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EL microscopio electrnico de barrido o SEM, como ms comnmente se le conoce por su

acrnimo en ingls (Scanning Electron Microscope), es un instrumento compuesto por
un sistema ptico-electrnico que explora la muestra por medio de un haz mvil de
electrones que, como resultado de la interaccin electrn-materia, provoca la generacin
de diversas radiaciones.

Dada la facilidad de dispersin de los electrones, para mantener el control del haz resulta
necesario mantener la columna en altos niveles de vaco. As, en el SEM, el haz de
electrones, procedente del can -5- atraviesa la columna, a travs del sistema ptico de
lentes electromagnticas, llegando a la muestra, donde un generador de barrido produce
el movimiento del haz, de manera que barre o escanea la muestra punto a punto.

(Fig. 2) Esquema bsico del funcionamiento de un SEM

5 Ver esquema bsico en g 2 y tipos en g 12

El sistema ptico, compuesto esencialmente por una lente condensadora y una lente
objetivo, focaliza el haz saliente del can de electrones, modi cando su dimetro y
focalizndolo sobre el espcimen. Y unas bobinas de
ectoras, controladas por el
generador de barrido, son las responsables de que el haz focalizado rastree la muestra.

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(Fig. 3) Correspondencia del barrido del haz punto a punto y la imagen del monitor

El haz rastrea de izquierda a derecha y de arriba abajo, existiendo una correspondencia

uno a uno entre el patrn de barrido de la muestra y el patrn de barrido utilizado para
producir la imagen en el monitor. De ese modo, la resolucin de imagen seleccionada
afectar, obviamente, al nmero de pxeles por la as como el nmero de las que
constituyen el rea escaneada.

De la interaccin del haz con la muestra en cada punto se genera una seal que es
recogida y procesada para generar la imagen. El procesador toma la intensidad de la seal
procedente de un pxel en la muestra y la convierte en un valor de escala de grises del
correspondiente pixel en el monitor. La imagen nal del monitor ser, as, un patrn de
barrido bidimensional de valores de escala de grises.

Para cambiar la magni cacin, todo lo que necesitaremos hacer es cambiar el tamao del
rea de barrido sobre la muestra. El tamao del patrn de rastreo del monitor es
constante, de manera que la magni cacin aumentar si reducimos el tamao del rea
escaneada en la muestra.

La colisin del haz de electrones altamente acelerado con los tomos de la muestra da
como resultado la produccin de varios tipos de radiacin (Ver g. 4) que puede ser
detectada y analizada por detectores espec cos. Estas seales revelan una valiosa
informacin acerca de la muestra como la morfologa y topografa de la super cie, la
composicin elemental, la conductividad elctrica, la estructura cristalogr ca, etc.

Estos son los principales fenmenos se producen al interactuar el haz de electrones con el
espcimen:

1. Emisin de electrones secundarios

2. Emisin de electrones retrodispersados

3. Electrones absorbidos

4. Emisin de rayos X

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5. Emisin de fotones

6. Electrones Auger

(Fig. 4) Esquema bsico de las diferentes seales generadas a raz de la interaccin del haz
primario con la super cie de la muestra. En este caso no se muestran las que
corresponderan a la interaccin del haz de electrones con una muestra delgada como
sera el caso del TEM.

Todos estos fenmenos se encuentran de un modo u otro relacionados entre s y

dependen, hasta cierto punto, de la topografa, el nmero atmico y el estado qumico de
la muestra.

De la interaccin del haz principal de electrones con la muestra nos centraremos en dos
tipos de dispersin de electrones: dispersin o scattering de electrones elstica e
inelstica. Los eventos inelsticos ocurren cuando el haz interacciona con el campo
coulmbico del ncleo del tomo de la muestra.

La fuerza coulmbica se de ne como:

Siendo r la distancia entre las cargas Q1 y Q2 y 0 la constante dielctrica. Cuanto ms

cerca pasa el electrn del ncleo, es decir, a menor r, mayor es F y por consiguiente el
ngulo de dispersin.

En este tipo de dispersin el electrn incidente pierde parte de su energa, pero sin sufrir
una desviacin signi cativa de su trayectoria. El resultado es una transferencia de energa
al tomo de la muestra y una potencial expulsin de un electrn de este tomo llamado

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electrn secundario (Secondary Electron SE). Estos electrones, por de nicin, tienen
una energa menor a 50 eV. Y, si la vacante ocasionada se llena desde un orbital superior,
entonces se produce un rayo X caracterstico de esa transicin de energa.

De otro lado, la dispersin elstica da como resultado un cambio en la direccin del haz de
electrones, pero sin una alteracin signi cativa de la energa del haz de electrones (<1 eV).
De modo que, si el haz de electrones desviado elsticamente se dispersa de nuevo fuera
de la muestra, los electrones se denominan retrodispersados (backscattered electron
BSE). Un BSE puede tener un rango de energa de 50 eV a casi la energa del propio haz
incidente. Pero, sin embargo, la mayora de los electrones retrodispersados retienen al
menos 50% de la energa del haz incidente.

(Fig. 5) Diversos modos de emisin de electrones a partir de la incidencia de un haz de

electrones: Los electrones secundarios son dispersados inelsticamente y los
retrodispersados elsticamente. Los electrones Auger y los rayos X son causados por la
eyeccin de electrones de capas internas compensada por electrones de capas orbitales
superiores, ocupando as el nivel de energa vacante, o bien se da un exceso de energa en
forma de un rayo X caracterstico o la expulsin de un electrn a un orbital exterior.

De hecho, los electrones secundarios (SE) pueden ser generados por 3 mecanismos
diferentes:

1. Por interacciones de electrones procedentes del haz incidente con tomos de la

muestra.

2. Por interacciones de alta energa de electrones retrodispersados (BSE) con tomos de la

muestra.

3. O bien, pueden ser producidos por electrones retrodispersados (BSE) de alta energa
que impactan contra las piezas polares del microscopio o/y otros objetos slidos cerca del
espcimen.

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El SEM utilizar para la formacin de imgenes los electrones secundarios, dado que se
producen cerca de la super cie del espcimen y muestran su estructura topogr ca. La
intensidad de esta radiacin super cial (electrones de baja energa) vara conforme la
sonda barre la super cie del espcimen, y as se va presentando en la imagen formada en
el monitor representando su topografa.

De otro lado, la variacin de emisin de electrones retrodispersados (electrones de alta

energa) depender de la composicin de la muestra, pudiendo distinguir as la variacin
de seal causada por la diferencia en el nmero atmico promedio, la orientacin
cristalogr ca, etc. Y nos proporcionan, de ese modo, informacin adicional sobre la
distribucin de la composicin de la super cie de la muestra.

Como ya se ha mencionado, en el SEM el haz de electrones, no est esttico, sino que, con
la ayuda de bobinas de
ectoras, barre punto a punto pequeas reas rectangulares de la
super cie de la muestra. De este modo tambin la seal de rayos X puede capturarse y
procesarse de diferentes formas:

- Fijado el haz de electrones en un solo punto de la muestra, se puede realizar un

microanalisis elemental cualitativo y cuantitativo de los elementos constituyentes del
espcimen en ese volumen concreto de interaccin.

- Analizar cualitativa o cuantitativamente una lnea y reproducir dicho anlisis

gr camente.

- Sintonizar el espectrmetro para uno o diversos elementos predeterminados y

correlacionar la informacin con la de la imagen de la super cie de la muestra
escaneada, obteniendo as un mapa de localizacin elemental.

Resulta tambin importante entender desde donde llegan las diferentes seales que
pueden ser detectadas (Figura 6). Los electrones Auger y los secundarios con bastante baja
energa se absorben fcilmente en cualquier material y, por lo tanto, solamente los
generados cerca de la super cie pueden dejar la muestra para llegar al detector. Los
electrones retrodispersados tienen la misma energa que el haz incidente y, por lo tanto,
penetran en la muestra ms fcilmente. Los rayos X podrn proceder de zonas ms
profundas.

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(Fig. 6) Esquema del volumen de interaccin sobre una muestra compacta y el origen de
las diferentes seales detectables.

6 Werner, W, Interaction of electron beams with matter, Surfacen & Plasma Technology
Research Group of the Institut fr Allgemeine Physik. 2011
http://www.ualberta.ca/~ccwj/teaching/microscopy/

Cuando el haz de electrones golpea la materia, comienza a ensancharse a causa de fuertes

efectos de dispersin elstica. Simultneamente, las interacciones inelsticas causan una
prdida de energa de los electrones. Si la muestra es muy gruesa, la energa ser
transferida completamente a la muestra. El resultado global es un volumen de interaccin
en forma de pera como vemos en la gura ms arriba. La profundidad de penetracin t
depender de la energa del haz de electrones incidente (t ~ V) y de la composicin sobre
del material sobre el que interactua (t ~ 1 masa / atmica).

Las dimensiones del volumen de interaccin varan proporcionalmente al voltaje de

aceleracin: A medida que la energa del haz aumenta la tasa de prdida de energa en la
muestra disminuye y, por tanto, los electrones del haz penetran ms profundamente en la
muestra. Tambin la probabilidad de dispersin elstica es inversamente proporcional a la
energa del haz. Con menos dispersin elstica, la trayectoria del haz cerca de la super cie
de la muestra ser ms recta y los electrones penetraran ms profundamente en la
muestra. As, el efecto acumulativo de la dispersin elstica causa que algunos electrones
se propaguen de nuevo hacia la super cie ampliando as e volumen de interaccin.

El efecto contrario ocurre cuando el nmero atmico promedio de la muestra aumenta: La

tasa de prdida de energa del haz de electrones se incrementa a mayor nmero atmico
y, por lo tanto, los electrones no penetran tan profundamente en la muestra.

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