Captulo
14
ANTENAS DE MICROFITA
14.1 INTRODUO
Em aplicaes aeronuticas, aeroespaciais, de satlite e de ms-
seis de alto desempenho, onde tamanho, peso, custo, desempe-
nho, facilidade de instalao e perfil aerodinmico so limitan-
tes, antenas discretas podem ser necessrias. Atualmente, h
diversas outras aplicaes governamentais e comerciais, como
rdio mvel e comunicao sem fio, que tm especificaes juntos, h uma permuta entre largura de banda e volume de
semelhantes. Para atender esses requisitos antenas de microfita
[1]-[38] podem ser usadas. Estas antenas so discretas, mold-
veis a superfcies planas e no-planas, de construo simples e
de baixo custo com a tecnologia de circuitos impressos, meca-
nicamente robustas quando montadas em superfcies rgidas,
compatveis com projetos MMIC e, quando a forma especfica
da plaqueta e do modo so selecionados, so muito versteis em
termos de freqncia de ressonncia, polarizao, diagrama e
irnpedncia. Alm disso, ao adicionar cargas entre a plaqueta e
o plano de terra, como pinos e diodos varactores, podem ser
projetados elementos adaptativos com freqncia de ressonn-
cia, impedncia, polarizao e diagramas variveis [18], [39]-
[44].
Grandes desvantagens operacionais de antenas de microfita
so sua baixa eficincia, baixa potncia, alto Q (algumas vezes,
acima de 100), pureza de polarizao pobre, fraco desempenho
de varredura, radiao espria da alimentao e muito pequena
largura de banda de freqncias, tipicamente de apenas uma
frao de 1% ou, no mximo, de alguns poucos por cento. Em
algumas aplicaes, como em sistemas governamentais de se-
gurana, pequenas larguras de banda so desejveis. Contudo,
h mtodos, como aumentar a espessura do substrato, que po-
dem ser usados para estender a eficincia (a valores da ordem
de 90%, se ondas de superfcie no forem includas) e largura
de banda (at cerca de 35%) [38]. Entretanto, medida que a
espessura aumenta ondas de superfcie so introduzidas, e em
geral elas so indesejveis, pois extraem potncia da quantida-
de total disponvel para radiao direta (ondas espaciais). As
ondas de superfcie viajam no interior do substrato e podem ser
espalhadas em curvas e descontinuidades da superfcie, como
truncamento do dieltrico e do plano de terra [45]-[49], e de-
gradam o diagrama da antena e suas caractersticas de polariza-
o. Ondas de superfcie podem ser eliminadas, mantendo gran-
I-
~ 4
des larguras de banda, com o uso de cavidades [50], [51].
Agrupamento de elementos de microfita, assim como outro
mtodos, tambm pode ser empregado para aumentar a largura
de banda [13], [52]-[62]. Alm disso, antenas de microfita exi-
bem grande assinatura eletromagntica em certas freqncia
fora da banda de operao, so bastante grandes fisicamente nas
freqncias de VHF e, possivelmente, UHF; em grandes con-
varredura [63]-[65].
14.1.1 Caradersticas Bsicas
Antenas de microfita receberam considervel ateno a partir da
dcada de 1970, embora a idia de uma antena de microfita pos-
sa ser rastreada a 1953 [1] e a uma patente de 1955 [2]. Antenas
de microfita, como mostrado na Figura 14.1(a), consistem em
uma fita (plaqueta) metlica de pequena espessura (t o,onde
o o comprimento de onda no espao livre) posicionada a uma
distncia - correspondente a uma pequena frao do compri-
mento de onda (h o, usualmente 0,003o ::5 h ::5 0,05o)
- acima de um plano de terra. A plaqueta de microfita proje-
tada de modo que seu diagrama seja mximo normal a ela (ra-
diador broadside). Isto alcanado com uma escolha adequada
(configurao de campo) de excitao sob a plaqueta. Radiao
end-fire pode ser tambm obtida com uma escolha judiciosa do
modo. Em geral, no caso de uma plaqueta retangular seu com-
primento L tal que o/3 < L < o/2. A fita (plaqueta) e o pla-
no de terra so separados por uma camada dieltrica (referida
como o substrato), como mostrado na Figura 14.1(a).
Diferentes materiais podem ser usados como substrato no
projeto de antenas de microfita. Em geral, a constante dieltrica
desses materiais tem valores de 2,2 ::5 e, ::5 12. Os substrato
mais adequados para antenas de bom desempenho so espesso
e tm constante dieltrica de valor baixo, pois permitem maior
eficincia, maior largura de banda e campos mais desprendido .
facilitando a radiao no espao. Mas essas propriedades tm o
custo de elementos de maiores dimenses [38]. Substratos del-
gados com altos valores de constante dieltrica so desejvei
para circuitos de microondas, que exigem campos mais confi-
nados, para minimizar radiao e acoplamentos indesejveis, e
elementos de pequenas dimenses; entretanto, devido s maio-

Plano de terra
(a) Antena de microfita
Plano de terra
(b) Vista lateral
Figura 14.1 Antena de microfita e sistema de coordenada.
_ perdas esses substratos so menos eficientes e resultam em
guras de banda relativamente menores [38]. Como antenas
2 microfitas so geralmente integradas com outros circuitos de
croondas, um equilbrio deve ser encontrado entre bom de-
penho da antena e bom projeto do circuito.
Freqentemente, antenas de microfita so tambm referidas
antenas de plaqueta *. Os elementos radiantes e linhas de
entao so, em geral, fotogravados no substrato dieltrico.
laqueta radiante pode ser quadrada, retangular fita estreita
10),circular, elptica, triangular ou de qualquer outra forma.
e outras formas so ilustradas na Figura 14.2. Plaquetas
das, retangulares, dipolos (fitas) e circulares so as mais
un . devido facilidade de anlise e fabricao, assim como
atraentes caractensticas de radiao, especialmente baixa
o de polarizao cruzada. Dipolos de microfita so atra-
por possurem uma largura de banda inerentemente grande
cuparem menos espao, o que os torna adequados para a for-
-0 de conjuntos [14], [22], [30], [31). Polarizaes linear e
lar podem ser obtidas com um nico elemento ou com con-
de antenas de microfita. Conjuntos de elementos de mi-
ta, com alimentao simples ou mltipla, podem tambm ser
para introduzir capacidade de varredura e alcanar direti-
es mais elevadas. Isto ser discutido nas prximas sees.
.1.2 Mtodos de Alimentao
as configuraes podem ser usadas para alimentar antenas
icrofita. As quatro mais populares so linha de microfita",
da coaxial, acoplamento por abertura e acoplamento por
cimidade [15], [16], [30], [35], [38], [66]-[68]. Essas formas
10 comum o emprego do termo original em ingls, patch, sendo essas
. ento, referidas como antenas patch de microfita. (N.T.)
um o uso do termo linha microstrip para designar uma linha de trans-
- de microfita. (N.T.)
Antenas de Microfita 147
N----y
y
/~
/ / I
// / I
A-h-+l / (r, a,"')
/
/
~,4----L-----~--~x
(c) Sistema de coordenada para cada fenda radiante
de alimentao so ilustradas na Figura 14.3. Um conjunto de
circuitos equivalentes para cada uma mostrado na Figura 14.4 .
A linha de alimentao de microfita tambm consiste em uma
fita condutora que, em geral, tem largura muito menor que a da
plaqueta. A linha de alimentao de microfita de fcil fabri-
cao, de casamento simples -- controlando o ponto de insero
-- e de modelagem bastante simples. No entanto, medida que
a espessura do substrato aumenta, ondas de superfcie e radiao
espria gerada pela alimentao aumentam, o que, na prtica,
limita a largura de banda (tipicamente, 2-5%).
Alimentadores de linha coaxial, onde o condutor interno do
coaxial conectado plaqueta radiante e o condutor externo ao
plano de terra, tambm so largamente utilizados. O alimentador
coaxial de fcil construo e casamento, apresentando baixa
radiao espria. Contudo, tem pequena largura de banda e
mais difcil de modelar, especialmente no caso de substratos
espessos (h > 0,02~o) .
Tanto a alimentao por linha de microfita como por sonda
coaxial possuem assirnetrias inerentes, gerando modos de ordens
superiores que produzem radiao de polarizao cruzada. Para
superar alguns desses problemas foi introduzida a alimentao
sem contato via acoplamento por abertura, como mostrado na
Figura 14.3( c.d). O acoplamento por abertura da Figura l4.3( c)
, entre as quatro, a forma de alimentao de fabricao mais
difcil, e tambm de banda estreita. No entanto, o acoplamen-
to por abertura de modelagem razoavelmente simples e tem
radiao espria moderada. Essa forma de acoplamento consis-
te em dois substratos separados por um plano de terra. a face
inferior do substrato de baixo h uma linha de microfita, cuja
energia acoplada plaqueta atravs de uma fenda no plano de
terra que separa os dois substratos. Essa disposio permite oti-
mizao independente do mecanismo de alimentao e do ele-
mento radiante. Tipicamente, o substrato inferior consiste em
um material de alta constante dieltrica, e o substrato superior
de uma espessa camada de material de baixa constante dieltrica .
O plano de terra entre os dois substratos tambm isola a alimen-
tao do elemento radiante, minirnizando, assim, a interferncia
148 Captulo Quatorze

D D DO o(e) Elptica
(a) Quadrada (b) Retangular (c) Dipolo (d) Circular

r-. o g Figura 14.2 Formas tpicas de elementos de pla-

(f) Triangular (g) Setor circular (h) Anel circular (i) Setor anelar quetas de microfita.

Plaqueta

li r Substrato
Plano de terra
Conector coaxial Plano de terra

(a) Alimentao por linha de microfita (b) Alimentao por sonda coaxial

Ii

Ii
L--L/~/~ __ ~liLr2L- --JV

(c) Alimentao via acoplamento por abertura

(d) Alimentao via acoplarnento por proximidade

Figura 14.3 Formas tpicas de alimentao de antenas de microfita.


(a) Linha de microfita (b) Sonda coaxial
o__ T as mais populares e prticas, apenas duas configuraes de pla-
(c) Acoplamento por abertura (d) Acoplamento por proximidade
Figura 14.4 Circuitos equivalentes para os alimentadores da Figura
14.3.
da radiao espria na formao do diagrama e na pureza de
polarizao. Nesta configurao parmetros eltricos do subs-
trato, largura da linha de alimentao, dimenses e posio da
fenda de acoplamento podem ser usados para otirnizar o projeto
[38]. Em geral o casamento efetuado atravs do controle da
largura da linha de alimentao e do comprimento da fenda. O
acoplamento por meio da fenda pode ser modelado com a teoria
de Bethe [69], que tambm usada para modelar o acoplamen-
to atravs de uma pequena abertura em um plano condutor. Essa
teon tem sido utilizada, com grande sucesso, para analisar aco-
pladores de guia de onda considerando acoplamento atravs de
orifcios [70]. essa teoria a fenda representada por um dipo-
10 eltrico normal equivalente, para levar em conta a componen-
te normal ( fenda) do campo eltrico, e por um dipolo magn-
tico horizontal equivalente, para levar em conta a componente
tangencial ( fenda) do campo magntico. O acoplamento mag-
ntico prevalecer caso a fenda seja centrada abaixo da plaque-
ta, pois nessa posio, ideal mente, o campo eltrico do modo
dominante nulo, enquanto o campo magntico mximo. Esse
posicionamento da fenda resulta, ainda, em boa pureza de pola-
rizao e nenhuma radiao de polarizao cruzada nos planos
principais [38]. Dentre as quatro configuraes de alimentao
descritas aqui, a de acoplamento por proximidade apresenta a
maior largura de banda (de at 13%), de modelagem relativa-
mente simples e tem baixa radiao espria. No entanto, sua
fabricao um pouco mais difcil. O comprimento do estube
de alimentao e a razo entre as larguras da plaqueta e da linha
podem ser usados para controlar o casamento [61].
14.1.3 Mtodos de Anlise
H numerosos mtodos para a anlise de antenas de microfita.
Os modelos mais populares so os de linha de transmisso [16],
[35], cavidade [12], [16], [18], [35] e onda completa (que inclui,
principalmente, equaes integrais/Mtodo dos Momentos) [22],
[26], [71]-[74]. O modelo de linha de transmisso o mais sim-
ples de todos e prov uma boa percepo fsica, mas menos
preciso e seu uso para modelar o acoplamento mais difcil
[75]. Comparado com o modelo de linha de transmisso, o mo-
delo de cavidade mais preciso, mas, ao mesmo tempo, mais
Antenas de Microfita 149
complexo. No entanto, este modelo tambm prov boa percep-
o fsica, e seu uso para modelar o acoplamento bastante
difcil, embora isso tenha sido feito com sucesso [8], [76], [77].
Usualmente, quando aplicado de modo apropriado os modelos
de onda completa so muito precisos, muito versteis e podem
tratar elementos isolados, conjuntos finitos e infinitos, elemen-
tos empilhados, elementos de formas arbitrrias e acoplamento.
Contudo, estes so os modelos mais complexos e, freqente-
mente, provem pouca percepo fsica. Neste captulo apre-
sentaremos somente os modelos de linha de transmisso e de
cavidade, embora resultados e curvas de projeto obtidos com o
mtodo de onda completa tambm sejam includos. Por serem
quetas sero consideradas neste captulo, a retangular e a circu-
lar. Caractersticas de radiao representativas de outras confi-
guraes sero ilustradas.
14.2 PLAQUETA RETANGULAR
A plaqueta retangular , sem dvida, a configurao mais lar-
gamente utilizada de antena de microfita. Sua anlise com os
modelos de linha de transmisso e de cavidade, que so os mais
precisos para substratos delgados, simples [78]. Comearemos
apresentando o modelo de linha de transmisso, por ser de ilus-
trao mais fcil.
14.2.1 Modelo de Linha de
Transmisso
Anteriormente foi comentado que o modelo de linha de trans-
misso o mas fcil de todos, mas leva aos resultados menos
precisos e sofre de falta de versatilidade. No entanto, esse mo-
delo possibilita alguma percepo fsica. Como ser demons-
trado na Seo 14.2.2 como modelo de cavidade, uma antena
de microfita retangular pode ser representada como um conjun-
to de duas estreitas aberturas (fendas) radiantes, cada uma de
largura We altura h, separadas por uma distncia L. Basicamente,
o modelo de linha de transmisso representa a antena de micro-
fita por duas fendas, separadas por uma linha de transmisso de
baixa impedncia Z; e comprimento L.
A. Efeitos de Borda
Como as dimenses da plaqueta so finitas em largura e com-
primento, os campos nas bordas da plaqueta sofrem franjamen-
to. Isso ilustrado, ao longo do comprimento da plaqueta, na
Figura 14.1(a,b) para duas fendas radiantes da antena de micro-
fita. O mesmo se passa ao longo da largura da plaqueta. A quan-
tidade de franjamento uma funo das dimenses da plaqueta
e da espessura do substrato. Para o plano E principal (plano x-y)
o franjamento uma funo da razo entre o comprimento L da
plaqueta e a espessura h do substrato (L/h) e da constante die-
ltrica e; do substrato. Como para antenas de microfita L/h
1, o franjamento reduzido, mas deve ser levado em conside-
rao, pois afeta a freqncia de ressonncia da antena. O mes-
mo se aplica largura da plaqueta.
A Figura 14.5(b) mostra tpicas linhas de campo eltrico as-
sociadas linha de microfita mostrada na Figura l4.5(a). A linha
de microfita uma estrutura no-homognea que consiste em
dois dieltricos, tipicamente o substrato e o ar. Como se pode
150 Captulo Quatorze

(a) Linha de microfita (b) Linhas de campo eltrico

Cref
,1_
TI-W4 T
h
!
(c) Constante dieltrica efetiva

Figura 14.5 Linha de microfita, suas linhas de campo eltrico e a geometria para a constante dieltrica efetiva.

ver, a maior parte das linhas de campo eltrico reside no subs-
trato e parte de algumas linhas existe no ar. Como W/h I e
B,. 1, as linhas de campo eltrico se concentram principal-
mente no substrato. Nesse caso, o franjamento dos campos pe-
las bordas faz com que a linha de microfita parea eletricamen-
te maior que suas dimenses fsicas. Como algumas das ondas
viajam no substrato e outras no ar, uma constante dieltrica
efetiva Bref introduzida para levar em conta o franjamento e a
velocidade de propagao na linha de microfita.
Para definir a constante dieltrica efetiva, assumamos que o
condut r central da linha de microfita, com suas dimenses ori-
ginais e altura acima do plano de terra, seja incrustado em um
nico dieltrico, como indicado na Figura 14.S(c). A constante
dieltrica efetiva definida como a constante dieltrica de um
material dieltrico uniforme tal que a linha de transmisso da
Figura 14.5(c) tenha caractersticas eltricas idnticas, parti-
cularmente a constante de propagao, s da linha verdadeira
da Figura 14.5(a). Para uma linha de microfita com ar acima
do substrato, a constante dieltrica efetiva tem valores no inter-
vaIo 1 < Bref < e.. Para a maioria das aplicaes, em que a cons-
tante dieltrica do substrato muito maior que a unidade Br
1), o valor de Bref ser mais prximo do valor da verdadeira
constante dieltrica e, do substrato. A constante dieltrica efe-
tiva tambm uma funo da freqncia. medida que a fre-
qncia de operao aumenta, a maioria das linhas de campo
eltrico se concentra no substrato. Portanto, a linha de microfi-
ta se comporta mais como uma linha homognea de apenas um
di eltrico (somente o substrato), e a constante dieltrica efetiva
se aproxima do valor da constante dieltrica do substrato. A
Figura 14.6 mostra curvas representando variaes tpicas da
constante dieltrica efetiva de linhas em funo da freqncia.
considerando trs diferentes substratos.
Para freqncias baixas, a constante dieltrica efetiva es-
sencialmente constante. Em freqncias intermedirias seu va-
lor cresce de maneira monotnica e, eventualmente, alcana o
valor da constante dieltrica do substrato. Os valores iniciai
(em freqncias baixas) da constante dieltrica efetiva so dito
valores estticos e dados por [79]

12 -- "r= 10.2 W = 0,125 polegada = 0,3175 em

__ o "r=6,80 h = 0,050 polegada = 0,1270 em
- - - - "r = 2,33 "I' = 10,2

8
1-----
6
... - -----------------

......
.... ----
4

"r = 2.33
2 -------------
------------------------------
O~---------L----------~--------~----------~
9 10 11 12 13
Log freqncia

Figura 14.6 Constante dieltrica efetiva de linhas de microfita em funo da freqncia para substratos tpicos.
 Antenas de Micrafita 151

Wjh> I f-~L -I- L ,I- ~L-l

er
e f=--+--
re 2
+l er-l[2
1+12-
h]-1/2
W
(14-1 )
1---
I
I
I
---li
B. Comprimento Efetivo, Freqncia de Ressonncia e Largura
! IW

Efetiva I

___11
I
Devido ao efeitos de borda, a plaqueta da antena de microfita I
1 ___
parece eletricamente maior que suas dimenses fsicas. Para o
plano E principal (planox-y) isso demonstrado na Figura 14.7,
(a) Vista superior
onde as dimenses da plaqueta ao longo de seu comprimento
so estendidas em cada extremidade por uma distncia tlL, que
uma funo da constante dieltrica efetiva Sref e da razo entre
largura e espessura (W/h). Uma relao muito prtica e popular
para a extenso normalizada do comprimento [80]
11
6.L (eref+0,3) (~+0,264)
(b) Vista lateral
-h =0,412 () W (14-2)
(eref - 0,258) h+ 0.8 Figura 14.7 Comprimentos fsico e efetivo de uma plaqueta retan-
gular de microfita.

Como o comprimento da plaqueta foi estendido de tlL em cada

lado, o comprimento efetivo da plaqueta ento (L = /2 para
o modo dominante TMoJO sem franjamento) Especificar:
l- = L + 26.L (14-3) e.], (em Hz) e h
Para o modo dominante TMo10, a freqncia de ressonncia Determinar:
da antena de microfita uma funo de seu comprimento.
Usualmente dada por
Rotina de projeto:
(14-4)
1. Para um radiador eficiente, um valor prtico de largura da
plaqueta que leva a boas eficincias de radiao [15]
onde Vo a velocidade da luz no espao livre. Como (14-4) no
leva o franjamento em conta, esta relao deve ser modificada
para incluir efeitos de borda e deve ser calculada como
W =
1
2fr-J/-LOeO
r--r
V Z+I = 2fr
Vo f2
V Z+I
( 14-6)
1 I
(f1"(')01O = = --------
2Lef,JS;f -J/-Loeo 2(L + 26.L),JS;f-J/-Loeo onde Vo a velocidade da luz no espao livre.
2. Determinar a constante dieltrica efetiva da antena de
I Vo microfita usando (14-1).
=q =q--
2L.,je;.-J /-Loeo 2L.,je;. 3. Uma vez que W tenha sido calculado usando (14-6), de-
terminar a extenso de comprimento tlL usando (14-2).
(14-5) 4. O verdadeiro comprimento da plaqueta pode, agora, ser
determinado resolvendo (14-5) para L, ou
onde
1
(fI"(' )010 L= -26.L (14-7)
q= (14-5a) 2fr,JS;f -J/-Loeo
(fr)OIO
O fator q conhecido como fator de franjamento (fator de re-
duo de comprimento). medida que a espessura do substra- ~ " ~
to aumenta, o franjamento tambm aumenta e leva a uma maior
Exemplo 14.1
separao entre as fendas radiantes e entre as freqncias de
ressonncias mais baixas. Projete uma antena de microfita de plaqueta retangular usando
um substrato (RT/duroid 5880) com constante dieltrica de 2,2,
C. Projeto h = 0,1588 cm (0,0625 polegada), de modo a ser ressonante em
Com base na formulao simplificada que apresentamos, uma 100Hz.
rotina indicada a seguir para o projeto de antenas de microfi- Soluo: Usando (14-6), a largura W da plaqueta
ta de plaqueta retangular. O procedimento
pecificaes incluem a constante dieltrica
freqncia de ressonncia (fr) e a espessura
presume que as es-
do substrato (s.), a
do substrato (h). O
W = --30
2(10)
{;1;
---
2,2 +I
= 1,186 em (0,467 in)

procedimento o seguinte:
152 Captulo Quatorze

I' L -I
A constante dieltrica efetiva da plaqueta determinada usando
(14-1),ou

_ 2,2+1
eref - -2-
2,2-1
+ -2-
( 0,1588)-1/2
1+ 12T,J86
_ 92
-1, 7
I
w

o comprimento
do (14-2),
incremental de extenso /!;.L da plaqueta , usan-
1
(1,972 + 0.3) ( oj-s-ss
1 186
+ 0,264
) (a) Plaqueta retangular

D.L = 0,1588(0,412) ( I 186 )

(1,972 - 0,258) 0:1588 + 0,8

= 0.081 em (0,032 in)

o comprimento verdadeiro L da plaqueta determinado de (14-3),

ou

30
L = - - 2D.L = .JT":972 - 2(0,081)
2 2(10) 1,972
(b) Equivalente no modelo
= 0,906 em (0.357 in) de linha de transmisso
Finalmente, o comprimento efetivo
Figura 14.9 Plaqueta retangular de microfita e seu circuito equi-
. lente no modelo de linha de transmisso.
L, = L + 2D.L = '2 = 1,068 em (0,421 in)

Uma plaqueta retangular experimental foi construda com base

nesse projeto e testada. A plaqueta foi alimentada, a partir da face W h 1
inferior, por uma sonda coaxial, e mostrada na Figura 14.8(a). B[ = --[1 - 0,6361n(koh)] <- (14-
Seus diagramas de planos E e H principais so mostrados na 120o o 10
Figura 14.19(a,b).
Como a fenda #2 idntica fenda #1, sua admitncia equiv
: :
lente

D. Condutncia A condutncia de uma fenda isolada pode ser obtida usan

Cada fenda radiante representada por uma admitncia parale- a expresso de campo deduzida pelo modelo de cavidade. E
la equivalente Y (com condutncia G e susceptncia B). Isto geral, a condutncia definida por
mostrado na Figura 14.9. As fendas so identificadas como #1
e #2. A admitncia equivalente da fenda #1, com base em uma 2Prad
(14-1
fenda infinitamente larga e uniforme, obtida no Exemplo 12.8 GI = IVol2
e dada por [81]
Usando o campo eltrico de (14-41), a potncia radiada escri
YI = G + JBI
I (14-8) como

onde, para uma fenda de largura finita W,

_ 1V0,21" [sen (k02W cose)]2
GI = --W
120o
[ 1 - -(koh)-
1
24
?] o
h
<-
I
10
(14-8a)
Prad -
2:rr1']0 o cose
sen3 e de (14-1

Portanto, a condutncia de (14-10) pode ser expressa como

11
GI = 120:rr2 (14-L
onde

(a) retangular (b) circular sen(X)

= -2 +cos(X) +XS;(X) +-- (14-P
Figura 14.8 Modelos experimentais de plaquetas retangular e circu- X
lar baseadas, respectivamente, nos projetos dos Exemplos 14.1 e 14.4. X =koW (14-12
 Antenas de Microfita 153

10-)

10-2
~
.s 10-3
ee
' 10-4
c:
,~
:>
"O

U
s 10-5

10-6

10-7

10-8
10-3
Largura da fenda W/o

Figura 14.10 Condutncia de uma fenda em funo de sua largura.

Valores assintticos de (14-12) e (14-12a) so I 1

Zin =- = Rin = -- (14-16)
Yin 2GI
A resistncia de entrada de ressonncia, como dada por (14-
1 (W)2 Wo
90 o 16), no leva em conta efeitos mtuos entre as fendas. Estes
(14-13) podem ser includos modificando (14-16) para [8]
1
I~O (:) W o R ------ (14-17)
/1l - 2(GI G12)
Os valores de (14-13) para W -oso idnticos queles dados onde o sinal mais (+) usado para modos com distribuio
por (14-8a) para h -o.A Figura 14.10 mostra uma curva mpar (anti-simtrica) de tenso de ressonncia sob a plaqueta
representando a variao de G em funo da W/-o. e entre as fendas, enquanto o sinal menos ( - ) usado para mo-
dos com distribuio par (simtrica) de tenso de ressonncia.
E. Resistncia de Entrada de Ressonncia A condutncia mtua definida, em termos dos campos distantes,
A admitncia total da fenda #1 (admitncia de entrada) obtida como
transferindo a admitncia da fenda #2 dos terminais de sada
aos terminais de entrada, usando a equao de transformao
de adrnitncias de linhas de transmisso [16], [70], [79].
GI2 = ~Re
1V01-
Ir
JJs
EI x H; . ds (14-18)

Idealmente, as duas fendas devem ser separadas por V2, onde

- o comprimento de onda no dieltrico (substrato). No entan- onde E[ o campo eltrico radiado pela fenda #1, H2 o cam-
to, devido aos efeitos de borda o comprimento da plaqueta po magntico radiado pela fenda #2, Vo a tenso atravs da
eletricamente maior que o verdadeiro comprimento. Portanto, fenda e a integral efetuada ao longo da superfcie de uma es-
a verdadeira separao entre as duas fendas ligeiramente me- fera de raio grande. Pode ser mostrado que G12 pode ser calcu-
nor que -/2.Se a reduo do comprimento for adequadamente lada usando [8], [34]
escolhida usando (14-2) (tipicamente, 0,48- < L < 0,49-), a
admitncia transformada da fenda #2 se toma 1 zr sen ( koW
-- cose )l2
(14-14) GI2 = --2 r
10
2 10(koLsene)sen3 e de

ou
120n
r cose

(14-18a)
Ch=G, (l4-14a)
onde 10 a funo de Bessel de primeira espcie e ordem zero.
B2 = -BI (14-14b)
Para tpicas antenas de microfita, a condutncia mtua obtida
Assim, a admitncia de entrada total de ressonncia real e dada usando (14-18a) pequena em comparao com a condutncia
por G) de (14-8a) ou (14-12).
Como mostrado por (l4-8a) e (14-17), a resistncia de en-
(14-15) trada no depende fortemente da espessura h do substrato. Na
verdade, para valores muito pequenos de h, tais que koh 1,
Como a admitncia de entrada total real, a impedncia de en- a resistncia de enttada no depende de h. Uma anlise de ex-
trada de ressonncia tambm real, ou panso modal tambm revela que a resistncia de entrada no
154 Captulo Quatorze

fortemente influenciada pela espessura h do substrato. apa- I- L -I

rente de (14-8a) e (14-17) que a resistncia de entrada de res-
sonncia pode ser diminuda com o aumento da largura W da
plaqueta. Isso aceitvel, desde que a razo W/L no exceda 2,
pois a eficincia de abertura de uma fenda isolada comea a cair
quando W/L aumenta alm de 2.
A resistncia de entrada de ressonncia, como calculada por
~
t
~ )'0--1

(14-17), referenciada fenda #1. Entretanto, observou-se que

a resistncia de entrada de ressonncia pode ser alterada usando
uma alimentao indentada, penetrando uma distncia Yo alm
da fenda #1, como indicado na Figura 14.ll(a). Esta tcnica
pode ser empregada eficientemente para casar a antena de pla-
Wo

(a) Linha de alimentao indentada de microfita

1
queta usando uma linha de microfita de alimentao cuja impe-
dncia caracterstica dada por [79]

60
--ln
[8h-+-Wo] Wo
.JS;f Wo 4h' -<1
h - (14-19a)
120n 8 0,75

:0
11

+ 1,393 + 0,667In j' Wo

O
~::

.JS;f
[ X
( Wo
h+ 1,444
) h > 1 (l4-19b) '];

O
11

o>:.~
0,50

0,25
onde Wo a largura da linha de microfita, como mostrado na
Figura 14.11. Usando anlise de expanso modal, a resistncia
de entrada para a alimentao indentada dada aproximada-
mente por [8], [16]
0,
0,0
L:--l--::l-,---L~--L.,::i:-~L....l~..a..~--L.,::i:-~L,--l--,,-L,---L-,-l
0, I 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1.0
yo/L
Rin (y = YO) = 1 [cos2 (:: yo)
2(G1 G12) L (b) Resistncia de entrada normalizada

+ G~ +2 B? sen - (n- Yo ) -
?
-s, sen (2n)]
- yo
Figura J4. J J Linha de alimentao indentada de microfita e variao
da resistncia de entrada normalizada.
Yc L Yc L
(14-20)

onde Yc = lIZc- Como, para as microfitas mais tpicas, G/ a funo cos2( 7T)'ofL) varia muito rapidamente; portanto, a re-
Yc 1 e B/Yc 1, (14-20) se reduz a sistncia de entrada tambm varia rapidamente com a posio
do ponto de alimentao. Para manter valores precisos, uma
Ri; (y = YO) = 1 cos:? (n- Yo ) rgida tolerncia deve ser imposta.
2(G1 G12) L
2
= s; (y = O) cos (~Yo) (14-20a)
Exemplo 14.2
A Figura 14.11 (b) mostra uma curva representando o valor nor- Uma antena de microfita com dimenses totais L = 0,906 em
malizado de (14-20a). (0,357 polegada) e W = 1,186 em (0,467 polegada), substrato de
Os valores obtidos usando (14-20) concordam razoavelmen- espessura h = 0,1588 em (0,0625 polegada) e constante dieltri-
te bem com dados experimentais. No entanto, a alimentao ca e, = 2,2, opera em 10 GHz. Determine:
indentada introduz um corte fsico que, por sua vez, introduz a. A impedncia de entrada
uma capacitncia de juno. O corte fsico e sua corresponden- b, A posio do ponto de alimentao indentada onde a im-
te capacitncia de juno influenciam ligeiramente a freqncia pedncia de entrada 50 ohms.
de ressonncia, que pode, tipicamente, variar por cerca de 1%. Soluo:
aparente de (14-20a) e da Figura 14.11(b) que o valor mximo 30
ocorre na borda da fenda (yo = O), onde a tenso mxima e a o = - = 3 cm
10
corrente mnima; valores tpicos so da ordem de 150-300 ohms.
O valor mnimo (zero) ocorre no centro da plaqueta (yo = L/2), Usando (14-12) e (l4-12a),
onde a tenso nula e a corrente mxima. Como o ponto da GI = 0,00157 siemens
alimentao indentada se desloca da borda em direo ao centro
da plaqueta, a resistncia de entrada diminui monotonicamente que se compara com o valor G1 = 0,00328 obtido de (14-8a).
e chega a zero no centro. Quando a posio do ponto da alimen- Usando (14-18a),
tao indentada se aproxima do centro da plaqueta (yo = L/2),

G12 = 6.1683 x 1O-~
Usando (14-17) com o sinal (+) devido distribuio mpar de
campo entre as fendas radiantes para o modo dominante TMolO'
Rjn = 228,3508 ohrns.
Como a impedncia de entrada na borda radiante dianteira da
plaqueta 228.3508 ohrns e a impedncia desejada 50 ohm ,a
posio j, do pontode alimentaoindentada obtidade (14-20a).
Assim.
50 = 228.3508 cos2 (z )'0)
ou
)'0 = 0,3126 em (0.123 polegada)
14.2.2 Modelo de Cavidade
Antenas de microfita se assemelham a cavidades carregadas
com di eltrico, e exibem ressonncias de ordens superiores. Os
campos normalizados no interior do substrato dieltrico (entre
a plaqueta e o plano de terra) podem ser determinados com mais
preciso tratando a regio como uma cavidade limitada por con-
dutores (acima e abaixo) e por paredes magnticas (para simu-
lar um circuito aberto) ao longo do permetro da plaqueta. Este
um modelo aproximado que. em princpio, leva a uma impe-
dncia de entrada reativa (com valor de ressonncia nulo ou
infinito) e no radia qualquer potncia. o entanto, admitindo
que os campos verdadeiros sejam aproximados por aqueles ge-
rado por este modelo, os valores calculados de diagrama, ad-
mitncia de entrada e freqncias de ressonncia e comparam
bem com valores experimentais [12], [16], [18]. Esta uma
abordagem aceitvel, similar aos mtodos perturbacionais que
tm sido aplicados, com sucesso, anlise de guias de onda,
cavidades e radiadores [81].
Para esclarecer alguns aspectos do modelo de cavidade, ten-
taremo dar uma interpretao fsica formao dos campos no
interior da cavidade e radiao atravs de suas paredes laterais.
Quando a plaqueta de microfita energizada, uma distribuio
de carga estabelecida nas superfcies superior e inferior da
plaqueta, assim como na superfcie do plano de terra, como ilus-
trado na Figura 14.12. A distribuio de carga controlada por
doi mecanismo: um atrativo e outro repulsivo [34]. O meca-
nismo atrativo ocorre entre as cargas de sinais opostos exi ten-
tes na face inferior da plaqueta e no plano de terra, e tende a
manter a concentrao de cargas nesta face da plaqueta. O me-
canismo repulsivo ocorre entre cargas de mesmo sinal na face
inferior da plaqueta e tende a empurrar algumas cargas desta
face em direo s bordas e face superior da plaqueta. O mo-
vimento destas cargas cria densidades de corrente correspon-
dentes Jb e J, nas faces inferior e superior da plaqueta, respecti-
vamente, como ilustrado na Figura 14.12. Como na maioria das
microfitas prticas a razo entre espessura e largura muito pe-
quena, o mecanismo atrativo domina, e a maior parte da concen-
(fao de carga e fluxo de corrente permanece sob a plaqueta.
Uma pequena quantidade de corrente flui em torno das bordas
em direo fase superior da plaqueta. No entanto, este fluxo
de corrente diminui medida que a razo entre espessura e lar-
Antenas de Microfita 155
++++++++
Figura 14.12 Criao de uma distribuio de carga e densidade de
corrente em uma plaqueta de microfita.
gura diminui. No limite, o fluxo de corrente para a face superior
tende a zero, o que, ideal mente, no criaria qualquer componen-
te de campo magntico tangencial s bordas da plaqueta. Isso
permitiria que as quatro paredes laterais fossem modeladas como
superfcies condutoras magntica perfeita, que no perturba-
riam o campo magntico e, con eqentemente, a distribuio de
campo eltrico sob a plaqueta. Como na prtica a razo entre
espessura e largura tem valor finito, embora pequeno, os campos
magnticos tangenciais s bordas no seriam exatamente nulos.
Contudo, como esses campos so muito pequenos, uma boa
aproximao para o modelo da cavidade consiste em tratar a
paredes laterais como condutores magnticos perfeitos. Este
modelo produz boas distribuies de campos eltrico e magn-
tico normalizados (modos) sob a plaqueta.
Se a antena de microfita fosse tratada somente como uma
cavidade isso no seria suficiente para determinar as amplitudes
absolutas dos campos eltrico e magntico. a verdade, ao tra-
tar as paredes da cavidade, assim como o material em seu inte-
rior, como no tendo perdas, a cavidade no radiaria e sua im-
pedncia de entrada seria puramente reativa. Alm disso, a fun-
o representando a irnpedncia teria somente plos reais. Para
levar em conta a radiao, um mecanismo de perda deve ser
introduzido. Nas Figuras 2.27 e 2.28 isso foi feito para compu-
tar a resistncia de radiao R, e a resistncia de perda RL. Estas
duas resistncias permitem que a impedncia de entrada seja
complexa e que sua funo tenha plos complexos; os plos
imaginrio representam, por meio de R, e RL> a radiao e as
perdas dieltricas e de conduo. Para acrescentar perdas mi-
crofita usando o modelo de cavidade, o que, ento, representa-
ria uma antena, a perda considerada atravs da introduo de
uma tangente efetiva de perda <'ler. A tangente efetiva de perda
escolhida apropriadamente para representar o mecanismo de
perda da cavidade. que, agora. se comporta como uma antena e
tomada como o recproco do fator de qualidade da antena Q
(Oef = l/Q).
Como a espessura da microfita , em geral, muito pequena,
as ondas geradas no interior do substrato dieltrico (entre a pla-
queta e o plano de terra) sofrem considerveis reflexes quando
atingem as bordas da plaqueta. Portanto, omente uma pequena
frao da energia incidente radiada; assim, a antena consi-
derada muito ineficiente. Os campos sob a plaqueta formam
ondas estacionrias que podem ser representadas por funes
de onda co-senoidais. Como a espessura do substrato muito
pequena (11 x., onde X. o comprimento de onda no interior
do dieltrico), os campos ao longo da espessura sero conside-
rados constantes. Adicionalmente, devido muito pequena es-
pessura do substrato o franjamento dos campos nas bordas da
plaqueta tambm muito pequeno. sendo o campo eltrico qua-
se normal superfcie da plaqueta. Portanto, somente configu-
156 Captulo Quatorze

raes de campo de modo TMx sero consideradas no interior sujeitos s seguintes condies de contorno
da cavidade. Enquanto as faces superior e inferior da plaqueta
so condutoras eltricas perfeitas, as quatro paredes laterais se-
E,(x' = O, Os y' S L, Os z' s W)
ro modeladas como paredes condutoras magnticas perfeitas = Er(x' = h, Os y' S L, Os z' S W) = O
(campos magnticos tangenciais se anulam ao longo dessas qua- Hv(O S x,"S h, Os y' S L, z' = O)
tro paredes).
= Hr(O S x' S h, OS)" S L, z' = W) = O
A. Configuraes de Campo (modos) - TMx H:(O S x'" S h, y' = O, Os Z' S W)
As configuraes de campo no interior da cavidade podem ser
determinadas usando a abordagem de potencial vetorial descri- = H:(O S x' S h, y' = L, Os z' S W) = O
ta detalhadamente no Captulo 8 de [79]. Fazendo referncia (14-24)
Figura 14.13, o volume sob a plaqueta pode ser tratado como
As coordenadas indicadas com linha x', y', z' so usadas para
uma cavidade retangular carregada com material dieltrico, de
representar os campos no interior da cavidade.
constante dieltrica e.. O material dieltrico do substrato con-
Aplicando as condies de contorno EyCx' = O, O :S y' :S L,
siderado truncado, no se estendendo alm das bordas da pla-
O :S Z' :S W) = O e Eix' = h, O :S y' :S L, O :S Z' :S W) = O,
queta. O potencial vetorial Ax deve satisfazer seguinte equao
pode-se mostrar que BI = O e
de onda homognea
k, =
m71:
T' m = O, 1,2, ... (14-25)
(14-21 )
Da mesma forma, aplicando as condies de contorno HyCO :S
Em geral, a soluo desta equao escrita usando-se a tcnica x' :S h, O :S y' :S L, z' = O) = O e H.,(O :S x' :S h, O :S y' :S L,
de separao de variveis, como [79]
z' = W) = O, pode ser mostrado que, = O e
Ax = [AI cos(kxx) + B]sen(kxx)][A2COs(k,y) + B2sen(k Y)] y p71:
k: = W' p = O, 1,2.... (14-26)
. [A3 cos(k:z) + B3 sen(k:::)]
(14-22) Finalmente, aplicando as condies de contorno Hz(O :S x':s h,
y' = O, O :S z' :S W) = O e HzCO :S x' :S h, y'= L, O :S Z' :S
onde kx, k; e k: so os nmeros de onda ao longo das direes W) = O, pode-se mostrar que B2 = O e
x, y e z, respectivamente. Esses parmetros sero determinados
de modo a satisfazer as condies de contorno. Os campos el- k; = -,
n71: n = O, I, 2, .... (14-27)
trico e magntico no interior da cavidade so relacionados pelo " L
potencial vetorial Ax por [79] Assim, a forma final para o potencial vetorial Ax no interior
da cavidade
E; = - j--I
W/U;
(0OX
2
--2 + k2 ) Ax H, = O Ax = AmllP cos(kxx') cos(k,y') cos(kzz') (14-28)
onde AmllPrepresenta os coeficientes de amplitude de cada modo
. I 02 Ax I oAx
E, = -J---- H," = --- mnp. Os nmeros de onda k; ky k: so iguais a
ouu: OXO)' " f,L OZ

. I 02 Ax I oAx
k, = (~71:). m = O. 1,2, .
E-=-J--- H-=---
- Wf,LOXOZ - f,L oy
kr=(n;), n=0,1,2, m=n=p=j:.O
(14-23)
k: = ( ~) , p = O, I, 2, .

x (14-29)
onde m, n, p representam, respectivamente, o nmero de varia-
es da campo em meio perodo ao longo das direes x, y, Z.
Como os nmeros de onda kX' k" k. so sujeitos equao
de separao . -

kx
2 2
+ k, + k:
2
=
(m71:)2
T + (n71:)2
L + (P71:)2
W 2
= kr = Wr tu:
2

(14-30)
as freqncias de ressonncia da cavidade so dadas por

I )(m71:)2 (n71:)2 (P71:)2

(f,')mnp = 271:~ T + L + W
/+----w '\
(14-31
y
Substituindo (14-28) em (14-23), os campos eltrico e mag-
Figura 14.1l Geometria de uma plaqueta retangular de microfita. ntico no interior da cavidade so escritos como
 Antenas de Microfita 157

2 I Uo
E, = =I . (k - k;) , '(k
Amnp cos(kxx ) cos(kry ) cos 7~Z
')
(fr)OOI = 2W -JIU = 2W Fr (14-34)
W{LE

. kxkr , , ')
Ey = =I __ AIIlIlPsen(kxx )sen(kvy ) cos(kzz
o Se, entretanto, L > U2 > W > h, o modo de segunda ordem
WfJ-E
ser o modo TM~20' em vez do modo TMoo I' sendo sua freqn-
.~~
E~ = =I --AmIlPsen(kxx
,
) cos(k"y
I
)sen(k:z)
,
cia de ressonncia dada por
W{LE
I Uo
Hx =0 (f,. )020 = L-JIU = LFr (l4-35)
k, , , ,
H; = --Amllp cos(kxx) cos(k,y )sen(k:z)
. {L Se W> L > h, o modo dominante ser o modo TMooI e sua
freqncia de ressonncia dada por (14-34), enquanto se W>
k;
H~ = ~AIIIIlP cos(kxx '")sen(k"y ) cos(k:z ) W/2 > L > h, o modo de segunda ordem ser o modo TMOO2'
{L .
Com base em (14-32), as distribuies de campo eltrico tan-
(14-32) gencial ao longo das paredes laterais da cavidade para os modos
TM~IO' TMoo1' TM~20 e TMOO2 so mostradas na Figura 14.14.
Para determinar o modo dominante com a freqncia de res- Em toda a discusso precedente foi admitido que no h
sonncia mais baixa, precisamos examinar as freqncias de franjamento dos campos nas bordas da cavidade. Isso no to-
ressonncia. O modo com a freqncia de ressonncia mais talmente vlido, mas uma boa aproximao. No entanto, efei-
baixa referido como o modo dominante. A ordenao das fre- tos de borda e sua influncia foram discutidos anteriormente e
qncias de ressonncia em ordem crescente determina a ordem devem ser levados em considerao ao determinar as freqn-
dos modos de operao. Para antenas de microfita h L e cias de ressonncia. Isso foi feito em (14-5) para o modo domi-
h W. Se L > W> h, o modo com a freqncia de ressonn-
nante T~lO'
cia mais baixa (modo dominante) o modo TM~IO' cuja fre-
qncia de ressonncia dada por B. Densidades de Correntes Equivalentes
1 Uo Usando o modelo de cavidade foi mostrado que a antena de mi-
(fr)OJO = 2L.JiIS = 2LFr (14-33) crofita pode ser modelada razoavelmente bem por uma cavidade
carregada com dieltrico e formada por duas paredes condutoras
onde vo a velocidade da luz no espao livre. Se, adicionalmen- eltricas perfeitas (superior e inferior) e quatro paredes conduto-
te, L > W> U2 > h, o modo de ordem superior seguinte (o ras magnticas perfeitas (paredes laterais). Considerou-se que o
segundo) ser o modo TMOOi' e sua freqncia de ressonncia, material do substrato truncado e no se estende alm das bordas
dada por da plaqueta. As quatro paredes laterais representam quatro aber-

T
h
X
TM OIO
1

W~ I
(a) TMxolO (b) TM,!lO\

T T
h h

TM'020 I
1 X
TM OO2 1

~ ~
\ L

I' w~
(c) TMx020 (d) TMxOO2

Figura 14.14 Configuraes de campo eltrico (modos) para uma plaqueta retangular de microfita.
158 Captulo Quotorze
turas estreitas (fendas) atravs das quais se d a radiao. Usando
o Princpio de Equivalncia de Campo (Princpio de Huygens)
da Seo 12.2, a plaqueta de microfita representada por uma
densidade de corrente equivalente J, em sua superfcie superior
para levar em conta a presena da prpria plaqueta (h tambm
uma densidade de corrente J, na superfcie inferior da plaqueta
que no necessria neste modelo). As quatro fendas laterais so
representadas pela densidade de corrente eltrica equivalente J,
e pela densidade de corrente magntica equivalente M, como
indicado na Figura 14.1S(a), sendo cada uma definida por
Js = o x H, (14-36)
e tes ao longo do comprimento da plaqueta (cada uma com largura
M, = -o x E, (14-37)
onde E" e H, representam, respectivamente, os campos eltrico
e magntico nas fendas.
Como foi mostrado no caso de antenas de microfita com pe-
queno valor para a razo entre espessura e largura que a densida-
de de corrente J, na face superior da plaqueta muito menor que
a densidade de corrente J, na face inferior, ser presumido que J,
desprezvel e ser feita igual a zero. Foi tambm comentado que
os campos magnticos ao longo das bordas da plaqueta so mui-
to pequenos, idealmente, nulos. Portanto, a correspondente den-
sidade de corrente eltrica equivalente J, ser muito pequena (ide-
almente, nula), e ser fixada em zero. Assim, a nica densidade
de corrente no-nula a densidade de corrente magntica equi-
valente M, de (14-37) que existe ao longo da periferia lateral da
(a) J s- M s com plano de terra
(b) J, = 0, M, com plano de terra
Figura 14.15 Densidades de correntes equivalentes nos quatro lados de uma plaqueta retangular de microfita.
cavidade que radia em presena do plano de terra, como indicado
na Figura 14.1S(b). A presena do plano de terra pode ser levada
em considerao por meio da teoria da imagem, o que dobrar a
densidade de corrente magntica equivalente de (14-37). Dessa
forma, o equivalente final uma densidade de corrente magnti-
ca equivalente igual ao dobro de (14-37), ou
M, = -20 x E, (14-38)
e que existe ao longo da periferia lateral da plaqueta que radia
no espao livre, como indicado na Figura 14.1S(c).
Usando o modelo de linha de transmisso mostrou-se que a
antena de microfita pode ser representada por duas fendas radian-
We altura h). Da mesma forma, ser mostrado aqui que h um
total de quatro fendas representando a antena de microfita, sendo
que somente duas (as fendas radiantes) so responsveis pela
maior parte da radiao; os campos radiados pelas outras duas.
que so separadas pela largura W da plaqueta, se cancelam a
longo dos planos principais. Portanto, as mesmas duas fendas.
separadas pelo comprimento da plaqueta, so referidas aqui co
as fendas radiantes. As fendas so separadas por uma linha de
transmisso de placas paralelas de muito baixa impedncia e com-
primento L que age como um transformador. O comprimento
linha de transmisso deve ser aproximadamente t.J2, onde .
comprimento de onda no substrato, para que os campos nas aber-
turas das duas fendas tenham polarizaes opostas. Isso ilu tra-
do nas Figuras 14.I(a) e l4.14(a). As duas fendas formam u
conjunto de dois elementos espaados de 'JJ2. Veremos que e
uma direo perpendicular ao plano de terra as componente d
(c) Ms sem plano de terra
 Antenas de Micrafita 159

campo se somam em fase e produzem um mximo de radiao x

normal plaqueta; assim. esta uma antena broadside.
Admitindo que o modo dominante no interior da cavidade
seja o modo TMolO' as componentes dos campos eltrico e mag-
ntico e reduzem de (14-32) a

e, = Eo cos (~/)

H~ = Ho sen(~y') (14-39)

E; = E~ = H, = H; = O
onde Eo = - jwAoJO e Ho = (7T/ j.1L)AoJO' A estrutura de campo
eltrico no interior do substrato e entre os elementos radiantes Figura 14.16 Fendas radiantes de uma plaqueta retangular de mi-
e o plano de terra ilustrada nas Figuras 14.I(a,b) e 14.14(a). crofita e densidades de correntes magnticas equivalentes.
O campo sofre uma inverso de fase ao longo do comprimento,
mas uniforme ao longo da largura. A inverso de fase ao lon-
go do comprimento necessria para que a antena tenha carac- radiao das outras duas paredes laterais. Portanto, essas duas
tersticas broadside de radiao. fendas so referidas como fendas no-radiantes.
Usando o princpio de equivalncia da Seo 12.12, cada
fenda radia os mesmos campos que um dipolo magntico com C. Campos Radiados - Modo TM~/O
densidade de corrente M, igual a (14-38). Fazendo referncia Para determinar os campos radiados por cada fenda, seguiremo
Figuras 14.16, as densidades de correntes magnticas equi- um procedimento similar ao u ado na anlise da abertura da
alente ao longo das duas fendas. cada uma de largura We Seo 12.5.1. O campo total a orna dos campos de um con-
altura h, tm ambas a mesma magnitude e a mesma fase. Portanto, junto de dois elementos, onde cada elemento representa uma
e tas duas fenda formam um conjunto de duas fontes (den i- das fendas. Como as fendas so idnticas, isto feito usando
dades de corrente) de mesmas amplitude e fase, e separadas por um fator de conjunto para as dua fendas.
uma distncia L. As radiaes des as duas fontes se somaro
em uma direo normal plaqueta e ao plano de terra, forman- Fendas Radiantes Seguindo um procedimento similar ao u a-
do um diagrama broadside. I to ilustrado nas Figuras 14.17(a), do para analisar a abertura da Seo 12.5.1, os campos distantes
que representam o diagrama normalizado de cada fenda no pla- radiados por cada fenda, usando as densidades de correntes equi-
no E principal e o diagrama total das duas fendas. o plano H, valentes de (14-38), so escritos como
o diagrama normalizado de cada fenda e o diagrama total das
duas fendas so idnticos, como indicado na Figura 14.17(b). 'Er::::::: EIi::::::: O (l4-40a)
As densidades de correntes equivalentes para as outras duas
fendas, cada uma de comprimento L e altura 11, so mostradas k h W E e- jkor { . sen(X) sen(Z) }
E = +J' o o enfJ---- (l4-40b)
na Figura 14.18. Como as densidades de correntes em cada pa- - ~r X Z
rede tm a mesma magnitude e direes opostas, os campos
radiados por estas duas fendas se cancelaro no plano H prin- onde
ipa!. Da mesma forma, como as fendas correspondentes em koh
X = - senfJ cos 4> ( 14-40c)
parede opostas esto defasadas de 1800, as respectivas radia- 2
es se cancelaro mutuamente no plano E principal. Isto ser
~o trado analiticamente. A radiao dessas duas paredes late- koW
Z = -- cosfJ (14-40d)
rai em planos no-principai pequena em comparao com a 2

x
x

#1. #2. TOlal

(a) Plano E (b) Plano H

Figura 14.17 Tpicos diagramas de planos E e H de cada fenda da plaqueta de microfita e sua superposio.
160 Captulo Quatorze

Para a antena de microfita, o plano x-y (() = 90, 0 ~ ==

90 e 270 ~ 4>~ 360) o plano E principal. Para esse p
as expresses para os campos radiados de (14-43)-(14-4"'
reduzem a

,
E,p = +)
. _koW~Voe-_jkor
tt r
1 sen (~cos
koh
4>) I cos
(koLe
-2-
2 cos4>
f-ol ,--- W------+j, I

(1--

Figura 14.18 Densidades de correntes nas fendas no-radiantes de

uma plaqueta retangular de microfita. o plano H principal da antena de microfita o plan
(</> = 0, 0 ~ () ~ 180) e, neste plano, as expresses p
campos radiados de (14-43)-(14-43b) se reduzem a

I
ko WVoe-jkor
Para alturas muito pequenas (koft 1), (14-40b) se reduz a E' ~ +j .....:....--'----
,p tt r

(ko 2W cose)
I e) e) )
Voe-j tk or sen ) sen ( ~ sen sen ( ~ cos (1-
E,p ~ +j--- sene--'----~ (14-41)
nr cose X sen e koh ko W
-sene -- cose
22
onde Vo = hEo.
Para ilustrar a representao de uma antena de microfi
De acordo com a teoria do Captulo 6, o fator de conjunto
modelo de cavidade, os diagramas de planos E e H prin
dos dois elementos, de mesmas magnitude e fase, separados por
foram calculados emfo = 10 GHz para a plaqueta retangu
uma distncia L, ao longo da direo y,
microfita do Exemplo 14.1 e da Figura 14.8(a), com e, =
h = 0,1588 em, L = 0,906 em e L, = 1,068 cm. Os dia",
= 2cos (koL
e )
(AF)y -2-senesen4> (14-42) so mostrados na Figura 14.19(a), para o plano E, e na r,=
14.19(b), para o plano H, onde so comparados com dad
onde L, o comprimento efetivo de (14-3). Assim, o campo perimentais. Uma boa concordncia observada. No en
eltrico total para as duas fendas (e, tambm, para a antena de h algumas diferenas no plano E, principalmente nas pro.
microfita) dades da rasante e na regio abaixo do plano de terra. O
de terra tinha dimenses de 10 em X 10 cm. As diferen
, .kohWEoe-jkor { esen(x)sen(z)} proximidades da rasante no plano E so devidas principa
E,p = +) nr sen -X--Z-
ao fato de a teoria assumir que o material dieltrico do u
to truncado e no cobre o plano de terra alm das bor
(14-43)
x cos (koL e sen 4>
e ) plaqueta; as diferenas na regio posterior ocorrem por
-2- sen
teoria considera um plano de terra infinito. A forma do di,":
mas de plano H no afetada significativamente pela cobe
onde dieltrica ou pelas bordas. Efeitos de borda podem ser le
koh em considerao com o emprego da teoria da difrao [4 ]. -
X = -sene cos4> (14-43a) A assimetria observada nos diagramas experimental e cal
2 com o Mtodo dos Momentos est associada ao fato de ~
koW
z = -2- cose (14-43b) mentao no ser simetricamente posicionada ao longo d
no E. A anlise do Mtodo dos Momentos leva em conta ~

I
Para pequenos valores de h (koh 1), (14-43) se reduz a sio da alimentao, enquanto o modelo de cavidade n
diagrama para 0 ~ 4> -s 180 [metade esquerda da F=
14.19(a)] corresponde a ngulos de observao no mesmo

E' ~ +)
.2 Voe- jkor sen (ko2W cos
sene---'-----'-
e) ) da plaqueta em que se encontra a sonda de alimentao.
A presena de um plano de terra coberto com dieltric
,p nr cose
(14-44) difica o coeficiente de reflexo, o qual influencia a magni
a fase da imagem. Isto semelhante aos efeitos do solo di
koLe dos na Seo 4.8. Para levar em conta o dieltrico, o coefi
X cos ( -2- sen e sen 4>) de reflexo para polarizao vertical de + 1 deve ser sub ti
pelo coeficiente de reflexo de (4-125), enquanto o coefi
onde Vo = hEo a tenso atravs da fenda. de reflexo para polarizao horizontal de -I deve ser sub .
 Antenas de Microfita 161

-- Medido
- _. Mtodo dos Momentos (cortesia de D. Pozar)
_. - Modelo da cavidade

(a) Plano E (e = 90)

90

e
180 r----+--+-~-+=~~::==F"=::.._+--+_-_1
0 -1-
e

60

-- Medido
- _. Mtodo dos Momentos (cortesia de D. Pozar)
_. - Modelo da cavidade

(b) Plano H (<I> = 0)

Figura 14.19 Diagramas de planos E e H previstos e medidos para uma plaqueta retangular de mierofita (L = 0,906 em, W = 1,186 em, h =
0,1588 em,yo = 0,3126 em,t:, = 2,2,10 = 10 GHz).
 162 Captulo Quatorze

do pelo coeficiente de reflexo de (4-128). Basicamente, a in-
troduo dos coeficientes de reflexo de (4-125) e (4-128) para
considerar a cobertura dieltrica do plano de terra corresponde
a modificar as condies de contorno de um condutor perfeito
para as de uma superfcie de impedncia. O resultado de (4-125)
modificar a forma do diagrama no plano E da antena de mi-
crofita, principalmente para ngulos de observao prximo da
rasante (prximos do plano de terra), como feito na Figura 4.31
para a terra com perdas. Alteraes semelhantes so esperadas
para a antena de microfita. A alteraes do diagrama nas pro-
ximidades da rasante devem-se ao fato que, para um condutor
perfeito, o coeficiente de reflexo para polarizao vertical + I
para todos os ngulos de observao. No entanto, no caso do
plano de terra coberto com dieltrico (superfcie de impedncia)
o coeficiente de reflexo de (4-125) aproximadamente + I para
ngulos de observao distantes da rasante, mas passa a variar
rapidamente nas proximidades da rasante e se toma - I na ra-
sante [79], formando. assim, um nulo ideal na rasante.
De modo emelhante, o coeficiente de reflexo de (4-128)
deveria controlar o diagrama principalmente no plano H.
Contudo, como o coeficiente de reflexo para polarizao ho-
rizontal em um condutor perfeito -I para todos os ngulos
de observao, enquanto o de (4-128) para o plano de terra co-
berto com dieltrico aproximadamente -I para todos os n-
gulos de observao, o formato do diagrama de plano H pra-
ticamente inalterado pela presena da cobertura dieltrica [79].
Isto ilustrado na Figura 4.32, para a terra. O diagrama tambm
exibe um nulo ao longo do plano de terra. Alteraes similares
o esperada para a antena de microfita.
Fendas No-Radiantes Os campos radiados pelas chamadas
fendas no-radiantes, cada uma com comprimento efetivo L, e
altura h, so determinados seguindo o mesmo procedimento
usado para as duas fendas radiantes. Usando os campos de
(14-39), a densidade de corrente magntica equivalente de uma
das fendas no-radiantes voltada para o eixo +:::
Como as duas fendas no-radiantes formam um conjunto d
dois elementos de mesma magnitude, mas em oposio de fase
separados ao longo do eixo z por uma distncia W, o fator de
conjunto
(AF)~ = 2j sen (kOW
-2- cose ) (14-49
Portanto, o campo eltrico distante dado pelo produto de
(14-48a) e de (14-48b) pelo fator de conjunto de (14-49).
o plano H (</>= 0, 0 ~ e~
180). (14-48a) e (14-4 b
so nulos, pois os campos radiados por cada quarto de ciclo d
cada fenda so cancelados pelos campos radiados pelo outr
quarto de ciclo. De modo similar, no plano E (8 = 90, 0 ~
<P ~ 90, 270 ~ </>~ 360) os campos totais so nulos, pois
(14-49) se anula. Isto implica que os campos radiado por urna
fenda o cancelados pelos campos radiados pela outra. A no-
radiao destas duas fendas nos planos principais foi discutida
anteriormente e demonstrada pelas densidades de corrente n
Figura 14.18. o entanto, estas duas fendas radiam fora d
plano principais. mas sua intensidade de campo neste outr
planos pequena em comparao com a radiao provenienr
das duas fendas radiantes, de forma que usual desprez-Ia. P
isso, estas fendas so referidas como no-radiantes.
14.2.3 Direlividade
Como para qualquer outro tipo de antena, a diretividade uma
das mais importantes figuras de mrito, e sua definio da
por (2-16a), ou
Urnx 4lrUrnx (14--
Do=-- =---
Uo Prad
Fenda nica (koh 1) Usando o campo eltrico de (14-41 _
a mxima intensidade de radiao e a potncia radiada pode
ser e cri tas, respectivamente, como

M, = -2 x Eu = .,2Eocos (:/') ( 14-47)

e ilustrada na Figura 14.18. Uma corrente semelhante est

voltada para o eixo -:::. Seguindo o mesmo procedimento ado-
tado para as fendas radiantes, as componentes do campo eltri-
co distante normalizado radiado por cada uma das fendas so (14- s:
dadas por

_ kohLeEoe-jkor { senX cos Y }ej(X+YJ

EII-- 2lrr Ycos</> X (Y)2-(lr/2)2 Portanto, a diretividade de uma nica fenda pode ser expre
como
( 14-48a)

kohLeEoe-jkor { senX co Y } jtX+Yl

Do = (2lr W)2 ~
o I,
E", = 2lT r Y cos 8 sen<l> X (Y)2 _ (lT /2)2 e
onde
(14-48b)
(kOW cose ) J2
onde
koh
I, = r
io
1T [en --
2
cose
serr' e de
X = -sene cos</> (14-48c)
2
koLe
Y = --senesen</> (14-48d) = [ -2 + cos(X) + XS;(X) + sen(x)]
-X- (14--
2
 Antenas de Microfita 163

X =koW (14-53b) 2
D2 = DoDAF = Do--- (14-56)
Assintoticamente, o valor de (14-53) varia como 1+ g12
2 sv: I
DAF = --- ~ 2 (14-56a)
Do = { :,(~)me",;O"ID) = 5,2 dE
W o

(14-54)
1 + gl2
onde
W o

Do = diretividade de uma nica fenda [como dada por

A diretividade de uma nica fenda pode ser calculada usando (14-53) e (14-53a)]
(14-53) e (14-53a). Adicionalmente, a diretividade tambm pode DAF = diretividade do fator de conjunto AF
er calculada usando (14-41) e o programa de computador
Directivity do Captulo 2. Como ambos so baseados nas mes-
mas frmulas, devem dar o mesmo resultado. A Figura 14.20
[ AF = cos Co~e sen sen )]

mostra curva representando a diretividade de uma nica fenda
em funo da largura da fenda, considerando h = 0,01 o e
0,05o. Fica evidente que a diretividade de uma nica fenda no
fortemente influenciada pela espessura do substrato, desde
que esta seja mantida eletricamente pequena.
Duas Fendas (koh 1) Para duas fendas, usando (14-44) a
diretividade pode ser escrita como
(14-55)
gl2 = condutncia mtua normalizada = G,iG,
Isso tambm pode ser justificado usando a teoria de conjuntos
do Captulo 6. A condutncia mtua normalizada gl2 pode ser
obtida usando (14-12), (14-12a) e (l4-18a). Valores calculados
com base em (14-18a) mostram que geralmente gl2 I; assim,
(14-56a) em geral uma boa aproximao de (14-56):
Assintoticamente, a diretividade das duas fendas (antena de
microfita) pode ser expressa como
W o

(14-57)
onde Grad a condutncia de radiao e W o

]ry = n n
koW
sen ( -2- cose
)]2 A diretividade da antena de microfita pode, agora, ser calculada
usando (14-55) e (14-55a). Alternativamente, a diretividade pode
- 11 [ cose ( 14-55a)
tambm ser calculada usando (14-44) e o programa de compu-
tador Directivity do Captulo 2. Como so ambos baseados nas
mesmas frmulas, devem dar o mesmo resultado. A Figura 14.20
mostra curvas representando a diretividade de uma antena de
1 cos'? (koL
x serr e
-2-senesen</J ) ded</J microfita, modelada por duas fendas, em funo da largura da
plaqueta (Wi.o), considerando h = O,Olo e 0,05o. Fica evi-
A diretividade total broadside D2 para as duas fendas radian- dente que a diretividade de uma nica fenda no fortemente
tes, separadas pelo campo do modo dominante TMlO (distri- influenciada pela espessurado substrato, desde que esta seja
buio assimtrica de tenso), tambm pode ser escrita como mantida eletricamente pequena. A Figura 14.21 mostra uma
[8], [82] curva tpica representando a diretividade de uma plaqueta, para

9.00 ,----------------------------------------,

8.00

"
-o
ee
-o
.:;
e
i:5
6.00
_______-1'------- -1'-----
5,00 -1' --+- h = 0.0 I Ao (I fenda)

---*---
h = 0,05Ao (I fenda)
h = O,OIAo (2
_. -Oc- - fendas)
-. x _ ... h = 0.05Ao (2 fendas)
4,00 L-__L-__~ __~ __~ ___L___L___L__~ __~ __~
0,25 0.35 0.45 0.55 0,65 0,75

Largura W da plaqueta (o)

Figura 14.20 Diretividade calculada para uma e duas fendas em funo da largura da fenda.
164 Captulo Quatorze

2 2
DAF = -- = = 1,4367 = 1,5736 dB
I + gl2 1+0,3921
s.oo
Usando (14-53) e (14-53a),
li = 1,863
ai'
2. 6.00
~ L-__--------
'"
'O
Do = (27l'W)2
-- -I = 3,312 = 5,201 dB
:~ o li

i:S a.oo De acordo com (14-56),
D2 = DoDAF = 3,312(1,4367) = 4,7584 = 6,7746 dB
z.oo Usando (14-55a),
h = 3,59801
o,ao '---'-_'---'----"'----'----'_--'----'_--'---'
o.oo 0,01 0.02 0.03 0.04 0.05 Finalmente, usando (14-55),
Espessura do substrato h I >- o

Figura 14.21 Variaesda diretividade de uma antena de plaqueta

D2 = C::) 2 ~ = 5,3873 = 7,314'dB
quadrada de microfita em funo da espessura do substrato. (Cortesia ....................................................................................................................... -

de D. M. Pozar.)

Um programa para MATLAB e em FORTRAN, designad

Microstrip, foi desenvolvido para projetar e calcular a cara-
uma freqncia de re sonncia fixa, em funo da espessura do tersticas de radiao das antenas de plaquetas de microfita re-
substrato (h/'Ao), para dois dieltricos diferentes. tangulares e quadradas. Uma descrio do programa pode er
A diretividade das fendas tambm pode ser aproximada pe- encontrada no correspondente arquivo LEIA-ME includo no
las frmulas de Kraus, (2-26), e de Tai & Pereira, (2-30a), em CD que acompanha este livro.
termos das larguras de feixe nos planos E e H, que podem ser
aproximadas por [36]
14.3 PLAQUETA CIRCU LAR
(14-58) Alm da plaqueta retangular, a outra configurao mais popular
de antena de microfita a plaqueta circular ou disco, mostra
na Figura 14.22, Esta configurao tem recebido bastante aten .
no somente como elemento isolado [6], [10], [13], [46], [47].
[51], mas tambm em conjuntos [65] e [74]. Os modos suportado
(14-59) pela antena de plaqueta circular podem ser determinados tratan-
, .. . elo a \)\aC\,ue\a, o j)\ano ele terra e o material entre e\e~ como um:
(J 'l'.\C\.~ Q..~(,\\.~\.\'l\Q..'.Q..e
C\tJ\.\Q..C\'i, .\.\1\-S~)e\.\ 1\-~~j, c,.'l\c\.c\eC\,c,u\'O!.'D.me'i,m.\OIT\\.C\,uecom a j)\aC\,uet.\etan~\1-
u'i,'.nQ..C\
\un\.C\c,C\\\\\.l-ltJj au \.1-":l\J.),na 'i,e,a mu\\a J,ec,\~a'i" j)a\'i, a'i, \'O!, os mac\o'i>\l'(\nc\\la\men\e 'i>\1\lo\\aelo'i>
\lo\ uma antena c\e U\l-
larguras de feixe, especiairneme no -p\ana E, 'i>~amu\\a <&\'O!\Q..\!:. cron\a \Ic\1\'O! c\1)a e ~e~ m.c\a ~\)'i>\.!.to~ ~uena \h <-<-
Entretanto, podem ervir como uma referncia. so modo TM:, onde z considerado perpendicular plaqueta.

r..~~~~~~ ..~~:; .."""""""",

Para a antena de microfita retangular dos Exemplos 14.1 e 14.2,
com dimen es totais L = 0,906 cm e W = 1,186em, substrato
de espessura h = 0,1588 cm e constante dieltrica E:, = 2,2, e
heqncia central de \ G GH:z., detemne a diret\vidade com base
em (\4-56) e (\4-56a). Compare os resultados com os valores
obtidos de (14-55) e (14-55a).
/
Soluo: Da soluo do Exemp\o \4.2, /

GI = 0,00157 Siemens T /
h //

GI2 = 6,1683 X 10-4 Siemens

J.L-_----...------
gl2 = G 2lGI = 0,3921
t x

Usando (l4-56a), Figura 14.22 Geometria de uma antena de plaqueta circular de 1

crofita.
164 Captulo Quatorze

2 2
DAF = -- = = 1,4367 = 1.5736 dB
l+gl2 1+0,3921
8.00
Usando (14-53) e (14-53a),

a::>
li = 1,863
2- 6.00
~o
'"
'O
Do = (2Jl'W)2
-- -1 = 3.312 = 5,201 dB
.;; o li
~ 4,00 De acordo com (14-56),
6
D2 = DoDAF = 3,312(1,4367) = 4,7584 = 6,7746 dB

2,00 Usando (14-55a),

lz = 3,59801
0,00
G,OO G,G\ G,G'l. G,G, G,()d. G,GS Finalmente, usando (14-55),
Espessura do substrato h/o
2Jl'W)2 rr
Dl = ( -- - = 5,3873 = 7,314 dB
Figura r 4.21 Variaes da diretividade de uma antena de plaqueta o lz .
quadrada de microfita em funo da espessura do substrato. (Cortesia ..................................................................................................... _---
de D. M. Pozar.)

Um programa para MATLAB e em FORTRA..:...,.F--

Microstrip, foi desenvolvido para projetar e calcul
uma freqncia de ressonncia fixa, em funo da espessura do tersticas de radiao das antenas de plaquetas de mi""""C<=-'~
sub trato (hAo), para dois dieltricos diferentes. tangulares e quadrada. Uma descrio do program
A diretividade das fendas tambm pode ser aproximada pe- encontrada no correspondente arquivo LEIA-ME in
las frmulas de Kraus, (2-26), e de Tai & Pereira, (2-30a), em CD que acompanha este livro.
termos das larguras de feixe nos planos E e H, que podem ser
aproximadas por [36]
14.3 PLAQUETA CIRCULAR
(14-58)
Alm da plaqueta retangular, a outra configurao mai
de antena de microfita a plaqueta circular ou disco. m
na Figura 14.22. Esta configurao tem recebido bastante at
no somente como elemento isolado [6], [10], [13], [46J.
(511, mas tambm em conjuntos [65] e [74]. Os modos uporud:s
~~~"'" ~~~~~~~~~~~~~~~,~~~."! ~~ ...
,.--,..--
do a plaqueta, o plano de terra e o material
Os valores de diretividade obtidos usando (14-58) e (14-59), cavidade circular. Da mesma forma que com a pb.:;!%:::.
junto com (2-26) ou (2-30a), no sero muito precisos, pois as lar, os modo principalmente suportado por '""'._-
larguras de feixe, especialmente no plano E, so muito grandes. crofita circular cuja espessura do sub trato pe::;:E~
Entretanto, podem servir como uma referncia. so modos TMZ, onde z considerado perpe:nd:rt:~.

:- ~~~;~~ ..;~:; !

Para a antena de microfita retangular dos Exemplos 14.1 e 14.2,

com dimenses totais L = 0,906 em e W = 1,186 em, substrato
de espessura h = 0,1588 em e constante dieltrica E:, = 2,2, e
freqncia central de 10 GHz, determine a diretividade com ba e
em (14-56) e (14-56a). Compare os resultado com os valores
obtidos de (14-55) e (14-55a).
Soluo: Da soluo do Exemplo 14.2,
GI = 0.00157 Siemens
GI2 = 6,1683 X 10-4 Siemens
gl2 = GI2/GI = 0,3921 x

Usando (14-56a), Figura 14.22 Geometria de uma antena de plaqu",a~~

crofita.
164 Captulo Quatorze

10,00 .-----.-.----,--,----,--.------,---.-----,,------,
2 2
DAF = -- = = 1,4367 = 1,5736 dB
I + gl2 1 + 0,3921
8,00
Usando (14-53) e (14-53a),

~
1[ = 1,863
~ 6,00
"ee
"O
Do = (2Jl'W)2
-- -1 = 3,312 = 5,201 dB
'"
> o 11
~ 4,00 De acordo com (14-56),
Ci
D2 = DoDAF = 3,312(1,4367) = 4,7584 = 6,7746 dB

2,00 Usando (14-55a),

h= 3,59801
0,00 '----'-_.1...----'-_-'-----'-_-'---'-_-'----'---'
0,00 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 Finalmente, usando (14-55),
Espessura do substrato h/ o
D2 = (2Jl'W)2
--o -lzn = 5,3873 = 7,314 dB
.
Figura 14.21 Variaes da diretividade de uma antena de plaqueta
quadrada de microfita em funo da espessura do substrato. (Cortesia : :

de D. M. Pozar.)

Um programa para MATLAB e em FORTRAN, designado

uma freqncia de ressonncia fixa, em funo da espessura
substrato (h/.o), para dois dieltricos diferentes.
A diretividade das fendas tambm pode ser aproximada
las frmulas de Kraus, (2-26), e de Tai & Pereira, (2-30a),
termos das larguras de feixe nos planos E e H, que podem
aproximadas por [36]
(14-58)
(14-59)
Os valores de diretividade obtidos usando (14-58) e (14-59),
junto com (2-26) ou (2-30a), no sero muito precisos, pois as
larguras de feixe, especialmente no plano E, so muito grandes.
Entretanto, podem servir como uma referncia.
Microstrip, foi desenvolvido para projetar e calcular as carac-
do tersticas de radiao das antenas de plaquetas de microfita re-
tangulares e quadradas. Uma descrio do programa pode ser
pe- encontrada no correspondente arquivo LEIA-ME includo no
em CD que acompanha este livro.
ser
14.3 PLAQUETA CIRCULAR
Alm da plaqueta retangular, a outra configurao mais popular
de antena de microfita a plaqueta circular ou disco, mostrada
na Figura 14.22. Esta configurao tem recebido bastante ateno,
no somente como elemento isolado [6], [10], [13], [46], [47],
[51], mas tambm em conjuntos [65] e [74]. Os modos suportados
pela antena de plaqueta circular podem ser determinados tratan-
do a plaqueta, o plano de terra e o material entre eles como uma
cavidade circular. Da mesma forma que com a plaqueta retangu-
lar, os modos principalmente suportados por uma antena de rni-
crofita circular cuja espessura do substrato pequena (h x.)
so modos TMZ, onde z considerado perpendicular plaqueta.

:- ;~~~;~~ ..~~:; l

Para a antena de rnicrofita retangular dos Exemplos 14.1 e 14.2,

com dimenses totais L = 0,906 cm e W = 1,186 em, substrato
de espessura h = 0,1588 em e constante dieltrica li, = 2,2, e
freqncia central de 10 GHz, determine a diretividade com base
em (14-56) e (14-56a). Compare os resultados com os valores
obtidos de (14-55) e (14-55a).
Soluo: Da soluo do Exemplo 14.2,
GI = 0,00157 Siemens

GJ2 = 6,1683 X 10-4 Siemens

gl2 = GI2/GI = 0,3921 x

Usando (14-56a), Figura 14.22 Geometria de uma antena de plaqueta circular de mi-
crofita.
 Antenas de Mcrofta 165

o que diz respeito s dimenses da plaqueta, no caso da plaque- (14-63b)

ta retangular de microfita h dois graus de liberdade a controlar p7f
(comprimento e largura). Portanto, a ordem dos modos pode ser k-=- (14-63c)
alterada por meio de uma mudana nas dimenses relativas da
- h
largura e do comprimento da plaqueta (razo entre largura e com- m = 0,1,2, ... (14-63d)
primento). No entanto, para a plaqueta circular h somente um
grau de liberdade a controlar (raio da plaqueta). Uma alterao n=1,2,3, ... (l4-63e)
do raio no muda a ordem dos modos, mas altera o valor absolu-
p = 0,1,2, ... (14-63f)
to da freqncia de ressonncia de cada um [79].
A no ser pelo mtodo de onda completa [51], [65], [74], a
Em (14-63b), X;nll representa os zeros das derivadas da fun-
antena de plaqueta circular s pode ser convenientemente anali-
o de Bessel lm(x), que determinam a ordem das freqncias
sada usando o modelo de cavidade [10], [46], [47]. Isto pode ser
de ressonncia. Os primeiros quatro valores de X;Illl' em ordem
feito seguindo um procedimento similar ao do caso da plaqueta
crescente, so
retangular, mas usando coordenadas cilndricas [79]. A cavidade
composta de dois condutores eltricos perfeitos nas faces supe- x;! = 1,8412
rior e inferior, representando a plaqueta e o plano de terra, e por
uma parede cilndrica condutora magntica perfeita em volta da X~I = 3,0542
periferia circular da cavidade. O material dieltrico da cavidade
xb! = 3,8318 (14-64)
considerado como truncado alm da extenso da plaqueta.
X~I = 4,2012
14.3.1 Campos Eltrico e Magntico -
Modo TM!'np 14.3.2 Freqncias de Ressonncia
Para determinar os campos no interior da cavidade usaremos a As freqncias de ressonncia da cavidade e, conseqentemente,
abordagem do potencial vetoria!. Para modos TMz, precisamos da antena de microfita so determinadas usando (14-63a)-
primeiro determinar o potencial vetorial magntico A" que deve (14-63f). Como na maioria das antenas de microfita tpicas a
satisfazer, em coordenadas cilndricas, equao de onda ho- espessura do substrato h muito pequena (em geral, h <
mognea de 0,050"-0)' os campos ao longo de z so essencialmente constan-
tes e dados por (14-63f), com p = O, e por (14-63c), com k: =
(14-60)
O. Portanto, as freqncias de ressonncias para os modos TM~/IIo
o caso de modos TMo, os campos eltrico e magntico se re- podem ser escritas, usando (14-63a), como
lacionam ao potencial vetorial Ao por [79]
( JF)r ;,mO = 1
27f~
(X~m)
--;;- (14-65)
. I 2 Ao 1 ] Az
H ----
Ep = - J Wflc pz p - fl p </>
Com base nos valores de (14--64), os primeiros quatro modos,
. 1 1 2 A~ 1 A-
E"'=-J---- H",=---'- em ordem crescente, so os modos TMflO, TM~IO' TMIOe TM~\O.
coue p </>z fl p O modo dominante o modo TMrlo, cuja freqncia de resso-
nncia
Ez = _j_l_ (~+k2) Az H, = O
coue z2 1,8412 1,8412vo
(fr)1l0 = 2 rtr: (14-66)
7fa", ue 27faF,
(14-61)
sujeitos s condies de contorno onde Vo a velocidade da luz no espao livre.
A freqncia de ressonncia de (14-66) no leva em conta
E p (O ~ p' ~ a. O ~ </>' ~ 27f, Z' = O) = O os efeitos de borda. Como mostrado para a plaqueta retangular
e ilustrado na Figura 14.7, o franjamento do campo faz com que
E p (O ~ p' ~ a, O ~ </>' ~ 27f, Z' = h) = O a plaqueta parea eletricamente maior, o que pode ser acomo-
dado com a introduo de um fator de correo de comprimen-
H",(p' = a, O ~ </>' ~ 27f, O ~ z' ~ h) =O (14-62)
to, dado por (14-2). No caso da plaqueta circular, uma correo
Pode ser mostrado que, para modos TMz, o potencial vetorial tambm introduzida por meio de um raio efetivo a.; para subs-
Az se reduz a [79] tituir o raio verdadeiro a, dado por [6]

A~ = BI1lIlPJm (kpp')[A2 cos(m</>') + B2 sen(m</>')]cos(k~z')

(14-67)
(14-63)
com a equao de separao Assim, a freqncia de ressonncia de (14-66) para o modo do-
minante TMflO deve ser modificada usando (14-67) e expressa
(kp)2 + (kJ2 = k; = W;flc (l4-63a)
como
As coordenadas indicadas com linha p', </>', z' so usadas para
representar os campos no interior da cavidade, enquanto lm(x)
(14-68)
a funo de Bessel de primeira espcie e ordem m, e
166 Captulo Quatorze

14.3.3 Projeto
Com base na formulao do modelo de cavidade, uma rotina
indicada para projetos prticos de antenas de microfita circular
para o modo dominante TMflO' O procedimento supe que as
especificaes incluem a constante dieltrica do substrato (s.),
a freqncia de ressonncia (fr) e a espessura do substrato (h).
O procedimento o seguinte:
Especificar
8r,fr (em Hz) e h (em cm)

Determinar O raio verdadeiro a da plaqueta. x

Rotina de Projeto Uma aproximao de primeira ordem so- Figura 14.23 Modelo de cavidade e densidade de corrente ma~ -
luo de (14-67) para a consiste em determinar a, usando (14-68) tica equivalente para antena de plaqueta circular de microfita.
e substitu-lo em (14-67) no lugar de ae e no lugar de a na fun-
o logartmica. Fazendo isso, vem
F queta circular podem ser determinados usando o Princpi
(14-69)
Equivalncia de Campo, onde a parede cilndrica da cavida
a = {
1+ --2h [ ln ( ~ F) + 1,7726 ]} 1/2
substituda por uma densidade de corrente magntica equr -
ne, F 2h lente de (14-38), como indicado na Figura 14.23. Com base
(14-61)-(14-63) e supondo uma distribuio de campo de fi
onde TMflo sob a plaqueta, no interior da cavidade, os campo e -
trico e magntico normalizados podem ser escritos, para v
8,791 x 109
F= ----:::-c::-- (14-69a) es azimutais cossenoidais, como
frFr
Ep = E<f>= H~ =0 (14-1
Lembre que em (14-69), h deve estar em em.
E; = Eol1 (kp') cos <jJ' (1'+--

. Eo 1 , , (I.+--
Hp= }--lj(kp )sen<jJ
Wf.,Lo P
Projete uma antena de microfita circular usando um substrato
(RT/duroid 5880) com uma constante dieltrica de 2,2, h = 0,1588
cm (0,0625 polegada), de modo a ressonar em 10 GHz. H<f>= j Eo'
Wf.,Lo
I; (kp') cos <jJ' (14--
Soluo: Usando (14-69a),
onde' = a/ap e <jJ' o ngulo azimutal ao longo do pe '
8,791 x 109 da plaqueta.
: F = = 0,593 :
i 10 x 109~ i Calculando o valor de (14-70b) na borda eltrica equivale
do disco (P' = ae), a densidade de corrente magntica de (1..1..:
Portanto, usando (14-69),
pode ser escrita como
F
a=

{
I +~
it e.F
[In (lrF)
2h
+ 1,7726]} 1/2
Como a espessura do substrato muito pequena e a densidade
corrente de (14-71) uniforme ao longo da direo z, pode
= 0,525 em (0,207 polegada)
aproximar (14-71) por uma corrente magntica filamentar
Com base neste projeto, uma plaqueta circular experimental foi
construda e testada. A plaqueta foi alimentada, a partir da face 1m = hMs = <f>2hEolj(kae)cos<jJ' = <f>2Vocos<jJ' (14--
inferior, por uma sonda coaxial, e mostrada na Figura 14.8(b).
Seus diagramas de planos E e H principais so mostrados na onde Vo = hEoll(kae) em <jJ' = O.
Figura 14.24(a, b). Usando (14-71), a antena de microfita pode ser tratada
um quadro circular. Fazendo referncia ao Captulo 5 p
quadro e usando as eq uaes de radiao das Sees 12.3 e I::'
podemos escrever que [10], [83]

E, =0
14.3.4 Densidades de Correntes k a V, e-jkor
Eo = - j o e O {cos<jJlO'?}
Equivalentes e Campos Radiados 2r -
koa Voe- jkor
Da mesma forma como foi feito na anlise da plaqueta retan- E<f>=j e {cos8sen<jJ102} (14- --
gular com o modelo de cavidade, os campos radiados pela pla- 2r
 Antenas de Microfita 167

J~2 = Jo(koaesene) - h(koaesene) (14-72d) na metade esquerda da Figura 14.24(a) corresponde a ngulos
de observao no mesmo lado da plaqueta em que se encontra
J02 = Jo(koaesene) + h(koGesene) (14-72e) a sonda de alimentao. As dimenses do plano de terra eram
onde a; o raio efetivo dado por (14-67). Os campos nos planos 15cmXl5cm.
principais se reduzem a:

14.3.5 Condutncia e Diretividade

E - .koae Voe-jkor [li] A condutncia devido potncia radiada e a diretividade da
fi - } 2r 02 (14-73a) antena de plaqueta circular de microfita podem ser calculadas
Eq, =0 (l4-73b) usando suas respectivas definies de (14-10) e (14-50). Para
cada uma precisamos da potncia radiada que, com base nos
Plano H (<!> = 90,270,0 :5 ():5 90) campos de (l4-72b) e (14-72c) do modelo de cavidade, pode
ser expressa como
Ee =O (l4-74a)
(k
1V01 2 --- oae
? 17r/? [J
)- - 12
+ cos 2 e JO2 ?] sen
Eq, = i o e
k a
;r
V; e-jkor
[COseJ02] (14-74b)
Prad =
960 o O-? -
de (14-75)

Portanto, com base em (14-10) e (14-75), a condutncia atra-

Com base em (14-73a)-(l4-74b) foram calculados diagramas
vs do espaamento entre a plaqueta e o plano de terra em
para a plaqueta circular do Exemplo 14.4, Figura 14.8(b), que
<!>' = 0 pode ser escrita como
so mostrados na Figura 14.24, onde so comparados com dia-
gramas experimental e calculado com o Mtodo dos Momentos. (k a )217[/2
A assimetria observada nos diagramas experimental e calculado Grad = ---Oe a
[lO? + cos 2 elO?]sene
2
de (14-76)
480 o - -
com o Mtodo dos Momentos se deve ao fato de a alimentao
no ser posicionada simetricamente ao longo do plano E. A A Figura 14.25 mostra uma curva representando a condutncia
anlise do Mtodo dos Momentos leva em conta a posio da do modo TMflQ, calculada com (14-76). Enquanto a condutn-
alimentao, enquanto o modelo da cavidade no. O diagrama cia de (14-76) inclui as perdas por radiao, no inclui as perdas

e -----()

-- Medido
- _. Mtodo dos Momentos (cortesia de J. Aberle)
_. - Modelo da cavidade

Figura 14.24 Diagramas de planos E e H medidos e calculados (com base no Mtodo dos Momentos e no modelo de cavidade) para uma
antena de plaqueta circular de microfita (a = 0,525 em, a, = 0,598 em, Pf = 0,1 em, e, = 2,2, h = 0,1588 em,fo = 10 GHz, o = 3 em).
168 Captulo Quatorze

-- Medido
- _. Mtodo dos Momento (cortesia de J. Aberle)
- .- Modelo da cavidade

(b) Plano H (<I> = 90,270)

Figura 14.24 (continuao)

Gd _- G tan8[(k ae.)2_ nt 2]
17w
(14-7
4/1ohfr
onde emo = 2 para m = Oe elllo = 1 para m =1=O;fr representa _
freqncia de ressonncia do modo mnO. Assim, a condutn .
20
"'~ total pode ser escrita como
1
o
(14- -
-e
t.::JE

10
Com base em (14-50), (l4-72b), (l4-72c), (14-75)e(l4--
e
a diretividade da fenda em = 0 pode ser expressa como

(koaef (14-
Do=---
120Grad
A Figura 14.26 mostra uma curva representando a direti i
do modo dominante TMflO em funo do raio do disco.
valores muito pequenos do raio, a diretividade se aproxim
Figura 14.25 Condutncia de radiao de ~a anten; de plaque_ta
3 (4,8 dB), que equivalente diretividade de uma fenda a .
circular de microfita operando no modo dominante TMllo em funo
do raio efetivo. de um plano de terra e concorda com o valor de (14-54)
W 1..0,

14.3.6 Resistncia de Entrada de

de conduo (hmicas) e dieltricas, que podem ser expressas
como
Ressonncia
.f )-3r Como no caso da antena de plaqueta retangular, a imped
G - e17wlT ( lf/10Jr -[(ka )2_m2] (14-77) de entrada de uma plaqueta circular ressonante real. A
r - 4h2.j(i P
cia de entrada depende da posio do ponto de alimenta
 Antenas de Microfita 169

o fator de qualidade uma figura de mrito representativa

das perdas da antena. Tipicamente h perdas de radiao, de
conduo (hmicas), dieltricas e de ondas de superfcie.
Portanto, o fator de qualidade total Q influenciado por todas
essas perdas e , em geral, escrito como [16]

( 14-83)

onde

Q, = fator de qualidade total

fator de qualidade devido s perdas de radiao (on-
das espaciais)
4L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-L-~
fator de qualidade devido s perdas de conduo
0.0 O,, 0.2 0.3 0.4 0.5 0,6 0.7 0.8 0.9 ,,O Q,.
(hmicas)
0/"0
Qd = fator de qualidade devido s perdas dieltricas
Figura 14.26 Diretividade de uma antena de plaqueta circular de rni- fator de qualidade devido s perdas de ondas 'de su-
crofita operando no modo dominante TMrlO em funo do raio efetivo. QSII = perfcie
o caso de substratos muito finos, perdas de ondas de superf-
cie so muito pequenas e podem er desprezadas. Entretanto,
no caso de substratos mais espessos devem ser includas [84].
longo da circunferncia. Tomando a referncia de alimentao Essas perdas tambm podem er eliminada com o uso de ca-
em 4>' = 0, a resistncia de entrada do modo dominante TMII vidades [50] e [51].
(o que no tem um zero no diagrama de amplitude normal o caso de substratos muito fino (h : o) de formas arbi-
plaqueta) pode ser escrita, a uma distncia radial qualquer p' = trrias (incluindo retangular e circular), h frmulas aproxima-
Po do centro da plaqueta, como das para representar os fatores de qualidade das diversas perdas
, I l?(kpo) [16], [85]. Estes podem ser expressos como
(14-81 )
Rin (p = Po) = C/ l~(ka,,)
Qc = hjnfJ-w (14-84)

onde C, a condutncia total devido s perdas de radiao, de I

Qd = - (14-85)
conduo (hmicas) e dieltricas, como dado por (14-79). Como tan <5
no caso da plaqueta retangular, a resistncia de entrada de res- 2we,.
sonncia de uma plaqueta circular com alimentao indentada, Qrad = hC,11 K (14-86)
que usualmente uma sonda, pode ser escrita como
onde tan a tangente de perda do material do substrato, (J a
, ,1,2(kpo) condutividade dos condutores associados com a plaqueta e o
Rin (p = po) = Ri; (p = ae) ? (14-82)
1j(kae) plano de terra, C/I a condutncia total por unidade de com-
primento da abertura radiante e
Rin(P' = aI') = ~
C/
onde C, dada por (14-79). Isto anlogo a (14-20a) para a
(14-82a)
lllE,2 dA
K = rea (14-86a)
plaqueta retangular.
Um programa para MATLAB e em FORTRA , chamado de
1. IEI2 di
YpermelfO
Microstrip, foi desenvolvido para projetar e calcular as carac-
tersticas de radiao das antenas de plaquetas de microfita re- Para uma abertura retangular operando no modo dominante
tangulares e quadradas. Uma de crio do programa pode er TMolO'
encontrada no correspondente arquivo LEIA-ME includo no L
CD que acompanha este livro. K =- (14-87a)
4
rad
Gi]! = C (l4-87b)
14.4 FATOR DE QUALIDADE, W
LARGURA DE BANDA E EFICINCIA O fator de qualidade Qrnd, como representado por (14-86), in-
versamente proporcional espessura do substrato e, para sub -
Fator de qualidade, largura de banda e eficincia so figuras de tratos muito finos, usualmente o fator dominante.
mrito de antenas, sendo inter-relacionadas; no h liberdade A largura de banda fracionria de uma antena inversamente
ompleta para otimizar cada um desses parmetros independen- proporcional a seu fator de qualidade total Q" e definida por
temente. Portanto, em uma antena de desempenho timo sempre (11-36), ou
h uma permuta entre tais parmetros. No entanto, freqente-
mente h a necessidade de otimizar um deles custa da reduo (14-88)
do desempenho de outro.
170 Captulo Quatorze

r.oo 15

0,80
-;;;
:::l
c:
10 c
o
0,60
;:;
o-
"c:
'
"O
ee
<ou c:
' .D
'"o
~ 0.40 "O

5 e
~
0,20
"
....J

o.oo o
o.oo 0.02 0.06 0,08 0,10
Espessura do substrato M'Ao

Figura 14.27 Eficincia e largura de banda de uma antena de plaqueta retangular em uma freqncia de ressonncia constante, em funo da
espessura do substrato, considerando dois substratos diferentes. (Fo TE: D. M. Pozar, "Microstrip Antennas", Proc. IEEE, vol. 80, N. 1, janeiro
1992. 1992 IEEE.)

Entretanto, (14-88) pode no ser til, pois no leva em conta o
casamento de impedncia nos terminais da antena. Uma defini-
o mais significativa da largura de banda fracionria feita em
uma faixa de freqncias em que a TOE nos terminais de entrada
igualou menor que um valor minimo desejado, admitindo que
a TOE seja unitria na freqncia de projeto. Uma forma mo-
dificada de (14-88) que leva em conta o casamento de impedn-
cia [16]
~I TOE-I
(14-88a)
10 Qr.JTOE
Em geral a largura de banda fracionria proporcional ao
volume, que para uma antena de microfita retangular em uma
freqncia de ressonncia constante pode ser expresso como
BW'" volume = rea- altura = comprimento largura altura
I I I
'"--Fr
.;e;.;e; =-
.;e; (14-89)
Portanto, a largura de banda inversamente proporcional raiz
quadrada da constante dieltrica do substrato. A Figura 14.27
mostra curvas representando a variao tpica da largura de ban-
da de uma antena de microfita em funo da espessura norma-
lizada do substrato para dois substratos diferentes. Fica eviden-
te que a largura de banda aumenta medida que a espessura do
substrato aumenta.
A eficincia de radiao de uma antena expressa por (2-90)
e definida como a razo entre a potncia radiada e a potncia
de entrada. A eficincia tambm pode ser expressa em termos
dos fatores de qualidade e, para uma antena de rnicrofita, pode
ser escrita como
14.5 IMPEDNCIA DE ENTRADA
Nas sees anteriores deste captulo obtivemos expresses apro-
ximadas para a resistncia de entrada de ressonncia de antenas
de microfitas retangulares e circulares. Alm disso, foram in-
dicadas expresses aproximadas que descrevem a variao da
resistncia de entrada de ressonncia em funo da posio da
alimentao indentada, que pode efetivamente ser usada para
casar o elemento de antena linha de transmisso de entrada.
Em geral, a irnpedncia de entrada complexa e inclui tanto
uma parte ressonante como uma parte no-ressonante, a qual
usualmente reativa. As partes real e imaginria da impedncia
variam em funo da freqncia, sendo uma variao tpica
mostrada na Figura 14.28. Idealrnente, tanto a resistncia como
a reatncia exibem simetria em relao freqncia de resso-
nncia e, na ressonncia, a reatncia igual mdia da soma
de seus valores mximo (que positivo) e mnimo (que ne-
gativo).
o caso de substratos muito finos, em geral a reatncia de
alimentao muito pequena em comparao com a resistncia
de ressonncia. No entanto, para substratos espessos a reatncia
pode ser significativa e precisar ser levada em conta no casa-
mento de impedncia e determinao da freqncia de resso-
nncia de um elemento carregado [34]. As variaes da reatn-
cia de alimentao em funo da posio podem ser intuitiva-
mente explicadas considerando o modelo de cavidade para uma
plaqueta retangular, em que suas quatro paredes laterais so
condutores magnticos perfeitos [34], [85]. o que diz respeito
impedncia, as paredes magnticas podem ser levadas em
conta com a introduo de mltiplas imagens, nas quais o fluxo
de corrente tem a mesma direo que na fonte real. Quando o

eCdslV
l/Qrad
= --- = --
o, (14-90)
ponto de alimentao est distante de uma das bordas os campos
magnticos associados s imagens e fonte real no se sobre-
I/Q/ Qrad
pem fortemente. Portanto, a corrente na fonte real ser a prin-
onde Qr dado por (14-83). Variaes tpicas da eficincia em cipal responsvel pela indutncia associada densidade de ener-
funo da espessura do substrato so mostradas na Figura 14.27 gia magntica armazenada no interior de um pequeno volume
para uma antena de microfita, considerando dois substratos di- de teste nas proximidades da alimentao. Contudo, quando a
ferentes. alimentao est em uma das bordas, a alimentao e uma das

-- ----------------------

O~----------~--~-----------r~
\
Reatncia, X \ .>
',_ ..~------
,."
",. .
Xf = reatancia de ahmentaao =
_ Xmn + Xmx
2
-20L-~~ __ L-~~~L--L~ __ ~~~
1.200 1.225 1.250
Freqncia (MHz)
Figura 14.28 Variao tpica de resistncia e re~tncia de uma ante-
na de microfita retangular em funo da freqncia. iElearomagnetcs,
Vol. 3, N.oS 3 e 4, p. 33, W. F.Richards, J. R. Zinecker e R. D. Clark, Taylor
& Francis, Washington, D.e. Reproduzido com permisso. Todos os
direitos reservados.)
imagens (a que representa a parede magntica naquela borda)
coincidem. Assim, a associada energia armazenada de campo
magntico do circuito equivalente dobra, enquanto as respecti-
vas densidades de energia magntica armazenada quadruplicam.
o entanto, como o volume na regio de teste da plaqueta
apenas a metade do volume quando a alimentao removida
de uma das bordas, a densidade lquida de energia magntica
armazenada apenas o dobro daquela associada somente ali-
mentao. Assim, quando a alimentao est em uma das bordas
a indutncia e a reatncia associadas tm o dobro do valor cor-
respondente quando a alimentao est bem distante da borda.
Quando a alimentao est em um dos cantos haver trs ima-
gens no volume de teste da plaqueta, alm da fonte real, para
levar em conta as bordas que formam o canto. Usando o mesmo
argumento anterior, a indutncia e a reatncia associadas ali-
mentao em um dos cantos tm valor igual a quatro vezes o
correspondente quando a alimentao est bem distante de uma
borda ou de um canto. Ou seja, a maior reatncia (por um fator
de cerca de quatro vezes) ocorre quando a alimentao feita
em um canto ou nas proximidades de um canto, enquanto a me-
nor reatncia ocorre quando a alimentao est bem distante de
uma borda ou de um canto.
Embora tal argumento preveja as variaes relativas (tendn-
cias) da reatncia em funo da posio, ele no permite predi-
zer com preciso os valores absolutos da reatncia, especial-
mente quando a alimentao feita em um canto ou muito pr-
xima de um canto. Na verdade, o argumento superestima os
valores da reatncia no caso em que a alimentao feita exa-
tamente em um dos cantos; os valores realmente previstos pelo
modelo de cavidade com paredes condutoras magnticas per-
feitas so menores [34]. A seguinte frmula foi sugerida para
aproximar a reatncia de alimentao sem levar em conta qual-
quer imagem
Antenas de Microfita 171
xf ~ - nkn
2n [(kd)
ln 4' + 0,577 ] (14-91)
onde d o dimetro da sonda de alimentao. Previses mais
precisas para a impedncia de entrada, com base em modelos
de onda completa, foram feitas para plaquetas circulares em que
um modo adicional de corrente foi introduzido para casar a dis-
tribuio de corrente da sonda da plaqueta [74].
14.6 ACOPLAMENTO
O acoplamento entre dois ou mais elementos de antenas de mi-
t
Xmn crofita pode ser facilmente considerado em uma anlise de onda
completa. Entretanto, mais difcil faz-lo com os modelos
simplificados apresentados anteriormente, embora tentativas
bem-sucedidas tenham sido feitas com o modelo de linha de
transmisso [75] e com o modelo de cavidade [76], [77]. Pode
__ L-~
ser mostrado que o acoplamento entre duas plaquetas, da.mes-
ma forma que o acoplamento entre duas aberturas ou duas an-
tenas filamentares, uma funo da posio de um elemento
em relao ao outro. Isso foi demonstrado na Figura 4.20 para
um dipolo vertical de meio comprimento de onda acima de um
plano de terra, e na Figura 4.30 para um dipolo horizontal de
meio comprimento de onda acima de um plano de terra. Entre
esses dois casos os efeitos da terra so mais pronunciados para
o dipolo horizontal. Alm disso, efeitos mtuos foram discutidos
no Captulo 8 para as trs disposies de dipolos mostradas na
Figura 8.20, sendo que a disposio de dipolos lado a lado exi-
be as maiores variaes da impedncia mtua.
No caso de duas plaquetas retangulares de microfita o aco-
plamento de dois elementos lado a lado uma funo de seu
alinhamento relativo. Quando os elementos so posicionados
colinearmente ao longo do plano E, essa disposio referida
como de plano E, como mostrado na Figura 14.29(a); quando
os elementos so posicionados colinearmente ao longo do pia-
no H, a disposio referida como de plano H, como ilustrado
na Figura 14.29(b). Para uma separao s entre bordas a dispo-
sio de plano E exibe o menor isolamento de acoplamento para
valores muito pequenos da separao (tipicamente, s < 0,1 Oo),
enquanto a disposio de plano H exibe o menor isolamento de
acoplamento para grandes valores da separao (tipicamente,
s > 0,1 Oo). O valor da separao em que o acoplamento de um
plano ultrapasse o do outro depende das propriedades eltricas
e dimenses geomtricas da antena de microfita. Variaes t-
picas so mostradas na Figura 14.30.
(a) Plano E
Figura 14.29 Disposies de plaquetas de microfita de planos E e H.
- - --
---- -- .: ! ---~.~

172 Captulo Quatorze

A condutncia mtua entre duas plaquetas retangulares de

o microfita tambm foi calculada usando a definio bsica de
condutncia dada por (14-18), com os campos distantes basea-
dos no modelo de cavidade e na teoria de conjunto do Captulo
6. Para a disposio de plano E da Figura 14.29(a) e conside-
-10
rando uma distribuio de modo mpar sob a plaqueta, que
Plano E Plano H
representativa do modo dominante, a condutncia mtua [8]
Medido - Carver [91
-- Calculado - Pozar [27]

G 12 = ~ f. n [sen (k02W cos e) l2

-30
n v-d cose J
3
-40
X sen e {2Jo (~ 2JTSene) +io (Y: L2JTSene)

o 0.25 0.50 0,75

s/'Ao
1.00 1.25
+ io (Y ~ L 2JTsen e) } de (14-92)

Figura 14.50 Valores medidos e calculados de aeoplamento mtuo
entre duas antenas de mierofita alimentadas por sonda eoaxial, para
aeoplamentos de plano E de plano H (W = 10,57 em, L = 6,55 em,
h = 0,1588 em, B, = 2,55,[, = 10410MHz). (FONTE:D. M. Pozar, "Input
Impedance and Mutual Coupling of Rectangular Microstrip Antennas",
IEEE Trans. Antennas Propagat.,VoL AP-30, .6, novembro de 1982.
1982 IEEE.)
Em geral, o acoplamento mtuo principalmente atribudo
aos campos que existem ao longo da interface ar-dieltrico. O
campos podem er decomposto em ondas espaciais (com va-
onde Y a separao centro a centro entre as fendas e
funo de Bessel de primeira espcie e ordem zero. O p .
termo em (14-92) repre enta a condutncia mtua de duas
das separadas por uma distncia X ao longo do plano E. en
to o segundo e o terceiro termos representam, respectivame
as condutncias de duas fendas separadas, ao longo do pl
por di tncias Y + L e Y - L. Valores tpicos normalizad
mo trados na Figura 14.31.
Para a disposio de plano H da Figura 14.29(b) e con
rando uma distribuio de modo mpar sob a plaqueta. q
repre entativa do modo dominante, a condutncia mtua e [

(rl kOW ) 2
riao radial da forma l/p), ondas de ordens superiores (com 2 7r en ( -- cos e z
variao radial da forma l/p\ ondas de superfcie (com varia- GI2 =- ff. 2 ] sen3ecos(-2JTCOse)
o radial da forma I /pI/2) e ondas de fuga [com variao radial JT 'r;;. io cos e o

da forma exp(-p)/p)ll2] [23], [86]. Devido variao radial

e frica, ondas espaciais (l/p) e de ordens superiores (l/p2) so
as mais dominantes no caso de eparao muito pequena entre
os elementos; por outro lado, as ondas de superfcie, devido a
ua variao radial da forma l/pll2, so mais dominantes para
grandes separaes. Ondas de superfcie existem e se propagam
no interior do dieltrico, e sua excitao funo da espessura
do substrato [79]. Em uma dada direo, o modo de onda de
superfcie de ordem mais baixa (dominante) TM(mpar), com
freqncia de corte nula, seguido por um modo TE(par) e, al-
ternativamente, por modo TM(mpar) e TE(par). Para a pla-
queta retangular de microfita o campos so TM em uma direo
de propagao, ao longo do plano E, e TE em uma direo de
propagao ao longo do plano H. Como na disposio de plano
E da Figura 14.29(a) os elementos so posicionados colinear-
mente ao longo do plano E, onde os campo no espao entre o
elementos so principalmente TM, h uma excitao mai for-
te de onda de superfcie (admitindo um nico modo dominante
de onda de uperfcie) entre o elementos, e o acoplamento
maior. Entretanto, para a disposio de plano H da Figura
14.29(b) os campos no espao entre os elemento so principal-
mente TE e no h a excitao de um forte modo dominante de
onda de superfcie; portanto, nesse caso h menos acoplamento
entre os elementos. Este comportamento muda medida que a
espessura do substrato aumenta, permitindo a excitao do modo
de onda de superfcie TE de ordem superior.
. {I + io (~ 2JTsen e) } de (14-93
onde Z a separao centro a centro entre as fendas e 10 a fun-
o de Bessel de primeira espcie e ordem zero. O primeiro ter-
mo em (14-93) representa o dobro da condutncia mtua de duas
fendas separadas por uma distncia Z ao longo do plano H, en-
quanto o segundo representa o dobro da condutncia mtua de
duas fendas separadas por uma distncia L ao longo do plano E
e por uma di tncia Z ao longo do plano H. Valores tpico nor-
malizado o mostrados na Figura 14.31. Ao comparar os re-
sultado na Figura 14.31 fica claro que a condutncia mtua para
a di po io de plano H, como esperado, diminui mais rapida-
mente com a distncia que a de plano E. tambm observado
que condutncia mtua para a disposio de plano E maior para
elementos mais largos; no caso da di posio de plano H, a COD-
dutncia mtua menor para elementos mais largos.
14.7 POLARllACO CIRCULAR .
Os elementos de plaqueta discutidos at aqui, sejam retangula-
res ou circulares, radiam principalmente ondas linearmente po-
larizada ,caso seja utilizada alimentao convencional sem mo-
dulao. Contudo, polarizaes circular e elptica podem er

0,003
-PlanoE
PlanoH
0,002 ___ o
'" 0,001
""
E
3
r.5"
-0,001
-0,002
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
s/)'o
obtidas usando diversas configuraes de alimentao ou se
pequenas modificaes foram feitas nos elementos, A seguir,
discutiremos algumas dessas configuraes,
A polarizao circular pode ser obtida se dois modos ortogonais
forem excitados com uma defasagem temporal de 90 entre eles,
Isso pode ser alcanado ajustando as dimenses fsicas da plaqueta
e usando um, dois ou mais alimentadores, Algumas sugestes usan-
do plaquetas isoladas foram feitas e relatadas na literatura, Para
um elemento de plaqueta quadrada, a maneira mais simples de
excitar uma polarizao ideal mente circular alimentar o elemen-
to em duas bordas adjacentes, como indicado nas Figuras 14.32(a,b),
para excitar os dois modos ortogonais: o modo TMlO' com o ali-
mentador em uma das bordas, e o modo TMo I' com o alimentador
na outra borda, A quadratura de fase obtida alimentando o ele-
mento atravs de um divisor de potncia de 90 ou de uma hbri-
da de 90, Exemplos de conjuntos de elementos filamentares que
geram polarizao circular so discutidos em [87],
No caso de uma plaqueta circular, a polarizao circular para
o modo TMflO obtida usando dois alimentadores com separa-
o angular adequada. Um exemplo mostrado na Figura
14,32(c) para dois alimentadores coaxiais separados de 90, que
geram campos que so ortogonais entre si tanto abaixo como
lora da plaqueta. Alm disso, nesta configurao de duas sondas
cada sonda sempre posicionada em um ponto onde o campo
=erado pela outra nulo; assim, h pouco acoplamento mtuo
entre as duas sondas, Para alcanar polarizao circular tambm
~ necessrio que as duas ondas sejam alimentadas de forma a
ver uma defasagem temporal de 90 entre seus respectivos
.:ampos; isso conseguido com o uso de uma hbrida de 90,
_ mo mostrado na Figura 14,32(c). O pino de aterramento
icionado no centro da plaqueta para conect-la ao plano de
erra; isso no necessrio para obter polarizao circular, mas
_ feito para suprimir modos que no exibem variaes em cp e,
icionalmente, melhorar a qualidade da polarizao circular.
Tabela 14.1 Separao Angular entre Sondas de Alimentao para Diferentes Modos para Obter Polarizao
Circular (Conforme [88])
uo
Antenas de Mcrofta 173
Figura 14.:n Condutneias mtuas de planos E e H em funo
3,0 da separao entre plaquetas, para antenas de plaquetas retangula-
res de mierofita (W = 1,186, L = 0,906 em, e, = 2,55, o = 3 em).
No caso de modos de ordens superiores a separao entre os
dois alimentadores para alcanar polarizao circular diferen-
te. Esse caso ilustrado na Figura 14.32( d), sendo os ngulos
de separao listados na Tabela 14.1, para os modos TMflO [o
mesmo da Figura 14.32(c)], TM~IO' TM~lo e TMilO [88]. No
entanto, para preservar a simetria e minimizar a polarizao
cruzada, especialmente para substratos espessos, duas sondas
adicionais de alimentao, localizadas diametralmente opostas
aos plos originais, so usualmente recomendadas. As sondas
adicionais so usadas para suprimir os modos vizinhos (adja-
centes) que, em geral, tm as prximas magnitudes mais altas
[88]. Para modos pares (TMi,o e TMilO), as quatro sondas de
alimentao devem ter fases de 0, 90, 0 e 90, enquanto que
para modos mpares (TMflOe TM~IO)devem ter fases de 0,90,
180 e 270, como indicado na Figura 14.32(d) [88].
Para superar as inerentes 'complexidades das configuraes
de dupla alimentao, a polarizao circular tambm pode ser
obtida com uma nica sonda de alimentao. Um maneira de
se conseguir isso alimentar a plaqueta em um nico ponto para
excitar dois modos ortogonais degenerados (de mesma freqn-
cia de ressonncia) de amplitudes idealmente iguais. Ao intro-
duzir, ento, uma assimetria adequada na cavidade a degeneres-
cncia pode ser removida: um dos modos tem a freqncia de
ressonncia aumentada e o modo ortogonal a tem reduzida pela
mesma quantidade. Como os dois modos passam a ter freqn-
cias de ressonncias ligeiramente diferentes, com um projeto
adequado o campo de um modo pode ser adiantado em 45 e o
outro retardado em 45, resultando na diferena de fase de 90
exigida para polarizao circular [16]. Para alcanar esse obje-
tivo diversas configuraes foram sugeridas.
Para ilustrar o procedimento, consideremos uma plaqueta qua-
drada, como mostrado na Figura 14.33(a) [34]. Inicialmente, vamos
supor que as dimenses L e W so quase as mesmas, de modo que
as freqncias de ressonncia dos modos TMlO e TMol tenham
22,5 ou 67,se
174 Captulo Quatorze

Divisor Plaqueta Plaqueta

de potncia quadrada Hbrida de 90 quadrada

(a) Plaqueta quadrada alimentada em bordas (b) Plaqueta quadrada alimentada em bordas
adjacentes por um divisor de potncia adjacentes por uma hbrida de 90

Conector coaxial

-+- Hfbrida ~---I---------;~ x

de 90

Centro
do disco aterrado
Conector coaxial ao plano de terra

(c) Plaqueta circular alimentada por sonda coaxial

(d) Configuraes de alimentao de plaqueta circular para modo TM~iO e modos de ordens superiores

Figura 14.32 Configuraes de plaquetas retangular e circular para polarizao circular. (FONTE: J. Huang, "Circularly Polarized Coni
Patterns from Circular Microstrip Antennas", IEEE Trans. Antennas Propagat.,Vol. AP-32, N.? 9, setembro de 1984. 1984 IEEE.)

Plaqueta
quase quadrada

(a) Plaqueta quase quadrada

y y

t t
//
~
(y', ~') //

//
/
/

ft5Pontode
alimentao
LL

-
J-I---W -I IJ-'---W 1
Figura 14.33 Configuraes de alimentao nica para
(b) Polarizao circular (c) Polarizao circular teno de polarizao circular de plaquetas retangulares de-
esquerda (CCW) direita (CW) crofita.
 Antenas de Microfita 175

uma interseo significativa. Na direo perpendicular (broadside)
plaqueta, o modo TM~lO produz um campo eltrico distante Ey
que linearmente polarizado na direo y, enquanto o modo TM<k,
produz um campo eltrico distante E~que linearmente polarizado
na direo z. Estes campos podem ser expressos como
sen (~l)
(l4-94a)
(l4-94b)
esquerdo, representada pela linha tracejada na Figura 14.33(c).
Em vez de, a cada vez, deslocar o ponto de alimentao para
alterar os modos de forma a mudar o tipo de polarizao circular,
diodos varactores podem ser usados para ajustar a capacitncia
e a polarizao, o que efetivamente desloca, por meios eltricos,
a aparente localizao fsica do ponto de alimentao.
Foi mostrado experimentalmente que este tipo de alimenta-
o para alcanar polarizao circular na direo broadside per-
mite obt-Ia em uma seo angular maior [18]. o entanto, a
largura de banda na qual a polarizao circular mantida, mes-
mo na direo broadside, muito pequena. Uma frmula em-
prica para a largura de banda percentual [34]

k,. =-
rr (l4-94c)
AR
BW(%) ~ 12- (14-100)
. L Q,
n
k, = W (l4-94d) onde a razo axial especificada em dB. As frmulas de proje-
to de (14-98) e (14-100) produzem bons resultados mesmo para
onde c (uma constante de proporcional idade) e Q, (Q, = l/tan baixo para valores de Q, da ordem de 10. Melhores projetos so
8ef) so, na direo broadside, idnticos para as duas polariza- obtidos para valores de Q muito maiores que 10.
es. Se o ponto de alimentao (y', z') for selecionado ao lon- A polarizao circular tambm pode ser obtida posicionando
go da diagonal, de modo que a alimentao do elemento fora da diagonal. Isso pode ser feito se
y' as dimenses da plaqueta retangular forem relacionadas por
z' (14-95)
L W
ento, na direo broadside, a razo axial entre os campos E" e L=W
( I+
A+-
__ A_
2Q,
1) . (14-101)
E~pode ser expressa como -

Ey "-' k(l - j/2Q,) - k\, onde

(14-96)
E~ k(l - j /2Q,) - k,
Para alcanar polarizao circular a magnitude da razo axial
A = cos (rrf) (14-101a)
deve ser unitria, enquanto sua fase deve ser de 90. Isso ocor-
re quando os dois fasores representando o numerador e o deno-
. cos ( 7')
tt W
minador so iguais em magnitude e defasados de 90, ou seja,
quando [34]
k I--- W = L----l
k; - k~ = Q, (14-97)

e a freqncia de operao selecionada no ponto mdio entre

as freqncias de ressonncia dos modos TM~,o e TM<k1"A
cJ'\j,\

~~ueta
1W=L

condio de (14-97) satisfeita quando

L =W (1 + ~J (14-98)
quadrada
J
Com base em (14-98), as freqncias de ressonncia fi e f2 da
largura de banda de (14-88a) associada s duas dimenses L e (a) direita
W de uma microfita retangular so [89]

fo
fi = y'l

h= fo)1
+ I/Q,
+ I/Q,
(l4-99a)

(14-99b)
cJ'\~
~ d,queta
1
JW = L
quadrada
onde fo a freqncia central.
Efetuar a alimentao do elemento ao longo da diagonal que I--- W = L ---+-I
omea no canto inferior esquerdo e termina no canto superior
direito, representada pela linha tracejada na Figura 14.33(b),
dealmente produz uma polarizao circular esquerda na dire-
(b) esquerda
o broadside. A polarizao circular direita pode ser produ-
zida posicionando a alimentao ao longo da diagonal oposta, Figura 14.34 Polarizao circular para plaqueta quadrada com fen-
[ue comea no canto inferior direito e termina no canto superior da estreita (c = W/2,72 = L/2,72, d = c/lO = W/27,2 = L/27,2).
176 Captulo Quatorze

14.8 CONJUNTOS E CIRCUITOS DE

ALIMENTAO
Antenas de rnicrofita no so apenas utilizadas como elemento
isolados. mas so muito populare em conjuntos [17], [23], [30].
[31], [50]. [51], [54], [63]-[65] e [74]-[77]. Como discutido no
Captulo 6. conjuntos so muito versteis e usados. entre outras
aplicaes, para sintetizar um determinado diagrama que no
pode ser obtido de um nico elemento. Alm disso, conjunto
(a) Quadrado aparado (L = W) (b) Elptica com estube
so usados para prover uma varredura do feixe de um sistema
Figura 14.35 Obteno de polarizao circular com o aparo de can- de antena. aumentar a diretividade e realizar diversas outra
tos opostos de uma plaqueta quadrada e com a modificao de uma funes que seriam difceis de se realizar com um nico ele-
plaqueta circular em ligeiramente elptica e adio de estubes. mento. Os elementos do conjunto podem ser alimentado por
uma mesma linha, como mostrado na Figura 14.36(a), ou por
mltiplas linhas na configurao de um circuito de casamento.
como ilustrado na Figura 14.36(b). O primeiro caso referido
H algumas outras maneiras prticas de obter polarizao
como circuito de alimentao srie, e o segundo como circuito
quase circular. No caso de uma plaqueta quadrada isso pode ser
de alimentao coletiva.
conseguido cortando fenda muito estreitas, como indicado na O circuito de alimentao coletiva usado para prover divi-
Figura l4.34(a,b), com dimenses ses de potncia de 2" (isto , de 2, 4,8, 16,32, etc.), o que e
L W consegue com o emprego de linhas afiladas. como mostrado na
c =- =- (l4-102a)
Figura 14.37(a), para casar elementos de plaquetas de 100 ohrn
2.72 2,72
a uma entrada de 50 ohms, ou usando transformadore de' -
c L W pedncia de quarto de onda, como mostrado na Figura 1- _-
d = 10 = 27.2 = 27.2 (l4-102b) [3]. O projeto de tran formadores de impedncia de quano ee
onda de uma ou mltiplas ees discutido na Seo 9 -
Uma forma alternativa aparar as extremidades de doi cantos
Conjuntos com alimentao srie podem ser conveni ~
opostos de uma plaqueta quadrada e aliment-Ia nos pontos I e
mente fabricados usando tcnicas de fotolitografia tanto
3. como indicado na Figura 14.35(a). Uma polarizao circular elementos radiantes como para o circuito de alimenta ,..
tambm pode ser obtida de uma plaqueta circular tornando-a
entanto, essa tcnica de alimentao limitada a conjunt
ligeiramente elptica e acre centando estubes. como indicado feixe fixo ou queles em que a varredura se d por ariac
na Figura 14.35(b). freqncia, mas pode ser aplicada a conjuntos colineare
planos de polarizao simples ou dupla. Alm disso, qual
mudana em um dos elementos ou linhas de alimentao
r"'~~~~;~~"~~:~"""""""""""""""""""1 o desempenho dos outros. Portanto, em um projeto impo
te que este e outros efeitos possam ser levados em conta.
acoplamento mtuo e reflexes internas.
Uma antena de plaqueta retangular, cujo substrato RT/duroid
Conjuntos com alimentao coletiva so gerais e ver te
5880 (s, = 2,2), de espessura h = 0,1588 em, tem, na freqncia
central de 10 GHz, uma largura de banda fracionria de cerca de Com este mtodo de alimentao o projetista tem mais con
5%, considerando uma TOE de 2: I. Nesta largura de banda, de- le da alimentao de cada elemento (amplitude e fase), o qu
termine as freqncias de ressonncia as ociadas s duas dimen- ideal para conjuntos com varredura de fase, conjuntos de m
ses da antena de plaqueta retangular e a razo entre as duas ti pios feixes ou conjuntos de feixe formatado. Como di cuti
dimen es. no Captulo 6. a fase de cada elemento pode ser controla
Soluo: O fator de qualidade total Q, da antena de plaqueta usando defasadores, enquanto a amplitude pode ser aju ta
calculado usando (14-88a), ou com o emprego de amplificadores ou atenuadores. A Fig
I 14.38 mostra um conjunto com varredura eletrnica de fas
Qt=~=14.14
0,05v2
Usando (l4-99a) e (l4-99b),
10 x 109
fi = = 9.664 GHz
"'1 + 1/14.14

(14-98),
h = 10 x 109)1 + 1/14,14 = 10.348 GHz

A razo entre as duas dimenses da antena, de acordo com

E?COI
(a) Alimentao srie
L 1 1
- = 1+ - = I + -- = 1,07
W Q, 14.14 (b) Alimentao coletiva

indicando que a plaqueta quase quadrada.

Figura 14.36 Configuraes de alimentao para conjuntos de pla-
: : quetas de microfita.
 Antenas de Microfita 177

t
Entrada de 50 ohms

(a) Linhas afiladas

~ ~
50 Q 70 Q 100 Q 70 Q 50 Q 50Q70Q ioo n 70Q50Q

-I ~/..-50Q 50Q
4

50Q 70 Q 100Q 100 Q 70Q 50Q

t
Entrada de 50 ohms

(b) Transformadores de '1../4

Figura 14.:J7 Transformadores de impedncia de linha atilada e de quarto de onda para casar plaquetas de 100 ohms a uma linha de 50 ohms.
(FONTE: R. E. Munson, "Conforrnal Microstrip Antennas and Microstrip Phased Arrays", IEEE Trans. Antennas Propagat.,Vol. AP-22, N." 1, ja-
neiro de 1974. 1974 IEEE.)

Figura 14.:J8 Antena conjunto de 10 X 10 plaquetas retangulares de microfita, 2-2,3 GHz, para comunicao espao-espao. (Cortesia: Ball
Aerospace & Technologies Corp.)
178 Captulo Quatorze

./
- -- - <, ./
--- - <, ./
--- - <,
de alimentao da face radiante do conjunto, o que feito usan-

'O' 'O' (O)

'O'
do alimentao por sonda ou acoplamento de aberturas.

(O)
,
(O) , -,
Conjuntos podem ser analisados usando a teoria do Captulo
6. No entanto, tal abordagem no leva em conta efeitos de aco-
plamento mtuo que, para plaquetas de microfita, podem er
---- -
/

- - -- -
/ /
<, ./ <, ./ <, ./

- significativos. Portanto, para resultados mais precisos devem

- -- <, --- .....
<,
- - -, ser obtidas solues de onda completa. No caso de conjunto

(O')
<,

(O')
./ ./ ./

ID'
de antenas de microfita [63], assim como no de qualquer outrc
T
2c
I
I
/

b~.
a
\
\
I
tipo de conjunto [90], o acoplamento mtuo entre elemento
pode introduzir cegueira de varredura, que limita, para um dad
\ c

1 - - - - ---
I
, <, ./
/
\
<, ./
/
/
, <, ./
/
coeficiente mximo de reflexo, o volume angular em que
conjunto pode ser varrido. Para antenas de microfita a limita
- -
de varredura fortemente influenciada por ondas de superfcie
no interior do substrato. O volume angular de varredura pod
(a) Vista superior ser estendido com a eliminao das ondas de superfcie. ma
maneira de fazer isso usar cavidades conjuntamente com ele-
mentos de microfita [50], [51]. A Figura 14.39 mostra um con-
junto de plaquetas circulares sobre cavidades circulares ou re-
tangulares. Demonstrou-se que a presena das cavidades, sej
circulares ou retangulares, pode representar um aumento con-
sidervel do volume angular de varredura no plano E, especi -
mente no caso de substratos mais espessos [51]. O volume an-
(b) Vista lateral gular de varredura no plano H no aumentado de forma con-
sidervel. Contudo, a forma da cavidade, circular ou retangul
Figura 14.39 Conjunto de plaquetas circulares sobre cavidades cir-
culares. (Cortesia J. T. Aberle e F. Zavosh.)
no tem forte influncia sobre os resultados. A Figura l-t.-
mostra tpicos resultados, nos planos E e H, para um conjun
infinito de plaquetas circulares com coeficiente de reflexo
sado na direo broadside, substrato de espessura 0,08 e
CATDRSS) de 10 X 10 elementos retangulares de microfita, vidades circulares e retangulares. O coeficiente de reflexo
operando na faixa de freqncias de 2-2,3 GHz e usado em co- sado na direo broadside fC8, cf;) definido como
municao espao-espao.
fC8,cf;) = ZinC8.cf;) -Z~ICO,O) (14-1 ~
Aqueles que j projetaram e testaram conjuntos de antenas
de microfita indicam que a radiao da linha de alimentao,
. ZinC8,cf;) + ZinCO, O)
tanto da alimentao srie como da coletiva, um problema s- onde Z;"C8,cf;) a impedncia de entrada do feixe princip
rio que limita a polarizao cruzada e o nvel de lbulo secun- direo de um ngulo C(),cf;). Os resultados so comparado
drio do conjunto [38]. Tanto a polarizao cruzada como o nvel os de um conjunto convencional (sem cavidades). Fica evi
de lbulo secundrio podem ser melhorados isolando o circuito te que h um significativo aumento na varredura de pl

1,00
-- Plaqueta convencional (plano E)
............ Cavidade circular (plano E) Plano E
-----. Cavidade retangular (plano E) (convencional)
0,80 - - - - .. Plaqueta convencional (plano H)
- - - - Cavidade circular (plano H)
C - -_. _ Cavidade retangular (plano H)
--TOE2:1
o
'">< 0,60
"e
c:: a = O,156.o
b = O,195.o
"
"O
~ c = O,25o
0,40
s
'
<.::
TOE2:1
U
"
o

0,20

0,00
0,0 30,0 40,0 50,0 60,0 70,0 80,0 90,0
ngulo de varredura ()o (graus)

Figura 14.40 Coeficientes de reflexo de entrada casados na direo broadside de planos E e H, em funo do ngulo de varredura.p
conjunto infinito de plaquetas circulares de microfita com e sem cavidades. (Cortesia: J. T. Aberle e F. Zavosh.)
 Antenas de Microfita 179

especialmente para uma TOE de cerca de 2: 1. O aumento de teoricamente ocorre quando o coeficiente de reflexo unitrio,
varredura no plano H ocorre para coeficientes de reflexo maio- atribuda ao acoplamento entre os elementos do conjunto devi-
res que cerca de 0,60. Para o conjunto convencional a resposta do a ondas de fuga [63]. Cegueira de varredura ocorre tanto no
de plano E exibe um maior coeficiente de reflexo, que se apro- plano E como no plano H incidncia rasante (()o = 90).
xima da unidade nas proximidades de um ngulo de varredura Um sumrio dos parmetros pertinentes, frmulas associadas
de ()o = 72,5. Isso evidencia uma cegueira de varredura, que e nmero das equaes deste captulo listado na Tabela 14.2.

Tabela 14.2 Sumrio de Parmetros Importantes, Frmulas Associadas e Nmeros de Equaes

Parmetro Frmula Nmero da Equao

............................................................................ ........................................................................................................................... ..................................................
Modelo de Linha de Transmisso - Plaqueta Retangular

Constante dieltrica efetiva _ 1':,. + 1 e, - 1 [ h J-1/2 (14-1 )

sre/(W/h I) Orei- -2- + -2- 1 + 12W

Comprimento efetivo Lei Lei = L + 2.L ( 14-3)

Extenso de comprimento normalizada (14-2)

I1Uh ci. (oref + 0,3) [: + 0.264 J
- =0,412 W
h (I':rel- 0.258) [ Ir + 0.8 J

Freqncia de ressonncia; modo dorni- 1 ( 14-4)

nante (L > W) (semfranjamento) (fr)OIO = 2L.ft;~e, J1.000

Freqncia de ressonncia; modo domi- 1 (14-5)

(frc)OIO =
nante (L > W) (comfranjamento) 2Lel.JE,;j JJ1.ol':o

Condutncia da fenda G1 h 1 (l4-8a)

I
GI = -- W [ 1- -(k h) 2J - <-
120o 24 o , x, 10

Susceptncia da fenda BI W h 1 (14-8b)

81 = 120 [1-0.636In(koh)], -<-
o o 10

Resistncia de entrada da fenda Ri" (na 1 ( 14-16)

R =-
jll
ressonncia; sem acoplamento) 2GI

Resistncia de entrada da fenda Ri" (na 1 ( 14-17)

R -
ressonncia; com acoplamento) 111 - 2(GI G12)

+ para modos com simetria mpar

- para modos com simetria par

Resistncia de entrada Ri,,(y = Yo) Ri,,(Y = Yo) = Ri,,(Y = Oj cos" (~Yo) (14-20a)
(sem acoplamento)

= 2G1I cos2 ZYo C )

Resistncia de entrada Ri,,(y = Yo) (com Ri,,(Y = )'0) = Ri,,()' = O) cos? (~Yo) (14-20a)
acoplamento)

1
=2(GIGI2)cos-
? CZYo )
Modelo de Cavidade - Plaqueta Retangular

Freqncia de ressonncia (f".)0I0;modo 1 (14-33)

dominante (L > W) (semfranjamento) (frc )010= 2L Fre, ~ J1.oco
......................................................................................................................................................................................................... ...................................................
(continua na prxima pgina)
180 Captulo Quatorze

Tabela 14.2 (Continuao)

............................................................................. ............................................................................................................................ ...................................................
Modelo de Cavidade - Plaqueta Retangular
0'0 ........................................................................................................................... ..................................................
Freqncia de ressonncia (f,)OIO;modo 1 (14-5)
(f, )010 =
dominante (L > W) (comfranjamento) 2Lef~J/1-oSo
............................................................................ ........................................................................................................................... ..................................................
Freqncia de ressonncia (j,.)OOI; modo 1 (14-34)
(f,)OOI =
dominante (L > W> U2 > h) (sem 2W..;e;.JMoSo
franjamento)

Freqncia de ressonncia (j,.)020;modo 1 (14-35)

(fr)020 =
dominante (L > U2 > h) (sem franja- L..;e;.JMoSo
mento)

Campo eltrico total E~ E~ = E~(fenda nica) x AF (l4-40a) -

(14-41), (14-43)

Fator de conjunto (AF)y (14-42)

(AF)y = 2cos CoLe
-2-senesen4> )

Diretividade Do (fenda nica)

Do=
I:~;;=m"m"1)~ 5.2d8
W

Wo
1.0 (14-54)

Diretividade Do (duas fendas)

Do=
I:.~;';i="i'OOI)~ 8.2d8,
W 1.0

Wo
( 14-57)

Modelo de Cavidade - Plaqueta Circular

Freqncia de ressonncia (f,)IIO; modo 1,8412 (14-66)

(f,)11O =
dominante TM 110 (sem franjamento) 2na..;e;.JMoso

Freqncia de ressonncia (j,.) 110; modo 1,8412 (14-68)

(f,c) I 10 =
dominante TMI10 (comfranjamento) 2n ae..;e;.J Mo Eo

Raio efetivo a,
a, = a { 1 + --2h [In
n ae,
a
2h
) C + 1,7726] r 2 (14-68)

Raio fsico a F (14-69)

a=
{ 1 + ns,F
2h [ In ( 2h
it F ) + 1,7726] l"
8,791 x 109
F= (hem cm) (14-69a)
j;..;e;.

Diretividade Do (koae)2 (14-80)

Do=---
120Grad

Condutncia de radiao Grad (koae)2

Grad = ~
1][/2
o [(J02) + cos
I 2 2 ?
e (Joz)-] sen de
(14-76)

Jz = Jo(koaesene) -1z(koaesene) (14-72d)

JQ2 = Jo(koae sen e) + 1z(koae sen e) (l4-72e)
............................................................................ ............................................................................................................................ ........................................... ~
(com;
180 Captulo Quatorze

Tabela 14.2 (Continuao)

............................................................................. ............................................................................................................................ .... , ............ , ..................................

Modelo de Cavidade - Plaqueta Retangular

............................................................................ ........................................................................................................................... ...................................................

Freqncia de ressonncia (f,)OIO; modo 1 (14-5)

dominante (L > W) (comfranjamento)
(f,)OIO =
2Lef.j8,;j J J1.0
So
............................................................................ ........................................................................................................................... .....................................................

Freqncia de ressonncia (f,)OOI; modo 1 (14-34)

(f,)OOI =
dominante (L > W> U2 > h) (sem 2 WFrJIJ.o So
franjamento )

Freqncia de ressonncia (f,)020;modo 1 ( 14-35)

(f,)020 =
dominante (L > L/2 > h) (sem franja- L FrJJ1.o So
mento)

Campo eltrico total E~ E~ = E",(fenda tnica) x AF (14-40a) -

(14-41), (14-43)

Fator de conjunto (AF\ (14-42)

(A F)y = 2 cos CoLe
-2- sen8 sen <fi )

Oiretividade Do (fenda nica)

D. ~ I :~~;"""WMI) ~ 5.2d8,
W o

W x,
(14-54)

Oiretividade Do (duas fendas)

Do=
I:.~;;;"""';"MI)~ 8.2d8,
W o

W x,
~14-57)

Modelo de Cavidade - Plaqueta Circular

Freqncia de ressonncia (f,)IIO; modo 1,8412 (14-66)

(f,)IIO =
dominante TMllO (semfranjamento) 2rraFrJJ1.o So

Freqncia de ressonncia (f,)IIO; modo 1,8412 (14-68)

dominante TMllO (comfranjamento)
(f,c)IIO =
2rraeFrJJ1.oso

Raio efetivo a, { 2h na } 1/2 (14-68)

ae=a 1+-[ln(-)+1,7726]
n ae, 2h

Raio fsico a
a=
{ 1 + -- 211 [ In
n e.F
F

(rr2hF)
- + 1,7726 ] r 2
( 14-69)

8,791 x 109
F= ; (hem em) (14-69a)
j,,j;

Oiretividade Do D __ (k o_e_
a )2 (14-80)
0- 120Grad

Condutncia de radiao Grad (koae)2 1,,/2 f' 2 , (14-76)

Grad = 4W o [(102)- +cos 8(02)-]sen8d8

Jz = Jo(koaesen8) - }Z(koQesen8) (14-72d)

J02 = Jo (koaesen8) + }z(koaesen8) (14-72e)
........................................................................................................................................................................................................ ......................................
(co
180 Captulo Quatorze

Tabela 14.2 (Continuao)

.........................................................................................................................................................................................................................................................

Modelo de Cavidade - P/aqueta Retangular

......................................................................................................................................................................................................................................................
Freqncia de ressonncia (f,)01O; modo (J 4-5)
dominante (L > W) tcom franjamentov
......................................................................................................................................................................................................................................................
Freqncia de ressonncia (f,)00l; modo ( 14-34)
dominante (L > W> U2 > h) (sem
franjamentoy

Freqncia de ressonncia (f,)020; modo ( 14-35)

dominante (L > U2 > h) (sem franja-
mento)

Campo eltrico total E~ E~ = E4>(fenda Lnica) x A F (14-40a) -

(14-41), (14-43

Fator de conjunto (AF)y ko L, ) ( 14-42)

(AF), = 2eos ( -2- senO en</>

Diretividade Do (fenda nica) W o (14-54)

W o

Dixeti.vidade DI) (duas fendas)

Modelo de Cavidade - Plaqueta Circular

Freqncia de ressonncia (f,)"o; modo

dominante TM"o (sem franjamento)

Freqncia de ressonncia (f,), 'o; modo (I

dominante TMllo (com franjamentov

Raio efetivo a,
a, = a { I +~
n ae,
[In (lr211a ) + 1,7726] } , '2
Raio fsico a F
a = --------~------------~~
{
I + ~
n e.F
[In (lr2hF) + 1.7726] } , '2
8,791 x 109
F = (hem em) (I
f,ft;

Diretividade Do (k a )2
D = _0_'_ 1-
o 120Grad

Condutncia de radiao Crnd

1fn = 10 (koa.senO) - h(koaesenB)

.............................. , , ': .. :.~~.~~~.~~.~.~~.~~,.~ .. ~~.(~~.~.~.~~~~.~ 1 _-------.

 Antenas de Microfita 181

TDbelD 14.2 (continuao)

......................................................................................................................................................................................................... , .
Modelo de Cavidade - Plaqueta Circular
.........................................................................................................................................................................................................................................................
Resistncia de entrada RinCP' = Po)
(14-82)

(l4-82a)
(14-79)

(14-77)

emo tan li , ,
Gd = ---[(ka,)- -m-j ( 14-78)
4/10 hf r
onde para o modo mnO (m = n = 1 para o modo dominante)

emo =2 para m =O
emo = I para m i' O

Fator de qualidade total Q, I I I 1 1 ( 14-83)

-=-+-+-+-
Q, Qrad Qc o. Qsw

Para h o
I
Qd=- (14-84), (14-85)
tan

2we,.
Q,.(td = hG,j IK; (14-86), (14-86a)

t;,.f TOE - I (l4-88a)

Largura de banda fracionria t;,.f
t: t. Q,JTOE

5. A. G. Derneryd, "Linearly Polarized Microstrip Antennas," IEEE

14.9 MULTIMDIA Trans. Antennas Propagat., Vol. AP-24, No. 6, pp. 846-851, No-
o CD que acompanha este livro, os seguintes recursos multi- vember 1976.
mdia so includos para reviso, compreenso e visualizao 6. L. C. Shen, S. A. Long, M. R. Allerding, and M. D. WaJton, "Res-
do material deste captulo: onant Frequency of a Circular Disc, Printed-Circuit Antenna,"
IEEE Trans. Antennas Propagat., Vol. AP-25, No. 4, pp. 595-596,
a. Questionrio interativo, baseado em Java, com respos- July1977.
tas. 7. P. K. AgrawaJ and M. C. Bailey, "An Ana1ysis Technique for Mi-
b. ProgramadecomputadorparaMATLABeemFORTRAN, crostrip Antennas," IEEE Trans. Antennas Propagat., Vol. AP-25,
chamado Microstrip, para clculo e exibio grfica das No. 6, pp. 756-759, November 1977.
caractersticas de radiao de antenas de plaquetas retan- 8. A. G. Derneryd, "A Theoretical Investigation of the Rectangular
gulares e circulares de microfita. Microstrip Antenna Element," IEEE Trans. Ante/mas Propagat.,
c. Slides coloridos de Power Point (PPT). Vol. AP-26, No. 4, pp. 532-535, July 1978.
9. Proc. of the Workshop on Printed-Circuit Antenna Technology,
October 17-]9, 1979, New Mexico State Univ., Las Cruces,
REFERNCIAS M.
1. G. A. Deschamps, "Microstrip Microwave Antennas," Presented 10. A. G. Derneryd, "Analysis of the Microstrip Disk Antenna Ele-
at the Third USAF Symposium on Antennas, 1953. ment," IEEE Trans. Antennas Propagat., Vol. AP-27, o. 5, pp.
2. H. Gutton and G. Baissinot, "Flat AeriaJ for U1tra High Frequen- 660-664, September 1979.
cies," French Patent No. 703 113, 1955. 11. A. G. Derneryd, "Extended Ana1ysis of Rectangular Microstrip
3. R. E. Munson, "Conforma] Microstrip Antennas and Microstrip Resonator Antennas," IEEE Trans. Antennas Propagat., Vol. AP-
Phased Arrays," IEEE Trans. Antennas Propagat., Vol. AP-22, o. 27, No. 6, pp. 846-849, November 1979.
1, pp. 74-78, January 1974. 12. Y. T. Lo, D. Solomon, and W. F. Richards, "Theory and Experi-
4. J. W. Howell, "Microstrip Antennas," IEEE Trans. Antennas Prop- ment on Microstrip Antennas," IEEE Trans. Antennas Propagat.,
agat., Vol. AP-23, No. 1, pp. 90-93, January 1975. Vol. AP-27, No. 2, pp. 137-145, March 1979.