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Vase tambin[editar]
Los lagartos gecko pueden adherirse a las paredes y techos, debido a las fuerzas de Van der Waals.
En fisicoqumica, las fuerzas de Van der Waals o interacciones de Van der Waals, son las
fuerzas atractivas o repulsivas entre molculas (o entre partes de una misma molcula)
distintas a aquellas debidas a un enlace intramolecular (Enlace inico, Enlace
metlico y enlace covalente de tipo reticular) o a la interaccin electrosttica de iones con
otros o con molculas neutras.1 El trmino incluye:
Fuerza entre dos dipolos permanentes. Si las interacciones son entre molculas que
estn polarizadas de manera permanente (por ejemplo, las molculas de agua que atraen
otras molculas de agua u otras molculas polares), se conocen como fuerzas de
Keesom.
Fuerza entre dos dipolos inducidos instantneamente. Si las interacciones son entre
dos dipolos que estn inducidos en los tomos o molculas, se conocen como fuerzas de
London (por ejemplo, el tetracloruro de carbono).
Llevo ya una temporadita leyendo, tanto en blogs de divulgacin cientfica y escepticismo como
en noticias relacionadas con los recortes que ha sufrido la financiacin de la Ciencia en Espaa,
que los que nos dedicamos a la investigacin vivimos en una torre de marfil y que es esencial
que nos comuniquemos con el pblico. As, la sociedad entender y valorar nuestro trabajo y
podremos convencerla de que no est tirando el dinero pagando por investigacin cientfica y
tecnolgica (y as pagar con ms alegra, se entiende).
Como podris imaginar, estas llamadas a la divulgacin han llegado a mi corazoncito y, con
toda la modestia del mundo, voy a intentar participar. Con este artculo comienzo una serie en
la que voy a tratar de explicar, con un lenguaje lo ms sencillo posible, para todos los pblicos,
sin casi ecuaciones, y con muchos dibujitos, cul es mi trabajo: a qu me dedico ahora y a qu
proyectos me he dedicado en el pasado. La cosa debera dar para tres o cuatro artculos,
porque, en principio, no quisiera entrar en demasiado detalle, sino ms bien dar una visin
general de mi campo, aunque todo se ver segn vayan pasando los das.
Para que se entienda todo esto que quiero escribrir, sin embargo, es necesario que primero os
ensee los principios bsicos de Fsica del Estado Slido y Fsica de Semiconductores en los
que se basa mi trabajo, y a los que luego voy a hacer referencia todo el rato. De eso trata el
artculo de hoy. Que nadie se asuste porque, insisto, est escrito para todos los pblicos y
asumiendo que no tenis conocimientos previos del tema. Por otra parte, espero que los
entendidos sepis perdonar los gambazos que pueda meter intentando simplificar el asunto.
los tomos de nuestro slido entre s para formar un cristal (es decir, un arreglo de atmos
ordenados de una determinada manera), los niveles de energa de los electrones de valencia
comienzan a desplazarse y a agruparse, formando bandas de energa. Dichas bandas estn, en
realidad, compuestas por muchos niveles energticos muy juntitos. De nuevo, los electrones
pueden tener cualquier energa dentro de una banda, pero no puede tener los valores de
energa que hay entre banda y banda. A esta bandas de energa prohibida, en ingls se les
llama band gap, algo as como el hueco entre las bandas, y de hecho, en espaol se suele
utilizar la palabra gap tambin.
Figura 2. Diagrama que muestra cmo los nveles energticos para los electrones de tomos aislados se combinan
formando bandas de energa para los electrones en un slido.
De una manera parecida a lo que pasaba con los electrones aislados, a 0 K (que se
lee cero Kelvin, y es la temperatura ms baja posible de la que hablaba antes) los electrones del
slidos van ocupando los niveles ms bajos (recuerda que las bandas, al fin y al cabo, estan
compuestas por niveles muy juntos) sin dejar ninguno libre. Si subimos la temperatura un
poco, los electrones ms energticos (los de la superficie de esta especie de mar de electrones)
pueden ganar energa y ocupar niveles algo ms altos dentro de su banda, si es que hay alguno
libre.
En la Figura 2, he representado cmo los niveles electrnicos de los tomos aislados se
convierten en bandas de energa cuando los tomos forman un slido. Tenemos una banda de
poca energa (que se suele llamar banda de valencia) que est llena de electrones (y por eso la
he pintado de color verde) y una banda de ms energa, que en este caso est vaca de
electrones (y por eso la he pintado de color gris). A esta banda inmediatamente superior a la de
valencia se le suele llamar banda de conduccin.
En la Figura 3 he representado estos tres casos. Para los semiconductores y aislantes veris que
hay un numerito al lado de la banda de energa prohibida. Este nmerito representa la anchura
de la banda de energa prohibida en electronvoltios. Los electronvoltios (eV) son una unidad de
energa que utilizamos porque as los nmeros que manejamos son eso, manejables, como
podis ver: 1, 3, 4 cosas as. Se suele considerar semiconductor a los materiales cuya banda de
energa prohibida est entre 0 y unos 4 eV. Materiales con band gap mayor se suelen
considerar aislantes. (Ah, y el simbolito que sale antes del nmero y que es como lo de encima
de la letra siginfica similar a).
Semiconductores intrnsecos
La mayora de las cosas que hecho en mi vida de investigador han estado relacionadas con los
semiconductores, y por eso voy a decir un par de cosas ms sobre ellos, que sern necesarias
para lo que explicar en futuros artculos.
A los semiconductores que, para poder conducir la electricidad, dependen de que los electrones
de la banda de valencia puedan llegar a la banda de conduccin se les suele llamar intrnsecos.
En la Figura 4 (izquierda) podis ver que, una vez que los electrones alcanzan la banda de
conduccin, dejan un hueco libre en la banda de valencia. Una situacin como la de la figura,
en vez de describirla como en la banda de valencia estn todos los electrones menos dos, la
describimos como hay dos huecos en la banda de valencia. De hecho, a todos los efectos
prcticos, los huecos se consideran partculas reales, tal y como los electrones, pero con carga
positiva.
Si aplicamos un campo elctrico al material, nos encontramos con una situacin como la de la
parte derecha de la Figura 4: las bandas se inclinan, tanto ms cuanto ms intenso sea el campo
elctrico que se aplica. Ante este campo elctrico, cmo reaccionan electrones y huecos? Pues
de una forma que se entiende muy bien utilizando una analoga muy intuitiva. Los electrones se
comportan como unas canicas en una cuesta, y ruedan cuesta abajo. Los huecos reaccionan
como las burbujas de un refresco (o de una cerveza, s, tambin) y van subiendo hacia arriba en
el diagrama.
Sin embargo, este sistema para que los semiconductores consigan portadores de carga (es
decir, electrones y huecos) que se pueden mover por el material y as conducir la electricidad,
no es muy conveniente desde el punto de vista prctico. Para empezar, la temperatura
necesaria para que haya suficientes electrones que salten de la banda de valencia a la banda de
conduccin es muy alta (mayor que la temperatura ambiente), y adems, la cantidad de
electrones que tengamos ah arriba, en la banda de conduccin (y huecos ah abajo, en la de
valencia), depende fuertemente de la temperatura, con lo que no tenemos mucho control. Para
superar este problema se hace un truco bastante ingenioso. Como ejemplo, lo explicar con el
semiconductor por excelencia: el silicio.
Ahora viene el truco. Imaginemos (con ayuda de la Figura 5) que sustitumos unos pocos
tomos de Si de nuestro cristal por tomos, por ejemplo, de antimonio (smbolo qumico Sb)
que tiene cinco electrones de valencia. Igual que antes, el tomo de Sb comparte cuatro de sus
cinco electrones de valencia con los cuatro tomos de Si que lo rodean. Qu pasa? Pues que al
tomo de Sb le sobra un electrn, y ese electrn tiene cierta libertad para moverse por el cristal,
siempre y cuando le demos suficiente energa como para que se separe del tomo de Sb. Esto,
explicado con un diagrama de bandas como los que he puesto ms arriba, significa que, una vez
que tenemos nuestras impurezas en el cristal, los electrones sobrantes se sitan,
energticamente hablando, en niveles localizados que estn dentro de la banda prohibida, pero
muy cerquita de la banda de conduccin, as que con muy poquita energa (la que tienen por
estar el slido a temperatura ambiente, por ejemplo), pueden saltar a la banda de conduccin y
bueno, ya sabis, moverse por ah. De este modo, dopando el Si con Sb (es decir, introduciendo
en el cristal de Si impurezas de Sb) conseguimos un material rico en electrones que son libres
de moverse bajo la influencia de un campo elctrico. A semiconductores dopados de esta
manera, se les llama tipo n.
Si os acordis, ms arriba hablamos del concepto de hueco. Bsicamente consiste en quitar un
electrn de la banda de valencia del semiconductor, de modo que los electrones son libres de
moverse. Pero a todos los efectos, lo que tenemos es una carga positiva (el hueco dejado por el
electrn que se fue a la banda de conduccin) que se mueve en direccin contraria a los
electrones. Pues bueno, tambin hay otro truco para dopar los semiconductores para que la
conduccin de la electricidad, en lugar de ser por electrones, como en los semiconductores tipo
n, sea por huecos.
Lo que se hace es algo muy parecido al caso anterior (ver Figura 6): sustituir algunos tomos de
Si por otros de otro elemento, esta vez por uno con tres electones de valencia, como el boro
(smbolo B). El tomo de la impuerza comparte sus tres electrones de valencia con tres de sus
tomos de Si vecinos, pero no tiene nada que ofrecer al cuarto en discordia. En este brazo del
tomo de B, queda un hueco que puede ser llenado por un electrn del tomo de Si vecino
(veis?, ya salen los huecos a relucir) siempre y cuando a dicho electrn se le comunique
suficiente energa como para abandonar su tomo original. As, el hueco puede ir saltando de
tomo en tomo, y transportar su carga (rigurosamente, su falta de carga negativa, que es como
si fuera una carga positiva en el material neutro).
En un diagrama de bandas como el que ense antes, la cosa se ve as (parte derecha de la
Figura 6): los tomos de impureza introducen unos niveles energticos que estn vacos, y que
estn localizados en la banda de energa prohibida, un poco por encima del borde de la banda
de valencia. Es fcil, para los electrones en la banda de valencia, adquirir suficiente energa
(por estar el material a temperatura ambiente, de nuevo), llenar esos niveles, y dejar un hueco
atrs, que es el que se encarga de conducir la electricidad.
Para saber ms
Con estos mimbres creo que ya hay suficiente para entender lo que venga en el futuro, pero
como es posible que algunos de los que leis esto queris saber un poco ms (o no os fiis de
m), os recomiendo mirar la Wikipedia (sobre todo la versin en ingls) y alguno de estos libros
que menciono a continuacin.
Ms o menos lo que yo he contado, con ms detalles, pero sin ser un nivel muy, muy alto:
Primer captulo de Fundamentos de Electrnica Fsica y Microelectrnica. J. M. Abella y J. M.
Martnez-Duart. Addison-Wesley Iberoamericana, 1996. (Disponible en pdf aqu).
Y si ya queris ir a por todas
Segundo captulo de Fsica de los Semiconductores, K. V. Shalmova. Editorial Mir, 1975.
Primer captulo de Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze y K. K. Ng. Interscience 2006.
Y ms en general, sobre Fsica del Estado Slido:
Solid State Physics, N. W. Ashcroft y N. D. Mermin. Brooks/Cole, 1976.
Introduccin a la Fsica del Estado Slido, C. Kittel. Reverte, 1993.
Y esto es todo de momento. Espero no haber espantado a muchos lectores.
Dopaje (semiconductores)
Para otros usos de este trmino, vase Dopaje (desambiguacin).
Esquema del campo elctrico creado en una clula fotovoltaica mediante la unin pnentre dos capas de
semiconductores dopados.
1Historia
2Elementos dopantes
o
2.1Semiconductores de Grupo IV
3Tipos de materiales dopantes
3.1Tipo N
3.2Tipo P
5Vase tambin
6Referencias
Historia[editar]
El dopaje fue desarrollado originalmente por John Robert Woodyard mientras trabajaba para
la Sperry Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial.1 La demanda de su
trabajo sobre el radar durante la guerra no le permiti desarrollar ms profundamente la
investigacin sobre el dopaje, pero durante la posguerra se gener una gran demanda iniciada
por la compaa Sperry Rand, al conocerse su importante aplicacin en la fabricacin de
transistores.2
Elementos dopantes[editar]
Semiconductores de Grupo IV[editar]
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los
dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y
ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del
Fsforo, se dona un electrn.
Dopaje de tipo N
Tipo P[editar]
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos
sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura.
Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen
ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido
es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo
tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a
tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones,
por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al
igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de
la cantidad de tomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le
falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.
Dopaje de tipo P
Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que oxiden (o
algunas veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas conductoras dentro de
un sistema potencialmente conductor.
Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante un proceso
de reduccin-oxidacin. En el primer mtodo, dopado qumico, se expone un polmero, como
la melanina (tpicamente una pelcula delgada), a un oxidante (tpicamente yodo o bromo) o a
un agente reductor (tpicamente se utilizan metales alcalinos, aunque esta exposicin es
bastante menos comn). El segundo mtodo es el dopaje electroqumico, en la cual un
electrodo de trabajo, revestido con un polmero, es suspendido en una solucin electroltica,
en la cual el polmero es insoluble, junto al electrodo opuesto, separados ambos. Se crea una
diferencia de potencial elctrico entre los electrodos, la cual hace que una carga (y su
correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero en la forma de electrones agregados
(dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P), segn la polarizacin utilizada.
La razn por la cual el dopaje tipo N es mucho menos comn es que la atmsfera de la tierra,
la cual es rica en oxgeno, crea un ambiente oxidante. Un polmero tipo N rico en electrones
reaccionara inmediatamente con el oxgeno ambiental y se desdopara (o reoxidara)
nuevamente el polmero, volviendo a su estado natural.