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Fuerzas de dispersin de London

Las fuerzas de dispersin de London son un tipo de fuerza intermolecular, denominadas as


por el fsico alemn Fritz London, quien las investig en 1930. Surgen entre molculas no
polares, en las que pueden aparecer dipolos instantneos. Son ms intensas cuanto mayor es
la molcula, ya que los dipolos se pueden producir con ms facilidad. Dipolo-dipolo: consiste
en la atraccin electrosttica entre el extremo positivo de una molcula polar y el negativo de
otra. El enlace de hidrgeno es un tipo especial de interaccin dipolo-dipolo. Slo son eficaces
a distancias muy cortas; adems son fuerzas ms dbiles que en el caso ion-ion porque q+ y
q- representan cargas parciales. As como las molculas polares presentan algn tipo de
fuerzas intermoleculares como las ya mencionadas, tambin las sustancia conformadas por
molculas no polares y los tomos que constituyen los gases nobles experimentan
atracciones muy dbiles llamadas fuerzas de london.
La intensidad de la fuerza de dispersin depende de cierto nmero de factores. Sin embargo,
dar un enfoque cualitativo y predictivo debe considerar que las fuerzas de dispersin se
relacionan con el nmero de electrones que se encuentren en el tomo o en la molcula. As,
bajo dicha base, es el nmero de electrones el que determinar la facilidad con la que se
puede polarizar la densidad del electrn y a mayor polarizacin, son ms intensas las fuerzas
de dispersin. A su vez, la intensidad de estas fuerzas intermoleculares determina el punto de
fusin y el punto de ebullicin de la sustancia: cuando ms intensas son las fuerzas
intermoleculares, ms altos son los puntos de fusin y de ebullicin.

Vase tambin[editar]

Fuerzas de Van der Waals

Los lagartos gecko pueden adherirse a las paredes y techos, debido a las fuerzas de Van der Waals.

En fisicoqumica, las fuerzas de Van der Waals o interacciones de Van der Waals, son las
fuerzas atractivas o repulsivas entre molculas (o entre partes de una misma molcula)
distintas a aquellas debidas a un enlace intramolecular (Enlace inico, Enlace
metlico y enlace covalente de tipo reticular) o a la interaccin electrosttica de iones con
otros o con molculas neutras.1 El trmino incluye:

Fuerza entre dos dipolos permanentes. Si las interacciones son entre molculas que
estn polarizadas de manera permanente (por ejemplo, las molculas de agua que atraen
otras molculas de agua u otras molculas polares), se conocen como fuerzas de
Keesom.

Fuerza entre un dipolo permanente y un dipolo inducido. Cuando un dipolo inducido


(esto es, un dipolo que se induce en un tomo o una molcula que de otra manera sera
no polar) interacta con una molcula que tiene un momento dipolar permanente, esta
interaccin se conoce como fuerza de Debye. Un ejemplo de esta interaccin seran las
fuerzas entre las molculas de agua y las de tetracloruro de carbono.

Fuerza entre dos dipolos inducidos instantneamente. Si las interacciones son entre
dos dipolos que estn inducidos en los tomos o molculas, se conocen como fuerzas de
London (por ejemplo, el tetracloruro de carbono).

Tambin se usa en ocasiones como un sinnimo para la totalidad de las fuerzas


intermoleculares.
Estas fuerzas fueron nombradas en honor al fsico neerlands Johannes Diderik van der
Waals (18371923), premio Nobel de Fsica en 1910, que en 1873 fue el primero en
introducir sus efectos en las ecuaciones de estado de un gas (vase ecuacin de Van der
Waals).

Llevo ya una temporadita leyendo, tanto en blogs de divulgacin cientfica y escepticismo como
en noticias relacionadas con los recortes que ha sufrido la financiacin de la Ciencia en Espaa,
que los que nos dedicamos a la investigacin vivimos en una torre de marfil y que es esencial
que nos comuniquemos con el pblico. As, la sociedad entender y valorar nuestro trabajo y
podremos convencerla de que no est tirando el dinero pagando por investigacin cientfica y
tecnolgica (y as pagar con ms alegra, se entiende).
Como podris imaginar, estas llamadas a la divulgacin han llegado a mi corazoncito y, con
toda la modestia del mundo, voy a intentar participar. Con este artculo comienzo una serie en
la que voy a tratar de explicar, con un lenguaje lo ms sencillo posible, para todos los pblicos,
sin casi ecuaciones, y con muchos dibujitos, cul es mi trabajo: a qu me dedico ahora y a qu
proyectos me he dedicado en el pasado. La cosa debera dar para tres o cuatro artculos,
porque, en principio, no quisiera entrar en demasiado detalle, sino ms bien dar una visin
general de mi campo, aunque todo se ver segn vayan pasando los das.

Para que se entienda todo esto que quiero escribrir, sin embargo, es necesario que primero os
ensee los principios bsicos de Fsica del Estado Slido y Fsica de Semiconductores en los
que se basa mi trabajo, y a los que luego voy a hacer referencia todo el rato. De eso trata el
artculo de hoy. Que nadie se asuste porque, insisto, est escrito para todos los pblicos y
asumiendo que no tenis conocimientos previos del tema. Por otra parte, espero que los
entendidos sepis perdonar los gambazos que pueda meter intentando simplificar el asunto.

Empezando por lo ms sencillo: el tomo.


Como todos sabris, la materia, absolutamente todo lo que nos rodea, est hecho a base de
unos ladrillos fundamentales que son los tomos. Estos constituyentes fundamentales estn a
su vez compuestos por un ncleo, que tiene carga positiva, y que concentra casi toda la masa
del tomo, y uno o ms electrones, que tienen carga negativa y muy poquita masa, y que se
encuentran dando vueltas, formando una nube alrededor del ncelo, a una cierta distancia. El
ncleo, a su vez, est formado por protones, con carga positiva, y neutrones, que no tienen
carga elctrica, y que sirven para que el ncleo no se desintegre (ya sabis, las cargas iguales se
repelen, y el ncleo est lleno de cargas positivas). Si miramos dentro de estas partculas,
podemos ver que estn compuestas de otras ms fundamentales, pero eso ya est fuera de mi
campo, y no me voy a meter en camisas de once varas.

Figura 1. Esquema de niveles de energa de un tomo imaginario.

Es el nmero de electrones lo que le da sus propiedades al tomo a la hora de combinarse con


otros y formar slidos, que es lo que nos ocupa. Para mantener la neutralidad de carga elctrica
del tomo (es decir, para que la carga elctrica total del tomo en su conjunto sea cero), tiene
que haber tantos protones como electrones. Es relativamente fcil, sin embargo, quitar o aadir
electones a un tomo, de modo que acabe teniendo ms electrones que protones, o al revs: en
ese caso se dice que el tomo est ionizado o se le llama in. Como el nmero de protones no se
puede cambiar tan fcilmente, se utiliza para etiquetar al tomo y darle un nombre. As, si un
tomo tiene un protn en el ncleo decimos que es un tomo de hidrgeno, y si tiene 14
protones, decimos que es un tomo de silicio
Desde que se empez a desarrolar la fsica cuntica, a principios del siglo XX, sabemos que la
energa total de los electrones no puede tener cualquier valor, sino slo unos pocos
determinados. A estos valores se les suele llamar niveles de energa discretos, por oposicin a
contnuos. En la Figura 1 he dibujado un esquemita de niveles de energa de un tomo
imaginario. Los electrones (que son las bolitas verdes con un signo menos de la figura) slo
pueden tener los valores de energa indicados con lneas en la escala, pero no los valores
intermedios.
A la temperatura del cero absoluto (que es la temperatura ms baja posible y es igual a ms o
menos -273 C, es decir, muy fro), los electrones que formen parte del tomo siempre se
distriburin en los niveles ms bajos disponibles, sin dejar huecos libres. Sin embargo, para
temperaturas mayores, hay electrones excitados que tienen una energa algo ms alta de lo que
uno se esperara, aunque siempre una energa de las permitidas, claro. Para que un electrn
cambie de energa, tiene que dar o recibir justo (y de un golpe) la energa que le separa de su
nivel actual al nivel al que queremos que llegue. Esta energa puede darse o recibirse de
diversas maneras: en forma de luz, de energa trmica, de energa elctrica

Muchos tomos juntos: el slido


Todo esto es vlido para electrones aislados, pero, qu pasa cuando ponemos muchos tomos
juntos para que formen un slido? Para estudiar los slidos, se suelen considerar por un lado
los ncelos de los tomos junto con los electrones de menos energa que estn muy fuertemente
ligados al ncelo, y por otro lado los electrones menos ligados, los que estn en las capas ms
lejanas al ncelo, a los que se llama de valencia y son los encargados de formar los enlaces
qumicos que mantienen los slidos nidos y formando una sola pieza. Segn vamos acercando

los tomos de nuestro slido entre s para formar un cristal (es decir, un arreglo de atmos
ordenados de una determinada manera), los niveles de energa de los electrones de valencia
comienzan a desplazarse y a agruparse, formando bandas de energa. Dichas bandas estn, en
realidad, compuestas por muchos niveles energticos muy juntitos. De nuevo, los electrones
pueden tener cualquier energa dentro de una banda, pero no puede tener los valores de
energa que hay entre banda y banda. A esta bandas de energa prohibida, en ingls se les
llama band gap, algo as como el hueco entre las bandas, y de hecho, en espaol se suele
utilizar la palabra gap tambin.

Figura 2. Diagrama que muestra cmo los nveles energticos para los electrones de tomos aislados se combinan
formando bandas de energa para los electrones en un slido.

De una manera parecida a lo que pasaba con los electrones aislados, a 0 K (que se
lee cero Kelvin, y es la temperatura ms baja posible de la que hablaba antes) los electrones del
slidos van ocupando los niveles ms bajos (recuerda que las bandas, al fin y al cabo, estan
compuestas por niveles muy juntos) sin dejar ninguno libre. Si subimos la temperatura un
poco, los electrones ms energticos (los de la superficie de esta especie de mar de electrones)
pueden ganar energa y ocupar niveles algo ms altos dentro de su banda, si es que hay alguno
libre.
En la Figura 2, he representado cmo los niveles electrnicos de los tomos aislados se
convierten en bandas de energa cuando los tomos forman un slido. Tenemos una banda de
poca energa (que se suele llamar banda de valencia) que est llena de electrones (y por eso la

he pintado de color verde) y una banda de ms energa, que en este caso est vaca de
electrones (y por eso la he pintado de color gris). A esta banda inmediatamente superior a la de
valencia se le suele llamar banda de conduccin.

Conductores, semiconductores aislantes


Ahora viene una distincin importante. Hasta ahora hemos hablado de materiales que tienen
unas bandas de energas permitidas para los electrones, y que estas bandas estn separadas
por bandas de energa prohibida (es decir, los electrones no pueden tener esas energas).
Tambin hemos dicho que los electrones se distribuyen por estas bandas del mismo modo que
el agua en el mar: de abajo a arriba sin dejar huecos.
El caso es que, segn cunta energa tengan los electrones que ms energa tengan (es decir, los
de la superficie de ese mar), en relacin con la estructura de las bandas, podemos diferenciar a
los materiales en tres tipos generales: conductores, semiconductores y aislantes. En los
conductores, la banda de ms energa en la que hay electrones est slo parcialmente ocupada,
de modo que, como dije ms arriba, los electrones ms energticos tienen niveles de energa
disponibles para poder fcilmente ganar an ms energa (simplemente por estar el cristal a
una temperatura mayor que 0 K) y moverse por el cristal y transportar su carga: conducir
electricidad, vaya. En los semiconductores, la banda ocupada con mayor energa est llena
hasta arriba, de modo que los electrones no lo tienen tan fcil para ganar un poquito de energa
y moverse por el cristal. Sin embargo, la siguiente banda de energa no est muy lejos
energticamente hablando (la energa de banda prohibida es muy estrechita) y en el fondo no
es tan difcil que puedan saltar a la siguiente banda y moverse por ah, con lo que el material
conducira la electricidad. Por ltimo, en los materiales aislantes, la banda de valencia, y la
banda de conduccin estn tan separadas que los electrones no pueden salvar la energa
prohibida que las separa, y no pueden conseguir energa para moverse por el cristal: estos
materiales no conducen la electricidad.

Figura 3. Diagrama de bandas de energa para materiales conductores, semiconductores y aislantes.

En la Figura 3 he representado estos tres casos. Para los semiconductores y aislantes veris que
hay un numerito al lado de la banda de energa prohibida. Este nmerito representa la anchura
de la banda de energa prohibida en electronvoltios. Los electronvoltios (eV) son una unidad de
energa que utilizamos porque as los nmeros que manejamos son eso, manejables, como
podis ver: 1, 3, 4 cosas as. Se suele considerar semiconductor a los materiales cuya banda de
energa prohibida est entre 0 y unos 4 eV. Materiales con band gap mayor se suelen
considerar aislantes. (Ah, y el simbolito que sale antes del nmero y que es como lo de encima
de la letra siginfica similar a).

Semiconductores intrnsecos
La mayora de las cosas que hecho en mi vida de investigador han estado relacionadas con los
semiconductores, y por eso voy a decir un par de cosas ms sobre ellos, que sern necesarias
para lo que explicar en futuros artculos.
A los semiconductores que, para poder conducir la electricidad, dependen de que los electrones
de la banda de valencia puedan llegar a la banda de conduccin se les suele llamar intrnsecos.
En la Figura 4 (izquierda) podis ver que, una vez que los electrones alcanzan la banda de
conduccin, dejan un hueco libre en la banda de valencia. Una situacin como la de la figura,
en vez de describirla como en la banda de valencia estn todos los electrones menos dos, la
describimos como hay dos huecos en la banda de valencia. De hecho, a todos los efectos

prcticos, los huecos se consideran partculas reales, tal y como los electrones, pero con carga
positiva.

Figura 4. Reaccin de electrones y huecos al aplicar un campo elctrico en un material semiconductor.

Si aplicamos un campo elctrico al material, nos encontramos con una situacin como la de la
parte derecha de la Figura 4: las bandas se inclinan, tanto ms cuanto ms intenso sea el campo
elctrico que se aplica. Ante este campo elctrico, cmo reaccionan electrones y huecos? Pues
de una forma que se entiende muy bien utilizando una analoga muy intuitiva. Los electrones se
comportan como unas canicas en una cuesta, y ruedan cuesta abajo. Los huecos reaccionan
como las burbujas de un refresco (o de una cerveza, s, tambin) y van subiendo hacia arriba en
el diagrama.
Sin embargo, este sistema para que los semiconductores consigan portadores de carga (es
decir, electrones y huecos) que se pueden mover por el material y as conducir la electricidad,
no es muy conveniente desde el punto de vista prctico. Para empezar, la temperatura
necesaria para que haya suficientes electrones que salten de la banda de valencia a la banda de
conduccin es muy alta (mayor que la temperatura ambiente), y adems, la cantidad de
electrones que tengamos ah arriba, en la banda de conduccin (y huecos ah abajo, en la de
valencia), depende fuertemente de la temperatura, con lo que no tenemos mucho control. Para
superar este problema se hace un truco bastante ingenioso. Como ejemplo, lo explicar con el
semiconductor por excelencia: el silicio.

Semiconductores tipo n y tipo p (estos son los extrnsecos, claro)


Los tomos de silicio (smbolo qumico Si) tienen cuatro electrones de valencia, que son los
electrones que utiliza el tomo para formar enlaces y juntarse con otros tomos para formar
materiales. En un cristal de Si, cada tomo comparte uno de esos cuatro electrones de valencia
con un tomo de Si vecino. As, cada tomo tiene ocho electrones que es algo muy estable y que
a los tomos les gusta mucho.

Figura 5. Descripcin de un semiconductor tipo n.

Ahora viene el truco. Imaginemos (con ayuda de la Figura 5) que sustitumos unos pocos
tomos de Si de nuestro cristal por tomos, por ejemplo, de antimonio (smbolo qumico Sb)
que tiene cinco electrones de valencia. Igual que antes, el tomo de Sb comparte cuatro de sus
cinco electrones de valencia con los cuatro tomos de Si que lo rodean. Qu pasa? Pues que al
tomo de Sb le sobra un electrn, y ese electrn tiene cierta libertad para moverse por el cristal,
siempre y cuando le demos suficiente energa como para que se separe del tomo de Sb. Esto,
explicado con un diagrama de bandas como los que he puesto ms arriba, significa que, una vez
que tenemos nuestras impurezas en el cristal, los electrones sobrantes se sitan,
energticamente hablando, en niveles localizados que estn dentro de la banda prohibida, pero
muy cerquita de la banda de conduccin, as que con muy poquita energa (la que tienen por

estar el slido a temperatura ambiente, por ejemplo), pueden saltar a la banda de conduccin y
bueno, ya sabis, moverse por ah. De este modo, dopando el Si con Sb (es decir, introduciendo
en el cristal de Si impurezas de Sb) conseguimos un material rico en electrones que son libres
de moverse bajo la influencia de un campo elctrico. A semiconductores dopados de esta
manera, se les llama tipo n.
Si os acordis, ms arriba hablamos del concepto de hueco. Bsicamente consiste en quitar un
electrn de la banda de valencia del semiconductor, de modo que los electrones son libres de
moverse. Pero a todos los efectos, lo que tenemos es una carga positiva (el hueco dejado por el
electrn que se fue a la banda de conduccin) que se mueve en direccin contraria a los
electrones. Pues bueno, tambin hay otro truco para dopar los semiconductores para que la
conduccin de la electricidad, en lugar de ser por electrones, como en los semiconductores tipo
n, sea por huecos.

Figura 6. Descripcin de un semiconductor tipo p.

Lo que se hace es algo muy parecido al caso anterior (ver Figura 6): sustituir algunos tomos de
Si por otros de otro elemento, esta vez por uno con tres electones de valencia, como el boro
(smbolo B). El tomo de la impuerza comparte sus tres electrones de valencia con tres de sus
tomos de Si vecinos, pero no tiene nada que ofrecer al cuarto en discordia. En este brazo del
tomo de B, queda un hueco que puede ser llenado por un electrn del tomo de Si vecino

(veis?, ya salen los huecos a relucir) siempre y cuando a dicho electrn se le comunique
suficiente energa como para abandonar su tomo original. As, el hueco puede ir saltando de
tomo en tomo, y transportar su carga (rigurosamente, su falta de carga negativa, que es como
si fuera una carga positiva en el material neutro).
En un diagrama de bandas como el que ense antes, la cosa se ve as (parte derecha de la
Figura 6): los tomos de impureza introducen unos niveles energticos que estn vacos, y que
estn localizados en la banda de energa prohibida, un poco por encima del borde de la banda
de valencia. Es fcil, para los electrones en la banda de valencia, adquirir suficiente energa
(por estar el material a temperatura ambiente, de nuevo), llenar esos niveles, y dejar un hueco
atrs, que es el que se encarga de conducir la electricidad.

Para saber ms
Con estos mimbres creo que ya hay suficiente para entender lo que venga en el futuro, pero
como es posible que algunos de los que leis esto queris saber un poco ms (o no os fiis de
m), os recomiendo mirar la Wikipedia (sobre todo la versin en ingls) y alguno de estos libros
que menciono a continuacin.
Ms o menos lo que yo he contado, con ms detalles, pero sin ser un nivel muy, muy alto:
Primer captulo de Fundamentos de Electrnica Fsica y Microelectrnica. J. M. Abella y J. M.
Martnez-Duart. Addison-Wesley Iberoamericana, 1996. (Disponible en pdf aqu).
Y si ya queris ir a por todas
Segundo captulo de Fsica de los Semiconductores, K. V. Shalmova. Editorial Mir, 1975.
Primer captulo de Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze y K. K. Ng. Interscience 2006.
Y ms en general, sobre Fsica del Estado Slido:
Solid State Physics, N. W. Ashcroft y N. D. Mermin. Brooks/Cole, 1976.
Introduccin a la Fsica del Estado Slido, C. Kittel. Reverte, 1993.
Y esto es todo de momento. Espero no haber espantado a muchos lectores.

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slido, semiconductores intrnsecos, semiconductores tipo n, semiconductores tipo p

Dopaje (semiconductores)
Para otros usos de este trmino, vase Dopaje (desambiguacin).

Esquema del campo elctrico creado en una clula fotovoltaica mediante la unin pnentre dos capas de
semiconductores dopados.

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar


impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con
el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de
semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los
conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como
un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un pequeo nmero
de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos) entonces se dice que el
dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada
10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se
representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
ndice
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1Historia

2Elementos dopantes
o

2.1Semiconductores de Grupo IV
3Tipos de materiales dopantes

3.1Tipo N

3.2Tipo P

4Dopaje en conductores orgnicos

5Vase tambin

6Referencias

Historia[editar]
El dopaje fue desarrollado originalmente por John Robert Woodyard mientras trabajaba para
la Sperry Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial.1 La demanda de su
trabajo sobre el radar durante la guerra no le permiti desarrollar ms profundamente la
investigacin sobre el dopaje, pero durante la posguerra se gener una gran demanda iniciada
por la compaa Sperry Rand, al conocerse su importante aplicacin en la fabricacin de
transistores.2

Elementos dopantes[editar]
Semiconductores de Grupo IV[editar]
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los
dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y
ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.

Tipos de materiales dopantes[editar]


Tipo N[editar]
Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin
de electrones sin huecos asociados a los mismos semiconductores. Los tomos de este tipo
se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como
el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya
que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a
diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria
para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal
de silicio (o del semiconductor original). Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por
lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La
cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de
impurezas introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del
Fsforo, se dona un electrn.

Dopaje de tipo N

Tipo P[editar]
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos
sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura.
Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen
ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido
es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo
tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a
tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones,
por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al
igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de
la cantidad de tomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le
falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

Dopaje de tipo P

Dopaje en conductores orgnicos[editar]


Artculo principal: Polmero conductor

Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que oxiden (o
algunas veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas conductoras dentro de
un sistema potencialmente conductor.
Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante un proceso
de reduccin-oxidacin. En el primer mtodo, dopado qumico, se expone un polmero, como
la melanina (tpicamente una pelcula delgada), a un oxidante (tpicamente yodo o bromo) o a
un agente reductor (tpicamente se utilizan metales alcalinos, aunque esta exposicin es
bastante menos comn). El segundo mtodo es el dopaje electroqumico, en la cual un
electrodo de trabajo, revestido con un polmero, es suspendido en una solucin electroltica,
en la cual el polmero es insoluble, junto al electrodo opuesto, separados ambos. Se crea una
diferencia de potencial elctrico entre los electrodos, la cual hace que una carga (y su
correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero en la forma de electrones agregados
(dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P), segn la polarizacin utilizada.
La razn por la cual el dopaje tipo N es mucho menos comn es que la atmsfera de la tierra,
la cual es rica en oxgeno, crea un ambiente oxidante. Un polmero tipo N rico en electrones
reaccionara inmediatamente con el oxgeno ambiental y se desdopara (o reoxidara)
nuevamente el polmero, volviendo a su estado natural.

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