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 內容簡介

本書分兩部分。第一部分為理想晶體，採用從有關固體最簡單的模型──金屬自由電子
氣體模型出發，逐漸加以豐富完善的體系，系統講述了有關固體晶格結構、電子能帶論、晶
格振動、輸運現象、原子間的鍵結和固體中的缺陷等方面的內容。近三十年來固體物理的新
發展，除在第一部分中有所反映外，集中在第二部分的無序、尺寸、維度和關聯四章中，內
容包括無序體系中電子的定域化，弱定域化，介觀體系的物理，奈米微粒，團簇，庫侖阻塞，
半導體低維體系，拓撲缺陷，二維體系中的相變，準一維導體，密度泛函理論，強關聯初步，
高溫超導電性和分數量子霍爾效應等。
本書特別注意物理圖象的清晰，並著重於固態中基本的、共同的問題。本書可作為各類
大學物理系固體物理學及現代固體物理課程的教科書或參考書，也可供有關研究人員參考。

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 作者序

我從 1984 到 1996 年，隔年在北京大學物理系為三年級大學生講授「固體物理學」課程，

其間曾有寫一本教材的想法，但是由於科研工作太忙，以及自覺難於寫出新意，一直未能實
現。這次因教材建設需要，在多方鼓勵和支持下，終於提筆，歷時兩年多，交出了這部書稿。
固體物理是凝態物理的主幹，近二、三十年研究工作有很大的發展。首先，我希望這些
新的進展、認識和概念能在這本書中有所反映。這主要概括在本書第二部分的無序、尺寸、
維度和關聯四章中。同時，對於傳統固體物理教科書中的章節，除去不可避免地要添加一些
新的內容外，我覺得新的發展往往在某種程度上也改變了講述的角度。以能帶論為例，在理
論上本書添加了作為近代能帶計算基礎的密度泛函理論和局域密度近似方法，實驗方面添加
了用以確定能量色散關係的角分辨光電子譜技術等新的內容。由於理論的進步，特別是高性
能計算機的應用，目前，固體的能帶計算已發展成卓有成效、十分專業化的領域。因此，除
側重於基本概念和原理外，本書更多地講述能帶計算結果的表述方法。對從事固體物理研究
和應用的人，也許能看懂別人計算的結果更重要一些。
其次，固體是包含 10 23 個粒子的複雜的多體系統，種類眾多，內容豐富。學生在學習固
體物理課程時，和剛剛學過的理論線索明晰的四大力學相比，常常摸不著頭緒，並有亂的感
覺。因此，我希望能有一個好的理論框架和體系，使學生易於吸納新的內容，不致迷失。我
在 1980～1981 年訪問美國 Cornell 大學期間，曾旁聽 Ashcroft 教授為研究生開設的固體物理
課程，深為他從最簡單的金屬自由電子氣體模型開始，逐漸加以豐富和完善的體系所吸引。
回來後我也嘗試著在教學中採用，感到學生確實易於從中了解各個模型的限度，以及在最簡
單的模型基礎之上添加的每一因素所帶來的物理後果。本書第一部分對大塊理想晶體的講述
中沿用這一體系，主要想法和脈絡陳述於 1.8 節對金屬自由電子氣體模型局限性及其改進的
討論中。其後，每章前言對這一章要討論的問題及在這一體系中所處的地位均有概括的說明。
本書第二部分章節的組織是這一體系的自然延伸，以大塊理想晶體為參照，討論有序程度、
尺寸、維度的改變，以及電子之間相互作用帶來的變化。
第三，我希望在講述中有儘可能清晰的物理圖象，不要讓學生迷失在冗長的計算之中。
學生學過理論物理基礎課程後，容易欣賞從幾個基本定理出發進行數學演繹的做法。實際上
這並不是物理的主要部分。實際的物理更多的是和現象有關的，理論上則要面對具體的體系
和問題，抓住物理過程的主要方面，構造簡化模型來處理。在這一點上，清晰的物理圖象以

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 作者序

及直覺和想像力是至關重要的。
本書取名為《固體物理基礎》是希望主要講述一些基本的、共性的問題。第一部分的內
容中，相當部分在其他教科書中也有論述，本書採用的公式和符號儘可能和這些書中的一致，
內容相近的段落也會寫得比較簡單。本書第二部分的寫作是一個嘗試。很多問題的深入討論，
超出了學生已有的數理基礎，同時也會使篇幅過長。反過來，如不做數學推演，內容又容易
等同於一般的科普讀物。這裡採取了一種在大體給定的篇幅下，儘可能把基本概念和物理圖
象講清楚，同時也給出主要參考文獻和書籍的辦法，希望這些物理圖象式的、半定量的說明，
能加深學生對物理學的理解，也希望這些章節能對學生進一步了解固體物理的前沿發展有所
幫助。教師在講課中，也可根據當前的發展補充一些內容。有關半導體、磁性、超導電性、
表面、電介質、非晶態、液晶和準晶等領域，本書僅涉及某些共性的問題，沒有專門的章節
講述，這些內容可在其他書籍中找到。
我在北京大學物理系就讀時，固體物理課程有幸由黃昆教授執教，得到啟蒙。此後，在
科研和教學中逐漸加深了理解。特別感謝物理學界的許多年長的，同輩的和年輕的同事和朋
友們，以及我的一些學生們，從他們的文章、學術報告，以及和他們的交往討論中我學到很
多東西。在醞釀本書的寫作時，很多同事和朋友提出過很好的建議，張殿琳、韓汝珊、吳思
誠和鄒英華等教授還閱讀了本書的部分章節，提出了重要的修改意見，這裡都一併致謝。
在本書寫作中，我常常想到我的父親。抗戰期間，作為熱血青年，他毅然回國，投身於
祖國的教育事業。記得他在廣西鄉下，晚上就著昏暗的油燈，一面應付我們這些在他身上爬
來爬去的小孩，一面用毛筆寫他的講義；也常常想到他對教育事業和教師職業的獻身和熱愛，
以及他的許多頗富哲理的見解。父親在潛移默化中對我人生的指引是不可估量的。在本書完
稿時，我想我是盡力了，但也深感學識的淺薄和時間的倉促。本書定有許多不妥或錯誤之處，
誠懇希望讀者提出寶貴的意見，以便再版時修正。
最後，作者感謝教育部高等教育司對本書出版的支持，感謝北京大學出版社周月梅女士
和其他有關人員為本書出版所做的努力，感謝我的家人和朋友們始終的關心、支持和幫助。

閻守勝

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 第二版前言

2000 年春本書第一版交稿後，作者連續三年在秋季為北京大學物理學院本科四年級學生
開設《現代固體物理》課程，主要講授本書第二部分。為了和三年級的《固體物理學》課程
銜接，講授從單電子近似的物理基礎（12.1，12.2 節）開始，然後是無序、尺寸和維度，最
後以強關聯初步作為結束。講課中，還補充了一些計算，增加了一些內容，著重在當前的研
究進展，也包括一些我們自己的研究工作。同時，對某些問題，嘗試了不同的講法。當然，
這期間也有了稍微充裕一些的時間用於讀書和思考。本書第二版即是在這個基礎上完成的。
第二版除對第一部分做了少量必要的更改外，主要對本書第二部分做了修訂，希望講述
能更加準確、清晰、簡潔和有特色。為此，重寫了相當多的地方，改變了講述的方法和次序。
在內容添加方面，主要是擴充了對高溫超導電性的講述，同時增加了一節（12.5 節），對人
們十分關注的分數量子霍爾效應體系做了入門的介紹。為保持全書篇幅大體不變，其他部分
只做了少量最必要的添加。添加的部分與刪除部分大體相當。此外，還對參考文獻做了必要
的補充，也增加了一些習題。
在第一版前言中，作者曾寫道：「本書第二部分的寫作是一個嘗試」，這次的修訂，應
該可以看作是進一步的探索。
本書第一版受到了讀者和同行的關注和鼓勵，第二版寫作中得到李正中、林志忠、韓汝
珊和吳崇試等教授的幫助，也繼續得到北京大學出版社周月梅女士的支持，這裡一併致謝。

閻守勝
於北京大學承澤園

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 目 錄

第1章 金屬自由電子氣體模型 3

1.1 模型及基態性質 5
1.1.1 單電子本徵態和本徵能量／ 6
1.1.2 基態和基態的能量／ 10
1.2 自由電子氣體的熱性質 14
1.2.1 化學能隨溫度的變化／ 15
1.2.2 電子比熱／ 17
1.3 泡利順磁性 20
1.4 電場中的自由電子 21
1.4.1 準經典模型／ 21
1.4.2 電子的動力學方程／ 23
1.4.3 金屬的電導率／ 24
1.5 光學性質 26
1.6 霍爾效應和磁阻 31
1.7 金屬的熱導率 34
1.8 自由電子氣體模型的局限性 35

第2章 晶體的結構 37

2.1 晶格 39
2.1.1 布拉維晶格／ 39
2.1.2 原胞／ 40

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 目 錄

2.1.3 配位數／ 41
2.1.4 幾個常見的布拉維晶格／ 42
2.1.5 晶向、晶面和基元的座標／ 44
2.2 對稱性和布拉維晶格的分類 45
2.2.1 點群／ 46
2.2.2 7 個晶系／ 51
2.2.3 空間群和 14 個布拉維晶格／ 52
2.2.4 單胞或慣用單胞／ 57
2.2.5 二維情形／ 58
2.2.6 點群對稱性和晶體的物理性質／ 59
2.3 幾種常見的晶體結構 60
2.3.1 CsCl 結構和立方鈣鈦礦結構／ 60
2.3.2 NaCl 和 CaF2 結構／ 61
2.3.3 金剛石和閃鋅礦結構／ 62
2.3.4 六角密堆積結構／ 63
2.3.5 實例，正交相 YBa2 Cu3 O7 ／ 65
2.3.6 簡單晶格和複式晶格／ 66
2.4 倒晶格 66
2.4.1 概念的引入／ 66
2.4.2 倒晶格是倒易空間中的布拉維晶格／ 69
2.4.3 倒晶格向量與晶面／ 71
2.4.4 倒晶格的點群對稱性／ 72
2.5 晶體結構的實驗確定 72
2.5.1 X 射線繞射／ 73
2.5.2 電子繞射和中子繞射／ 80
2.5.3 掃描穿隧顯微鏡／ 82

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第3章 能帶論Ⅰ 87

3.1 布洛赫定理及能帶 90
3.1.1 布洛赫定理及證明／ 90
3.1.2 波向量 k 的取值與物理意義／ 94
3.1.3 能帶及其圖示／ 96
3.2 弱週期位能近似 97
3.2.1 一維情形／ 97
3.2.2 能隙和布拉格反射／ 100
3.2.3 複式晶格／ 103
3.3 緊束縛近似 105
3.3.1 模型及計算／ 105
3.3.2 萬尼爾函數／ 109
3.4 能帶結構的計算 111
3.4.1 近似方法／ 113
3.4.2 n k 的對稱性／ 116
3.4.3 n k 和 n r 的圖示／ 117
3.5 費米面和態密度 121
3.5.1 高布里淵區／ 121
3.5.2 費米面的構造／ 123
3.5.3 態密度／ 125

第4章 能帶論Ⅱ 127

4.1 電子運動的半經典模型 128

4.1.1 模型的表述／ 130
4.1.2 模型合理性的說明／ 130
4.1.3 等效質量／ 133

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4.1.4 半經典模型的適用範圍／ 135

4.2 恆定電場、磁場作用下電子的運動 136
4.2.1 恆定電場作用下的電子／ 136
4.2.2 滿帶不導電／ 138
4.2.3 近滿帶中的電洞／ 138
4.2.4 導體、半導體和絕緣體的能帶論解釋／ 140
4.2.5 恆定磁場作用下電子的準經典運動／ 142
4.3 費米面的測量 145
4.3.1 均勻磁場中的自由電子／ 146
4.3.2 布洛赫電子的軌道量子化／ 147
4.3.3 德哈斯-範阿爾芬效應／ 149
4.3.4 回旋共振方法／ 152
4.4 用光電子譜研究能帶結構 153
4.4.1 態密度分布曲線／ 153
4.4.2 角分辨光電子譜測定 n k ／ 156
4.5 一些金屬元素的能帶結構 159
4.5.1 簡單金屬／ 159
4.5.2 一價貴重金屬／ 160
4.5.3 四價金屬和半金屬／ 161
4.5.4 過渡族金屬和稀土金屬／ 163

第5章 晶格振動 167

5.1 簡諧晶體的經典運動 170

5.1.1 簡諧近似／ 170
5.1.2 一維單原子鏈，聲學支／ 172
5.1.3 一維雙原子鏈，光學支／ 175
5.1.4 三維情形／ 177

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5.2 簡諧晶體的量子理論 180

5.2.1 簡正座標／ 180
5.2.2 聲子／ 182
5.2.3 晶格比熱／ 184
5.2.4 聲子態密度／ 190
5.3 晶格振動譜的實驗測定 191
5.3.1 中子的非彈性散射／ 193
5.3.2 可見光的非彈性散射／ 194
5.4 非簡諧效應 196
5.4.1 熱膨脹／ 196
5.4.2 晶格熱導率／ 199

第6章 輸運現象 205

6.1 玻爾玆曼方程 207

6.2 電導率 211
6.2.1 金屬的直流電導率／ 211
6.2.2 電子和聲子的相互作用／ 214
6.2.3 電阻率隨溫度的變化／ 217
6.2.4 剩餘電阻率／ 220
6.2.5 近藤效應／ 222
6.2.6 半導體的電導率／ 224
6.3 熱導率和熱電勢 225
6.3.1 熱導率／ 228
6.3.2 熱電勢／ 229
6.4 霍爾係數和磁阻 234

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第7章 固體中的原子鍵結 239

7.1 概述 240
7.1.1 化學鍵／ 240
7.1.2 晶體的分類／ 245
7.1.3 晶體的結合能／ 246
7.2 共價晶體 247
7.3 離子晶體 251
7.3.1 結合能／ 251
7.3.2 離子半徑／ 254
7.3.3 部分離子部分共價的晶體／ 256
7.4 分子晶體、金屬及氫鍵晶體 259
7.4.1 分子晶體／ 259
7.4.2 量子晶體／ 262
7.4.3 金屬／ 264
7.4.4 氫鍵晶體／ 265

第8章 缺 陷 267

8.1 點缺陷 269

8.1.1 點缺陷的種類／ 269
8.1.2 擴散的規律和機制／ 271
8.1.3 離子晶體的電導率／ 274
8.2 定域態 277
8.2.1 雜質能級／ 277
8.2.2 非本徵半導體／ 280
8.2.3 局域晶格振動／ 285
8.3 拓撲缺陷 286

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8.3.1 二維面自旋體系／ 286

8.3.2 渦旋線和磁通線／ 290
8.3.3 晶體中的位錯／ 293
8.4 面缺陷，壁 296
8.4.1 扭折，孤子／ 296
8.4.2 鐵磁材料中的疇壁／ 298
8.4.3 晶界／ 300
8.4.4 粗糙轉變／ 301

第9章 無 序 305

9.1 無序導致的定域 308

9.1.1 安德森定域／ 309
9.1.2 莫特遷移率邊／ 312
9.1.3 態密度／ 313
9.1.4 一維情形／ 314
9.1.5 最小金屬電導率／ 315
9.2 定域的標度理論 317
9.2.1 早期的工作／ 317
9.2.2 標度理論／ 319
9.3 弱定域化 325
9.3.1 相干背散射／ 325
9.3.2 弱定域化磁阻／ 331
9.3.3 電子-電子相互作用／ 334
9.4 跳躍電導 335
9.5 非晶態固體的比熱和熱導率 340

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9.5.1 低溫比熱和熱導率／ 341

9.5.2 兩能級隧穿模型／ 343
9.5.3 更寬溫度範圍的行為共性／ 346

第 10 章 尺 寸 349

10.1 介觀體系的物理 351

10.1.1 介觀尺度／ 351
10.1.2 Landauer 類型的電導公式／ 352
10.1.3 正常金屬中的 Aharonov-Bohm（AB）效應／ 354
10.1.4 普適電導漲落／ 357
10.1.5 非定域效應／ 363
10.1.6 正常金屬環中的持續電流／ 366
10.2 奈米微粒 371
10.2.1 電子能級的分立／ 371
10.2.2 比熱和磁化率／ 373
10.2.3 實驗測量／ 377
10.2.4 表面效應／ 378
10.3 團簇 380
10.3.1 團簇的產生和探測／ 380
10.3.2 惰性氣體元素團簇／ 381
10.3.3 簡單金屬團簇／ 385
10.3.4 、固體 和碳奈米管／ 388
10.4 庫侖阻塞 397
10.4.1 電流偏置的單結／ 398
10.4.2 單電子島／ 401
10.4.3 量子點中的庫侖阻塞／ 404

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第 11 章 維 度 409

11.1 半導體低維電子系統 410

11.1.1 Si 反型層及 GaAs-AlGaAs 異質結／ 412
11.1.2 彈道輸運／ 415
11.1.3 量子霍爾效應／ 418
11.1.4 邊緣通道／ 423
11.2 二維體系中的相變 427
11.2.1 二維體系實例／ 428
11.2.2 維度和長程序／ 430
11.2.3 Ｋ-Ｔ相變／ 437
11.2.4 二維晶格的熔化／ 441
11.2.5 公度相／ 443
11.2.6 維度的跨接／ 446
11.3 準一維導體 447
11.3.1 Peierls 相變／ 447
11.3.2 電荷密度波和自旋密度波／ 452
11.3.3 電荷密度波材料和現象／ 456
11.3.4 準一維有機導體／ 462

第 12 章 關 聯 471

12.1 單電子近似的理論基礎 474

12.1.1 哈特里福克近似／ 474
12.1.2 遮罩庫侖能／ 480
12.1.3 密度泛函理論和局域密度近似／ 483
12.2 費米液體理論 489
12.3 Hubbard 模型，強關聯體系 496

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12.3.1 Hubbard 模型／ 498

12.3.2 金屬絕緣體轉變／ 501
12.3.3 維格納晶格／ 502
12.4 作為強關聯體系的高溫超導體 503
12.4.1 結構和相圖／ 504
12.4.2 電子結構／ 507
12.4.3 正常態存在費米面／ 510
12.4.4 正常態的輸運性質的反常行為／ 514
12.4.5 超導相／ 518
12.4.6 正常態能隙／ 524
12.4.7 條紋相／ 527
12.5 分數量子霍爾效應體系 529
12.5.1 Laughlin 波函數／ 530
12.5.2 分數電荷／ 533
12.5.3 複合費米子／ 534

主要參考書目 537

習題選編 539

主要符號一覽表 557

中文索引 561

英文索引 574

10

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 part

第一章 金屬自由電子氣體模型
第二章 晶體的結構
第三章 能帶論Ⅰ
第四章 能帶論Ⅱ
第五章 晶格振動
第六章 輸運現象
第七章 固體中的原子鍵結
第八章 缺 陷

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第 1章
金屬自由電子氣體模型 ....

1.1 模型及基態性質
1.2 自由電子氣體的熱性質
1.3 泡利順磁性
1.4 電場中的自由電子
1.5 光學性質
1.6 霍爾效應和磁阻
1.7 金屬的熱導率
1.8 自由電子氣體模型的局限性

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 固態物理概論

固體是由很多原子組成的複雜體系。作為第一步近似，也是相當好的近似，可把
固體中的原子分成離子實（ion core）和價電子（valence electron）兩部分。離子實由
原子核和內層結合能高的芯電子（core electron）組成。形成固體時，離子實的變化可
以忽略。價電子是原子外層結合能低的電子，在固體中，其狀況可能和在孤立原子中
十分不同。即使做這樣的簡化，人們面對的依然是一個強相互作用的、粒子（離子
實，價電子）數為 10 22～10 23 /cm 3 的多體問題，難以處理。通常是對特定的方面，抓
住有關問題物理過程的本質，提出簡化的模型加以討論。本書即從一最簡單的，也是
相當成功的模型──金屬的自由電子氣體模型（Free electron model）開始講述。
從對金屬的討論開始，還因為在固態的純元素中，三分之二以上是金屬。金屬優
良的性質，如極好的電導、熱導性能，優良的機械性能，特有的金屬光澤等，使之成
為重要的實用材料。這些性質需要加以說明，得到了解。正是這一點，推動了現代固
體理論的發展。同時，對金屬的了解，也是認識非金屬的基礎。
有關金屬的第一個理論模型，是 1900 年 Drude 提出的。在 1897 年湯姆遜（Tho-
mson）發現電子後，他大膽地將當時已很成功的氣體分子運動論用於金屬，提出了經
典的金屬自由電子氣體模型，用以解釋金屬的電導和熱導行為。1928 年索末菲（Som-
merfeld）首先將費米-狄拉克統計（Fermi-Dirac Statistics）用於電子氣體，發展了量子
的金屬自由電子氣體模型，克服了經典模型明顯的不足。本章的講述即從量子的金屬
自由電子氣體模型及其基態性質開始（1.1 節），隨後是溫度 T≠0 時的平衡態性質，
電子比熱（1.2 節）和泡利順磁性（Pauli paramagnetism）（1.3 節）。在 1.4 節中，將
引進弛豫時間近似（Relaxation-time approximation），並講述準經典模型，即將在外場
作用下的電子看作經典粒子，但其速度取為費米速度的物理原因。在此基礎上將討論
自由電子氣體的輸運性質（1.4，1.6，1.7 節）。在輸運性質以及 1.5 節對光學性質的
討論中，凡不涉及電子速度大小的部分，均可視為完全經典的，經典的處理仍是好的
近似。
本章最後一節（1.8 節），在講述金屬自由電子氣體模型局限性的基礎上，給出
對金屬和整個固體進一步了解的主要方案，即沿用單電子近似，但考慮離子實系統對
電子的作用。由此出發，概括地陳述了本書第一部分內容安排和發展的脈絡。

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 金屬自由電子氣體模型
第 1 章

1.1 模型及基態性質

自由電子氣體模型把金屬簡單地看成是價電子組成的電子氣體。有兩個基本的假
定，或「自由」有兩層含義：

忽略電子和離子實之間的相互作用，電子自由運動的範圍僅因存在表面位能障而
限制在樣品內部。這相當於將離子實系統看成是保持體系電中性的均勻正電荷背
景，類似於凝膠，常稱為凝膠模型（jellium model）。由於正電荷均勻分布，施
加在電子上的電場為零，對電子並無作用。
忽略電子和電子之間的相互作用。為強調這一點，有時將這一假定單獨稱為「獨
立電子近似」。

在討論輸運現象時，還要就電子所受散射做一些附加的假定。將在 1.4 節中講述。

自由電子氣體模型僅有一個獨立的參量，即電子密度 n，給出單位體積中的平均
電子數。由於每摩爾金屬元素包含 NA =6.022 × 10 23 個原子（阿伏伽德羅常數（Avoga-
dro’s number）），單位體積物質的量為 m/A，其中 m 是元素的質量密度，A 是元素的

相對原子量。當每個原子提供 Z 個傳導電子時，電子密度為

Z m
n = NA （1.1.1）
A

對於金屬，典型的數值為 10 22～10 23/cm 3。

也可將每個電子平均占據的體積等效成球，用球的半徑 rs 來表示電子密度的大
小，即

1/3
1 V 4 3 3
= = r ，r =
n N 3 s s 4 n ( ) （1.1.2）

其中 V 是金屬的體積，N 是總的導電電子數，rs 的大小約在 0.1nm 左右。習慣上常用

2
玻爾半徑（Bohr radius） a0 = 4 0 / me2 = 0.529 × 10 1
nm 作為量度單位，其中 0為

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 固態物理概論

真空介電常數，m， e 分別為電子質量和電荷量， = h /2 ，h 為普朗克常量﹙Planck's

constant﹚。對大多數金屬 rs /a 0 在 2 和 3 之間，鹼金屬則在 3 和 6 之間。一些金屬的
Z，n，rs 和 rs /a 0 值列在表 1.1 中。

表 1.1 一些金屬元素的自由電子密度 n，相關的 rs， rs /a 0，費米波向量 kF ，費米能量 F，費

米速度 vF 和費米溫度 TF

n rs kF F vF TF
元素 Z 22 3 1
rs /a 0 8 1 8 1
/10 /10 nm /10 /eV /（10 cm．s ） /104 K
Li 1 4.70 1.72 3.25 1.12 4.74 1.29 5.51
Na 1 2.65 2.08 3.93 0.92 3.24 1.07 3.77
K 1 1.40 2.57 4.86 0.75 2.12 0.86 2.46
Rb 1 1.15 2.75 5.20 0.70 1.85 0.81 2.15
Cs 1 0.91 2.98 5.62 0.65 1.59 0.75 1.84
Cu 1 8.47 1.41 2.67 1.36 7.00 1.57 8.16
Ag 1 5.86 1.60 3.02 1.20 5.49 1.39 6.38
Au 1 5.90 1.59 3.01 1.21 5.53 1.40 6.42
Be 2 24.7 0.99 1.87 1.94 14.3 2.25 16.6
Mg 2 8.61 1.41 2.66 1.36 7.08 1.58 8.23
Ca 2 4.61 1.73 3.27 1.11 4.69 1.28 5.44
Zn 2 13.2 1.22 2.30 1.58 9.47 1.83 11.0
Al 3 18.1 1.10 2.07 1.75 11.7 2.03 13.6
In 3 11.5 1.27 2.41 1.51 8.63 1.74 10.0
Sn 4 14.8 1.17 2.22 1.64 10.2 1.90 11.8
Pb 4 13.2 1.22 2.30 1.58 9.47 1.83 11.0
Bi 5 14.1 1.19 2.25 1.61 9.90 1.87 11.5
取自 N.W.Ashcroft and N.D.Mermin, “Solid State Physics” （Holt, Rinehart and Winston, 1976）

1.1.1 單電子本徵態和本徵能量

我們面對的是溫度 T = 0，在體積 V = L3 內的 N 個自由電子，其中 L 為立方邊的邊

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 金屬自由電子氣體模型
第 1 章

長。獨立電子近似使 N 個電子的問題轉化為單電子問題。單電子的狀態用波函數  r
描述， r 滿足的不含時薛定諤方程為

2
[ 2m
2
]
+V r  r =  r （1.1.3）

其中 V r 為電子在金屬中的位能， 為電子的本徵能量（Eigen-energy）。忽略電子-
離子實的相互作用，在凝膠圖象下 V r 為常數能，可簡單地取為零。方程（1.1.3）成
為

2
2
 r =  r （1.1.4）
2m

與電子在自由空間運動的情形相同，方程有平面波解

ik．r
 r =C （1.1.5）

其中 C 為歸一化常數，由在整個體積 V 中找到該電子的機率為 1 決定，即

2
V
 r d r =1 （1.1.6）

這樣，波函數（1.1.5）可寫成

1 i k．r
k r = （1.1.7）
V

其中用以標記波函數的 k 是平面波的波向量。k 的方向為平面波的傳播方向，k 的大小

與波長 的關係為

2
k= （1.1.8）

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 固態物理概論

將（1.1.7）代入（1.1.4），得到相應的電子能量為

2 2
k
k = （1.1.9）
2m

‹
由於k r 同時也是動量算符 p = i 的本徵態（Eigen-state），即

i k r = kk r （1.1.10）

因而處在k r 態的電子有確定的動量

p= k （1.1.11）

相應的速度為

p k
v= = （1.1.12）
m m

由此，能量（1.1.9）也可寫成熟悉的經典形式

p2 1
= = mv2 （1.1.13）
2m 2

波向量 k 的取值要由邊界條件定。邊界條件的選取，一方面要反映出電子被局限
在一有限大小的體積中﹔另一方面，由此應得到金屬的體性質。對於足夠大的材料，
由於表面層在總體積中所占比例甚小，材料表現出的是其體性質。同時，在數學上，
邊界條件要易於操作。綜合這些要求，人們廣泛採用的是週期性邊界條件（periodic
boundary condition），或稱做 Born-von Karman 邊界條件：

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 金屬自由電子氣體模型
第 1 章

 x + L, y, z =  x, y, z
 x, y + L, z = x, y, z （1.1.14）
 x, y, z + L = x, y, z

對於一維情形，上述邊界條件簡化為 x + L =  x ，相當於將 L 長的金屬線首

尾相接成環，從而既有有限的尺寸，又消除了邊界的存在。三維情形，可想像成 L3 立
方體在三個方向平移，填滿整個空間，從而當電子到達表面時，並不受到反射，而是
進入相對表面的相應點。
附加邊界條件（1.1.14）於解（1.1.7），得

ikx L iky L ikz L

= = =1 （1.1.15）

因而

2 2 2
kx = n ，k = n ，k = n （1.1.16）
L x y L y z L z
nx，ny，nz 為整數

整數指零和正負整數。物理上重要的是邊界條件的附加導致波向量 k 取值的量子化。
單電子本徵能量（1.1.9）因而亦取分立值（Discrete value）。
把波向量 k 看作空間向量，相應的空間稱為 k 空間（k-space）。在 k 空間中許可
的 k 值 用 分 立 的 點 表 示，每 個 點 在 k 空 間 中 占 據 的 體 積 為 k = 2 / L 3 = 8 3 / V（圖
1.1）。k 空間中單位體積內許可態的代表點數，或 k 空間中的態密度（Density-of-state,
DOS）為

1 V
= 3 （1.1.17）
k 8

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 固態物理概論

kz

ky
2 /L

kx

圖 1.1 k 空間中的單電子許可態，圖中僅畫出 ky kz 平面上的一部分，每個點占據的體積為

3
2 /L

1.1.2 基態和基態的能量

T = 0 時 N 個電子對許可態的占據，簡單地由泡利不相容原理決定，即每個單電子
態上最多可由一個電子占據。單電子態由波向量 k 和電子自旋沿任意方向的投影標記。
由於自旋投影只能取兩個值， / 2 或 / 2 ，每個許可的 k 態上，可有兩個電子占據。
N 個電子的基態，可從能量最低的 k = 0 態開始，按能量從低到高，每個 k 態兩個
電子，依次填充而得到。由於單電子能級的能量比例於波向量的平方，N 的數目又很
大，在 k 空間中，占據區最後成為一個球，一般稱為費米球（Fermi sphere），其半徑
稱為費米波向量（Fermi wave vector），記為 kF 。在 k 空間中把占據態和未占據態分開
的界面叫做費米面（Fermi surface）（圖 1.2）。在金屬的近代理論中，費米面是一個
重要的基本概念。
採用 k 空間中態密度的表達式（1.1.17），可得到 kF 和電子密度 n 的聯繫。由於

V 4 3
2× × k =N （1.1.18）
8 3 3 F

10

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 金屬自由電子氣體模型
第 1 章

kz

能量為 F

k 的費米面

ky

kx

圖 1.2 N 個自由電子的基態，在 k 空間中占據態形成費米球

因而

kF3 = 3 2n （1.1.19）

費米面上單電子態的能量稱為費米能量（Fermi energy）

2 2
kF
F= （1.1.20）
2m

相應的還有費米動量（Fermi momentum）pF = kF ，費米速度（Fermi velocity）vF =

kF / m，以及費米溫度（Fermi temperature）TF = F / kB ，kB 為玻爾玆曼常數。對於普通
金屬，這些參數的大體數值是 kF 108 cm 1
， F 2～10eV，vF 108 cm/s，TF 104
～105 K，詳見表 1.1。
單位體積自由電子氣體的基態能量E，可由費米球內所有單電子能級的能量相加
得到

E 2 2 2
k
= （1.1.21）
V V k < k 2m F

11

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 固態物理概論

其中因子 2 來源於每個 k 態有兩個電子占據。採用（1.1.17）式，上式可改寫為

2 2 2 2
2 k 2 k
= 3 k （1.1.22）
V k < k 2m 8 k < k 2m
F F

對於 k→0（即 V→∞）的極限情形，求和過渡為積分，規則為

1 1
lim F k = F k dk （1.1.23）
V V k 8 3

其中 F k 是所有許可 k 值的任意光滑函數。因而

E 1 2 2
k 1 2kF5
= dk = 2 （1.1.24）
V 4 3 k < kF 2m 10m

用（1.1.19）式，可得每個電子的平均能量為

E 3
= F （1.1.25）
N 5

常引入單位體積的態密度，即單位體積樣品中，單位能量間隔內，包含自旋的電
子態數 g 來進行計算。這樣，能量 到 + d 間的電子態數為

dN = Vg d （1.1.26）

設在 k 空間中 和 + d 的等能面球殼，分別對應於 k 和 k + dk，採用 k 空間態密度

（1.1.17）式，有

V
dN = 2 4 k 2dk （1.1.27）
8 3

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第 1 章

用（1.1.9）式將變數 k 改成能量 ，得

1
g = 2 3 2m3 1 2
（1.1.28）

1/2
通常只要記住 g ，具體的表達式需要時並不難推算。
常用到在費米面處的態密度，從（1.1.28）易於得到

3 n
g F = （1.1.29）
2 F

mkF
g F = 2 2 （1.1.30）

基態時每個電子的平均能量，亦可通過 g 計算，即

E F F
= g d / g d （1.1.31）
N 0 0

結果與（1.1.25）式相同。
在 T = 0 的基態，電子的平均能量約為 F 的量級，相當於 104～105 K，這和 Drude
最初的經典模型全然不同。按照經典的觀念，電子的平均能量為（3/2）kB T，T = 0 時
為零。
在統計物理學中，體系與經典行為的偏離，常稱為簡並性（degeneracy）。在 T
= 0 時，金屬自由電子氣體是完全簡並的。由於 TF 很高，在室溫下，電子氣體也是高
度簡並的。

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 固態物理概論

1.2 自由電子氣體的熱性質

T 0 時 N 個電子在本徵態上的分布不能再簡單地由泡利不相容原理決定。要由
費米-狄拉克分布函數，或簡稱費米分布函數給出

1
fi = kB T （1.2.1）
i
+1

其中 fi 是電子占據本徵態 i 的機率， 是系統的化學能（Chemical potential），由

總粒子數

N= fi （1.2.2）
i

決定。求和計及所有可能的本徵態。
在 T→0 時，費米分布函數的極限形式為

1，當 i <
lim fi = （1.2.3）
T 0 0，當 i >

因而，占據態和非占據態在化學能 處有一清晰的分界（圖 1.3）。和上節費米能量

的定義相比

lim = Ｆ （1.2.4）
T 0

fi
1.0 kB T T=0
1
0.5

圖 1.3 T = 0 和低溫下的費米-狄拉克分布函數

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 金屬自由電子氣體模型
第 1 章

/ kB T
在T 0 時，當 i 比 大幾個 kB T 時， i
1，fi 0﹔當 i 比 小幾個 kB T
/ kB T
時， i
1，fi 1。分布函數和 T = 0 情形的差別只發生在 附近幾個 kB T 的範
圍內（圖 1.3）。在室溫附近，kB T / 0.01，分布函數和 T = 0 情形的差別僅出現在非
常接近 處，一些電子被熱激發到 > 的態上，而在 < 處留下一些空態。
本節將以費米統計（Fermi Statistics）為基礎，討論自由電子氣體化學能 隨溫度
的變化，以及電子對比熱的貢獻。

1.2.1 化學能隨溫度的變化

T 0 時自由電子氣體單位體積的內能（Internal energy）為

2 1
u= k fk= k f kd k （1.2.5）
V k
4 3

分布函數中的化學能，如前述，由

2 1
n= fk= fkdk （1.2.6）
V k
4 3

決定。
由於被積函數通過能量 與 k 相聯繫，比較方便的是利用 1.1.2 小節引入的能態密
度，將對 k 的積分改為對能量 的積分

u= 0
g f d （1.2.7）
n= 0
g f d （1.2.8）

上述兩積分可統一地寫成在費米統計中常遇到的積分形式

I= 0
H f d （1.2.9）

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 固態物理概論

當 I 為 u 或 n 時，H 分別為 g 或g 。
對（1.2.9）式做分部積分

f
I=Q f 0
+ 0
Q ( )d （1.2.10）

其中

Q 0
H d （1.2.11）

（1.2.10）式等式右邊第一項，由於在積分上下限時均為零而消失。第二項則由
於 f/ ） 為中心在 處，寬度約為 kB T，類似於 函數的對稱窄峰，可以近似計
算。將 Q 在 處作泰勒（Taylor）展開

1 2
Q =Q + Q' + Q'' +… （1.2.12）
2

代入（1.2.10）式得

f f
I=Q 0 ( )d + Q' ( 0 )d
1 f
+
2
Q'' 0 ( )d + …
2
（1.2.13）

等式右邊第二項，由於 f/ 為 的偶函數而為零。第三項的定積分可以算
出，因此，準確到二級近似

2
2
I=Q + Q'' kB T （1.2.14）
6

由於 T 實際上與 T = 0 時的值 F 非常接近，近似有

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 金屬自由電子氣體模型
第 1 章

Q =Q F + F Q' F （1.2.15）

取H =g ，從 Q 的定義（1.2.11）式，及（1.2.14），（1.2.15）式

2
F 2
n= g d + F g F ﹢ g' F kB T （1.2.16）
0 6

等式右邊第一項為基態電子密度，由於電子密度與溫度無關，與等式左邊相消，因而

2 g' F 2
= F kB T （1.2.17）
6 g F

1/2
對於自由電子氣體，g ，可得

2 2
kB T
= F[ 1
12 ( )] F
（1.2.18）

2
室溫下， kB T / F ～10 4，化學能 與 F 很接近，常把 也稱為費米能量。

1.2.2 電子比熱

取H = g ，從（1.2.14）及（1.2.15）式得

2
F d 2
u= g d + Fg F F + g kB T （1.2.19）
0 6 d F

將（1.2.17）式代入，注意等式右邊第一項為基態單位體積的內能 u0，則

2
2
u u0 = g F kB T （1.2.20）
6

實際上，由於泡利不相容原理的限制，T 0 時，電子的熱激發僅發生在費米面

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 固態物理概論

附近。能夠被熱激發的電子數約為 g F kB T，每個熱激發的電子平均獲得的能量約為
kB T，因此，u u0 大約為 g F kB T 2，和比較準確的計算只差 2
/ 6 的因子。
利用（1.1.25）及（1.1.29）式，（1.2.20）式可改寫為

2
5 T
[
u = u0 1 +
12 ( )]
2
TF
（1.2.21）

這也是常用的形式。
從內能可得到自由電子氣體的比熱

2
u
cV = ( ) =
T n 3 B
k2 g F T （1.2.22）

與溫度 T 成正比，常寫成

cV = T （1.2.23）

的形式， 稱為電子比熱係數，比例於費米面上的態密度。這一結果，並不僅只適用
於自由電子氣體。在第三章考慮離子實對電子的作用，電子許可能級形成能帶時也正
確。通過電子比熱測量得到 g F ，是研究費米面性質的一個重要手段。
將有關 g F 的（1.1.29）式代入，得

2
T
cV = nkB （1.2.24）
2 TF

可見在室溫附近，和離子實系統（晶格）比熱的杜隆-珀蒂（Dulong-Petit）值，每離
子實 3kB 相比，電子比熱僅為 T / TF 1%左右。然而在低溫下，晶格比熱按 T 3 下降
（5.2.3 小節），最終在 10K 左右或更低的溫度下會小於電子比熱。低溫下金屬的總
比熱可寫成

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 金屬自由電子氣體模型
第 1 章

cV = T + T 3 （1.2.25）

的形式。將比熱測量的結果，作 cV / T 對 T 2 變化的圖，從直線在 cV / T 軸上的截距可得

值。表 1.2 給出一些金屬電子比熱係數的實驗值 exp，以及和自由電子氣體模型計算

值 free 的比較。對很多金屬，兩者接近。但對多價金屬（如 Bi，Sb）和過渡族金屬，

兩者相去甚遠。過渡族金屬的 exp 一般較大，約 5～10mJ/mol．K2，且從元素到元素變

化很大。這將在 4.5.4 小節中討論。

表 1.2 一些金屬元素電子比熱係數的實驗值 exp，以及與自由電子氣體理論值 free 的比較

exp exp
元素 1 2 exp / free 元素 exp / free
/（mJ．mol ．K ） /（mJ．mol 1．K 2）
Li 1.6 2.2 Bi 0.08 0.045
Na 1.4 1.3 Sb 0.11 0.067
K 2.1 1.3 Ti 3.4 6.1
Cu 0.70 1.4 V 9.3 16
Ag 0.65 1.0 Cr 1.4 1.8
Au 0.73 1.1 Mn（ 相） 9.2 15
Mg 1.3 1.3 Fe 5.0 8.0
Al 1.4 1.5 Co 4.7 7.1
Pb 3.0 2.0 Ni 7.0 11
注： exp 取自 C.基泰爾《固態物理導論》，科學出版社，1979，表 6.2。
過渡族金屬 free 的計算，除 Cr 的 Z 取 1 外，其他 Z = 2。

自由電子氣體比熱的量子理論，解決了早期 Drude 經典理論的困難。按照經典理

論，每個電子的平均動能為 3 / 2 kB T，對比熱的貢獻為 3kB /2，與晶格比熱有相同的
數量級。實際上只是費米面附近 kB T 範圍內的電子有貢獻，占電子總數的 g F kB T / n
T / TF 。

19

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 固態物理概論

1.3 泡利順磁性

電子具有大小為 1 個玻爾磁子（Bohr magneton）的磁矩

e 24
B= = 9.27 × 10 A．m2 （1.3.1）
2m

對於經典的自由電子氣體，磁化率 隨溫度的變化應遵從居里定律（Curie's law），比

例於 1 / T 變化。但實際上，簡單金屬的磁化率，在 T TF 時，近似為常數，數值也
比經典值小很多，在室溫下，約小兩個數量級。
由於在外場 B 的作用下，電子自旋磁矩有與外場平行及反平行兩個取向，可將態
密度曲線分成兩半，分屬不同的磁矩方向（圖 1.4 ）。外場使這兩半沿能量軸向相
反方向平移 BB（圖 1.4 ）。這種平移，在圖中畫得很明顯，實際上是很小的。B 為
5
1T 時， BB 約為 10 eV，遠小於通常數量級為幾個 eV 的 F 值。對於磁矩方向與外場

方向相反的電子，能量較高的電子將磁矩反轉，填到磁矩與外場方向相同的空態上。
體系平衡時，兩種磁矩取向的電子有相同的化學能（圖 1.4 ）。

1 1 1 1 1 1
g g g g g g
2 2 2 2 2 2
B=0 B 0，未平衡 B 0，達到平衡

圖 1.4 金屬泡利順磁性的物理機制示意

發生磁矩反轉的電子數為

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 中文索引

元激發 184
一劃
內能 15
一維子帶 352, 395 內聚能 246
一維伊辛鏈 296 六角布拉維晶格 64, 71
六角密堆積結構 63
二劃 六角晶系 55, 60

二維子帶 411～412, 416 公度 429

二維電子氣體 412, 529 公度相 443～445

分子軌道法 241, 243～244
三劃 分子晶體 41, 239～240, 245～246, 259～
262, 390
三角布拉維晶格 163
分立值 9
三角晶系 55
分裂柵 414, 417
三斜晶系 52
分數量子霍爾效應 422～423, 471, 473～
刃位錯 293
474, 529～530, 531, 533～536
大角度散射 217, 219
分數電荷 466, 474, 530, 533～534
大角度晶界 300
化學能 14
子晶格 66
化學鍵 240～241, 245, 249
小角度散射 218
反成鍵態 242～243, 245, 396
小角度晶界 300
反型層 339～340, 412, 414, 418, 420, 428
四劃 反射比 28～29
反射高能電子繞射 81
不可壓縮的量子液體 533
反弱定域化 333
不確定原理 22
反斯托克斯線 195
中子繞射 73, 80～82
幻數 380～388
介觀尺度 351～353, 356～357, 365
方塊電阻 330
介觀物理 351
比熱 4, 15, 17～19, 21, 34～35, 134, 163～
介觀體系 306, 335, 349～350, 351, 358, 360

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 固態物理概論

164, 170, 184～185, 187～191, 198～200, 布拉格條件 73, 76

202, 218, 224, 305, 307, 340～346, 372～ 布拉維晶格 37～45, 47, 51～58, 60～64,
379, 432, 440～441, 445, 458, 468, 494～ 66～72, 75～77, 91, 93～95, 105, 117,
495, 503, 520～521, 525～526 162～163, 170～172, 175, 192, 473
布洛赫定理 87, 90～91, 94, 106, 110, 116～
五劃
117, 173, 306, 473
主軸 49, 54, 60 布洛赫波函數 90～91, 106, 109～110, 131,
加工硬化 295 206, 216, 245, 277～278, 497
功函數 153, 512 布洛赫振盪 138
半金屬 140, 161～163, 314, 373, 467 布洛赫-格林艾森 T 定律 219
半經典模型 127～131, 133, 135～137, 139, 布洛赫電子 91, 95～96, 128～129, 137, 143,
147, 208, 315 145～147, 203, 206
半導體 36, 63, 103, 120, 128, 136, 140～142, 布洛赫壁 298～299
161, 207, 224～225, 231～232, 240, 247, 平均自由程 22, 24, 26
249, 268, 274, 280～281, 283～284, 312～ 平移群 38, 52～53
314, 339～340, 351, 370, 390, 393～396, 平移對稱性 38, 40, 47～48, 51, 53～54,
404, 409～410, 412, 420, 428, 448～449, 66～68, 89～90, 92, 94, 96～97, 99, 111
453, 463～464, 489, 503, 515, 526 平移對稱操作 52
四方晶系 504 弗侖克爾缺陷 269
布里淵區 70～72, 97, 102～103, 110, 116～ 本徵半導體 140～142, 225, 268, 280, 283～
125, 132, 137～138, 156～158, 160～161, 284, 526
163, 170, 174, 177, 181, 185～ 186, 189～ 本徵能量 7
190, 194～195, 201, 203, 219, 249～250, 本徵態 8
278, 313, 368～370, 393～395, 434, 447～ 正交化平面波 115
449, 452, 510～512, 520～522, 526 正交晶系 65, 458, 504
布里淵散射 195 正常費米液體 493～494, 512～513, 515～
布拉格反射 76, 78～79, 100, 103, 137, 174 517
布拉格平面 75～76, 101～102, 105, 122 正常過程 201
布拉格角 76 正常態能隙 524～527, 529

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 索 引

正晶格 68 弛豫時間 4, 22, 24, 34～36, 152, 200～201,

石墨 36, 163 209～211, 213～214, 218, 221, 230, 325,
石墨夾層化合物 429 332～333, 345, 351, 360, 370, 489～490
立方密堆積 64 弛豫時間近似 4, 36, 209～210
立方晶系 49～50, 58, 62 成核 81
成鍵態 242～243, 245, 249, 396
六劃
米勒指數 44
交換能（勢） 112, 298～299, 474, 476, 479, 自由電子近似 36, 38, 123
480, 483, 488, 496 自由電子氣體模型 4
交疊積分（重疊積分） 310 自旋-軌道散射 333
光電子譜 120, 127～128, 153～158, 160, 自旋密度波 455
164～165, 388～389, 504, 510～513, 521 自旋磁矩 20
～522, 526～527 自擴散 272
光學支 175, 177～178, 185, 189～190, 285
七劃
共振價鍵態 245
共振增強 256, 258 位形熵 270
共價晶體 41, 239～240, 245, 247～248, 位錯 268, 274, 293～296, 301, 441～443
256～257, 265 伯格斯向量 294～295, 441～442
共價鍵 162, 244～245, 247～248, 256, 258, 低能電子繞射 80
265～266, 277～278, 462 吸收係數 28～29, 31, 345
各向異性 35, 44, 59, 163, 298～299, 447, 局域密度近似 90, 112, 473～474, 483, 487
457, 515, 522～523 序參量 268, 286～291, 293, 296～297
回旋共振 152 序參量空間 268, 288
回旋等效質量 143 快離子導體 277
回旋頻率 32, 136, 143, 146, 149, 152, 418 扭折 296～297, 301, 430, 463
多型性 64 扭轉晶界 300
多型體 64 杜隆-珀蒂定律 184
安德森定域化 306, 316 肖脫基缺陷 269
安德森轉變 312, 502 角分辨光電子譜 120, 128, 156～158, 160,

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 固態物理概論

164～165, 504, 510～511, 521～522, 526～ 空位 210

527 空晶格模型 117
角回旋頻率 136 空間群 38, 45, 52
芯電子 4
八劃
近距排斥能 251, 260
佩爾捷係數 233 近藤效應 222～224
佩爾捷效應 232～233 近藤單態 224
兩能級隧穿模型 340, 343～344 金剛石結構 36, 62～63, 66, 161, 178, 247,
受主 280 249～250
固體 C60 388, 390 金屬-絕緣體轉變 501～502
奈米微粒 349～350, 371～372 金屬鍵 245, 265
孤子 296, 298, 447, 463～467 長程序 301, 307, 314, 410, 430～432, 434～
定域化長度 308, 312, 320, 323, 325, 335～ 437, 439, 441, 451, 506
336 阿伏伽德羅常數 5
定域態 240, 267～268, 277, 280, 306, 308, 阻尼項 24
310, 312～314, 320～321, 335, 338, 421～ 非公度 429
422, 427, 462, 464～465, 502 非平衡分布函數 206～207
定程跳躍 338 非本徵半導體 268, 280, 283～284
屈服應力 295 非晶態 305～307, 312～314, 339～344,
底心正交布拉維晶格 57 346～347, 379, 380
底心單斜布拉維晶格 54, 57 非費米液體行為 474, 496
拉曼散射 195 非彈性中子散射 194, 506
拓撲序 437, 440 非彈性散射 73, 155, 191, 193～194, 229,
拓撲性相變 437 325～326, 329, 350～352, 354
拓撲缺陷 286, 288～291, 293 非簡並半導體 142
波序 384, 387 非簡諧項 170～171, 196, 199, 203
泡利不相容原理 10
九劃
泡利順磁性 4
泡利順磁磁化率 21 哈特里近似 111, 474, 476, 483, 486, 491

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 索 引

哈特里-福克近似 474, 477 原子軌道的線性組合 106

持續電流 366, 369, 370～371 原胞 40
施主 280 原胞法 114
洛倫玆力 32 庫侖阻塞 349～350, 397～400, 404, 406～
玻爾玆曼方程 205～208, 210, 212, 225, 407, 412
229, 234, 306, 316, 327, 345, 495, 515 庫侖阻塞振盪 406
玻爾磁子 20, 423 庫侖島 402
相干長度 291 庫侖隙 400
相對介電常數 27～28 庫珀對 207, 291～292, 518～519, 527
科勒定則 238 弱定域化 238, 306, 317, 324～325, 328～
胡克定律 295 335, 350, 355～356, 362
負電性 257～259, 265 弱週期位能場近似 115
重費米子材料 134 晉升能 249
面心正交布拉維晶格 57 朗道能級 146
面心立方布拉維晶格 42, 77 朗道參量 494
面缺陷 268, 286, 296, 297, 301 朗道管 146
朗道環 146
十劃
格林艾森常數 198
倒易空間 69, 72 消光係數 28
倒晶格 37～38, 66, 68～72, 75～79, 94～98, 缺陷 268～269, 271～272, 274, 276～277,
102～104, 118～120, 122～125, 156, 163, 280, 284～286, 288～291, 293, 296
170, 173, 178～190, 193～194, 201, 216, 能帶 97
313, 396, 436 能帶指標 97, 111, 118, 128, 130, 133, 206,
倒晶格向量 69, 71～72, 75～78, 96～98, 278
102, 104, 118, 122, 124, 156, 179, 193～194, 能帶結構 90, 97, 111, 115～117, 120, 125
201, 216, 396, 436 能帶絕緣體 142
倒晶格空間 69～70, 76, 95, 122, 123, 125, 能隙 101, 103, 123, 158, 160
163, 173, 179, 190 退定域 263
原子形狀因子 76 退相位長度 329, 335, 350～351

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 固態物理概論

退相位時間 329 氫鍵 245, 259, 265

配位數 41 氫鍵晶體 245, 259, 265
釘扎 295, 453, 455～456, 459～461, 522～523 混合鍵 245, 265
閃鋅礦結構 62 混價系統 166
馬西森定則 221 深缺陷 284
馬德隆常數 252 深能級 284
高布里淵區 121～122, 160 理想電阻率 221
高溫超導體 447, 471, 474, 503～504, 506, 異質結 370, 412, 415, 420, 422, 428
510, 513, 515, 518～524 第 1 布里淵區 70～72, 97, 102～103, 116～
高解析電子顯微術 73 119, 121～122, 124～125, 138, 156, 160～
161, 163, 174, 177, 185～186, 189～190,
十一劃
201, 249, 313, 368～369, 393~395, 434,
偶極矩 31 447～448, 521～522, 526
剪切模量 295 粗糙溫度 302
勒納-瓊斯 6-12 能 381 粗糙轉變 301, 302
動量序 384 脫溶硬化 295
1/4
動量空間（k 空間） 384, 519 莫特 T 定律 338
堆垛層錯 300～301 莫特金屬絕緣體轉變 502
基元 39～40, 44, 51, 58, 60～64, 66, 76～ 莫特絕緣體 501
78, 103～104, 161, 163, 170, 175, 177, 183, 軟模 451
249 雪茄 125
基向量 38, 40～44, 51～55, 69～71, 94～95,
十二劃
178, 391
密度泛函理論 112 最小金屬電導率 315
強關聯 36 剩餘電阻率 221～222
從頭算起 38 勞厄法 78～79
掃描隧穿顯微鏡 39, 73, 82 勞厄條件 73, 75～78, 103, 199
旋轉相變 261 單色波 27
條紋相 527 單胞 58, 60～61, 63～65, 71, 77～78, 156,

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 索 引

505, 509 343, 352, 368～369, 377, 379, 390～391,

單斜晶系 51, 53～54 396, 414, 427～430, 432～434, 436, 441,
單電子近似 4, 36, 89, 128, 142, 145, 335, 443～444, 447～449, 451～460, 462, 464
447, 471, 473～474, 483, 489～490, 497, ～466, 468, 473～474, 495, 497, 499, 501～
499, 529 504, 527, 532～533, 535
單電子島 401～404 晶格比熱 18～19, 170, 184, 191, 341
場離子顯微術 73 晶格向量 40～41, 44, 47, 51～53, 58, 67～69,
帽子 125 71～72, 75～78, 91, 93, 95～98, 102, 104,
幾何結構因子 76～78, 104 108～109, 118, 122, 124, 156, 170, 172,
插層化合物 163 193～194, 201, 216, 293～294, 309, 396,
斯托克斯線 195 436
普朗克公式 208 晶格波 38, 173, 173, 174, 177～178
普適電導漲落 357～361, 369 晶格波動量 184, 192, 201
晶向 44, 58 晶格振動 1, 82, 89, 126, 167, 169～170,
晶系 38, 49～55, 57～58, 60, 62, 65, 160, 172～173, 175, 180, 182～183, 188, 191,
458, 504 193～194, 206, 208, 214, 240, 263, 268,
晶界 268, 274, 296, 300～301, 379～380 273, 285, 306, 377, 379, 433～434, 441, 451
晶面 44～45, 58, 71, 72, 76, 156, 256, 293, 晶格常數 38, 58, 65, 71, 79～80, 110, 135～
295～296, 300～302, 515 136, 154, 249～250, 256, 260, 262, 265,
晶格 1, 18～19, 30, 37～45, 47, 51～58, 278, 312～313, 316, 369, 390～391, 414,
60～71, 73, 76, 78～80, 82, 88～89, 91, 429, 447～448, 452, 497, 499, 501, 504, 532
93～99, 102～105, 107～111, 113, 117～119, 晶格結構 38～39, 66, 73, 156, 162～163,
121～126, 128, 130, 132～137, 145, 154, 252, 390, 430, 451, 456～457, 468, 497, 504
156～160, 162～163, 167～170, 172～180, 晶格點 40
182～186, 188～194, 196, 198～201, 203, 晶類 51
206, 208, 214～219, 228, 240, 249～250, 晶體動量 96, 128, 130, 156, 191, 195, 200～
252, 255～256, 260, 262～263, 265, 268, 201, 216, 313, 325, 450～451
270～271, 273～274, 277～278, 285～286, 晶體動量守恆律 191, 195, 200
293～295, 306～307, 309, 312～316, 341, 晶體學點群 48

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 固態物理概論

替代雜質 269 費米能量 6, 11, 14, 17, 140, 153, 223, 322～
渦旋線 268, 290～293 323, 371, 396, 509, 526
測量反射 28 費米動量 11
無規行走 272 費米液體理論 396, 471, 473, 489～490,
短程序 307, 313, 435, 437, 446 492～496, 504, 535
稀土金屬 163～165 費米球 10～11, 22, 25, 160, 162, 212, 220,
等效質量 128, 133～134, 137, 139, 143, 449, 450
163, 213～214, 220, 236, 250, 279～280, 費米統計 15
411～412, 465, 493～495, 412, 593 費米速度 4, 6, 11, 236, 314, 480
結合能 4, 153, 240, 246～249, 251～252, 費米溫度 6, 11, 188
254～256, 258, 260～261, 263, 265, 444, 費米截止 153, 526
501 費克第一定律 271
絕熱近似 88, 168, 214, 241, 472 費克第二定律 272
絕熱輸運 424 費恩曼路徑 327, 360～363
絕緣體 34, 36, 128, 136, 140, 142, 163, 168, 貴重金屬 33, 160～161, 163, 222, 388
261, 274, 284, 312, 317, 321～325, 336, 超流動性 290, 384～385, 429
397, 421, 459, 497, 499～502, 504～507, 超導電性 135, 207, 290, 293, 378, 384,
509, 527 390～391, 429, 453, 467, 473, 503～506,
紫外光電子譜 153 515, 518, 526～527, 529
費米分布函數 14, 207, 231, 418, 481, 492 超離子導體 277
費米-狄拉克統計 4 週期布里淵區圖式 97
費米波向量 6, 10, 316, 371, 447～448, 452 週期位能場近似 115
費米面 10～11, 13, 17～19, 21, 36, 87, 90, 週期性邊界條件 8, 94, 96, 174, 178, 350,
121, 123～124, 127～128, 134, 145, 147, 393
149～152, 158～161, 163, 207, 212, 214, 量子晶體 262～264
216～220, 228, 236, 312, 314, 318～319, 量子霍爾效應 410, 417～424, 471, 473～474,
322, 369, 371～372, 390～391, 423, 448～ 529, 530～531, 533～536
454, 456, 467, 479, 490, 493～495, 510, 量子點 404～407, 410, 412, 416～417
512～513, 518～522, 526, 536 量子點接觸 416

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 索 引

鈣鈦礦結構 60 164, 199, 372～373, 503, 520～521, 525～

開爾文關係 233 526
電子比熱係數 18～19, 134, 525～526
十三劃
電子波包 124, 160, 162～163
傾側晶界 300 電子波導 416, 418, 427
填隙原子 269 電子密度 5～6, 10, 17, 28, 33, 35, 111～112,
填隙雜質 269 123, 141, 265, 414, 452, 476, 483～488,
愛因斯坦函數 189 496, 502, 533, 536
愛因斯坦溫度 190 電子繞射 39, 73, 80～81, 382
愛因斯坦模型 189 電阻率 34, 44, 121, 163, 211, 217～225,
愛因斯坦頻率 189 235, 238, 274, 317, 328, 330, 357, 365, 421,
愛因斯坦關係 277, 319 453, 458, 495, 514～517, 525
極化子 447, 466～467 電洞 128, 138～142, 160, 162～163, 225,
極端軌道 150～152 232, 237, 250, 280, 282～ 284, 420, 449～
滑移面 52, 64, 295 450, 463, 465, 482～483, 489, 496, 501,
準一維有機導體 447, 457, 462, 467 503, 506～507, 509～510, 512, 515～516,
準一維導體 390, 410, 447, 466～467 528～529, 534
準長程序 435, 437, 439 電荷密度波 410, 447, 452～453, 455～456
準粒子 184, 206, 264, 490～496, 510, 512～ 電荷轉移模型 505
513, 520, 533～535 電荷轉移鹽 467
準晶 39 電漿振盪 31
準經典模型 4, 21, 23, 34, 128, 131, 315 電漿頻率 27
準簡諧近似 196, 198～199 電導率 24～26, 30, 32, 34～36, 59, 151,
萬尼爾函數 109 163, 168, 205～207, 211, 213～214, 224～
跳躍電導 336～338 225, 228～230, 235～237, 274, 276～277,
過渡族金屬 19, 105, 163～164, 220, 498, 283～284, 312, 315～316, 319, 322～324,
500, 507 328～329, 335～338, 357, 421, 458～ 459,
過程 201 462～464, 467, 500～502
電子比熱 4, 17～19, 21, 34～35, 134, 163～ 電導量子化 417～418

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 固態物理概論

電擊穿 136 磁通線 268, 290～291, 293, 523, 533～536

電離度 244, 251, 258～259 磁擊穿 136
電離能 258, 265, 280, 284, 498 碳奈米管 388, 391～396
緊束縛近似 87, 105, 108, 110, 133～134,
十四劃
160, 163, 245, 264, 284, 309～310, 498～
團簇 350, 380～389 499
對稱元素 50～51, 53, 63 綴加平面波方法 114
對稱化原胞 41 維度的跨接 446
對稱性 45 維格納晶格 503, 533
對稱群 45 維格納-賽茨原胞 41
對稱操作 38, 45～46, 48～53, 58～59, 63, 維德曼-弗蘭玆定律 35
72, 117 隙間態 509～510
態密度 9～10, 12～13, 15, 18, 20, 84～85, 齊納擊穿 136
90, 95, 121, 125, 134, 141, 147, 151, 153,
十五劃
155, 161, 163～164, 174, 178, 190～191,
212, 220, 306, 312～314, 318, 336, 343, 價帶 140～142, 153, 155, 163, 249～250,
369, 371～372, 390～391, 394～396, 399, 274, 278, 280, 282～284, 312～313, 390,
418, 433～435, 465, 480～481, 486, 494, 393～394, 464～465, 509
499～500, 521, 526 價結構 245
慣用單胞 57 價電子 4～5, 21, 88, 97, 112, 115, 120～
漂移速度 23 121, 123, 153, 159～163, 165, 168, 240～
熊夫利符號 46 241, 245～246, 249, 251, 256～257, 264～
磁化率 20～21, 149, 224, 373～378, 463, 265, 274, 280, 309, 312, 447～448, 462,
495, 526 472, 496～497, 499
磁長度 530 價漲落現象 166
磁阻 3, 31, 33～34, 205, 234～236, 238, 價鍵法 241, 243, 245
331～333, 355～356, 419 彈性散射 73, 155, 191～195, 211, 216, 229,
磁通量子 293, 332, 355, 367, 419, 530, 306, 308, 325～327, 329, 350～352, 354,
534～536 356, 360, 370, 396, 414～416

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 索 引

彈道輸運 396, 410, 415～417

十六劃
德哈斯-範阿爾芬效應 145, 150
德拜 T3 定律 187 凝膠模型 5, 385～387, 472, 477, 479
德拜比熱函數 187 壁 267～268, 289, 296～299, 355, 391,
德拜波向量 187 393～396, 430～432, 463～ 465, 529
德拜近似 188～191, 433 導帶 140～142, 163, 165～166, 206, 223,
德拜溫度 187～189, 346 232, 249～250, 274, 278～284, 312～313,
德拜頻率 187 390～391, 393～394, 405, 412, 456, 464～
德玻爾量子參數 263 465, 509
標度理論 305, 317, 319, 321～325 整數量子霍爾效應 420～422, 424, 535～536
熱活化能 272, 274, 284 橫向磁阻 33
熱電位 205～207 澤貝克效應 229
熱導率 34～35, 170, 196, 199～202, 225, 激子 467, 501
228～229 獨立電子近似 5, 7, 21, 36
熱膨脹 170～171, 196, 198 糕模能 113～115
範德瓦耳斯力 259, 266 親和能 258
線缺陷 268, 286, 297, 301 霍爾角 235, 516～517
蝴蝶 125 霍爾係數 32～33, 139, 205, 207, 234～237,
複合費米子 474, 530, 534～536 412, 495, 515
複式晶格 66, 103～104, 178, 185～186, 189 霍爾效應 3, 31～32, 410, 417～424, 426,
複數介電常數 27 471, 473～474, 516～517, 529～531, 533～
複數折射率 28 536
複雜空間群 52, 62
遮罩長度 482, 501 十七劃
遮罩庫侖能 474, 480, 483, 501 應力 295
遷移率 225 應變 152, 293～294
遷移率邊 312～313, 315, 322, 338 環量量子 291
環繞數 287～288
聲子 126, 170, 182～184, 190～196, 199～

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 固態物理概論

201, 203 簡單空間群 57, 63

聲子曳引 231 簡單金屬 20～21, 35, 159～160, 163, 222,
聲子曳引熱電位 231 385
聲學支 175, 177～178, 185～186, 189～190 簡單單斜布拉維晶格 54
聲學模 175 簡單晶格 55, 66, 178, 186, 192, 215
螺位錯 293 簡諧近似 169～171, 196, 198～199, 206,
螺旋軸 52 474
鍵形成能 249 離子半徑 254～255, 265
鍵的極性 243 離子晶體 177, 239～240, 245～246, 251～
點缺陷 240, 267～269, 271, 277, 285～286, 252, 254～258, 260, 265, 268, 274
289, 293, 301, 430, 523 離子實 4
點群 38, 45～46, 48～55, 58～60, 72, 116～ 離子鍵 244
117, 133, 179 雜化能 248
點對稱操作 46 雜質子 264
雜質半導體 140
十八劃
雜質系綜 357
擴展布里淵區圖式 97, 123～124 雜質能級 277, 280～284
擴散係數 264, 271 雜質帶導電 284
擴散熱電位 231 雙極化子 466
簡正座標 170, 180～183, 196
十九劃
簡正模 169, 173, 180, 183～184, 186, 190,
194, 198, 203, 215, 217 疇壁 296～299, 430～432, 463～465, 529
簡約布里淵區 97, 119, 121, 124, 138, 156 疇壁能 297, 299, 431～432, 463
簡約布里淵區圖式 97, 119, 124, 138, 156 譜測量 85
簡單三斜布拉維晶格 57 邊緣通道 423～427
簡單六角布拉維晶格 43, 71 邊緣態 410, 422, 424～425, 427
簡單四方布拉維晶格 57 關聯函數 435～436, 439, 443, 446
簡單正交布拉維晶格 57 關聯長度 437, 441, 446
簡單立方布拉維晶格 42 關聯能（勢） 112～113, 477, 479, 486～

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 索 引

488, 496, 500, 502～503

二十三劃
類磁通 293
能 115, 256 變程跳躍 337～339
能隙， 隙 314 體心四方布拉維晶格 57
體心正交布拉維晶格 57
二十二劃
體心立方布拉維晶格 42, 57
孿晶界 300 體積彈性模量 197～198
彎曲電阻 415

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 固態物理概論

英文索引

A I

Aharonov-Bohm（AB）效應 354 Ioffe-Regel 判據 316, 515

B K

Born-Oppenheimer 近似 88 KKR 方法 115

Büttiker 公式 354 Kohn 反常 451
Koopmans 定理 477
C
K-T 相變 302, 437～441
C60 120～121, 388～391
L
CaF2（結構） 61～62
CsCl 結構 60～61, 252, 255 Landauer 公式 354, 356
Laughlin 波函數 474, 530～531, 533～535
D
Lindemann 判據 432, 441
d 波配對 518～520 Lorenz 數 35
de Haas-Shubnikov 效應 151 Luttinger 定理 490, 513
Drude 模型 21, 214 Luttinger 液體 396, 496

E M

Ehrenfest 定理 22 Mackay 二十面體 382

Ewald 球 78～79 Mooij 判據 317
MOSFET 358
H
N
Hubbard 模型 471, 474, 496, 498, 500～501
n 型半導體 283
NaCl 結構 62, 252

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 索 引

Neumann 原理 59
V
N 過程 201, 216
van Hove 奇異 126, 190
P
W
Peierls 相變 396, 447, 449, 451～452, 456,
462～463, 467 Wyckoff 符號 65
Potts 模型 445
p 型半導體 283～284 X
sp3 雜化 162, 247～249, 388 X 射線光電子譜 153
X 射線繞射
T 38～39, 73～78, 80
xy 模型 286, 290
Thouless 比 318

U
鍵 243
U 過程 201～202 鍵 243

575

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 北京大學出版社，2003 年 8 月。原著作版權歸北京大學出版
社所有，原作者閻守勝，本書為北京大學出版社授權（台灣）
五南圖書出版股份有限公司在台灣地區出版發行繁體字版。
國家圖書館出版品預行編目資料
固態物理概論 = fundamentals of solid state physics ／閻守
勝編著. －－ 初版. －－ 臺北市：五南, 2006[民 95]
面； 公分
參考書目：面
含索引
凝煉知識‧品味閱讀 ISBN 957-11-4200-X（平裝）

1.物理學

339 94025137

5BA4

固態物理概論
Fundamentals of Solid State Physics
I S B N 957-11-4200-X
編 著 閻守勝
校 訂 倪澤恩
文字校對 李雅智
責任編輯 陳玉卿
封面設計 莫美龍
發 行 人 楊榮川
總 編 輯 王秀珍
出 版 者 五南圖書出版股份有限公司
地 址 台北市大安區(106)和平東路二段 339 號 4 樓
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劃撥帳號 01068953 戶名：五南圖書出版股份有限公司
法律顧問 財團法人資訊工業策進會科技法律中心
出版日期 2006 年 7 月初版一刷
定 價 新臺幣 680 元

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