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Facultad de Ciencias
Laboratorio de Electrnica
Prctica 6
Diodo rectificador de silicio
Mxico D, F a 06 de noviembre del 2012
Resumen
En la presente practica se midi experimentalmente el voltaje y la corriente de un diodo
rectificador de silicio (Si)- N4001.
Se encontr la corriente inversa de saturacin de dicho diodo obteniendo: cuyo coeficiente
emisin es.
Objetivos
1. Medir experimentalmente (con al menos 25 datos) el voltaje y la corriente del diodo en
polarizacin directa.
2. Encontrar la corriente inversa de saturacin y la constante emprica en la zona lineal.
Introduccin
El diodo es un dispositivo electrnico, el ms simple de los dispositivos semiconductores,
que tiene un papel fundamental para los sistemas electrnicos ya que cuenta con
caractersticas que lo asemejan a un interruptor sencillo.
Por otra parte, el diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que se presenta por el
smbolo y posee las caractersticas que se muestran en las figuras 1.a y 1.b,
respectivamente.
Figura 1.Diodo ideal la parte (a) nos indica el smbolo del diodo y la parte (b) sus caractersticas.
De manera ideal, se espera que un diodo conduzca corriente en la direccin definida por
la flecha que muestra en el smbolo y que actu como un circuito abierto ante cualquier
intento por establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia; las caractersticas de
un diodo ideal son las mismas que las de un interruptor que slo permite la conduccin de
corriente en una sola direccin.
Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con las caractersticas que se muestran
en la figura 1.a, debern considerarse las particularidades de la parte derecha del eje
vertical del plano de la figura 1.b. Si el voltaje aplicado se invierte, las caractersticas
pertinentes sern las de la parte izquierda. Si la corriente a travs del diodo presenta la
direccin indicada en la figura 1.a, la parte de las caractersticas a considerarse son las
que se encuentran en la parte superior del eje horizontal, mientras que una direccin
inversa de la corriente requiere utilizar las caractersticas que se encuentran en la parte
inferior del este eje. Observemos que el eje de las ordenadas ser el eje de la corriente
mientras que el eje de las abscisas ser el eje del voltaje.
Uno de los parmetros importantes de un diodo es la resistencia que presenta en el punto
o regin de operacin. Si consideramos la regin de conduccin definida por la direccin
de ID y la polaridad de VD en la figura 1.a (cuadrante superior derecho de la figura 1.b),
veremos que el valor de la resistencia directa R F, queda definido por medio de la ley de
Ohm como:
RF =
VF
=0 ( en un circuito cerrado )
IF
RR =
VR
= ( en un circuito abierto )
IR
Figura 2. Estados (a) conduccin y (b) no conduccin para un diodo ideal determinados segn la
polarizacin aplicada.
e
qV D
(
1) ( 1)
KT
D= I D
i
en donde
iD = intensidad de la corriente que
atraviesa el diodo
VD = Voltaje del diodo
ID =Corriente inversa de saturacin, A
q = carga del electrn
K = Constante de Boltzman
T=Temperatura absoluta
= coeficiente de emisin, dependiente
del proceso de fabricacin del diodo
VT=
KT
cuando V D V T (2)
q
ID (mA)
0.03
0.02
0.01
0
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
VD (V)
0.8
Bibliografa
i.
ii.