura 6-17.
utilizao da tcnica CondInc.
Seguindo o procedimento, apresenta-se na Tabela 6-4 a comparao entre o ponto

de operao do sistema, obtido via simulao, e o MPP.
107
Tabela 6-4: Comparao entre resultados no MPP e os obtidos com o emprego da tcnica CondInc
aplicada ao conversor Buck atravs de simulao.
Grandeza
MPP
Ponto de
operao
(simulao)
Erro absoluto
Erro relativo
Vmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[V ]
26,3
26,3
0%
I mdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[ A]
7, 61
7, 61
0%
Pmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[W ]
200,1
200,1
0, 0
0%
Vmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[V]
23, 2
23,3
0,1
0, 4%
I mdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6, 08
0, 05
0,8%
Pmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[W ]
142, 2
142,18
0, 02
0, 01%
Vmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[V]
26, 2
26,3
0,1
0, 4%
I mdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6,10
0, 03
0,5%
Pmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[W ]
160, 6
160, 2
0, 4
0, 2%
Mais uma vez, nota-se que o sistema conseguiu rastrear a mxima potncia tal como
ocorreu quando a tcnica P&O foi empregada, contudo, neste caso, as oscilaes em
regime permanente so inexistentes, isto , uma vez encontrado o MPP, o sistema pra de
procurar, at que uma variao de radiao ou temperatura ocorra.
Para ilustrar o efeito do passo varivel, apresenta-se, na Figura 6-24, um detalhe da
Figura 6-23, que ilustra a procura pelo MPP na passagem da temperatura de T = 47 C
para T = 25 C (no instante de tempo de 10s ).
Figura 6-24: Detalhe da tenso de sada do mdulo fotovoltaico.
Finalmente, o trmino da anlise do conversor Buck operando como MPPT com o

emprego da tcnica CondInc encerra as anlises das simulaes. O sucesso obtido nesta
108
etapa conduz prxima, em que ser feita a verificao prtica com o intuito de confirmar
experimentalmente os resultados tericos e de simulao at o momento apresentados.
6.5 RESULTADOS EXPERIMENTAIS

Para realizao dos procedimentos experimentais, foi desenvolvido em laboratrio
um prottipo do conversor Buck e todos os circuitos auxiliares, conforme pode ser
verificado na foto apresentada na Figura 6-25.
Figura 6-25: Prottipo do circuito rastreador de mxima potncia.
O esquemtico eltrico completo do prottipo desenvolvido, bem como a lista de

componentes empregados, so apresentados no Apndice G.
6.5.1 MTODO TESTADO: TENSO CONSTANTE

Os primeiros testes foram realizados com a leitura simultnea da radiao e
temperatura na superfcie do mdulo (atravs do mini-KLA), alm dos valores da tenso
Vmdulo e corrente I mdulo de sada do mdulo fotovoltaico, disponibilizados no LCD.
Os resultados das medies (denotados por Vmed , I med e Pmed ) so apresentados na
Figura 6-26 e foram traados simultaneamente com os resultados obtidos atravs de
simulao ( Vsim , I sim e Psim ) e ainda com os resultados que fornecem o valor das grandezas
no MPP ( Vmp , I mp e Pmp ), todos sob as condies de radiao e temperatura obtidas
109
experimentalmente. Salienta-se, ainda, que os erros relativos entre os respectivos valores da

tenso, corrente e potncia de sada em relao aos de mxima potncia, so denotados por
E (V ) , E ( I ) e E ( P ) .
Figura 6-26: Grficos comparativos entre resultados experimentais, de simulao e no ponto de

mxima potncia.
O comportamento do conversor Buck operando com o algoritmo para

implementao da tcnica da Tenso Constante, apresentou resultados dentro do esperado.
Verificou-se que as grandezas tenso, corrente e potncia obtidas experimentalmente e via
simulao so muito prximas sob qualquer valor de radiao e temperatura, e ambas, esto
distanciadas do ponto de mxima potncia, uma vez que a temperatura de operao,
enquadrada no intervalo 39, 1 < Toperao < 46 , 8 , ficou estabelecida muito alm da de
referncia T ref = 25 C .
110
Visando tornar a anlise quantitativa, a curva do erro percentual entre o ponto de

operao e o MPP tambm foi apresentada, de onde percebeu-se que a distncia entre estes
pontos to menor quanto mais prxima a temperatura de operao estiver da de
referncia.
Por fim, para a radiao S = 987W / m 2 e temperatura T = 57 C adquiriu-se a
forma de onda ilustrada na Figura 6-27, que retrata a tenso e corrente de sada do mdulo
fotovoltaico.
Figura 6-27: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com emprego da tcnica da tenso
constante para uma radiao S = 987W / m 2 e temperatura T = 57 C .
Nota-se, pela anlise da referida figura, que a tenso se estabelece no patamar de

Vmdulo = 26 , 3V , ou seja, no ponto de grampeamento, enquanto a corrente estabiliza-se em
aproximadamente I mdulo = 4, 5 A , obtendo-se assim, uma potncia de Pmdulo = 118, 3W .
Resultados de simulao concordam com estes valores e mostram que, para as
condies ensaiadas, a mxima potncia seria obtida em Vmp = 22, 5V e I mp = 7 , 45 A , isto ,
Pmp = 168W . Logo, conclui-se que a aplicao do mtodo da Tenso Constante implica em
uma reduo de cerca de 30%, para as dadas condies de radiao e temperatura.
111
6.5.2 MTODO TESTADO: P&O

A anlise dos resultados experimentais com o emprego da tcnica P&O ser feita de
forma anloga contemplada no item anterior. As curvas experimentais, traadas
concomitantemente s obtidas via simulao, fornecem os resultados ilustrados na Figura
6-28.
Figura 6-28: Grficos comparativos entre resultados experimentais e de simulao.
Mediante a anlise grfica apresentada, poucos comentrios explicativos se fazem

necessrios, visto que h total conformidade entre os pontos medidos experimentalmente e
obtidos via simulao.
Percebe-se que no caso da utilizao do algoritmo P&O, h a proximidade entre o
ponto de operao do mdulo fotovoltaico e o de mxima potncia, independentemente das
condies de radiao e temperatura.
O fato de o erro percentual chegar a cerca de 12%, tanto na corrente como na
112
potncia para o ltimo ponto medido, indica, aparentemente, problemas de mensurao,

visto o bom comportamento das curvas para os pontos anteriores, onde o erro no havia
ultrapassado 3%.
Novamente, sob radiao S = 951W / m 2 e temperatura T = 36 C adquiriu-se a
forma de onda ilustrada na Figura 6-29, que retrata a tenso e corrente de sada o mdulo
fotovoltaico.
Figura 6-29: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego da tcnica P&O
para uma radiao de S = 951W / m 2 e temperatura de T = 36 C .
Perante a anlise da Figura 6-29, verifica-se que houve o rastreamento de mxima

potncia,
estabelecendo-se
os
seguintes
valores:
Vmdulo = 25V ,
I mdulo = 7 , 4 A e
Pmdulo = 185W .
Ainda, com base na referida figura, atenta-se ao afundamento da tenso, causado
pela passagem de uma nuvem durante o processo de aquisio dos resultados. Nota-se que
aps a perturbao ter cessado, o sistema voltou a rastrear a mxima potncia, retornando
praticamente ao patamar anterior.
Por fim, para verificar se as oscilaes em regime permanente e freqncia de
rastreamento obedeceram aos requisitos tericos impostos, ampliou-se a forma de onda
apresentada na Figura 6-29, de maneira a obt-la detalhadamente, conforme retrata a
Figura 6-30.
113
Figura 6-30: Detalhe da tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico.
6.5.3 MTODO TESTADO: CONDINC

Para a apresentao dos resultados experimentais referentes ao conversor Buck
operando a partir da tcnica CondInc, introduzem-se as Figura 6-31 e Figura 6-32, que
retratam os resultados prticos juntamente com as curvas simuladas nas mesmas condies
de radiao e temperatura.
114
Perante a anlise das referidas figuras, nota-se que o rastreamento foi realizado com
preciso em relao aos valores tericos de mxima potncia, estabelecidos via simulao,
visto que os pontos de operao e no MPP so praticamente coincidentes e, o erro mximo,
associado potncia, ficou estabelecido abaixo de 5%.
Finalmente, sob radiao S = 980W / m 2 e temperatura T = 41 C , adquiriu-se a
forma de onda ilustrada na Figura 6-33, que retrata a tenso e a corrente de sada do
mdulo fotovoltaico.
Figura 6-33: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego do conversor Buck
operando sob a tcnica CondInc para S = 980W / m 2 e T = 41 C .
Os patamares de Vmdulo = 24V , I mdulo = 7 , 2 A e Pmdulo = 172, 8W , conformam-se

com os valores alcanados via simulao.
115
6.6 CONCLUSO
Neste captulo foi estudado o conversor Buck operando no rastreamento da mxima
potncia. Em um primeiro momento, foi realizado o projeto de potncia do referido
conversor e comprovado seu funcionamento em malha aberta. Seqencialmente, deu-se
continuidade com exaustivas simulaes visando corroborar a operao do conversor como
MPPT. Mediante os excelentes resultados obtidos, partiu-se para o desenvolvimento de um
prottipo, visando a comprovao prtica, tambm alcanada com sucesso.
A tcnica da tenso constante mostrou-se bastante coerente em aplicaes em que a
temperatura de operao fica estabelecida em torno de T = 25 C , isto porque esta
temperatura foi adotada como referncia para a escolha da tenso de grampeamento.
Verificou-se que o rastreamento, longe deste ponto, ocorre fora da mxima potncia,
evidenciando-se no erro, que se apresentou to maior quanto maior foi a temperatura de
operao do mdulo fotovoltaico.
Dentre as trs tcnicas empregadas para rastreamento, verificou-se que do ponto de
vista esttico, as tcnicas P&O e CondInc so muito semelhantes, e os erros associados ao
rastreamento so muito pequenos. Contudo, conforme previsto, o mtodo P&O apresentou
oscilaes em regime permanente, o que no ocorreu quando o mtodo CondInc foi
utilizado. Alm disso, os experimentos mostraram que a resposta do sistema a variaes
abruptas de radiao foi muito ruim quando a tcnica da Tenso Constante estava sendo
empregada, uma vez que este mtodo no permite o rastreamento enquanto as perturbaes
estiverem ocorrendo, ou seja, torna-se inapropriado em dias parcialmente nublados, onde as
variaes da radiao so comuns.
116
CAPTULO 7
CONVERSOR BOOST APLICADO AO RASTREAMENTO DE
MXIMA POTNCIA
7.1 INTRODUO
Este captulo tem por objetivo apresentar o projeto de um conversor Boost aplicado
ao rastreamento da mxima potncia em mdulos fotovoltaicos. Em virtude de os
procedimentos aplicados para alcanar tal finalidade serem muitos semelhantes aos
referentes ao conversor Buck, analisado anteriormente, este captulo ser mais objetivo,
visando no tornar as informaes redundantes e a leitura repetitiva.
Inicialmente, ser realizado o projeto de potncia do conversor Boost,
comprovando-se os resultados tericos via simulao e experimentao em malha aberta.
Em seguida, ser realizado o levantamento das regies de operao e proibida do referido
conversor, de modo que se possa estabelecer, seqentemente, os ensaios que comprovam
sua eficcia no rastreamento do ponto de mxima potncia.
7.2 PROJETO DO CONVERSOR BOOST

O conversor Boost um conversor CC-CC elevador de tenso, ou seja, sempre sua
tenso de sada Vcarga superior de entrada VE , ou no limite terico, igual. Um aspecto
importante relacionado ao conversor Boost o fato de apresentar caracterstica de fonte de
corrente na entrada e fonte de tenso na sada. De acordo com [31] e [39], o circuito
eltrico de um conversor Boost pode ser representado de acordo com a Figura 7-1.
Figura 7-1: Conversor Boost.
118
Para determinar os parmetros do conversor ( LE , CO e Rcarga ), necessrio definir

todas as especificaes necessrias para projeto, conforme as disponibilizadas na Tabela
7-1.
Tabela 7-1: Especificaes para projeto do conversor Boost MCC.
Grandeza
Potncia de entrada
Representao
PE [W ]
Valor
200
Tenso de entrada
VE [V ]
26 , 3
Corrente de entrada
I E [ A]
7 , 61
Tenso de sada
Vcarga [V ]
Rendimento
Freqncia de comutao
50
0, 95
f S [ Hz ]
Mxima ondulao da corrente de entrada
I LEmax [ A]
40 10 3
0, 05 I E
Mxima ondulao da tenso de sada
VCOmax [V ]
0, 01 Vcarga
A determinao dos parmetros pode ser feita conforme apresentado em [31].
Determinao da razo cclica de operao:
D = 1
VE
26.3
= 1
= 0, 474
Vcarga
50
(7.1)
Determinao da Potncia mdia na carga:

Pcarga = PE = 0, 95 200 = 190W
(7.2)
Determinao da corrente mdia na carga:

Pcarga 190
I carga =
=
= 3, 8 A
Vcarga
50
(7.3)
Determinao da ondulao mxima da corrente de entrada:

I LEmax = 0, 01 I E = 0, 05 7 , 61 = 0, 071A
(7.4)
Determinao da ondulao mxima da tenso de sada:

VCOmax = 0, 1 Vcarga = 0, 01 50 = 0, 5V
(7.5)
Determinao da resistncia de carga:

Vcarga 50
Rcarga =
=
= 13.2
I carga 3.8
Determinao do indutor do filtro de entrada:
VE D
26.3 0, 474
LE =
=
= 820, 1 H
f S I LEmax 40 10 3 0, 38
(7.6)
(7.7)
Determinao do capacitor de sada:
119
CO =
I carga
f S VC Omax
(Vcarga VE )
Vcarga
3, 8
(50 26 , 3)
= 90, 1 F
3
40 10 0, 5
50
(7.8)
Por questes de simplicidade, o capacitor de sada CO adotado foi o mesmo

utilizado como capacitor do filtro de entrada do conversor Buck; contudo, sob as seguintes
especificaes obtidas atravs de medies: CO = 930 F e RCO = 50m .
Quanto ao indutor de entrada LE , cujo projeto fsico encontra-se no Apndice H,
seu valor e da respectiva resistncia associada aos enrolamentos ficaram estabelecidos em
LE = 1, 15mH e RLE = 115m .
Em relao carga, utilizaram-se resistores de fio, cujo resultado da associao

resultou nas seguintes especificaes: Rcarga = 12, 35 e LRcarga = 3, 53 H .
A partir das informaes supracitadas e utilizando o software PSIM, foi realizada
uma primeira simulao, visando determinar os esforos nos semicondutores de potncia e
checar se o valor eficaz da corrente no capacitor de sada I COef no ultrapassaria o valor
mximo. O circuito eltrico simulado segue apresentado na Figura 7-2.
Figura 7-2: Circuito eltrico do conversor Boost.
Os resultados de simulao seguem apresentados na Figura 7-3, Figura 7-4 e

Figura 7-5
Figura 7-3: Corrente no capacitor CO de sada do conversor Boost.
120
De acordo com a Figura 7-3 e com o critrio da corrente eficaz, conclui-se que o
capacitor CO , que suporta at 8 A eficazes pode ser utilizado para a finalidade proposta.
Para determinao do diodo D2 , utilizar-se- os resultados de simulao
apresentados na Figura 7-4.
Figura 7-4: Tenso VD 2 e Corrente I D2 no diodo D2 .
O valor de VD 2max = 48, 6V estabelece a tenso reversa aplicada ao diodo, enquanto

I D2med condiz corrente mdia que circula pelo mesmo. Assim, selecionou-se o diodo
ultra-rpido MUR1510 , com as seguintes especificaes: VR = 100V , I F = 15 A e VF = 1V .

Seguindo o mesmo procedimento, determina-se tambm o interruptor S2 , cujas
formas de ondas relacionadas tenso e corrente so retratadas conforme ilustram a Figura
7-5 e a Figura 7-6, respectivamente.
Figura 7-5: Tenso VS 2 no interruptor S2 .
121
Figura 7-6: Corrente I S 2 no interruptor S2 .
A partir das referidas figuras, verifica-se que o interruptor selecionado deve suportar
uma tenso reversa mnima expressa por VS 2max = 48, 9V , alm de uma corrente mdia de
I S 2med = 3, 65 A . De acordo com as informaes apresentadas, optou-se novamente pela
utilizao do interruptor IRFP064 , com as seguintes especificaes: VDSS = 60V , I D = 70 A
e RDSon = 12, 6 m .
Dando seqncia ao procedimento, os parmetros associados ao diodo D2 e ao
interruptor S2 foram adicionados ao circuito do conversor Boost, culminando na
representao da Figura 7-7.
Figura 7-7: Conversor Boost, com parmetros de perda, proposto para simulao.
Para assegurar o correto funcionamento do conversor Boost em malha aberta, foi

desenvolvido em laboratrio um prottipo de modo que algumas aquisies prticas
pudessem ser feitas. Uma gama de formas de onda experimentalmente obtidas
apresentada na seqncia, simultaneamente aos respectivos resultados de simulao. As
escalas dos resultados simulados foram, novamente, ajustadas para que a comparao
pudesse se estabelecer visualmente.
122
Figura 7-8: Corrente de entrada ( I E ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Figura 7-9: Detalhe da corrente de entrada ( I E ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Figura 7-10: Tenso de entrada ( VE ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
123
Figura 7-11: Corrente de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Figura 7-12: Detalhe da corrente de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Figura 7-13: Tenso de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
124
Figura 7-14: Detalhe da tenso de sada ( Vcarga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).
Os resultados supra-apresentados mostraram excelente conformidade, possibilitando

o emprego do conversor Boost, a posteriori, como rastreador de mxima potncia. Por ora,
abordar-se- a regio de atuao do referido conversor, de modo a definir-se sua regio de
operao e proibida.
7.3 DETERMINAO DA REGIO DE OPERAO DO CONVERSOR BOOST

Neste item, ser aplicada a teoria desenvolvida nos captulos anteriores
vislumbrando definir a faixa de excurso de radiao e temperatura para a qual o conversor
Boost consegue estabelecer o MPP.
Para verificar as regies de operao e proibida para o conversor Boost, parte-se das
curvas de gerao e de carga. Resgatando-se a equao (4.19), tem-se:
( 1- D )2 Rcarga
(7.9)
Portanto, tomando-se os valores de Rcarga = 12, 35 e D = 0, 474 , facilmente

determina-se:
= 16,31
( 1- 0,474 )2 12,35
Rei (0,474, 12,35) = atan
(7.10)
Ainda, analisando os casos extremos, para D = 0 , tem-se:
125
1
= 4,63
12,35
Rei (0, 12,35)= atan
(7.11)
Por outro lado, fazendo-se D = 1 , obtm-se:

1

Rei (1, 12,35)= atan = 90

0
(7.12)
Graficamente, a representao da curva de carga simultaneamente com as curvas de

gerao define a regio de operao do conversor, conforme a Figura 7-15.
Figura 7-15: Determinao da faixa de operao do conversor Boost para os parmetros de

projeto.
No caso do conversor Boost, possvel verificar que seu comportamento como

rastreador de mxima potncia fica comprometido sob baixas radiaes. Conforme se
percebe para o caso em que S = 200W / m 2 , o ponto de mxima potncia encontra-se fora
da regio de operao e, nesta condio, o sistema no conseguir operar no MPP,
estabelecendo-se no ponto de interseco entre as curvas de carga e de gerao, que ocorre
em aproximadamente Vmdulo = 20V e I mdulo = 1, 5 A .
Novamente, cabe ressaltar que os limites prticos da razo cclica limitam ainda
mais a regio de operao do conversor.
7.4 SIMULAES
As simulaes foram realizadas com o objetivo de comprovar o funcionamento do
conversor Boost atuando na busca pelo ponto de mxima potncia. O circuito completo
126
simulado, incluindo o circuito de potncia e os circuitos de condicionamento, retratado na

Figura 7-16.
Figura 7-16: Circuito completo a ser simulado.
A partir da simulao do circuito para distintas condies de radiao e temperatura

ser verificado o comportamento do conversor Boost sob a atuao das trs tcnicas
estudas, a saber: Tenso Constante, Perturba e Observa e, finalmente, Condutncia
Incremental.
7.4.1 MTODO SIMULADO: TENSO CONSTANTE

As simulaes empregando a tcnica da Tenso Constante foram realizadas sob as
condies de radiao S e temperatura T ilustras na Figura 7-17, enquanto os resultados
referentes tenso Vmdulo , corrente I mdulo e potncia Pmdulo , de sada do mdulo
fotovoltaico, so retratadas na Figura 7-18.
127
Figura 7-17: Comportamento da radiao S temperatura T no decorrer das simulaes.
o emprego da tcnica da Tenso Constante.
128
Com base nos resultados de simulao, prope-se a Tabela 7-2, de maneira a

resumir as principais informaes obtidas e quantificar o erro cometido entre o ponto de
operao encontrado pelo rastreamento e o de mxima potncia, obtido mediante o
emprego do modelo do mdulo fotovoltaico desenvolvido no captulo 3.
Tabela 7-2: Comparao entre resultados no MPP e obtidos com o emprego da tcnica da Tenso
Constante aplicada ao conversor Boost atravs de simulao.
Grandeza
MPP
Ponto de
operao
(simulao)
Erro absoluto
Erro relativo
Vmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[V ]
26,3
26,3
0%
I mdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[ A]
7, 61
7, 61
0%
Pmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[W ]
200,1
200,1
0, 0
0%
Vmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[V]
23, 2
26,3
3,1
11,8%
I mdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
4,56
1,57
25, 6
Pmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[W ]
142, 2
119,9
22,3
15, 7
Vmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[V]
26, 2
26,3
0,1
0, 4%
I mdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6, 09
0, 04
0, 7%
Pmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[W ]
160, 6
160, 2
0, 4
0, 2%
De acordo com a Tabela 7-2, o erro relativo encontrado entre o ponto de operao
do sistema (simulao) e o MPP, conforme j havia sido confirmado para o conversor
Buck, alcana valores expressivos, chegando a 15,7% para a potncia de sada. Este fato
ocorre devido temperatura de operao, estabelecida em T = 47 C , estar muito distante
do valor de referncia, definida em T = 25 C , de forma que a tenso de mxima potncia
Vmp acaba se afastando da tenso de grampeamento Vgramp .
interessante notar tambm que os resultados apresentados na Figura 7-18 so
praticamente idnticos aos obtidos quando a tcnica da Tenso Constante foi aplicada ao
conversor Buck, cujos resultados foram retratados na Figura 6-18. Destarte, conclui-se que
se as condies de radiao, temperatura e carga impem o funcionamento do conversor
CC-CC dentro da regio de operao, o comportamento de ambos os conversores estudados
, em suma, o mesmo.
129
7.4.2 MTODO SIMULADO: P&O

Seguindo a mesma linha de raciocnio, para as condies de radiao e temperatura
utilizadas na anlise anterior, apresentam-se agora os resultados de simulao do conversor
Boost atuando como rastreador de mxima potncia sob a ptica da tcnica Perturba e
Observa.
o emprego da tcnica da Perturba e Observa.
Facilmente se percebe, mediante o estudo da Figura 7-19, que a aplicao do

mtodo Perturba e Observa faz com que o sistema rastreie o ponto de mxima potncia,
ficando nas proximidades deste ponto independentemente das condies de radiao e
temperatura.
Todavia, conforme exaustivamente mencionado, est tcnica impe uma
oscilao da tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico, mesmo em regime

permanente.
Os principais resultados, que intentam quantificar o erro associado ao ponto
rastreado e o de mxima potncia, so apresentados na Tabela 7-3.
130
Tabela 7-3: Comparao entre resultados no MPP e obtidos com o emprego da tcnica P&O
aplicada ao conversor Boost atravs de simulao.
Grandeza
MPP
Ponto de
operao
(simulao)
Erro absoluto
Erro Relativo
Vmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[V ]
26,3
26,3
0%
I mdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[ A]
7, 61
7, 61
0%
Pmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[W ]
200,1
200,1
0, 0
0%
Vmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[V]
23, 2
23,1
0,1
0, 4%
I mdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6,13
0%
Pmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[W ]
142, 2
142, 0
0, 2
0,3%
Vmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[V]
26, 2
26, 4
0, 2
0,8%
I mdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6, 04
0, 09
1, 4%
Pmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[W ]
160, 6
160, 2
0, 4
0, 2%
Novamente, a anlise dos erros relativos, apresentados na Tabela 7-3 confirma a

eficincia de rastreamento da tcnica aplicada.
7.4.3 MTODO SIMULADO: CONDINC

As condies de radiao e temperatura utilizadas para simulao do mtodo da
Condutncia Incremental (CondInc) aludem Figura 7-17, a partir da qual os seguintes
resultados de simulao foram obtidos.
Figura 7-20: Tenso Vmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego da tcnica da
Condutncia Incremental
131
Figura 7-21: Corrente I mdulo e potncia Pmdulo de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego da
tcnica da Condutncia Incremental.
A comprovao de que houve rastreamento de mxima potncia, mais uma vez, ser
feita com o emprego da comparao entre o ponto de operao e o MPP, conforme a
Tabela 7-4.
Tabela 7-4: Comparao entre resultados no MPP e obtidos com o emprego da tcnica CondInc
aplicada ao conversor Boost atravs de simulao.
Grandeza
MPP
Ponto de
operao
(simulao)
Erro absoluto
Erro Relativo
Vmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[V ]
26,3
26,3
0%
I mdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[ A]
7, 61
7, 61
0%
Pmdulo
T = 25 C
S =1000W / m2
[W ]
200,1
200,1
0, 0
0%
Vmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[V]
23, 2
23, 4
0, 2
0,9%
I mdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6, 06
0, 07
1,1%
Pmdulo
T = 47 C
S = 800W / m2
[W ]
142, 2
142, 0
0, 2
0, 2%
Vmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[V]
26, 2
26, 4
0, 2
0,8%
I mdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[ A]
6,13
6, 07
0, 06
0,9%
Pmdulo
T = 25 C
S = 800W / m2
[W ]
160, 6
160, 2
0, 4
0, 2%
132
Os resultados referentes ao erro relativo entre o ponto de operao e o MPP,

traduzem a eficincia de rastreamento, que novamente assemelham-se bastante aos
encontrados quando o conversor Buck foi testado atravs da mesma tcnica.
7.5 TESTES SOB BAIXA RADIAO

Neste item, ser abordado o funcionamento do conversor Boost sob baixa radiao,
mediante o emprego das trs tcnicas de rastreamento apresentadas. O objetivo principal
demonstrar via simulao, que quando a radiao tal que o ponto de mxima potncia no
se estabelece na regio de operao do conversor, o rastreamento torna-se prejudicado e o
ponto de operao passa a ser definido pela interseo das curvas de carga e gerao.
Neste mbito, a Figura 7-22 traz os resultados referentes a operao do conversor
Boost para as condies de radiao e temperatura estabelecidas, respectivamente em
S = 200W / m 2 e T = 25 C .
Figura 7-22: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico sob radiao de S = 200W / m 2 e
temperatura T = 25 C para o conversor Boost operando sob as trs tcnicas de rastreamento
estudadas.
133
Pela anlise da referida figura, percebe-se que independentemente da tcnica

utilizada, a tenso Vmdulo = 20, 2V e a corrente I mdulo = 1, 52 A de sada do mdulo jamais
conseguem se estabelecer no ponto de mxima potncia, que para as condies de radiao
e temperatura estipuladas, especificado por: Vmp = 25, 5V e I mp = 1, 44 A .
Esta condio ocorre devido ao fato de o ponto de mxima potncia estabelecer-se,
para as dadas condies, na regio proibida do conversor.
Um fator importante, que deve ser atentado, refere-se ao fato de o ponto de
operao encontrado nas simulaes, poder ser facilmente determinado pela leitura do
ponto de interseco da curva de carga (para D = 0 ) com a de gerao (para S = 200W / m 2
e T = 25 C ), na Figura 7-15.
7.6 RESULTADOS EXPERIMENTAIS

Os resultados experimentais, que sero apresentados a seguir, foram obtidos atravs
de ensaios prticos, mediante o emprego de um prottipo especialmente desenvolvido e
representado na Figura 7-23.
Figura 7-23: Prottipo do conversor Boost.
Os primeiros testes foram realizados com a leitura simultnea da radiao e

temperatura na superfcie do mdulo (atravs do mini-KLA), alm dos valores da tenso
Vmdulo e corrente I mdulo de sada do mdulo fotovoltaico, disponibilizados no LCD.
134
7.6.1 MTODO TESTADO: TENSO CONSTANTE

Os resultados das medies (denotados por Vmed , I med e Pmed ) so apresentados na
Figura 7-24 e foram traados simultaneamente com os resultados alcanados atravs de
simulao ( Vsim , I sim e Psim ) e no MPP ( Vmp , I mp , Vmp ). Salienta-se, ainda, que os erros
relativos entre os respectivos valores da tenso, corrente e potncia de sada em relao aos
de mxima potncia, so denotados por E (V ) , E ( I ) e E ( P ) .
Figura 7-24: Grficos comparativos entre resultados experimentais, de simulao e no ponto de

mxima potncia.
Os resultados experimentais obtidos so muito prximos aos encontrados com a

simulao do sistema, para as condies de radiao e temperatura estabelecidas. Nota-se
que, em todos os casos, os valores medidos, seja para tenso, corrente ou potncia, no
concordam com os de mxima potncia. Este fato ocorre devido temperatura de operao
ao qual o ensaio foi realizado estar bem acima da temperatura de referncia.
135
Para finalizar a anlise do mtodo da Tenso Constante, so retratados, na Figura

7-25 os resultados adquiridos via osciloscpio, trazendo informaes referentes tenso e
corrente de sada do mdulo fotovoltaico para as condies de S = 990W / m 2 e T = 53 C .
Figura 7-25: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com emprego da tcnica da
Tenso Constante para S = 990W / m 2 e T = 53 C
De acordo com a Figura 7-25, os nveis de tenso, corrente e potncia estabelecemse
aproximadamente
Pmdulo = 132W .
nos
seguintes
patamares:
Vmdulo = 26 , 3V ,
I mdulo = 5 A
Resultados de simulao mostram que, para as dadas condies de
temperatura e radiao, a mxima potncia gerada seria Pmp = 171, 5W , ou seja, o
grampeamento da tenso impe uma potncia cerca de 30% inferior mxima possvel.
7.6.2 MTODO TESTADO: P&O

A anlise dos resultados experimentais com o emprego da tcnica P&O ser feita de
forma anloga contemplada no item anterior. As curvas experimentais, traadas
concomitantemente s obtidas via simulao, fornecem os resultados ilustrados na Figura
7-26.
136
A anlise dos resultados comprova a ocorrncia do rastreamento. Verifica-se a

proximidade muito grande entre resultados de simulao e experimentais, de modo que o
maior erro associado potncia de sada foi inferior a 4%.
Novamente, sob radiao S = 930W / m 2 e temperatura T = 37 C adquiriu-se a
forma de onda ilustrada na Figura 7-27, que retrata a tenso, corrente e potncia de sada
do
mdulo
fotovoltaico,
estabelecidas
nos
seguintes
patamares:
Vmdulo = 25V ,
I mdulo = 6 , 8 A e, portanto, Pmdulo = 170W . Resultados de simulao comprovam estes

dados, j que a potncia no MPP fica estabelecida no patamar de Pmp = 172W . Deste modo,
para as dadas condies de radiao e temperatura, o emprego da tcnica Perturba e
Observa permitiu que o rastreamento fosse realizado com aproximadamente 1% na potncia
gerada.
137
Figura 7-27: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego da tcnica P&O,
sob temperatura T = 37 C e radiao S = 930W / m 2 .
7.6.3 MTODO TESTADO: CONDINC

Para a apresentao dos resultados experimentais referentes ao conversor Boost
operando a partir da tcnica CondInc, introduz-se a Figura 7-28.
138
Perante a anlise da Figura 7-28, nota-se que o rastreamento foi realizado com
preciso em relao aos valores tericos de mxima potncia, estabelecidos via simulao,
visto que os pontos de operao e no MPP so praticamente coincidentes e, o erro mximo,
associado potncia, ficou estabelecido abaixo de 4%.
Finalmente, sob S = 991W / m 2 e T = 44 C , adquiriu-se a forma de onda ilustrada
na Figura 7-29, que retrata a tenso e a corrente de sada do mdulo fotovoltaico.
Figura 7-29: Tenso e corrente de sada do mdulo fotovoltaico com o emprego do conversor
Boost operando sob a tcnica CondInc.
Os patamares de Vmdulo = 23, 8V , I mdulo = 7 , 6 A e Pmdulo = 181W , conformam-se

com os valores alcanados via simulao, em que se obteve Pmp = 178, 7W , acarretando,
desta forma, um erro de rastreamento, da ordem de 1,3%.
7.7 CONCLUSO
Neste captulo, abordou-se o conversor Boost aplicado ao rastreamento de mxima
potncia de mdulos fotovoltaicos, de modo que importantes concluses puderam ser
retiradas.
Em primeiro lugar, verificou-se, atravs dos ensaios em malha aberta, que a
estrutura de potncia adequou-se perfeitamente finalidade proposta, visto a boa
conformidade entre os resultados experimentais obtidos e os de simulao.
Quanto aplicao do conversor ao rastreamento, os resultados tambm foram
positivos: sob a tcnica da Tenso Constante, notou-se certa discrepncia entre o ponto de
139
operao e o tido como de mxima potncia; contudo, este aparente erro estava previsto em
teoria, uma vez que a temperatura de operao do mdulo, quando os testes foram
realizados, apresentava-se muito acima daquela tomada como referncia para determinao
da tenso de grampeamento.
Um ponto importante a ser mencionado o fato de que o prvio conhecimento das
caractersticas solarimtricas da regio onde os mdulos sero instalados permitiria um
ajuste adequado da tenso de grampeamento, levando em conta a provvel temperatura de
operao, e no mais a temperatura de referncia, como tradicionalmente feito.
Outra opo, um pouco mais engenhosa, consiste na medio da temperatura,
atravs de um termopar, por exemplo, de modo a se compensar a tenso de grampeamento
para cada valor especfico de temperatura.
Referindo-se ao emprego da tcnica P&O, novamente houve o casamento entre os
resultados de simulao e os experimentais, fato este evidenciado nos baixos erros relativos
entre ambas as grandezas. Cabe salientar que, conforme havia sido inmeras vezes
mencionado, a tcnica Perturba e Observa causa as inconvenientes oscilaes da tenso e
corrente de sada do mdulo fotovoltaico.
Quando a tcnica da Condutncia Incremental foi aplicada, verificou-se que o
rastreamento tambm se sucedeu adequadamente, entretanto, neste caso, as oscilaes, sob
radiao e temperatura constantes, so inexistentes.
Ainda, importante mencionar o fato de que, do ponto de vista esttico, conforme
pde ser verificado nas tabelas que trouxeram os erros relativos entre o ponto rastreado e de
mxima potncia, os mtodos P&O e CondInc so muito similares. A diferena entre elas
mostra-se nos quesitos velocidade de rastreamento e oscilaes em regime permanente.
Ainda, importante citar a limitao do conversor Boost, que torna-se incapaz de
buscar o ponto de mxima potncia sob baixas radiaes, conforme havia sido previsto pela
teoria previamente apresentada e comprovada, durante as simulaes.
Nota-se ainda, que como os limites do ngulo que determina a regio de operao
do conversor Boost depende da resistncia de carga conectada ao mesmo, a simples
mudana da carga pode levar a situaes em que o MPP no ser encontrado, mesmo sob
radiaes elevadas.
140
8 CONCLUSO GERAL
O objetivo principal deste trabalho foi apresentar um sistema para rastreamento de
mxima potncia de mdulos solares fotovoltaicos, de maneira que estes dispositivos
viessem a atuar sempre com mxima eficincia, independentemente da radiao,
temperatura e carga conectada em seus terminais.
O trabalho teve incio, no primeiro captulo, com a breve apresentao de uma
reviso histrica, abrangendo a evoluo dos materiais que constituem as clulas
fotovoltaicas, as eficincias de converso, os custos associados e o aumento da produo,
desde as primeiras pesquisas at os dias atuais.
O estudo dos mdulos fotovoltaicos, propriamente ditos, iniciou-se pela abordagem
de alguns conceitos fundamentais para que pudessem ser modelados, no segundo captulo.
Alm do princpio fotovoltaico, que serviu de pilar para a obteno dos circuitos eltricos
equivalentes e do modelo do mdulo fotovoltaico destinado simulao, foram estudados
os conceitos de radiao, temperatura e massa de ar, ficando estabelecido que variaes de
radiao alteram significativamente a corrente de sada, enquanto variaes de temperatura
se fazem sentir na tenso de sada do mdulo fotovoltaico. Ainda, foram abordadas as
condies padres de teste (STC), que se referem ao conjunto de condies definidas pelos
fabricantes para realizao dos ensaios que permitem a caracterizao dos parmetros
eltricos de um mdulo fotovoltaico e, finalmente, fez-se a distino entre clula, mdulo e
arranjo fotovoltaicos.
O terceiro captulo foi iniciado pela obteno do circuito eltrico equivalente da
clula fotovoltaica e, aps o estudo e simplificaes para associ-las em srie e paralelo, a
teoria foi expandida para obteno dos circuitos eltricos equivalentes dos mdulos e
arranjos fotovoltaicos. Mediante as anlises realizadas, percebeu-se que os circuitos
eltricos encontrados somente so vlidos se todos os elementos associados (sejam clulas
ou mdulos) forem idnticos; em outras palavras, os circuitos eltricos equivalentes
encontrados representam os dispositivos reais associados somente se estes dispuserem das
142
mesmas especificaes eltricas.

Uma vez estabelecido o circuito eltrico equivalente do mdulo fotovoltaico, partiuse modelagem matemtica do mesmo, contemplada ainda no terceiro captulo. Este
procedimento permitiu o desenvolvimento de uma expresso condizente corrente de sada
do mdulo fotovoltaico em funo da tenso disponvel em seus terminais, tendo como
parmetros, alm das informaes contidas nos catlogos do fabricante do mdulo
modelado, as grandezas radiao e temperatura. A comparao das curvas tericas I V
com as obtidas experimentalmente validou o modelo proposto, visto a quase superposio
dos resultados.
Para a aplicao em simulaes onde o mdulo est interligado a circuitos
eletrnicos, elaborou-se uma verso do modelo, atravs de diagrama de blocos, destinada
ao programa PSIM. Este fato culminou na primeira contribuio do trabalho, j que at
ento,
os
modelos
de mdulos
fotovoltaicos
utilizados
em
simulaes
eram
demasiadamente simplificados e, sequer, permitiam analisar as influncias da radiao e

temperatura em grandezas como tenso e corrente.
No quarto captulo, deu-se incio ao estudo dos conversores CC-CC aplicados ao
rastreamento de mxima potncia e aos algoritmos empregados para controlar tais
conversores. Foi desenvolvido todo estudo terico que permitiu levantar as caractersticas
dos conversores CC-CC Buck, Boost, Buck-Boost, Ck, Sepic e Zeta, como rastreadores de
mxima potncia, em que foram definidas duas regies: a primeira, denominada regio de
operao e, a segunda, regio proibida. Estudos direcionados ao conversor Buck mostraram
que a regio de operao do mesmo enquadra-se no intervalo 0 < Rei (D) < atan(1 / Rcarga )
enquanto,
para
conversor
Boost,
situao
complementar,
ou
seja,
atan(1 / Rcarga ) < Rei (D) < 90 . Resultados de simulao mostraram que quando o ponto de
mxima potncia no se enquadra nos referidos intervalos, o rastreamento no ocorre; deste
modo, a determinao da regio de operao pode ser tomada como critrio para determinar
o melhor conversor a ser utilizado, em virtude do deslocamento do ponto de mxima
potncia com as mudanas climticas.
Outros aspectos importantes abordados no quarto captulo condizem s tcnicas de
rastreamento. Aps terem sido levantadas as principais, as trs julgadas mais importantes
foram selecionadas: tcnica da Tenso Constante, tcnica Perturba e Observa e tcnica da
143
Condutncia Incremental. O estudo aprofundado de cada uma delas, visando estabelecer

vantagens e desvantagens de uma em relao s outras, conduziu a algumas concluses
importantes: o mtodo da Tenso Constante, que grampeia a tenso de sada do mdulo
fotovoltaico, mostrou-se adequado somente quando a temperatura de operao do mdulo
fotovoltaico no se altera muito em relao temperatura para qual a tenso de
grampeamento foi escolhida.
No caso especfico estudado, a tenso de grampeamento foi arbitrada na
temperatura de referncia T ref = 25 C ; contudo, como nas realizaes experimentais a
temperatura de operao foi muito superior, estabelecendo-se entre 35 < T < 60 , o erro de
rastreamento foi acentuado. Como sugestes para melhorar o mtodo da Tenso Constante,
propem-se a realizao do grampeamento da tenso, para garantir a mxima transferncia
de potncia, sob temperaturas mais elevadas ou medir, atravs de termopares, a temperatura
de superfcie do mdulo e compensar a tenso de grampeamento para cada valor diferente
de temperatura.
Quando a tcnica Perturba e Observa foi empregada, verificou-se uma razovel
melhora na busca pelo ponto de mxima potncia, principalmente sob temperaturas
elevadas, em relao tcnica da Tenso Constante. Contudo, no obstante, este mtodo
causou oscilaes em regime permanente na tenso e corrente de sada do mdulo,
mostrando-se extremamente sensvel s variaes de radiao, chegando, algumas vezes, a
perder-se durante o rastreamento.
A concluso que pode ser tirada da comparao entre o mtodo da Tenso
Constante e Perturba e Observa a seguinte: quando a temperatura elevada e a radiao
estvel (sem nuvens) a tcnica Perturba e Observa torna-se mais eficiente, rastreando o
ponto de mxima potncia e permanecendo nele. Quando a temperatura baixa, prxima da
de referncia, independentemente dos nveis de radiao, a tcnica da tenso constante
mostra-se mais eficiente e, por fim, quando a temperatura elevada e a radiao oscilante,
ambos os mtodos so imprecisos, fixando-se longe do ponto de mxima potncia (Tenso
Constante) ou se perdendo na busca por este ponto (Perturba e Observa).
O mtodo da Condutncia Incremental mostrou-se o mais eficiente para as
aplicaes necessrias. Independentemente das condies de radiao e temperatura, a
tcnica permitiu o rastreamento com sucesso, estabelecendo o ponto de mxima potncia,
ou buscando-o com rapidez, quando variaes de radiao ocorriam.
144
Por fim, no quinto, sexto e stimo captulos, atentou-se ao desenvolvimento de

todos os circuitos auxiliares e de potncia para construo de um prottipo. Foram
realizados ensaios em malha aberta para os conversores Buck e Boost e, na seqncia,
foram realizados testes com ambos os conversores operando na busca pelo ponto de
mxima potncia.
Um detalhe importante refere-se observao da m operao do conversor Boost
sob baixas radiaes, visto a alocao do ponto de mxima potncia fora de sua regio de
operao. Sob qualquer outra circunstncia, os resultados obtidos por simulaes e
ratificados na prtica foram muito semelhantes, de forma a concluir-se que: se as condies
de radiao, temperatura e carga garantem a atuao do conversor CC-CC dentro da regio
de operao, o rastreamento de mxima potncia ocorre de maneira muito similar para os
conversores Buck e Boost.
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[33] PETRONE, G. et al. Reliability Issues in Photovoltaic Power Processing Systems. IEEE
147
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[34] SAADI, A.; MOUSSI A. Neural Network Use in the MPPT of Photovoltaic Pumping System.
Institut of Electrotechnics, University of Mohamed Kheider Biskra, Algeria, 2003.
[35] TARIQ, A.; ASGHAR, J. M. S. Development of an Analog Maximum Power Point Tracker for
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[36] SHORNARDIE, M. F et al. Photovoltaic System Interconnected to the Grid with Active and
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2008.
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[38] CORRA, T. P. Desenvolvimento de um Sistema de Bombeamento Fotovoltaico com
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[39] ERICKSON, R. W. Fundamentals of Power Eletronics.University of Colorado Boulder, Co.
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[42] BARBI, I. Eletrnica de Potncia. Projetos de Fontes Chaveadas.
Florianpolis, 2001.
Edio do autor,
[43] MARTINS, D. Eletrnica de Potncia. Semicondutores de Potncia Controlados, Conversores

CC-CC Isolados e Conversores CC-CC a Tiristor (Comutao Forada). Edio do autor,
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[44] MARTIGNONI, A. Transformadores. Editora Globo. Porto Alegre, 1977.
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Conditions. IEEE Transactions On Industrial eletronics, Vol. 55. N 7, 2008.
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Edificaes Urbanas e Interligada Rede Eltrica Pblica no Brasil. Editora da UFSC,
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[48] Instituto nacional de Mateorologia (INMET), Laboratrio de Energia Solar

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derivada de satlite e validade na superfcie. Braslia DF, Brasil, 1998.
[49] GREEN, A. M. Sollar Cells. Operating Principles, Technology, and System
Applications. Prentice Hall, 1981.
148
APNDICE A DIAGRAMA DE BLOCOS DO MODELO DO MDULO

FOTOVOLTAICO
O presente Apndice retrata os modelos desenvolvidos para o mdulo fotovoltaico
disponveis para o Aplicativo SIMULINK e para o programa PSIM. Sero apresentados

todos os blocos construtivos para que possam ser reproduzidos facilmente a partir deste
documento.
I.I
MODELO DESENVOLVIDO PARA O APLICATIVO SIMULINK

O modelo desenvolvido no SIMULINK permite a obteno da caracterstica I V e
P V do mdulo ou arranjo fotovoltaico sob qualquer condio de radiao e temperatura
150
151
I.II MODELO DESENVOLVIDO PARA O PROGRAMA PSIM

O modelo desenvolvido para o programa PSIM permite que o mdulo ou arranjo
fotovoltaico seja simulado juntamente com outros circuitos eletrnicos.
152
153
154
II
APNDICE B CDIGO FONTE: MTODO DA TENSO CONSTANTE
156
III APNDICE C CDIGO FONTE: MTODO PERTURBA E OBSERVA
158
IV APNDICE D CDIGO FONTE: MTODO CONDUTNCIA

INCREMENTAL
160
V APNDICE E FONTE AUXILIAR

Para alimentar os circuitos auxiliares, incluindo sensores e microcontrolador, foi
utilizada uma fonte linear. Em virtude este circuito ser amplamente conhecido, no se faz
necessrio detalh-lo. A fonte foi projetada prevendo duas sadas de 5V para alimentao
independente do sensor de corrente e do microcontrolador PIC e sada de 15V para
alimentao dos amplificadores operacionais responsveis pelo condicionamento dos sinais
de tenso e corrente e do circuito de comando. O transformador de baixa freqncia foi
projeto de acordo com [44]. As especificaes da fonte so apresentadas a seguir:
15V / 500mA
5V / 200mA
5V / 200mA
O esquemtico da fonte linear apresentado na seqncia:
162
VI APNDICE F PROJETO FSICO DOS INDUTORES DE ENTRADA E SADA

DO CONVERSOR BUCK
Especificaes de Projeto:
Caracterscas de um painel Solar KC200GT (Kyocera)
Icc := 8.21 A
Vca := 32.9 V
Corrente no MPP
Impp := 7.61 A
Tenso no MPP
Vmpp := 26.3 V
Potncia no MPP
Pmpp := Vmpp Impp

Pmpp = 200.143W
PROJETO DO CONVERSOR BUCK

Vi := Vmpp
Vi = 26.3V
Vo := 12V
Vo = 12V
Pin := Pmpp
Pin = 0.2kW
:= 0.95
Pout := Pin
Io :=
Pout
Pout = 0.19kW
Io = 15.845 A
Vo
Ii := Impp
Ii = 7.61 A
3
fs := 40 10 Hz
Per :=
1
fs
Per = 25s
Ondulao da tenso de sada:
Vo% := 1
Ondulao da corrente no indutor de sada:
ILo% := 10
Ondulao da tenso de capacitor de entrada:
VCE% := 10
Ondulao da corrente no indutor de entrada:
ILE% := 10
Clculos Preliminares:
D :=
Vo
Vi
Po := Vo Io
Ro :=
Vo
Io
D = 0.456
Po = 0.19kW
Ro = 0.757
164
Vo :=
Vo% Vo
100
VCE% Vi
VCE :=
ILo :=
100
ILo% Io
100
ILo
ILOM := Io +
2
ILo
ILOm := Io
ILE :=
ILE% Ii
100
ILE
ILEM := Ii +
2
ILE
ILEm := Ii
Vo = 0.12V
VCE = 2.63V
ILo = 1.584 A
ILOM = 16.637A
ILOm = 15.052A
ILE = 0.761 A
ILEM = 7.991 A
ILEm = 7.229 A
Dimensionamento do Indutor Filtro de Entrada (LE):

RSEmax :=
CE :=
VCE
RSEmax = 3.456
ILE
Io
CE = 37.654 10
4 fs VCE
Io
LE :=
31 fs CE ILE
LE = 11.148 10
- Especificaes de Projeto do Indutor:

Kw := 0.7
Fator de ocupao
A
J := 500
Densidade de corrente
2
cm
Bmax := 0.37T
Induo magntica mxima
7 H
o := 4 10
Permeabilidade Magntica
do ar
- Dimensionamento do Ncleo:
Considerando a ondulao de corrente no indutor suficientemente pequena, Tem-se:
ILEef := Ii
AeAw :=
ILEef = 7.61 A
LE ILEM ILEef
Bmax Kw J
AeAw = 0.052cm
165
Adotou-se o ncleo THORNTON EE-20 com os seguintes parmetros:

2
A e := 31.2 mm
2
A w := 26 mm
A e A w = 0.081cm
4
Kh := 4 10
Coeficiente de perdas por

histerese;
10 2
Kf := 4 10

correntes parasitas;
lme := 38 mm
Comprimento mdio de
uma espira;
Ve := 1.34 cm
Volume do ncleo;
- Nmero de Espiras:
LE ILEM
Bmax A e
N := ceil
N = 8 espiras
- Dimensionamento do Entreferro:
2
:=
lg :=
N o A e
= 0.225079mm
LE
lg = 0.1125395mm
2
- Dimensionamento do Fio Condutor:
S :=
:=
ILEef
S = 1.522mm
J
7.5
cm
fs
= 0.0375cm
Max. Penetrao
d max := 2
d max = 0.075cm
Adotou-se o fio AWG 21, com as seguintes especificaes:

2
Sfio := 0.004105cm
Seo do fio
2
Sfio_isolado := 0.005004cm
Rfio := 0.000561
n cond := ceil
cm
Sfio
Seo do fio+isolamento
Resistividade (100C) em
cm do fio escolhido
n cond = 4
166
- Possibilidade de Execuo:
Awmin :=
Awmin
Aw
N n cond Sfio_isolado
Aw min = 0.229cm
Kw
= 0.88
Possibilidade de execuo<1 ! Ok. O projeto pode ser executado!

- Comprimento do chicote:
Lchicote := lme N
Lchicote = 0.304 m
Clculo Trmico:
- Resistncia de conduo:
Rcobre :=
Rfio Lchicote
Rcobre = 4.264 10
n cond
- Perdas Joule:
2
Pcobre := Rcobre ILEef
Pcobre = 0.247W
- Perdas magticas:
B := 0.1
Bmax
T
Kh fs + Kf fs
2.4
Pnucleo := B
Ve
1W
3
Pnucleo = 8.165 10
1 cm
- Perdas totais:
Ptotais := Pcobre + Pnucleo
Ptotais = 0.255W
- Resistncia Termica do Nucleo:
A e A w
Rtnucleo := 23
4
cm
0.37
Rtnucleo = 58.257
- Elevao de Temperatura:
T := ( Pcobre + Pnucleo) Rtnucleo
K
W
T = 14.86 K
Dimensionamento do Indutor Filtro de Sada (LO):

Lo :=
Vi
4 fs ILo
Lo = 0.104mH
167
- Especificaes de Projeto do Indutor:

Kw := 0.7
A
J := 550
cm
Bmax := 0.37T
7 H
o := 4 10
- Dimensionamento do Ncleo:
Considerando a ondulao de corrente no indutor suficientemente pequena, tem-se:
ILOef := Io
ILOef = 15.845A
Lo ILOM ILOef
AeAw :=
Bmax Kw J
AeAw = 1.92cm
Adotou-se o ncleo THORNTON EE-42/15 com os seguintes parmetros:

2
A e := 181 mm
A w := 157 mm
A e A w = 2.842cm
4
Kh := 4 10

histerese;
10 2
Kf := 4 10

correntes parasitas
Comprimento mdio de uma
espira;
Volume do ncleo;
lme := 87 mm
3
Ve := 17.1 cm
- Nmero de Espiras:
Lo ILOM
Bmax A e
N := ceil
N = 26 espiras
- Dimensionamento do Entreferro:
2
:=
lg :=
N o A e
= 1.4821158mm
Lo
lg = 0.7410579mm
- Dimensionamento do Fio Condutor:

S :=
:=
ILOef
S = 2.8808462mm
J
7.5
fs
cm
Max. Penetrao
= 0.0375cm
168
d max := 2
d max = 0.75mm
Adotou-se fio AWG 21, com ase seguintes especificaes:

2
Sfio := 0.0041405cm
Seo do fio
2
Sfio_isolado := 0.005004cm
Rfio := 0.000561
n cond := ceil
Seo do fio+isolamento
Resistividade (100C) em
cm do fio escolhido
cm
n cond = 7
Sfio
- Possibilidade de Execuo:
Awmin :=
Awmin
Aw
N n cond Sfio_isolado
Awmin = 1.301cm
Kw
= 0.829
<1 ! Ok o projeto pode ser executado!

- Comprimento do chicote:
Lchicote := lme N
Lchicote = 2.262 m
Calculo Trmico:
- Resistncia de conduo:
Rcobre :=
Rfio Lchicote
Rcobre = 0.018
n cond
- Perdas Joule:
2
Pcobre := Rcobre ILOef
Pcobre = 4.551W
- Perdas magticas:
B := 0.1
Bmax
T
2.4
Pnucleo := B
Kh fs + Kf fs
Ve
1W
3
Pnucleo = 0.104W
1 cm
- Perdas totais:
Ptotais := Pcobre + Pnucleo
Ptotais = 4.655W
169
- Resistncia Termica do Nucleo:
A e A w
4
cm
Rtnucleo := 23
0.37
Rtnucleo = 15.628
- Elevao de Temperatura:
T := ( Pcobre + Pnucleo) Rtnucleo
K
W
T = 72.754K
VII APNDICE G ESQUEMTICO ELTRICO COMPLETO E LISTA DOS

COMPONENTES EMPREGADOS
Resistores
Valor
R1
RC
27k 5% 1 W
2
1
390k 5% W
2
1k 5% 1 W
2
39k 5% 1 W
2
1
330k 5% W
2
560k 5% 1 W
2
1
100k 5% W
2
1
22k 5% W
2
390 5% 2W
Rg
12 10% - 1W
Rx
10k 10% - 1 W
2
R2
R3
R4
Rf
Rdiv _1
Rdiv _ 2
RB
Descrio
-
172
RO _ Buck
0, 8 10% - 500W
RO _ Boost
12, 35 10% - 480W
Potencimetro
Valor
Pot1
50k
Pot2
10k
Capacitor
Valor
C1
C2
100nF / 50V
10 F / 10V
C3
15 pF / 63V
C4
15 pF / 63V
Calim
100nF / 63V
Cf
470nF / 63V
Cbar
680 F / 50V
CE _ Buck
870 F / 250V
CO _ Boost
930 F / 250V
Indutor
Valor
LE _ Buck
11, 15 H
LE _ Boost
1, 15mH
LO _ Buck
7 , 12 H
Transistor/Mosfet
Representao
T1
2N 2222
T2
2N 2222
T3
2N 2907
S1
IRFP064N
S2
IRFP064N
Diodos
Representao
D1
MUR1510
D2
MUR1510
DZ
5V 1
Outros
Valor
OSC
20MHz
Resistor de fio
Resistor de fio
Descrio
Potencimetro multivoltas
de preciso
Potencimetro multivoltas
de preciso
Descrio
Capacitor multicamadas
Capacitor eletroltico
Capacitor cermico
Capacitor cermico
Capacitor multicamadas
Capacitor cermico
Descrio
Descrio
Transistor npn
Transistor npn
Transistor pnp
Interruptor Esttico
Interruptor Esttico
Descrio
Diodo ultra-rpido
Diodo ultra-rpido
Diodo Zener
Descrio
Cristal oscilador
VIII APNDICE H PROJETO FSICO DO INDUTOR DE ENTRADA DO

CONVERSOR BOOST
Caracterscas de um painel Solar KC200GT (Kyocera)
Corrente no MPP
Tenso no MPP
Potncia no MPP
Icc := 8.21 A
Vca := 32.9 V
Imp := 7.61 A
Vmp := 26.3 V
Pmp := Vmp Imp
Pmp = 200.143W
PROJETO DO CONVERSOR BOOST

Vi := Vmp
Vi = 26.3V
Vo := 50V
Vo = 50V
Pin := Pmp
Pin = 0.2kW
:= 0.95
Pout := Pin
Io :=
Pout
Pout = 0.19kW
Io = 3.803 A
Vo
Ii := Imp
Ii = 7.61 A
3
fs := 40 10 Hz
Per :=
Per = 25s
fs
Ondulao da corrente de entrada:
IL% := 5
Ondulao de tenso na sada:
VCo% := 1
Clculos Preliminares:
Vi
D := 1
Ro :=
IL :=
Vo
Vo
D = 0.474
Ro = 13.148
Io
IL% Ii
100
IM := Ii +
IL
2
IL = 0.381 A
IM = 7.8 A
174
Imin := Ii
Vco :=
IL
Imin = 7.42 A
VCo% Vo
Vco = 0.5V
100
Indutncia considerando ondulao na corrente de entrada:

L :=
Vi D
L = 0.819mH
fs IL
Dimensionamento do capacitor de Sada:

Io ( Vo Vi)
Co :=
Co = 90.124F
fs Vco Vo
Clculo do Indutor Toroidal de Entrada (LE)

Projeto do Indutor Toroidal
LI2 := L Ii
LI2 = 47.434mH A
Do grfico encontrado no manual da MAGNETICS (pag. 2-4) encontra-se a permeabilidade e o

ncleo a ser utilizado. Nesse caso tem-se:
77439 Kool M
Ncleo
Permeabilidade 60
L1000 := ( 135 135 0.08)mH
Ne :=
L1000 = 124.2mH
L 106
2 L1000
Ne = 57.423
N de espiras
Clculo do "bias" em oersteds

le := 10.74cm
0.4 Ne Ii
H :=
cm
A
le
H = 51.13
oersteds
Pelo grfico da pag. 3-16, a permeabilidade inicial em pu equivale a:

pu := 86%
Sendo assim, o nmero de voltas tem que ser reajustado
Ne :=
Ne
Ne = 66.771 N de espiras
pu
Clculo de comprovao de reajuste do nmero de espiras

0.4 Ne Ii
Hre :=
le
cm
A
Hre = 59.453
Oersted
175
Pelo grfico da pag. 3-16, a permeabilidade inicial em pu equivale a:

pure := 85%
L1000re := L1000 pure
L1000re = 105.57mH
Lre :=
2L1000re Ne
Lre = 0.941mH
10
Valores bastante aproximados
L = 819.067H
Bitola do fio a ser utilizado

3
fs := 40 10 Hz
x := 1.4017
Ii := 7.61 A
3
y := 2.3294
Cm := 7.929210
para o material IP12 a 80 graus Clcius
Otimizao da perdas:
6
20C := 1.708 10
c :=
0.00393
1
cm
resistividade do cobre a 20C
coeficiente de temperatura do cobre
Te := 100
Temperatura do enrolamento
6
:= 20C 1 + c ( Te 20)
= 2.245 10
o := 4 10
Profundidade de penetrao ( efeito skin ):

:= 3.141592654
ro := 1
P :=
Permeabilidade relativa do material no ferro-magntico
100
P = 0.038 cm
o fs
de raio
2 P = 0.07541cm de diametro
AWG := for r 50.. 1

r
r if 2 P
2.54
10
20
AWG = 21
Dimetro do fio sem isolamento em centmetros quadrados
AWG
Dx :=
2.54
10
20
Dx = 0.07206
176
Seco do fio sem isolamento em centmetros quadrados

Sfio :=
Dx
Sfio = 0.004078
Dimetro do fio com isolamento em centmetros

Dx_iso := Dx + 0.028 Dx
Dx_iso = 0.07957
Seco do fio com isolamento em centmetros quadrados
Sfio_iso :=
Dx_iso
Sfio_iso = 4.973 10
FIO ESCOLHIDO AWG = 21

AWG
2.54
20
10
Kw( AWG) :=
4 2 3
AWG
AWG
2.54
2.54
20
20
10
+ 0.028
10
Kw( AWG) = 0.584

Kw := Kw( AWG)
Bmax:= 0.3
Jmax := 550
7
o := 4 10
mW
PVnucleo := 40
para o material IP12 a 80C
cm
1
PVnucleo
BacLo :=
Cm ( 2 fs)x
BccLo := Bmax
:=
Ii
Jmax
fios :=
BacLo = 0.044
BacLo
BccLo = 0.278
2
= 0.01384
Sfio
fios = 3.393
fios := ceil( fios )
fios = 4

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ROBERTO FRANCISCO COELHO

ESTUDO DOS CONVERSORES BUCK E BOOST APLICADOS

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

INSTITUTO DE ELETRNICA DE POTNCIA

ESTUDO DOS CONVERSORES BUCK E BOOST APLICADOS

Dissertao submetida Universidade

ROBERTO FRANCISCO COELHO

ESTUDO DOS CONVERSORES BUCK E BOOST APLICADOS AO

A meu pai e minha me.

dispostos a discutir e, em especial, a Andr L. Citadin, que contribuiu significativamente

A busca do aperfeioamento exige zelo

ESTUDO DOS CONVERSORES BUCK E BOOST APLICADOS

RESUMO: Neste trabalho estudado um sistema rastreador de mxima potncia, aplicado

Abstract of Dissertation presented to UFSC as a partial fulfillment of the requirements for

STUDY OF THE BUCK AND BOOST CONVERTERS

Advisor: Prof. Denizar Cruz Martins, Dr.

ABSTRACT: A maximum power point tracker system, applied to photovoltaic modules,

2 Alguns Conceitos Imprescindveis Modelagem dos Mdulos e Arranjos Fotovoltaicos .......................... 13

3 Modelagem dos Mdulos e Arranjos Fotovoltaicos .................................................................................... 25

4.3.3 Mtodo 3: Condutncia Incremental (CondInc.) ....................................................................... 69

7 Conversor Boost Aplicado ao Rastreamento de Mxima Potncia ........................................................... 117

Introduo .......................................................................................................................................... 117

8 Concluso Geral ........................................................................................................................................ 141

Apndice A Diagrama de Blocos Do Modelo do Mdulo Fotovoltaico........................................... 149

Figura 6-13: Tenso de sada ( I carga ): simulao (esquerda) e experimental (direita).................................. 97

Coeficiente de idealidade de um diodo

Capacitor do filtro de entrada

Capacitor do filtro de sada

Razo cclica da iterao anterior

Diodo que modela juno pn em uma clula fotovoltaica

Razo cclica mxima

Razo cclica mnima

Diodo do conversor Buck

Diodo do conversor Boost

Campo Eltrico na juno pn

Energia de banda proibida do semicondutor

Erro entre o ponto de operao e o de mxima potncia referente

Erro entre o ponto de operao e o de mxima potncia referente

Freqncia de corte do filtro passa-baixas

Freqncia com que ocorre o rastreamento de mxima potncia

Ganho do sensor de corrente

Caracterstica esttica de tenso de um conversor CC-CC

Caracterstica esttica de corrente de um conversor CC-CC

Sinal de corrente condicionado

Corrente de sada de um arranjo fotovoltaico

Corrente de base de transistores T1, 2

Corrente que circula na carga de um conversor CC-CC

Corrente de curto circuito nas condies de referncia

Corrente de coletor de transistores T1, 2

Corrente eficaz no capacitor de entrada

Corrente eficaz mxima no capacitor de entrada

Corrente eficaz no capacitor de sada

Corrente eficaz mxima no capacitor de sada

Corrente de sada de uma clula fotovoltaica

Corrente mdia no diodo do conversor Buck

Corrente no diodo do conversor Boost

Corrente mdia no diodo do conversor Boost

Corrente que circula pelo diodo Dcel

Corrente que circula pelo diodo Dmdulo

Corrente direta mxima em um diodo (especificao do fabricante)

Corrente de comando do MOSFET

Valor de corrente medida

Corrente no ponto de mxima potncia