DZCE

NVERSTES
MHENDSLK FAKLTES
ELEKTRK ELEKTRONK MHENDSL BLM

ELEKTRONK DEVRELER
LABORATUVARI
2. DENEY
DKKAT

HER GRUP 2. DENEYDEK 2 UYGULAMAYI ORCAD VEYA PROTEUS

YAZILIMINDA KURUP ALITIRACAK VE SIMULASYON
SONULARINI RAPOR OLARAK 2.DENEY BAINDA TESLM
EDECEKTR.
DENEYLERE BALAMADAN NCE QUZ YAPILACAK OLUP DENEY
FYNN DKKATL BR EKLDE OKUNMASI GEREKR.
DENEYLERN VERML YRTLMES AMACIYLA;
* HER RENCNN DENEYE BR MULTMETRE GETRMES
* HER GRUBUN DENEY MALZEMELERN HAZIRLAYIP GETRMES
* HER GRUBUN DENEYE BR BREADBOARD GETRMES
GEREKMEKTEDR.

Yrd.Do.Dr. Mehmet Uar

Ar.Gr. Erdem Elibol
Ar.Gr. Melih Akta
2015

2. DENEY: TRANSSTR KARAKTERSTKLER

Ama: Transistr karakteristiinin deneysel olarak karlmas
Gerekli Ekipmanlar:
BC237 transistrveya edeeri
100k potansiyometre
10k diren
180 1Wattlk diren
DC G Kayna, Ampermetre, Voltmetre, Muhtelif Sayda Balant Kablosu.
Teorik Bilgi:
Transistr yada tam adyla BJT (Bipolar Junction Transistor), anahtarlama ve sinyal
ykseltme amacyla kullanlan ulu yariletken devre elemandr. Kollektr (C) ve
Emiter (E) olarak adlandrlan iki ana terminali ve Beyz (B) isimli bir kontrol ucu
bulunmaktadr. alma prensibi, ana terminaller arasndan geen akmn beyz ucundan
kontrolne dayanr. NPN ve PNP yapda olmak zere iki trde retilmektedir. Her iki tip
transistrn de alma mant ayn olup, polarma ve akm ynleri birbirinin tersidir.

ekil 2.1. NPN ve PNP transistrlerin yaplar, polarma ve akm ynleri

ekil 2.2. NPN ve PNP transistrlerin sembolleri

Transistr Karakteristikleri
Karakteristik eriler, transistrn alma mantn ve transistre ait zellikleri
anlamak asndan nemli bir yere sahiptir. Bu nedenle burada gerek bir transistre ait
karakteristik eriler verilecek ve bunlar zerinde aklama yaplacaktr.

VBEIB karakteristii

ekil 2.3. VBEIB karakteristii

Bir transistrn iletken olabilmesi iin beyz ile emiter arasna uygulanan gerilimin (VBE),
eik gerilimini (VT: silisyum transistrler iin 0,6V~0,7V civarndadr) amas gerekir.
Karakteristik eriden grld gibi, bu seviye aldnda transistrden beyz akm (IB)
akmaya balar. Bu akm bir diren yardmyla snrlanarak transistrn zarar grmesi
nlenmelidir.

VBEIC karakteristii

ekil 2.4. VBEIC karakteristii

Bu karakteristik eri, transistrn kollektr akmnn beyzemiter gerilimi ile deiimini

ifade eder. VBE eik gerilimini atnda transistrden kollektr akm gemeye balar.
Transistrn zarar grmemesi iin kollektr ucuna bir diren balanarak maksimum
kollektr akm (ICsat) belirlenir.

IBIC karakteristii

ekil 2.5. IBIC karakteristii

Kollektr akmnn beyz akm ile deiimini ifade eden karakteristik eridir. Transfer
karakteristii olarak da isimlendirilen bu eri transistrn anlalmas asndan
olduka nemlidir. Eriden, kollektr akmnn beyz akm ile doru orantl olarak
neredeyse lineer bir ekilde deitii gzlemlenmektir. Bir transistrn kollektr akm,
(3.1)
forml ile ifade edilir. deikeni, transistrn doru akm ykseltme katsaysn ifade
eder ve her transistr iin farkl bir deere sahiptir.

VCEIC karakteristii

Kollektr akmnn kollektremiter gerilimi ile deiimini ifade eden karakteristik

eridir. deal durumda beyz akmnn sabit bir deeri iin, IC akmnn VCE geriliminden
bamsz olmas istenir. Gerekte ise IC akmnn azda olsa VCE geriliminden etkilendii
yandaki karakteristikten grlmektedir. IB akmnn yksek deerleri iin bu etkilenme
kendisini daha ak belli etmektedir. Bu deiim genellikle ihmal edilebilecek seviyede
olup, kollektr akmnn kaynak geriliminden bamsz olduu sylenebilir.

ekil 2.6. VCEIC karakteristii

Sonu olarak, transistrn kollektremiter ular arasndan geen akm beyz akm ile
kontrol edilir. Kollektremiter akm transistrn ana terminallerine uygulanan kaynak
geriliminden hemen hemen bamszdr.

UYGULAMA 1: VBEIB, VBEIC ve IB IC karakteristik erilerinin karlmas

1. ekil 2.7deki devreyi kurunuz.
2. VBB ve VCC ularna DC g kaynan (+12V) balaynz ve devreye enerji veriniz.
3. P1in milini minimumdan maksimuma doru evirerek dzenli aralklarla (rnein IB
akm 50A aralkl artacak ekilde) VBE, IB ve IC deerlerini Tablo 2.1e
kaydediniz.
4. P1in belli bir konumundan sonra IB akm artsa dahi IC akmnn neredeyse sabit
kaldna dikkat ediniz. ICnin sabit kald bu deeri ICsat olarak isimlendirilir. ICsat,
transistrden bamsz olup, besleme gerilimine ve kollektre bal olan RC
direncinin deerine baldr. ICsatVCC/RC=12V/1800,066A66mA
5. Tablo 3.1deki deerleri kullanarak VBEIB, VBEIC ve IBIC karakteristik erilerini ekil
2.8, ekil 2.9 ve ekil 2.10 zerine iziniz.

ekil 2.7. VBEIB, VBEIC ve IB IC karakteristik erilerinin karlmas deney emas

Tablo 2.1. VBE, IB ve IC deerleri lm sonular

ekil 2.8. VBEIB karakteristik erisi

ekil 2.9. VBEIC karakteristik erisi

ekil 2.10. IBIC karakteristik erisi

UYGULAMA 2: VCEIC karakteristik erisinin karlmas

1.
2.
3.
4.

ekil 2.11deki devreyi kurunuz.

VBB ucuna DC g kaynayla +12V sabit gerilim uygulaynz.
P1 yardmyla IB akmn 50Ae ayarlayp sabit braknz.
VCC gerilimini 0dan 12V a d o r u d z e n l i a r a l k l a r l a a r t r p , VCE
v e IC deerlerini Tablo 2.2ye kaydediniz.
5. P1 yardmyla IB akmn 100Ae ayarlayp sabit braknz.
6. VCC gerilimini 0dan 12V a d o r u d z e n l i a r a l k l a r l a a r t r p , VCE
v e IC deerlerini Tablo 2.3e kaydediniz.
7. Tablo 2.2 ve Tablo 2.3deki deerleri kullanarak VCEIC karakteristik
erilerini ekil 2.12 zerine iziniz.

ekil 2.11. VCEIC karakteristik erisinin karlmas deney emas

Tablo 2.2. VCE ve IC deerleri lm sonular

Tablo 2.3. VCE ve IC deerleri lm sonular

ekil 2.12. VCEIC karakteristik erisi

BC237 NPN TRANSSTOR ULARI