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前 言
奈米材料和奈米技術是 20 世紀 80 年代末迅速崛起的一門新學科(奈
這個研究領域是人類過去很少涉及的非巨觀非微觀的中間領域,對這個領
域的研究和開發,將會促使人類在科學技術領域邁入一個嶄新的時代──
奈米科技時代。科學家們預言奈米技術將在 21 世紀發揮巨大的作用。
在奈米科技中,奈米材料和奈米電子元件是最重要的研究內容,其中
奈米電子學尤為重要,因為它是微電子學發展的下一代。奈米電子學研究
的對象不僅尺寸是奈米的,而且訊號處理時間是奈秒的,訊號功率也是奈
焦的。在奈米電子元件中的電子不僅表現出粒子性,而且更多地表現出波
動性。
奈米材料大致可分為零維奈米微粒(奈米粉、奈米顆粒、量子點和原
子團簇)、一維奈米纖維(管、線、棒)、二維奈米膜、三維奈米塊體
等。目前已出版了許多有關奈米材料和奈米技術方面的著作,但很少看到
有關奈米薄膜方面的論著。
奈米薄膜是指由尺寸在奈米量級的晶粒構成的薄膜,或將奈米晶粒鑲
嵌於某種薄膜中構成的複合膜,以及每層厚度在奈米量級的單層或多層
膜。這類材料具有很特殊的物理特性和化學特性,並在奈米電子學中有重
要的作用。
本書所編著的內容,主要介紹當前有關奈米薄膜材料製造、元件和應
用的前瞻資料,其中也包括中國學者和我們自己的研究工作。在編寫過程
中我們力圖做到:基本概念清楚且易於理解,儘可能反映當前的學科先進
水準,簡明、系統地介紹奈米薄膜的製造方法、各種特性和應用情況。
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2 前 言
本書共分九章,主要內容如下:
奈米學的基本概念和內涵、奈米微粒和奈米薄膜。
奈米薄膜材料的各種製造方法及物理、化學性能。
矽基奈米薄膜材料與元件,包括矽、鍺、SiC、多孔矽等奈米發光
材料。
奈米半導體薄膜的電子轉移。
奈米粒子的單電子電導。
本書可作為相關專業高年級本科及研究生的教學參考書,對從事奈米
材料和奈米電子元件研製、生產和使用的專業人員有一定的參考價值。
寫。
由於能力水準有限,本書中的錯誤和缺點在所難免,我們衷心希望得
到讀者的指正。
陳光華
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出版者的話
展起來的新興學科領域。它的快速發展將在 21 世紀使幾乎所有的工業領域
產生變化。科技工作者在奈米科技研究方面已經取得了重要的進展。
在知識創新的環境下,為滿足讀者對新知識、新技術的需要,我們規
劃了一套《奈米研究與應用系列》叢書。目前該系列叢書包括如下:
奈米時代(Nano Times)
奈米材料(Nano Materials)
奈米陶瓷(Nano Ceramics)
Application)
奈米纖維(Nano Fiber)
奈米金屬(Nano Metal)
奈米碳管(Carbon Nanotubes)
奈米光觸媒(Nano Photocatalyst)
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2 出版者的話
奈米生物科技(Nano Biotechnology)
對此系列叢書,我們秉持著出版人的堅持,會持續不斷的更新和增加
新的書種。
希望本系列叢書對於從事新技術研發和奈米材料研究的科技人員有所
幫助。
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目 錄
第 1章 導 論 1
1.1 奈米學的基本概念和內涵 2
1.1.1 奈米學的基本概念 2
1.1.2 奈米材料研究範圍和內容 3
1.1.3 奈米材料的電子結構 4
1.1.4 奈米材料研究中的物理問題 6
1.1.5 奈米材料的化學性能 10
1.2 奈米微粒 14
1.3 奈米薄膜 16
1.4 奈米材料和技術發展現狀 25
1.4.1 奈米材料和技術發展簡史 25
1.4.2 奈米技術在迅速發展 27
1.5 奈米薄膜材料和元件在高科技中的地位 34
1.5.1 奈電子元件基本概念 34
1.5.2 奈米電子元件特性 36
第 2章 奈米薄膜材料的製造方法和性能 41
2.1 奈米薄膜的製造方法 43
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2 目 錄
2.1.1 蒸發冷凝法 43
2.1.2 濺射法 46
2.1.3 微波法 50
2.1.4 分子束磊晶 52
2.1.5 金屬有機化學氣相沉積 56
2.1.6 溶膠 凝膠法 61
2.1.7 化學氣相沉積法 65
2.1.8 電化學法(電沉積) 68
2.1.9 分子自組裝技術 70
2.1.10 模板合成法 74
2.2 奈米薄膜的性能 76
2.2.1 力學性能 76
2.2.2 光學性能 80
2.2.3 電磁學特性 81
2.2.4 氣敏特性 83
2.3 性能檢測 84
第 3章 半導體奈米量子點 87
3.1 半導體量子點的研究概況 88
3.2 硫化鎘(CdS)膠體量子點的製造和量子尺寸效應 93
3.2.1 CdS 量子點的製造和結構 93
3.2.2 量子尺寸效應 96
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3
第 4章 矽基奈米薄膜材料與元件 133
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4 目 錄
第 5章 奈米材料的模板合成法 175
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5
第 6章 奈米半導體薄膜的電子轉移和
奈米粒子的單電子電導 211
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6 目 錄
第 7章 奈米晶金屬氧化物半導體與溶液
界面處的電荷轉移 269
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7
第 8章 其他奈米薄膜材料製造、特性及
應用 303
8.6 氧化鎢(釩)WO3(V)奈米膜的製造、電致變色和
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8 目 錄
氣敏特性 344
8.6.1 WO3 薄膜的雷射沉積 345
8.7 奈米二氧化鈦(TiO2)薄膜的導電性和光吸收量子尺寸
效應 351
8.7.1 磁控法製造的奈米 TiO2 薄膜的導電性與
帶隙寬度 351
8.8 奈米晶鈦酸鉛鋯/鈦酸鉛(PZT/PT)鐵電薄膜的尺寸
效應 359
8.8.1 奈米薄膜樣品製造 360
8.11 硫化鋅/銀/硫化鋅(ZnS/Ag/ZnS)奈米多層薄膜及
平面顯示器透明電極 372
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9
第 9章 奈米材料及奈米元件研究和發展的
前景 391
索 引 407
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奈米學的基本概念和內涵
奈米微粒
奈米薄膜
奈米材料和技術發展現狀
奈米薄膜材料和元件在高科技中的地位
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2 奈米薄膜技術與應用
1.1 奈米學的基本概念和內涵
1.1.1 奈米學的基本概念
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CHAPTER 1 3
尺度的物質或結構,研究其特性,並由此製造具有新功能的元件
(functional device)、機器以及其他各個方面應用的科學與技術。
可見,奈米科技的首要任務就是要藉由各種手段,如微細加工技
術和掃描探針技術(scanning probe technique)等來製造奈米材料或具
有奈米尺度的結構;其次藉助許多先進的觀察測量技術與儀器來研究
所製造奈米材料或奈米尺度結構的各種特性;最後根據其特殊的性質
來進行有關的應用。所以,從一定程度上講,奈米材料、奈米加工製
造技術以及奈米測量表徵(characterization)技術構成為奈米科技發展
的三個非常重要的支撐技術。
奈米科技的核心思想是製造奈米尺度的材料或結構,發掘其不同
凡響的特性並對此予以研究,以致最終能很好地為人們所應用。將這
種思想和相關的方法引入到各個領域,便形成形形色色的各類奈米科
技研發領域,主要包括:奈米體系物理學、奈米體系化學、奈米材料
學、奈米生物學、奈米電子學、奈米光子學、奈米機械學、奈米加工
製造學、奈米表徵測量學及奈米醫學等等。
1
1.1.2 奈米材料研究範圍和內容
隨著奈米材料研究的不斷深入,研究範圍不斷擴大,第一階段主
要集中在奈米顆粒本身;第二階段主要研究奈米顆粒組成的薄膜與塊
體;第三階段研究對象又涉及自組裝(self assembly)奈米材料,如近
年來的奈米線、奈米管直至微孔(micro pore)、介孔材料(meso
pore)。介孔材料的孔徑大小為奈米級,這種奈米結構為鑲嵌(embe-
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4 奈米薄膜技術與應用
dded)組裝奈米微粒提供了理想的基體。奈米線、奈米管的出現豐富
了奈米材料的研究內容,為合成組裝奈米材料提供了新的機遇。
奈米材料研究的主要內容,包括奈米材料製造中的科學技術問題,
奈米材料結構表徵與評估方法,奈米材料物理化學性質的測試方法,
特別是奈米微區分析技術,奈米材料物理化學性質的特殊變化規律和
產生機制,奈米材料的應用與使用過程中的老化(aging)失效問題等。
奈米材料的研究與應用與它們的製造技術密切相關。已發展的奈
米結構材料製造技術中的物理方法包括:電漿(plasma)電弧合成技
術、電火花製造技術、雷射(laser)閃蒸合成(flash evaporation syn-
thesis)技術、磁控濺射(magnetron sputtering)技術和噴霧合成技
術。不同的方法適用於不同材料的製造。奈米材料的結構表徵、性能
測試與評價是發展奈米材料的關鍵,這一方向已成為人們關心的主要
問題。奈米材料的物理化學性質研究的著眼點,在於奈米尺寸或表面
效應、界面效應(interface effect)對材料性能的影響和產生的奇異性
能。結合掃描探針技術和近場光學(near field optics)技術得到奈米微
區物理化學資訊。
1.1.3 奈米材料的電子結構
如果把奈米尺度材料定義為在某一個或幾個維度(dimension)
上,它的尺度被限制在 100nm 以內,那麼尺寸上的限制將會產生新的
物理現象。尺寸在 1nm 以下的體系實質上是一個原子,而組成原子的
電子受到核力的作用,被侷限在這一尺寸的球形或橢球形的範圍內,
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CHAPTER 1 5
只能佔據殼層模型的離散(discrete)能階(energy level)。電子的運
動狀態由能階的主量子數(principal quantum number)、軌道角動量
量子數(orbital angular momentum quantum number)和自旋量子數
(spin quantum number)來描述。如果這一原子包含有多個電子,多
個電子佔據能階的情況由泡利互斥原理(Pauli exclusion principle)和
洪德定則(Hund s rule)來決定。它實際上是考慮了電子間的相互排
斥力和電子的自旋(spin)。而大塊材料是由無數個原子或離子在三
維方向週期排列而成。原來屬於單個原子的電子在組成固態的過程中
或者藉由外層電子公有化而成為金屬鍵合,或者藉由軌道混成(hy-
brid)而成為共價鍵合(covalent bond),這時電子的能量狀態由固態
能帶來描述。無論從幾何尺寸上,還是從包含原子或電子數目來看,
奈米材料正好處於從單個原子到塊體材料的過渡區。當奈米材料接近
10nm 或更小時,其形狀多為球形、橢球形或多面體形狀,從而具有
不同的高對稱性,通常被稱為奈米顆粒(nano particle);而奈米材料
的尺寸在一個或兩個方向逐漸增大時,它可能變為一維的棒或線,或
者是二維的圓盤或平面,只具有低對稱性,它們分別被稱為奈米線
(nano wire)、奈米管(nano tube)或奈米薄膜(nano film)。藉由
分析尺寸分別接近原子和塊體材料的特殊情況可以揭示在這一過渡區
內電子結構的變化。
奈米顆粒是尺寸接近原子尺度的具有高對稱性的材料。由於體系
內只含有很少數目的電子,這時體系的電子結構與單個原子殼層結構
十分類似,可以借用處理原子的電子結構模型來粗略地求出。如果將
這一體系看成是一個位能井(potential well),則電子被限制在此位能
井內。顯然,電子可佔據的能階與位能井的深度和寬度有關。在強限
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6 奈米薄膜技術與應用
制的情況下,即位能井很深時,奈米材料具有類原子(atom like)的
特性,可稱為類原子材料。但與真實原子相比又表現出自己的特點。
第一,類原子材料的基態(ground state)與所包含的電子數目的奇偶
性有關,從而影響到它的物理性質。第二,類原子材料內所包含的電
子數目容易變化,電子數目的漲落會強烈地影響到類原子的能階結構
和性質。在一維或二維空間接近塊體材料的情況下,這時材料只在一
個或兩個方向上對電子的運動加以限制,如量子線(quantum wire)。
這時材料只具有較低的對稱性,但包含較多的電子。在這種情況下,
電子的運動狀態不能再用類原子的殼層模型來描述,區分電子狀態的
量子數(quantum number)也不再是描述類原子材料的電子狀態的量
子數。電子的能階所處的基態和激發態(excited state)的性質都與奈
米尺度材料的具體性質、尺寸、形狀有關。因為這種材料所包含的電
子數目很多,不能簡單地採用第一作用原理(first action principle)的
方法做精確計算。又因為它在某些方向上失去平移對稱性,也不能簡
單地運用固態(solid state)能帶理論(energy band theory)的方法來
處理這一體系中的物理過程。由於在這一體系中電子之間有強的關聯
作用,可能導致體系的能量和電子的能階分佈發生很大的變化。
1.1.4 奈米材料研究中的物理問題
奈米材料中的電子強關聯或相關性
當材料的尺寸逐漸減小到奈米尺度(nano scale)時,電子之間
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CHAPTER 1 7
的相互作用會得到加強。因為電子被嚴格地限制在一個很小的區域
內,電子波函數(wave function)受材料的內表面的散射(scatter-
ing),而散射波和入射波的相互疊加(superposition),使得所有
的電子波函數都相互關聯在一起,成為強關聯(strong related)的電
子系統,而不能再把它們看成是彼此無關的自由電子(free elec-
tron),從而改變了這些奈米尺度材料的物性。
奈米材料中能階分裂和電子群數的變化
當材料的尺寸減小到奈米尺度時,原來的電子能階會發生進一
步的分裂,使得體系所處的基態的性質也會相對發生變化。電子能
階的分裂使得電子佔據各能階的群數(population)發生變化。當電
子被激發到高能階時,藉由光輻射(radiation)途徑返回低能階的
機率也會發生相對的變化。這一變化可能使得量子輻射的強度發生
變化,或者說,使某些譜線的強度得到加強。由於電子能階的分
裂,相對的光譜線也會發生移動。
奈米材料中的激發態和激子過程
當電子被激發時,在原來的能階處會留下一個電洞(hole)。
電子 電洞之間的相互作用使得電子與電洞在一定的時間內重新復
合(recombination)。在此同時,電子或電洞也會在材料內部擴散。
如果電子和電洞擴散到材料表面被表面態所捕獲的時間小於電子
電洞對(electron-hole pair)的壽命(lifetime)時,那麼不管是電子
或電洞將首先被表面捕獲,而留下激發態的電子或電洞保持相當高
的濃度。由此可以看到奈米尺度材料的激發態可能是長壽命和高濃
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8 奈米薄膜技術與應用
度的,這就為研究激發態或激子(exciton)過程提供了新的機會。
表面結構與表面態
奈米材料中的表面佔有相當大的比例,當材料尺寸減小到 10nm
左右時,表面層原子數目和體內原子數目幾乎達到相等。表面層原
子所處的化學環境不同於體內原子,從而它們可能形成一種表面相
(surface phase)。在塊體材料的研究中,人們早已認識到表面相對
許多物理過程有重要的影響。但由於表面相所佔的比例甚少,表面
相的研究受到極大的限制。而對奈米材料來說,其表面相已經達到
與體相比例相近,易於研究它的性質。在許多物理化學過程中表面
相的作用十分顯著,如在催化過程(catalytic process)中表面結構
的變化和作用,在發光和輸運過程中表面態的作用以及表面吸附
(adsorption)和表面擴散(diffusion)等。當材料已處於奈米尺度
時,材料表面形狀與結構的變化都會影響到材料的性質。
局域化和量子輸運
當奈米材料中只是某一方向上的尺度很小時,如奈米線、奈米
管,電子運動在這一方向受到的限制,使電子波函數在這一方向上
是局域化的(localized),而在另外的方向上是擴散的。這時電子
波函數的特點導致材料的物理性質發生變化。如庫侖阻塞效應
(Coulomb blockade effect)與 阿 哈 洛 夫 伯 姆 效 應(Aharonov-
Bohm effect)。一維奈米尺度的體系尺寸與電子波函數的相位相干
長度(coherent length) 相接近時,電子的輸運可以是彈道式的
(ballastic)、無電阻的。量子點接觸的電導隨柵壓變化而產生階躍
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CHAPTER 1 9
式變化,也是量子輸運(quantum transport)的表現。由於奈米材料
的體系中電子輸運是相位相干的,古典的歐姆定律(Ohm s law)不
再成立,電流電壓的關係是非線性的。體系的電導不僅與兩測量端
之間的線路有關,而且與整個線路即測量點外的部分有關。這種非
局域化的電導現象,是電子波動性(wave)的充分表現。人們希
望,在極低的溫度下對奈米尺度一維材料內電子態密度(electron
state density)直接測量,可能會直接揭示出電子波函數的可疊加性
(superposition)和相干性(coherence)這一物理現象的本質。
量子隧穿與奈米尺度的耦合
儘管電子被限制在奈米材料的內部,但是電子仍然可以藉由量
子隧穿效應(quantum tunneling effect)從材料內部逃逸出去。量子
隧穿(quantum tunneling)的機率(probability)與位能井的深度、
壁厚和形狀有關。因此,對奈米尺度材料的表面進行修飾,從而改
變位能井的深度、壁厚、形狀來改變其對電子的約束。量子隧穿及
其可控制的事實帶來兩種截然不同的效果。第一,如果奈米材料內
電子的量子態作為資訊紀錄的媒體,那麼這一資訊很有可能由於量
子隧穿而丟失或導致元件誤動作,這是要避免的。第二,量子隧穿
又可以將臨近的奈米尺度材料直接耦合(coupling)在一起,形成無
導線的連接。適當地改變材料的尺寸、界面間距以及外界的電場,
可以直接調變(modulate)材料之間的耦合。更重要的是藉由上述
條件的改變,安排巧妙的實驗或許能使人們更加深入地理解,兩個
強相關的電子體系是如何藉由弱的耦合條件來實現相位相干這一物
理現象的。
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10 奈米薄膜技術與應用
2, 3
1.1.5 奈米材料的化學性能
化學反應活性
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CHAPTER 1 11
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12 奈米薄膜技術與應用
光吸收
奈米材料光吸收表現出藍移(blue shift),這主要與量子尺寸
效應相關。奈米氧化亞錳(MnO)吸收光譜表現出藍移特徵。染料
(dye)亞基甲藍(methylene blue)對奈米有機溶膠體系光譜性質
的影響研究顯示,當亞甲基藍分子濃度較低時,亞甲基藍吸附在奈
米硫化鎘(CdS)表面,其帶正電荷的極性頭部分與陰離子(ani-
on)表面活性劑(surfactant)發生某些相互作用,無游離的亞甲基
藍,原來與表面活性劑作用的部分 Cd 2+ 空餘出來,使奈米 CdS 微
粒增大,因而微粒吸收有所增加,吸收帶邊紅移(red shift)。當亞
甲基藍分子濃度增大到一定程度後,吸附達到飽和,奈米 CdS 的吸
收不再發生變化,游離的亞甲基藍吸收開始出現。亞甲基藍分子吸
附在微粒表面不僅降低了表面缺陷態密度,更主要的是它與光生電
子(photo induced electron)和表面受陷電子之間存在某些相互作
用。奈米 CdS /亞甲基藍分子複合體系(composite system)存在較
高的光致電荷轉移效率,這非常有利於光催化(photo catalysis)、
光資訊記憶及太陽能(solar energy)轉化,這類體系具有潛在的應
用價值。
螢光光譜
奈米材料的螢光(fluorescence)光譜呈現藍移現象。某些試劑
如甲基紫精(methyl violet)對 ZnS、Cd3 P2 及 Zn3 P2 膠體(colloid)
奈米微粒具有淬滅螢光作用。藉由和周圍環境的分子化學作用,能
夠修飾小半導體粒子的光化學性質,作為強化學作用或半導體合成
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CHAPTER 1 13
期間副產品(by product)可能產生預期不到的化學物質,如被 O 2、
NO 2 、ClO 4 氧化。I 、硒化氫(H 2 Se)、氫化砷(AsH 3)、膦
(PH 3)產生的 I 3 、Se、As 和 P 能強烈干擾半導體的光化學性質。
發光現象
光增敏劑(photo sensitizer)對奈米微粒發光影響顯著,加入砷
化鎘(CdAs2)的奈米膠體體系顯著發光,而將 AgClO4 或 Ag2 S 加
入含聚磷酸鈉(poly sodium phosphate)為穩定劑(stabilizer)的
CdS 膠體溶液中,CdS 膠體發光,活化度極強地依賴於 CdS 及 Ag2S
的彼此連接。當在缺陷處發生無輻射復合(radiative recombination)
時,使發光強度大大降低。表面活性劑對奈米尺寸材料發光也影響
很大,在奈米尺寸 ZnS:Mn 粒子的合成時加入適當的表面活性劑
分子,可有效地減少 ZnS 微粒表面態,從而提高 Mn2+ 發光強度。
此外,反應物不同,陰陽離子配比對發光影響非常顯著,但不同的
表面包覆影響則相對較小。
光電化學特性
從循環伏安(IV)和光電流(photocurrent) 電位能(electric
potential)曲線的研究結果顯示:介電限域效應(dielectric confined
effect)對奈米微粒電化學及光電化學性質有一定的影響,表面修飾
硬脂酸(stearic acid)的 Fe2O3 超微粒具有更高的電化學可逆性
(reversible)。有關奈米材料光化學性質及光電化學性質的研究,
尤其是有關基礎的理論研究是開發新型材料的必要基礎,如某些奈
米材料在較寬的光譜範圍內呈現出對光的均勻吸收,具有優異的光
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14 奈米薄膜技術與應用
學性能,因而這類材料具有作為光學材料的潛力。要儘快地開發出
具有特殊光學性能(如非線性光學材料及發光材料等)、磁學性能
〔如超順磁(super paramagnetic)材料〕或具有優異性能的電子材
料,這些工作對於材料化學無疑具有非常重要的價值。為此,人們
需要做出不斷地努力研究與探討,以期能夠達到開發出新型材料的
目的。
1.2 奈米微粒
tronics)和光電子學(photoelectronics)領域中研究的熱點。
半導體量子點,也稱為半導體奈米晶粒,其尺度介於巨觀固態與
微觀原子、分子之間。在理論計算時可以當作大分子處理,量子點的
典型尺寸為 1~10nm,包含幾個到幾十個原子。由於荷電載子的運動
在量子點中受到三維的限制,半導體量子點已經失去了體材料的特
性,能量發生量子化,其電子結構由連續能帶變為分立能階(discrete
energy level)(見圖 1 1) 4 ,更接近於類原子的特徵。半導體量子
點一個最突出的特性是電子能譜的量子尺寸效應,即半導體量子點的
塊體 CdSe 能帶 量子點能階
E
1D
導電帶 1P
(conduction band) 1S
光學躍遷
(optical transition)
K
1S 1S
A 1P
J = 3/2 1P
B
1S
J = 1/2 1P
C
價電帶(valence band)
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16 奈米薄膜技術與應用
帶隙相對於體材料有較大的藍移,量子點表現很強的光學非線性。在
電學性質方面,存在庫侖阻塞效應(Coulomb blockade effect)。另一
個重要特性是表面效應,隨著半導體奈米晶粒尺寸的減小,比表面積
(specific surface area)(表面原子數與量子點總原子數之比)越來越
大,表面原子數越來越多,因而表面的作用越來越強。由於表面原子
的配位不足,表面活性增強。表面原子的輸運和再構,引起其力學性
質、熱學性質、化學性質等多種性質的變化。這種低維結構和物理的
發展正以全新的概念改變著電子元件的設計思想,使半導體元件的設
計和製造由原先的所謂「雜質工程(impurity engineering)」發展到
「能帶工程(energy band engineering)」和「電子特性與光學特性的
剪裁」等新的範疇,它將使半導體元件向更新的方向邁進。
1.3 奈米薄膜
奈米薄膜(nano film)是指由尺寸在奈米量級的晶粒(或顆粒)
構成的薄膜,或將奈米晶粒鑲嵌(embedded)於某種薄膜中構成的複
合膜(如 Ge/SiO2,將 Ge 鑲嵌於 SiO2 薄膜中),以及每層厚度在奈
米量級的單層或多層膜,有時也稱為奈米晶粒薄膜和奈米多層膜。其
性能強烈依賴於晶粒(顆粒)尺寸、膜的厚度、表面粗糙度及多層膜
的結構,這也就是目前奈米薄膜研究的主要內容。與普通薄膜相比,
奈米薄膜具有許多獨特的性能,如具有巨電導、巨磁電阻效應(gaint
magneto-resistive effect)、巨霍爾效應(gaint Hall effect)、可見光發
射等。例如,美國約翰霍普金斯大學(John-Hopkins University)的科
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CHAPTER 1 17
垂直磁化性質。因此奈米磁性薄膜可以削弱傳統磁記錄介質中資訊
儲存密度受到其自退磁效應(self demagnetizing effect)的限制,加
上其具有巨磁電阻效應,在資訊儲存領域有巨大的應用前景。
奈米磁性薄膜都採用多層結構以獲得一定的厚度。每兩層為
一個週期,其中一層為鐵磁性(ferromagnetic)材料,另一層為非
鐵磁性材料,如 Fe/Cu、Fe/Au、Co/Pt、Pt/Co、Au/Co 及坡莫合金
(permalloy)/鉭等。薄膜的易磁化方向明顯依賴於鐵磁性材料的
厚度。有研究結果顯示,對於每層 Pd 厚度為 8~30nm 的 Pd/Co 奈
米薄膜,當每層鈷(Co)的厚度減小到 0.8nm 時,其易磁化方向便
由平面方向轉到法線方向。同樣,對於 Fe/Au 多層膜,隨著 Fe 層厚
度的減小,奈米薄膜更易磁化,垂直磁化的趨勢增強。且由於 Fe/Au
界面的活性過渡層(transition layer)的存在,Fe 原子的原子磁矩
(magnetic moment)也隨 Fe 層膜厚的減小而顯著增加。可見,在
奈米多層膜中,界面隨鐵磁性材料膜厚的減小對性能會產生顯著的
影響。
1992 年,奈米顆粒膜巨磁電阻被發現。最近美國布朗大學
(Brown University)的科學家在 4K 的溫度和幾個特斯拉(Tesla)
的磁場下,磁電阻變化率 R/ R0 上升到 50%,目前這一領域研究追
求的目標是提高工作溫度,降低磁場。如果在室溫和零點幾特斯拉
磁場下,顆粒膜巨磁阻能達到 10%,那麼就將接近使用目標。1997
年以巨磁電阻為原理的奈米結構元件已在美國問世,在磁儲存、磁
記憶和計算機讀寫磁頭將有重要的應用前景。奈米磁性顆粒膜還存
在巨霍爾效應(Hall effect)。派克霍姆夫(A. B. Pakhomov)等人在
Ni SiO2 顆粒膜中發現高達 200 ‧ cm 的飽和霍爾電阻率(Hall
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CHAPTER 1 19
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20 奈米薄膜技術與應用
隨著構成光學膜的晶粒尺寸的減小,晶界(grain boundary)密
度將增加,膜表面的粗糙度(roughness)也將發生變化,表面光散
射及光吸收必然不同。因此,當尺寸減小到奈米量級時,薄膜的光
學性能也必將發生變化。
奈米晶 Si 膜是廣泛研究的一種奈米光學薄膜,表面原子數幾乎
和 體 內 原 子 數 相 等,因 而 顯 示 出 與 晶 態(crystalline)、非 晶 態
(amorphous)物質均不同的嶄新性質。奈米晶 Si 膜具有熱穩定性
好、光吸收能力強、摻雜效應高、室溫電導率可在大範圍內變化等
優點。對沉積溫度、薄膜厚度、內部結構、晶粒尺寸等與薄膜的標
準化積分散射強度、光吸收係數及光發射強度之間的關係進行了詳
細的研究。結果顯示,Si 晶粒的平均直徑小於 3.5nm 時,紫外光致
發光強度迅速增加;平均粒徑為 1.5~2nm 的奈米 Si 膜則可獲得更
好的發光效果。藉由調節基片的溫度或膜的厚度,可改變膜的表面
狀態,進而調節其吸收特性。表面微觀粗糙度越大,表面散射越
強,導致光吸收性能顯著提高。薄膜內部結構對膜的吸光特性也有
影響,這與晶界處的缺陷狀態(defect state)有關。奈米晶體矽膜
的光吸收係數比單晶(single crystalline)和多晶矽(poly crystalline
silicon)都要高。還有研究顯示,奈米 Si 粒子之間的界面區域中載
子的躍遷(transition)及傳輸(transport)過程對整個範圍的吸收光
譜起主導作用。
超薄的量子井(quantum well)厚度小於傳導電子德佈羅意波長
(de Broglie wavelength),會產生空間量子化的效應,有利於光的
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407
索 引
A/D converter 類比/數位轉換器
A
247
abrupt 突變 56 additive 添加劑 293, 360
absorbent 吸收劑 224 adhesion 附著力 62
absorption coefficient 吸收係數 adhesive 黏合劑 335
97 adsorption 吸附 8, 21, 55, 105,
absorption peak 吸收峰 80, 155, 275
354 adsorption rate 吸附率 297
acceptor 受子,受體 213, 223 Adv. Mater. 尖端材料(期刊名)
accumulation lager 積聚層 299 402
acetic acid 冰醋酸 205 Afghan 阿富汗 31
acetoacetic, acid, AcAc 乙醯乙酸 aging 老化 4, 324
360 Aharonov-Bohm effect (A-B effect)
acetone, CH3COCH3 丙 酮 123, 阿哈洛夫 伯姆效應 8, 35
153, 181, 204, 310 Ahmed (H.) 阿姆德(人名) 396
acetylene, C2H2 乙炔 199, 398 air mass 氣團 290
acoustic chemistry effect 聲化學效 alcohol 醇,乙醇 61, 123, 153
應 214 alcoholate 醇鹽 61, 63, 360
acoustic decomposition 聲分解 Aldrich 一化學公司 340
214 alkaline metal 鹼金屬 279
acoustic surface wave device 聲表面 alkaline metal ion 鹼金屬離子 339
波元件 359 alkyl 烷基 57
acrylonitrile 丙丙 183 all metal spin transistor 全金屬自旋
activation 激活 212, 346 電晶體 328
activation energy 激活能 143, 170 Allied Signal 聯合信號(公司)
active center 活性中心 11, 83 392
active coal 活性炭 59 alloy 合金 365
active region 活性區 115 aluminum foil 鋁箔 197
actuator 致動器 392 ambient 氣氛 44
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408 奈米薄膜技術與應用
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415
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420 奈米薄膜技術與應用
名) 330 397
hexagonal phase 六角相 129 Huisken (F.) 胡斯金(人名) 67
HF-CVD 熱絲輔助 CVD 152 Hund’s rule 洪德定則 5
high definition digital recorder, hybrid 混成 5
HDDR 高清晰度數位錄影機 hydrogen bond 氫鍵 71, 339
323 hydrogenated amorphous 氫化非晶
high index surface 高指數面 74 134
high resolution 高解析度 150 hydrolysis 水解 61, 62, 297
high resolution TEM, HRTEM 高解 hydrophilic 親水 181
析透射電子顯微鏡 128, 141, hydrophobic 疏水 181
152, 154, 161 hydroxide 氫氧化物 286
high speed steel 高速鋼 368
I
high temperature high pressure,
HTHP 高溫高壓 315 ice water bath 冰水浴 205
high temperature
superconductor, Iijima (S.) 飯島(人名) 394
HTSC 高溫超導 68, 328 impulse current 脈衝電流 330
highest occupied molecular orbital, impurity engineering 雜 質 工 程
HOMO 最高佔據分子軌道 16, 90
96, 294 imref 準費米能階 217, 233, 238
HITPERM 一商品名 325 incident photon conversion efficiency,
hole 電洞(空穴) 7 IPCE 入射光子轉化效應
Holland 荷蘭 120, 395 218, 235
hollow tube 中空管 206 indentation depth 壓痕深度 369
hollow coil 空心線圈 332 India 印度 393
Honda 本田(人名) 223, 279 indirect band gap 間接帶隙 134
Hong Kong Polytechnic University indium tin oxide, ITO 氧化銦錫
香港理工大學 394 296, 310, 372
host 主體 75, 339 inductance 電感 331
hot electron 熱電子 231 inductively coupled plasma, ICP 感
hot filament 熱絲 152, 310 應(電感)耦合電漿 105
hot mirror 熱鏡 373 inductively coupling 電感耦合
Howard University 霍華德大學 105
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422 奈米薄膜技術與應用
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428 奈米薄膜技術與應用
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429
束效應 89 214
phonon 聲子 134, 136, 156 photocurrent 光電流 13
phosphoric acid 磷酸 198 photo-electric conversion 光電轉換
photo activated dye 光激活染料 203
271 photoelectronic device 光電元件
photo catalysis 光催化(的) 11, 102
12 photoelectronic storage 光電儲存
photo catalytic 光催化的 270 135
photo catalytic degradation 光催化 photoelectronics 光電子學 15
降解 203 photofluorecene 光螢光 158
photo catalytic effect 光催化效應 photo-induced bleaching 光漂白
212 80
photo cell 光電池 279 photolithography 微 影 照 像 34,
photochemical quartz crystal micro 91, 204
balance, PQCM 光化學石英晶 photoluminescence 光致發光 91,
體微量天平 273 100, 134, 144, 147, 152, 167
photo confinement factor 光限制因 photon 光子 97, 126, 156, 216
子 119 photo-synthesis 光合作用 220
photo decomposition 光解 223 physical adsorption 物理吸附 59
photo induced electron 光生電子 physical vapor deposition, PVD 物
12 理氣相沉積 46, 91, 144
photo sensitive electrode 光敏電極 physical vapor evaporation 物理氣
217 相蒸發 140
photo sensitization 光敏化 220 physical vapor synthesis, PVS 物理
photo sensitizer 光增敏劑 13, 66 蒸汽合成 29
photo voltaic 光伏(的) 270 Pickering 皮克林(人名) 159
photo voltaic cell 光伏電池 220, pico second 皮秒 216, 230
271 piezoelectric 壓電 122, 306
photo voltaic effect 光伏特效應 piezoelectric coupling coefficient 壓
212, 278 電耦合係數 306
photochromic 光致變色 203, 212 piezoelectric device 壓電裝置 246
photo-chromic effect 光致變色效應 pit 坑 73
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430 奈米薄膜技術與應用
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434 奈米薄膜技術與應用
screen 屏幕 159
S
seal 密封 321
sandwiched 三明治型 332 secondary electron 二次電子 48
sapphire 藍寶石 124 secondary 次級 332
saturated calomel electrode, SCE 飽 seed layer 種子層 109
和甘汞電極 193, 341 Seelig 希利格(人名) 373
saturation magnetization strength 飽 selected area electron diffraction,
和磁化強度 42, 320 SAFD 選擇面電子繞射 128,
sawtooth 鋸齒 395 154, 206, 365
scanning electron microscope, SEM selectivity 選擇性 334
掃瞄電子顯微鏡 193, 200, selenide 硒化物 295
204, 206, 310, 368 self assembly 自組裝 3, 17, 43,
scanning probe microscope, SPM 掃 92, 396
描探針顯微鏡 23, 28, 402 self consistent 自洽 240
scanning probe technique 掃描探針 self demagnetizing effect 自退磁效
技術 3 應 18
scanning transmission microscope, self organization 自組識 143
STM, STEM 掃描穿透電子顯 semi classical 半古典 248
微鏡 84, 244, 245, 258, 395 semi classical model 半古典模型
scattering 散射 7 262
scattering peak 散射峰 156, 347 semi colattice 半共格 402
Scherrer formula 謝樂公式 146, semiconductor laser 半導體雷射
362 138
Schonenberger 史耐伯格(人名) semiconductor memory 半導體記憶
192, 193 體 327
Schottky barrier 肖特基電位障 semiconductor nano quantum dot 半
238 導體(奈米)量子點 88, 392
Schottky contact 肖特基接觸 166 semiconductor quantum dot 半導體
Schottky diode 肖特基二極體 398 量子點 14, 88
Schwarzacher (W.) 許 瓦 沙 其(人 semiconductor quantum well laser
名) 397 半導體量子井雷射 89
Science 科學(期刊名) 402 sensing device 感測元件 212, 318
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436 奈米薄膜技術與應用
141 superposition 疊加 7, 9
substrate 基板 54, 110, 141 supersonic 超音波 67, 166, 193
sulfide 硫化物 191, 295 surface defect state 表面缺陷態
sulfonate poly ether sulfone, SPES 135
磺化聚醚 22 surface effect 表面效應 2, 91
sulfonate poly sulfone, SPS 磺化聚 surface force apparatus, SFA 表面
22 力器具 23
sulfourea 硫 94 surface modification 表面修飾 43
sulfuric acid, H2SO4 硫酸 179 surface morphology 表面形貌 199
super atom 超原子 42 surface phase 表面相 8
super conduction 超導 394 surface roughness 表面粗糙度
super double hydrophilic 超雙親 379
399 surface state 表面態 101
super double hydrophobic 超雙疏 surface tension 表面張力 75
399 surface wave device 表面波元件
super filtration film 超濾膜 21 306
super hard 超硬性 367 surfactant 界面活性劑 12, 95, 321
super hardness 超硬度 76 suspension 懸浮體 223
super lattice 超晶格 43, 88, 134, suspension liquid 懸浮液 222
219 swing chair battery 擺椅電池 284
super lattice microstrip effect 超晶 Swiss 瑞士 279
格微帶效應 89 synergistic effect 協同作用 71
super modulus 超模量 76 synthesis 合成 26, 91
super molecule 超分子 70, 220
T
super molecular chemistry 超分子化
學 29 Tani 谷(人名) 226, 234
super paramagnetic 超 順 磁 14, target 靶 46, 124, 329
318, 320, 321 temperature resistance 溫阻 349
super tip 超級尖端 28 template 模板 74, 178, 186
superconduction 超導 17 template synthesis 模板合成 74
superconductor 超導體 243 Tennakone 天納孔(人名) 296
superplastic 超塑 402 tera 兆,10 11
44
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438 奈米薄膜技術與應用
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440 奈米薄膜技術與應用
34
V
wave 波,波動性 9
vacancy 空位 84, 100, 147 wave function 波函數 7, 254
vacancy trap state 空位陷阱態 100 wave guide 波導 51, 115
vacuum chamber 真空室 307 wave number 波數 155, 335
vacuum evaporation 真 空 蒸 發 waveguide layer 波導層 119
(鍍) 43, 373 weak interaction force 弱相互作用
vacuum pump 真空泵 51 力 71
valence band 價電帶 15, 100 Wei (Y. Y.) 魏(人名) 394
valence bond 價鍵 141 well 井 102
valence electron 價電子 367 Weller (H.) 偉 勒(人 名) 101,
valve 氣閥 58 285
van der Waals force 范德華力 71 wetting 潤濕 192, 193
vapor phase epitaxy, VPE 氣相磊晶 wetting agent 潤濕劑 192
53, 56 Whitesides (George) 懷特塞斯(喬
Vegard 偉格(人名) 129 治)(人名) 72
Vegard principle 偉格定律 130 Williams 威廉斯(人名) 186
very large scale integrated circuits, Willig 偉利(人名) 237
VLSI 超大型積體電路 53, winding 繞組 332
239 wireless communication 無線通訊
Vest (R.W.) 威斯特(人名) 359 239
virus 病毒 392 work chamber 工作室 53
viscous effect 黏滯效應 287 work function 功函數 51, 203,
volume fraction 體積分數 296, 309, 354, 395
315 wurtzite 纖鋅(礦) 96, 122
Von Neuman 文 諾 曼(人 名)
X
243
x-ray diffraction, XRD X 射線繞射
W
96, 128, 146, 152, 207, 310,
Wang (Z. L.) 王(人名) 395, 336, 346, 355, 360, 370
397 XRD Spectrum X- 射 線 繞 射 譜
Watt 瓦特(人名,功率單位) 361
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441
Z
ZF-3, fine zero adjustment, ZF 仔細 function 函數 114
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442 奈米薄膜技術與應用
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奈米薄膜技術與應用/陳光華, 鄧金祥編著.
--初版.--臺北市:五南, 2005[民94]
面; 公分.
含索引
ISBN 978-957-11-3923-8 (平裝)
1.奈米技術 2.薄膜
440.7 94003762
5E33
奈米薄膜技術與應用
Nano Thin Film Technique and Application
編 著 ─ 陳光華 鄧金祥
校 訂 ─ 張勁燕
發 行 人 ─ 楊榮川
總 編 輯 ─ 龐君豪
主 編 ─ 穆文娟
責任編輯 ─ 蔣和平
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版權聲明 出版日期 2 0 0 5 年 4 月 初 版 一 刷
作品版權(2004.1)歸化學工業出版社所有,
特此聲明,保留一切權利。繁體中文版的版權 定 價 新 臺 幣 5 8 0 元
(2005.4)歸五南圖書股份有限公司所有,保留一
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