El flip-flop R-S. Memorias.

Multivibradores

La desventaja que poseen todos los circuitos lgicos y las configuraciones que
hemos estudiado en los captulos anteriores es que al ser removida la
informacin a su entrada desaparece la informacin a su salida, algo as como lo
que ocurre cuando hay una interrupcin en el suministro de la energa elctrica
y se pierde toda la informacin que una persona estaba manejando en su
computadora de escritorio justo cuando ocurri el apagn. Estos circuitos
nicamente pueden procesar informacin, no la pueden retener ni siquiera
temporalmente. Es obvio que la existencia de configuraciones con memoria,
esto es, con la capacidad para retener por tiempo indefinido (o al menos
mientras haya suministro de corriente elctrica) la informacin que alguna vez
fue

colocada

su

entrada,

puede

ser

de

una

utilidad

enorme.

Para lograr tales elementos con memoria, podemos explotar un fenmeno muy
peculiar a los circuitos lgicos de enorme importancia: La retroalimentacin (o
el regreso) de la salida (o salidas) a la entrada (o entradas) de los circuitos
lgicos introduce memoria en los mismos; esto es, se convierten en elementos
capaces de almacenar informacin por tiempo indefinido. (En la literatura de
habla

inglesa,

la

retroalimentacin

se

le

conoce

como feedback.)

Empezaremos nuestra introduccin a los circuitos lgicos capaces de exhibir

capacidades de memoria con la siguiente configuracin que puede parecer
curiosa al principio por carecer por completo de entradas que podamos variar a
nuestro antojo:

Para analizar este tipo de circuitos, procedemos exactamente de la misma

manera como lo hicimos con los circuitos lgicos combinatorios, en los cuales
aplicamos todas las combinaciones posibles de "unos" y "ceros" a la entrada (o
entradas) y obtuvimos todas las respuestas posibles a la salida (o salidas) de
tales circuitos lgicos, construyendo Tablas de Verdad para cada uno de ellos,
anlisis que posteriormente fue refinado con la introduccin del lgebra
Boleana. La diferencia en este caso es que como estamos retroalimentando las
salidas a las entradas, no slo tenemos que aplicar todas las combinaciones
posibles de "unos" y "ceros" a la entrada (o entradas) sino que tenemos que
aplicar tambin todas las combinaciones posibles de "unos" y "ceros" a la salida
(o salidas), fijndonos muy bien en aquellas combinaciones de entradas y
salidas que produzcan estados incompatibles para proceder a desecharlas de
nuestro anlisis. Un estado incompatible en el anterior circuito formado con
dos bloques NOT sera el estado en el cualQ=0 y Q'=0:

Aqu la verificacin de que este es un estado incompatible es un asunto fcil.

Suponiendo que la salida del NOT superior es "0", entonces dicho "0" est
siendo introducido al NOT inferior, el cual por la accin inversora debera
convertir dicho "0" produciendo un "1" a su salida, lo cual es incompatible con
el "0" que habamos supuesto desde un principio para Q'. Y si la salida del NOT
inferior es "0", entonces dicho "0" est siendo introducido al NOT superior, el
cual por la accin inversora tambin debera convertir dicho "0" en un "1", lo
cual

es

incompatible

con

el

valor

que

habamos

supuesto

de Q=0.

Llevando a cabo un anlisis similar, podemos proceder a desechar tambin el

estado Q=1 y Q'=1 como un estado posible, porque tambin nos produce
incompatibilidades. Tal estado simple y sencillamente no puede existir.
Sin embargo, un estado que s es posible es el estado Q=1 y Q'=0:

Aqu, el "1" que posee la salida Q en el NOT superior es alimentado a la

entrada del NOT inferior, el cual por la accin inversora del NOT es
convertido a un "0", que es precisamente el valor que estamos suponiendo

para Q'. Aqu no hay incompatibilidad alguna. Y el "0" que posee la salida Q' en
el NOT inferior es alimentado a la entrada del NOT superior, el cual por la
accin inversora del NOT es convertido a un "1",que es precisamente el valor

que estamos suponiendo para Q. No habiendo incompatibilidad alguna,

aceptamos el hecho de

que

este

es un

estado posible y estable.

Pero la combinacin Q=1 y Q'=0 no es la nica combinacin estable para este

circuito. Existe otra combinacin, la combinacin de salidasQ=0 y Q'=1:

la cual tambin podemos comprobar que tambin es una configuracin estable.

Esto nos conduce a un dilema. Si tenemos dos estados estables, igualmente
posibles, tomando en cuenta que el circuito lgico no tiene entrada alguna
sobre la cual podamos ejercitar algn control a nuestra discrecin, cul de los
dos estados tomar el circuito al encenderse la configuracin con la aplicacin
de energa elctrica?
La difcil realidad es que, como ambos estados son igualmente posibles, el
estado en que podr caer este circuito al aplicar energa elctrica es
completamente una cuestin de azar. Una vez que se encienda el circuito,
podemos encontrarnos con cualquiera de los dos estados, esto es algo que est
completamente fuera de nuestro control. Y peor an, entre estos dos estados

existe un tercer estado, conocido como estado meta-estable, en el cual las

salidas dejan de ser "0" "1" para quedar atoradas en un limbo. Este circuito
formado por dos NOTs ciertamente posee memoria, pero su comportamiento
azaroso lo vuelve intil para una aplicacin prctica que no sea la de construr
una mquina electrnica de juegos de azar. Sin embargo, el circuito nos d una
pista sobre cmo utilizando funciones lgicas ms elaboradas que el NOT, tales
como bloques NAND o bloques NOR, podemos construr circuitos lgicos con

memoria sobre

los

cuales

podamos

tener

algn

tipo

de

control.

Usando como base tales propiedades, apareci en el mercado por vez primera
un elemento bsico de memoria conocido como el flip-flop R-S, el cual
frecuentemente se representa como una "caja negra" cuyos detalles interiores
estn ocultos de la vista de los tcnicos que atienden sistemas construdos con
circuitos lgicos:

Como podemos ver en su representacin esquemtica, el flip-flop R-S es un

bloque fundamental que consta de dos terminales de entrada, la terminal de
"ajuste" S (set) y la terminal de "reajuste" R (reset); as como dos terminales
de salida Q y Q', las cuales, como su notacin lo indica, son complementarias,
son el inverso la una de la otra. La palabra combinada "flip-flop" viene del ingls
empezando con la palabra flip que es utilizada cuando se usa un interruputor de
encendido para prender algo como las luces de la sala de la casa, situacin en la
que se acostumbra decir "flip the switch", mientras que la palabra flop,
derivada de la palabra flip, tiene una intencin opuesta, usndose cuando se va
a apagar algo a travs del mismo interruptor de encendido.
Las caractersticas del flip-flop R-S son las siguientes, suponiendo que al
empezar ambas entradas R y S estaban siendo alimentadas con un cero (0)
lgico:
(1) Cuando S=1 y R=0; o sea, al poner un 1 en la terminal de entrada S, el flipflop R-S entra en el estado Q=1 independientemente del valor queQ haya
tenido anteriormente. La salida Q' a su vez

adquirir el

valor Q'=0.

(2) Cuando S=0 y R=1; o sea, al poner un 1 en la terminal de entrada R, el flipflop R-S entra en el estado Q=0 independientemente del valor que Q haya
tenido anteriormente. La salida Q' a su vez adquirir el valorQ' =0. En
lenguaje vulgar, se dice que el flip-flop R-S es reseteado.
Dependiendo de los elementos usados para construr el flip-flop R-S, ste
tendr una combinacin de valores S y R con la cual mientras haya suministro
de energa retendr por tiempo indefinido la informacin que le fu colocada
anteriormente.
Desgraciadamente, tendr tambin otra combinacin de valores que lo
colocarn en un estado no-definido en el cual las salidas Q y Q' dejarn de ser
complementarias. Esta combinacin de valores debe evitarse a toda costa.
Este elemento, como todos los dems bloques fundamentales en los circuitos
lgicos, se puede construr empleando funciones lgicas bsicas. En general, el
flip-flop R-S se construye empleando ya sea funciones NAND o funciones NOR.
Una forma de analizar el comportamiento "interno" del flip-flop R-S cuando es
construdo a partir de funciones lgicas bsicas es considerar para cada
combinacin de unos y ceros a la entrada todas las combinaciones posibles de
unos y ceros a la salida, eliminando sistemticamente las combinaciones de unos
y ceros que no sean compatibles. Este mtodo resulta algo laborioso.
La forma ms efectiva de analizar un flip-flop R-S es obteniendo las
salidas Q yQ' en funcin de las entradas R y S utilizando lgebra Boleana. Este
mtodo resulta ms rpido, ms prctico y ms acadmico. De cualquier modo,
en la seccin de problemas resueltos se usan ambos mtodos con el fin de que
se pueda comparar las ventajas y desventajas de ambos.
El flip-flop R-S, capaz de almacenar un "bit" de informacin, se puede utilizar a
su vez como bloque bsico para construr memorias ms complejas tales como
la Memoria de Acceso al Azar (Random Access Memory o RAM). La gran
mayora de los lectores debe poder reconocer este tipo de memoria, la famosa

memoria RAM; es la que se anuncia en los modelos de las computadoras caseras

puestos a la venta con la garanta de que entre mayor sea la memoria RAM
mejor podr ser el desempeo de la computadora.
Aqu se vuelve necesario hacer una aclaracin. Aunque es posible almacenar un
"bit" o varios "bits" de informacin usando para ello elementos de memoria
construdos con funciones lgicas bsicas, se pueden construr elementos de
memoria sin utilizar para el almacenamiento de informacin elemento alguno
que involucre alguna de las funciones lgicas bsicas, inclusive sin utilizar
tecnologa de semiconductores. Tal es el caso de las memorias de ferrita
magntica (core memory) en las cuales el almacenamiento de un "0" de un "1"
se lleva a cabo en base a la direccin del campo magntico del elemento
utilizado como medio de almacenamiento. El principio esencial radica en que es
posible magnetizar una pieza de material magntico en dos direcciones
opuestas, como lo muestran los siguientes dos imanes acomodados en
direcciones contrarias:

En el imn de la izquierda (A) tenemos su "polo Norte" (N) apuntando hacia la

derecha y su "polo Sur" (S) apuntando hacia la izquierda, en una alineacin que
llamaremos un "0" lgico, mientras que en el imn de la derecha (B) tenemos su
"polo Norte" apuntando hacia la izquierda y su "polo Sur" apuntando hacia la
derecha, en una alineacin que llamaremos un "1" lgico. De hecho, podemos ver
esto

como

el

mismo

imn

acostado

en

dos

diferentes

direcciones.

Es un hecho fsico bien conocido que con la aplicacin externa de una corriente
elctrica es posible magnetizar ciertos materiales en direcciones opuestas,
dependiendo de la direccin de la corriente, lo cual a su vez depende de cmo
se aplican las polaridades del voltaje que produce la corriente elctrica:

Este es el mismo principio fsico que fue utilizado por Jay W. Forrester en
1952 para inventar las memorias de acceso aleatorio RAM basadas en el uso de
ferritas magnticas, en las cuales utiliz ncleos de ferrita ( cores) en forma
de anillos y en las cuales la direccin del campo magntico dentro de los anillos
poda ser "en sentido del avance de las manecillas del reloj" o "en sentido
contrario del avance de las manecillas del reloj" dependiendo de la direccin
del flujo de la corriente elctrica en el alambre puesto en el centro de la
ferrita:

En la siguiente fotografa amplificada tenemos un arreglo rectangular de 4 por

4 ncleos de ferrita magntica capaces de almacenar un modesto total de 16
bits (es necesario tomar en cuenta que cada uno de los ncleos de ferrita es de
tamao milimtrico):

Como podemos ver en la fotografa, cada uno de los ncleos de ferrita es

atravesado por dos alambres, un alambre horizontal y un alambre vertical que
actan como selectores, lo cual permite localizar un ncleo de ferrita
especfico entre todos los dems seleccionando elctricamente el alambre
horizontal y el alambre vertical que lo atraviesan. Este mtodo de seleccin

basado en un arreglo rectangular de coordenadas X y Y es completamente

general y aplica tambin a las memorias RAM contemporneas hechas a base
de

semiconductores.

En la fotografa no se muestra un tercer alambre que atraviesa a todos los

ncleos de ferrita, identificado en aquellos tiempos como el alambre de
deteccin de informacin Sense y utilizado precisamente para poder "escribir"

 "leer" el "1" el "0" almacenado en cada ncleo de ferrita. Porque no basta

con poder localizar un ncleo de ferrita individual entre muchos otros, es
necesario tener alguna forma de poder meter y sacar la informacin del mismo:

Inclusive para aquellos tiempos, 16 bits era una cantidad demasiada modesta
de "bits" con la cual no se poda hacer prcticamente nada que valiera la pena.
Para poder ser de utilidad alguna, era necesario construr arreglos mucho ms
grandes de ncleos de ferrita magntica, como el siguiente modelo capaz de
poder almacenar 2,048 palabras de 8 bits cada una (ampliar imagen):

Dadas las enormes dificultades para poder construr memorias RAM de este
tipo, tanto por lo laborioso de la insercin individual de alambres muy delgados
(susceptibles de reventarse durante el proceso de insercin) dentro de ncleos
de ferrita milimtricos, como por el enorme trabajo involucrado en tener que
desarmar toda la configuracin para volver a comenzar de nuevo en caso de que
un solo ncleo de ferrita resultara defectuoso, el costo de una memoria como
esta ascenda fcilmente a los cientos de miles de dlares aunque la
fabricacin se llevara a cabo en pases asiticos con mano de obra sumamente
barata. Esta es una de las razones por la que en esos tiempos las computadoras
no se vendan, se rentaban, e inclusive as los costos de la posesin temporal de

las mismas podan ser sumamente elevados. Pese a todo, esta era la memoria
RAM utilizada en el 95 por ciento de todas las computadoras empresariales
(las computadoras personales de escritorio no existan an) usadas hasta 1976.
La situacin eventualmente cambiara al hacer su aparicin en 1970 la primera

memoria RAM construda con semiconductores , la memoria dinmica RAM 1103,

con una capacidad de almacenamiento de 1,024 bits, construda por una nueva
empresa que naci viendo una posibilidad de que los semiconductores
eventualmente pudieran reemplazar algn da los costosos ncleos de ferrita
magntica, Intel:

Aunque mucho se ha escrito que la invencin del microprocesador en un

substrato semiconductor fue lo que posibilit el abaratamiento y la
accesibilidad de las computadoras para prcticamente cualquier persona
alrededor del mundo, sin la invencin de las memorias RAM hechas a base de
semiconductores las computadoras hoy en da seguiran siendo un lujo accesible
nicamente a grandes empresas e investigadores y personal acadmico
universitario trabajando con un amplio subsidio gubernamental. Es importante
sealar que fue la misma compaa, Intel, la que invent las dos cosas, el
microprocesador

la

memoria

RAM

ambos

implementados

en

la

microelectrnica de los semiconductores. Y de all en adelante el mundo no

volvera a ser igual.
A Intel no le llev mucho tiempo fabricar otro tipo de memoria RAM, la
memoria RAM esttica, usando un principio de operacin diferente. En la
siguiente fotografa tenemos la "pastilla semiconductora" (la cual cabe
fcilmente en la yema de un dedo) de la memoria RAM esttica C51C98-25, con
una capacidad de almacenamiento de 16 mil palabras binarias de 4 bits cada
una:

Al final del Suplemento # 1: Las familias lgicas se han includo explicaciones

ms a fondo sobre cmo trabajan ambos tipos de memoria RAM, tanto la
memoria RAM dinmica como la memoria RAM esttica, de acuerdo con la
tecnologa de semiconductores con la cual son construdas en la actualidad.
Es importante hace notar que existe otra clase de memorias que nada tiene que
ver con el flip-flop R-S. Un ejemplo tpico es la Memoria de Lectura
Unicamente (Read-Only Memory o ROM), en la cual la informacin ya est
almacenada permanentemente y es imposible borrarla o modificarla, teniendo
por lo tanto la ventaja de que retiene la informacin puesta en ella an cuando
el equipo en el que se encuentra es apagado. Esta es una memoria
imprescindible en prcticamente todas las calculadoras electrnicas de bolsillo,
los relojes digitales, las cartulas de los hornos de microondas, e inclusive en
muchas computadoras de escritorio, porque es precisamente el tipo de
memoria que contiene los programas (software) que permiten que estos
artculos puedan trabajar apropiadamente al momento de ser encendidos.
Aunque la memoria ROM tuvo sus inicios como un circuito integrado pequeo,
cualquier tecnologa que contenga informacin grabada que no puede ser
alterada tambin puede ser considerada como una memoria ROM, lo cual
permite clasificar a los discos CD de datos como memorias ROM. La enorme
ventaja de las memorias ROM es que en virtud de que no pueden ser alteradas,
son inmunes al ataque de algn virus elaborado por un hacker. En tiempos
recientes, con el advenimiento de las memorias flash de bajo costo que son
reprogramables, ha habido una tendencia a favorecer el uso en los nuevos
diseos de las memorias flash sobre las memorias ROM. Desafortunadamente,
justo por el hecho de ser reprogramables, esto las hace vulnerables a ataques
cibernticos

como

el

ocasionado

por

el

tristemente

clebre

virus

informtico Chernobyl, el cual al reprogramar el circuito integrado BIOS de

las computadoras de escritorio (este circuito integrado est presente en todas
las computadoras, el cual contiene los programas preliminares encargados de
inicializar la mquina antes de que un sistema operativo como Windows o Linux
tome el control de la computadora) echaba a perder el BIOS inutilizando con
ello a la computadora, la cual tena que ser desechada por completo al no haber
forma de poder inicializarla (la razn principal dada por los fabricantes para
substitur el BIOS basado en memorias ROM por memorias flash era para

permitirle al usuario llevar a cabo actualizaciones para permitirle a su mquina

la instalacin y el manejo de equipos novedosos como los lectores de discos
DVD

que

no

existan

cuando

las

mquinas

salieron

la

venta).

Histricamente hablando, al aparecer en el mercado las memorias ROM

construdas a base de semiconductores hicieron su aparicin poco despus en
1956 las memorias ROM programables elctricamente, conocidas como
memorias PROM (Programmable Read-Only Memory). Estas memorias, las
cuales en su interior tienen un arreglo rectangular de fusibles, antes de ser
programadas tienen todas sus salidas puestas a un bit de "1" lgico. La
programacin de las memorias PROM se lleva a cabo quemando en forma
selectiva los fusibles bajo el control de una computadora de escritorio
conectada al "quemador", lo cual hace que la salida se ponga a "0" lgico en
cada punto en donde se "quema" un fusible, razn por la cual estas memorias
slo pueden ser programadas en una sola ocasin. El siguiente diagrama
esquemtico nos muestra el aspecto funcional de una memoria PROM que puede
almacenar tres palabras binarias formadas por tres bits cada una (los fusibles
son las pequeas lneas curvas en forma de "onda"):

(Por razones de simplicidad didctica, no se han mostrado en este diagrama

esquemtico cada uno de los diodos conectados a los nueve puntos de cruce en
donde se encuentran los fusibles, los cuales tienen como propsito impedir el
flujo de la corriente elctrica hacia las otras terminales actuando a la vez

como los componentes de un decodificador disfrazado. En esencia, estos

diodos tienen el efecto de implementar el equivalente de la funcin AND. Para
mayores

detalles,

vase

elSuplemento

1:

Las

familias

lgicas .)

En esta memoria PROM (y lo mismo puede decirse para todas las dems) slo
una de las lneas de domicilio (address) que en este caso son A0, A1, y A2 puede
estar activada a la vez con un "1". En la memoria PROM tal y como est
mostrada arriba, si la lnea del domicilio A0 es activada con un "1", este "1"
ser puesto en las tres lneas de salida dedatos (data) D2, D1 y D0 por estar
intactos los tres fusibles. En otras palabras, bajo el domicilio A0 el dato
encontrado ser D2D1D0=111, puesto que ninguno de los fusibles ha sido
"quemado". Tambin en los dos domicilios restantes A1 y A2 los datos obtenidos
sernD2D1D0=111 al tener intactos sus fusibles. Y qu suceder si en el
proceso de programacin ("quema") del PROM quemamos los tres fusibles que
van conectados al rengln A0? En tal caso y en ese renglnla fuente de
voltaje +V no podr llegar por la ausencia de dichos fusibles a las
lneas D2, D1 y D0, y la salida ser D2D1D0=000. Este ser el dato binario
almacenado bajo el domicilio A0.
El siguiente esquemtico nos muestra el diagrama funcional de otro PROM que
an no ha sido "programado", un PROM con capacidad para almacenar ocho
palabras binarias, con cuatro bits de extensin cada una ( precaucin: cada uno

de los AND mostrados no es un AND de una sola entrada sino un AND de tres
entradas, del mismo modo que los OR mostrados son ORs de entradas mltiples
y no de una sola entrada; la representacin simblica utilizada aqu se hizo con
el propsito de evitar una "sobrepoblacin" de lneas de conexin y as
simplificar el diagrama; tampoco se muestran aqu los diodos que implementan
las funciones AND y OR en cada uno de los puntos de cruce ):

Podemos ver mejor lo que ocurre en este tipo de memoria suponiendo varios
valores para el domicilio de entrada A2A1A0. Supngase queA2A1A0=000.
Entonces el AND de tres entradas puesto en el primer rengln y alimentado
con A2A1 A0=111 ser activado por la funcin decodificadora de los tres NOT
cuyas tres salidas alimentan el AND que conduce hacia el primer rengln. Esto
pondr un "1" lgico en la lnea del primer rengln, y como los fusibles estn
intactos por ser un PLA an sin ser programado, la salida ser S3S2S1S0=1111.
Ahora supngase que A2A1A0=001. Entonces el AND de tres entradas
puestoen el segundo rengln y alimentado con A2A1A0=111 ser activado por la
funcin decodificadora de los tres NOT cuyas tres salidas alimentan el AND
que conduce hacia el segundo rengln. Esto pondr un "1" lgico en la lnea del
segundo rengln, y como los fusibles estn intactos por ser un PROM an sin
ser programado, la salida ser tambinS3S2S1S0=1111.
La programacin de las PROM se lleva a cabo aplicando pulsos de voltajes
elevados que no son encontrados durante la operacin normal de las mismas, y
aunque pueden ser programadas bit-por-bit normalmente son programadas con
el "quemador de PROMs" conectado a una computadora de escritorio.
Funcionalmente hablando y como podemos comprobarlo arriba, la memoria
PROM consiste en la utilizacin de una matriz (arreglo rectangular) fija, el
equivalente de bloques de entrada AND que siempre produce una salida de "1"
en una lnea distinta para cada una de todas las combinaciones posibles de
"unos" y "ceros" a la entrada (domicilio); seguida de otra matriz capaz de
seleccionar una o varias de las lneas horizontales para combinar en suma
Boleana todos los trminos seleccionados de cada rengln.
La estructura operacional del PROM la podemos resumir en forma ms
concreta con el siguiente diagrama funcional de bloques:

Tiempo despus, en 1971 hizo su aparicin la memoria EPROM(Erasable

Programmable Read-Only Memory), la cual a diferencia de las memorias PROM

que no pueden ser programadas de nuevo tras la "quema" de sus fusibles
internos, puede volverse a programar borrando por completo la informacin
contenida. Para poder ser borrada con el fin de ser programada de nuevo, la
memoria EPROM tiene que ser expuesta a una luz ultravioleta a travs de la
ventana transparente que la cubre en su circuito integrado, como la siguiente
memoria EPROM 27C256 (equivalente a la memoria EPROM 27256) con
capacidad de almacenamiento de 32K bytes:

A continuacin tenemos el diagrama de la relacin funcional de las terminales

"pins" de este circuito integrado:

Para la programacin de este circuito integrado, se va aplica en la

terminal Vpp (terminal 1) un voltaje mayor del valor de operacin normal. Una
vez programada la informacin dentro de esta memoria EPROM, podemos
localizar algn byte especfico poniendo la combinacin de "unos" y "ceros"
del domicilio binario (address) bajo el cual se encuentra el byte que estamos
buscando, identificado por las terminales de la 2 a la 10 y de la 23 a la 27. El
byte almacenado es recuperado a travs de las terminales de datos (data) en

las terminales 11 a la 13 y de la 15 a la 19. A modo de ejemplo, en el siguiente

domicilio:
A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 = 11010011010001
podramos localizar el siguiente byte:
D7D6D5D4D3D2D1D0 = 01101011
Para programar este tipo de memorias, utilizamos un "quemador" como el
siguiente

conectado

una

computadora

de

escritorio:

Puesto que estos equipos no son baratos, teniendo precios que pueden llegar a
los miles de dlares, una alternativa atractiva para escuelas tcnicas y
estudiantes de ingeniera puede ser la construccin o adquisicin de "kits" de
bajo costo, como el diseo econmico del Doctor Glenn Pure descrito en el
siguiente enlace:
http://www.siliconchip.com.au/cms/A_30475/article.html
y para el cual podemos obtener los programas ejecutables de softwareen el
siguiente sub-enlace de su pgina casera:
http://glenn.pure.site.net.au/electron.htm
Otro ejemplo tpico de este tipo de memorias es el Arreglo

Lgico

Programable (Programmable Logic Array PLA) que una vez programado ya no

se puede "desprogramar" en virtud de que su programacin se lleva a cabo
"soldando" con antifusibles (los cuales tienen una accin contraria a los
fusibles en el sentido de que al "quemarse" no se abren sino que se funden
estableciendo un contacto elctrico) los puntos seleccionados (hay tambin
memorias PLA equipadas con "fusibles" convencionales como los que usan las
memorias PROM). La principal diferencia entre el Arreglo Lgico Programable y
las memorias PROM que vimos arriba es que podemos programar no slo las

lneas de salida sino tambin las lneas de entrada al PLA. Para poder apreciar
esto mejor, a continuacin se presenta primero un esquema simplificado de un
PLA sin programar:

seguido por el mismo PLA ya programado:

Podemos ver cmo partiendo de las entradas a, b, c y d del PROM as como de

los complementos a', b', c' y d' de las entradas se seleccionaron ciertos
puntos (nueve en total) de la matriz de entradas en el plano AND para ser
"fusionados" (soldados, establecindose una conexin elctrica) y as tener
disponibles en los renglones de la matriz de la izquierda (la matriz de salida en
el plano OR) los trminos ab, b'c'd', bc' y c'd'. En el plano OR dos salidas
(columnas) y1 y y2 fueron seleccionadas para tener en dichas salidas los
trminos:

y1 = ab + b'c'd'
y2 = ab +bc' + cd'
El diagrama de este ejemplo muestra claramente que no slo las salidas pueden
ser seleccionadas y "fusionadas" (programadas) a voluntad, sino tambin las
entradas. Obsrvese la rica variedad de posibilidades que un PLA nos ofrece
sobre un PROM.
Como esto puede parecer ms complicado de lo que realmente es, veremos a
continuacin un segundo ejemplo de otro PLA, ya "programado":

En este segundo ejemplo estamos obteniendo de la matriz de ANDs todas las

cuatro combinaciones posibles para los trminos de entrada:
AB, AB, AB y AB. Y con la matriz de ORs estamos seleccionando dos salidas
con

distintas

combinaciones

de

dichos

trminos: AB+AB yAB+ AB.

Resumiendo, el PLA normalmente sera idntico en su funcionamiento a un

PROM, excepto que las conexiones de entrada ligadas a los AND tambin son

seleccionables y programables mediante la "fusin" con antifusibles de los

puntos seleccionados. Esta estructura operacional del PLA la podemos resumir
en forma ms concreta con el siguiente diagrama funcional de bloques:

En virtud de que en el PLA ambas matrices, tanto la de compuertas AND como

la de compuertas OR (implementadas con diodos en cada punto de cruce, los
cuales no se han mostrado para mantener la simplicidad de los diagramas), son
programables, esto nos habilita para incrementar el nmero de entradas
disponibles sin necesidad de tener que aumentar el tamao de la matriz, y nos
permite "disear" a nuestro antojo un bloque combinatorio de entradas

mltiples y salidas mltiples con una gran variedad de combinaciones posibles.

Esta estructura permite una mejor utilizacin de los recursos disponibles en el
circuito integrado, de tal forma que se requiere un mnimo numero de trminos
necesarios para generar una funcin lgica .
En la seccin de problemas resueltos correspondiente a este captulo se
pueden encontrar ejemplos que muestran especficamente la presencia de los
diodos que permiten implementar tanto la funcin AND como la funcin OR en
cada matriz.
El flip-flop R-S, el elemento de memoria fundamental construdo con funciones
lgicas bsicas, es tambin conocido como unmultivibrador biestable por tener
dos estados estables (Q=0 y Q=1).
Tambin es posible tener un multivibrador monoestable; esto es, con un estado
estable y un estado inestable. Este tipo de multivibrador es tambin conocido
en la literatura tcnica de habla inglesa como one-shot (un "disparo",
posiblemente en alusin a la accin que se lleva a cabo cuando se jala el gatillo
de una pistola).
Igualmente posible es la existencia de un multivibrador astable, esto es, con
dos estados inestables (Q=0 y Q=1), lo cual implica que actuar como un
oscilador.
A continuacin se muestra un diagrama de tiempos que ejemplifica el
comportamiento

de

los

tres

tipos

de

multivibradores:

En el diagrama superior correspondiente al inciso (a) que muestra el

comportamiento de un multivibrador astable (astable multivibrator) se puede
ver que este tipo de multivibrador no precisa de ninguna seal a su entrada
(input), y de hecho este tipo de circuito no tiene terminal de entrada alguna.
Su salida estar oscilando todo el tiempo entre el nivel de voltaje positivo
(+Vout) y el nivel de voltaje negativo (-Vout) produciendo una forma de onda
cuadrada. (Podemos tomar +Voutcomo un "1" lgico y -Vout como un "0" lgico.)
En el diagrama intermedio correspondiente al inciso (b) que muestra el
comportamiento de un multivibrador monoestable ( monostable multivibrator)
se puede ver que la accin de "disparo" a la salida es iniciada por un brevsimo
pulso de voltaje aplicado a la entrada en un tiempo t1. Inmediatamente, a la
salida, el voltaje cambia de polaridad por un perodo prefijado de tiempo,
despus de lo cual la salida regresa a su valor original de voltaje. Este tipo de
circuito tiene una sola terminal de entrada, la terminal de "gatillo" ( trigger)
que se usa para "disparar" la accin del circuito.
Y por ltimo, en el diagrama final correspondiente al inciso (c) que muestra el
comportamiento de un multivibrador biestable ( bistable multivibrator) se
puede ver que el circuito tiene dos estados estables. Para hacerlo cambiar de
estado, aplicamos un pulso brevsimo de voltaje a una de las dos entradas (la
cual podemos suponer como la entrada Sde un flip-flop R-S) en un tiempo t1,
con lo cual el circuito permanecer en dicho estado por tiempo indefinido
(segundos, minutos, horas, das, meses, aos). Si queremos que el circuito
regrese a su estado anterior, tenemos que aplicar un pulso brevsimo de voltaje

en la otra terminal de entrada (la cual podemos suponer como la entrada R de

un flip-flop R-S) en un tiempo t2, con lo cual el circuito volver a su estado
anterior, permaneciendo en dicho estado por tiempo indefinido hasta que no se
aplique nuevamente un pulso en la terminal de entrada correspondiente para
llevar a cabo tal accin.
Si lo deseamos, podemos construr con relativa facilidad cualquiera de los tres
tipos

de

multivibradores

con

componentes

que

podemos

obtener

comercialmente en el mercado. Por ejemplo, si queremos construr un

multivibrador

monoestable,

integrado74121 cuyo

lo

diagrama

podemos
funcional

hacer
interno

con
es

el
el

circuito
siguiente:

Para construr el multivibrador monoestable, necesitamos proveerle al circuito

integrado unos componentes adicionales, tales como la resistencia R y el
capacitor C cuya constante de tiempo RC fijar la duracin del pulso de salida.
El diagrama completo de un monoestable tal es el siguiente:

En este caso, la resistencia R tiene un valor de 10K (10 mil ohms) y el

condensador tiene un valor de 2 uf (2 microfarads), lo cual le fijar al pulso de
salida una duracin de 0.066 segundos con un comportamiento mostrado por el
siguiente diagrama de tiempos.

Adems del circuito integrado 74121, podemos utilizar otro circuito integrado
extremadamente verstil, el cual pese a que tiene ya varias dcadas de haber
sido introducido, sigue resonando an por su enorme flexibilidad y bajo costo,
el timer 555, del cual hay mayores detalles en el Suplemento # 7 puesto al
final de este libro (El temporizador 555).