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RELATRIO DE ELETRNICA I
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RESENDE
2015
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EXPERINCIA 06
RESENDE
05 de Agosto de 2015
RESUMO
. Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e
desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em
1948, na Bell Telefone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um
dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja,
um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de transistor. Neste relatrio
falaremos sobre a influncia da temperatura nos parmetros do transistor. Poderia se pensar
que o problema de temperatura facilmente contornvel, bastando retirar o aparelho que
contenha semicondutores da regio que se tem uma temperatura diferente da sua temperatura
de operao. Porm no to fcil quanto parece, pois podemos usar como exemplo a Nasa
ao enviar um rob para o espao como ela controlaria a temperatura sobre o mesmo haja vista
que a temperatura da terra e do espao so diferentes, ou seja, todos os parmetros devem ser
testados ainda na fase de projeto para que no haja problemas quando o produto j estiver
sendo utilizado na atividade fim.
Palavras chaves: semicondutores, diodos, transistorres
SUMRIO
1. INTRODUO......................................................................................................................4
2. OBJETIVOS GERAIS............................................................................................................4
3. FUNDAMENTAO TERICA..........................................................................................4
3.1. PARMETROS DOS TRANSISTORES........................................................................4
4. MATERIAIS UTILIZADOS..................................................................................................5
5. METODOLOGIA RESULTADOS.........................................................................................6
5.1. VERIFICAO DA VARIAO DOS PARMETROS VBE E hFE DO TRANSISTOR
COM A TEMPERATURA......................................................................................................6
5.2. TRANSISTOR FUNCIONANDO COMO CHAVE........................................................9
5.3. TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE........................................................10
6. CONCLUSO......................................................................................................................12
REFERNCIAS........................................................................................................................12
1. INTRODUO
Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi crescendo e
desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais complexos, a base de diodos. Em
1948, na Bell Telefone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um
dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja,
um dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de transistor. O impacto do
transistor, na eletrnica, foi grande, j que a sua capacidade de amplificar sinais eltricos
permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e consumindo muito menos
energia, substitusse as vlvulas na maioria das aplicaes eletrnicas. O transistor contribuiu
para todas as invenes relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto eletrnicos e microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos eletrnicos projetados
hoje em dia usam componentes semicondutores.
Neste relatrio falaremos sobre a influncia da temperatura nos parmetros , Vbe e Ico
do transistor e tambm sobre sua utilizao como chave ou fonte de corrente.
2. OBJETIVOS GERAIS
3. FUNDAMENTAO TERICA
3.1. PARMETROS DOS TRANSISTORES
Poderia se pensar que o problema de temperatura facilmente contornvel, bastando
retirar o aparelho que contenha semicondutores da regio que se tem uma temperatura
diferente da sua temperatura de operao. vivel fazer isto, por exemplo, em uma
siderrgica. Um aparelho de medio de temperatura eletrnico pode ficar a dezenas de
metros de distncia de um alto-forno que opera a altas temperaturas somente recebendo os
sinais de um sensor, sem que a alta temperatura do alto-forno o afete. Mas h situaes que
isto se torna invivel. A NASA no tem como mandar um rob para Marte, onde a
temperatura mais baixa que na Terra, e deixar os semicondutores que fazem parte de seu
circuito eletrnico aqui na terra. Outro exemplo so robs que so usados em perfurao
submarina: a temperatura a quilmetros de distncia da superfcie muito baixa. Nestes dois
casos citados acima, a variao de temperatura deve ser levada em conta nos clculos do
projeto para que os dispositivos que contenham semicondutores funcionem normalmente. Os
dois exemplos citados acima so casos extremos, mas a influncia da temperatura no
comportamento dos semicondutores afeta o dia-a-dia das pessoas. Aparelhos eletrnicos
operam de forma tal que a mudana de milsimos de volts em um de seus milhares de
transistores muda completamente o funcionamento do mesmo. Desta forma, um celular
produzido para funcionar em um pas nrdico como a Finlndia no funcionar em pases
tropicais como o Brasil. Entre estes pases observa-se uma variao de temperatura mdia
30C o que ocasionaria uma variao de tenso de 60mV, uma variao de tenso desta
magnitude comprometeria gravemente o funcionamento do aparelho. Este fato faz com que as
empresas no apenas adaptem seus aparelhos ao clima em que o mesmo ser utilizado, como
tambm no caso de aparelhos de alta preciso produzam estes aparelhos na regio em que o
mesmo ser utilizado.
Para que esses problemas citados acima no venham acontecer em um projeto, deve-se
estudar o comportamento do componente em diversas faixas de temperatura e observar como
o mesmo se comporta definindo uma melhor regio de operao.
A estabilidade de um sistema e a medida da sensibilidade de um circuito a variao
dos seus parmetros. Em qualquer amplificador que empregue o transistor, a corrente de
coletor sensvel a cada um dos seguintes parmetros:
- aumenta com o aumento da temperatura.
- VBE diminui cerca de 7,5mV por grau Celsius (C) de aumento de temperatura.
- ICO (Corrente de saturao reserva): Dobra de valor para cada 10 C de aumento de
temperatura.
4. MATERIAIS UTILIZADOS
01 Fonte de alimentao;
Resistor de 1K;
Resistor de 470K;
Resistor de 10K;
Resistor de 220 ;
Resistor de 10 ;
01 LED,
Transistor BC548.
5. METODOLOGIA RESULTADOS
A experincia no laboratrio foi dividida em Etapas:
5.1. VERIFICAO DA VARIAO DOS PARMETROS VBE E hFE DO TRANSISTOR
COM A TEMPERATURA.
Esta etapa teve como objetivo de fazer uma observao qualitativa do efeito da
temperatura sobre alguns parmetros do transistor quando este est exposto a variaes de
temperatura.
Foi montado o circuito da figura 1 no protoboard.
Parmetros
VCE
VBE
VRI
ambiente (25C)
6,27 V
0,7 V
11,32V
aquecido
5,45 V
0,683V
11,30V
V ccV CE
R2
Equao 1 - Corrente de coletor.
V ccV CE 126,27
=
=5,73 mA .
R2
1000
V ccV CE 125,45
=
=6,55 mA .
R2
1000
Depois foi calculado a corrente de base IB, utilizando a seguinte equao de malha:
I B=
V cc V BE
R1
Equao 2 - Corrente de Base.
V ccV BE 120,7
=
=24,04 A .
R1
470 K
V ccV BE 120,683
=
=24,08 A .
R1
470 K
Sabendo que o hFE ou a razo entre a corrente de coletor e corrente de base. Assim:
h FE==
IC
IB
Equao 3 - hFE.
h FE
I C 5,73 mA
=
238,35.
I B 24,04 A
h FE==
I C 6,55 mA
=
272,01.
I B 24,08 A
V BE C
Equao 5 - Variao da Temperatura.
Utilizando a equao 5:
7,5 mV 1 C
(0,7 V 0,683V ) C
C=
17 mV C
=2,27 C
7,5 mV
Figura 2 - (a) Circuito com transistor como chave. (b) Posio das chaves na placa CEB-02.
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Chave aberta
VCE = 10,55V (corte)
VLED= -370,8 mV
Chave fechada
VCE = 38,1 mV (saturao)
VLED= 2,032V
IC =
12(V CE +V LED )
R2
Equao 6 - Corrente IC.
Chave aberta
Ic med = 0A
Pd = 0W
Chave fechada
Ic med = 11,05 mV
Pd = 0W
Sugeriu-se a
11
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de base omitida e ao terminal de base e conectada diretamente uma fonte de tenso. Para
ajustar a corrente de coletor e colocada uma resistncia no emissor. Esta resistncia amarra o
emissor a base com a queda de tenso VBE fixa, fixando o valor da corrente atravs da carga
colocada entre o terminal de coletor e a fonte de alimentao.
6. CONCLUSO
Ao final desses procedimentos conseguimos absorver diversas informaes de grande
importncia para o planejamento de um projeto no qual seja usado transistores, pois com os
experimentos conseguimos visualizar a influncia da temperatura sobre os principais
parmetros do transistor como seu , Vbe , Ico(Corrente de saturao reversa). Logo podemos
concluir que para um bom funcionamento do componente a fase de projeto essencial, pois
nela que planejaremos sob quais condies o componente ir operar.
REFERNCIAS