FIEC - ESPOL

Laboratorio de Electrnica A

PRCTICA # 6
ELEMENTOS DE DOS TERMINALES
OBJETIVOS.
Familiarizarse con las caractersticas y diversas aplicaciones de diodos y zners.
Utilizar el simulador PSPICE como soporte para anlisis de los resultados obtenidos en la prctica.

TEORA.
Un diodo semiconductor de estado slido es un componente electrnico fabricado a partir de un material base
semiconductor sobre el que se difunde una unin P-N, donde el terminal correspondiente a la zona P se
denomina nodo (A) y el correspondiente a la zona N, ctodo (K). En la figura adjunta queda reflejada la
constitucin de una unin P-N y el smbolo genrico utilizado para representar un diodo, as como la curva
caracterstica del mismo.

De manera terica, con algunas idealizaciones y aproximaciones, puede obtenerse que:

Donde:
I y V:
corriente y tensin por el diodo en sentido nodo-ctodo.
Is:
intensidad inversa de saturacin.
KT/q=0.026(T/300)Volts: potencial trmico(T viene dado en K).
Los diodos se fabrican de silicio, que es la ms utilizada, y de germanio, donde respectivamente la unin es de
aproximadamente 0.6 voltios en el silicio y de 0.3 voltios en el de germanio, adems el diodo puede hacer
funcionar de 2 maneras diferentes: polarizacin directa y polarizacin inversa.

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En la polarizacin directa, el diodo conduce, o bien la corriente circula en sentido directo, es decir del nodo A
al ctodo K, siguiendo la ruta de la flecha (la del diodo) y en este caso la corriente atraviesa al diodo con mucha
facilidad comportndose prcticamente como un cortocircuito.
En la polarizacin inversa, el diodo est bloqueado, o bien se aplica una tensin negativa en bornes del diodo
tendiendo a hacer pasar la corriente en sentido inverso, opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del ctodo
al nodo y en este caso la corriente no atraviesa el diodo
comportndose prcticamente como un circuito abierto.
Por otra parte, el diodo zner trabaja exclusivamente en la zona de
caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de
ruptura de su caracterstica inversa, donde esta tensin de ruptura
depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican
desde 2 a 200 voltios, en cambio polarizado en directa acta como
un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado.

PROCEDIMIENTO.
Los circuitos sujetadores son circuitos compuestos por diodos,
resistencias y condensadores, que permiten sostener una seal, a un valor diferente de cero, en cambio os
circuitos recortadores o limitadores de voltaje son circuitos compuestos por diodos y resistencias, como su
nombre lo indica, la funcin de impedir que un voltaje no sobrepase de cierto valor preestablecido, o en su
defecto, que a partir de cierto voltaje se permita alimentar a alguna carga.

Fig. 6.1. Circuito sujetador.

Fig. 6.2. Circuito recortador.

Fig. 6.3. Funcin de transferencia..

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PRCTICA # 6
ELEMENTOS DE DOS TERMINALES
DATOS TERICOS.
NOMBRE..............................................................
PARALELO.................
A. Calcule los valores mximos y mnimos de voltaje de salida del circuito de la Fig. 6.1 si la fuente V1
genera una seal sinusoidal de 5Vp a una frecuencia de 60Hz.
TERICO

SIMULADO

%ERROR

Vmin (V)
Vmax (V)
B. Realice los mismos clculos del circuito anterior si se reemplaza la resistencia de 22K por una
resistencia de 100K.
TERICO

SIMULADO

%ERROR

Vmin (V)
Vmax (V)
C. Calcule los valores mximos y mnimos de voltaje del circuito de la Fig.6.2 si la fuente V1 genera una
seal sinusoidal de 5Vp a una frecuencia de 60Hz.
TERICO

SIMULADO

%ERROR

Vmin (V)
Vmax (V)
D. Realice los mismos clculos del circuito anterior si se invierte la polaridad del diodo D1.
TERICO

SIMULADO

%ERROR

Vmin (V)
Vmax (V)
E. Realice los mismos clculos del circuito anterior si se invierte la polaridad del diodo D1.

NOTA: TODOS SUS CLCULOS DEBEN SER REALIZADOS EN HOJAS APARTE.

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PRCTICA # 6
ELEMENTOS DE DOS TERMINALES
DATOS EXPERIMENTALES.
NOMBRE..............................................................
PARALELO.................
A. Implemente el circuito que se muestra a continuacin, considerando que el generador de funciones
entrega una onda cuadrada, con 5V pico con una frecuencia de 60Hz.

Donde se pretenden obtener los tiempos de conmutacin de un diodo y de un zner, tanto en simulacin
como de forma prctica.

DIODO
SIMULADO

ZNER

EXPERIMENTAL

Tfr (ns)
Trr (ns)
%ERROR

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SIMULADO

EXPERIMENTAL

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B. Implemente el circuito de la Fig. 6.1, determine el grfico resultante de la seal de salida y especifique
sus valores mximos y mnimos.

TERICO

EXPERIMENTAL

%ERROR

Vmin (V)
Vmax (V)
C. Implemente el circuito de la Fig. 6.2, determine el grfico resultante de la seal de salida y especifique
sus valores mximos y mnimos.

TERICO

EXPERIMENTAL

%ERROR

Vmin (V)
Vmax (V)
D. Invierta la polaridad del diodo en el circuito de la Fig. 6.2, determine el grfico resultante de la seal de
salida y especifique sus valores mximos y mnimos.

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TERICO

EXPERIMENTAL

%ERROR

Vmin (V)
Vmax (V)
E. Implemente el circuito de la Fig. 6.3, vare el voltaje Vi de -10V a +10V en pasos de 0.5V complete la
tabla adjunta y bosqueje la funcin de transferencia del circuito.
Vi (V)

-30

-28

-26

-24

-22

-20

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-4

-2-

10

12

14

16

18

20

22

24

25

27

29

30

Vo(V)
Vi (V)
Vo(V)
Vi (V)
Vo(V)
Vi (V)
Vo(V)

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PREGUNTAS CONCEPTUALES:

Cmo el circuito de la Fig. 6.1 puede brindar un desplazamiento vertical a la seal de entrada V1?

Qu efecto se obtendra con el aumento del capacitor C1 en el circuito de la Fig. 6.1?

Qu cambios hara en el circuito de la Fig. 6.2 para que sea un circuito recortador con recortes en 2.7
V y -2.7 V?

Explique detalladamente el comportamiento creciente y simtrico de la funcin de transferencia? A

qu se debe este efecto?

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.

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