UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA

Fecha: 22/04/2014

CARACTERISTICAS TRANSITORIAS DE LOS DIODOS

Pez Gancino Cristian Wladimir
cpaez@est.ups.edu.ec
Enriquez Chicaiza Patricio Elas
penriquez@est.ups.edu.ec
RESUMEN: Se arm en la prctica el circuito

negativas de nodo con pequeas corrientes de fuga.

Sus caractersticas son: tiempo de recuperacin inverso,
tiempo de recuperacin directo, proteccin contra altas
intensidades, potencia mxima disipable [2].
El paso que se da del estado de conduccin al de
bloqueo no es instantneamente por lo que existen los
tiempos de almacenamiento y de cada.
Tiempo de almacenamiento se lo denomina as ya
que es el tiempo que los electrones se almacenan en el
cristal debido a la polarizacin directa que se encuentra
en el diodo; mientras que el tiempo de cada hace
referencia al periodo que el voltaje cae debido a que el
cristal del silicio se vaca completamente y el diodo se
encuentra en polarizacin inversa.

presentado en el preparatorio con cada uno de los

diodos, se coloco en el enchufe el adaptador de tres a
dos, con el osciloscopio se pudo observar las seales
de tiempo de almacenamiento y de carga de cada uno
de los diodos.
PALABRAS CLAVE: almacenamiento, carga, tiempo,
transitorio.

1. OBJETIVOS
Analizar, comparar y aprender las curvas
caractersticas de los diodos de Propsito general, Fred
y Shottky para as entender cules son sus ventajas.
Se visualizo en las ondas el tiempo de carga y
tiempo de almacenamiento de cada diodo.
Simular cada uno de los circuitos y comparar con los
valores tomados en la prctica.

2. MARCOTERICO
2.1. DIODO DE POTENCIA

Fig. [2]. Recuperacin inversa del diodo [2]

2.2. DIODO DE PROPSITO GENERAL

Un diodo es un elemento semiconductor no

controlable y unidireccional; Conduce la corriente en el
sentido nodo ctodo mientras que se bloquea en el
sentido ctodo nodo.
El diodo de potencia presenta caractersticas similares al
diodo comn solo que en corriente y en voltajes son
mayores.

Tambin conocido como diodo rectificador, cuando

ese encuentran en polarizacin directa se comportan
como una fuente DC con valores entre 0.5 - 0.7 v del
voltaje umbral dependiendo del compuesto del diodo,
funcionan en bajas frecuencias por su tiempo en
recuperacin en inverso, son utilizados comnmente en
las fuentes de alimentacin DC que entregan una salida
puramente DC [3]

Fig. [1]. Diodos de potencia [1]

En estos dispositivos al ser unidireccionales, no puede
circular la corriente en sentido contrario al de la
conduccin. Los diodos de potencia estn en estado de
conduccin, son capaces de soportar altas corrientes
con poca cada de tensin, en cambio en sentido
inverso, son capaces de soportar altas tensiones

Fig. [3]. Diodos de Propsito general [3]

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2.3. DIODO FRED

FRED son siglas de Fast Recovery Epitaxial Diode,
este diodo pertenece a la gran familia de diodos con
crecimiento epitaxial (tipo de crecimiento ordenado de
una capa mono cristalina, que mantiene una relacin
definida con respecto al sustrato cristalino inferior).

Diodo de propsito general (1N4007)

Diodo 1N4148
Diodo Schottky
Diodo FRED
Resistencia de 8,2, 10w
Adaptador de 3 a 2

3.2. EQUIPO

Fig. [4]. Diodos FRED [4]

2.4. DIODO SCHOTTKY

Osciloscopio
Generador de seales
Puntas de osciloscopio
Protoboard

4. DESARROLLO Y
PROCEDIMIENTO

Su juntura est constituida por un metal y un

semiconductor, que podra ser dopado con un material
Tipo P o N. Efecta rpidamente conmutaciones al
acontecerse la polarizacin directa a inversa es decir
disminuye el tiempo de conmutacin. Este diodo elimina
el problema de almacenamiento de la carga de la unin
P-N [3]

Se arm uno por uno los circuitos establecidos en la

prctica con cada diodo.
Con el generador de seales se configuro a una
seal cuadrada con una amplitud de 22Vpp y una
frecuencia de 4Khz como se muestra en la Fig. [7]

Fig. [7]. Configuracin del Generador de Seales

El primer circuito se arm con el diodo de propsito
general (1N4007) como se muestra en la Fig. [8], se
coloco las puntas para el Channel 1 con una misma
referencia (0v) y para el Channel 2 colocamos invertido
Fig. [5]. Diodos Schottky [5]

2.5. DIODO 4148

El 1N4148 conduce una corriente mxima de 0,2
Amperios y soporta una tensin inversa de 75 Voltios y
es rpido ya que reacciona en solo 4 nanosegundos (10
elevado a -9). Se utiliza para muy variados propsitos a
cualquier frecuencia. Suele ser de cristal.
No se parecen en nada con el diodo 1N4007 solo que en
que ambos son diodos y que son unidireccionales
Fig. [8]. Circuito con el Diodo 1N4007
Con el osciloscopio se configuro que el Channel 2 la
seal para que se invierta, se disminuyo el tiempo y se
cambi con horizontal y vertical para poder tomar las
primeras medidas como se observa en la Fig. [9] para el
tiempo de almacenamiento nos dio 2.2s

Fig. [6]. Diodos Schottky [6]

3. MATERIALES Y EQUIPO
3.1. LISTA DE MATERIALES

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Fig. [9]. Seal del tiempo de almacenamiento con

1N40047

Fig. [12]. Tiempo de almacenamiento del diodo FRED

Con el mismo circuito se coloco la lnea horizontal

para que nos d el tiempo de cada pero se tuvo que ver
en el osciloscopio antes del 15% que llegue la seal a
cargarse se coloco la otra horizontal como se muestra
en la Fig. [10], nos dio el tiempo de carga 1.1s

Fig. [13]. Tiempo de carga del diodo FRED

Se cambio por el Diodo Schottky
muestra en la Fig. [14]

como se

Fig. [10]. Seal del tiempo de carga con 1N40047

Se cambio de diodo por el diodo FRED como se
muestra en la Fig. [11]

Fig. [14]. Circuito con el Diodo Schottky

Se hizo el mismo procedimiento para el Diodo
Schottky se tomo los valores, el tiempo de
almacenamiento es 50ns y el tiempo de carga es 80 ns
como se muestra en la Fig. [15] y Fig. [16]

Fig. [11]. Circuito con el Diodo FRED

Se realizo las mismas configuraciones para obtener
el tiempo de almacenamiento y tiempo de carga, como
se muestran en las Fig. [12] y Fig. [13], con el tiempo de
almacenamiento se obtuvo 48 ns y se obtuvo del tiempo
de carga 52ns

Fig. [15]. Tiempo de almacenamiento del diodo Schottky

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Fig. [16]. Tiempo de carga del diodo 1N4148

5. ANLISIS Y RESULTADOS
Los tiempos de almacenamiento y tiempo de carga
de cada diodo:

Diodo de propsito general

ts: 2.2s y tf: 1.1s

Diodo FRED
ts: 48ns y tf: 52ns

Diodo Schttky
ts: 50ns y tf: 80ns

Diodo 1N4148
ts: 48ns y tf: 12ns

Fig. [16]. Tiempo de caga del diodo Schottky

Se puso el ultimo diodo 1N4148 como se muestra en
la Fig. [17]

6. CONCLUSIONES
Con la realizacin de esta prctica pudimos
familiarizarnos con los tiempos de carga y de
almacenamiento de cada diodo, tambin como funciona,
como est constituido y que usos le podemos dar.
En funcin que el diodo ya tiene aos de ser creado,
con el tiempo se le ha dado un perfeccionamiento para
que en nuestros tiempos podamos estudiar de mejor
manera los diodos.
Los tiempos de almacenamiento y tiempos de carga
son muy diferentes en cada diodo ya que algunos
funcionan a bajas frecuencias y otros a mayores
frecuencias, por la velocidad de los tiempos de carga y
almacenamiento le da un ptimo desempeo a un buen
diodo.
El tiempo de almacenamiento se mide con el 25% a
partir del cruce por cero.

Fig. [14]. Circuito con el Diodo 1N4148

Se configuro nos dio de resultados que el tiempo de
almacenamiento es 48ns y el tiempo de carga es de
12ns como se muestran en las Fig. [15] y Fig. [16]

7. RECOMENDACIONES
Verificar con el director del laboratorio que todas las
conexiones estn correctas antes de empezar.
Manejar a la perfeccin el osciloscopio ya que es se
puede daar por el desconocimiento de este.

8. REFERENCIAS
[1] http://img.directindustry.es/images_di/photog/diodos-tvs-alta-potencia-terminales-axiales-171362623315.jpg
[2] http://www.uv.es/marinjl/electro/diodo.html

Fig. [15]. Tiempo de almacenamiento del diodo 1N4148

[3] http://www.slideshare.net/reysonhidelex/diodo5867130
[4] http://ixdev.ixys.com/DataSheet/93019.pdf
[5] http://spanish.alibaba.com/product-gs-img/5adiodo-schottky-sr560-328984044.html
[6]http://karenalduncin.files.wordpress.com/2012/03/4
089_n.jpg