AUDIO

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Aplicando en la prctica los conocimien-

A MPLIFICADOR DE tos tericos vertidos en Saber Electrni-
ca N 149 y 150, describiremos a conti-
nuacin el circuito completo de un ampli-
AUDIO HIGH END ficador de audio de alta potencia disea-
do con MOS-FET. Se trata de un diseo
de los laboratorios Pass.

Por Egon Strauss

1.) El Circuito del Amplificador
Para evaluar el circuito completo de
este modelo, observaremos las figuras 1
y 2, en las cuales se ilustra un canal
completo del amplificador estereofni-
co; la de la seccin de excitador es la
primera y la de la seccin de etapa de
salida es la segunda de las dos figuras.
Comenzando por la etapa de salida
con una rpida visin previa, vemos que
se usan dos bancos de 12 transistores
MOS-FET en paralelo. Esta configura-
cin de drenaje comn es muy caracte-
rstica para los transistores MOS-FET,
que de esta manera solo aportan ganan-
cia de corriente y no de tensin. Los
dispositivos MOS-FET estn arreglados
de forma complementaria, con los de
canal P en el lado negativo del circuito
y los de canal N del lado positivo. En
concordancia con lo expuesto anterior-
mente, se encuentran en serie con com-
puerta y surtidor sendos resistores que
cumplen las funciones ya conocidas. El
resistor de compuerta impide las oscila-
ciones y el del surtidor asegura una dis-
tribucin equitativa de la participacin
de corriente en cada dispositivo.
Un problema muy serio en el cone-
xionado en paralelo de transistores, tan-
to bipolares como MOS-FET, es el
coeficiente de temperatura que tiene un
comportamiento muy particular en ca-
da caso. En los transistores bipolares
existe un coeficiente de temperatura po-
sitivo que, produciendo que la tensin
de juntura VBE baje con la temperatu-
ra, causa un incremento de la corriente
base-emisor. Al aumentar la corriente,
baja la tensin aun ms, se produce un
circulo vicioso que puede terminar en
un escape trmico (thermal runaway),
capaz de destruir el transistor en pocos
segundos.
Este coeficiente de temperatura es
responsable de la segunda tensin de
ruptura en los dispositivos bipolares que
limita seriamente la utilizacin de un
transistor en tensiones altas al producir
puntos calientes en la superficie del
transistor que modifican la curva de la
corriente del transistor. En un caso tpi-
co vemos por ejemplo que el transistor
bipolar MJ15024 est calificado para
una disipacin de 250 watt con una
tensin de 25 volt, pero decae a 100
watt con una tensin de 100 volt. Este
fenmeno, denominado en ingls cu-
rrent hogging, es la causa por la cual es
necesario que en el funcionamiento en
paralelo de transistores bipolares se debe
usar resistores de emisor para obtener
una participacin pareja de la corriente
de todas las unidades.
En transistores MOS-FET la situa-
cin es algo diferente debido a que el
coeficiente de temperatura de los mis-
mos es positivo hasta una corriente rela-
tivamente elevada, pero despus se
transforma en negativo. En el caso del
amplificador que estamos describiendo,
el coeficiente es positivo hasta unos 3A,
de manera que bajo condiciones nor-
males de funcionamiento, la polariza-
cin aumentar ligeramente al aumen-
tar la temperatura.
Sin embargo otro factor muy im-
portante es la tensin entre compuerta
y surtidor, VGS, del MOS-FET que de-
be ser balanceada cuidadosamente en
para poder usar los diferentes transisto-
res en paralelo. De otra manera, algunas
unidades llevarn toda la carga y otras
ninguna o poca. Diferencias en VGS
entre diferentes ejemplares pueden lle-
gar a 0,5 volt.
Todos estos problemas son reduci-
dos si se usa transistores MOS-FET ba-
lanceados (matched). Adems al usar re-
sistores en el surtidor del orden de 1
se soluciona este problema. El conjunto
de los 24 transistores agrega solo 0,04
a la impedancia de salida de lazo abier-
to. Se obtiene as una estabilidad de po-
larizacin de la etapa de salida.
Otro aspecto que se soluciona con
resistores de esta magnitud (1) al ac-
tuar como proteccin del conjunto en

46 Saber Electrnica N 153


Figura 1
caso de fallar una unidad. Esto permite
proteger a todas las dems unidades y
limitar la falla a la unidad defectuosa.
Por otra parte, si se desea reducir el
valor hmico de este resistor, es factible
bajar su valor a 0,33 con resultados
satisfactorios, siempre que todas las uni-
dades estn bien balanceadas.
Como el amplificador debe funcio-
nar en clase A, es necesario polarizar las
etapas en consecuencia. Se utiliza para
ello las fuentes de tensin provistas por
Q11. Se emplea en esta etapa una pola-
rizacin entre compuerta y surtidor, la
tensin VGS. Este concepto es similar
al que se usa muchas veces en amplifi-
cadores con transistores bipolares con la
tensin entre base y emisor VBE en un
circuito multiplicador.
AUDIO
ra el banco de
canal N.
Se conecta
el potenci-
metro P3 so-
bre los termi-
nales de com-
puerta y surti-
dor del MOS-
FET de pola-
rizacin para
protegerlo de
interrupciones
accidentales.
En este caso al
fallar desapa-
rece la polari-
zacin y se
evitar una
conduccin
excesiva. La
conexin de
C7 sobre Q11
asegura baja
impedancia y
caractersticas
pasivas en al-
tas frecuen-
cias.
En el cir-
cuito de las fi-
guras 1 y 2
abarcamos to-
En el caso de los MOS-FET debe- do el amplificador A75 y en estos cir-
mos recordar que la tensin VGS es del cuitos debemos observar algunas otras
orden de los 3,5 a 5 volt. Por este moti- caractersticas muy importante. Una de
vo se ajusta el conjunto resistor R80 y ellas es la conexin de los diodos zner
potencimetro P3 hasta que en P3 apa- Z3 y Z4 entre excitacin y salida. Estos
rezca una tensin VGS = 4 volt. En es- diodos zner proveen una proteccin de
tas condiciones se obtendr una co- las compuertas de salida con respecto a
rriente a travs de ambos componentes eventuales casos de sobreexcitacin.
que producir una tensin constante. En el punto nodal de salida vemos
La tensin de polarizacin para Q11 es tambin un circuito RC consistente de
la suma de ambas tensiones de acuerdo R31 y C8. Este circuito ayuda a estabi-
a la siguiente expresin: lizar el amplificador para el caso de
VR80+P30 aplicarlo a cargas complejas que puedan
Esto produce una tensin VGS = 4 producir oscilaciones resonantes de alta
volt. Para polarizar entonces la etapa de frecuencia causadas por la excitacin de
salida hacia la conduccin se necesitan cargas reales con sus respectivos cables
unos 9 volt sobre Q11, que se compo- de conexin. Este tipo de circuito es
nen de 4,5 volt para el banco de transis- usado en muchos amplificadores de es-
tores de salida de canal P y 4,5 volt pa- tado slido de toda ndole.
Saber Electrnica N 153 47

Figura 2
Se usa tambin un agregado de rea-
limentacin que incluye los drenajes de
Q9 y Q10 y su conexin a R3 a travs
de los resistores R23 y R24. Esto per-
mite lograr dos puntos de salida que
poseen la misma tensin alterna, pero
estn polarizados con una diferencia de
9 volt. Los resistores R23 y R24 dividen
estos 9 volt en la mitad y logran as un
punto de tensin media que es casi
idntico con la tensin de salida real.
La presencia del resistor R81 se de-
be a la seleccin del grado de realimen-
tacin negativa que deseamos incluir en
el amplificador. Al mismo tiempo pode-
mos analizar a fondo algunos aspectos
relacionados con el efecto de la presen-
cia en mayor o menor grado de esta rea-
limentacin sobre el circuito.
Los extremos son las siguientes: R81
igual a cero significa que toda la reali-
mentacin proviene de la etapa de sali-
da, en un 100%. R81 igual a
infinito (circuito abierto) signi-
fica que no habr realimenta-
cin desde la etapa de salida,
pero en cambio el nico paso
de realimentacin vendr de la
etapa de salida del circuito de
entrada, a travs de los resisto-
res R23 y R24. En este caso la
etapa de salida del amplifica-
dor y su salida no estarn in-
cluidas en el lazo de realimen-
tacin. En la figura 3 vemos la
curva de respuesta del amplifi-
48 Saber Electrnica N 153
Amplificador de Audio HIGH END
cador sin realimentacin desde la etapa
de salida, con R81 abierto, con valor
infinito o mejor expresado, sin resistor
R81. Se observa que esta curva muestra
una respuesta muy lineal y con un valor
mximo de 0,3% en el valor de poten-
cia especificado. Muchos expertos opi-
nan que este resultado hace que el ren-
dimiento del amplificador con MOS-
FET sea muy parecido al de amplifica-
dores a vlvulas. Consideramos que este
tipo de comparacin es sumamente elo-
gioso, tanto para el amplificador a
MOS-FET, como para el amplificador a
vlvulas. No debemos olvidar que esta-
mos en presencia de equipos High End
en ambos casos.
Entre los dos extremos de valores de
R81, cero e infinito, existen sin embar-
go mltiples variantes que sern trata-
das a continuacin. Una de las posibili-
dades es elegir los valores de los resisto-
Figura 3
res de tal manera que R23 y R24 sean
iguales a R81. En este caso particular,
un 50% de la realimentacin proviene
del circuito de cada uno de ellos. Otras
variantes permiten modificar el valor de
R81, de tal manera que con un valor
ms bajo habr ms realimentacin des-
de la etapa de salida y con un valor ms
alto habr menos. La cifra de distorsin
sufre un cambio proporcional con el va-
lor de R81, debido a que la realimenta-
cin desde la etapa de salida es mxima
con el valor cero de R81.
La modificacin de este valor tiene
sin embargo tambin una importante
influencia sobre la cifra de rechazo de
modo comn (CMRR) de la etapa de
entrada balanceada del amplificador,
como fue ya mencionado ms arriba.
Se observar que al aumentar el va-
lor de R81 desde cero, se presentar
una reduccin en el valor de CMRR.
Este aspecto es sin embargo so-
lo de importancia si se usa una
entrada balanceada. Si se decide
usar slo la entrada positiva y
cortocircuitar la entrada negati-
va, esta disminucin del factor
CMRR no influir. Lo mismo
sucede si no se necesita un
CMRR muy alto para obtener
el valor de rechazo de ruido que
se necesita en la prctica en el
amplificador. Sin embargo, si se
desea lograr el mximo valor
posible del CMRR, ser necesa-
 AUDIO
rio calibrar los resistores de realimenta- alta impedancia. En el modo no-balan- paralelo de R5, R28 y R30 (de 1,34
cin reduciendo los valores de R3 y ceado, la llave cortocircuita la entrada Kilohm) Esta impedancia de entrada
R27 por un valor similar a R81 y colo- negativa y desconecta los resistores R28 de 475 + 1340 = 1815 aparece en for-
car eventualmente un tercer resistor en y R5, dejando R30 a masa para una im- ma individual en ambas entradas del
este circuito. Una forma sencilla de pedancia de entrada de 75k. Cuando modo comn con respecto a seal y
conseguir esta calibracin seria usar un la llave se encuentra en el modo balan- ruido.
potencimetro de 1 Megohm y ajustar- ceado, se conectan los resistores R28 y En la entrada positiva es tambin
lo hasta lograr el mejor valor de R5 a masa. Para compensar entonces el este el valor de impedancia para la se-
CMRR. Un valor nominal de 40dB es agregado de R30 en la entrada positiva al, debido a que el circuito de la entra-
aceptable y el valor encontrado sin pro- y para mantener un factor CMRR co- da positiva no est conectado con la sa-
blema en este modelo es mejor que rrecto, resulta necesario agregar R27 en lida del amplificador y esta impedancia
60dB. paralelo con R3 en el lazo de realimen- es pasiva. En la entrada negativa, sin
Con respecto a los capacitores C9 y tacin. embargo, intervienen tanto la impedan-
C10, debemos sealar que son slo op- El amplificador A75 posee una en- cia pasiva como las seales en la salida
tativos. Su valor no est indicado en trada balanceada sin necesidad de usar en la formacin de la impedancia de
forma expresa en el circuito de la figura ningn circuito activo externo, lo que entrada.
1, debido a que el mismo puede variar significa una ventaja. El precio que de- Asumiendo que las entradas de la
entre 5 y 39pF. La presencia de estos bemos pagar por esta prestacin es sin seal diferencial sean iguales en ampli-
capacitores slo es necesaria en el caso embargo una impedancia baja para un tud pero opuesta en fase en las dos en-
que haya un problema de distribucin rendimiento alto. El motivo es que los tradas, podemos apreciar que el funcio-
de componentes o algn motivo similar transistores MOS-FET poseen capaci- namiento del lazo de realimentacin
de lugar a oscilaciones de alta frecuencia dades finitas que pueden interaccionar tratar de formar tensiones iguales en
que con la colocacin de estos capacito- con circuitos complejos de alta impe- las compuertas de los transistores
res quedar eliminada. Si no hubiera os- dancia. Para prevenir entonces eventua- MOS-FET del par diferencial. En el
cilaciones sin los capacitores, no ser les distorsiones en frecuencias altas es ejemplo de 1 volt de tensin en la en-
necesario colocar los mismos. Adems necesario mantener los valores resistivos trada positiva, la tensin de la compuer-
debe considerarse en este caso tambin tan bajo como sea posible. ta ser 0,738 volt. Este mismo valor de
la posibilidad de incrementar el valor de En la figura 4 vemos un circuito 0,738 volt aparecer entonces tambin
los resistores de compuerta de los equivalente del funcionamiento en mo- en la entrada negativa del resistor R2 de
MOS-FETs. do balanceado. En un amplificador di- 475. Si se excita entonces simult-
Para el caso en que la entrada nega- ferencial existen cuatro maneras para neamente con 1 volt, la corriente a
tiva del circuito de entrada balanceada analizar un circuito de esta naturaleza: travs de R2 se comporta como si R2
quede abierta, pueden presentarse ines- la impedancia de entrada de modo co- fuera 475/1,738 = 273. Bajo estas cir-
tabilidades que deben eliminarse por mn, la impedancia de entrada positiva, cunstancias, la impedancia de entrada
medio de los resistores R28 y R29. la impedancia de entrada negativa y la de la parte negativa del par balanceado
Se observa que en el diseo del impedancia de la entrada diferencial. La es menor que el resistor de entrada y
equipo A75 se tomaron en cuenta mu- impedancia de entrada de modo comn debe ser tomada en cuenta. A su vez la
chas variantes causadas por componen- con respecto a seal y ruido, es R4 (de impedancia diferencial en la entrada ba-
tes y/o armado y la forma como com- 475) en serie con la combinacin en lanceada es la suma de las impedancias
pensar las mismas. Al mismo
tiempo creemos que este tipo Figura 4
de anlisis es sumamente fa-
vorable para una comprensin
en profundidad de estos fen-
menos.
En el circuito de entrada
de la figura 1 vemos la pre-
sencia de una llave que permi-
te la conmutacin entre un
circuito de entrada balancea-
do de baja impedancia a otro
de entrada no-balanceada de

Saber Electrnica N 153 49

 Amplificador de Audio HIGH END
TABLA 1. Lista de transistores MOS-FET con sus equivalencias.

TIPO Canal Disipacin Corriente RDS Reemplazos

IRFD110 N 1 WATT 0,5 AMP <1 OHM IRFD113, IRFD123, IRFD120, IRFD223, IRFD210, IRFD220,
IRFD9110 P 1 WATT 0,5 AMP <1 OHM IRFD9113, IRFD9123, IRFD9120, IRFD9220,
IRF510 N 20 WATT 4 AMP. <1 OHM IRF512, IRF612, IRF610, IRF710, IRF712, ECG2382,
IRF9510 P 20 WATT 4 AMP. <1 OHM IRF9512, IRF9612, IRF9610, ECG2372,
IRF230 N 75 WATT 9 AMP. <1 OHM IRF130, 2N6756, IRF231, IRF232, IRF233, IRF230, N6758, IRF330,
IRF9231 P 75 WATT 9 AMP. <1 OHM IRF9230, IRF9232, IRF9233, IRF9130, IRF9132,

de entrada, o sea 1815 + 273 = 2088.
Todos estos diferentes valores per-
miten varios circuitos de excitacin con
excelentes resultados. A continuacin
mencionaremos algunos.
Una de las variantes surge de la mis-
ma figura 4. En este caso la entrada po-
sitiva es excitada por un preamplifica-
dor adecuado que permita la excitacin
de un amplificador final cuya impedan-
cia de entrada sea del valor de 1815.
La entrada negativa puede terminarse
con un circuito pasivo del surtidor a
masa con la impedancia de salida que
requiera la fuente activa. En este caso se
logra la plena capacidad de rechazo de
ruido caracterstica de la entrada balan-
ceada y se evita la necesidad de excitar
una impedancia muy baja en la entrada
negativa.
Otra variante sera usar la entrada
negativa, ya que su impedancia balan-
ceada de 273 no es mucho ms baja
que el valor reglamentario de 300,
mitad del valor de 600, usado como
norma en circuitos balanceados.
Finalmente, si el preamplificador
elegido no puede excitar estas impedan-
cias bajas, siempre es posible usar la lla-
ve de balanceado no-balanceado y
operar en forma no-balanceada y se ob-
tendr una impedancia alta del orden
de los 75. Otras variantes son posibles
pero creemos haber demostrado amplia-
mente la versatilidad de este tipo de cir-
cuito.
En todos los casos el parmetro ms
importante de conservar es que los valo-
res en el sector positivo y negativo sean
idnticos, sin darle demasiado impor-
tancia al monto individual de estos va-
lores.
2.) La Prueba y Seleccin
de Transistores MOS-FET
La seleccin de componentes, sobre
todo de los transistores MOS-FET, es
muy delicada y es esencial para lograr
los resultados excelentes que los ampli-
ficadores de audio en base a MOS-FET
pueden brindar. Para facilitar esta tarea
presentamos en la Tabla 1 algunos tipos
de MOS-FET adecuados para cada fun-
cin (RDS es la resistencia entre drenaje
y surtidor).
En algunos proyectos se utilizan
muchos transistores MOS-FET en pa-
ralelo en distintas posiciones del circui-
to. Para lograr un resultado coherente
en este caso es necesario verificar los pa-
rmetros ms significativos de cada uni-
dad y ordenar las mismas de acuerdo a
esta clasificacin. El uso de un proba-
dor adecuado resulta indispensable y
por otra parte disponer de un instru-
mento de esta ndole puede ser intere-
sante para todo laboratorio cuyo tcni-
co desea trabajar con este tipo de com-
ponente. A continuacin describiremos
un instrumento sencillo pero confiable
para las pruebas ms importantes de
MOS-FET.
En la figura 5 vemos el circuito de
este probador de MOS-FET, en sus dos
versiones para transistores de canal N y
de canal P. La fuente de alimentacin
de este sencillo probador es de 15 volt,
con el positivo a un terminal de la
fuente y el negativo al otro terminal y a
masa. Se usa un resistor limitador de
corriente cuyo valor debe ser conocido,
ya que por intermedio del mismo se
puede hallar la corriente de cada uni-
dad. La misma surge de la siguiente ex-
presin:
I = (V-4) / R1 = 11/R1
Donde I es la corriente del transis-
tor que debemos emparejar. Un valor
nominal correcto sera por ejemplo 5
mA, para lo cual necesitamos un resis-
tor de 2,2k a partir de la fuente de 15
volt. Se calcula que la cada de tensin
en el MOS-FET es de 4 volt y por lo
tanto la corriente surge de la expresin
simplificada de I = 11/R1. La diferencia
entre la prueba con transistores de canal
N y de canal P consiste en la polaridad
con la cual los transistores son introdu-
cidos al circuito. En el caso del canal N
es el surtidor el que debe ir a masa y en
el caso del canal P es el drenaje que de-
be ir a masa. En ambas pruebas se co-
necta la compuerta al drenaje durante la
medicin.
El circuito de comprobacin es sen-
cillo, pero se puede usar para diferentes
comprobaciones y mediciones de todo
tipo de MOS-FET, adaptando los valo-
res de V y R1 para cada tipo de transis-
tor.
Generalmente, el balance entre tran-
sistores usados en las etapas de entrada
es ms crtico que el de las etapas de sa-
lida debido a que slo se dispone de
10mA desde la fuente de corriente de
polarizacin. Esta corriente debe ser re-
partida en forma igual entre todos los
MOS-FET del sector para lograr un
funcionamiento correcto. Se debe en-
tonces equilibrar la tensin de VGS de
todas las unidades conectadas. Con una
corriente de 5mA, el valor de la resis-
tencia equivalente del surtidor ser de
15. Asumiendo un equilibrio de la
corriente dentro de los 2mA, debemos
calcular la tensin VGS a equilibrar con

50 Saber Electrnica N 153

 AUDIO
TABLA 2. Spread de valores de VGS medidos en MOS-FET.
Figura 5
Canal N Canal P
VGS valor mnimo (para ISD = 170 mA) 4,00 volt 3,79 volt
VGS valor mximo (para ISD = 170 mA) 4; 57 volt 4,15 volt
VGS valor promedio (para ISD = 170 mA) 4,42 volt 4,01 volt

la expresin V= IR = 0,002 x 15 = MOS-FET slo es nece-

30mV. Por lo tanto con una corriente
de 5mA del circuito de prueba, debe-
mos conseguir un balance de 30mV
en los transistores de cada par. No es
necesario efectuar el balance en tran-
sistores fuera del par, sea de canal P o
de canal N.
Si no fuera posible encontrar unida-
des con los valores adecuados, ser ne-
cesario insertar resistores en serie con el
surtidor para compensar la diferencia.
El valor de esta resistencia se calcula to-
mando la diferencia de los valores de
VGS dividido por 5mA. Si la diferencia
de VGS es 100mV, entonces R =
0,1/0,005 = 20. En este caso se coloca
entonces un resistor de 20 en serie
con el surtidor del MOS-FET que tiene
la tensin VGS ms baja.
Con los transistores de potencia me-
dia se procede en principio de la misma
manera, pero usando una corriente ms
alta, de 20mA, aproximadamente. Esto
requiere modificar el valor del resistor
serie a 560, debido a que R = (15
5)/20 = 500. En estos transistores
sario controlar su ten-
sin VGS, cuyo valor
debe ser de 4 a 4,6 volt.
Al mismo tiempo se
puede eliminar unida-
des que no funcionen.
Los transistores
MOS-FET de potencia
de salida se miden con
una corriente 170mA.
Este valor requiere un resistor de 56,
2 watt o eventualmente 2 resistores de
100, 1 watt, en paralelo. En este caso
conviene tener un surtido amplio de
unidades debido a que muchos amplifi-
cadores usan 12 MOS-FET de canal N
y 12 de canal P. Es recomendable dispo-
ner de una cantidad mayor para poder
seleccionar los ms adecuados. La dis-
persin de los valores obtenidos, el
spread, es bastante amplia como ve-
mos en la Tabla 2.
Otra comprobacin que se puede
realizar con el esquema de prueba de la
figura 5 es la determinacin de la trans-
conductancia del MOS-FET. Para ello
es necesario efectuar una segunda lectu-
ra con una corriente ms alta, por ejem-
plo 0,5A y usar los valores de ambas
mediciones para calcular la transcon-
ductancia de acuerdo a la frmula vista
ms arriba. (S = DISD/DEGS).
Se observa que las funciones del
sencillo probador de MOS-FET permi-
te las siguientes operaciones:
a.) eliminar unidades defectuosas
b.) balancear unidades de diferentes
valores
c.) determinar la transconductancia
del MOS-FET
Tomando en cuenta la sencillez del
dispositivo, el resultado es atrayente.

MANTENIMIENTO Y REPARACION DE REPRODUCTORES DE COMPACT DISC

Se trata de un verdadero
manual para la reparacin de estos
equipos que posee teora, prctica y
montajes de instrumentos imprescindi-
bles para la localizacin de fallas, ajus-
tes y puesta a punto de los equipos

Pdalo en los mejores

quioscos del pas