You are on page 1of 22

KELOMPOK 2

1. NISA FAHLIANA NURFAUZIAH (1147030030)


2. RIFKY SONDANY (1147030040)
3. SITI NURASIAH (1147030048)

BAB II

TRANSISITOR MOSFET

Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting. Transistor adalah
suatu devais yang terdiri dari tiga lapisan semikonduktor yang berfungsi ganda sebagai
penguatan dan saklar. Kedua hal ini sangat penting dalam elektronika.Terdapat dua jenis
transistor berdasarkan jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar (Bipolar Junction
Transistor) dan unipolar (Field-Effect Transistor). Transistor merupakan komponen elektronik
yang dapat mengontrol besar arus atau tegangan dengan sejumlah kecil arus atau tegangan.

Transistor efek medan (field-effect transistor = FET) mempunyai fungsi yang hampir
sama dengan transistor bipolar yang sudah dibahas sebelumnya. Namun demikian antara FET
dan transistor bipolar terdapat beberapa perbedaan yang mendasar.

Perbedaan utama antara jenis transistor tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar
arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET arus output (ID)
dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus input adalah nol. Sehingga dalam orde
puluhan megaohm resistansi input FET sangat besar.

FET dibagi menjadi dua: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau
juga dikenal sebagi Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan
IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi
semikonduktor antara source dan drain). Jika temperator dan konstruksi lebih kecil maka FET
akan lebih stabil serta pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga amat
bermanfaat untuk pembuatan keeping rangkaian terpadu. FET bekerja atas aliran pembawa
mayoritas saja, sehingga FET cenderung membangkitkan noise (desah) lebih kecil daripada
transistor bipolar. Namun, tingkat kepekaan terhadap input atau penguatan lebih besarnya ada
pada transistor bipolar.

1
Keluarga FET yang terpenting adalah JFET (junction field-effec transistor) dan MOSFET
(metal-oxide semiconductor field-effect transistor). JFET terdiri atas kanal-P dan kanal-N.
MOSFET terdiri atas MOSFET tipe pengosongan (D-MOSFET Depletion-mode metal-oxide
semiconductor FET) dan MOSFET tipe peningkatan (E-MOSFET = Enchancement-mode metal-
oxide semiconductor FET). Masing-masing tipe ini masih terbagi juga dalam kanal-P dan kanal-
N.

A. PENGERTIAN MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor
dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat
dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-
N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silikon digunakan sebagai landasan
(substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor
dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang
sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan
mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu
menghasilkan disipasi daya yang rendah.
Jenis- Jenis Transistor dapat dilihat dari :
Bila dilihat dari cara kerjanya, transistor MOS dapat dibagi menjadi dua, yaitu:
1. D-MOSFET. Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion). Pada transistor
mode depletion, antara drain dan source terdapat saluran yang menghubungkan dua
terminal tersebut, dimana saluran tersebut mempunyai fungsi sebagai saluran tempat
mengalirnya electron bebas. Lebar dari saluran itu sendiri dapat dikendalikan oleh tegangan
gerbang. Transistor MOSFET mode pengosongan terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol
transistor ditunjukkan dalam Gambar 1.

Gambar 2.1 Simbol Transistor MOSFET Mode Depletion


2
(a). N-Channel Depletion (b). P-Channel Depletion
2. E-MOSFET. Transistor Mode peningkatan (Transistor Mode Enhancement). Transistor
mode enhancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain dan sourcenya
karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO2 pada terminal gate. Transistor MOSFET
mode peningkatan terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol transistor ditunjukkan dalam
Gambar 2.

Gambar 2.2 Simbol Transistor MOSFET Mode Enhancement


(a). N-Channel Enhancement (b). P-Channel Enhancement
Dilihat dari jenis saluran yang digunakan, transistor MOSFET dapat dikelompokan menjadi
tiga, antara lain:
1. NMOS. Transistor NMOS terbuat dari substrat dasar tipe p dengan daerah source dan
drain didifusikan tipe n+ dan daerah kanal terbentuk pada permukaan tipe n. NMOS yang
umumnya banyak digunakan adalah NMOS jenis enhancement, dimana pada jenis ini
source NMOS sebagian besar akan dihubungkan dengan Vss mengingat struktur dari
MOS itu sendiri hampir tidak memungkinkan untuk dihubungkan dengan +Vdd. Dalam
aplikasi gerbang NMOS dapat dikombinasikan dengan resistor, PMOS, atau dengan
NMOS lainnya sesuai dengan karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh
sebuah NMOS dan resistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT. Negatif MOS
adalah MOSFET yang mengalirkan arus penguras sumber menggunakan saluran dari
bahan electron, sehinga arus yangmengalir jika tegangan gerbang lebih positif dari
substrat dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT (Voltage Treshold). Skematik MOSFET
tipe-n ditunjukkan dalam Gambar 3

3
Gambar 2.3 Skematik MOSFET tipe-n
Sumber: Hodges-Jackson 1987: 37
2. PMOS. Transistor PMOS terbuat dari substrat dasar tipe-n dengan daerah source dan
drain didifusikan tipe p dan daerah kanal terbentuk pada permukaan tipe p. Positif MOS
adalah MOSFET yang mengalirkan arus penguras sumber melalui saluran positif berupa
hole, dimana arus akan mengalir jika tegangan gerbang lebih negative terhadap substrat
dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT. PMOS yang umumnya banyak digunakan adalah
PMOS jenis enhancement, dimana pada jenis ini source PMOS sebagian besar akan
dihubungkan dengan +Vdd mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak
memungkinkan untuk dihubungkan dengan -Vss. Dalam aplikasi gerbang PMOS dapat
dikombinasikan dengan resistor, NMOS, atau dengan PMOS lainnya sesuai dengan
karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah PMOS dan resistor
digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT.
3. CMOS (Complementary MOS). MOSFET tipe complementary ini mengalirkan arus
penguras sumber melalui saluran tipe-n dan tipe-p secara bergantian sesuai dengan
tegangan yang dimasukkan pada gerbangnya (gate).
B. STRUKTUR MOSFET
NMOS tipe Enhancement. Struktur transistor NMOS terdiri atas substrat tipe-p dengan
daerah source dan drain diberi difusi n+. Diantara daerah source dan drain terdapat suatu
daerah sempit dari substrat p yang disebut channel yang ditutupi oleh lapisan tang
penghantar (isolator) yang terbuat dari SiO2. Panjang channel disebut Length (L) dan
lebarnya disebut Width (W). Gerbang (gate) terbuat dari polisilikon dan ditutup oleh
penyekat yang diendapkan. Struktur transistor NMOS terdiri atas substrat tipe-p dan tipe-
n. kedua parameter ini sangat penting untuk mengontrol MOSFET. Parameter yang tidak
4
kalah penting adalah ketebalan lapisan oksida yang menutupi daerah channel (tox). Di
atas lapisan insulating tersebut didepositkan polycrystalline silicon (polysilicone)
electrode, yang disebut dengan gerbang (gate). struktur fisik NMOSFET tipe
enhancement ditunjukkan dalam Gambar 4.
PMOS tipe Enhancement. Struktur transistor PMOS terdiri atas substrat tipe-n dengan
daerah source dan drain diberi difusi p+, dan untuk kondisi yang lain adalah sama dengan
NMOS.
C. REKAYASA PEMBUATAN MOSFET

Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, namun beberapa produsen IC,
terutama IBM, mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal
MOSFET. Sayangnya, banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang lebih baik
daripada silikon, seperti galium arsenid (GaAs), tidak membentuk antarmuka semikonduktor-ke-
isolator yang baik sehingga tidak cocok untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan penelitian
untuk membuat isolator yang dapat diterima dengan baik untuk bahan semikonduktor lainnya.
Untuk mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus gerbang, dielektrik tinggi
menggantikan silikon dioksida sebagai isolator gerbang, dan gerbang logam kembali digunakan
untuk menggantikan polisilikon. Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang
secara tradisional adalah silicon dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan teknologi silicon
oxynitride. Beberapa perusahaan telah mulai memperkenalkan kombinasi dielektrik tinggi +
gerbang logam di teknologi 45 nanometer.

1. D-MOSFET kanal-N dibuat di atas bahan dasar dasar silikon tipe P yang biasanya disebut
subtract. Pada kebanyakan komponen diskret, subtract ini dihubungkan ke terminal yang
disebut SS (Subtrat) sebagai terminal keempat. Terminal drain (D) dihubungkan ke bahan
tipe N melalui kontak metal demikian juga dengan terminal source (S). Antara bahan-N drain
dan bahan-N source dihubungkan kanal yang terbuat juga dari bahan-N. Terminal gate
dihubungkan ke sisi kanal-N melaui kontak metal. Tetapi yang penting adalah bahwa antara
kontak metal gate dengan kanal-N ada lapisan oksida silion (SiO2) yang berfungsi sebagai
isolasi (dielektrum). Secara kelistrikan antara terminal gate dengan kanal-N tidak ada
hubungan. Hal ini membuat impedansi dari D-MOSFET sangat tinggi, lebih tinggi dari
impedansi input JFET. Dengan demikian dalam pembiasaan dc, arus gate IG dianggap sama
dengan nol (IG=0). Istilah MOSFET (metal-oxide semiconductor FET ) ini timbul karena
5
dalam konstruksinya terdapat metal dan oksida silikon. Dalam literature lama MOSFET ini
disebut dengan IGFET (insulated-gate FET) karena memang terminal gatenya terisolasi
dengan kanal-N.

Gambar 2.4 Konstuksi D-MOSFET kanal-N

2. MOSFET tipe peningkatan atau E-MOSFET (Enhancement-metal-oxide semiconductor FET)


terdiri atas kanal-N dan kanal-P hanya berbeda polaritas. Seperti halnya pada D-MOSFET, E-
MOSFET ini juga dibuat di atas bahan dsar silikon tipe-P yang disebut subtract. Pada
umumnya subtract P ini dihubungkan ke terminal SS melalui kontak metal. Terminal SS pada
beberapa MOSFET terhubung langsung didalam komponen, sehingga yang keluar tinggal
tiga terminal saja, yakni Source (S), Drain (D), dan Gate (D). Source (S) dan drain (D)
masing-masing dibuat dengan menumbuhkan doping bahan-N dari subtract-P, sehingga dapat
dihubungkan keluar menjadi terminal S untuk Source dan D untuk drain melalui kontak
metal. Sedangkan terminal G (gate) dibuat melalui kontak metal yang diletakkan ditegah-
tengah antara source dan drain. Antara gate dan subtract P terdapat silikon dioksda (SiO 2)
yang berfungsi sebagai isolasi (dielektrm). Hal ini sama seperti pada D-MOSFET. Impedansi
input E-MOSFET juga sangat tinggi. Ada perbedaan pada D-MOSFET dengan E_MOSFET,
yakni pada D-MOSFET terdapat kanal yang menghubungkan S dan D, sedangkan pada E-
MOSFET tidak terdapat kanal tersebut. Dengan demikian aliran electron dari source yang
akan menuju drain harus melalui substrat-P.

6
Gambar 2.5 Konstruksi E-MOSFET kanal-N

D. MEKANISME FISIS DARI MOSFET

Struktur dasar dan prinsip operasi mosfet

Para tipe

Gambar . Karakteristik iD vDS dari MOSFET

MOSFET bekerja seperti resistansi linier yang dikendalikan oleh vGS. Untuk vGS Vt,
resistansinya tidak terhingga, dan harganya menurun jika vGS melebihi Vt. Jadi, agar MOSFET
terkonduksi harus ada kanal induksi. Dengan bertambahnya vGS melebihi Vt meningkatkan
kemampuan kanal, oleh karena itu MOSFET jenis ini disebut MOSFET enchancement-type.
Arus yang meninggalkan source (is) sama dengan arus yang memasuki drain (iD), jadi arus gate
iG = 0
7
Analisis Matematis Tegangan Threshold Inverter (VTH)
Tegangan threshold inverter sebagai Vth = Vin = Vout. Kerena inverter CMOS memberikan noise margin
besar dan mempunyai bentuk transisi VTC yang curam, tegangan threshold merupakan suatu parameter
karakteristik DC yang penting untuk menunjukan kehandalan dari inverter. Untuk Vin = Vout kedua
transistor beroperasi dalam daerah saturasi.

Gambar 15. Kenaikan vDS melebihi vDSsat yang menyebabkan titik pinch-off sedikit menjauh dari
drain
vDS naik melebihi vDSsat, titik pinched-off dari kanal bergeser menjauhi drain menuju source,
sehingga ada daerah depletion antara drain dan ujung kanal. Akibatnya panjang kanal akan
berkurang. Keadaan ini disebut channel-length modulation Karena iD berbanding terbalik dengan
panjang kanal, maka iD naik dengan naiknya vDS. Untuk menghitung ketergantungan iD pada vDS
pada keadaan jenuh, ganti L dengan (L L)
Driver Kaskada
HCMOS merupakan hasil perkembangan dari teknologi CMOS, dengan bentuk struktur
dasar yang sama yaitu terbentuk dari transistor NMOS dan PMOS. Keunggulan dari IC HCMOS
adalah memiliki waktu tunda rambatan yang relative cepat dan disipasi daya yang kecil. Salah
satu konfigurasi yang dapat digunakan untuk mengurangi propagation delay adalah konfigurasi
inverter yang dipasang secara kaskada (Geiger, 1990: 591). Sehingga blok pembentuk IC HCMOS
berupa rangkaian digital CMOS dan driver kaskada ditunjukkan dalam Gambar 2.6

8
Gambar 2.6 Blok rangkaian IC HCMOS

Salah satu konfigurasi yang dapat digunakan untuk mengurangi propagation delay adalah
konfigurasi inverter yang dipasang secara kaskada (Geiger,1990:591). Dengan mengasumsikan
sebuah sinyal keluaran dari gerbang referensi yang menggerakkan load kapasitansi CL maka
propagation delay rata-rata dapat dinyatakan dengan dengan:
a. tapd = rata-rata delay gerbang
b. CG =kapasitasi masukan gerbang referensi
c. Untuk setiap bilangan interger n 1, didefinisikan
Konfigurasi ini terdiri dan gabungan n inverter (termasuk gerbang referensi awal). Jika
masing masing dirancang dengan rasio 4:1 artinya perbandingan antara ekivalen resistansi
transistor pull up dan pull down. Bila rasio perbandingan bukan 4:1 maka tidak menjadi masalah
seperti pada logika CMOS yang dikenal bersifat ratioless. Setiap gerbang memiliki drive
capability -kali lebih besar dan stage sebelumnya.

Gambar 2.7 Driver kaskada


Sumber : Geiger, Allen, Strader, 1990 : 59

dengan:
Wdk = W pulldown transistor kaskada inverter ke-k
Ldk = L pulldown transistor kaskada inverter ke-k
Wuk = W pullup transistor kaskada inverter ke-k
Luk = L pullup transistor kaskada inverter ke-k
9
Load kapasitansi stage ke-k C relatif terbadap kapasitansi gerbang masukan CG adalah
Dalam Gambar 7 untuk inverter yang pertama terdapat propagation delay sebesar tapd, sehingga
total propagation delay sturktur kaskada ini adalah :

tcas = ntapd
Pengertian r adalah rasio antara delay stuktur driver kaskada dengan propagation delay rata-rata
gerbang. Namun yang menjadi persoalan adalah bagaimana memininialisasi r sehingga
meminimkan delay rangkaian secara total.

Gambar 2.8 Grafik Hubungan Dengan /ln


Sumber : Geiger, 1990 : 172

Gambar 20 menunjukkan hubungan antara . dengan /ln. Dalam grafik terlthat bahwa
nilai minimum /ln dicapai ketika =e dengan nilai e Gambar 21 menunjukkan hubungan antara
n dengan CL/CG. Hubungan nilai (=e, =3 dan =5 ditunjukkan dalam Gambar 9.

10
Gambar 2.9 Grafik Hubungan n Dengan CL/CG
Sumber : Geiger, 1990 : 172

n adalah jumlah stage yang dikaskada. n merupakan sebuah bilangan dengan nilai lebih
besar atau sama dengan 1. Dalam praktik nilai diset pada nilai yang lebih besar dan e untuk
menghasilkan pengurangan jumlah stage kaskada. Gambar 20 menunjukkan bahwa selama a
berada diantara nilai 2 dan 4, deviasi terhadap minimum delay kurang dan 5%.
Pada Persamaan (71) ditunjukkan bahwa untuk load rasio yang kecil peningkatan
kecepatan hanya kecil dan perluasan area gerbang nampak tidak menguntungkan. Namun untuk
beban kapasitif yang besar peningkatan kecepatan sangat signifikan. Sebagai contoh, menurut
Persamaan (72) kaskada tujuh tingkat dengan ukuran yang dioptimalkan yang digunakan untuk
menggerakkan beban kapasitif dengan rasio 1100CG menghasilkan propagation delay 1.7%
disbanding propagation delay yang dibutuhkan gerbang dasar. Hal yang perlu diperhatikan dalam
perancangan adalah bila jumlah inverte ganjil maka keluaran sinyal akan diinversi. Selain itu
meskipun peningkatan kecepatan cukup signifikan untuk nilai n yang besar luasan area total yang
dihasilkan oleh driver kaskada terlalu besar. Sebagai contoh, rangkaian stage tujuh tingkat
membutuhkan e6 403 kali luasan gerbang dasar. Dengan luasan seperti ini tentu tidak akan efisien
untuk rangkaian yang terintegrasi dengan jumlah yang banyak, misalnya dalam jumlah ribuan.
Kedua hal ini perlu menjadi pertimbangan perancang dalam proses desain sebuah gerbang.

11
MOSFET sebagai Penguat dan Saklar
MOSFET sebagai penguat:
1. Bekerja di daerah jenuh
2. Berperan sebagai sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan (VCCS).
Perubahan pada tegangan vGS akan mengubah arus drain iD.
MOSFET yang bekerja di daerah jenuh dapat dipakai untuk membuat penguat
transkonduktansi (transconductance amplifier).
Yang diinginkan penguat linier; jadi harus ada bias dc agar MOSFET bekerja pada VGS dan ID
tertentu, kemudian ditumpangkan tegangan vgs yang akan diperkuat pada tegangan dc VGS. Dengan
menjaga vgs kecil arus drain, id dapat dibuat sebanding dengan vgs

E. CIRI DAN KARAKTERISTIK MOSFET

Grafik karakteristik MOSFET (NMOS) arus ID sebagai fungsi VDS dengan parametr
VGS ditunjukkan dalam Gambar 5. Pada MOSFET terdapat tiga daerah operasi yaitu daerah cut-
off, linear dan saturasi. Pada daerah cut-off, tegangan gerbang lebih kecil dari tegangan ambang,
sehingga tidak terbentuk saluran, dan arus tidak dapat mengalir (ID = 0). Pada daerah linear,
pada awalnya gerbang diberi tegangan hingga terbentuk saluran. Apabila drain diberi tegangan
yang kecil, maka elektron akan mengalir dari source menuju drain atau arus akan mengalir dari
drain ke source. Selanjutnya saluran tersebut akan bertindak sebagai suatu tahanan, sehingga
arus drain (ID) akan sebanding dengan tegangan drain.

Apabila tegangan drain terus ditingkatkan hingga tegangan pada gate menjadi netral,
lapisan inversi saluran pada sisi drain akan hilang, dan mencapai suatu titik yang disebut titik
pinch-off. Pada titik pinch-off ini merupakan permulaan dari daerah kerja saturasi. Apabila
melebihi titik ini, peningkatan tegangan drain tidak akan mengubah arus drain, sehingga arus
drain tetap (konstan).

12
Gambar 2.10 Grafik karakteristik MOSFET arus ID sebagai gungsi VDS dengan
parameter VGS

Kontruksi dan karakteristik D-MOSFET . Kurva karakteristik output dan kurva trasfer D-
MOSFET kanal-N dapat dilihat pada gambar 2.11. Terlihat bahwa D-MOSFET ini dapat
bekerja baik pada mode pengosongan (saat VGS negatif) maupun pada mode peningkatan
(VGS positif). Oleh karena itu D-MOSFET ini sering juga disebut dengan DE-MOSFET
(depletion-enhancement MOSFET). Persamaan Shockley juga masih berlaku pada D-
MOSFET ini baik pada mode pengosongan maupun pada mode peningkatan.

13
Gambar 2.11 Kurva karakteristik transfer dan output D-MOSFET kanal-N

Kontruksi dan prinsip kerja D-MOSFET kanal-P adalah kebalikan dari D-MOSFET
kanal-N yang sudah dijelaskan diatas. Demikian juga polaritas tegangan VGS, VDS, dan arus ID
juga berlawanan dengan yang ada pada D-MOSFET kenal-N.

Simbol D-MOSFET kenal-N dan kenal-P adalah seperti ditunjukan berturut-turut pada
gambar 5(a) dan 3(b). Bila termisal SS tidak terhubung didalam, maka D-MOSFET menjadi
komponen empat terminal. Berbeda dengan simbol JFET yang tanda panahnya pada gate, untuk
gate D-MOSFET tidak ada panahnya karena gate dengan kenal nukanlah P-N juncion.

14
Gambar 2.12 Simbol E-MOSFET (a) kanal-N (b) kanal-P

Kontruksi dan Karakteristik E-MOSFET. Dengan melihat kurva karakteristik E-MOSFET


ternyata terdapat hubungan antara VDSsat dengan VGS. Hubungan tersebut adalah dengan
semakin tingginya harga VGS, VGSsat makin tinggi juga. Pada saat VGS = VT yang mana arus
ID muali mengalir dengan cukup berarti, maka VDSsat = 0 . Hal ini karena arus ID sudah
mengalami kejenuhan sejak VDS dinaikkan.

15
Gambar 2.13 Kurva karakteristik trasfer dan output E-MOSFET kanal-N

Hubungan antara arus ID dengan VGS tak lagi mengikuti persamaan Shockley
sebagimana pada JFET dan D-MOSFET, akan tetapi mengikuti persamaan yang berlaku untuk
VGS >VT.

Dimana k adalah tetapan konstanta sebagai fungsi dari kontruksi komponen. Namun
demikian dengan menurunkannya dari persamaan diatas tersebut bisa diperoleh harga k untuk
suatu titik dalam kurva harga ID(on) dan VGS(on) tertentu yaitu:

16
Kontuksi dan prinsif kerja E-MOSFET kenal-P adalah kebalikan dari E-MOSFET kenal-N yang
sudah dijelaskan diatas.demikian juga polaritas tegangan VGS,VDS dan arus ID juga berlawanan
dengan yang ada pada E-MOSFET kenal-N.

Simbol E-MOSFET kenal-N dan kenal-P adalah seperti pada gambar 7(a) dan(b). Bila
terminal SS tidak terhubung didalam, maka E-MOSFET menjadi komponen empat terminal.
Berbeda dengan simbol JFET yang tanda panahnya pada gate, untuk gate E-MOSFET tidak ada
panahnya karena gate dengan kenal nukanlah P-N juction.

Gambar 2.14 Simbol E-MOSFET (a) kanal-N (b) kanal-P

F. PENGGUNAAN UNTUK TRANSISTOR

Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain, source dan
gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari
bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena
gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET.

Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua jenis
enhancement-mode. Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari gerbang logika

17
dalam bentuk IC (integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro processor) yang tidak
lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini.

Kurva drain MOSFET depeletion mode

Analisa kurva drain dilakukan dengan mencoba beberapa tegangan gate VGS konstan, lalu
dibuat grafik hubungan antara arus drain ID terhadap tegangan VDS.

Gambar 2.15 Kurva drain transistor MOSFET depletion-mode

Dari kurva ini terlihat jelas bahwa transistor MOSFET depletion-mode dapat bekerja
(ON) mulai dari tegangan VGS negatif sampai positif. Terdapat dua daerah kerja, yang pertama
adalah daerah ohmic dimana resistansi drain-source adalah fungsi dari :

RDS(on) = VDS/IDS

Jika tegangan VGS tetap dan VDS terus dinaikkan, transistor selanjutnya akan berada pada
daerah saturasi. Jika keadaan ini tercapai, arus IDS adalah konstan. Tentu saja ada tegangan
VGS(max), yang diperbolehkan. Karena jika lebih dari tegangan ini akan dapat merusak isolasi gate
yang tipis alias merusak transistor itu sendiri.

18
Kurva Drain MOSFET enhacement-mode

Mirip seperti kurva D-MOSFET, kurva drain transistor E-MOSFET adalah seperti yang
ditunjukkan pada gambar berikut. Namun di sini VGS semua bernilai positif. Garis kurva paling
bawah adalah garis kurva dimana transistor mulai ON. Tegangan VGS pada garis kurva ini disebut
tegangan threshold VGS(th).

Gambar 2.16 Kurva drain E-MOSFET

Karena transistor MOSFET umumnya digunakan sebagai saklar (switch), parameter yang
penting pada transistor E-MOSFET adalah resistansi drain-source. Biasanya yang tercantum
pada datasheet adalah resistansi pada saat transistor ON. Resistansi ini dinamakan R DS(on). Besar
resistansi bervariasi mulai dari 0.3 Ohm sampai puluhan Ohm. Untuk aplikasi power switching,
semakin kecil resistansi RDS(on) maka semakin baik transistor tersebut. Karena akan memperkecil
rugi-rugi disipasi daya dalam bentuk panas. Juga penting diketahui parameter arus drain
maksimum ID(max) dan disipasi daya maksimum PD(max).

NMOS dan PMOS

Transistor MOSFET dalam berbagai referensi disingkat dengan nama transistor MOS.
Dua jenis tipe n atau p dibedakan dengan nama NMOS dan PMOS. Simbol untuk
menggambarkan MOS tipe depletion-mode dibedakan dengan tipe enhancement-mode.
Pembedaan ini perlu untuk rangkaian-rangkaian rumit yang terdiri dari kedua jenis transistor
tersebut.
19
Gambar 2.17 Simbol transistor (a)NMOS (b)PMOS tipe depletion mode

Gambar 2.18 Simbol transistor (a)NMOS (b)PMOS tipe enhancement mode

Transistor MOS adalah tipe transistor yang paling banyak dipakai untuk membuat
rangkaian gerbang logika. Ratusan bahkan ribuan gerbang logika dirangkai di dalam sebuah IC
(integrated circuit) menjadi komponen yang canggih seperti mikrokontroler dan mikroposesor.
Contoh gerbang logika yang paling dasar adalah sebuah inverter.

Gambar 2.19 Gerbang NOT Inverter MOS

Gerbang inverter MOS di atas terdiri dari 2 buah transistor Q1 dan Q2. Transistor Q1
adalah transistor NMOS depletion-mode yang pada rangkaian ini berlaku sebagai beban RL untuk
transistor Q2. Seperti yang sudah dimaklumi, beban RL ini tidak lain adalah resistansi R DS(on) dari
transistor Q1. Transistor Q2 adalah transistor NMOS enhancement-mode. Di sini transistor Q2
berfungsi sebagai saklar (switch) yang bisa membuka atau menutup (ON/OFF). Transistor ON
atau OFF tergantung dari tegangan input.

20
Jika tegangan input A = 0 volt (logik 0), maka saklar Q2 membuka dan tegangan output Y
= VDD (logik 1). Dan sebaliknya jika input A = V DD (logik 1) maka saklar menutup dan tegangan
output Y = 0 volt (logik 0). Inverter ini tidak lain adalah gerbang NOT, dimana keadaan output
adalah kebalikan dari input.

Gerbang dasar lainnya dalah seperti gerbang NAND dan NOR. Contoh diagram berikut
adalah gerbang NAND dan NOR yang memiliki dua input A dan B.

Gambar 2.20 Gerbang NAND transistor MOS

Gambar 2.21 Gerbang NOR transistor MOS

Bagaimana caranya membuat gerbang AND dan OR. Tentu saja bisa dengan
menambahkan sebuah inverter di depan gerbang NAND dan NOR.

21
DAFTAR PUSTAKA
A, Douglas Pucknell. 1994. Basic VLSI Design. Australia: Prentice Hall.
Chen, Wai Kai. 2000. The VLSI Handbook. Florida: CRC Press.
De Massa, Thomas A. Ciccone, Zack. 1996. Digital Integrated Circuits. Canada: Wiley &
Sons.
E, John Ayers. 2004. Digital Integrated Circuits. Analysis and Desain. Canada: Wiley.
Fairchild Semikonduktor. ID Series Datasheet. www.alldatasheet.com, diakses tanggal 26
Februari 2012.
Geiger, Randall L., dkk. 1990. VLSI Design Techniques For Analog and Digital Circuits.
Singapore: McGraw-Hill Book Co.
Kang, Sung-Mo, Leblebici, Yusuf. 1996. CMOS Digital Integrated Circuit : Analysis and
Design Second Edition. Singapore : McGraw-Hill Companies.
Malvino, A. P. 1993. Elektronika Komputer Digital, Pengantar Mikrokomputer. Jakarta:
Erlangga.
Pan, D. Z., Yuan, K., dkk. Jurnal IEEE Transaction On Computer-Aided Design Of
Integrated Circuits And Systems. Volume 31. No.02, Februari 2012.
Park, M., Perrott, M. H., Staszewski, R. B., dkk. Jurnal IEEE Transaction On Circuit And
Systems. Volume 54. No.11, November 2011.
Pucknell, D. A. 1994. Basic VLSI Design, 3rd edition. Australia: Prentice Hall.
Qian, Weikang, Riedel, Marc D., dkk. Jurnal IEEE Transaction On Computer-Aided
Design Of Integrated Circuits And Systems. Volume 30. No.09. September 2011.
Rabaey, Jan M., dkk. 1999. Digital Integrated Circuits A Design Perspective second
Edition. New Jersey: Prentide Hall Electronics and VLSI Series.
Rashid, Muh. 2004. Introduction to PSPice Using OrCAD for Circuits and Electronics,
3rd edition. London: Prentice Hall.
Sedra. 1992. Spice for Microelectronics Circuit 3rd edition. USA: Saunders College
Publishing.

22

You might also like