SESIN 1: Jueves 17 Noviembre: (10:45 hasta 12:45)

2 horas CE = Clase Expositiva

Componentes electrnicos
Diodos, transistores y tiristores

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Manuel Rico-Secades

COMPONENTES ELECTRICOS Y ELECTRNICOS

Breve sumario
Componentes bsicos: pasivos y fuentes
Resistencias
Condensadores
Inductancias o bobinas
Transformadores
Fuentes de alimentacin (Tensin y corriente)

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Manuel Rico-Secades

ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERS: RESISTENCIAS

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Manuel Rico-Secades

ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERS: RESISTENCIAS

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Manuel Rico-Secades

ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERS: CONDENSADORES

Un condensador est formado por un aislante (dielctrico) colocado entre dos
conductores (p.e. condensador de placas planas).
Los condensadores tienen capacidad de almacenar energa en
campo electrosttico.
Smbolo
El parmetro C indica la capacidad de un elemento de
almacenar energa.

Placas

Dielctrico

La capacidad C depende de la
geometra del condensador y
de la permitividad () del
aislante.
p.e. para un condensador de
placas planas

S
C
d
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Se define como la carga necesaria para provocar una

variacin de una unidad de tensin.

dQ(t )
dV (t )

De donde se obtiene la conocida relacin

diferencial entre la tensin y la corriente de un
condensador. Los condensadores se oponen a las
variaciones bruscas de tensin.

dI (t ) C

dV (t )
dt
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ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERS: CONDENSADORES

En funcin del material dielctrico podemos tener:

O = 0.0885 x 10-10 F/m

Condensadores de aire (Air dielectric capacitors)

Condensadores de Mica (Silver mica capacitors)
Condensadores cermicos (Ceramic capacitors)
Condensadores de papel (Paper capacitors)
Condensadores plsticos (Plastic film capacitors)
Condensadores electrolticos (Electrolytic capacitors)

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S
C O R
d

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ELEMENTOS AUXILIARES DE INTERS: BOBINAS

dI L (t )
U L (t ) L
dt

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DISPOSITIVOS ELECTRNICOS

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Semiconductores elementales:
Germanio (Ge) y Silicio (Si)

Compuestos IV:
Si C y Si Ge
Compuestos III-V:
Binarios: Ga As, Ga P, Ga Sb, Al As, Al P, Al Sb, In As, In P y In Sb
Ternarios: Ga As P, Al Ga As
Cuaternarios: In Ga As P
Compuestos II-VI:
Zn S, Zn Se, Zn Te, Cd S, Cd Se y Cd Te

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SEMICONDUCTORES TIPO N: Dopantes grupo V (p.e. Sb)

Cada tomo dopante aporta al cristal un electrn libre.
Cada tomo dopante aporta un in positivo fijo (no se
puede mover).
Al igual que en un semiconductor intrnseco habr pares
electrn hueco generados a la forma convencional.

Ge

No obstante, el nmero de huecos disminuir bastante, al

tener un gran nmero de electrones libres "pululando" por
el cristal.

+
Ge

Ge

Sb

El Sb tiene 5 electrones en la ltima capa.

Ge

El Sb sustituye al Ge en la estructura cristalina.

Le queda un electrn ligeramente unido al tomo del
dopante.
Con muy poca energa (0.01 eV - 0.05 eV puede
liberarse.
A temperatura ambiente todos los tomos de Sb han
perdido su electrn.
El tomo de Sb est fijo en la estructura cristalina y no
se puede mover (no es un hueco)

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SEMICONDUCTORES TIPO N: Dopantes grupo V (p.e. Sb)

Muchos electrones libres

+
+
+
+

Muy pocos Huecos

Tipo N

Iones positivos
Fijos en el cristal
No se pueden Mover

COMENTARIO: Darse cuenta que un trozo de Semiconductor N por si solo tiene

poca utilidad. Simplemente es un regular conductor (una determinada resistencia)

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SEMICONDUCTORES TIPO P: Dopantes grupo III (p.e. In)

Cada tomo dopante aporta al cristal un hueco.
Cada tomo dopante aporta un in negativo fijo
(no se puede mover).
Al igual que en un semiconductor intrnseco
habr pares electrn hueco generados a la forma
convencional.

Ge

Ge

No obstante, el nmero de electrones disminuir

bastante, al tener un gran nmero de huecos el
cristal.

Ge

In

El In tiene 3 electrones en la ltima capa.

+
Ge

El In sustituye al Ge en la estructura cristalina.

Le queda un enlace covalente "huerfano" de
electrn.
Con muy poca energa (0.01 eV - 0.05 eV puede
"robar" un electrn a un enlace covalente vecino.
A temperatura ambiente todos los tomos de In han
"robado" un electrn.
El tomo de In est fijo en la estructura cristalina y
no se puede mover (no es un electrn/carga libre)

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SEMICONDUCTORES TIPO III: Dopantes grupo III (p.e. In)

Muchos huecos

Muy pocos electrones

Tipo P

Iones negativos
Fijos en el cristal
No se pueden Mover

COMENTARIO: Darse cuenta que un trozo de Semiconductor P por si solo

tambin tiene poca utilidad. Simplemente es un regular conductor (una
determinada resistencia)
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Manuel Rico-Secades

LOS DISPOSITIVOS ELECTRNICOS SURGEN DE UNIR

TROZOS DE SEMICONDUCTOR P Y N.
LOS FENMENOS "ESPECIALES" QUE SURGEN SE
APROVECHAN PARA MUY DIVERSAS APLICACIONES Y
HAN DADO LUGAR AL FRUCTFERO MUNDO DE LA
ELECTRNICA.
COMUNICACIONES
ORDENADORES
MSICA
TELEVISIN
ELECTROMEDICINA
SENSORES
ETC
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DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES (PANORMICA)

Diodo Zener, Diodo LED, Diodo

Schottky, diodo Tunel (Gunn),
diodo Varicap

1 unin PN

DIODOS
Bipolares,
Fototransistores,
Transistores
multiemisor, JFET y
MOSFET

TRANSISTORES

SCR, TRIAc, DIAC, GTO

TIRISTORES
varias uniones PN

2 uniones PN

ASOCIACIN DE DISPOSITIVOS
IGBT, optoacoplador, Display, puentes rectificadores, Darlington
CIRCUITOS INTEGRADOS
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DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)

I
+

V
-

N
V

ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
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DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

Tensin
Zener
(VZ)

En la zona Zener se comporta

como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de corriente

inversa.

V
Lmite mximo

Podemos aadir al modelo lineal la

resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas fuentes
de tensin y referencias.

Normalmente, lmite de
potencia mxima

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DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)

Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN

polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

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DIODOS ESPECIALES
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan una
corriente de fugas proporcional a la luz incidente (siendo
sensibles a una determinada longitud de onda).

Fotodiodos (Photodiode)

i
V

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo

su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones

0
iopt

COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente de
fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser usados
como sensores trmicos
i

El modelo puede ser una fuente de

corriente dependiente de la luz o de la
temperatura segn el caso

I = f(T)

T1

T2>T1

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DIODOS ESPECIALES

Clulas solares (Solar Cell)

Cuando incide luz en una unin PN, la caracterstica

del diodo se desplaza hacia el 4 cuadrante.
En este caso, el dispositivo puede usarse como
generador.

VCA

Zona
uso
iCC

Paneles de clulas
solares

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DIODOS ESPECIALES
Diodo Varicap
(Varicap , Varactor or Tuning diode)

La unin PN polarizada inversamente puede

asimilarse a un condensador de placas planas
(zona de transicin).

N
-

Esta capacidad se llama Capacidad de Transicin

(CT).

Notar, que al aumentar la tensin inversa aumenta

la zona de transicin. Un efecto parecido al de
separar las placas de un condensador (C T
disminuye).

Dielctrico

Tenemos pues una capacidad dependiente de la

tensin inversa.
Un diodo Varicap tiene calibrada y caracterizada
esta capacidad.

CT

Uso en equipos de comunicaciones (p.e. Control

automtico de frecuencia en sintonizadores)

30 pF

d
VI

10 V
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DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia
El efecto Schottky fue predicho tericamente en
1938 por Walter H. Schottky

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Manuel Rico-Secades

DIODOS ESPECIALES
Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)
Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (10 5 veces
mayor).
ID

Zona de resistencia
negativa.
Efecto Tnel

Aparece un efecto nuevo conocido como efecto tnel.

(Descubierto por Leo Esaki en 1958).
Un efecto parecido (GUNN) se produce en una cavidad tipo N de
Ga As.

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en 1962.

VD

Los efectos se traducen en una zona de resistencia negativa en

la caracterstica directa del diodo.
Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de microondas.

Diodo GUNN

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(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del receptor del

radar. Est presente en todos los radares marinos actuales).

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ASOCIACIN DE DIODOS

Puente rectificador

Monofsico

Diodo de alta tensin

(Diodos en serie)

Trifsico

DISPLAY

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APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores de barrera

Detectores reflexin de espejo

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APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotmetros

Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED

Fotodetector

Objetivo

LED azul
LED

LED verde
LED rojo

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Fotodiodo

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TRANSISTORES (Panormica)

NPN

BIPOLARES
PNP

CANAL N (JFET-N)

TRANSISTORES
UNIN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

* FET : Field Effect Transistor

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TRANSISTOR BIPOLAR NPN (NPN bipolar transistor)

Base
(B)

Colector
(C)

Emisor
(E)

N P N
C

Descubiertos por
Shockley, Brattain
y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)

SMBOLO

COMENTARIO:

BASE

Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de base

hace el papel del mando de grifo (aumentar la mxima
capacidad de agua - corriente- del grifo).

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Manuel Rico-Secades

CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR NPN

C
IC [mA]
B

IB [mA] =
E

ZONA DE SATURACIN:
Comportamiento como interruptor
cerrado.

30

3000
= 100

2000

20

1000

10

ZONA ACTIVA:
Comportamiento como
Fuente de Corriente.

VCE

ZONA DE TRANSISTOR INVERSO:

Emisor y colector intercambias papeles.
Podemos tener una INVERSA, que en el
dispositivo ideal consideraremos cero

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ZONA DE CORTE:
Comportamiento como
interruptor abierto.

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TRANSISTOR BIPOLAR PNP (PNP bipolar transistor)

Base
(B)
Colector
(C)

P N P

IC [mA]

Emisor
(E)

IB [mA] =
30

3000

= 100

2000

20

1000

10

SMBOLO
B

0
VEC

COMENTARIO:

BASE

Un smil podra ser un grifo de agua. La corriente de base

hace el papel del mando de grifo (aumentar la mxima
capacidad de agua - corriente- del grifo).

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FOTOTRANSISTOR (Phototransistor)
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base
desempean el papel de corriente de base

El terminal de Base, puede estar presente o no.

No confundir con un fotodiodo.

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ASOCIACIN DE TRANSISTORES

OPTOACOPLADOR

Conjunto fotodiodo + fototransistor

OBJETIVO:
Proporcionar aislamiento galvnico y
proteccin elctrica.

Deteccin de obstculos.

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APLICACIN TPICA DE LOS OPTOACOPLADORES:

"Encoder" ptico para medida de velocidad y posicionado

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET - Field Effect Transistor)

CANAL N (JFET-N)
UNIN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO

METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el concepto de "Field Effect Transistor".

20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran el primer transistor bipolar.

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Manuel Rico-Secades

JFET DE CANAL N (Caracterstica real de salida)

ZONA COMPORTAMIENTO
FUENTE DE CORRIENTE

ID

G
S

UGS[V]
0
-10
-20

-30

VDS

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA
(UGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
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Manuel Rico-Secades

JFET DE CANAL P (Caracterstica real de salida)

ZONA COMPORTAMIENTO
FUENTE DE CORRIENTE

ID

G
D

USG[V]
0
-10
-20

-30

VSD

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

SE COMPORTA COMO UN TRANSISTOR BIPOLAR DONDE LA TENSIN DE PUERTA
(USG) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIN.
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Manuel Rico-Secades

MOSFET DE CANAL N
COMENTARIO:

D
Aunque a veces se dibuje el smbolo con
un diodo, tener en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.

ID
G

G
S

UGS[V]
=+15 V
=+10 V

=+5 V
=0V

Diodo parsito
(Substrato - Drenador)

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VDS

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MOSFET DE CANAL P
COMENTARIO:

S
Aunque a veces se dibuje el smbolo con
un diodo, tener en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.

ID
G

G
D

USG[V]
=+15 V
=+10 V

=+5 V
=0V

Diodo parsito
(Substrato - Drenador)

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VSD

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MOSFET (precauciones con la puerta)

D

La puerta (G) es muy sensible.

Puede perforarse con tensiones
bastante pequeas (valores tpicos de
30 V).
No debe dejarse nunca al aire y debe
protegerse adecuadamente.

ID

- 30 V

+ 30 V

VGS

CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

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Manuel Rico-Secades

TIRISTORES
(Thyristor)
Los tiristores son dispositivos especialmente populares en Electrnica de Potencia.
Son sin duda los dispositivos electrnicos que permiten alcanzar potencias mas altas, son
dispositivos realmente robustos.

En 1956 se desarrollo el primer Tiristor Bell Telephoned Laboratory.

Inicialmente fue llamado Transistor PNPN (hoy conocido como SCR)

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Manuel Rico-Secades

Definicin y tipos
- Dispositivo de 4 capas con estados estables de conduccin y bloqueo
- Interruptor de potencia muy alta
- Potencias y tensin muy altas
- Frecuencias de conmutacin no superiores a 2kHz

SCR

(Silicon Controlled Rectifier).

Interruptor unidireccional

GTO

(Gate Turn-off)
Interruptor unidireccional. Apagado por puerta

TRIAC

(Triode AC)
Interruptor bidireccional

DIAC.

(Diode AC)
Interruptor bidireccional ( Control de tiristores)

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Manuel Rico-Secades

SCR: Un modelo ideal sencillo

Podemos decir que es un interruptor unidireccional que se cierra con un pulso de corriente
de puerta (disparo) y se abre cuando la corriente pasa por cero

A
G
G
C
C
MODELO IDEAL DE UN SCR

G
C

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NOTA:
El disparo por tensin directa (VB) se considera indeseable
y, como norma general, debe seleccionarse el SCR para
que esto no ocurra

Manuel Rico-Secades

SCR: Algunos ejemplos

TO 209 AD
B7

500 V
100A

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TO 200 AF
B 20

1300 V
1800A

TO 208 Ac
B2

500 V
24A

Manuel Rico-Secades

EL SCR es el dispositivo electrnico mas

robusto que existe.
Puede manejar tensiones y corrientes
realmente impresionantes.
Algunos ejemplos son realmente
espectaculares.

Unos de los 12 SCR para un pequeo

rectificador trifsico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)

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TRIAC: Un modelo ideal sencillo

Podemos decir que es un interruptor bidireccional que se cierra con un pulso de corriente
de puerta (disparo) y se abre cuando la corriente pasa por cero. La puerta es ahora
bidireccional (2 diodos en anti-serie)

T2

T2
G
G
T1
T1
MODELO IDEAL DE UN TRIAC

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DIAC: Diode AC

Dispositivo auxiliar (p.e. disparo de tiristores)

Soporta picos de corrientes elevados
Se debe conocer la Tensin de cebado (p.e. 33V en el DB3)
DB3: Diac comercial muy popular
A1

IT

A2

-VB

+VB

VT

Caracterstica

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Manuel Rico-Secades

DIAC: Algunos elementos similares

Recinto de descarga

Grnulos de xidos
metlicos sinterizadas
(xido de cinc, etc)

DESCARGADOR DE GAS

VARISTOR
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DIAC: Uso como elemento de proteccin

Sobretensin

Equipo a proteger

Ve

TRIAC,
VARISTOR,
DESCARGADOR,...

NOTA:
Seguramente el VARISTOR es el elemento mas popular para esta aplicacin

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Manuel Rico-Secades

GTO: (Gate Turn-off)

G
La especial estructura del dispositivo
permite el apagado por puerta (con un
pulso negativo).
Por lo dems es similar al SCR.

Vista desde abajo

C

Estructura de un GTO simtrico

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LASCR, Tiristor controlado por luz.

Son Tiristores activados por luz
Utilizados en Alta tensin
Frecuencias de conmutacin de hasta 2KHz
Tensiones elevadas 6000V y 1500A

G
A

NOTA:
Normalmente disponen de conexiones especiales para ser disparados
con fibra ptica. Son interesantes en entornos de corrientes y tensiones
elevadas, permitiendo un elevado aislamiento entre el circuito de
potencia y el de gobierno.

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Manuel Rico-Secades

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS:
PEQUEOS Y GRANDES SEGN LA APLICACIN

EL MAS PEQUEO

UNO GRANDE
Unos de los 12 SCR para un pequeo
rectificador trifsico de 500 MW y 500 KV
(Inga-Shaba, ZAIRE)
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Manuel Rico-Secades

Circuitos Integrados (Integrated Circuits - IC)

En un IC se implementa un circuito electrnico
completo (Resistencias, condensadores,
diodos, transistores, etc) realizado sobre el
mismo circuito semiconductor (Substrato).

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Manuel Rico-Secades

Transistor

1945
ENIAC
1er Computador
vlvulas

1948
Transistor
Lab. Bell
Schokley,
Brattain,
Bardeen

2 Transistores

1958
1960
Primer IC MOSFET
Kilby

2.300 Transistores

1971
Primer P
4004
INTEL

42 millones de transistores

2001
Pentium IV
INTEL

La evolucin del tamao de los circuitos integrados ha sido

espectacular.
Teniendo sus mximos de capacidad de integracin, en el mundo
de la Electrnica Digital (Microprocesadores)

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Manuel Rico-Secades

LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PUEDEN LLEGAR A TENER

MUCHSIMOS COMPONENTES REALIZADOS SOBRE EL
MISMO CIRCUITO INTEGRADO

Buscando errores
sobre un esquema de
un Circuito Integrado

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Manuel Rico-Secades

EJEMPLO TPICO DE CIRCUITO INTEGRADO DE PROPSITO GENERAL:

DIP-8

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DATOS EN EL ENCAPSULADO DE UN CIRCUITO INTEGRADO

ENCAPSULADO
D,P: Plstico
J, N: Cermico
M: Metlico

FABRICANTE
AD
A
CR
LM
MC
NE/SE
OP
RC/RH
SG
TL

Analog Devices
Fairchild
RCA
National Semiconductor
Motorola
Signetics
Precision Monolithics
Raytheon
Silicon General
Texas Instrument

RANGO TEMPERATURA
C: Comercial 0C hasta 70C
I: Industrial -40C hasta 85 C
M: Militar -55C hasta 125 C

DESIGNADOR
Nombre/funcin del dispositivo
741 Amplificador de propsito general
081 Amplificador entrada FET
311 Comparador rpido
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DATOS EN EL ENCAPSULADO DE UN CIRCUITO INTEGRADO

Pin nmero
1

5
1

4
2

Orden
para
numerar
los pines

Encapsulado tpico
DIL - 6
DIL = Dual In Line
SIL = Serial In Line
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Manuel Rico-Secades

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como interruptor

12 V
36 W

12 V
36 W
3A

12 V

3A

12 V

= 100

40 mA

Sustituimos el interruptor principal por un

transistor.

La corriente de base debe ser suficiente

para asegurar la zona de saturacin.
Ventajas:
No desgaste, sin chispas, rapidez, permite
control desde sistema lgico.
Electrnica de Potencia y Electrnica
digital

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IC
IB = 40 mA

4A

ON

PF (ON) 3 A

OFF
VCE
12 V
PF (OFF)

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USOS DEL TRANSISTOR NPN: Como fuente de corriente (amplificador)

RB
12 V

+
UC
-

RC
IC

UE

IB

= 100

UC
UE

PF

ELECTRNICA
ANALGICA

UBIAS

12
UBIAS

En RC (p.e. altavoz) obtenemos una copia de U E (p.e.

msica).
El punto de funcionamiento cambia "al ritmo de la
msica".

Podremos aplicar el principio de

superposicin y linealizar el transistor
entorno a su punto de funcionamiento.
Hablaremos de circuito de continua
(polarizacin) y de circuito de alterna.
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Notar la presencia de un indeseable nivel de continua.

Necesitamos polarizar el transistor para que siempre se
comporte como una fuente de corriente dependiente: I C =
f(IB)

Manuel Rico-Secades

USOS DEL TRANSISTOR NPN: Saturacin como amplificador

RB
12 V

+
UC
-

RC
PF

IC

UE

= 100

IB

UBIAS

UC
UE

12
UBIAS

El transistor se sale de la zona de fuente de

corriente. Las tensiones del circuito no pueden
sobrepasar las de alimentacin.
Decimos que el amplificador se satura (y
distorsiona).

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Manuel Rico-Secades

USOS DEL MOSFET - Canal N: Como interruptor

12 V
36 W

12 V
36 W
3A
12 V

3A

12 V

I
La puerta no puede
quedar al aire
(debe protegerse)

ID
Sustituimos el interruptor principal por un
transistor.

LA CORRIENTE DE PUERTA ES NULA

(MUY PEQUEA) !!!

UGS= 12 V

4A

ON

PF (ON) 3 A

OFF
VDS
12 V
PF (OFF)

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Manuel Rico-Secades