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Redes de fibra

ptica
Salvatore Spadaro

PID_00238491

Tiempo de lectura y comprensin: 12 horas



c FUOC PID_00238491 Redes de fibra ptica

ndice

Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1. Fibra ptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.1. Principios de transmisin en fibra ptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.1.1. Nmero de modos de propagacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.2. Atenuacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.3. Dispersin intermodal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.1.4. Dispersin intramodal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.1.5. Dispersin de modo de polarizacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.1.6. Ancho de banda de las fibras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.1.7. Tipos de fibra ptica y diseo de sistemas de
transmisin en fibra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
1.1.8. Fenmenos no lineales en la fibra ptica . . . . . . . . . . . . . 27
1.2. Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

2. Transmisores pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.1. Los semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.1.1. Semiconductor intrnseco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.1.2. Semiconductor extrnseco . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.2. Mecanismos de interaccin radiacin-materia . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.2.1. Emisin espontnea . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.2.2. Emisin estimulada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.2.3. Absorcin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.2.4. Relaciones de Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.2.5. Amplificador lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.2.6. Oscilador lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.3. Emisin y absorcin en materiales semiconductores . . . . . . . . . . 45
2.3.1. Concentracin de los portadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.3.2. Generacin y recombinacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.4. Diodos LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.4.1. Eficiencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.4.2. Modulacin de la potencia ptica emitida . . . . . . . . . . . . 56
2.4.3. Estructura de los diodos LED . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.5. Lser de semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.5.1. Ganancia ptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
2.5.2. Ecuaciones de ritmo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.5.3. Estructura de un diodo lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.5.4. Lser DFB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.6. Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

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3. Receptores pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.1. Fotodiodos PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
3.2. Fotodiodos de avalancha . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.3. Ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.3.1. Relacin seal-ruido para los fotodiodos PIN . . . . . . . . . 84
3.3.2. Relacin seal-ruido para los fotodiodos de avalancha 87
3.4. Tasa de error de bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.5. Sensibilidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.5.1. Lmite cuntico de fotodeteccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.6. Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96

4. Amplificadores pticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
4.1. Ganancia ptica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
4.2. Figura de ruido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
4.3. Amplificadores pticos de semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4.3.1. Conversores de longitud de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
4.4. Amplificadores de fibra dopada con erbio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
4.5. Resumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123

5. Introduccin a las redes pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124


5.1. Redes SONET/SDH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
5.1.1. Tcnicas de concatenacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
5.1.2. Ajuste de la capacidad de enlace . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
5.2. Redes de transporte pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
5.2.1. Tecnologas WDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
5.2.2. Redes pticas transparentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
5.2.3. Redes pticas ASON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135

Preguntas tericas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139

Ejercicios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140

Soluciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143

Glosario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151

Bibliografa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 154

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Introduccin

En cualquier sistema de telecomunicaciones existen siempre tres elementos


necesarios para llevar a cabo una transmisin: el emisor, el receptor y el canal.
Las primeras comunicaciones se basaban en la transmisin/recepcin de sea-
les de naturaleza elctrica, como el telgrafo, el telfono o la radio. En estos
sistemas el canal de comunicaciones era el canal radio (para las comunica-
ciones inalmbricas), cables fabricados con materiales conductores (como por
ejemplo el par trenzado de cobre o el cable coaxial) o guas de onda (utilizados
para transportar seales de mayor ancho de banda).

De entre los tres elementos involucrados en la comunicacin, el canal es un


factor clave que determina las posibles aplicaciones. El canal de comunica-
ciones presenta distintos problemas, pero bsicamente podramos nombrar
cinco:

Ruido. En recepcin, el receptor detecta tanto la seal transmitida como el


ruido introducido por los elementos de la transmisin (el canal, el receptor,
etc.). Por lo tanto, la seal recibida nunca es igual que la seal transmiti-
da. Las diferencias entre la seal transmitida y la seal recibida producen
errores, que degradan la calidad de la comunicacin.

Atenuacin. En cuanto a la atenuacin, cualquier seal electromagntica


que viaja a travs de un medio fsico (incluso el vaco) sufre una disminu-
cin de potencia en funcin de la distancia. Para las seales elctricas la
* P d , donde depende
disminucin de la potencia es inversamente proporcional* a la distancia del medio de transmisin por
ejemplo = 2 cuando el medio
elevada a un factor . de transmisin es el vaco.

Interferencias. El problema de las interferencias es comn tanto en las co-


municaciones a travs del canal radio como, aunque en menor medida, en
las transmisiones a travs de conductores. El canal radio es un medio sus-
ceptible de ser utilizado por mltiples usuarios, y la colisin de las seales
transmitidas por ms de una fuente degradan la calidad de la comunica-
cin o la imposibilitan. En las seales transmitidas a travs de un con-
ductor, las interferencias elctricas externas al conductor generan campos
elctricos indeseados en el conductor.

Distorsin. La distorsin es el fenmeno por el cual, dada una seal espe-


cialmente si tiene un gran ancho de banda, la ganancia del canal es signi-
ficativamente diferente para sus distintas componentes frecuenciales.

Ancho de banda. El ancho de banda del canal determina la velocidad de


transmisin de la comunicacin. Los anchos de banda pequeos ofrecen

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ventajas en trminos de distorsin y potencia de ruido, pero permiten tasas


de bit mucho menores.

Las comunicaciones pticas se caracterizan principalmente por dos factores:


la naturaleza de las seales transmitidas (luz) y el canal de transmisin (fibra
ptica). Ambos factores hacen frente a los problemas asociados a las trans-
misiones elctricas y plantean nuevos retos. Las ventajas de las comunicacio-
nes pticas son claras: menor ruido, transmisiones no susceptibles a las inter-
ferencias electromagnticas, grandes anchos de banda, baja atenuacin, etc.
Obviamente tambin presentan inconvenientes: elevado coste de instalacin
de la fibra ptica, precio de transmisores y receptores, dificultades tecnol-
gicas, fenmenos asociados a la transmisin de la luz (como por ejemplo la
dispersin), etc.

Sin duda las redes de fibra pticas han supuesto un punto de inflexin en
el desarrollo y la implantacin de las telecomunicaciones. Las altas tasas de
transmisin (del orden de los Gbit/s o incluso Tbit/s) han permitido aumentar
la capacidad de las redes troncales, que tienen el objetivo de transportar el
trfico agregado de mltiples redes, y, entre otras aplicaciones, han hecho
posibles la creacin de redes de datos de alta velocidad a grandes distancias
(redes transcontinentales y transocenicas).

En esta asignatura se presentan los principios bsicos que rigen las transmisio-
nes pticas. Para ello, el curso estructura el temario en apartados dedicados a
las fibras pticas (el canal de transmisin), los transmisores pticos, los recep-
tores pticos y los amplificadores pticos (necesarios para comunicaciones a
grandes distancias). Finalmente, se presenta una breve introduccin a las re-
des pticas basadas en los conceptos desarrollados a lo largo de los apartados
precedentes.

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Objetivos

Los objetivos que el estudiante ha de haber conseguido una vez estudiados los
materiales didcticos de este mdulo son:

1. Conocer los principios fsicos que rigen la transmisin a travs de una fibra
ptica.

2. Entender las limitaciones propias del canal de transmisin ptico.

3. Identificar los distintos tipos de fibra ptica.

4. Comprender los mecanismos de interaccin radiacin-materia, base de las


comunicaciones pticas.

5. Entender el funcionamiento de los transmisores pticos.

6. Comprender los tipos de receptores pticos, su funcionamiento, sus limi-


taciones y sus caractersticas.

7. Estudiar los principios fsicos que rigen la amplificacin ptica.

8. Aprender los conceptos bsicos de las redes pticas ms importantes.



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1. Fibra ptica
.

Los sistemas de comunicacin en fibra ptica han mejorado las prestaciones


de las redes de telecomunicaciones gracias a un medio fsico capaz de transmi-
tir datos a alta velocidad y para largas distancias. Las ventajas que han hecho
de la fibra ptica el medio de transmisin que permite mayores velocidades de
transmisin son por un lado el amplio ancho de banda que posee y, por otro
lado, que las transmisiones guiadas a travs de fibra ptica no se ven afectadas
por interferencias electromagnticas, como s sucede en transmisiones a travs
de un cable coaxial.

El canal de un sistema de transmisin en fibra ptica puede ser visto como una
cascada de varios dispositivos, siendo la fibra ptica el componente clave. La
complejidad del canal depende, en gran medida, de la distancia entre emisor
y receptor. En el caso de sistemas muy simples, el canal coincide con un seg-
mento de fibra ptica que puede variar desde cientos de metros (como en el
caso de los sistemas de acceso) hasta uno o dos centenares de kilmetros. Para
distancias ms largas, la amplificacin ptica es necesaria para compensar las
prdidas introducidas por la fibra y, de acuerdo con los requisitos de la red,
otros dispositivos pueden ser incluidos en el canal, tales como ecualizadores
pticos, fibras compensadoras de la dispersin*, filtros pticos, multiplexado- * En ingls, dispersion
compensating fibers (DCF).
res pticos para agregar y extraer datos**, y optical cross connects para conmutar ** En ingls, optical add-drop
multiplexers, (OADM).
longitudes de onda.

. Longitud de onda

Del mismo modo que sucede en los sistemas de radiocomunicaciones, La relacin entre frecuencia
en comunicaciones pticas el acceso al medio puede ser mltiple y, por (f ) y longitud de onda () es
= fv , donde v es la
lo tanto, el medio puede ser compartido. As, mientras en radiocomuni-
velocidad de la luz en el
caciones se habla de frecuencias, en comunicaciones pticas se utiliza el medio de transmisin.
trmino longitud de onda. La razn reside en la naturaleza de las seales
que se manipulan, que en este caso son ondas de luz.

En la figura 1 hay un ejemplo de sistema de transmisin en fibra ptica que


incluye el transmisor, el receptor, el canal de fibra ptica y los amplificado-
res pticos (OA). Tambin los acopladores estn indicados. A lo largo de este
apartado se describir en detalle el canal de fibra ptica.

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Figura 1. Sistema de transmisin ptico

Seal elctrica
Driver a la entrada Fibra ptica
OA OA
Acoplador

Modulador
LED/Lser (MZM)

Acoplador
Seal elctrica Fotodetector
a la salida

1.1. Principios de transmisin en fibra ptica

Una fibra ptica es un cable de vidrio compuesto por un ncleo (core) y un ndice de refraccin
revestimiento (cladding) que tienen un ndice de refraccin diferente. El ndice
El ndice de refraccin (n) se
de refraccin del ncleo n1 es ms alto que el ndice n2 del revestimiento, para define como la relacin entre
que la radiacin pueda ser guiada por reflexin total en la interfaz entre el la velocidad a la que viaja la
luz a travs de un medio (v) y
ncleo y el revestimiento. De este modo, la radiacin es guiada a travs del la velocidad de la luz (c):
n = vc
ncleo de la fibra ptica gracias a las propiedades fsicas que rigen la refraccin
y la reflexin de una onda cuando hay un cambio de medio (el ncleo y
revestimiento). En la figura 2 se muestra la estructura de una fibra ptica.

Figura 2. Estructura de una fibra ptica

Revestimiento externo
Revestimiento n2
250 m 125 m 2a Ncleo n1 > n2
Revestimiento n2
Revestimiento externo

La propagacin de la luz en fibras pticas se basa en el principio de la reflexin


interna total, como se muestra en la figura 3. As, en general, cuando un rayo
de luz incide sobre la superficie entre dos medios isotrpicos con ndices de
refraccin diferentes, el rayo incidente se divide en dos componentes: el ra-
yo reflejado y el rayo refractado (o transmitido). Teniendo en cuenta que el
rayo incidente forma un ngulo determinado con la perpendicular de la su-
perficie de separacin entre los medios, el rayo reflejado y el rayo refractado
sern reflejados y transmitidos, respectivamente, con un ngulo determinado
cada uno. Dada la estructura de una fibra ptica, es importante entender este
fenmeno porque es gracias a l por lo que un rayo de luz puede ser guiado
a travs de un cable de vidrio a lo largo de grandes distancias sin que ello
provoque grandes prdidas de potencia ptica.

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Figura 3. Las leyes de la propagacin de Snell

Superficie de separacin
de los medios
Rayo incidente

t
r

Rayo refractado
(o transmitido)
Rayo reflejado

ndice de refraccin n1 ndice de refraccin n2


n1 > n2

Centrando el estudio en el caso de la transmisin a travs de una fibra ptica,


el objetivo es que, dado un rayo en el interior del ncleo de la fibra ptica, s-
te quede confinado dentro del ncleo para conseguir la mnima prdida de
energa debida a la refraccin (energa que se transmite desde el ncleo hacia
el revestimiento).

La figura 3 esquematiza las leyes de la reflexin y de la refraccin. Un rayo


de luz que viaja a travs de un medio isotrpico con ndice de refraccin n1 ,
cuando llega a la superficie de separacin con otro medio isotrpico con ndi-
ce de refraccin n2 se divide en dos rayos: el rayo reflejado y el rayo refractado
(o transmitido). Como su nombre indica, el rayo reflejado es aquel que per-
manece en el medio con ndice de refraccin n1 . El rayo refractado es aquel
que es transmitido desde el medio con ndice n1 hacia el medio con ndice
n2 . Las leyes de la reflexin y de la refraccin relacionan los ndices de refrac-
cin de ambos medios (n1 y n2 ) y los ngulos que forman los tres rayos con la
perpendicular de la superficie de separacin (i , r y t ).

. Willebrord Snellius

Las leyes de la reflexin y de la refraccin relacionan los parmetros La Ley de Snell debe su
bsicos del problema: el ngulo incidente (i ), ngulo reflejado (r ), el nombre al astrnomo
holands Willebrord Snellius,
ngulo transmitido (t ) y los ndices de refraccin de los dos medios (n1 quien la enunci en el siglo
XVII .
y n2 ). As,

El ngulo incidente es igual al ngulo reflejado:

i = r

El seno del ngulo incidente y del ngulo transmitido estn rela-


cionados por los ndices de refraccin de los dos medios en que se
propagan (ley de Snell):

n1 sen i = n2 sen t

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Tal y como ya se ha anunciado anteriormente, el objetivo es que la energa


perdida debido a la refraccin (transmisin del ncleo hacia el revestimiento)
sea mnima o nula. Arreglando la expresin de la Ley de Snell, se obtiene que:

n1
sen t = sen i . (1)
n2

Se puede asegurar, por definicin, que 1 sen t 1. Si se considera un


n1
ngulo incidente y unos ndices de refraccin tales que n2 sen i > 1, no existe
ningn ngulo t que permita que la expresin (1) se cumpla, y por lo tanto,
se deduce que no habr rayo refractado. En ausencia de rayo transmitido (o
refractado), todo el rayo permanece en el ncleo y es guiado por la fibra ptica.

En conclusin, para que el rayo quede confinado en el ncleo es necesario que


se cumpla:

n2
sen i > . (2)
n1

Si denominamos lim al ngulo incidente mnimo que garantiza que el rayo


queda confinado en el ncleo, su expresin es la siguiente:

n2
sen lim = , (3)
n1

n2
lim = arc sen . (4)
n1

La figura 4 muestra lo que sucede en el interior de una fibra ptica. Como


puede observarse, cuando el rayo de luz que viaja a travs del ncleo de la
fibra ptica incide en la superficie de separacin entre el ncleo y el revesti-
miento con un ngulo inferior al ngulo lmite (lim ), parte de la potencia se
transmite hacia el revestimiento. Por el contrario, si el ngulo del rayo inci-
dente es mayor que el ngulo lmite, entonces la luz queda confinada dentro
del ncleo.

Figura 4. Reflexin interna total y ngulo lmite

i < lim i > lim


n1 > n2 n1 > n2
Rayo
refractado n2 n2

n1 Rayo n1
incidente
Rayo
lim lim reflejado
Rayo Rayo
incidente reflejado
n2 n2

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En conclusin, para asegurar que un rayo de luz es transmitido a travs del


ncleo de una fibra ptica, es necesario garantizar que se cumple

i > lim . (5)

Hasta ahora las expresiones derivadas estn relacionadas con la superficie en-
tre el ncleo y el revestimiento. A pesar de ello, se trata de expresiones gene-
rales aplicables a cualquier superficie entre dos medios con distinto ndice de
refraccin. Es por este motivo por lo que el mismo anlisis puede ser llevado
a cabo para determinar, al principio de la fibra ptica, el ngulo con el cual
debe incidir el rayo de luz sobre el ncleo para conseguir que el rayo reflejado
sea mnimo y el rayo transmitido sea mximo (figura 5). Es decir, cuando un
transmisor ptico genera un rayo que incide sobre el ncleo de la fibra ptica
(el principio del tramo de fibra) para ser transmitido, es deseable que se pierda
la mnima potencia debido al desacoplo entre el ncleo de la fibra y el exterior.
Ntese que en este caso el objetivo es opuesto al anterior. As, el objetivo para
confinar el rayo dentro del ncleo es que el rayo refractado sea nulo, mientras
que el objetivo al inicio de la fibra es que el rayo reflejado sea nulo.

Figura 5. Determinacin de la apertura numrica (NA)

n0
Revestimiento

M lim Ncleo n1 > n2

En este contexto, un parmetro muy importante es la apertura numrica (NA),


que se define como

NA = n0 sen M , (6)

donde M es el ngulo mximo que puede tener un rayo luminoso que llega
a la entrada de la fibra desde un medio con ndice de refraccin n0 (como por
ejemplo el aire). Como se puede observar en la figura 5, para que el rayo sea
guiado es necesario que el ngulo M sea mayor o igual al ngulo lmite lim .
De acuerdo con la Ley de Snell


n0 sen M = n1 sen M (7)


donde M es el ngulo que el rayo refractado por la interfaz entre el ncleo y el
medio de ndice n0 forma con el eje de la fibra. Por trigonometra, y a partir de
la expressin del ngulo lmite obtenida en la expresin (3), se puede asegurar

n2
cos M = sen lim = . (8)
n1

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Teniendo en cuenta la relacin trigonomtrica que relaciona el cuadrado del


seno y el coseno de un ngulo cualquiera,

cos2 + sen2 = 1 (9)

y por lo tanto,


sen = 1 cos2 (10)

es posible desarrollar la expresin de la apertura numrica (NA)

NA = n0 sen M
( )
n1
= n0 sen M
n0

= n1 1 cos2 M


( )2
n2
= n1 1
n1

= n21 n22 (11)

Generalmente la diferencia entre los dos ndices de refraccin es muy pequea


y se puede asumir que n1 = n2 + n y la apertura nmerica se puede aproximar a


NA
= 2n1 n. (12)

Una forma alternativa para el clculo de la apertura numrica es

n1 n2
NA
= n1 2, siendo = ,
n1

parmetro que se define como ndice de refraccin eficaz o como variacin rela-
tiva de los ndices de refraccin.

La NA es adimensional y menor que 1, y los valores tpicos que toma estn


entre pocas centsimas y unas dcimas, mientras los valores de M tpicos se
sitan entre unos grados y 10-20 grados.

La apertura nmerica es un parmetro muy importante porque de ella depen-


de la fraccin de potencia luminosa que una fuente ptica puede transmitir
en fibra para que sea guiada y se pueda propagar, es decir, la potencia que se
puede acoplar en fibra.

Supongamos una fuente ptica que emite, hacia el ncleo de una fibra ptica,
una potencia Pt . La potencia que finalmente es inyectada al ncleo y por lo
tanto viaja a travs de la fibra es Pi . La relacin entre ambas potencias es

c FUOC PID_00238491 15 Redes de fibra ptica

Pi
= (NA)2 . (13)
Pt

Ejemplo 1

Supongamos una fibra ptica de silicio (Si) con ndice de refraccin del ncleo (core) n1 =
1,47 e ndice de refraccin del revestimiento (cladding) n2 = 1,45. La apertura numrica
de la fibra (NA) viene dada por la frmula (11), es decir, NA = 0,241; por lo tanto, el
ngulo mximo de aceptacin de un rayo luminoso que llegue a la entrada de la fibra
(M = sen1 (NA)) es igual a 13,94 .

Ejemplo 2

Considrese una fibra ptica con ndice de refraccin del revestimiento n2 = 1,46 y en
la cual la diferencia entre los ndices de refraccin del ncleo y del revestimiento son
n = 1 %. En este caso, la apertura numrica de la fibra viene dada por la frmula (12),
por lo tanto NA = 0,17; el ngulo mximo de aceptacin de un rayo luminos que llegue
a la entrada de la fibra (M = sen1 (NA)) es igual a 9,78 .

Ejemplo 3

Se asume una potencia ptica incidente en el ncleo de la fibra Pt = 0 dBm. Si el mximo


ngulo de aceptacin es 20 , la apertura nmerica de la fibra es NA = 0,342 y por lo
tanto, la eficiencia de acoplamiento entre fuente ptica y fibra es = (NA)2 = 0,11, la
potencia ptica que es acoplada a la fibra es Pi = 170 W.

1.1.1. Nmero de modos de propagacin

La luz ha sido estudiada histricamente desde dos enfoques distintos en fun-


cin del fenmeno que se pretenda explicar. Por un lado se la ha considerado
como una partcula (o un rayo) y por otro como una onda electromagntica.
Las dos perspectivas no son contradictorias, sino que se complementan. Las
leyes de la reflexin y de la refraccin son fruto del estudio de la luz desde la
perspectiva de las partculas. El fenmeno que ahora se explicar se basa en el
anlisis de la luz como un campo electromagntico.

La luz es, a todos los efectos, un campo electromagntico con una frecuen- James Maxwell
cia (o longitud de onda). Como campo electromagntico, la luz que viaja a
James Maxwell (1831-1879)
travs del ncleo de una fibra ptica debe cumplir las leyes que rigen el elec- fue el fsico escocs que
tromagnetismo (ecuaciones de Maxwell) particularizadas para las frecuencias describi las ecuaciones que
constituyen el fundamento
y la geometra de la transmisin en la fibra. Las leyes del electromagnetismo terico del
presentan una complejidad elevada y no son el objetivo de este curso, por lo electromagnetismo,
conocidas en su honor como
tanto, a continuacin se realiza una descripcin cualitativa. las ecuaciones de Maxwell.

El campo magntico puede ser descompuesto en un conjunto de componentes


llamados modos. Cada modo, adems, puede ser entendido como una distri-
bucin espacial del campo elctrico dentro de la fibra ptica.

Cuando un pulso de luz polarizada es inyectado al ncleo de una fibra, se


excitan mltiples modos. A pesar de ello, slo algunos de esos modos pueden
ser transmitidos a travs de la fibra ptica. Cada modo viaja a travs de la fibra
a una velocidad de grupo distinta, y este fenmeno, como se describir ms

c FUOC PID_00238491 16 Redes de fibra ptica

adelante, degradar la forma del pulso de luz recibido. Volviendo al modelo de


la luz como un rayo utilizado para calcular el ngulo crtico, es posible asociar
cada modo a un ngulo incidente (i ) distinto.

Las fibras pticas se pueden distinguir entre fibras monomodo (SMF) y fibras
multimodo (MMF), en funcin del nmero de modos que se propagan a travs
de ellas. En el caso de que un slo modo sea transmitido, se tratar de una fibra
monomodo. En el caso de que ms de un modo sea transmitido, entonces se
denominar fibra multimodo.

Para poder determinar el nmero de modos y por lo tanto, poder discriminar


entre fibras pticas SMF y fibras MMF, el nmero de modos de propagacin
depende de un parmetro al que se denomina frecuencia normalizada (V), y
que se define de la siguiente forma:

2a
V= NA. (14)

La frecuencia normalizada depende de las caractersticas fsicas de la fibra, ya


que depende de la apertura nmerica y del dimetro del ncleo.

Ahora, si 0 V 2,405 entonces la fibra es SMF, mientras que si V > 2,405


entonces la fibra es MMF. La condicin de una fibra en trminos de nmero
de modos de propagacin se expresa tambin con el concepto de longitud de
onda de corte (cut-off wavelength, c ), definida como la longitud de onda para
la cual el valor de la frecuencia normalizada (V) es 2,405, es decir:

2aNA
c = (15)
2,405

donde a es el radio de la fibra. Si la longitud de onda que se propaga () es


tal que:

c (16)

entonces la fibra tiene un comportamiento monomodo (SMF). En las fibras


pticas MMF de tipo salto de ndice (SI), el nmero de modos de propagacin
(Nm ) se puede estimar aproximadamente como:

V2
Nm . (17)
2

Ejemplo 4

Considrese una fibra ptica con NA = 0,2 y dimetro del ncleo 2a = 5 m. Si la porta-
dora ptica emitida por una fuente y que se tiene que propagar en fibra se caracteriza por
= 1.550 nm, la frecuencia normalizada resulta V 2, y por lo tanto, la fibra es SMF.
Si ahora la portadora que se quiere propagar a travs de la misma fibra se caracteriza por
= 0,9 m, la frecuencia normalizada resulta V 3,5 y por lo tanto, la fibra es MMF.
Es decir, dada una fibra de determinadas caracteristicas, sta tendr un comportamiento
SMF o MMF dependiendo de la longitud de onda de la portadora a propagar.

c FUOC PID_00238491 17 Redes de fibra ptica

Para aplicaciones de corto alcance, por ejemplo las redes en el interior de los
edificios, se utilizan preferiblemente las fibras multimodo por su bajo coste y
fcil instalacin. Por otro lado, para distancias superiores a unos kilmetros,
se emplean las fibras SMF.

En general, el dimetro del ncleo de un fibra SMF mide entre 3 y 10 m,


mientras en el caso de MMF, entre 50 y 400 m. El valor mximo para el
revestimiento de una fibra SMF es de 125 m; para fibras MMF los valores
tpicos estn entre 50 y 125 m (pero puede llegar a medir hasta 500 m). La
tabla 1 resume estos valores.

Tabla 1. Dimensiones del ncleo y del revestimiento


Tipo de fibra Ncleo Revestimiento
SMF 3-10 m < 125 m
MMF 50-400 m 50-125 m

Existen tambin fibras multimodo con ndice de refraccin variable entre el Fibras SI y GI

ncleo y el revestimiento denominadas fibras de gradiente de ndice (GI, gra-


Las fibras SI (step index) son
ded index) y se caracterizan por tener valores de los parmetros intermedios aquellas con un ndice de
refraccin en el ncleo (n1 ) y
entre fibras SMF y MMF de salto de ndice (SI, step index). La figura 6 muestra
un ndice de refraccin
el perfil de ndice de refraccin de dos fibras, una SI y la otra GI. distinto en el revestimiento
(n2 ), con n1 > n2 . Por el
contrario, las fibras GI
Figura 6. Perfil del ndice de refraccin dentro de la fibra ptica: a. para SI; b. para GI (graded index) presentan
ndices de refraccin que van
variando entre el ncleo y el
n(t) n(t) revestimiento.

n1 n1

n2 n2

d d
Rev. Ncleo Rev. Rev. Ncleo Rev.

a. b.

El dimetro del ncleo en este caso tiene un valor aproximadamente de 50 m


y el dimetro del revestimiento tpicamente es de 125 m. Externamente al
revestimiento hay un ulterior revestimiento protectivo que no tiene otra fun-
cin ms que la de proteger el ncleo y el revestimiento, y por lo tanto, el
dimetro total de la fibra llega a unos 0,25 mm.

La figura 7 muestra la diferencia entre la transmisin de un rayo a travs de


una fibra SI y de una fibra GI. Como se puede observar, en el caso de la fibra
SI el rayo cambia de direccin cada vez que es reflejado en la superficie de
separacin entre el ncleo y el revestimiento. En cambio, en la fibra GI, el
rayo va cambiando la direccin progresivamente dentro del ncleo a medida
que aumenta el ndice de refraccin.

c FUOC PID_00238491 18 Redes de fibra ptica

Figura 7. Propagacin de la luz en una fibra: a. SI; b. GI

n1 > n2

n2

n1

n1 constante

n2

a.

n1 > n2

n2

n1 n1 creciente
desde el
centro hacia
los extremos

n2

b.

Las fibras multimodo se caraterizan por tener una mayor apertura numri-
ca y/o mayor dimetro del ncleo con respecto a las fibras monomodo. Eso Ved tambin
permite que sea ms fcil el acoplamiento entre fuente ptica y fibra, pero im-
La dispersin intermodal se
plica tambin que se produzca un fenmeno que no se da en las fibras SMF: estudia en el
subapartado 1.1.3 de este
la dispersin intermodal que perjudica la transmisin.
mdulo.

1.1.2. Atenuacin

La atenuacin de la fibra es muy baja comparada con otros medios de trans-


misin. Desde los aos sesenta se empez a estudiar la propagacin en fibra
ptica. Las primeras fibras tenan una atenuacin muy alta del orden de mi-
les de dB/km. Teniendo en cuenta que la atenuacin mxima aceptable en
un enlace sera de 30-40 dB, estas fibras hubieran necesitado repetidores (con
conversin ptico-elctrico-ptico) cada 30-40 m. Por lo tanto, desde un pun-
to de vista prctico, estos sistemas no resultaban una solucin interesante. En
los aos setenta, la tecnologa de produccin de las fibras empez a mejorar
hasta llegar a atenuaciones de 20 dB/km. Desde entonces hasta hoy las mejo-
ras han sido continuas. La figura 8 muestra una curva tpica de absorcin en
funcin de la longitud de onda.

c FUOC PID_00238491 19 Redes de fibra ptica

Figura 8. Curva de la atenuacin en la fibra ptica

dB
[dB/km]

8
6
4

0
800 950 1.100 1.250 1.400 1.550 1.700
[nm]

dB 2,5 dB/km = 0,85 m (1. ventana)


dB 0,4 dB/km = 1,3 m (2. ventana)
dB 0,25 dB/km = 1,55 m (3. ventana)

Hay tres ventanas donde la atenuacin presenta valores mnimos:

En la primera ventana, entre 800 y 900 nm la atenuacin es de unos


dB/km. Esta ventana fue la primera que se utiliz en las comunicaciones
pticas, en la dcada de los 70 y 80, debido al bajo coste de los transmisores
y receptores para esta ventana.

En segunda ventana, alrededor de los 1.310 nm, los valores de atenuacin


bajan a menos de 1 dB/km hasta llegar a 0,2-0,3 dB/km. Esta ventana em-
pez a ser utilizada a mediados de la dcada de los 80.

La tercera ventana, entre 1.510 nm y 1.600 nm, se caracteriza por el valor


de atenuacin mnima. A partir de finales de la dcada de los 90 se empez
a utilizar esta ventana, debido al elevado coste de los transmisores y los
receptores.

Los sistemas de transmisin pticos actuales trabajan en segunda y tercera


ventana, a las longitudes de onda centrales de 1.300 nm y 1.550 nm, respec-
tivamente.

Adems de la atenuacin propia de la fibra ptica, y directamente relacionada


con el tipo de fibra y la longitud de onda de la seal, existen otros motivos
que pueden hacer incrementar la atenuacin. El factor ms importante, y con-
trolable durante la instalacin de la fibra, es la existencia de ngulos pronun-
ciados o curvaturas*. Cuando en el momento de la instalacin la fibra ptica * En ingls, bend.
debe sortear esquinas, recodos, etc., se produce un incremento de la atenua-
cin. Dicha atenuacin es mayor cuanto menor es el radio de curvatura.

1.1.3. Dispersin intermodal

Tal y como se ha explicado en el subapartado 1.1 (figura 5), el ngulo M define


un cono de aceptacin de la fibra ptica. As, un rayo que incida en el ncleo

c FUOC PID_00238491 20 Redes de fibra ptica

de la fibra ptica con un ngulo inferior o igual a M podr ser transmitido.


En funcin del ngulo de entrada a la fibra, la distribucin espacial del rayo
ser una u otra.

Si consideramos un nmero de rayos finito que incide sobre el ncleo a


la entrada de la fibra ptica con un ngulo menor o igual a M , cada uno
de estos rayos es denominado modo. As, la diferencia entre las fibras
monomodo y multimodo reside en el nmero de modos que viajan
a travs de ella (uno para fibras monomodo y ms de uno para fibras
multimodo).

Dado que las prdidas en fibra son muy bajas y pueden ser compensadas a
travs de la amplificacin ptica, la causa principal de degradacin de la seal
debida a la transmisin es la dispersin. La dispersin intermodal se debe a
las diferentes velocidades con que cada modo se propaga. De hecho cuando
se lanza un pulso de luz a la entrada de una fibra multimodo, se excitan di-
ferentes modos de propagacin. Los pulsos, asociados a cada modo excitado,
viajan a travs de la fibra con diferentes velocidades porque tienen diferente
velocidad de grupo. Los tiempos de propagacin en el enlace de fibra resultan
diferentes y a la salida de la fibra hay un nmero de copias del pulso de en-
trada igual al nmero de modos. Cada copia tiene un retardo diferente y, por
lo tanto, a la salida del enlace de fibra se genera un solo pulso con duracin
temporal mayor a la del pulso a la entrada. Cuando se transmite un tren de
pulsos (en el ejemplo de la figura 9 se muestran dos pulsos) el ensanchamien-
to puede producir que la energa de dos pulsos consecutivos se solape y ocurra
la llamada interferencia entre smbolos (ISI), que depende de la velocidad de
transmisin (bit rate) y de la dispersin intermodal. As, la dispersin es un
fenmeno clave que determina la mxima velocidad de transmisin a la que
se puede transmitir a travs de una fibra ptica.

Figura 9. Fenmeno de la dispersin multimodo

Revestimiento n2

Ncleo n1 > n2

t t t t

c FUOC PID_00238491 21 Redes de fibra ptica

Para fibras multimodo SI, el ensanchamiento temporal del pulso se puede cal-
cular a travs de la frmula

n21
t = L (18)
n2 c

donde L indica la longitud del enlace de fibra, c es la velocidad de la luz y


representa un ndice de refraccin eficaz definido como

n1 n2
= . (19)
n1

Como ya se ha dicho, la dispersin (o ensanchamiento temporal) se debe a


las diferentes velocidades de los modos. Para un caso sencillo como las fibras
multimodo SI, es sencillo demostrar la expresin (18). Supongamos una fibra
como la de la figura 10. Cualquier modo que se transmita a travs de ella a
lo largo de un tramo de longitud L, recorrer una distancia efectiva D, que se
relaciona con la longitud de la fibra segn

L
sen i = . (20)
D

Por lo tanto, la distancia efectiva que recorre un modo dentro de un tramo de


fibra de longitud L es D = L/ sen i .

Figura 10. El modo con ngulo de incidencia recorre una distancia efectiva D y el tramo
equivalente de fibra recorrida es L

n2
D n1

La velocidad para recorrer la distancia D en un medio con ndice de refraccin


n1 (ncleo de la fibra) es v = c/n1 , indicando con c la velocidad de la luz. Por
lo tanto, el tiempo de propagacin para recorrer el tramo L es

D Dn1 Ln1
t= = = . (21)
v c c sen

La figura 11 muestra la diferencia entre el rayo ms rpido y el rayo ms lento


en un tramo de fibra ptica con una longitud mayor, a la que por sencillez
tambin denominaremos L. Cabe recordar que, segn el principio de reflexin

interna total, lim i 2. Como muestra la figura, el rayo ms rpido es

aquel que i = 2 y el rayo ms lento es aquel que i = lim .

c FUOC PID_00238491 22 Redes de fibra ptica

Figura 11. Efecto de las diferentes velocidades de los rayos

Modo ms rpido Modo ms lento


(i = /2) (i = lim) n1 > n2

n2

n1
lim

n2

Mediante trigonometra es posible asegurar que la ecuacin (21) tambin es


vlida en este escenario.

Sustituyendo los valores para encontrar el tiempo del rayo ms rpido (i =


/2) y del rayo ms lento (i = lim ), se obtiene

n1
min = |i = 2 = L , (22)
c

n21
max = |i =lim = L . (23)
cn2

Por lo tanto, la diferencia entre el tiempo que tarda el modo ms rpido en


propagarse hasta el extremo de la fibra y el tiempo que tarda el modo ms
lento se puede escribir como

( )
n n1 n2
= max min =L 1 . (24)
c n2

Teniendo en cuenta que en las fibras multimodo SI n2 n1 , se puede


aproximar por

( )
n1 n1 n2
L . (25)
c n1

Para fibras multimodo GI, la expresin del ensanchamiento del pulso ptico
es ms difcil de demostrar y no procederemos a ello. De todos modos se puede
calcular segn la frmula

n1 2
= L . (26)
8c

c FUOC PID_00238491 23 Redes de fibra ptica

Ejemplo 5

Considrese un tramo de fibra ptica de salto de ndice (SI) de longitud L = 1 km y con


ndices de refraccin del ncleo y del revestimiento n1 = 1,5 y n2 = 1,47 respectivamente.
La dispersin intermodal es = 100 ns.

1.1.4. Dispersin intramodal

En los sistemas que utilizan fibra SMF, la dispersin multimodo no est pre-
sente, ya que slo se transmite un modo a travs de la fibra; sin embargo, la
transmisin se degrada por la dispersin intramodal o cromtica. Tal disper-
sin se debe a que la fuente ptica no es mono-cromtica, es decir, emite ms
de una longitud de onda. La constante de propagacin es una funcin de
la frecuencia ptica y las componentes espectrales de la seal se propagan,
por lo tanto, con diferentes velocidades, causando el ensanchamiento tempo-
ral del pulso, como se puede ver en la figura 12a. La dispersin cromtica se
mide a travs del parmetro

d2
2 = . (27)
d2

Figura 12. a. Ensanchamiento del pulso ptico debido a la dispersin cromtica, que puede
causar ISI. b. Efecto de la PMD (polarization mode dispersion)

t
1/B z t
a.

Fotodetector

b.

La dispersin cromtica se suele medir con el parmetro D en [ps/nm/km],


que est relacionado con el factor 2 a travs de la expresin

2c
D= 2 . (28)
2

El parmetro D permite simplemente la estimacin de la degradacin de la se-


al debido a la dispersin cromtica en trminos de ancho de banda de la
seal. Para una fibra de longitud L, la dispersin cromtica es:

= D L (29)

c FUOC PID_00238491 24 Redes de fibra ptica

y se expresa en ps/nm, es decir, depende de la anchura espectral de la fuente.


Teniendo en cuenta la anchura espectral de emisin de la fuente ptica (),
la dispersin intramodal se puede expresar:

= D L . (30)

1.1.5. Dispersin de modo de polarizacin

El trmino single mode de la fibra monomodo no es estrictamente correcto


porque una fibra SMF siempre soporta dos modos de polarizacin, que en
condiciones ideales (simetra circular perfecta, ninguna fibra torcida o estresa-
da) son modos degenerados, lo que significa que tienen la misma constante
de propagacin . Sin embargo, en la prctica, debido a las imperfecciones
de la fibra, los dos modos tienen constantes de propagacin diferentes. Este
efecto es la dispersin de modo de polarizacin* (PMD), que induce al en- * En ingls, polarization mode
sanchamiento del pulso ptico, como se muestra en la figura 12b. Las dos dispersion (PMD).

componentes de polarizacin de la seal atraviesan la fibra con velocidades


de grupo diferentes. Obviamente, en el caso en que los efectos de la PMD
se puedan despreciar, la fibra se puede considerar puramente de modo nico
(single mode). La PMD puede ser un efecto perjudicial para los sistemas pticos
que transmiten con velocidad superior a 10 Gb /s en enlaces muy largos (por
encima de los 500 km).

Si consideramos los tiempos de la dispersin intermodal (tm ), de la dis-


persin cromtica (tc ) y de la dispersin de modo de polarizacin (tp ),
la dispersin total (tD ) se puede calcular como:


tD = 2 + t2 + t2.
tm (31)
c p

1.1.6. Ancho de banda de las fibras

Para evitar el solapamiento de pulsos de luz en la propagacin en la fibra, la


mxima tasa de bit de la seal (B) tiene que ser inferior a la duracin del pulso
ensanchado por la dispersin, es decir:

1
B (32)

donde representa la duracin inicial del bit y el ensanchamiento del pul-


so debido a la dispersin. En esta formulacin se asume que la duracin del

c FUOC PID_00238491 25 Redes de fibra ptica

pulso inicial es igual al ensanchamiento producido por la dispersin (); es


decir, = 2 . Por lo tanto, la mxima tasa de bit se puede tambin expresar
como:

1
B . (33)
2

La conversin de la tasa de bits en ancho de banda (Bw , expresado en Hz)


depende del formato de codificacin digital. En caso de utilizar codificacin
Non-Return-to-Zero (NRZ), o sea, la duracin del pulso de potencia ptica se
mantiene durante toda la duracin del bit, el ancho de banda de la fibra se
puede expresar de la siguiente forma:

B
Bw = . (34)
2

En el caso de utilizar codificacin Return-to-Zero (RZ), es decir la duracin del


pulso de potencia ptica se mantiene durante la mitad de la duracin del bit,
el ancho de banda se puede expresar de la siguiente forma:

Bw = B. (35)

Figura 13. Pulso Non-Return-to-Zero (NRZ) y Return-to-Zero (RZ)

Tiempo Tiempo
de bit de bit

Valores lgicos 1 1

Non-Return-to-Zero
(NRZ)

Return-to-Zero
(RZ)

1.1.7. Tipos de fibra ptica y diseo de sistemas de


transmisin en fibra

Se pueden distinguir diferentes estndares que caracterizan a la fibra SMF prin-


cipalmente en trminos de dispersin cromtica. Aqu mostramos los princi- * International
Telecommunication Union -
pales estandares G.65 x, segn las recomendaciones del Sector de Estandariza-
Telecommunication
cin de las Telecomunicaciones de la Unin Internacional de Telecomunica- Standardization Sector (UIT-T)

ciones*:

c FUOC PID_00238491 26 Redes de fibra ptica

G.652: fibra de salto de ndice (SI) con cero de dispersin en 1.300 nm y


parmetro D a 1.500 nm de aproximadamente 17 ps/nm/km;

G.653: fibra con dispersin desplazada (dispersion shifted): la dispersin es


cero a 1.550 nm. El hecho de que la dispersin cromtica sea cercana a
cero en toda la tercera ventana (con frecuencia central 1.550 nm) favorece
los efectos no lineales;

G.655: fibra non-zero dispersion-shifted creada para reducir los efectos no


lineales en las fibras G.652. Para las fibras G.655, la dispersin cromtica a
1.550 nm es generalmente inferior a 5 ps/nm/km;

G.657: fibras para aplicaciones de enlaces cortos.

El diseo de los sistemas de comunicacin en fibra ptica requiere una clara


comprensin de las limitaciones impuestas por las prdidas (la atenuacin),
las dispersiones, y las no linealidadades de la fibra. Dado que las propiedades
de la fibra son dependientes de la longitud de onda, la eleccin de la longitud
de onda a la cual el sistema ptico transmite es un problema de diseo muy
importante. En la figura 14 se muestra cmo la tasa de bit y la distancia de
transmisin de un sistema de un nico canal estn limitadas por la atenuacin
y la dispersin.

Figura 14. Distancia de transmisin L en funcin de la velocidad de bit para las tres ventanas
de longitud de onda

1.000
600 1,55 m (lmite cuntico) SMF Fibra
400 dispersion-shifted
200 1,55 m
L (distancia) (km)

100 1,3 m
60
40
0,85 m
20
10
6 Cable
coaxial SMF
4 convencionales
MMF MMF
2 step-index graded-index
1
0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 100
Bit Rate (Gb/s)

Las lneas continuas y discontinuas indican respectivamente los sistemas limitados por la atenuacin y por la dispersin
[agrawal].

La figura muestra el compromiso entre la longitud de la fibra ptica y la tasa


de bit para algunos de los tipos de fibra comentados anteriormente. As, es
posible observar que, para una longitud de onda = 0,85 m y una longitud
de fibra ptica dada, las fibras multimodo de gradiente de ndice permiten
transmitir a una mayor tasa de bit. O dicho de otro modo, para una tasa de
bit determinada, las MMF de GI permiten transmitir a distancias mayores.

c FUOC PID_00238491 27 Redes de fibra ptica

Tambin en la figura 14 se compara el comportamiento de la fibra monomodo


de SI con la fibra monomodo G.653. Es posible observar que las SMF conven-
cionales permiten mayores tasas de bit o distancias cuando la longitud de
onda es = 1,55 m que cuando es = 1,3 m. Adems, cuando se emplea la
fibra G.653 a = 1,55 m, el comportamiento mejora nuevamente debido al
cero de dispersin que presenta a dicha longitud de onda.

1.1.8. Fenmenos no lineales en la fibra ptica

A pesar de que la fibra ptica podra considerarse un ejemplo de medio lineal,


ya que la seal se puede propagar a largas distancias, algunos efectos no linea-
les pueden degradar la transmisin. Las alteraciones no lineales son mucho
ms evidentes cuando el canal de fibra soporta la transmisin de varios ca-
nales con portadoras distintas. Por lo tanto, podemos decir que el ndice de
degradacin no lineal viene dado por el producto L N P, donde L es la lon-
gitud del enlace de fibra, N el nmero de canales transmitidos y P la potencia
del canal.

Las degradaciones de la seal inducidas por las no linealidades crecen al au- John Kerr

mentar la velocidad de transmisin y la potencia, y tambin dependen del


John Kerr (1824-1907) fue el
tipo de seal transmitida. Para los sistemas de transmisin convencionales, la fsico escocs que descubri
el efecto electro-ptico (QEO,
denominada no linealidad Kerr es el efecto no lineal principal, y puede afec-
Quadratic Electro-Optic effect),
tar a la transmisin de tres maneras diferentes, dependiendo del escenario: tambin llamado efecto Kerr
en honor a su descubridor.
self-phase modulation, four-wave mixing y cross-phase modulation.

El efecto Kerr se define como la dependencia del ndice de refraccin de


un material con el campo elctrico aplicado sobre l al cuadrado.

En particular, el ndice de refraccin vara en funcin del campo elctrico


como

n = n0 + n0 |E0 (z,t)|2 (36)

donde n0 es el ndice de refraccin del material en ausencia de campo elctri-


co, n0 es una constante que depende del material y E0 (z,t) es el campo elc-
trico. Por ejemplo, para el slice n0 = 6,1 1023 m2 /V2 , si escribimos el ndice
de refraccin en funcin de la intensidad, se obtiene

n(I) = n0 + n0 I(z,t) (37)

donde I(z,t) es la intensidad de corriente ptica y, para el slice, n0 = 3,2 1020


m2 /W.

c FUOC PID_00238491 28 Redes de fibra ptica

A continuacin se explican los tres posibles fenmenos derivados del efecto


Kerr.

Self-Phase Modulation (SPM)

La SPM es un fenmeno que ocurre siempre que se propaga una intensidad


ptica a travs de un material no lineal, como es el caso de la fibra ptica.
La causa de la SPM es la variacin del ndice de refraccin del material con
la variacin de la intensidad (o, anlogamente, la amplitud del campo). En el
caso de sistemas que soportan un nico canal, la intensidad de la seal I(t)
induce una variacin de fase en la misma seal, que se puede calcular
como

2n2 I(t)z
= , (38)
0

donde n2 representa el ndice no lineal de Kerr, 0 es la portadora y z es la


coordenada espacial o longitudinal. Por lo tanto, en este caso, el efecto Kerr
provoca una variacin de fase en funcin de la variacin de la potencia en el
tiempo. Obviamente, cuanto mayor sea el tramo de fibra ptica, mayor ser la
variacin de fase. Este fenmeno se llama self-phase modulation (SPM).

La degradacin principal inducida por el SPM, en el caso de tener dispersin


cromtica nula, determina un ensanchamiento del espectro de la seal. La
combinacin del efecto Kerr con la dispersin cromtica puede afectar a la
seal de forma diferente:

En el caso de un pulso en el rgimen normal de la dispersin cromtica


(2 > 0), el ensanchamiento del pulso se hace ms grande al aumentar el
efecto Kerr, que crece con el aumento de la potencia de la seal.

En rgimen anmalo (es decir, 2 < 0), el comportamiento es ms com-


plejo y el pulso tambin puede experimentar un estrechamiento espectral.
Hay que sealar que cuando se cumplen determinadas condiciones en tr-
minos de potencia inicial, duracin temporal del pulso, forma de pulso y
dispersin cromtica, el pulso puede mantener su forma inicial y su dura-
cin. Cuando se cumplen estas condiciones al pulso se le llama solitn.

El solitn fundamental es el fenmeno por el cual los efectos no lineales


de la fibra ptica y la dispersin se cancelan, con lo cual el pulso ptico
no sufre ningn ensanchamiento. La teora dice que la existencia de
un solitn nicamente es posible en ausencia de prdidas. Aunque las
fibras reales presentan una atenuacin baja, no son ideales y por lo
tanto, el solitn no existe.

c FUOC PID_00238491 29 Redes de fibra ptica

A pesar de que el solitn no existe en las fibras pticas reales, s existe


la tendencia a la cancelacin de ambos efectos, fenmeno denominado
efecto solitn.

Four-wave mixing (FWM)

Cuando tres (o ms) canales con portadoras diferentes se propagan con ele-
vada potencia a travs de una fibra ptica, se generan nuevas frecuencias, de
acuerdo con la relacin

FWM = 1 + 2 3 , (39)

como se puede observar en la figura 15. En este caso, la no linealidad se indi-


* En ingls, four-wave mixing
ca como mezcla de cuatro ondas*. El FWM es mximo cuando la dispersin (FWM).
** En ingls, dense wavelength
cromtica es mnima (D = 0). En las redes con division por longitud de onda**, division multiplexing, (DWDM).

este efecto se puede reducir utilizando fibra sin cero de dispersin (non-zero
dispersion).

Figura 15. Frecuencias espurias generadas por el fenmeno del FWM. Las componentes que
caen fuera de la banda de la seal pueden ser filtradas.

1 2 3

213 231
123 312 321
113 112 223 132 221 332 331

La DWDM es el equivalente, para medios de transmisin de fibra ptica,


a la multiplexacin en frecuencia*** utilizada en los medios de trans- *** En ingls, frequancy division
multiplexing (FDM).
misin de ondas electromagnticas. En el DWDM, distintas seales son
transmitidas por la misma fibra ptica mediante diferentes longitudes
de onda portadoras.

Es importante tener en cuenta que el efecto de FWM es perjudicial cuando las


frecuencias del canal son equidistantes, ya que en dicho caso las nuevas fre-
cuencias generadas coinciden con las frecuencias portadoras. En la figura 15 se
muestra un ejemplo con frecuencias 1 , 2 y 3 equidistantes. En la figura, las
frecuencias FWM generadas se denominan como ijk = i + j k . Es posible

c FUOC PID_00238491 30 Redes de fibra ptica

observar que las tres frecuencias portadoras 1 , 2 y 3 son interferidas por


frecuencias espurias generadas por el fenmeno no lineal FWM. Por lo tanto,
al elegir adecuadamente las separaciones entre canales se puede encontrar una
asignacin ptima para obtener el mnimo de FWM.

El ejemplo de la figura es para 3 frecuencias portadoras. En general, para un


N2
nmero de portadoras N, el nmero de productos obtenidos es 2 (N 1).

Cross-Phase Modulation (XPM)

El ltimo efecto de la no linealidad de Kerr es la modulacin de fase cruzada*,


* En ingls, cross-phase
que ocurre cuando dos o ms pulsos se propagan con diferentes frecuencias modulation (XPM).

portadoras. En este caso, cuando los pulsos se solapan, la fase de un pulso se


modifica por la variacin de potencia de otros pulsos.

Con el fin de evaluar con exactitud la evolucin de la seal en la fibra ptica,


incluyendo el efecto Kerr, es necesario resolver numricamente la ecuacin de
Schrdinger no lineal.

La ecuacin Schrdinger no lineal se obtiene a partir de las ecuaciones funda- Erwin Schrdinger
mentales del electro-magnetismo, las ecuaciones de Maxwell, particularizadas
Erwin Schrdinger
para un medio de transmisin como la fibra tpica. El estudio de esta ecua- (1887-1961), fsico austriaco
cin, que explica los efectos no lineales y la dispersin, no es objeto de este que fue uno de los padres de
la mecnica cuntica,
curso. A pesar de ello, dicha ecuacin se muestra a continuacin para que seis formul la ecuacin que
conscientes del alcance de la dificultad de su estudio: describe cmo cambia a lo
largo del tiempo el estado
cuntico de un sistema fsico.
( ) La ecuacin que describe los
A 2 2A
i = |A|2 A, (40) efectos no lineales de la fibra
z 2 t2 ptica es una
particularizacin no lineal de
la ecuacin de Schrdinger.
donde A es una funcin relacionada con el campo elctrico de un pulso ptico
dentro de la fibra, z es una coordenada longitudinal, t es el tiempo, y 2 y
son dos constantes.

Por ltimo, entre las no linealidades de la fibra ptica hay que mencionar
otros dos efectos: el scattering de Raman y el efecto de Brillouin. Ambos fe-
nmenos son una consecuencia de la transferencia de energa de una seal a
otras seales. Vemoslos:

Scattering de Brillouin. En el scattering de Brillouin, una parte de la po- Lon Brillouin


tencia de la seal se convierte en una seal que se propaga en direccin
El scattering de Brillouin
contraria con frecuencia desplazada de 11 GHz con respecto a la seal toma el nombre del fsico
francs que lo descubri,
transmitida. El scattering de Brillouin se presenta cuando la potencia de
Lon Brillouin (1889-1969).
la seal transmitida a una frecuencia determinada es superior a muchos
milivatios. El efecto de Brillouin puede despreciarse en la mayora de los
sistemas operativos.

c FUOC PID_00238491 31 Redes de fibra ptica

Efecto Raman. Al contrario de lo mencionado acerca de la importancia


Chandrasekhara Raman
del scattering de Brillouin, el efecto Raman es considerable, en presencia de
El nombre del efecto Raman
muchos canales de alta potencia en un amplio ancho de banda (WDM muy
hace honor al fsico indio
denso). Por lo tanto, el total de energa en el enlace de fibra considerado Chandrasekhara Raman
(1888-1970), uno de los
debe ser cuidadosamente evaluado en el diseo de un sistema ptico a fin
descubridores de dicho
de evitar la degradacin debida al efecto de Raman. Hay que sealar que el efecto.
efecto Raman puede tambin ser utilizado para la amplificacin, ya que la
potencia de las seales de bombeo puede ser transferida para amplificar
seales dbiles. Por lo tanto, en algunos enlaces de fibra, seales de alta
potencia (de bombeo o pump) pueden ser inyectadas en el final del tramo
de fibra para lograr una amplificacin de las seales de baja potencia.

1.2. Resumen

En el apartado 1 se ha explicado la estructura de la fibra ptica, el canal de


transmisin de las comunicaciones pticas. Se trata de un cable de vidrio
compuesto de dos partes: el ncleo (con un ndice de refraccin mayor) y
el revestimiento (con un ndice de refraccin menor). Gracias a la diferencia
entre los ndices de refraccin del ncleo y del revestimiento, la luz puede pro-
pagarse a travs de la fibra a lo largo de grandes distancias. A pesar de que la
estructura bsica de una fibra ptica responde a lo explicado, tambin existen
fibras que tienen ndices de refraccin no constantes en el ncleo, llamadas
fibras de gradacin de ndice (GI), frente a las fibras de salto de ndice (SI), con
ndice constante.

Se pueden distinguir dos tipos de fibra en funcin del nmero de modos que
pueden propagarse en ella: las fibras monomodo (SMF) y las fibras multimodo
(MMF).



Monomodo (SMF) Step index (SI)


Fibra ptica Step index (SI)


Multimodo (MMF)

Graded index (GI)

Los mayores problemas que afectan a las transmisiones en fibra ptica son
la atenuacin y la dispersin, fruto de la diferencia entre los modos (llamada
dispersin intermodal y slo existente en fibras multimodo) o de las distintas
componentes espectrales de la seal ptica (llamada dispersin cromtica).

La fibra ptica tiene un comportamiento muy lineal (y gracias a ello es po-


sible transmitir a grandes distancias), pero presenta ciertos fenmenos no li-
neales: los fenmenos derivados del efecto Kerr (self-Phase modulation, SPM,
cross-phase modulation, XPM, y four-wave mixing, FWM), el Scattering de Bri-
llouin y el efecto Raman.

c FUOC PID_00238491 32 Redes de fibra ptica





Atenuacin




Intermodal



Dispersin



Cromtica






Self-phase modulation (SPM)
Fenmenos que afectan a la transmisin






Efecto Kerr
Cross-phase modulation (XPM)






Fenmenos no lineales
Four-wave mixing (FWM)








Scattering de Brillouin





Efecto Raman

c FUOC PID_00238491 33 Redes de fibra ptica

2. Transmisores pticos
.

En general, los transmisores pticos (fuentes pticas) son transductores que


convierten una seal elctrica (corriente) en una seal luminosa (luz). Entre
las caractersticas que se requieren para que las fuentes pticas puedan ser
usadas en sistemas de transmisin de largo alcance y elevadas tasas de bit, ca-
be destacar una elevada eficiencia de conversin, la emisin de luz/potencia
ptica en las longitudes de onda correspondientes a las tres ventanas de trans-
misin en fibra (comentadas en el apartado anterior), estabilidad con la tem-
peratura, compatibilidad con las fibras pticas para un eficiente acoplamiento
y coste reducido. Para satisfacer estos requerimientos, en los sistemas de co-
municaciones pticas se utilizan esencialmente fuentes pticas hechas con
semiconductores. De hecho, las fuentes pticas hechas con semiconductores
ofrecen muchas ventajas, entre las cuales cabe destacar el tamao compac-
to, rea de emisin adecuada para el acoplamiento de la seal de salida a
una fibra, alta eficiencia y fiabilidad, una gama de frecuencias adecuadas para Lser y LED

los sistemas de transmisin ptica, y posibilidad de modulacin directa de la


LASER son las siglas de light
seal. Concretamente, se utilizan los lseres de semiconductores y los LED, amplification by stimulated
realizados mediante uniones p n en polarizacin directa. Estos ltimos se uti- emission of radiation y LED
son las siglas de light emitting
lizan principalmente en pequeas redes locales que no requieren altas veloci- diode.
dades de transmisin, mientras que los primeros se utilizan en las conexiones
a grandes distancias y a altas tasas de bits.

Los semiconductores ms utilizados son el arseniuro de galio dopado con


aluminio (Alx Ga1x As) y el arseniuro de galio dopado con indio y fsforo
(In1x Gax Asy P1y ). La concentracin x del Al, puesto en el retculo de GaAs,
permite variar la longitud de onda de la radiacin en el rango 0,85 y 0,78 m
(primera ventana), mientras que con la insercin de In y P se obtienen las
longitudes de onda entre 0,9 y 1,67 m (segunda y tercera ventana).

A lo largo de este apartado se analizan los principios en los que se basa el


funcionamiento de los transmisores pticos, parte fundamental de cualquier
sistema de comunicaciones pticas.

2.1. Los semiconductores

Los semiconductores son materiales que, en trminos de conductividad, se


encuentran entre los conductores y los aislantes. La conductividad est re-
lacionada con los enlaces existentes entre los ncleos de los tomos y sus
electrones. Cuanto ms fuerte es dicho enlace, mayor dificultad supone que

c FUOC PID_00238491 34 Redes de fibra ptica

se rompa y que los electrones se muevan libremente (corriente elctrico). En


otras palabras, a pesar de que los enlaces entre los electrones y el ncleo son
fuertes, en los materiales semiconductores son susceptibles de romperse.

Los semiconductores son los materiales que han hecho posible las comuni-
caciones pticas, y en este apartado entenderemos cmo, a partir de sus pro-
piedades, permiten la generacin de luz a partir de corriente elctrica. El se-
miconductor ms utilizado en los transmisores pticos es el silicio (Si), que
adems es uno de los elementos de la tabla peridica ms abundante en el
planeta (la arena es, en gran parte, dixido de silicio, SiO2 ).

La estructura de un tomo, sea cual sea el material, consta de un ncleo y unos


electrones. El ncleo est formado por protones y neutrones y posee una carga
positiva. En cuanto a los electrones, que tienen carga negativa, se encuentran
orbitando alrededor del ncleo. No todas las rbitas son ni vlidas ni equipro-
bables. En el caso de los tomos de semiconductores, existen electrones con
rbitas muy prximas al ncleo y electrones con rbitas ms lejanas.

En los semiconductores, los electrones con rbitas ms cercanas tienen


enlaces muy fuertes con el ncleo y no acostumbran a cambiar de esta-
do. Por el contrario, los electrones con rbitas ms lejanas pueden crear
enlaces con otros tomos y son denominados electrones de valencia.

Por ejemplo, el tomo de silicio tiene 14 electrones, 10 de los cuales se en-


cuentran en rbitas prximas al ncleo y 4 son electrones de valencia.

2.1.1. Semiconductor intrnseco

Los tomos de materiales semiconductores pueden formar estructuras distin- Enlace covalente

tas, como por ejemplo estructuras completamente aleatorias o estructuras cris- Un enlace covalente es aquel
talinas. De todos modos, en la mayora de los semiconductores los tomos se que se forma cuando dos
tomos comparten electrones
disponen en estructuras regulares (cristalinas). Para formar estructuras crista- de valencia.
linas, los tomos crean enlaces covalentes, es decir, comparten electrones de
valencia. Los electrones de valencia tienen, en esa situacin, un enlace con
ambos ncleos. Se trata de enlaces fuertes.

Volviendo al ejemplo del silicio, los tomos crean estructuras (tridimensiona-


les) en las que cada tomo de silicio tiene 4 enlaces covalentes (un enlace para
cada electrn de valencia) con 4 tomos diferentes. La figura 16 muestra un
ejemplo de estructura cristalina. En ella, los tomos (crculos) estn unidos
entre ellos mediante enlaces covalentes (rayas).

c FUOC PID_00238491 35 Redes de fibra ptica

Figura 16. Estructura cristalina tpica de un semicoductor

Tal y como ya se ha mencionado, los enlaces covalentes son fuertes pero pue- Quantum (o cuanto) de
energa
den romperse. Supongamos que un electrn de valencia, que est formando
un enlace covalente, absorbe un quantum (o cuanto) de energa. Si la energa Trmino que designa la
absorbida es suficientemente grande, el electron de valencia puede romper el cantidad elemental con la
que vara una magnitud fsica
enlace y convertirse en un electrn libre que se desplaza libremente por el se- cuantificada, como por
miconductor (el electrn se denomina electrn de conduccin). El enlace roto ejemplo la energa.

presenta un desequilibrio y, por lo tanto, es susceptible de captar un electrn


para devolver el equilibrio al enlace covalente.

Supongamos, para simplificar la explicacin, una estructura unidimensional


como la mostrada en la figura 17. Cada enlace covalente est formado por
dos electrones, cada uno aportado por un tomo. Los tomos se representan
mediante circumferencias y los enlaces covalentes mediante lneas slidas.
Adems, se aplica un campo elctrico sobre el semiconductor. Como podemos
observar en la figura 17, el campo elctrico va desde el signo + al signo .

Figura 17. Simplificacin de la estructura de un semiconductor

En un momento determinado un electrn de valencia absorbe un quantum de


energa y rompe el enlace. El electrn queda libre. El enlace roto se representa
como una lnea discontinua. Debido al campo elctrico aplicado, el electrn
de conduccin se desplaza en direccin contraria al campo elctrico. As, te-
nemos un enlace roto en el que, para recuperar el equilibrio, es necesaria una
carga positiva (hueco) y una carga negativa (electrn). El enlace roto puede
verse como una carga positiva. A partir de ahora denominamos hueco al en-
lace roto con carga positiva (figura 18).

c FUOC PID_00238491 36 Redes de fibra ptica

Figura 18. El enlace covalente se rompe y el electrn se desplaza libremente en la direccin


contraria a la del campo elctrico.

Electrn

Hueco

El campo elctrico y el hueco existente propician que un enlace prximo se


rompa y el electrn liberado se situe en el hueco existente para recuperar el
equilibrio (figura 19).

Figura 19. Un enlace covalente se rompe y el electrn ocupa el espacio en el hueco prximo.

Electrn
Electrn

Hueco

El proceso se repite (figura 20). Ntese que el proceso produce dos efectos: por
un lado los electrones se desplazan en el sentido contrario al campo elctri-
co y por el otro, los huecos se desplazan en el sentido del campo elctrico.
Entendemos, pues, que los electrones de conduccin son portadores de carga
negativa y que los huecos son portadores de carga positiva.

Figura 20. El proceso se repite.

Electrn
Electrn

Hueco

Los semiconductores intrnsecos son aquellos semiconductores que no


contienen impurezas. Es decir, son aquellos semiconductores en los que
no hay tomos distintos a los del propio semiconductor.

En la realidad los semiconductores intrnsecos perfectos no existen, ya que


siempre hay una cierta densidad de impurezas, aunque es posible encontrar
semiconductores con densidades de impurezas muy bajas.

c FUOC PID_00238491 37 Redes de fibra ptica

2.1.2. Semiconductor extrnseco

El proceso mediante el cual se aaden impurezas a la estructura de un semi-


conductor se denomina dopaje.

Un semiconductor extrnseco es aquel semiconductor que, mediante


un proceso de dopaje, tiene impurezas en su estructura.

El tipo de impurezas que se aaden al semiconductor determinan si tiene


exceso de portadores negativos (electrones) o de portadores positivos (huecos).
Cuando las impurezas hacen que haya una mayor concentracin de electrones
de conduccin, el semiconductor se denomina semiconductor de tipo n. Por
el contrario, si existe una mayor densidad de huecos, el semiconductor es
del tipo p. La clave para obtener un tipo u otro de semiconductor extrnseco
depende de las impurezas.

Volviendo a centrarnos en el semiconductor de silicio, las impurezas para con-


seguir un dopaje n son aquellas que tienen 5 electrones de valencia. Como el
silicio tiene 4 electrones de valencia, al aadir tomos con 5 electrones de
valencia hace que las impurezas entren en la estructura y tengan 4 enlaces co-
valentes. El quinto electrn queda libre. El fsforo o el arsenio son ejemplos
de impurezas para obtener un semiconductor del tipo n a partir del silicio.

En cambio, si las impurezas tienen 3 electrones de valencia, entonces sucede lo


contrario. Las impurezas entran en la estructura creando 4 enlaces covalentes,
uno de los cuales tiene un dficit de un electrn (la impureza slo tiene 3
electrones de valencia). En otras palabras, la estructura tiene mayor densidad
de huecos que de electrones de conduccin. Este semiconductor es del tipo p.
Las impurezas ms habituales para el semiconductor del tipo p de silicio son
el bario o el boro.

Dentro de un semiconductor, existen dos tipos de corriente: la corriente de


difusin y la corriente de arrastre.

Cuando entre dos puntos de un semiconductor existe una diferencia de


concentracin de portadores (ya sea electrones o huecos), se crea una
corriente que intenta igualar las concentraciones dentro del semicon-
ductor. A este fenmeno se le denomina corriente de difusin.

La presencia de un campo elctrico en un semiconductor es responsable


del movimiento de los portadores (tanto electrones como huecos). A
este fenmeno se le denomina corriente de arrastre.

c FUOC PID_00238491 38 Redes de fibra ptica

2.2. Mecanismos de interaccin radiacin-materia

El principio de funcionamiento de los transmisores pticos de semiconduc-


tores es la recombinacin electrn-hueco, responsable de la generacin de la
radiacin de luz (potencia ptica). Este fenmeno debe ser estudiado en el
marco ms general de los mecanismos de interaccin de una radiacin con la
materia.

Los mecanismos de interaccin radiacin-materia son los siguien-


tes:

Emisin espontnea.
Emisin estimulada.
Absorcin.

Estos fenmenos se describen en el marco de la mecnica cuntica; sin em-


bargo, aqu nos referiremos slo a principios bsicos de la teora clsica de la
interaccin radiacin-materia.

2.2.1. Emisin espontnea

En ausencia de influencias externas, un tomo (una molcula o un electrn)


realiza una transicin desde el nivel de energa E2 al nivel de energa E1 , con
E2 > E1 , emitiendo un fotn cuya energa es la diferencia entre E1 y E2

Ley de Planck
h = E2 E1 , (41)

La Ley de Planck relaciona la


energa de un fotn con su
34
donde h = 6,63 10 [J s] es la constante de Planck y es la frecuencia del frecuencia mediante la
fotn generado (por este motivo en la literatura es posible encontrar tanto constante de Planck (h):

f como ). En general, el tomo con energa E2 se dice que se encuentra en h = E


la banda de conduccin, mientras que el tomo con energa E1 se dice que
est en la banda de valencia. Como se puede observar en la figura 21, cuando Max Planck
un electrn pasa desde la banda de conduccin a la banda de valencia (sin
Max Planck (1958-1947) fue
influencias externas) se genera un fotn con una energa igual a la diferencia un fsico alemn padre de la
teora cuntica y ganador del
entre las energas de las dos bandas.
Premio Nobel de Fsica en
1918.

Para cuantificar el efecto de la emisin espontnea es necesario calcular cun-


tos fotones son generados por dicho fenmeno. Observando un poco ms en
detalle el fenmeno, podemos asegurar que la cantidad de fotones generados
estar estrechamente relacionada con el nmero de portadores que pasan del
nivel de energa E2 al nivel de energa E1 . En otras palabras, es posible encon-
trar el nmero de fotones que se generan por emisin espontnea a partir de

c FUOC PID_00238491 39 Redes de fibra ptica

la variacin del nmero de portadores del nivel de energa E2 (o, alternativa-


mente, la variacin de la densidad de portadores en E2 ). Para cuantificarlo,
procedemos a los clculos.

Figura 21. Esquema del fenmeno de la emisin espontnea

2
E2

1
E1

Indicamos con N2 (t) la densidad de portadores del nivel 2, es decir, el n-


mero de tomos (o electrones) por unidad de volumen que en el instante t
tienen energa E2 . Teniendo en cuenta que la derivada de una funcin indica
la variacin de dicha funcin respecto a la variable por la cual se ha deriva-
do, dN2 (t)/dt corresponde a la variacin de N2 (t) a lo largo del tiempo. As, el
ritmo de transicin por emisin espontnea es

( )
dN2 (t)
Resp () = = AN2 (t), (42)
dt esp

donde A es una constante, llamada coeficiente de Einstein, que es inversamen-


Coeficientes de Einstein
te proporcional al tiempo de vida media del tomo (o electrn) en el nivel
2. Sustituyendo A = 1/ en la ecuacin (42) e integrando respecto al tiempo se Los coeficientes de Einstein
fueron definidos por Albert
obtiene Einstein en 1916, en su
anlisis de la radiacin de la
teora cuntica. Los tres
t coeficientes son A, B12 y B21 ,
N2 (t) = N2 (0)e . (43) cuya utilidad y relacin se
vern a lo largo de este
apartado.
A partir de la expresin (43), es posible asegurar que la densidad de portado-
res del nivel 2 disminuye exponencialmente debido a la emisin espontnea.
Ntese que los portadores del nivel 2 que descienden a niveles de energa in-
feriores generan un fotn con la energa diferencial de los dos niveles.

2.2.2. Emisin estimulada

Un fotn con frecuencia tal que satisfaga la ecuacin (41) puede estimular
la transicin del tomo desde el nivel 2 hacia el nivel 1 con la emisin de
un fotn que es una rplica exacta del fotn incidente. En la figura 22 puede
observarse un esquema del fenmeno descrito, donde un fotn con frecuencia
estimula que un portador pase del nivel 2 al nivel 1 y se emita otro fotn
con frecuencia .

c FUOC PID_00238491 40 Redes de fibra ptica

Figura 22. Esquema del fenmeno de la emisin estimulada

2
E2

h h

1
E1

Del mismo modo que suceda en el caso de la emisin espontnea, la variacin


de N2 (t) es su derivada. Obviamente la funcin N2 (t) no es en este caso igual
que en el caso de la emisin espontnea. Ms adelante se estudiar cmo es
N2 (t) en el caso de la emisin estimulada. La tasa de transicin por emisin
estimulada es

( )
dN2 (t)
Rest () = . (44)
dt est

2.2.3. Absorcin

La absorcin es el fenmeno por el cual un tomo se mueve desde el nivel


de energa E1 al nivel de energa E2 despus de absorber un fotn que, a su
vez, cumple la Ley de Planck (ecuacin (41)). La figura 23 muestra, esquem-
ticamente, el fenmeno de la absorcin. En ella, un fotn con frecuencia es
absorbido y un portador del nivel 1 de energa se desplaza al nivel de energa 2.

Figura 23. Esquema del fenmeno de la absorcin

2
E2

1
E1

Indicando con N1 (t) la densidad de portadores del nivel 1 en el instante t, la


tasa de absorcin es

( )
dN1 (t)
Rabs () = . (45)
dt abs

La tasas de emisin estimulada y absorcin tambin se pueden expresar como


una funcin de la densidad espectral de energa de los fotones incidentes:

Rest () = B21 E ()N2 (t), (46)

Rabs () = B12 E ()N1 (t), (47)



c FUOC PID_00238491 41 Redes de fibra ptica

donde B12 y B21 son los coeficientes de Einstein y E () es la densidad de


energa de la radiacin a la frecuencia . Ntese que la frecuencia no es cual-
quiera, sino que es la frecuencia que cumple la Ley de Planck, y que permite
que se d emisin estimulada o absorcin, respectivamente, entre las bandas
E1 y E2 .

2.2.4. Relaciones de Einstein

Calculamos ahora la relacin entre los tres coeficientes de Einstein A, B12 y B21 ,
introducidos en los subapartados anteriores. A partir de ahora, a los tomos (o
electrones) que se mueven entre las bandas de conduccin y valencia debido a
la absorcin o a la emisin estimulada los denominaremos como portadores.
En condiciones de equilibrio termodinmico, la densidad de los portadores de
los niveles 1 y 2, es decir, N1 (t) y N2 (t), se mantienen constantes. Es importan-
te notar que N1 (t) y N2 (t) pueden ser constantes por dos motivos: la solucin
trivial (Resp = Rest = Rabs = 0, en la cual no hay ni absorcin ni emisin esti-
mulada o espontnea) o la compensacin de las tasas de emisin, espontnea
y estimulada, y la tasa de absorcin (Resp + Rest = Rabs ). La solucin trivial no
es vlida para el estudio de transmisores pticos, ya que significara que no se
generan fotones. Por lo tanto, debemos encontrar la solucin no trivial, que
significa que las tasas de absorcin y de emisin deben coincidir. Es decir, debe
cumplirse

AN2 (t) + B21 E ()N2 (t) = B12 E ()N1 (t). (48)

Segn las leyes de la termodinmica, la densidad de portadores N1 (t) y N2 (t) Ludwig Boltzmann
de los dos niveles en condiciones de equilibrio termodinmico se pueden ex-
Ludwig Boltzmann
presar mediante la distribucin de Boltzmann, y entonces su relacin es (1844-1906) fue un fsico
austriaco que centr sus
investigaciones en las leyes
N2 (t) eE2 /KB T de la termodinmica a partir
= = e(E2 E1 )/KB T , (49) de la mecnica de las
N1 (t) eE1 /KB T
molculas y con mtodos
estadsticos.

donde T es la temperatura (en grados Kelvin) y KB = 1,3 1023 J/K es la cons-


tante de Boltzmann. Manipulando la ecuacin (48) es posible expresar la den-
sidad de la radiacin en funcin del resto de variables:

N1 (t)
B () = A + B21 E (), (50)
N2 (t) 12 E

( )
N1 (t)
E () B B21 = A, (51)
N2 (t) 12

A
E () = N1 (t)
. (52)
N2 (t) B12 B21

c FUOC PID_00238491 42 Redes de fibra ptica

Sustituyendo en esta ltima expresin la relacin obtenida a partir de la dis-


tribucin de Boltzmann (ecuacin (49)), y recordando que E2 E1 = h, se
obtiene

A
E () = . (53)
B12 eh/KB T B21

Por ltimo, podemos obtener la relacin entre los coeficientes de Einstein


mediante la comparacin de la ecuacin anterior con la Ley de Planck del
cuerpo negro, que expresa el espectro de densidad de energa de la radiacin
en funcin de la temperatura T. sta se expresa de la siguiente manera:

8h3 1
E () = , (54)
vg3 eh/KB T 1

donde vg es la velocidad de propagacin de la radiacin. Comparando ambas


ecuaciones, se deduce:

vg3 A
B12 = B21 = B = . (55)
8h3

Ejemplo 6

Se asume que el ndice de refraccin del material semiconductor es nsc = 3,5 y que la
longitud de onda operativa es = 0,8 m. Entonces, la frecuencia operativa es =
(c/) = 3,75 1014 m/s. Por lo tanto, la relacin entre las constantes de Einstein B y A ser
B/A = 7,17 1012 m3 /(J s).

2.2.5. Amplificador lser

Un amplificador lser, como indica su nombre, se caracteriza por la capacidad


de amplificar y, por lo tanto, es importante que seamos capaces de analizar
su ganancia. El amplificador lser est creado a partir de un tramo de semi-
conductor (como se ver ms adelante). La ganancia que se obtenga ser el
resultado de la ganancia de la seal ptica a medida que se propaga a lo largo
del semiconductor. Como la naturaleza de la seal que se propaga a travs
del semiconductor es ptica, es posible estudiar la ganancia del amplificador a
partir del estudio del flujo de fotones que atraviesa la seccin del amplificador
(denominado F(z)).

Para realizar el anlisis de un amplificador lser, despreciamos por un momen-


to la emisin espontnea, y vamos a calcular la variacin neta dF(z) del flujo
de fotones de una onda que, propagndose en la direccin dz, atraviesa una
capa de material cuyo espesor es z. Consideramos slo los fenmenos de la
emisin estimulada y de absorcin y, para simplificar, no se tiene en cuen-
ta la dependencia de la variable tiempo de la densidad de portadores de los
dos niveles; la evolucin del flujo de fotones se puede expresar de la siguiente
forma:

c FUOC PID_00238491 43 Redes de fibra ptica

dF
= ()N2 F(z) ()N1 F(z), (56)
dz

donde () es la seccin transversal de transicin, cuya unidad es [m2 ]; sta


puede relacionarse con los coeficientes de Einstein, as que puede expresarse
de la forma siguiente:

2
() = . (57)
8

La seccin transversal de transicin es la probabilidad de que un portador


realice una transicin entre los dos estados, es decir, la probabilidad de que
haya absorcin o emisin. La ecuacin (56) tiene dos trminos, el correspon-
diente a la emisin estimulada y el correspondiente a la absorcin. Suponga-
mos que tenemos un flujo de fotones determinado. Cuanto mayor sea el flujo
de fotones, mayor ser la cantidad de electrones que, debido a la emisin esti-
mulada, sern estimulados y pasarn de la banda E2 a la banda E1 , emitiendo
un fotn (la variacin del flujo de fotones crece). Adems, la cantidad de fo-
tones generados tambin depender de la concentracin de portadores en la
banda 2. As, cuanto mayor sea la concentracin de portadores en E2 , mayor
ser el nmero de fotones generados. El efecto de la emisin estimulada queda
reflejado en el primer trmino de la ecuacin (56). En cuanto a la absorcin, el
efecto es contrario al de la emisin estimulada. Si aumenta el flujo de electro-
nes, tambin aumenta la absorcin. Un aumento de la absorcin implica que
una mayor cantidad de fotones son absorbidos por los electrones de la banda
de valencia y, en consecuencia, el flujo de fotones desciende. Del mismo mo-
do que suceda con la emisin estimulada, cuanto mayor sea la densidad de
portadores en la banda E1 , mayor ser la absorcin y mayor ser el descenso
del flujo de fotones. La absorcin queda caracterizada por el segundo trmino
de la ecuacin.

Si se integra la ecuacin (56) con respecto a z obtenemos

F(z) = F(0)e()(N2 N1 )z = F(0)eg()z (58)

siendo

2
g() = ()(N2 N1 ) = (N N1 ) (59)
8 2

la ganancia ptica, cuya dimensin es [m1 ]. El objetivo del amplificador lser


es que el flujo de fotones crezca. Para conseguirlo es necesario que la emisin
estimulada sea mayor que la absorcin. Por lo tanto, observando la expresin
de la ganancia g(), para que la radiacin que se propaga en el medio fsico
sea amplificada es necesario realizar la condicin de inversin de poblacin,
es decir,

c FUOC PID_00238491 44 Redes de fibra ptica

N2 > N1 (60)

La densidad de portadores en la banda de conduccin (E2 ) debe ser mayor que


la densidad de portadores en la banda de valencia (E1 ).

2.2.6. Oscilador lser

Un oscilador lser consiste en una cavidad resonante formada por dos espejos
con reflectividad R1 y R2 , situados a una distancia L. Tal como ya se ha estu-
diado, cuanto mayor es la reflectividad, menor es la potencia ptica transmi-
tida a travs del espejo, y mayor es la potencia ptica reflejada. En el interior
del resonador existe un medio activo con ganancia ptica igual a la expresa-
da en la frmula (59). Indicamos con el coeficiente de atenuacin, que tiene
en cuenta las prdidas por unidad de longitud en la cavidad.

Figura 24. Esquema de un oscilador

Espejo Espejo
(reflectividad R1) (reflectividad R2)

Medio activo

El funcionamiento de un oscilador lser consiste en la reflexin de la seal


ptica dentro de la cavidad (medio activo) para conseguir que se amplifique.
Tal como hemos visto en el subapartado anterior, la ganancia crece en fun-
cin de la longitud que la seal recorre en el interior del medio activo. Por lo
tanto, conviene que la longitud de la cavidad sea grande. A pesar de ello, las
dimensiones del oscilador deben ser reducidas y es posible conseguir el mis-
mo efecto confinando la seal ptica dentro de la cavidad y haciendo que la
recorra repetidamente. As, la seal ptica inyectada dentro de la cavidad del
oscilador se propaga entre los dos espejos de forma repetida. Cada vez que la
seal llega a uno de los espejos, una parte de la seal es transmitida a travs
del espejo y el resto es reflejada, haciendo un camino de ida y vuelta dentro
de la cavidad. Cada vez que la seal atraviesa la cavidad tiene una ganancia
(g()), pero tambin sufre una atenuacin ().

Si en la cavidad se establece una condicin estacionaria de oscilacin (ni ga-


nancia ni prdida), es necesario que despus de un trayecto de ida y vuelta
(2L, ya que la luz atraviesa toda la cavidad, es reflejada y se propaga otra vez
hacia el inicio), la ganancia compense exactamente las prdidas, es decir,


e2()(N2 N1 )L e2L R1 R2 = 1. (61)

c FUOC PID_00238491 45 Redes de fibra ptica

En la ecuacin (61) podemos identificar cada uno de los trminos. En primer


lugar la amplitud de la seal ptica tendr una ganancia que ser el resultado
de recorrer una distancia 2L dentro del oscilador (eg()2L ). Adems, tambin
sufrir una atenuacin en funcin de la distancia y del coeficiente de atenua-
cin (e2L ). Por ltimo, la seal ser reflejada en las dos caras reflectantes, y

slo se reflejar la potencia incidente multiplicada por R1 en una capa y por

R2 en la otra. Ntese que, si como sucede en la ecuacin (61), todas las con-
tribuciones se compensan y el resultado es 1, no existir el efecto lser. Por
lo tanto, es necesario que la ganancia ptica g() sea mayor que el valor que
cumple la condicin (61).

Si aplicamos el logaritmo neperiano a ambos lados de la ecuacin, a partir de Propiedades del


logaritmo neperiano
esta condicin se obtiene la inversin de poblacin crtica, es decir, el mnimo
valor de inversin de poblacin para que haya efecto lser: Las propiedades del
logaritmo neperiano
utilizadas en la resolucin de
ln R1 R2 la expresin (62) son las
Nt = N2 N1 = = tot , (62)
() 4L() () siguientes:
( )B) = ln (A) + ln (B)
ln (A
ln AB = ln (A) ln (B)
donde tot = ln(R1 R2 )/(4L) tiene en cuenta todas las prdidas en la cavidad: ( )
ln AB = B ln (A)
aquellas debidas a la transmisin parcial a travs de los espejos y las prdidas ln(e) = 1

por otros mecanismos, como por ejemplo el efecto scattering, etc.

Para realizar un sistema capaz de amplificar la radiacin de la luz, es necesa-


rio determinar la condicin de inversin de la poblacin; sin embargo, si se
quiere una fuente ptica lser, se requiere que la inversin de la poblacin sea
mayor que el valor crtico. En el siguiente subapartado analizaremos los meca-
nismos de emisin y absorcin en un semiconductor, para determinar cules
son las condiciones para que la radiacin pueda ser generada o absorbida por
los mismos.

2.3. Emisin y absorcin en materiales semiconductores

En este subapartado se presentan los mecanismos de interaccin radiacin-


materia en un semiconductor. Un fotn de luz se genera cuando un electrn
en la banda de conduccin se recombina con un hueco en la banda de valen-
cia. Del mismo modo, la absorcin de un fotn permite la transicin de un
electrn desde la banda de valencia a la banda de conduccin, generando un
par electrn-hueco.

2.3.1. Concentracin de los portadores

En los materiales semiconductores los niveles de energa permitidos forman


unas bandas de energa. Cada banda contiene niveles de energa que estn
muy cerca. Por ejemplo, si nos centramos en la banda de conduccin, los

c FUOC PID_00238491 46 Redes de fibra ptica

electrones no slo tienen energa E2 sino que tambin pueden tener energas
Electronvoltio (eV)
muy prximas a E2 . La banda de valencia y la banda de conduccin estn
separadas por un intervalo de energa prohibida, entre 0,1 y 3 eV, definido Unidad de energa que
como bandgap. adquiere una carga elemental
(electrn) al trasladarse entre
dos puntos con diferencia de
potencial de un voltio. Su
Para calcular la concentracin de los electrones n(E2 )dE2 por unidad de vo- equivalencia en el sistema
lumen que tienen energa entre E2 y E2 + dE2 , hace falta conocer la densidad internacional es 1 eV =
1,60219 1019 J.
de estados c (E2 ), definida como el nmero de estados de energa que existen
entre E2 y E2 + dE2 , y la probabilidad de que el electrn (fc (E2 )) ocupe el nivel
de energa E2 ,

n(E2 ) = c (E2 )fc (E2 ). (63)

La densidad de los estados de energa permitidos en la banda de conduccin,


es decir, el nmero de estados de energa por unidad de volumen, tiene la
expresin

(2mc )3/2
c (E2 ) = (E2 EC )1/2 E2 EC , (64)
22 ~3

donde mc es la masa efectiva de densidad de estados de electrones (constan-


te propia de cada material con dimensiones de masa), EC es la energa de la
banda de conduccin y ~ = h/2. La densidad de estados de energa tiene
una interpretacin fsica. Segn la teora clsica, los electrones de un tomo
slo pueden tener algunos niveles de energa determinados. As, incluso en
la banda E2 , slo es posible encontrar electrones en algunas bandas prximas
determinadas. Este parmetro indica la densidad de electrones en una banda
de energa.

En condicin de equilibrio, la probabilidad de que un electrn ocupe un esta- Distribucin de


Fermi-Dirac
do de energa permitido en la banda de conduccin se puede expresar a travs
la distribucin de Fermi-Dirac: La distribucin de
Fermi-Dirac representa la
probabilidad de que un
1 determinado nivel de energa
fc (E2 ) = , (65) del sistema est ocupado por
1 + e(E2 EFc )/KB T
los fermiones, partculas
elementales que siguen dicha
donde EFc es el nivel de Fermi en la banda de conduccin, que indica el valor distribucin.
La distribucin fue descrita de
de energa por el cual la probabilidad de que un electrn tenga esa energa forma independiente por el
fsico y matemtico italiano
es 0,5. La figura 25 muestra un ejemplo de dicha distribucin, tanto para la
Enrico Fermi (1901-1954) y
funcin de densidad de estados de la banda de conduccin como para la de el fsico britnico Paul Dirac
(1902-1984).
valencia (equivalente a la de conduccin pero para la banda de valencia).

En un semiconductor no dopado o intrnseco, en condiciones de cero abso-


luto de temperatura (T = 0 K), la banda de conduccin est completamente
vaca y la banda de valencia est completamente ocupada. Como se ha ex-
plicado en el subapartado 2.1.1, cuando no hay impurezas (semiconductores

c FUOC PID_00238491 47 Redes de fibra ptica

Figura 25. Distribucin de Fermi-Dirac

T > 0K
EC

EF T = 0K

EV

0 0,5 1 fc(E), fv(E)

intrnsecos) los tomos forman una estructura cristalina y los electrones de


valencia crean enlaces covalentes. No hay en tal caso electrones libres (a una
temperatura igual al cero absoluto), con una energa igual a la de la banda de
conduccin. Adems, EFc = (EC + EV )/2, es decir, el nivel de Fermi cae exac-
tamente en el centro de la banda de energa prohibida. Si el semiconductor
dopado es del tipo n, el nivel de Fermi se mueve hacia la banda de conduccin,
o dicho en otras palabras, crece la probabilidad de que los electrones tengan
la energa de la banda de conduccin. Recordemos que los semiconductores
dopados (o extrnsecos) del tipo n se caracterizan por tener una mayor den-
sidad de electrones en la banda de conduccin. En cualquier caso, el nmero
total de electrones por unidad de volumen que est en la banda de conduc-
cin, denominado n, es la suma de todos los electrones que estn en niveles
de energa superiores o iguales a EC , por lo tanto


n= n(E2 )dE2 . (66)
EC

De la misma forma, la concentracin de huecos p(E1 )dE1 que por unidad de


volumen tienen energa entre E1 y E1 + dE1 se puede calcular como el producto
de la densisad de estados v (E1 ) por la probabilidad 1 fv (E1 ) de que el electrn
no ocupe el nivel de energa E1 (es decir, que haya un hueco con energa E1 ).

p(E1 ) = v (E1 )(1 fv (E1 )). (67)

donde v (E1 ) es la densidad de estados de energa permitidos en la banda de


valencia, que se muestra en la figura 26 y responde a la siguiente expresin:

(2mv )3/2
v (E1 ) = (EV E1 )1/2 E1 EV (68)
22 ~3

c FUOC PID_00238491 48 Redes de fibra ptica

Las expresiones de v (E1 ) y c (E2 ) son anlogas, y por lo tanto, podemos de-
ducir que mv es la masa efectiva de densidad de estados de huecos y EV es la
energa de la banda de valencia.

La probabilidad de que un electrn ocupe el nivel de energa E1 en la banda de


valencia tambin se puede expresar mediante la distribucin de Fermi-Dirac:

1
fv (E1 ) = , (69)
1 + e(E1 EFv )/KB T

donde EFv es el nivel de Fermi en la banda de valencia. El nmero total de


huecos en la banda de valencia por unidad de volumen es

EV
p= p(E1 )dE1 . (70)

Si el semiconductor se encuentra en un estado de equilibrio termodinmico,


el nivel de Fermi en la banda de conduccin y en la banda de valencia coin-
ciden EFv = EFc = EF . Al contrario de lo que suceda con los semiconductores
dopados del tipo n, cuando el semiconductor es del tipo p, el nivel de Fermi
en equilibrio trmico se desplaza hacia la banda de valencia. Es decir, la pro-
babilidad de que los electrones estn en la banda de valencia crece. Esto est
relacionado con el hecho de que en los semiconductores del tipo p la densidad
de huecos es mayor.

En un semiconductor intrnseco en condiciones de equilibrio trmico, el n-


mero total de electrones n es igual al nmero de huecos p, y es igual a la
concentracin intrnseca ni :

(2KB T)3/2
ni = 2 (mc mv )3/4 eEG /2KB T , (71)
h3

donde EG es la diferencia entre la energa de la banda de conduccin y la ener-


ga de la banda de valencia. Es decir, es la anchura de la banda prohibida y la
energa de un fotn que se haya generado por emisin en dicho semiconduc-
tor. La figura 26 muestra la densidad de estados (de la banda de conduccin
y de la banda de valencia) para tres semiconductores distintos. En el eje ver-
tical se representa la energa, mientras que en el eje horizontal se representa
la densidad de estados de valencia y de conduccin, respectivamente. En la
figura se supone equilibrio trmico, por lo tanto, el nivel de Fermi de la banda
de valencia y de la banda de conduccin coincide. Tal como se ha explicado,
es posible observar cmo el nivel de Fermi permanece en el punto medio de la
banda prohibida cuando el semiconductor es intrnseco, y cmo se desplaza
hacia las bandas de valencia o de conduccin en funcin de si el semiconduc-
tor dopado es del tipo p o n.

c FUOC PID_00238491 49 Redes de fibra ptica

Figura 26. Densidad de estados en las bandas de conduccin y de valencia:


a. Semiconductor intrnseco; b. semiconductor dopado de tipo n; c. Semiconductor dopado
de tipo p.

EFc
EC EC EC

EF
c(E), v(E) c(E), v(E) c(E), v(E)
EV
EV EV
EFv

a. b. c.

2.3.2. Generacin y recombinacin

Tal como se ha descrito en subapartados anteriores, en un semiconductor, un


electrn puede pasar desde el nivel de energa E1 en la banda de valencia al
nivel de energa E2 en la banda de conduccin en el caso de que un fotn de
energa h = E2 E1 sea absorbido. La absorcin de un fotn genera, por lo
tanto, un par electrn-hueco. De forma dual, un electrn puede pasar desde
el nivel E2 en la banda de conduccin al nivel E1 en la banda de valencia emi-
tiendo un fotn de la misma energa. El mecanismo de recombinacin de un
par p n puede ser tambin espontneo o estimulado por la presencia de otro
fotn de igual energa.

De ahora en adelante, se utilizar el trmino par p n y par electrn-


hueco indistintamente. Generar un par p n significa que un electrn
de la banda de valencia absorbe un fotn y pasa a la banda de conduc-
cin. De este modo se genera un electrn libre (portador negativo) y un
enlace covalente roto o hueco (portador positivo).

Por el contrario, la recombinacin del par p n implica que un electrn


libre en la banda de conduccin crea un enlace covalente (se combina
con un hueco) y al desprender energa se genera un fotn.

La figura 27 esquematiza ambos fenmenos.

Figura 27. Absorcin y emisin en un semiconductor

Banda de conduccin

Banda de valencia

c FUOC PID_00238491 50 Redes de fibra ptica

En condiciones de equilibrio termodinmico, la generacin de pares pn siem-


pre acompaa al proceso inverso de recombinacin, es decir, la tasa de gene-
racin G y de recombinacin R coinciden y son proporcionales al producto
del nmero de huecos por el nmero de electrones:

G = R = rnp, (72)

donde r [m3 /s] es un parmetro que depende de las caractersticas del material,
de la temperatura y tambin del nivel de dopaje. Para obtener una generacin
neta de fotones es necesario realizar una estructura con un gran nmero de
portadores tanto de tipo p (huecos) como del tipo n (electrones), y esto se
puede obtener a travs de una unin entre un semiconductor dopado de tipo
n y uno dopado de tipo p. Uniendo ambos semiconductores se consigue que
por un lado haya una gran densidad de huecos y por otra una gran cantidad
de electrones. Este hecho conlleva una mayor recombinacin de pares p n y,
en consecuencia, una mayor emisin de fotones.

Si los semiconductores son idnticos (por ejemplo silicio del tipo p y del tipo
n), se habla de homounin. En caso contrario se habla de heterounin.

Una vez descrito el comportamiento de los electrones y los huecos de un se-


miconductor, es interesante encontrar la probabilidad de que se produzca la
absorcin o la emisin de un fotn. Teniendo en cuenta que para los trans-
misores pticos es deseable que predomine la emisin de fotones, podremos
obtener la condicin necesaria para que la probabilidad de absorcin sea me-
nor que la probabilidad de emisin.

La probabilidad de emisin Pe () es el producto de la probabilidad de que un


electrn se encuentre en el nivel de energa E2 y la probabilidad de que un hue-
co se encuentre en el nivel E1 . As, de acuerdo con la nomenclatura empleada
hasta ahora,

Pe () = fc (E2 )[1 fv (E1 )]. (73)

En condiciones de equilibrio trmico los 2 niveles de Fermi EFc y EFv coinciden


y el nivel de Fermi cae en la banda de energa prohibida. Teniendo en cuenta
que en este caso podemos asegurar que E2 EF KB T y EF E1 KB T, se
pueden usar las siguientes aproximaciones:

fc (E2 ) e(E2 EF )/KB T ,

e(E1 EF )/KB T
1 fv (E1 ) = e(E1 EF )/KB T , (74)
1 + e(E1 EF )/KB T

c FUOC PID_00238491 51 Redes de fibra ptica

y por lo tanto, se obtiene

Pe () e(E2 E1 )/KB T = eh/KB T . (75)

La figura 28a ilustra un ejemplo de la forma de la potencia emitida debida a


la emisin espontnea en un semiconductor de InGaAsP. Es posible observar
que la emisin espontnea, tal como se ha visto anteriormente, es funcin de
la longitud de onda, que presenta un pico a una determinada frecuencia. En
la figura 28b se muestra la tendencia del pico de potencia ptica emitida en
funcin de la corriente de polarizacin y de la temperatura. Como se puede
observar a partir de la figura, cuanto mayor es la temperatura, mayor debe ser
la corriente de polarizacin (corriente aplicada al semiconductor) para conse-
guir una potencia ptica determinada. Por otro lado, dada una temperatura
concreta, la potencia emitida crece con la corriente de polarizacin.

Figura 28. a. Espectro de la radiacin emitida por emisin espontnea. b. Potencia de pico
en funcin de la corriente de polarizacin y de la temperatura.

Longitud de onda (m)


1,35 1,30 1,25 1,20

4
InGaAsP 0C
T = 280K
3 25C
Potencia (mW)
Potencia

70C
2

0,90 0,95 1 1,05 50 100 150


Energa (eV) Corriente (mA)

a. b.

Como ya se ha descrito, los fenmenos de absorcin y emisin se dan simul-


tneamente. Si denotamos la probabilidad de absorcin con Pa (), para que se
obtenga amplificacin neta de la radiacin, la probabilidad de emisin estimu-
lada debe ser mayor que la probabilidad de absorcin, es decir, Pe () > Pa (), y
por lo tanto fc (E2 ) > fv (E1 ). A partir de las distribuciones de Fermi-Dirac de las
ecuaciones (65) y (69), se puede deducir que esta condicin slo se cumple si
EFc EFv > EG , es decir, si ambas regiones, n y p, son fuertemente dopadas.

2.4. Diodos LED

Los diodos LED se utilizan principalmente como transductores electro-fot-


nicos, ya que a travs la modulacin de la corriente de polarizacin se puede

c FUOC PID_00238491 52 Redes de fibra ptica

variar la intensidad de la radiacin ptica emitida. Se caracterizan por tener


un bajo coste y tamao compacto; en particular, los diodos LED se utilizan
principalmente en displays y en indicadores, aunque tambin en sistemas de
transmisin pticos a distancias cortas y bajas tasas de bit. Los LED se pueden
modular con seales de hasta unos 100 MHz, mientras que los lseres basados
en semicoductores pueden ser modulados con seales por encima de 10 GHz.

Un LED es la unin (homounin o heterounin en funcin de si se trata del


mismo semiconductor o de distintos semiconductores) de un semiconductor p
y un semiconductor n. En la regin p los portadores mayoritarios son los hue-
cos (cargas positivas) y en la regin n los portadores mayoritarios son los elec-
trones (cargas negativas). Al unir las dos regiones, la p y la n, se genera una
diferencia de potencial en la unin que impide que los huecos se desplacen
hacia la regin n y los electrones hacia la regin p (ver figura 29).

Figura 29. Homounin p-n

Campo
elctrico

p n

Regin
de carga

La regin de carga espacial de una homounin (dos semiconductores iguales,


dopados de tipo p y n) es bastante ancha (1-10 m). Para aumentar la concen-
tracin de portadores en su interior se utilizan las heterouniones, es decir, se
inserta entre la regin p y la regin n otro semiconductor con banda de ener-
ga prohibida inferior. En este caso la regin de carga espacial es ms estrecha
(alrededor de 0,1 m), y entonces la recombinacin entre electrones y huecos
se realiza en una regin ms limitada, aumentando de esta forma la eficiencia
del dispositivo.

Se dice que una unin pn tiene polarizacin directa cuando se aplica


un campo elctrico en la direccin de la regin p hacia la regin n.
En otras palabras, cuando se aplica una diferencia de potencial en los
extremos de la unin con un potencial superior en la regin p que en
la regin n.

Se dice que una unin pn tiene polarizacin inversa cuando el campo


elctrico va de la regin n a la regin p.

c FUOC PID_00238491 53 Redes de fibra ptica

La figura 30 muestra la estructura de una unin p n y qu sucede cuando


se aplica polarizacin directa. Fijmonos en la estructura del diodo LED (fi-
gura 30d). Es posible distinguir la regin p, la regin n y la regin de carga
espacial, que es la regin ms prxima a la superficie de unin. Se observa que
al ser polarizada directamente (la figura 30e muestra el esquema de la polari-
zacin directa), fluye una corriente a travs de la unin (corriente de polariza-
cin). Gracias al campo elctrico generado, se estimula la emisin en la regin
de carga y se emiten fotones. Este sera, a grandes resagos, el comportamiento
del LED.

Figura 30. a. Unin p n en condiciones de equilibrio; b. unin p n fuertemente dopada;


c. unin p n polarizada directamente; d. estructura de un LED; e. polarizacin directa.

p
EG n Ec
EF
eVD p
Ev
a.
n
p
n EF d.
Ec
Ev
b. p n

p n I Vpol
EFC
Ec
Ev e.
EFV
c.

Las figuras 30a, 30b y 30c presentan los diagramas de bandas de energa para
tres casos diferentes. En primer lugar, la figura 30a esquematiza la situacin
en la unin p n en condiciones de equilibrio trmico. Como ya sabemos,
en equilibrio trmico el nivel de Fermi (EF ) es igual para la banda de valen-
cia y para la banda de conduccin. Sabemos tambin que la banda prohibida
depende del semiconductor, por lo tanto, si se trata de una homounin, la an-
chura de la banda prohibida (EG ) debe ser igual tanto en la regin p como en
la regin n. Se ha explicado anteriormente que en un semiconductor del tipo
p el nivel de Fermi se desplaza hacia la banda de valencia, mientras que en un
semiconductor del tipo n lo hace hacia la banda de conduccin. Observando
la figura 30a, donde el eje horizontal se refiere al espacio (la regin p est si-
tuada a la izquierda y la regin n a la derecha) y el eje vertical a la energa,
se constata que la energa necesaria para que un electrn de conduccin de la
regin n se desplace hacia la regin p y se recombine con un hueco, la ener-
ga necesaria es muy elevada (mayor que EG ). Este fenmeno es consecuencia
del campo elctrico que se genera en la zona de carga espacial. Dicho campo
incrementa la energa necesaria y evita que los portadores de carga pasen de
una regin a otra.

c FUOC PID_00238491 54 Redes de fibra ptica

Cuando los semiconductores estn fuertemente dopados (figura 30b), existe


una alta densidad de impurezas y la banda prohibida se reduce. Cuando el
LED tiene polarizacin directa, se contrarresta el campo elctrico generado
en la regin de carga y, con ello, se reduce la energa necesaria para que los
portadores de carga transiten entre las regiones p y n. Cuanto mayor es el
potencial del campo elctrico de polarizacin, menor es la energa necesaria y
mayor es el trnsito de portadores entre regiones (figura 30c).

La regin activa (o de carga) presenta un ndice de refraccin mayor que el


ndice de refraccin del semiconductor de tipo p y n, y esto permite confinar
la radiacin emitida. La figura 31c muestra por un lado el ndice de refraccin
a lo largo de la unin (como se ha mencionado, el ndice es mayor en la zona
activa). La caracterstica del ndice de refraccin hace que el campo radiado
quede confinado dentro de la zona activa y, gracias a ello, la emisin de luz
tambin lo est.

En el caso de las heterouniones, se polarizan directamente a travs de dos


contactos de metal (figura 30c).

Figura 31. a. Homounin; b. heterounin; c. confinamiento de la radiacin

p n p n
Energa
ndice

1-10 m
Homounin
a.
Campo

p n

Factor de confinamiento
c.

0-1 m
Heterounin
b.

2.4.1. Eficiencia

De acuerdo con todo lo explicado hasta el momento, el LED es un transduc-


tor electro-ptico que, mediante la inyeccin de corriente elctrica, genera
luz. Como en cualquier dispositivo transductor, la eficiencia del LED es el pa-
rmetro que determina qu proporcin de la energa elctrica se transforma
en energa ptica (el resto se pierde, por ejemplo, en forma de calor).

c FUOC PID_00238491 55 Redes de fibra ptica

En una unin p n polarizada directamente, la recombinacin de los porta-


dores inyectados en la regin de carga espacial genera la emisin de fotones.
La potencia ptica generada por la recombinacin de los electrones con los
huecos se puede describir como

I
Pint = int h (76)
e

donde I es la corriente de polarizacin, e es la carga de un portador (y por lo


tanto, I/e representa el nmero de portadores inyectados en la unin) y int es
la eficiencia cuntica interna, que tiene en cuenta el hecho de que slo una
fraccin de las recombinaciones son radiantes, es decir, implican la emisin de
un fotn. Este parmetro juega un papel fundamental en la determinacin de
las caractersticas de un LED; depende de la temperatura y de la concentracin
del nivel de dopaje. En particular, aumentando la temperatura, la eficiencia
cantica interna disminuye, ya que disminuye el nmero de recombinaciones
p n que generan un fotn (vase figura 28b).

Slo una parte de la radiacin de la luz generada en el semiconductor se trans-


mite al exterior del dispositivo, ya que una parte de la radiacin es reflejada
debido al salto de ndice de refraccin entre el semiconductor y el aire. Ade-
ms, si el rayo de luz incide en la superficie de discontinuidad con un ngulo
mayor que el ngulo lmite, ste es reflejado totalmente hacia el interior. Estas
prdidas se tienen en cuenta mediante la eficiencia cuntica externa est , y en
consecuencia la potencia ptica emitida se puede escribir como

Pest = est Pint . (77)

Un factor adicional de prdidas es el acoplamiento de la fuente ptica con


la fibra ptica. En particular, la eficiencia de acoplamiento para este tipo de
fuentes es c = NA2 y la apertura nmerica (NA) de una fibra ptica es nor-
malmente del orden de 0,1-0,3. La potencia ptica emitida por los LED es del
orden de 100 W = 10 dBm o incluso menor, aunque la potencia interna
puede llegar a ser hasta de 10 mW.

La responsivity, definida como la relacin entre la corriente inyectada y la po-


tencia transmitida por el diodo LED, se escribe como

Pest h
R= = est int . (78)
I e

Se trata de un parmetro utilizado para caracterizar las prestaciones del dispo-


sitivo y sus valores son del orden de 0,01 W/A. Para valores bajos de corriente,
la responsivity es constante y la relacin entre la potencia ptica y la corriente
se mantiene lineal. Para valores de corriente superiores a 80 mA, la responsivity
disminuye (vase la figura 28b).

c FUOC PID_00238491 56 Redes de fibra ptica

Ejemplo 7

Considrese un diodo LED que emite potencia ptica en primera ventana ( = 0,85 m),
con eficiencia cuntica interna int = 0,7, y eficiencia cuntica externa est = 0,1. Si se
obtiene una potencia ptica externa (que se acopla con una fibra ptica) Pest = 10 W,
entonces la responsivity R = 0,1 W/A.

2.4.2. Modulacin de la potencia ptica emitida

La respuesta a la modulacin de los diodos LED depende de la dinmica de los Modulacin


portadores y est limitada por el tiempo de vida de los electrones en la banda
La modulacin es el proceso
de conduccin y de los huecos en la banda de valencia. Se puede calcular a mediante el cual se modifica
alguna de las caractersticas
partir de la densidad de los portadores N(t) en la regin activa de volumen V.
de una onda, llamada
Dado que los electrones y los huecos se recombinan en pares, es suficiente con portadora, con la finalidad de
transmitir, desde un emisor a
considerar la variacin de un solo tipo de portadores de carga y, por lo tanto,
un receptor, la informacin
se puede escribir: contenida en otra onda
llamada moduladora.
Para el caso particular de un
dN(t) I(t) N(t) LED, la potencia emitida se
= . (79) modula mediante la corriente
dt eV
inyectada, o lo que es lo
mismo, la potencia emitida
vara en funcin de la I.
Es decir, la variacin en el nmero de portadores en la unin es igual al n-
mero de portadores inyectados por la corriente (I(t)/eV) menos los portadores
que se recombinan por emisin espontnea (esto es, la densidad de portado-
res N(t) dividido por el tiempo de vida medio de un portador en el nivel 2).
Como se ver a lo largo del curso, esta ecuacin es fundamental para explicar
el funcionamiento tanto de los transmisores pticos como de los receptores.

Para resolver la ecuacin y poder encontrar la expresin que describe la den- Propiedades de la
transformada de Fourier
sidad de portadores de carga N(t), aplicamos la transformada de Fourier. La
utilizacin de la transformada de Fourier no tiene, en este caso, la intencin Las propiedades utilizadas
para obtener la ecuacin (80)
de analizar el comportamiento espectral de N(t). Simplemente se utiliza como
son las siguientes:
mtodo para resolver la ecuacin diferencial planteada en la expresin (79). F {x(t)} = X()
F {Ax(t)} = AX(), donde
Haciendo uso de las propiedades de la transformada de Fourier se obtiene:
A = cte
F { dx(t)
dt
} = 2jX()
F {A} = A()
I() N() F {x(t)ej20 t } = X( 0 )
2jN() = , (80)
eV

donde N() y I() son las transformadas de Fourier de N(t) y de I(t), respecti-
vamente. Aislando la transformada de Fourier de la densidad de portadores,

I()
N() = . (81)
eV 1 + j2

Supongamos que la corriente inyectada I(t) tiene un comportamiento sinu-


soidal que oscila con frecuencia 0 , la podemos expresar como un fasor:

I(t) = Ib + Iej20 t , (82)



c FUOC PID_00238491 57 Redes de fibra ptica

donde Ib es el offset de la corriente y I es su amplitud. La trasformada de


Fourier es

I() = Ib () + I ( 0 ). (83)

Sustituyendo en la ecuacin (81), se obtiene

Ib I ( 0 )
N() = () + (84)
eV eV 1 + j20

y aplicando entonces la trasformada inversa se consigue

Ib Iej20 t
N(t) = + . (85)
eV eV 1 + j20

Se puede observar que la concentracin de portadores N(t) tiene dos com-


Funcin de transferencia
ponentes: una componente constante que depende de la corriente de pola- paso-bajo
rizacin Ib y una componente oscilante. Sin embargo, sta no sigue de for-
Una funcin de transferencia
ma instantnea las variaciones de la corriente debido al factor 1/(1 + j2). paso-bajo se caracteriza por
Dado que la potencia ptica es proporcional a N(t), la funcin de conver- tener un mdulo elevado
para frecuencias bajas y un
sin corriente-potencia ptica tiene un comportamiento en frecuencia de tipo mdulo reducido para
paso-bajo, es decir, la funcin de transferencia es frecuencias altas. Por
ejemplo, el mdulo de la
ecuacin (86), cuando
0, tiende a 1. En
P() 1 cambio, cuando , el
. (86)
I() 1 + j2 mdulo tiende a 0.

Debido al tiempo de vida medio de los portadores inyectados en el in-


terior de la unin , el ancho de banda de modulacin, es decir, la fre-
cuencia por la cual el mdulo de la funcin de transferencia se reduce
de un factor 2 es


3
B = . (87)
2

El resultado se ha obtenido teniendo en cuenta que cuando = 0 en la ecua-


cin (86), la funcin de transferencia es mxima e igual a 1. El ancho de banda
de la modulacin B se obtiene entonces cuando el mdulo es igual a 0,5:


1 1 1

1 + j2 = 1 + 42 2 2 = 2 . (88)
B

c FUOC PID_00238491 58 Redes de fibra ptica

Habitualmente en un semiconductor el tiempo de vida medio de un portador


en el nivel 2 de energa oscila en el rango 2-5 ns. De acuerdo con esto, la
mxima frecuencia de modulacin se sita alrededor de 50-140 MHz.

Ejemplo 8

Si se considera un material semiconductor para el cual el tiempo de vida media de los


portadores es = 4 ns, la frecuencia mxima de modulacin es 69 MHz. Por otro lado,
para tener una frecuencia mxima de modulacin de 140 MHz, el tiempo de vida medio
de los portadores deber ser 1,97 ns.

2.4.3. Estructura de los diodos LED

Las dos configuraciones principales de los LEDs se muestran en la figu-


ra 32 y se denominan:

Diodo de emisin superficial o de Burrus.


Diodo de emisin lateral.

Figura 32. Configuraciones de un LED: a. diodo de emisin superficial; b. diodo de emisin lateral

Fibra multimodo 50/125 um

Au
p+ - InGaAsP
Au SiO2
p - InP
n - GaAs rea
n - AlGaAs (subs.)
activa n - InGaAsP
p - GaAs n - InP
SiO2
p - AlGaAs Substrato n - InP

p+ - GaAs
(substrato) Contacto

a. b.

En el diodo de Burrus, la luz es emitida ortogonalmente al plano de la unin,


y el rea de emisin coincide con la seccin transversal del ncleo de la fi-
bra. La eficiencia de acoplamiento mejora si aumenta la apertura numrica de
la fibra y si disminuye la distancia entre la fibra y el LED. Los LED de emi-
sin superficial pueden acoplar en la fibra hasta el 1 % de la potencia interna
generada.

En los diodos de emisin lateral, la radiacin se propaga de forma paralela


al plano de la unin y se recoge en un plano ortogonal. En la configuracin

c FUOC PID_00238491 59 Redes de fibra ptica

de emisin lateral, la regin activa tiene una extensin mayor respecto a las
configuraciones de emisin superficial y la radiacin viene confinada en la
heterounin debido al salto de ndice de refraccin. La banda de modulacin
de los LED de emisin lateral es de unos 200 MHz, mayor que el ancho de
banda de modulacin de los LED de emisin superficial. Esto es debido a que,
en las mismas condiciones de corriente de polarizacin, el tiempo de vida
medio de los portadores es menor. La eleccin entre las dos estructuras es un
compromiso entre coste y prestaciones.

2.5. Lser de semiconductor

Los lseres de semiconductor, como los diodos LED, se usan como transduc-
tores para convertir una seal elctrica en una seal de luz. La principal dife-
rencia entre un diodo lser de semiconductor y un LED es que el primero se
inserta en una cavidad resonante, de modo que la luz emitida se propaga a
travs de la estructura varias veces antes de salir de la estructura. De esta ma-
nera, en los lseres de semiconductor, la emisin estimulada es el fenmeno
dominante de generacin de luz: los fotones emitidos se propagan en el in-
terior de la cavidad y en el medio activo generan nuevos fotones (figura 33).

Figura 33. Estructura de un lser de semiconductor

rea activa
Zona de carga espacial

Corriente

GaAs-p

Unin p-n Radiacin


emitida

GaAs-n

Caras reflectantes

A diferencia de un dispositivo LED, la radiacin emitida por un lser de se- Radiacin coherente

miconductor es coherente, y por lo tanto, el haz de luz es ms direccional y La luz emitida por un lser
el acoplamiento con la fibra es ms fcil. Los diodos lser de semiconductores mantiene coherencia
temporal, es decir, tiene la
tienen caractersticas similares a las de los lseres de gas (He-Ne, Argon, CO2 ) u misma fase.
otros lseres, ya que consisten de un medio activo (una unin p n polarizada
directamente) y un resonador.

c FUOC PID_00238491 60 Redes de fibra ptica

Las principales diferencias entre un diodo lser y un lser de gas son:

En los lseres de gas, las transiciones se producen entre niveles dis-


cretos de energa, mientras que en un lser de semiconductor las
transiciones estn asociadas a las bandas de energa, lo que implica
que la anchura espectral de emisin de un lser es significativamente
mayor.

Un lser de semiconductor tiene un tamao ms pequeo y se pue-


de, por lo tanto, integrar con otros dispositivos electrnicos. Sin em-
bargo, debido a que la regin activa es muy estrecha, la divergencia
del haz de luz es mayor.

Las caractersticas espectrales de un lser de semiconductor depen-


den fuertemente del material (la banda de energa prohibida y el
ndice de refraccin). Mediante la variacin de estos parmetros es
posible fabricar dispositivos que operan en un amplio rango de fre-
cuencias.

El efecto lser se produce con el paso de la corriente a travs del pro-


pio diodo, y el sistema de bombeo es muy eficiente. Se puede ajustar
fcilmente mediante la modulacin de la corriente de polarizacin.

2.5.1. Ganancia ptica

Tal como se ha descrito en los subapartados 2.2.5 y 2.2.6, donde se explica el


amplificador y el oscilador lser, la ganancia del transmisor lser es un par-
metro clave, que finalmente caracteriza el transmisor y la luz que emite. Como
es de esperar, el objetivo es que la ganancia sea lo ms alta posible.

La ganacia de un diodo lser tiene una tendencia en forma de campana en


funcin de la frecuencia. La figura 34a representa la evolucin de la ganancia
en funcin de la longitud de onda y de la inversin de poblacin N = N2 N1 .
Es importante recordar cul es el funcionamiento del lser. El lser, como ya
se ha descrito, basa su funcionamiento en el fenmeno de la emisin esti-
mulada. Para conseguir que se produzca, es necesario que un fotn excite un
electrn de la banda de conduccin y lo haga descender a la banda de valen-
cia (generando otro fotn coherente). Sabemos que la emisin estimulada es
posible si y slo si la energa del fotn es igual o superior a la energa de la
banda prohibida (la diferencia entre la energa de las bandas de conduccin
y de valencia). Como muestra la figura 34a, cuando la energa del fotn est
por debajo del bandgap, la emisin estimulada no es posible y la ganancia del
lser es 0. A partir de este valor mnimo, la ganancia aumenta a medida que
crece la energa del fotn. Cuanta ms energa posee el fotn, ms probable

c FUOC PID_00238491 61 Redes de fibra ptica

es que consiga estimular la emisin de un nuevo fotn. El incremento de la


ganancia, sin embargo, tiene un valor mximo. A partir de ese valor, cuanto
mayor es la energa del fotn, menor es la ganancia del lser. La figura 34a
representa, para una longitud de onda dada, la ganancia para distintas inver-
siones de poblacin (desde 1018 cm3 a 1,8 1018 cm3 ). Como la energa del
fotn est estrechamente relacionada con su energa, es lgico pensar que la
ganancia es una funcin que depende de la longitud de onda.

Figura 34. a. Ganancia ptica en funcin de la longitud de onda y de la concentracin de los portadores. b. Curva L-I: potencia ptica
emitida en funcin de la corriente de polarizacin, para diferentes valores de temperatura.

250 N = 1,8 1018


cm3 20
1,6 1018 0,8
200
40
60
Ganancia ptica (cm1)

150
Potencia ptica (mW)

0,6
1,4 1018 80
100
T = 10C
50 1,2 1018 0,4 100
0
0,2
50 1 1018 120

100
0,0
0 50 100 150
100
0,90 0,92 0,94 0,96 Corriente (mA)
Energa fotn (eV)

a. b.

La figura 34b muestra las curvas L-I, es decir, la potencia ptica en funcin Curva L-I
de la corriente de polarizacin. Es posible observar que la potencia ptica au-
Las curvas L-I relacionan, para
menta linealmente con la corriente, y disminuye al aumentar la temperatura. un transductor
electro-ptico, la potencia
ptica emitida en funcin de
Para calcular el valor mximo de la ganancia (ganancia de pico), hay que tener la corriente inyectada. Debe
su nombre a las siglas
en cuenta que para generar la radiacin lser es necesario que la emisin esti- inglesas output Light vs. Input
mulada sea superior a la absorcin, es decir, que la inversin de la poblacin current.

exceda un umbral, la denominada inversin de poblacin crtica. Teniendo en


cuenta las ecuaciones (61) y (62) descritas anteriormente para describir el fun-
cionamiento del oscilador lser, la inversin de poblacin crtica, denominada
Nt , puede obtenerse a partir de


e2()(N2 N1 )L e2L R1 R2 = 1, (89)

ln R1 R2
Nt = N2 N1 = . (90)
() 4L()

c FUOC PID_00238491 62 Redes de fibra ptica

Recordemos que la inversin de poblacin crtica Nt es el valor particular de


N = N2 N1 que hace que, despus de un trayecto de ida y vuelta en la cavidad,
la onda no resulte ni amplificada ni atenuada (es decir, que el medio es trans-
parente para la radiacin que lo atraviesa). Si se manipula la ecuacin (90)

para expresar R1 R2 e2L en funcin de Nt ,


R1 R2 e2L = e2()Nt L . (91)

Y si la reemplazamos en la ecuacin (89), obtenemos


e2()(N2 N1 )L e2L R1 R2 = e2()(N2 N1 )L e2()Nt L = 1, (92)

e2()(N2 N1 Nt )L = 1. (93)

Cuando se cumple esta expresin, la ganancia y la atenuacin se cancelan. No


hay ganancia neta en el lser.

Por lo tanto, se define la ganancia neta del lser como

g () = ()(N2 N1 Nt ) (94)

y aumenta linealmente segn N = N2 N1 .

2.5.2. Ecuaciones de ritmo

Los principales parmetros de un lser de semiconductor, como la corriente


umbral y la frecuencia mxima de modulacin, se pueden obtener a partir de
las dos ecuaciones de ritmo, las dos ecuaciones fundamentales que describen
el comportamiento del lser. Ambas ecuaciones se escriben en funcin de la
ganancia neta ptica g() .

La primera ecuacin de ritmo es aquella que describe la variacin de los


portadores de carga:

dN(t) I(t) N(t) vg


= g ()q(t). (95)
dt eV V

c FUOC PID_00238491 63 Redes de fibra ptica

La primera ecuacin de ritmo pone de relieve cules son los fenmenos que
causan una variacin de la densidad de los portadores. El primer trmino des-
cribe el nmero de portadores inyectados en la regin activa por la corriente
durante el proceso de bombeo (I(t)/eV); el segundo trmino describe la dismi-
nucin de los portadores debido a la emisin espontnea; en cuanto al ltimo
trmino, pone de relieve la disminucin (o aumento) de los portadores debido
a los mecanismos de absorcin y emisin estimulada, y tambin a las prdidas
en la cavidad (vase la ganancia neta de la ecuacin (94)).

En esta ecuacin aparece q(t), que representa el nmero total de fotones en


la cavidad ptica de volumen infinitsimo V = dAdz, siendo dA el rea trans-
versal infinitsima y dz la longitud infinitsima de la cavidad ptica. Tambin
aparece vg es la velocidad de propagacin de la radiacin en la cavidad. Asimis-
mo, en la ecuacin tambin aparece el factor de confinamiento , que tiene en
cuenta que no todo el volumen del medio activo participa en los procesos de
interaccin con la radiacin. En particular, el factor de confinamiento mi-
de la fraccin del campo elctrico del modo fundamental que est confinada
en la regin activa. Cuanto mayor sea el factor, mayor ser el comportamien-
to del lser, ya que slo el campo dentro de la regin activa experimenta la
ganancia del lser.

La segunda ecuacin de ritmo describe la variacin del nmero de fo-


tones en la cavidad:

dq(t) N(t) vg q(t)


= + g ()q(t) , (96)
dt V q

donde q = 1/(vg tot ) es el tiempo de vida medio de los fotones en la


cavidad, que tiene en cuenta la prdida de fotones que no se debe al
proceso de absorcin, como por ejemplo el fenmeno del scattering, etc.

Si en la ecuacin (96) despreciamos la emisin espontnea, se deduce que la


variacin de los fotones es negativa (es decir, que su nmero disminuye) si se
cumple que

vg 1
g () < . (97)
V q

Sustituyendo en esta expresin la ecuacin (94) se obtiene la inversin de


poblacin crtica, es decir, el valor particular de N = N2 N1 tal que produce
una variacin de fotones en la cavidad igual a 0:

V
Nth = Nt + . (98)
q vg ()

c FUOC PID_00238491 64 Redes de fibra ptica

De forma anloga, es posible obtener la expresin de la corriente umbral, de-


finida como aquella corriente mnima que permite que la ganancia total del
lser sea mayor que 1. Para calcular la corriente umbral, vamos a considerar
un proceso estacionario en base al cual las variaciones en la concentracin de
los portadores y del nmero de fotones son nulas. As, si N = Nth , el nmero
de fotones en la cavidad es despreciable (q = 0) y a partir de la ecuacin (95)
se obtiene la corriente umbral:

( )
Nth eV eV V
Ith = = Nt + . (99)
q vg ()

Cuando la inversin de poblacin es igual a la inversin de poblacin crtica


(Nt ), la corriente de bombeo es igual a la corriente umbral (It ).

La anchura espectral de emisin de un diodo lser es muy inferior a la


de un LED. Un valor tpico es 2,5 m, aunque se fabrican dispositivos
con anchuras espectrales muy inferiores. La corriente de polarizacin
puede ser modulada hasta 10 GHz.

2.5.3. Estructura de un diodo lser

Recordemos que el efecto lser (y por lo tanto, la ganancia) se consigue gracias


a la reflexin parcial de la luz dentro de la cavidad. Mediante estas reflexiones,
la luz se propaga a travs del medio activo (la cavidad) y experimenta una
ganancia. En el resonador se utilizan espejos con ndice de refraccin R1 y R2 ,
pero en el lser de semiconductor estndar no se utilizan espejos exteriores,
ya que la cavidad resonante se crea utilizando el salto de ndice de refraccin
entre el semiconductor y el aire. Los dos espejos del resonador se sustituyen
por la reflexin parcial en la interfaz entre los dos medios. Por ejemplo, en la
interfaz entre el silicio (ne = 3,5) y el aire (n = 1), la reflectividad es

( )2
ne 1
R1 = R2 = 30 %. (100)
ne + 1

Por lo tanto, cuando la luz incide sobre la superficie de separacin entre la


cavidad y el aire, el 30 % de la potencia es reflejada.

La estructura ms simple de un lser semiconductor est constituida por una


delgada capa activa ( 0,1 m de espesor), encerrada entre dos capas dopadas
de tipo p y tipo n de otro semiconductor con mayor banda de energa prohi-
bida; la heterounin resultante p n se polariza directamente mediante dos
contactos de metal. Este tipo de lser de semiconductor se denomina lser de
superficie ancha (broad-area), ya que la corriente fluye en un rea relativamen-
te amplia que abarca todo el ancho del chip lser ( 100 m).

c FUOC PID_00238491 65 Redes de fibra ptica

La capa activa acta como una gua de onda planar, ya que su ndice de re-
fraccin es mayor que la del dielctrico que la encierra con un salto de ndice
n 0,3.

2.5.4. Lser DFB

En un resonador de longitud L, no todos los modos longitudinales son admi-


tidos. En particular, slo son admitidas las frecuencias que cumplen la condi-
cin

vg
m = m m = 1,2,... (101)
2ne L

donde ne es el ndice de refraccin eficaz. La separacin entre dos modos con-


secutivos se obtiene como:

vg
= (102)
2ne L

El motivo por el cual slo se admiten estas frecuencias se estudia con un poco
ms de detalle en el apartado 4, dedicado a los amplificadores pticos. Por el
momento, es suficiente saber que existe esta condicin. Teniendo en cuenta
la ecuacin (101), dos modos consecutivos (m para dos valores consecutivos
* DFB son las siglas en ingls de
de m) estn separados entre 100 y 200 GHz. En el lser DFB* el ancho del es- distributed feedback laser.
pectro de ganancia es muy amplio, alrededor de 10 THz, pero slo el modo
ms prximo al valor mximo de ganancia (modo fundamental) entra en re-
sonancia, y slo para este modo la ganancia es superior a las prdidas. Si se
define el rango de longitudes de onda por las cuales la ganancia es mayor
de las prdidas en la cavidad, el nmero de modos de oscilacin (N) emitidos
por un lser es:


N= , (103)

siendo la separacin entre modos consecutivos. La separacin entre modos


se obtiene de la siguiente forma:

2p
= . (104)
2ne L

La figura 35 muestra la ganancia de la cavidad del lser DFB. Como puede


observarse la ganancia tiene un ancho de banda enorme, ya que amplifica
muchos modos (distintos valores de m , en la figura dibujados como deltas).
Adems de la ganancia, tambin existen prdidas (muy elevadas). Como s-
lo el modo fundamental resuena en la cavidad (es reflejado y propagado a
travs de la cavidad), slo el modo fundamental consigue ser amplificado lo

c FUOC PID_00238491 66 Redes de fibra ptica

suficiente como para que la ganancia supere las prdidas. Es por este motivo
por lo que el nico modo que se transmite es el modo fundamental. Este he-
cho es muy positivo, ya que permite que la luz emitida por un lser DFB sea
monocromtica.

Figura 35. Modos longitudinales y curva de ganancia

prdidas

ganancia

Modos longitudinales m = mg/2neL

En realidad, los modos cercanos al modo fundamental tambin oscilan y este


fenmeno altera las caractersticas espectrales de un diodo lser, ya que deja de
emitir luz monocromtica. Para resolver este problema se usan los lseres DFB
y los DBR*, que se desarrollaron en los aos 80 y que se usan extensivamente * DBR son las siglas en ingls de
distributed bragg reflector laser.
en los sistemas pticos WDM. En un lser DBR, la cavidad resonante no se
encuentra en las superficies laterales del semiconductor, pero se distribuye
en todo el medio activo mediante la insercin de un retculo de Bragg. La Retculo de Bragg

variacin peridica del ndice de refraccin selecciona las frecuencias que se El retculo de Bragg es una
reflejan totalmente y slo entran en resonancia las longitudes de onda que zona del semiconductor que,
mediante un proceso de
satisfacen la condicin de Bragg: dopado, alcanza una
reflectividad muy elevada.

= 2mne P m = 0,1,2, . . . , (105)

donde P es el perido de la estructura. La figura 36 muestra, esquemtica-


mente, las diferencias entre un diodo lser (figura 36a), un diodo lser DFB
(figura 36b) y un diodo lser DBR (figura 36c). En un lser DBR, el retculo se
realiza slo fuera de la regin activa, como se muestra en la figura 36c.

Figura 36. a. Diodo lser Fabry-Perot; b. lser DFB; c. lser DBR.

p p p

Regin activa Regin activa Regin activa


n n

L DFB DBR
a. b. c.

El parmetro que describe las caractersticas de un lser monomodo es la rela- * En ingls, mode-suppression
ratio (MSR).
cin de supresin de modos*, que se define como la relacin entre la potencia

c FUOC PID_00238491 67 Redes de fibra ptica

ptica del modo fundamental y la potencia del primer modo lateral. ste es
mayor de 35 para los lseres DFB o DFR, como muestra el ejemplo de la figu-
ra 37.

Figura 37. Espectro de la radiacin emitida por un lser DFB

OPS01 sn390005 2001 Abr 27 15:32


VPEAK V1 V2 V2 V1
1549,630nm B:FIX /BLK
0,18dBm C:FIX /BLK
12,0dB/D RES: 0,1m SENS:NORM AUT AUG: 1 SMPL: 501
200

200

400

600
1539,51 nm MON:SGL 1549,51 nm 2,00nm/D 1559,51m

Para variar la longitud de onda de emisin de manera continua, se puede


variar la temperatura del retculo de Bragg, o modificar el ndice de refraccin
eficaz. En el primer caso, el pico de emisin puede variar en un rango de
10 nm, mientras que en el segundo caso se obtienen variaciones de 200 nm.

Ejemplo 9

Considrese un diodo LED con anchura espectral de emisin () de 100 nm y un diodo


lser con anchura espectral de emisin de 1 nm. Asimismo, considrese una fibra ptica
con coeficiente de dispersin cromtica D = 17 ps/(km nm). Si se calcula la distancia
para la cual se obtiene la mxima dispersin que puede soportarse (por ejemplo 1.600 ps):

1) Para el LED, se obtiene una Lmax = 941 m.


2) Para el lser, se obtiene una Lmax = 94 km.

Se puede comprobar como la Lmax que permite el lser es mucho mayor que la permitida
en en caso de usar el LED; por lo tanto, en un sistema de larga distancia, el transmisor
que hay que usar es el lser.

2.6. Resumen

Los transmisores pticos de semiconductores son dispositivos transductores


electro-pticos importantsimos en las comunicaciones pticas. En el aparta-

c FUOC PID_00238491 68 Redes de fibra ptica

do 2 se ha analizado la estructura y las propiedades de los semiconductores,


as como la generacin y recombinacin de pares n p (o electrn-hueco). Este
fenmeno es la base de la transmisin ptica.

Existen dos tipos de semiconductor: los semiconductores intrnsecos (sin im-


purezas) y los semiconductores extrnsecos (dopados con impurezas). Los se-
miconductores extrnsecos, en funcin de los tomos utilizados en el proceso
de dopaje, tienen una mayor densidad de electrones (tipo n) o de huecos (tipo
p). Gracias a los semiconductores extrnsecos es posible tener una inversin
de portadores tal que permita que se d el efecto lser.



Intrnseco Igual densidad de huecos y electrones


Semiconductor Tipo p mayor densidad de huecos

Extrnseco


Tipo n mayor densidad de electrones

En un semiconductor se pueden dar tres tipos de mecanismos de interaccin


radiacin-materia: absorcin, emisin espontnea y emisin estimulada. La
absorcin consiste en la generacin de un par electrn-hueco a partir de un
fotn. En cuanto a la emisin espontnea, se trata de un fenneno por el cual
un electrn de la banda de conduccin se desplaza hacia la banda de valencia
generando un fotn. La emisin estimulada es igual que la espontnea pero el
cambio sucede debido a la excitacin de un electrn.






Absorcin

Mecanismos de interaccin radiacin-materia Espontnea

Emisin


Estimulada

El lser se basa en la utilizacin de una cavidad resonante para conseguir que


la ganancia de la luz dentro de la cavidad sea superior a las prdidas que sufre
tambin dentro de la cavidad. Este es el denominado efecto lser.

c FUOC PID_00238491 69 Redes de fibra ptica

3. Receptores pticos
.

En los apartados precedentes se ha analizado cmo, a partir de una seal elc-


trica, es posible generar una seal ptica modulada. Adems, cuando ya ha si-
do generada, se ha estudiado cmo se propaga a lo largo de grandes distancias
a travs del ncleo de una fibra ptica. La red ptica consiste en un transmisor
(LED o lser), un canal (fibra ptica) y un receptor, que debe convertir la seal
ptica en una seal elctrica.

Los detectores pticos son dispositivos que convierten una seal luminosa
en una seal elctrica. En las comunicaciones pticas, la seal a la salida de
un fibra ptica se acopla en entrada al receptor ptico, que debe tener unas
dimensiones comparables con las de la fibra. Es por este motivo por lo que se
utilizan dispositivos basados en semiconductores, pero, al contrario de lo que
sucede con los transmisores pticos, se aprovecha el fenmeno de la absorcin
en vez del fenmeno de la emisin. Para ello, la unin p n se polariza a la
inversa.

Un receptor ptico (figura 38) se compone de un fotodiodo, un amplificador


de elevada ganancia y un filtro pasa-bajo. La ganancia del amplificador se
estabiliza para evitar las fluctuaciones de la tensin de salida, mientras que el
filtro pasa-bajo sirve para limitar el ruido del receptor, que es proporcional al
ancho de banda. La seccin de recuperacin de datos* consiste en un decisor y * En ingls, data recovery.
** En ingls, clock recovery.
en un recuperador de reloj**, que determina el periodo de muestreo, aislando
las componentes espectrales de la seal. La seal de salida del fotodiodo se
muestrea y las muestras se comparan con un valor umbral para decidir si la
seal recibida corresponde a un bit lgico 1 o a un bit 0.

Figura 38. Sistema de recepcin de una seal ptica

OA OF PD EF S D

Preamplificador Filtro ptico Fotodiodo Filtro elctrico Muestreador Decisor


ptico pasa-bajo pasa-bajo

Para un anlisis de las caractersticas de la seal recibida se usa el diagrama de


ojo, formado por la secuencia de la superposicin de una serie de bits detecta-
dos. La figura 39 muestra un diagrama de ojo ideal y uno degradado.

c FUOC PID_00238491 70 Redes de fibra ptica

Figura 39. Diagrama de ojo. A la izquierda un diagrama de ojo ideal y a la derecha un


diagrama de ojo real.

Bit slot

Todos los componentes utilizados en un receptor ptico, a excepcin del foto-


diodo, son componentes electrnicos estndar y pueden ser fcilmente inte-
grados en un mismo chip; la integracin es particularmente importante para
los receptores, que deben funcionar en sistemas de elevadas tasas de bit. Sin
embargo, en el mercado existen receptores pticos monolticos que integran
todos los componentes, incluyendo el fotodiodo, en el mismo chip, utilizan-
do la tecnologa optoelectronic integrated circuit technology (OEIC). Estudiamos
ahora las caractersticas de un fotodiodo.

Consideramos una unin p n polarizada a la inversa a la cual llega una ra-


diacin de frecuencia . Si la energa del fotn h es mayor que la banda de
energa prohibida (bandgap) EG , el fotn puede ser absorbido y entonces un
electrn puede pasar desde la banda de valencia hacia la banda de conduc-
cin. Es decir, se genera un par electrn-hueco. Estos portadores generados
son acelerados por la diferencia de potencial aplicada en la regin de carga
espacial y contribuyen de esta forma a la corriente fotodetectada.

La figura 40 muestra el esquema de un fotodetector. Cuando la potencia ptica


llega a la unin p n, se generan pares electrn-hueco debido al fenmeno de
la absorcin. Estos portadores, al estar sometidos a un campo elctrico como
el de la figura, se aceleran y se desplazan: los huecos se desplazan hacia la
regin p y los electrones hacia la regin n.

Figura 40. Fotodetector polarizado a la inversa

p n

Regin
de carga

c FUOC PID_00238491 71 Redes de fibra ptica

Como muestra la figura 41, la radiacin incide sobre una zona activa de espe-
sor W y genera una corriente elctrica.

Figura 41. Radiacin incidente

Contacto hmico

El parmetro que relaciona la potencia ptica incidente Pi y la corriente elc-


* En ingls, responsivity.
trica fotogenerada Ip se denomina responsividad*,

Ip
R= (106)
Pi

y se mide en amperios dividido por vatios [A/W].

La eficiencia cuntica es el cociente entre el nmero de portadores ge-


nerados y el nmero de fotones incidentes.

Como cabe esperar, en el caso de los receptores pticos son deseables valores
de eficiencia cuntica altos, puesto que los valores altos indican que son ne-
cesarios menos fotones para generar una carga elctrica. La eficiencia cuntica
tambin est relacionada con la responsividad, ya que la potencia ptica se
puede escribir en funcin del nmero de fotones incidentes Pi = hq, donde q
es el nmero de fotones, mientras que el nmero de cargas fotogeneradas es
Ip /e, siendo e la carga de un portador. As, la eficiencia puede expresarse como

Ip
h
= e =R . (107)
Pi e
h

Teniendo en cuenta la relacin entre la frecuencia y la longitud de onda ( =


c/), y que la relacin h/e = 1,24 la responsividad es

c FUOC PID_00238491 72 Redes de fibra ptica

e (m)
R= = . (108)
hc 1,24

Por definicin, si = 1 significa que cada fotn que incide en la unin ge-
nera un par electrn-hueco; sin embargo, puede que algunos fotones no sean
absorbidos, o que el proceso de absorcin no genere pares p n. Por lo tanto,
0 1.

Observamos tambin que la responsividad aumenta con debido a que, para


un determinado valor de Pi , el nmero de fotones en la luz incidente es mayor.
Es decir, el nmero de fotones para una potencia incidente Pi es q = Pi /h. De
acuerdo con esto, cuanto mayor es (y por lo tanto, menor es ), mayor es q.

Adems, para que se produzca la absorcin, los fotones deben tener una ener-
ga mnima igual a EG . Por lo tanto, segn la Ley de Planck,

c
E=h EG (109)

o alternativamente,

hc
. (110)
EG

En consecuencia, la responsividad es nula si la longitud de onda es su-


perior al valor crtico C = hc/EG .

Suponemos un semiconductor de espesor W. En dicho semiconductor, inci-


de una luz con potencia Pi . Los fotones de la seal ptica incidente son los
responsables de la absorcin en el semiconductor. De este modo, la potencia
incidente va siendo absorbida a lo largo de todo el espesor del semiconductor.
Cuanto ms ancho es el semiconductor, mayor es la proporcin de potencia
ptica incidente que es absorbida por el semiconductor (y que genera pares
electrn-hueco). La potencia que no es absorbida en el semiconductor sale (se
transmite) del semiconductor por el extremo opuesto.

La potencia ptica absorbida por el semiconductor puede expresarse como la


diferencia entre la potencia incidente y la potencia transmitida, y responde a
la siguiente expresin:

( )
Pa = Pi Pt = Pi 1 eW , (111)

donde W es el espesor del semiconductor y es el coeficiente de absorcin,


que vara en funcin de , tal y como se muestra en la figura 42. Como puede

c FUOC PID_00238491 73 Redes de fibra ptica

observarse, el coeficiente de absorcin depende tambin del material semicon-


ductor (Si, Ge, GaAs, etc.).

Figura 42. Coeficiente de absorcin por diferentes semiconductores

105 101
Ge

Profundidad de penetracin (m)


Coeficiente de absorcin (cm1)

InGaAs
104 100

GaAs

103 101
InGaAsP

Si
102 102

101 103
0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
Longitud de onda (m)

Debido a que cada fotn absorbido crea un par p n, la eficiencia cuntica


tambin se puede escribir como la relacin entre la potencia absorbida por el
semiconductor y la potencia incidente. Por lo tanto,

Pa
= = 1 eW . (112)
Pi

Por ejemplo, el coeficiente de absorcin del silicio para una longitud de onda
de = 850 nm es de = 500 cm1 . La figura 43 muestra la eficiencia en
funcin del espesor del semiconductor. Como puede observarse, el espesor
W juega un papel fundamental en la eficiencia cuntica del semiconductor y
debe ser elegido de forma adecuada.

Un valor elevado de W tiene consecuencias positivas y negativas:

Positiva: el aumento de la potencia absorbida, y por lo tanto, de la


eficiencia.

Negativa: el aumento del tiempo de respuesta del dispositivo, es de-


cir, el tiempo necesario para que las cargas elctricas lleguen a los
contactos hmicos.

c FUOC PID_00238491 74 Redes de fibra ptica

Figura 43. Eficiencia de un detector de silicio para una = 850 nm y un coeficiente de


absorcin = 500 cm1

0,8

0,6

0,4

0,2

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

W(m)

Es posible obtener eficiencias casi del 100 % (es decir, cercana a 1) para
W 10 m. Observamos adems que tambin se pueden usar los semicon-
ductores de bandgap indirecto para realizar un receptor ptico: los receptores
de silicio se utilizan para las longitudes de onda en primera ventana, mientras
que para la segunda y la tercera ventana se utilizan receptores de germanio e
indio, galio, arsnico. Los dispositivos de bandgap indirecto, como el Si y Ge,
tienen un espesor W mayor (hasta 50m) y un ancho de banda de modulacin
reducido (0,3-3 GHz), mientras que los dispositivos de bandgap directo tienen
un espesor comprendido entre 3-5 m y un ancho de banda hasta 10 GHz.

El ancho de banda del fotodetector est determinado por la velocidad con la


que el dispositivo responde a los cambios de la potencia ptica incidente.

Definimos el tiempo de respuesta como el tiempo que un cambio en


la potencia ptica incidente tarda en traducirse en un cambio en la
corriente generada.

Cuanto menor sea el tiempo de respuesta del semiconductor, mayor ser la


capacidad de detectar cambios rpidos en la potencia ptica incidente y, por
lo tanto, mayor ser el ancho de banda. Para calcular el tiempo de respuesta
del semiconductor, consideramos una luz incidente segn una funcin esca-
ln; la corriente fotogenerada no reproduce exactamente la seal luminosa en

c FUOC PID_00238491 75 Redes de fibra ptica

entrada y el dispositivo puede ser esquematizado como un circuito RC donde


la tensin de salida tiene una evolucin segn

( )
t
Vu (t) = V0 1 e , (113)

donde V0 es la tensin que debera existir a la salida si el tiempo de respuesta


fuese 0. La figura 44 muestra la evolucin de Vu (t).

Figura 44. Evolucin de Vu (t) en funcin del tiempo

V0

3V0
4

Vu(t) V0
2

V0
4

0
0 2 3 4 5
t

En la ecuacin (113) es posible aislar el tiempo, de forma que se obtiene

( )
Vu (t)
t = ln 1 . (114)
V0

La constante de tiempo se compone de dos factores = d + RC , donde


RC = 1/RC es la constante de tiempo del circuito RC, mientras que d es el
tiempo que necesitan las cargas para llegar a los contactos hmicos, y que au-
menta con el espesor W. El tiempo de respuesta Tr es el tiempo que emplea
la corriente para pasar desde el 10 % hasta el 90 % del valor final cuando la
potencia ptica en entrada tiene una evolucin de escaln y es, de acuerdo
con la expresin (114),

( ( )) ( ( ))
0,9V0 0,1V0
Tr = ln 1 ln 1
V0 V0

= ln (0,9) ln (0,1)

( )
0,9
= ln
0,1

= ln(9) = 2,2. (115)



c FUOC PID_00238491 76 Redes de fibra ptica

De acuerdo con lo descrito hasta el momento, la respuesta impulsional de un Transformada de Fourier


receptor ptico como el descrito hasta el momento es exponencial (observar de la exponencial

la ecuacin (114)). Para determinar el ancho de banda, recordamos que la


Dada una funcin
transformada de Fourier de la funcin exponencial es x(t) = eAt u(t), su
transformada de Fourier,
denominada como X(), es
X() = A+i2 1

.
H() = . (116)
1 + i2

Es importante recordar que, dado un sistema cualquiera, la potencia de en-


trada y de salida estn relacionadas mediante el mdulo al cuadrado de la
funcin de transferencia:

2
|H()|2 = . (117)
1 + 42 2 2

Definimos el ancho de banda a media altura (FWHM) como la frecuencia en


la cual la potencia de salida es la mitad que la mxima potencia de salida (es
decir, 3 dB menor). A partir de la expresin (117) es posible observar que el
valor mximo de |H()|2 se obtiene para = 0:

|H |2max = |H(0)|2 = 2 . (118)

Imponiendo que el mdulo al cuadrado de la funcin de transferencia sea


igual a la mitad del valor mximo, calculamos el ancho a media altura (FWHM)
de la curva:

2 |H |2max 2
= = . (119)
1 + 4
2 2 2 2 2

Aislando la frecuencia se obtiene que el FWHM se halla a la frecuencia

1 0,35
= = . (120) El parmetro representa el
2 Tr ancho de banda de modulacin
del receptor ptico y tambin
se usa el smbolo para
Por ejemplo, si d = RC = 100 ps, el ancho de banda es 800 MHz (la figura 45 indicarlo.

muestra grficamente el ejemplo); habr que reducir el tiempo de respuesta


hasta 10 ps para obtener un ancho de banda compatible con la de sistemas
pticos de 10 Gb/s.

Otro parmetro muy importante para los fotodetectores es la corriente


* En ingls, dark current.
de oscuridad* Id , es decir, la corriente que fluye a travs del dispositi-
vo en ausencia de una seal ptica. Esta corriente se debe a los pares
electrn-hueco generados por efecto trmico y en general es inferior a
10 nA.

c FUOC PID_00238491 77 Redes de fibra ptica

Figura 45. Ejemplo del clculo del FWHM para d = RC = 100 ps

0,9

0,8

0,7

0,6
|H()|2
|H|2max 0,5
FWHM
0,4

0,3

0,2

0,1
0 400 800 1.200 1.600 2.000
(MHz)

En cuanto a la tensin de polarizacin inversa, es muy elevada en los foto-


diodios hechos con Si (silicio) y puede superar los 100 V, mientras que en los
otros dispositivos est en torno a 10 V.

Ejemplo 10

Considrese que para un receptor ptico se requiere un ancho de banda de modula-


cin de 10 GHz. Para el receptor se utiliza un material semiconductor cuyo ndice de
refraccin es nsc = 3. Se considera que el tiempo de propagacin de las cargas elctricas
generadas es de 10 ps. El valor del producto de la resistencia de carga por la capaci-
dad, es decir, RC, para cumplir con el requerimiento de ancho de banda tiene que ser:
RC = 1,69 1011 Hz.

3.1. Fotodiodos PIN

Si una unin p n es polarizada a la inversa, la regin de carga espacial se en- Terminologa

sancha (denominada como zona i en la figura 46b). La diferencia de potencial


El fotodiodo PIN recibe su
aplicada a sus extremos impide el paso de electrones desde la zona n a la zona nombre porque se trata de
una unin PN, o tambin
p, y de los huecos desde la zona p a la zona n. El paso de electrones hacia la
llamada estructura P-I-N.
zona p y de huecos hacia la zona n es el fenmeno denominado difusin, y la Un semiconductor del tipo P
es un semiconductor que,
corriente que genera es la corriente de difusin. Si iluminamos la unin por el
tras un proceso de dopado,
lado p, los pares electrn-hueco generados por el fenmeno de absorcin en tiene un dficit de portadores
(electrones) en la banda de
la regin de carga espacial pueden ser acelerados por el campo elctrico y lle- valencia.
gan a los contactos hmicos: a la salida del dispositivo se mide una corriente Un semiconductor del tipo N
es un semiconductor que,
inversa (definida como corriente de arrastre) que es proporcional a la potencia tras un proceso de dopado,
ptica incidente. La figura 47 muestra en qu sentido ocurren la difusin y tiene un exceso de
portadores (electrones) en la
arrastre de huecos y portadores (en este caso electrones) cuando se polariza banda de conduccin.
inversamente una unin p n.

c FUOC PID_00238491 78 Redes de fibra ptica

Figura 46. a. Fotodiodo PIN y potencia ptica transmitida; b. bandas de energa y estructura
del fotodiodo

p n Ec

Ev
Intensidad ptica

p i n

I W

V
a. b.

Figura 47. Difusin y arrastre de electrones y huecos en un fotodiodo

Difusin
de electrones

Arrastre de
electrones

Zona p Zona n

Corriente
de arrastre Zona de
carga
espacial

Difusin
Huecos de huecos Electrones
Arrastre
de huecos

Como se ha explicado en el subapartado anterior, el ancho de banda del fo-


todiodo est limitado por el tiempo de trnsito d = W/vd , donde vd es la
velocidad de arrastre, que depende de la tensin aplicada. Cuanto mayor es
el campo elctrico aplicado a los extremos del diodo, mayor es la aceleracin
(y por lo tanto, la velocidad de arrastre) que adquieren los portadores gene-
rados. As, los huecos generados se aceleran hacia la zona p y los electrones
hacia la zona n. Sin embargo, el tiempo de respuesta del dispositivo est limi-
tado tambin por la presencia de la corriente de difusin debida a la potencia
ptica absorbida en la regin p: los electrones generados en esta regin en
un primer momento difunden hacia la regin de carga espacial y a continua-
cin son acelerados por el campo elctrico. La figura 46 muestra un fotodiodo
PIN, la evolucin de la potencia ptica transmitida, las bandas de energa y su
estructura.

c FUOC PID_00238491 79 Redes de fibra ptica

Como puede observarse, la parte superior de la figura 46a muestra un fotodio-


do PIN sobre el cual, en la zona p, incide una seal ptica. Este hecho produce
la aparicin de una corriente a lo largo del fotodiodo (parte inferior de la fi-
gura). Dicha intensidad desciende a medida que nos alejamos del punto en el
que incide la seal ptica.

Los pares electrn-hueco se generan a lo largo de la anchura del diodo. La


figura 46b muestra cmo los electrones (negativos) generados en la zona i se
desplazan hacia la zona n, mientras que los huecos (positivos) transitan desde
la zona i hasta la zona p. Este fenmeno crea una intensidad en el sentido
de las cargas positivas (corriente de arrastre). El modelo de bandas de la figu-
ra 46b nos muestra el efecto de polarizar el diodo a la inversa. Por supuesto el
bandgap se mantiene a pesar del campo elctrico aplicado, pero la diferencia
entre las bandas de conduccin y valencia de la zona p y la zona n crece.

Para disminuir la corriente de difusin, y aumentar la de arrastre, se dismi-


nuye la anchura de la zona p y se aumenta la anchura de la regin de carga
espacial (W). Una forma de hacerlo es insertar una capa de semiconductor sin
dopar, o ligeramente dopado, entre las regiones p y n*; el material intrnseco * En la figura 46b denominada
con la la letra i porque, al estar
es una zona n ligeramente dopada, ofrece una notable resistencia al paso de la muy ligeramente dopado, es
casi un semiconductor
corriente y en sus extremos se mide una elevada diferencia de potencial que intrnseco.
acelera ulteriormente los portadores. La regin de carga espacial se extiende
a lo largo de toda la capa intrnseca, que tiene un espesor de hasta 50 m,
y es mayor que el espesor de las capas p y n. Mediante la utilizacin de una
capa intrnseca de grandes dimensiones, en comparacin con las zonas p y n,
se consigue que la corriente de arrastre sea mucho mayor que la corriente de
difusin.

La anchura W de la regin de carga espacial tiene que ser elegida de la forma


correcta para garantizar el adecuado compromiso entre velocidad y sensibili-
dad. El ancho de banda del diodo PIN est en torno a los 100 MHz. La regin
intrnseca se realiza con un material diferente del utilizado para las regiones p
y n (heterounin), de forma que la seal ptica es absorbida slo en la regin
intrnseca. Para las longitudes de onda de las comunicaciones pticas se utili-
za InGaAs para la capa intrnseca, mientras que se usa InP para las zonas p y
n. El bandgap del InGaAs provoca una fuerte absorcin para la radiacin en
el rango de 1,3-1,6 m, mientras que la capa InP tiene un bandgap casi el do-
ble y prcticamente es transparente a la radiacin. La regin de carga espacial
es reducida, por debajo de 10 m, y el ancho de banda de modulacin es de
hasta 10 GHz.

La figura 48 muestra la estructura real de un fotodiodo PIN. Es posible observar


las distintas partes descritas en la explicacin anterior: los contactos hmicos
(electrodos positivos y negativos), el semiconductor p (con un espesor mucho
menor que el semiconductor n para reducir la corriente de difusin), la regin
de carga espacial con espesor W y la capa de semiconductor n (de hecho hay
dos capas, n y n+ , dopadas con distintas impurezas).

c FUOC PID_00238491 80 Redes de fibra ptica

Figura 48. Estructura de un fotodiodo PIN

h
Revestimiento Electrodo negativo
anti-reflectante
Plancha metlica

SiO2 p+
W i (Regin de produccin de pares pn)
n-
n+

Electrodo positivo

Tal como se ha comentado, los fotodiodos pueden ser fabricados con distintos
semiconductores, en funcin de la longitud de onda para la cual se diseen.
La tabla 2 muestra algunos ejemplos.

Tabla 2. Caractersticas de los fotodetectores en funcin del material semiconductor utilizado


Material EG (eV) C (nm) Rango de (nm)
Silicio 1,17 1.060 400-1.060
Germanio 0,775 1.600 600-1.600
GaAs 1,424 870 650-870
InGaAs 0,73 1.700 900-1.700
InGaAsP 0,75-1,35 1.650-920 800-1.650

3.2. Fotodiodos de avalancha

La sensibilidad de un fotodiodo depende de la responsividad, y un elevado va-


lor de R permite fotodetectar potencias pticas bajas. Los fotodiodos basados
en el efecto avalancha tienen elevada sensibilidad, ya que han sido diseados
para tener una ganancia interna de corriente elevada.

El funcionamiento de los fotodiodos de avalancha* se basa en el fenmeno


* En ingls, avalanche
llamado ionizacin por impacto: un electrn, o un hueco, generado por la photodiodes (APD).

absorcin de un fotn, puede tener suficiente energa como para chocar con
un electrn de la banda de valencia y darle parte de su energa cintica. De
este modo, se crea un nuevo par electrn-hueco que contribuye a la corriente
fotodetectada. La tasa de generacin de nuevos pares p n est ligada a los Coeficiente de ionizacin
coeficientes de ionizacin por impacto de los electrones c y de los huecos por impacto

v , que dependen del tipo de semiconductor y del campo elctrico aplicado


El coeficiente de ionizacin
que acelera los portadores de carga. Cabe destacar que ambos coeficientes de por impacto se define como
el nmero de colisiones
ionizacin por impacto crecen rpidamente al aumentar el campo elctrico.
ionizantes por unidad de
Si ambos tipos de portadores son involucrados en el proceso de generacin en longitud.
avalancha, el dispositivo se caracteriza por un elevado nivel de ruido; por lo
tanto, se busca maximizar slo uno de los coeficientes de ionizacin, o bien
el de los electrones o bien el de los huecos. Se define el parmetro como

c FUOC PID_00238491 81 Redes de fibra ptica



v
c si v c
= (121)

c
v si v > c

Por lo tanto, 0 1. Veremos en el siguiente prrafo que el ruido en los


fotodiodos de avalancha aumenta si 1.

Los fotodiodos de avalancha tienen tensiones de polarizacin inversas muy


elevadas: cuando un fotn es absorbido en la regin de carga espacial, el par
electrn-hueco que se genera (par primario) es acelerado por el fuerte campo
elctrico y, chocando, genera otros pares pn (pares secundarios). Esto da lugar
a un efecto de avalancha. La corriente es multiplicada por un factor M y, en
consecuencia, la sensibilidad del dispositivo aumenta proporcionalmente.

En un diodo de avalancha:

La responsibidad es R = eM/h.

La corriente de oscuridad y la tensin de polarizacin inversa son


ms altas que en el caso de los diodos PIN.

El ancho de banda de modulacin es menor porque el proceso de


generacin es ms lento (esto es debido a que todos los pares gene-
rados tienen que llegar a los contactos hmicos).

Estos dispositivos se usan bsicamente para detectar seales dbiles (de baja
potencia) a baja frecuencia.

Estructuralmente existen pocas diferencias entre el fotodiodo PIN y el foto-


diodo APD. La diferencia bsica yace en la zona i, que en el fotodiodo PIN est
ligeramente dopada con n y en el APD lo est con p.

Ejemplo 11

Considrese un fotodiodo ideal (eficiencia de conversin unitaria) de tipo PIN; la poten-


cia ptica incidente es Pi = 30 dBm y la longitud de onda de la portadora ptica es
= 1,3 m. La corriente generada por el fotodiodo PIN es: Ip 1 A. Si se sustituye el
fotodiodo PIN con un fotodiodo APD ideal con coeficiente de multiplicacin M = 15, la
corriente generada es: IAPD 15 A.

3.3. Ruido

Como sucede en todos los sistemas de comunicacin, la seal detectada nun-


ca es igual a la seal transmitida. Por un lado existen diferencias debidas a la

c FUOC PID_00238491 82 Redes de fibra ptica

transmisin por la fibra ptica (dispersin, atenuacin, etc.), pero adems la


deteccin incorpora ruido. El ruido es inherente a cualquier proceso de trans-
misin/recepcin. En este subapartado analizamos el ruido detectado en un
diodo y sus caractersticas.

La ecuacin (106), que relaciona la potencia ptica incidente con la corriente


de salida, no tiene en cuenta el ruido, que puede ser causado por la corrien-
te del dispositivo en s, o por las fluctuaciones de la potencia ptica incidente
al fotodiodo.

Teniendo en cuenta el ruido, la corriente de salida puede expresarse


como la suma de la corriente generada por la potencia ptica y por
cada una de las fuentes de ruido:

I(t) = IP + is (t) + iT (t), (122)

donde is (t) es el ruido shot debido a la naturaleza estadstica del proce-


so de generacin de electrones en el semiconductor, e iT (t) es el ruido
trmico que se origina en el movimiento de los electrones, cuando el
semiconductor est a una temperatura mayor que el cero absoluto.

El ruido shot es consecuencia de la aleatoriedad en el proceso de generacin


Proceso de Poisson
de los electrones en el semiconductor. Se trata de un fenmeno fsico que,
incluso en condiciones ptimas, no puede ser evitado. Se ha demostrado que El proceso de Poisson es un
proceso estocstico en el cual
la estadstica del proceso de generacin responde a un proceso de Poisson. As, los eventos (normalmente es
un proceso de llegada y, por
la intensidad del ruido shot se puede expresar como
lo tanto, los eventos
equivalen a llegadas) se
suceden de forma
is (t) = h(t tk ), (123) independiente. Recibe su
k
nombre en honor al
matemtico francs Simon
Poisson (1781-1840).
donde h(t) es la respuesta del canal y, por lo tanto, la corriente de ruido es la
suma de los pulsos de corriente que se generan en momentos aleatorios. La
figura 49a ejemplifica una situacin con un canal ideal en la cual h(t) = (t),
mientras que la figura 49b muestra una situacin con un canal real. El ruido
shot es, por lo tanto, producto de la aleatoriedad en la llegada de los electrones
y se ve agravado por la no idealidad del canal. Teorema de
Wiener-Khinchin

La caracterizacin del ruido, en general, se hace mediante su potencia (que Dado un proceso x(t) cuya
autocorrelacin es Rx (), la
equivale a su autocorrelacin en el origen). Dicho de otro modo, a partir de densidad espectral de x(t) es
su varianza. Supongamos, para simplificar, que el proceso se puede aproximar igual a la transformada de
Fourier desu autocorrelacin:
por un proceso gaussiano blanco. Calculamos la varianza a partir de la funcin Sx (f ) = Rx ()ei2f d

de autocorrelacin. En base al teorema de Wiener, la funcin de autocorrela- y anlogamente

cin es la transformada inversa del espectro de la seal Rx () = Sx (f )ei2f df .


c FUOC PID_00238491 83 Redes de fibra ptica


< is (t)is (t + ) >= Ss ()ei2 d, (124)

donde < > es el operador esperanza y Ss () es la densidad espectral de la


seal is (t). Por definicin, la potencia de la seal is (t) es igual al valor de la
autocorrelacin en el origen ( = 0), es decir, la varianza de la seal. En tal
caso, la varianza de is (t) se calcula segn la expresin


s2 =< is (t)is (t) >= Ss ()d. (125)

Figura 49. Ruido shot: a. en un canal ideal; b. en un canal no ideal h(t)

is(t)

t0 t1 t2 t3
a.

is(t) h(t)

t0 t1 t2 t3

b.

Se ha descrito en la literatura que el espectro del ruido es constante en toda


la banda de frecuencias (ruido blanco) y se puede expresar en funcin de la
corriente generada por la potencia ptica (IP ) y de la carga del electrn (e)
segn

Ss () = 2eIP . (126)

Ntese que el ruido es constante en toda la banda de frecuencias, pero la


deteccin se realiza slo en una de ellas. De este modo, se puede considerar
Ss () = 0 fuera de la banda de deteccin. La varianza que se obtiene entonces es

s2 = 2eIP , (127)

donde es el intervalo de frecuencias en el que se realiza la fotodeteccin,


es decir, el ancho de banda de modulacin. Se observa que la varianza del rui-

c FUOC PID_00238491 84 Redes de fibra ptica

do aumenta proporcionalmente con el ancho de banda de modulacin ();


por lo tanto, antes de la deteccin, deben aadirse los filtros que aslan slo
la banda de inters, tal y como se seal al principio del apartado 3, en la
figura 38.

El ruido trmico se debe a la agitacin trmica de los portadores de carga que Proceso estocstico
blanco gaussiano
producen fluctuaciones en la corriente: la unin polarizada inversamente se
modela como una resistencia de valor RL . Segn estudios tericos, es posible Un proceso estocstico x(t)
asumir tambin en este caso que el proceso estocstico es blanco gaussiano es gaussiano si su funcin de
densidad de probabilidad
con una densidad espectral fX (x) es normal
(xmX )2

1 22
fX (x) = e X
X 2
4KB T
ST () = , (128) donde mX y X 2 son la media
RL y la varianza de x(t).
Un proceso, adems, es
blanco si su autocorrelacin
donde KB es la constante de Boltzmann y T es la temperatura de ruido. Del RX () = 0 para t = 0. Y en
mismo modo que anteriormente, se puede obtener la potencia del ruido tr- consecuencia, SX () =
constante.
mico integrando ST () dentro de la banda de deteccin ():

4KB TFn
T2 = , (129)
RL

donde Fn es la figura de ruido del amplificador de front-end. Cualquier dispo-


sitivo introduce un cierto nivel de ruido trmico. A la entrada del receptor
ptico, antes del detector, un amplificador ptico amplifica la seal y, a su
vez, aade ruido. La figura de ruido Fn es un parmetro que caracteriza com-
pletamente el ruido trmico introducido.

El ruido trmico siempre est presente, incluso en ausencia de corriente


fotodetectada, y disminuye al aumentar la resistencia RL .

Ejemplo 12

Considrese que la figura de ruido del amplifcador es Fn = 3 dB, que la resistencia de


carga sea RL = 4 K, temperatura T = 25 , y que = 1,25 GHz. Entonces, la varianza
del ruido trmico es: T2 = 1 1014 A2 .

3.3.1. Relacin seal-ruido para los fotodiodos PIN

Uno de los parmetros ms importantes en cualquier comunicacin es la rela-


* En ingls, signal-to-noise ratio
cin seal-ruido*. Como su nombre indica, dicha relacin pone de relieve la (SNR).

diferencia entre la potencia de seal til y la potencia del ruido. Los valores de
SNR estn estrechamente relacionados con la probabilidad de error de la trans-
misin. As, cuanto mayor sea el valor de SNR, menor ser la probabilidad de

c FUOC PID_00238491 85 Redes de fibra ptica

error en la transmisin. En particular, la relacin seal-ruido se define como la


potencia media de la seal fotogenerada dividida entre la varianza del ruido, o
lo que es lo mismo, la potencia de ruido. De acuerdo con las ecuaciones (127)
y (129), la expresin de la SNR para un fotodiodo PIN resulta:

IP2 R2 Pi2
SNR = = . (130)
T2 + s
2 4KB TFn + 2eRP
i
RL

A continuacin se analizan dos casos particulares: cuando el ruido trmico


es despreciable frente al ruido shot y, al contrario, cuando el ruido shot es
despreciable frente al ruido trmico.

Lmite del ruido trmico

Si el ruido shot es despreciable respecto al ruido trmico (s T ), entonces


se obtiene:

RL R2 Pi2
SNR = (131)
4KB TFn

y la relacin seal-ruido aumenta con el Pi2 y con RL , y es inversamente pro-


porcional al ancho de banda. Es por esta razn por lo que normalmente el
fotodetector se cierra con una resistencia RL de elevado valor. Con esto se con-
sigue aumentar la SNR.

Sin embargo, la necesidad de minimizar el ruido en el receptor est en conflic-


to con la necesidad de mantener un elevado ancho de banda, inversamente
proporcional al parmetro RC . Es decir, cuanto mayor es RL , menor es el an-
cho de banda.

Existe un compromiso entre ancho de banda y SNR para un fotodiodo


PIN:

RL grande SNR grande y ancho de banda pequeo.

RL pequeo SNR pequeo y ancho de banda grande.

Un parmetro que se utiliza para caracterizar el ruido del fotodetector es la


* En ingls, noise equivalent
potencia equivalente del ruido*, que es el valor de la potencia incidente por power (NEP).
unidad de ancho de banda para que la relacin seal-ruido sea 1. Alternativa-
mente, la NEP puede definirse como la cantidad de potencia ptica requerida
para generar una fotocorriente igual a la corriente de ruido.

c FUOC PID_00238491 86 Redes de fibra ptica

Arreglando la ecuacin (131) tenemos:


P 4KB TFn SNR
i = . (132)
R2 RL

De acuerdo con su definicin, la NEP ser igual a Pi tal que SNR = 1. Por lo

tanto,


. P 4KB TFn
NEP = i = . (133)
R2 RL

Lmite del ruido shot

En el caso opuesto, en que s T , la SNR es

RPi Pi
SNR = = (134)
2e 2h

y observamos que la relacin seal-ruido depende de Pi y no de Pi2 . En este Nmero medio de


caso, la SNR se puede expresar de forma simplificada en funcin del nmero fotones recibidos por bit

de fotones ma contenidos en un bit. De hecho, la potencia media recibida es


A partir del nmero medio de
Pi = hma B, asumiendo que la duracin del bit sea igual a 1/B. Como el ancho fotones que se reciben por
de banda de modulacin se puede considerar igual a = B/2, la ecuacin bit, se define tambin el
nmero de fotones recibidos
anterior se puede expresar como en el bit 0 y en el bit 1;
concretamente, se define:
m0 = nmero de fotones
recibidos en el bit 0.
SNR = ma . (135) m1 = nmero de fotones
recibidos en el bit 1.
Se define por tanto, el
Ntese que la ecuacin (135) relaciona directamente la SNR y el nmero me- nmero medio de fotones
recibidos por bit (ma ) como:
dio de fotones en cada bit. As, por ejemplo, para que la relacin seal-ruido ma = (m0 + m1 )/2.
La relacin entre los fotones
sea 20 dB (SNR = 100), es necesario que en cada bit 1 haya por lo menos
recibidos en un bit y la
(considerando el mejor caso, es decir, eficiencia cuntica mxima, = 1): potencia ptica media
recibida es Pmedia = ma Bhf ,
siendo B la tasa de
SNR 100 transmisin del sistema.
ma = = = 100 (136)
1

Como en general ser menor que 1, el nmero de fotones por bit deber ser
mayor que 100 para una SNR de 20 dB.

A partir del nmero medio de fotones que se reciben por bit, se define tambin
el nmero de fotoportadores (pares electrn-huecos) generados a partir de los
fotones recibidos; concretamente, se define:

c FUOC PID_00238491 87 Redes de fibra ptica

n0 = nmero de fotoportadores generados en el bit 0.

n1 = nmero de fotoportadores generados en el bit 1.

Se puede definir por tanto, el nmero medio de fotoportadores generador por


bit (na ) como:

n0 + n1
na = .
2

A partir de los fotoportadores generados en un bit, se puede calcular la corrien-


te fotodetectada en un bit 0 y en un bit 1 respectivamente. Concretamente:

n0 e
I0 =
B

n1 e
I1 = ,
B

siendo B la tasa de transmisin del sistema.

3.3.2. Relacin seal-ruido para los fotodiodos de avalancha

Si utilizamos un fotodiodo APD, la corriente detectada es

I(t) = RMPi + is (t) + iT (t), (137)

donde el trmino debido al ruido trmico es el mismo que para el caso anterior
del fotodiodo PIN, R es la responsibidad del fotodiodo APD y M es el parme-
tro que, para los APD, multiplica la corriente (vase el subapartado 3.2). En
cuanto al ruido shot, para los fotodiodos APD, su varianza se puede expresar
como

s2 = 2eMF(M)IP , (138)

donde F(M) es denominado factor de ruido en exceso y tiene la forma

( )
1
F(M) = M + (1 ) 2 . (139)
M

Recordemos que es un parmetro definido como la relacin entre los coefi-


cientes de ionizacin por impacto de los electrones y de los huecos (definido
en la ecuacin (121)). La figura 50 muestra el factor de ruido en exceso de un
fotodiodo APD en funcin de M. En la figura cada curva corresponde a un
valor distinto de .

c FUOC PID_00238491 88 Redes de fibra ptica

Figura 50. Factor de ruido en exceso en un fotodiodo de avalancha

102

=1
Factor de ruido F

0,2

101
0,1

0,02

0,01
0

100
0 20 40 60 80 100

Ganancia M

El factor de ruido en exceso aumenta cuando el mecanismo de la generacin


de avalancha es producido por ambos tipos de portadores ( 1), es decir,
cuando los coeficientes de ionizacin por impacto de electrones y huecos (v
y c ) son muy similares. Del mismo modo, dado un valor de , el factor de
ruido en exceso F(M) crece a medida que aumenta M. Teniendo en cuenta
las expresiones mostradas hasta el momento, la relacin seal-ruido en los
fotodiodos de avalancha es

R2 Pi2 M 2
SNR = (140)
4KB TFn + 2eM 2 F(M)RP
i
RL

y es posible eligir un valor ptimo de M que maximiza la SNR.

Del mismo modo que se ha hecho para los fotodiodos PIN, tambin para los
fotodiodos APD, analizamos por separado los dos casos particulares en los que
o bien el ruido trmico o bien el ruido shot son despreciables.

Lmite del ruido shot

Considerando que s T , y que por lo tanto, el ruido trmico es desprecia-


ble, la ecuacin (140) ser

RPi
SNR = . (141)
2eF(M)

c FUOC PID_00238491 89 Redes de fibra ptica

Debido al factor de ruido en exceso F(M), la relacin seal-ruido en un


fotodiodo APD (SNRAPD ) es menor que en un fotodiodo PIN (SNRPIN ):

SNRAPD < SNRPIN .

Lmite del ruido trmico

En el caso opuesto, si s T (el ruido shot es despreciable frente al ruido


trmico), la relacin ser

RL R2 Pi2 M 2
SNR = . (142)
4KB TFn

Por lo tanto, la relacin seal-ruido es M 2 veces mayor en el fotodiodo


APD que en el fotodiodo PIN:

SNRAPD = M 2 SNRPIN

3.4. Tasa de error de bit

Tal y como se ha introducido al inicio de este apartado dedicado a los re-


ceptores pticos, un receptor ptico est compuesto (obviando los filtros que
limitan la potencia de ruido) por un fotodiodo, un muestreador que muestrea
la seal recibida de forma peridica, y por un elemento decisor que compara la
seal recibida muestreada con un umbral. As, si la seal recibida es mayor que
un umbral determinado (ID ), entonces el decisor detecta un bit logico 1; en
caso contrario el decisor detecta un bit lgico 0.

La tasa de error de bit* es un parmetro fundamental para todos los sistemas


* En ingls, bit error rate (BER).
de transmisin numricos e indica la relacin entre el nmero de errores de
recepcin y el nmero total de bits transmitidos. La BER y la relacin seal-
ruido estn estrechamente ligadas porque, en definitiva, ambas son medidas
de la calidad de la transmisin. De modo intuitivo es posible deducir que
cuanto menor es la relacin entre la seal til y el ruido (SNR bajas), mayor es
la probabilidad de que el decisor cometa un error (mayor BER).

En este sentido un dispositivo receptor puede ser caracterizado por su sensi-


bilidad, definida como la mnima potencia ptica para la cual BER < 109 . Es

c FUOC PID_00238491 90 Redes de fibra ptica

importante darse cuenta de los rdenes de magnitud en los que se mueven los
receptores pticos, ya que una BER < 109 significa que de cada 1.000 millones
de bits como mximo 1 bit puede ser errneo. Como es notorio, el orden de
magnitud en las comunicaciones pticas es completamente distinto al de las
radiocomunicaciones (este ltimo puede estar alrededor de 102 y 103 ), y es
por este motivo, junto con el gran ancho de banda de las fibras pticas, por el
cual se utilizan comunicaciones pticas para aplicaciones que requieren altas
velocidades de transmisin, como por ejemplo las redes troncales.

Definimos I0 como el nivel medio de corriente fotodetectada cuando el re-


ceptor ptico recibe un 0 lgico. Del mismo modo, definimos I1 como el
nivel medio de corriente fotodetectada cuando se recibe un 1 lgico. Debi-
do al ruido, la corriente fotodetectada no es constante e igual a I0 o I1 , sino
que presenta fluctuaciones alrededor de estos valores (figura 51). As, tal como
muestra la figura 51, dado un bit lgico 0 o 1, la corriente fotodetectada es
una variable aleatoria con media I0 o I1 .

Figura 51. Fotocorriente y densidad de probabilidad para los bit 0 y 1


P(1/0)

I1

ID
P(0/1)

I0

tD t
I

Probabilidad

Asumimos que el ruido shot y el ruido trmico son estadsticamente indepen-


dientes, ambos con estadsticas gaussianas. La teora dice que, dados dos pro-
cesos gaussianos independientes, el proceso resultante de la suma de los pro-
cesos tambin es gaussiano. Adems, el proceso gaussiano resultante tiene una
varianza igual a la suma de las varianzas. De acuerdo con las propiedades de
los procesos gaussianos, en el caso de que se transmita un bit 1, la varianza
total del ruido es

12 = T2 + s2 . (143)

En el caso de que se transmita un bit 0, la varianza total del ruido se debe


solamente al ruido trmico, ya que el ruido shot es nulo si la corriente Ip es
nula. Por lo tanto, la varianza es

02 = T2 . (144)

c FUOC PID_00238491 91 Redes de fibra ptica

El procedimiento para calcular la BER es muy simple. Se comete un error cuan-


do se transmite un uno lgico pero el decisor considera que se ha recibido un
cero lgico. Del mismo modo, si se transmite un cero lgico y de detecta
un uno tambin se comete un error. Por lo tanto, la BER se compone de dos
partes:

BER = p(1)P(0/1) + p(0)P(1/0), (145)

donde p(1) y p(0) representan las probabilidades de haber transmitido un 1


o un 0, mientras que P(0/1) es la probabilidad de detectar un cero lgico
condicionada al hecho de transmitir un uno, y P(1/0) es la probabilidad del
evento opuesto. En general se puede asumir que la transmisin de un 1 o un
0 son equiprobables, y entonces p(0) = p(1) = 1/2. Tanto P(0/1) como P(1/0)
se pueden calcular mediante la integracin de sus funciones de probabilidad
gaussianas.

Empezamos por el clculo de P(0/1). Tal como se puede observar en la figu- Variable aleatoria
gaussiana
ra 52, la probabilidad de detectar un 0 condicionado a que se ha transmitido
un 1 es la integral entre y el umbral ID de la funcin de densidad de pro- Dada una variable aleatoria
babilidad de una variable gaussiana con media I1 y varianza 12 : gaussiana Z, su funcin de
densidad de probabilidad es
z
2Z
fZ (z) = 1 e 2Z ,
ID (II1 ) 2 2Z
1
donde Z y Z2 son la media
P(0/1) = e 22
1 dI
21 y la varianza de Z
respectivamente.
( )
1 I1 ID
= erfc , (146)
2 21

donde erfc() es la funcin de error complementaria definida como


2 2
erfc(z) = ex dx. (147)
z

De la misma forma, tal como muestra la figura 53, la probabilidad de detectar


un 1 condicionada a que se ha transmitido un 0 es igual a la integral entre la
corriente umbral ID y de la funcin de distribucin de probabilidad de una
variable aleatoria gaussiana con media I0 y varianza 02 . Ya se ha explicado que
12 > 02 , por esto la anchura de la funcin de densidad de probabilidad de la
figura 52 es mayor que la anchura de la figura 53:

(II0 )2
1 2
P(1/0) = e 2
0 dI
20 ID

( )
1 ID I0
= erfc . (148)
2 20

c FUOC PID_00238491 92 Redes de fibra ptica

Figura 52. Funcin de densidad de probabilidad de la fotocorriente cuando se


transmite un 1

0,35

0,3

0,25

0,2
fI(I)

P(0|1)
0,15

0,1

0,05

0
I0 ID I1

Figura 53. Funcin de densidad de probabilidad de la fotocorriente cuando se


transmite un 0

0,7

0,6

0,5

0,4
fI(I)

P(1|0)
0,3

0,2

0,1

0
I0 ID I1

Sustituyendo estas expresiones en la ecuacin (145), la expresin de la BER


resultante es

( ) ( )
1 I1 ID 1 ID I0
BER = erfc + erfc , (149)
4 21 4 20

y observamos que la BER depende de la corriente umbral ID . La BER es mnima


cuando la siguiente condicin se cumple:

I1 ID ID I0
= = Q. (150)
1 0

c FUOC PID_00238491 93 Redes de fibra ptica

Aislando ID podemos obtener el valor de la corriente umbral que per-


mite tener una BER mnima:

0 I1 + 1 I0
ID = . (151)
0 + 1

Si se escoge una corriente umbral tal que ID = (I1 + I0 )/2 (y por consi-
guiente 0 = 1 ), la BER puede ser escrita como:

Q
1 Q e 2
BER = erfc( )
= . (152)
2 2 2Q

A partir de la ecuacin (152), para conseguir que una BER = 109 (sensibilidad)
ser necesario que Q = 6. Adems, a partir de las ecuaciones (150) y (151), el
parmetro Q se puede escribir tambin como

I1 I0
Q= . (153)
0 + 1

3.5. Sensibilidad

La sensibilidad del detector ptico est vinculada a la potencia mnima recibi-


da, es decir, la potencia ptica mnima que permite detectar los bits transmiti-
dos correctamente. Si se transmite un cero lgico, la corriente media recibida
es nula, y entonces es posible deducir que, para un fotodiodo, los valores de
I0 y I1 son

I0 = 0, I1 = MRPi . (154)

Si el fotodiodo es APD, M toma valores superiores a 1, y si en cambio es un


fotodiodo PIN, entonces M = 1. Continuamos considerando que se transmiten
los bits 0 y 1 con probabilidad 0,5. En tal caso, la potencia media recibida por
el fotodiodo, considerando la transmisin de ambos bits, es

P1 + P0 Pi
Pr = = , (155)
2 2

donde P0 y P1 son las potencias recibidas cuando se transmiten los bits 0


y 1, respectivamente. Entonces, a partir de las ecuaciones (154) y (155), las
corrientes son

I0 = 0, I1 = 2MRPr . (156)

c FUOC PID_00238491 94 Redes de fibra ptica

Sustituyendo las expresiones (143), (144) y (156) en la ecuacin (153), Q puede


reescribirse como

2MRPr
Q= . (157)
T + s2 + T2

Volvemos a analizar los dos casos:

Lmite del ruido shot. En el caso de un fotodiodo ideal donde s T , el


parmetro Q se puede escribir, haciendo uso de la ecuacin (138), como

2MRPr 2MRPr
Q = . (158)
s
2eMF(M)2MRPr

Entonces la mnima potencia recibida es

eQ 2 F(M)
Pr = . (159)
R

Observamos que Pr aumenta con el ancho de banda . El motivo para


que la mnima potencia media recibida deba ser mayor cuando crece ,
reside en el hecho de que cuanto mayor es el ancho de banda, mayor es
el ruido detectado, y que en este caso, la sensibilidad de los fotodiodos de
avalancha es menor que la de los fotodiodos PIN. Es decir, se requiere una
potencia media recibida mayor en los fotodiodos APD que en los fotodio-
dos PIN.

Lmite del ruido trmico. Cuando T s , la ecuacin (153) se simplifica


como


MRPr R MRPr
Q = L , (160)
T 4KB TFn

donde se ha sustituido la varianza del ruido trmico de la ecuacin (129).

Por lo tanto, la potencia mnima recibida es


4KB TFn Q
Pr = . (161)
RL MR

c FUOC PID_00238491 95 Redes de fibra ptica

En este caso, los fotodiodos de avalancha tienen mayor sensibilidad que


los fotodiodos PIN (la mnima potencia media recibida necesaria es mayor
para los fotodiodos PIN que para los fotodiodos APD).

En general la relacin seal-ruido (SNR) es igual a la potencia de la seal cuan-


do se transmite un 1 dividido entre la potencia de ruido en la misma situacin:

I12
SNR = (162)
12

Teniendo en cuenta las expresiones derivadas a lo largo de este apartado, f-


cilmente pueden relacionarse la BER y la SNR a travs del parmetro Q.

En el lmite del ruido trmico (T s ), 0 = 1 = T y tenemos


I SNR
Q= 1 = . (163)
21 2

Para una BER = 109 (es decir, Q = 6) es necesario que SNR = 21,6 dB.

En cambio, en el lmite del ruido shot (s T ), 0 = 0 y

I1
Q= = 2 SNR. (164)
1

Por lo tanto, para obtener una BER < 109 es necesario que SNR > 15,6 dB. En
este caso, ya que la relacin seal-ruido se obtiene segn la ecuacin (135):

( ) ( )
1 Q 1 ma
BER = erfc = erfc . (165)
2 2 2 2

Por ejemplo, si = 1, hacen falta ma = 36 fotones por cada bit para conseguir
que BER = 109 .

3.5.1. Lmite cuntico de fotodeteccin

Los resultados obtenidos en los subapartados anteriores se basan en el supues-


to de que ambos tipos de ruido, tanto el shot como el trmico, pueden ser

c FUOC PID_00238491 96 Redes de fibra ptica

descritos a travs de una estadstica de Gauss. Sin embargo, en el caso del


fotodiodo ideal es necesario recurrir a una distribucin de Poisson para carac-
terizar el ruido shot.

Las caractersticas del fotodiodo ideal son las siguientes:

La eficiencia cuntica es igual a 1 ( = 1).

En ausencia de potencia de entrada, no genera ningn par electrn-


hueco.

En estas condiciones de idealidad del fotodetector, cuando se transmite un 0


no se produce ningn error de deteccin (la ausencia de potencia de entrada
no genera ningn par electron-hueco). En cambio, cuando se transmite un 1,
la probabilidad de que m1 fotones contenidos en un bit 1 generen n1 pares
electrn-hueco se puede calcular mediante la estadstica de Poisson:

mn11
Pn1 = em1 . (166)
n1 !

De acuerdo con las caractersticas del fotodiodo ideal, slo se produce un error
cuando se ha transmitido un 1 y, a pesar de ello, no se genera ningn par
electrn-hueco. Por lo tanto, la probabilidad P(0/1) se obtiene a partir de la
ecuacin (166) con n0 = 0:

m01
P(0/1) = em1 = em1 . (167)
0!

Entonces, el Bit Error Rate es, asumiendo nuevamente que p(1) = p(0) = 0,5:

ema
BER = p(1)P(0/1) = . (168)
2

Ejemplo 13

Para que BER = 109 es necesario que el nmero de fotones por bit sea ma = 20 fotones.

3.6. Resumen

En el apartado 3 se han estudiado los receptores pticos. Los receptores p-


ticos son fotodiodos polarizados en inversa, cuyas prestaciones pueden ser
definidas en trminos de eficiencia (o, de forma equivalente, en trminos de
responsividad).

c FUOC PID_00238491 97 Redes de fibra ptica

Los fotodiodos deben ser capaces de trasladar una seal del dominio ptico al
dominio elctrico. Para ello, es necesario que el tiempo de respuesta del diodo
frente a un cambio de la seal ptica sea inferior a la velocidad de variacin
de la seal ptica. Esta limitacin suele expresarse en trminos de ancho de
banda mximo de modulacin.

Las fuentes de ruido en recepcin son: el ruido shot, el ruido de la corriente


de oscuridad (despreciable en la mayora de los casos) y el ruido trmico. El
ruido shot es debido a la aleatoriedad en la llegada de los fotones, mientras
que el ruido trmico es debido a la agitacin trmica de los portadores.






Ruido shot
Ruido Ruido trmico




Ruido corriente de oscuridad

Se ha analizado el comportamiento de dos fotodiodos en concreto (los ms


usados): el diodo PIN y el diodo APD (de avalancha). Las diferencias en la es-
tructura de ambos son muy pequeas, y se limitan a la regin activa. Mientras
los diodos PIN tienen una regin activa formada por un semiconductor leve-
mente dopado del tipo n, los diodos APD estn construidos con una regin
activa levemente dopada del tipo p.

Estas leves diferencias de estructura se traducen en prestaciones distintas. As,


en igualdad de condiciones la SNR (relacin seal a ruido) en un diodo PIN
es mejor que la relacin en un diodo APD. En cambio, en trminos de sen-
sibilidad ocurre lo contrario, y el APD presenta una mayor sensibilidad que
el PIN.

c FUOC PID_00238491 98 Redes de fibra ptica

4. Amplificadores pticos
.

Los amplificadores pticos son dispositivos que amplifican una seal lumi-
nosa directamente en el dominio ptico, es decir, sin utilizar una conversin
ptica-elctrica-ptica (O-E-O). Estos dispositivos, junto con la introduccin * En ingls, wavelength division
multiplexing (WDM).
de sistemas de multiplexacin de longitudes de onda*, han revolucionado las
comunicaciones pticas en la ltima dcada. En este apartado, estudiaremos
** En ingls, semiconductor
los amplificadores pticos de semiconductor** y los amplificadores de fibra do-
optical amplifier (SOA).
pada con erbio***. En los SOA la luz se amplifica propagndose en un medio
semiconductor de longitud de aproximadamente 1 mm, en cambio en los ED-
*** En ingls, erbium doped fiber
FA la luz se amplifica propagndose en una fibra de longitud entre 1 m y 100 amplifier (EDFA).

m dopada con iones de tierras raras como el erbio (Er + ), o el neodimio (Nd+ ).

La amplificacin/regeneracin de la seal puede realizarse de tres mo-


dos distintos:

Amplificacin 1R (re-amplifying): amplifican slo la potencia de la


seal, como en la figura 54.
Regeneracin 2R (re-amplifying and re-shaping): adems de ampli-
ficar la potencia, hacen tambin el re-shaping del pulso ptico, es
decir, actan sobre la forma del pulso.
Regeneracin 3R (re-amplifying, re-shaping and re-timing): tambin
realizan el re-timing de la secuencia de bits.

Figura 54. Amplificacin ptica 1R de un pulso de luz a travs de un SOA

Contado hmico
Pulso de salida
Gua de onda
activa (seccin)

Gua de onda
activa (0,2-2 mm)

Pulso de entrada

La figura 55 muestra un ejemplo del efecto de cada uno de los tipos de am-
plificacin/regeneracin. Tal y como se ha explicado, con la regeneracin 1R
la seal obtenida es el resultado de la amplificacin de la seal recibida. En
la regeneracin 2R tambin se regenera la forma del pulso. Por ltimo, en la
regeneracin 3R se solucionan problemas de reloj.

c FUOC PID_00238491 99 Redes de fibra ptica

Figura 55. Ejemplo de los tres posibles tipos de regeneracin de


la seal: 1R, 2R o 3R

Seal
transmitida

Seal
recibida

Regeneracin
1R

Regeneracin
2R

Regeneracin
3R

Los amplificadores pticos tienen una banda de aplicacin muy ancha: los
amplificadores SOA pueden amplificar simultneamente longitudes de onda
en el rango de 80 nm, mientras que la banda de un EDFA es generalmente
de 35 nm. Los amplificadores pticos se pueden posicionar en varios pun-
tos a lo largo de un enlace ptico. As, un amplificador ptico que se inserta
inmediatamente despus del transmisor para aumentar la intensidad de la se-
al transmitida se denomina booster (ver la figura 56a). Un booster tiene que
proporcionar la mxima potencia de salida evitando el fenmeno de la sa-
turacin. Un amplificador que se coloca antes del receptor para aumentar su
sensibilidad se denomina preamplificador (ver la figura 56b). Un preamplifica-
dor tiene que garantizar un bajo nivel de ruido al amplificar seales pequeas
(es decir, de muy baja potencia).

Figura 56. a. Amplificador en transmisin o booster; b. amplificador en recepcin o Amplificador


preamplificador
En general, en los esquemas
los amplificadores se
TX RX representan mediante la
figura

a. b.

c FUOC PID_00238491 100 Redes de fibra ptica

Tambin se pueden insertar amplificadores para compensar las prdidas de


insercin en caso de que haya multiplexores (figura 57a) o en el enlace de
fibra ptica para aumentar el nivel de la seal (figura 57b).

Figura 57. a. Compensador; b. amplificador de lnea

a. b.

En los enlaces de fibra ptica hay que compensar las prdidas debidas a la Enlace ptico
transparente y opaco
propagacin cuando el enlace es mayor de 20-100 km. Utilizando slo am-
plificadores pticos, el enlace se mantiene transparente, es decir, que se man- Se denomina enlace
tiene completamente ptico. Si se utilizan regeneradores electro-pticos, la transparente aquel enlace en
el cual la seal no sufre
regeneracin de la seal se hace en el dominio elctrico, y por lo tanto, el ninguna conversin
enlace no es transparente y requiere conversin O-E-O, lo que lmita la velo- opto-elctrica ni
electro-ptica ms all de la
cidad de transmisin. En la figura 58 estn representados dos enlaces de fibra: transmisin y la recepcin.
uno transparente con amplificadores pticos y uno que utiliza regeneradores Se dice que el enlace es
opaco cuando en algn
electro-pticos. punto (amplificador
multiplexador, etc.) se realiza
una conversin O-E-O
Figura 58. Enlace transparente (arriba) y enlace con regeneradores (abajo) (ptico-elctrico-ptico).

OA OA OA

RX TX RX TX RX TX

Los amplificadores pticos garantizan slo una amplificacin 1R (re-amplifying).


En cambio, los regeneradores permiten regenerar la seal completamente 3R
(re-amplifying + re-shaping + re-timing) pero requieren primero de una con-
versin ptico-elctrica y posteriormente de una conversin electro-ptica
(O-E-O), ya que tanto el re-shaping como el re-timing deben realizarse en el
dominio elctrico.

4.1. Ganancia ptica

La amplificacin ptica se basa en el fenmeno de la emisin estimulada, el


mismo fenmeno en el que se basaban los transmisores lser. De hecho un

c FUOC PID_00238491 101 Redes de fibra ptica

amplificador ptico es como un lser sin cavidad resonante. El bombeo elc-


trico (en el SOA) u ptico (en el EDFA) se utiliza para garantizar la inversin
de poblacin N2 > N1 (vase el subapartado 2.2.5), condicin necesaria para
conseguir que haya generacin de fotones (emisin estimulada).

Uno de los parmetros que caracteriza a los amplificadores pticos es la ga-


nancia ptica g(), que relaciona la potencia de entrada al amplificador con
la de salida del amplificador en funcin de la longitud de onda de la seal. La
figura 59 muestra un ejemplo tipo de ganancia ptica. Se puede observar que
la ganancia es una funcin que presenta un mximo a una frecuencia 0 .

Figura 59. Ganancia ptica de un amplificador en funcin de


la frecuencia

g(), G()

G0 = eg0L

g0

. Hendrik Lorentz

La ganancia ptica de un amplificador es una funcin lorentziana, co- Hendrik Lorentz


mo se muestra en la figura 59, y se puede escribir como (1853-1928), fsico holands
ganador del Premio Nobel el
ao 1902, fue uno de los
primeros en considerar la
g0
g(,P) = , (169) naturaleza elctrica de la
1 + ( 0 )2 T22 + P materia.
PS

donde g0 es el pico de ganancia, 0 es la frecuencia a la que se encuen-


tra la mxima ganancia (g0 ), P es la potencia ptica incidente, PS es la
potencia de saturacin y T2 el parmetro que determina la anchura de
la curva y que est relacionado con el tiempo medio de vida del tomo
o del electrn en el nivel 2 de energa.

Se observa en la ecuacin (169) que la ganancia no vara slo con la frecuencia,


sino tambin con la potencia incidente P. Para analizar adecuadamente las
dependencias, empezamos a estudiar la ganancia en funcin de la frecuencia

c FUOC PID_00238491 102 Redes de fibra ptica

suponiendo que la potencia incidente es mucho menor que la potencia de


saturacin PS , con lo cual se puede considerar que el trmino P/PS 0. En tal
caso la ganancia no depende de la potencia y puede reescribirse como

g0
g() = . (170)
1 + ( 0 )2 T22

El ancho de banda a media altura de la curva de la ganancia* se calcula sim-


* En ingls, full width half
plemente considerando g() = g0 /2 en la ecuacin (170), tal como se ha hecho maximum (FWHM).
en anteriores apartados. De este modo las frecuencias en las cuales la ganancia
ha decado a la mitad de su valor mximo se obtienen a partir de la siguiente
expresin:

g0 g0
= . (171)
2 1 + ( 0 )2 T22

En la figura 59 se puede observar que el FWHM, tambin denominado g , es-


tar centrado en 0 . Adems, la funcin g() es simtrica y por lo tanto, slo es
necesario calcular una de las dos frecuencias que cumplen g()=g0 /2 para obte-
ner el FWHM. Si aislamos la frecuencia , mayor que 0 , en la ecuacin (171),
obtenemos

1
0 = . (172)
T2

Ntese que la diferencia 0 es slo la mitad del FWHM. Debido a la simetra


de la ganancia, el FWHM es g = 2( 0 ):

2
g = . (173)
T2

Por lo tanto, el FWHM es inversamente proporcional al parmetro T2 . Como


T2 acostumbra a tomar valores muy pequeos, entonces los amplificadores
pticos pueden amplificar longitudes de onda en un ancho de banda muy
grande, garantizando una ganancia casi constante.

Siguiendo el mismo razonamiento empleado para el transmisor lser, la ga-


nancia puede escribirse a partir de la variacin del flujo de fotones. La varia-
cin del flujo de fotones por unidad de longitud es

Recordad
dF(z)
= F(z) (N2 N1 ) = g()F(z), (174)
dz La seccin transversal de
transicin, denominada por
, es la probabilidad de que
donde N1 y N2 son las densidades de portadores en los niveles de energa E1
un portador realice una
y E2 , respectivamente, y es la seccin transversal de transicin. Como la transicin entre los dos
estados, es decir, la
potencia luminosa es proporcional al flujo de fotones, se puede escribir
probabilidad de que haya
absorcin o emisin (en
funcin de las condiciones).
dP(z) Las unidades de son
= g()P(z), (175)
dz unidades de rea.

c FUOC PID_00238491 103 Redes de fibra ptica

y solucionando la ecuacin diferencial de la misma forma que se haba hecho


en apartados anteriores, se obtiene

P(z) = eg()z P(0). (176)

Si consideramos un medio activo de longitud z = L, se puede definir el


factor de amplificacin como la relacin entre la potencia de salida P(L)
y la potencia de entrada P(0):

P(L)
G() = = eg()L . (177)
P(0)

La figura 59 muestra la forma de G().

El factor de amplificacin es, por lo tanto, un parmetro clave en los ampli-


ficadores pticos. Teniendo en cuenta la forma de g(), se puede observar, tal
y como caba esperar, que G() vara con la frecuencia segn una curva con
forma de campana, centrada en 0 , y con un mximo en G(0 ) = G0 = ego L
(vase la figura 59). Para determinar el ancho a media altura del factor de am-
plificacin, se sigue el mismo razonamiento y se calcula como la frecuencia
en la cual G() tiene un valor igual a G0 /2:

g0 L
2 2 ego L
G( ) = e 1 + ( 0 ) T2 =

. (178)
2

Para calcular el valor de , aplicamos el logaritmo neperiano en ambos lados Propiedades del
de la ecuacin (178): logaritmo neperiano

Las propiedades del



g0 L ( go L ) logaritmo neperiano
( )
2 2 e utilizadas en la resolucin de
ln e 1 + ( 0 ) T2 = ln = ln ego L ln 2, (179) la expresin (178) son las
2
siguientes:
( )B) = ln (A) + ln (B),
ln (A
ln AB = ln (A) ln (B),
( )
y finalmente, ln AB = B ln (A),
ln(e) = 1.

g0 L
= g0 L ln 2. (180)
1 + ( 0 )2 T22

Aislando 0 obtenemos


1 ln2
0 = . (181)
T2 g0 L ln2

c FUOC PID_00238491 104 Redes de fibra ptica

Por lo tanto, el ancho de banda de amplificacin se puede escribir como


ln2
A = 2( 0 ) = g . (182)
ln(G0 /2)

Este parmetro tiene un papel clave en las aplicaciones de comunicaciones p-


* WDM son las siglas de
ticas, porque permite calcular el nmero de canales WDM*, espaciados entre wavelength division multiplex.
s 100 GHz, que pueden ser amplificados por el dispositivo.

Ejemplo 14

Supongamos que la banda de amplificacin sea A = 1 THz. Si se consideran canales


DWDM espaciados entre si de 100 GHz, el amplificador puede amplificar 10 canales.

El anlisis del ancho de banda de amplificacin se ha realizado bajo la hip-


tesis P/PS 0. Para estudiar el fenmeno de la saturacin de la ganancia, no
se utiliza dicha suposicin y se considera de nuevo la ecuacin (169), que de-
pende tanto de como de P. Suponemos a su vez que el amplificador trabaja
a la frecuencia de pico 0 . En tal caso, la ganancia se puede escribir como

g0
g(0 ,P) = . (183)
1+ P
PS

Partimos de la expresin (175). La variacin de la potencia luminosa, sin asu-


mir la suposicin anterior, es

dP(z) g P(z)
= g(0 ,P)P(z) = 0 . (184)
dz P(z)
1+
PS

Arreglando la expresin se puede escribir como

( )
1 1 dP(z)
+ = g0 . (185)
P(z) PS dz

Si integramos ambos trminos respecto a la variable z, resulta:

P(z)P(0)
P(z) = P(0)eg0 z e PS . (186)

Es interesante observar que el factor de amplificacin disminuye con P(z).



c FUOC PID_00238491 105 Redes de fibra ptica

Segn la definicin, y en un medio activo de longitud L, el factor de


amplificacin es

P(L) (G(0 ,P)1)P(L)


P(L)P(0)
G(0 ,P) = = G0 e PS = G0 e G(0 ,P)PS (187)
P(0)

Por lo tanto, el factor de amplificacin disminuye con la potencia de la ma-


nera que se muestra en la figura 60. La figura muestra como, a medida que
aumenta la potencia de salida Pout , o lo que es lo mismo Pout /PS , disminuye
G, o alternativamente G/G0 . En conclusin, cuanto mayor es la potencia de
entrada, menor es el factor de amplificacin.

Figura 60. Ganancia ptica de un amplificador en funcin de


la potencia

G / G0

1
G0 = 30 dB
0,8

0,6

0,4

0,2

10-2 10-1 100 101


Pout /Ps

La mxima ganancia de un amplificador ptico es de unos 30 dB, pero se re-


duce significativamente con el aumento de la potencia de entrada debido al
fenmeno de la saturacin. Calculamos la potencia de saturacin de salida
S
Pout , definida como el valor de potencia de salida para el cual el factor de am-
plificacin se reduce a la mitad. Si imponemos que el factor de amplificacin
es igual a la mitad del valor mximo, entonces:

G0
G(0 ,P) = . (188)
2

Reemplazando este valor en la ecuacin (187):

( )
G0
1 P(L)
2
G0 G0
.PS
= G0 e 2 (189)
2

c FUOC PID_00238491 106 Redes de fibra ptica

Si volvemos a aplicar el logaritmo neperiano en ambos lados de la ex-


presin y aislamos la potencia de salida P(L), obtenemos:

S G0
P(L) = Pout = ln2 PS ln2 PS = 0,69PS , (190)
G0 2

donde la ltima aproximacin es vlida si G0 2.

Ejemplo 15

Si se considera G0 = 30 dB y PS = 30 mW:

S G0
Pout = ln2 PS = 0,69 30 mW = 20,7 mW.
G0 2

Ahora calculamos el valor en dBm de la potencia de saturacin a la salida del amplifica-


S = 10log 20,7 = 13 dBm.
dor: Pout 10

En este apartado se han visto algunos de los parmetros que caracterizan los
amplificadores pticos en trminos de ganancia ptica, como el ancho de ban-
S
da de amplificacin A y la potencia de saturacin Pout . Ambos parmetros
describen la dependencia que el factor de amplificacin tiene respecto de la
frecuencia y de la potencia de entrada P.

Conviene recordar, a modo de resumen, qu describe cada uno de estos dos


parmetros. As, el ancho de banda de amplificacin pone de relieve la re-
lacin existente entre el factor de amplificacin y la frecuencia. Suponiendo
que no hay problemas de saturacin de potencia, P/PS 0, el ancho de banda
de amplificacin muestra cul es el mximo ancho de banda que puede tener
una seal para tener un factor de amplificacin similar en toda la banda (una
diferencia mxima de 3 dB).

En cuanto a la potencia de saturacin de salida, muestra, para la frecuencia


de mxima ganancia 0 , la relacin entre factor de amplificacin y potencia.
En particular, para 0 , muestra cul es la mxima potencia de salida que de-
bemos tener para garantizar que el factor de amplificacin a esa frecuencia no
disminuye por debajo de los 3 dB respecto del mximo.

En una situacin real, la seal a la salida del amplificador ser el resultado de


ambos fenmenos. Es decir, una seal cualquiera no tiene la misma ampli-
ficacin en funcin de la frecuencia y de la potencia. Suponiendo que, por
ejemplo, la seal tiene un ancho de banda igual a A , el factor de amplifica-
cin diferir entre la frecuencia central y la frecuencia ms baja en unos 3 dB,
pero a su vez, para esa frecuencia este factor tambin variar en funcin de la
potencia de entrada.

c FUOC PID_00238491 107 Redes de fibra ptica

4.2. Figura de ruido

La introduccin de un elemento en una transmisin, como es el caso de un


amplificador ptico, no slo afecta a la seal til sino que adems introduce
ruido. En un amplificador ptico, la principal causa de ruido es la amplifica- *En ingls, amplified
cin de la emisin espontnea*, que es proporcional a la poblacin N2 del spontaneous emission (ASE).

nivel 2. La radiacin que se inyecta en un amplificador se amplifica a travs


de la emisin estimulada, y la diferencia entre la tasa de emisin estimula-
da y la absorcin (tasa de generacin neta) es proporcional a la inversin de
poblacin N2 N1 . Por lo tanto, el parmetro de inversin se define como

N2 (t)
nsp = (191)
N2 (t) N1 (t)

y muestra la relacin entre el ruido y la seal til. Por definicin, su valor


mnimo es 1. El ruido ASE tiene una densidad espectral de potencia constante,
que depende tanto de la frecuencia como de la ganancia G y del parmetro de
inversin:

SASE () = (G 1)nsp h0 . (192)

Su existencia produce fluctuaciones aleatorias de la seal amplificada, que a su


vez se convierten en fluctuaciones de la corriente detectada por el fotodiodo.

El ruido producido por un amplificador se mide a travs del parmetro de-


nominado figura de ruido, que se define en trminos de relacin seal-ruido
(signal-to-noise ratio, SNR) de entrada y de salida del amplificador:

(SNR)in
Fn = . (193)
(SNR)out

Si la seal a la entrada del amplificador tiene potencia Pi y R es la responsivi-


dad del fotodiodo, en el caso de tener nicamente ruido shot y una eficiencia
cuntica del fotodiodo = 1:

Pi
SNRin = . (194)
2h0

La seal a la salida del amplificador se combina en el fotodiodo con el ruido


ASE y produce una corriente fotodetectada:


I = R| GPi + PASE |2 = RGPi + 2R GPi PASE cos + RPASE , (195)

donde es la diferencia de fase (aleatoria) entre las dos seales, G es el fac-


tor de amplificacin, PASE es la potencia del ruido ASE y Pi es la potencia de
entrada al amplificador. La seal de entrada y el ruido ASE oscilan a diferen-

c FUOC PID_00238491 108 Redes de fibra ptica

tes frecuencias y el trmino beat es la contribucin del ruido en frecuencia de


la seal. El primer trmino de la ecuacin RGPi es la seal til, mientras que
el segundo y el tercer trminos se producen a causa del ruido ASE. El ltimo
trmino RPASE es muy pequeo en comparacin con el resto de trminos y
por lo tanto, es despreciable. Entonces, la varianza del ruido a la salida del
amplificador es

2
ASE = 4R2 GPi PASE . (196)

Teniendo en cuenta que la potencia del ruido ASE detectado por el fotodiodo
es la integral de densidad espectral de ruido,


PASE = SASE ()d = (G 1)nsp h0 d = (G 1)nsp h0 . (197)

Entonces la SNR a la salida del amplificador es

(RGPi )2 GPi
SNRout = = (198)
ASE
2 4(G 1)nsp h0

y la figura de ruido de la ecuacin (193) se puede escribir como

nsp (G 1)
Fn = 2 = 2nsp (199)
G

Observamos que el valor mnimo terico de la figura de ruido es 2 (cuando


nsp = 1), es decir, 3 dB. En los dispositivos comerciales el parmetro Fn nunca
est por debajo de 5 o 6 dB. Si se tiene en cuenta tambin la eficiencia de
acoplamiento i a la entrada del amplificador la figura de ruido es

nsp
Fn = 2 . (200)
i

De este modo se puede constatar que el factor de ruido Fn , y equivalentemente


la potencia de ruido, crece a medida que disminuye la eficiencia i .

Ejemplo 16

Supongamos que nsp sea 1 y que la eficiencia de acoplamiento a la entrada del amplifica-
dor sea del 50 % (i = 0,5). La figura de ruido es

1
Fn = 2 = 4,
0,5

es decir, Fn = 6 dB. Si la eficiencia de acoplamiento disminuye un 20 %, es decir, i = 0,4,


se puede observar que la figura de ruido crece 1 dB, siendo en este caso Fn = 7 dB.

c FUOC PID_00238491 109 Redes de fibra ptica

4.3. Amplificadores pticos de semiconductor

Los SOA son muy similares a los diodos lser, ya que son uniones pn con pola-
rizacin directa, fabricados utilizando las mismas heterouniones y los mismos
semiconductores del apartado 2 (transmisores pticos). La principal diferencia
entre un SOA y un diodo lser es que en el amplificador se elimina la cavidad
resonante, a travs de capas antirreflejos en las interfaces para lograr un ajuste
entre el ndice de refraccin del semiconductor y del aire. Con muchas capas
antirreflectantes se puede conseguir que la reflectividad de la interfaz se reduz-
ca del 30 % hasta el 0,01 %. De esta forma se consigue que la luz prcticamente
no entre en resonancia dentro de la cavidad (reflexiones en el interior de la
cavidad) y sea emitida a la salida del amplificador. Las capas antirreflectantes
presentan un comportamiento muy dependiente de la longitud de onda, o
dicho de otra manera, son muy selectivas respecto a la longitud de onda. As,
para conseguir crear una adaptacin del salto de ndice en todo el ancho de
banda de amplificacin, es necesario poner varias capas antirreflejantes. Para
conseguir reducir an ms la potencia que se refleja en las superficies de dis-
continuidad y que vuelve de nuevo al medio activo, se inclina la heterounin
30 grados (tilted stripe) con respecto a las superficies del semiconductor, como
muestra la figura 61a. Otra solucin es introducir una ventana de difraccin
entre la regin activa y las extremidades del semiconductor, como se puede
observar en la figura 61b. Ambas soluciones consiguen reducir la reflectividad.

Figura 61. Estructuras de un SOA: a. solucin tilted stripe;


b. solucin con ventana de difraccin

Heterounin
Capa antirreflectante
p

a.
Ventana de difraccin

b.

Para calcular la variacin de la ganancia en funcin de la potencia, escribimos


la ecuacin de ritmo en el semiconductor (vase la ecuacin (95)):

dN(t) I(t) N(t) vg


= g ()q, (201)
dt eV V

y suponemos que en un estado de equilibrio no hay variaciones de los porta-


dores de carga. Es decir, suponemos que la seal de entrada es continua o que,
en el caso de ser un pulso de luz, la duracin es mucho mayor que 100 s.

c FUOC PID_00238491 110 Redes de fibra ptica

Igualando la expresin anterior a cero, y sustituyendo la expresin de ganan-


cia neta

g () = ()(N(t) Nt ) (202)
se obtiene

I(t) N(t) vg
= + () (N(t) Nt ) q. (203)
eV V

Arreglamos un poco la expresin anterior y, para ello, restamos en ambos


lados de la ecuacin el trmino Nt /:

( )
N Nt vg ()q I N
1+ = t. (204)
V eV

Aislamos el trmino (N Nt ):

I Nt
eV
(N Nt ) = v ()q
. (205)
1 + gV

Sustituyendo la igualdad obtenida en la expresin (202), se obtiene la ganan-


cia neta en funcin de la corriente de inyeccin:

I N
t

g () = ()(N Nt ) = () eV . (206)
vg ()q
1+
V

Si escribimos la potencia ptica de la seal en funcin del nmero de fotones


en la cavidad por unidad de tiempo, tenemos P = hq/dt, y observamos que la
expresin anterior se puede reescribir como

I N
t g0

g () = () eV = , (207)
vg ()Pdt 1+ P
1+ P
hV s

donde la ganancia de pico es

( )
I N
g0 = () t (208)
eV

y la potencia de saturacin,

hdV
Ps = . (209)
vg ()dt

La velocidad de los fotones a travs del semiconductor es la variacin de la


posicin dividido por el tiempo, o lo que es lo mismo, vg = dz/dt. Adems, po-

c FUOC PID_00238491 111 Redes de fibra ptica

demos asegurar que el diferencial de volumen es igual al diferencial de longi-


tud por el diferencial de rea, dV = dAdz. Teniendo en cuenta esto, la potencia
de saturacin se puede expresar como

hdAdz dAh
Ps = = . (210)
dz ()
dt ()dt

Observemos la expresin (207). Para que haya amplificacin neta de la seal,


se debe cumplir g () > 0 y, por lo tanto,

I N
t > 0. (211)
eV

En tal caso, la corriente de inyeccin debe ser mayor que un umbral (Ith ), tal
como suceda en los diodos lser:

Nt eV
I > Ith = . (212)

Como ya se mencion, en un amplificador SOA se intentan reducir los reflejos


no deseados entre el semiconductor y el aire, porque producen una variacin
oscilante de la ganancia, denominada ripple. La figura 62 muestra grficamen-
te el efecto de dicha oscilacin de la ganancia. Como se puede observar, la
ganancia real (lnea continua) oscila en torno al valor de ganancia esperado
(lnea discontinua).

Figura 62. Curva de la ganancia de un SOA

G(dB)

30

29,5

29

28,5

28

27,5

200 400 600 800 1.000 (GHz)


Para estudiar este fenmeno, se puede considerar un resonador de Fabry-Prot. Charles Fabry y Alfred
Prot
.
Charles Fabry (1867-1945) y
Un resonador de Fabry-Prot es un resonador ptico y de microondas Alfred Perot (1863-1925),
fsicos franceses, inventaron
consistente en dos espejos dielctricos o metlicos, encarados y situa-
un interfermetro para el
dos a una cierta distancia el uno del otro. Acta a modo de circuito estudio de los espectros de
rayas.
resonante si la distancia entre los espejos es un mltiplo de la mitad de
la longitud de onda de la radiacin. Se utiliza, principalmente, como
resonador en los lser.

c FUOC PID_00238491 112 Redes de fibra ptica

En el resonador de Fabry-Prot (figura 63), para aumentar la ganancia, se per-


sigue aumentar el nmero de fotones en el medio activo para conseguir que,
a su vez, crezca la emisin estimulada y la consiguiente ganancia. Su funcio-
namiento es el siguiente:

1) Los fotones entran en el medio activo.

2) Debido a la emisin estimulada, se generan nuevos fotones.

3) Los espejos a ambos extremos de la cavidad contribuyen a que los fotones


sean reflejados y vuelvan a transitar por la cavidad generando nuevos foto-
nes debido a la emisin estimulada (se produce una realimentacin).

4) Uno de los extremos presenta un ndice de reflexin menor a la unidad


para que los fotones no queden indefinidamente confinados en la cavidad.

5) Cada vez que los fotones son reflejados en uno de los extremos, realizan
un recorrido de ida y vuelta por la cavidad del resonador.

Figura 63. Esquema de un resonador de Fabry-Prot

Espejo Espejo con ndice de


reflexin inferior a 1

Luz
Medio activo

En este tipo de resonadores, la ganancia obtenida por emisin estimulada debe


ser mayor que las prdidas sufridas por el rayo de luz al atravesar el resonador
para conseguir una ganancia neta. Adems, la luz se desfasa cada vez que
realiza una ida y vuelta. Teniendo en cuenta que la luz se desfasa 2 radiantes
cada metros, el desfase que sufrir el rayo tras recorrer una distancia d ser
d2/ radiantes. En el caso concreto de un resonador de longitud L, tras la
k-ssima ida y vuelta la luz se habr desfasado

2 4kL
2kL = rad, (213)

con k = 1,2,3... Otra de las caractersticas de estos resonadores es que slo


admite fotones que cumplen la condicin

4kL
= m2, (214)

donde m = 0,1,2,3... Los amplificadores pticos de semiconductor se basan


en el efecto descrito. A continuacin se describen los clculos para dichos

c FUOC PID_00238491 113 Redes de fibra ptica

amplificadores. Suponemos que en el amplificador incide una onda incidente


con amplitud Ai . A la salida del amplificador tenemos una onda transmitida
cuya amplitud es At . Las reflectividades de las superficies de discontinuidad
son R1 y R2 , respectivamente, el medio tiene una longitud L y cada vez que
la onda lo atraviesa se amplifica con una ganancia G. Teniendo en cuenta
estos datos, la amplitud de la onda transmitida At en funcin de la amplitud
de la onda incidente Ai teniendo en cuenta las reflexiones mltiples en las
superficies de discontinuidad con reflectividad R1 y R2 es

At ( )
= 1 R1 Gei 1 R2 1 + R1 R2 Gei2 + ...
Ai

(
)n
= (1 R1 ) (1 R2 ) G R1 R2 Gei2 , (215)
n=0

donde es el cambio de fase que se produce al atravesar la cavidad. Observan-


do la ecuacin es posible entender el significado de cada uno de los trminos.
Para n = 0 la ecuacin describe la luz que incide en el amplificador, es transmi-

tida a travs de l (trmino 1 R1 ), recorre la cavidad (ganancia en amplitud

igual a G), sufre un cambio de fase (ei ), y es transmitida hacia el exterior

(trmino 1 R2 ). Cuando la luz llega a la superficie con reflectividad R2 , no
toda la potencia es transmitida, y una parte de ella es reflejada. Dicha luz es
descrita por n = 1. As, al trmino anterior es necesario multiplicarle el efec-
to de la reflexin en ambas superficies antes de ser transmitida (ida y vuelta,

R1 R2 ), la ganancia (trmino G G = G) y el desfase (ei2 ). El mismo razona-
miento es aplicable para el resto de valores de n. El camino de ida y vuelta se
denomina round trip. Si desarrollamos la serie, obtenemos


At G (1 R1 ) (1 R2 )
= ei , (216)
Ai 1 R1 R2 Gei2

donde el cambio de fase para una seccin de longitud L, cuando la onda se


propaga en una direccin que forma un ngulo con el eje del resonador, es

2L cos
= = . (217)
vg FSR

La ecuacin (216) es peridica con respecto al ngulo , y por lo tanto, es


peridica tambin con respecto a la frecuencia, con un perodo igual al free
spectral range (FSR).

Calculamos la transmisividad del resonador como

2
At G(1 R1 )(1 R2 )
= , (218)
Ai 1 + R1 R2 G2 2 R1 R2 G cos 2

y conociendo la ecuacin trigonomtrica cos 2 = 1 2 sen2 , la expresin


anterior se puede reescribir como

c FUOC PID_00238491 114 Redes de fibra ptica

2
At G(1 R1 )(1 R2 ) 1
= ( )2
Ai
4G R R
1 G R1 R2 1 + ( 1 2 )2 sen2
1 G R1 R2

G(1 R1 )(1 R2 )
= . (219)
(1 G R1 R2 )2 + 4G R1 R2 sen2

La transmisividad de un resonador de Fabry-Prot se conoce como la funcin


Sir George Airy
de Airy, y es peridica con la frecuencia, con un perodo igual al free spectral
range. Como tambin el factor de amplificacin G vara con la frecuencia, la Sir George Airy (1801-1892),
astrnomo britnico,
transmisividad del dispositivo presenta una curva como la de la figura 62, particulariz la ecuacin de
calculada asumiendo que R1 = R2 = 6 106 y FSR = 100 GHz. Schrdinger para una
partcula en un campo
elctrico constante y
unidimensional.
Para calcular el ripple de la ganancia, necesitamos saber la mxima (y la mni-
ma) transmisividad derivada de las expresiones obtenidas a partir del resona-
dor de Fabry-Prot. Con ello es posible calcular la magnitud de la variacin.
La transmisividad mxima y mnima, respectivamente, se calculan para = 0
y = /2:

2
At G(1 R1 )(1 R2 )
= ,
Ai (1 G R1 R2 )2
max

2
At G(1 R1 )(1 R2 )
= . (220)
Ai (1 + G R1 R2 )2
min

Por lo tanto, el ripple se calcula como la relacin entre la transmisividad


mxima y la mnima:

2
At ( )2
Ai 1 + G R1 R2
ri = 2 =max
, (221)
At 1 G R1 R2
Ai
min

y aumenta al aumentar la ganancia G.

Para la figura 62, el ripple es de unos 0,05 dB.

Una de las principales desventajas de los amplificadores SOA es la dependencia


de la ganancia con la polarizacin, debido a que la heterounin se comporta
como una gua plana que soporta dos configuraciones diferentes para los mo-

c FUOC PID_00238491 115 Redes de fibra ptica

dos TE (transversal elctrico) y TM (transversal magntico). La ganancia del


amplificador depende del tipo de modo, del factor de confinamiento , y de
la diferencia de ganancia entre la polarizacin TE y TM, que se mide mediante
el parmetro polarization dependent gain (PDG) y que puede llegar hasta 6 dB.
Para compensar este efecto, se puede crear una configuracin con dos SOA
en serie, uno girado 90 respecto al otro, o dos SOA en paralelo, utilizando la
denominada polarization beam splitter a la entrada del dispositivo.

4.3.1. Conversores de longitud de onda

Un conversor de longitud de onda es un elemento ptico que, dada una


seal de entrada con una longitud de onda 1 , a la salida se obtiene la
misma seal con una longitud de onda 2 , con 1 = 2 .

Los SOA se utilizan tanto como convertidores de longitud de onda* como * En ingls, wavelength
converter.
regeneradores de la seal, mediante el mecanismo denominado saturacin de
la ganancia. La configuracin cross gain modulation (XGM) consiste en, dentro
de un amplificador SOA, acoplar dos seales: una seal pulsada de bombeo** ** En ingls, pump.

con potencia de unos 0 dBm (recordemos que 0 dBm son 1 mW), que es
la seal que se desea regenerar, y una seal continua de probe. Cada una de
las seales tiene una longitud de onda diferente. Consideramos que la seal
de bombeo tiene una longitud de onda 1 y que la seal de prueba tiene una
longitud de onda 2 .

La seal de bombeo se propaga en el dispositivo y es amplificada por apro-


ximadamente unos 20 dB, saturando el amplificador. En cuanto a la seal de
probe, que tiene una potencia menor, al propagarse a travs del dispositivo sa-
turado es amplificada con un factor de amplificacin muy bajo, prcticamente
cero. Si, por el contrario, se quita la seal de bombeo, la seal de probe se am-
plifica con un factor de amplificacin de 20 dB. De esta manera la presencia
de un pulso (es decir, de un bit 1) en la seal de bombeo se traduce en una
seal de probe de nivel muy bajo a la salida del amplificador (bit 0), mientras
que un bit 0 de la seal de bombeo corresponde a un bit 1 de la seal de
probe. Este efecto puede regenerar de forma completamente ptica una seal.
Adems, la informacin contenida en la seal de bombeo con longitud de on-
da 1 se transfiere a la seal prueba de longitud de onda 2 (invertida) y por
lo tanto este dispositivo es tambin un conversor de longitud de onda. Para
separar las dos seales a la salida del SOA, una a una longitud 1 y la otra a
2 , basta con utilizar un filtro ptico, tal como se muestra en la figura 64.

El amplificador est saturado porque la seal de bombeo hace que se recom-


binen por emisin estimulada los pares electrn-hueco, y cuando la seal de
bombeo se retira, hay que esperar un tiempo para que la corriente de inyec-

c FUOC PID_00238491 116 Redes de fibra ptica

Figura 64. Conversor de longitud de onda cross gain modulation

Pump 1 Filtro
mode-locked laser Seal convertida 2

SOA

Probe 2 CW

cin reconstituya los pares p n. Por lo tanto, el pulso a la salida del amplifica-
dor no es perfecto y tiene una cola, como se muestra en la figura 64. El tiempo
de respuesta de estos dispositivos es del orden de los 100 ps, correspondiente
al tiempo de vida medio del electrn en la banda de conduccin, denominado
por . Por lo tanto, la tasa de bits mxima de la seal de entrada est limitada a
10 Gb/s. Sin embargo, utilizando una seal de bombeo de muy alta potencia,
se pueden obtener conversores de longitud de onda de hasta 40 Gb/s.

El fenmeno de la saturacin de la ganancia en el cual se basa el conversor de


onda produce algunos efectos que requieren ser tenidos en cuenta. En concre-
to, la saturacin de ganancia produce una variacin del ndice de refraccin y,
como consecuencia, la seal de prueba no slo es modulada en amplitud, sino
que tambin resulta modulada en fase. Por lo tanto, a la salida del conversor
tenemos la seal con una longitud de onda 2 modulada en amplitud y en
fase. Este fenmeno ensancha el espectro de la seal transmitida, y entonces
empeora el rendimiento del sistema debido a la dispersin cromtica en la
fibra ptica. Por esta razn, los conversores de longitud de onda comerciales
utilizan la configuracin cross phase modulation (figura 65). Para aprovechar el
cambio de fase inducido por la seal de bombeo, se utiliza un interfermetro
Ludwig Zehnder y
de Mach-Zehnder donde se inserta un SOA en cada brazo. Si no hay seal de Ludwig Mach
bombeo, la seal de entrada se divide en los dos brazos del interfermetro y
Ludwig Zehnder
se recombina a la salida, por lo tanto, la salida del interfermetro es idntica (1854-1949), fsico suizo, y
a la seal de entrada. Sin embargo, si se aplica la seal de bombeo, la seal Ludwig Mach, fsico hijo del
tambin famoso fsico Ernst
de probe tiene un desfase de en un slo brazo y por lo tanto, va a interferir Mach (1838-1926), idearon
destructivamente a la salida. Al igual que en el caso XGM, una secuencia de el interfermetro
Zehnder-Mach, un
bits de la seal de bombeo se reescribe en la seal de probe al revs, es decir, instrumento que permite
un bit 1 de entrada es un 0 a la salida y viceversa. obtener la diferencia de fase
entre dos seales pticas
coherentes.

4.4. Amplificadores de fibra dopada con erbio

En los amplificadores pticos de fibra se insertan los iones de tierras poco ha-
bituales para dopar el ncleo de la fibra durante el proceso de fabricacin. A
pesar de que se empezaron a estudiar los amplificadores de fibra dopada en
1964, no fueron utilizados en sistemas comerciales hasta 25 aos ms tarde,
despus de mejorar y perfecionar los mtodos de procesado y las especifica-
ciones tcnicas. Los parmetros fundamentales de estos amplificadores, tales

c FUOC PID_00238491 117 Redes de fibra ptica

Figura 65. Conversor de longitud de onda cross phase modulation

Pump 1
mode-locked laser

SOA
Probe 2
CW
Seal convertida 2
SOA

como la longitud de onda de amplificacin, la ganancia y el ancho de banda,


estn esencialmente determinados por la concentracin y el tipo de dopantes,
ms an que por el tipo de fibra. Muchos elementos de tierras raras, como
erbio, holmio, neodimio, samario, tulio, e iterbio, se pueden utilizar para rea-
lizar amplificadores de fibra que operan en diferentes longitudes de onda en
un rango de 0,5 hasta 3,5 m. En las comunicaciones pticas en particular, se
utiliza el erbio para dopar la fibra de los amplificadores*, ya que la longitud de * En ingls, erbium doped fiber
onda de funcionamiento est en la regin en torno a 1,55 m. amplifier (EDFA).

Su desarrollo en los sistemas WDM desde 1995 revolucion el campo de los


sistemas de comunicaciones basados en fibra ptica y llev a realizar sistemas
pticos con una capacidad total de hasta 3 Tb/s. El EDFA est fabricado con
fibra de slice, cuyo ncleo est dopado con iones de erbio (Er 3+ ), y se aplica
una seal ptica de bombeo. El bombeo crea una inversin de poblacin que
puede amplificar otra seal de entrada, como se muestra en la figura 66.

Figura 66. Esquema de un amplificador de fibra dopada con erbio (EDFA) en


configuracin copropagante

Fibra dopada

Aislador Aislador

Lser de
bombeo

En los primeros experimentos, se utiliz la radiacin visible emitida por el l-


* Del ingls neodymium-doped
ser de Nd:YAG*, pero los esquemas de bombeo eran relativamente ineficaces. yttrium aluminium garnet.

Hoy en da, utilizando lser de bombeo de semiconductor, se puede elegir en-


tre dos longitudes de onda de trabajo: = 1.480 nm y = 980. La primera se
utiliza para obtener una alta ganancia, mientras que la segunda longitud de
onda permite obtener un amplificador de bajo ruido. En el primer caso, es po-
sible obtener una ganancia de amplificacin de 30 dB con tan slo 10-15 mW
de potencia de la seal de bombeo. La figura 67 muestra los niveles de energa

c FUOC PID_00238491 118 Redes de fibra ptica

de los iones de erbio en una fibra como la descrita. Ntese que son estos ni-
veles de energa los que determinan las longitudes de onda mencionadas, es
decir, = 1.480 nm y = 980.

Figura 67. Diagrama de niveles de energa de los iones de erbio en una fibra
de slice

3 = 1 s
4l11/2
= 10 ms Niveles 3
4l13/2
Nivel 2
= 0,98 m = 1.520 - 1.579 m
= 1,48 m

4l15/2

El bombeo de 980 nm, sin embargo, requiere fibras ms largas y valores de


potencia mayores debido al hecho de que utiliza la cola de la curva de absor-
cin, como se muestra en la grfica de la absorcin y la ganancia para este tipo
de fibras (figura 68). Cuanto menor es la absorcin, menor es la ganancia y,
por consiguiente, es necesario que la longitud de la fibra sea mayor para con-
seguir la ganancia deseada. Los lseres de bombeo de 980 nm disponibles en
el mercado pueden proporcionar seales de ms de 100 mW. En cuanto a la
potencia requerida, puede reducirse mediante el uso de fibras de slice dopada
con aluminio y fsforo, o mediante el uso de fibras fluorofosfatas.

Figura 68. Espectro de absorcin y de ganancia de un EDFA con ncleo dopado


con germanio

10

6
Seccin transversal (1025 m2)

8
Prdidas o ganancia (dB/m)

6
Absorcin 4

2
2 Ganancia

0 0
1,48 1,50 1,52 1,54 1,56

Longitud de onda (m)



c FUOC PID_00238491 119 Redes de fibra ptica

El EDFA puede funcionar con diferentes configuraciones:

Contra-propagante: el lser de bombeo y las seales se propagan en


direcciones opuestas.
Copropagante: el lser de bombeo y las seales se propagan en la
misma direccin (figura 66).

El rendimiento en ambas configuraciones es casi el mismo cuando la intensi-


dad de la seal es lo suficientemente pequea como para no saturar el amplifi-
cador. En el rgimen de saturacin, en cambio, la conversin de la potencia es
en general mejor en la configuracin contra-propagante. En la configuracin
bidireccional de bombeo, el amplificador se bombea de forma simultnea en
ambas direcciones utilizando dos diodos lser situados en los extremos de la
fibra. Esta configuracin requiere dos lseres de bombeo, pero tiene la ventaja
de que la inversin de la poblacin, y por lo tanto, la ganancia, es relativa-
mente uniforme a lo largo de toda la longitud del amplificador.

El espectro de la ganancia depende del sistema de bombeo, pero tambin de


la presencia en el ncleo de la fibra de otros dopantes, tales como germanio
y aluminio. El ancho de banda de la amplificacin de un EDFA se da general-
mente en la banda C, en el rango entre 1.530 y 1.565 nm, con un ancho de
banda de ms de 35 nm. Este parmetro es uno de los ms importantes para
un amplificador, ya que determina el nmero de canales de una seal WDM
que pueden ser amplificados de forma simultnea. La forma del espectro de la
ganancia depende sustancialmente de la naturaleza amorfa del slice y de la
presencia de otros dopantes en el ncleo de la fibra, tales como el germanio y
el aluminio. De hecho, si en el ncleo slo hay iones de erbio, el espectro se
ensancha de forma homognea. La figura 68 muestra el espectro de ganancia
y la absorcin de un EDFA cuyo ncleo est dopado tambin con germanio:
observamos que el espectro de ganancia es ms amplio y tiene una estruc-
tura con dos picos. Aadiendo aluminio al ncleo de la fibra, el espectro se
ensancha ms de modo uniforme, como se muestra en la figura 69.

Figura 69. Espectro de ganancia de un EDFA con ncleo dopado con germanio
y aluminio

30
Ganancia EDFA (dB)

20

10

-10
1.520 1.530 1.540 1.550 1.560 1.570

Longitud de onda (nm)



c FUOC PID_00238491 120 Redes de fibra ptica

La ganancia de un EDFA puede variar tambin en funcin de la longitud de la


fibra. En general crece exponencialmente con la longitud L, como se muestra
en la ecuacin (177) que describe el factor de ganancia. Sin embargo, el pa-
rmetro de inversin de la poblacin disminuye con la longitud de la fibra,
debido a la disminucin gradual de la potencia de bombeo. Como la seal de
bombeo se propaga a lo largo de la fibra, se atena y su potencia disminuye y
la ganancia total del amplificador tiene el comportamiento que se muestra en
la figura 70.

Figura 70. Ganancia de un EDFA en funcin de la longitud de la fibra dopada

40

Pp = 4 mW
30
Ganancia G (dB)

20
3 mW

10
2 mW

-10
0 10 20 30 40 50
Longitud fibra activa (m)

En la configuracin copropagante, la longitud de la fibra es aproximadamente


de 3 m, debido a que no es apropiado utilizar fibras demasiado largas porque
al final de la fibra la seal de bombeo es demasiado atenuada. A pesar de esto,
si se aumenta la potencia de bombeo y se usan fibras de longitud mayor de
100 m, se consigue amplificar seales en la banda L, que incluye la regin
espectral entre 1.570 y 1.610 nm.

Para los EDFA, como en los SOA, la figura de ruido es la misma de la ecua-
cin (200). Sin embargo, los EDFA tienen un esquema de bombeo con tres
niveles, y la consecuencia de ello es que siempre N1 > 0 y nsp > 1. Por lo
tanto, el valor mnimo de Fn es mayor de 3 dB. La figura de ruido, como la
ganancia, depende de la longitud del amplificador y tambin de la potencia
de bombeo. Los valores de Fn son generalmente ms grandes para los EDFA
con bombeo a 1.480 nm, ya que en este caso el nivel 3 y el nivel 2 estn muy
cerca y es difcil obtener inversin total de la poblacin y N1 = 0. Sin embargo,
es posible obtener una Fn < 3,5 dB para longitudes de onda alrededor de 1.460
nm. En general, es difcil al mismo tiempo lograr una alta ganancia, bajo rui-
do y alta eficiencia de bombeo. La ganancia de un EDFA es casi insensible a la
polarizacin.

A continuacin se muestran, a modo de ejemplo, las especificaciones de un


amplificador EDFA comercial.

c FUOC PID_00238491 121 Redes de fibra ptica

c FUOC PID_00238491 122 Redes de fibra ptica

c FUOC PID_00238491 123 Redes de fibra ptica

4.5. Resumen

Para conseguir enlaces de fibra ptica de gran longitud es necesario amplificar


las seales a lo largo del enlace. Para ello son indispensables los amplificadores
pticos, estudiados en el apartado 4. Se trata de dispositivos que, a partir de
una seal ptica de entrada, la amplifican de una forma totalmente ptica,
sin tener que pasar al dominio elctrico.

Los amplificadores pticos slo permiten realizar una amplificacin 1R, es de-
cir, una regeneracin de la potencia de la seal. Para conseguir regeneraciones
2R o 3R es necesario realizar la conversin O-E-O. Los amplificadores, adems
de amplificar la seal, introducen ruido. As, los parmetros que caracterizan
a un amplificador son la ganancia y el factor de ruido.

Existen dos tipos de amplificadores pticos: los amplificadores de semicon-


ductores y los amplificadores de fibra dopada.


Amplificador de semiconductor
Amplificador

Amplificador de fibra dopada

Los amplificadores de semiconductor presentan algunos problemas, como por


ejemplo el rizado de la ganancia (ripple). Por el contrario, los amplificadores
de fibra dopada no presentan este problema. Estos ltimos han permitido que
las comunicaciones pticas alcancen grandes capacidades, especialmente en
sistema WDM, pero no fue hasta la dcada de los 90 cuando se pudieron
emplear en enlaces pticos por motivos tecnolgicos.

c FUOC PID_00238491 124 Redes de fibra ptica

5. Introduccin a las redes pticas


.

En los apartados anteriores hemos descrito y analizado los elementos bsicos


que hacen posible las comunicaciones pticas. Para ello, hemos estudiado tan-
to los fenmenos que permiten la transmisin y guiado de la potencia ptica a
travs del medio (la fibra ptica), como los principios que rigen la conversin
de seales elctricas a seales pticas, y viceversa. En este apartado se intro-
ducen las redes que se fundamentan en los principios de las comunicaciones
pticas. A pesar de que el objetivo de la asignatura no es el estudio en detalle
de las redes que se presentan a continuacin, es importante tener una visin
general de la importancia que tienen en los sistemas de telecomunicaciones
actuales. En asignaturas posteriores se profundizar en cada una de las redes
descritas a lo largo de este apartado.

La arquitectura de red tradicional se basa en una capa de red cliente, por ejem-
OSI es la abreviatura de open
plo la red de nivel 3 de la pila de protocolos OSI por encima de la red de system interconnection.

transporte. De hecho, mientras la actual infraestructura de telecomunicacin


se basa en una arquitectura multi-capa compuesta por el Protocolo de Internet
(IP), que ha resultado el claro ganador entre los protocolos de la capa 3, la red
de transporte se compone de:

Una capa basada en la tecnologa de modo de transferencia asncrono


(ATM), a pesar de que la capa ATM va desapareciendo.
Una capa basada en la tecnologa de la jerarqua digital sncrona (SDH).
Una capa que utiliza la tecnologa de multiplexacin de longitudes de onda
(wavelength division multiplexing, WDM). Ved tambin

Les tecnologas WDM se


Por otro lado, un criterio de clasificacin de las redes de comunicacin se estudian en el subapartado
5.2.1.
basa en su escala, es decir, se basa en la extensin geogrfica del rea que la
red cubre aproximadamente. La red de telecomunicaciones en su totalidad
cubre una amplia zona, potencialmente todo el mundo, y por lo tanto, para
asegurar la comunicacin entre usuarios, la red se organiza en sub-redes de
diferentes tamaos y con distintas funcionalidades. En este sentido, se pueden
identificar tres tipos de redes:

1) Las redes de acceso*, que incluyen redes de rea local** que conectan por * En ingls, access area network.
ejemplo usuarios dentro de una empresa o de una universidad. ** En ingls, Local Area Network
(LAN)

2) Las redes de rea metropolitana***.


*** En ingls, metropolitan area
network (MAN)
3) Las redes de amplio alcance**** o redes de transporte troncales.

**** En ingls, wide area network


En general, una red de rea metropolitana cubre una ciudad entera, mientras (WAN)

que las redes de acceso multiplexan diferentes seales de los usuarios finales

c FUOC PID_00238491 125 Redes de fibra ptica

en seales de velocidades ms altas. Las redes de transporte tienen la tarea de


transmitir datos a elavadas tasas de bit que son producto de la agregacin de
varios flujos de datos de velocidad inferior. De hecho, las redes de transpor-
te reciben seales de mltiples redes subyacentes y las transportan hasta los
nodos de destino.

Hoy en da, se utiliza la tecnologa denominada jerarqua digital sncrona* pa- * En ingls, synchronous digital
ra llevar a cabo las funciones de transporte, conmutacin, monitorizacin y hierarchy (SDH).

proteccin (entre otras) en redes de transporte basadas en fibras pticas con-


figuradas en topologas en anillos. En este contexto de red, los enlaces de
transmisin entre los nodos se basan en tecnologas pticas.

Por ejemplo, para aumentar la capacidad de las fibras pticas, se utiliza la tecnologa de
multiplexacin de longitudes de onda WDM, descrita en un subapartado posterior.

Por otro lado, la evolucin de la tasa de bit dentro de las redes troncales in-
cluye la migracin desde 10 Gb/s a tasas superiores de hasta 40 Gb/s (aho-
ra mismo se estn investigando tcnicas de transmisin que permitan hasta
100 Gb/s e incluso tasas de bit superiores, hasta 1 Tb/s); esto es posible gracias
al elevado ancho de banda (alrededor de 4 THz) de las fibras pticas. En las
redes metropolitanas la evolucin consiste en pasar de 625 Mb/s a 2,5 Gb/s
mientras que en las redes de acceso, la evolucin se da hacia la implantacin ** En ingls, passive optical
de redes pticas pasivas**. networks (PON).

En los subapartados siguientes se introducen los conceptos bsicos de las tec-


nologas que se utilizan (y que se utilizarn en el futuro prximo) para las
redes de transporte basadas en fibras pticas.

En cualquier caso, la estructura de la red de transporte est estandarizada por


Enlace de inters
la ITU-T.
Podis visitar la pgina web
de la International
Telecommunications Union
5.1. Redes SONET/SDH - Telecommunication
Standardization Sector
(ITU-T):
http://www.itu.int/ITU-T
La jerarqua digital sncrona (SDH) es una tecnologa estndar para la trans-
misin o transporte de datos sncronos a travs de redes de fibra ptica, y fue
desarrollada con el objetivo de que los operadores de red pudieran desplegar
redes flexibles y robustas. SDH ha sido definida por el European Telecommu-
nications Standards Institute (ETSI) y se utiliza en casi todo el mundo excepto
en Japn y Amrica del Norte. SDH representa el equivalente internacional de
la tecnologa de las redes pticas sncronas (SONET), definida por la American
National Standards Institution (ANSI) y que se utiliza bsicamente en Amri-
ca del Norte. Sin embargo, los conceptos y arquitecturas de SDH y SONET son
prcticamente los mismos, aunque existen ciertas diferencias en la terminolo-
ga y en las velocidades de transmisin definidas para cada jerarqua.

c FUOC PID_00238491 126 Redes de fibra ptica

Ambas tecnologas proporcionan interconexiones ms rpidas y menos costo- * En ingls, plesiochronous


sas que los tradicionales equipos de la jerarqua digital plesicrona*. De hecho, digital hierarchy (PDH).

SDH, as como su equivalente americano SONET, ha revolucionado el rendi-


miento y el coste de las redes de comunicaciones por fibra ptica.

El principal objetivo de la tecnologa SDH consiste en la agregacin de flujos


con tasas de bits diferentes para la transmisin a largas distancias. A diferencia
de la tecnologa PDH, SDH prev una mayor flexibilidad de la trama de datos
que se transmite. Adems, SDH resuelve el principal inconveniente de su pre-
decesor PDH, ya que es posible la extraccin de un flujo de trfico sin tener
que demultiplexar toda la secuencia de los datos.

La capa SDH proporciona conexiones simtricas de alta capacidad entre dos


puntos de acceso y/o de agregacin de la red. Estas conexiones pueden ser con-
figuradas por el operador de red mediante un sistema de gestin centralizado TMN es la abreviatura de
(que acta por ejemplo siguiendo el modelo TMN de la ITU-T). telecommunication management
network.

Para la transmisin de los datos, la tecnologa SDH utiliza tramas peridi-


cas organizadas en octetos (bytes) que se denominan STM N con periodo de
125 s. Un octeto representa la unidad de multiplexacin de datos.

La seal fundamental para las redes SDH es el mdulo de transporte STM-1, el Octeto
cual opera a una tasa de transmisin aproximada de 155 Mb/s. Para SONET,
Un octeto equivale a un canal
la seal fundamental es el mdulo de transporte STS-1, que opera a una ta- de 64 Kb/s:
sa de transmisin aproximada de 51 Mb/s. Estas dos seales se utilizan para
enviar tramas contiguas (tramas STM-1/STS-1) que constan de una cabecera 8 bits
= 64 Kb/s.
(overhead) y de un espacio de carga. La informacin que se transporta en las 125 s

cabeceras es para llevar a cabo funcionalidades de supervisin y monitoriza-


cin de calidad de la transmisin as como funcionalidades de operacin y
mantenimiento.

Para obtener las seales de orden superior (STM-N/STS-N) que proporcionan


velocidades de transmisin superiores, es necesario multiplexar (octeto a octe-
to) N seales digitales STM-1/STS-1. En la tabla 3 se pueden observar los tipos
de seales definidos para las jerarquas SDH/SONET y sus respectivas veloci-
dades de transmisin, as como la equivalencia entre los tipos SDH y SONET.

Tabla 3. Velocidades de SDH y sus equivalentes en SONET


SDH SONET Velocidad
STM-0 STS-1 51,84 Mb/s
STM-1 STS-3 155,52 Mb/s
STM-4 STS-12 622,08 Mb/s
STM-16 STS-48 2.488,32 Mb/s
STM-64 STS-192 9.953,28 Mb/s
STM-256 STS-768 39.812,12 Mb/s

c FUOC PID_00238491 127 Redes de fibra ptica

La arquitectura SDH/SONET identifica tres capas diferentes (figura 71),


donde cada una de las cuales corresponde a un nivel de comunicacin
entre equipos. Las capas son, con la terminologa SDH y empezando
por la ms baja, las siguientes:

La capa de la seccin regeneradora.


La capa de la seccin de multiplexacin.
La capa de la seccin de trayecto.

Figura 71. Modelo de capas en redes SDH

Seccin de trayecto (path)

Seccin de multiplexores

PDH PDH
Mux Regenerador ADM Mux
SDH SDH SDH SDH
IP IP

Seccin de regeneradores

* En ingls, regeneration section


Cada una de estas capas tiene su propia cabecera en la trama STM-1/STS-1, overhead (RSOH).

es decir la cabecera se puede subdividir en tres partes: la parte de la cabe-


** En ingls, multiplex section
cera de la seccin de regeneracin*, la parte de la cabecera de la seccin de overhead (MSOH).

multiplexacin** y el puntero***, la funcionalidad del cual ser explicada pos-


*** En ingls, administrative unit
teriormente. El formato de la trama STM-1 se puede observar en la figura 72. (AU).

Figura 72. Formato de la trama STM-1

1 byte = 64 Kbit/s

9 filas 270 octetos (8 bits 8.000 tramas/s) = 155,52 Mbit/s

9 octetos 261 octetos

3 filas RSOH

1 fila Punteros (AU)


rea de carga til

5 filas MSOH

Para solucionar problemas de sincronizacin, la informacin de los usuarios


no se transporta directamente en el espacio para la carga, sino que se utiliza
otra trama interna, la cual puede flotar en el espacio de carga de dos tramas
consecutivas STM-1/STS-1. Es decir, la localizacin de la posicin inicial de esa

c FUOC PID_00238491 128 Redes de fibra ptica

trama interna dentro del rea de carga de una trama STM-1/STS-1 puede no
ser fija y se indica mediante el uso del puntero AU (administrative unit) (vase
la figura 73).

Figura 73. Mapeo de los contenedores virtuales

9 octetos 261 octetos

3 filas RSOH
Puntero
1 fila Punteros (AU)

5 filas MSOH
VC-4
Puntero

VC-3

Esa trama interna se llama contenedor virtual* de alto orden (HOVC VC-3 y
* En ingls, virtual container
VC-4) y se compone a su vez de cabecera (cabecera de trayecto**), y de un es- (VC).

pacio de carga al que se denomina contenedor (C-x). Cabe resaltar que cuando
se procesa el puntero AU para referenciar el o los HOVC dentro del espacio de ** En ingls, Path Overhead
(POH).
carga de una trama STM-1, ste recibe el nombre de unidad administrativa
(AU-x).

La tabla 4 muestra la velocidad que se puede obtener con cada tipo de conte-
nedor virtual, tanto la velocidad total (incluye cabeceras e informacin til)
como la velocidad neta (slo informacin til de usuarios).

Tabla 4. Velocidades asociadas a los Contenedores Virtuales (VC)


Tipo de VC Ancho de Banda (VC=POH+carga) Ancho de Banda (carga)
VC-11 1.664 Kb/s 1.600 kb/s
VC-12 2.240 Kb/s 2.176 kb/s
VC-2 6.848 Kb/s 6.784 kb/s
VC-3 48.960 Kb/s 48.384 kb/s
VC-4 150.336 Kb/s 149.760 kb/s

La construccin del rea de carga de los HOVC de SDH se puede componer


de contenedores virtuales de bajo orden (SDH LOVC VC-1/12/2, SONET VT-
1.5/2/6), que al igual que los de alto orden se forman mediante un C-x y un
POH. Estos contenedores virtuales formarn unidades tributarias*, las cuales * En ingls, tributary unit (TU).

consisten en contenedores virtuales ms el puntero, donde el puntero indica


la posicin de contenedor virtual dentro de la unidad tributaria. A su vez, la
** En ingls, tributary unit group
unidades tributarias son multiplexadas en grupos de unidades tributarias** y (TUG).
finalmente stos son multiplexados en el espacio de carga de los HOVC, tal y
como se puede observar en la estructura de multiplexacin SDH representada
en la figura 74.

c FUOC PID_00238491 129 Redes de fibra ptica

Figura 74. Estructura de multiplexacin en las redes SDH

x1 x1
STM-256 AUG-256 AU-4-256c VC-4-256c C-4-256c

x4

x1
x1
STM-64 AUG-64 AU-4-64c VC-4-64c C-4-64c

x4

x1
x1
STM-16 AUG-16 AU-4-16c VC-4-16c C-4-16c

x4
x1
STM-4 x1 AUG-4 AU-4-4c VC-4-4c C-4-4c

x4
x1
x1 AUG-1 AU-4 VC-4 C-4
STM-1
x1
TUG-3 TU-3 VC-3
x3

STM-0 x1 AU-3 VC-3 C-3


x7
x7 x1
TUG-2 TU-3 VC-2 C-2

x3

TU-3 VC-12 C-12

x4

TU-3 VC-11 C-11

Siguiendo las reglas de multiplexacin representadas en la figura 74, una seal


STM-1 puede ser constituida de diferentes maneras. Por ejemplo, los VC-4 que
formarn la carga til de la trama STM-1 pueden contener una seal de la je-
rarqua plesicrona (PDH) de 140 Mbps, tres seales PDH de 34 Mbps, sesenta
y tres seales PDH de 2 Mbps o combinaciones de ellas, siempre y cuando la
capacidad total de la trama STM-1 no sea excedida. Cuando son necesarias ta-
sas de transmisin mayores que STM-1, como se ha explicado anteriormente,
stas son obtenidas usando un simple esquema de multiplexacin octeto a oc-
teto, pudindose alcanzar las distintas velocidades de transmisin. Las reglas
SDH de la estructura de multiplexacin aseguran que la posicin exacta de un
contenedor virtual contenido en el rea de carga til puede ser identificada
por cada nodo. Esto tiene la ventaja de que cada nodo puede acceder directa-
mente a un contenedor virtual de la carga til sin necesidad de desmontar y
volver a construir la estructura de carga, evitando as el principal problema de
la jerarqua plesicrona PDH.

El conjunto de VC estndares (HOVC, LOVC) fue inicialmente definido para


acomodar en su espacio de carga los diferentes tipos de seales PDH estn-
dar (por ejemplo, E1, E3), aunque, posteriormente, eso supuso una limita-
cin; esa rigidez no permiti acomodar eficientemente seales con un ancho
de banda diferente a los valores predefinidos (por ejemplo, 100 Mbps). La

c FUOC PID_00238491 130 Redes de fibra ptica

concatenacin continua y la concatenacin virtual fueron entonces definidas


para solucionar este problema, aportando una mayor flexibilidad a las redes
SDH/SONET. Ambas proporcionan un ancho de banda de x veces un C i. La
diferencia es que la primera mantiene el ancho de banda continuo a travs de
toda la red, es decir, los VC que forman el grupo de concatenacin continua
se tratan como si fueran un nico VC a travs de la red, mientras que en cam-
bio la concatenacin virtual divide el ancho de banda para transportarlo en
diferentes VC, los cuales son transportados independientemente a travs de la
red y son recombinados en el equipo de terminacin de la seccin de trayecto.
Estas dos tcnicas se explican y se comparan en el siguiente subapartado.

5.1.1. Tcnicas de concatenacin

La tcnicas de concatenacin han sido definidas con la finalidad de transpor-


tar flujos de informacin til con un ancho de banda que no se poda aco-
modar eficientemente en el espacio de carga de los VC estndares. De hecho,
puesto que los contenedores SDH tienen un tamao fijo, un alto porcentaje
de ancho de banda puede resultar no utilizado en funcin del volumen del
trfico a transportar; por ejemplo, en el caso de tener que transportar un flujo
de 100 Mb/s con un contenedor STM-1, slo dos tercios del ancho de banda
disponible se utiliza. Debido a estos problemas se han introducido reciente-
mente nuevas tcnicas para lograr un transporte de datos en redes SDH con
mayor flexibilidad. La concatenacin es una tcnica que permite combinar el
ancho de banda de X C-i (C-11/12/2/3/4) para crear un contenedor contiguo
con un ancho de banda de X veces el ancho de banda del contenedor C-i; ese
contenedor contiguo se denomina con la notacin C-i-Xc. A continuacin se
describen las dos tcnicas de concatenacin:

Concatenacin contigua. Esta tcnica se basa en crear un contenedor con-


tiguo (C-i-Xc) que no puede ser dividido en contenedores estndares para
su transmisin. Por eso, todos los nodos de la red deben soportar la fun-
cionalidad de concatenacin contigua.

Concatenacin virtual (VCAT). Esta tcnica divide el contenedor conti-


guo para transportarlo en X VC-i diferentes a travs de la red; en el nodo de
destino se recombinan los X VC-i para formar el contenedor contiguo ori-
ginal. La funcionalidad de VCAT solo la tienen que soportar los nodos de
terminacin de la seccin de trayecto. La concatenacin virtual se asocia
cada vez ms a protocolos de mapeo* como por ejemplo el generic frame pro-
* En ingls, mapping.
cedure (GFP, G.7041), que permite mapear conexiones de cualquier ancho
de banda en contenedores concatenados virtualmente entre s. Tambin
se asocia la concatenacin virtual con el protocolo de ajuste de la capa-
cidad de enlace**, que permite la variacin dinmica del ancho de banda ** En ingls, link capacity
dedicado a un determinado cliente a travs de la concatenacin virtual, adjustement scheme (LCAS).

permitiendo de esta forma aumentar o reducir el ancho de banda de las


conexiones en tiempos muy cortos (del orden de pocos segundos).

c FUOC PID_00238491 131 Redes de fibra ptica

5.1.2. Ajuste de la capacidad de enlace

Una caracterstica que puede ser muy ventajosa para la transmisin de datos
es la capacidad de cambiar dinmicamente, durante la conexin, el ancho de
banda reservado. La tcnica de ajuste de la capacidad de enlace (LCAS) permite
implementar esta funcionalidad por medio de mensajes intercambiados entre
los nodos terminales de la conexin. Esta tcnica ha sido definida por parte de * En ingls, virtual concatenation
la ITU-T (G.7042) para complementar la tcnica de la concatenacin virtual*. (VCAT).

LCAS permite modificar dinmicamente y sin interrupcin de servicio el n-


mero de miembros de un VCG (virtual concatenation group), es decir, permite
aadir o quitar miembros a/de un VCG en uso. Adems, permite quitar tem-
poralmente los miembros de un VCG que estn indisponibles debido, por
ejemplo, a la cada de un nodo de red. Cuando el nodo de red se recupera,
LCAS reaade automticamente el miembro o miembros que haban sido qui-
tados del VCG temporalmente. LCAS asume que las conexiones de los miem-
bros de un VCG son establecidas, modificadas y liberadas por la entidad que
se encarga de la gestin.

5.2. Redes de transporte pticas

En las redes pticas basadas en SDH, la tecnologa ptica se utiliza slo co-
* En ingls, wavelenght division
mo tcnica de transmisin y para aumentar la capacidad entre nodos; en este multiplexing (WDM).

sentido, se han introducido tcnicas de multiplexacin directamente en el do-


minio ptico, como por ejemplo la multiplexacin por divisin de longitud Ved tambin
de onda*. Por otra parte, la introduccin de amplificadores pticos (EDFA y
Los amplificadores pticos
SOA), permite la amplificacin de la seal ptica (regeneracin 1R), que a su EDFA y SOA se estudian en el
apartado 4 de este mdulo.
vez hace posible el aumento de las distancias que pueden ser cubiertas por las
redes pticas; sin embargo, la conmutacin y el procesado de seales se realiza
a travs de dispositivos electrnicos, es decir, los digital cross-connects (DXC) y
add and drop multiplexers (ADM). Estos dispositivos conmutan las seales digi-
tales a nivel STM-1, STM-4 y STM-16; por lo tanto, en cada nodo se requiere
conversin ptica-elctrica-ptica (O-E-O). Sin embargo, al aumentar la capa-
cidad por canal ptico (para hacer frente a los elevados costes de cableado de
fibra ptica), la actual infraestructura basada en nodos SDH presenta proble-
mas de escalabilidad.

Las tecnologas pticas en las redes de telecomunicaciones estn progresando


rpidamente para satisfacer la gran demanda de trfico que se est experimen-
tando en los ltimos aos. Adems, un gran nmero de dispositivos y sistemas
pticos que llevan a cabo distintas funciones de red (actualmente llevadas a
cabo por los equipos basados en la tecnologa SDH) han alcanzado un grado
de madurez que permite su aplicacin en las redes de transporte. Por lo tanto,
la introduccin de las tecnologas pticas en las redes de telecomunicaciones
no slo afecta a la transmisin (como ya se aplica en redes basadas en SDH),

c FUOC PID_00238491 132 Redes de fibra ptica

sino tambin a las funcionalidades de conmutacin, monitorizacin y enru-


tamiento. De hecho, los esfuerzos de investigacin y estandardizacin estn
siendo dirigidos para reducir el uso de la electrnica en las redes pticas, bsi-
camente para hacer frente a la complejidad y las limitaciones de la conversin
O-E-O necesaria en las redes SDH. En este tipo de redes pticas, las seales se
transmiten a travs de la red de forma ptica, sin convertirlas a seales elctri-
cas, hasta llegar a su destino. Esta innovacin fundamental es posible gracias
al desarrollo de nuevos sistemas de transmisin ptica de larga distancia y
a la introduccin de nodos con capacidades de conmutacin ptica de bajo
coste. Este nuevo tipo de redes transparentes, diseadas para transportar cual-
quier seal ptica entre cada par de nodos, permite un mayor rendimiento y
menores costes al mismo tiempo.

Los sistemas de comunicacin en fibra ptica, con la capacidad de transmi- Redes transparentes y
redes opacas
tir datos de alta velocidad a larga distancia de forma transparente, pueden
mejorar notablemente el rendimiento de las redes de telecomunicaciones del Se entiende por red
futuro. Las tecnologas pticas son el factor clave en la actualizacin de las re- transparente aquella en la
cual la seal permanece
des existentes para lograr redes de mayor capacidad y de elevado rendimiento. ptica durante la transmisin
Cabe sealar adems que las redes transparentes permiten una reduccin de de extremo a extremo. En
cambio, se denomina red
costes (al reducir el nmero de puertos O-E-O en los nodos) y tambin pro- opaca aquella red que, a lo
porcionan mayor flexibilidad y escalabilidad. En las redes pticas de futura largo de la transmisin, tiene
elementos que realizan la
generacin el reto es extender la transparencia al ltimo tramo, llamado la conversin ptica-elctrica y
viceversa.
ltima milla, para satisfacer la demanda de ancho de banda cada vez mayor
de los usuarios finales. De hecho, en los ltimos aos, el uso de la fibra ha
incrementado el ancho de banda disponible en conexiones de larga distancia
(WAN), as como en redes LAN especialmente por la penetracin de la tecno-
loga Ethernet, cuyo desarrollo ha permitido un nivel muy alto de fiabilidad
y velocidad. As, en la actualidad el problema de las redes pticas reside en el
segmento de la red sobre el cual resulta ms caro y ms difcil actuar: la red de
acceso.

5.2.1. Tecnologas WDM

Teniendo en cuenta las elevadas tasas de bit que se requieren hoy en da, la
introduccin de la tecnologia wavelenght division multiplexing (WDM) en la
transmisin ptica es fundamental, ya que permite aumentar la capacidad
de transmisin.

Bsicamente, WDM es la tecnologa que permite multiplexar diferentes


portadoras pticas (generadas por diferentes transmisores pticos) en
una sola fibra ptica mediante el uso de diferentes longitudes de onda
para diferentes seales. Esto permite una multiplicacin de la capacidad
de las fibras.

c FUOC PID_00238491 133 Redes de fibra ptica

La tecnologa Coarse WDM (CWDM) permite multiplexar hasta 16 longitudes


de onda en una nica fibra segn la recomendacin de la ITU-T (G.694.2), con
un espaciado entre canales de 2.500 GHz, en el rango de longitudes de onda
entre 1.310 nm y 1.610 nm. Los sistemas pticos que usan tecnologa CWDM
resultan relativamente baratos. Esto se debe a que la tolerancia de longitud
de onda para los transmisores es bastante grande, alrededor de 3 nm, por lo
que lseres no estabilizados con respecto a la temperatura pueden utilizarse
(lseres de menor calidad y, por lo tanto, de menor precio). La tasa de bit por
canal se sita, por lo general, entre 1 y 3,125 Gb/s.

Los sistemas basados en esta tecnologa encuentran aplicacin bsicamente


en el marco de las redes de rea metropolitana, debido a su corto alcance. Por
otro lado, la tecnologa Dense WDM (DWDM), permite multiplexar hasta 64
longitudes de onda en una nica fibra de acuerdo con la norma de la ITU-T
(G.694.1), que especifica un espaciado entre canales de 100 GHz o 200 GHz,
dispuestos en varias bandas de tranmisin en el rango de 1.500-1.600 nm.
Adems, recientemente han aparecido en el mercado sistemas DWDM con se-
paracin entre canales de 50 GHz y por lo tanto, el nmero de canales pticos
que se pueden multiplexar aumenta notablemente. Con la tecnologa DWDM,
la separacin entre canales es ms estrecha que con la tecnologa CWDM, con
la consecuencia de que los equipos de multiplexacin son ms complejos y
costosos que los equipos CWDM. Adems, los transmisores pticos requieren
estabilizacin en temperatura para evitar cambios de la longitud de onda no-
minal debidos a variaciones de temperatura. Con esta tecnologa, las tasas de
bit por canal ptico varan entre 10 Gb/s y 40 Gb/s, por lo cual la aplicacin
de la tecnologa DWDM es bsicamente para redes de larga distancia (redes
troncales).

5.2.2. Redes pticas transparentes

En este subapartado se introducen las redes de transporte pticas en las cua-


les las funcionalidades de insercin/extraccin (add and drop) y conmutacin
(switching) se realizan directamente en el dominio ptico, evitando de esta
forma la necesidad de realizar conversiones O-E-O en los nodos intermedios.
Bsicamente, estas redes se basan en eliminar la capa SDH (y de los elementos
de red correspondientes) y delegar a la capa ptica las funcionalidades tpicas
de la capa SDH. En primer lugar, se introducen algunas definiciones bsicas.

Un lightpath (camino ptico) es un canal unidireccional de ancho de banda


fijo y terminaciones electrnicas en cada extremo. A falta de convertidores de
longitud de onda, a cada camino ptico se le asigna una sola longitud de on-
da. Por otro lado, los dispositivos optical cross-connect (OXC) son elementos de
red que realizan la conmutacin de los lightpaths. Es decir, los OXC permiten
realizar la conmutacin de los canales pticos entre n puertos de entrada y
n puertos de salida (vase la figura 75). Los OXC pueden ser opacos o trans-

c FUOC PID_00238491 134 Redes de fibra ptica

parentes. En el primer caso, se realiza una conversin electro-ptica. Los OXC


transparentes presentan interfaces totalmente pticas. Estos ltimos tienen la
ventaja de ser ms flexibles en trminos de tasa de bit, formato de modulacin
y protocolos de comunicacin, aunque no permiten regeneracin (3R). Las re-
des de transporte pticas pueden incluir varias decenas de nodos conectados
por fibras pticas. Como se ha comentado, los elementos en los nodos reali-
zan muchas funciones, como por ejemplo, la conmutacin de seales entre
las diferentes direcciones y la monitorizacin de las seales transmitidas para
detectar posibles degradaciones debidas a la transmisin.

Figura 75. Optical cross-connect (OXC)

DeMux Mux

Matriz de conmutacin

Para llevar a cabo estas funcionalidades, se han estandarizado las interfaces


G.709 (jerarqua de transporte ptico) en el marco del paradigma de las re-
des OTN (optical transport network), cuyo objetivo es proporcionar servicios de
transporte transparentes. Tal como se define en la Recomendacin G.872 de
la ITU-T, la estructura de una red OTN tiene tres capas:

* En ingls, optical channel layer


1) Capa de canal ptico *
(OCh).

2) Capa de seccin de multiplexacin**


** En ingls, optical multiplex
section (OMS).
3) Capa de la seccin de transmisin***
*** En ingls, optical
transmission section (OTS).

En la Recomendacin G.709 de la ITU-T se especifica una subdivisin de la


capa OCh en tres sub-capas:

**** En ingls, optical payload


Unidad de carga de canal ptico****, que es la estructura de informacin
unit (OPU).
utilizada para adaptar las seales clientes para su transporte en un canal
ptico. Contiene la seal cliente as como la cabecera necesaria para la
adaptacin a la capa de unidad de datos ptica.

c FUOC PID_00238491 135 Redes de fibra ptica

Unidad de datos ptica*, que permite, entre otras funciones, la monitori- * En ingls, optical data unit
zacin de la calidad de la informacin transportada por el canal ptico. La (ODU).

ODU se transporta de forma transparente a travs de la OTN independien-


temente del nmero de dominios administrativos que tendr que cruzar
para llegar a su destino.

Unidad de transporte del canal ptico**, que proporciona el servicio de


** En ingls, optical transport
supervisin de un canal ptico entre dos secciones de regeneracin 3R. unit (OTU).

Finalmente, las redes pticas transparentes requieren el desarrollo de sistemas


de informacin que se utilizan para controlar todas las funciones de los ele-
mentos de red; por ejemplo, se necesitar un sistema de comunicacin para
traducir las peticiones de alto nivel de los operadores de red (por ejemplo, la
activacin de un nuevo lightpath entre dos nodos/ciudades) en rdenes deta-
lladas hacia los elementos de la red. Este sistema tambin sirve para detectar
posibles cambios en el estado de la red, debido a la introduccin de nuevos
nodos o a fallos que tienen lugar tanto en las fibras como en los equipos.

Las redes pticas del futuro sern diseadas para un uso ms eficiente de los
recursos de la red, para optimizar la distribucin y la proteccin del trfico
y para aprovisionar de forma dinmica canales pticos, abriendo el camino a
nuevos servicios de ancho de banda bajo demanda, que permitir la reduccin
de los costes de operacin de red as como la definicin de nuevos modelos de
negocio para las operadoras de red. Este nuevo paradigma de red que permite
el aprovisionamento dinmico de canales pticos ha sido estandarizado por
la ITU-T como redes ASON, que se introducen en el siguiente subapartado.

5.2.3. Redes pticas ASON

Como se ha mencionado anteriormente, el aprovisionamiento de canales p-


* En ingls, network
ticos en redes pticas transparentes se realiza mediante un sistema de gestin management system (NMS).

centralizado*. Sin embargo, el aprovisionamiento a travs del NMS acarrea


grandes limitaciones en trminos de asignacin/aprovisionamiento rpido de
conexiones pticas de elevada capacidad. A raz de estas limitaciones, surgi
la idea de dotar a las redes pticas de la capacidad de gestionar dinmica-
mente los recursos de red mediante el uso de protocolos de sealizacin y
enrutamiento. De esa manera ha aparecido el concepto de redes pticas de ** En ingls, automatically
conmutacin automtica**, caracterizadas por una arquitectura de red mucho switched optical network
(ASON).
ms distribuida y flexible. Esa flexibilidad es proporcionada por un plano de
control***. El plano de control es el encargado de facilitar la rpida y eficiente
*** En ingls, control plane (CP).
configuracin de las conexiones mediante el uso de los protocolos de seali-
zacin y enrutamiento.

La estandarizacin de las redes ASON es reconocida como la solucin de red


que cumple con el requisito de aprovisionamiento rpido y flexible de ancho
de banda extremo a extremo.

c FUOC PID_00238491 136 Redes de fibra ptica

Una red ASON incluye un plano de transporte, un plano de control y un plano


de gestin, como se muestra en la figura 76.

Figura 76. Arquitectura ASON

UNI User Network Interface


NNl Network Network Interface
Management Plane
NMS Network Management System
ONE Optical Network Element NMS

Control Plane

CP A CP B CP C

NNI NNI UNI

UNI
ONE A ONE B ONE C
Transport Plane
Client Router Client Router

El plano de transporte proporciona transferencia de flujos de informacin bi-


direccional o uni-direccional entre los usuarios, mientras que el plano de ges-
tin es el responsable de la gestin de fallos, rendimiento y configuracin. Las
redes ASON ofrecen conexiones permanentes, es decir, establecidas a travs de
un sistema de gestin centralizado (el NMS) y otros dos servicios de transporte
novedosos: las conexiones soft permanent (SPC) y las conexiones pticas con-
mutadas*. El establecimiento de conexiones SPC es solicitado por el plano de * En ingls, switched connection
gestin, mientras que el establecimiento es llevado a cabo por los protocolos (SC).

de sealizacin y enrutamiento a travs de la interfaz de red**. Las conexio-


nes conmutadas (SC) son solicitadas directamente por los clientes a travs de ** En ingls, network-to-network
interface (NNI).
la interfaz User Network Interface (UNI), y el establecimiento es llevado a cabo
mediante los protocolos de sealizacin y enrutamiento. Los planos de con-
trol y de transporte de un nodo se intercambian informacin de control a
travs de una interfaz interna que permite configurar los recursos de transpor-
te del nodo, como por ejemplo, establecer las respectivas conexiones entre los
puertos de entrada y de salida de un nodo ptico.

Para lograr el establecimiento automtico de las conexiones, es necesario im-


* En ingls, control plane (CP).
plementar un plano de control*. Bsicamente, el plano de control est forma-
do por un conjunto de protocolos de sealizacin y enrutamiento necesarios
para la creacin o liberacin de conexiones pticas de acuerdo con las peticio-
nes de los usuarios finales o en caso de fallo en la red. El plano de control se
encarga de:

Configurar rpida y eficientemente las conexiones en el plano de trans-


porte.

c FUOC PID_00238491 137 Redes de fibra ptica

Reconfigurar las conexiones pticas previamente establecidas.

Realizar funciones de restauracin directamente en la capa ptica en caso


de fallos.

Figura 77. Tipos de conexiones en redes ASON

Management Plane

Connection Control Plane


Request

Set up Requests

NNI NNI

Control Plane

Connection Connection
Request Request

Set up Requests
UNI UNI

NNI NNI

El plano de control definido para las redes ASON est formado por diferen-
tes componentes con diversas funcionalidades. Las interacciones entre estos
componentes y la informacin necesaria para una comunicacin entre los
componentes se hacen a travs de interfaces (por ejemplo, la UNI y NNI pre-
viamente mencionadas). Los principales componentes del plano de control
para ASON son:

Connection controller (CC). Es el responsable de la coordinacin entre to-


dos los componentes del plano de control con el fin de la gestin y super-
visin del establecimiento de las conexiones.

Routing controller (RC). Este mdulo responde a las peticiones de los CC


con la informacin de la ruta computada para la conexin a establecer.

Link resource manager (LRM). Este mdulo es el responsable de la gestin


de las conexiones entre los puertos de los elementos del plano de transpor-
te. Adems proporciona informacin acerca de las caractersticas fsicas de
los nodos pticos al CC.

c FUOC PID_00238491 138 Redes de fibra ptica

Figura 78. Componentes del plano de control para redes ASON

RC TP

Signalling Net CC LRM Signalling


CallC

PC

CC - Connection Controller TP - Trafficc Policing


RC - Routing Controller NetCallC - Network Call Controller
LRM - Link Resource Manager PC - Protocol Controller

Para la comunicacin entre los componentes del plano de control de los no-
dos de la red, se requiere una red de sealizacin. Esta red de sealizacin se
llama data communication network (DCN), y entre sus requisitos es importante
destacar la fiabilidad y la capacidad de transmisin. El primer requerimiento
hace referencia a la capacidad de la red de recuperacin frente a fallos y el
segundo limita el tiempo de establecimiento de las conexiones. El tiempo de
establecimiento est muy relacionado, por ejemplo, con el tiempo de recupe-
racin en caso de fallos, que se tiene que minimizar para evitar importantes
prdidas de datos. La implementacin de un canal de control (es decir, un
canal unidireccional entre dos nodos adyacentes de la red de sealizacin)
puede realizarse de las siguientes maneras:

Out-of-fibre: la DCN se implementa con una red independiente de la red


del plano de transporte; por ejemplo, puede utilizarse una red Ethernet o
una red IP.

In-fibre/Out-of-band: la DCN se implementa mediante el uso de uno de


los canales WDM, que se dedica a la sealizacin.

c FUOC PID_00238491 139 Redes de fibra ptica

Preguntas tericas

1. Indicad las ineficiencias de la actual arquitectura de las redes de transporte y comentad


posibles alternativas poniendo en evidencia las ventajas de cada una.

2. Explicad qu se entiende por data communication network (DCN) y por conexin ptica
conmutada (switched connection). Comentad la manera de establecer las conexiones conmu-
tadas.

3. Definid el concepto de las redes pticas con conmutacin automtica (ASON). Por qu
es necesario definir un plano de control para una ASON? Qu es el plano de control? Razo-
nad las ventajas y desventajas que se pueden derivar de la implementacin de las redes de
transporte pticas con conmutacin automtica.

4. Indicad, en la arquitectura OTN, cul es la capa que gestiona la transmisin entre 2 am-
plificadores pticos, 2 Mux/Demux pticos y 2 tarjetas de clientes respectivamente.

5. Describid las caractersticas bsicas de las tecnologas CWDM y DWDM. Comentad la tec-
nologa usada en los distintos tramos de la red y las razones de esta eleccin. Qu ventanas
de transmisin se tienen que utilizar?

c FUOC PID_00238491 140 Redes de fibra ptica

Ejercicios

Fibra ptica

1. Considrese una fibra ptica de salto de ndice (SI) con dimetro del ncleo 2a = 6 m y
apertura numrica NA = 0,16. Calculad la longitud de onda mnima que asegura que la fibra
sea monomodo. Si el dimetro del ncleo fuese mayor, la longitud de onda de corte sera
mayor o menor?

2. Considrese una fibra ptica de salto de ndice (SI) multimodo. El ndice de refraccin
del revestimiento es n2 = 1,4 y la dispersin intermodal es 10 ns/km. Calculad la apertura
numrica de la fibra.

3. Calculad cuntos canales DWDM, espaciados entre s 100 GHz, una fibra ptica puede
transmitir en el rango entre 1,5 m y 1,6 m. Considrese que se transmite cada canal con
potencia PT = 1 mW y la atenuacin en fibra es 0,2 dB/km. Si la sensibilidad del receptor es
PR = 1 W, cul es la mxima distancia entre dos repetidores?

4. Considerad una fibra ptica de salto de ndice (SI) con las siguientes caractersticas: di-
metro del ncleo 2a = 3 m, ndice de refraccin del ncleo, n1 = 1,47, diferencia de los
ndices de refraccin n = 2 % y coeficiente de dispersin cromtica D = 16 ps/(km nm). Se
inyecta luz procedente de un LED con longitud de onda de emisin = 1.550 nm y anchura
espectral de emisin = 100 nm. Determinad la mxima distancia a la que se puede trans-
mitir una seal digital de 155 Mb/s. Si la diferencia relativa de los ndices de refraccin fuese
= 7 %, cul sera la mxima distancia?

Transmisores pticos

5. Considrese una fuente ptica de tipo LED que emite potencia ptica en primera ventana
( = 850 nm). Al LED se inyecta una corriente I = 10 A. Las eficiencias interna y externa
del LED son int = 80 % y est = 10 % respectivamente. Al transmisor LED se acopla una fibra
ptica con ndice de refraccin del ncleo n1 = 1,47 e ndice de refraccin del revestimiento
n2 = 1,45. Determinad la potencia ptica que se consigue inyectar en la fibra.

6. Un transmisor LED de eficiencia cuntica = 60 % emite potencia ptica en primera


ventana ( = 900 nm). La potencia ptica emitida se modula con una corriente sinoidal de
frecuencia 0 = 80 MHz; la corriente de inyeccin continua es I0 = 5 A y la potencia ptica
de pico es Ppico = 7 W. Determinad el ancho de banda de modulacin del LED.

7. Un diodo lser tiene una dimensin longitudinal de la cavidad ptica L = 250 m e ndice
de refraccin nsc = 3,75. En caso de suponer que la ganancia mxima en la cavidad se obtiene
para la longitud de onda p = 1.500 nm y que el intervalo de longitudes de onda para el cual
la ganacia es mayor que las prdidas totales es = 30 nm, determinad las longitudes de
onda mxima y mnima emitidas por el lser.

8. Un transmisor ptico de tipo lser emite potencia ptica en tercera ventana (p = 1.510
nm), tiene una longitud de la cavidad L = 200 m e ndice de refraccin nsc = 2,5. La potencia
ptica emitida por el lser se acopla con una fibra ptica de longitud Lf = 75 km, con longi-
tud de onda de corte c = 1.310 nm y coeficiente de dispersin intramodal D = 4 ps/(km nm).
Este sistema se ha diseado para transmitir a una tasa de bit (B) de 155 Mbps utilizando co-
dificacin NRZ. Deducid el mximo nmero de modos de oscilacin del lser (Nm ) para
permitir la tasa de bit deseada.

9. Una empresa dispone de un enlace interno en fibra ptica de longitud L = 1 km. El


sistema trabaja a la longitud de onda = 1.300 nm. Los ndices de refraccin del ncleo
y del revestimiento son n1 = 1,5 y n2 = 1,48 respectivamente y el dimetro del ncleo es
2a = 100 m.
a) Determinad el nmero de modos que se propagan en la fibra (de tipo SI) y el valor mximo
de la tasa de bit.
La empresa decide realizar un upgrade de su red incrementando la tasa de bit a 100 Mb/s.
b) A qu distancia mxima se puede realizar el enlace con la red existente?
Se decide entonces utilizar una fibra monomodo y los ndices de refraccin del ncleo y
revestimiento de la nueva fibra son n1 = 1,47 y n2 = 1,468, el dimetro del ncleo es 2a =
13,5 m, el coeficiente de atenuacin = 0,2 dB/km y el coeficiente de dispersin cromtica
es D = 16 ps/(nm km).
c) Cul es la longitud de onda mnima para que el enlace sea monomodo?
El diseador tiene que cambiar ahora, para que el sistema funcione, el transmisor. La nueva
fuente ptica es un lser basado en semiconductores con longitud de onda de emisin =
1.550 nm y anchura espectral de emisin = 0,8 nm. La potencia de emisin es PTX = 0,5
mW y la sensibilidad del receptor es PRX = 35 dBm. Evaluad si el sistema estar limitado por
la dispersin o por la atenuacin.

c FUOC PID_00238491 141 Redes de fibra ptica

10. Un sistema de transmisin en fibra ptica entre Barcelona y Tarragona se compone de


una fibra de longitud L = 100 km y se ha diseado para transmitir una velocidad B = 1 Gb/s.
Se utiliza una fibra ptica ya disponible con D = 4 ps/(km nm) y = 0,25 dB/km (atenuacin
que incluye las prdidas debidas a las fusiones). Para evaluar el loss budget considrese adems
que la prdida de path penalty debida a la dispersin cromtica se puede aproximar con la
siguiente frmula:

( )
L
path = 3 dB,
Lmax

donde L es la longitud del tramo de fibra y Lmax es la mxima distancia a la que se puede
llegar por la dispersin en el sistema. El sistema opera con BER = 1012 . Para realizar el
sistema se pueden considerar los siguientes componentes:
a) Transmisor ptico basado en un lser modulado externamente con potencia emitida Ptx =
0 dBm y anchura espectral de emisin = 0,9 nm.
b) Transmisor ptico basado en un lser modulado externamente y potencia emitida Ptx =
6 dBm y anchura espectral de emisin = 0,9 nm.
Elegid el transmisor que hay que usar teniendo en cuenta que el receptor ptico tiene una
sensibilidad de Prx = 24,3 dBm.

Receptores pticos

11. A un fotodiodo de tipo PIN le incide una potencia ptica Pi = 28 dBm en segunda
ventana ( = 1.300 nm). Si el fotodiodo es ideal, determinad la corriente fotodetectada. Si
la eficiencia cuntica se reduce a la mitad, qu le occurre a la corriente fotodetectada? Si se
sustituye el fotodiodo PIN por un fotodiodo APD, cul debera ser el valor del coeficiente de
multiplicacin para conseguir la misma corriente fotodetectada que en el caso del PIN ideal?

12. Considrese un fotodiodo de tipo PIN de silicio (Si). Calculad la responsivity del fotodiodo
si le incide una potencia ptica a la longitud de onda = 850 nm y si la eficiencia cuntica
es = 0,7. Calculad tambin la responsivity si la potencia incidente es a la longitud de onda
= 1.300 nm.

13. La relacin seal-ruido SNR a la salida de un fotodiodo PIN con eficiencia cuntica =
0,65 es de 20 dB. En el caso de considerar despreciable tanto el ruido de la corriente de
oscuridad como el ruido trmico y una corriente fotodetectada de 100 nA, determinad el
nmero medio de fotones recibidos durante un tiempo de bit.

14. Considrese un receptor ptico con fotodiodo de tipo APD trabajando en segunda ven-
tana (1.300 nm) cuya eficiencia cuntica es = 70 % y factor de ruido en exceso F(M) = 2.
En el caso de considerar una transmisin con codificacin NRZ a 2,5 Gbps y suponiendo
despreciable el ruido trmico y la corriente de oscuridad, calculad el nmero de fotones/bit
necesario para conseguir una probabilidad de error de bit (BER) de 109 .

15. Un receptor ptico, con fotodiodo de tipo APD, opera en tercera ventana (1.550 nm),
tiene una eficiencia cuntica = 0,8, un coeficiente de multiplicacin M = 10 y un factor de
ruido en exceso F(M) = 4. El dispositivo detecta una seal ideal segn un formato NRZ a la
velocidad de BT = 10 Gb/s:
a) Suponiendo despreciable el ruido trmico y el ruido de la corriente de oscuridad, calculad
la corriente fotodetectada media (IAPD ) necesaria para obtener una probabilidad de error
(BER) de 109 .
b) El receptor hace parte de un sistema de transmisin por fibra ptica. Calculad la poten-
cia de emisin mnima del lser de transmisin necesaria para la probabilidad de error del
apartado anterior en un sistema de transmisin por fibra ptica con tramo de fibra (con co-
eficiente de atenuacin = 0,2 dB/km en tercera ventana) de 100 km.

Amplificadores pticos

16. Considrese un receptor ptico de un enlace por fibra ptica. En el caso de que el recep-
tor sea ideal = 1, ruido trmico despreciable y formado por un fotodiodo PIN, le incide
un nmero medio de fotones por bit igual a 50. Si en las mismas condiciones se sustituye
el fotodiodo PIN por un fotodiodo APD, calculad el factor de ruido en exceso (F(M)) si la
relacin seal-ruido es igual a 10 dB.

17. Calculad cuntos canales DWDM espaciados 100 GHz puede amplificar un amplificador
de ganancia mxima G0 = 30 dB, sabiendo que el tiempo de vida medio de los portadores
en el nivel 2 es T2 = 1 ps. Si los canales estn espaciados 50 GHz, cuntos canales puede
amplificar el mismo amplificador?

c FUOC PID_00238491 142 Redes de fibra ptica

18. Calculad el ripple para un SOA con ganancia G = 30 dB y comparar este valor con el ripple
de un SOA con ganancia 10 dB. Los dos SOA tienen los mismos parmetros de reflectividad
R1 = R2 = 3 106 .

19. Cmo vara el ripple al variar la reflectividad de las superficies de un SOA?

20. Cuntos canales DWDM espaciados 100 GHz puede amplificar aproximadamente un
EDFA? Considrese que la longitud de onda central de la banda de amplificacin sea 1.550
nm. Calculad el nmero de canales amplificados tambin en el caso de que estn espaciados
50 GHz.

c FUOC PID_00238491 143 Redes de fibra ptica

Soluciones

1. La frecuencia normalizada V se define como

2a
V= NA, (222)

y para que la fibra sea multimodo se debe realizar la condicin V 2,405. Entonces, la
mnima longitud de onda que asegura que la fibra sea monomodo es la longitud de onda de
corte

2aNA 6 0,05
c = = m = 1,25 m.
2,405 2,405

Consideramos ahora un dimetro del ncleo mayor, por ejemplo 2a = 8 m. En este caso la
longitud de onda de corte es

2aNA 8 0,05
c = = m = 1,67 m.
2,405 2,405

Por lo tanto, al aumentar el dimetro del ncleo la longitud de onda de corte aumenta.

2. La dispersin intermodal de una fibra de salto de ndice (SI) multimodo se define como

( )
n1 n1 n2 n1 n2
= L = L .
c n2 c

La dispersion intermodal del ejercicio es en ns/km, por lo tanto, es ms prctico escribir la


frmula anterior como

n
= .
L c

La diferencia entre los ndices de refraccin es


n
= c = 3 108 m/s 10 ns/km = 3 103 .
L


La apertura numrica NA = n21 n22 , se puede escribir con una frmula aproximada como


NA
= 2n2 n,

y sustituyendo los datos del ejercicio, resulta NA = 0,092.

3. Calculamos la banda correspondiente al rango de longitudes de onda 1,5-1,6 m:

c c
= = 200 THz 187,5 THz = 12,5 THz.
min max

Por lo tanto, se pueden transmitir 125 canales DWDM espaciados 100 GHz.
La ratio entre la potencia transmitida y la mnima potencia que el receptor puede detectar

c FUOC PID_00238491 144 Redes de fibra ptica

(en dB) es igual al producto L: siendo la atenuacin = 0,2 dB/km,

L = 30dB,

donde L es la mxima longitud del enlace de fibra sin repetidores L = 150 km.

4. Lo primero que hay que comprobar es si con los datos que se dan, la fibra tiene un com-
portamiento multimodo o monomodo; Aplicando la frmula de la frecuencia normalizada,
se obtiene que V = 1,47 que resulta menor que 2,405; por lo tanto, el comportamiento de la
fibra es monomodo. Hay que considerar la dispersin intramodal, es decir:

= D L

Ahora, siendo la tasa de bit de BT = 155 Mb/s, asumiendo codificacin NRZ la mxima
dispersin es

1
max = .
2 BT

De aqu se obtiene que la mxima distancia es Lmax = 2 km.


Ahora, si n = 7 % hay que comprobar que la fibra sigue teniendo comportamiento monomo-
do; si aplicamos otra vez la frmula de la frecuencia normalizada, se obtiene que V = 2,69,
es decir, mayor que 2,405, y por lo tanto, el comportamiento es multimodo. La mxima
distancia a la cual se puede transmitir (Lmax = 13 m), siendo


Lmax = n1 = 13 m.
c
n1nn2
2

5. La potencia ptica interna generada por el LED a partir de la corriente de inyeccin se


puede expresar como:

Pint = (int hI)/e = 11,7 W,

y por lo tanto,

Pest = est Pint = 1,17 W

Ahora la eficiencia de acoplamiento entre fuentes pticas tipo LED y fibras pticas es:

c = (NA)2 , (223)

siendo NA = 0,058; finalmente se obtiene:

Pinyectada = Pest (NA)2 = 68,3nW.

6. La potencia ptica en continua emitida por el LED es:

P0 = (I0 h)/e = 4,1 W.



c FUOC PID_00238491 145 Redes de fibra ptica

Ahora la potencia de pico emitida por el LED se puede escribir como:

[ ]
1
Ppico = P0 1 + ;
1 + (0 )2

y por lo tanto:


1 (P0 )2
= 1 2 ns.
0 (Ppico P0 )2

Finalmente, se obtiene el ancho de banda de modulacin:


3
B = 138 MHz.
2

7. En primer lugar se calcula la separacin entre modos que pueden ser emitidos, es decir:

2p
= = 1,2 nm;
2nsc L

siendo entonces:


Nm = = 25 nm;

por lo tanto, siendo la curva de ganancia simtrica respecto a p , se obtiene:

max = 1.514,4 nm

min = 1.485,6 nm

8. Siendo c < p la propagacin de la seal emitida por el lser se realiza mediante un solo
modo de propagacin; por lo tanto, hay que considerar la dispersin intramodal, es decir:

= DLf ,

siendo la anchura espectral de emisin del lser. Ahora, siendo B = 155 Mb/s la tasa de
bit emitida y asumiendo codificacin NRZ, se obtiene:

1
B ,
2

es decir:

1
.
2B

c FUOC PID_00238491 146 Redes de fibra ptica

Entonces combinando con la expresin de la dispersin intramodal se obtiene:

1
.
2BDLf

Se busca el nmero de modos de oscilacin del lser para que se pueda realizar correctamente
la transmisin. Ahora, el nmero de modos se puede expresar como:


Nm = ,

siendo:

(p )2
= ;
2nsc L

por lo tanto, se obtiene:

1
2BDLf
Nm = = 5.
(p )2
2nsc L

9. a) Para determinar el nmero de modos de propagacin, primero se tiene que comprobar


que la fibra tiene un comportamiento multimodo (MM). Para ello, se calcula la frecuencia
normalizada, es decir:

2aNA
V= 59

que es mayor que 2,405 y por lo tanto, se confirma que la fibra es MM. Siendo la fibra de
tipo SI, el nmero de modos de propagacin se puede aproximar como:

V2
Nm 59 = 1.740 modos
2

Para calcular la mxima tasa de bit, siendo la fibra MM, hay que tener en cuenta la dispersin
intermodal. Asumiendo adems codificacin NRZ, se obtiene:

1
B ,
2

siendo

( )
n1 L n1 n2
= ;
c n2

por lo tanto, se obtiene:

c
Bmax = ( ) = 7,4 Mb/s.
n1 n2
2n1 L n2

c FUOC PID_00238491 147 Redes de fibra ptica

b) Ahora se quiere poder transmitir una tasa de bit de B = 100 Mb/s. Entonces:

1
B ( );
2n1 L n1 n2
c n2

por lo tanto:

1
Lmax = ( ) 74 m,
2Bn1 n1 n2
c n2

siendo Lmax la mxima distancia a la que se podr transmitir la seal de 100 Mb/s.
c) Para determinar la longitud de onda mnima para que la fibra tenga un comportamiento
monomodo hay que calcular la longitud de onda de corte, es decir:

2aNA
c = = 1,35 m
2,405

y por lo tanto, para la longitud de onda de trabajo, la fibra tiene comportamiento monomo-
do. Calculamos la mxima distancia a la que podemos transmitir por atenuacin:

Prx = Ptx L,

es decir, Lmax = 150 km. Calculamos la mxima distancia a la que podemos transmitir por
dispersin:

1
Lmax = = 390 km.
2BD

Por lo tanto, el sistema est limtado por la atenuacin.

10. En primer lugar, para considerar la atenuacin total que introduce el tramo de fibra, hay
que calcular la mxima distancia a la que se puede transmitir por dispersin. Asumiendo
codificacin NRZ, se obtiene:

1
Lmax = 139 km,
2BD

siendo = 0,9 nm. Por lo tanto,

L
path = 3 = 2,16 dB;
Lmax

y entonces, la dispersin total ser:

total = path + L = 27,15 dB;

Entonces, si consideramos el balance de potencia ptica, tenemos:

caso a) Ptx = 0 dBm y por lo tanto, la potencia que llega al receptor ptico es inferior a la
mnima necesaria;
caso b) Ptx = 6 dBm y en este caso, considerando la atenuacin total, la potencia ptica que
recibe el receptor es mayor que la mnima, por lo tanto, la transmisin se puede realizar
correctamente.

c FUOC PID_00238491 148 Redes de fibra ptica

11. Si el fotodiodo PIN es ideal, la eficiencia cuntica es unitaria, es decir = 1. Por lo tanto,
la corriente fotodetectada se obtiene:

Pi e
Ip = = 1,66 A.
h

Si ahora la eficiencia cuntica se reduce a la mitad, es decir = 0,5, la corriente fotodetectada


es Ip = 0,83 A, es decir se reduce a la mitad. En caso de sustituir el fotodiodo PIN con un
fotodiodo APD, asumiendo la misma eficiencia cuntica, se obtiene que: IAPD = MIp , por lo
tanto, hara falta que M = 2.

12. Usando la frmula de la responsivity, se obtiene:

e
R= = 0,48 A/W.
h

Si ahora la potencia ptica incidente es a la longitud de onda = 1.300 nm, siendo el


fotodiodo de silicio, la responsivity es nula, ya que la mxima longitud de onda fotodetectada
por un fotodiodo de Si es 1,1 m.

13. En base a los datos del problema, la relacin seal-ruido:

Ip
SNR = = 100 = 20 dB
2e

Ahora, el ancho de banda del fotodiodo es = 3,12 GHz y por lo tanto, el tiempo de bit BT =
0,16 ns. Ahora, siendo la corriente fotodetectada Ip = 100 nA, el nmero de fotoportadores
generados por segundo se puede obtner como: Ip /e = 6,25 1011 ; por lo tanto, el nmero de
fotones por segundo es: (1/) (Ip /e) = 9,6 1011 . Por lo que el nmero de fotones recibidos
por tiempo de bit es 154.

14. Usando el modelo gaussiano para el clculo de la probabilidad de error de bit, tenemos
que para BER = 109 el factor Q del receptor tiene que ser Q = 6. Ahora, se puede asumir que
0 = 0, siendo 0 el nmero de portadores generados durante el bit 0 y 0 = 0 (ya que se
considera despreciable el ruido trmico). Ahora, definiendo como m1 el nmero de fotones
por bit que se reciben durante el bit 1 y m0 el nmero de fotones por bit que se reciben
durante el bit 0 , tenemos que:

1 = Mm1
y

12 = m1 M 2 F(M),

siendo 1 el nmero de portadores generados durante el bit 1 .


Entonces, Q 2 = 36 = (m1 )/F(M) y por lo tanto, m1 = 103 fotones por bit 1 y entonces
ma = 52 fotones/bit.

15. a) En primer lugar, siendo la tasa de bit B = 10 Gb/s, el ancho de banda del fotodiodo se
obtiene = B/2 = 5 GHz (asumiendo codificacin NRZ de la seal). Ahora, para tener una
probabilidad de error de bit BER = 1010 , el factor Q del receptor deber ser Q = 6,4. El factor
Q se puede escribir como:

I1 I0
Q=
1 + 0

Suponiendo que no se transmite potencia ptica durante el bit 0 , se puede deducir que la
corriente fotodetectada durante ese bit sea I0 = 0; considerando adems que el ruido trmico
y el de la corriente de oscuridad se pueden despreciar, la frmula anterior se puede escribir:

I1
Q= ,
2eM F(M)Ip
2

c FUOC PID_00238491 149 Redes de fibra ptica

siendo Ip la corriente media fotodetectada a partir de los fotones incidentes. A partir de aqu
se obtiene que:

Q = I1 = 2Ip = Q 2 eF(M),

es decir, IAPD = MIp = 650 nA.

b) En base a los datos del ejercicio, la atenuacin total introducida por el tramo de fibra
ptica es L = 20 dB. En base a los resultados del apartado anterior, la potencia ptica que
incide en el fotodiodo viene dada por:

Ip h
Pi = = 65nW = 42 dBm
e

Por lo tanto, la mnima potencia ptica que el transmisor tiene que emitir es 22 dBm.

16. Si definimos con ma el nmero de fotones por bit que el fotodiodo PIN recibe, entonces
ma = 50 fotones/bit. Entonces, la corriente media fotodetectada se puede escribir como:

Ip = 2ma e.

Ahora, si se sustituye el PIN por un APD, siendo la SNR de este ltimo 10 dB, tenemos que:

Ip
SNR = 10 = ,
2eF(M)

ya que se puede despreciar la varianza del ruido trmico.


Entonces, combinando las dos expresiones se obtiene:

ma
SNR = 10 = ,
F(M)

es decir,

ma
F(M) = = 5.
SNR

17. Antes de todo, hay que calcular el ancho de banda de amplificacin del dispositivo, que
est relacionado con el FWHM de la curva de ganancia g = 2/T2 :


ln2 2 ln2
A = g G0
= G0
.
ln T2 ln
2 2

Por lo tanto, se obtiene que el FWHM es g = 2 THz y, al sustituir la ganancia mxima del
amplificador, el ancho de banda de amplificacin resulta


ln2
A = 2 THz
= 667 GHz.
ln 1.000
2

Entonces, si los canales DWDM estn espaciados 100 GHz, el amplicador puede amplificar
hasta 6 canales. Si los canales estn espaciados 50 GHz, el amplificador puede amplificar has-
ta 13.

c FUOC PID_00238491 150 Redes de fibra ptica

18. La frmula para calcular el ripple de un SOA es

( )2
1 + G R1 R2
ri = .
1 G R1 R2

En el caso del SOA con ganancia 30 dB el ripple es

( )2
(1) 1 + 1.000 (3 106 )2
ri = = 1,012 = 0,05 dB.
1 1.000 (3 106 )2

Si la ganancia disminuye de 30 dB a 10 dB (de 1/3), el ripple, calculado con la misma frmula,


(2) (1) (2)
es ri = 0,0005 dB. Por lo tanto, comparando ri y ri , observamos que el ripple aumenta al
aumentar la ganancia del SOA. Como se ha comentado en el subapartado 4.3.

19. Si consideramos una ganancia de 30 dB y los parmetros de reflectividad iguales a R1 =


R2 = 3 105 , el ripple se puede calcular como

( )2 ( )2
1 + G R1 R2 1 + 1.000 (3 105 )2
ri = = = 1,12 = 0,5 dB.
1 G R1 R2 1 1.000 (3 105 )2

Ahora comparamos este valor de ripple con el ripple calculado para un SOA con el mismo valor
de ganancia y parmetros de reflectividad menores de un orden de magnitud R1 = R2 = 3106
(vase el ejercicio anterior), que es ri = 0,05 dB. Se puede observar que el ripple aumenta al
aumentar la reflectividad.

20. La banda de amplificacin de un EDFA es = 35 nm. Sabiendo que la longitud de onda


central es = 1.550 nm, se puede calcular la frecuencia central equivalente con la frmula

c 3 108 m/s
= = = 193,5 THz.
1.550 109 m

La ratio entre la banda en nm y la longitud de onda central es igual a la ratio entre la banda
en GHz y la frecuencia central


= .

Por lo tanto, podemos calcular la banda en GHz

193,5 35
= THz = 4,37 THz.
1.550

Si los canales estn espaciados 100 GHz, el EDFA puede amplificar 43 canales. Si los canales
estn espaciados 50 GHz hasta 87 canales sern amplificados por el EDFA.

c FUOC PID_00238491 151 Redes de fibra ptica

Glosario
ADM Add and drop multiplexers

ANSI American National Standards Institution

APD Avalanche photoDiode

ASE Amplified spontaneous emission

ASON Automatically switched optical network

ATM Asynchronous transfer mode

AU Administrative unit

BER Bit error rate

CC Connection controller

CP Control plane

CWDM Coarse wavelength division multiplex

DBR Distributed bragg reflector

DCF Dispersion compensating fiber

DCN Data communication network

DFB Distributed feedback laser

D Decisor

DWDM Dense wavelength division multiplexing

DXC Digital cross-connects

EDFA Erbium doped fiber amplifier

EF Electric filter (filtro elctrico)

ETSI European Telecommunications Standards Institute

FWHM Full width at half maximum

FWM Four-wave mixing

GI Graded ndex (ndice de gradiente)

GFP Generic frame procedure

HOVC High order virtual container

IP Internet protocol

ISI InterSymbol interference (interferencia intersimblica)

ITU-T International Telecommunication Union - Telecommunication Standardization Sec-


tor (Sector de Estandarizacin de las Telecomunicaciones de la Unin Internacional de Tele-
comunicaciones)

LAN Local area network

LASER Light amplification by stimulated emission of radiation

LCAS Link capacity adjustment scheme

LED Light emitting diode

L-I Output light vs. input current

LOVC Low order virtual container

LRM Link resource manager

MAN Metropolitan area network

MSOH Multiplex section overhead



c FUOC PID_00238491 152 Redes de fibra ptica

MSR Mode supression ratio

MMF Multiple mode fiber (fibra multimodo)

NA Numerical aperture (apertura numrica)

NEP Noise equivalent power

NMS Network management system

NNI Network-to-network interface

NRZ Non-return-to-zero

OADM Optical add-drop multiplexer

OA Optical amplifier (amplificador ptico)

OCh Optical channel layer

ODU Optical data unit

OEIC OptElectronic integrated circuit technology

OF Optical filter (filtro ptico)

OSI Open system interconnection

OMS Optical multiplex section

OPU Optical payload unit

OTN Optical transport network

OTS Optical transmission section

OXC Optical cross-connect

PD PhotoDiode (fotodiodo)

PDG Polarization dependent gain

PDH Plesiochronous digital hierarchy

PMD Polarization mode dispersion (dispersin de modo de polarizacin)

PON Passive optical network

RC Routing controller

RSOH Regeneration section overHead

RZ Return-to-zero

S Sampler (muestreador)

SC Switched connection

SDH Synchronous digital hierarchy

SI Step ndex (ndice de salto)

SMF Single mode fiber (fibra monomodo)

SNR Signal-to-noise ratio (relacin seal a ruido)

SPM Self-phase modulation

SOA Semiconductor optical amplifier

SONET Synchronous optical network

SPC Soft permanent connection

TE Transverse electric

TM Transverse magnetic

TMN Telecommunication management network



c FUOC PID_00238491 153 Redes de fibra ptica

TU Tributary unit

TUG Tributary unit group

UNI User network interface

VC Virtual container

VCAT Virtual concatenation

VCG Virtual concatenation group

WAN Wide area network

WDM Wavelength division multiplexing

XGM Cross-gain modulation

XPM Cross-phase modulation



c FUOC PID_00238491 154 Redes de fibra ptica

Bibliografa
Agrawal, Govind P. (2001). Applications of nonlinear fiber optics. Academic Press.

Bass, Michael; Van Stryland, Eric W. (2002). Fiber optics handbook: fiber, devices, and
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G.7042/Y.1305 (2006). Link capacity adjustment scheme (LCAS) for virtual concatenated sig-
nals. ITU-T.

G.803 (2000). Architecture of transport networks based on the synchronous digital hierarchy (SDH).
ITU-T.

G.872 (2001). Architecture of optical transport networks. ITU-T.

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